JPH11317566A - Optical module - Google Patents

Optical module

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JPH11317566A
JPH11317566A JP10124404A JP12440498A JPH11317566A JP H11317566 A JPH11317566 A JP H11317566A JP 10124404 A JP10124404 A JP 10124404A JP 12440498 A JP12440498 A JP 12440498A JP H11317566 A JPH11317566 A JP H11317566A
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JP
Japan
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optical
silicon substrate
substrate
board
electrode
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Application number
JP10124404A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Kaneko
進一 金子
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH11317566A publication Critical patent/JPH11317566A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain arm optical module which is less affected by the dielectric loss of a silicon board and an electric capacitance generated between the board and electrodes formed on the board, by a method wherein a feeder for a photoelectric conversion device is provided to a feeding board provided onto the silicon board. SOLUTION: Electrodes are provided to a dielectric board 8 other than a silicon board 5 to input electric signals to a semiconductor laser 1. The electrode formed on the underside of the dielectric board 8 is connected to the ground electrode of a photo-element, and the other electrode formed on the upside of the dielectric board 8 is connected to the other electrode of the photo-element. By this setup, the electrode located on the underside of the dielectric board 8 functions as a grounding terminal, an electric field is confined between the grounding electrode and the other electrode located on the upside of the dielectric board 8, so that the semiconductor laser 1 can be less affected by the dielectric loss of the silicon board 5 and an electric capacitance generated between the silicon board 5 and electrodes formed on the board 5. The dielectric board 8 is completely separated from the silicon board 5, so that a light module can be manufactured through a simple manufacturing process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信システム
に用いられる光モジュールに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical module used for an optical communication system.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光モジュールの構成を説明する。
図4は、特開平8−78657号公報に示された従来の
光モジュールの構成図である。図において、1は半導体
レーザ、3は光導波路、5はシリコン基板、7は半導体
レーザ1のグランド側電極、11はシリコン基板5上の
マーカ、12は対応する半導体レーザ1上のマーカであ
る。また、27はシリコン基板5の凹部に形成されたガ
ラス誘電体層、28はガラス誘電体層上に形成された電
極、29は光導波路3の下クラッド、30は光導波路3
の上クラッドである。また、図5は、図4に示した従来
の光モジュールに使用するシリコン基板の製造工程を示
すものである。図において、31は平板のシリコン基
板、32はシリコン基板31をエッチングにより凹凸部
を設けたシリコン基板、33は下クラッドとなる石英系
ガラスを堆積した基板、34はシリコン基板33の表面
を研磨した基板、35は光導波路3と光導波路の上クラ
ッドとなる石英系基板30を堆積した基板である。他
は、図4の同番号と同じものである。
2. Description of the Related Art The structure of a conventional optical module will be described.
FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional optical module disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-78657. In the figure, 1 is a semiconductor laser, 3 is an optical waveguide, 5 is a silicon substrate, 7 is a ground electrode of the semiconductor laser 1, 11 is a marker on the silicon substrate 5, and 12 is a marker on the corresponding semiconductor laser 1. 27 is a glass dielectric layer formed in the concave portion of the silicon substrate 5, 28 is an electrode formed on the glass dielectric layer, 29 is a lower cladding of the optical waveguide 3, and 30 is an optical waveguide 3
The upper cladding. FIG. 5 shows a process of manufacturing a silicon substrate used in the conventional optical module shown in FIG. In the figure, 31 is a flat silicon substrate, 32 is a silicon substrate provided with irregularities by etching the silicon substrate 31, 33 is a substrate on which quartz glass serving as a lower clad is deposited, and 34 is the surface of the silicon substrate 33 polished. A substrate 35 is a substrate on which the optical waveguide 3 and a quartz substrate 30 serving as an upper clad of the optical waveguide are deposited. Others are the same as those in FIG.

【0003】この光モジュールの光が伝送路に放射され
るまでの様子を説明する。電気信号は、ガラス誘電体層
上に形成されたグランド電極7と内導体電極28を伝搬
し、半導体レーザ1に入力される。半導体レーザ1にお
いて、入力電気信号は、光信号に変換され、出射され
る。半導体レーザ1からの出射光は、光導波路3に結合
され、更に光ファイバ2に結合されて、光通信システム
の伝送路光ファイバに導かれる。この光モジュールの効
率を高めるための構成に以下のことが考慮されている。
半導体レーザ1は、シリコン基板5上に形成されたマー
カ11と、半導体レーザ1上に形成されたマーカ12が
一致するように実装することによって、シリコン基板5
上に高精度で、実装することができ、光導波路と光学的
に結合をとることができる。シリコン基板5は、熱伝導
性に優れ光デバイスの熱を良く逃し、また、半導体プロ
セスを用いて精密なマーカの形成及び光ファイバを実装
するための精密なV溝の形成が容易なため、この種の基
板に用いられる。しかし、シリコンが半導体材料である
ため、第1にSi基板上に材料自体に抵抗成分を有し、
高周波のマイクロ波信号の伝送損失が大きくなる。第2
に導電線を形成する際には、シリコン基板と絶縁をとる
ため、絶縁膜を形成する必要があるが、Si基板/絶縁
膜/導電線の構成により大きな電気容量を生じるという
欠点もある。
[0003] A state until the light of the optical module is emitted to the transmission line will be described. The electric signal propagates through the ground electrode 7 and the inner conductor electrode 28 formed on the glass dielectric layer, and is input to the semiconductor laser 1. In the semiconductor laser 1, an input electric signal is converted into an optical signal and emitted. The light emitted from the semiconductor laser 1 is coupled to the optical waveguide 3 and further coupled to the optical fiber 2 and guided to the transmission line optical fiber of the optical communication system. The following is considered in the configuration for improving the efficiency of the optical module.
The semiconductor laser 1 is mounted such that the marker 11 formed on the silicon substrate 5 and the marker 12 formed on the semiconductor laser 1 coincide with each other.
It can be mounted with high precision on top and can be optically coupled to an optical waveguide. Since the silicon substrate 5 has excellent heat conductivity and well escapes the heat of the optical device, and it is easy to form a precise marker using a semiconductor process and to form a precise V-groove for mounting an optical fiber, Used for seed substrates. However, since silicon is a semiconductor material, firstly, the material itself has a resistance component on the Si substrate,
Transmission loss of a high-frequency microwave signal increases. Second
When a conductive line is formed, an insulating film must be formed to insulate the silicon substrate from the silicon substrate. However, there is a disadvantage that a large capacitance is generated due to the configuration of the Si substrate / insulating film / conductive line.

【0004】図5を用いて、図4に示した従来の光モジ
ュールに使用するシリコン基板の製造工程を示す。ま
ず、平板のシリコン基板31をエッチングにより凹凸を
形成し、凹凸部を有するシリコン基板32を製作する。
次に、光導波路3の下クラッドであり、かつ、半導体レ
ーザへの給電用電極を形成する石英系ガラス誘電体を堆
積させたシリコン基板33を製作する。更に、シリコン
基板33を研磨し、表面を滑らかにしたシリコン基板3
4を製作後、光導波路及び光導波路の上クラッドとなる
石英系ガラス誘電体層を堆積させる(シリコン基板3
5)。最後に、シリコン基板35の半導体レーザ実装部
と、電極形成部を露出させるためのエッチングを施し、
半導体レーザを実装する光導波路付シリコン基板5を得
る。こうして、電極7と電極28が、十分な厚さのガラ
ス誘電体層上に形成されているため、シリコン基板自体
の誘電体損の影響や、シリコン基板とシリコン基板上に
形成した電極の間に生じる電気容量の影響を低減するこ
とができる。
FIG. 5 shows a process of manufacturing a silicon substrate used in the conventional optical module shown in FIG. First, a flat silicon substrate 31 is formed with irregularities by etching to produce a silicon substrate 32 having irregularities.
Next, a silicon substrate 33 which is a lower clad of the optical waveguide 3 and on which a silica-based glass dielectric for forming a power supply electrode for the semiconductor laser is deposited is manufactured. Further, the silicon substrate 33 is polished to make the surface smooth.
After the fabrication of the optical waveguide 4, an optical waveguide and a silica glass dielectric layer serving as an upper clad of the optical waveguide are deposited (the silicon substrate 3).
5). Finally, etching is performed to expose the semiconductor laser mounting portion of the silicon substrate 35 and the electrode forming portion,
A silicon substrate with an optical waveguide 5 on which a semiconductor laser is mounted is obtained. In this way, since the electrodes 7 and 28 are formed on the glass dielectric layer having a sufficient thickness, the influence of the dielectric loss of the silicon substrate itself and the gap between the silicon substrate and the electrodes formed on the silicon substrate are obtained. The effect of the generated electric capacity can be reduced.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の光モジュールの
シリコン基板は、上記図5の製造過程で説明したよう
に、複雑な製造工程が必要となり、光モジュールが高価
になるという課題があった。また、従来の光モジュール
は、光素子に設けられたマーカとシリコン基板に設けら
れたマーカが合うように組み立て、光素子と光導波路と
の位置合わせを行い、光学的に結合している。しかし、
マーカを形成するためのマスクと光導波路を形成するた
めのマスクが異なるため、マスク自体の誤差や、アライ
ナの誤差により、高精度な位置調整が難しいという課題
があった。また、シリコン基板のマーカは、エッチング
による光素子実装部の露出後、金パターンを付けるため
のマスクパターンを残留上クラッドを避けて当てて、金
パターンを形成する。しかし、上クラッドがあるため
に、このマスクパターンがシリコン基板から浮いてしま
うため、高精度なマークの形成が難しいという課題があ
った。また、従来の光モジュールは、光導波路部の先に
V溝部を形成することによって、光ファイバと無調整で
接続することができるが、V溝部を形成するためのマス
クと光導波路を形成するためのマスクが異なるため、マ
スク自体の誤差や、アライナの誤差により、高精度な位
置調整が難しいという課題があった。また、シリコン基
板の凹凸部形成と同時にV溝部を形成する場合には、そ
の後のシリコン基板の研磨工程での研磨量を高精度で管
理しなければならず、また、上クラッド形成後にV溝部
を形成する場合には、上クラッドがあるためにV溝を付
けるためのマスクパターンが、シリコン基板から浮いて
しまうため、高精度なマークの形成が難しいという課題
があった。更に、従来の光モジュールは、光結合のため
にレンズ光学系を用いていないため、光モジュール内に
光アイソレータを挿入することができないという課題が
あった。
As described in the manufacturing process of FIG. 5, the conventional silicon substrate of the optical module has a problem that a complicated manufacturing process is required and the optical module becomes expensive. Further, the conventional optical module is assembled so that the marker provided on the optical element and the marker provided on the silicon substrate are aligned, and the optical element and the optical waveguide are aligned and optically coupled. But,
Since the mask for forming the marker and the mask for forming the optical waveguide are different, there has been a problem that it is difficult to perform high-precision position adjustment due to errors in the mask itself and errors in the aligner. Further, after exposing the optical element mounting portion by etching, a mask pattern for attaching a gold pattern is applied to the marker on the silicon substrate while avoiding the residual upper clad, thereby forming a gold pattern. However, there is a problem that it is difficult to form a mark with high accuracy because the mask pattern floats from the silicon substrate due to the presence of the upper cladding. Further, the conventional optical module can be connected to the optical fiber without adjustment by forming the V-groove portion at the tip of the optical waveguide portion. However, since the conventional optical module can form the optical waveguide and the mask for forming the V-groove portion. However, there is a problem that high-precision position adjustment is difficult due to errors in the mask itself and errors in the aligner. In the case where the V-groove portion is formed simultaneously with the formation of the concavo-convex portion of the silicon substrate, the amount of polishing in the subsequent polishing step of the silicon substrate must be controlled with high precision. In the case of forming, there is a problem that it is difficult to form a mark with high precision because the mask pattern for forming the V-groove floats from the silicon substrate due to the presence of the upper cladding. Furthermore, the conventional optical module has a problem that an optical isolator cannot be inserted into the optical module because a lens optical system is not used for optical coupling.

【0006】この発明は、上記の課題を解決するために
なされたもので、基板とは別の基板を用いてシリコン基
板に対しては、複雑な製造工程を不要とし、かつ、精度
高く素子の組み立てができ、また更に、性能向上のため
の要素を挿入できる光モジュールを得ることを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and a complicated manufacturing process is not required for a silicon substrate by using a substrate different from the substrate, and the element is accurately manufactured. It is an object of the present invention to provide an optical module that can be assembled and that can further insert an element for improving performance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係る光モジュ
ールは、光変換素子と、光変換素子を搭載するシリコン
基板とからなる構成において、シリコン基板上にシリコ
ン基板とは別の給電基板を設けて、この給電基板上に光
変換素子への給電線路を備えた。
An optical module according to the present invention comprises a light conversion element and a silicon substrate on which the light conversion element is mounted, wherein a power supply substrate different from the silicon substrate is provided on the silicon substrate. Thus, a power supply line to the light conversion element was provided on the power supply substrate.

【0008】また更に、シリコン基板の給電基板と接す
る側に、または給電基板のシリコン基板と接する側に接
地電極を備えた。
Furthermore, a ground electrode is provided on the side of the silicon substrate in contact with the power supply substrate or on the side of the power supply substrate in contact with the silicon substrate.

【0009】また更に、光変換素子と給電基板とを取り
囲むパッケージを設け、このパッケージは光変換素子と
給電基板とに接する側に接地電極を設けた。
Further, a package surrounding the light conversion element and the power supply board is provided, and this package is provided with a ground electrode on the side in contact with the light conversion element and the power supply board.

【0010】または、光変換素子と、光変換素子を搭載
するシリコン基板とからなる構成において、シリコン基
板上にシリコン基板とは別の光導波路基板を設けて、こ
の光導波路基板上に光導波路を形成した。
Alternatively, in a configuration including a light conversion element and a silicon substrate on which the light conversion element is mounted, an optical waveguide substrate different from the silicon substrate is provided on the silicon substrate, and the optical waveguide is provided on the optical waveguide substrate. Formed.

【0011】また更に、シリコン基板上に、光変換素子
の位置決め用のマーカと光導波路基板の位置決め用のマ
ーカとを同時に形成するようにした。
Still further, a marker for positioning the light conversion element and a marker for positioning the optical waveguide substrate are simultaneously formed on the silicon substrate.

【0012】また更に、シリコン基板上の光導波路基板
の光変換素子側とは異なる側に光ファイバ設置用の溝を
設け、かつ光ファイバと接合させるための光導波路基板
の位置決め用のマーカもシリコン基板上に同時に形成す
るようにした。
Further, a groove for installing an optical fiber is provided on a side of the optical waveguide substrate on the silicon substrate which is different from the optical conversion element side, and a marker for positioning the optical waveguide substrate for bonding with the optical fiber is also made of silicon. They were formed simultaneously on the substrate.

【0013】また更に、シリコン基板上の光導波路基板
の光変換素子側とは異なる側に光ファイバ設置用の溝を
設け、光ファイバの、光導波路側とは異なる光送出側
に、光アイソレータ、または光ファイバと屈折率がほぼ
等しい保護板を設けた。
Further, a groove for installing an optical fiber is provided on a side of the optical waveguide substrate on the silicon substrate which is different from the optical conversion element side, and an optical isolator and an optical isolator are provided on a light sending side of the optical fiber different from the optical waveguide side. Alternatively, a protective plate having a refractive index substantially equal to that of the optical fiber was provided.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】実施の形態1.シリコン基板上に
電気回路のための複雑な製造工程を省くため他の中間基
板を導入し、かつ、位置関係の精度を保つ構成を説明す
る。図1は、本実施の形態における光モジュールの構成
を示す図である。図において、1は光源である半導体レ
ーザ、2は半導体レーザ1からの出射光を光通信システ
ムの伝送路に導くための光ファイバ、3は半導体レーザ
1からの出射光を光ファイバに導く光導波路、4は光導
波路3を形成した基板、5は半導体レーザ1、光ファイ
バ2、及び基板4を実装するシリコン基板、6はシリコ
ン基板5に形成した光ファイバ2を実装するためのV
溝、7は半導体レーザ1のグランド側電極、8はシリコ
ン基板5と異なる別の誘電体基板、9は誘電体基板8上
に形成した電極、10はグランド側電極7と電極9を導
通するためのスルーホール、11は半導体レーザ1を実
装する際に参照するシリコン基板5上のマーカ、12は
半導体レーザ1を実装する際にマーカ11と合うように
形成された半導体レーザ1上のマーカ、13は光導波路
を形成した基板4を実装する際に参照し、マーカ11と
所定の位置関係にあるシリコン基板5上のマーカ、14
は光導波路を形成した基板4を実装する際にマーカ13
と合うように形成された基板4上のマーカ、15は光導
波路を形成した基板4を実装する際に参照し、光ファイ
バを実装するためのV溝6と所定の位置関係にあるシリ
コン基板5上のマーカ、16は光導波路を形成した基板
4を実装する際にマーカ15と合うように形成された基
板4上のマーカである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 A description will be given of a configuration in which another intermediate substrate is introduced on a silicon substrate in order to eliminate a complicated manufacturing process for an electric circuit, and a positional relationship is maintained with accuracy. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an optical module according to the present embodiment. In the figure, 1 is a semiconductor laser as a light source, 2 is an optical fiber for guiding light emitted from the semiconductor laser 1 to a transmission line of an optical communication system, and 3 is an optical waveguide for guiding light emitted from the semiconductor laser 1 to an optical fiber. 4, a substrate on which the optical waveguide 3 is formed; 5, a silicon substrate on which the semiconductor laser 1, the optical fiber 2, and the substrate 4 are mounted; and 6, a V for mounting the optical fiber 2 formed on the silicon substrate 5.
The groove, 7 is a ground-side electrode of the semiconductor laser 1, 8 is another dielectric substrate different from the silicon substrate 5, 9 is an electrode formed on the dielectric substrate 8, and 10 is to conduct the ground-side electrode 7 and the electrode 9. , A marker 11 on the silicon substrate 5 to be referred to when the semiconductor laser 1 is mounted, 12 a marker on the semiconductor laser 1 formed to match the marker 11 when the semiconductor laser 1 is mounted, 13 Are referred to when mounting the substrate 4 on which the optical waveguide is formed, and the markers 14 and 14 on the silicon substrate 5 having a predetermined positional relationship with the marker 11
Is a marker 13 when mounting the substrate 4 on which the optical waveguide is formed.
The marker 15 on the substrate 4 formed so as to match with the silicon substrate 5 having a predetermined positional relationship with the V groove 6 for mounting an optical fiber, which is referred to when mounting the substrate 4 on which the optical waveguide is formed. The upper marker 16 is a marker on the substrate 4 formed to match the marker 15 when mounting the substrate 4 on which the optical waveguide is formed.

【0015】次に、上記モジュールの電気回路への入力
から光伝送路への出力までの動作について説明する。電
気信号は、シリコン基板5上に実装された誘電体基板8
に形成された電極9を伝わり、半導体レーザ1に入力さ
れる。なお、電極9は、グランド電極9aとグランドで
はない電極9bからなり、グランド電極9aは半導体レ
ーザ1のグランド電極7にスルーホール10によって接
続され、電極9bは半導体レーザのもう一方の電極に接
続されている。入力電気信号は、半導体レーザ1によっ
て光信号に変換され、出射される。半導体レーザ1から
の出射光は、光導波路3に結合され、更に光ファイバ2
に結合されて、光通信システムの伝送路光ファイバに導
かれる。
Next, the operation of the module from the input to the electric circuit to the output to the optical transmission line will be described. The electric signal is transmitted to the dielectric substrate 8 mounted on the silicon substrate 5.
And transmitted to the semiconductor laser 1. The electrode 9 includes a ground electrode 9a and a non-ground electrode 9b. The ground electrode 9a is connected to the ground electrode 7 of the semiconductor laser 1 by a through hole 10, and the electrode 9b is connected to the other electrode of the semiconductor laser. ing. The input electric signal is converted into an optical signal by the semiconductor laser 1 and emitted. The light emitted from the semiconductor laser 1 is coupled to an optical waveguide 3 and further transmitted to an optical fiber 2.
And guided to the transmission line optical fiber of the optical communication system.

【0016】次に、組み立て構成の確度について説明す
る。まず、半導体レーザ1の出力である光信号が正しく
光ファイバに損失少なく伝送されることが必要である
が、この整合を共通のシリコン基板5上で行う。半導体
レーザ1は、シリコン基板5上に形成されたマーカ11
と、半導体レーザ1上に形成されたマーカ12が一致す
るように実装することによって、シリコン基板5上に高
精度で、実装することができる。即ち、別の誘電体基板
8の位置精度(確度)に及ぼす影響は全くない。また、
光ファイバ2は、シリコン基板5に形成したV溝6に載
せることにより無調整でシリコン基板に実装することが
できる。
Next, the accuracy of the assembly configuration will be described. First, it is necessary that the optical signal output from the semiconductor laser 1 is correctly transmitted to the optical fiber with little loss. This matching is performed on the common silicon substrate 5. The semiconductor laser 1 includes a marker 11 formed on a silicon substrate 5.
By mounting so that the markers 12 formed on the semiconductor laser 1 coincide with each other, the mounting can be performed on the silicon substrate 5 with high accuracy. That is, there is no influence on the positional accuracy (accuracy) of another dielectric substrate 8. Also,
The optical fiber 2 can be mounted on the silicon substrate without adjustment by placing it on the V-groove 6 formed on the silicon substrate 5.

【0017】ここで、半導体レーザ1への電気信号の入
力に、シリコン基板とは別の誘電体基板8に電極を形成
したものを用いているため、例えば、誘電体基板8の下
面に形成した電極を光素子のグランドに接続し、誘電体
基板8の上面に形成した電極を光素子のもう一方の電極
に接続することにより、誘電体基板8の下面の電極がグ
ランドとして働き、誘電体基板8の上面に形成した電極
との間で電界が閉じ込められ、シリコン基板自体の誘電
体損の影響や、シリコン基板5とシリコン基板上に形成
した電極の間に生じる電気容量の影響を低減することが
できる。また、誘電体基板8は、シリコン基板5と全く
別の基板であるため、シリコン基板は光ファイバ実装用
のV溝を形成するだけで良く、光モジュールの製造工程
が簡単になる。なお、シリコン基板5上にグランド電極
7を設ける代わりに、誘電体基板8のシリコン基板側に
グランド電極を設けても構わない。また、半導体レーザ
1や、光導波路形成用の基板4を、シリコン基板5に位
置精度良く実装するためのシリコン基板5へのマーカの
形成も、上記V溝形成工程と同じマスクパターンで、一
緒にエッチングにより製作することができる。このた
め、工程が簡単になり、しかも、高精度に半導体レー
ザ、光導波路、光ファイバの位置調整ができて、結合効
率がよい光モジュールが得られる。なお、誘電体基板8
は、アルミナセラミックなどの高周波電気信号の伝送路
用基板として一般的に利用されているものを用いること
ができる。
Here, the input of an electric signal to the semiconductor laser 1 uses a dielectric substrate 8 having electrodes formed thereon, which is different from the silicon substrate. For example, it is formed on the lower surface of the dielectric substrate 8. By connecting the electrode to the ground of the optical element and connecting the electrode formed on the upper surface of the dielectric substrate 8 to the other electrode of the optical element, the electrode on the lower surface of the dielectric substrate 8 functions as the ground, The electric field is confined between the electrode formed on the upper surface of the silicon substrate 8 and the effect of dielectric loss of the silicon substrate itself and the effect of electric capacitance generated between the silicon substrate 5 and the electrode formed on the silicon substrate. Can be. In addition, since the dielectric substrate 8 is a completely different substrate from the silicon substrate 5, the silicon substrate only needs to form a V-groove for mounting an optical fiber, and the manufacturing process of the optical module is simplified. Instead of providing the ground electrode 7 on the silicon substrate 5, a ground electrode may be provided on the silicon substrate side of the dielectric substrate 8. In addition, the formation of the marker on the silicon substrate 5 for mounting the semiconductor laser 1 and the substrate 4 for forming the optical waveguide on the silicon substrate 5 with high positional accuracy is performed together with the same mask pattern as in the V-groove forming step. It can be manufactured by etching. Therefore, the process is simplified, and the positions of the semiconductor laser, the optical waveguide, and the optical fiber can be adjusted with high accuracy, and an optical module with good coupling efficiency can be obtained. Note that the dielectric substrate 8
For example, a substrate generally used as a transmission line substrate for high-frequency electric signals, such as alumina ceramic, can be used.

【0018】更に、半導体レーザ1からの出射光を導波
する光導波路3は、半導体レーザ1を実装するシリコン
基板5とは別の基板4に形成されているため、シリコン
基板5とは独立に光導波路3を形成することができ、光
モジュールの製造工程が簡単になる。また、光導波路3
は、盛上型、リッジ型、装荷型、拡散型のいずれでもよ
く、基板4の表面に加工をして光導波路3の溝を形成す
るので、光導波路の高さ方向の管理がしやすく、つま
り、半導体レーザ1の光信号出力方向の高さを一致させ
ることが容易であり、光モジュールの結合効率を高める
ことができる。なお、光導波路形成用に、シリコン基板
5とは別の基板4を用いたので、この基板4上に他の分
波機構や、波長弁別機構、多重化機構等を搭載して高機
能にすることも可能である。
Further, since the optical waveguide 3 for guiding the light emitted from the semiconductor laser 1 is formed on a substrate 4 different from the silicon substrate 5 on which the semiconductor laser 1 is mounted, the optical waveguide 3 is independent of the silicon substrate 5. The optical waveguide 3 can be formed, and the manufacturing process of the optical module is simplified. Also, the optical waveguide 3
May be any of a raised type, a ridge type, a loaded type, and a diffusion type. Since the surface of the substrate 4 is processed to form the groove of the optical waveguide 3, it is easy to manage the height direction of the optical waveguide. That is, it is easy to make the heights of the semiconductor laser 1 in the optical signal output direction equal, and the coupling efficiency of the optical module can be increased. In addition, since the substrate 4 different from the silicon substrate 5 was used for forming the optical waveguide, another demultiplexing mechanism, a wavelength discriminating mechanism, a multiplexing mechanism, and the like were mounted on the substrate 4 to achieve a high function. It is also possible.

【0019】更に、シリコン基板5上には、半導体レー
ザ1を実装するためのマーカ11に対して所定の位置関
係にあるようにマーカ13が設けられ、また、光ファイ
バ2を実装するためのV溝6に対して所定の位置関係に
あるようにマーカ15が設けらる。対して基板4には、
光導波路の半導体レーザ1側に光導波路3と所定の位置
関係にあるマーカ14が設けられ、光導波路の光ファイ
バ2側に光導波路3と所定の位置関係にあるマーカ16
が設けられている。このように、共通のシリコン基板5
を基準にして、それぞれ対向して設置される要素に合致
する位置情報としてのマーカが同一工程で得られ、高精
度が保証される。こうして、マーカ13とマーカ14が
合い、かつ、マーカ15とマーカ16が合うように基板
4を実装することで半導体レーザ1と光導波路3とが、
光導波路3と光ファイバ2とがそれぞれ一致し、半導体
レーザ1の出射光を高い効率で伝送路光ファイバ2に導
くことができる。
Further, a marker 13 is provided on the silicon substrate 5 so as to have a predetermined positional relationship with a marker 11 for mounting the semiconductor laser 1, and a V for mounting the optical fiber 2 is provided. The marker 15 is provided so as to have a predetermined positional relationship with the groove 6. On the other hand, the substrate 4
A marker 14 having a predetermined positional relationship with the optical waveguide 3 is provided on the semiconductor laser 1 side of the optical waveguide, and a marker 16 having a predetermined positional relationship with the optical waveguide 3 is provided on the optical fiber 2 side of the optical waveguide.
Is provided. Thus, the common silicon substrate 5
With reference to the above, markers as position information that match the elements installed facing each other are obtained in the same process, and high accuracy is guaranteed. In this way, the semiconductor laser 1 and the optical waveguide 3 are mounted by mounting the substrate 4 so that the marker 13 and the marker 14 match and the marker 15 and the marker 16 match.
The optical waveguide 3 and the optical fiber 2 coincide with each other, and the light emitted from the semiconductor laser 1 can be guided to the transmission line optical fiber 2 with high efficiency.

【0020】本実施の形態においては、光素子として半
導体レーザを用いて説明を行ったが、フォトダイオード
としてもよい。
Although the present embodiment has been described using a semiconductor laser as the optical element, it may be a photodiode.

【0021】実施の形態2.本実施の形態においては、
入力側の電気回路への周囲からの影響を遮断した構成を
説明する。図2は、本実施の形態における光モジュール
の構成を示す図である。図において、17は半導体レー
ザ1、光ファイバ2、光導波路を形成した基板4及び誘
電体基板8を実装するシリコン基板を内蔵し、気密を保
つためのパッケージ、18はシリコン基板のグランド電
極7を囲むように形成され、電極7と接続するパッケー
ジのグランド、19は半導体レーザ1のグランドではな
い電極に電気信号を給電するためのパッケージに形成さ
れた電極、20は電極7とパッケージのグランド電極1
8を接続するための金リボン、21は半導体レーザ1の
グランドではない電極と誘電体基板上に形成された電極
9を電気的に接続する金ワイヤ、22は誘電体基板上に
形成された電極9とパッケージに形成された電極19を
接続するための金ワイヤである。その他の番号の要素
は、図1に示す同番号の要素と同じものである。
Embodiment 2 FIG. In the present embodiment,
A configuration in which the influence of the surroundings on the input-side electric circuit will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the optical module according to the present embodiment. In the figure, reference numeral 17 denotes a package for maintaining a hermetic seal, incorporating a silicon substrate on which a semiconductor laser 1, an optical fiber 2, a substrate 4 on which an optical waveguide is formed, and a dielectric substrate 8 are mounted. Reference numeral 18 denotes a ground electrode 7 of the silicon substrate. A ground of a package formed so as to surround and connect to the electrode 7, 19 is an electrode formed on a package for supplying an electric signal to an electrode other than the ground of the semiconductor laser 1, 20 is an electrode 7 and the ground electrode 1 of the package.
8 is a gold ribbon for connecting the electrode 8, 21 is a gold wire for electrically connecting an electrode that is not the ground of the semiconductor laser 1 to the electrode 9 formed on the dielectric substrate, and 22 is an electrode formed on the dielectric substrate. 9 is a gold wire for connecting the electrode 9 and the electrode 19 formed on the package. The other elements with the same numbers are the same as the elements with the same numbers shown in FIG.

【0022】次に、動作について説明する。パッケージ
に入力された電気信号は、パッケージの電極18をグラ
ンドとして、また、パッケージの電極19を内導体とし
て伝搬する。パッケージのグランドは、金リボン20を
介して半導体レーザ1のグランドに接続され、また、電
極19は、金ワイヤ22を介して誘電体基板8上に形成
された電極9に接続され、金ワイヤ21を介して半導体
レーザ1のグランドではない電極に接続され、入力電気
信号が半導体レーザ1に入力される。半導体レーザ1に
おいて、入力電気信号は、光信号に変換され、出射され
る。半導体レーザ1からの出射光は、基板4に形成され
た光導波路に結合され、更に光ファイバ2に結合され
て、光通信システムの伝送路光ファイバに導かれる。
Next, the operation will be described. The electric signal input to the package propagates using the package electrode 18 as a ground and the package electrode 19 as an inner conductor. The ground of the package is connected to the ground of the semiconductor laser 1 via a gold ribbon 20, the electrode 19 is connected to the electrode 9 formed on the dielectric substrate 8 via a gold wire 22, and the gold wire 21 Is connected to an electrode other than the ground of the semiconductor laser 1 via an input terminal, and an input electric signal is input to the semiconductor laser 1. In the semiconductor laser 1, an input electric signal is converted into an optical signal and emitted. Light emitted from the semiconductor laser 1 is coupled to an optical waveguide formed on the substrate 4, further coupled to the optical fiber 2, and guided to a transmission line optical fiber of an optical communication system.

【0023】ここで、図2に示すように、半導体レーザ
1のグランド電極7とパッケージのグランド電極18を
近接させ、金リボンなどで電気的に強固に接続すれば、
実施の形態1のように、基板8自体に地導体用の電極を
形成しなくても、シリコン基板自体の誘電体損の影響
や、シリコン基板とシリコン基板上に形成した電極の間
に生じる電気容量の影響を低減することができる。
Here, as shown in FIG. 2, if the ground electrode 7 of the semiconductor laser 1 and the ground electrode 18 of the package are brought close to each other and electrically connected firmly with a gold ribbon or the like,
As in the first embodiment, even if an electrode for a ground conductor is not formed on the substrate 8 itself, the influence of the dielectric loss of the silicon substrate itself and the electric potential generated between the silicon substrate and the electrodes formed on the silicon substrate are eliminated. The effect of the capacity can be reduced.

【0024】また、パッケージのグランド電極18がシ
リコン基板5を囲むように、近接して形成されているの
で、シリコン基板5をパッケージ内に内蔵するときのガ
イドとしても利用することができ、組み立ての容易な光
モジュールを得ることができる。
Further, since the ground electrode 18 of the package is formed close to and surrounds the silicon substrate 5, it can be used as a guide when the silicon substrate 5 is built in the package, and can be used for assembly. An easy optical module can be obtained.

【0025】実施の形態3.共通の基板となるシリコン
基板には複雑な工程を必要とせず、しかも光アイソレー
タや各種の機能要素を挿入したり、フレキシブルな光路
を形成できる光モジュールを説明する。図3は、本実施
の形態における光モジュールの構成を示す図である。図
において、23は光ファイバ2を保持するフェルール、
24は光ファイバ2と伝送路光ファイバとを接続するた
めの光モジュールのコネクタ部、25はコネクタ部24
に設けられ、一方が光ファイバ2に光学的に接触あるい
は接着されている光アイソレータ、26は光アイソレー
タの伝送路光ファイバ側に設けられた光ファイバの屈折
率とほぼ等しい光学板である。その他の番号の要素は、
既に説明した図1,図2の対応する番号と同じものであ
る。
Embodiment 3 An optical module which does not require a complicated process on a silicon substrate serving as a common substrate, and in which an optical isolator and various functional elements can be inserted and a flexible optical path can be formed will be described. FIG. 3 is a diagram showing a configuration of the optical module according to the present embodiment. In the figure, 23 is a ferrule holding the optical fiber 2,
Reference numeral 24 denotes a connector part of the optical module for connecting the optical fiber 2 and the transmission line optical fiber, and 25 denotes a connector part.
, One of which is optically in contact with or adhered to the optical fiber 2, and 26 is an optical plate having a refractive index substantially equal to the refractive index of the optical fiber provided on the transmission line optical fiber side of the optical isolator. The other numbered elements are
It is the same as the corresponding number in FIGS. 1 and 2 already described.

【0026】次に、動作について説明する。電気信号
は、半導体レーザ1に入力され、光信号に変換され、出
射される。半導体レーザ1からの出射光は、基板4に形
成された光導波路に結合され、更に光ファイバ2に結合
されて、光アイソレータを透過した後、光通信システム
の伝送路光ファイバに導かれる。光ファイバ2と伝送路
光ファイバの間に光アイソレータが設けてあるため、伝
送路光ファイバからの反射戻り光を遮光することがで
き、半導体レーザ1の発振特性を安定化することができ
る。
Next, the operation will be described. The electric signal is input to the semiconductor laser 1, converted into an optical signal, and emitted. Light emitted from the semiconductor laser 1 is coupled to an optical waveguide formed on a substrate 4, further coupled to an optical fiber 2, transmitted through an optical isolator, and guided to a transmission line optical fiber of an optical communication system. Since the optical isolator is provided between the optical fiber 2 and the transmission line optical fiber, the reflected return light from the transmission line optical fiber can be shielded, and the oscillation characteristics of the semiconductor laser 1 can be stabilized.

【0027】光アイソレータ25は、パッケージのコネ
クタ部24内に内蔵されていて、小型の光アイソレータ
内蔵型光モジュールを形成している。なお、光アイソレ
ータと光ファイバ2は、光アイソレータに無反射コーテ
ィングを施した後、光学的に接触(フィジカルコンタク
ト)あるいは接着することにより、界面での反射を小さ
くすることができる。同様に、光アイソレータ25と伝
送路光ファイバとの接続も、光アイソレータに無反射コ
ーティングを施した後、光学的に接触をとるようにする
ことにより、反射を少なくすることができる。
The optical isolator 25 is built in the connector section 24 of the package, and forms a small optical module with a built-in optical isolator. The optical isolator and the optical fiber 2 can be reduced in reflection at the interface by optically contacting (physical contact) or bonding after applying an anti-reflection coating to the optical isolator. Similarly, in the connection between the optical isolator 25 and the transmission line optical fiber, reflection can be reduced by optically contacting the optical isolator after applying a non-reflective coating to the optical isolator.

【0028】また、光アイソレータの伝送路光ファイバ
側に伝送路光ファイバと屈折率がほぼ等しい光学板を設
ける構成として、伝送路光ファイバをコネクタ部24で
接続する際に、直接、力が光アイソレータにかかるのを
防ぎ、信頼性を高めることができる。
Further, an optical plate having a refractive index substantially equal to that of the transmission line optical fiber is provided on the side of the transmission line optical fiber of the optical isolator. It is possible to prevent the isolator from being applied and to improve reliability.

【0029】[0029]

【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果がある。半導体レ
ーザ1への電気信号の入力に、シリコン基板とは別の誘
電体基板8に電極を形成し、かつ、誘電体基板8の下面
にグランド電極を設けたので、シリコン基板自体の誘電
体損の影響や、シリコン基板とシリコン基板上に形成し
た電極の間に生じる電気容量の影響を低減でき、良好な
高周波応答特性を得ることができる効果がある。
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. Since an electrode is formed on a dielectric substrate 8 different from the silicon substrate for inputting an electric signal to the semiconductor laser 1 and a ground electrode is provided on the lower surface of the dielectric substrate 8, the dielectric loss of the silicon substrate itself is reduced. And the effect of the electric capacitance generated between the silicon substrate and the electrodes formed on the silicon substrate can be reduced, and an excellent high-frequency response characteristic can be obtained.

【0030】また、誘電体基板8は、シリコン基板5と
は別の基板であるため、シリコン基板の製造工程が簡単
になる効果もある。
Further, since the dielectric substrate 8 is a substrate different from the silicon substrate 5, there is also an effect that the manufacturing process of the silicon substrate is simplified.

【0031】更に、半導体レーザや光導波路を形成した
基板を、精度良くシリコン基板に実装するためのシリコ
ン基板へのマーカの形成も、V溝形成工程と同じマスク
パターンで、一緒にエッチングにより製作することがで
きるため、製造工程が簡単になる効果もある。
Further, the marker on the silicon substrate for accurately mounting the substrate on which the semiconductor laser and the optical waveguide are formed on the silicon substrate is also manufactured by etching together with the same mask pattern as in the V-groove forming step. Therefore, there is also an effect that the manufacturing process is simplified.

【0032】また更に、高精度に半導体レーザ、光導波
路、光ファイバの位置調整ができて、結合効率が良好な
光モジュールが得られる効果もある。
Furthermore, the position of the semiconductor laser, the optical waveguide, and the optical fiber can be adjusted with high precision, and an optical module having good coupling efficiency can be obtained.

【0033】また更に、光アイソレータを光ファイバ後
方のパッケージのコネクタ部内に内蔵できるため、小型
の光アイソレータ内蔵型光モジュールが容易に得られる
効果がある。
Further, since the optical isolator can be built in the connector portion of the package behind the optical fiber, there is an effect that a small optical module with a built-in optical isolator can be easily obtained.

【0034】また更に光アイソレータの伝送路光ファイ
バ側に伝送路光ファイバと屈折率がほぼ等しい光学板を
設けられるため、伝送路光ファイバをコネクタ部で接続
する際の力が光アイソレータにかかるのを防ぐことがで
き、信頼性を高める効果もある。
Further, since an optical plate having a refractive index substantially equal to that of the transmission path optical fiber is provided on the transmission path optical fiber side of the optical isolator, a force when the transmission path optical fiber is connected by the connector is applied to the optical isolator. Can be prevented, and there is also an effect of increasing reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1における光モジュー
ルの構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical module according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態2における光モジュー
ルの構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of an optical module according to Embodiment 2 of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態3における光モジュー
ルの構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of an optical module according to Embodiment 3 of the present invention.

【図4】 従来の光モジュールの構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional optical module.

【図5】 従来の光モジュールの製造工程説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory view of a manufacturing process of a conventional optical module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ、2 光ファイバ、3 光導波路、4
光導波路を形成した基板、5 シリコン基板、6 V
溝、7 グランド電極、8 誘電体基板、9誘電体基板
上の電極、10 スルーホール、11 シリコン基板上
のマーカ、12 半導体レーザ上のマーカ、13 シリ
コン基板上のマーカ、14 基板4上のマーカ、15
シリコン基板上のマーカ、16 基板4上のマーカ、1
7 パッケージ、18 パッケージのグランド電極、1
9 パッケージの電極、20金リボン、21 金ワイ
ヤ、22 金ワイヤ、23 フェルール、24 パッケ
ージのコネクタ部、25 光アイソレータ、26 光学
板、27 ガラス誘電体層、28 誘電体層上の電極、
29 下クラッド、30 上クラッド、31 平板のシ
リコン基板、32 凹凸部を有するシリコン基板、33
ガラス誘電体層を堆積したシリコン基板、34 表面
を研磨したシリコン基板、35 光導波路及び上クラッ
ドを形成したシリコン基板。
1 semiconductor laser, 2 optical fiber, 3 optical waveguide, 4
Substrate on which optical waveguide is formed, 5 silicon substrate, 6 V
Groove, 7 ground electrode, 8 dielectric substrate, 9 electrode on dielectric substrate, 10 through hole, 11 marker on silicon substrate, 12 marker on semiconductor laser, 13 marker on silicon substrate, 14 marker on substrate 4 , 15
Marker on silicon substrate, 16 Marker on substrate 4, 1
7 package, 18 package ground electrode, 1
9 package electrode, 20 gold ribbon, 21 gold wire, 22 gold wire, 23 ferrule, 24 package connector, 25 optical isolator, 26 optical plate, 27 glass dielectric layer, 28 electrode on dielectric layer,
29 lower clad, 30 upper clad, 31 flat silicon substrate, 32 silicon substrate having irregularities, 33
A silicon substrate having a glass dielectric layer deposited thereon, a silicon substrate having a polished surface, and a silicon substrate having an optical waveguide and an upper clad formed thereon.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光変換素子と、光変換素子を搭載するシ
リコン基板とからなる構成において、 上記シリコン基板上に上記シリコン基板とは別の給電基
板を設けて、該給電基板上に上記光変換素子への給電線
路を備えたことを特徴とする光モジュール。
In a configuration comprising a light conversion element and a silicon substrate on which the light conversion element is mounted, a power supply substrate different from the silicon substrate is provided on the silicon substrate, and the light conversion substrate is provided on the power supply substrate. An optical module comprising a power supply line to an element.
【請求項2】 シリコン基板の給電基板と接する側に、
または上記給電基板の上記シリコン基板と接する側に接
地電極を備えたことを特徴とする請求項1記載の光モジ
ュール。
2. The method according to claim 1, wherein the silicon substrate is in contact with a power supply substrate.
2. The optical module according to claim 1, wherein a ground electrode is provided on a side of the power supply substrate in contact with the silicon substrate.
【請求項3】 光変換素子と給電基板とを取り囲むパッ
ケージを設け、該パッケージは上記光変換素子と給電基
板とに接する側に接地電極を設けたことを特徴とする請
求項1または請求項2記載の光モジュール。
3. The package according to claim 1, wherein a package surrounding the light conversion element and the power supply board is provided, and the package has a ground electrode on a side contacting the light conversion element and the power supply board. An optical module as described.
【請求項4】 光変換素子と、光変換素子を搭載するシ
リコン基板とからなる構成において、 上記シリコン基板上に上記シリコン基板とは別の光導波
路基板を設けて、該光導波路基板上に光導波路を形成し
たことを特徴とする光モジュール。
4. In a configuration comprising a light conversion element and a silicon substrate on which the light conversion element is mounted, an optical waveguide substrate different from the silicon substrate is provided on the silicon substrate, and an optical waveguide is provided on the optical waveguide substrate. An optical module, wherein a wave path is formed.
【請求項5】 シリコン基板上に、光変換素子の位置決
め用のマーカと光導波路基板の位置決め用のマーカとを
同時に形成するようにしたことを特徴とする請求項4記
載の光モジュール。
5. The optical module according to claim 4, wherein a marker for positioning the light conversion element and a marker for positioning the optical waveguide substrate are simultaneously formed on the silicon substrate.
【請求項6】 シリコン基板上の光導波路基板の光変換
素子側とは異なる側に光ファイバ設置用の溝を設け、か
つ該光ファイバと接合させるための上記光導波路基板の
位置決め用のマーカも上記シリコン基板上に同時に形成
するようにしたことを特徴とする請求項4記載の光モジ
ュール。
6. The optical waveguide substrate on the silicon substrate is provided with a groove for installing an optical fiber on a side different from the optical conversion element side, and a marker for positioning the optical waveguide substrate for bonding with the optical fiber is also provided. The optical module according to claim 4, wherein the optical module is formed simultaneously on the silicon substrate.
【請求項7】 シリコン基板上の光導波路基板の光変換
素子側とは異なる側に光ファイバ設置用の溝を設け、光
ファイバの、光導波路側とは異なる光送出側に、光アイ
ソレータ、または上記光ファイバと屈折率がほぼ等しい
保護板を設けたことを特徴とする請求項4記載の光モジ
ュール。
7. An optical fiber installation groove is provided on a side of the optical waveguide substrate on the silicon substrate which is different from the optical conversion element side, and an optical isolator or The optical module according to claim 4, further comprising a protective plate having a refractive index substantially equal to that of the optical fiber.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440431B1 (en) * 2002-11-18 2004-07-14 한국전자통신연구원 opto-electronic submount for photo electric modules
JP2007173375A (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Nec Corp Compound packaging device and manufacturing method thereof

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