JPH11339225A - Manufacturing method for magnetoresistance effect thin-film magnetic head - Google Patents

Manufacturing method for magnetoresistance effect thin-film magnetic head

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JPH11339225A
JPH11339225A JP15471098A JP15471098A JPH11339225A JP H11339225 A JPH11339225 A JP H11339225A JP 15471098 A JP15471098 A JP 15471098A JP 15471098 A JP15471098 A JP 15471098A JP H11339225 A JPH11339225 A JP H11339225A
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JP
Japan
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pole
write
milling
width
magnetic head
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Application number
JP15471098A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Shoji
茂 庄司
Akihiko Komatsu
昭彦 小松
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Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Publication date
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Publication of JPH11339225A publication Critical patent/JPH11339225A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately manufacture a write upper pole (embedded pole), having a narrow track width in a magnetoresistance effect thin film magnetic head. SOLUTION: After a resist is formed so that the width of a write upper ploe 22 becomes larger than that of the final shape of the pole, the write pole 22 is formed by plating. Next, a first milling work which shaves off only the vertical directions of the write upper pole and continuously a second milling work to mainly shave off the width direction of the pole. The write upper pole achieves a mask function in the first and second milling works, and a write lower pole 20 having the same width as that of the upper pole 22 is formed. Execution times for the first and second milling works are properly decided, in accordance with heights and widths of the write upper pole 22 and the write lower pole 20 which are to be produced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク記憶
装置(ハードディスク)等に用いられる磁気抵抗効果薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magnetoresistive thin-film magnetic head used for a magnetic disk storage device (hard disk) or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド
は、再生用ヘッドと再生用ヘッドに積層された記録用ヘ
ッドとを有している。再生用ヘッドは、下シールドと上
シールドの間の再生ギャップ内の記録媒体対向面を臨む
位置に磁気抵抗効果素子(MR素子,GMR素子)を配
置した構成を有する。記録用ヘッドは、再生用ヘッドの
上シールドを下コアと兼用して下コアと上コアとの間に
コイルを配置し、上コアと下コアとの間の記録媒体対向
面を臨む位置に書込みギャップを形成した構成を有す
る。この構造においては、記録用ヘッドの下コアは再生
用ヘッドの上シールドと兼用されるため、下コアは上コ
アよりも幅が広く形成される。このため、記録時に上コ
アと下コア間の書込みギャップに誘起される書込磁界は
下コア側で広がり、トラック密度が低くなるという問題
を有している。
2. Description of the Related Art This type of magnetoresistive thin-film magnetic head has a reproducing head and a recording head laminated on the reproducing head. The reproducing head has a configuration in which a magnetoresistive element (MR element, GMR element) is arranged at a position facing the recording medium facing surface within a reproducing gap between the lower shield and the upper shield. For the recording head, a coil is arranged between the lower core and the upper core, also using the upper shield of the reproducing head as the lower core, and writing is performed at a position facing the recording medium facing surface between the upper core and the lower core. It has a configuration in which a gap is formed. In this structure, since the lower core of the recording head is also used as the upper shield of the reproducing head, the lower core is formed wider than the upper core. For this reason, the write magnetic field induced in the write gap between the upper core and the lower core during recording expands on the lower core side, and has a problem that the track density is reduced.

【0003】そこで本出願人は、図9に示すように、上
シールド兼下コア51上であって上コア52の先端部5
3と対向する位置に断面が矩形の突起部を形成してこれ
を書込み下ポール54とするとともに、上コア先端部5
3の書込み下ポール54に対向する位置に高透磁率の材
料からなる書込み上ポール55(埋ポール)を形成する
磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを提案した。同ヘッドは、
高透磁率の書込み上ポール55と断面矩形の突起部であ
って、その幅が書込み上ポール55と同幅の書込み下ポ
ール54とにより書込磁界の広がりを抑制することがで
きるものとなる。
[0003] Accordingly, as shown in FIG.
A projection having a rectangular cross section is formed at a position opposed to the lower core 3 and is used as a lower writing pole 54 and a tip 5 of an upper core 5 is formed.
No. 3 proposed a magnetoresistive thin-film magnetic head in which a write upper pole 55 (buried pole) made of a material having a high magnetic permeability is formed at a position facing the write lower pole 54. The head is
The write upper pole 55 having a high magnetic permeability and the protrusion having a rectangular cross-section and having the same width as the write upper pole 55 and the write lower pole 54 can suppress the spread of the write magnetic field.

【0004】この書込み上ポール55及び書込み下ポー
ル54はミリング加工を含んで形成される。即ち、先ず
図10(1)に示すように、書込みギャップ56を形成
する絶縁膜上に書込み上ポール55(図10(2)参
照)と同材質からなる下地メッキ層58を形成し、次い
で、その上に形成すべき書込み上ポール55の形状以外
の部分にレジストの塗布及び露光・現像による除去によ
りレジスト60を形成する。次に、図10(2)に示す
ように、高透磁率材料をレジスト60が存在しない部分
にメッキした後にレジスト60を除去して書込み上ポー
ル55を形成する。その後、書込み上ポール55の高さ
H方向のイオンミリングを行い、書込み上ポール55を
マスクとして書込み下ポール54を形成する(図10
(3)参照)。
The upper write pole 55 and the lower write pole 54 are formed by milling. That is, first, as shown in FIG. 10A, a base plating layer 58 made of the same material as the upper write pole 55 (see FIG. 10B) is formed on the insulating film forming the write gap 56, A resist 60 is formed on a portion other than the shape of the writing pole 55 to be formed thereon by applying a resist and removing the resist 60 by exposure and development. Next, as shown in FIG. 10B, a high magnetic permeability material is plated on a portion where the resist 60 is not present, and then the resist 60 is removed to form a pole 55 for writing. Thereafter, ion milling in the height H direction of the upper write pole 55 is performed to form the lower write pole 54 using the upper write pole 55 as a mask (FIG. 10).
(3)).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述の書込みポールの
形成工程においては、書込み上ポール55は図10
(2)で示したミリング加工時に削られてその高さが低
くなる(H>h)。従って、ミリング加工前の書込み上
ポール55をミリング加工時に削られる分(H―h)だ
け高く形成しておく必要があるため、下地メッキ層58
の上に塗布するレジスト60の膜厚Lが厚くなる(例え
ば4〜7μm)。レジスト60の膜厚Lが厚いとレジス
トを露光及び現像により除去する際の露光量を小さくで
きないため、レジスト60を狭い幅(書込み上ポール5
5の幅、即ちトラック幅となる)だけ精度良くカット
(除去)することが困難となる。例えば、現在の露光器
では、7μmの膜厚を有するレジストのカット幅Wを
0.9μm以下にすることができない。しかも、こうし
たヘッドをウエハ上に多量に作製する場合においては、
図11に示したようにレジストのカット幅Wが露光解像
度限界C0に近づく程、カット幅Wのばらつき(3σ)
が大きくなる。実用域では3σ≦0.2であることが要
求されるので、量産のための書込み上ポール55の最狭
幅は1.5μm程度となり、狭いトラック幅の書込み上
ポールが量産できないという問題がある。
In the above-described process of forming the write pole, the write upper pole 55 is
It is shaved during the milling shown in (2) and its height decreases (H> h). Therefore, it is necessary to form the upper pole 55 for writing before milling by a height (Hh) that is reduced by milling, so that the base plating layer 58 is formed.
The thickness L of the resist 60 applied on the substrate becomes large (for example, 4 to 7 μm). If the thickness L of the resist 60 is large, the exposure amount when the resist is removed by exposure and development cannot be reduced.
5 (that is, the track width), it is difficult to cut (remove) with high accuracy. For example, with a current exposure device, the cut width W of a resist having a film thickness of 7 μm cannot be reduced to 0.9 μm or less. In addition, when a large number of such heads are formed on a wafer,
As shown in FIG. 11, as the cut width W of the resist approaches the exposure resolution limit C0, the variation of the cut width W (3σ).
Becomes larger. Since 3σ ≦ 0.2 is required in the practical range, the narrowest width of the write pole 55 for mass production is about 1.5 μm, and there is a problem that the write pole with a narrow track width cannot be mass-produced. .

【0006】従って、本発明の目的は、例えば0.4μ
mという狭いトラック幅の書込み上ポール及び書込み下
ポールを精度良く量産することが可能な磁気抵抗効果薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide, for example, 0.4 μm.
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetoresistive thin-film magnetic head capable of accurately mass-producing a write upper pole and a write lower pole having a narrow track width of m.

【0007】[0007]

【発明の概要】本発明は、形成すべき書込み上ポールよ
りも幅及び高さの点で大きい書込み上ポールを予め形成
し、これを高さ方向及び幅方向にミリングすることで上
記目的を達成するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention achieves the above object by forming in advance a write upper pole which is larger in width and height than a write upper pole to be formed and milling the write upper pole in a height direction and a width direction. Is what you do.

【0008】即ち、本発明の第1の特徴は、書込み上ポ
ールと前記書込み下ポールの成形工程が、上シールド上
に絶縁膜からなる書込みギャップを形成する工程と、書
込みギャップ上に形成すべき書込み上ポールよりも高い
書込み上ポールを形成する膜厚にレジストを塗布する工
程と、レジストを形成すべき書込み上ポールの幅よりも
大きい幅だけ除去する工程と、レジストが除去された部
分に書込み上ポールを形成する工程と、形成された書込
み上ポールを高さ及び幅方向に所定量ミリングして形成
すべき書込み上ポールと書込み下ポールを形成するミリ
ング工程とを含むことにある。
That is, a first feature of the present invention is that, in the forming step of the upper write pole and the lower write pole, a step of forming a write gap made of an insulating film on the upper shield and a step of forming the write gap on the write gap A step of applying a resist to a film thickness that forms a write upper pole higher than the write upper pole, a step of removing the resist by a width larger than the width of the write upper pole on which the resist is to be formed, and a step of writing to a portion where the resist has been removed. It is intended to include a step of forming an upper pole and a milling step of milling the formed upper write pole by a predetermined amount in the height and width directions to form an upper write pole and a lower write pole to be formed.

【0009】この第1の特徴によれば、レジストの膜厚
と除去幅を調整し、最終的に形成すべき書込み上ポール
に対して高さ方向のみならず幅方向においても大きい書
込み上ポールをメッキ等により形成しておく。次いで、
形成された書込み上ポールをミリングによって高さ及び
幅方向に削り、形成すべき書込み上ポール及び書込み下
ポールを得る。従って、レジストの除去幅は比較的大き
くとることができるので、除去幅に関する精度が問題と
なることがない。しかも、書込み上ポールの側面はミリ
ングされて清浄化されるので、ポール端面が鋭く形成さ
れて、ポールの書込みエッジでの磁束の乱れを抑制する
磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
According to the first feature, the film thickness and the removal width of the resist are adjusted so that the writing pole which is larger not only in the height direction but also in the width direction with respect to the writing pole to be finally formed. It is formed by plating or the like. Then
The formed upper write pole is cut in the height and width directions by milling to obtain an upper write pole and a lower write pole to be formed. Accordingly, the width of the resist removal can be made relatively large, so that the accuracy of the removal width does not matter. In addition, since the side surface of the write upper pole is milled and cleaned, the end face of the pole is formed sharply, and a magnetoresistive thin film magnetic head that suppresses disturbance of magnetic flux at the write edge of the pole can be obtained.

【0010】本発明の第2の特徴は、ミリング工程を、
書込み上ポールと絶縁膜を書込み上ポールの高さ方向に
のみミリングする第1ミリング工程と、書込み上ポール
を同ポールの高さ方向及び幅方向に同時にミリングする
第2ミリング工程とに分けることにある。この特徴によ
れば、書込みポール形成時のミリング工程の管理が容易
となる。
[0010] A second feature of the present invention is that a milling step is performed.
A first milling step of milling the upper write pole and the insulating film only in the height direction of the upper write pole, and a second milling step of milling the upper write pole simultaneously in the height direction and the width direction of the same write pole. is there. According to this feature, the management of the milling process when forming the write pole is facilitated.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1に斜視図が、図2に縦断面図
が示された本発明の磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドに係る
実施形態においては、スライダ基板10上に非磁性絶縁
膜の保護層11、下シールド12、再生下ギャップ13
が順に積層している。再生下ギャップ13の上には左右
一対のバイアス磁石膜14a,14b及び電気導電膜1
5a,15bが台形状の溝M(図3(1)参照)を挟ん
で対向して成膜している。尚、バイアス磁石膜14a,
14b及び電気導電膜15a,15bは、一対のリード
16a,16bを形成する。
FIG. 1 is a perspective view and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a magnetoresistive thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention. Protective layer 11, lower shield 12, lower reproducing gap 13
Are sequentially stacked. A pair of left and right bias magnet films 14 a and 14 b and the electrically conductive film 1
Films 5a and 15b face each other with a trapezoidal groove M (see FIG. 3A) interposed therebetween. The bias magnet films 14a,
14b and the electrically conductive films 15a and 15b form a pair of leads 16a and 16b.

【0012】一対のリード16a,16bの間(台形状
の溝M内)には、薄膜のMR素子17が配置されてい
る。MR素子17は、リード16a,16bが作る台形
状の溝Mの傾斜面および台形状の溝Mの底面部分に露出
している再生下ギャップ13の上面にかけて成膜され
る。また、MR素子17の薄膜の端部が磁気記録媒体
(メディア)の対向面A(図2参照、以下「磁気記録媒
体対向面A」という。)に露出し、かつMR素子17の
薄膜面は対向面Aに対して垂直である。このMR素子1
7はMR層、スペーサ膜、SALの積層体である。
A thin film MR element 17 is arranged between the pair of leads 16a and 16b (within the trapezoidal groove M). The MR element 17 is formed over the inclined surface of the trapezoidal groove M formed by the leads 16a and 16b and the upper surface of the lower reproduction gap 13 exposed at the bottom of the trapezoidal groove M. Also, the end of the thin film of the MR element 17 is exposed to the facing surface A of the magnetic recording medium (media) (refer to FIG. 2; hereinafter, referred to as “magnetic recording medium facing surface A”). It is perpendicular to the facing surface A. This MR element 1
Reference numeral 7 denotes a laminate of the MR layer, the spacer film, and the SAL.

【0013】MR素子17、左右のリード16a,16
b、及びその周囲に露出している再生下ギャップ13の
上には再生上ギャップ18が成膜されている。この再生
上ギャップ18と再生下ギャップ13にて再生ギャップ
を構成する。従って、MR素子17は再生ギャップに配
置されていることになる。再生上ギャップ18の上には
上シールド兼下コア19が積層している。この上シール
ド兼下コア19上面のMR素子17の薄膜面垂直上部位
置であって後述する書込み上ポール22に対応する位置
には書込み下ポールと呼ばれる断面が矩形の突起部(凸
部)20が設けられる(以下、書込み下ポール20とい
う)。この書込み下ポール20の幅は後述する書込み上
ポール22の幅Wと同一である。また、上シールド兼下
コア19の厚さは、書込み下ポールから遠ざかるにつれ
て次第に低下する。尚、下シールド12から上シールド
兼下コア19までが再生用ヘッドを構成する。
MR element 17, left and right leads 16a, 16
The upper reproduction gap 18 is formed on the lower reproduction gap 13 exposed at and around the b. The upper reproduction gap 18 and the lower reproduction gap 13 constitute a reproduction gap. Therefore, the MR element 17 is arranged in the reproduction gap. An upper shield and lower core 19 is stacked on the upper gap 18 for reproduction. At a position on the upper surface of the upper shield / lower core 19 perpendicular to the thin film surface of the MR element 17 and at a position corresponding to a write upper pole 22 to be described later, a projection (convex portion) 20 having a rectangular cross section called a write lower pole is provided. (Hereinafter, referred to as a writing lower pole 20). The width of the lower write pole 20 is the same as the width W of the upper write pole 22 described later. Further, the thickness of the upper shield / lower core 19 gradually decreases as the distance from the lower write pole increases. The lower shield 12 to the upper shield and lower core 19 constitute a reproducing head.

【0014】書込み下ポール20の上には、絶縁膜から
なる書込みギャップ21が成膜されている。書込みギャ
ップ21の上であって、磁気記録媒体対向面A側には書
込み上ポール(埋コア)22が形成される。書込み上ポ
ール22は、各層の層面方向(左右方向、幅方向)に所
定の幅W、層面に垂直方向(上下方向)に所定の高さ及
び磁気記録媒体対向面Aの垂直方向に所定の長さを有し
た略直方体形状をなす。
On the lower write pole 20, a write gap 21 made of an insulating film is formed. A write upper pole (buried core) 22 is formed on the write gap 21 and on the side A facing the magnetic recording medium. The upper write pole 22 has a predetermined width W in a layer surface direction (lateral direction, width direction) of each layer, a predetermined height in a direction perpendicular to the layer surface (vertical direction), and a predetermined length in a direction perpendicular to the magnetic recording medium facing surface A. It has a substantially rectangular parallelepiped shape having a height.

【0015】上コア23は、その先端部が書込み上ポー
ル22の直上に設けられるとともに、磁気記録媒体対向
面Aから後退した位置において先端部と略同一厚さのま
ま層面方向に広がり、縦断面において弓形形状(図2参
照)をなしている。上コア23は弓形形状終端部におい
て上シールド兼下コア19と連接して磁路を形成し、上
コア23と上シールド兼下コア19間には絶縁層24に
埋設されたコイル25が貫通している。また、保護層2
6(図2参照)が上コア23及び絶縁層24の周囲を被
覆している。尚、上シールド兼下コア19から上コア2
3までが、記録用ヘッドを構成する。
The upper core 23 has a tip portion provided directly above the upper write pole 22 and has a thickness substantially the same as that of the tip portion and extends in a layer surface direction at a position retreated from the magnetic recording medium facing surface A. Has an arcuate shape (see FIG. 2). The upper core 23 is connected to the upper shield / lower core 19 at the arcuate end portion to form a magnetic path, and a coil 25 embedded in the insulating layer 24 penetrates between the upper core 23 and the upper shield / lower core 19. ing. In addition, the protective layer 2
6 (see FIG. 2) covers the periphery of the upper core 23 and the insulating layer 24. The upper shield and lower core 19 to the upper core 2
Up to 3 constitute a recording head.

【0016】図1に示された本発明に係る磁気ヘッドの
製造方法の一実施形態は、図3から図8までに示された
工程からなる。即ち、 (1)図3(1)に示すように、アルチック(Al23
―TiC)等のセラミック材料で構成されたウエハで、
後にカットされてスライダを構成する基板10上にアル
ミナ(Al23)等の絶縁膜11を成膜し、この絶縁膜
11の上にパーマロイ等の軟磁性膜である下シールド1
2を堆積した後、再生下ギャップ13をなす絶縁膜(ア
ルミナ等)をスパッタ等で堆積する。この再生下ギャッ
プ13の上に、CoCrPt等からなる一対のバイアス
磁石膜14a,14bとW,Ta,Nb等からなる一対
の電気導電膜15a,15bをスパッタ、蒸着あるいは
電気メッキにより積層した後レジストを用いて切断し溝
Mを形成する。バイアス磁石膜14a,14b及び電気
導電膜15a,15bは、一対のリード16a,16b
をなす。
One embodiment of the method of manufacturing a magnetic head according to the present invention shown in FIG. 1 includes the steps shown in FIGS. That is, (1) As shown in FIG. 3 (1), Altic (Al 2 O 3
-A wafer made of a ceramic material such as TiC)
An insulating film 11 such as alumina (Al 2 O 3 ) is formed on a substrate 10 which is cut later to form a slider, and a lower shield 1 which is a soft magnetic film such as permalloy is formed on the insulating film 11.
After depositing 2, an insulating film (alumina or the like) forming the lower reproduction gap 13 is deposited by sputtering or the like. A pair of bias magnet films 14a, 14b made of CoCrPt or the like and a pair of electric conductive films 15a, 15b made of W, Ta, Nb, etc. are laminated on the lower reproducing gap 13 by sputtering, vapor deposition or electroplating. To form a groove M. The bias magnet films 14a and 14b and the electric conductive films 15a and 15b are connected to a pair of leads 16a and 16b.
Make

【0017】次いで、一対のリード16a,16bの間
(台形状の溝M内)に、薄膜のMR素子(MR ele
ment)17を形成する。MR素子17は、CoZr
M(Nb,Mo等)の軟磁性膜であるSAL、Ti等か
らなるスペーサ、及びNiFe等からなるMR膜を積層
した後に不要部分を除去して矩形の平面形状にカットし
て形成する。これにより、MR素子17の左右両端部
は、リード16a,16bの傾斜面の途中でカットされ
た状態となる。
Next, a thin-film MR element (MR element) is provided between the pair of leads 16a and 16b (within the trapezoidal groove M).
ment) 17 is formed. The MR element 17 is made of CoZr.
After laminating spacers made of M (Nb, Mo, etc.) soft magnetic films made of SAL, Ti, etc., and MR films made of NiFe, etc., unnecessary portions are removed and cut into a rectangular planar shape. As a result, the left and right ends of the MR element 17 are cut in the middle of the inclined surfaces of the leads 16a and 16b.

【0018】(2)次いで、図3(2)に示すように、
MR素子17、左右のリード16a,16b、及びその
周囲に露出している再生下ギャップ13の上にアルミナ
等からなる絶縁膜を堆積させて再生上ギャップ18を形
成する。 (3)次に図4(3)に示すように、再生上ギャップ1
8の上にNiFe等の軟磁性膜を堆積して下地メッキ層
19aを形成する。 (4)この後、図4(4)に示すように、下地メッキ層
19aと同等のNiFe等の軟磁性膜を電気メッキ等に
より所定の厚さに堆積して上シールド兼下コア19を形
成する。 (5)次いで、図4(5)に示すように、上シールド兼
下コア19の上面を研磨して、上シールド兼下コア19
の上面を平坦化する。
(2) Next, as shown in FIG.
An insulating film made of alumina or the like is deposited on the MR element 17, the left and right leads 16a and 16b, and the lower reproducing gap 13 exposed therearound to form an upper reproducing gap. (3) Next, as shown in FIG.
8, a soft magnetic film such as NiFe is deposited to form a base plating layer 19a. (4) Thereafter, as shown in FIG. 4D, a soft magnetic film such as NiFe equivalent to the base plating layer 19a is deposited to a predetermined thickness by electroplating or the like to form the upper shield / lower core 19. I do. (5) Next, as shown in FIG. 4 (5), the upper surface of the upper shield / lower core 19 is polished so that the upper shield / lower core 19 is polished.
Is flattened.

【0019】(6)続いて、図5(6)に示すように、
上シールド兼下コア19の上にアルミナ等からなる絶縁
膜をスパッタ等で堆積して書込みギャップ21を形成す
る。 (7)次いで、図5(7)に示すように、書込みギャッ
プ21の上の端部(図2における磁気記録媒体対向面A
側、即ち磁気記録媒体対向面Aを臨む位置)にニッケル
成分を40〜55重量%含有したニッケル―鉄合金(パ
ーマロイ)等の高透磁率材料からなる書込み上ポール2
2aを形成する。この時点の書込み上ポール22aは、
図1及び図8(D)に示した最終的に得られる(形成す
べき)書込み上ポール22の左右の幅W(磁気記録媒体
対向面Aから見てMR素子17を下方としたときの左右
方向(各積層の層面方向)における幅、図1又は図8
(D)に示された書込み下ポール20を上シールド兼下
コア19の断面が矩形の突起部とみなしたときの突起部
の左右幅)よりも所定幅だけ大きな幅W0を有するよう
に形成する(図8(A)参照)。また、高さ方向(書込
みギャップ21等の層面に垂直な方向)においても、最
終的に得られる書込み上ポール22の高さH(書込みギ
ャップ21の上面からの高さH)よりも所定量だけ大き
い高さH0を有するように形成する。具体的には、 (A)書込み上ポール22aの形成の際には、図8
(A)に示すように、同図(B)から(D)に示す書込
み上ポール22aと同材料のメッキ下地層22b(図5
には図示せず)を書込みギャップ21上面に形成する。
その上に膜厚L0のレジストを塗布した後、露光により
前述の所定幅W0を有するようにカット(レジストを除
去)し、一対のレジストRa,Rbを形成する。尚、膜
厚L0は、書込みギャップ21の上面からレジストRの
上面までの距離が前述したH0となるように形成してお
く。
(6) Subsequently, as shown in FIG.
An insulating film made of alumina or the like is deposited on the upper shield / lower core 19 by sputtering or the like to form a write gap 21. (7) Next, as shown in FIG. 5 (7), the upper end of the write gap 21 (the surface A facing the magnetic recording medium in FIG. 2)
Writing pole 2 made of a high magnetic permeability material such as a nickel-iron alloy (permalloy) containing 40 to 55% by weight of a nickel component on its side, that is, at a position facing the magnetic recording medium facing surface A).
2a is formed. The writing pole 22a at this time is
1 and 8 (D), the width W (left and right when the MR element 17 is below when viewed from the magnetic recording medium facing surface A) of the right and left write upper poles 22 (to be formed) finally obtained. Width in the direction (layer direction of each layer), FIG. 1 or FIG.
The lower write pole 20 shown in (D) is formed so as to have a width W0 that is larger by a predetermined width than the upper shield / lower core 19 has a cross section of a rectangular protrusion when the cross section is regarded as a rectangular protrusion. (See FIG. 8A). Also, in the height direction (the direction perpendicular to the layer surface such as the write gap 21), the height H of the write upper pole 22 finally obtained (the height H from the upper surface of the write gap 21) is a predetermined amount. It is formed to have a large height H0. Specifically, (A) When forming the writing pole 22a, FIG.
As shown in FIG. 5A, a plating base layer 22b of the same material as the write pole 22a shown in FIGS.
Is formed on the upper surface of the write gap 21.
After a resist having a film thickness L0 is applied thereon, it is cut by exposure (to remove the resist) so as to have the above-described predetermined width W0, thereby forming a pair of resists Ra and Rb. The film thickness L0 is formed so that the distance from the upper surface of the write gap 21 to the upper surface of the resist R becomes H0 described above.

【0020】(B)次いで、図8(B)に示すように、
書込み上ポール22aをレジストRa,Rbが存在しな
い部分に電気メッキにより形成し、レジストRa,Rb
を除去する。この時点で図5(7)に示した状態が得ら
れる。
(B) Next, as shown in FIG.
A write pole 22a is formed by electroplating on a portion where the resists Ra and Rb do not exist, and the resists Ra and Rb are formed.
Is removed. At this point, the state shown in FIG. 5 (7) is obtained.

【0021】(8)次に、図5(8)及び図8(C)に
示すように、第1の彫込みミリング加工(プラズマ化し
た不活性ガス(アルゴンイオン)の照射)を行う。この
場合、イオンミリング角度(書込み上ポール22aの高
さ方向に対するイオン照射角度、上下方向に対する照射
角度)θ1を30°から60°の範囲とする。即ち、第
1の彫込みミリング加工は書込み上ポール22aの高さ
方向のみがミリングされる角度とする。これにより、書
込み上ポール22aの高さ方向のみが削られ、また、書
込み上ポール22aがマスクとなって上シールド兼下コ
ア19の高さ方向(厚さ方向、層面垂直方向)が削られ
て、上シールド兼下コア19上であって書込み上ポール
22aの下方位置にその時点の書込み上ポール22aと
同幅の断面が矩形の突起部(後の書込み下ポール20の
一部)が形成される。この上シールド兼下コア19上面
から突出した断面矩形の突起部をメサ(丘)と称し、こ
うした構造をメサ構造呼ぶ。尚、上シールド兼下コア1
9の上面は突起部の根元から下方に傾斜した傾斜面19
aとなる。また、メッキ下地層22bと書込み上ポール
22aは同材質よりなっているので、最終的には書込み
上ポール22を構成する(図8(D)参照)。
(8) Next, as shown in FIGS. 5 (8) and 8 (C), a first engraving milling process (irradiation with a plasma-formed inert gas (argon ion)) is performed. In this case, the ion milling angle (the ion irradiation angle with respect to the height direction of the writing pole 22a and the irradiation angle with respect to the vertical direction) θ1 is in the range of 30 ° to 60 °. That is, in the first engraving milling process, the angle at which only the height direction of the upper pole 22a is milled is set. As a result, only the height direction of the upper write pole 22a is shaved, and the height direction (thickness direction, layer surface vertical direction) of the upper shield / lower core 19 is shaved using the upper write pole 22a as a mask. On the upper shield / lower core 19 and below the upper write pole 22a, a projection (a part of the later lower write pole 20) having a rectangular cross section having the same width as the current upper write pole 22a is formed. You. The projection having a rectangular cross section protruding from the upper surface of the upper shield and lower core 19 is called a mesa (hill), and such a structure is called a mesa structure. In addition, upper shield and lower core 1
9 has an inclined surface 19 inclined downward from the base of the protrusion.
a. Since the plating base layer 22b and the upper pole 22a are made of the same material, the upper pole 22 is finally formed (see FIG. 8D).

【0022】(9)続いて、図6(9)及び図8(D)
に示すように、第2の彫込みミリング加工を行う。この
場合、イオンミリング角度θ2を60°から75°の範
囲とする。即ち、第2の彫込みミリング加工は書込み上
ポール22aの幅方向を主に削るミリング角度とする。
これにより、書込み上ポール22aの幅方向が削られる
(高さ方向も若干削られる)。尚、この第2ミリング角
度θ2が大きすぎると、ミリングすべき部分が隣接ポー
ル(多数のヘッドを隣接して加工する場合)やウエハを
押えて固定する治具の陰になり、書込み上ポール22a
の幅方向の削れ量のバラツキを増加させるため、最大で
も75°程度が望ましい。また、ミリング角度θ2が小
さすぎると高さ方向の削られ方が幅方向に対し相対的に
多くなりすぎて、トラック幅Wをあまり小さくできなく
なるため、ミリング角度θ2は60°以上とすることが
望ましい。こうして、図6(10)及び図8(D)に示
す、狭トラック幅Wの書込み上ポール22と同幅Wを有
する書込み下ポール20とが形成される。
(9) Subsequently, FIGS. 6 (9) and 8 (D)
A second engraving milling process is performed as shown in FIG. In this case, the ion milling angle θ2 is set in a range from 60 ° to 75 °. That is, in the second engraving milling, the width direction of the upper pole 22a is set to a milling angle for mainly cutting.
Thereby, the width direction of the write pole 22a is cut (the height direction is also slightly cut). If the second milling angle θ2 is too large, the portion to be milled is shaded by an adjacent pole (when a large number of heads are processed adjacently) or a jig for pressing and fixing the wafer, and the write pole 22a
In order to increase the variation in the amount of shaving in the width direction of the above, it is desirable that the angle be at most about 75 °. If the milling angle θ2 is too small, the cutting in the height direction becomes too large relative to the width direction, and the track width W cannot be reduced too much. Therefore, the milling angle θ2 should be 60 ° or more. desirable. Thus, the upper write pole 22 having a narrow track width W and the lower write pole 20 having the same width W are formed as shown in FIGS. 6 (10) and 8 (D).

【0023】(11)次いで、図7の(11)に示すよ
うに、全面にアルミナ等からなる絶縁膜27をスパッタ
等で堆積させて、書込み上ポール22を埋設する。 (12)続いて、図7の(12)に示すように、堆積さ
れた絶縁膜27を書込み上ポール22の先端部の上面ま
で研磨して、絶縁膜27の上面を平坦化する。これによ
り、書込み上ポール27の周囲は絶縁膜27で包囲され
る。 (13)その後、図1に示すように、絶縁膜27の上に
絶縁層24及びコイル25を形成した後、絶縁層24及
びコイル25を跨ぐようにして上コア23を形成する。
最後に図2に示すように、保護膜26を被せてシールド
型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを作製する。
(11) Next, as shown in FIG. 7 (11), an insulating film 27 made of alumina or the like is deposited on the entire surface by sputtering or the like, and the write pole 22 is buried. (12) Subsequently, as shown in FIG. 7 (12), the deposited insulating film 27 is polished to the upper surface of the tip of the upper write pole 22 to flatten the upper surface of the insulating film 27. Thereby, the periphery of the upper pole 27 for writing is surrounded by the insulating film 27. (13) After that, as shown in FIG. 1, after forming the insulating layer 24 and the coil 25 on the insulating film 27, the upper core 23 is formed so as to straddle the insulating layer 24 and the coil 25.
Finally, as shown in FIG. 2, a shield type magnetoresistive thin-film magnetic head is formed by covering the protective film 26.

【0024】上述した工程(8)及び(9)の第1,第
2の彫込みミリング加工におけるミリング時間を変化さ
せた場合の書込み上ポール幅の減少量及びメサ深さH
M、即ち書込み下ポール高さHM(書込み下ポール20
の上シールド兼下コア上面からの高さHM,図8(D)
参照)の変化を計測した結果を表1に示した。尚、第1
の彫込みミリング加工(第1ミリング加工)における第
1ミリング角度θ1を40°、第2の彫込みミリング加
工(第2ミリング加工)における第2ミリング角度θ2
を65°とした。
When the milling time is changed in the first and second engraving milling processes in the above-mentioned steps (8) and (9), the reduction amount of the write-in pole width and the mesa depth H are changed.
M, that is, the writing pole height HM (writing pole 20
HM from the upper surface of the upper shield and lower core, Fig. 8 (D)
Table 1 shows the results of measurement of the change in the reference value. The first
The first milling angle θ1 in the engraving milling process (first milling process) is 40 °, and the second milling angle θ2 in the second engraving milling process (second milling process)
Was set to 65 °.

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】表1から明らかなように、本製造方法によ
れば第1及び第2彫込みミリング加工の時間を適当に選
択することにより、メサ深さHMを変えずに書込み上ポ
ールの幅Wを所定の幅にすることができる。この例の場
合、書込み上ポール幅の減少量の最大値は1.2μmで
ある。このことは、レジストのカットに伴う製造バラツ
キが許容範囲内である1.5μmの幅を有する書込み上
ポールを作製しておけば、0.3μmといった非常に狭
いトラック幅の書込み上ポールを精度よく加工すること
ができることを意味する。
As is apparent from Table 1, according to the present manufacturing method, by appropriately selecting the times of the first and second engraving milling processes, the width W of the writing pole can be maintained without changing the mesa depth HM. Can have a predetermined width. In the case of this example, the maximum value of the reduction amount of the pole width on writing is 1.2 μm. This means that if a write pole having a width of 1.5 μm, in which the manufacturing variation accompanying the cutting of the resist is within an allowable range, is manufactured, the write pole having a very narrow track width of 0.3 μm can be accurately formed. It means that it can be processed.

【0027】また、ミリング加工によって書込み上ポー
ルの幅Wを調節するため、そのバラツキである3σはウ
エハ全体で0.1以下と極めて良好であり、しかも、こ
のバラツキはポール幅に無関係である。本発明を用いな
い場合の書込み上ポールの幅(トラック幅)が最も狭く
ても0.9μmであった点、及びこの場合にはバラツキ
が非常に大きい点を考えると、本製造方法が非常に優れ
ていることが解る。
In addition, since the width W of the pole upon writing is adjusted by milling, the variation 3σ is very good at 0.1 or less over the entire wafer, and the variation is independent of the pole width. In view of the fact that the width (track width) of the top pole on writing when the present invention is not used is 0.9 μm even at the narrowest, and in this case, the variation is very large, this manufacturing method is very It turns out that it is excellent.

【0028】更に、膜厚の厚いレジストを露光してカッ
トする場合、図10(1)に示したスカミングSがカッ
ト面の底に残る。従って、本発明を使用しない方法で
は、同図(3)に示したように書込み上ポール55の側
面に欠陥Fが残り、書込み信号を乱してエラーを発生す
ることがあった。これに対し、本製造方法はレジストの
カット面底部にスカミングSが残存し(図8(A)参
照)書込み上ポール22aの側面に欠陥Fが生じたとし
ても(同図(C)参照)、第2の彫込みミリング加工に
てこれを削り落すので、欠陥Fが残存することがない
(同図(D)参照)。従って、本製造方法によれば、欠
陥Fによる異常な書込み信号によるエラーを発生させる
ことのない磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを得ることがで
きるようになる。
Further, when a thick resist is exposed and cut, the scumming S shown in FIG. 10A remains at the bottom of the cut surface. Therefore, in the method not using the present invention, a defect F may remain on the side surface of the upper pole 55 as shown in FIG. On the other hand, in the present manufacturing method, even if the scumming S remains at the bottom of the cut surface of the resist (see FIG. 8A) and the defect F occurs on the side surface of the write pole 22a (see FIG. 8C), Since this is cut off by the second engraving milling, the defect F does not remain (see FIG. 3D). Therefore, according to the present manufacturing method, it is possible to obtain a magnetoresistive thin-film magnetic head that does not cause an error due to an abnormal write signal due to the defect F.

【0029】更に、本製造方法では、第2の彫込みミリ
ング加工によって書込み上ポール22の側面を精度良く
削るため、同ポール22の側面が極めてシャープとな
り、書込みエッジでの磁束の乱れを抑制した磁気抵抗効
果薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
Further, in this manufacturing method, since the side face of the pole 22 on the writing is precisely cut by the second engraving milling process, the side face of the pole 22 is extremely sharp, and the disturbance of the magnetic flux at the writing edge is suppressed. A magnetoresistive thin-film magnetic head can be obtained.

【0030】尚、上述の実施形態では再生ヘッドにMR
素子17を用いたが、いわゆるGMR素子を代りに採用
することも可能である。このとき、再生ヘッドの構造は
何ら変るとことはない。
In the above embodiment, the reproducing head is provided with the MR.
Although the element 17 is used, a so-called GMR element can be used instead. At this time, the structure of the reproducing head does not change at all.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
実施形態の斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of a magnetoresistive thin-film magnetic head according to the present invention.

【図2】 図1に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
縦断面側面図である。
FIG. 2 is a longitudinal sectional side view of the magnetoresistive thin-film magnetic head shown in FIG. 1;

【図3】 図1に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of the magnetoresistive thin-film magnetic head shown in FIG.

【図4】 図1に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of the magnetoresistive thin-film magnetic head shown in FIG.

【図5】 図1に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a manufacturing process of the magnetoresistive thin-film magnetic head shown in FIG. 1;

【図6】 図1に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
FIG. 6 is a view showing a manufacturing process of the magnetoresistive thin-film magnetic head shown in FIG. 1;

【図7】 図1に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of the magnetoresistive thin-film magnetic head shown in FIG. 1;

【図8】 図1に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
書込みポールの形成工程を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a step of forming a write pole of the magnetoresistive thin-film magnetic head shown in FIG.

【図9】 本発明の背景となった磁気抵抗効果薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view of a magnetoresistive thin-film magnetic head which is the background of the present invention.

【図10】 図9に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド
の書込みポール形成工程を示す図である。
10 is a diagram showing a write pole forming step of the magnetoresistive thin film magnetic head shown in FIG.

【図11】 本発明の背景となった磁気抵抗効果薄膜磁
気ヘッドの書込み上ポール幅のバラツキ度合を示す図で
ある。
FIG. 11 is a diagram showing a variation degree of a pole width on writing of a magnetoresistive thin-film magnetic head which is a background of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…基板、11…保護層(絶縁膜)、12…下シール
ド、13…再生下ギャップ、17…MR素子、18…再
生上ギャップ、19…上シールド兼下コア、20…書込
み下ポール(メサ構造)、21…書込みギャップ、22
…書込み上ポール、23…上コア、25…コイル。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... board | substrate, 11 ... protective layer (insulating film), 12 ... lower shield, 13 ... reproduction lower gap, 17 ... MR element, 18 ... reproduction upper gap, 19 ... upper shield and lower core, 20 ... writing lower pole (mesa Structure), 21 ... write gap, 22
... write upper pole, 23 ... upper core, 25 ... coil.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に絶縁膜を介して設けた下シールド
と下コアを形成する上シールドとの間に配置した磁気抵
抗効果素子からなる再生用ヘッドと、同再生用ヘッドの
直上に位置して前記下コアの一部により形成した書込み
下ポールの上面に書込みギャップを介して書込み上ポー
ルを設け、同書込み上ポールの上面に上コアを配置する
記録用ヘッドとを有する磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、 前記書込み上ポールと前記書込み下ポールの成形工程
が、 前記上シールド上に絶縁膜からなる書込みギャップを形
成する工程と、 前記書込みギャップ上に形成すべき前記書込み上ポール
よりも高い書込み上ポールを形成する膜厚にレジストを
塗布する工程と、 前記レジストを形成すべき前記書込み上ポールの幅より
も大きい幅だけ除去する工程と、 前記レジストが除去された部分に書込み上ポールを形成
する工程と、 前記書込み上ポールを高さ及び幅方向に所定量ミリング
して前記形成すべき書込み上ポールと前記書込み下ポー
ルを形成するミリング工程とを含むことを特徴とする磁
気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの製造方法。
1. A reproducing head comprising a magnetoresistive element disposed between a lower shield provided on a substrate with an insulating film interposed therebetween and an upper shield forming a lower core, and a reproducing head positioned directly above the reproducing head. A magneto-resistive thin film comprising: a write upper pole provided on a top surface of a write lower pole formed by a part of the lower core via a write gap; and an upper core disposed on the upper surface of the write upper pole. In the method of manufacturing a magnetic head, the step of forming the upper write pole and the lower write pole includes: forming a write gap made of an insulating film on the upper shield; and forming the upper write pole to be formed on the write gap. Applying a resist to a thickness that forms a higher write pole, and only a width greater than the width of the write pole to form the resist Removing the resist; forming an upper write pole in the portion where the resist has been removed; milling the upper write pole by a predetermined amount in the height and width directions to form the upper write pole and the lower write pole And a milling step of forming a magnetoresistive thin-film magnetic head.
【請求項2】請求項1に記載の磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記ミリング工程は、 前記書込み上ポールを高さ方向にのみミリングする第1
ミリング工程と、 前記書込み上ポールを高さ及び幅方向に同時にミリング
する第2ミリング工程とを含むことを特徴とする磁気抵
抗効果薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. The method of manufacturing a magnetoresistive thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said milling step comprises: milling said write pole only in a height direction.
A method of manufacturing a magnetoresistive thin-film magnetic head, comprising: a milling step; and a second milling step of simultaneously milling the upper pole in the height and width directions.
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