JPH1131462A - Cathode-ray tube and manufacture of its color selecting mask - Google Patents

Cathode-ray tube and manufacture of its color selecting mask

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JPH1131462A
JPH1131462A JP18531397A JP18531397A JPH1131462A JP H1131462 A JPH1131462 A JP H1131462A JP 18531397 A JP18531397 A JP 18531397A JP 18531397 A JP18531397 A JP 18531397A JP H1131462 A JPH1131462 A JP H1131462A
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JP
Japan
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electron beam
color selection
metal plate
selection mask
mask
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JP18531397A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Kawase
光弘 川瀬
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a color cathode-ray tube having a high definition by increasing the thickness of a color selecting mask to restrict the mislanding of electron beam and reducing the arrangement pitch of openings. SOLUTION: In this method, an electron gun 3, an aperture grille (a color selecting mask) 21 having slits (openings) 22A, 22B, 22C... to pass electron beam 16 emitted from the electron gun 3 therethrough and phosphor stripes 24 colored with the electron beam 16 passed through the aperture grille 21 are provided. A thickness (t) and an arrangement pitch P are defined for the aperture grille 21 to be 0.5<=t/P<=1.0, where the thickness of the aperture grille 21 is (t) and the arrangement pitch of the slits 22A, 22B, 22C... in the aperture grille 21 is P.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は色選別機構を有す
るカラーブラウン管に適用して好適な陰極線管及びその
色選別マスクの製造方法に関する。更に詳しくは色選別
マスクの厚みを増加することにより電子ビームのミスラ
ンディングを抑制できるようにする共に、その開孔部の
配置ピッチを小さくすることにより、高精細度のカラー
ブラウン管を作成できるようにした陰極線管及びその色
選別マスクの製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube suitably applied to a color cathode ray tube having a color selection mechanism and a method of manufacturing a color selection mask therefor. More specifically, by increasing the thickness of the color selection mask, it is possible to suppress the mislanding of the electron beam, and by reducing the arrangement pitch of the apertures, it is possible to produce a high-definition color CRT. And a method for manufacturing a color selection mask for the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】カラー用の陰極線管(以下カラーCRT
という)において、電子銃から発射された例えば3つの
原色信号に対応する3本の電子ビームは、色選別マスク
によってビーム照射幅(到達径)が制御され、蛍光体ガ
ラスパネルの内側に形成された赤(R)、緑(G)、青
(B)のそれぞれ蛍光体にランディングすることによっ
て、その蛍光体が発光するようになされている。
2. Description of the Related Art A color cathode ray tube (hereinafter referred to as a color CRT)
), The three electron beams emitted from the electron gun and corresponding to, for example, three primary color signals are formed inside the phosphor glass panel by controlling the beam irradiation width (arrival diameter) by the color selection mask. By landing on the red (R), green (G), and blue (B) phosphors, the phosphors emit light.

【0003】そのため、電子ビームの蛍光体へのランデ
ィング誤差により色ズレを発生することがある。この色
ズレを少なくするために、従来のカラーCRTでは蛍光
面の各色蛍光体間に黒色の非発光物質であるカーボンを
埋め込む構成が採られる。このカーボン塗布により電子
ビームのランディングに対する余裕が与えられるので色
ズレの改善を図ることができる。
[0005] Therefore, a color shift may occur due to a landing error of the electron beam on the phosphor. In order to reduce the color shift, a conventional color CRT employs a configuration in which carbon, which is a black non-light emitting substance, is embedded between phosphors of each color on a phosphor screen. This carbon coating provides a margin for landing of the electron beam, so that color shift can be improved.

【0004】図7はアパーチャグリルと称する色選別マ
スクを有したカラーCRT、いわゆる、トリニトロン
(商標名)方式のCRTの斜視図である。このカラーC
RTには色選別マスクとして、図7に示すような周知の
すだれ状の線状体11を有するアパーチャグリル(A
G)2が設けられる。
FIG. 7 is a perspective view of a color CRT having a color selection mask called an aperture grill, that is, a so-called Trinitron (trade name) type CRT. This color C
An aperture grill (A) having a well-known interdigital linear body 11 as shown in FIG.
G) 2 is provided.

【0005】このアパーチャグリル2の上・下部にはA
Gフレームを構成する一対のAGフレームAメンバー8
が取り付けられ、同じくその左・右部にはAGフレーム
を構成する一対のAGフレームBメンバー9が取り付け
られ、アパーチャグリル2を上下左右に大きな力で引っ
張るように支持されている。
The upper and lower portions of the aperture grill 2 have A
A pair of AG frame A members 8 constituting a G frame
A pair of AG frame B members 9 constituting an AG frame are mounted on the left and right portions thereof, and are supported so as to pull the aperture grill 2 up, down, left, and right with great force.

【0006】AGフレームAメンバー8、AGフレーム
Bメンバー9及び線状体11によってアパーチャグリル
(色選別電極)2が構成され、AGフレームAメンバー
8及びAGフレームBメンバー9には板状のスプリング
7を係合したスプリングホルダ6が取り付けられる。
An aperture grill (color selection electrode) 2 is constituted by the AG frame A member 8, the AG frame B member 9 and the linear body 11, and the plate springs 7 are provided on the AG frame A member 8 and the AG frame B member 9, respectively. Is attached.

【0007】アパーチャグリル2の前面側には、スタッ
ドピンを有した蛍光体ガラスパネル1が設けられ、この
スタッドピンにスプリング7を係合することによりアパ
ーチャグリル2が支持されている。パネル内面には赤、
緑、青の3色の蛍光体ストライプが形成されている。蛍
光体ガラスパネル1にはフリットシール部10を介して
一体化されたファンネル4が接合され、ファンネル4内
には電子銃3が封止される。
A phosphor glass panel 1 having stud pins is provided on the front side of the aperture grill 2, and the aperture grill 2 is supported by engaging a spring 7 with the stud pins. Red on the inside of the panel,
Phosphor stripes of three colors of green and blue are formed. An integrated funnel 4 is joined to the phosphor glass panel 1 via a frit seal 10, and the electron gun 3 is sealed in the funnel 4.

【0008】アパーチャグリル2は次のように形成され
る。図8の断面図に示すように、まず、線状体11とな
る鉄板(以下単に鉄板11という)の表裏にレジスト膜
13,14をパターニングし、この表裏のレジスト膜1
3,14を片方づつマスクして、この鉄板11を等方性
エッチングする。このとき、鉄板11の表面(電子ビー
ムの出射面11B)から裏面(電子ビーム入射面11
A)へ向かってエッチングされてなる溝部と、鉄板11
の裏面からこの溝部へ向かってエッチングされて溝部を
貫く開孔部との境界エッジ部分が制御エッジ12A,1
2B,12C・・・となる。
[0008] The aperture grill 2 is formed as follows. As shown in the cross-sectional view of FIG. 8, first, resist films 13 and 14 are patterned on the front and back of an iron plate (hereinafter simply referred to as iron plate 11) to be a linear body 11.
The iron plate 11 is isotropically etched while masking the masks 3 and 14 one by one. At this time, the surface of the iron plate 11 (the emission surface 11B of the electron beam) to the back surface (the electron beam incidence surface 11B).
The groove portion etched toward A) and the iron plate 11
Is etched toward the groove from the back surface of the substrate, and the boundary edge portion with the opening that penetrates the groove is the control edge 12A, 1
2B, 12C...

【0009】この制御エッジ12A,12B,12C・
・・によって、電子銃3より発射された3本の電子ビー
ムの赤、緑、青色用蛍光体ストライプ(またはドット)
への到達径(電子ビームの照射幅)が制御される。これ
により、赤色表示用の電子ビームは赤の蛍光体に衝突し
て発光し、緑、青色表示用の電子ビームはそれぞれ緑、
青の蛍光体に衝突してその蛍光体だけを光らすことによ
り、カラー画像を表示できる。
The control edges 12A, 12B, 12C.
··· Red, green and blue phosphor stripes (or dots) of three electron beams emitted from the electron gun 3
(The irradiation width of the electron beam) is controlled. As a result, the red display electron beam collides with the red phosphor to emit light, and the green and blue display electron beams emit green and blue light, respectively.
A color image can be displayed by colliding with the blue phosphor and illuminating only the phosphor.

【0010】ところで、電子ビームは地磁気等の外部磁
場の影響を受けるため、所定の蛍光体からずれ、結果と
しての色ズレをおこしてしまうことが知られている。こ
の現象は地磁気による電子ビームのミスランディングと
呼ばれる。
By the way, it is known that an electron beam is affected by an external magnetic field such as terrestrial magnetism, so that the electron beam deviates from a predetermined phosphor and causes a resultant color shift. This phenomenon is called mislanding of the electron beam due to terrestrial magnetism.

【0011】このミスランディングを抑制する手段とし
ては、ファンネル4のコーン部分から色選別電極2に至
るCRT内壁(特定区間)に、内部磁気シールド板(I
MS)5を設けたり、そのCRTの外側に外部磁気シー
ルド板(OMS)を設けたりする方法が採られる。内部
磁気シールド板5や外部磁気シールド板は、強磁性を有
する金属薄板製の四角錘状枠体から構成され、地磁気等
の外部磁場から上述の特定区間の電子ビームをシールド
できるという特徴を有している。
As means for suppressing the mislanding, an internal magnetic shield plate (I) is provided on the inner wall (specific section) of the CRT from the cone portion of the funnel 4 to the color selection electrode 2.
MS) 5 or an external magnetic shield plate (OMS) outside the CRT. The internal magnetic shield plate 5 and the external magnetic shield plate are formed of a quadrangular pyramid-shaped frame made of a thin metal plate having ferromagnetism, and have a feature of being able to shield an electron beam in the above-described specific section from an external magnetic field such as geomagnetism. ing.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】近年のカラーCRTで
は、上述した特定区間の他にアパーチャグリル2の制御
エッジを通過した電子ビームが、蛍光体ストライプに到
達する間に地磁気によって非常に多くビーム散乱を起こ
すことが見い出された。そこで、カラーCRTの色ズレ
を抑制するために、アパーチャグリル2の制御エッジか
ら蛍光体ストライプに到達する間を地磁気からシールド
する必要がある。
In a recent color CRT, an electron beam passing through the control edge of the aperture grill 2 in addition to the above-described specific section scatters a very large amount of beam due to terrestrial magnetism while reaching the phosphor stripe. Was found to occur. Therefore, in order to suppress the color shift of the color CRT, it is necessary to shield from the geomagnetism while reaching the phosphor stripe from the control edge of the aperture grill 2.

【0013】このシールド法の1つとしてアパーチャグ
リル2の線状体11自身を利用する方法が考えられてい
る。これは図8に示すように、線状体(スリット)11
内に内径孔である制御エッジ12A,12b,12C・
・・を形成し、これでビーム径を規制すると共に、各々
の制御エッジ12A,12B,12C・・・からビーム
出射面11Bまでの間Lをビームシールド部として利用
するものである。
As one of the shield methods, a method using the linear body 11 of the aperture grill 2 itself has been considered. This is, as shown in FIG.
Control edges 12A, 12b, 12C
Are formed to regulate the beam diameter, and the distance L from each of the control edges 12A, 12B, 12C... To the beam exit surface 11B is used as a beam shield portion.

【0014】一方、CRTの高精細度化を図るためには
図8のように、アパーチャグリル2のスリット15A、
15B間、スリット15B、15C間・・・の配置ピッ
チPを縮小する必要がある。
On the other hand, in order to increase the definition of the CRT, as shown in FIG.
It is necessary to reduce the arrangement pitch P between the slits 15B, between the slits 15B, 15C,....

【0015】しかし、この配置ピッチPを縮小しようと
すると、シャープな制御エッジ12A,12B,12C
・・・を得るために、アパーチャグリル(以下色選別マ
スクともいう)2の板厚tを薄くせざるを得ない。従っ
て、この板厚tを薄くするとシールド距離Lが短くなっ
て、地磁気による電子ビームのミスランディング抑止効
果が少なくなり、色ズレを起こす原因となってしまう。
However, in order to reduce the arrangement pitch P, sharp control edges 12A, 12B, 12C
In order to obtain..., The thickness t of the aperture grill (hereinafter also referred to as a color selection mask) 2 must be reduced. Therefore, when the plate thickness t is reduced, the shield distance L is shortened, the effect of suppressing the mislanding of the electron beam due to the terrestrial magnetism is reduced, and a color shift is caused.

【0016】これにより、ミスランディング抑止効果を
向上させることと、高精細度のカラーCRTの製造とを
両立させることが困難であるという問題がある。
As a result, there is a problem that it is difficult to improve the effect of suppressing mislanding and to manufacture a color CRT with high definition.

【0017】そこで、本発明は上記の課題に鑑み創作さ
れたものであり、色選別マスクの厚みを増加することに
よって電子ビームのミスランディングを抑制できるよう
にする共に、その開孔部の配置ピッチを小さくすること
により、高精細度のカラーブラウン管を作成できるよう
にした陰極線管及びその色選別マスクの製造方法を提供
することを目的とする。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above problem, and it is possible to suppress the mislanding of the electron beam by increasing the thickness of the color selection mask, and to arrange the aperture pitches of the apertures. It is an object of the present invention to provide a cathode ray tube capable of producing a high-definition color cathode ray tube by reducing the size of the cathode ray tube and a method of manufacturing a color selection mask thereof.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管では電
子銃と、この電子銃から出射された電子ビームを通過さ
せるための複数の開孔部を有した色選別マスクと、この
色選別マスクを通過した電子ビームによって発色する蛍
光体とを備え、色選別マスクの厚みをtとし、この色選
別マスクの開孔部の配置ピッチをPとするとき、色選別
マスクは0.5≦t/P≦1.0になるようにその厚み
と配置ピッチとが規定されてなるものである。
In the cathode ray tube of the present invention, an electron gun, a color selection mask having a plurality of apertures for passing an electron beam emitted from the electron gun, and the color selection mask And a phosphor that emits a color due to the electron beam passing therethrough. When the thickness of the color selection mask is t, and the arrangement pitch of the apertures of the color selection mask is P, the color selection mask is 0.5 ≦ t / The thickness and the arrangement pitch are defined so that P ≦ 1.0.

【0019】本発明の陰極線管では、色選別マスクの厚
みを増加することによって、地磁気に対するシールド距
離を長くできるので、電子ビームのミスランディングを
抑制できる。これと共に、色選別マスクの開孔部の配置
ピッチを小さくすることにより、色選別マスクの開孔部
のファインピッチ化が図れるので、高精細度のカラーブ
ラウン管を作成できる。
In the cathode ray tube of the present invention, by increasing the thickness of the color selection mask, the shield distance to the terrestrial magnetism can be increased, so that mislanding of the electron beam can be suppressed. At the same time, by reducing the arrangement pitch of the apertures of the color selection mask, the pitch of the apertures of the color selection mask can be made finer, so that a high-definition color CRT can be produced.

【0020】本発明の陰極線管の色選別マスクの製造方
法では、金属板の第1面を電子ビーム入射面とし、この
金属の第2面を電子ビーム出射面とするとき、この金属
板の第1面に所定の配置ピッチで第1の開口幅のレジス
ト膜をパターニングし、かつ、この金属板の第2面にほ
ぼ同じ配置ピッチで第2の開口幅のレジスト膜をパター
ニングする工程と、この金属板の第1面の全面に目止め
剤を塗布する工程と、第2の開口幅のレジスト膜をマス
クにして等方性のエッチング溶液により金属板をエッチ
ングする工程と、目止め剤を除去し第1の開口幅のレジ
スト膜をマスクにして等方性のエッチング溶液により金
属板をエッチングする工程とを有し、この金属板を第1
面から等方性エッチングを施す時間よりも、この金属板
を第2面から等方性エッチングを施す時間を長くするこ
とにより、金属板の第2面からオーバーエッチングする
ようにしたものである。
In the method for manufacturing a color selection mask for a cathode ray tube according to the present invention, when the first surface of the metal plate is used as an electron beam incident surface and the second surface of the metal is used as an electron beam emission surface, the second surface of the metal plate is used. Patterning a resist film having a first opening width on one surface at a predetermined arrangement pitch, and patterning a resist film having a second opening width on the second surface of the metal plate at substantially the same arrangement pitch; A step of applying a filler on the entire first surface of the metal plate, a step of etching the metal plate with an isotropic etching solution using a resist film having a second opening width as a mask, and removing the filler. And etching the metal plate with an isotropic etching solution using the resist film having the first opening width as a mask.
This metal plate is over-etched from the second surface of the metal plate by making the time for performing the isotropic etching from the second surface longer than the time for performing the isotropic etching from the surface.

【0021】この製造方法によれば、電子ビームの出射
面となる第2面から内部に向かって等方性エッチングを
施す時間を、その入射面となる第1面から等方性エッチ
ングを施す時間よりも長くするようにしたので、第2面
上にパターニングされたレジスト膜の下部の金属板をえ
ぐるようなオーバーエッチングを施すことができる。
According to this manufacturing method, the time for performing isotropic etching from the second surface, which is the emission surface of the electron beam, to the inside is the time for performing isotropic etching from the first surface, which is the incidence surface. Since the length is set to be longer than that, it is possible to perform over-etching such that the metal plate under the resist film patterned on the second surface is covered.

【0022】従って、第2面から等方性エッチングを施
すことにより生じた金属板の開孔部と、第1面のから等
方性エッチングを施すことにより生じた金属板の開孔部
との境界エッジ(電子ビームの制御エッジに相当する)
を電子ビームの入射面に近い位置に形成できると共に、
その境界エッジから電子ビームの出射面までの距離を従
来方式の色選別マスクの製造方法に比べて長くすること
ができる。
Therefore, the opening of the metal plate formed by performing the isotropic etching from the second surface and the opening formed of the metal plate formed by performing the isotropic etching from the first surface. Boundary edge (corresponds to the control edge of the electron beam)
Can be formed at a position close to the incident surface of the electron beam,
The distance from the boundary edge to the emission surface of the electron beam can be made longer than in the conventional method of manufacturing a color selection mask.

【0023】これにより、地磁気に対するシールド距離
が長くなることから、電子ビームのミスランディングを
抑制することができると共に、色選別マスクの開孔部の
配置ピッチが0.25mm未満となるような高精細度の
カラーブラウン管を製造することができる。
As a result, since the shield distance to the earth magnetism becomes longer, mislanding of the electron beam can be suppressed, and the arrangement pitch of the apertures of the color selection mask is less than 0.25 mm. Degree color CRT can be manufactured.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態について説明をする。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】図1は本発明の実施の形態としての陰極線
管の構成例を示す図である。本実施の形態の陰極線管で
は色選別マスクとしてのアパーチャグリルの厚みを増加
することにより、電子ビームのミスランディングを抑制
できるようにする共に、その開孔部の配置ピッチを小さ
くすることにより、高精細度のカラーブラウン管を作成
できるようにした。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a cathode ray tube as an embodiment of the present invention. In the cathode ray tube of the present embodiment, by increasing the thickness of the aperture grill as a color selection mask, it is possible to suppress the mislanding of the electron beam and to reduce the arrangement pitch of the apertures, thereby increasing the height. A color CRT with high definition can be created.

【0026】本発明が適用される色選別マスクとしての
アパーチャグリルを有した陰極線管(以下カラーCRT
という)の構成及び蛍光体ガラスパネルに対するアパー
チャグリルの取り付け方法等については、図7で説明し
た構成及び取り付け方法等が適用できるので、その説明
を省略する。
A cathode ray tube (hereinafter referred to as a color CRT) having an aperture grill as a color selection mask to which the present invention is applied.
7) and the method of attaching the aperture grill to the phosphor glass panel, the configuration and the attachment method described with reference to FIG. 7 can be applied, and a description thereof will be omitted.

【0027】本実施の形態のカラーCRTは従来方式と
同様に図1に示すように、電子銃3から出射された電子
ビーム16の到達径を制御するアパーチャグリル21
が、蛍光体ガラスパネル1の蛍光体ストライプ24側に
設けられ、このアパーチャグリル21には複数の開孔部
(以下スリットという)22A,22B,22C・・・
が設けられている。
As shown in FIG. 1, the color CRT according to the present embodiment has an aperture grill 21 for controlling the arrival diameter of the electron beam 16 emitted from the electron gun 3, as shown in FIG.
Are provided on the side of the phosphor stripe 24 of the phosphor glass panel 1, and a plurality of apertures (hereinafter, referred to as slits) 22A, 22B, 22C,.
Is provided.

【0028】アパーチャグリル21は図2の断面図に示
すように、電子ビーム16を入射する入射面21Aと、
電子ビームを出射する出射面21Bと、各々のスリット
22A,22B,22C・・・毎に電子ビーム16を到
達径を制御する制御エッジ23A,23B,23C・・
・とを有している。この制御エッジ23Aは電子ビーム
16の入射面21Aから出射面21Bへ向かって等方性
のエッチングにより開口された溝部と、電子ビーム16
の出射面21Bから入射面21Aへ向かってエッチング
された上記溝部を貫く開孔部との境界エッジによって形
成される。
As shown in the sectional view of FIG. 2, the aperture grill 21 has an incident surface 21A on which the electron beam 16 is incident.
An emission surface 21B for emitting an electron beam, and control edges 23A, 23B, 23C,... For controlling the arrival diameter of the electron beam 16 for each of the slits 22A, 22B, 22C.
・ It has The control edge 23A has a groove formed by isotropic etching from the incident surface 21A of the electron beam 16 to the emission surface 21B,
Is formed by a boundary edge with an opening portion penetrating the groove portion etched from the exit surface 21B to the entrance surface 21A.

【0029】本実施の形態ではこの制御エッジ23A,
23B,23C・・・が従来方式よりも更に電子ビーム
16の入射面21Aに近い位置に形成され、その電子ビ
ーム16の出射面21Bから制御エッジ23A,23
B,23C・・・に至る開孔部がオーバーエッチングさ
れた断面形状を有している。
In this embodiment, the control edges 23A,
Are formed closer to the incident surface 21A of the electron beam 16 than in the conventional method, and the control edges 23A, 23
Opening portions reaching B, 23C,... Have a cross-sectional shape over-etched.

【0030】このアパーチャグリル21の厚みをtと
し、そのスリット22A,22B間、22B,22C間
・・・の配置ピッチをPとするとき、従来方式と異なり
0.5≦t/P≦1.0になるようにアパーチャグリル
21の厚みtと配置ピッチPとが規定されてなるもので
ある。
Assuming that the thickness of the aperture grill 21 is t and the arrangement pitch between the slits 22A, 22B, 22B, 22C,... Is P, unlike the conventional method, 0.5 ≦ t / P ≦ 1. The thickness t and the arrangement pitch P of the aperture grill 21 are defined so as to be zero.

【0031】このようにt/Pを0.5〜1.0の範囲
内に規定すると、アパーチャグリル21の厚みtを増加
すると共に、そのスリット形成時のレジスト開口幅を狭
くすることによって、アパーチャグリル21の制御エッ
ジからビーム出射面に至るシールド距離Lが増加でき
る。
When t / P is defined in the range of 0.5 to 1.0 as described above, the thickness t of the aperture grill 21 is increased, and the width of the resist opening at the time of forming the slit is reduced, so that the aperture is reduced. The shield distance L from the control edge of the grill 21 to the beam exit surface can be increased.

【0032】このシールド距離Lが長くなればなるほ
ど、電子銃3から出射された電子ビーム16が図3に示
すように、アパーチャグリル21の制御エッジ23A,
23B,23C・・・を通過した後においても、電子ビ
ームが地磁気に対して長くシールドされるので、電子ビ
ーム16のミスランディングを抑制できる。
The longer the shield distance L, the more the electron beam 16 emitted from the electron gun 3 is controlled by the control edges 23A, 23A of the aperture grill 21 as shown in FIG.
Even after passing through 23B, 23C,..., The electron beam is shielded from the earth magnetism for a long time, so that mislanding of the electron beam 16 can be suppressed.

【0033】これと共に、アパーチャグリル21のスリ
ット22A,22B間、22B,22C間・・・の配置
ピッチPを小さくすることにより、図3に示すようにフ
ァインピッチ化されたアパーチャグリル21のスリット
22A,22B,22C・・・を通過した電子ビーム1
6が赤、緑、青の蛍光体ストライプ(シャドウマスク管
ではドット)24に衝突し発色することによってカラー
画像を表示できるので、高精細度のカラー用ブラウン管
を作成できる。
At the same time, by reducing the arrangement pitch P between the slits 22A and 22B, between the slits 22B and 22C of the aperture grill 21, the slit 22A of the aperture grill 21 having a fine pitch as shown in FIG. , 22B, 22C,.
6 can display a color image by colliding with the red, green, and blue phosphor stripes (dots in a shadow mask tube) 24 to form a color, so that a high-definition color cathode ray tube can be produced.

【0034】次に、図4及び図5の断面図を参照しなが
ら、本発明に係る陰極線管の色選別マスクの製造方法に
ついて説明をする。例えば、19型のカラーCRTのア
パーチャグリル21を形成する場合、大きさが縦×横=
274mm×366mm程度で、図4Aの断面図に示す
ように板厚t=0.13mmの鉄板21を準備する。
Next, a method of manufacturing a color selection mask for a cathode ray tube according to the present invention will be described with reference to the sectional views of FIGS. For example, when forming an aperture grill 21 of a 19-inch color CRT, the size is vertical x horizontal =
An iron plate 21 of about 274 mm × 366 mm and having a plate thickness t = 0.13 mm is prepared as shown in the sectional view of FIG. 4A.

【0035】ここで鉄板21の一方の面を電子ビームの
入射面(第1面)21Aとし、この鉄板21の他方の面
を電子ビームの出射面(第2面)21Bとするとき、約
1384本のスリットを形成するためには、図4Bに示
すように、この鉄板21の第1面に所定の配置ピッチP
=0.25mmで第1の開口幅φ1=0.12mm程度
のレジスト膜25をパターニングする。
When one surface of the iron plate 21 is an incident surface (first surface) 21A of the electron beam and the other surface of the iron plate 21 is an emission surface (second surface) 21B of the electron beam, about 1384 In order to form a book slit, as shown in FIG. 4B, a predetermined arrangement pitch P
The resist film 25 having a first opening width φ1 of about 0.12 mm and a thickness of about 0.25 mm is patterned.

【0036】また、鉄板21の第2面にほぼ同じ配置ピ
ッチPで第2の開口幅φ2=0.08mm程度のレジス
ト膜26をパターニングする。レジスト膜26の開口幅
φ2をレジスト膜25の開口幅φ1よりも狭くしたの
は、各々のスリット間の境界壁を残すと共に第1面側か
ら鉄板21をオーバーエッチングするためである。
Further, a resist film 26 having a second opening width φ2 of about 0.08 mm is patterned at substantially the same arrangement pitch P on the second surface of the iron plate 21. The opening width φ2 of the resist film 26 is made smaller than the opening width φ1 of the resist film 25 in order to leave the boundary wall between the slits and to overetch the iron plate 21 from the first surface side.

【0037】次に、図4Cに示ように、この鉄板21の
第1面側の全面に目止め剤27を塗布する。目止め剤2
7は第2面側をエッチングするときに第1面側がエッチ
ングされないようにするためである。目止め剤27には
ニスのようなものを使用する。
Next, as shown in FIG. 4C, a filler 27 is applied to the entire surface of the iron plate 21 on the first surface side. Filler 2
Reference numeral 7 is for preventing the first surface from being etched when the second surface is etched. A thing like a varnish is used for the filler 27.

【0038】その後、図5Aに示すように、第2面側の
レジスト膜26をマスクにして等方性のエッチング溶液
により、第2面側から鉄板21をオーバーエッチングす
る。第2面側を先にエッチングするのは、電子ビームの
制御エッジをなるべく入射面側に形成するためである。
ちなみに第1面側を先にエッチングすると、第2面側か
らエッチングするときに、制御エッジが出射面側にシフ
トしてしまう。エッチング溶液には塩化第2鉄の水溶液
を使用する。
Thereafter, as shown in FIG. 5A, the iron plate 21 is over-etched from the second surface side with an isotropic etching solution using the resist film 26 on the second surface side as a mask. The reason why the second surface side is etched first is to form the control edge of the electron beam on the incident surface side as much as possible.
By the way, if the first surface side is etched first, the control edge shifts to the emission surface side when etching from the second surface side. An aqueous solution of ferric chloride is used as an etching solution.

【0039】エッチング時間θ2は60分程度である。
このとき、第1面側から等方性エッチングを施す時間θ
1よりも、この鉄板21を第2面側から等方性エッチン
グを施す時間θ2を長くするようにした。本例ではθ
1:θ2=1:4である。この等方性エッチングによ
り、第2面側にストライプ状の溝部22A,22B,2
2C・・・が形成される。
The etching time θ2 is about 60 minutes.
At this time, the time θ for performing isotropic etching from the first surface side
The time θ2 during which the iron plate 21 is isotropically etched from the second surface side is set to be longer than that of the case of FIG. In this example, θ
1: θ2 = 1: 4. By this isotropic etching, stripe-shaped grooves 22A, 22B and 2 are formed on the second surface side.
2C are formed.

【0040】鉄板21に溝部22A,22B,22C・
・・が形成できたら、図5Bに示すように、目止め剤2
7を弱アルカリ性の水溶液により除去し、その後、第1
面側のレジスト膜25をマスクにして、上述の等方性の
エッチング溶液により鉄板21をエッチングする。エッ
チング時間は15分程度である。このエッチングによっ
て、上述した溝部22A,22B,22C・・・にそれ
ぞれ貫通するストライプ状の開孔部(この工程でスリッ
トになる)が形成され、このスリットの境界エッジによ
って電子ビームを制御する制御エッジ23A,23B,
23C・・・が画定される。この制御エッジ23A,2
3B,23C・・・の開口幅φ3は電子ビームの透過率
τ=(φ3/P)×100%を決定する。本例では透過
率τを22〜26%程度にする。
On the iron plate 21, grooves 22A, 22B, 22C
.. is formed, as shown in FIG.
7 is removed with a weakly alkaline aqueous solution, and then the first
Using the resist film 25 on the surface as a mask, the iron plate 21 is etched with the above-described isotropic etching solution. The etching time is about 15 minutes. By this etching, stripe-shaped openings (which become slits in this step) penetrating the above-mentioned grooves 22A, 22B, 22C... Are formed, and a control edge for controlling an electron beam by a boundary edge of the slits. 23A, 23B,
23C... Are defined. This control edge 23A, 2
The opening width φ3 of 3B, 23C,... Determines the electron beam transmittance τ = (φ3 / P) × 100%. In this example, the transmittance τ is set to about 22 to 26%.

【0041】その後、鉄板21を両面のレジスト膜2
5、26をアルカリ性の水溶液により除去し、その後、
純水で鉄板21を洗浄することにより、図5Cに示すよ
うなアパーチャグリル21が形成される。形成後のアパ
ーチャグリル21の上・下部及びその左・右部に従来方
式のようにAGフレームが取り付けられ、いわゆるトリ
ニトロン(商標名)方式のCRTの色選別マスクが完成
する(図7参照)。
Thereafter, the iron plate 21 is coated on both sides of the resist film 2.
5, 26 are removed with an alkaline aqueous solution, and then
By cleaning the iron plate 21 with pure water, an aperture grill 21 as shown in FIG. 5C is formed. The AG frame is attached to the upper and lower portions and the left and right portions of the formed aperture grill 21 as in the conventional method, and a so-called Trinitron (trade name) type CRT color selection mask is completed (see FIG. 7).

【0042】このように本発明の陰極線管の色選別マス
クの製造方法では、鉄板21を電子ビーム入射面(第1
面)21Aから等方性エッチングを施す時間θ1より
も、その鉄板21を電子ビーム出射面(第2面)21B
から等方性エッチングを施す時間θ2を約4倍程度長く
したことにより、電子ビーム出射面21Bにパターニン
グされたレジスト膜26の下部の鉄板21をえぐるよう
なオーバーエッチングを施すことができた。
As described above, in the method of manufacturing a color selection mask for a cathode ray tube according to the present invention, the iron plate 21 is placed on the electron beam incident surface (the first surface).
The iron plate 21 is placed on the electron beam emission surface (second surface) 21B longer than the time θ1 for performing isotropic etching from the surface 21A.
By increasing the time θ2 for performing the isotropic etching by about 4 times, overetching such that the iron plate 21 under the resist film 26 patterned on the electron beam emitting surface 21B could be performed was performed.

【0043】図6A,Bは従来方式によるアパーチャグ
リル2の製造方法と本実施例としてのアパーチャグリル
21の製造方法とを比較した断面図である。
FIGS. 6A and 6B are sectional views comparing a method of manufacturing the aperture grill 2 according to the conventional method and a method of manufacturing the aperture grill 21 according to the present embodiment.

【0044】本実施例と従来方式のプロセス条件は次の
通りである。配置ピッチPは本実施例も従来方式も0、
25mmとし、エッチング方法は塩化第2鉄の水溶液に
よる等方性エッチングとした。但し、従来方式ではオー
バーエッチングをせずにノーマルエッチングとし、本実
施例ではオーバーエッチングを施した。
The process conditions of the present embodiment and the conventional system are as follows. The arrangement pitch P is 0 in both the present embodiment and the conventional method.
The etching method was isotropic etching using an aqueous solution of ferric chloride. However, in the conventional method, normal etching was performed without over-etching, and in this embodiment, over-etching was performed.

【0045】本実施例ではオーバーエッチングを行うた
めに、電子ビーム出射面21B側のレジスト膜26の開
口幅φ2を従来方式の開口幅φ2’に比べて30〜40
%程度狭くすると共に、電子ビーム出射面21B側から
エッチングする時間を従来方式に比べて1.5倍程度長
くした。このようなプロセス条件下でどちらが厚い板厚
tのアパーチャグリルを形成できるかを比較した。
In this embodiment, in order to perform over-etching, the opening width φ2 of the resist film 26 on the side of the electron beam emission surface 21B is set to be 30 to 40 times smaller than the conventional opening width φ2 ′.
%, And the etching time from the electron beam emission surface 21B side is increased by about 1.5 times as compared with the conventional method. Under these process conditions, a comparison was made as to which one could form an aperture grille with a large plate thickness t.

【0046】これによれば、従来方式のアパーチャグリ
ル2では図6Aに示すように、電子ビーム出射面11B
から鉄板11をえぐるようなオーバーエッチングを施し
ていないために、板厚t1は0.1mmが最高であっ
た。板厚t1に対する配置ピッチPの比率t/Pは0.
459であり、0.5以下であった。
According to this, in the conventional aperture grill 2, as shown in FIG. 6A, the electron beam exit surface 11B
Since the steel plate 11 was not subjected to over-etching, the thickness t1 was 0.1 mm at the maximum. The ratio t / P of the arrangement pitch P to the plate thickness t1 is 0.1.
459, which was 0.5 or less.

【0047】これに対して、本実施例のアパーチャグリ
ル21では図6Bに示すように、電子ビーム出射面21
Bから鉄板21をえぐるようなオーバーエッチングを施
したために、板厚t2を0.13mmとすることができ
た。厚t2に対する配置ピッチPの比率t/Pは0.6
39であり、0.5≦t/P≦1.0になった。
On the other hand, in the aperture grill 21 of the present embodiment, as shown in FIG.
Since the over-etching was performed so that the iron plate 21 was circulated from B, the plate thickness t2 could be set to 0.13 mm. The ratio t / P of the arrangement pitch P to the thickness t2 is 0.6.
39, that is 0.5 ≦ t / P ≦ 1.0.

【0048】また、従来方式では電子ビームの制御エッ
ジ11Aから電子ビーム出射面11Bに至る距離である
シールド距離L1が0、07mmであった。これに対し
て本実施例ではシールド距離L2が0.1mmであり、
0.03mmだけ長くすることができた。
In the conventional method, the shield distance L1, which is the distance from the electron beam control edge 11A to the electron beam emission surface 11B, was 0.07 mm. On the other hand, in the present embodiment, the shield distance L2 is 0.1 mm,
It could be lengthened by 0.03 mm.

【0049】これにより、地磁気によるミスランディン
グは従来方式に対して本実施例では約30%も改善する
ことができた。しかも、従来方式に比べて本実施例のア
パーチャグリル21では、制御エッジを電子ビーム入射
面21A側に更に下げることができた。
As a result, the mislanding due to terrestrial magnetism could be improved by about 30% in this embodiment as compared with the conventional method. Moreover, in the aperture grill 21 of the present embodiment, the control edge can be further lowered to the electron beam incident surface 21A side as compared with the conventional method.

【0050】このように本実施例によって、板厚tが
0.13mmで配置ピッチが0.25mmの色選別マス
クを有した高精細度のカラーブラウン管を製造すること
ができた。
As described above, according to the present embodiment, a high-definition color cathode ray tube having a color selection mask having a plate thickness t of 0.13 mm and an arrangement pitch of 0.25 mm could be manufactured.

【0051】なお、本発明の実施の形態では色選別マス
クとしてアパーチャグリルの場合について説明したが、
デルタ型円形マスクやインライン型スロットマスク等の
色選別マスクを備えたシャドウマスク管においても同様
な効果が得られる。
Although the embodiment of the present invention has been described with reference to an aperture grill as a color selection mask,
Similar effects can be obtained in a shadow mask tube provided with a color selection mask such as a delta type circular mask or an inline type slot mask.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように本発明の陰極線管で
は、色選別マスクの厚みをtとし、この色選別マスクの
開孔部の配置ピッチをPとするとき、0.5≦t/P≦
1.0になるように色選別マスクはその厚みと配置ピッ
チとが規定されてなる。
As described above, in the cathode ray tube of the present invention, when the thickness of the color selection mask is t and the arrangement pitch of the apertures of the color selection mask is P, 0.5 ≦ t / P ≤
The thickness and arrangement pitch of the color selection mask are defined so as to be 1.0.

【0053】従って、色選別マスクの厚みを増加するこ
とによって、色選別マスクと蛍光体との間における地磁
気に対するシールド距離を増加できるので、電子ビーム
のミスランディング抑制効果を向上できる。これと共に
色選別マスクの開孔部のファインピッチ化により高精細
度のカラー用ブラウン管を作成できる。
Therefore, by increasing the thickness of the color selection mask, it is possible to increase the shield distance to the terrestrial magnetism between the color selection mask and the phosphor, thereby improving the effect of suppressing the mislanding of the electron beam. At the same time, the fine pitch of the apertures of the color selection mask can produce a high-definition color CRT.

【0054】本発明に係る陰極線管の色選別マスクの製
造方法では、電子ビームの出射面側から内部に向かって
等方性エッチングを施す時間を、その入射面側から等方
性エッチングを施す時間よりも長くするようにしたの
で、その出射面上にパターニングされたレジスト膜の下
部の金属板をえぐるようなオーバーエッチングを施すこ
とができた。
In the method for manufacturing a color selection mask for a cathode ray tube according to the present invention, the time for performing isotropic etching from the emission surface side of the electron beam toward the inside is the time for performing isotropic etching from the incidence surface side. Since the length was made longer than that, over-etching could be performed on the emission surface of the metal plate below the patterned resist film.

【0055】従って、電子ビームの制御エッジを電子ビ
ームの入射面に近い位置に形成できると共に、その境界
エッジから電子ビームの出射面までの距離を従来方式の
色選別マスクの製造方法に比べて長くすることができ
た。これにより、地磁気に対するシールド距離が長くな
ったことから、電子ビームのミスランディングの抑制効
果が向上した。
Accordingly, the control edge of the electron beam can be formed at a position close to the incident surface of the electron beam, and the distance from the boundary edge to the emission surface of the electron beam is longer than in the conventional method of manufacturing a color selection mask. We were able to. As a result, the shield distance for geomagnetism was increased, and the effect of suppressing the mislanding of the electron beam was improved.

【0056】このような本発明に係る陰極線管及びその
色選別マスクの製造方法は、色選別マスクの開孔部の配
置ピッチが0.25mm以下で、しかも、地磁気に強い
高精細度のカラーブラウン管及びその製造に適用して極
めて好適である。
The method of manufacturing the cathode ray tube and the color selection mask according to the present invention as described above is characterized in that the arrangement pitch of the openings of the color selection mask is 0.25 mm or less, and that the color cathode ray tube has a high definition which is strong against geomagnetism And it is very suitable for application to its production.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態としての陰極線管の構成を示す概念
図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a cathode ray tube as an embodiment.

【図2】アパーチャグリル21の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the aperture grill 21.

【図3】アパーチャグリル21の機能説明図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the function of an aperture grill 21;

【図4】アパーチャグリル21の形成工程図(その1)
である。
FIG. 4 is a process chart of forming an aperture grill 21 (part 1);
It is.

【図5】アパーチャグリル21の形成工程図(その2)
である。
FIG. 5 is a process chart of forming the aperture grill 21 (part 2).
It is.

【図6】本実施例と従来例との比較図である。FIG. 6 is a comparison diagram between the present embodiment and a conventional example.

【図7】陰極線管の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a cathode ray tube.

【図8】アパーチャグリル2の形成時の断面図である。FIG. 8 is a sectional view when the aperture grill 2 is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・蛍光体ガラスパネル、2,21・・・アパーチ
ャグリル(色選別電極;鉄板)、3・・・電子銃、4・
・・ファンネル、5・・・内部磁気シールド板、6・・
・スプリングホルダ、7・・・スプリング、8・・・A
GフレームAメンバー、9・・・AGフレームBメンバ
ー、10・・・フリットシール部、11A,21A・・
・入射面、11B,21B・・・出射面、12A〜12
C,23A〜23C・・・制御エッジ、13,14,2
5,26・・・レジスト膜、15A〜15C,22A〜
22C・・・スリット(溝部)、16・・・電子ビー
ム、24・・・蛍光体ストライプ、27・・・目止め剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Phosphor glass panel, 2, 21 ... Aperture grill (color selection electrode; iron plate), 3 ... Electron gun, 4 ...
..Funnel, 5 ... Internal magnetic shield plate, 6
・ Spring holder, 7 ・ ・ ・ Spring, 8 ・ ・ ・ A
G frame A member, 9 ... AG frame B member, 10 ... frit seal part, 11A, 21A ...
-Incident surface, 11B, 21B ... Outgoing surface, 12A-12
C, 23A to 23C: control edge, 13, 14, 2
5, 26: resist film, 15A to 15C, 22A to
22C: slit (groove), 16: electron beam, 24: phosphor stripe, 27: filler

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子銃と前記電子銃から出射された電子
ビームを通過させるための複数の開孔部を有しした色選
別マスクと、 前記色選別マスクを通過した電子ビームによって発色す
る蛍光体とを備え、 前記色選別マスクの厚みをtとし、該色選別マスクの開
孔部の配置ピッチをPとするとき、前記色選別マスクは
0.5≦t/P≦1.0になるように前記厚みと配置ピ
ッチとが規定されたことを特徴とする陰極線管。
1. A color selection mask having an electron gun and a plurality of apertures for allowing an electron beam emitted from the electron gun to pass therethrough, and a phosphor which is colored by the electron beam passing through the color selection mask When the thickness of the color selection mask is t and the arrangement pitch of the apertures of the color selection mask is P, the color selection mask satisfies 0.5 ≦ t / P ≦ 1.0. Wherein the thickness and the arrangement pitch are defined.
【請求項2】 前記色選別マスクは電子ビームの入射面
及び出射面を有し、 前記電子ビームの入射面から出射面へ向かう開孔部と前
記電子ビームの出射面から入射面へ向かう開孔部との境
界エッジ部分を電子ビームの照射幅を規定する制御エッ
ジとするとき、 前記制御エッジが前記電子ビームの入射面に近い位置に
形成され、 前記電子ビームの出射面から前記制御エッジに至る開孔
部がオーバーエッチングされた断面形状を有しているこ
とを特徴とする請求項1に記載の陰極線管。
2. The color selection mask has an entrance surface and an exit surface of an electron beam, an aperture portion extending from the entrance surface of the electron beam to the exit surface, and an aperture portion extending from the exit surface of the electron beam to the entrance surface. When the boundary edge portion with the portion is a control edge that defines the irradiation width of the electron beam, the control edge is formed at a position close to the incident surface of the electron beam, and extends from the emission surface of the electron beam to the control edge. 2. The cathode ray tube according to claim 1, wherein the opening has an over-etched cross-sectional shape.
【請求項3】 金属板の第1面を電子ビーム入射面と
し、前記金属板の第2面を電子ビーム出射面とすると
き、前記金属板の第1面に所定の配置ピッチで第1の開
口幅のレジスト膜をパターニングし、かつ、前記金属板
の第2面にほぼ同じ配置ピッチで第2の開口幅のレジス
ト膜をパターニングする工程と、 前記金属板の第1面の全面に目止め剤を塗布する工程
と、 前記第2の開口幅のレジスト膜をマスクにして等方性の
エッチング溶液により前記金属板をオーバーエッチング
する工程と、 前記目止め剤を除去し前記第1の開口幅のレジスト膜を
マスクにして等方性のエッチング溶液により前記金属板
をエッチングする工程とを有し、 前記金属板を第1面から等方性エッチングを施す時間よ
りも、前記金属板を第2面から等方性エッチングを施す
時間を長くすることにより、前記金属板の第2面からオ
ーバーエッチングするようにしたことを特徴とする陰極
線管の色選別マスクの製造方法。
3. When the first surface of the metal plate is an electron beam incident surface and the second surface of the metal plate is an electron beam emission surface, the first surface of the metal plate is firstly arranged at a predetermined arrangement pitch. Patterning a resist film having an opening width and patterning a resist film having a second opening width at substantially the same arrangement pitch on the second surface of the metal plate; filling the entire surface of the first surface of the metal plate A step of applying an agent; a step of over-etching the metal plate with an isotropic etching solution using the resist film having the second opening width as a mask; and a step of removing the filling agent and the first opening width. Etching the metal plate with an isotropic etching solution using the resist film as a mask. Isotropic etching from the surface Applied by lengthening the time, method for producing a cathode ray tube the color selection mask from the second surface, characterized in that so as to over-etching of the metal plate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100438507B1 (en) * 2000-12-28 2004-07-03 가부시끼가이샤 도시바 Shadow mask and color cathode ray tube

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