JPH11330929A - Circuit and method for controlling switching speed of inverter - Google Patents

Circuit and method for controlling switching speed of inverter

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JPH11330929A
JPH11330929A JP11027751A JP2775199A JPH11330929A JP H11330929 A JPH11330929 A JP H11330929A JP 11027751 A JP11027751 A JP 11027751A JP 2775199 A JP2775199 A JP 2775199A JP H11330929 A JPH11330929 A JP H11330929A
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JP
Japan
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current
inverter
delay
predetermined level
circuit
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Application number
JP11027751A
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Japanese (ja)
Inventor
Arnold M Frisch
アーノルド・エム・フリシュ
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Tektronix Inc
Original Assignee
Tektronix Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control the switching speed of the inverter 12 and to hold its switching threshold value nearly constant. SOLUTION: An FET 11a charges the output capacitor 16 of the inverter 12 and an FET 11b discharges this output capacitor. An FET 18a limits the discharging current to a 1st specific level on receiving a 1st control signal at its gate and an FET 18b limits the discharging current to a 2nd specific level on receiving a 2nd control signal at its gate. Those 1st and 2nd specific levels are nearly equal in the control range of the current and the switching threshold values of the FETs 11a and 11b are held almost constant.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、タイミン
グ補間に用いる遅延回路、特に、かかる遅延回路に用い
るCMOSインバータのスイッチング速度を制御する回
路及び方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to a delay circuit used for timing interpolation, and more particularly to a circuit and a method for controlling the switching speed of a CMOS inverter used for such a delay circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子装置においては、遅延を制御するこ
とが望ましい場合がしばしばある。制御された遅延は、
システム・クロックで制御可能な以上のタイミング分解
能が得られるなどの多くの利点があり、有用である。例
えば、イベント・ドリブン(事象で駆動される)タイミ
ング・アナライザは、選択した時点に所定信号を発生す
る。選択した時点がクロック・サイクルの間に生じた場
合、クロック期間を補間しなければならない。かかる補
間は、クロック周期にロック(拘束)された遅延を有す
る遅延ライン内で適切に実行できる。(なお、本明細書
では、実際の遅延線を用いた回路や、遅延線の機能を果
たす増幅素子などの回路素子で構成された遅延回路など
を総称して遅延ラインと呼ぶ。)遅延回線は、選択され
た場所にタップが設けられて、最終クロック・パルスか
ら、クロック周期の所望の分割時間だけ遅延された時間
に出力信号を発生する。
BACKGROUND OF THE INVENTION In electronic devices, it is often desirable to control the delay. The controlled delay is
There are many advantages, such as obtaining a timing resolution that can be controlled by the system clock, which is useful. For example, an event driven timing analyzer generates a predetermined signal at a selected time. If the selected point occurs during a clock cycle, the clock period must be interpolated. Such interpolation can be performed properly in a delay line having a delay locked to the clock period. (Note that in this specification, a circuit using an actual delay line, a delay circuit including a circuit element such as an amplifying element that functions as a delay line, and the like are collectively referred to as a delay line.) A tap is provided at a selected location to generate an output signal at a time delayed from the last clock pulse by a desired division of the clock period.

【0003】遅延をクロックにロックするためには、イ
ンバータ(位相反転器)で構成されたリング発振器を調
整して、外部から供給されたクロック信号の周波数で発
振させている。リング発振器の周波数を可変するのに用
いる制御機構を用いて、カスケード接続されたインバー
タで構成されたタイミング補間器の遅延を可変してい
る。フリスチのアメリカ合衆国特許第5576657号
(特開平7−191095号に対応)は、この種のタイ
ミング補間器を記載している。位相ロック遅延ラインの
別の例は、ロフグレンのアメリカ合衆国特許第4922
141号(以下、141特許という)に記載されてい
る。
In order to lock a delay to a clock, a ring oscillator constituted by an inverter (phase inverter) is adjusted to oscillate at the frequency of a clock signal supplied from the outside. The control mechanism used to vary the frequency of the ring oscillator is used to vary the delay of a timing interpolator composed of cascaded inverters. U.S. Pat. No. 5,576,657 to Fristi (corresponding to JP-A-7-191095) describes this type of timing interpolator. Another example of a phase locked delay line is described in U.S. Pat.
No. 141 (hereinafter referred to as 141 patent).

【0004】タイミング補間の機能を実行するために
は、個別の遅延要素を「タップ」して(縦続接続された
複数の遅延要素の各々からタップを出して)、遅延ライ
ンの全遅延に対する一部分の遅延を行う。これら遅延要
素の各遅延の総ては、等しく、遅延全体の正確な約数に
対応する遅延を提供しなければならない。すなわち、総
ての遅延要素の遅延が等しい場合、特定の遅延要素にお
ける遅延は、全遅延の一部となる。この遅延の一部と
は、遅延ラインの遅延要素の総数に対して、その特定の
遅延要素までの遅延要素の数の比、即ち、分数に対応す
る。
To perform the function of timing interpolation, the individual delay elements are "tapped" (tapping from each of the cascaded delay elements) to provide a fraction of the total delay of the delay line. Do a delay. All of the delays of these delay elements must be equal and provide a delay corresponding to an exact submultiple of the total delay. That is, if the delays of all delay elements are equal, the delay at a particular delay element will be part of the total delay. The portion of the delay corresponds to the ratio of the number of delay elements up to that particular delay element to the total number of delay elements in the delay line, ie, a fraction.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】遅延ラインは、CMO
S(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)イン
バータで構成してもよい。これらCMOSインバータ
は、出力ノード容量(出力容量)に電流を送り出す(ソ
ーシング)動作と、このノード容量から電流を引き込む
(シンキング)動作とを繰り返す。なお、出力容量は、
素子としてのコンデンサを接続しなくても、浮遊容量と
して必然的に各インバータの出力ノードに存在する。こ
れらインバータは、電源供給線+V及び−Vを介して電
力を受ける。電源供給線の電圧が低下すると、インバー
タが送り出す又は引き込むピーク電流が減少し、出力ノ
ード容量を充電する速度が低下して、インバータの伝搬
遅延時間が増加する。したがって、電源供給線の電圧が
低下すると、インバータのスイッチング速度を制御可能
に遅くし、所望の機能を果たしていた。
The delay line is a CMO.
An S (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) inverter may be used. These CMOS inverters repeat an operation of sending (sourcing) current to an output node capacitance (output capacitance) and an operation of drawing (sinking) current from the node capacitance. The output capacity is
Even if a capacitor as an element is not connected, it is inevitably present at the output node of each inverter as stray capacitance. These inverters receive power via power supply lines + V and -V. As the voltage on the power supply line decreases, the peak current that the inverter sends or draws decreases, the rate at which the output node capacitance is charged decreases, and the propagation delay time of the inverter increases. Therefore, when the voltage of the power supply line is reduced, the switching speed of the inverter is controllably reduced to perform a desired function.

【0006】しかし、インバータの実効的な電源供給線
電圧を単に下げるだけでは、これらインバータのスイッ
チングしきい値がシフトしてしまう。これにより、タイ
ミング補間器に特に望ましくない影響が生じる。ここ
で、電圧制御されない他のロジック素子は、シフトされ
ないスイッチングしきい値を有するが、電圧制御インバ
ータ及び非制御ロジック素子の間のインタフェースにお
ける信号間に一般的な「スイッチング・スキュー」が存
在する。スイッチング・スキューにより、インバータの
状態は、タップを引き出すロジック素子の前と後とでは
状態が切り替わってしまう。かかるスイッチング・スキ
ューの影響で、遅延の正確な約数が遅延ラインから得ら
れなくなるという問題がある。
However, simply lowering the effective power supply line voltage of the inverters shifts the switching thresholds of these inverters. This has a particularly undesirable effect on the timing interpolator. Here, other logic devices that are not voltage controlled have switching thresholds that are not shifted, but there is a general "switching skew" between signals at the interface between the voltage controlled inverter and the uncontrolled logic device. Due to the switching skew, the state of the inverter switches between before and after the logic element that pulls out the tap. Due to the effects of such switching skew, there is a problem that the exact divisor of the delay cannot be obtained from the delay line.

【0007】この問題を部分的に改善する方法が、フリ
スチのアメリカ合衆国第5576657号(以下、65
7特許という)に記載されている。この657特許にお
いて、回路が、スイッチングしきい値をVCC/2の如
き所定値に維持する一方、電源電圧+V及び−Vが最大
電源電圧VCCから低下できるようにしている。一方、
141特許は、異なるアプリケーションで類似の概念を
用いている。
[0007] A method for partially remedying this problem is described in US Pat. No. 5,576,657 to Fristi (hereinafter referred to as 65).
7 patents). In the '657 patent, a circuit maintains the switching threshold at a predetermined value, such as VCC / 2, while allowing the power supply voltages + V and -V to drop from the maximum power supply voltage VCC. on the other hand,
The '141 patent uses similar concepts in different applications.

【0008】この改善は、部分的であるが、これは、イ
ンバータのスイッチングしきい値が所定レベルに人為的
に維持されるためである。制御されないロジック素子の
スイッチングしきい値が常に同じ所定レベルであるとい
う保証がない。それ故、スイッチング・スキューが残存
する可能性がある。
This improvement is partial, because the switching threshold of the inverter is artificially maintained at a predetermined level. There is no guarantee that the switching thresholds of uncontrolled logic elements will always be at the same predetermined level. Therefore, switching skew may remain.

【0009】さらに、この改善法には、低電力電圧、高
速スイッチング速度、又はこれら両方における改善が困
難である。電源電圧は、小さなゲート寸法に対して下げ
て、酸化ゲート間のブレークダウンを防止しなければな
らない。例えば、約65ミクロンより大幅に小さいゲー
ト寸法に対して、5ボルト電源ではなく3.3ボルト電
源が用いられている。ロジック要素のスイッチングしき
い値は、同一基準で下げなければならない。しかし、ス
イッチング速度を維持するため、又は、しばしば望まし
いことであるが、スイッチング速度を上げるために、同
じ又は大きなピーク電流を用いなければならない。大き
なピーク電流及び低い電圧しきい値は、インバータにお
ける信号対ノイズ比を大幅に下げる(悪化させる)。
Furthermore, this improvement is difficult to improve at low power voltages, high switching speeds, or both. The power supply voltage must be reduced for small gate dimensions to prevent breakdown between oxide gates. For example, a 3.3 volt power supply has been used instead of a 5 volt power supply for gate dimensions significantly less than about 65 microns. The switching threshold of the logic element must be lowered on the same basis. However, the same or large peak currents must be used to maintain the switching speed, or, if often desirable, to increase the switching speed. Large peak currents and low voltage thresholds significantly reduce (deteriorate) the signal-to-noise ratio in the inverter.

【0010】よって、CMOSスイッチング要素のスイ
ッチング速度を制御すると共に、そのスイッチングしき
い値を維持するために、改良された方法及び回路が必要
とされている。この改良された回路は、広範囲の電源電
圧で動作しなければならない。この広範囲の電源電圧に
は、非常に小さなゲート寸法のロジック要素を有するC
MOSロジック回路に典型的に用いられる比較的低い電
源電圧も含まれる。この改良された回路は、かかる制御
を行うと共に、信号対ノイズ比を最大にして、信号の劣
化を最小にし、更に、スイッチング・スキューの可能性
を小さくしなければならない。かかる改良された回路で
は、遅延ラインの全遅延の正確な約数に対応する遅延が
得られる。
Thus, there is a need for an improved method and circuit for controlling the switching speed of a CMOS switching element and maintaining its switching threshold. This improved circuit must operate over a wide range of supply voltages. This wide range of supply voltages includes C with logic elements with very small gate dimensions.
A relatively low power supply voltage typically used in MOS logic circuits is also included. The improved circuit must provide such control, maximize the signal-to-noise ratio, minimize signal degradation, and reduce the likelihood of switching skew. With such an improved circuit, a delay is obtained that corresponds to an exact submultiple of the total delay of the delay line.

【0011】したがって、本発明は、インバータのスイ
ッチング速度を制御すると共に、そのスイッチングしき
い値をほぼ一定に維持するスイッチング速度制御回路及
び方法を提供するものである。
Accordingly, the present invention provides a switching speed control circuit and method for controlling the switching speed of an inverter and maintaining its switching threshold substantially constant.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】CMOSインバータのス
イッチング速度を制御すると共に、そのスイッチングし
きい値を維持する本発明の改良された方法及び回路は、
CMOSインバータ対の外部において、1対の電流制限
要素を設けることにより、上述の課題を解決し、上述の
必要性を満足させる。なお、1対の電流制限要素の一方
は、インバータの第1電流送り出し(sourcing)トラン
ジスタと直列接続され、他方の電流制限要素は、インバ
ータの相補的な第2電流送り出しトランジスタと直列接
続される。これら電流制限要素は、インバータの第1及
び第2電流送り出し要素(トランジスタ)がインバータ
のノード容量を充電及び放電する際の比率(レート)を
制御して、このインバータのスイッチング速度及び伝搬
遅延を調整する。これら電流送り出し要素(トランジス
タ)が出力できる電流が、同じ選択可能な値になるよう
に、これら電流送り出し要素を制御して、素子の寸法及
び処理パラメータにより決まるインバータの「本来の
(natural)」スイッチングしきい値が変更されるのを
防止する。本来のスイッチングしきい値を維持して、イ
ンバータが他の制御されないロジック素子とインタフェ
ースするのを可能にし、スイッチング・スキューを防止
するので、タイミング補間の精度が改善される。インバ
ータは、選択されたスイッチング速度と実質的に独立し
た電源供給線の最大電圧を「監視(see)」点に留意す
ることが重要である。この機能により、信号対ノイズ比
が更に劣化するのを防止する。もし、この機能がない場
合、スイッチング速度が低下すると、信号対ノイズ比が
劣化する。
SUMMARY OF THE INVENTION An improved method and circuit of the present invention for controlling the switching speed of a CMOS inverter and maintaining its switching threshold is provided.
By providing a pair of current limiting elements outside the CMOS inverter pair, the above-mentioned problem is solved and the above-mentioned need is satisfied. Note that one of the pair of current limiting elements is connected in series with a first current sourcing transistor of the inverter, and the other current limiting element is connected in series with a complementary second current sourcing transistor of the inverter. These current limiting elements control the rate at which the first and second current delivery elements (transistors) of the inverter charge and discharge the node capacitance of the inverter to adjust the switching speed and propagation delay of the inverter. I do. By controlling these current-sourcing elements (transistors) so that the currents that they can output are the same selectable value, the "natural" switching of the inverter is determined by the dimensions of the elements and the processing parameters Prevent threshold changes. The accuracy of timing interpolation is improved because the original switching threshold is maintained, allowing the inverter to interface with other uncontrolled logic elements and preventing switching skew. It is important to note that the inverter "sees" the maximum voltage on the power supply line that is substantially independent of the selected switching speed. This function prevents the signal-to-noise ratio from further deteriorating. Without this feature, the signal-to-noise ratio would be degraded if the switching speed was reduced.

【0013】カスケード(縦続)接続された複数のイン
バータで構成されたリング発振器を外部の基準周波数に
位相ロックすることにより、上述のインバータのスイッ
チング速度を好都合に管理できる。
By switching the phase of a ring oscillator composed of a plurality of cascaded inverters to an external reference frequency, the switching speed of the inverter can be conveniently managed.

【0014】クロック周期の約数に正確に対応する遅延
を得ることが望ましく、インバータをタイミング補間器
に用いた際に、本発明が特に有用である。
It is desirable to have a delay that exactly corresponds to a submultiple of the clock period, and the present invention is particularly useful when an inverter is used in a timing interpolator.

【0015】本発明の上述及びその他の概念、特徴及び
利点は添付図を参照した以下の詳細な説明から理解でき
よう。
The above and other concepts, features and advantages of the present invention will be understood from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1は、本発明により、リング発
振器により遅延を校正する1個以上のタイミング補間器
のブロック図である。なお、図において、ゲートに丸が
付加されたFET(電界効果トランジスタ)は、pチャ
ンネルFETであり、ゲートに縦線が付加されたFET
は、nチャンネルFETであり、各FETのゲートを貫
通している直線は、そのゲートに共通接続された接続線
を示している。リング発振器20を、1個以上のタイミ
ング補間器50の遅延を校正する手段として用いてい
る。このリング発振器は、夫々が4個のトランジスタ
(FET)から成る遅延要素20(j)を複数個(N
個)具えている。本明細書では、遅延要素20(j)を
インバータとも呼ぶが、これは、インバータ(位相反転
器)が遅延要素としても作用するためである。なお、i
は、1からNまでの整数である。ここで、各遅延要素2
0(j)は、図における上側に2個のpチャンネルFE
Tと、下側の2個のnチャンネルFETとを順次接続
し、真ん中の2個のFETのゲートに共通の入力信号を
供給し、これら2個のFETの共通接続されたソースか
ら反転出力信号を発生する典型的なインバータを構成し
ている。位相及び周波数エラー検出器2を用いて、この
リング発振器の発振周波数は、外部から供給された基準
周波数φrefに位相ロックしている。この位相及び周
波数エラー検出器2は、チャージ・ポンプを作動させ
て、位相エラー及び周波数エラーの両方に比例したエラ
ー信号「e」を発生する位相ゲートを含んでいる。この
チャージ・ポンプの出力を振幅処理し、リング発振器に
電圧制御信号「Vc」として供給する。この電圧制御信
号Vcを更に処理して、2つの制御信号Vcp及びVc
nを発生する。これら2つの制御信号を、遅延要素20
(j)内の外側のpチャンネル及びnチャンネル制御素
子(FET)に供給して、後述の如く、遅延要素20
(j)の伝搬遅延時間を制御すると共に、その周波数を
基準周波数φrefにロックさせる。なお、位相及び周
波数エラー検出器2及びリング発振器20との間には、
エラー信号「e」を基準電圧Vrefと比較する比較器
60と、この比較器60の出力信号を受けて制御信号V
cp及びVcnを発生するミラー回路24とが結合され
ている。このミラー回路24についても、図3を参照し
て後述する。
FIG. 1 is a block diagram of one or more timing interpolators for calibrating delay with a ring oscillator in accordance with the present invention. In the figure, an FET (field effect transistor) with a circle added to the gate is a p-channel FET, and an FET with a vertical line added to the gate.
Is an n-channel FET, and a straight line passing through the gate of each FET indicates a connection line commonly connected to the gate. The ring oscillator 20 is used as a means for calibrating the delay of one or more timing interpolators 50. This ring oscillator includes a plurality of (N) delay elements 20 (j) each composed of four transistors (FETs).
Individual). In this specification, the delay element 20 (j) is also referred to as an inverter, because the inverter (phase inverter) also functions as a delay element. Note that i
Is an integer from 1 to N. Here, each delay element 2
0 (j) is the upper two p-channel FEs in the figure.
T and the lower two n-channel FETs are sequentially connected, a common input signal is supplied to the gates of the middle two FETs, and an inverted output signal is supplied from a commonly connected source of these two FETs. To generate a typical inverter. Using the phase and frequency error detector 2, the oscillation frequency of this ring oscillator is phase-locked to a reference frequency φref supplied from outside. The phase and frequency error detector 2 includes a phase gate that operates a charge pump to generate an error signal "e" proportional to both the phase error and the frequency error. The output of the charge pump is amplitude-processed and supplied to the ring oscillator as a voltage control signal “Vc”. This voltage control signal Vc is further processed to obtain two control signals Vcp and Vc.
generate n. These two control signals are passed to the delay element 20
(J) to the outer p-channel and n-channel control elements (FETs), as described below.
In addition to controlling the propagation delay time of (j), the frequency is locked to the reference frequency φref. In addition, between the phase and frequency error detector 2 and the ring oscillator 20,
A comparator 60 that compares the error signal “e” with a reference voltage Vref, and receives a control signal V
A mirror circuit 24 for generating cp and Vcn is coupled. This mirror circuit 24 will also be described later with reference to FIG.

【0017】リング発振器は、当該技術分野で周知であ
る。リング発振器は、奇数個の反転段(インバータ)で
構成されているが、例えば、緩衝や付加的な遅延を行う
ために任意の数の非反転段を含んでもよい。インバータ
は、チェーン状に結合(一続きの輪のように接続)され
るので、各インバータの各入力ノードが前段のインバー
タの出力ノードに結合され、各インバータの各出力ノー
ドが次段のインバータの入力ノードに結合される。よっ
て、リング発振器20内で、複数のインバータである遅
延要素20(j)が順次結合されている状態を点線で示
し、リング発振器20の出力端21がその入力端に結合
されている状態を実線で示し、チェーン状の結合を行っ
ている。リング発振器20の出力端21は、インバータ
の1個の出力ノードから得ている。リング発振器の奇数
個のインバータは、発振周波数の周期Trefの2分の
1の遅延を行える。なお、Tref=1/φrefであ
る。したがって、発振条件として、個別のインバータの
遅延の和が、遅延の2分の1サイクルとなり、遅延の1
サイクルが遅延の360度となる。すなわち、 Tref/2+N×(各インバータの伝搬遅延時間)=
Tref となる。よって、各インバータの伝搬遅延時間は、Tr
ef/2Nでなければならない。制御信号Vcp及びV
cnは、自動的に調整されて、正確な伝搬遅延を行う。
[0017] Ring oscillators are well known in the art. The ring oscillator comprises an odd number of inverting stages (inverters), but may include any number of non-inverting stages, for example, to provide buffering and additional delay. The inverters are connected in a chain (connected like a continuous loop), so that each input node of each inverter is connected to the output node of the preceding inverter, and each output node of each inverter is connected to the next inverter. Connected to the input node. Therefore, a state where the delay elements 20 (j) as a plurality of inverters are sequentially coupled in the ring oscillator 20 is indicated by a dotted line, and a state where the output terminal 21 of the ring oscillator 20 is coupled to the input terminal is indicated by a solid line. , And a chain-like connection is performed. The output 21 of the ring oscillator 20 is obtained from one output node of the inverter. The odd number of inverters in the ring oscillator can delay the oscillation frequency by half the period Tref. Note that Tref = 1 / φref. Therefore, as an oscillation condition, the sum of the delays of the individual inverters becomes one half of the delay, and
The cycle is 360 degrees of delay. That is, Tref / 2 + N × (propagation delay time of each inverter) =
Tref. Therefore, the propagation delay time of each inverter is Tr
ef / 2N. Control signals Vcp and V
cn is automatically adjusted to provide an accurate propagation delay.

【0018】リング発振器20を基準周波数φrefに
ロックするために、先ず、位相及び周波数エラー検出器
2がエラー信号「e」を発生する。このエラー信号
「e」は、基準周波数φrefと、リング発振器20の
発振周波数との間の周波数エラーに比例する。この周波
数エラーが小さい場合、このエラー信号「e」は、リン
グ発振器20の出力21と、基準周波数φrefとの間
の位相エラーに比例する。ロックした状態では、エラー
信号「e」は、基準周波数φrefとリング発振器20
の出力信号との間のわずかな定常状態の位相差を表す直
流電圧である。
To lock the ring oscillator 20 to the reference frequency φref, first, the phase and frequency error detector 2 generates an error signal “e”. The error signal “e” is proportional to a frequency error between the reference frequency φref and the oscillation frequency of the ring oscillator 20. If this frequency error is small, this error signal “e” is proportional to the phase error between the output 21 of the ring oscillator 20 and the reference frequency φref. In the locked state, the error signal “e” indicates that the reference frequency φref and the ring oscillator 20
Is a DC voltage representing a small steady state phase difference with the output signal of

【0019】タイミング補間器50は、遅延要素20
(j)と同様に構成された遅延要素120(j)を含ん
でいる。なお、jは、1からnまでの整数である。図に
おいて、タイミング補間器50内の点線は、複数個の遅
延要素(インバータ)120(j)が遅延要素20
(j)と同様に連続接続されているが、チェーンが閉じ
ておらず(即ち、最終インバータの出力端が初段のイン
バータの入力端に戻っておらず)、制御信号Vcp及び
Vcnは、各インバータに共通に供給されている。遅延
要素120(j)の伝搬遅延は、制御信号Vcp及びV
cnで制御されるので、上述の条件下では、遅延要素1
20(j)の各々の遅延は、Tref/2Nと同じであ
る。入力信号「In」をタイミング補間器50に供給
し、遅延した出力信号を、各遅延要素(インバータ)1
20(j)の出力端「Out(j)」からタップを介し
て取り出し、量子化した遅延(j/n)×Tref/2
Nを達成する。
The timing interpolator 50 controls the delay element 20
It includes a delay element 120 (j) configured similarly to (j). Note that j is an integer from 1 to n. In the figure, a dotted line in the timing interpolator 50 indicates that a plurality of delay elements (inverters) 120 (j) are
(J), but the chain is not closed (that is, the output terminal of the last inverter does not return to the input terminal of the first-stage inverter), and the control signals Vcp and Vcn are output from each inverter. Are supplied in common. The propagation delay of delay element 120 (j) is determined by controlling signals Vcp and Vcp.
cn, the delay element 1
The delay of each of 20 (j) is the same as Tref / 2N. The input signal “In” is supplied to the timing interpolator 50, and the delayed output signal is supplied to each delay element (inverter) 1
A delay (j / n) × Tref / 2 extracted from the output terminal “Out (j)” of 20 (j) via a tap and quantized.
Achieve N.

【0020】従来技術において、典型的なCMOSイン
バータ対のスイッチング速度を調整するには、このイン
バータ対を構成するpチャンネル素子及びnチャンネル
素子の間に供給する電圧を、電源電圧供給線の最大電圧
差から、それよりも小さい値までの間で調整した。本発
明の理解を容易にするために、図2を参照して更に従来
技術を説明する。この図2は、pチャンネル素子及びn
チャンネル素子を有するCMOSインバータで構成され
た遅延要素のスイッチング速度を制御する従来構成4を
示している。モデルの又はダミーのインバータ8を用
い、その入力Viをその出力Voと一緒にする。可変電
圧+V及び−Vを第1差動増幅器7及び第2差動増幅器
9から夫々発生して、他のインバータ(図示せず)に電
力供給する。第1差動増幅器7は、所望電圧Vinに等
しい+Vを発生する。第2差動増幅器9は、インバータ
素子8の出力が常に基準電圧Vrefに等しくなるよう
に素子8bを駆動する。この基準電圧Vrefは、イン
バータの仮定されたスイッチングしきい値、例えば、5
ボルトのロジック系に対して2.5ボルトに、プリセッ
トされている。したがって、電圧線の電圧は、最大電圧
から、プリセット・レベルにおけるスイッチングしきい
値に維持するのに必要な値に下げられる。
In the prior art, in order to adjust the switching speed of a typical CMOS inverter pair, the voltage supplied between the p-channel element and the n-channel element constituting the inverter pair is set to the maximum voltage of the power supply voltage supply line. The difference was adjusted from the difference to a smaller value. To facilitate understanding of the present invention, the prior art will be further described with reference to FIG. FIG. 2 shows a p-channel device and an n-channel device.
A conventional configuration 4 for controlling the switching speed of a delay element formed by a CMOS inverter having a channel element is shown. A model or dummy inverter 8 is used and its input Vi is combined with its output Vo. Variable voltages + V and -V are generated from the first differential amplifier 7 and the second differential amplifier 9, respectively, and are supplied to other inverters (not shown). The first differential amplifier 7 generates + V equal to the desired voltage Vin. The second differential amplifier 9 drives the element 8b so that the output of the inverter element 8 is always equal to the reference voltage Vref. This reference voltage Vref is equal to the assumed switching threshold of the inverter, for example 5
Preset to 2.5 volts for volt logic. Thus, the voltage on the voltage line is reduced from the maximum voltage to the value required to maintain the switching threshold at the preset level.

【0021】しかし、電圧のこの低下により、特に、高
速スイッチング速度及び低電源電圧における要素の信号
対ノイズ比が悪くなる(下がる)。さらに、制御される
インバータのしきい値電圧を固定する技術では、同じ回
路における制御される要素と制御されないロジック要素
との間にスイッチング・スキューが生じる。この結果、
発振の全周期の正確な約数を提供するというタップ付き
リング発振器の能力が損なわれる。
However, this reduction in voltage results in poor (lowered) signal-to-noise ratios of components, especially at high switching speeds and low supply voltages. Further, techniques for fixing the threshold voltage of a controlled inverter result in switching skew between controlled and uncontrolled logic elements in the same circuit. As a result,
The ability of the tapped ring oscillator to provide an exact submultiple of the entire period of oscillation is compromised.

【0022】図3は、本発明による電流制限要素を含ん
だCMOSインバータの回路図である。なお、CMOS
インバータ12及びミラー回路24は、図1のリング発
振器20内の遅延要素(インバータ)20(j)及びミ
ラー回路24に夫々対応するが、図1の比較器60との
接続を省略している。また、リング発振器20及びミラ
ー回路24の図上での配置が異なっているが、電気的に
は同じ点に留意されたい。回路10は、本発明により、
CMOSインバータ12のスイッチング速度を制御し、
そのスイッチングしきい値を維持する。この回路は、ス
イッチング速度及びその結果によるノイズ電流が比較的
大きい場合、又は、基準周波数に位相ロックされたリン
グ発振器によって得られるような全時間間隔の完全な約
数を得る場合に特に利点がある。CMOSインバータ1
2の対称性は周知であり、例えば、本明細書で記載した
キャリア形式及び電圧レベルの極性が、本発明の原理か
ら逸脱することなく、互いに入れ替えてもよいことが理
解できよう。
FIG. 3 is a circuit diagram of a CMOS inverter including a current limiting element according to the present invention. Note that CMOS
The inverter 12 and the mirror circuit 24 correspond to the delay element (inverter) 20 (j) and the mirror circuit 24 in the ring oscillator 20 in FIG. 1, respectively, but the connection with the comparator 60 in FIG. 1 is omitted. Although the arrangement of the ring oscillator 20 and the mirror circuit 24 on the drawing is different, it should be noted that they are electrically the same. The circuit 10 according to the invention
Controlling the switching speed of the CMOS inverter 12;
Maintain that switching threshold. This circuit is particularly advantageous when the switching speed and the resulting noise current are relatively large, or when obtaining a perfect submultiple of the entire time interval as provided by a ring oscillator phase locked to a reference frequency. . CMOS inverter 1
It will be appreciated that the symmetry of the two is well known and, for example, that the carrier types and voltage level polarities described herein may be interchanged without departing from the principles of the present invention.

【0023】インバータ12は、典型的には、ノード容
量(出力容量)16に電流を送り出す複数の要素を含ん
でいる。このノード容量16の一端は、これら複数の要
素の間に接続され、他端が接地される。典型的には、p
チャンネルMOS電流送り出し要素11aは、アクティ
ブ状態で容量16に充電電流(第1電流)を供給し、n
チャンネルMOS電流送り出し要素11bは、アクティ
ブ状態で容量16に放電電流(第2電流)を供給する
(引き込む)。
Inverter 12 typically includes a plurality of elements for sending current to node capacitance (output capacitance) 16. One end of the node capacitance 16 is connected between the plurality of elements, and the other end is grounded. Typically, p
The channel MOS current sending element 11a supplies a charging current (first current) to the capacitor 16 in the active state, and
The channel MOS current sending element 11b supplies (pulls in) a discharge current (second current) to the capacitor 16 in the active state.

【0024】一般に、インバータ12のスイッチング速
度は、容量16を充電及び放電する速度(レート)に左
右される。容量16は、要素11aを介して上側電源供
給線VDDからの送り出し(ソース)電流により充電さ
れ、要素11bを介しての下側電源供給線VSSからの
引き込み(シンク)電流により放電される。
In general, the switching speed of the inverter 12 depends on the rate at which the capacitor 16 is charged and discharged. The capacitor 16 is charged by a sending (source) current from the upper power supply line VDD via the element 11a, and is discharged by a drawing (sink) current from the lower power supply line VSS via the element 11b.

【0025】本発明によれば、電流制限要素18a、1
8bの相補対を要素11a、11bと上側及び下側電源
供給線との間に夫々設ける。すなわち、電流制限要素1
8aをpチャンネル要素11a及び電源供給線VDDの
間に結合し、電流制限要素18bをnチャンネル要素1
1b及び電源供給線VSSの間に結合する。4個のトラ
ンジスタ(FET)から成る遅延要素20は、電流送り
出し要素11a、11bと、電流制限要素18a、18
bとにより形成される。再び図1を参照する。4個のト
ランジスタから成る遅延要素の複数個をリング発振器2
0の要素20(i)として用いる。リング発振器の各段
は、非反転要素(即ち、バッファ)を含んでもよいこと
に留意されたい。これら非反転要素は、本発明に必要な
いので、説明を明瞭にするために示さなかった。
According to the present invention, the current limiting elements 18a, 1
A complementary pair of 8b is provided between the elements 11a, 11b and the upper and lower power supply lines, respectively. That is, the current limiting element 1
8a is coupled between the p-channel element 11a and the power supply line VDD, and the current limiting element 18b is connected to the n-channel element 1
1b and the power supply line VSS. The delay element 20 composed of four transistors (FETs) includes a current sending element 11a, 11b and a current limiting element 18a, 18
b. FIG. 1 is referred to again. A plurality of delay elements consisting of four transistors are connected to a ring oscillator 2
Used as element 20 (i) of 0. Note that each stage of the ring oscillator may include a non-inverting element (ie, a buffer). These non-inverting elements are not shown for clarity because they are not required for the present invention.

【0026】電流制限要素18a、18bは、関連した
電流送り出し要素11a、11bが短絡された場合に、
選択可能な電流「Ic」を通せるようになっている。よ
って、電流「Ic」は、電流送り出し要素11a、11
bを通過できる最大電流である。電流「Ic」は、電流
制限要素18a、18bにおける制限電流(所定レベ
ル)と同じ大きさである。この状態では、nチャンネル
素子及びpチャンネル素子の充電(放電)キャリアの流
れる方向が対称であることが認識できる。
The current limiting elements 18a, 18b are activated when the associated current delivery elements 11a, 11b are short-circuited.
A selectable current “Ic” can be passed. Therefore, the current “Ic” is supplied to the current sending elements 11 a and 11
b is the maximum current that can pass. The current “Ic” has the same magnitude as the limited current (predetermined level) in the current limiting elements 18a and 18b. In this state, it can be recognized that the directions in which the charge (discharge) carriers of the n-channel element and the p-channel element flow are symmetric.

【0027】電流制限要素18a、18bは、好適には
MOSトランジスタであり、この実施例では、p及びn
チャンネル・トランジスタである。電流制限要素のこれ
らトランジスタの各ゲート(制御入力端)22a、22
bは、対応する電圧に夫々選択的に維持され、pチャン
ネル電流制限回路18aのソースからドレインへ、ま
た、nチャンネル電流制限要素18bのドレインからソ
ースへの電流「Ic」を夫々供給する。
The current limiting elements 18a, 18b are preferably MOS transistors, and in this embodiment, p and n
It is a channel transistor. Gates (control input terminals) 22a, 22 of these transistors of the current limiting element
b is selectively maintained at a corresponding voltage, respectively, and supplies a current "Ic" from the source to the drain of the p-channel current limiting circuit 18a and from the drain to the source of the n-channel current limiting element 18b, respectively.

【0028】電流ミラー回路24は、ゲート22a、2
2bの電圧を選択的に維持する。この電流ミラー回路
は、ダイオード接続されたpチャンネルMOSトランジ
スタ26を含んでいる。トランジスタ26のゲート26
aは、要素18aのゲート及びトランジスタ26のドレ
イン26bにも接続される。これとは対称的に、ミラー
回路24は、ダイオード接続されたnチャンネルMOS
トランジスタ28も含んでいる。このトランジスタ28
のゲート28aは、要素18bのゲート22b及びトラ
ンジスタ28のドレイン28bに結合される。ミラー回
路24は、反射用(リフレクション)トランジスタ30
も含んでおり、このトランジスタのゲート30aがトラ
ンジスタ26のゲート26aに結合され、ドレイン30
bがトランジスタ28のドレイン28bに結合される。
反射用トランジスタ30は、トランジスタ26の電流を
トランジスタ28に反射(反映)させる。
The current mirror circuit 24 includes gates 22a, 2a
2b is selectively maintained. This current mirror circuit includes a diode-connected p-channel MOS transistor 26. Gate 26 of transistor 26
a is also connected to the gate of element 18a and the drain 26b of transistor 26. In contrast, the mirror circuit 24 is a diode-connected n-channel MOS.
A transistor 28 is also included. This transistor 28
Is coupled to gate 22b of element 18b and drain 28b of transistor 28. The mirror circuit 24 includes a reflection (reflection) transistor 30.
The gate 30a of the transistor is coupled to the gate 26a of the transistor 26 and the drain 30
b is coupled to the drain 28b of transistor 28.
The reflection transistor 30 reflects (reflects) the current of the transistor 26 on the transistor 28.

【0029】トランジスタ26のドレイン26bを、制
御された電流源「CSS」に結合させて、位相及び周波
数エラー検出器2が発生した位相/周波数エラー信号に
応答して、電流「Ic」を供給できるようにする。適切
な位相及び周波数エラー検出器は、例えば、トレッドウ
ェイのアメリカ合衆国特許第3610954号「ロジッ
ク・ゲートを用いた位相比較器」などで周知である。こ
のアメリカ合衆国特許の位相及び周波数エラー検出器
は、入力波形の後縁(trailing edge)に応答し、出力
信号を発生する。この出力信号は、入力の繰り返しレー
ト及び相対位相に関連している。入力波形の衝撃係数
(デューティ・サイクル)は重要ではない。これは、こ
の回路が入力波形の後縁の遷移のみに応答するためであ
る。よって、上述のアメリカ合衆国特許の位相及び周波
数検出器は、衝撃係数の変動に敏感ではない。
The drain 26b of transistor 26 can be coupled to a controlled current source "CSS" to provide a current "Ic" in response to a phase / frequency error signal generated by phase and frequency error detector 2. To do. Suitable phase and frequency error detectors are well known, for example, in US Pat. No. 3,610,954 to Treadway, "Phase Comparator Using Logic Gates." The phase and frequency error detector of this patent produces an output signal in response to a trailing edge of the input waveform. This output signal is related to the input repetition rate and relative phase. The duty cycle of the input waveform is not important. This is because the circuit responds only to the trailing edge transition of the input waveform. Thus, the phase and frequency detectors of the aforementioned U.S. patents are not sensitive to variations in duty cycle.

【0030】4個のトランジスタから成る遅延要素20
(i)の各々は、トランジスタ26のゲート26aに結
合された電流制限要素18aを有する。電流制限要素1
8bのゲート22bは、トランジスタ28のゲート28
aに結合されている。よって、電流が総ての遅延要素2
0(i)を通じて、鏡像(ミラー)関係になる。
A delay element 20 consisting of four transistors
Each of (i) has a current limiting element 18a coupled to the gate 26a of transistor 26. Current limiting element 1
8b is connected to the gate 28 of the transistor 28.
a. Therefore, the current is equal to all delay elements 2
Through 0 (i), a mirror image (mirror) relationship is established.

【0031】インバータ12を流れる電流は、各電流制
限要素18a及び18bにより、制限されて、常にほぼ
同じ大きさになる。よって、インバータ12のスイッチ
ングしきい値は、電流「Ic」の値に関わらず変化しな
いことが理解できよう。上述の回路により、スイッチン
グ・スキューなしに、インバータの遅延を100:1を
越える範囲にわたって制御できることが判った。
The current flowing through the inverter 12 is limited by each of the current limiting elements 18a and 18b and always has substantially the same magnitude. Therefore, it can be understood that the switching threshold of the inverter 12 does not change regardless of the value of the current “Ic”. It has been found that the circuit described above allows the delay of the inverter to be controlled over a range of over 100: 1 without switching skew.

【0032】本発明の利点の一例として、例えば、位相
ロック・ループを用いて、本発明によるインバータのリ
ング発振器を制御して、基準周波数で発振させることが
できるので、インバータの他のチェーンの遅延を制御す
る制御電圧を発生でき、正確な可変アクティブ遅延ライ
ン又はタイミング補間器として機能させることができ
る。さらに、ここからの出力信号は、タイミング・スキ
ューなしに標準ロジックをインタフェースできる。
One example of an advantage of the present invention is that, for example, a phase locked loop can be used to control the ring oscillator of the inverter of the present invention to oscillate at a reference frequency, thereby delaying other chains of the inverter. Can be generated to function as a precise variable active delay line or timing interpolator. Further, the output signal from this can interface standard logic without timing skew.

【0033】CMOSインバータのスイッチング速度を
制御し、そのスイッチングしきい値を維持する特定の方
法及び回路を好適実施例として説明したが、本発明の要
旨を逸脱することなく、上述の構成以外にも他の構成を
使用できることが理解できよう。
Although a particular method and circuit for controlling the switching speed of a CMOS inverter and maintaining its switching threshold has been described as a preferred embodiment, it should be understood that other configurations than those described above may be used without departing from the spirit of the invention. It will be appreciated that other configurations can be used.

【0034】上述の記載で用いた用語及び表現は、その
説明のためであり、本発明を制限するものはない。かか
る用語及び表現は、図示し上述した機能又はその一部と
均等であるものを除外しない。よって、本発明の要旨
は、特許請求の範囲により決まる。
The terms and expressions used in the above description are for explanation, and do not limit the present invention. Such terms and expressions do not exclude equivalents to the illustrated or described functions or portions thereof. Therefore, the gist of the present invention is determined by the appended claims.

【0035】[0035]

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、インバー
タのスイッチング速度を制御すると共に、そのスイッチ
ングしきい値をほぼ一定に維持できる。
As described above, according to the present invention, the switching speed of the inverter can be controlled, and the switching threshold can be maintained substantially constant.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明により、リング発振器により遅延を校正
する1個以上のタイミング補間器のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of one or more timing interpolators for calibrating delay with a ring oscillator in accordance with the present invention.

【図2】電源電圧の調整期間中に他の制御インバータの
スイッチングしきい値を一定に維持するのに適用した従
来のCMOSインバータのブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a conventional CMOS inverter applied to keep a switching threshold of another control inverter constant during an adjustment period of a power supply voltage.

【図3】本発明による電流制限要素を含んだCMOSイ
ンバータの回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a CMOS inverter including a current limiting element according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 位相及び周波数エラー検出器 11a、11b 電流送り出し要素 12 インバータ(遅延要素) 16 出力容量 18a、18b 電流制限要素 20 リング発振器 20(j) インバータ(遅延要素) 24 ミラー回路 50 タイミング補間器 120(j) インバータ(遅延要素) 2 Phase and frequency error detector 11a, 11b Current sending element 12 Inverter (delay element) 16 Output capacity 18a, 18b Current limiting element 20 Ring oscillator 20 (j) Inverter (delay element) 24 Mirror circuit 50 Timing interpolator 120 (j Inverter (delay element)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 インバータのスイッチング速度を制御す
る回路であって、 上記インバータに結合している出力容量と、 該出力容量に結合して、アクティブ状態で、上記出力容
量を充電する第1電流を発生する第1電流送り出し要素
と、 上記出力容量に結合し、アクティブ状態で、上記出力容
量を放電する第2電流を発生する第2電流送り出し要素
と、 第1制御信号を受ける制御入力端を有し、第1電源及び
上記第1電流送り出し要素の間に結合され、上記第1制
御信号に応じて上記第1電流を第1所定レベルに制限す
る第1電流制限要素と、 第2制御信号を受ける制御入力端を有し、第2電源及び
上記第2電流送り出し要素の間に結合され、上記第2制
御信号に応じて上記第2電流を第2所定レベルに制限す
る第2電流制限要素とを具え、 制御された電流の所定範囲にわたって、上記第1所定レ
ベルの大きさが上記第2所定レベルの大きさにほぼ等し
く、上記第1及び第2電流送り出し要素の各スイッチン
グしきい値をほぼ一定に維持することを特徴とするイン
バータのスイッチング速度制御回路。
A circuit for controlling a switching speed of an inverter, comprising: an output capacitor coupled to the inverter; and a first current coupled to the output capacitor to charge the output capacitor in an active state. A first current delivery element to generate; a second current delivery element coupled to the output capacitance for generating a second current that discharges the output capacitance in an active state; and a control input receiving a first control signal. A first current limiting element coupled between a first power supply and the first current sending element for limiting the first current to a first predetermined level in response to the first control signal; A second current limiting element coupled between a second power supply and the second current delivery element for limiting the second current to a second predetermined level in response to the second control signal; With Over a predetermined range of controlled current, the magnitude of the first predetermined level is substantially equal to the magnitude of the second predetermined level, and the switching thresholds of the first and second current delivery elements are maintained substantially constant. A switching speed control circuit for an inverter.
【請求項2】 上記第1及び第2電流制限要素の上記制
御入力端に結合され、上記第1電流送り出し要素がアク
ティブのときに上記第1電流制限要素に上記第1所定レ
ベルで制御電流を発生させ、上記第2電流送り出し要素
がアクティブのときに上記第2電流制限要素に上記第2
所定レベルで制御電流を発生させる電流ミラー回路を更
に具えたことを特徴とする請求項1の回路。
2. A control current coupled to said control inputs of said first and second current limiting elements, said control current being applied to said first current limiting element at said first predetermined level when said first current delivery element is active. Generating the second current limiting element when the second current sending element is active.
The circuit of claim 1 further comprising a current mirror circuit for generating a control current at a predetermined level.
【請求項3】 インバータのスイッチング速度を制御す
る方法であって、 第1電流送り出し要素がアクティブのときに、容量を充
電する第1電流を発生し、 第2電流送り出し要素がアクティブのときに、上記容量
を放電する第2電流を発生し、 上記第1電流送り出し要素がアクティブのときに、上記
第1電流を第1所定レベルに制限し、 上記第2電流送り出し要素がアクティブのときに、制御
された電流の所定範囲にわたって上記第1所定レベルの
大きさにほぼ等しい大きさの第2所定レベルに上記第2
電流を制限し、 上記第1及び第2電流送り出し要素の各スイッチングし
きい値をほぼ一定のレベルに維持することを特徴とする
インバータのスイッチング速度制御方法。
3. A method for controlling a switching speed of an inverter, comprising: generating a first current for charging a capacity when a first current sending element is active; Generating a second current for discharging the capacitance, limiting the first current to a first predetermined level when the first current sending element is active, and controlling when the second current sending element is active; Over a predetermined range of the applied current, the second predetermined level having a magnitude substantially equal to the magnitude of the first predetermined level.
A switching speed control method for an inverter, comprising: limiting a current; and maintaining each switching threshold of the first and second current sending elements at a substantially constant level.
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