JPH1133390A - Powder material evaporating apparatus - Google Patents
Powder material evaporating apparatusInfo
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- JPH1133390A JPH1133390A JP19213797A JP19213797A JPH1133390A JP H1133390 A JPH1133390 A JP H1133390A JP 19213797 A JP19213797 A JP 19213797A JP 19213797 A JP19213797 A JP 19213797A JP H1133390 A JPH1133390 A JP H1133390A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属化合物か
らなる粉末原料を用いた気相成長法を採用して金属酸化
物の薄膜を製造する際に使用される粉末原料気化装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for vaporizing a powdery raw material used for producing a metal oxide thin film by employing a vapor phase growth method using a powdery raw material comprising an organometallic compound.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年における電子機器の小型軽量化及び
高性能化に伴っては誘電体や磁性体、超伝導体などとし
て機能する金属酸化物の薄膜を作製することが行われて
おり、この種の金属酸化物薄膜を作製するに際しては、
真空度が比較的低い条件下でも高品質薄膜を高速度で作
製することができ、かつ、コストを考慮したうえでの量
産性にも優れた気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）を採用す
るのが一般的となっている。そして、このＭＯ−ＣＶＤ
法にあっては、飽和蒸気圧が高くて常温下では気体また
は液体である原料を用いたうえで金属酸化物薄膜を作製
することが行われているが、ＭｇＯなどの誘電体やＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超伝導体などのような金属酸化物
薄膜を作製する場合には、飽和蒸気圧が低くて常温下で
は固体の原料を気化させたうえで金属酸化物薄膜を作製
する必要があるとされている。2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices have become smaller and lighter and have higher performance, metal oxide thin films functioning as dielectrics, magnetic materials, superconductors, and the like have been manufactured. When producing a kind of metal oxide thin film,
A vapor-phase growth method (MO-CVD method) that can produce a high-quality thin film at a high speed even under a condition where the degree of vacuum is relatively low and is excellent in mass productivity in consideration of cost is adopted. It has become common. And this MO-CVD
According to the method, a metal oxide thin film is produced using a raw material which is a gas or a liquid at room temperature at a high saturated vapor pressure and is at room temperature.
When producing a metal oxide thin film such as a Ba-Cu-O-based high-temperature superconductor, the saturation vapor pressure is low, and at room temperature, a solid material is vaporized to produce the metal oxide thin film. It is necessary.
【０００３】そこで、固体である原料を気化させる際に
は、例えば図２で簡略化して示すような粉末原料気化装
置が使用されることになる。すなわち、この粉末原料気
化装置３１は、有機金属化合物である粉末原料Ｇを加熱
して気化させる原料気化室３３を備えたものであり、原
料気化室３３はガス通路３４を介したうえで成膜室３５
と連通接続されている。そして、この際における成膜室
３５は金属酸化物薄膜を作製すべく載置されたガラス製
などの基板Ｗを加熱する基板台３６が内装されたもので
ある一方、ガス通路３４は原料気化室３３内で発生した
原料ガスを成膜室３５内へと導入するものであり、その
途中位置には流量調節弁３７が介装されている。なお、
図示省略しているが、基板台３６にはヒータが埋設され
ており、また、原料気化室３３及びガス通路３４、成膜
室３５のそれぞれには壁面ヒータ３８が設けられてい
る。Therefore, when a solid raw material is vaporized, for example, a powder raw material vaporizing apparatus as simplified shown in FIG. 2 is used. That is, the powder raw material vaporizer 31 includes a raw material vaporization chamber 33 for heating and vaporizing the powder raw material G, which is an organometallic compound, and the raw material vaporization chamber 33 forms a film through a gas passage 34. Room 35
Is connected to In this case, the film forming chamber 35 is provided with a substrate base 36 for heating a substrate W made of glass or the like which is mounted to form a metal oxide thin film, while the gas passage 34 is provided in the raw material vaporizing chamber. The source gas generated in the inside 33 is introduced into the film forming chamber 35, and a flow control valve 37 is interposed at an intermediate position. In addition,
Although not shown, a heater is embedded in the substrate base 36, and a wall surface heater 38 is provided in each of the raw material vaporizing chamber 33, the gas passage 34, and the film forming chamber 35.
【０００４】また、原料気化室３３の上側位置には、粉
末原料Ｇを収納したうえ、バイブレータといわれる振動
機構８でもって振動動作させられることに伴って粉末原
料Ｇを供給する漏斗形状の原料容器２が備えられた原料
供給室３が設けられ、かつ、粉末原料Ｇは傾斜支持され
た原料通路４を通過したうえで原料気化室３３内に供給
されることになっている。[0004] A funnel-shaped raw material container for storing the powdery raw material G at the upper position of the raw material vaporizing chamber 33 and supplying the powdery raw material G with being vibrated by a vibration mechanism 8 called a vibrator. A raw material supply chamber 3 provided with a raw material 2 is provided, and a powder raw material G is supplied into a raw material vaporization chamber 33 after passing through a raw material passage 4 which is supported in an inclined manner.
【０００５】さらに、この際における原料供給室３に対
しては、マスフローコントローラといわれる流量調節機
構１０が介装されたキャリアガス導入管１１を通じて窒
素ガスなどのキャリアガスが導入されているとともに、
真空排気機器４６でもって真空度が調節される成膜室３
５内には酸素ガスなどのような反応ガスが反応ガス導入
管４７を通じたうえで導入されている。したがって、こ
の粉末原料気化装置３１を使用することによっては、つ
ぎのような成膜処理が実施されることになる。Further, a carrier gas such as nitrogen gas is introduced into the raw material supply chamber 3 through a carrier gas introduction pipe 11 provided with a flow rate adjusting mechanism 10 called a mass flow controller.
The film forming chamber 3 in which the degree of vacuum is adjusted by the vacuum exhaust device 46
A reaction gas such as oxygen gas is introduced into the tube 5 through a reaction gas introduction pipe 47. Therefore, depending on the use of the powder raw material vaporizer 31, the following film forming process is performed.
【０００６】まず、原料容器２内に粉末原料Ｇを充填
し、かつ、原料容器２の排出開口２ａを開操作したう
え、振動機構８でもって原料容器２を振動動作させる
と、原料容器２の排出開口２ａからは粉末原料Ｇが排出
されてくることになり、排出されてきた粉末原料Ｇは原
料通路４を通過したうえで原料気化室３３内に供給され
る。First, the raw material container 2 is filled with the powdery raw material G, the opening operation of the discharge opening 2a of the raw material container 2 is performed, and the raw material container 2 is vibrated by the vibration mechanism 8. The powder raw material G is discharged from the discharge opening 2 a, and the discharged powder raw material G is supplied into the raw material vaporization chamber 33 after passing through the raw material passage 4.
【０００７】そして、壁面ヒーター３８により粉末原料
Ｇを加熱すると、加熱された粉末原料Ｇは気化させられ
ることになり、発生した原料ガスはキャリアガスととも
にガス通路３４を通ったうえで成膜室３５内へと流入す
る。一方、この際における成膜室３５は真空排気機器４
６でもって減圧されており、その内部には反応ガスが導
入されている。そのため、成膜室３５内に流入した原料
ガスと反応ガスとは、基板台３６によって加熱された基
板Ｗ上で反応することになり、基板Ｗ上には所要の金属
酸化物薄膜が作製される。When the powder raw material G is heated by the wall heater 38, the heated powder raw material G is vaporized. The generated raw material gas passes through the gas passage 34 together with the carrier gas, and then passes through the film forming chamber 35. Flows into the interior. On the other hand, the film forming chamber 35 at this time is
The pressure is reduced by 6 and a reaction gas is introduced therein. Therefore, the source gas and the reactant gas flowing into the film forming chamber 35 react on the substrate W heated by the substrate stand 36, and a required metal oxide thin film is formed on the substrate W. .
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の粉末原料気化装置３１においては、加熱していないキ
ャリアガスを原料供給室３に供給しており、前記キャリ
アガスが原料気化室３３に流れていくため、原料気化室
３３内の温度が下がり原料気化室３３内で粉末原料Ｇを
十分気化させることができなかった。また、加熱したキ
ャリアガスを供給すると、振動機構８などの温度が上が
り原料容器２の振動動作の制御性が低下し、粉末原料Ｇ
の定量供給ができなかった。However, in the conventional powder raw material vaporizer 31, the unheated carrier gas is supplied to the raw material supply chamber 3, and the carrier gas flows into the raw material vaporization chamber 33. Therefore, the temperature in the raw material vaporization chamber 33 was lowered, and the powder raw material G could not be sufficiently vaporized in the raw material vaporization chamber 33. Further, when the heated carrier gas is supplied, the temperature of the vibration mechanism 8 and the like rises, and the controllability of the vibration operation of the raw material container 2 decreases, and
Could not be supplied quantitatively.
【０００９】また、成膜室３５内に反応ガスを導入して
いるため原料ガスと反応ガスが十分混合されず、化学反
応を均一に発生させることができないため、膜質を均一
化させることができなっかった。Further, since the reactant gas is introduced into the film forming chamber 35, the source gas and the reactant gas are not sufficiently mixed, and the chemical reaction cannot be generated uniformly, so that the film quality can be made uniform. I didn't.
【００１０】本発明は、これらの点に鑑みなされたもの
で、大量の原料ガスを発生させることが可能であり、か
つ、基板上に均一な金属酸化物を製膜することができる
粉末原料気化装置の提供を目的としている。The present invention has been made in view of these points, and it is possible to generate a large amount of raw material gas and to vaporize a powdery raw material capable of forming a uniform metal oxide film on a substrate. It is intended to provide equipment.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の粉末原料気化装
置は、粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供
給室と、原料容器からの粉末原料が通過する原料通路
と、この原料通路の排出端部から供給された粉末原料を
加熱して気化させる原料気化室とを備え、少なくとも原
料供給室内に加熱されていないキャリアガスが供給さ
れ、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキャリア
ガスが供給され、また、前記原料気化室内に加熱された
反応ガスが供給されていることを特徴としており、ま
た、原料供給室の内圧は原料気化室の内圧よりも高く設
定されていることを特徴としている。According to the present invention, there is provided a powder material vaporizing apparatus comprising: a material supply chamber in which a material container for supplying a powder material is provided; a material passage through which the powder material from the material container passes; A raw material vaporizing chamber for heating and vaporizing the powder raw material supplied from the discharge end of the raw material, at least an unheated carrier gas is supplied into the raw material supply chamber, and the raw material passage is heated along the raw material passage. A carrier gas is supplied, and a heated reaction gas is supplied into the raw material vaporization chamber.The internal pressure of the raw material supply chamber is set higher than the internal pressure of the raw material vaporization chamber. It is characterized by.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】第１の発明の粉末原料気化装置
は、粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供給
室と、前記原料容器からの粉末原料が通過する原料通路
と、この原料通路の排出端部から供給された粉末原料を
加熱して気化させる原料気化室とを備えており、少なく
とも原料供給室内に加熱されていないキャリアガスが供
給され、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキャ
リアガスが供給されているものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A powder raw material vaporizer according to a first aspect of the present invention comprises a raw material supply chamber in which a raw material container for supplying a powder raw material is provided, a raw material passage through which the powder raw material from the raw material container passes, A raw material vaporizing chamber for heating and vaporizing the powder raw material supplied from the discharge end of the passage, wherein at least a raw material supply chamber is supplied with an unheated carrier gas, and the raw material passage is provided along the raw material passage. The heated carrier gas is supplied.
【００１３】また、第２の発明の粉末原料気化装置は、
粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供給室
と、原料容器からの粉末原料が通過する原料通路と、こ
の原料通路の排出端部から供給された粉末原料を加熱し
て気化させる原料気化室とを備えており、少なくとも原
料気化室内に加熱された反応ガスが供給されているもの
である。[0013] Further, the powder raw material vaporizer of the second invention comprises:
A raw material supply chamber in which a raw material container for supplying the raw powder material is provided, a raw material passage through which the raw powder material from the raw material container passes, and a raw material vaporization for heating and vaporizing the raw powder material supplied from the discharge end of the raw material passage And a heated gas is supplied into at least the raw material vaporization chamber.
【００１４】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て説明する。図１は本発明の一実施の形態における粉末
原料気化装置の全体構成を簡略化して示す縦断面図であ
り、図１における符号１は粉末原料気化装置を示してい
る。なお、ここでのガス通路及び成膜室は従来の形態と
同じ構成を有し、同様の処理を実行するものであるか
ら、図１において図２と互いに同一もしくは相当する部
品、部分については同一符号を付し、ここでの説明は省
略する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a simplified longitudinal sectional view showing the entire configuration of a powder raw material vaporizing apparatus according to an embodiment of the present invention, and reference numeral 1 in FIG. 1 indicates a powder raw material vaporizing apparatus. Since the gas passage and the film forming chamber here have the same configuration as that of the conventional embodiment and execute the same processing, the same parts or parts in FIG. 1 as those in FIG. The reference numerals are used, and the description is omitted here.
【００１５】粉末原料気化装置１は、有機金属化合物か
らなる粉末原料Ｇを収納しており、これらの粉末原料Ｇ
を定量ずつ排出して供給する漏斗形状の原料容器２が内
装された原料供給室３と、傾斜支持されたうえで原料容
器２から排出された粉末原料Ｇが通過する原料通路４
と、この原料通路４の排出端部４ａから供給された粉末
原料Ｇを加熱して気化させる原料気化室６とを備えて構
成されたものである。The powder raw material vaporizer 1 contains a powder raw material G made of an organometallic compound.
Material supply chamber 3 in which a funnel-shaped raw material container 2 is provided and supplied, and a raw material passage 4 through which a powder raw material G discharged from the raw material container 2 passes while being inclined and supported.
And a raw material vaporizing chamber 6 for heating and vaporizing the powder raw material G supplied from the discharge end 4 a of the raw material passage 4.
【００１６】尚、原料気化室６がガス通路３４を介した
うえで成膜室３５と連通接続されていることは従来の形
態と同じであり、これらの原料気化室６及びガス通路３
４、成膜室３５それぞれには壁面ヒータ３８が設けられ
ていることも従来の形態と同様である。The material vaporizing chamber 6 is connected to the film forming chamber 35 via the gas passage 34 in the same manner as in the conventional embodiment.
4. Each of the film forming chambers 35 is provided with a wall heater 38 as in the conventional embodiment.
【００１７】ここでの原料供給室３は原料気化室６の上
側位置に配設されたものであり、原料供給室３に内装さ
れた原料容器２は、その下端部の側面位置に粉末原料Ｇ
を排出して供給するための排出開口２ａが形成され、か
つ、排出開口２ａから水平方向に沿って樋部２ｂが延出
されているとともに、バイブレータといわれる振動機構
８でもって全体的に振動動作させられるものとなってい
る。The raw material supply chamber 3 is disposed above the raw material vaporization chamber 6, and the raw material container 2 provided in the raw material supply chamber 3 has a powder raw material
A discharge opening 2a for discharging and supplying the water is formed, and a gutter portion 2b extends from the discharge opening 2a along the horizontal direction. It is made to be made.
【００１８】すなわち、原料容器２は振動機構８を用い
た振動動作に伴って側面位置の排出開口２ａから樋部２
ｂへと粉末原料Ｇを排出する構成とされており、排出開
口２ａ近くには粉末原料Ｇの排出量、ひいては、原料気
化室６への供給量を調整するための開閉板９が設けられ
ている。That is, the raw material container 2 is moved from the discharge opening 2a at the side surface to the gutter portion 2 by the vibration operation using the vibration mechanism 8.
The opening / closing plate 9 for adjusting the discharge amount of the powder raw material G and the supply amount to the raw material vaporization chamber 6 is provided near the discharge opening 2a. I have.
【００１９】また、マスフローコントローラといわれる
流量調節機構１０、１４が介装されたキャリアガス導入
管１１、１５を通じて窒素ガスなどのキャリアガスが導
入されるようになっており、壁面ヒーター３９により加
熱することにより、キャリアガス導入管１５からは３５
０℃程度に加熱されたキャリアガスが導入される。Further, a carrier gas such as nitrogen gas is introduced through carrier gas introduction pipes 11 and 15 in which flow rate adjusting mechanisms 10 and 14 called mass flow controllers are interposed. As a result, the carrier gas introduction pipe 15
A carrier gas heated to about 0 ° C. is introduced.
【００２０】さらに、原料通路４は水平に対して６０度
程度傾斜させられたうえで原料供給室３と原料気化室６
との間に架設されたものである。Further, the raw material passage 4 is inclined about 60 degrees with respect to the horizontal, and then the raw material supply chamber 3 and the raw material vaporizing chamber 6
It was built between the two.
【００２１】一方、原料気化室６には、流量調節機構１
２が介装された反応ガス導入管１３を通じて酸素ガスな
どの反応ガスが導入されており、この原料気化室６の内
圧は原料供給室３の内圧よりも低めとなるように設定さ
れている。すなわち、原料容器２が内装された原料供給
室３の内圧は、キャリアガス導入管１１に介装された流
量調節機構１０でもってキャリアガスの流量調節を行う
ことによって原料気化室６の内圧よりも高くなるように
設定されている。なお、このようにしておいた際には、
原料気化室６内で粉末原料Ｇを気化することによって発
生した原料ガスが原料通路４を通じて原料供給室３内に
流入することが防止されることになる。On the other hand, the raw material vaporization chamber 6 has a flow rate adjusting mechanism 1
A reaction gas such as oxygen gas is introduced through a reaction gas introduction pipe 13 in which the raw material 2 is interposed. The internal pressure of the raw material vaporization chamber 6 is set to be lower than the internal pressure of the raw material supply chamber 3. That is, the internal pressure of the raw material supply chamber 3 in which the raw material container 2 is housed is made higher than the internal pressure of the raw material vaporization chamber 6 by adjusting the flow rate of the carrier gas by the flow rate adjusting mechanism 10 interposed in the carrier gas introduction pipe 11. It is set to be high. When doing so,
The raw material gas generated by vaporizing the powder raw material G in the raw material vaporizing chamber 6 is prevented from flowing into the raw material supply chamber 3 through the raw material passage 4.
【００２２】したがって、この粉末原料気化装置１を使
用することによっては、つぎのような成膜処理が実施さ
れることになる。Therefore, depending on the use of the powder raw material vaporizer 1, the following film forming process is performed.
【００２３】まず、原料容器２内に粉末原料Ｇを充填
し、かつ、原料容器２の排出開口２ａを開操作したう
え、振動機構８でもって原料容器２を振動動作させる
と、原料容器２の下端部における側面位置に形成された
排出開口２ａからは粉末原料Ｇが定量ずつ排出されるこ
とになる。そして、原料容器２の排出開口２ａから排出
された粉末原料Ｇは原料通路４を通過したうえで原料気
化室６内に供給されることになる。First, the raw material container 2 is filled with the powdery raw material G, the discharge opening 2a of the raw material container 2 is opened, and the raw material container 2 is vibrated by the vibrating mechanism 8. From the discharge opening 2a formed at the side surface position at the lower end, the powder raw material G is discharged at a constant rate. Then, the powder raw material G discharged from the discharge opening 2 a of the raw material container 2 passes through the raw material passage 4 and is supplied into the raw material vaporization chamber 6.
【００２４】また、本実施例では、加熱されていない２
０℃のキャリアガスはキャリアガス導入ノズル１１から
７０ｃｃ／分の流量で、加熱された３５０℃のキャリア
ガスはキャリアガス導入ノズル１５から１８０ｃｃ／分
の流量で導入したところ、原料容器２や振動機構８の温
度はあまり上がらず、粉末原料Ｇの供給量は振動機構８
により制御することができた。また、原料気化室６へは
原料通路４を通して、２５０℃のキャリアガスが流入し
た。In this embodiment, the unheated 2
The carrier gas at 0 ° C. was introduced at a flow rate of 70 cc / min from the carrier gas introduction nozzle 11, and the heated carrier gas at 350 ° C. was introduced at a flow rate of 180 cc / min from the carrier gas introduction nozzle 15. 8 does not rise so much, and the supply amount of the powder raw material G is
Could be controlled by The carrier gas at 250 ° C. flowed into the raw material vaporization chamber 6 through the raw material passage 4.
【００２５】そこで、壁面ヒーター３８により粉末原料
Ｇを加熱すると、粉末原料Ｇは十分に加熱されることに
なり、加熱された粉末原料Ｇは気化させられる結果、粉
末原料Ｇが気化して発生した原料ガスは、原料通路４か
ら流入したキャリアガスと、反応ガス導入ノズル１３か
ら流入した反応ガスとともにガス通路３４を通ったうえ
で成膜室３５へと流入することになる。When the powder raw material G is heated by the wall heater 38, the powder raw material G is sufficiently heated. As a result, the heated powder raw material G is vaporized. The source gas flows into the film formation chamber 35 after passing through the gas passage 34 together with the carrier gas flowing from the source passage 4 and the reaction gas flowing from the reaction gas introduction nozzle 13.
【００２６】このとき反応ガスを、原料気化室６に導入
することにより、原料ガスと反応ガスが十分混合されて
成膜室３５へ流入することになる。その一方、成膜室３
５は真空排気機器４６でもって減圧されており、成膜室
３５内に流入した原料ガスと反応ガスとは基板台３６に
よって加熱されたガラス製などの基板Ｗ上で反応するこ
とになり、基板Ｗ上には所要の金属酸化物薄膜が均一に
作製される。At this time, by introducing the reaction gas into the source vaporization chamber 6, the source gas and the reaction gas are sufficiently mixed and flow into the film formation chamber 35. On the other hand, the film forming chamber 3
5 is depressurized by the vacuum exhaust device 46, and the source gas and the reaction gas flowing into the film forming chamber 35 react on the substrate W made of glass or the like heated by the substrate stand 36. A required metal oxide thin film is uniformly formed on W.
【００２７】なお、以上のような手順を採用した場合に
は、構造式がＭｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2で示されるマグネシウ
ムアセチルアセトンなどのような粉末原料Ｇ、つまり、
飽和蒸気圧が低くて常温下では固体の原料であっても、
常温下で液体や気体の原料と同様、大量にガス化して供
給することが可能であることが発明者らによって確認さ
れている。When the above procedure is adopted, a powder material G such as magnesium acetylacetone having a structural formula of Mg (C 5 H 7 O 2 ) 2 ,
Even if the raw material is solid at normal temperature with low saturated vapor pressure,
It has been confirmed by the inventors that it is possible to gasify and supply a large amount at a normal temperature in the same manner as a liquid or gaseous raw material.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上のように本発明の粉末原料気化装置
によれば、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキ
ャリアガスを供給することにより、原料供給室から原料
気化室へ加熱されたキャリアガスが流れるため、原料気
化室内での粉末原料のガス化が容易になり大量のガスを
発生させることができる。As described above, according to the powder raw material vaporizer of the present invention, by supplying a heated carrier gas along the raw material passage into the raw material passage, the raw material supply chamber is heated to the raw material vaporization chamber. Since the carrier gas flows, gasification of the powder raw material in the raw material vaporization chamber becomes easy, and a large amount of gas can be generated.
【００２９】また、原料気化室内に反応ガスを導入する
ことにより、反応ガスと原料ガスを十分混合させること
ができるので、成膜室内での化学反応が均一に発生し均
一な成膜が可能となる。Further, by introducing the reaction gas into the raw material vaporization chamber, the reaction gas and the raw material gas can be sufficiently mixed, so that a chemical reaction occurs uniformly in the film formation chamber, and uniform film formation is possible. Become.
【図１】本発明の一実施の形態にかかる粉末原料気化装
置の全体構成を簡略化して示す縦断面図FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing the entire configuration of a powder raw material vaporizing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来の粉末原料気化装置の全体構成を簡略化し
て示す縦断面図FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing the entire configuration of a conventional powder raw material vaporizer.
１ 粉末原料気化装置 ２ 原料容器 ２ａ 排出開口 ３ 原料供給室 ４ 原料通路 ４ａ 排出端部 ６ 原料気化室 ７ 揺動機構 １５ キャリアガス導入管 ３８ 壁面ヒーター ３９ 壁面ヒーター Ｇ 粉末原料 Reference Signs List 1 powder raw material vaporizer 2 raw material container 2a discharge opening 3 raw material supply chamber 4 raw material passage 4a discharge end 6 raw material vaporization chamber 7 swing mechanism 15 carrier gas introduction pipe 38 wall heater 39 wall heater G powder raw material
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩川 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐々木 良樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村井 隆一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 青木 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Akira Shiokawa 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Yoshiki Sasaki 1006 Okadoma Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Ryuichi Murai 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Masaki 1006 Odaka Kadoma Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (4)
器が内装された原料供給室と、傾斜支持されて前記原料
容器からの粉末原料が通過する原料通路と、この原料通
路の排出端部から供給された粉末原料を加熱して気化さ
せる原料気化室とからなり、少なくとも原料供給室内に
加熱されていないキャリアガスが供給され、前記原料通
路内に前記原料通路に沿って加熱されたキャリアガスが
供給されており、前記原料供給室の内圧は前記原料気化
室の内圧よりも高く設定されていることを特徴とする粉
末原料気化装置。1. A raw material supply chamber in which a raw material container for supplying a raw material powder is provided by a vibration mechanism, a raw material passage which is supported inclined and through which the raw material material from the raw material container passes, and a discharge end of the raw material passage. A raw material vaporizing chamber for heating and vaporizing the supplied powder raw material is provided, and at least a raw material supply chamber is supplied with an unheated carrier gas, and a carrier gas heated along the raw material passage into the raw material passage. A powder raw material vaporizer, wherein the internal pressure of the raw material supply chamber is set higher than the internal pressure of the raw material vaporization chamber.
器が内装された原料供給室と、傾斜支持されて前記原料
容器からの粉末原料が通過する原料通路と、この原料通
路の排出端部から供給された粉末原料を加熱して気化さ
せる原料気化室とからなり、少なくとも前記原料供給室
内に加熱されていないキャリアガスが供給され、かつ前
記原料気化室内に加熱された反応ガスが供給されてお
り、前記原料供給室の内圧は前記原料気化室の内圧より
も高く設定されていることを特徴とする粉末原料気化装
置。2. A raw material supply chamber in which a raw material container for supplying a raw powder material by a vibrating mechanism is provided, a raw material passage through which the raw powder material from the raw material container is passed while being inclined, and a discharge end of the raw material passage. A raw material vaporizing chamber for heating and vaporizing the supplied powder raw material, at least a carrier gas that is not heated is supplied into the raw material supply chamber, and a heated reaction gas is supplied into the raw material vaporizing chamber. An internal pressure of the raw material supply chamber is set higher than an internal pressure of the raw material vaporization chamber.
原料供給室と、前記原料容器からの粉末原料が通過する
原料通路と、この原料通路の排出端部から供給された粉
末原料を加熱して気化させる原料気化室を備え、少なく
とも前記原料供給室内にキャリアガスが供給され、前記
原料通路内に前記原料通路に沿って加熱されたキャリア
ガスが供給されていることを特徴とする粉末原料気化装
置。3. A raw material supply chamber in which a raw material container for supplying a raw powder material is provided, a raw material passage through which the raw powder material from the raw material container passes, and a powder raw material supplied from a discharge end of the raw material passage. Powder raw material, comprising: a raw material vaporizing chamber for performing vaporization by supplying a carrier gas into at least the raw material supply chamber; and supplying a heated carrier gas along the raw material passage into the raw material passage. Vaporizer.
原料供給室と、前記原料容器からの粉末原料が通過する
原料通路と、この原料通路の排出端部から供給された粉
末原料を加熱して気化させる原料気化室を備え、少なく
とも前記原料供給室内にキャリアガスが供給され、かつ
前記原料気化室内に加熱された反応ガスが供給されてい
ることを特徴とする粉末原料気化装置。4. A raw material supply chamber in which a raw material container for supplying a raw powder material is provided, a raw material passage through which the raw powder material from the raw material container passes, and a heating of the raw powder material supplied from the discharge end of the raw material passage. A powder raw material vaporizing apparatus, comprising: a raw material vaporizing chamber for performing vaporization, wherein at least a carrier gas is supplied into the raw material supply chamber, and a heated reaction gas is supplied into the raw material vaporizing chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19213797A JPH1133390A (en) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Powder material evaporating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19213797A JPH1133390A (en) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Powder material evaporating apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1133390A true JPH1133390A (en) | 1999-02-09 |
Family
ID=16286308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19213797A Withdrawn JPH1133390A (en) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Powder material evaporating apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1133390A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008274430A (en) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Tera Semicon Corp | Source gas feeding device and method |
| WO2010098308A1 (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 株式会社アルバック | Organic compound steam generator and apparatus for producing organic thin film |
| KR101069171B1 (en) | 2009-01-16 | 2011-09-30 | (주)지오엘리먼트 | Carrying apparatus, measuring method for powder source and measuring part used the same |
| CN104024469A (en) * | 2011-09-02 | 2014-09-03 | 第一太阳能有限公司 | Feeder system and method for a vapor transport deposition system |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP19213797A patent/JPH1133390A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008274430A (en) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Tera Semicon Corp | Source gas feeding device and method |
| TWI383065B (en) * | 2007-05-04 | 2013-01-21 | Tera Semicon Corp | Apparatus and method for supplying source gas |
| KR101069171B1 (en) | 2009-01-16 | 2011-09-30 | (주)지오엘리먼트 | Carrying apparatus, measuring method for powder source and measuring part used the same |
| WO2010098308A1 (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 株式会社アルバック | Organic compound steam generator and apparatus for producing organic thin film |
| CN102239275A (en) * | 2009-02-24 | 2011-11-09 | 株式会社爱发科 | Organic compound steam generator and apparatus for producing organic thin film |
| KR101286803B1 (en) * | 2009-02-24 | 2013-07-17 | 가부시키가이샤 알박 | Organic compound steam generator and apparatus for producing organic thin film |
| CN104024469A (en) * | 2011-09-02 | 2014-09-03 | 第一太阳能有限公司 | Feeder system and method for a vapor transport deposition system |
| US9359668B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-06-07 | First Solar, Inc. | Feeder system and method for a vapor transport deposition system |
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