JPH11349668A - Phenylene group-containing polymer and its preparation - Google Patents

Phenylene group-containing polymer and its preparation

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JPH11349668A
JPH11349668A JP16022398A JP16022398A JPH11349668A JP H11349668 A JPH11349668 A JP H11349668A JP 16022398 A JP16022398 A JP 16022398A JP 16022398 A JP16022398 A JP 16022398A JP H11349668 A JPH11349668 A JP H11349668A
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JP
Japan
Prior art keywords
group
containing polymer
phenylene
allyl
phenylene group
Prior art date
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Pending
Application number
JP16022398A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadahiro Shiba
唯啓 柴
Toshiyuki Akiike
利之 秋池
Kohei Goto
幸平 後藤
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JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
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Publication date
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a curable polymer excellent in heat resistance, low dielectric constant and solvent resistance by substituting a phenylene group-containing polymer comprising a specific recurring unit by allyl groups to a specific degree. SOLUTION: The objective curable phenylene group-containing polymer comprises a specific recurring unit represented by the formula and has a substitution ratio by allyl groups, defined by the following equation, of 0.1-400 mole % and a wt. average mol.wt., in terms of polystyrene, of 1,000-1,000,000. [The substitution ratio by allyl group] is (the total mole number of allyl groups in the phenylene group-containing polymer)/(the total mole number of phenylene groups in the phenylene group-containing polymer)×100(%). In the formula, X is S, -SO2 , O(CH2 )O, fluorenylene group or the like; R<1> -R<12> are the same or different and are each an aryl, H, a halogen, an alkyl or a haloalkyl; (r) is a number of 1-10; (n) is 0.1-100 mole %; and (m) is 0-99.9 mole %.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、硬化性フェニレン
基含有重合体およびその製造方法に関する。
The present invention relates to a curable phenylene group-containing polymer and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】大規模集積回路(LSI)は、微細加工
技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化
をたどっている。その結果、回路抵抗や配線間のコンデ
ンサー容量(以下、それぞれ、「寄生抵抗」、「寄生容
量」ともいう)が増大して、消費電力が増加するだけで
なく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピードが
低下する大きな要因となっている。そのため、寄生抵抗
や寄生容量を下げることが求められており、その解決策
の一つとして、配線の周辺を層間絶縁膜で被う事によ
り、寄生容量を下げてデバイスの高速化に対応しようと
している。しかしながら、層間絶縁膜には、実装基板製
造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付けなどの後工
程に耐えられる優れた耐熱性を有することが必要であ
る。この高耐熱性の有機材料として、ポリイミドが広く
知られているが、極性の高いイミド基を含むため、低誘
電性、低吸水性の面では、満足なものは得られていな
い。一方、極性基を含まない高耐熱の有機材料として
は、ポリフェニレンが知られている。このポリフェニレ
ンに、可溶性を付与するために、一般に側鎖を導入する
ことが行われているが、側鎖を導入することにより、耐
熱性が低下したり、原料の製造が煩雑なるなどの問題が
ある。
2. Description of the Related Art Large-scale integrated circuits (LSIs) have become highly integrated, multifunctional, and high-performance, reflecting the progress of fine processing technology. As a result, the circuit resistance and the capacitance between the wirings (hereinafter, also referred to as “parasitic resistance” and “parasitic capacitance”, respectively) increase, which not only increases the power consumption, but also increases the delay time. This is a major factor in lowering the signal speed. Therefore, it is required to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance. One of the solutions is to cover the periphery of the wiring with an interlayer insulating film to reduce the parasitic capacitance and respond to the speeding up of the device. I have. However, the interlayer insulating film needs to have excellent heat resistance that can withstand post-processes such as a thin-film forming process at the time of manufacturing a mounting board and chip connection and pinning. Polyimide is widely known as the organic material having high heat resistance, however, since it contains a highly polar imide group, no satisfactory material is obtained in terms of low dielectric property and low water absorption. On the other hand, polyphenylene is known as a high heat-resistant organic material containing no polar group. In order to impart solubility to this polyphenylene, a side chain is generally introduced.However, by introducing a side chain, problems such as reduced heat resistance and complicated production of raw materials are caused. is there.

【0003】また、主鎖に屈曲基を導入することによっ
て、可溶性を付与し高耐熱性、低誘電率性、加工性、及
び透明性に優れたポリマーが開示されているが、その優
れた溶剤可溶性のため、溶剤の攻撃を受けやすい。ポリ
イミドにおいては、アセチレン、マレイミド、またはビ
ニル末端を有する硬化剤で硬化させることによって、耐
溶剤性を改善することが提案されているが、そのように
硬化させられたポリイミドは誘電率が上昇するという問
題がある。また、ポリフェニレンエーテルに架橋基を導
入し硬化させることによって、耐熱性ならびに耐薬品性
を改善することが提案されているが、誘電率の面ではエ
ーテル結合を含むためポリフェニレンと比べ満足なもの
ではない。
Further, a polymer is disclosed which imparts solubility by introducing a bending group into the main chain and is excellent in high heat resistance, low dielectric constant, processability, and transparency. Because it is soluble, it is susceptible to solvent attack. For polyimides, it has been proposed to improve solvent resistance by curing with a acetylene, maleimide, or vinyl-terminated curing agent, but such cured polyimides have an increased dielectric constant. There's a problem. In addition, it has been proposed to improve the heat resistance and chemical resistance by introducing and curing a crosslinking group in polyphenylene ether, but it is not more satisfactory than polyphenylene because it contains an ether bond in terms of dielectric constant. .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、これら従来
技術を問題点になされたもので、耐熱性、低誘電率性、
耐溶剤性に優れた硬化性フェニレン基含有重合体、およ
びこの製造方法を提供しようとするものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made based on these conventional techniques as problems, and has a heat resistance, a low dielectric constant,
An object of the present invention is to provide a curable phenylene group-containing polymer having excellent solvent resistance and a method for producing the same.

【0005】[0005]

【発明を解決するための手段】本発明は、下記一般式
(1)で表される繰り返し単位からなり、次式で定義さ
れるアリル基の置換率が0.1モル%〜400モル%以下
である硬化性フェニレン基含有重合体(以下、「本発明
のフェニレン基含有重合体」という)、および下記一般
式(2)で表されるフェニレン基含有重合体に、有機ア
ルカリ金属を作用させ、アリルハライドで置換させるこ
とを特徴とする硬化性フェニレン基含有重合体の製造方
法を提供するものである。
The present invention comprises a repeating unit represented by the following general formula (1), wherein the substitution rate of an allyl group defined by the following formula is 0.1 mol% to 400 mol% or less. A curable phenylene group-containing polymer (hereinafter, referred to as “phenylene group-containing polymer of the present invention”), and a phenylene group-containing polymer represented by the following general formula (2), An object of the present invention is to provide a method for producing a curable phenylene group-containing polymer, which is characterized by substitution with an allyl halide.

【0006】アリル基置換率=(フェニレン基含有重合
体のアリル基の全モル数/フェニレン基含有重合体のフ
ェニレン基の全モル数)×100(%) 一般式(1)
Allyl group substitution rate = (total number of moles of allyl group in phenylene group-containing polymer / total number of moles of phenylene group in phenylene group-containing polymer) × 100 (%) General formula (1)

【化3】 〔式中、Xはイオウ原子、−SO2−、−(CH)2−、
−O(CH2)rO−、−(CYY’)p−で表される基
(ここで、YおよびY’は同一または異なり、水素原
子、アリール基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基を
示す)またはフルオレニレン基であり、R1〜R12は、
同一または異なり、アリル基、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基であり、pは0
または1の数を示し、rは1〜10の数を示し、nは
0.1〜100モル%、mは0〜99.9モル%を示
す。〕
Embedded image [Wherein, X is a sulfur atom, -SO2-,-(CH) 2-,
-O (CH2) r O -, - (CYY ') p- group represented by (wherein, Y and Y' are the same or different, a hydrogen atom, an aryl group, an alkyl group, a halogenated alkyl group) Or a fluorenylene group, wherein R 1 to R 12 are
Same or different, allyl group, hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, halogenated alkyl group, and p is 0
Or, the number of 1 is shown, r shows the number of 1-10, n shows 0.1-100 mol%, and m shows 0-99.9 mol%. ]

【0007】一般式(2)General formula (2)

【化4】 〔式中、Xはイオウ原子、−SO2−、−(CH)2−、
−O(CH2)rO−、−(CYY’)p−で表される基
(ここで、YおよびY’は同一または異なり、水素原
子、アリール基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基を
示す)またはフルオレニレン基であり、R13〜R24は、
同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、ハロゲン化アルキル基であり、pは0または1の数
を示し、rは1〜10の数を示し、nは0.1〜100
モル%、mは0〜99.9モル%を示す。〕
Embedded image [Wherein, X is a sulfur atom, -SO2-,-(CH) 2-,
-O (CH2) r O -, - (CYY ') p- group represented by (wherein, Y and Y' are the same or different, a hydrogen atom, an aryl group, an alkyl group, a halogenated alkyl group) Or a fluorenylene group, wherein R 13 to R 24 are
The same or different, a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group, p represents a number of 0 or 1, r represents a number of 1 to 10, and n represents a number of 0.1 to 100.
Mol% and m represent 0 to 99.9 mol%. ]

【0008】本発明において前記一般式(1)、(2)
におけるYおよびY′のうち、アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが、ハロ
ゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペ
ンタフルオロエチル基などが、アリール基としては、フ
ェニル基、ビフェニル基、トリル基、ペンタフルオロフ
ェニル基などが挙げられる。また、R1〜R12のうちハ
ロゲン原子としては、フッ素原子などが、アルキル基と
しては、メチル基、エチル基などが、ハロゲン化アルキ
ル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基などが、アリル基としては、プロペニル基など
が、アリール基としては、フェニル基、ペンタフルオロ
フェニル基などが挙げられる。本発明において、一般式
(1)で表されるフェニレン基含有重合体のポリスチレ
ン換算重量平均分子量は、通常、1,000〜1,00
0,000、好ましくは1,500〜200,000で
ある。
In the present invention, the above general formulas (1) and (2)
In Y and Y ′, the alkyl group includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, the halogenated alkyl group includes a trifluoromethyl group and a pentafluoroethyl group, and the aryl group includes Phenyl group, biphenyl group, tolyl group, pentafluorophenyl group and the like. Further, among R 1 to R 12, a halogen atom is a fluorine atom, an alkyl group is a methyl group or an ethyl group, and a halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group or a pentafluoroethyl group. Examples of the allyl group include a propenyl group, and examples of the aryl group include a phenyl group and a pentafluorophenyl group. In the present invention, the phenylene group-containing polymer represented by the general formula (1) generally has a weight average molecular weight in terms of polystyrene of 1,000 to 1,000.
000, preferably 1,500-200,000.

【0009】本発明の硬化性フェニレン基含有重合体を
製造する方法は、前記一般式(2)で表されるフェニレ
ン基含有重合体を有機アルカリ金属でメタル化し、アリ
ルハライドで置換反応する工程から成る。一般式(2)
で表されるフェニレン基含有重合体の具体例としては、
ポリ(1,4-フェニレンメチレン-1,4-フェニレン)、ポ
リ(1,4-フェニレン-9,9-フルオレニレン-1,4-フェニレ
ン)、ポリ(1,4-フェニレン-2,2-ヘキサフルオロプロ
ピレン-1,4-フェニレン)、ポリ(1,4-フェニレン-2,2-
プロピレン-1,4-フェニレン)などが挙げられる。特に
ポリ(1,4-フェニレン-2,2-ヘキサフルオロプロピレン-
1,4-フェニレン)が耐熱性、低誘電率性の点で好まし
い。
The method for producing the curable phenylene group-containing polymer of the present invention comprises a step of metallizing the phenylene group-containing polymer represented by the general formula (2) with an organic alkali metal and subjecting the polymer to a substitution reaction with allyl halide. Become. General formula (2)
As a specific example of the phenylene group-containing polymer represented by,
Poly (1,4-phenylenemethylene-1,4-phenylene), poly (1,4-phenylene-9,9-fluorenylene-1,4-phenylene), poly (1,4-phenylene-2,2-hexene) Fluoropropylene-1,4-phenylene), poly (1,4-phenylene-2,2-
Propylene-1,4-phenylene) and the like. In particular, poly (1,4-phenylene-2,2-hexafluoropropylene-
1,4-phenylene) is preferred in terms of heat resistance and low dielectric constant.

【0010】有機アルカリ金属としては、有機リチウム
化合物、特に炭素数1〜10のアルキルリチウムがメタ
ル化反応を容易に進めることができることが好ましい。
有機アルカリ金属の具体例としては、メチルリチウム、
n-ブチルリチウム、sec-ブチルリチウム、tert-ブチル
リチウム等を挙げることができる。好ましくはn-ブチル
リチウム、sec-ブチルリチウム、tert-ブチルリチウム
である。有機アルカリ金属の使用量は、一般式(2)で
表されるフェニレン基含有重合体のフェニレン基1モル
に対して0.001〜5モルが好ましい。アリルハライドと
しては、アリルクロライド、アリルブロマイド、アリル
アイオダイドが挙げられる。特に、反応性の面からアリ
ルブロマイド、アリルアイオダイドが好ましい。アリル
ハライドの使用量は、一般式(2)で表されるフェニレ
ン基含有重合体のフェニレン基1モルに対して0.001〜
5モルが好ましい。
As the organic alkali metal, it is preferable that an organic lithium compound, particularly an alkyl lithium having 1 to 10 carbon atoms, can facilitate the metalation reaction.
Specific examples of organic alkali metals include methyl lithium,
n-butyllithium, sec-butyllithium, tert-butyllithium and the like. Preferred are n-butyllithium, sec-butyllithium and tert-butyllithium. The amount of the organic alkali metal used is preferably 0.001 to 5 mol per 1 mol of the phenylene group of the phenylene group-containing polymer represented by the general formula (2). Allyl halides include allyl chloride, allyl bromide, and allyl iodide. Particularly, allyl bromide and allyl iodide are preferred from the viewpoint of reactivity. The amount of the allyl halide to be used is 0.001 to 1 mol per phenylene group of the phenylene group-containing polymer represented by the general formula (2).
5 moles are preferred.

【0011】本発明において、一般式(2)で表される
フェニレン基含有重合体と有機アルカリ金属、及びアリ
ルハライドとの反応は、テトラヒドロフラン(以下THF
と略称する)、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、ジ
エチルエーテルなどのエーテル系溶媒中で行える。ま
た、N,N,N,N-テトラメチルエチレンジアミンの存在下に
ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサンなど炭
化水素系溶媒を用いて行うこともできる。実際の反応に
際してこれらの溶媒は、精製、脱水などの前処理を行う
ことが好ましく、また、これらの溶媒は適度な割合で混
合してもよく、反応を阻害しないものであればその他の
溶媒を混合してもよい。反応は窒素、アルゴンなどの不
活性ガス下に行うことが好ましい。
In the present invention, the reaction of the phenylene group-containing polymer represented by the general formula (2) with an organic alkali metal and allyl halide is carried out in tetrahydrofuran (hereinafter THF).
), 1,4-dioxane, dimethoxyethane, diethyl ether and the like. Alternatively, the reaction can be performed using a hydrocarbon solvent such as benzene, toluene, xylene, and cyclohexane in the presence of N, N, N, N-tetramethylethylenediamine. In the actual reaction, these solvents are preferably subjected to pretreatments such as purification and dehydration.These solvents may be mixed at an appropriate ratio, and other solvents may be used as long as they do not inhibit the reaction. You may mix. The reaction is preferably performed under an inert gas such as nitrogen or argon.

【0012】一般式(2)で表されるフェニレン基含有
重合体と有機アルカリ金属との反応、及びそれに続くア
リルハライドとの反応の温度、時間については特に制限
はない。たとえば、有機アルカリ金属との反応の場合、
反応は-78℃〜溶媒の沸点(系が凝固する場合は凝固点
から沸点の間)、好ましくは0℃〜用いる溶媒の沸点の
間で行われ、反応時間は通常1秒〜48時間である。本
発明において、アリル基の置換率を制御する因子として
は、反応温度、反応時間、溶媒種、反応させる有機アル
カリ金属の量及びアリルハライドの量等が挙げられる。
どの因子によっても置換率を制御できるが、好ましくは
有機アルカリ金属の量を変化させ、これと等量以上のア
リルハライドを作用させるか、あるいは過剰量の有機ア
ルカリ金属を用い、アリルハライドの量を調節する方法
が好ましい。
The temperature and time for the reaction of the phenylene group-containing polymer represented by the general formula (2) with the organic alkali metal and the subsequent reaction with the allyl halide are not particularly limited. For example, in the case of a reaction with an organic alkali metal,
The reaction is carried out at -78 ° C to the boiling point of the solvent (between the freezing point and the boiling point when the system solidifies), preferably at 0 ° C to the boiling point of the solvent used, and the reaction time is usually 1 second to 48 hours. In the present invention, factors that control the substitution rate of the allyl group include a reaction temperature, a reaction time, a solvent type, an amount of an organic alkali metal to be reacted, an amount of an allyl halide, and the like.
Although the substitution rate can be controlled by any factor, it is preferable to change the amount of the organic alkali metal and apply an allyl halide in an amount equal to or more than this, or use an excess amount of the organic alkali metal to reduce the amount of the allyl halide. A method of adjusting is preferred.

【0013】本発明におけるアリル基の置換率は、一般
式(1)で表されるフェニレン基含有重合体のフェニレ
ン基の全モル数に対するアリル基の全モル数の比で定義
され、最大で400モル%であり、通常、0.1〜100
モル%であり、好ましくは1〜50モル%である。本発
明の硬化性フェニレン基含有重合体に導入されたアリル
基は、核磁気共鳴スペクトル(以下NMRと略称す
る)、赤外吸収スペクトルによって確認でき、 1H-NM
Rスペクトルのピーク面積からは置換率を求めることが
できる。
The substitution rate of the allyl group in the present invention is generally
Phenylene of phenylene group-containing polymer represented by formula (1)
Defined by the ratio of the total number of allyl groups to the total number of allyl groups
And at most 400 mol%, usually from 0.1 to 100%.
Mol%, preferably 1 to 50 mol%. Departure
Allyl introduced into bright curable phenylene group-containing polymer
The group has a nuclear magnetic resonance spectrum (hereinafter abbreviated as NMR).
Can be confirmed by infrared absorption spectrum, 1H-NM
The substitution rate can be determined from the peak area of the R spectrum.
it can.

【0014】本発明の硬化性フェニレン基含有重合体
は、加熱によってアリル基が付加反応し硬化することが
できる。本発明の硬化性フェニレン基含有重合体は、溶
媒に溶解して使用される。硬化性フェニレン基含有重合
体を溶媒に溶解させる濃度としては、通常1〜60重量
%、好ましくは5〜40重量%である。特定重合体の濃
度が1重量%未満では、充分な厚さの塗膜が得られず、
一方、60重量%を超えると、充分に流延せず、均一な
塗膜が得られない場合がある。本発明の硬化性フェニレ
ン基含有重合体には、フィルムの基板への密着性を増す
ために、密着助剤などを混合しても良い。本発明の硬化
性フェニレン基含有重合体は、加熱によってアリル基が
付加反応し硬化することができる。
The curable phenylene group-containing polymer of the present invention can be cured by the addition reaction of an allyl group by heating. The curable phenylene group-containing polymer of the present invention is used after being dissolved in a solvent. The concentration at which the curable phenylene group-containing polymer is dissolved in the solvent is usually 1 to 60% by weight, preferably 5 to 40% by weight. If the concentration of the specific polymer is less than 1% by weight, a coating film having a sufficient thickness cannot be obtained,
On the other hand, if it exceeds 60% by weight, it may not be sufficiently cast and a uniform coating film may not be obtained. The curable phenylene group-containing polymer of the present invention may be mixed with an adhesion aid or the like in order to increase the adhesion of the film to the substrate. The curable phenylene group-containing polymer of the present invention can be cured by an addition reaction of an allyl group by heating.

【0015】この硬化成型物は、本発明の硬化性フェニ
レン基含有重合体をスプレー法、スピンコーティング
法、またはキャスティング法、好ましくはスピンコーテ
ィング法などによって基材に塗布し、通常250〜40
0℃、好ましくは300〜350℃に加熱し架橋を行う
ことにより膜として形成することができる。本発明の硬
化性フェニレン基含有重合体は、低誘電、性高耐熱性、
耐溶剤性を有しており電子部品用絶縁膜、例えば、層間
絶縁膜、保護膜、プリント基板材料、封止材料として、
また、光学用途として好適に用いることができる。
The cured molded product is prepared by applying the curable phenylene group-containing polymer of the present invention to a substrate by spraying, spin coating, or casting, preferably spin coating, and the like.
The film can be formed as a film by heating at 0 ° C., preferably 300 to 350 ° C. to perform crosslinking. The curable phenylene group-containing polymer of the present invention has low dielectric constant, high heat resistance,
As an insulating film for electronic components that has solvent resistance, for example, as an interlayer insulating film, a protective film, a printed circuit board material, a sealing material,
Further, it can be suitably used for optical applications.

【0016】[0016]

【実施例】以下、実施例を挙げ本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。なお、実施例中、%および部は、特に断らない
限り重量基準である。また、実施例中の各種の測定項目
は、下記のようにして求めた。重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn) ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測
定により、ポリスチレン換算で求めた。5%重量減少温度(Td5 ) TG法により、チッ素雰囲気中、昇温速度10℃/分の
条件で測定した。比誘電率(ε ) SUS基板に、上記と同様の方法で、重合体の塗膜を形
成させたのち、マスク蒸着により金電極を形成させ、比
誘電率測定用サンプルとした。このサンプルの静電容量
をLCRメーターにより測定し、下記の式から、比誘電
率を求めた。 ε=C・d/ε0 ・S ここで、εは比誘電率、Cは静電容量、ε0 は真空中の
誘電率、Sは上部電極面積である。体積固有抵抗(ρv ) 試験片として、得られた重合体を、SUS基板に塗膜し
たものを用いた以外は、JIS K6911に準じて測
定した。塗膜外観 目視により観察した。○ 変化無し、△ 失透又はヒ
ビ、× 溶解を示す。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples. In Examples,% and parts are by weight unless otherwise specified. Various measurement items in the examples were obtained as follows. Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn ) were determined by gel permeation chromatography (GPC) measurement in terms of polystyrene. 5% weight loss temperature (Td5 ) The temperature was measured by a TG method in a nitrogen atmosphere at a heating rate of 10 ° C./min. Relative Dielectric Constant (ε ) A polymer film was formed on a SUS substrate in the same manner as described above, and then a gold electrode was formed by mask evaporation to obtain a sample for relative dielectric constant measurement. The capacitance of this sample was measured with an LCR meter, and the relative dielectric constant was determined from the following equation. ε = C · d / ε 0 · S Here, ε is a relative permittivity, C is a capacitance, ε 0 is a permittivity in a vacuum, and S is an upper electrode area. Volume resistivity (ρ v ) Measured according to JIS K6911, except that the obtained polymer was applied to a SUS substrate as a test piece. The appearance of the coating film was visually observed. ○ No change, △ Devitrification or crack, × shows dissolution.

【0017】実施例1〜3 アルゴンガス導入管、温度計を備えた内容積100ml
の三つ口フラスコにポリ(1,4-フェニレン-2,2-ヘキサ
フルオロイソプロピレン-1,4-フェニレン)(Mn:1
5800 Mw:31200)3.0gを加え、三つ口フ
ラスコ内をアルゴンガスで置換した。無水THF50m
lを添加し溶解させた後、室温でn-ブチルリチウムヘ
キサン溶液(1.6M)12.5ml、25.0mlおよび37.5mlを加
え、アルゴン雰囲気下室温で1時間攪拌した。得られた
深青色の溶液に、アリルブロマイドをそれぞれ3.7ml
(実施例1)、7.4ml(実施例2)および11.1ml(実施
例3)を加え室温で1時間攪拌した後、氷冷下メタノー
ルを加え反応を終了させた。得られた反応混合液にジエ
チルエーテル200mlを加え2規定塩酸で抽出洗浄を
行った後、ジエチルエーテルを留去し、残留物をメタノ
ールに投じ、沈殿を回収、乾燥し白色粉末状のポリマー
を得た。1H-NMRによりアリル基の置換率を求めたと
ころ、それぞれ5%、10%および21%であった。得
られたポリマー20部をプロピレングリコール-1-モノ
メチルエーテル-2-アセテート(以下PGMEAと省略
する)80部に溶解させスピンコート法によりガラス基
板に塗布し、80℃、130℃でそれぞれ3分間、13
0℃、300℃でそれぞれ30分間ずつ焼成し、均一な
塗膜を得た。得られた塗膜は無色透明であった。この塗
膜をPGMEA中に10分間浸け、その薄膜の状態を目
視による観察結果、比誘電率及び5%重量減少温度を表
1に示す。
Examples 1 to 3 Inner volume 100 ml equipped with an argon gas inlet tube and a thermometer
Poly (1,4-phenylene-2,2-hexafluoroisopropylene-1,4-phenylene) (Mn: 1
(5800 Mw: 31200) 3.0 g was added, and the inside of the three-necked flask was replaced with argon gas. 50m anhydrous THF
Then, 12.5 ml, 25.0 ml and 37.5 ml of an n-butyllithium hexane solution (1.6 M) were added at room temperature, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour under an argon atmosphere. 3.7 ml of allyl bromide was added to the resulting deep blue solution.
(Example 1), 7.4 ml (Example 2) and 11.1 ml (Example 3) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, and then methanol was added under ice cooling to terminate the reaction. After adding 200 ml of diethyl ether to the obtained reaction mixture and extracting and washing with 2N hydrochloric acid, diethyl ether was distilled off, the residue was poured into methanol, and the precipitate was collected and dried to obtain a white powdery polymer. Was. The substitution rates of allyl groups were determined by 1 H-NMR to be 5%, 10% and 21%, respectively. 20 parts of the obtained polymer is dissolved in 80 parts of propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate (hereinafter abbreviated as PGMEA), applied to a glass substrate by a spin coating method, and heated at 80 ° C. and 130 ° C. for 3 minutes each. Thirteen
Baking was performed at 0 ° C. and 300 ° C. for 30 minutes each to obtain a uniform coating film. The obtained coating film was colorless and transparent. This coating film was immersed in PGMEA for 10 minutes, and the state of the thin film was visually observed. Table 1 shows the relative dielectric constant and the 5% weight loss temperature.

【0018】実施例4 アルゴンガス導入管、温度計を備えた内容積100ml
の三つ口フラスコにポリ(1,4-フェニレン-2,2-ヘキサ
フルオロイソプロピレン-1,4-フェニレン)(Mn:1
5800 Mw:31200)3.0gを加え、三つ口フ
ラスコ内をアルゴンガスで置換した。無水THF50m
lを添加し溶解させた後、室温でn-ブチルリチウムヘ
キサン溶液(1.6M)30mlを加え、アルゴン雰囲気
下室温で1昼夜攪拌した。得られた深青色の溶液に、ア
リルブロマイドを8.9ml加え室温で1時間攪拌した後、
氷冷下メタノールを加え反応を終了させた。得られた反
応混合液にジエチルエーテル200mlを加え2規定塩
酸で抽出洗浄を行った後、ジエチルエーテルを留去し、
残留物をメタノールに投じ、沈殿を回収、乾燥し白色粉
末状のポリマーを得た。1H-NMRによりアリル基の置
換率を求めたところ、33%であった。得られたポリマ
ー20部をプロピレングリコール-1-モノメチルエーテ
ル-2-アセテート(以下PGMEAと省略する)80部
に溶解させスピンコート法によりガラス基板に塗布し、
80℃、130℃でそれぞれ3分間、130℃、300
℃でそれぞれ30分間ずつ焼く成し、均一な塗膜を得
た。得られた塗膜は無色透明であった。この塗膜をPG
MEA中に10分間浸け、その薄膜の状態を目視による
観察結果、比誘電率及び5%重量減少温度を表1に示
す。
Example 4 Inner volume 100 ml equipped with an argon gas inlet tube and a thermometer
Poly (1,4-phenylene-2,2-hexafluoroisopropylene-1,4-phenylene) (Mn: 1
(5800 Mw: 31200) 3.0 g was added, and the inside of the three-necked flask was replaced with argon gas. 50m anhydrous THF
Then, 30 ml of an n-butyllithium hexane solution (1.6 M) was added at room temperature, and the mixture was stirred at room temperature for 24 hours under an argon atmosphere. After adding 8.9 ml of allyl bromide to the resulting deep blue solution and stirring at room temperature for 1 hour,
Under ice cooling, methanol was added to terminate the reaction. After adding 200 ml of diethyl ether to the obtained reaction mixture and performing extraction and washing with 2N hydrochloric acid, diethyl ether was distilled off.
The residue was poured into methanol, and the precipitate was collected and dried to obtain a white powdery polymer. The substitution rate of the allyl group was determined by 1 H-NMR to be 33%. 20 parts of the obtained polymer is dissolved in 80 parts of propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate (hereinafter abbreviated as PGMEA) and applied to a glass substrate by a spin coating method.
80 ° C, 130 ° C for 3 minutes, 130 ° C, 300
Each was baked at 30 ° C. for 30 minutes to obtain a uniform coating film. The obtained coating film was colorless and transparent. PG
Table 1 shows the relative permittivity and 5% weight loss temperature of the thin film after immersion in MEA for 10 minutes.

【表1】 [Table 1]

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明のフェニレン基含有重合体は、耐
熱性、低誘電率性、耐溶剤性に優れ、また、本発明によ
れば本発明のフェニレン基含有重合体を容易に製造する
ことができる。
The phenylene group-containing polymer of the present invention is excellent in heat resistance, low dielectric constant and solvent resistance, and according to the present invention, the phenylene group-containing polymer of the present invention can be easily produced. Can be.

【0020】[0020]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例4で得られた重合体の1H-NMRスペク
トル(CDCl3)である。
FIG. 1 is a 1 H-NMR spectrum (CDCl 3 ) of a polymer obtained in Example 4.

【図2】実施例4で得られた重合体のIRスペクトルで
ある。
FIG. 2 is an IR spectrum of a polymer obtained in Example 4.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)で表される繰り返し単
位からなり、次式で定義されるアリル基の置換率が0.1
モル%〜400モル%以下であり、かつポリスチレン換
算重量平均分子量が1,000〜1,000,000で
あることを特徴とするフェニレン基含有重合体。 アリル基置換率=(フェニレン基含有重合体のアリル基
の全モル数/フェニレン基含有重合体のフェニレン基の
全モル数)×100(%) 一般式(1) 【化1】 〔式中、Xはイオウ原子、−SO2−、−(CH)2−、
−O(CH2)rO−、−(CYY’)p−で表される基
(ここで、YおよびY’は同一または異なり、水素原
子、アリール基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基を
示す)またはフルオレニレン基であり、R1〜R12は、
同一または異なり、アリル基、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基であり、pは0
または1の数を示し、rは1〜10の数を示し、nは
0.1〜100モル%、mは0〜99.9モル%を示
す。〕
1. It comprises a repeating unit represented by the following general formula (1), and has an allyl group substitution rate defined by the following formula of 0.1.
A phenylene group-containing polymer, which has a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000 in terms of polystyrene in an amount of from mol% to 400 mol% or less. Allyl group substitution rate = (total number of moles of allyl group in phenylene group-containing polymer / total number of moles of phenylene group in phenylene group-containing polymer) × 100 (%) General formula (1) [Wherein, X is a sulfur atom, -SO2-,-(CH) 2-,
-O (CH2) r O -, - (CYY ') p- group represented by (wherein, Y and Y' are the same or different, a hydrogen atom, an aryl group, an alkyl group, a halogenated alkyl group) Or a fluorenylene group, wherein R 1 to R 12 are
Same or different, allyl group, hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, halogenated alkyl group, and p is 0
Or, the number of 1 is shown, r shows the number of 1-10, n shows 0.1-100 mol%, and m shows 0-99.9 mol%. ]
【請求項2】 下記一般式(2)で表される繰り返し単
位からなるフェニレン基含有重合体に、有機アルカリ金
属を作用させ、アリルハライドで置換することを特徴と
する請求項1記載の硬化性フェニレン基含有重合体の製
造方法。 一般式(2) 【化2】 〔式中、Xはイオウ原子、−SO2−、−(CH)2−、
−O(CH2)rO−、−(CYY’)p−で表される基
(ここで、YおよびY’は同一または異なり、水素原
子、アリール基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基を
示す)またはフルオレニレン基であり、R13〜R24は、
同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、ハロゲン化アルキル基であり、pは0または1の数
を示し、rは1〜10の数を示し、nは0.1〜100
モル%、mは0〜99.9モル%を示す。〕
2. The curable composition according to claim 1, wherein an organic alkali metal is allowed to act on a phenylene group-containing polymer comprising a repeating unit represented by the following general formula (2), and the polymer is substituted with an allyl halide. A method for producing a phenylene group-containing polymer. General formula (2) [Wherein, X is a sulfur atom, -SO2-,-(CH) 2-,
-O (CH2) r O -, - (CYY ') p- group represented by (wherein, Y and Y' are the same or different, a hydrogen atom, an aryl group, an alkyl group, a halogenated alkyl group) Or a fluorenylene group, wherein R 13 to R 24 are
The same or different, a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group, p represents a number of 0 or 1, r represents a number of 1 to 10, and n represents a number of 0.1 to 100.
Mol% and m represent 0 to 99.9 mol%. ]
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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SG96550A1 (en) * 2000-04-24 2003-06-16 Inst Materials Research & Eng Blue electroluminescent materials for polymer light-emitting diodes
JP2004002627A (en) * 2002-03-25 2004-01-08 Jsr Corp Method for producing aromatic polymer, composition for film formation, method for film formation and organic film

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