JPH11345770A - Manufacturing device of semiconductor - Google Patents

Manufacturing device of semiconductor

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JPH11345770A
JPH11345770A JP14951798A JP14951798A JPH11345770A JP H11345770 A JPH11345770 A JP H11345770A JP 14951798 A JP14951798 A JP 14951798A JP 14951798 A JP14951798 A JP 14951798A JP H11345770 A JPH11345770 A JP H11345770A
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JP
Japan
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gas
vaporizer
vaporized
supply
vaporizing
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JP14951798A
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Katsuhiko Yamamoto
克彦 山本
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Kokusai Electric Corp
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Kokusai Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor, using a vaporizing and supplying unit and a method for vaporizing and supplying by reducing washable of gas, preventing the increase in cost and improving treating efficiency. SOLUTION: An apparatus for manufacturing a semiconductor comprises a vaporizer 2 for vaporizing an organic metal compound liquid, a piping 'a' for introducing the gas vaporized by the vaporizer 2 to a plurality of reaction chambers 3A to 3C, and valves 5A to 5C for switching the vaporized gas at each of chambers 3A to 3C and supplying it. Thus, the vaporized gas is exhausted until the gas is stably obtained through vaporizing, and after the gas can be stably obtained, each of the chambers 3A to 3C is switched and the gas supply is switched at each of the chambers 3A to 3C.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、有機金属化合物
を気化して反応室に供給する気化供給装置およびその気
化供給方法を用いた半導体製造装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vaporization supply apparatus for vaporizing an organometallic compound and supplying it to a reaction chamber, and a semiconductor manufacturing apparatus using the vaporization supply method.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来の半導体製造装置における有
機金属化合物の気化供給装置を示す構成図である。図3
における気化供給装置は、有機金属化合物を液体状態で
収容するタンク1と、タンク1内の有機金属化合物を気
化するための高周波発振器などを備えてなる気化器2
と、気化器2で気化された有機金属ガスを一つの反応室
3まで導く供給配管4と、供給配管4を開閉するバルブ
5と、気化器2で気化されたガスを排気するための排気
配管6と、排気配管6を開閉するためのバルブ7及び排
気配管6に設けられたポンプ8aとを備えている。な
お、反応室3の排気配管9には排気のためのポンプ8b
が設けられている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a block diagram showing an apparatus for vaporizing and supplying an organometallic compound in a conventional semiconductor manufacturing apparatus. FIG.
Is a vaporizer 2 including a tank 1 for containing an organic metal compound in a liquid state, a high-frequency oscillator for evaporating the organic metal compound in the tank 1, and the like.
A supply pipe 4 for guiding the organometallic gas vaporized by the vaporizer 2 to one reaction chamber 3; a valve 5 for opening and closing the supply pipe 4; and an exhaust pipe for exhausting the gas vaporized by the vaporizer 2. 6, a valve 7 for opening and closing the exhaust pipe 6, and a pump 8 a provided in the exhaust pipe 6. In addition, a pump 8 b for exhaust is provided in an exhaust pipe 9 of the reaction chamber 3.
Is provided.

【0003】以下に従来の気化供給装置の気化供給動作
について説明する。まず、タンク1内の有機金属液体を
気化器2で気化する。気化器2の動作開始直後は、気化
器2の動作が過度状態にあるため、安定したガスが得ら
れず、したがって、この状態のガスを反応室に供給する
と、安定した均一な膜質が得られないおそれがある。こ
のため、気化器2の動作開始直後は、バルブ5を閉じた
ままでバルブ7を開いて排気配管6によりガスを一時的
に排気し、ガスが安定して得られるようになったと考え
られる所定時間後に、バルブ5を開くとともにバルブ7
を閉じて反応室3に気化されたガスを供給するようにす
る。
[0003] The operation of vaporizing and supplying the conventional vaporizing and supplying apparatus will be described below. First, the organic metal liquid in the tank 1 is vaporized by the vaporizer 2. Immediately after the operation of the vaporizer 2 is started, the operation of the vaporizer 2 is in an excessive state, so that a stable gas cannot be obtained. Therefore, when the gas in this state is supplied to the reaction chamber, a stable and uniform film quality can be obtained. May not be. For this reason, immediately after the start of the operation of the vaporizer 2, the valve 7 is opened while the valve 5 is closed, and the gas is temporarily exhausted by the exhaust pipe 6, so that the gas can be obtained stably for a predetermined time. Later, the valve 5 is opened and the valve 7 is opened.
Is closed to supply the vaporized gas to the reaction chamber 3.

【0004】以上の構成において、従来の装置において
は、一つの気化供給装置に一つの反応室が接続されてガ
ス供給が行われている。一つの気化供給装置に一つの反
応室が接続される理由は、一つの反応室に必要なガス供
給量と、一つの気化供給装置からのガス供給能力を考慮
した場合、上述のように、気化が安定化するまではガス
を排気して捨てなければならないという事情から、一つ
の気化供給装置で捨てる量を極力減らし、原料を有効利
用しながら、気化器の設備コストも抑えるようにするた
めである。
[0004] In the above arrangement, in the conventional apparatus, one reaction chamber is connected to one vaporization supply device to supply gas. The reason that one reaction chamber is connected to one vaporization supply device is as described above when considering the gas supply amount required for one reaction chamber and the gas supply capacity from one vaporization supply device. Because gas must be exhausted and discarded until the gas becomes stable, it is necessary to reduce the amount discarded by a single vaporization supply device as much as possible, and to reduce the equipment cost of the vaporizer while effectively using the raw materials. is there.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体製造装置における気化供給装置並びに気化供給方
法は、上述のように、一つの気化供給装置に対して接続
されて供給される反応室は一つに固定されているため、
その反応室へのガス供給が不要な場合は、その度、気化
供給装置(気化器)を停止させるか、あるいは気化器に
より気化されたガスを排気するようにしなければならな
くなる。前者の場合、すなわち気化器を停止するように
した場合は、図4に示すように、次に供給が必要となる
度に気化器を始動させることとなって、その始動開始の
度にしばらくガスを捨てなければならず、高価なガスが
無駄になると共に、その間は処理を行えないため処理作
業効率も悪くなる。一方、後者の場合、すなわち気化器
を停止せず、気化されたガスを排気しておくようにした
場合は、図5に示すように、直ぐにガスを供給できて処
理作業効率の悪化は防止できるが、捨てるガス量が膨大
となり、ガスの無駄が大きく、コスト増大を招くことと
なる。
However, as described above, the vaporization supply device and the vaporization supply method in the conventional semiconductor manufacturing apparatus have one reaction chamber connected to and supplied to one vaporization supply device. Is fixed to
When the gas supply to the reaction chamber is not required, the vaporization supply device (vaporizer) must be stopped or the gas vaporized by the vaporizer must be exhausted each time. In the former case, that is, when the vaporizer is stopped, as shown in FIG. 4, the vaporizer is started each time the next supply is required, and the gas is started for a while each time the start is started. Must be discarded, and expensive gas is wasted, and processing cannot be performed during that time, so that the processing operation efficiency is reduced. On the other hand, in the latter case, that is, when the vaporizer is not stopped and the vaporized gas is exhausted, as shown in FIG. 5, the gas can be supplied immediately and the deterioration of the processing efficiency can be prevented. However, the amount of gas to be discarded becomes enormous, the gas waste is large, and the cost is increased.

【0006】そこで、この発明の目的は、従来技術の有
機金属化合物ガスの無駄からコスト増大を招き、あるい
は処理作業効率も悪くなるという問題点を解決し、ガス
の無駄を軽減して、コスト増大を防止し、また処理作業
効率も向上させることができる気化供給装置ならびに気
化供給方法を用いた半導体製造装置を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the problem that the cost of the organic metal compound gas of the prior art is increased due to waste of the organic metal compound gas or the efficiency of the processing operation is reduced, and the waste of the gas is reduced to increase the cost. It is an object of the present invention to provide a vaporization supply apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus using the vaporization supply method, which can prevent the occurrence of the above problem and improve the processing operation efficiency.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明は、有機金属化合物液体を気化するため
の気化器2と、前記気化器2により気化されたガスを複
数の反応室3A〜3Cに導くための供給用配管4Aと、
前記気化器により気化されたガスを排出するための排出
用配管6Aと、前記気化器2により、ガスが安定して得
られるようになるまで、前記排出用配管6Aにより気化
されたガスを排出し、ガスが安定して得られるようにな
った後は、前記供給用配管4Aにより、前記複数の反応
室3A〜3Cにおける各反応室毎にガス供給を切り替え
て供給するバルブ5A,5B,5C,7とを備えてなる
ものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a vaporizer 2 for vaporizing an organometallic compound liquid and a plurality of reaction chambers 3A for vaporizing the gas vaporized by the vaporizer 2. Supply pipe 4A for leading to 3C;
A discharge pipe 6A for discharging gas vaporized by the vaporizer, and the gas vaporized by the discharge pipe 6A is discharged by the vaporizer 2 until gas can be stably obtained. After the gas has been stably obtained, the supply pipe 4A switches the gas supply to each of the plurality of reaction chambers 3A to 3C for each reaction chamber to supply the valves 5A, 5B, 5C, and 5C. 7 is provided.

【0008】また、この発明は、気化器2により、有機
金属化合物液体を気化する一方、前記気化器2によりガ
スが安定して得られるようになるまで、気化されたガス
を排出し、前記気化器2によりガスが安定して得られる
ようになった後は、複数の反応室3A〜3Cの各反応室
3A〜3C毎にガス供給を切り替えて供給するようにし
たものである。
Further, according to the present invention, while the organometallic compound liquid is vaporized by the vaporizer 2, the vaporized gas is discharged until the gas can be stably obtained by the vaporizer 2. After the gas is stably obtained by the reactor 2, the gas supply is switched and supplied to each of the reaction chambers 3A to 3C of the plurality of reaction chambers 3A to 3C.

【0009】このような構成によれば、一度気化器2の
運転が始まると、一つの反応室での処理が終了しても気
化器2を停止する必要がなく、したがって、図2に示す
ように、最初の気化器2の始動時のみガスを捨てれば、
後は、バルブを切り替えるのみで、常時安定したガスを
供給し続けることができ、ガスを無駄に捨てることな
く、作業処理効率を高めることができる。
According to such a configuration, once the operation of the vaporizer 2 is started, it is not necessary to stop the vaporizer 2 even if the processing in one reaction chamber is completed. Therefore, as shown in FIG. If the gas is discarded only when the first vaporizer 2 is started,
Thereafter, only by switching the valve, a stable gas can be continuously supplied, and the work processing efficiency can be improved without wasting the gas.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
を用いて説明する。図1はこの発明の実施の形態におけ
る有機金属化合物の気化供給装置を示す構成図である。
実施の形態における気化供給装置は、有機金属化合物を
液体状態で収容するタンク1と、タンク1内の有機金属
化合物を気化するための高周波発振器などを備えてなる
気化器2と、気化器2で気化された有機金属ガスを複数
(ここでは3つ)の反応室3A〜3Cまで導く供給配管
4Aと、供給配管4Aにおける各反応室3A〜3C上流
に設けられ、各反応室3A〜3Cへの配管4Aを開閉す
るバルブ5A〜5Cと、気化器2で気化されたガスを排
気するための排気配管6Aと、排気配管6Aを開閉する
ためのバルブ7とを備えてなる。反応室3A〜3Cから
の排気配管9A〜9Cにはそれぞれ排気用のポンプ8A
〜8Cが設けられ、排気配管6Aには排気用ポンプ8D
が設けられている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an apparatus for vaporizing and supplying an organometallic compound according to an embodiment of the present invention.
The vaporization supply device according to the embodiment includes a tank 1 containing an organic metal compound in a liquid state, a vaporizer 2 including a high-frequency oscillator for vaporizing the organic metal compound in the tank 1, and the like. A supply pipe 4A for guiding the vaporized organometallic gas to a plurality of (here, three) reaction chambers 3A to 3C, and a supply pipe 4A provided upstream of each of the reaction chambers 3A to 3C, and provided to each of the reaction chambers 3A to 3C. Valves 5A to 5C for opening and closing the pipe 4A, an exhaust pipe 6A for exhausting gas vaporized by the vaporizer 2, and a valve 7 for opening and closing the exhaust pipe 6A. Exhaust pumps 8A are provided respectively in exhaust pipes 9A to 9C from the reaction chambers 3A to 3C.
-8C are provided, and an exhaust pump 8D is provided in the exhaust pipe 6A.
Is provided.

【0011】以下に、実施の形態の半導体製造装置にお
ける気化供給装置の気化供給動作について説明する。実
施の形態においては、図2で示すように、反応室3Aか
ら反応室3Cへと順次ガスを供給して、それらの反応室
3A〜3Cで順次成膜処理を行っていく運転形態をと
る。
Hereinafter, the vaporizing / supplying operation of the vaporizing / supplying device in the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment will be described. In the embodiment, as shown in FIG. 2, an operation mode is adopted in which a gas is sequentially supplied from the reaction chamber 3A to the reaction chamber 3C, and a film forming process is sequentially performed in the reaction chambers 3A to 3C.

【0012】まず、タンク1内の有機金属液体を気化器
2で気化する。気化器2の動作開始直後は、気化器2の
動作が過度状態にあるため、安定したガスが得られず、
したがって、この状態のガスを反応室に供給すると、安
定した均一な膜質が得られないおそれがある。このた
め、気化器2の動作開始直後は、バルブ5A〜5Cを閉
じたままでバルブ7を開いて排気配管6Aによりガスを
一時的に排気し、ガスが安定して得られるようになった
と考えられる所定時間後に、バルブ5Aを開くとともに
バルブ7を閉じて反応室3Aに気化されたガスを供給す
るようにする。
First, the organic metal liquid in the tank 1 is vaporized by the vaporizer 2. Immediately after the start of the operation of the vaporizer 2, since the operation of the vaporizer 2 is in an excessive state, a stable gas cannot be obtained.
Therefore, if the gas in this state is supplied to the reaction chamber, stable and uniform film quality may not be obtained. Therefore, immediately after the operation of the vaporizer 2 is started, it is considered that the valve 7 is opened while the valves 5A to 5C are closed, and the gas is temporarily exhausted by the exhaust pipe 6A, so that the gas can be obtained stably. After a predetermined time, the valve 5A is opened and the valve 7 is closed to supply the vaporized gas to the reaction chamber 3A.

【0013】反応室3Aでの処理が終了すると、反応室
3Bが成膜処理開始状態となっており、ガスの供給を反
応室3Aから反応室3Bに切り替えるべく、バルブ5A
を閉じてバルブ5Bを開くようにする。
When the processing in the reaction chamber 3A is completed, the reaction chamber 3B is in a film formation processing start state, and the valve 5A is used to switch the gas supply from the reaction chamber 3A to the reaction chamber 3B.
Is closed and the valve 5B is opened.

【0014】同様に、反応室3Bでの処理が終了する
と、反応室3Cが成膜処理開始状態となっており、ガス
の供給を反応室3Bから3Cに切り替えるべく、バルブ
5Bを閉じてバルブ5Cを開くようにする。そして、反
応室3Cでの処理が終了すると、例えば、次に再度反応
室3Aでの処理を行うようにする。
Similarly, when the processing in the reaction chamber 3B is completed, the reaction chamber 3C is in a film formation processing start state, and the valve 5B is closed and the valve 5C is switched to switch the gas supply from the reaction chamber 3B to 3C. To open. When the processing in the reaction chamber 3C is completed, for example, the processing in the reaction chamber 3A is performed again next.

【0015】以上のような、気化供給装置あるいは気化
供給方法によれば、一度気化器2の運転が始まると、一
つの反応室での処理が終了しても気化器2を停止する必
要がなく、したがって、図3に示すように、最初の気化
器2の始動時のみガスを捨てれば、後は、バルブを切り
替えるのみで、常時安定したガスを供給し続けることが
でき、ガスを無駄に捨てることなく、作業処理効率を高
めることができる。尚、上述した有機金属化合物として
は、PETa(ペンタエトキシタンタル)等を用いた
り、あるいは、その他、TEOS(テトラエチルオルソ
シリケート)を用いることができる。
According to the above-described vaporization supply apparatus or vaporization supply method, once the operation of the vaporizer 2 starts, it is not necessary to stop the vaporizer 2 even if the processing in one reaction chamber is completed. Therefore, as shown in FIG. 3, if the gas is discarded only at the first start of the vaporizer 2, the stable gas can be continuously supplied at all times only by switching the valve, and the gas is wasted. Without increasing the work processing efficiency. As the above-mentioned organometallic compound, PETa (pentaethoxy tantalum) or the like can be used, or TEOS (tetraethyl orthosilicate) can be used.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明は、気化器により、有機金属化合物液体を気化する一
方、前記気化によりガスが安定して得られるようになる
まで、前記気化されたガスを排出し、前記気化によりガ
スが安定して得られるようになった後は、複数の反応室
の各反応室毎にガス供給を切り替えて供給するようにし
たため、ガスの無駄を軽減して、コスト増大を防止し、
また処理作業効率も向上させることができるという効果
を奏する。
As is apparent from the above description, according to the present invention, while the organometallic compound liquid is vaporized by the vaporizer, the liquid is vaporized until the gas is stably obtained by the vaporization. After the gas is discharged and the gas is obtained stably by the vaporization, the gas supply is switched and supplied to each of the plurality of reaction chambers, thereby reducing waste of the gas. , Prevent cost increase,
Also, there is an effect that the processing work efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施の形態を示す半導体製造装置の
気化供給装置のブロック構成図である。
FIG. 1 is a block diagram of a vaporization supply device of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】実施の形態のガス供給動作を示すタイムチャー
トである。
FIG. 2 is a time chart illustrating a gas supply operation of the embodiment.

【図3】従来の半導体製造装置における気化供給装置を
示すブロック構成図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a vaporization supply device in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【図4】従来のガス供給動作を示すタイムチャートであ
る。
FIG. 4 is a time chart showing a conventional gas supply operation.

【図5】従来のガス供給動作の他の例を示すタイムチャ
ートである。
FIG. 5 is a time chart showing another example of the conventional gas supply operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 タンク 2 気化器 3A〜3C 反応室 4A 供給配管 5A〜5C,7 バルブ 6A 排気配管 Reference Signs List 1 tank 2 vaporizer 3A-3C reaction chamber 4A supply pipe 5A-5C, 7 valve 6A exhaust pipe

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 有機金属化合物液体を気化するための気
化器と、前記気化器により気化されたガスを複数の反応
室に導くための供給用配管と、前記気化器により気化さ
れたガスを排出するための排出用配管と、前記気化器に
より、ガスが安定して得られるようになるまで、前記排
出用配管により気化されたガスを排出し、ガスが安定し
て得られるようになった後は、前記供給用配管により、
前記複数の反応室における各反応室毎にガス供給を切り
替えて供給するバルブとを備えてなる気化供給装置を備
えた半導体製造装置。
1. A vaporizer for vaporizing an organometallic compound liquid, a supply pipe for introducing gas vaporized by the vaporizer to a plurality of reaction chambers, and discharging a gas vaporized by the vaporizer. The discharge pipe for discharging the gas vaporized by the discharge pipe until the gas can be stably obtained by the vaporizer, and after the gas is stably obtained. Is, by the supply pipe,
A semiconductor manufacturing apparatus comprising a vaporization supply device comprising: a valve for switching and supplying a gas supply for each of the plurality of reaction chambers.
【請求項2】 気化器により、有機金属化合物液体を気
化する一方、前記気化器によりガスが安定して得られる
ようになるまで、気化されたガスを排出し、前記気化器
によりガスが安定して得られるようになった後は、複数
の反応室の各反応室毎にガス供給を切り替えて供給する
ようにした気化供給方法を用いた半導体製造装置。
2. An organic metal compound liquid is vaporized by a vaporizer, and a vaporized gas is discharged until a gas can be stably obtained by the vaporizer, and the gas is stabilized by the vaporizer. After that, a semiconductor manufacturing apparatus using a vaporization supply method in which a gas supply is switched and supplied to each of a plurality of reaction chambers.
JP14951798A 1998-05-29 1998-05-29 Manufacturing device of semiconductor Withdrawn JPH11345770A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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