JPH11318080A - On/off circuit for multiple output switching power source - Google Patents

On/off circuit for multiple output switching power source

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JPH11318080A
JPH11318080A JP13593698A JP13593698A JPH11318080A JP H11318080 A JPH11318080 A JP H11318080A JP 13593698 A JP13593698 A JP 13593698A JP 13593698 A JP13593698 A JP 13593698A JP H11318080 A JPH11318080 A JP H11318080A
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output
circuit
transistor
control
terminal
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JP13593698A
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Takashi Sato
隆 佐藤
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Canon Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an output on/off circuit for a multiple output switching power source, in which the breakdown of a discharge element is prevented by reducing the discharge current of a discharging element for discharging load side capacitance charges, when an output on/off switching element is turned off. SOLUTION: A switching time for a control element Q4, which controls the turning on and off of a discharging element Q3 discharging charges of a load side capacitance C2 by causing a switching element FET Q2 to be turned off with a signal from a load side which is inputted from a signal input terminal 7, is controlled by time constant circuits R2, C4. The breakdown of the discharging element Q3 is prevented by restraining the peak value of a discharging current of the discharging element Q3, when the switching element FET Q2 is turned off. Thus use in the optimum operation region is made possible.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器における
多出力スイッチング電源の出力オン/オフ回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output on / off circuit of a multi-output switching power supply in electronic equipment.

【0002】特に、出力オン/オフ回路を有する直流出
力の負荷が容量性負荷で、大容量コンデンサを搭載した
負荷(本体装置)と接続され、本体消耗品交換、保守作
業の前に負荷(本体装置)からの信号により出力電圧を
オフし、且つ本体容量蓄積電荷を短時間で強制放電し、
作業者やユーザの感電を防止する機能を有する多出力ス
イッチング電源の出力オン/オフ回路で、且つ出力オン
/オフ回路の制御素子が本体容量蓄積電荷の放電素子を
兼用したスイッチ素子で、本体容量蓄積電荷を短時間で
強制放電する際に放電素子が流す放電電流を抑制し、放
電素子が破壊されることを防止する手段であると共に、
放電素子をより安全な動作領域で使用する多出力スイッ
チング電源の出力オン/オフ回路に関する。
In particular, a DC output load having an output on / off circuit is a capacitive load, which is connected to a load (main unit) equipped with a large-capacity capacitor and replaces the load (main unit) before replacing the consumables of the main unit and performing maintenance work. Device), the output voltage is turned off, and the body capacitance accumulated charge is forcibly discharged in a short time.
An output on / off circuit of a multi-output switching power supply having a function of preventing electric shock of a worker or a user, and a control element of the output on / off circuit is a switch element which also serves as a discharge element of the accumulated charge of the main body capacitance. A means for suppressing the discharge current flowing through the discharge element when forcibly discharging the accumulated charge in a short time and preventing the discharge element from being destroyed,
The present invention relates to an output on / off circuit of a multi-output switching power supply using a discharge element in a safer operation area.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来の多出力スイッチング電源の出力オ
ン/オフ回路は、例えば第4図に示すように構成されて
いた。図4は、従来の多出力スイッチング電源の出力オ
ン/オフ回路のブロック図である。
2. Description of the Related Art A conventional output on / off circuit of a multi-output switching power supply has been configured, for example, as shown in FIG. FIG. 4 is a block diagram of a conventional output on / off circuit of a multiple output switching power supply.

【0004】図4において多出力スイッチング電源の出
力オン/オフ回路は、一次巻線P1、制御巻線P2、第
1の二次巻線S1、第2の二次巻線S2、第3の二次巻
線S3を有する変圧器1と、この変圧器1の制御巻線P
2の一方に直列に接続され、直流入力電圧をスイッチン
グするスイッチ素子としての電界効果トランジスタ(以
下「FET」という)Q1と、変圧器1の制御巻線P2
と前記FETQ1との間に構成される第1の制御回路8
と、第1の二次巻線S1、第2の二次巻線S2、第3の
二次巻線S3の夫々に接続される第1の直流出力電圧を
得る整流平滑回路13、第2の直流出力電圧を得る整流
平滑回路14、第3の直流出力電圧を得る整流平滑回路
15と、負荷側からの信号入力端子を有する多出力スイ
ッチング電源で、第1の直流出力電圧の出力端子で負荷
側入力端子4’に接続され、負荷側容量C1及び第1の
負荷16に直流電圧E4Vの電力を供給する出力端子4
と、第2の直流出力電圧の出力端子で負荷側入力端子
5’に接続され、負荷側容量C2及び第2の負荷17に
直流電圧E5Vの電力を供給する出力端子5と、第3の
直流出力電圧の出力端子で負荷側入力端子6’に接続さ
れ、負荷側容量C3及び第3の負荷18に直流電圧E6
Vの電力を供給する出力端子6と、負荷側入力端子6’
からの信号出力で信号出力端子7’に接続され、出力端
子6の直流電圧E6V又は、0Vが入力される入力端7
から構成される。
In FIG. 4, an output on / off circuit of a multi-output switching power supply includes a primary winding P1, a control winding P2, a first secondary winding S1, a second secondary winding S2, and a third secondary winding. A transformer 1 having a secondary winding S3 and a control winding P of the transformer 1
2, a field effect transistor (hereinafter referred to as "FET") Q1 as a switching element for switching a DC input voltage, and a control winding P2 of the transformer 1.
Control circuit 8 configured between
A rectifying / smoothing circuit 13 for obtaining a first DC output voltage connected to each of the first secondary winding S1, the second secondary winding S2, and the third secondary winding S3; A multi-output switching power supply having a rectifying / smoothing circuit 14 for obtaining a DC output voltage, a rectifying / smoothing circuit 15 for obtaining a third DC output voltage, and a signal input terminal from the load side. Output terminal 4 that is connected to the load side input terminal 4 ′ and supplies the power of the DC voltage E 4 V to the load side capacitor C 1 and the first load 16.
And an output terminal 5 connected to the load-side input terminal 5 ′ at an output terminal of the second DC output voltage and supplying power of the DC voltage E5 V to the load-side capacitor C2 and the second load 17; The output terminal of the output voltage is connected to the load side input terminal 6 ′, and the DC voltage E 6 is applied to the load side capacitor C 3 and the third load 18.
Output terminal 6 for supplying power of V, and a load-side input terminal 6 ′.
Is connected to a signal output terminal 7 ′, and an input terminal 7 to which a DC voltage E 6 V or 0 V of an output terminal 6 is input.
Consists of

【0005】更に、出力スイッチ素子9は、第2の直流
出力電圧をオン/オフするためのもので、第2の直流出
力電圧ラインの整流平滑回路14と出力端子5との間に
直列に挿入されている。バイアス回路10は、入力端子
4から出力スイッチ素子9の制御端子にバイアスを掛け
るためのもので、出力端子4のラインと出力スイッチ素
子9の制御端子間に接続される。バイパス回路11は、
出力スイッチ素子9がオンからオフ時に負荷容量C2の
電荷を出力スイッチ素子9の制御端子にバイパスさせる
ためのもので、出力端子5と出力スイッチ素子9の制御
端子間に接続されている。制御回路12は、入力端子7
からの信号で出力スイッチ素子9の制御端子を制御する
ための第2の制御回路及び、負荷容量C2の電荷を放電
させる放電回路を兼用しており、入力端子7と出力スイ
ッチ素子9の制御端子に接続される。
Further, the output switching element 9 is for turning on / off the second DC output voltage, and is inserted in series between the output terminal 5 and the rectifying / smoothing circuit 14 of the second DC output voltage line. Have been. The bias circuit 10 is for applying a bias from the input terminal 4 to the control terminal of the output switch element 9, and is connected between the line of the output terminal 4 and the control terminal of the output switch element 9. The bypass circuit 11
This is for bypassing the charge of the load capacitance C2 to the control terminal of the output switch element 9 when the output switch element 9 is turned on from off, and is connected between the output terminal 5 and the control terminal of the output switch element 9. The control circuit 12 has an input terminal 7
A second control circuit for controlling the control terminal of the output switch element 9 with a signal from the input terminal 7 and a discharge circuit for discharging the electric charge of the load capacitor C2. Connected to.

【0006】図5は、図4の詳細な回路図である。図5
において出力スイッチ素子9は、FETQ2で、FET
Q2のドレインは、第2の直流出力電圧ラインの整流平
滑回路14に接続され、ソースは、第2の出力電圧の出
力端子5に接続されている。バイアス回路10は、抵抗
R1で構成され、出力端子4とFETQ2のゲートに接
続される。バイパス回路11は、ダイオードD1により
構成され、カソードがFETQ2の制御端子であるゲー
トに、アノードがこのFETQ2のソースに接続され
る。制御回路12は、FETQ2のゲートバイアスを引
き抜く放電回路と、入力端子7の信号電圧によって放電
回路を制御する検出回路から構成される。
FIG. 5 is a detailed circuit diagram of FIG. FIG.
, The output switching element 9 is an FET Q2
The drain of Q2 is connected to the rectifying and smoothing circuit 14 of the second DC output voltage line, and the source is connected to the output terminal 5 of the second output voltage. The bias circuit 10 includes a resistor R1, and is connected to the output terminal 4 and the gate of the FET Q2. The bypass circuit 11 includes a diode D1. The cathode is connected to the gate, which is the control terminal of the FET Q2, and the anode is connected to the source of the FET Q2. The control circuit 12 includes a discharge circuit that extracts the gate bias of the FET Q2 and a detection circuit that controls the discharge circuit based on the signal voltage of the input terminal 7.

【0007】検出回路は、第2の制御素子としてのトラ
ンジスタQ4と抵抗R2とにより構成され、抵抗R2
は、一方を入力端子7に、他方をトランジスタQ4のベ
ースに接続される。放電回路は、第1の制御素子兼放電
素子としてのトランジスタQ3と抵抗R3とにより構成
され、抵抗R3の一方は、トランジスタQ4のコレクタ
及びトランジスタQ3のベースに接続され、他方は、出
力端子6に接続され、トランジスタQ3のコレクタは、
FETQ2のゲートに接続され、エミッタはグランドに
接続される。
The detection circuit comprises a transistor Q4 as a second control element and a resistor R2.
Has one connected to the input terminal 7 and the other connected to the base of the transistor Q4. The discharge circuit includes a transistor Q3 as a first control element and a discharge element and a resistor R3. One of the resistors R3 is connected to the collector of the transistor Q4 and the base of the transistor Q3, and the other is connected to the output terminal 6. And the collector of transistor Q3 is
Connected to the gate of FET Q2, the emitter is connected to ground.

【0008】次に、回路動作について図7を用いて説明
する。図7は、図5の出力オン/オフ回路のロジック動
作状態を示す図である。尚、ハイレベル(以下「Hレベ
ル」という)、ローレベル(以下「Lレベル」という)
は、負荷側から信号入力端子に入力される信号レベル
で、例えば、Hレベル5Vの信号、Lレベルは、0Vの
信号である。
Next, the circuit operation will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram showing a logic operation state of the output on / off circuit of FIG. In addition, high level (hereinafter, referred to as “H level”), low level (hereinafter, referred to as “L level”)
Is a signal level input to the signal input terminal from the load side. For example, an H level signal is 5V, and an L level is 0V signal.

【0009】図7は、第3の負荷18側から信号入力端
子7に入力する信号(H=5V、L=0V)とFETQ
2、トランジスタQ3、Q4の動作状態と、出力端子5
に接続される負荷側容量C2の電圧レベルを表してい
る。
FIG. 7 shows a signal (H = 5V, L = 0V) input from the third load 18 to the signal input terminal 7 and the FET Q
2. The operation state of the transistors Q3 and Q4 and the output terminal 5
Represents the voltage level of the load-side capacitance C2 connected to the power supply.

【0010】 トランジスタQ3ベース電流が、IB3=(E6−VB
E3)/R3 トランジスタQ4ベース電流が、IB4=(E6−VB
E4)/R2 のときに飽和領域で動作するように抵抗R2、R3を設
定しておくと、入力端子7に入力される信号がLレベル
のとき、抵抗R2にはトランジスタQ4をオン状態にす
るベース電流が流れないため、トランジスタQ4はオフ
状態となり、また、トランジスタQ3は、トランジスタ
Q4がオフのためベース電流IB3が流れオン状態とな
っている。
When the base current of the transistor Q3 is IB3 = (E6-VB
E3) / R3 When the base current of the transistor Q4 is IB4 = (E6-VB
E4) If the resistors R2 and R3 are set to operate in the saturation region at / R2, the transistor Q4 is turned on for the resistor R2 when the signal input to the input terminal 7 is at the L level. Since the base current does not flow, the transistor Q4 is turned off, and the transistor Q3 is turned on because the base current IB3 flows because the transistor Q4 is turned off.

【0011】また、トランジスタQ3がオン状態のた
め、FETQ2のゲート端子は、グランドに接地され0
Vのためオフ状態となっており、出力端子5には電力が
供給されていない。また、トランジスタQ3のコレクタ
電流IC3=E4V/R1になる。
Since the transistor Q3 is in the ON state, the gate terminal of the FET Q2 is grounded and is
Because of V, the output terminal 5 is off, and no power is supplied to the output terminal 5. Further, the collector current IC3 of the transistor Q3 becomes E4V / R1.

【0012】入力端子7に入力される信号がLレベルか
らHレベルに切り替わったとき、トランジスタQ4のベ
ース電流が、IB4=(E6−VBE4)/R2、とな
るため、トランジスタQ4はオン状態となり、トランジ
スタQ3のベースは、トランジスタQ4によってグラン
ドに接地されてトランジスタQ3がオフ状態となる。
When the signal input to the input terminal 7 switches from the L level to the H level, the base current of the transistor Q4 becomes IB4 = (E6-VBE4) / R2, so that the transistor Q4 is turned on. The base of the transistor Q3 is grounded by the transistor Q4 to turn off the transistor Q3.

【0013】また、トランジスタQ3がオフ状態のため
にFETQ2ゲートは、出力端子4の電位から抵抗R1
を通してバイアスされてオン状態となる。FETQ2が
完全にオン状態のときのゲート−ソース間電圧は、(E
4−E5)Vである。
Since the transistor Q3 is off, the gate of the FET Q2 is connected to the resistor R1 from the potential of the output terminal 4.
And is turned on. When the FET Q2 is completely on, the gate-source voltage is (E
4-E5) V.

【0014】信号入力端子7に入力される信号がHレベ
ルからLレベルの信号に切り替わったときの過渡動作を
図6を用いて説明する。図6は、図5の出力オン/オフ
回路の動作状態を示す図である。
The transient operation when the signal input to the signal input terminal 7 is switched from H level to L level will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing an operation state of the output on / off circuit of FIG.

【0015】信号入力端子7に入力される信号が図6
(a)に示すようにHレベルからLレベルに変化したと
き抵抗R2にはトランジスタQ4をオン状態にするベー
ス電流が流れなくなるため、図6(b)に示すようにト
ランジスタQ4のベース−エミッタ間が急速にグランド
レベルに下がりオフ状態となる。
The signal input to the signal input terminal 7 is shown in FIG.
Since the base current for turning on the transistor Q4 does not flow through the resistor R2 when the level changes from the H level to the L level as shown in FIG. 6A, the base current between the base and the emitter of the transistor Q4 as shown in FIG. Rapidly drops to the ground level and enters the off state.

【0016】また、トランジスタQ4がオフ状態のた
め、図6(c)に示すようにトランジスタQ3のベース
−エミッタ間電圧は、VBE(sat)レベルまで急速
に立ち上がり、図6(d)に示すようにトランジスタQ
3のコレクタ電圧(FETQ2のゲート端子)は、グラ
ンドレベルに急激に低下する。その際に、出力端子5に
接続されている負荷側容量C2に電荷が残っているた
め、出力端子5からFETQ2のゲートにダイオードD
1によってバイパスさせ、図6(e)に示すようにトラ
ンジスタQ3のコレクタ電流(放電電流)として負荷側
容量C2の残留電荷を急激に放電していた。
Further, since the transistor Q4 is off, the base-emitter voltage of the transistor Q3 rapidly rises to the VBE (sat) level as shown in FIG. 6C, and as shown in FIG. Transistor Q
The collector voltage of No. 3 (gate terminal of FET Q2) drops sharply to the ground level. At this time, since a charge remains in the load side capacitor C2 connected to the output terminal 5, the diode D is connected from the output terminal 5 to the gate of the FET Q2.
6, the residual charge of the load-side capacitor C2 was rapidly discharged as the collector current (discharge current) of the transistor Q3 as shown in FIG.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】従って、従来の多出力
スイッチング電源の出力オン/オフ回路では、負荷側容
量C2が大きいと出力オン/オフ回路がオンからオフに
切り替わったときに短時間で負荷側容量電荷を引き抜く
放電回路を構成すると、制御素子兼放電素子としてのト
ランジスタQ3をオン/オフ制御する制御素子としての
トランジスタQ4を飽和領域で駆動(ロジック動作)さ
せなくてはならない。そのため、FETQ2がオフする
ときに負荷側容量C2の電荷の放電電流がトランジスタ
Q3のコレクタ電流として過渡的に流れ、それによって
トランジスタQ3が図9に折れ線Iで示すASO(Area
of Safe Operation)安全動作領域から実線IIで示すよ
うに外れる動作、又はトランジスタQ3の破壊につなが
る虞があるという問題がある。図9は、放電素子のAS
O安全動作領域内での動作を示す図である。図9におい
て、折れ線Iは、ASO安全動作領域の最大上限値を示
す。
Therefore, in the output on / off circuit of the conventional multi-output switching power supply, when the load side capacitance C2 is large, the load is quickly reduced when the output on / off circuit switches from on to off. When a discharge circuit for extracting the side capacitance charge is configured, the transistor Q4 as a control element for controlling ON / OFF of the transistor Q3 as a control element and a discharge element must be driven (logic operation) in a saturation region. Therefore, when the FET Q2 is turned off, the discharge current of the charge of the load-side capacitor C2 transiently flows as the collector current of the transistor Q3, so that the transistor Q3 has an ASO (Area (Area) shown by a broken line I in FIG.
There is a problem that the operation may deviate from the safe operation area as shown by the solid line II or the transistor Q3 may be destroyed. FIG. 9 shows the AS of the discharge element.
It is a figure showing operation in O safe operation field. In FIG. 9, a polygonal line I indicates the maximum upper limit of the ASO safe operation area.

【0018】更に、この過大な放電電流のため、コスト
高となる定格電流が大きいスイッチ素子を用いたり、実
装面積が大きくなる電力定格の大きな抵抗により放電電
流を制限していた。
Further, due to the excessive discharge current, a switch element having a large rated current, which results in an increase in cost, is used, or the discharge current is limited by a resistor having a large power rating, which increases the mounting area.

【0019】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
で、出力オン/オフスイッチ素子がオフしたときに負荷
側容量電荷を放電する放電素子の放電電流を小さくし
て、放電素子の破壊を防止するようにした多出力スイッ
チング電源の出力オン/オフ回路を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and reduces the discharge current of a discharge element that discharges a load-side capacitive charge when an output on / off switch element is turned off, thereby destructing the discharge element. It is an object of the present invention to provide an output on / off circuit of a multi-output switching power supply, which prevents the occurrence of the above.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1に係わる多出力スイッチング電源
の出力オン/オフ回路は、変圧器の少なくとも第1、第
2の二次巻線の出力電圧を夫々整流して第1、第2の直
流出力電圧を異なる出力端子から出力して負荷側に供給
すると共に負荷側からの信号を入力する信号入力端子を
有した多出力スイッチング電源の出力オン/オフ回路に
おいて、前記第2の直流出力電圧をオン/オフするスイ
ッチ素子と、前記第1の直流出力電圧から前記スイッチ
素子の制御端子にバイアスをかけるバイアス手段と、前
記スイッチ素子の制御端子に接続されてバイアスを制御
する第1の制御素子と、前記第2の直流出力電圧端子の
負荷側容量電荷を前記スイッチ素子の制御端子にバイパ
スさせて前記第1の制御素子により放電させるバイパス
手段と、前記信号入力端子からの信号で前記第1の制御
素子をオン/オフ制御する第2の制御素子と、前記第2
の制御素子のスイッチ切換時間を制御する時定数回路と
を備えたことを特徴とする。
To achieve the above object, an output on / off circuit for a multiple output switching power supply according to claim 1 of the present invention comprises at least first and second secondary windings of a transformer. A multi-output switching power supply having a signal input terminal for rectifying output voltages of lines and outputting first and second DC output voltages from different output terminals to supply to a load side and inputting a signal from the load side A switch element for turning on / off the second DC output voltage, bias means for applying a bias to the control terminal of the switch element from the first DC output voltage, A first control element connected to a control terminal to control a bias; and a first control element configured to bypass a load-side capacitive charge of the second DC output voltage terminal to a control terminal of the switch element. And bypass means for discharging the control device, a second control element for on / off control of the first control element by a signal from the signal input terminal, the second
And a time constant circuit for controlling the switch switching time of the control element.

【0021】請求項2に係わる多出力スイッチング電源
の出力オン/オフ回路は、請求項1に係わる多出力スイ
ッチング電源の出力オン/オフ回路において、前記第2
の制御素子はトランジスタにより構成され、前記時定数
回路は、前記トランジスタのバイアス時定数を決める抵
抗とコンデンサとにより構成されることを特徴とする。
An output on / off circuit for a multiple output switching power supply according to claim 2 is the output on / off circuit for a multiple output switching power supply according to claim 1.
Is characterized by comprising a transistor, and the time constant circuit is constituted by a resistor and a capacitor which determine a bias time constant of the transistor.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0023】図1は、本発明に係る多出力スイッチング
電源の出力オン/オフ回路のブロック図である。図2
は、図1の詳細な回路図である。尚、図1及び図2にお
いて、図4及び図5と同一構成要素には同一の符号を付
して説明を省略する。
FIG. 1 is a block diagram of an output on / off circuit of a multiple output switching power supply according to the present invention. FIG.
FIG. 2 is a detailed circuit diagram of FIG. 1 and 2, the same components as those in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0024】図1において制御回路12の負荷側からの
信号入力端子7側に時定数回路19が接続されている。
この時定数回路19は、図2に示すようにトランジスタ
Q4のベースに接続されてベース電流を決める抵抗R2
と、トランジスタQ4のベース−エミッタ間に接続され
るコンデンサC4とにより構成されている。他の構成
は、図4及び図5と同様である。
In FIG. 1, a time constant circuit 19 is connected to the signal input terminal 7 from the load side of the control circuit 12.
The time constant circuit 19 is connected to the base of the transistor Q4 as shown in FIG.
And a capacitor C4 connected between the base and the emitter of the transistor Q4. Other configurations are the same as those in FIGS.

【0025】次に、回路動作について図3を参照して説
明する。図3は、図2の出力オン/オフ回路の動作状態
を示す図である。
Next, the circuit operation will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing an operation state of the output on / off circuit of FIG.

【0026】図3(a)に示すように信号入力端子7の
信号がHレベルからLレベルに切り替わったとき、トラ
ンジスタQ4のベース−エミッタ間バイアスは、時定数
回路19の抵抗R2、コンデンサC4とによって図3
(b)に示すようにこれらの抵抗R2とコンデンサC4
とによって決められた時定数で低下してゆく。よって、
トランジスタQ3のベース−エミッタ間電圧、及びトラ
ンジスタQ4のコレクタ−エミッタ間電圧も図3(c)
に示すように立ち上がりの電圧の傾きがトランジスタQ
3の能動領域動作期間分のみ緩やかになり、トランジス
タQ4のベース電流の時間当たりの変化量が小さくなる
ため図3(d)に示すようにトランジスタQ3のコレク
タ−エミッタ間電圧の立ち下がりの電圧、及び図3
(e)に示すようにトランジスタQ3のコレクタ電流
(放電電流)のピーク値もトランジスタQ3の能動領域
動作期間分のみ抑制することができる。
As shown in FIG. 3A, when the signal at the signal input terminal 7 switches from the H level to the L level, the bias between the base and the emitter of the transistor Q4 changes with the resistance R2 of the time constant circuit 19 and the capacitor C4. Fig. 3
As shown in (b), these resistor R2 and capacitor C4
It decreases with the time constant determined by. Therefore,
FIG. 3C also shows the base-emitter voltage of the transistor Q3 and the collector-emitter voltage of the transistor Q4.
As shown in FIG.
3 becomes gentle only for the active region operation period, and the amount of change per hour of the base current of the transistor Q4 becomes small. As shown in FIG. 3D, the voltage of the collector-emitter voltage of the transistor Q3 falls, And FIG.
As shown in (e), the peak value of the collector current (discharge current) of the transistor Q3 can be suppressed only during the active region operation period of the transistor Q3.

【0027】このようにトランジスタQ4のベース−エ
ミッタ間バイアスの切り替わりの変化を時定数回路19
の抵抗R2、コンデンサC4により立ち下がり時定数を
持たせてトランジスタQ4のベース電流増加率を制御す
ることで、当該トランジスタQ4のオフからオンへのス
イッチ切り替わり時間を制御し、トランジスタQ3のコ
レクタ電流(放電電流)ピーク値を抑制する。
As described above, the change in the switching of the base-emitter bias of the transistor Q4 is determined by the time constant circuit 19.
By controlling the increase rate of the base current of the transistor Q4 by giving the falling time constant by the resistor R2 and the capacitor C4, the switching time of the transistor Q4 from off to on is controlled, and the collector current of the transistor Q3 ( Suppress the discharge current) peak value.

【0028】上述したように、信号入力端子7からの信
号により、出力オン/オフ回路をオフさせ、且つ本体容
量(負荷側容量)電荷を放電する放電素子(トランジス
タQ3)をオン/オフ制御する制御素子(トランジスタ
Q4)のスイッチ切換時間を制御することで、前記放電
素子の駆動電流である放電電流を制御することが可能と
なり、短時間で本体容量電荷を引き抜く際の放電電流の
過渡電流を小さく抑えることができ、放電素子(トラン
ジスタQ3)の破壊が防止されると共に安全な動作領域
で使用することができる。
As described above, according to the signal from the signal input terminal 7, the output on / off circuit is turned off, and the discharge element (transistor Q3) for discharging the body capacitance (load-side capacitance) charge is turned on / off. By controlling the switch switching time of the control element (transistor Q4), it is possible to control the discharge current, which is the drive current of the discharge element, and to reduce the transient current of the discharge current when extracting the body capacitance charge in a short time. The discharge element (transistor Q3) can be prevented from being damaged, and can be used in a safe operation area.

【0029】この場合、トランジスタQ3のベース電流
増加率を制御して放電電流ピーク値を抑制する効果があ
るが、放電時間が長くなる。放電時間を長くしたくない
場合には、トランジスタQ3のベース電流を決める抵抗
R3の定数によってスイッチ時間を調整することがで
き、放電時間を同じにした場合には、図8の破線IIIで
示すように放電電流ピーク値の抑制効果はなくなるが、
抵抗R2、コンデンサC4によってトランジスタQ3の
動作領域が図9の破線IIIで示すようにASO安全動作
領域での最適化が図られ、放電素子としてのトランジス
タQ3の安全性、選択幅が広がる。図8は、放電素子の
放電電流特性を示す図である。尚、図8において実線II
は、図5に示す従来の出力オン/オフ回路の放電素子の
放電電流特性を示す。
In this case, although the base current increase rate of the transistor Q3 is controlled to suppress the discharge current peak value, the discharge time becomes longer. If it is not desired to lengthen the discharge time, the switch time can be adjusted by the constant of the resistor R3 which determines the base current of the transistor Q3. If the discharge time is the same, as shown by the broken line III in FIG. Although the effect of suppressing the discharge current peak value is lost,
The operation area of the transistor Q3 is optimized in the ASO safe operation area by the resistor R2 and the capacitor C4 as shown by the broken line III in FIG. 9, and the safety and the selection range of the transistor Q3 as a discharge element are widened. FIG. 8 is a diagram showing discharge current characteristics of the discharge element. In FIG. 8, the solid line II
Shows the discharge current characteristics of the discharge element of the conventional output on / off circuit shown in FIG.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の多出力
スイッチング電源の出力オン/オフ回路によれば、負荷
側からの信号により出力オン/オフスイッチ素子をオフ
させ、且つ負荷側容量電荷を放電する第1の制御素子を
制御する第2の制御素子の切り替わり時間を制御するよ
うにしたことにより、負荷が大きな容量性負荷の場合で
も、前記出力オン/オフスイッチ素子がオフしたときの
前記第1の制御の放電電流のピーク値を抑制することが
でき、前記第1の制御素子の破壊を防止することが可能
となると共に最適動作領域での使用が可能となり、電源
装置の安全性が高くなる。
As described above, according to the output on / off circuit of the multi-output switching power supply according to the first aspect, the output on / off switch element is turned off by a signal from the load side, and the load side capacitive charge is turned off. The switching time of the second control element that controls the first control element that discharges the first control element is controlled even when the output on / off switch element is turned off even when the load is a large capacitive load. The peak value of the discharge current of the first control can be suppressed, and the first control element can be prevented from being destroyed, and can be used in an optimum operation region. Will be higher.

【0031】請求項2の多出力スイッチング電源の出力
オン/オフ回路によれば、第2の制御素子をトランジス
タにより構成し、このトランジスタのスイッチスピード
を制御する時定数回路を、バイアス時定数を決める抵抗
とコンデンサとにより構成したことにより、簡単な回路
構成で、且つ安価に構成することができる。
According to the output on / off circuit of the multi-output switching power supply of the second aspect, the second control element is constituted by a transistor, and the time constant circuit for controlling the switching speed of the transistor determines the bias time constant. With the configuration using the resistor and the capacitor, the configuration can be made with a simple circuit configuration and at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る多出力スイッチング電源の出力オ
ン/オフ回路のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an output on / off circuit of a multiple output switching power supply according to the present invention.

【図2】図1の詳細な回路図である。FIG. 2 is a detailed circuit diagram of FIG.

【図3】図2の出力オン/オフ回路の動作状態を示す図
である。
FIG. 3 is a diagram showing an operation state of the output on / off circuit of FIG. 2;

【図4】従来の多出力スイッチング電源の出力オン/オ
フ回路のブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a conventional output on / off circuit of a multiple output switching power supply.

【図5】図4の詳細な回路図である。FIG. 5 is a detailed circuit diagram of FIG. 4;

【図6】図5の出力オン/オフ回路の動作状態を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing an operation state of the output on / off circuit of FIG. 5;

【図7】図5の出力オン/オフ回路のロジック動作状態
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a logic operation state of the output on / off circuit of FIG. 5;

【図8】放電素子の放電電流特性を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing discharge current characteristics of a discharge element.

【図9】放電素子のASO安全動作領域内での動作を示
す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an operation of the discharge element in an ASO safe operation area.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 変圧器 2、3 入力端子 4、5、6 出力端子 7 信号入力端子 8、12 制御回路 9 FETQ2(スイッチ素子) 10 バイアス回路 11 バイパス回路 13、14、15 整流平滑回路 16、17、18 負荷 19 時定数回路 P1 一次巻線 P2 制御巻線 S1、S2、S3 二次巻線 Q1、Q2 FET(電界効果トランジスタ) Q3 トランジスタ(制御素子兼放電素子) Q4 トランジスタ(制御素子素子) R1、R2、R3 抵抗 C4 コンデンサ D1 ダイオード(バイパス回路) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transformer 2, 3 Input terminal 4, 5, 6 Output terminal 7 Signal input terminal 8, 12 Control circuit 9 FETQ2 (switch element) 10 Bias circuit 11 Bypass circuit 13, 14, 15 Rectifying smoothing circuit 16, 17, 18 Load 19 time constant circuit P1 primary winding P2 control winding S1, S2, S3 secondary winding Q1, Q2 FET (field effect transistor) Q3 transistor (control element and discharge element) Q4 transistor (control element element) R1, R2, R3 resistor C4 capacitor D1 diode (bypass circuit)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 変圧器の少なくとも第1、第2の二次巻
線の出力電圧を夫々整流して第1、第2の直流出力電圧
を異なる出力端子から出力して負荷側に供給すると共に
負荷側からの信号を入力する信号入力端子を有した多出
力スイッチング電源のオン/オフ回路において、前記第
2の直流出力電圧をオン/オフするスイッチ素子と、前
記第1の直流出力電圧から前記スイッチ素子の制御端子
にバイアスをかけるバイアス手段と、前記スイッチ素子
の制御端子に接続されてバイアスを制御する第1の制御
素子と、前記第2の直流出力電圧端子の負荷側容量電荷
を前記スイッチ素子の制御端子にバイパスさせて前記第
1の制御素子により放電させるバイパス手段と、前記信
号入力端子からの信号で前記第1の制御素子をオン/オ
フ制御する第2の制御素子と、前記第2の制御素子のス
イッチ切換時間を制御する時定数回路とを備えたことを
特徴とする多出力スイッチング電源の出力オン/オフ回
路。
An output voltage of at least a first and a second secondary winding of a transformer is respectively rectified, and first and second DC output voltages are output from different output terminals and supplied to a load side. In an on / off circuit of a multi-output switching power supply having a signal input terminal for inputting a signal from a load side, a switch element for turning on / off the second DC output voltage; A biasing means for applying a bias to a control terminal of the switch element, a first control element connected to the control terminal of the switch element to control bias, and a load-side capacitive charge of the second DC output voltage terminal, A bypass means for bypassing to a control terminal of the element and discharging by the first control element; and a second control means for controlling on / off of the first control element by a signal from the signal input terminal. An output on / off circuit for a multi-output switching power supply, comprising: a control element; and a time constant circuit for controlling a switch switching time of the second control element.
【請求項2】 前記第2の制御素子はトランジスタによ
り構成され、前記時定数回路は、前記トランジスタのバ
イアス時定数を決める抵抗とコンデンサとにより構成さ
れることを特徴とする請求項1項に記載の多出力スイッ
チング電源の出力オン/オフ回路。
2. The device according to claim 1, wherein the second control element includes a transistor, and the time constant circuit includes a resistor and a capacitor that determine a bias time constant of the transistor. Output on / off circuit of multiple output switching power supply.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015106967A (en) * 2013-11-29 2015-06-08 キヤノン株式会社 Discharge circuit and drive control method for discharge circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015106967A (en) * 2013-11-29 2015-06-08 キヤノン株式会社 Discharge circuit and drive control method for discharge circuit
US9853495B2 (en) 2013-11-29 2017-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Discharge circuit, information processing apparatus, discharge method, and storage medium

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