JPH11330859A - Piezoelectric oscillator - Google Patents

Piezoelectric oscillator

Info

Publication number
JPH11330859A
JPH11330859A JP400899A JP400899A JPH11330859A JP H11330859 A JPH11330859 A JP H11330859A JP 400899 A JP400899 A JP 400899A JP 400899 A JP400899 A JP 400899A JP H11330859 A JPH11330859 A JP H11330859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric oscillator
chip
vibrator
heat
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP400899A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3230742B2 (en
Inventor
Masayuki Kikushima
正幸 菊島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP00400899A priority Critical patent/JP3230742B2/en
Publication of JPH11330859A publication Critical patent/JPH11330859A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3230742B2 publication Critical patent/JP3230742B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact and thin piezoelectric oscillator for suppressing the increase of a temperature due to heat generated inside to stably supply high frequencies. SOLUTION: This piezoelectric oscillator 10 with an oscillator 50 in which a piezoelectric element 53 is housed in a case 51 is integrally formed with an IC chip 60 such as an IC for a PLL or the like from mold resin. The IC chip 60 is provided with a dummy electrode 62, and the dummy electrode 62 is connected through a wire bonding line 79 with an island 71. Also, a control electrode 63 of the IC chip 60 is connected with the island 71 in a grounded state so that oscillation frequencies can be controlled, so that the number of electrodes 63 to be connected with the island 71 can be increased the oscillation frequencies are increased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電素子からなる
振動子と、この振動子と接続されたIC,LSI等の半
導体集積回路装置とを備えた圧電発振器に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric oscillator including a vibrator made of a piezoelectric element and a semiconductor integrated circuit device such as an IC or LSI connected to the vibrator.

【0002】[0002]

【従来の技術】振動子と半導体集積回路装置がパッケー
ジ化された圧電発振器にはいくつかのタイプのものがあ
る。図27に示した圧電発振器10は、ほぼ円筒状のケ
ース51内に封止された水晶振動子あるいはSAW共振
子といった圧電素子を用いた振動子50と、CMOSタ
イプ等のICチップ60が並列に配置されたものであ
る。そして、これらがモールド樹脂1によってほぼ方形
にモールドされ、表面実装用のプラスチックパッケージ
ングタイプに成形された圧電発振器である。
2. Description of the Related Art There are several types of piezoelectric oscillators in which a resonator and a semiconductor integrated circuit device are packaged. In the piezoelectric oscillator 10 shown in FIG. 27, a resonator 50 using a piezoelectric element such as a crystal resonator or a SAW resonator sealed in a substantially cylindrical case 51 and an IC chip 60 such as a CMOS type are arranged in parallel. It is arranged. Then, these are molded into a substantially rectangular shape by the molding resin 1 to form a piezoelectric oscillator molded into a plastic packaging type for surface mounting.

【0003】この圧電発振器10では、リードフレーム
70の平板状に成形されたアイランド71にICチップ
60が導電性接着剤などによって固定されており、チッ
プ60の電極61とアイランド71の周囲に配置された
入出力用のリード72がワイヤーボンディング線79に
よって接続されている。また、ケース51内に収納され
た水晶振動子あるいはSAW共振子からは、ケース51
の外側に2本の振動子リード52が延びており、これら
の振動子リード52はリードフレームの接続用リード7
3を介してICチップ60の電極61の一部に接続され
ている。振動子50およびICチップ60、さらに様々
な目的のリードを備えたリードフレーム70はトランス
ファーモールド方法などによってエポキシ系の樹脂モー
ルド材1によって封止され、一体となった圧電発振器が
形成されている。
In this piezoelectric oscillator 10, an IC chip 60 is fixed to a plate-shaped island 71 of a lead frame 70 with a conductive adhesive or the like, and is disposed around the electrode 61 of the chip 60 and the island 71. The input / output leads 72 are connected by wire bonding wires 79. In addition, from the quartz oscillator or the SAW resonator housed in the case 51, the case 51
Two vibrator leads 52 extend to the outside of the lead frame.
3 is connected to a part of the electrode 61 of the IC chip 60. The vibrator 50, the IC chip 60, and the lead frame 70 having leads for various purposes are sealed by an epoxy-based resin molding material 1 by a transfer molding method or the like to form an integrated piezoelectric oscillator.

【0004】図28にICチップ60、リードフレーム
70および振動子50がこの順番に積層され、モールド
樹脂1によってほぼ方形に封止された圧電発振器20を
示してある。この圧電発振器20においても、ICチッ
プ60がアイランド71に導電性接着剤などによって固
定されており、チップ60の電極61と各リードは上記
の圧電発振器10と同様にワイヤーボンディング線79
によって接続されている。振動子のケース51は、アイ
ランド71のICチップ60と反対側に配置されてお
り、ケース51から延びた振動子リード52は接続用リ
ード73を介してICチップ60と接続されている。こ
の圧電発振器20においては、振動子50、ICチップ
60およびリードフレーム70が積層された状態でトラ
ンスファーモールド方法などによってエポキシ系の樹脂
モールド材1によって封止されているので実装に必要な
面積は、少なくて済むというメリットを備えている。
FIG. 28 shows a piezoelectric oscillator 20 in which an IC chip 60, a lead frame 70, and a vibrator 50 are stacked in this order, and are sealed in a substantially rectangular shape by the mold resin 1. Also in this piezoelectric oscillator 20, the IC chip 60 is fixed to the island 71 by a conductive adhesive or the like, and the electrode 61 and each lead of the chip 60 are connected to the wire bonding wire 79 similarly to the piezoelectric oscillator 10 described above.
Connected by The case 51 of the vibrator is arranged on the side of the island 71 opposite to the IC chip 60, and the vibrator leads 52 extending from the case 51 are connected to the IC chip 60 via connection leads 73. In the piezoelectric oscillator 20, since the vibrator 50, the IC chip 60, and the lead frame 70 are stacked and sealed with the epoxy resin molding material 1 by a transfer molding method or the like, the area required for mounting is as follows. It has the advantage of requiring less.

【0005】しかしながら、シリンダー状のケースの直
径は小さなものでも約2mm程度あり、さらに、リード
フレームおよびICチップの厚みを考慮すると、パッケ
ージ全体の厚みは約3.2〜4.5mm程度となる。従
って、FDD、HDDあるいは家庭用ファックスあるい
は携帯用電話などの小型軽量の電子機器やOA機器への
搭載にはパッケージの高さが問題となることがある。
[0005] However, the diameter of the cylindrical case is as small as about 2 mm, and the thickness of the entire package is about 3.2 to 4.5 mm in consideration of the thickness of the lead frame and the IC chip. Therefore, the height of the package may be a problem when mounted on small and light electronic devices or OA devices such as FDDs, HDDs, home faxes, and portable telephones.

【0006】なお、ICチップと振動子がアイランドを
挟んで反対側に配置された構造は、特開平5−2434
71号にも図示されている。
A structure in which an IC chip and a vibrator are arranged on opposite sides of an island is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H5-2434.
No. 71 is also illustrated.

【0007】図29には、モールド樹脂を用いて一体化
する代わりに、セラミック製のパッケージ31の内部に
ICチップ60および水晶振動子あるいはSAW共振子
53をそのまま収納しパッケージングした圧電発振器3
0を示してある。この圧電発振器30においては、IC
チップ60かセラミックケース31の底面32に設置さ
れ、セラミックケース内部にプリントされた配線(不図
示)とワイヤーボンディング線79で接続されている。
水晶振動子あるいはSAW共振子53は、ICチップ6
0の上に置かれ、これらを収納した状態で金属製もしく
はセラミック製のカバー39によって封止される。
FIG. 29 shows a piezoelectric oscillator 3 in which an IC chip 60 and a crystal resonator or a SAW resonator 53 are housed and packaged in a ceramic package 31 instead of being integrated using a molding resin.
0 is shown. In this piezoelectric oscillator 30, an IC
The chip 60 is installed on the bottom surface 32 of the ceramic case 31 and is connected to a wiring (not shown) printed inside the ceramic case by a wire bonding wire 79.
The crystal resonator or the SAW resonator 53 is an IC chip 6
0 and are sealed by a metal or ceramic cover 39 in a state where they are stored.

【0008】これらの圧電発振器は、コンピューター等
の電子機器のクロック源として用いられており、これら
電子機器の高速化に合わせて出力周波数帯も50MHz
〜125MHzといった高い領域になってきている。さ
らに、近年では、水晶振動子を用いた発振器に加えて、
さらに高周波帯を安定して発振できるSAW共振子を用
いた圧電発振器か実現されており、これらの発振器にお
いては、100MHz〜500MHzといった高い出力
周波数を安定して維持することが要求される。
[0008] These piezoelectric oscillators are used as clock sources for electronic devices such as computers, and the output frequency band is also 50 MHz in accordance with the speeding up of these electronic devices.
It is becoming as high as 125 MHz. In recent years, in addition to oscillators using quartz oscillators,
Further, a piezoelectric oscillator using a SAW resonator capable of stably oscillating a high frequency band has been realized, and it is required that these oscillators stably maintain a high output frequency of 100 MHz to 500 MHz.

【0009】発振周波数が高くなるにつれて圧電発振器
に用いられているICなどの半導体集積回路装置の消費
電力も増加する。その様子を図30に示してある。たと
えば、電源電圧5Vにおける圧電発振器の消費電流は、
80MHzで約38mA、100MHzで約45mA、
125MHzで約55mAと、従来の20MHz〜30
MHz程度の周波数出力時の約10mA〜17mAに比
較して2〜3倍の値となる。
As the oscillation frequency increases, the power consumption of a semiconductor integrated circuit device such as an IC used for a piezoelectric oscillator also increases. This is shown in FIG. For example, the current consumption of a piezoelectric oscillator at a power supply voltage of 5 V is:
About 38 mA at 80 MHz, about 45 mA at 100 MHz,
Approximately 55 mA at 125 MHz, 20 MHz to 30
The value is two to three times as large as about 10 mA to 17 mA at the time of frequency output of about MHz.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】このようにICの消費
電力の増加によってICの発熱量も増えるので、圧電発
振器全体の温度が上昇してしまう。圧電発振器内の温度
が高くなると、ICのジャンクション部の温度が上昇し
IC各部にダメージが発生することがあり、またICの
特性が変化することがあり、ICの信頼性や品質の低下
といった問題を引き起こす。また、圧電発振器内の温度
が上昇して水晶振動子やSAW共振子の動作温度範囲を
越えてしまうと発振周波数の精度が劣化したり、異常な
周波数変動が発生するといった問題が発生することもあ
る。さらに、高い温度状態で圧電発振器を継続的に動作
させるとエージングによる長期信頼性の低下につなが
る。
As described above, the amount of heat generated by the IC increases due to the increase in the power consumption of the IC, so that the temperature of the entire piezoelectric oscillator increases. If the temperature inside the piezoelectric oscillator rises, the temperature at the junction of the IC rises, which may cause damage to each part of the IC, and may cause changes in the characteristics of the IC, thus deteriorating the reliability and quality of the IC. cause. In addition, if the temperature inside the piezoelectric oscillator rises and exceeds the operating temperature range of the crystal resonator or the SAW resonator, problems such as deterioration of accuracy of the oscillation frequency and occurrence of abnormal frequency fluctuation may occur. is there. Further, if the piezoelectric oscillator is continuously operated at a high temperature, long-term reliability is reduced due to aging.

【0011】一方、圧電発振器の搭載される電子機器は
ますます小型化、薄型化が進んでおり、圧電発振器自体
も小型化、薄型化が要求されている。このため、発振周
波数が上がることによって小型薄型化されたパッケージ
内に格納されたICの発熱量はますます増えることとな
り、パッケージ内の温度はいっそう高くなる傾向にあ
る。従って、上記のような発熱による問題を回避するこ
とが、動作の安定した品質の良い圧電発振器を提供する
ために急務となっており、パッケージ内で発生した熱を
適切に処理することが重要となっている。
On the other hand, electronic equipment on which a piezoelectric oscillator is mounted is becoming smaller and thinner, and the piezoelectric oscillator itself is also required to be smaller and thinner. For this reason, as the oscillation frequency increases, the amount of heat generated by the IC stored in the small and thin package increases more and more, and the temperature inside the package tends to be higher. Therefore, avoiding the above-described problem due to heat generation is urgently needed to provide a high quality piezoelectric oscillator with stable operation, and it is important to appropriately treat the heat generated in the package. Has become.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明においては、高い
周波数を安定して精度良く供給できる圧電発振器を提供
することを目的としている。特に、高速化および小型化
の進む電子機器に対応して、内部で発生した熱による温
度上昇を抑制して高い周波数を安定して供給でき、さら
に小型化・薄型化可能な圧電発振器を提供することを目
的としている。さらに、動作中の圧電発振器の内部温度
の上昇を抑制することによって、長期信頼性を確保でき
る圧電発振器を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a piezoelectric oscillator capable of supplying a high frequency stably and accurately. In particular, to provide a piezoelectric oscillator that can stably supply a high frequency by suppressing a temperature rise due to internally generated heat and that can be further reduced in size and thickness in response to electronic devices that are becoming faster and smaller. It is intended to be. It is another object of the present invention to provide a piezoelectric oscillator that can ensure long-term reliability by suppressing an increase in the internal temperature of the operating piezoelectric oscillator.

【0013】このため、本発明においては、発熱量の多
い半導体集積回路装置を設置するアイランド、あるいは
温度上昇によって影響を受けやすい振動子のケースにモ
ールド樹脂の外側に露出する放熱部分を設けるようにし
ている。すなわち、本発明に係る圧電発振器は、ケース
内に圧電素子が封止された振動子と、リードフレームの
アイランド上に設置された半導体集積回路装置とを有
し、半導体集積回路装置は振動子とリードフレームを構
成するリード等の少なくとも1部によって接続されてお
り、さらに、振動子、半導体集積回路装置およびリード
フレームがモールド樹脂によって一体成形されている圧
電発振器であって、アイランドおよびケースの少なくと
もいずれかがモールド樹脂の外側に露出した放熱部分を
備えていることを特徴としている。
Therefore, according to the present invention, a heat radiation portion exposed outside the mold resin is provided on an island on which a semiconductor integrated circuit device generating a large amount of heat is installed, or on a case of a vibrator which is easily affected by a temperature rise. ing. That is, the piezoelectric oscillator according to the present invention includes a vibrator in which a piezoelectric element is sealed in a case, and a semiconductor integrated circuit device installed on an island of a lead frame. A piezoelectric oscillator in which the vibrator, the semiconductor integrated circuit device, and the lead frame are integrally molded by a mold resin, wherein the piezoelectric oscillator is connected by at least one part of a lead or the like constituting the lead frame; It is characterized by having a heat radiation portion exposed outside the mold resin.

【0014】これらの放熱部分は、アイランドあるいは
ケースにモールド樹脂の外側に延びた放熱用リードを接
続することによって構成できる。モールド樹脂に少なく
とも1部が露出した放熱板をアイランドあるいはケース
に接触させても良い。また、アイランドあるいはケース
の少なくとも1部をモールド樹脂の外側に露出させても
良い。アイランド、半導体集積回路装置および振動子を
この順番に積層することによって、アイランドの一部を
モールド樹脂から露出し易くでき、また、パッケージン
グも低くできる。
These heat radiating portions can be constituted by connecting heat radiating leads extending outside the mold resin to the island or the case. A heat sink having at least a portion thereof exposed to the mold resin may be brought into contact with the island or the case. Further, at least a part of the island or the case may be exposed outside the mold resin. By laminating the island, the semiconductor integrated circuit device, and the vibrator in this order, a part of the island can be easily exposed from the mold resin, and the packaging can be reduced.

【0015】アイランドにこれらの放熱部分を設けるこ
とにより、ICチップなどの半導体集積回路装置に発生
した熱をモールド樹脂の外に直接放熱できるので、高い
放熱効果が得られる。従って、半導体集積回路装置で発
生した熱を圧電発振器内に閉じ込めることなく放熱で
き、圧電発振器内の温度上昇を抑制することによって半
導体集積回路装置の熱影響を防止でき、さらに、振動子
に伝わる熱量も少なくできる。また、ケースに放熱部分
を設けることによって、半導体集積回路装置から伝わっ
てきた熱をモールド樹脂の外に直接放熱することができ
る。従って、ケース内部の圧電素子への熱の伝導を防止
することができ、安定した発振と、長期信頼性を確保で
きる。同時に、ケースを介して圧電発振器内の熱を外部
に放出できるので圧電発振器内の温度上昇も抑制でき、
半導体集積回路装置などにおける熱の影響も抑制でき
る。
By providing these heat dissipating parts on the island, heat generated in the semiconductor integrated circuit device such as an IC chip can be dissipated directly to the outside of the mold resin, so that a high heat dissipating effect can be obtained. Therefore, heat generated in the semiconductor integrated circuit device can be dissipated without being confined in the piezoelectric oscillator. By suppressing the temperature rise in the piezoelectric oscillator, the thermal effect of the semiconductor integrated circuit device can be prevented. Can be reduced. Further, by providing a heat radiating portion to the case, heat transmitted from the semiconductor integrated circuit device can be radiated directly to the outside of the mold resin. Therefore, conduction of heat to the piezoelectric element inside the case can be prevented, and stable oscillation and long-term reliability can be secured. At the same time, the heat inside the piezoelectric oscillator can be released to the outside through the case, so that the temperature rise inside the piezoelectric oscillator can be suppressed,
The influence of heat in a semiconductor integrated circuit device or the like can also be suppressed.

【0016】また、振動子と半導体集積回路装置を並列
にモールド樹脂により一体化した圧電発振器において
は、振動子のケースの直径(厚み)より半導体集積回路
装置の方が薄いので、この差を利用してヒートシンクを
設けることができる。これによって、小型・薄型の圧電
発振器においても、発振器が小さいままでヒートシンク
を設けモールドされたパッケージの外面からの放熱効果
を高められる。
In a piezoelectric oscillator in which a vibrator and a semiconductor integrated circuit device are integrated in parallel with a mold resin, the difference is used because the semiconductor integrated circuit device is thinner than the diameter (thickness) of the case of the vibrator. Thus, a heat sink can be provided. As a result, even in a small and thin piezoelectric oscillator, the effect of radiating heat from the outer surface of the molded package with the heat sink provided with the oscillator kept small can be enhanced.

【0017】さらに、振動子に対する温度上昇を抑制す
るには、振動子接続用リード自体あるいはその一部をモ
ールド樹脂の外側に露出しても良い。モールド樹脂外部
の湿度による半導体集積回路装置への影響が懸念される
場合は、振動子リードあるいはこれに接続されたリード
フレームの導電路の部分を切断部の露出を除きモールド
樹脂内の表面近傍に配置し、湿度の影響をそれほど被ら
ない状態で放熱効果を高めることができる。
Further, in order to suppress a rise in temperature of the vibrator, the vibrator connecting lead itself or a part thereof may be exposed outside the mold resin. If there is a concern about the influence of humidity outside the mold resin on the semiconductor integrated circuit device, place the conductive path of the vibrator lead or the lead frame connected to it near the surface inside the mold resin except for exposing the cut part. It is possible to enhance the heat radiation effect in a state where it is arranged so as not to be affected by the humidity.

【0018】また、振動子および半導体集積回路装置が
セラミック製のパッケージ内に収納されている圧電発振
器においては、パッケージ内の第1層に形成された半導
体集積回路装置を設置するためのアイランドパターン
を、その一部がパッケージの外側に露出するまで延ばす
ことによって高い放熱効果が得られる。
In a piezoelectric oscillator in which the vibrator and the semiconductor integrated circuit device are housed in a ceramic package, an island pattern for installing the semiconductor integrated circuit device formed on the first layer in the package is formed. A high heat radiation effect can be obtained by extending a part of the package until it is exposed to the outside of the package.

【0019】これらの本発明を以下で図面を参照しなが
らさらに詳細に説明すると共に、本発明の他の目的およ
び効果についても以下の説明および請求の範囲において
説明する。
The present invention will be described below in more detail with reference to the drawings, and other objects and effects of the present invention will be described in the following description and claims.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】(実施例1)図1に、本発明の実
施例1に係る圧電発振器10を外側から見た様子を示し
てある。また、図2に本例の圧電発振器10の内部の配
置を上方から見た様子を示してある。本例の圧電発振器
10は、水晶振動子あるいはSAW共振子といった圧電
素子53をシリンダー状のケース51の内部に封止した
振動子50と、CMOSタイプ等のICチップ60が並
列に配置された圧電発振器である。これらの振動子50
およびICチップ60はトランスファーモールド法等を
用いてモールド樹脂1によってほぼ方形に封止され、一
体化された圧電発振器10が形成されている。また、こ
のモールド樹脂1によって形作られた圧電発振器10の
プラスチック製のパッケージの側面2から複数のリード
が露出している。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows a piezoelectric oscillator 10 according to Embodiment 1 of the present invention as viewed from the outside. FIG. 2 shows the internal arrangement of the piezoelectric oscillator 10 of the present example as viewed from above. The piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment has a piezoelectric element in which a piezoelectric element 53 such as a quartz oscillator or a SAW resonator is sealed in a cylindrical case 51 and a CMOS type IC chip 60 arranged in parallel. It is an oscillator. These vibrators 50
The IC chip 60 is sealed in a substantially rectangular shape with the molding resin 1 by using a transfer molding method or the like, and the integrated piezoelectric oscillator 10 is formed. Further, a plurality of leads are exposed from the side surface 2 of the plastic package of the piezoelectric oscillator 10 formed by the molding resin 1.

【0021】モールド樹脂内では、ICチップ60がリ
ードフレーム70の平板状に成形されたアイランド71
に導電性接着剤などによって固定されている。チップ6
0に用意された複数の電極61のうち、電源用および入
出力用の電極がリードフレーム70の入出力用のリード
72とワイヤーボンディング線79によって接続されて
いる。これらのリード72は圧電発振器10の両側面2
にアウターリードが突出するように配置されており、図
2には側面2からリード72のアウターリードの部分が
延びた状態で示してある。また、図1にはリード72の
アウターリードの部分をJ字状に曲げられたいわゆるJ
リードとなった状態を示してある。これらのリードは、
フレームの状態でモールドされた後にリード同士をつな
ぐタイバー等を除去し、曲げ加工される。このようなJ
リードを備えたSOJ形状のパッケージタイプの表面実
装デバイスは、実装面積が少なくて済むという利点を備
えている。
In the molding resin, the IC chip 60 is provided with an island 71 formed in a flat plate shape of the lead frame 70.
Is fixed by a conductive adhesive or the like. Chip 6
Out of the plurality of electrodes 61 prepared for zero, the power supply and input / output electrodes are connected to the input / output leads 72 of the lead frame 70 by wire bonding wires 79. These leads 72 are provided on both sides 2 of the piezoelectric oscillator 10.
FIG. 2 shows a state in which the outer lead portion of the lead 72 extends from the side surface 2. FIG. 1 shows a so-called J-shaped bent outer lead portion of the lead 72.
This shows a state in which the lead has been obtained. These leads are
After being molded in the state of the frame, the tie bars connecting the leads are removed, and the lead is bent. J like this
The SOJ-shaped package type surface mount device provided with the lead has an advantage that the mounting area is small.

【0022】モールド樹脂1の内部にICチップ60と
ほぼ並列に配置された振動子50は、ほぼシリンダー状
のケース51を備えており、このケース51の内部に圧
電素子53が封止されている。圧電素子53は、水晶振
動片、SAW共振片などの圧電体を用いた素子であり、
数10MHz〜100MHz、さらに数100MHzに
達する周波数帯のうち、特定の周波数を安定して得られ
るものである。ケース51の一方の端から内部の圧電素
子53とつながった2本の振動子リード52が延びてお
り、それぞれがリードフレームの接続用リード73を介
してICチップ60の電極61のうちゲートGおよびド
レインDに接続されている。振動子リード52は、接続
用リード73と抵抗スポット溶接、半田付け、導電性接
着剤などの方法によって固定されている。
The vibrator 50 arranged substantially in parallel with the IC chip 60 inside the mold resin 1 has a substantially cylindrical case 51, and the piezoelectric element 53 is sealed inside the case 51. . The piezoelectric element 53 is an element using a piezoelectric body such as a quartz vibrating piece and a SAW resonance piece.
A specific frequency can be stably obtained in a frequency band reaching several tens MHz to 100 MHz, and further several hundred MHz. Two vibrator leads 52 connected to the internal piezoelectric element 53 extend from one end of the case 51, and each of the two leads leads to the gate G and the electrode G of the electrode 61 of the IC chip 60 via the connection lead 73 of the lead frame. It is connected to the drain D. The vibrator lead 52 is fixed to the connection lead 73 by a method such as resistance spot welding, soldering, or a conductive adhesive.

【0023】本例の圧電発振器10は、さらに、リード
フレーム70のアイランド71と連続して形成された放
熱用のリード11を備えている。この放熱用のリード1
1はアイランド71とほぼ同じ幅の板状の導電性部材で
ある。放熱用リード11は、アイランド71と一体に成
形され、ほぼそのままの幅でモールド樹脂によって成形
されたパッケージの側面2から外部に露出している。リ
ードフレーム70は、Fe−Ni(Ni42%)合金の
42AlloyあるいはCu合金系の高導電性材料によ
って形成されており、高導電性材料は熱伝導度も非常に
高い。従って、ICチップ60において発生した熱はア
イランド71を介して放熱用リード11に伝わり、圧電
発振器10の外側に放出される。放熱用リード11から
の放熱効果をさらに高めるには、たとえば、この圧電発
振器10を実装する基板に放熱用のパターンをプリント
しておくことが考えられる。そして、実装する際に放熱
用リード11を放熱用のパターンに接触させれば、放熱
用リード11を介して熱が基板の放熱用のパターンに伝
導されるので放熱効果をいっそう高められる。
The piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment further includes a heat radiation lead 11 formed continuously with the island 71 of the lead frame 70. This heat dissipation lead 1
Reference numeral 1 denotes a plate-shaped conductive member having substantially the same width as the island 71. The heat radiating lead 11 is formed integrally with the island 71, and is exposed to the outside from the side surface 2 of the package formed of the mold resin with almost the same width. The lead frame 70 is formed of a 42Alloy or Cu alloy-based highly conductive material of an Fe-Ni (Ni 42%) alloy, and the highly conductive material has a very high thermal conductivity. Therefore, the heat generated in the IC chip 60 is transmitted to the heat radiation lead 11 via the island 71 and is released to the outside of the piezoelectric oscillator 10. To further enhance the heat radiation effect from the heat radiation leads 11, for example, a heat radiation pattern may be printed on a substrate on which the piezoelectric oscillator 10 is mounted. Then, when the heat radiating lead 11 is brought into contact with the heat radiating pattern at the time of mounting, heat is conducted to the heat radiating pattern of the substrate through the heat radiating lead 11, so that the heat radiating effect can be further enhanced.

【0024】基板に接続できるように本例の圧電発振器
10に設けた放熱用リード11は、リード72と同様に
図2に示した延びた状態から、図1に示したJ字型に曲
げてある。放熱効果を高めるには幅の広い放熱用リード
11を設けることが望ましいが、幅が広いと曲げる際の
負荷によってモールド樹脂に亀裂や割れが発生する可能
性がある。そこで、本例の圧電発振器10では、放熱用
リード11のうち、モールド樹脂1から外側に出た部分
に、モールド樹脂1の縁に沿って複数の穴13を並べて
開けてある。これらの穴13が並んで成形された部分の
放熱用リード11は断面積が小さくなるのでJ字型に曲
げる際の負荷が小さくてすむ。従って、モールド樹脂1
に亀裂、割れなどの損傷を与えずに放熱用リード11の
加工が可能である。また、J字型に曲がった放熱用リー
ド11に設けられたこれらの穴13を通って空気が循環
するので、放熱用リード11の放熱効果を向上できると
いうメリットも生ずる。
The lead 11 for heat radiation provided on the piezoelectric oscillator 10 of this embodiment so as to be connectable to the substrate is bent from the extended state shown in FIG. 2 to the J-shape shown in FIG. is there. It is desirable to provide a wide heat radiation lead 11 in order to enhance the heat radiation effect. However, if the heat radiation effect is wide, a crack or a crack may be generated in the mold resin due to a load at the time of bending. Therefore, in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, a plurality of holes 13 are formed along the edge of the mold resin 1 in a portion of the heat radiation lead 11 protruding outside the mold resin 1. Since the cross-sectional area of the heat-dissipating lead 11 in the portion formed by arranging these holes 13 is small, the load when bending into a J-shape can be small. Therefore, the mold resin 1
The heat radiation lead 11 can be processed without causing damage such as cracks and cracks to the lead. Further, since air circulates through these holes 13 provided in the heat radiation lead 11 bent in a J-shape, the heat radiation effect of the heat radiation lead 11 can be improved.

【0025】この放熱用リード11には、さらに、モー
ルド樹脂1の内部に納まる部分に、モールド樹脂1の縁
に沿って延びた長穴14を開けてある。放熱用リード1
1は、上述したように幅を広く形成してあるのでモール
ド樹脂1が放熱用リード11によって上下に分割され剥
離が発生し易い状態となる。従って、本例の圧電発振器
10においては、放熱用リード11にモールド樹脂が流
れ込む穴14を開けて上下の剥離を防止している。特
に、モールド樹脂1の側面2に沿った剥離が発生しない
ように、本例の放熱用リード11には、縁に沿って延び
た長い穴14を形成し側面2に沿った一体性を高めてモ
ールド樹脂1の剥離を防止している。また、本例では、
モールド樹脂1の縁に沿った長穴14を2つに分けて放
熱用リード11としての断面積も確保し、アイランド7
1からの熱伝導も良好に行われるようになっている。
The heat radiating lead 11 is further provided with a slot 14 extending along the edge of the mold resin 1 in a portion to be accommodated in the mold resin 1. Heat dissipation lead 1
As described above, the mold resin 1 is formed to have a large width as described above, so that the mold resin 1 is divided into upper and lower portions by the heat radiating leads 11 so that peeling easily occurs. Therefore, in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, the holes 14 through which the molding resin flows into the heat radiation leads 11 are formed to prevent vertical separation. Particularly, in order to prevent peeling along the side surface 2 of the mold resin 1, the heat radiation lead 11 of this example is formed with a long hole 14 extending along the edge to enhance the integrity along the side surface 2. The peeling of the mold resin 1 is prevented. In this example,
By dividing the long hole 14 along the edge of the mold resin 1 into two, the cross-sectional area as the heat radiation lead 11 is also secured,
1, heat conduction is also performed well.

【0026】本例の圧電発振器10には、さらに、振動
子50のケース51にも放熱用リード12を取り付け、
その一方の側をモールド樹脂1の外側まで延ばして露出
させてある。振動子50に取り付けられた放熱用リード
12は、アイランド71とつながった放熱用リード11
とほぼ同じ幅の導電性板材を用いて形成されている。ま
た、モールド樹脂1に亀裂や割れ、さらに剥離などが発
生しないように、この放熱用リード12にも上記の放熱
用リードと同じ位置に複数の穴13および縁に沿って延
びた長穴14を設けてある。放熱用リード12はシリン
ダー状のケース51の周囲に接するように配置されてお
り、本例の圧電発振器10では、ケース51と放熱用リ
ード12の間に金属フィラーを含んだ熱伝導性の良い接
着剤あるいは半田15を付けて、ケース51から放熱用
リード12へ効率良く熱が伝わるようにしてある。
In the piezoelectric oscillator 10 of this embodiment, a heat radiation lead 12 is further attached to the case 51 of the vibrator 50.
One side is extended to the outside of the mold resin 1 and is exposed. The heat radiation lead 12 attached to the vibrator 50 is a heat radiation lead 11 connected to the island 71.
It is formed using a conductive plate material having substantially the same width as. Further, in order to prevent cracks, cracks, peeling, etc. from occurring in the mold resin 1, the heat radiating lead 12 is also provided with a plurality of holes 13 and a long hole 14 extending along the edge at the same position as the heat radiating lead. It is provided. The heat radiating lead 12 is disposed so as to be in contact with the periphery of the cylindrical case 51. In the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, a good heat conductive adhesive containing a metal filler is included between the case 51 and the heat radiating lead 12. An agent or solder 15 is attached so that heat can be efficiently transmitted from the case 51 to the heat radiation leads 12.

【0027】放熱用リード12をケース51に接触させ
たり、あるいはケース51の近傍に設けることによっ
て、ケース51あるいはケース51近傍の熱を効率良く
外部に放出できるのでケース51の温度上昇を抑制でき
る。本例のように半田や接着剤15によってケース51
と放熱用リード12を接続すると、ケース51と放熱用
リード12が点から線あるいは面で接触する。従って、
ケース51に及んだ熱を効率良く放熱用リード12に伝
導し放熱できる。この放熱用リード12の放熱効率をさ
らに高めるには、アイランド71とつながった放熱用リ
ード11と同様に、実装する基板に放熱用のパターンを
設け、そのパターンと放熱用リード12を接続すること
でできる。そして、そのパターンを接地側に接続してお
けば放熱用リード12を介してケース51が接地されシ
ールド効果も得られる。さらに、ケース51が半田や接
着剤15によって放熱用リード12に固定されているの
で、トランスファーモールド法によってモールド樹脂で
封止する際に振動子の位置を精度良く固定できるという
メリットもある。
When the heat radiating lead 12 is brought into contact with the case 51 or provided near the case 51, the heat of the case 51 or the vicinity of the case 51 can be efficiently radiated to the outside, so that the temperature rise of the case 51 can be suppressed. The case 51 is formed by the solder or the adhesive 15 as in this example.
When the heat radiation lead 12 is connected to the case 51, the case 51 and the heat radiation lead 12 come into contact with each other by a line or surface from a point. Therefore,
The heat that has reached the case 51 can be efficiently conducted to the heat radiating leads 12 and radiated. In order to further enhance the heat radiation efficiency of the heat radiation lead 12, a heat radiation pattern is provided on a mounting board, and the pattern and the heat radiation lead 12 are connected similarly to the heat radiation lead 11 connected to the island 71. it can. If the pattern is connected to the ground side, the case 51 is grounded via the heat radiation lead 12, and a shielding effect can be obtained. Furthermore, since the case 51 is fixed to the heat radiation lead 12 by solder or an adhesive 15, there is also an advantage that the position of the vibrator can be fixed with high precision when sealing with the molding resin by the transfer molding method.

【0028】本例の圧電発振器10は、放熱効果をさら
に得るために、振動子リード52の接続された接続用リ
ード73の一端73aを幅を広げてモールド樹脂1の外
まで延ばし露出させてある。この接続用リード73の端
73aは、図1に示すようにガルウィング状に曲げてあ
り、実装した際に基板に接触して放熱効果を向上できる
ようにしてある。また、接続用リード73を曲げる際に
モールド樹脂に損傷が発生しないように、上記の放熱用
リードと同様に必要により穴13および長穴14を設け
ても良い。
In the piezoelectric oscillator 10 of this embodiment, one end 73a of the connection lead 73 to which the vibrator lead 52 is connected is extended so as to extend to the outside of the mold resin 1 and exposed in order to further obtain a heat radiation effect. . The ends 73a of the connection leads 73 are bent in a gull wing shape as shown in FIG. 1 so that the mounting leads 73 come into contact with the substrate to improve the heat radiation effect. The holes 13 and the elongated holes 14 may be provided as necessary in the same manner as the above-described heat radiation leads so that the molding resin is not damaged when the connection leads 73 are bent.

【0029】接続用リード73の一端73cには振動子
50の振動子リード52が溶接や半田によって固定され
ている。また、接続用リード73は、ワイヤーボンディ
ング線79によってICチップ60の接続用電極とも接
続されている。従って、接続用リード73を介してIC
チップ60から振動子50に熱の伝導する経路が形成さ
れていることになる。
The vibrator lead 52 of the vibrator 50 is fixed to one end 73c of the connection lead 73 by welding or soldering. The connection leads 73 are also connected to connection electrodes of the IC chip 60 by wire bonding wires 79. Therefore, the IC is connected via the connection lead 73.
A path for conducting heat from the chip 60 to the vibrator 50 is formed.

【0030】そこで、本例の圧電発振器10において
は、接続用リード73のICチップ60と接続される側
73bを細くし、ICチップ60から接続用リード73
を通って伝導される熱量を低減している。さらに、振動
子リード52とつながる接続用リードの端73cと、I
Cチップ60と接続される端73bとの間にモールド樹
脂1の外側まで延びた放熱用の端73aを設けて、IC
チップ60から伝わった熱を放出できるようにしてい
る。また、放出用の端73aと振動子リードとつながる
端73cとの間のリードの幅を比較的広くし、振動子リ
ード52を介して振動子50に及んだ熱を放出し易いよ
うにしている。さらに、ICチップ60とつながった端
73bと放熱用の端73aの距離を、振動子リード52
とつながった端73cと放熱用の端73aの距離より長
くして伝導される熱量をさらに低減できるようにしてい
る。
Therefore, in the piezoelectric oscillator 10 of this embodiment, the side 73b of the connection lead 73 connected to the IC chip 60 is made thinner, and the connection lead 73
Reduces the amount of heat conducted through. Further, an end 73c of a connection lead connected to the transducer lead 52,
A heat dissipating end 73a extending to the outside of the mold resin 1 is provided between the end 73b connected to the C chip 60 and an IC 73
The heat transmitted from the chip 60 can be released. In addition, the width of the lead between the discharge end 73a and the end 73c connected to the vibrator lead is made relatively wide so that the heat applied to the vibrator 50 via the vibrator lead 52 can be easily released. I have. Furthermore, the distance between the end 73b connected to the IC chip 60 and the end 73a for heat dissipation is
The distance between the connected end 73c and the radiation end 73a is made longer so that the amount of heat conducted can be further reduced.

【0031】このように、本例の圧電発振器10は、I
Cチップ60の取り付けられたアイランド71とつなが
った放熱用リード11と、振動子50のケース51とつ
ながった放熱用リード12を設けてあり、さらに、IC
チップ60と振動子50を繋ぐ接続用リード73にも放
熱用の端73aを設けてある。また、ICチップ60と
振動子50は並列に配置されているので、ICチップ6
0に接続された放熱用リード11は振動子50と反対側
に露出させ、また、振動子50と接続された放熱用リー
ド12はICチップ60と反対側に露出させることによ
りICチップ60からの熱影響を最小限に止めている。
従って、ICチップ60に生じた熱は、アイランド71
を介して放熱用リード11からモールド樹脂の外部に効
率良く放熱される。また、ICチップ60から振動子5
0に伝わった熱も、ケース51につながった放熱用リー
ド12によって放熱される。さらに、接続用リード73
を介して振動子50に伝導される熱も低減されている。
As described above, the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment has
A heat radiation lead 11 connected to the island 71 to which the C chip 60 is attached, and a heat radiation lead 12 connected to the case 51 of the vibrator 50 are provided.
A connection lead 73 connecting the chip 60 and the vibrator 50 is also provided with a heat radiating end 73a. Since the IC chip 60 and the vibrator 50 are arranged in parallel, the IC chip 6
0 is exposed to the side opposite to the vibrator 50, and the heat radiation lead 12 connected to the vibrator 50 is exposed to the side opposite to the IC chip 60, so that Thermal effects are minimized.
Therefore, heat generated in the IC chip 60 is transferred to the island 71.
The heat is efficiently radiated from the heat radiating lead 11 to the outside of the mold resin through the heat sink. Also, from the IC chip 60 to the vibrator 5
The heat transmitted to 0 is also radiated by the radiating leads 12 connected to the case 51. Further, connection leads 73
, The heat conducted to the vibrator 50 is also reduced.

【0032】このように、本例の圧電発振器10は、熱
の発生源からの放熱が効率良く行えると共に、ケース5
1などを介してパッケージ内部に蓄積された熱も非常に
効率良く放出される。従って、本例の圧電発振器10
は、上記のような構造を採用することによってパッケー
ジの熱抵抗値を大幅に低下できる。熱抵抗とはパッケー
ジの発熱性あるいは放熱性を示す尺度であり、熱抵抗R
は以下の式によって求められる。
As described above, the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment can efficiently radiate heat from the heat source,
The heat accumulated inside the package via 1 and the like is also released very efficiently. Therefore, the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment
By employing the above structure, the thermal resistance of the package can be significantly reduced. Thermal resistance is a measure of the heat generation or heat dissipation of a package.
Is determined by the following equation.

【0033】 R = (Tj − Ta)/ P ・・・・・(1) ここで、Tjは圧電発振器に内蔵されているICの接続
部(pn接続部)の温度である。また、Taは周囲温
度、Pは消費電力である。
R = (T j −T a ) / P (1) Here, T j is the temperature of the connection part (pn connection part) of the IC built in the piezoelectric oscillator. Ta is the ambient temperature, and P is the power consumption.

【0034】接合部の温度Tjはある一定の測定電流IM
を流したときの順方向電圧VMCに比例する。そこで、圧
電発振器10を温度TMCの恒温槽に入れて、異なる2点
以上の温度TMCにおける順方向電圧VMCを測定し、図3
に示すVMC−TMC線図を作成する。次に圧電発振器に電
力Pを周囲温度Taで加え、圧電発振器が熱的に飽和状
態となったら一定値の測定電流IMを流しVMCを即座に
測定する。この順方向電圧VMCを用いて図3より対応す
る温度によって接合部の温度Tjを求める。なお、詳し
くは、MIL−STD−883Cによる。
The junction temperature T j is a constant measured current I M
Is proportional to the forward voltage V MC when the current flows. Therefore, putting a piezoelectric oscillator 10 in a constant temperature bath at a temperature T MC, by measuring the forward voltage V MC at least two different points of the temperature T MC, 3
To create a V MC -T MC diagram shown in. Next, electric power P is applied to the piezoelectric oscillator at the ambient temperature Ta , and when the piezoelectric oscillator is thermally saturated, a constant value of the measurement current IM is passed to immediately measure V MC . Using this forward voltage V MC , the junction temperature T j is determined from the corresponding temperature from FIG. The details are based on MIL-STD-883C.

【0035】このような方法によってSAW共振子を用
いた発振周波数が125MHzで最大消費電力が約0.
3Wの発振器の熱抵抗値を求めた。この発振器はリード
フレームとしてCuフレームを用いており、プラスチッ
クパッケージの容積は約0.5ccである。先に説明し
た放熱用リードを持たない従来の圧電発振器において
は、熱抵抗値Rは約145°C/Wである。これに対
し、本例の放熱用リードを持った圧電発振器において
は、熱抵抗値Rが約100°C/Wに低下する。従っ
て、本例の構造を採用することによって従来の約70%
にパッケージの熱抵抗値を低減できることが判る。同時
に、本願発明者によって熱伝導解析ソフトウェアを用い
たシミュレーションか行われており、本例の圧電発振器
によって、従来と比較し内蔵された圧電素子近傍の温度
が約5°C程度低くなる結果が得られている。
According to such a method, the oscillation frequency using the SAW resonator is 125 MHz and the maximum power consumption is about 0.
The thermal resistance of a 3 W oscillator was determined. This oscillator uses a Cu frame as a lead frame, and the volume of the plastic package is about 0.5 cc. In the above-described conventional piezoelectric oscillator having no heat radiation lead, the thermal resistance value R is about 145 ° C./W. On the other hand, in the piezoelectric oscillator having the heat radiation lead of the present example, the thermal resistance R decreases to about 100 ° C./W. Therefore, by adopting the structure of this example, about 70%
It can be seen that the thermal resistance of the package can be reduced. Simultaneously, simulations using heat conduction analysis software have been performed by the inventor of the present application, and the piezoelectric oscillator of this example has obtained a result in which the temperature near the built-in piezoelectric element is lower by about 5 ° C. than in the conventional case. Have been.

【0036】圧電発振器の熱抵抗を小さくすることによ
って、その圧電発振器に搭載されたICチップ等の半導
体集積回路装置からの熱を効率的に放出することができ
る。従って、圧電発振器内の温度上昇を抑制し小型化、
薄型化された圧電発振器を実現できる。また、高周波帯
の発振器においては、半導体集積回路装置からの発熱が
増加する傾向となるが、半導体集積回路装置の温度上昇
を抑制できるので、電極や半導体集積回路装置の損傷や
劣化を防止でき、また、半導体集積回路装置の動作信頼
性も確保できる。さらに、圧電発振器に収納された振動
子に対する熱影響も抑制できるので、振動子の異常な周
波数変動を防止でき、また、長期信頼性も確保できる。
このように、上記に示した圧電発振器は、ICチップの
熱負荷が上がっても高い信頼性を確保できるので、近年
開発が進んでいるSAW共振子などを用いた高周波帯の
圧電発振器として好適なものである。そして、低熱抵抗
で高信頼性の高周波対応の圧電発振器を提供できる。
By reducing the thermal resistance of the piezoelectric oscillator, heat from a semiconductor integrated circuit device such as an IC chip mounted on the piezoelectric oscillator can be efficiently released. Therefore, the temperature rise in the piezoelectric oscillator is suppressed and the size is reduced.
A thinner piezoelectric oscillator can be realized. Further, in an oscillator in a high-frequency band, heat generation from the semiconductor integrated circuit device tends to increase, but since the temperature rise of the semiconductor integrated circuit device can be suppressed, damage and deterioration of the electrodes and the semiconductor integrated circuit device can be prevented, Further, the operation reliability of the semiconductor integrated circuit device can be secured. Further, since the thermal effect on the vibrator housed in the piezoelectric oscillator can be suppressed, abnormal frequency fluctuation of the vibrator can be prevented, and long-term reliability can be ensured.
As described above, since the above-described piezoelectric oscillator can ensure high reliability even when the thermal load of the IC chip increases, it is suitable as a high-frequency band piezoelectric oscillator using a SAW resonator and the like which has been recently developed. Things. In addition, a high-frequency piezoelectric oscillator with low thermal resistance and high reliability can be provided.

【0037】本例の圧電発振器10においては、ワイヤ
ーボンディング線を用いてICチップ60の熱をさらに
効率良く逃がすことができる。ICチップ60の電極と
リードとを接続するワイヤーボンディング線は導電体で
あり、熱伝導率も非常に高い。従って、電極とアイラン
ド71あるいは放熱用リード11を接続することによっ
て、ICチップ60の電極61の設けられた面からも放
熱を促すことができる。放熱を促進するためにはワイヤ
ーボンディング線の数を増すことが望ましい。そこで、
本例の圧電発振器10では、ICチップ60にダミーの
電極62を設け、これらの電極62とアイランド71を
ワイヤーボンディング線79によって接続して放熱を促
している。
In the piezoelectric oscillator 10 of this embodiment, the heat of the IC chip 60 can be more efficiently released by using the wire bonding wire. The wire bonding wire connecting the electrode of the IC chip 60 and the lead is a conductor and has a very high thermal conductivity. Therefore, by connecting the electrode to the island 71 or the heat radiation lead 11, heat can be radiated from the surface of the IC chip 60 where the electrode 61 is provided. It is desirable to increase the number of wire bonding wires in order to promote heat radiation. Therefore,
In the piezoelectric oscillator 10 of this example, dummy electrodes 62 are provided on the IC chip 60, and these electrodes 62 and the islands 71 are connected by wire bonding wires 79 to promote heat radiation.

【0038】さらに、本例の圧電発振器10では、IC
チップ60の発振周波数の制御を制御用の電極63と接
地状態のアイランド71とを接続することによって行っ
ている。また、発振周波数が高くなるに連れて、アイラ
ンド71に接続される電極63が増加するようにICチ
ップ60を構成し、発熱量が増加する高周波帯における
放熱を促進できるようにしている。このような構成のI
Cチップ60として、たとえば図4に示したPLL用I
Cがある。
Further, in the piezoelectric oscillator 10 of this embodiment, the IC
The oscillation frequency of the chip 60 is controlled by connecting the control electrode 63 and the grounded island 71. In addition, the IC chip 60 is configured so that the number of electrodes 63 connected to the island 71 increases as the oscillation frequency increases, so that heat radiation in a high-frequency band where the amount of heat generation increases can be promoted. I having such a configuration
As the C chip 60, for example, the PLL I shown in FIG.
There is C.

【0039】図4に示したPLL用IC60は、3つの
プログラマブルデバイダ(PD)81、82および83
によって周波数の決まったクロック信号を供給できるも
のである。振動子50に接続された基準クロック信号を
供給する発振部84からの信号が第1のPD81に入
り、このPD81によって分周された信号が位相比較器
85に入力される。位相比較器85では、第1のPD8
1からの信号と、電圧制御発振回路(VCO)87の出
力を第2のPD82によって分周した信号とが比較され
る。そして、位相比較器85の出力はローパスフィルタ
86によって高周波成分がカットされVCO87に入力
される。VCO87の出力は、さらに第3のPD83に
よって分周され出力部88によってIC60から出力さ
れる。このような回路によって発振部84から供給され
た基準クロック信号が逓倍され、所定の周波数のクロッ
ク信号として出力される。これら3つのPD81、82
および83の分周率は、デコーダー89によって制御さ
れる。デコーダー89は、それぞれのPDの分周率を記
憶したPROMを備えており、外部から状態を変えられ
るS0〜S2の3つの制御端子63によって所望の周波
数のクロック信号を出力できるようになっている。
The PLL IC 60 shown in FIG. 4 has three programmable dividers (PD) 81, 82 and 83.
Thus, a clock signal having a fixed frequency can be supplied. A signal from the oscillating unit 84 that supplies the reference clock signal connected to the vibrator 50 enters the first PD 81, and the signal divided by the PD 81 is input to the phase comparator 85. In the phase comparator 85, the first PD 8
1 is compared with a signal obtained by dividing the output of the voltage controlled oscillator (VCO) 87 by the second PD 82. The output of the phase comparator 85 has its high-frequency component cut by a low-pass filter 86 and is input to the VCO 87. The output of the VCO 87 is further divided by the third PD 83 and output from the IC 60 by the output unit 88. The reference clock signal supplied from the oscillating unit 84 is multiplied by such a circuit and output as a clock signal of a predetermined frequency. These three PDs 81, 82
And 83 are controlled by a decoder 89. The decoder 89 is provided with a PROM in which the division ratio of each PD is stored, and can output a clock signal of a desired frequency by three control terminals 63 of S0 to S2 whose states can be changed from the outside. .

【0040】図5に、制御端子S0〜S2の状態と、そ
れによってPLL用IC60から出力される周波数を表
にして示してある。本図にて判るように、制御端子S0
〜S2がすべて高レベル「1」、すなわち、制御端子S
0〜S2がすべてオープンの状態で出力周波数が最も低
くなるように設定されている。これに対し、制御端子S
0〜S2がすべて低レベル「0」、すなわち、制御端子
S0〜S2がすべて接地された状態で周波数が最も高く
なるように設定されている。従って、本例のPLL用I
C60においては、最も高い周波数で動作するときに、
図2に示すように、すべての制御端子63がワイヤーボ
ンディング線79によってアイランド71に接続された
状態となる。従って、高周波帯のPLL用IC60の発
熱量が増えた状態では、ICチップ60とアイランド7
1を接続するワイヤボンディング79の数も増加し、I
Cチップ60からの放熱が促進されるようになってい
る。ICチップ60は、上記のようなPLL機能によっ
て動作用のクロック信号を生成すると共に、計時を行う
リアルタイムクロック機能を備えたリアルタイムクロッ
ク用のICであってももちろん良い。また、PLL回路
を備えていないCMOSタイプの発振回路等で構成され
た分周機能を有する半導体集積回路装置などであっても
良い。
FIG. 5 is a table showing the states of the control terminals S0 to S2 and the frequencies output from the PLL IC 60 based on the states. As can be seen from this figure, the control terminal S0
To S2 are all high level "1", that is, the control terminal S
The output frequency is set to be the lowest in a state where 0 to S2 are all open. On the other hand, the control terminal S
0 to S2 are all set to the low level "0", that is, the frequency is set to be the highest when the control terminals S0 to S2 are all grounded. Therefore, the PLL I
In C60, when operating at the highest frequency,
As shown in FIG. 2, all the control terminals 63 are connected to the island 71 by the wire bonding wires 79. Therefore, when the amount of heat generated by the PLL IC 60 in the high frequency band is increased, the IC chip 60 and the island 7
1 also increases the number of wire bonds 79 connecting
The heat radiation from the C chip 60 is promoted. The IC chip 60 may of course be a real-time clock IC having a real-time clock function for generating a clock signal for operation by the above-described PLL function and performing time measurement. Further, a semiconductor integrated circuit device having a frequency dividing function, such as a CMOS type oscillation circuit having no PLL circuit, may be used.

【0041】(実施例2)図6に、本発明の実施例2に
係る圧電発振器10を外側から見た様子を示してある。
また、図7に本例の圧電発振器10の内部の配置を上方
から見た様子を示してある。これらの図から判るよう
に、本例の圧電発振器10は、上記の実施例と同様に振
動子50とICチップ60とを並列に配置してモールド
樹脂によって成形した発振器であり、共通する部分につ
いては同じ符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 2) FIG. 6 shows a state where a piezoelectric oscillator 10 according to Embodiment 2 of the present invention is viewed from the outside.
FIG. 7 shows an internal arrangement of the piezoelectric oscillator 10 of the present example as viewed from above. As can be seen from these figures, the piezoelectric oscillator 10 of the present example is an oscillator in which the vibrator 50 and the IC chip 60 are arranged in parallel and molded with a mold resin, as in the above-described embodiment. Are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0042】本例の圧電発振器10は、放熱用のリード
11および12の露出した部分を折り曲げずにそのまま
延ばしてある。本例のように放熱用リード11および1
2は延ばしたままの状態であっても十分に放熱効果を得
ることができる。このため、本例の圧電発振器10にお
いても、ICチップ60で発生した熱を効率良く逃が
し、モールド樹脂内の温度上昇を抑制し、さらに、振動
子50の温度上昇を低減するといった効果が得られる。
上記の実施例と同様に放熱用リード11および12に複
数の穴を並べて開けておき、空気の循環によって放熱効
果を高めることもできる。
In the piezoelectric oscillator 10 of this embodiment, the exposed portions of the heat radiation leads 11 and 12 are extended without bending. The heat radiation leads 11 and 1
No. 2 can sufficiently obtain the heat radiation effect even in the extended state. Therefore, also in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, the effects of efficiently releasing the heat generated in the IC chip 60, suppressing the temperature rise in the mold resin, and reducing the temperature rise of the vibrator 50 can be obtained. .
Similarly to the above embodiment, a plurality of holes may be opened in the heat radiation leads 11 and 12 so that the heat radiation effect can be enhanced by circulation of air.

【0043】本例の圧電発振器10においては、振動子
リード52とつながった接続用リード73を切断部73
gを除きモールド樹脂1の外に露出させないようにして
いる。圧電発振器10の実装環境およびICチップ60
の特性によっては、接続用リード73をモールド樹脂1
の外に露出させると、ICチップ60に発振停止などの
湿度の影響が現れることがありうる。そこで、本例の圧
電発振器10においては、振動子リード52と接続した
接続リード73を切断部73gを除き外部に露出させな
いようにして環境湿度の変化に対してもゲートGとドレ
インD間の絶縁性を確保し、安定した周波数で発振でき
るようにしている。接続用リードをモールド樹脂から露
出させない代わりに、モールド樹脂1の縁に沿った表面
近傍に広い放熱領域73dを設け、この放熱領域を薄く
覆ったモールド樹脂1を介して放熱するようにしてい
る。この放熱領域73dを含む部分のパッケージの厚み
は、振動子を含む部分のパッケージの厚みより薄くでき
る。そして、この放熱領域73dは、ICチップ60と
接続した端73bと、振動子リード52と接続した端7
3cとの間に設けてあるので、ICチップ60からの熱
は放熱領域73dで放熱され、振動子50への影響を小
さくなる。
In the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, the connection lead 73 connected to the vibrator lead 52 is connected to the cutting portion 73.
Except for g, it is not exposed outside the mold resin 1. Mounting environment of piezoelectric oscillator 10 and IC chip 60
Depending on the characteristics of the molding resin 1
If the IC chip 60 is exposed to the outside, the influence of humidity such as oscillation stop may appear on the IC chip 60. Therefore, in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, the connection lead 73 connected to the vibrator lead 52 is not exposed to the outside except for the cut portion 73g, so that the insulation between the gate G and the drain D is protected against changes in environmental humidity. Oscillating at a stable frequency. Instead of exposing the connection leads from the mold resin, a wide heat radiation area 73d is provided near the surface along the edge of the mold resin 1, and heat is radiated through the mold resin 1 which covers the heat radiation area thinly. The thickness of the package including the heat radiation region 73d can be smaller than the thickness of the package including the vibrator. The heat radiating region 73d has an end 73b connected to the IC chip 60 and an end 7b connected to the vibrator lead 52.
3c, the heat from the IC chip 60 is radiated in the heat radiation area 73d, and the influence on the vibrator 50 is reduced.

【0044】また、ICチップ60からの熱影響をでき
るだけ少なくするために、ICチップ60の電極と接続
した端73bと放熱領域73dの間のリード73を円形
にカットした領域16や、くびれた状態にカットした領
域17を設けてある。これらのリードをカットした領域
16および17の部分はリード73の断面積が小さくな
るので伝導される熱量も低減される。従って、ICチッ
プ60の発熱による振動子50への影響をさらに小さく
することができる。
In order to minimize the influence of heat from the IC chip 60, a region 16 in which the lead 73 between the end 73b connected to the electrode of the IC chip 60 and the heat radiation region 73d is cut into a circle, A region 17 is provided. Since the cross-sectional area of the leads 73 is reduced in the regions 16 and 17 where these leads are cut, the amount of heat conducted is also reduced. Therefore, the influence of the heat generated by the IC chip 60 on the vibrator 50 can be further reduced.

【0045】(実施例3)図8に本発明に係る圧電発振
器の内部の構成を上から見た様子を示してあり、図9に
その構造を断面を用いて示してある。本例の圧電発振器
10も上記の実施例と同様にシリンダー状のケース51
を備えた振動子50とICチップ60が並列に配置さ
れ、モールド樹脂1によってほぼ方形に封止された圧電
発振器である。なお、上記の実施例と共通する部分につ
いては同じ符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 3) FIG. 8 shows a top view of the internal structure of a piezoelectric oscillator according to the present invention, and FIG. 9 shows its structure using a cross section. The piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment also has a cylindrical case 51 similarly to the above embodiment.
This is a piezoelectric oscillator in which a vibrator 50 having the above structure and an IC chip 60 are arranged in parallel, and are sealed in a substantially rectangular shape by the mold resin 1. Note that the same reference numerals are given to portions common to the above-described embodiments, and description thereof will be omitted.

【0046】本例の圧電発振器のリードフレーム70の
アイランド71の一方の面、すなわち、図9の上側の面
71aには導電性接着剤などによってICチップ60が
マウントされており、ICチップの表面に用意された電
極はワイヤーボンディング線79によってアイランドや
その他の所定のリードに接続されている。本例のリード
フレームには、さらに、アイランド71の他方の面、す
なわち、ICチップ60のマウントされた面71aと反
対側の面71bに放熱板18が接続されている。
The IC chip 60 is mounted on one surface of the island 71 of the lead frame 70 of the piezoelectric oscillator of this example, that is, the upper surface 71a in FIG. 9 by a conductive adhesive or the like. Are connected to islands and other predetermined leads by wire bonding wires 79. In the lead frame of this example, the heat radiating plate 18 is further connected to the other surface of the island 71, that is, the surface 71b opposite to the surface 71a on which the IC chip 60 is mounted.

【0047】この放熱板18は、Cu合金等の熱伝導性
の良い材料で形成された少なくとも1つ以上の部材から
構成されており、一方の端、あるいは面18aがアイラ
ンドの面71bに接触しており、他方の端、あるいは面
18bがモールド樹脂1から露出している。放熱板18
は半田や熱伝導性の良い接着剤でアイランド71に取り
付けても良いが、本例では、アイランド71と接触する
放熱板の面18aをアイランドの面71bとほぼ同じ平
面状に仕上げ、トランスファーモールドする際に放熱板
18をアイランド71に密着させるようにして良好な熱
伝導を得ている。この放熱板18をアイランド71に取
り付けることによってアイランド71からモールド樹脂
1の外側に露出する部分が形成されるので、上記の実施
例と同様にICチップ60で発生した熱を効率良く放出
することができる。
The heat radiating plate 18 is made of at least one member made of a material having good thermal conductivity such as a Cu alloy, and one end or the surface 18a is in contact with the surface 71b of the island. The other end or the surface 18 b is exposed from the mold resin 1. Heat sink 18
May be attached to the island 71 with solder or an adhesive having good thermal conductivity, but in this example, the surface 18a of the heat radiating plate that comes into contact with the island 71 is finished in substantially the same plane as the surface 71b of the island, and transfer-molded. At this time, good heat conduction is obtained by bringing the heat radiating plate 18 into close contact with the island 71. By attaching the heat radiating plate 18 to the island 71, a portion exposed from the island 71 to the outside of the mold resin 1 is formed, so that the heat generated in the IC chip 60 can be efficiently radiated similarly to the above embodiment. it can.

【0048】ICチップ60とほぼ並列して配置された
本例の振動子50は、シリンダー状のケース51を備
え、このケース51内に矩形状のAT水晶片等の圧電素
子53を収納している。そして、本例の圧電発振器10
においては、ケース51の下方の面に上記の放熱板18
とほぼ並列するように放熱板19を取り付けてある。放
熱板19は放熱板18と同様に熱伝導性の良い素材によ
って形成された1つあるいはそれ以上の部材から構成さ
れており、その一方の面19aはシリンドリカルなケー
ス51に密着するように湾曲になっている。また、他方
の面19bは、モールド樹脂1から外部に露出してい
る。この放熱板19によってケース51からモールド樹
脂1の外部に露出した放熱用の部分が形成されている。
従って、上記の実施例と同様にケース51に伝導された
熱は放熱板19を介して外部に効率良く放熱されるの
で、ケース内に封止された圧電素子53への熱影響を抑
制できる。
The vibrator 50 of this embodiment, which is arranged substantially in parallel with the IC chip 60, has a cylindrical case 51, in which a piezoelectric element 53 such as a rectangular AT crystal blank is housed. I have. Then, the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment
In this case, the heat radiating plate 18
A heat radiating plate 19 is attached so as to be substantially parallel to the above. The radiator plate 19 is made of one or more members formed of a material having good thermal conductivity like the radiator plate 18, and one surface 19 a of the radiator plate 19 is curved so as to be in close contact with the cylindrical case 51. Has become. Further, the other surface 19b is exposed to the outside from the mold resin 1. The heat radiating plate 19 forms a heat radiating portion exposed from the case 51 to the outside of the mold resin 1.
Therefore, the heat conducted to the case 51 is efficiently radiated to the outside via the radiator plate 19 as in the above-described embodiment, so that the heat effect on the piezoelectric element 53 sealed in the case can be suppressed.

【0049】本例の圧電発振器10においては、さら
に、ICチップ60の上方のスペースを利用してヒート
シンク90を取り付けてある。すなわち、振動子のケー
ス51の厚みは現状ではどんなに小さくてもほぼ2mm
程度は必要である。これに対し、ICチップ60の厚み
は1mm以下、たとえば0.4mm程度である。従っ
て、アイランド71にマウントされた状態でもICチッ
プ60の上方にモールド樹脂1が厚く充填された空間が
形成される。そこで、本例の圧電発振器10において
は、この空間にヒートシンク90を取り付け、モールド
樹脂1内の熱、特に、ICチップ60から上方に伝導さ
れた熱を外部に放出できるようにしている。また、図9
でも判るように、ヒートシンク90をモールド樹脂1に
よって成形されたパッケージの側面2から振動子のケー
ス51の近傍まで延ばしてあり、ケース51からの放熱
も同時に行えるようにしている。
In the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, a heat sink 90 is further attached by utilizing a space above the IC chip 60. That is, at present, the thickness of the case 51 of the vibrator is almost 2 mm, no matter how small.
Degree is necessary. On the other hand, the thickness of the IC chip 60 is 1 mm or less, for example, about 0.4 mm. Therefore, a space filled with the mold resin 1 is formed above the IC chip 60 even when the IC chip 60 is mounted on the island 71. Therefore, in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, a heat sink 90 is attached to this space so that heat in the mold resin 1, particularly, heat conducted upward from the IC chip 60 can be released to the outside. FIG.
As can be seen, the heat sink 90 extends from the side surface 2 of the package formed by the mold resin 1 to the vicinity of the case 51 of the vibrator, so that heat can be radiated from the case 51 at the same time.

【0050】図10に、ヒートシンク90の取り付けら
れた本例の圧電発振器10の外観を示してある。本例で
は、トランスファーモールドする際にICチップ60の
上方の空間が凸になった金型を用いて成形し、モールド
樹脂1によってほぼ方形に成形された圧電発振器1の外
面に凹んだ部分3を形成する。そして、この凹んだ部分
3にアルミニウムなどの金属で形成した広い放熱用の面
91を備えたヒートシンク90を熱伝導性の良い接着剤
等で固定する。このように本例の圧電発振器10におい
ては、ICチップの上方の空間で従来モールド樹脂によ
って埋められていた空間にヒートシンク90を装着する
ことによって放熱効果を高めている。従って、ヒートシ
ンク90を取り付けても圧電発振器1が大きくなること
はなく、小型、薄型で放熱効果の高い圧電発振器を実現
できる。また、従来、モールド樹脂によって埋められて
いた空間を削減できるので、熱の蓄積される部分を低減
できる。
FIG. 10 shows the appearance of the piezoelectric oscillator 10 according to the present embodiment to which the heat sink 90 is attached. In this example, when performing transfer molding, molding is performed using a mold in which the space above the IC chip 60 is convex, and a concave portion 3 is formed on the outer surface of the piezoelectric oscillator 1 which is formed in a substantially rectangular shape by the molding resin 1. Form. Then, a heat sink 90 having a wide heat dissipation surface 91 made of metal such as aluminum is fixed to the recessed portion 3 with an adhesive having good heat conductivity. As described above, in the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, the heat radiation effect is enhanced by mounting the heat sink 90 in the space above the IC chip, which is conventionally filled with the mold resin. Therefore, even if the heat sink 90 is attached, the size of the piezoelectric oscillator 1 does not increase, and a small, thin, and high heat radiation piezoelectric oscillator can be realized. Further, since the space conventionally filled with the mold resin can be reduced, a portion where heat is accumulated can be reduced.

【0051】図11に、本例の圧電発振器をトランスフ
ァーモールド型100を用いて成形する様子を示してあ
る。トランスファーモールド型は上方の金型101と下
方の金型102から構成されており、それぞれに圧電発
振器10をパッケージングする凹み103および104
が設けられている。下方の金型102の凹み104に
は、放熱板18および19を所定の位置に固定するピン
105および106が設けられている。このピン105
および106を設けることによって放熱板の位置決めを
容易に行え、また、モールド時の樹脂の注入圧によって
放熱板が移動したり、傾くなどのトラブルを未然に防止
できる。本例においては、放熱板をアイランド71ある
いはケース51と熱接触を確保できるようにモールド樹
脂によって固定する必要があるので、本例のトランスフ
ァーモールド型のように放熱板の位置決めが精度良く行
えるものが望ましい。ピン以外に、放熱板の位置を精度
良く保てるようにトランスファーモールド型に凹凸を付
けるなどの方法を採用してももちろん良い。
FIG. 11 shows a state in which the piezoelectric oscillator of this embodiment is formed by using a transfer mold 100. The transfer mold comprises an upper mold 101 and a lower mold 102, each of which has recesses 103 and 104 for packaging the piezoelectric oscillator 10.
Is provided. Pins 105 and 106 for fixing the heat radiating plates 18 and 19 at predetermined positions are provided in the concave portion 104 of the lower mold 102. This pin 105
By providing the heat sink 106 and the heat sink 106, positioning of the heat sink can be easily performed, and troubles such as the heat sink moving or tilting due to the injection pressure of the resin at the time of molding can be prevented. In this embodiment, the heat sink needs to be fixed with a mold resin so that thermal contact with the island 71 or the case 51 can be ensured. desirable. In addition to the pins, it is of course possible to adopt a method such as making the transfer mold die uneven so that the position of the heat radiating plate can be accurately maintained.

【0052】また、上方の金型101の凹み103に
は、ヒートシンクを設置する凹み3を形成する凸部10
7が設けられている。このようなトランスファーモール
ド型100に振動子50およびICチップ60の実装さ
れたリードフレーム70と、放熱板18および19をセ
ットし、リードフレームの外側を残してトランスファー
モールドによりプラスチックパッケージ本体に樹脂モー
ルドする。モールドしたのち、リードフレームのインナ
ーリードなどを接続するタイバー等を切断除去し、プラ
スチックパッケージから突出したアウターリードの部分
を曲げ加工する。さらに、上述したヒートシンク90を
接着などによって固定することによってSOJパッケー
ジ形状の発振器が得られる。
The upper concave portion 103 of the mold 101 has a convex portion 10 for forming a concave portion 3 for installing a heat sink.
7 are provided. The lead frame 70 on which the vibrator 50 and the IC chip 60 are mounted and the heat radiating plates 18 and 19 are set in such a transfer mold 100, and resin molding is performed on the plastic package body by transfer molding except for the outside of the lead frame. . After molding, the tie bars and the like connecting the inner leads of the lead frame are cut and removed, and the outer lead portions protruding from the plastic package are bent. Further, by fixing the above-described heat sink 90 by bonding or the like, an oscillator having a SOJ package shape can be obtained.

【0053】本例の圧電発振器は、ICチップ60から
発生した熱を主に逃がす放熱板18と、振動子のケース
51から振動子に伝わった熱を主に逃がす放熱板19
と、さらに、ICチップの上面からモールド樹脂のパッ
ケージに蓄積された熱を主に逃がすヒートシンク90の
3つの手段を設け、圧電発振器に発生した熱を積極的に
放出できるようにしている。本例の圧電発振器は、これ
らの放熱板およびヒートシンクを設けることによって、
実施例1で詳述したように熱抵抗値を従来に比ベ50〜
70%程度に低減できることが実験等によって確認され
ている。従って、ICチップのジャンクション温度も低
下しチップの信頼性は非常に高い。また、振動子の周波
数変動も抑制され、長期信頼性も確保される。
The piezoelectric oscillator of this embodiment has a radiator plate 18 for mainly releasing heat generated from the IC chip 60 and a radiator plate 19 for mainly releasing heat transmitted from the vibrator case 51 to the vibrator.
Further, three means of a heat sink 90 for mainly releasing the heat accumulated in the mold resin package from the upper surface of the IC chip are provided so that the heat generated in the piezoelectric oscillator can be positively released. The piezoelectric oscillator of this example is provided with these heat sinks and heat sinks,
As described in detail in Example 1, the thermal resistance value is 50 to
It has been confirmed by experiments and the like that it can be reduced to about 70%. Therefore, the junction temperature of the IC chip is also lowered, and the reliability of the chip is very high. In addition, frequency fluctuation of the vibrator is suppressed, and long-term reliability is also ensured.

【0054】放熱板あるいはヒートシンクといった手段
から放出される熱は、上述した実施例の放熱用リードな
どから放出される熱と同様にそれぞれの大きさ、材料等
によって自由に調整できる。従って、ICチップ、振動
子などの熱管理を個別具体的に行える。このため、それ
ぞれの素子の発熱量、あるいは外部温度の変動などによ
る影響を考慮した最適な熱管理の基で設計された圧電発
振器を提供することができる。もちろん、放熱板の代わ
りにヒートシンクを取り付けることも可能であり、この
逆も可能である。また、放熱板の数量はICチップおよ
び振動子の各々に対応した数に限定されることはなく、
それぞれの素子に複数の放熱板を設け、放出される熱量
を素子の場所などによって調整すること可能である。ま
た、ICチップおよび振動子に共通する放熱板を設けて
ももちろん良い。
The heat radiated from the means such as the heat radiating plate or the heat sink can be freely adjusted by the size, material, etc., similarly to the heat radiated from the heat radiating lead of the above-described embodiment. Therefore, heat management of the IC chip, the vibrator, and the like can be individually and specifically performed. For this reason, it is possible to provide a piezoelectric oscillator designed based on optimal heat management in consideration of the amount of heat generated by each element or the influence of fluctuations in the external temperature. Of course, it is also possible to attach a heat sink instead of a heat sink, and vice versa. Also, the number of heat sinks is not limited to the number corresponding to each of the IC chip and the vibrator,
It is possible to provide a plurality of heat sinks for each element and adjust the amount of heat released depending on the location of the element. Further, a heat radiating plate common to the IC chip and the vibrator may be provided.

【0055】(実施例4)図12に、本発明の実施例4
に係る圧電発振器20の内部の配置を上から見た様子を
示してあり、図13に側面から見た様子を示してある。
本例の圧電発振器20は、ICチップ60、リードフレ
ーム70および振動子50がこの順番に図13の下方か
ら積層され、モールド樹脂1によってほぼ方形に封止さ
れた圧電発振器である。この圧電発振器20において
も、ICチップ60がアイランド71に導電性接着剤な
どによって固定されており、チップ60の電極61と各
リードは上記の圧電発振器10と同様にワイヤーボンデ
ィング線79によって接続されている。そこで、上記の
実施例と共通する部分については、同じ符号を付して説
明を省略する。
(Embodiment 4) FIG. 12 shows Embodiment 4 of the present invention.
13 is viewed from above, and FIG. 13 is viewed from the side.
The piezoelectric oscillator 20 of this example is a piezoelectric oscillator in which an IC chip 60, a lead frame 70, and a vibrator 50 are laminated in this order from below in FIG. Also in this piezoelectric oscillator 20, the IC chip 60 is fixed to the island 71 by a conductive adhesive or the like, and the electrode 61 of the chip 60 and each lead are connected by a wire bonding wire 79 in the same manner as the above-described piezoelectric oscillator 10. I have. Therefore, portions common to the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0056】本例の圧電発振器20は、振動子のケース
51がアイランド71のICチップ60のマウントされ
た面71aと反対側の面71bにマウントされている。
そして、アイランド71の両側につながったリードフレ
ームの吊りピン部74aおよび74bのICチップのマ
ウントされた面71aの側に2つの放熱板21aおよび
21bを接続してある。従って、アイランド71を介し
てICチップ60に発生した熱が効率良く放熱され、I
Cチップ60の温度上昇を抑制できる。また、振動子5
0の側に伝わる熱量も低減されるので、振動子50の熱
影響も少なくなる。
In the piezoelectric oscillator 20 of this embodiment, the case 51 of the vibrator is mounted on the surface 71b of the island 71 opposite to the surface 71a on which the IC chip 60 is mounted.
Then, two heat sinks 21a and 21b are connected to the suspension pin portions 74a and 74b of the lead frame connected to both sides of the island 71 on the surface 71a on which the IC chip is mounted. Therefore, the heat generated in the IC chip 60 through the island 71 is efficiently radiated, and
The temperature rise of the C chip 60 can be suppressed. Also, the vibrator 5
Since the amount of heat transmitted to the zero side is also reduced, the thermal effect of the vibrator 50 is also reduced.

【0057】本例の圧電発振器20は、ICチップ60
と振動子50が積層されたタイプなので基板に実装する
際の面積が少なくて済む。しかしながら、発振器全体が
厚くなるのでICチップ60と振動子50との距離か確
保できず、振動子は比較的熱の影響を受けやすい状況に
ある。そこで、本例の圧電発振器20においては、上記
のように吊りピン部74aおよび74bに放熱板21a
および21bを設けることにより、パッケージの厚みを
増やさずにICチップ60からの熱を積極的に逃がし、
振動子50に対する熱影響を抑制するようにしている。
ICチップ60と振動子50は図13に示した順番と逆
に配置してももちろん良い。しかし、本例のように吊り
ピン部74aおよび74bから基板に接触する面に放熱
板を露出させれば、基板に放熱用のパターンを設けるこ
とによってさらに放熱効果を高めることができる。な
お、放熱板の数量および位置は本例に限定されないこと
はもちろんである。
The piezoelectric oscillator 20 according to the present embodiment includes an IC chip 60
And the vibrator 50 are stacked, so that the area required for mounting on a substrate can be reduced. However, since the entire oscillator becomes thick, a distance between the IC chip 60 and the vibrator 50 cannot be secured, and the vibrator is relatively easily affected by heat. Therefore, in the piezoelectric oscillator 20 of the present embodiment, as described above, the heat sinks 21a are attached to the suspension pin portions 74a and 74b.
And 21b, the heat from the IC chip 60 is actively released without increasing the thickness of the package,
The thermal effect on the vibrator 50 is suppressed.
Of course, the IC chip 60 and the vibrator 50 may be arranged in the reverse order as shown in FIG. However, if the heat radiating plate is exposed from the hanging pin portions 74a and 74b to the surface that comes into contact with the substrate as in this example, the heat radiating effect can be further enhanced by providing the substrate with a heat radiating pattern. Note that the number and position of the heat sinks are not limited to this example.

【0058】(実施例5)図14に本発明の実施例5に
係る圧電発振器20の内部の配置を上方からみた様子を
示してあり、図15に側方から見た様子を示してある。
本例の圧電発振器20は、リードフレーム70、ICチ
ップ60および振動子50をこの順番で積層し、モール
ド樹脂によって封止したものである。なお、振動子5
0,ICチップ60の構成等は上記の実施例と同様に共
通する部分については同じ番号を付して説明を省略す
る。
(Embodiment 5) FIG. 14 shows the internal arrangement of a piezoelectric oscillator 20 according to Embodiment 5 of the present invention as viewed from above, and FIG. 15 shows the arrangement as viewed from the side.
The piezoelectric oscillator 20 of the present embodiment is obtained by laminating a lead frame 70, an IC chip 60, and a vibrator 50 in this order, and sealing them with a mold resin. The vibrator 5
In the same manner as in the above embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the above-described embodiment, and the description thereof is omitted.

【0059】本例のリードフレーム70は、ICチップ
60をマウントする平板状のアイランド71が、その両
サイドの吊りピン部74に対し図15の上下方向にずら
した位置となるようにプレス加工してある。このディプ
レス量hはICチップ60の厚みt以上となるように設
定されており、たとえば、ICチップ60の厚みtが
0.4mmの場合は、ディプレス量hを0.5mm程度
に設定してある。このように寸法を設定すると、振動子
50のシリンダー状のケース51はリードフレーム70
の吊りピン部74に接するように配置されるので、ケー
ス51の表面とICチップ60の表面との間に0.1〜
0.15mm程度の隙間22が開く。この程度の隙間2
2を設けておくと、振動子50とICチップ60との短
絡を防止できる。また、充填時にモールド樹脂がこの隙
間22を通って流れるので、充填性が良くなる。
The lead frame 70 of this embodiment is pressed so that the plate-like island 71 on which the IC chip 60 is mounted is displaced in the vertical direction in FIG. It is. The depressed amount h is set to be equal to or more than the thickness t of the IC chip 60. For example, when the thickness t of the IC chip 60 is 0.4 mm, the depressed amount h is set to about 0.5 mm. It is. When the dimensions are set in this manner, the cylindrical case 51 of the vibrator 50 is
Is disposed so as to be in contact with the suspension pin portion 74 of the IC chip 60.
A gap 22 of about 0.15 mm opens. This gap 2
By providing 2, the short circuit between the vibrator 50 and the IC chip 60 can be prevented. In addition, since the mold resin flows through the gap 22 at the time of filling, the filling property is improved.

【0060】本例の圧電発振器20においては、リード
フレーム70、ICチップ60および振動子50をこの
順番で積層することによっていくつかのメリットが得ら
れる。まず、リードフレーム70のアイランド71の裏
面71bをモールド樹脂1の外側に露出させることがで
きる。リードフレーム70をICチップ60と振動子5
0との間に配置するのではなく、ICチップ60に対し
振動子50と反対側に配置することによって、その一部
をモールド樹脂1から露出させることができる。
In the piezoelectric oscillator 20 of this embodiment, several advantages can be obtained by stacking the lead frame 70, the IC chip 60 and the vibrator 50 in this order. First, the back surface 71 b of the island 71 of the lead frame 70 can be exposed outside the mold resin 1. The lead frame 70 is connected to the IC chip 60 and the vibrator 5
By disposing the IC chip 60 on the side opposite to the vibrator 50 instead of the IC chip 60, a part of the IC chip 60 can be exposed from the mold resin 1.

【0061】すなわち、リードフレーム70の両側にI
Cチップ60と振動子50をそれぞれ配置するのではな
く、リードフレーム70の一方の側にICチップ60と
振動子50を配置することによってリードフレーム70
の他の側をモールド樹脂1から外に出すことができる。
本例では、アイランド71が振動子50およびICチッ
プ60の配置された方向と逆方向にデイプレスされてい
るので、ICチップのマウントされた面71aと反対側
の裏面71bが露出する。そして、アイランドの面71
aにICチップ60は導電性の接着剤などによって固定
されているので、裏面71bを露出させることによって
効率良くICチップ60に発生した熱を放出できる。ま
た、本例の圧電発振器20では、基板と接する側にアイ
ランドの裏面71bを露出させてあるので、たとえば基
板に放熱用のパターンを成形するなど、基板を用いて放
熱効果を高めることも可能である。このように、本例の
圧電発振器によって、小型で放熱効果が高く温度上昇の
少ない圧電発振器20を実現できる。
That is, on both sides of the lead frame 70, I
By disposing the IC chip 60 and the vibrator 50 on one side of the lead frame 70 instead of disposing the C chip 60 and the vibrator 50 respectively,
The other side can be taken out of the mold resin 1.
In this example, since the island 71 is depressed in the direction opposite to the direction in which the vibrator 50 and the IC chip 60 are arranged, the back surface 71b opposite to the surface 71a on which the IC chip is mounted is exposed. And the surface 71 of the island
Since the IC chip 60 is fixed to a by a conductive adhesive or the like, the heat generated in the IC chip 60 can be efficiently released by exposing the back surface 71b. Further, in the piezoelectric oscillator 20 of the present example, since the back surface 71b of the island is exposed on the side in contact with the substrate, the heat radiation effect can be enhanced by using the substrate, for example, by forming a pattern for heat radiation on the substrate. is there. As described above, the piezoelectric oscillator 20 of the present embodiment can realize a small-sized piezoelectric oscillator 20 having a high heat radiation effect and a small temperature rise.

【0062】さらに、本例の圧電発振器20は、ICチ
ップ60の表面のうち、電極61の配置された面64の
上の空間23に振動子50を配置してある。従って、電
極とリードをワイヤーボンディングする空間23が振動
子50を設置するための空間としても使用できるので、
圧電発振器全体の厚みを低減できる。ICチップ60と
振動子50を積層したタイプの圧電発振器20は、実装
面積は小さくて済むのに対し、基板上に十分な高さが必
要であった。これに対し、本例の圧電発振器20では、
圧電発振器20を薄くできるので、基板上のクリアラン
スも小さくてすみ、実装に必要な空間を低減できる。特
に、本例の振動子50はシリンダー状のケース51を備
えており、ICチップ60の表面64には、ケース51
の長手方向に沿って電極61を配置してある。従って、
電極とリードとの配線スペースとしてケース51の湾曲
した側面とICチップの表面との隙間を用いることが可
能となり、このスペースにケース51から適当な間隔を
有するループ形状に配線することができる。間隔は、た
とえば0.2mm程度以上が望ましく、これによって、
短絡の発生する危険のないコンパクトな圧電発振器を提
供することかできる。
Further, in the piezoelectric oscillator 20 of the present embodiment, the vibrator 50 is arranged in the space 23 on the surface 64 on which the electrode 61 is arranged on the surface of the IC chip 60. Therefore, the space 23 for wire-bonding the electrode and the lead can be used as a space for installing the vibrator 50,
The thickness of the entire piezoelectric oscillator can be reduced. The piezoelectric oscillator 20 of the type in which the IC chip 60 and the vibrator 50 are stacked requires a small mounting area, but requires a sufficient height on the substrate. On the other hand, in the piezoelectric oscillator 20 of the present embodiment,
Since the piezoelectric oscillator 20 can be made thin, the clearance on the substrate can be small, and the space required for mounting can be reduced. In particular, the vibrator 50 of this example includes a cylindrical case 51, and a case 51 is provided on the surface 64 of the IC chip 60.
The electrodes 61 are arranged along the longitudinal direction. Therefore,
It is possible to use a gap between the curved side surface of the case 51 and the surface of the IC chip as a wiring space between the electrode and the lead, and it is possible to wire the space from the case 51 in a loop shape with an appropriate interval. The interval is desirably, for example, about 0.2 mm or more.
It is possible to provide a compact piezoelectric oscillator that does not cause a short circuit.

【0063】また、本例の圧電発振器20においては、
振動子のケース51がリードフレームの吊りピン部74
によって支持され、さらに、このリードフレーム70は
モールド樹脂1の外側に露出するアイランドの裏面71
によって外部から支持される。従って、トランスファー
モールド中に振動子50の位置を精度良く決めることが
できる。
Further, in the piezoelectric oscillator 20 of this embodiment,
The vibrator case 51 is connected to the suspension pin 74 of the lead frame.
Further, the lead frame 70 is provided on the back surface 71 of the island exposed outside the mold resin 1.
Supported from the outside. Therefore, the position of the vibrator 50 can be accurately determined during the transfer molding.

【0064】本例の圧電発振器20は、さらに、振動子
とICチップがリードフレームの同じ側に配置されてい
るので、製造工程がシンプルとなり歩留りのよい製造が
可能となる。また、製造コストの低減も可能となる。
In the piezoelectric oscillator 20 of the present embodiment, since the vibrator and the IC chip are arranged on the same side of the lead frame, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing with a high yield is possible. Further, the manufacturing cost can be reduced.

【0065】図16および図17に、本例の圧電発振器
20を製造する際に用いられるトランスファーモールド
型100の例を示してある。このトランスファーモール
ド型100は、先に説明した金型と同様に上方の金型1
01と下方の金型102に分離されており、それぞれに
圧電発振器20の外観を決める凹んだ部分103および
104が形成されている。振動子のケース51は、その
先端および振動子リード側をリードフレームの吊りピン
部74aおよび74bに支持された状態で下方の金型1
02にセットされる。上方の金型101の凹んだ部分1
03には、ケース51と接触する箇所にピン107およ
び108を設けてある。従って、上方の金型101を下
方の金型102の上にセットすると、振動子のケース5
1は、上下からピン107、108および吊りピン部7
4a、74bによって挟まれた状態となる。さらに、吊
りピン部74aおよび74bは下方の金型102と接し
たアイランド71から圧力がかかる。このため、振動子
のケース51は上下の金型101および102によって
挟み込まれた状態となり金型100の所定の位置に固定
される。これとは逆に、アイランドの裏面71bは振動
子のケース51を介して上方の金型101によって下方
の金型102に押しつけられる。従って、アイランドの
裏面71bは金型102の面に密着され、モールド樹脂
がその間に流れ込まないので、確実にモールド樹脂から
裏面71を露出させることができる。さらに、金型10
2の凹み104にアイランドの裏面71bによって覆わ
れるような穴を設けておけば、金型102の表面とアイ
ランドの裏面71bはモールド樹脂め圧力の作用によっ
て確実に接触する。このため、注入されたモールド樹脂
がアイランドの裏面71bにまで回り込むことは完全に
防止できる。
FIGS. 16 and 17 show an example of a transfer mold 100 used for manufacturing the piezoelectric oscillator 20 of this embodiment. This transfer mold 100 is similar to the mold described above in that the upper mold 1
01 and a lower mold 102, and concave portions 103 and 104 that determine the appearance of the piezoelectric oscillator 20 are formed in each of them. The case 51 of the vibrator has a lower mold 1 with its tip and the vibrator lead side supported by the suspension pin portions 74a and 74b of the lead frame.
Set to 02. Depressed part 1 of upper mold 101
03 is provided with pins 107 and 108 at locations that come into contact with the case 51. Therefore, when the upper mold 101 is set on the lower mold 102, the vibrator case 5
1 includes pins 107 and 108 and a hanging pin 7 from above and below.
4a and 74b. Further, the suspension pin portions 74a and 74b receive pressure from the island 71 in contact with the lower mold 102. For this reason, the case 51 of the vibrator is sandwiched between the upper and lower molds 101 and 102, and is fixed at a predetermined position of the mold 100. On the contrary, the back surface 71b of the island is pressed against the lower mold 102 by the upper mold 101 via the case 51 of the vibrator. Therefore, the back surface 71b of the island is in close contact with the surface of the mold 102, and the molding resin does not flow therebetween, so that the back surface 71 can be reliably exposed from the molding resin. Further, the mold 10
If a hole is provided in the second recess 104 so as to be covered by the back surface 71b of the island, the front surface of the mold 102 and the back surface 71b of the island are surely brought into contact by the action of the mold resin pressure. Therefore, it is possible to completely prevent the injected mold resin from reaching the back surface 71b of the island.

【0066】金型101に設けられたピン107および
108の先端は、シリンダー状のケース51の表面に合
わせて湾曲した形状にすることも可能であり、これによ
ってさらに水平方向の位置精度を高められる。このよう
にトランスファーモールド型100の中で、振動子50
の位置は非常に精度良く決まる。従って、振動子50を
カバーするモールド樹脂は、ケースの位置のずれなどを
考慮した厚みとする必要はなく、必要最小限の厚みにで
きる。本例では、たとえば、ケース51の上方の最小厚
みがモールド樹脂の充填性を考慮した約0.15mmと
なるように設定でき、ケース51の外側に非常に薄いモ
ールド樹脂の膜が作られる。
The tips of the pins 107 and 108 provided on the mold 101 can be formed in a curved shape in accordance with the surface of the cylindrical case 51, thereby further improving the positional accuracy in the horizontal direction. . As described above, in the transfer mold 100, the vibrator 50
Is determined very accurately. Therefore, the thickness of the mold resin that covers the vibrator 50 does not need to be set in consideration of the displacement of the case, and can be set to the minimum necessary thickness. In this example, for example, the minimum thickness above the case 51 can be set to about 0.15 mm in consideration of the filling property of the mold resin, and a very thin mold resin film is formed outside the case 51.

【0067】このように、本例の圧電発振器20では振
動子のケース51を覆うモールド樹脂が非常に薄いの
で、圧電発振器全体の高さを、たとえば2.7mm程度
と低くすることができる。また、薄い膜状のモールド樹
脂によって覆われているだけなので放熱効果も良く、I
Cチップからの熱影響も少なくなる。
As described above, in the piezoelectric oscillator 20 of this embodiment, since the mold resin covering the vibrator case 51 is very thin, the overall height of the piezoelectric oscillator can be reduced to, for example, about 2.7 mm. Also, since it is only covered with a thin film-shaped mold resin, the heat radiation effect is also good.
The heat influence from the C chip is also reduced.

【0068】図18に、本例の圧電発振器20の外観を
示してある。本例のモールドされた圧電発振器20の上
面26には、ケース51の表面まで貫通した穴24と凹
み25が表れる。これらの穴24および凹み25は、モ
ールド型に形成されたピン107および108の跡であ
る。穴24の直径は約0.6mm程度である。また、凹
み25は、圧電発振器20の一番ピンの位置を示す一番
ピンマークとしても利用される。本例の圧電発振器20
の側面2から突出したリードの先端75は、ガルウィン
グ状に曲げられておりSOPタイプの14ピンのパッケ
ージとなっている。
FIG. 18 shows the appearance of the piezoelectric oscillator 20 of this embodiment. In the upper surface 26 of the molded piezoelectric oscillator 20 of this example, a hole 24 and a recess 25 penetrating to the surface of the case 51 appear. These holes 24 and depressions 25 are traces of pins 107 and 108 formed in the mold. The diameter of the hole 24 is about 0.6 mm. The recess 25 is also used as a first pin mark indicating the position of the first pin of the piezoelectric oscillator 20. Piezoelectric oscillator 20 of this example
The tip 75 of the lead projecting from the side surface 2 is bent in a gull wing shape to form an SOP type 14-pin package.

【0069】図19に、ICチップ60とつながった接
続用リード73に、振動子の振動子リード52を接続す
る様子を示してある。本例の接続用リード73の振動子
リード52とつながる部分73cには銀メッキ27が施
されており、振動子リード52と接続用リード73は抵
抗スポット溶接によって接続される。抵抗スポット溶接
では、クロム鋼などの高導電性の電極28で接続用リー
ドの接続端73cと振動子リード52とを上下からサン
ドイッチ状態に挟み込み、大電流を流して金属を溶接す
る。本例の接続用リードの端73cには表面に数μm程
度の銀メッキ27が施されているので、溶接界面におけ
る電流密度が安定し爆飛等の溶接不良のない良好な溶接
が可能となる。これは特に接続用リード73を構成する
Cu合金系リードフレームと、振動子リード52を構成
する鉄合金系リードといった異種金属の溶接に効果があ
る。接続用リード73に施す銀メッキは、他のリードフ
レームのワイヤーボンディングを行う箇所(2ndボン
ディング部)に銀メッキを施すときに同時に行える。す
なわち、リードフレーム70のワイヤーボンディングを
行う位置と、接続用リードの接続端73cとは同じ面に
あるため、同一プロセスで銀メッキ加工が行える。従っ
て、製造コストの上昇や工数を増やすことなく接続用リ
ード73に銀メッキを行え、振動子とリードの接続点の
信頼性を高めることができる。これによって、品質の高
い圧電発振器を提供することができる。
FIG. 19 shows a state in which the vibrator lead 52 of the vibrator is connected to the connection lead 73 connected to the IC chip 60. Silver plating 27 is applied to a portion 73c of the connection lead 73 of the present example that is connected to the transducer lead 52, and the transducer lead 52 and the connection lead 73 are connected by resistance spot welding. In resistance spot welding, the connection end 73c of the connection lead and the vibrator lead 52 are sandwiched from above and below by a highly conductive electrode 28 such as chrome steel, and a large current is applied to weld the metal. The end 73c of the connection lead of this example is coated with silver plating 27 of about several μm on the surface, so that the current density at the welding interface is stable, and good welding without welding defects such as explosion can be performed. . This is particularly effective for welding different metals such as a Cu alloy lead frame forming the connection lead 73 and an iron alloy lead forming the vibrator lead 52. The silver plating on the connection leads 73 can be performed at the same time as the silver plating is performed on a portion (2nd bonding portion) of another lead frame where wire bonding is performed. That is, since the position where the wire bonding of the lead frame 70 is performed and the connection end 73c of the connection lead are on the same surface, silver plating can be performed in the same process. Accordingly, silver plating can be performed on the connection lead 73 without increasing the manufacturing cost or increasing the number of steps, and the reliability of the connection point between the vibrator and the lead can be increased. Thereby, a high quality piezoelectric oscillator can be provided.

【0070】図20に、振動子50を基板に実装する側
に配置した本例の圧電発振器20の構成を側方から見た
状態を示してある。この圧電発振器20においては、ア
ウターリード75の曲げ方向を上記の圧電発振器とは逆
に振動子側にしてある。従って、この圧電発振器20を
実装すると、アイランドの裏面71bは基板の表面に表
れるので、基板に熱を流さなくとも高い放熱効果が得ら
れる。
FIG. 20 shows the configuration of the piezoelectric oscillator 20 of the present example in which the vibrator 50 is arranged on the side where the vibrator 50 is mounted on the substrate, as viewed from the side. In the piezoelectric oscillator 20, the bending direction of the outer lead 75 is set to the vibrator side opposite to the piezoelectric oscillator. Therefore, when the piezoelectric oscillator 20 is mounted, the back surface 71b of the island appears on the surface of the substrate, so that a high heat radiation effect can be obtained without flowing heat to the substrate.

【0071】図21および図22に、QFP(Quad
Flat Packages)形状をした本例の圧電
発振器20の例を示してある。本例のように、シリンダ
ー状のケース51を対角線に沿って配置することによっ
てICチップ60と振動子50をコンパクトに纏めて小
型化されたQFP形状の圧電発振器20を提供すること
ができる。本例の圧電発振器20でも、リードフレーム
70,ICチップ60および振動子50がこの順番に積
層され、アイランド71の裏面が露出しているので、高
さが低くコンパクトで放熱性の良い、すなわち、熱抵抗
値の小さな圧電発振器20を実現できる。この他にも、
QFJ(Quad Flat J−1ead Pack
ages)形状の圧電発振器や、SOJ(Small
Outline J−lead Packages)形
状の圧電発振器など他の形状のパッケージング化された
圧電発振器を提供することができ、これらの高さはほぼ
2.7mmと非常に薄くすることができる。
FIGS. 21 and 22 show a QFP (Quad).
2 shows an example of a piezoelectric oscillator 20 of the present example having a flat package shape. By arranging the cylindrical case 51 along the diagonal line as in this example, the IC chip 60 and the vibrator 50 can be compactly combined to provide the miniaturized QFP-shaped piezoelectric oscillator 20. Also in the piezoelectric oscillator 20 of this example, the lead frame 70, the IC chip 60, and the vibrator 50 are stacked in this order, and the back surface of the island 71 is exposed. The piezoelectric oscillator 20 having a small thermal resistance value can be realized. Besides this,
QFJ (Quad Flat J-1 head Pack)
Ages) -shaped piezoelectric oscillator, SOJ (Small
Other shapes of packaged piezoelectric oscillators, such as Outline J-lead Packages), can be provided, and their height can be very thin, approximately 2.7 mm.

【0072】(実施例6)図23および図24に、本発
明の実施例6に係る圧電発振器10および20の構成を
横から見た様子を示してある。図23に示した圧電発振
器10は、振動子50とICチップ60が並列に配置さ
れ、アウターリード75がJ字型に曲げ加工されたSO
Jタイプの圧電発振器である。また、図24に示した圧
電発振器20は、リードフレーム70,ICチップ60
および振動子50がこの順番で積層され、アウターリー
ド75がガルウィング状に曲げ加工されたSOPタイプ
の圧電発振器である。これらの発振器10および20の
主な構成は上述した実施例においてすでに詳述している
ので、共通する部分に同じ符号を付して説明を省略す
る。
(Embodiment 6) FIGS. 23 and 24 show configurations of piezoelectric oscillators 10 and 20 according to Embodiment 6 of the present invention as viewed from the side. In the piezoelectric oscillator 10 shown in FIG. 23, an oscillator 50 and an IC chip 60 are arranged in parallel, and an outer lead 75 is bent into a J-shape.
This is a J-type piezoelectric oscillator. Further, the piezoelectric oscillator 20 shown in FIG.
And the vibrator 50 are laminated in this order, and the outer lead 75 is a SOP type piezoelectric oscillator bent into a gull wing shape. Since the main configurations of these oscillators 10 and 20 have already been described in detail in the above-described embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0073】これらの本例の圧電発振器10および20
においては、シリンダー状の振動子50のケース51の
上方がモールド樹脂1から露出している。本例の圧電発
振器10においては、ケースの露出した部分55は、ケ
ースの円周状の断面のほぼ1/3程度以内に止めてあ
り、振動子リードがモールド樹脂から露出したり、ある
いはケース51がモールド樹脂から外れるなどのトラブ
ルを未然に防止している。本例のケース51は、銅−ニ
ッケル−亜鉛合金で形成されており、図23に示したS
OPタイプの圧電発振器10では、露出したケースの面
55にニッケルメッキを施してある。露出したケースの
面55にニッケルメッキを施すことによって、半田が間
違って付着することを防止できる。従って、リフロー炉
などの中で半田が溶けて飛散してもケースの面55に付
くのを防ぐことができる。リフロー炉などの中で半田が
付着し、実装後に外れると、短絡などの原因となり装置
の信頼性に影響を与えるが、本例のように半田が付かな
いようにしておけば、このようなトラブルは未然に防止
できる。
The piezoelectric oscillators 10 and 20 of this embodiment
In, the upper part of the case 51 of the cylindrical vibrator 50 is exposed from the mold resin 1. In the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment, the exposed portion 55 of the case is stopped within approximately one third of the circumferential cross section of the case, and the vibrator lead is exposed from the mold resin or the case 51 Troubles such as coming off of the mold resin are prevented beforehand. The case 51 of the present example is formed of a copper-nickel-zinc alloy, and has a structure shown in FIG.
In the OP type piezoelectric oscillator 10, the exposed surface 55 of the case is plated with nickel. By applying nickel plating to the exposed surface 55 of the case, it is possible to prevent solder from being erroneously attached. Therefore, even if the solder is melted and scattered in a reflow furnace or the like, it can be prevented from sticking to the surface 55 of the case. If the solder adheres in a reflow oven or the like and comes off after mounting, it may cause a short circuit and affect the reliability of the device. Can be prevented beforehand.

【0074】さらに、図24に示した振動子の露出した
面55には放熱用のフィン95を導電性の接着剤などを
用いて取り付けてある。従って、ケース51に伝わった
熱量を効率的に放出することができる。これら本例の圧
電発振器10および20は、振動子のケースの一部をモ
ールド樹脂の外側に露出させている。従って、ICチッ
プ60からケース51に伝わった熱はもちろんのこと、
モールド樹脂内に蓄積された熱もケース51を介して放
熱できる。従って、ケース51内部に設けられた水晶振
動子、SAW共振子への熱影響を抑制することができ
る。
Further, fins 95 for heat radiation are attached to the exposed surface 55 of the vibrator shown in FIG. 24 using a conductive adhesive or the like. Therefore, the amount of heat transmitted to the case 51 can be efficiently released. In the piezoelectric oscillators 10 and 20 of these examples, a part of the case of the vibrator is exposed outside the mold resin. Therefore, not only the heat transmitted from the IC chip 60 to the case 51,
The heat accumulated in the mold resin can also be radiated through the case 51. Therefore, it is possible to suppress the thermal influence on the crystal unit and the SAW resonator provided inside the case 51.

【0075】(実施例7)図25に、本発明の実施例7
に係る圧電発振器30を示してある。本例の圧電発振器
30は、セラミック製のパッケージ31にICチップ6
0と水晶振動子あるいはSAW共振子といった圧電素子
53が格納され、金属製もしくはセラミック製のカバー
39で封止されたものである。図25(a)は、カバー
39と圧電素子53を取り除いた状態でパッケージ31
内の配置を上方からみた様子を示してあり、図25
(b)および(c)はパッケージ31内の配置を側方か
らみた様子を示してある。本例のパッケージ31の内部
は2層に別れており、パッケージ31の底面32に当た
る第1層にICチップ60が設置されている。また、こ
のICチップ60よりも高い位置にパッケージと同様の
セラミックあるいは他の絶縁材によって段部33が形成
されており、この段部33の上面34が圧電素子53の
設置された第2層となっている。
(Embodiment 7) FIG. 25 shows Embodiment 7 of the present invention.
Is shown. The piezoelectric oscillator 30 according to the present embodiment includes a ceramic package 31 and an IC chip 6.
0 and a piezoelectric element 53 such as a quartz oscillator or a SAW resonator are housed therein and sealed with a metal or ceramic cover 39. FIG. 25A shows the package 31 with the cover 39 and the piezoelectric element 53 removed.
FIG. 25 shows a state in which the arrangement in FIG.
(B) and (c) show how the arrangement in the package 31 is viewed from the side. The inside of the package 31 of this example is divided into two layers, and the IC chip 60 is provided on a first layer corresponding to the bottom surface 32 of the package 31. Further, a step portion 33 is formed at a position higher than the IC chip 60 with the same ceramic or other insulating material as the package, and the upper surface 34 of the step portion 33 is formed with the second layer on which the piezoelectric element 53 is installed. Has become.

【0076】パッケージ31の第1層にあたる底面32
には、印刷によってメタライズされたアイランドパター
ン76が形成されており、このアイランドパターン76
の上にICチップ60が導電性の接着剤などによって固
定されている。このアイランドパターン76は、図25
(c)に示すようにパッケージ31の両側壁31aおよ
び31cを貫通してパッケージ31の側面35から露出
しており、さらに、このアイランドパターン76はパッ
ケージの側面35に用意された複数のターミナル77の
いくつかと接続されている。従って、ICチップ60で
発生した熱はアイランドパターン76によってパッケー
ジの側面35まで導かれ放熱される。さらに、アイラン
ドパターン76はターミナル77との接続しているの
で、このターミナル77を実装時に基板に用意された放
熱用のパターンと接続することができる。これにより、
ICチップ60において発生した熱は、ターミナル77
から基板へと流れ効率良く放熱される。パッケージの底
面32に設けられたアイランドパターン76は、印刷方
式で形成できるので広いパターンを容易に得ることがで
きる。もちろん、金属箔を用いてパターンを形成しても
良く、パターンの製造方法は上記のものに限定されな
い。
The bottom surface 32 corresponding to the first layer of the package 31
Is formed with an island pattern 76 metallized by printing.
An IC chip 60 is fixed thereon with a conductive adhesive or the like. This island pattern 76 is shown in FIG.
As shown in (c), the package 31 is exposed from the side surface 35 of the package 31 through the side walls 31a and 31c of the package 31. Further, the island pattern 76 is formed by a plurality of terminals 77 provided on the side surface 35 of the package. Connected with some. Therefore, the heat generated in the IC chip 60 is guided to the side surface 35 of the package by the island pattern 76 and is radiated. Further, since the island pattern 76 is connected to the terminal 77, the terminal 77 can be connected to a heat radiation pattern prepared on the substrate at the time of mounting. This allows
The heat generated in the IC chip 60 is transmitted to the terminal 77.
From the substrate to the substrate, and heat is efficiently dissipated. Since the island pattern 76 provided on the bottom surface 32 of the package can be formed by a printing method, a wide pattern can be easily obtained. Of course, the pattern may be formed using a metal foil, and the method of manufacturing the pattern is not limited to the above.

【0077】底面32には、アイランドパターン76の
他に、側面のターミナル77とつながった入出力用のリ
ードパターン78も印刷等によって形成されており、I
Cチップの電極61とこれらのパターン78はワイヤー
ボンディング線79によって接続されている。
On the bottom surface 32, in addition to the island pattern 76, an input / output lead pattern 78 connected to the terminal 77 on the side surface is formed by printing or the like.
The electrodes 61 of the C chip and these patterns 78 are connected by wire bonding lines 79.

【0078】さらに、第2層に設置された圧電素子53
とICチップ60を接続するための接続用リードパター
ン38が底面32から第2層34にわたって形成されて
いる。本例の圧電発振器30では、圧電素子53とIC
チップ60の接続用に2本の接続用リードパターン38
がパッケージの段部33に用意されている。接続用リー
ドパターン38は、第1層32に形成されたICチップ
60と接続するための幅の広いパターン38aと、圧電
素子53と接続するために第2層34に形成された幅の
広いパターン38bを有し、これらのパターン38aお
よび38bを段部33の中を貫通する細い導電パターン
38cによって接続している。従って、ワイヤボンディ
ング線79を介してICチップ60からパターン38a
に熱が伝導されても、細い導電パターン38cによって
第2層のパターン38bには熱が伝わり難いようになっ
ている。
Further, the piezoelectric element 53 provided on the second layer
A connection lead pattern 38 for connecting the IC chip 60 to the IC chip 60 is formed from the bottom surface 32 to the second layer 34. In the piezoelectric oscillator 30 of this example, the piezoelectric element 53 and the IC
Two connection lead patterns 38 for connecting the chip 60
Are provided in the step 33 of the package. The connection lead pattern 38 includes a wide pattern 38 a formed on the first layer 32 for connection to the IC chip 60, and a wide pattern 38 formed on the second layer 34 for connection to the piezoelectric element 53. 38b, and these patterns 38a and 38b are connected by a thin conductive pattern 38c penetrating through the step 33. Therefore, the pattern 38a is transferred from the IC chip 60 through the wire bonding line 79.
When the heat is conducted to the second layer pattern 38b, the heat is not easily transmitted to the second layer pattern 38b by the thin conductive pattern 38c.

【0079】本例のセラミックパッケージにICチップ
および圧電素子の封止された圧電発振器30において
は、ICチップからの発熱がアイランドパターン76を
介してパッケージの外に効率良く放出され、また、圧電
素子53には細い導電路38cによって熱が伝導され難
くなっている。従って、発振周波数が高くICチップか
らの発熱の大きな圧電発振器であっても、ICチップの
温度上昇を低く抑えることができ、また、圧電素子に対
する熱の影響も防止することができる。このように、本
例の圧電発振器30はセラミックパッケージ内にICチ
ップ等の半導体集積回路装置とSAW共振子等の圧電素
子を封止しコンパクトにまとめられた発振器であり、さ
らに、高周波対応の半導体集積回路装置の発熱に対して
も高い性能を保持し、長期信頼性を維持できるものであ
る。
In the piezoelectric oscillator 30 in which the IC chip and the piezoelectric element are sealed in the ceramic package of the present embodiment, heat generated from the IC chip is efficiently released to the outside of the package via the island pattern 76, and Heat is hardly transmitted to 53 by the thin conductive path 38c. Therefore, even if the piezoelectric oscillator has a high oscillation frequency and generates a large amount of heat from the IC chip, the temperature rise of the IC chip can be suppressed low, and the effect of heat on the piezoelectric element can be prevented. As described above, the piezoelectric oscillator 30 of the present embodiment is a compact oscillator in which a semiconductor integrated circuit device such as an IC chip and a piezoelectric element such as a SAW resonator are sealed in a ceramic package, and a high-frequency-compatible semiconductor It can maintain high performance against heat generation of the integrated circuit device and maintain long-term reliability.

【0080】(実施例8)図26に上記の実施例と異な
るセラミックパッケージを用いた本発明の実施例に係る
圧電発振器30を示してある。図26(a)は、カバー
39と圧電素子53を取り除いた状態でパッケージ31
内の配置を上方からみた様子を示してあり、図26
(b)および(c)はパッケージ31内の配置を側方か
らみた様子を示してある。本例の圧電発振器30は、I
Cチップ60の設置されたパッケージ底面の第1層32
と、段部33の上に圧電素子53の設置された第2層と
の間にリードパターン78および38の形成された第3
の層36を設けてある。すなわち、本例のセラミック製
のパッケージ31の側壁には、二つの段よりなる段部3
3が設けてあり、その中間段の表面を第3層36として
用いている。
(Embodiment 8) FIG. 26 shows a piezoelectric oscillator 30 according to an embodiment of the present invention using a ceramic package different from the above embodiment. FIG. 26A shows the package 31 with the cover 39 and the piezoelectric element 53 removed.
FIG. 26 shows a state in which the inside is viewed from above.
(B) and (c) show how the arrangement in the package 31 is viewed from the side. The piezoelectric oscillator 30 of the present example has
First layer 32 on the bottom surface of the package where C chip 60 is installed
And a third layer in which lead patterns 78 and 38 are formed between the step portion 33 and the second layer on which the piezoelectric element 53 is provided.
Layer 36 is provided. That is, on the side wall of the ceramic package 31 of this example, a stepped portion 3 composed of two steps is provided.
3 is provided, and the surface of the intermediate stage is used as the third layer 36.

【0081】本例の圧電発振器30においては、入出力
用および接続用のリードパターン78および38を形成
するためにICチップ60の設置された第1層32と異
なる層である第3層36を用いている。従って、第1層
32にリードパターン用のスペースを確保する必要がな
いので、アイランドパターン76を自由な形状に形成す
ることができる。たとえば、アイランドパターン76を
第1層の四方いずれの方向にも延ばすことが可能であ
り、側壁31a〜dのすべてを貫通して側面に露出さ
せ、大きな放熱効果を得ることができる。本例では、接
続パターン38に間接的に伝導される熱による圧電素子
53への影響をできるだけ避けるように、接続パターン
38の形成された側壁31dの方向にはアイランドパタ
ーン76を伸長させず、他の3方の壁面を貫通して高い
放熱効果を得るようにしている。
In the piezoelectric oscillator 30 of this embodiment, a third layer 36 different from the first layer 32 on which the IC chip 60 is provided is formed to form the input / output and connection lead patterns 78 and 38. Used. Therefore, there is no need to secure a space for the lead pattern in the first layer 32, so that the island pattern 76 can be formed in any shape. For example, it is possible to extend the island pattern 76 in any direction of the first layer, and to penetrate all of the side walls 31a to 31d to expose the side surfaces, thereby obtaining a large heat radiation effect. In this example, the island pattern 76 is not extended in the direction of the side wall 31d where the connection pattern 38 is formed so as to minimize the influence on the piezoelectric element 53 due to the heat indirectly conducted to the connection pattern 38. A high heat dissipation effect is obtained by penetrating the three walls.

【0082】さらに、本例の圧電発振器30において
は、入出力パターンや接続パターン用の層を別個に設け
てあるので、これらのパターンのデザインが行い易く、
ICチップの電極配置にマッチしたパターンを作成でき
る。また、ICチップのダミーの電極62を設け、これ
らとアイランドパターン76とを1つあるいは複数のボ
ンディングワイヤーで接続し、ICチップの電極側の温
度上昇を抑制することもできる。ダミーの電極の代わり
にアイランドパターンを基板の電源側と接続し、さらに
ICチップの電源用の電極とボンディングワイヤーで接
続しても良い。アイランドパターン76は面積が広く電
源ラインのインピーダンスを低くできるので、電源供給
側に余裕を設けることができる。もちろん、アイランド
パターン76を接地側とすることも可能であり、図2に
基づき説明したようにICチップ60の制御電極と接続
しても良い。
Further, in the piezoelectric oscillator 30 of this embodiment, since the layers for the input / output pattern and the connection pattern are separately provided, it is easy to design these patterns.
A pattern matching the electrode arrangement of the IC chip can be created. Further, it is also possible to provide dummy electrodes 62 of the IC chip and connect them to the island pattern 76 with one or a plurality of bonding wires to suppress a rise in the temperature of the electrode side of the IC chip. The island pattern may be connected to the power supply side of the substrate instead of the dummy electrode, and further connected to the power supply electrode of the IC chip by a bonding wire. Since the island pattern 76 has a large area and can reduce the impedance of the power supply line, a margin can be provided on the power supply side. Of course, the island pattern 76 may be on the ground side, and may be connected to the control electrode of the IC chip 60 as described with reference to FIG.

【0083】[0083]

【発明の効果】以上の実施例に基づき説明したように、
本発明の圧電発振器は、ICチップなどの半導体集積回
路装置で発生した熱を圧電発振器の外側へ効率良く逃が
すことができる。また、半導体集積回路装置と同一にパ
ッケージされた振動子や圧電素子へ伝導される熱を最小
限に止められるようになっており、さらに、振動子のケ
ースなどからも圧電発振器の外部に放熱できるようにな
っている。このように本発明によって小型・薄型化が可
能でさらに熱抵抗が低く、熱による障害か発生しにくい
圧電発振器を実現し、安価に提供することができる。さ
らに、本発明に係る圧電発振器によって温度上昇や動作
の安定性などといった問題を解決することができるの
で、SAW共振子などの高い周波数で安定した発振を得
られる圧電素子を用いて圧電発振器を構成することがで
き、100〜500MHzといった高周波帯の信号を供
給する小型の圧電発振器を現実的に提供することが可能
となる。なお、上記にて様々な実施例を用いて本発明を
詳述しているが、上記の実施例に限定されるものではな
く、請求の範囲の記載に基づいて本発明はさまざまに変
形できる。また、本発明に係る圧電発振器は上記の実施
例で説明した組み合わせに限定されるものではなく、様
々に組み合わせて実現することができる。
As explained based on the above embodiment,
The piezoelectric oscillator according to the present invention can efficiently release heat generated in a semiconductor integrated circuit device such as an IC chip to the outside of the piezoelectric oscillator. Further, the heat conducted to the vibrator and the piezoelectric element packaged in the same manner as the semiconductor integrated circuit device can be minimized, and furthermore, the heat can be radiated from the vibrator case to the outside of the piezoelectric oscillator. It has become. As described above, according to the present invention, it is possible to realize a piezoelectric oscillator which can be reduced in size and thickness, has a lower thermal resistance, and is less likely to be damaged by heat, and can be provided at a low cost. Further, since problems such as temperature rise and operational stability can be solved by the piezoelectric oscillator according to the present invention, the piezoelectric oscillator is configured using a piezoelectric element such as a SAW resonator that can obtain stable oscillation at a high frequency. Thus, it is possible to practically provide a small-sized piezoelectric oscillator that supplies a signal in a high-frequency band such as 100 to 500 MHz. Although the present invention has been described in detail using various embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and the present invention can be variously modified based on the description in the claims. Further, the piezoelectric oscillator according to the present invention is not limited to the combinations described in the above embodiments, but can be realized in various combinations.

【0084】本発明の圧電発振器は、電子機器にクロッ
ク信号を供給するデバイス、また、リアルタイムクロッ
クモジュールや、PLLモジュールなどの複合機能を備
えた表面実装デバイスに関し、今後、小型化、高速化の
進む電子機器に好適なものである。
The piezoelectric oscillator of the present invention relates to a device for supplying a clock signal to an electronic device, and a surface mount device having a complex function such as a real-time clock module and a PLL module. It is suitable for electronic equipment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1に係る圧電発振器の外観を示
す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating an appearance of a piezoelectric oscillator according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す圧電発振器の内部の配置を上方から
見た図である。
FIG. 2 is a diagram showing an internal arrangement of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 1 as viewed from above.

【図3】図1に示す圧電発振器の熱抵抗値を求めるため
のグラフである。
FIG. 3 is a graph for obtaining a thermal resistance value of the piezoelectric oscillator shown in FIG.

【図4】図1の圧電発振器に用いられているPLL用I
Cの構成を示すブロック図である。
FIG. 4 shows a PLL I used in the piezoelectric oscillator shown in FIG.
It is a block diagram which shows the structure of C.

【図5】図4に示したPLL用ICの発振周波数の選択
方法を示す表である。
FIG. 5 is a table showing a method of selecting an oscillation frequency of the PLL IC shown in FIG. 4;

【図6】本発明の実施例2の圧電発振器の外観を示す斜
視図である。
FIG. 6 is a perspective view illustrating an appearance of a piezoelectric oscillator according to a second embodiment of the present invention.

【図7】図6に示す圧電発振器の内部の配置を上から見
た図である。
FIG. 7 is a top view of the internal arrangement of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 6;

【図8】本発明の実施例3の圧電発振器の内部の配置を
上から見た図である。
FIG. 8 is a top view of the internal arrangement of a piezoelectric oscillator according to a third embodiment of the present invention.

【図9】図8に示す圧電発振器の断面を示す図である。9 is a diagram showing a cross section of the piezoelectric oscillator shown in FIG.

【図10】図8に示す圧電発振器の外観を示す斜視図で
ある。
FIG. 10 is a perspective view showing an appearance of the piezoelectric oscillator shown in FIG.

【図11】図8に示す圧電発振器をモールドする様子を
示す図である。
FIG. 11 is a view showing a state in which the piezoelectric oscillator shown in FIG. 8 is molded.

【図12】本発明の実施例4の圧電発振器の内部の配置
を上方から見た図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating an internal arrangement of a piezoelectric oscillator according to a fourth embodiment of the present invention as viewed from above.

【図13】図12に示す圧電発振器を側方から内部を見
た図である。
13 is a view of the inside of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 12 from the side.

【図14】本発明の実施例5の圧電発振器の内部の配置
を上方から見た図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating an internal arrangement of a piezoelectric oscillator according to a fifth embodiment of the present invention as viewed from above.

【図15】図14に示す圧電発振器を側方から内部を見
た図である。
FIG. 15 is a view of the inside of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 14 from the side.

【図16】図14に示す圧電発振器をモールドする様子
を側面からみた図である。
FIG. 16 is a side view showing how the piezoelectric oscillator shown in FIG. 14 is molded.

【図17】図14に示す圧電発振器をモールドする様子
を図16と異なる側面から見た図である。
FIG. 17 is a view showing a state in which the piezoelectric oscillator shown in FIG. 14 is molded, as viewed from a different side from FIG. 16;

【図18】図14に示す圧電発振器の外観を示す斜視図
である。
18 is a perspective view showing an appearance of the piezoelectric oscillator shown in FIG.

【図19】図14に示す圧電発振器において振動子のリ
ードと接続用のリードを溶接する様子を示す図である。
19 is a diagram showing a state in which the lead of the vibrator and the connection lead are welded in the piezoelectric oscillator shown in FIG. 14;

【図20】本発明の実施例5の異なる圧電発振器を側方
から内部を見た図である。
FIG. 20 is a diagram of a different piezoelectric oscillator according to a fifth embodiment of the present invention when viewed from the side.

【図21】本発明の実施例5の異なる圧電発振器の内部
の配置を上から見た図である。
FIG. 21 is a top view of an internal arrangement of a different piezoelectric oscillator according to a fifth embodiment of the present invention.

【図22】図21に示す圧電発振器を側方から内部を見
た図である。
FIG. 22 is a view of the inside of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 21 from the side.

【図23】本発明の実施例6の圧電発振器を横から見た
図である。
FIG. 23 is a side view of a piezoelectric oscillator according to a sixth embodiment of the present invention.

【図24】図23と異なる例の圧電発振器を横から見た
図である。
FIG. 24 is a side view of a piezoelectric oscillator of an example different from that of FIG. 23;

【図25】本発明の実施例7の圧電発振器の図であり、
(a)は上方から内部の配置を見た図であり、(b)お
よび(c)は側方から内部を見た図である。
FIG. 25 is a diagram of a piezoelectric oscillator according to a seventh embodiment of the present invention;
(A) is a view of the inside arrangement viewed from above, and (b) and (c) are views of the inside viewed from the side.

【図26】本発明の実施例8の圧電発振器の図であり、
(a)は上方から内部の配置を見た図であり、(b)お
よび(c)は側方から内部を見た図である。
FIG. 26 is a diagram of a piezoelectric oscillator according to an eighth embodiment of the present invention;
(A) is a view of the inside arrangement viewed from above, and (b) and (c) are views of the inside viewed from the side.

【図27】従来の圧電発振器内部の配置を示す図であ
り、(a)は上から見た図であり、(b)は側方から見
た図である。
FIGS. 27A and 27B are diagrams showing an arrangement inside a conventional piezoelectric oscillator, wherein FIG. 27A is a diagram viewed from above and FIG. 27B is a diagram viewed from the side.

【図28】図27と異なる従来の圧電発振器内部の配置
を示す図であり、(a)は上から見た図であり、(b)
は側方から見た図である。
28A and 28B are diagrams showing an arrangement inside a conventional piezoelectric oscillator different from FIG. 27, wherein FIG. 28A is a diagram viewed from above, and FIG.
Is a view from the side.

【図29】セラミックパッケージを用いた従来の圧電発
振器の内部の配置を側方からみた図である。
FIG. 29 is a side view showing the internal arrangement of a conventional piezoelectric oscillator using a ceramic package.

【図30】発振周波数と消費電流の関係を示すグラフで
ある。
FIG. 30 is a graph showing a relationship between an oscillation frequency and current consumption.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H03H 9/02 H03H 9/02 K L // H01L 25/16 H01L 25/16 A Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H03H 9/02 H03H 9/02 KL // H01L 25/16 H01L 25/16 A

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ケース内に圧電素子が封止された振動子
と、リードフレームのアイランド上に設置された半導体
集積回路装置とを有し、前記半導体集積回路装置は前記
振動子とは電気的に接続されており、さらに、前記振動
子、前記半導体集積回路装置および前記リードフレーム
がモールド樹脂によって一体成形されている圧電発振器
において、 前記半導体集積回路装置は、前記リードフレームの一部
とワイヤーボンディングされたダミーの電極を備えてい
ることを特徴とする圧電発振器。
1. A vibrator having a piezoelectric element sealed in a case and a semiconductor integrated circuit device provided on an island of a lead frame, wherein the semiconductor integrated circuit device is electrically connected to the vibrator. A piezoelectric oscillator in which the vibrator, the semiconductor integrated circuit device, and the lead frame are integrally molded with a mold resin, wherein the semiconductor integrated circuit device is connected to a part of the lead frame by wire bonding A piezoelectric oscillator comprising a dummy electrode.
【請求項2】 請求項1において、前記アイランドおよ
び前記ケースの少なくともいずれかが前記モールド樹脂
の外側に露出した放熱部分を備えていることを特徴とす
る圧電発振器。
2. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein at least one of the island and the case includes a heat radiation portion exposed outside the mold resin.
【請求項3】 ケース内に圧電素子が封止された振動子
と、リードフレームのアイランド上に設置された半導体
集積回路装置とを有し、前記半導体集積回路装置は前記
振動子とは電気的に接続されており、さらに、前記振動
子、前記半導体集積回路装置および前記リードフレーム
がモールド樹脂によって一体成形されている圧電発振器
において、 前記半導体集積回路装置は、発振周波数を制御する複数
の制御用パッドを備えており、前記リードフレームと接
続される前記制御用パッドの数を増やすと、前記発振周
波数が上昇することを特徴とする圧電発振器。
3. A vibrator in which a piezoelectric element is sealed in a case, and a semiconductor integrated circuit device installed on an island of a lead frame, wherein the semiconductor integrated circuit device is electrically connected to the vibrator. A piezoelectric oscillator in which the vibrator, the semiconductor integrated circuit device, and the lead frame are integrally formed with a mold resin, wherein the semiconductor integrated circuit device includes a plurality of control devices for controlling an oscillation frequency. A piezoelectric oscillator comprising a pad, wherein when the number of the control pads connected to the lead frame is increased, the oscillation frequency is increased.
【請求項4】 請求項3において、前記アイランドおよ
び前記ケースの少なくともいずれかが前記モールド樹脂
の外側に露出した放熱部分を備えていることを特徴とす
る圧電発振器。
4. The piezoelectric oscillator according to claim 3, wherein at least one of the island and the case has a heat radiation portion exposed outside the mold resin.
JP00400899A 1994-07-04 1999-01-11 Piezoelectric oscillator Expired - Fee Related JP3230742B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00400899A JP3230742B2 (en) 1994-07-04 1999-01-11 Piezoelectric oscillator

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15230194 1994-07-04
JP6-152301 1994-10-12
JP6-246492 1994-10-12
JP24649294 1994-10-12
JP00400899A JP3230742B2 (en) 1994-07-04 1999-01-11 Piezoelectric oscillator

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08503776 Division

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11330859A true JPH11330859A (en) 1999-11-30
JP3230742B2 JP3230742B2 (en) 2001-11-19

Family

ID=27276069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00400899A Expired - Fee Related JP3230742B2 (en) 1994-07-04 1999-01-11 Piezoelectric oscillator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3230742B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6989587B2 (en) 2002-12-17 2006-01-24 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing the same
WO2007114224A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Kyocera Corporation Circuit module, wireless communication apparatus and circuit module manufacturing method
US7408291B2 (en) 2002-12-10 2008-08-05 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device
JP2020072279A (en) * 2018-10-29 2020-05-07 セイコーエプソン株式会社 Oscillator, electronic device, and mobile body
CN111668107A (en) * 2012-12-06 2020-09-15 美格纳半导体有限公司 Multi-chip package and method of manufacturing the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7408291B2 (en) 2002-12-10 2008-08-05 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device
US6989587B2 (en) 2002-12-17 2006-01-24 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing the same
WO2007114224A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Kyocera Corporation Circuit module, wireless communication apparatus and circuit module manufacturing method
US8125788B2 (en) 2006-03-29 2012-02-28 Kyocera Corporation Circuit module and radio communications equipment, and method for manufacturing circuit module
CN111668107A (en) * 2012-12-06 2020-09-15 美格纳半导体有限公司 Multi-chip package and method of manufacturing the same
JP2020072279A (en) * 2018-10-29 2020-05-07 セイコーエプソン株式会社 Oscillator, electronic device, and mobile body

Also Published As

Publication number Publication date
JP3230742B2 (en) 2001-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5912592A (en) Piezoelectric oscillator
US7456552B2 (en) Piezo-electric oscillator and method of manufacturing the same
JP3269815B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2924854B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6593169B2 (en) Method of making hybrid integrated circuit device
JPWO2007026944A1 (en) Circuit device and manufacturing method thereof
JPH06132453A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP2004119863A (en) Circuit and its production
KR100283299B1 (en) Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof
JP2003017517A (en) Hybrid integrated circuit device and its manufacturing method
JP2829925B2 (en) Semiconductor package and electronic circuit board
JP3230742B2 (en) Piezoelectric oscillator
JPH08139218A (en) Hybrid integrated circuit device and its manufacture
JP2971449B2 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof, and lead frame of semiconductor device
JP2001339246A (en) Piezoelectric oscillator
JPH0563113A (en) Resin-sealed semiconductor device
JP5119092B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3079786B2 (en) Piezoelectric oscillator, real-time clock and PLL oscillator using the same
JP2007157801A (en) Semiconductor module and its manufacturing method
JPH11354706A (en) Lead frame, semiconductor device using the lead frame and its manufacture
JP2002164482A (en) Semiconductor device
JP2008010922A (en) Piezoelectric oscillator
JP2004039911A (en) Heat sink device for electronic parts
JP3419922B2 (en) Semiconductor device
JP2000164790A (en) Lead frame, semiconductor device provided therewith, and manufacture thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010817

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees