JPH11316242A - Optical fiber probe and its manufacture - Google Patents

Optical fiber probe and its manufacture

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JPH11316242A
JPH11316242A JP13918498A JP13918498A JPH11316242A JP H11316242 A JPH11316242 A JP H11316242A JP 13918498 A JP13918498 A JP 13918498A JP 13918498 A JP13918498 A JP 13918498A JP H11316242 A JPH11316242 A JP H11316242A
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JP
Japan
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optical fiber
core
light
substrate
microprobe
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Application number
JP13918498A
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Japanese (ja)
Inventor
Junji Oyama
淳史 大山
Yasuhiro Shimada
康弘 島田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture an optical fiber probe with good reproducibility and simply by a method wherein a light-transmitting very small probe which comprises an acute drill-shaped core part is bonded and fixed closely to the tip part of an optical fiber which comprises a core for light propagation and a clad whose refractive index is smaller than that of the core. SOLUTION: A silicon dioxide or silicon nitride protective layer is formed on a silicon substrate 30, its desired place is patterned by a photolithographic operation and an etching operation, silicon is exposed, and a recess is formed by an etching operation. A photocuring resin as a core material is filled into the recess. The central part of an optical fiber 31 which is composed of a core 32 and a clad 33 whose refractive index is smaller than that of the core 32 is aligned with the central part of the recess, and the optical fiber 31 is bonded and fixed closely to the substrate 30. In succession, the substrate 30 is irradiated with ultraviolet rays from the upper part, or it is heated. Then the substrate 30 on which the recess is formed is stripped, and the optical fiber 31 which comprises a light-transmitting very small probe at the tip is created. In this manner, an optical fiber probe can be created with good reproducibility and in a simple process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は走査型近接場光顕微
鏡に用いられる光透過性の微小プローブを有する光ファ
イバプローブおよびその製造方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an optical fiber probe having a light-transmitting microprobe used in a scanning near-field optical microscope and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、エレクトロニクス素子の小型化・
高密度化のなかで、特に光を利用した素子を小型化する
という一つの基本技術が必要になってきている。しかし
光には回折という性質があるために、光の波長が光素子
サイズの下限となる。また、光素子の評価システムも同
じく光の回折を利用しているため、例えば試料の観察に
おいても光の波長以下の分解能は原理的に得られない。
その中で近年、光波長以下の空間での電磁相互作用を媒
介する場(いわゆるエバネッセント場)として光を利用
し、従来の光学系では困難だったナノメータースケール
での物質評価や微細加工を行おうとする試みがなされて
いる。実際、光透過性微小プローブの先端からしみだす
エバネッセント光を利用して物質表面状態を調べる走査
型近接場光顕微鏡(以下SNOM)が開発されている
(例えば[Durig他,J.Appl.Phys.
,3318(1986)])。更に、面からプリズム
を介して全反射の条件で光を入射させ、試料表面へしみ
出すエバネッセント光を試料表面から光プローブで検出
して試料表面を調べるSNOMの一種であるフォトンS
TM(以下PSTMと略す。例えばReddick他,
Phys.Rev.B39, 767(1989)])
も開発された。
2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have become smaller and smaller.
With the increase in density, one basic technique of miniaturizing a device using light in particular is required. However, since light has the property of diffraction, the wavelength of light is the lower limit of the size of the optical element. In addition, since the optical element evaluation system also uses light diffraction, for example, even when observing a sample, a resolution lower than the wavelength of light cannot be obtained in principle.
In recent years, light has been used as a field that mediates electromagnetic interaction in a space below the light wavelength (so-called evanescent field), and material evaluation and fine processing at the nanometer scale, which were difficult with conventional optical systems, have been performed. Attempts have been made to try. In fact, a scanning near-field optical microscope (hereinafter referred to as SNOM) for examining the surface state of a substance using evanescent light exuding from the tip of a light-transmitting microprobe has been developed (for example, see Durig et al., J. Appl. Phys. 5
9 , 3318 (1986)]). Further, light is incident from the surface through a prism under the condition of total reflection, and evanescent light seeping onto the sample surface is detected from the sample surface with an optical probe, and a photon S, which is a kind of SNOM for examining the sample surface, is used.
TM (hereinafter abbreviated as PSTM. For example, Reddick et al.,
Phys. Rev .. B 39 , 767 (1989)]
Was also developed.

【0003】さて、上記のSNOMにおいては、光プロ
ーブの先端径が分解能を決定するため、これまで種々の
光プローブの作製方法が工夫されてきた。例えば初期の
SNOMにおいては、透明結晶の劈開面の交点を金属で
コーティングし、これを固い面に押しつけ交点部分の金
属を除去して交点を露出させ微小開口を作製したり(欧
州特許第112402号)、石英棒を機械切削/研磨/
イオンミリングによる機械的工程によりプローブを作製
してきた。また、光プローブの先端に微小開口を設け
ず、光プローブとして用いる光ファイバー端面の化学エ
ッチング条件を最適化することにより先端を尖鋭化し、
分解能を向上させてきた。更に、微小開口をリソグラフ
ィーの手法を用いて作製する方法や微小開口と光導波路
を一体構成して光プローブを作製する方法(米国特許第
5354985号明細書)などの従来例が知られてい
る。
In the above-mentioned SNOM, various methods for manufacturing optical probes have been devised so far because the tip diameter of the optical probe determines the resolution. For example, in the initial SNOM, the intersection of the cleavage planes of the transparent crystal is coated with metal, and this is pressed against a hard surface to remove the metal at the intersections, thereby exposing the intersections and producing a minute opening (European Patent No. 112402). ), Mechanical cutting / polishing /
Probes have been manufactured by a mechanical process using ion milling. Also, without providing a small opening at the tip of the optical probe, the tip is sharpened by optimizing the chemical etching conditions of the end face of the optical fiber used as the optical probe,
Resolution has been improved. Further, there are known conventional examples such as a method of forming a minute opening by using a lithography technique and a method of forming an optical probe by integrally forming a minute opening and an optical waveguide (US Pat. No. 5,354,985).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
光透過性微小プローブの形成方法の従来例のうち、例え
ば結晶劈開面を利用する方法や機械的加工法では、微小
開口径の大きさにばらつきが生じやすく、歩留まりもよ
くなかった。また、集積化・小型化することも難しかっ
た。また、フォトリソグラフィーを用いた微小開口形成
方法においては、加工装置の精度の限界から、100
[nm]程度の直径の開口が限界で、10[nm]程度
の直径の微小開口を作製することが難しく、SNOM装
置としての分解能に限界を生じた。また、工程も複雑に
なってしまい、時間も要しコスト的にも高価になるとい
う問題点があった。EB加工装置やFIB加工装置を用
いれば、100[nm]以下の開口形成も原理的には可
能であるが、位置合わせ制御も複雑で、ばらつきが生じ
やすく、かつ、一点一点の加工法であるため歩留まりが
よくなかった。更に微小開口と光導波路とを一体構成す
る従来例では、結果的に「プローブ」材料をより大量に
使用することとなるなどコスト面での課題があった。
However, among the conventional methods for forming the light-transmitting microprobe described above, for example, a method using a crystal cleavage plane or a mechanical processing method causes variations in the size of the microscopic aperture. And the yield was not good. Also, it has been difficult to integrate and reduce the size. In addition, in the method of forming a fine opening using photolithography, 100 μm
An aperture with a diameter of about [nm] is a limit, and it is difficult to produce a small aperture with a diameter of about 10 [nm], which limits the resolution of the SNOM device. In addition, there is a problem that the process is complicated, time is required, and the cost is high. If an EB processing apparatus or FIB processing apparatus is used, it is possible in principle to form an opening of 100 nm or less, but the alignment control is complicated, variation easily occurs, and a processing method for one point at a time. Therefore, the yield was not good. Further, in the conventional example in which the minute aperture and the optical waveguide are integrally formed, there is a problem in terms of cost, such as the use of a larger amount of "probe" material as a result.

【0005】そこで、本発明は、上記従来のものにおけ
る課題を解決し、再現性よく、簡易に作製することがで
き、生産性の向上とコストの低減を図ることが可能な走
査型近接場光顕微鏡に用いられる光ファイバプローブお
よびその製造方法を提供することを目的としている。
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the conventional device, and can be easily manufactured with good reproducibility, and can improve the productivity and reduce the cost. An object is to provide an optical fiber probe used for a microscope and a method for manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、走査型近接場光顕微鏡に用いられる光フ
ァイバプローブおよびその製造方法を、つぎのように構
成したことを特徴とするものである。すなわち、本発明
の光ファイバプローブは、走査型近接場光顕微鏡に用い
られる光透過性の微小プローブを有する光ファイバプロ
ーブであって、鋭角を有する錐状コア部からなる光透過
性の微小プローブと、光伝播用のコアおよびこのコアを
覆ってかつ該コアの屈折率よりも小さな屈折率を有する
クラッドとを有する光ファイバとが独立に形成され、該
光ファイバ先端部に該光透過性の微小プローブを密着固
定させてなることを特徴としている。また、本発明の光
ファイバプローブは、少なくとも前記錐状コア部が、光
硬化性樹脂からなることを特徴としている。また、本発
明の走査型近接場光顕微鏡に用いられる光透過性の微小
プローブを有する光ファイバプローブの製造方法は、鋭
角を有する錐状コア部からなる光透過性の微小プローブ
と、光伝播用のコアおよびこのコアを覆ってかつ該コア
の屈折率よりも小さな屈折率を有するクラッドとを有す
る光ファイバとを独立に形成し、該光ファイバ先端部に
該光透過性の微小プローブを密着固定させ光ファイバプ
ローブを形成することを特徴としている。また、本発明
の光ファイバプローブの製造方法は、(a)シリコン基
板の表面に凹部を形成する工程と、(b)前記凹部に光
硬化性樹脂前駆体からなるコア材料を充填する工程と、
(c)光伝播用のコアおよびこのコアを覆ってかつ該コ
アの屈折率よりも小さな屈折率を有するクラッドとを有
する光ファイバを、その中心部が前記凹部の中心部に重
なるように位置合わせをして前記基板に密着させながら
前記コア材料に紫外線を照射し、該材料を硬化させる工
程と、を少なくとも有することを特徴としている。
According to the present invention, an optical fiber probe used in a scanning near-field optical microscope and a method of manufacturing the same are configured as follows to achieve the above object. Things. That is, the optical fiber probe of the present invention is an optical fiber probe having a light-transmitting microprobe used in a scanning near-field optical microscope, and a light-transmitting microprobe having a conical core portion having an acute angle. An optical fiber having a core for light propagation and a cladding covering the core and having a refractive index smaller than the refractive index of the core is formed independently, and the light transmitting fine It is characterized in that the probe is closely fixed. Further, the optical fiber probe of the present invention is characterized in that at least the conical core portion is made of a photocurable resin. In addition, the method of manufacturing an optical fiber probe having a light-transmitting microprobe used in the scanning near-field optical microscope of the present invention includes a light-transmitting microprobe having a conical core portion having an acute angle, And an optical fiber having a cladding covering the core and having a refractive index smaller than the refractive index of the core are independently formed, and the light-transmitting microprobe is closely fixed to the tip of the optical fiber. And forming an optical fiber probe. Also, the method for manufacturing an optical fiber probe of the present invention includes: (a) forming a concave portion on the surface of a silicon substrate; and (b) filling the concave portion with a core material composed of a photocurable resin precursor.
(C) positioning an optical fiber having a core for light propagation and a cladding covering the core and having a refractive index smaller than the refractive index of the core such that the center of the optical fiber overlaps the center of the recess. And irradiating the core material with ultraviolet rays while being in close contact with the substrate to cure the material.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図を用いながら更に詳細に説明する。図1は本発明
による光透過性微小プローブの製造工程を示すものであ
り、同図a−cは、基板10の表面に凹部を形成する工
程を示す。該基板10はシリコン基板を用いる。該基板
10に保護層11を形成し(a)、次に、保護層11の
所望の箇所を、フォトリソグラフィとエッチングにより
パターニングしてシリコンの一部を露出させ(b)、次
に、エッチング等を用いてシリコンをエッチングして凹
部12を形成する(c)。前記保護層11としては二酸
化シリコンや窒化シリコンを用いることができる。ま
た、前記エッチングには凹部最深部を鋭利に形成できる
結晶軸異方性エッチングを用いることが好ましい。エッ
チング液に水酸化カリウム水溶液等を用いることにより
(111)面と等価な4つの面で囲まれた逆ピラミッド
状の凹部20を形成することができる。また、該凹部1
2に必要に応じて二酸化シリコンなどからなる剥離保護
層13を形成してもよい(d)。
Embodiments of the present invention will be described below in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a process of manufacturing a light-transmitting microprobe according to the present invention, and FIGS. 1A to 1C show a process of forming a concave portion on the surface of a substrate 10. The substrate 10 uses a silicon substrate. A protective layer 11 is formed on the substrate 10 (a), and a desired portion of the protective layer 11 is patterned by photolithography and etching to expose a part of the silicon (b), and then etched. The concave portion 12 is formed by etching the silicon using (c). As the protective layer 11, silicon dioxide or silicon nitride can be used. Further, it is preferable to use crystal axis anisotropic etching capable of sharply forming the deepest portion of the concave portion for the etching. By using an aqueous solution of potassium hydroxide or the like as an etching solution, an inverted pyramid-shaped concave portion 20 surrounded by four surfaces equivalent to the (111) plane can be formed. The recess 1
2, a peeling protection layer 13 made of silicon dioxide or the like may be formed as needed (d).

【0008】図2に示す工程では、上記で形成した凹部
21にコア材料として光硬化性樹脂材料22を充填す
る。該材料22としては光もしくは熱重合性材料を用い
ることができる。好ましくは単官能もしくは多官能のメ
タクリル酸誘導体・アクリル酸誘導体のモノマーもしく
はプレポリマーもしくはこれらの混合物もしくは共重合
物等を使用することができる。なお光重合を行う場合は
光重合開始剤を前記材料に対し総重量比で1%から10
%程度混合することができる。
In the step shown in FIG. 2, the concave portion 21 formed as described above is filled with a photo-curable resin material 22 as a core material. As the material 22, a light or heat polymerizable material can be used. Preferably, a monofunctional or polyfunctional methacrylic acid derivative / acrylic acid derivative monomer or prepolymer, or a mixture or copolymer thereof can be used. When photopolymerization is carried out, the photopolymerization initiator is used in a total weight ratio of 1% to 10
% Can be mixed.

【0009】次に、図3に示す工程では、該コア材料と
屈折率が同等のコア32と該コアより屈折率が小さいク
ラッド33から成る光ファイバ31を、その中心部が前
記凹部の中心部に重なるよう位置あわせをしながら前記
基板30に密着固定させる。引続き、該基板上方より紫
外線を照射する、あるいは加熱する。また加熱しながら
紫外線照射を行ってもよい。
Next, in the step shown in FIG. 3, an optical fiber 31 composed of a core 32 having a refractive index equal to that of the core material and a clad 33 having a lower refractive index than the core is placed at the center of the concave portion. The substrate is tightly fixed to the substrate 30 while being positioned so as to overlap. Subsequently, the substrate is irradiated with ultraviolet light from above or heated. In addition, ultraviolet irradiation may be performed while heating.

【0010】次に、図4に示す工程では、図4(a)で
示されるように前記凹部を形成した基板を剥離して、図
4(b)にあるような光透過性の微小プローブ51を先
端に有する光ファイバ50が作製される。また、場合に
よっては該微小プローブ51は、少なくともその先端近
傍に遮光被覆52が施され、かつ該プローブ最先端の該
被覆が開口するよう作製されてもよい。また、前記で用
いた凹部を有する基板40は、コア部の剥離の後、該凹
部の形状を変化させない洗浄方法により洗浄を行うこと
で再び使用可能となる。
Next, in the step shown in FIG. 4, the substrate on which the concave portion is formed as shown in FIG. 4A is peeled off, and the light-transmitting microprobe 51 shown in FIG. The optical fiber 50 having a tip is manufactured. In some cases, the microprobe 51 may be provided with a light-shielding coating 52 at least in the vicinity of the distal end thereof, and the coating at the tip of the probe may be opened. In addition, the substrate 40 having the concave portions used above can be used again by performing cleaning using a cleaning method that does not change the shape of the concave portions after the core portion is peeled off.

【0011】次に、本発明による光ファイバープローブ
を用いたエバネッセント波観察について述べる。図5は
評価装置全体の構成例を示した模式図である。被測定試
料60は基板61上に設けられている。被測定試料60
は溶液または混合液として該透明基板61上に印刷法、
スピンコーティング法、キャスティング法、ディッピン
グ法、バーコート法、ロールコート法、LB法等を用い
ることが出来る。LB法は得られる累積膜の均一性が高
くまた膜厚を1分子のオーダーで制御できる・単位面積
当たりの材料密度が高くかつ均一である・累積膜作成時
の条件が温和である・公知の方法もしくは装置を使用す
ることができ特別な改造を必要としない等の特徴があ
る。次に前記被測定試料60表面に前記微小プローブ6
3を近接させる。該近接の方法は試料と探針間に働く原
子間力を検出して試料表面の形状を観察する原子間力顕
微鏡(AFM、[G.Binnig et al,Ph
ys.Rev.Lett.,56,930(198
6)])の原理を用いる。即ち該微小プローブ63の試
料60への近接状態を変位検出手段69によりモニタ
し、サーボ制御回路68を通してアクチュエータ67に
よりz方向の高さ制御を行う。
Next, observation of an evanescent wave using the optical fiber probe according to the present invention will be described. FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration example of the entire evaluation device. The sample to be measured 60 is provided on a substrate 61. Sample 60 to be measured
Is a printing method on the transparent substrate 61 as a solution or a mixed solution,
A spin coating method, a casting method, a dipping method, a bar coating method, a roll coating method, an LB method and the like can be used. The LB method has a high uniformity of the obtained cumulative film and can control the film thickness in the order of one molecule. The material density per unit area is high and uniform. The conditions for forming the cumulative film are mild. Features include the ability to use the method or device and no special modification required. Next, the minute probe 6 is placed on the surface of the sample 60 to be measured.
3 is brought close. The proximity method uses an atomic force microscope (AFM, [G. Binnig et al, Ph.D.) that detects the atomic force acting between the sample and the probe and observes the shape of the sample surface.
ys. Rev .. Lett. , 56, 930 (198
6)]) is used. That is, the proximity state of the micro probe 63 to the sample 60 is monitored by the displacement detecting means 69, and the height in the z direction is controlled by the actuator 67 through the servo control circuit 68.

【0012】本発明で作製した微小プローブ63は光フ
ァイバ64先端に担持されている。照射光発生手段65
より該微小プローブ63を通して前記試料60の上面か
ら垂直に光を照射する。このとき、試料60表面からの
距離が0.1[μm]以下のごく近傍にはエバネッセン
ト光と呼ばれる光がにじみ出している。このエバネッセ
ント光を検出するために前記試料60表面付近にアバラ
ンシェフォトダイオード・フォトマルチプライヤ等の高
感度の光検出手段66を設ける。該光検出手段66によ
り検出されたエバネッセント光を電流信号としてI/V
変換回路で電圧信号に変換し、SNOM信号とする。該
信号はコンピュータ610を介して3次元画像に変換処
理され表示装置611に画像が表示される。また、前記
基板61はステージ62を介してアクチュエータ67に
固定されている。該アクチュエータ67は前記試料60
を試料面内方向に2次元の相対走査および高さ方向の制
御を行う。そしてxy面内の各位置におけるSNOM信
号の大きさをプロットすることにより、試料60表面の
SNOM観測像が得られる。
The micro probe 63 manufactured according to the present invention is carried on the tip of an optical fiber 64. Irradiation light generating means 65
Light is radiated vertically from the upper surface of the sample 60 through the micro probe 63. At this time, light called evanescent light oozes very close to a distance of 0.1 [μm] or less from the surface of the sample 60. In order to detect the evanescent light, a highly sensitive light detecting means 66 such as an avalanche photodiode or a photomultiplier is provided near the surface of the sample 60. The evanescent light detected by the light detecting means 66 is used as a current signal as an I / V
The signal is converted into a voltage signal by a conversion circuit, and is used as an SNOM signal. The signal is converted into a three-dimensional image via the computer 610, and the image is displayed on the display device 611. The substrate 61 is fixed to an actuator 67 via a stage 62. The actuator 67 is connected to the sample 60.
Performs two-dimensional relative scanning in the in-plane direction and control in the height direction. By plotting the magnitude of the SNOM signal at each position in the xy plane, an SNOM observation image of the surface of the sample 60 can be obtained.

【0013】また、図6は評価装置全体の他の構成例を
示した模式図である。被測定試料70は導電性基板71
上に設けられている。本発明で作製した微小プローブ7
3の先端近傍は導電性被覆712が施されておりかつ該
プローブ最先端は該導電性被覆が開口している。光ファ
イバ74先端に担持されている。照射光発生手段75よ
り該微小プローブ73を通して前記試料70の上面から
垂直に光を照射する。このとき、試料70表面からの距
離が0.1[μm]以下のごく近傍にはエバネッセント
光と呼ばれる光がにじみ出している。このエバネッセン
ト光を検出するために前記試料70表面付近にアバラン
シェフォトダイオード・フォトマルチプライヤ等の高感
度の光検出手段76を設ける。該光検出手段76により
検出されたエバネッセント光を電流信号としてI/V変
換回路で電圧信号に変換し、SNOM信号とする。該信
号はコシピュータ710を介して3次元画像に変換処理
され表示装置711に画像が表示される。
FIG. 6 is a schematic diagram showing another example of the configuration of the entire evaluation apparatus. The sample 70 to be measured is a conductive substrate 71
It is provided above. Micro probe 7 prepared according to the present invention
3 is provided with a conductive coating 712 near the tip, and the conductive coating is open at the tip of the probe. It is carried at the tip of the optical fiber 74. Light is emitted vertically from the upper surface of the sample 70 by the irradiation light generating means 75 through the micro probe 73. At this time, light called evanescent light oozes very close to a distance of 0.1 [μm] or less from the surface of the sample 70. In order to detect the evanescent light, a highly sensitive light detecting means 76 such as an avalanche photodiode or a photomultiplier is provided near the surface of the sample 70. The evanescent light detected by the light detection means 76 is converted into a voltage signal by an I / V conversion circuit as a current signal, and is used as a SNOM signal. The signal is converted into a three-dimensional image via the co-computer 710 and the image is displayed on the display device 711.

【0014】本構成例の場合の微小プローブ73の被測
定試料70への近接方法は該微小プローブ73に施され
た導電性被覆712と被測定試料70との間に流れるト
ンネル電流をモニターしながら走査して実空間の表面構
造を描くことができる走査型トンネル顕微鏡(STM、
[G.Binnig et al,Phys.Rev.
Lett.,49,57(1982)])、またそれら
の複合装置(AFM/STM、(特開平3−27790
3)等の原理を応用する。即ち該微小プローブ73の試
料70への近接状態を変位検出手段79によりモニタ
し、サーボ制御回路78を通してアクチュエータ77に
よりz方向の高さ制御を行う。同時に電圧印加手段71
1より導電性被覆712を通して被測定試料70に電圧
を印加することで、該試料70表面の導電性情報を得る
ことができる。この導電性情報はコンピュータ79を介
して3次元画像に変換処理され表示装置710に上記の
SNOM信号と同時に表示される。
The method of approaching the microprobe 73 to the sample 70 in this configuration example is to monitor the tunnel current flowing between the conductive coating 712 applied to the microprobe 73 and the sample 70. Scanning tunneling microscope (STM,
[G. Binnig et al, Phys. Rev ..
Lett. , 49 , 57 (1982)]) and their composite devices (AFM / STM, (JP-A-3-27790)).
Apply the principle of 3). That is, the proximity state of the micro probe 73 to the sample 70 is monitored by the displacement detecting means 79, and the height control in the z direction is performed by the actuator 77 through the servo control circuit 78. At the same time, voltage applying means 71
By applying a voltage to the sample 70 to be measured through the conductive coating 712 from 1, conductivity information on the surface of the sample 70 can be obtained. This conductivity information is converted into a three-dimensional image via the computer 79 and displayed on the display device 710 simultaneously with the SNOM signal.

【0015】[0015]

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する
が、これらは本発明を何ら制限するものではない。 [実施例1]まず、本実施例で用いる基板を図1に示す
工程により作製した。図1aにおける基板10として面
方位(100)の単結晶シリコンウエハを用意した。次
に、保護層11としてシリコン熱酸化膜を100nm形
成した。次に、該保護層11の所望の箇所をフォトリソ
グラフィとエッチングによりパターニングし、50μm
平方のシリコンを露出した(同図b)。次に、水酸化カ
リウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングによりパ
ターニング部のシリコンをエッチングした。なお、エッ
チング条件は、濃度30%の水酸化カリウム水溶液を用
い、液温90℃、エッチング時間は20分とした。この
とき(111)面と等価な4つの面で囲まれた深さ約5
0μmの逆ピラミッド状の凹部12が形成された(同図
c)。次に、保護層11であるシリコン熱酸化膜をフッ
酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液(HF:NH4
=1:5)で除去した。次に、120℃に加熱した硫酸
と過酸化水素水の混合液、及び、2%フッ酸水溶液を用
いて基板11の洗浄を行った。次に、酸化炉をもちいて
基板10を酸素及び水素雰囲気中で1000℃に加熱
し、剥離層13である二酸化シリコンを500nm堆積
した(同図c)。次に上記で形成した凹部22にスピン
コート法により2−ハイドロキシメチルメタクリレート
60部・ハイドロキシエチルアクリレート30部・ヘキ
サンジオールジアクリレート8部・トリメチロールプロ
パントリアクリレート2部・イルガキュア184/0.
3部の混合溶液を塗布、充填した(図2)。次にポリメ
チルメタクリレートをコアに持つプラスチック光ファイ
バ31の端面を、該ファイバのコア部中心が前記凹部2
2に一致するよう密着させ、60℃にて紫外線を10m
W/cm2の強度で10分照射した。更に60℃にて3
0分加熱を継続した(図3)。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but they do not limit the present invention in any way. Example 1 First, a substrate used in this example was manufactured by the steps shown in FIG. A single crystal silicon wafer having a plane orientation (100) was prepared as the substrate 10 in FIG. 1A. Next, a silicon thermal oxide film having a thickness of 100 nm was formed as the protective layer 11. Next, a desired portion of the protective layer 11 is patterned by photolithography and etching to a thickness of 50 μm.
Square silicon was exposed (FIG. 2b). Next, the silicon in the patterning portion was etched by crystal axis anisotropic etching using an aqueous potassium hydroxide solution. The etching conditions were a 30% concentration aqueous potassium hydroxide solution, a liquid temperature of 90 ° C., and an etching time of 20 minutes. At this time, a depth of about 5 surrounded by four planes equivalent to the (111) plane
An inverted pyramid-shaped concave portion 12 of 0 μm was formed (FIG. 3C). Next, the silicon thermal oxide film as the protective layer 11 is coated with a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride (HF: NH 4 F).
= 1: 5). Next, the substrate 11 was washed using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution heated to 120 ° C. and a 2% aqueous hydrofluoric acid solution. Next, the substrate 10 was heated to 1000 ° C. in an oxygen and hydrogen atmosphere using an oxidation furnace, and silicon dioxide as the peeling layer 13 was deposited to a thickness of 500 nm (FIG. 3c). Next, 60 parts of 2-hydroxymethyl methacrylate, 30 parts of hydroxyethyl acrylate, 8 parts of hexanediol diacrylate, 2 parts of trimethylolpropane triacrylate, 2 parts of Irgacure 184/0.
Three parts of the mixed solution were applied and filled (FIG. 2). Next, the end face of the plastic optical fiber 31 having polymethyl methacrylate as a core is positioned at the center of the core of the fiber.
2 and adhere at 10 ° C.
Irradiation was performed at an intensity of W / cm 2 for 10 minutes. Further at 60 ° C 3
Heating was continued for 0 minutes (FIG. 3).

【0016】その後、図4(a)と図4(b)に示すよ
うに基板40と微小プローブ51が先端に形成されたフ
ァイバ50とを分離させた。該微小プローブ51の先端
を走査型電子顕微鏡により観察したところ、先端直径は
少なくとも30nm以下であった。引きつづき、微小プ
ローブ51にAlを500Å蒸着し、遮光被覆を行っ
た。次ぎに該微小プローブ51を白金平板電極(不図
示)に接触させ電圧を印加することで該微小プローブ5
1最先端に直径約20nmの開口を形成した。次に被測
定試料を以下の工程で作製した。まず厚さ0.5mmの
非ドープ型シリコンウエハを10%フッ化水素酸に1分
間浸漬し、LB膜作製装置の基板駆動機構に電極面が水
面に垂直になるように装着した。続いてベヘン酸98部
/(N−(7−ニトロベンズ−2−オキサ−1、3−ジ
アゾル−4−イル)アミノ)ステアリン酸(NBD−ス
テアリン酸、励起波長488nm・発光波長540n
m)2部(終濃度0.3mg/ml)をクロロフォルム
に溶解した。引き続き該混合溶液を前記LB膜作製装置
の水面上に展開して表面圧26mN/mまで圧縮し、こ
の表面圧を維持したまま5分間静置した。次に前記基板
駆動機構33を作動させ、該機構に装着した基板を速度
10mm/minで上下させた。次に上記の如く作製し
た被測定試料を図5に示した装置に装着し、微小プロー
ブ63を該試料60に近接させた。そして波長488n
mのレーザー光を照射し、アクチュエータ67によって
被測定試料60を2次元面内で走査した。該プローブ6
3先端よりエバネッセント光をフォトダイオード66で
検出し、コンピュータ610で微小プローブ63の位置
情報と重畳させたところ、NBD−ステアリン酸由来と
思われるドメイン状のエバネッセント光発光が観測され
た。
Thereafter, as shown in FIGS. 4A and 4B, the substrate 40 and the fiber 50 having the microprobe 51 formed at the tip were separated. When the tip of the microprobe 51 was observed with a scanning electron microscope, the tip diameter was at least 30 nm or less. Subsequently, Al was vapor-deposited on the microprobe 51 at 500 ° to perform light-shielding coating. Next, the microprobe 51 is brought into contact with a platinum plate electrode (not shown) and a voltage is applied thereto, whereby
1. An opening having a diameter of about 20 nm was formed at the forefront. Next, a sample to be measured was prepared in the following steps. First, a undoped silicon wafer having a thickness of 0.5 mm was immersed in 10% hydrofluoric acid for 1 minute, and mounted on a substrate driving mechanism of an LB film forming apparatus such that the electrode surface was perpendicular to the water surface. Subsequently, 98 parts of behenic acid / (N- (7-nitrobenz-2-oxa-1,3-diazol-4-yl) amino) stearic acid (NBD-stearic acid, excitation wavelength 488 nm, emission wavelength 540 n)
m) 2 parts (final concentration 0.3 mg / ml) were dissolved in chloroform. Subsequently, the mixed solution was spread on the water surface of the LB film forming apparatus, compressed to a surface pressure of 26 mN / m, and allowed to stand for 5 minutes while maintaining the surface pressure. Next, the substrate driving mechanism 33 was operated, and the substrate mounted on the mechanism was moved up and down at a speed of 10 mm / min. Next, the sample to be measured prepared as described above was mounted on the apparatus shown in FIG. 5, and the micro probe 63 was brought close to the sample 60. And a wavelength of 488n
Then, the sample to be measured 60 was scanned in a two-dimensional plane by the actuator 67 by irradiating the laser beam of m. The probe 6
Evanescent light was detected from the three tips by the photodiode 66 and superimposed on the positional information of the microprobe 63 by the computer 610. As a result, evanescent light emission in the form of a domain presumably derived from NBD-stearic acid was observed.

【0017】[実施例2]本実施例では実施例1と同様
の方法で図1のような基板を作製した。次に上記で形成
した凹部22にスピンコート法によりアロニックスM−
5600(単官能アクリレートオリゴマー)80部・ア
ロニックスM−6100(2官能アクリレートオリゴマ
ー)20部・イルガキュア184/0.3部の混合溶液
を塗布、充填した(図2)。次に実施例1と同様の方法
により図4(b)に示す微小プローブを形成した。次に
被測定試料を実施例1に記載の方法で作製して、図5に
示した装置に装着し、実施例1と同様の評価観察を行っ
たところ、NBD−ステアリン酸由来と思われるドメイ
ン状のエバネッセント光発光が観測された。
Example 2 In this example, a substrate as shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 1. Next, Aronix M-
A mixed solution of 80 parts of 5600 (monofunctional acrylate oligomer), 20 parts of Aronix M-6100 (bifunctional acrylate oligomer), and 184 / 0.3 parts of Irgacure was applied and filled (FIG. 2). Next, a microprobe shown in FIG. 4B was formed in the same manner as in Example 1. Next, a sample to be measured was prepared by the method described in Example 1, mounted on the apparatus shown in FIG. 5, and evaluated and observed in the same manner as in Example 1. As a result, a domain believed to be derived from NBD-stearic acid was obtained. Evanescent light emission was observed.

【0018】[実施例3]本実施例では実施例1と同様
の方法で図1のような基板を作製した。次に上記で形成
した凹部22にスピンコート法により2−ハイドロキシ
メチルメタクリレート80部・アロニックスM−560
0(単官能アクリレートオリゴマー)18部・アロニッ
クスM−6100(2官能アクリレートオリゴマー)2
部・イルガキュア184/0.3部の混合溶液を塗布、
充填した(図2)。次に実施例1と同様の方法により図
4(b)に示す微小プローブを形成した。次に被測定試
料を実施例1に記載の方法で作製して、図5に示した装
置に装着し、実施例1と同様の評価観察を行ったとこ
ろ、NBD−ステアリン酸由来と思われるドメイン状の
エバネッセント光発光が観測された。
Embodiment 3 In this embodiment, a substrate as shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Embodiment 1. Next, 80 parts of 2-hydroxymethyl methacrylate / Aronix M-560 is applied to the concave portion 22 formed above by spin coating.
0 (monofunctional acrylate oligomer) 18 parts / Aronix M-6100 (bifunctional acrylate oligomer) 2
Part / Irgacure 184 / 0.3 part mixed solution,
Filled (FIG. 2). Next, a microprobe shown in FIG. 4B was formed in the same manner as in Example 1. Next, a sample to be measured was prepared by the method described in Example 1, mounted on the apparatus shown in FIG. 5, and evaluated and observed in the same manner as in Example 1. As a result, a domain believed to be derived from NBD-stearic acid was obtained. Evanescent light emission was observed.

【0019】[実施例4]本実施例では実施例1と同様
の方法で図1のような基板を作製した。次に実施例1と
同様の方法により図4(b)に示す微小プローブを形成
した。引き続き、該微小プローブにAlを200Å蒸着
し、導電性被覆を行った。次に本実施例で用いる被測定
試料を以下の処方で作製した。厚さ0.5mmの非ドー
プ型シリコンウエハ基板10にAuを300Åの厚さで
蒸着した。次に該基板をUV−O3洗浄(60℃、30
分)にて洗浄後、LB膜作製装置の基板駆動機構に電極
面が水面に垂直になるように装着し、直ちに純水水相中
に浸漬した。続いてオクタデシルアミン(0.3mg/
ml)をクロロフォルムに溶解し、それを該水面上に展
開して表面圧20mN/mまで圧縮し、この表面圧を維
持したまま5分間静置した。次に前記基板駆動機構33
を作動させ、該機構に装着した基板30を速度10mm
/minで上昇させた。この結果、基板にオクタデシル
アミンが1層疎水基を外側にして転写され、基板最表面
を疎水化できた。次にポリ(p−フェニレンビニレン)
の溶媒可溶性前駆体を[M.Era et alChe
m.Lett.,1097(1988)]に記載の処方
に従って前記基板30に10層累積した。引き続き該基
板30を200℃2時間、減圧下で加熱し、最終産物と
してポリ(p−フェニレンビニレン)薄膜を得た。次に
図6に示す本発明による装置(図6)に本実施例で作成
した導電性被覆712を施した微小プローブ73を装着
し、白金基板に接触させた。更に電圧発生装置712よ
り電圧を印加し、該微小プローブ73最先端に直径約2
0nmの開口を形成した。次に被測定試料70付き基板
71を装着した。次に導電性被覆712を施した微小プ
ローブ73を該被測定試料70に近接させ、DC電圧を
前記被測定試料70側が+になるよう印加した。その結
果、該導電性微小プローブ73先端よりエバネッセント
光がフォトダイオード76により検出された。
[Embodiment 4] In this embodiment, a substrate as shown in FIG. Next, a microprobe shown in FIG. 4B was formed in the same manner as in Example 1. Subsequently, Al was vapor-deposited on the microprobe at a thickness of 200 [deg.] To provide a conductive coating. Next, a sample to be measured used in the present example was prepared with the following recipe. Au was vapor-deposited on a non-doped silicon wafer substrate 10 having a thickness of 0.5 mm to a thickness of 300 °. Next, the substrate is subjected to UV-O 3 cleaning (60 ° C., 30
After washing in (1), the substrate was mounted on a substrate drive mechanism of an LB film forming apparatus such that the electrode surface was perpendicular to the water surface, and immediately immersed in a pure water phase. Subsequently, octadecylamine (0.3 mg /
ml) was dissolved in chloroform, spread on the water surface, compressed to a surface pressure of 20 mN / m, and allowed to stand for 5 minutes while maintaining the surface pressure. Next, the substrate driving mechanism 33
Is operated, and the substrate 30 mounted on the mechanism is moved at a speed of 10 mm.
/ Min. As a result, octadecylamine was transferred to the substrate with one layer of hydrophobic group on the outside, and the outermost surface of the substrate could be made hydrophobic. Next, poly (p-phenylenevinylene)
The solvent-soluble precursor of [M. Era et alChe
m. Lett. , 1097 (1988)], and 10 layers were accumulated on the substrate 30. Subsequently, the substrate 30 was heated at 200 ° C. for 2 hours under reduced pressure to obtain a poly (p-phenylenevinylene) thin film as a final product. Next, the microprobe 73 provided with the conductive coating 712 prepared in this embodiment was attached to the apparatus according to the present invention (FIG. 6) shown in FIG. 6, and was brought into contact with the platinum substrate. Further, a voltage is applied from a voltage generator 712, and a diameter of about 2
An opening of 0 nm was formed. Next, the substrate 71 with the sample to be measured 70 was mounted. Next, the micro probe 73 provided with the conductive coating 712 was brought close to the measured sample 70, and a DC voltage was applied so that the measured sample 70 side became +. As a result, evanescent light was detected by the photodiode 76 from the tip of the conductive micro probe 73.

【0020】[実施例5]本実施例では、実施例1で用
いたところの凹部12および剥離層13を形成した基板
10(図1d)を5%濃度のRBS35(Fluka
社)中で超音波洗浄を行い、超純水で十分リンスして、
再度実施例1と同様の工程で微小プローブを作製した。
次に実施例1と同様の方法により図4(b)に示す微小
プローブを形成した。次に被測定試料を実施例1に記載
の方法で作製して、図5に示した装置に装着し、実施例
1と同様の評価観察を行ったところ、NBD−ステアリ
ン酸由来と思われるドメイン状のエバネッセント光発光
が観測された。
[Embodiment 5] In this embodiment, the substrate 10 (FIG. 1d) on which the concave portion 12 and the release layer 13 used in the embodiment 1 are formed is made to have a 5% concentration of RBS35 (Fluka).
Company), perform ultrasonic cleaning, rinse thoroughly with ultrapure water,
A microprobe was manufactured again in the same process as in Example 1.
Next, a microprobe shown in FIG. 4B was formed in the same manner as in Example 1. Next, a sample to be measured was prepared by the method described in Example 1, mounted on the apparatus shown in FIG. 5, and evaluated and observed in the same manner as in Example 1. As a result, a domain believed to be derived from NBD-stearic acid was obtained. Evanescent light emission was observed.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明によれば、エバネッセント光検出
に用いる光透過性の微小プローブを先端径を10nmオ
ーダーで再現性よくかつ従来例に比較して簡易な工程で
作製することができ、また、これを走査型近接場光顕微
鏡に装着することにより、エバネッセント光を問題無く
検出することができる。また、本発明の工程中に用いた
基板を再利用して再び光透過性の微小プローブを作製す
ることにより、当初作製の光透過性プローブと全く同様
のものを作製することができ、これにより光透過性の微
小プローブの生産性の向上とコストの低減を図ることが
可能となる。
According to the present invention, a light-transmissive microprobe used for evanescent light detection can be manufactured with a tip diameter of the order of 10 nm with good reproducibility and a simpler process than the conventional example. By attaching this to a scanning near-field light microscope, evanescent light can be detected without any problem. In addition, by reusing the substrate used during the process of the present invention to produce a light-transmissive microprobe again, it is possible to produce a completely light-transmissive probe that is exactly the same as the initially produced light-transmissive probe. It is possible to improve the productivity and reduce the cost of the light-transmitting microprobe.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による光透過性の微小プローブの作製工
程を示す模式図。
FIG. 1 is a schematic view showing a process for producing a light-transmitting microprobe according to the present invention.

【図2】本発明による光透過性の微小プローブの作製工
程を示す模式図。
FIG. 2 is a schematic view showing a process of manufacturing a light-transmitting microprobe according to the present invention.

【図3】本発明による光透過性の微小プローブの作製工
程を示す模式図。
FIG. 3 is a schematic view showing a process for producing a light-transmitting microprobe according to the present invention.

【図4】基板から微小プローが先端に形成されたファイ
バが分離された状態を示す図であり、(a)は微小プロ
ーブが分離された基板を示す図であり、(b)は基板か
ら分離された微小プローブが先端に形成された光ファイ
バプローブを示す図。
4A and 4B are diagrams illustrating a state in which a fiber having a micro probe formed at the tip is separated from a substrate, FIG. 4A is a diagram illustrating a substrate in which a micro probe is separated, and FIG. The figure which shows the optical fiber probe in which the micro probe which was formed was formed in the tip.

【図5】該微小プローブを装着してエバネッセント光を
検出する装置のブロック図。
FIG. 5 is a block diagram of an apparatus for detecting evanescent light by attaching the microprobe.

【図6】該微小プローブを装着してエバネッセント光を
検出する装置のブロック図。
FIG. 6 is a block diagram of an apparatus for detecting evanescent light by attaching the microprobe.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,20,30,40:基板 11:保護層 12,21:凹部 13:剥離層 22:コア材料 31:光ファイバ 32:コア部 33:クラッド部 50:光ファイバ 52:遮光被覆 60,70:被測定試料 61,71:基板 62,72:ステージ 63,73:光透過性微小プローブ 64,74:光ファイバ 65,75:光照射手段 66,76:光検出手段 67,77:アクチュエータ 68,78:サーボ制御手段 69,79:微小プローブ位置検出手段 610,710:コンピュータ 611,711:表示装置 612:遮光被覆 712:導電性被覆 10, 20, 30, 40: substrate 11: protective layer 12, 21: concave portion 13: release layer 22: core material 31: optical fiber 32: core portion 33: clad portion 50: optical fiber 52: light shielding coating 60, 70: Samples to be measured 61, 71: Substrate 62, 72: Stage 63, 73: Light-transmitting microprobe 64, 74: Optical fiber 65, 75: Light irradiating means 66, 76: Light detecting means 67, 77: Actuator 68, 78 : Servo control means 69, 79: Micro probe position detecting means 610, 710: Computer 611, 711: Display device 612: Light shielding coating 712: Conductive coating

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】走査型近接場光顕微鏡に用いられる光透過
性の微小プローブを有する光ファイバプローブであっ
て、鋭角を有する錐状コア部からなる光透過性の微小プ
ローブと、光伝播用のコアおよびこのコアを覆ってかつ
該コアの屈折率よりも小さな屈折率を有するクラッドと
を有する光ファイバとが独立に形成され、該光ファイバ
先端部に該光透過性の微小プローブを密着固定させてな
ることを特徴とする光ファイバプローブ。
1. An optical fiber probe having a light-transmitting microprobe used in a scanning near-field optical microscope, comprising: a light-transmitting microprobe having a conical core portion having an acute angle; An optical fiber having a core and a cladding covering the core and having a refractive index smaller than the refractive index of the core is independently formed, and the light-transmitting microprobe is closely fixed to the tip of the optical fiber. An optical fiber probe, comprising:
【請求項2】少なくとも前記錐状コア部が、光硬化性樹
脂からなることを特徴とする請求項1に記載の光ファイ
バプローブ。
2. The optical fiber probe according to claim 1, wherein at least the conical core portion is made of a photocurable resin.
【請求項3】走査型近接場光顕微鏡に用いられる光透過
性の微小プローブを有する光ファイバプローブの製造方
法であって、鋭角を有する錐状コア部からなる光透過性
の微小プローブと、光伝播用のコアおよびこのコアを覆
ってかつ該コアの屈折率よりも小さな屈折率を有するク
ラッドとを有する光ファイバとを独立に形成し、該光フ
ァイバ先端部に該光透過性の微小プローブを密着固定さ
せ光ファイバプローブを形成することを特徴とする光フ
ァイバプローブの製造方法。
3. A method for manufacturing an optical fiber probe having a light-transmitting microprobe used in a scanning near-field light microscope, comprising: a light-transmitting microprobe having an acute angled conical core portion; An optical fiber having a propagation core and a cladding covering the core and having a refractive index smaller than that of the core is independently formed, and the light-transmitting microprobe is provided at the tip of the optical fiber. A method for manufacturing an optical fiber probe, wherein the optical fiber probe is formed by closely contacting and fixing.
【請求項4】前記光ファイバプローブの製造方法であっ
て、(a)シリコン基板の表面に凹部を形成する工程
と、(b)前記凹部に光硬化性樹脂前駆体からなるコア
材料を充填する工程と、(c)光伝播用のコアおよびこ
のコアを覆ってかつ該コアの屈折率よりも小さな屈折率
を有するクラッドとを有する光ファイバを、その中心部
が前記凹部の中心部に重なるように位置合わせをして前
記基板に密着させながら前記コア材料に紫外線を照射
し、該材料を硬化させる工程と、 を少なくとも有することを特徴とする請求項3に記載の
光ファイバプローブの製造方法。
4. A method of manufacturing an optical fiber probe, comprising: (a) forming a concave portion on a surface of a silicon substrate; and (b) filling the concave portion with a core material made of a photocurable resin precursor. And (c) an optical fiber having a light-propagating core and a clad covering the core and having a refractive index smaller than the refractive index of the core such that the center of the optical fiber overlaps the center of the recess. 4. The method according to claim 3, further comprising: irradiating the core material with ultraviolet rays while being in close contact with the substrate after being aligned with the substrate, and curing the material.
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