JPH11297975A - 光電変換素子及びイメ―ジセンサ - Google Patents
光電変換素子及びイメ―ジセンサInfo
- Publication number
- JPH11297975A JPH11297975A JP11032703A JP3270399A JPH11297975A JP H11297975 A JPH11297975 A JP H11297975A JP 11032703 A JP11032703 A JP 11032703A JP 3270399 A JP3270399 A JP 3270399A JP H11297975 A JPH11297975 A JP H11297975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- light
- conversion element
- shielding layer
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 79
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 AlSiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
ラツキを抑える。 【解決手段】 複数の光電変換部(2)と、該光電変換
部上に配置された開口を有する遮光手段(11,12)
と、を具備する光電変換素子において、該遮光手段は、
第1の遮光層(11)と、該第1の遮光層上に層間絶縁
膜(13)を介して設けられた第2の遮光層(12)
と、を有しており、該第1の遮光層は、隣接する2つの
該開口(OP)を連通させる為の間隙(GP)を有し、
該第1の遮光層の該間隙上には、該第2の遮光層の遮光
部(12a)が配置されていることを特徴とする。
Description
ナ、ファクシミリ、ビデオカメラ、デジタルカメラ等に
用いられるイメージセンサ及びそれに構成される光電変
換素子に関する。
ジスタやホトダイオードを用いた増幅型又は非増幅型の
固体撮像素子は、ラインセンサ或いはエリアセンサとし
て上記イメージスキャナ等の情報機器の電子の目として
広く用いられている。
周辺回路を同一基板上に作製するような光電変換素子の
場合、受光素子上は層間絶縁膜や保護膜などの多層構造
になっている。これら各層の材質が違うと屈折率が異な
ることによって光の多重干渉が生じる。その多層構造の
分光感度特性を見るとリプルを生じており、その結果わ
ずかな波長の違いによって光電変換素子の感度が大きく
変換することがある。
つくと分光感度特性は膜厚に応じてずれ、ある波長に対
する感度のばらつきとなる。この事は複数の受光素子が
配列された光電変換素子において、1チップ内である波
長に対する感度がばらつくことを意味する。
は、特開平9−55488に記載されている。図16
は、このような従来の光電変換素子の断面を示してお
り、1は基板、2は受光素子、3は第1層ポリシリコン
ゲート、4は第2層ポリシリコンゲート、5は遮光層、
6は保護膜であり、この上に平坦化層7を設けている。
ここでは、平坦化層上にオンチップレンズ9とカラーフ
ィルタ8を形成している。
駆層を成膜した後、化学機械研磨(CMP)により、凸
部を除去して形成する。CMP工程は、研磨剤や研磨パ
ッドのランニングコストが高く、更には研磨に用いるア
ルカリ性研磨剤や研磨によって発生する研磨くずを除去
する為に研磨後の洗浄を精密に行なわねばならず、非常
に高コストの工程である。
用いずに遮光層の上に平坦な絶縁膜を形成する為に、S
OG(スピンオングラス)を用いた塗布型絶縁膜を採用
することを試みた。
になる為、同一チップ上の受光素子間での塗布型絶縁膜
の厚さに差が生じることがあった。
光層5によって定められた開口OPにてその位置が規定
される場合、隣接する開口間には遮光層5が介在してい
る為、この遮光層を乗り越えて塗布型絶縁膜の流動性の
前駆物質が流動し難くなっている。従って、光電変換素
子における中心付近の受光素子上の塗布型絶縁膜と該素
子の端部付近の受光素子上の該膜とでは厚さに差が生じ
ることがある。更に、複数の光電変換素子を作る為の一
枚のウエハ上ではその差がより大きくなる。
ような場合、光電変換素子の特性として顕著に現われる
こととなる。
子を基板上に配置されたイメージセンサにおいて、光源
に赤、緑、青の3色のLEDを時系列に順次切り替えて
原稿を照明してカラー画像を読み込む場合、受光素子上
の多層膜の総膜厚が均一であっても、それぞれの膜の膜
厚が異なると分光感度特性はずれを生じ、各々の波長に
おいて感度の分布曲線が異なり、正しい画像が得られな
くなる。
が塗布の際のバリアにならず、同一チップ上の受光素子
間での塗布型絶縁膜の厚さに差が生じ難い光電変換素子
及びイメージセンサを提供することにある。
換部上に配置された開口を有する遮光手段と、を具備す
る光電変換素子において、該遮光手段は、第1の遮光層
と、該第1の遮光層上に層間絶縁膜を介して設けられた
第2の遮光層と、を有しており、該第1の遮光層は、隣
接する2つの該開口を連通させる為の間隙を有し、該第
1の遮光層の該間隙上には、該第2の遮光層の遮光部が
配置されていることを特徴とする。
よる光電変換素子とその構成部品を示している。
光層を、(c)は第2の遮光層を、(d)は(a)のA
A′線による断面を、(e)は(a)のBB′線による
断面を示している。
上には光電変換部(受光素子)2が複数設けられてお
り、基板1の上方には遮光手段としての第1の遮光層1
1と第2の遮光層12とが設けられている。
素子2上に光を通過させる開口OPを有している。
1は、隣接する開口OP同士を少なくとも開口の配列方
向に連通させる長さl1の間隙GPを有している。
にそして第1の遮光層11の間隙GPの上には、それを
覆うように層間絶縁膜13を介して第2の遮光層の遮光
部12aが配置されている。
光素子間においては、第1の遮光層11に間隙GPが設
けられている為、この間隙を通って層間絶縁膜となる前
駆物質が流動する。こうして、図1の(d)(e)に示
すように層間絶縁膜13の厚さのバラツキは受光素子間
で抑制され、均一な膜厚となる。
内に入射しないように、間隙GP上には、第2の遮光層
12の遮光部12aが配置されている。
けずに開口OPが個々に独立したものとして形成したと
すると、受光素子間の断面はその受光素子間のどの部分
においても図1の(d)のようなものとなり、前駆物質
の流動を妨げて、厚さt1、t2に差が出来てしまう。
ショットキー接合、MIS接合、PN接合又はPIN接
合等をもつホトダイオードやホトトランジスタが挙げら
れ、必要に応じて受光素子間は、素子分離領域により電
気的に又は物理的に分離され個々の受光素子はアイソレ
ートされる。
ては、それぞれ、純金属、合金、シリサイド等から形成
される。具体的には、Al,AlSi,AlSiCu,
AlCu,Cr,Mo,W,WN,Ta,TaN,T
i,TiN等の単一層又は積層体からなる導電体を用い
るとよい。
無機SOG、有機SOG等の流動性のある平坦化前駆物
質を用いた塗布型絶縁膜が好ましく用いられる。又、必
要に応じてCVD法で堆積された絶縁膜と組み合わせた
多層膜であってもよい。
ように窒化シリコン等からなる保護膜(パッシベーショ
ン膜)を形成してもよい。
の辺の長さL2の1/3以上あればよく、より好ましく
は1/3以上3/3以下である。
図、図3は図2のCC′線による断面図、図4は図2の
DD′線による断面図である。
素子2上に開口OPのある遮光手段を有している。
基板19の表面側には、選択酸化などにより形成された
絶縁材料からなる素子分離領域15と、その間に受光素
子2とが形成されている。
リシリコンゲート電極とその上に形成される配線とを絶
縁する為の絶縁膜16が設けられている。この絶縁膜1
6は、ノンドープ或いはボロン(B)やリン(P)をド
ープした酸化シリコン膜で形成される。
Al等からなる第1の遮光層11がスパッタリング等で
形成されている。第1の遮光層11の平面パターンは、
図2に示すように開口OP間に間隙GPを有する。この
第1の遮光層11として導電体を用いて、光電変換素子
の配線の一部を形成してもよい。
が設けられている。
のよい酸化シリコンを300nm〜500nm程堆積
し、次に、SOGのスピンコーティングを行い、熱処理
した後エッチバックして100nm〜400nm厚の酸
化シリコン膜(塗布型の層間絶縁膜)を形成し、更にそ
の上にプラズマCVD法により、酸化シリコンを300
nm〜500nm堆積することにより、層間絶縁膜13
を形成する。
質は、第1の遮光層11の間隙GPを通って隣の受光素
子上に流れる為に、前駆物質は1つの受光素子2上に滞
留することなくスムーズに流れ、膜厚の均一性が向上す
る。
2が、第1の遮光層11の間隙GPを覆うように設けら
れている。
り、受光素子間への光の入射が妨げられる。
アルカリイオン等の侵入を防止する為の保護膜18が設
けられている。この保護膜は、プラズマCVD法により
堆積した窒化シリコン等で形成するとよい。
の異なる複数の遮光層11、12で構成し、塗布絶縁膜
の下層となる第1の遮光層12には、隣接受光素子2間
に間隙を形成することで、該絶縁膜の厚さを均一化す
る。又、遮光手段は少なくとも周辺回路21の主要部分
を遮光する。
に用いられる1画素分の周辺回路の一例を説明する。
アノードは、リセット手段51と、増幅部52を構成す
るソースホロワアンプのpMOSトランジスタ53のゲ
ートに接続されている。
ワアンプの負荷となるpMOSトランジスタ53’は、
それぞれ高電位の基準電圧源に接続されている。
ンジスタ54のオンによって転送されて蓄積容量55に
一旦蓄積される。
OSトランジスタ56のゲートに接続されているので、
ソースホロワの出力は、蓄積容量に蓄積される電圧に依
存して増幅される。このnMOSトランジスタ54、蓄
積容量55、ソースホロワアンプとなるpMOSトラン
ジスタ56、負荷用のpMOSトランジスタ56’は信
号保持手段となっている。
手段に接続されている。
グ回路のペアからなり、その一方は、ノイズ転送用のn
MOSトランジスタ57、ノイズ保持容量59、リセッ
ト用nMOSトランジスタ61、走査用トランジスタ6
4’からなる。
スタ58、光信号保持容量60、リセット用nMOSト
ランジスタ62、走査用トランジスタ64からなる。
タイミングチャートである。スタートパルスSPが入力
に従って、まずリセット用nMOSトランジスタ61、
62のゲートの端子φCRにハイレベルのパルスが入力
されノイズ保持容量59と光信号保持容量60とが低電
位(グランドレベル)の基準電圧にリセットされる。
れ、ノイズ転送用nMOSトランジスタ57がオンし
て、容量55に蓄積された電圧に応じて増幅された出力
電圧をノイズ保持容量59に読み出す。この出力電圧
は、前のフィールドにおいて、光電変換部2がリセット
された直後のノイズ電圧である。
が入力され、転送用のnMOSトランジスタ54がオン
して、増幅部の出力電圧を蓄積容量55に読み出す。こ
の出力電圧は現フィールドの光信号電圧である。
入力されると、光信号転送用のnMOSトランジスタ5
8がオンして、光信号は容量60に読み出されて保持さ
れる。
力してリセット用nMOSトランジスタRTをオンし
て、ホトダイオードのアノードを、リセット用の基準電
圧源VSRに接続して、リセット電位にリセットする(期
間tr)。続いて端子φTIにハイレベルのパルスを入
力してnMOSトランジスタ54をオンしてホトダイオ
ードのリセット直後の電圧成分をノイズ電圧として容量
55に読み出す(期間tn1)。
動作を行っている最中に、ノイズ保持容量59と光信号
保持容量60に保持された電圧はそれぞれ走査用トラン
ジスタ64,64’を介して共通出力信号線65,66
に出力される。
67が接続されており、光信号電圧からノイズ電圧を差
し引く処理が行われる。
は、再び端子φTNにハイレベルのパルスが入力される
ことで容量59に転送される(期間tn2)。そして、
再び端子φT1にハイレベルのパルスが入力され、光信
号が蓄積容量に保持され(期間ts1)、端子φTSに
ハイレベルのパルスが入力されることで光信号は容量6
0に転送される(期間ts2)。そして、次の蓄積期間
において、容量59,60に蓄積されたノイズ及び光信
号は画素毎に順次走査されて差分処理がなされる。
レイアウトの一例を示す図であり、受光素子2の配列に
沿って、一方の側(図中上方)には、高電位VDDの電圧
ライン21、リセット電位VSRのリセットライン22、
接地電位のグランドライン23等の基準電圧を供給する
基準電圧ラインが規準電圧ライン配置部24に配されて
いる。
は周辺回路としてのリセット手段、増幅部、信号保持手
段、ノイズ信号除去手段が各配置部25、26、27に
配置されており、周辺回路を構成する各トランジスタは
主として第2の遮光層により実質的に遮光されている。
を示す図であり、遮光手段のパターンを示している。図
9は図8に対応した第1及び第2の遮光層の各パターン
を示している。
は、74及び75は配線を兼ねている。74,75は例
えば接地ラインやリセットラインである。
型絶縁膜を介して第2の遮光層70,71,72,73
が配されており、周辺回路を遮光している。
に開口の縦辺の3分の1以上の間隔をおいて上下に分離
している。
クトホールCNを介して、該間隔を覆う位置にある第2
の遮光層の遮光部71,72とそれぞれ接続されてい
る。
遮光部72を通して接地電圧が、層70を通して高電位
の電圧が、遮光部71を通じてリセット電圧が、図中上
方から供給される。
のすき間を埋め且つ電気的接続を得るように第2の遮光
層の遮光部73が配されている。それでも尚、受光素子
間には光の通るすき間が残るが、この下は素子分離領域
となる為それ程問題にはならない。
第2の遮光層12のパターンを示している。
密着型イメージセンサの例を示す。複数の受光素子を1
次元的に配列した光電変換素子31をセラミック基板あ
るいはガラスエポキシ基板32上に複数個1ライン状又
はスタガー状に配置し、ワイヤーボンディングによって
基板32上の配線に電気的に接続し、保護のために光電
変換装置上をシリコーン樹脂等からなるチップコート剤
33で覆う。この基板32と、原稿からの反射光を集光
し、受光素子表面で結像させるレンズアレイ34と、
赤、緑、青色の光を発生するLED光源35と、透明部
材からなる原稿支持体36と、を組み立てて密着型イメ
ージセンサを構成している。
時、光電変換素子31を駆動して赤色情報を読み取る。
次に赤色及び青色LEDを消灯し、緑色LEDを点灯し
て緑色情報を読み取る。最後に青色LEDのみを点灯
し、青色情報を読み取る。こうして、カラーフィルター
を用いることなくカラー原稿のカラーの画像読み取りが
可能になる。
変換素子における、開口の辺の長さに対する第1の遮光
層の間隙GPの長さの比と、明出力ばらつき不良率と、
の関係をグラフに示したものである。間隙の割合がおよ
そ1/3になるまでは不良率は減少し、それ以上は不良
率の変化はほとんどない。
間絶縁膜の膜厚ばらつきが減少し、分光感度のずれを抑
えることができ、感度ばらつきが低減した。
による光電変換素子の上面と断面を示す。
オードの一方の電極・配線76が開口内に延出している
点である。
ドの一方のアノード又はカソードとなる半導体領域77
が島状に1つの開口内に1つ設けられており、絶縁膜1
6のコンタクトホールを介して第1の遮光層74、75
と同じ膜で構成された電極配線76に接続されている。
乏層となる光電変換部(受光素子)である。
けられている。
間を遮光する第1の遮光層74、75と第2の遮光層7
0、71、72が設けられている。
極配線76と、はそれらの間の容量を小さくする為、図
12のように第2の遮光層70に切り欠き部79を設け
てもよい。
規準電圧ラインとなっており、規準電圧ラインの寄生抵
抗を低くし各画素間のバラツキを抑えている。
の回路図である。
ダイオードとMOSトランジスタ53のゲートとの間に
電荷転送用のMOSトランジスタ81を設けた点、、図
5の信号保持手段を省略した点、出力信号線のリセット
を一対のMOSトランジスタ61で同時に行う点、いく
つかのMOSトランジスタの導電型が逆になっている点
等である。
す。
セットを行った直後に、nMOSトランジスタ57をオ
ンして容量59にリセットノイズ成分を蓄積する。
MOSトランジスタ81をオンすることによりnMOS
トランジスタ53のゲートに転送・蓄積される。nMO
Sトランジスタ58をオンすることにより、nMOSト
ランジスタから増幅された光信号を容量60に蓄積す
る。不図示の水平シフトレジスタにより一対のnMOS
トランジスタ64’、64がオンして、リセットノイズ
成分と光信号成分との差分が差動アンプ87より出力さ
れる。こうして一画素分のリセットノイズ成分が除去さ
れた光信号が得られる。次に、不図示のトランジスタ6
4(N+1)がオンして隣の画素から光信号を得る。
接地電圧(リセット電圧)は遮光部72、75を介して
供給し、高電位の規準電圧は70又は74を介して供給
するようにしてもよい。
方法について簡単に述べる。
シリコンからなる厚い絶縁膜(素子分離領域)15を作
る。各MOSトランジスタのゲート電極を形成し、ソー
ス・ドレイン及び半導体領域77を形成する。CVD等
により絶縁膜16を形成し、コンタクトホールを開け
る。第1の遮光層74、75や電極・配線76となるA
lのような導電膜を形成し、遮光パターン及び配線パタ
ーンにエッチングする。
理して塗布型絶縁膜の層間絶縁膜13を形成する。スル
ーホールを絶縁膜13に開けて、第2の遮光層70、7
1、72となるAlのような導電膜を形成し、遮光パタ
ーン及び配線パターンにエッチングする。CVD等によ
り保護膜18を形成する。
76の上に塗布される絶縁膜用前駆物質は第1の遮光層
の間隔を通って流動する。よって、この構成をとること
で層間絶縁膜の膜厚ばらつきが減少し、分光感度のずれ
を抑えることができ、感度ばらつきが低減した。
ゲートに変えて、半導体領域77に蓄積されたキャリア
を全てトランジスタ53のゲートに接続された拡散層に
転送し、半導体領域77を完全に空乏化するように構造
を変更することも好ましいものである。
れた間隙を通じて塗布型絶縁膜の前駆物質が流れる為に
1チップ内の少なくとも隣接受光素子間で絶縁膜の膜厚
の差が抑制される。
設けられているので、受光素子間を遮光し、不要な光生
成キャリアの発生を抑制することが出来る。
の絶縁膜を形成でき、感度ばらつきの小さい光電変換素
子を提供することが出来る。
式図。
トを示す図。
ウトを示す図。
上面図。
と、明出力のばらつき不良率と、の関係を示す図。
チャートを示す図。
Claims (20)
- 【請求項1】 複数の光電変換部と、該光電変換部上に
配置された開口を有する遮光手段と、を具備する光電変
換素子において、 該遮光手段は、第1の遮光層と、該第1の遮光層上に層
間絶縁膜を介して設けられた第2の遮光層と、を有して
おり、 該第1の遮光層は、隣接する2つの該開口を連通させる
為の間隙を有し、 該第1の遮光層の該間隙上には、該第2の遮光層の遮光
部が配置されていることを特徴とする光電変換素子。 - 【請求項2】 該層間絶縁膜は、CVD法により堆積さ
れた絶縁膜との積層体である請求項1記載の光電変換素
子。 - 【請求項3】 該間隙の長さは、該開口の辺の長さの1
/3以上である請求項1記載の光電変換素子。 - 【請求項4】 該層間絶縁膜は、酸化シリコン膜である
請求項1記載の光電変換素子。 - 【請求項5】 該第2の遮光層上には該層間絶縁膜とは
異なる材料からなる保護膜が設けられている請求項1記
載の光電変換素子。 - 【請求項6】 該保護膜は、窒化シリコン膜である請求
項5記載の光電変換素子。 - 【請求項7】 該遮光手段は、該光電変換部からの信号
を処理する為の周辺回路の少なくとも一部の上に設けら
れた遮光部を有する請求項1記載の光電変換素子。 - 【請求項8】 該周辺回路はCMOS回路である請求項
1記載の光電変換素子。 - 【請求項9】 隣接する2つの該光電変換部の間には、
素子分離領域が設けられている請求項1記載の光電変換
素子。 - 【請求項10】 該素子分離領域は、酸化シリコンから
なる領域を含む請求項9記載の光電変換素子。 - 【請求項11】 複数の光電変換部と、該光電変換部上
に配置された開口を有する遮光手段と、を具備する光電
変換素子において、 配線用の導電層と、該導電層上に層間絶縁膜を介して設
けられた導電性遮光層と、を有しており、 該導電層は、隣接する2つの該開口を連通させる為の間
隙を有し、 該導電層の該間隙上には該導電性遮光層の遮光部が配置
され、該導電層に接続されていることを特徴とする光電
変換素子。 - 【請求項12】 前記光電変換部の配列方向に沿った一
方の側には、周辺回路を構成するトランジスタが配置さ
れており、他方の側には基準電圧ラインが配置されてい
る請求項1記載の光電変換素子。 - 【請求項13】 前記隣接する光電変換部の間には、複
数の配線パターンが並んで配置されている請求項1記載
の光電変換素子。 - 【請求項14】 前記規準電圧ラインと、前記周辺回路
を構成するトランジスタとが、前記隣接する光電変換部
間の第2の遮光層の遮光部を介して電気的に接続されて
いる請求項12記載の光電変換素子。 - 【請求項15】 前記隣接する光電変換部間にある前記
第2の遮光層の遮光部は、配線の一部になっている請求
項1記載の光電変換素子。 - 【請求項16】 請求項1記載の光電変換素子と、該光
電変換素子によって読み取るべき原稿を照明する為の光
源と、を備えたイメージセンサ。 - 【請求項17】 該光源は互いに異なる3色の光を発生
する請求項16記載のイメージセンサ。 - 【請求項18】 該光源は互いに異なる3色の光を順次
照射する請求項16記載のイメージセンサ。 - 【請求項19】 該光電変換素子は、その表面が樹脂で
覆われている請求項16記載のイメージセンサ。 - 【請求項20】 該光電変換素子は、画像を等倍で読み
取る密着型イメージセンサである請求項16記載のイメ
ージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03270399A JP3586128B2 (ja) | 1998-02-13 | 1999-02-10 | 光電変換素子及びイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3122398 | 1998-02-13 | ||
JP10-31223 | 1998-02-13 | ||
JP03270399A JP3586128B2 (ja) | 1998-02-13 | 1999-02-10 | 光電変換素子及びイメージセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11297975A true JPH11297975A (ja) | 1999-10-29 |
JP3586128B2 JP3586128B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=26369671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03270399A Expired - Fee Related JP3586128B2 (ja) | 1998-02-13 | 1999-02-10 | 光電変換素子及びイメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3586128B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004082023A1 (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器 |
WO2004086506A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイ及びその製造方法、並びに放射線検出器 |
JP2010080686A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2011096716A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
JP2014171244A (ja) * | 2014-05-02 | 2014-09-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9196652B2 (en) | 2001-07-30 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of a semiconductor device |
US9546906B2 (en) | 2010-03-29 | 2017-01-17 | Seiko Epson Corporation | Spectrum sensor and angle restriction filter |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP03270399A patent/JP3586128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9196652B2 (en) | 2001-07-30 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of a semiconductor device |
WO2004082023A1 (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器 |
US7696620B2 (en) | 2003-03-10 | 2010-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector |
KR101029178B1 (ko) | 2003-03-10 | 2011-04-12 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 포토다이오드 어레이 및 그 제조방법 그리고 방사선 검출기 |
WO2004086506A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイ及びその製造方法、並びに放射線検出器 |
EP1608021A1 (en) * | 2003-03-27 | 2005-12-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array and production method thereof, and radiation detector |
EP1608021A4 (en) * | 2003-03-27 | 2007-05-02 | Hamamatsu Photonics Kk | PHOTODIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND RADIATION DETECTOR |
US7408238B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-08-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array and production method thereof, and radiation detector |
CN100466273C (zh) * | 2003-03-27 | 2009-03-04 | 浜松光子学株式会社 | 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 |
JP2010080686A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2011096716A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
US9546906B2 (en) | 2010-03-29 | 2017-01-17 | Seiko Epson Corporation | Spectrum sensor and angle restriction filter |
JP2014171244A (ja) * | 2014-05-02 | 2014-09-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3586128B2 (ja) | 2004-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6169317B1 (en) | Photoelectric conversion device and image sensor | |
US10263033B2 (en) | Solid state image pickup device and method of producing solid state image pickup device | |
CN110506337B (zh) | 固态成像元件 | |
US9455293B2 (en) | X-Y address type solid state image pickup device and method of producing the same | |
KR101556628B1 (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 카메라 | |
JP2011204797A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
CN101740591A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
US8440954B2 (en) | Solid-state image pickup device with a wiring becoming a light receiving surface, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
JP3684169B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3586128B2 (ja) | 光電変換素子及びイメージセンサ | |
KR20060051313A (ko) | 고체 촬상 장치, 그 제조 방법 및 카메라 | |
CN105185801B (zh) | 固态图像拾取装置和图像拾取系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040803 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070813 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |