JPH11274029A - Scanning stepper - Google Patents
Scanning stepperInfo
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- JPH11274029A JPH11274029A JP10070902A JP7090298A JPH11274029A JP H11274029 A JPH11274029 A JP H11274029A JP 10070902 A JP10070902 A JP 10070902A JP 7090298 A JP7090298 A JP 7090298A JP H11274029 A JPH11274029 A JP H11274029A
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- stage
- scanning
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において使用される縮小投影露光装置(ステッパ
ー)であって、1つのレチクルパターンの転写を露光領
域内でウエハとレチクルを移動させることによって露光
した後に、ウエハをレチクル単位で移動させることを繰
り返して、ウエハ全体に多数のレチクルパターンを転写
するスキャニングステッパーに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reduction projection exposure apparatus (stepper) used in a manufacturing process of a semiconductor device, wherein one reticle pattern is transferred by moving a wafer and a reticle within an exposure area. The present invention relates to a scanning stepper that transfers a large number of reticle patterns to the entire wafer by repeatedly moving a wafer in reticle units after exposure.
【0002】[0002]
【従来の技術】ステッパーは、ウエハをレチクル単位で
移動させながら、ウエハの所定位置にレチクルパターン
の縮小投影像を露光することにより、ウエハ全体に多数
のレチクルパターンを転写する装置であって、レチクル
パターン全体を1回の露光で転写する装置と、1つのレ
チクルパターンの転写を露光領域内でウエハとレチクル
を移動させることによって露光する装置がある。後者の
装置はスキャニングステッパーと称されており、量産用
の0.25μm以下の微細化プロセス用露光装置として
期待されている。2. Description of the Related Art A stepper is an apparatus for transferring a large number of reticle patterns onto the entire wafer by exposing a reduced projection image of the reticle pattern to a predetermined position on the wafer while moving the wafer in reticle units. There are an apparatus for transferring the entire pattern by one exposure, and an apparatus for exposing the transfer of one reticle pattern by moving a wafer and a reticle within an exposure area. The latter apparatus is called a scanning stepper, and is expected as an exposure apparatus for a miniaturization process of 0.25 μm or less for mass production.
【0003】スキャニングステッパーでは、レチクルに
対する光照射領域を例えば細長い長方形に設定すること
により、X方向またはY方向ではレチクル全体ではなく
一部のみに光が照射されるようにして、この光照射領域
を単位とした露光を行う。そして、この光照射領域を単
位としたスキャン露光をレチクル全体に対して行うため
には、レチクルの露光領域(光照射領域に配置されて露
光される領域)を移動させる必要がある。そのために、
スキャニングステッパーは、レチクルを露光領域内でX
方向またはY方向に移動させるレチクルステージを備え
ている。In a scanning stepper, a light irradiation area on a reticle is set to, for example, an elongated rectangle, so that light is irradiated not on the entire reticle but on a part thereof in the X direction or the Y direction. Exposure is performed in units. Then, in order to perform scan exposure on the entire reticle in units of the light irradiation region, it is necessary to move the exposure region of the reticle (the region arranged in the light irradiation region and exposed). for that reason,
The scanning stepper moves the reticle X within the exposure area.
A reticle stage for moving in the direction or the Y direction is provided.
【0004】また、レチクルの露光領域を移動する際に
は、転写される側のウエハの露光領域も、レチクルの移
動と同期させて同じ方向に移動させる必要がある。ただ
し、ウエハにはレチクルパターンの縮小投影像が結像さ
れるため、レチクルと同期させるウエハの移動量はレチ
クルの移動量に縮小率を乗じた値とする。When the exposure area of the reticle is moved, the exposure area of the wafer to be transferred must also be moved in the same direction in synchronization with the movement of the reticle. However, since a reduced projection image of the reticle pattern is formed on the wafer, the amount of movement of the wafer synchronized with the reticle is a value obtained by multiplying the amount of movement of the reticle by the reduction ratio.
【0005】このように、スキャニングステッパーでの
ウエハの移動には、位置合わせに伴う移動を除くと、図
4に示すように、レチクル単位での移動(ステッピン
グ)と、露光領域内での移動(スキャニング)の2つが
ある。 ここで、ステッピングの範囲はウエハ全体である
が、スキャニングの範囲はレチクル内の範囲である。そ
のため、ステージの移動範囲はスキャニングの方がステ
ッピングより非常に小さい。As described above, the movement of the wafer by the scanning stepper, except for the movement associated with the alignment, is as shown in FIG. 4 in a reticle unit (stepping) and in the exposure area (stepping). Scanning). Here, the range of the stepping is the whole wafer, but the range of the scanning is the range in the reticle. Therefore, the moving range of the stage is much smaller in scanning than in stepping.
【0006】従来のスキャニングステッパーは、図5に
示すように、光源からの光をレチクルR上の光照射領域
Aに集光する光学系1と、レチクルステージ2と、レチ
クルRを透過した光をウエハW上に縮小投影する光学系
3と、ウエハステージ4とで構成されている。As shown in FIG. 5, the conventional scanning stepper includes an optical system 1 for condensing light from a light source on a light irradiation area A on a reticle R, a reticle stage 2, and a light transmitted through the reticle R. It comprises an optical system 3 for reducing and projecting on a wafer W, and a wafer stage 4.
【0007】従来のウエハステージとしては、例えば図
6に示すように、ウエハWをY方向へ移動させるYステ
ージ5、X方向へ移動させるXステージ6、Z方向へ移
動させるZステージ7、およびステージ面内で所定点を
中心とした回転移動を行うθステージ9を下側からこの
順に有し、θステージ9の上にウエハチャック10を有
するものがある。As a conventional wafer stage, for example, as shown in FIG. 6, a Y stage 5 for moving a wafer W in a Y direction, an X stage 6 for moving in a X direction, a Z stage 7 for moving in a Z direction, and a stage There is a θ stage 9 that performs a rotational movement about a predetermined point in the plane from the bottom in this order, and a wafer chuck 10 is provided on the θ stage 9.
【0008】そして、従来は、前記2つのウエハの移動
のうち、ステッピングはウエハステージのYステージ5
および/またはXステージ6で行い、スキャニングはY
ステージ5またはXステージ6で行っている。また、Y
ステージ5およびXステージ6の駆動機構としては、D
Cモータとボールネジを組み合わせたものやリニアモー
タとエアベアリングを組み合わせたものを採用してお
り、その精度は0.02μm〜0.05μmである。Conventionally, in the movement of the two wafers, the stepping is performed on the Y stage 5 of the wafer stage.
And / or X stage 6 with scanning Y
Performed on stage 5 or X stage 6. Also, Y
The drive mechanism of the stage 5 and the X stage 6 is D
A combination of a C motor and a ball screw or a combination of a linear motor and an air bearing is employed, and the accuracy is 0.02 μm to 0.05 μm.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スキャ
ニングステッパーにおいてウエハの移動に求められる精
度は、スキャニングの方がステッピングより高い。例え
ば、あるプロセスにおけるステッピングの要求精度は
0.04μm程度であるが、スキャニング精度としては
0.01〜0.02μm程度の超高精度が要求されるよ
うになってきた。そのため、従来のウエハステージで使
用されているYステージおよびXステージには、スキャ
ニング精度の向上が求められている。However, the accuracy required for moving the wafer in the scanning stepper is higher in scanning than in stepping. For example, the required accuracy of stepping in a certain process is about 0.04 μm, but ultra-high accuracy of about 0.01 to 0.02 μm has come to be required as the scanning accuracy. Therefore, the Y stage and the X stage used in the conventional wafer stage are required to have improved scanning accuracy.
【0010】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決するためのものであり、スキャニングステッパーの
スキャニング精度を向上させることを課題とする。[0010] The present invention is to solve such a problem of the prior art, and it is an object of the present invention to improve the scanning accuracy of a scanning stepper.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、レチクルを露光領域内で移動させるレチ
クルステージと、ウエハをレチクル単位および露光領域
内で移動させるウエハステージとを有するスキャニング
ステッパーにおいて、前記ウエハステージは、レチクル
単位での移動を行うステッピングステージと、露光領域
内での移動を行うスキャニングステージとを別々に有
し、スキャニングステージの駆動機構をステッピングス
テージの駆動機構より高精度のものとしたことを特徴と
するスキャニングステッパーを提供する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a scanning apparatus having a reticle stage for moving a reticle in an exposure area, and a wafer stage for moving a wafer in reticle units and in the exposure area. In the stepper, the wafer stage has a stepping stage that moves in reticle units and a scanning stage that moves in the exposure area separately, and the driving mechanism of the scanning stage has higher precision than the driving mechanism of the stepping stage. The present invention provides a scanning stepper characterized in that:
【0012】スキャニング精度の向上は、従来のウエハ
ステージのXステージおよびYステージの少なくともい
ずれか一方の駆動機構を、従来より高精度のものとする
ことによっても達成される。しかしながら、この構成で
は、高精度の駆動機構とするステージの移動範囲が大き
いためコスト面での課題が残る。The improvement of the scanning accuracy can also be achieved by making at least one of the driving mechanism of the X stage and the Y stage of the conventional wafer stage higher in accuracy than the conventional one. However, in this configuration, there is a problem in terms of cost because the moving range of the stage as a high-precision drive mechanism is large.
【0013】これに対して、本発明によれば、ウエハス
テージをステッピングステージとスキャニングステージ
とに分けて、移動範囲の小さいスキャニングステージの
駆動機構をステッピングステージの駆動機構より高精度
のものとしたため、コストを抑えながらスキャニング精
度を高くすることができる。On the other hand, according to the present invention, the wafer stage is divided into a stepping stage and a scanning stage, and the driving mechanism of the scanning stage having a small moving range has a higher precision than the driving mechanism of the stepping stage. Scanning accuracy can be increased while suppressing costs.
【0014】本発明のスキャニングステッパーにおい
て、スキャニングステージの駆動モータは超音波モータ
であることが好ましい。これにより、0.01μm程度
のスキャニング精度が得られる。In the scanning stepper of the present invention, it is preferable that the driving motor of the scanning stage is an ultrasonic motor. Thereby, a scanning accuracy of about 0.01 μm can be obtained.
【0015】本発明のスキャニングステッパーにおい
て、スキャニングステージの上には、ステージ面内での
回転移動を行うθステージ以外のステージをスキャニン
グステージの下側に有し、前記θステージの上面にウエ
ハ支持台が埋め込み状態で設置されていることが好まし
い。In the scanning stepper according to the present invention, a stage other than the θ stage for rotating and moving within the stage surface is provided below the scanning stage on the scanning stage, and a wafer support table is provided on the upper surface of the θ stage. Is preferably installed in an embedded state.
【0016】スキャニングステージの精度を確保するた
めにはスキャニングステージにかかる荷重を極力小さく
する必要があるが、ウエハ支持台を埋め込んだθステー
ジをスキャニングステージの上に設置することにより、
スキャニングステージにかかる荷重を最小限に小さくす
ることができる。In order to ensure the accuracy of the scanning stage, it is necessary to minimize the load applied to the scanning stage. However, by installing a θ stage having a wafer support pedestal mounted on the scanning stage,
The load on the scanning stage can be minimized.
【0017】本発明のスキャニングステッパーにおい
て、レチクルステージの駆動モータは超音波モータであ
ることが好ましい。これにより、0.01μm程度のレ
チクル移動精度が得られる。In the scanning stepper of the present invention, it is preferable that the drive motor of the reticle stage is an ultrasonic motor. Thereby, a reticle movement accuracy of about 0.01 μm can be obtained.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。なお、この実施形態のスキャニングステッパ
ーはウエハステージに特徴があり、ウエハステージ以外
の部分は従来と同様に構成される。Embodiments of the present invention will be described below. Note that the scanning stepper of this embodiment is characterized by a wafer stage, and portions other than the wafer stage are configured in a conventional manner.
【0019】この実施形態のウエハステージは、図1に
示すように、ウエハをY方向へ移動させるYステージ
5、X方向へ移動させるXステージ6、Z方向へ移動さ
せるZステージ7、Xステージ(またはYステージ)
8、およびステージ面内で所定点を中心とした回転移動
を行うθステージ9を下側からこの順に有し、θステー
ジの上面にウエハチャック(ウエハ支持台)10が埋め
込まれている。As shown in FIG. 1, the wafer stage of this embodiment includes a Y stage 5 for moving a wafer in the Y direction, an X stage 6 for moving the wafer in the X direction, a Z stage 7 for moving the wafer in the Z direction, and an X stage ( Or Y stage)
8, and a θ stage 9 for performing rotational movement about a predetermined point on the stage surface in this order from the bottom, and a wafer chuck (wafer support table) 10 is embedded in the upper surface of the θ stage.
【0020】Yステージ5およびXステージ6はステッ
ピングステージであって、従来のスキャニングステッパ
ーのウエハステージで用いられているYステージ5およ
びXステージ6と同様に、リニア駆動機構としてリニア
モータとエアベアリングを組み合わせたものを採用して
いる。また、Xステージ(またはYステージ)8はスキ
ャンステージであって、リニア駆動機構としてリニア型
超音波モータを採用している。The Y stage 5 and the X stage 6 are stepping stages. Like the Y stage 5 and the X stage 6 used in the wafer stage of the conventional scanning stepper, a linear motor and an air bearing are used as a linear driving mechanism. The combination is adopted. The X stage (or Y stage) 8 is a scan stage, and employs a linear ultrasonic motor as a linear drive mechanism.
【0021】また、図2に示すように、θステージ9の
上面には、ウエハチャック10を埋め込むための凹部9
1が形成され、この凹部91内にウエハチャック10が
挿入されて、その中心部がボルト92で止めてある。ま
た、ウエハチャック10はウエハWを上に載せて下側に
真空吸引することにより、ウエハWを吸着状態で支持す
るものである。そのため、ウエハチャック10がウエハ
Wを吸着状態で支持している時には、ウエハチャック1
0の下面はθステージ9の凹部91の底面に吸着され
る。この吸着力により、ウエハチャック10はθステー
ジ9内に確実に固定される。なお、θステージ9とXス
テージ(またはYステージ)8の間には、ウエハ円周方
向の回転駆動用ベアリング11が設置されている。As shown in FIG. 2, a concave portion 9 for embedding a wafer chuck 10 is formed on the upper surface of the θ stage 9.
The wafer chuck 10 is inserted into the recess 91, and the center of the wafer chuck 10 is fixed by a bolt 92. Further, the wafer chuck 10 supports the wafer W in a suction state by placing the wafer W on the upper side and vacuum-suctioning the wafer W downward. Therefore, when the wafer chuck 10 supports the wafer W in a suction state, the wafer chuck 1
0 is attracted to the bottom surface of the concave portion 91 of the θ stage 9. The wafer chuck 10 is securely fixed in the θ stage 9 by the suction force. Note that, between the θ stage 9 and the X stage (or Y stage) 8, a bearing 11 for rotational driving in the circumferential direction of the wafer is provided.
【0022】また、図3に示すように、ウエハチャック
10は上面でウエハWを受ける棒状の昇降部材12を備
えている。この昇降部材12は、図3(a)に示すよう
に、ウエハWを吸着させる時には下降し、図3(b)に
示すように、ウエハWの着脱時には上昇するように構成
されている。そして、ウエハWを外す時には、上昇した
ウエハWとウエハチャック10との間の隙間にロボット
アームのハンドが挿入されて、ウエハWが持ち上げられ
る。As shown in FIG. 3, the wafer chuck 10 includes a rod-shaped elevating member 12 for receiving the wafer W on the upper surface. As shown in FIG. 3A, the elevating member 12 is configured to descend when the wafer W is sucked, and to ascend when attaching and detaching the wafer W as illustrated in FIG. 3B. When the wafer W is removed, the hand of the robot arm is inserted into the gap between the raised wafer W and the wafer chuck 10, and the wafer W is lifted.
【0023】なお、各ステージの駆動制御機構および位
置検出機構は、各ステージの移動精度が十分に確保され
る構成となっている。以上のように、この実施形態で
は、スキャニングステージに相当するXステージ(また
はYステージ)8を、ステッピングステージに相当する
Yステージ5およびXステージ6とは別に設けて、リニ
ア型超音波モータにより駆動されるものとしたため、
0.01μm程度の超高精度でウエハWのスキャニング
を行うことができる。また、ステッピングステージに相
当するYステージ5およびXステージ6は、リニアモー
タとエアベアリングを組み合わせた機構により駆動され
るものであり、この機構によればウエハWのステッピン
グ精度として十分な0.03μm程度の精度が得られ
る。The drive control mechanism and the position detection mechanism of each stage are configured so that the movement accuracy of each stage is sufficiently ensured. As described above, in this embodiment, the X stage (or Y stage) 8 corresponding to the scanning stage is provided separately from the Y stage 5 and the X stage 6 corresponding to the stepping stage, and is driven by the linear ultrasonic motor. Because
Scanning of the wafer W can be performed with ultra-high accuracy of about 0.01 μm. The Y stage 5 and the X stage 6 corresponding to the stepping stage are driven by a mechanism combining a linear motor and an air bearing. According to this mechanism, the stepping accuracy of the wafer W is about 0.03 μm. Is obtained.
【0024】なお、この実施形態は、Xステージ(また
はYステージ)8を設けずに、Yステージ5またはXス
テージ6の駆動機構をリニア型超音波モータとした場合
と比較して、移動範囲の小さいスキャニングステージの
みの駆動機構をリニア型超音波モータとすることによっ
て、コストを抑えながらスキャニング精度を高くするこ
とができる。また、ステージ数が増えることによってス
ループットの向上も期待できる。In this embodiment, as compared with the case where the driving mechanism of the Y stage 5 or the X stage 6 is a linear ultrasonic motor without providing the X stage (or Y stage) 8, By using a linear ultrasonic motor as the drive mechanism for only the small scanning stage, it is possible to increase the scanning accuracy while suppressing costs. In addition, an increase in the number of stages is expected to improve the throughput.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スキャニングステージの駆動機構のみを超高精度にする
ことによって、コストを抑えながらスキャニング精度を
従来より高くすることができる。また、ステージ数が増
えることによってスループットの向上も期待できる。As described above, according to the present invention,
By making the driving mechanism of the scanning stage only ultra-high-precision, it is possible to increase the scanning accuracy while suppressing costs. In addition, an increase in the number of stages is expected to improve the throughput.
【0026】特に、請求項3に係る発明によれば、スキ
ャニングステージにかかる荷重を最小限に小さくするこ
とができるため、使用する駆動機構のスキャニング精度
を最大限で得ることができる。In particular, according to the third aspect of the present invention, the load on the scanning stage can be minimized, so that the scanning accuracy of the drive mechanism used can be maximized.
【図1】実施形態のウエハステージを示す概略構成図で
ある。FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a wafer stage according to an embodiment.
【図2】θステージとウエハチャックとの関係を示す概
略拡大断面図である。FIG. 2 is a schematic enlarged sectional view showing a relationship between a θ stage and a wafer chuck.
【図3】ウエハチャックの動きを説明するための概略断
面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the movement of a wafer chuck.
【図4】スキャニングとステッピングの違いを説明する
ためのウエハ平面図である。FIG. 4 is a plan view of a wafer for explaining a difference between scanning and stepping.
【図5】従来のスキャニングステッパーを示す概略構成
図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a conventional scanning stepper.
【図6】従来のウエハステージを示す概略構成図であ
る。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a conventional wafer stage.
1 光照射用光学系 2 レチクルステージ 3 縮小投影用光学系 4 ウエハステージ 5 ステッピングステージ(Yステージ) 6 ステッピングステージ(Xステージ) 7 Zステージ 8 スキャニングステージ(XステージまたはYステー
ジ) 9 θステージ 10 ウエハチャック(ウエハ支持台) 91 凹部 A 光照射領域 R レチクル W ウエハReference Signs List 1 optical system for light irradiation 2 reticle stage 3 optical system for reduction projection 4 wafer stage 5 stepping stage (Y stage) 6 stepping stage (X stage) 7 Z stage 8 scanning stage (X stage or Y stage) 9 θ stage 10 wafer Chuck (wafer support) 91 recess A light irradiation area R reticle W wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 516B ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/30 516B
Claims (4)
クルステージと、ウエハをレチクル単位および露光領域
内で移動させるウエハステージとを有するスキャニング
ステッパーにおいて、 前記ウエハステージは、レチクル単位での移動を行うス
テッピングステージと、露光領域内での移動を行うスキ
ャニングステージとを別々に有し、スキャニングステー
ジの駆動機構をステッピングステージの駆動機構より高
精度のものとしたことを特徴とするスキャニングステッ
パー。1. A scanning stepper having a reticle stage for moving a reticle in an exposure area and a wafer stage for moving a wafer in reticle units and in the exposure area, wherein the wafer stage is moved in reticle units. A scanning stepper having a stage and a scanning stage for moving within an exposure area separately, wherein a driving mechanism of the scanning stage has a higher precision than a driving mechanism of the stepping stage.
は超音波モータであることを特徴とする請求項1記載の
スキャニングステッパー。2. The scanning stepper according to claim 1, wherein the driving motor of the scanning stage is an ultrasonic motor.
の回転移動を行うθステージ以外のステージをスキャニ
ングステージの下側に有し、前記θステージの上面にウ
エハ支持台が埋め込み状態で設置されていることを特徴
とする請求項1または2記載のスキャニングステッパ
ー。3. The wafer stage has a stage other than a θ stage that performs rotational movement within a stage surface below the scanning stage, and a wafer support is installed in an embedded state on the upper surface of the θ stage. 3. The scanning stepper according to claim 1, wherein
音波モータであることを特徴とする請求項1〜3のいず
れか一つに記載のスキャニングステッパー。4. The scanning stepper according to claim 1, wherein a drive motor of the reticle stage is an ultrasonic motor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10070902A JPH11274029A (en) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | Scanning stepper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10070902A JPH11274029A (en) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | Scanning stepper |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274029A true JPH11274029A (en) | 1999-10-08 |
Family
ID=13444936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10070902A Pending JPH11274029A (en) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | Scanning stepper |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11274029A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2818927A3 (en) * | 2007-07-18 | 2015-03-11 | Nikon Corporation | Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP10070902A patent/JPH11274029A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2818927A3 (en) * | 2007-07-18 | 2015-03-11 | Nikon Corporation | Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus |
US9316917B2 (en) | 2007-07-18 | 2016-04-19 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
US9372410B2 (en) | 2007-07-18 | 2016-06-21 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
US9804506B2 (en) | 2007-07-18 | 2017-10-31 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
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