JPH112721A - Phase shifter and its production - Google Patents

Phase shifter and its production

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Publication number
JPH112721A
JPH112721A JP9154657A JP15465797A JPH112721A JP H112721 A JPH112721 A JP H112721A JP 9154657 A JP9154657 A JP 9154657A JP 15465797 A JP15465797 A JP 15465797A JP H112721 A JPH112721 A JP H112721A
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JP
Japan
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retardation
polymer film
organic polymer
region
positive
Prior art date
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Pending
Application number
JP9154657A
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Japanese (ja)
Inventor
Masami Aizawa
雅美 相澤
Fumie Nozawa
文恵 野沢
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Sanofi Aventis KK
Original Assignee
Hoechst Japan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst Japan Ltd filed Critical Hoechst Japan Ltd
Priority to JP9154657A priority Critical patent/JPH112721A/en
Publication of JPH112721A publication Critical patent/JPH112721A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a phase shifter having two regions; a region positive in retardation and a region negative in retardation in one phase shifter by irradiating part of the regions of an org. high-polymer film subjected to a uniaxial treatment with UV rays or electronic rays. SOLUTION: The regions of the org. high-polymer film subjected to the uniaxial treatment are irradiated with the UV rays or electron rays, by which the region positive in the retardation and the region negative in the retardation are formed on the org. high-polymer film. In such a case, the high-polymer film of which the retardation changes from positive to negative is used when irradiated with the UV rays or electron rays after the film is subjected to an orientation treatment in the direction where the retardation is position. For example, a photosensitive high polymer, such as polyvinyl cinnamate, having an unsatd. bond in a molecular chain is usable as the material for producing such high-polymer film. A dimerization reaction or isomerization reaction occurs in such high polymer by irradiation with the UV rays, by which the direction of the retardation thereof is changed from negative top positive.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、移相子及びその製
造方法に関する。本明細書においては、「移相子」と
は、位相差板、波長板、液晶素子および光による記録素
子を表す。本発明は、特にリタデーションが正である領
域と負である領域の両方を有する移相子及びその製造方
法に関する。この方法は、有機高分子膜に紫外線または
電子線を照射することを特徴とする。本発明の移相子
は、偏光素子の誘電体多層膜、液晶表示用位相差板、回
折格子、(バーコード読み取り用、光磁気ディスクヘッ
ド用)ホログラフィー素子などに応用できる。
The present invention relates to a retarder and a method for producing the same. In this specification, the term "a retarder" refers to a retardation plate, a wave plate, a liquid crystal element, and a recording element using light. The present invention particularly relates to a retarder having both a positive retardation region and a negative retardation region, and a method for producing the retarder. This method is characterized in that the organic polymer film is irradiated with ultraviolet rays or electron beams. The retarder of the present invention can be applied to a dielectric multilayer film of a polarizing element, a retardation plate for a liquid crystal display, a diffraction grating, a holographic element (for reading a bar code, for a magneto-optical disk head), and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、位相が異なることを利用して2つ
の光波が干渉縞をつくる位相型ホログラムの技術があ
る。この技術の応用範囲は広く、偏光板を組み合わせて
光磁気ディスクヘッド、バーコード読み取り、回折格子
になることを利用してのホログラム、立体画像表示等に
利用されている。例えば、ホログラムはリタデーション
の正負の異なる2つの光波が干渉縞を作ることを利用し
た技術であるが、この用途のためにはリタデーションの
正負を異ならせる技術としてフォトレジストやサーモプ
ラスチックフォトコンダクター等の技術が既知である。
しかし、これらは工程上問題がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a technique of a phase hologram in which two light waves form interference fringes by utilizing the fact that the phases are different. The application range of this technology is wide, and it is used for a hologram, a three-dimensional image display, and the like utilizing a combination of a polarizing plate and a magneto-optical disk head, a bar code reading, and a diffraction grating. For example, hologram is a technology that uses two light waves with different retardation signs to form interference fringes. For this application, technologies such as photoresist and thermoplastic photoconductors are used to make the retardation difference. Is known.
However, these have problems in the process.

【0003】従来、レーザー光による干渉縞を感光材料
に直接記録する光波面直接記録ホログラムがホログラム
としてよく使われている。この感光材料にはフォトレジ
ストやサーモプラスチックフォトコンダクターが一般的
である。これらは凸凹による屈折率変化を利用して位相
差を発現させている。フォトレジストを利用する場合は
凹を作るためにレーザー光などを照射後、溶媒などで洗
い流す工程が必要となる。また、サーモプラスチックフ
ォトコンダクターでは同様に光を照射後、加熱処理が必
要となってくる。
Conventionally, a light wavefront direct recording hologram for directly recording interference fringes by a laser beam on a photosensitive material has been often used as a hologram. For this photosensitive material, a photoresist or a thermoplastic photoconductor is generally used. These express a phase difference using a change in the refractive index due to unevenness. When a photoresist is used, a step of rinsing with a solvent or the like after irradiating a laser beam or the like to form a recess is required. Further, in the case of a thermoplastic photoconductor, heat treatment is similarly required after light irradiation.

【0004】一方、用途によっては色調を整えるために
液晶を利用して波長板等の移相子とすることができる
(特開平9−33901)。この液晶素子では、高分子
膜をナイロン等のバフ布で一方向に擦ることによって正
のリタデーションを発生させ、このリタデーションの方
向に液晶を配列して液晶素子として正の方向にリタデー
ションを発生させる(特開昭52−2541)。
On the other hand, depending on the application, a liquid crystal can be used as a phase shifter such as a wave plate to adjust the color tone (Japanese Patent Laid-Open No. 9-33901). In this liquid crystal element, positive retardation is generated by rubbing the polymer film with a buff cloth such as nylon in one direction, and liquid crystals are arranged in the direction of the retardation to generate retardation in the positive direction as a liquid crystal element ( JP-A-52-2541).

【0005】しかし、部分的にリタデーションの正負を
変えようとすると、部分的に擦る方向を変えなければな
らない。即ち、高分子膜の一部分をレジスト膜などで覆
い、正のリタデーションを発生させるように擦る。この
レジスト膜を剥がして、別のレジスト膜で正のリタデー
ションを発生させる部位を覆い、負のリタデーションが
発生するように擦る。レジスト膜を剥がすことにより2
つの方向のリタデーションを持つ膜が完成する。この膜
に液晶を配列させると、膜のリタデーションの方向に従
って液晶も配向する。従ってこの方法ではフォトリソグ
ラフィー技術が必要となり、工程数が多く且つ複雑なプ
ロセスが必要となる。さらにレジスト膜を脱着すること
によって膜を傷め、リタデーション量を減衰させてしま
う。
However, in order to partially change the positive or negative of the retardation, the rubbing direction must be partially changed. That is, a part of the polymer film is covered with a resist film or the like, and is rubbed so as to generate positive retardation. The resist film is peeled off, and another resist film covers the portion where positive retardation is generated, and is rubbed so as to generate negative retardation. 2 by removing the resist film
A film with two directions of retardation is completed. When the liquid crystal is arranged in this film, the liquid crystal is also oriented according to the direction of the retardation of the film. Therefore, this method requires a photolithography technique, and requires a large number of steps and a complicated process. Further, by removing the resist film, the film is damaged and the amount of retardation is attenuated.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこれ
らの問題点を解決し、1つの移相子中にリタデーション
が正である領域と負である領域の2つの領域を持つ移相
子およびその簡便な製造法を提供することを目的とす
る。
Therefore, the present invention solves these problems and solves the above problem by providing a retarder having two regions, one having a positive retardation and the other having a negative retardation, in one retarder. An object is to provide a simple manufacturing method thereof.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、光学
異方性を有し、そのリタデーションが正である領域と負
である領域とを有する移相子を提供する。ここで、リタ
デーションが正であるとは位相を0〜2π進めることを
いい、リタデーションが負であるとは位相を0〜2π遅
らせることをいう。好ましくは、本発明の移相子におい
ては、一軸処理がなされた有機高分子膜の一部の領域に
紫外線または電子線を照射することにより、該有機高分
子膜上にリタデーションが正である領域と負である領域
とが形成されている。さらに好ましくは、この移相子は
有機高分子膜と液晶から製造される素子である。
That is, the present invention provides a retarder having optical anisotropy and having a positive retardation region and a negative retardation region. Here, a positive retardation means that the phase is advanced by 0 to 2π, and a negative retardation means that the phase is delayed by 0 to 2π. Preferably, in the phase shifter of the present invention, a region where the retardation is positive on the organic polymer film by irradiating a part of the region of the organic polymer film subjected to the uniaxial treatment with an ultraviolet ray or an electron beam. And a region that is negative. More preferably, the retarder is a device manufactured from an organic polymer film and a liquid crystal.

【0008】本発明はさらに、移相子を製造する方法を
提供する。この方法は、有機高分子膜を用意し、有機高
分子膜に一軸処理を施し、該有機高分子膜の一部の領域
に紫外線又は電子線を照射することにより、該有機高分
子膜上にリタデーションが正である領域と負である領域
とを生じせしめる、の各工程を含むことを特徴とする。
例えば、有機高分子膜に一軸処理を施すことによって正
のリタデーションを発生させ、次に該有機高分子膜の一
部の領域に紫外線又は電子線を照射することにより、照
射された領域のリタデーションが負の値になり、照射さ
れていない領域のリタデーションが正のままであるよう
な移相子を得ることができる。別の態様においては、本
発明は、液晶素子である移相子を製造する方法を提供す
る。この方法は、有機高分子膜を用意し、有機高分子膜
に一軸処理を施し、該有機高分子膜の一部に紫外線又は
電子線を照射し、該有機高分子膜上に液晶を配置し、照
射されていない領域に配置した液晶のリタデーションが
正の値になるように、かつ照射された領域に配置した液
晶のリタデーションが負の値になるように液晶素子を組
み立てる、の各工程を含むことを特徴とする。
[0008] The present invention further provides a method of manufacturing a retarder. This method prepares an organic polymer film, performs uniaxial treatment on the organic polymer film, and irradiates a partial region of the organic polymer film with ultraviolet light or an electron beam, thereby forming an organic polymer film on the organic polymer film. And a step of generating a region where the retardation is positive and a region where the retardation is negative.
For example, by applying a uniaxial treatment to the organic polymer film to generate positive retardation, and then irradiating a partial region of the organic polymer film with ultraviolet light or an electron beam, the retardation of the irradiated region is reduced. It is possible to obtain a retarder that has a negative value and the retardation of the non-irradiated area remains positive. In another aspect, the present invention provides a method for manufacturing a retarder that is a liquid crystal device. This method prepares an organic polymer film, performs uniaxial treatment on the organic polymer film, irradiates a part of the organic polymer film with ultraviolet light or an electron beam, and arranges a liquid crystal on the organic polymer film. Assembling the liquid crystal element such that the retardation of the liquid crystal arranged in the non-irradiated area has a positive value, and the retardation of the liquid crystal arranged in the irradiated area has a negative value. It is characterized by the following.

【0009】本発明の別の態様においては、紫外線又は
電子線を照射することにより照射された領域のリタデー
ションが負の値になることを特徴とする有機高分子膜が
提供される。本発明のさらに別の態様においては、有機
高分子膜の一部に紫外線又は電子線を照射することによ
り、該有機高分子膜上の照射されていない領域に配置し
た液晶のリタデーションが正の値になり、かつ該有機高
分子膜上の照射された領域に配置した液晶のリタデーシ
ョンが負の値になることを特徴とする有機高分子膜が提
供される。本発明にしたがう有機高分子膜は、好ましく
は、一軸処理によって正のリタデーションが生じる高分
子(A)と、一軸処理と紫外線または電子線の照射によ
って負のリタデーションが生じる高分子(B)を含む。
より好ましくは、該高分子(B)に含まれる少なくとも
1種類以上の高分子材料は炭素数4以上の環状構造を有
する高分子化合物である。また好ましくは、高分子
(A)は、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテル、ポ
リエステルまたはポリウレタンである。
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic polymer film characterized in that irradiation of ultraviolet rays or an electron beam causes a negative value of the retardation of the irradiated area. In still another embodiment of the present invention, by irradiating a part of the organic polymer film with ultraviolet light or an electron beam, the retardation of the liquid crystal disposed in the non-irradiated region on the organic polymer film has a positive value. And the retardation of the liquid crystal disposed in the irradiated area on the organic polymer film has a negative value. The organic polymer film according to the present invention preferably comprises a polymer (A) that produces positive retardation by uniaxial treatment and a polymer (B) that produces negative retardation by uniaxial treatment and irradiation with ultraviolet rays or electron beams. .
More preferably, at least one kind of the polymer material contained in the polymer (B) is a polymer compound having a cyclic structure having 4 or more carbon atoms. Also preferably, the polymer (A) is a polyimide, polyamide, polyether, polyester or polyurethane.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明においては、リタデーショ
ンが正となる方向に配向処理を施した後に紫外線あるい
は電子線を照射した場合に、そのリタデーションが正か
ら負に変わる高分子膜が用いられる。このような高分子
膜を製造するための材料としては、例えばポリビニルシ
ンナメートのように分子鎖中に不飽和結合を有する感光
性高分子を用いることができる。このような高分子は、
紫外線を照射することによって二量化反応あるいは異性
化反応が起こり、そのリタデーションの向きが正から負
へ変化する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a polymer film whose retardation changes from positive to negative when irradiated with an ultraviolet ray or an electron beam after an orientation treatment in a direction in which retardation is positive. As a material for producing such a polymer film, for example, a photosensitive polymer having an unsaturated bond in a molecular chain such as polyvinyl cinnamate can be used. Such polymers are
Irradiation of ultraviolet rays causes a dimerization reaction or an isomerization reaction, and the direction of the retardation changes from positive to negative.

【0011】あるいは、本発明において用いられる高分
子膜は、配向処理によって正のリタデーションが生じる
高分子(以下、高分子(A)と称する)と、配向処理と
紫外線または電子線の照射によって負のリタデーション
が生じる高分子(以下、高分子(B)と称する)とを混
合することによって得ることができる。
Alternatively, the polymer film used in the present invention is composed of a polymer (hereinafter, referred to as polymer (A)) in which positive retardation is caused by the alignment treatment, and a polymer which is negative by the alignment treatment and irradiation of ultraviolet rays or electron beams. It can be obtained by mixing a polymer with which retardation occurs (hereinafter, referred to as polymer (B)).

【0012】この混合した高分子膜を用いる場合、紫外
線の照射量によって高分子(A)のリタデーションは正
であり振幅が小さく、高分子(B)のリタデーションは
負であり振幅が大きくなる材料の組み合わせであること
が好ましい。またこの適切なリタデーションの組み合わ
せは高分子(A)と高分子(B)の材料特性のみなら
ず、その混合比および紫外線などの照射量によっても調
整できる。
When this mixed polymer film is used, the retardation of the polymer (A) is positive and the amplitude is small, and the retardation of the polymer (B) is negative and the amplitude is large depending on the irradiation amount of ultraviolet rays. A combination is preferred. The appropriate combination of the retardations can be adjusted not only by the material properties of the polymer (A) and the polymer (B) but also by the mixing ratio and the irradiation amount of ultraviolet rays or the like.

【0013】高分子膜を移相子とする場合は高分子材料
の特性と高分子材料の組み合わせによっても変化する
が、高分子(A)と高分子(B)の混合比は、1:20
から20:1の範囲が好ましい。また、液晶素子を移相
子とする場合は高分子材料の特性と高分子材料の組み合
わせによっても変化するが、高分子(A)と高分子
(B)の適切な混合比は、1:50から50:1の範囲
が好ましい。
When a polymer film is used as a phase shifter, the mixing ratio of the polymer (A) and the polymer (B) is 1:20, although it varies depending on the characteristics of the polymer material and the combination of the polymer materials.
And a range of 20: 1. When a liquid crystal element is used as a phase shifter, the ratio varies depending on the characteristics of the polymer material and the combination of the polymer materials. However, the appropriate mixing ratio of the polymer (A) and the polymer (B) is 1:50. And a range of 50: 1.

【0014】高分子(A)および高分子(B)は、それ
ぞれ2種類以上用いてもよい。またはポリビニルシンナ
メートのように不飽和結合を分子鎖中に含む高分子材料
の場合には高分子(B)のみを用いてもよい。
The polymer (A) and the polymer (B) may each be used in combination of two or more. Alternatively, in the case of a polymer material containing an unsaturated bond in a molecular chain such as polyvinyl cinnamate, only the polymer (B) may be used.

【0015】高分子(A)としては、特に限定されるも
のではないがポリイミド、ポリアミド、ポリエーテル、
ポリエステル、ポリウレタン等の主鎖型の高分子が好ま
しい。好ましくは、ポリイミド、ポリアミドである。さ
らに好ましくは、フッ素、シロキサン基を含有するポリ
イミドまたはポリアミドが好ましい。
The polymer (A) is not particularly limited, but may be polyimide, polyamide, polyether,
Main chain polymers such as polyester and polyurethane are preferred. Preferably, they are polyimide and polyamide. More preferably, polyimide or polyamide containing fluorine or a siloxane group is preferable.

【0016】高分子(B)としては、特に限定されるも
のではないが、例えば、ポリスチレン、ポリシクロヘキ
シルメタクリレート、ポリビニルアントラセン、ポリビ
ニルノルボルネン、ポリビニルブチルスチレン、ポリシ
クロヘキシルアクリレート、ポリアセナフチレン、ポリ
ビニルジフェニル、ポリビニルナフタレン、ポリビニル
フォルマル、ポリフェニルメタクリレート、ポリビニル
トルエン、ポリビニルピリジン、ポリビニルピリジン−
N−オキサイド、ポリビニルカルバゾール、ポリビニル
メチルケトン、ポリビニルピリジン−ジビニルベンゼ
ン、ポリビニル(1−メトキシ)−p−カルボキシフェ
ニルカルバルデヒド、ポリビニルクロロアセテート、ポ
リビニルアセテート、ポリビニルベンジルクロライド、
ポリビニルイミダゾール、ポリビニルフタルイミド、ポ
リビニルベンゾイックアシッド、ポリビニルアミノベン
ゼン、ポリビニルフェノール、ポリビニルシクロヘキシ
ルアミン、ポリビニルナフチルアミン、ポリビニルベン
ジルアミン、ポリビニルジメチルシクロヘキシルアミ
ン、ポリビニルフェニルキノリナミン、ポリビニルキノ
リンカルボキサミド、ポリビニルベンジルヘキサフルオ
ロイソプロピルエーテル、ポリビニル−β−カルボリ
ン、ポリビニルシノリン、ポリビニルキナゾリン、ポリ
ビニルプリン、ポリビニルイソキノリン、ポリビニルキ
ノリン、ポリビニルイノキサリン、ポリビニルフタラジ
ン、ポリビニルナフチリジン、ポリビニルイソインドー
ル、ポリビニルインドール、ポリビニルピリダジン、ポ
リビニルオキソラン、ポリビニル−2−フラルデヒド、
ポリビニルインデン−1−オン、ポリビニルフルオレン
−9−オン、ポリビニル−2−ピリドン、ポリビニル−
2−キノロン、ポリビニル−9−カルボニルフルオレ
ン、ポリビニルチオフェン、ポリビニルアクリジン、ポ
リビニルフェニルピリジン、ポリビニルフルオロフェニ
ルピリジン、ポリビニルフルオロベンゼン、ポリビニル
フルオロメチルベンゼン、ポリビニル−o−トリフルオ
ロメチルアニリン、ポリビニルペンタフルオロベンゼ
ン、ポリビニルメチルカルバモイルベンゼン、ポリビニ
ルカルバモイルイミダゾール、ポリビニルクロロベンゼ
ン、ポリビニルニトロベンゼン、ポリビニルニトロナフ
タレン、ポリビニルアミノナフタレン、ポリビニルスル
フォベンゼン、ポリビニルアミノピリジン、ポリビニル
カルボキシピリジン、ポリビニルヒドロキシベンゼン、
ポリビニルフォルミルベンゼン、ポリビニルアミノエチ
ルベンゼン、ポリビニルヒドロキシメチルベンゼン、ポ
リビニルトリフルオロエチルベンゼン、ポリビニルメト
キシアミノベンゼン、ポリビニル−4−アミノ−テトラ
フルオロピリジン、ポリビニルジフルオロメチルベンゼ
ン、ポリビニルジフルオロベンゼン、ポリビニルメトキ
シベンゼン、ポリビニルアミノシクロヘキサン、ポリビ
ニルアミノシクロペンタン、ポリビニルシクロヘキサン
カルボン酸、ポリビニルヒドロキシシクロヘキサン、ポ
リビニルフルオロメチルシクロヘキサン、ポリビニルシ
アノシクロヘキサン、ポリビニルフォルミルシクロヘキ
サン、ポリフルオロスチレン、ポリジフルオロスチレ
ン、ポリトリフルオロスチレン、ポリテトラフルオロス
チレン、ポリペンタフルオロスチレン、ポリトリフルオ
ロメチルスチレン、ポリビス(トリフルオロメチルスチ
レン)、ポリビニルノルボルニルメタクリレート、ポリ
ビニルイソボロニル、ポリジシクロペンテニロキシエチ
ルメタクリレート、ポリビニルジオキサラン、ポリメト
キシスチレン、等が挙げられる。
The polymer (B) is not particularly restricted but includes, for example, polystyrene, polycyclohexyl methacrylate, polyvinyl anthracene, polyvinyl norbornene, polyvinyl butyl styrene, polycyclohexyl acrylate, polyacenaphthylene, polyvinyl diphenyl, Polyvinyl naphthalene, polyvinyl formal, polyphenyl methacrylate, polyvinyl toluene, polyvinyl pyridine, polyvinyl pyridine-
N-oxide, polyvinyl carbazole, polyvinyl methyl ketone, polyvinyl pyridine-divinyl benzene, polyvinyl (1-methoxy) -p-carboxyphenyl carbaldehyde, polyvinyl chloroacetate, polyvinyl acetate, polyvinyl benzyl chloride,
Polyvinylimidazole, polyvinylphthalimide, polyvinylbenzoic acid, polyvinylaminobenzene, polyvinylphenol, polyvinylcyclohexylamine, polyvinylnaphthylamine, polyvinylbenzylamine, polyvinyldimethylcyclohexylamine, polyvinylphenylquinolinamine, polyvinylquinolinecarboxamide, polyvinylbenzylhexafluoroisopropyl ether , Polyvinyl-β-carboline, polyvinylsinoline, polyvinylquinazoline, polyvinylpurine, polyvinylisoquinoline, polyvinylquinoline, polyvinylinoxaline, polyvinylphthalazine, polyvinylnaphthyridine, polyvinylisoindole, polyvinylindole, polyvinylpyridazine, polyvinyloxolane, Ribiniru-2-furaldehyde,
Polyvinylinden-1-one, polyvinylfluoren-9-one, polyvinyl-2-pyridone, polyvinyl-
2-quinolone, polyvinyl-9-carbonylfluorene, polyvinylthiophene, polyvinylacridine, polyvinylphenylpyridine, polyvinylfluorophenylpyridine, polyvinylfluorobenzene, polyvinylfluoromethylbenzene, polyvinyl-o-trifluoromethylaniline, polyvinylpentafluorobenzene, polyvinyl Methylcarbamoylbenzene, polyvinylcarbamoylimidazole, polyvinylchlorobenzene, polyvinylnitrobenzene, polyvinylnitronaphthalene, polyvinylaminonaphthalene, polyvinylsulfobenzene, polyvinylaminopyridine, polyvinylcarboxypyridine, polyvinylhydroxybenzene,
Polyvinyl formylbenzene, polyvinylaminoethylbenzene, polyvinylhydroxymethylbenzene, polyvinyltrifluoroethylbenzene, polyvinylmethoxyaminobenzene, polyvinyl-4-amino-tetrafluoropyridine, polyvinyldifluoromethylbenzene, polyvinyldifluorobenzene, polyvinylmethoxybenzene, polyvinylaminocyclohexane , Polyvinylaminocyclopentane, polyvinylcyclohexanecarboxylic acid, polyvinylhydroxycyclohexane, polyvinylfluoromethylcyclohexane, polyvinylcyanocyclohexane, polyvinylformylcyclohexane, polyfluorostyrene, polydifluorostyrene, polytrifluorostyrene, polytetrafluorostyrene, polypentane Ruorosuchiren, poly trifluoromethyl styrene, polybis (trifluoromethyl styrene), polyvinyl norbornyl methacrylate, polyvinyl isobornyl, polydiene cyclopentenylene b methacrylate, polyvinyl dioxazine run, poly methoxystyrene, and the like.

【0017】ポリビニル化合物中のビニル基をアクリル
またはメタクリル基にかえたポリアクリレートやポリメ
タクリレートも高分子(B)の具体例として挙げられ
る。
Polyacrylate or polymethacrylate in which the vinyl group in the polyvinyl compound is replaced with an acryl or methacryl group is also a specific example of the polymer (B).

【0018】本発明において、好ましくは高分子(B)
は、嵩高基を有するモノマー単位を少なくとも部分的に
含んでいればよく、ホモポリマーであってもよいし、別
のモノマー単位とのコポリマーであってもよい。
In the present invention, preferably, the polymer (B)
May be at least partially containing a monomer unit having a bulky group, and may be a homopolymer or a copolymer with another monomer unit.

【0019】モノマー単位としては例えば、β−カルボ
リン、シノリン、キナゾリン、プリン、イソキノリン、
キノリン、キノキサリン、フタラジン、ナフチリジン、
イソインドール、インドール、ピリダジン、オキサラ
ン、2−フラルデヒド、インデン−1−オン、フルオレ
ン−9−オン、2−ピリドン、2−キノロン、9−カル
ボニルフルオレン、チオフェン、アクリジン、フェニル
ピリジン、フルオロフェニルピリジン、フルオロベンゼ
ン、フルオロメチルべンゼン、o−メトキシベンズアル
デヒド、シアノベンゼン、メチルカルバモイルベンゼ
ン、カルバモイルイミダゾール、安息香酸、クロロベン
ゼン、ニトロベンゼン、ニトロナフタレン、アミノベン
ゼン、アミノナフタレン、スルフォベンゼン、アミノピ
リジン、カルボキシピリジン、ヒドロキシベンゼン、フ
ルオロメチルピリジン、フォルミルベンゼン、アミノエ
チルベンゼン、ヒドロキシピリジン、ヒドロキシメチル
ベンゼン、トリフルオロエチルベンゼン、シアノエチル
ベンゼン、フォルミルエチルベンゼン、メトキシアミノ
ベンゼン、4−アミノ−テトラフルオロピリジン、ジフ
ルオロメチルベンゼン、ジフルオロベンゼン、メトキシ
ベンゼン、アミノシクロヘキサン、フルオロメチルシク
ロヘキサン、シアノシクロヘキサン、アミノシクロペン
タン、シクロヘキサンカルボン酸、ヒドロキシシクロヘ
キサン等の基がビニル鎖に直接結合しているまたはビニ
ル鎖に結合した−COO−、−OCH2−、−OCO
−、−CH2−、−C25−および分極性のない環状炭
化水素、例えば、フェニレン、ナフチレン、シクロヘキ
シレン、シクロペンチレン等に結合したモノマー単位が
挙げられる。
Examples of the monomer unit include β-carboline, sinoline, quinazoline, purine, isoquinoline,
Quinoline, quinoxaline, phthalazine, naphthyridine,
Isoindole, indole, pyridazine, oxalan, 2-furaldehyde, inden-1-one, fluoren-9-one, 2-pyridone, 2-quinolone, 9-carbonylfluorene, thiophene, acridine, phenylpyridine, fluorophenylpyridine, fluoro Benzene, fluoromethylbenzene, o-methoxybenzaldehyde, cyanobenzene, methylcarbamoylbenzene, carbamoylimidazole, benzoic acid, chlorobenzene, nitrobenzene, nitronaphthalene, aminobenzene, aminonaphthalene, sulfobenzene, aminopyridine, carboxypyridine, hydroxybenzene , Fluoromethylpyridine, formylbenzene, aminoethylbenzene, hydroxypyridine, hydroxymethylbenzene, trifluoro Ethylbenzene, cyanoethylbenzene, formylethylbenzene, methoxyaminobenzene, 4-amino-tetrafluoropyridine, difluoromethylbenzene, difluorobenzene, methoxybenzene, aminocyclohexane, fluoromethylcyclohexane, cyanocyclohexane, aminocyclopentane, cyclohexanecarboxylic acid, hydroxy -COO groups such as cyclohexane linked by a direct bond from or vinyl chain vinyl chain -, - OCH 2 -, - OCO
—, —CH 2 —, —C 2 H 5 — and a non-polarizable cyclic hydrocarbon, for example, a monomer unit bonded to phenylene, naphthylene, cyclohexylene, cyclopentylene and the like.

【0020】高分子膜としては、上記に挙げられた高分
子材料のうち1種類または2種類以上を用いてもよい。
As the polymer film, one or more of the above-mentioned polymer materials may be used.

【0021】また、この高分子材料の分子量は1,00
0〜900,000が好ましい。より好ましくは10,
000〜500,000の分子量である。
The molecular weight of this polymer material is 1,000
0 to 900,000 is preferred. More preferably 10,
It has a molecular weight of 000-500,000.

【0022】紫外線などの照射量としては、0.01m
Jから50Jが好ましい。さらに好ましくは、0.1m
Jから10Jである。紫外線などの波長は、好ましくは
150から450nmであり、より好ましくは180か
ら400nmである。
The irradiation amount of ultraviolet rays or the like is 0.01 m
J to 50J are preferred. More preferably, 0.1 m
J to 10J. The wavelength of ultraviolet light or the like is preferably from 150 to 450 nm, and more preferably from 180 to 400 nm.

【0023】本発明の移相子が有機高分子膜である場合
は、例えば、高分子材料を一軸延伸し適当な厚さ、例え
ば数十μmから1cmの厚さの板状にし、その膜の一部
に紫外線あるいは電子線を照射することによって製造す
ることができる。このとき紫外線などを照射するとき
に、延伸による一軸配向性を乱さない程度にこの高分子
材料からなる板を加熱しても良い。
When the phase shifter of the present invention is an organic polymer film, for example, the polymer material is uniaxially stretched into a plate having an appropriate thickness, for example, a thickness of several tens μm to 1 cm. It can be manufactured by irradiating a part with an ultraviolet ray or an electron beam. At this time, when irradiating ultraviolet rays or the like, the plate made of this polymer material may be heated to such an extent that the uniaxial orientation by stretching is not disturbed.

【0024】本発明の移相子が液晶素子である場合はス
ピンコート、ディップ法ないし印刷法により透明電極付
きガラス基板上またはプラスティック基板上等にその高
分子薄膜を形成させ、配向処理後、紫外線あるいは電子
線を照射し、該薄膜上に液晶を配置して液晶素子を組み
立てることによって製造することができる。配向処理方
法は、特に限定されないがラビング法が好ましい。
When the phase shifter of the present invention is a liquid crystal element, a polymer thin film is formed on a glass substrate with a transparent electrode or on a plastic substrate by spin coating, dipping or printing, and after alignment treatment, ultraviolet light is applied. Alternatively, it can be manufactured by irradiating an electron beam, disposing a liquid crystal on the thin film and assembling a liquid crystal element. The alignment method is not particularly limited, but a rubbing method is preferable.

【0025】紫外線あるいは電子線を照射する際にマス
クを用いることにより、リタデーションの正または負の
領域を形成することができる。これらの領域は、用いる
マスクの形によって任意にそのサイズおよび形を変える
ことができる。
By using a mask when irradiating an ultraviolet ray or an electron beam, a positive or negative retardation region can be formed. These regions can be arbitrarily changed in size and shape depending on the shape of the mask used.

【0026】[0026]

【実施例】以下に実施例により本発明をより詳細に説明
するが、これらは本発明を限定するものではない。以下
の実施例においては、有機高分子膜のリタデーションは
エリプソメーターを用いて屈折率の異方性を測定するこ
とにより求め、液晶素子のリタデーションはベレック補
償板を用いて相減の位置を得ることにより求めた。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, which do not limit the present invention. In the following examples, the retardation of the organic polymer film was determined by measuring the anisotropy of the refractive index using an ellipsometer, and the retardation of the liquid crystal element was obtained by using a Berek compensator to obtain the position of the subtraction. Determined by

【0027】[実施例1]ポリアラミドシリコーンとポ
リビニルアセナフチレンを1:3の比率でn−メチルピ
ロリドン(NMP)に3wt%で溶解し、これをITO
電極を設けた基板上にスピンコート法にて塗布した。ス
ピンコートは回転数2000r.p.m.、20秒で行
った。この基板を180℃、1時間で乾燥した。この
後、この基板にラビング処理を行い、紫外線を透過する
部分の1つのサイズが500μm×500μmであり、
隣り合う透過部分の間が500μm×500μmの紫外
線を透過しない材料によって遮断されているマスクをか
けて、105Wの高圧水銀ランプ下で紫外線を3分間照
射した。ラビングの方向が互いに平行になるようにかつ
マスクをかけた部分同士が対向するように2枚の基板を
内側に膜が配置されるように対向させてセルギャップ5
μmの液晶セルを組み立てた。このセルに液晶(チッソ
社製LIXON5047LC)を注入して、110℃で
熱処理を行った。このセルのリタデーションを測定した
ところ紫外線を照射していない部分はリタデーションが
正であり、紫外線を照射した部分はリタデーションが負
であることがわかった。
Example 1 Polyaramid silicone and polyvinyl acenaphthylene were dissolved at a ratio of 1: 3 in n-methylpyrrolidone (NMP) at 3 wt%, and this was dissolved in ITO.
It was applied on a substrate provided with electrodes by a spin coating method. Spin coating was performed at a rotation speed of 2000 r.p.m. p. m. For 20 seconds. This substrate was dried at 180 ° C. for one hour. Thereafter, a rubbing process is performed on the substrate, and one size of a portion that transmits ultraviolet light is 500 μm × 500 μm,
UV light was irradiated for 3 minutes under a 105 W high-pressure mercury lamp using a mask in which the space between adjacent transmission portions was blocked by a material that does not transmit UV light of 500 μm × 500 μm. The two substrates are opposed to each other so that the rubbing directions are parallel to each other and the masked portions are opposed to each other so that the film is disposed inside, and the cell gap 5 is set.
A μm liquid crystal cell was assembled. Liquid crystal (LIXON5047LC manufactured by Chisso Corporation) was injected into the cell, and heat treatment was performed at 110 ° C. When the retardation of this cell was measured, it was found that the portion not irradiated with ultraviolet rays had a positive retardation, and the portion irradiated with ultraviolet rays had a negative retardation.

【0028】[実施例2]ポリアラミドシリコーンとポ
リビニルピリジンを1:4の比率でNMPに3wt%で
溶解し、これをITO電極を設けた基板上にスピンコー
ト法にて塗布した。スピンコートは回転数2000r.
p.m.、20秒で行った。この基板を180℃、1時
間で乾燥した。この後、この基板にラビング処理を行
い、紫外線を透過する部分の1つのサイズが500μm
×500μmであり、隣り合う透過部分の間が500μ
m×500μmの紫外線を透過しない材料によって遮断
されているマスクをかけて、105Wの高圧水銀ランプ
下で紫外線を3分間照射した。ラビングの方向が互いに
平行になるようにかつマスクをかけた部分同士が対向す
るように2枚の基板を内側に膜が配置されるように対向
させてセルギャップ5μmの液晶セルを組み立てた。こ
のセルに液晶(チッソ社製LIXON5047LC)を
注入して、110℃で熱処理を行った。このセルのリタ
デーションを測定したところ紫外線を照射していない部
分はリタデーションが正であり、紫外線を照射した部分
はリタデーションが負であることがわかった。
Example 2 Polyaramide silicone and polyvinyl pyridine were dissolved at a ratio of 1: 4 in NMP at 3 wt%, and the solution was applied on a substrate provided with an ITO electrode by a spin coating method. Spin coating was performed at a rotation speed of 2000 r.p.m.
p. m. For 20 seconds. This substrate was dried at 180 ° C. for one hour. Thereafter, a rubbing treatment is performed on this substrate, and one size of a portion that transmits ultraviolet light is 500 μm.
× 500 μm, 500 μm between adjacent transmission parts
The film was irradiated with ultraviolet light for 3 minutes under a 105 W high-pressure mercury lamp with a mask of mx 500 µm blocked by a material that does not transmit ultraviolet light. A liquid crystal cell with a cell gap of 5 μm was assembled with the two substrates facing each other so that the rubbing directions were parallel to each other and the masked portions faced each other so that the films were arranged inside. Liquid crystal (LIXON5047LC manufactured by Chisso Corporation) was injected into the cell, and heat treatment was performed at 110 ° C. When the retardation of this cell was measured, it was found that the portion not irradiated with ultraviolet rays had a positive retardation, and the portion irradiated with ultraviolet rays had a negative retardation.

【0029】[実施例3]ポリビニルシンナメートをN
MPに3wt%で溶解し、これをITO電極を設けた基
板上にスピンコート法にて塗布した。スピンコートは回
転数2000r.p.m.、20秒で行った。この基板
を180℃、1時間で乾燥した。この後、この基板にラ
ビング処理を行い、248nmの波長のKrFレーザー
でラインとスペースを形成し、ラビングの方向が互いに
平行になるようにかつレーザー光を照射した部分同士が
対向するように2枚の基板を内側に膜が配置されるよう
に対向させてセルギャップ5μmの液晶セルを組み立て
た。このセルに液晶(チッソ社製LIXON5047L
C)を注入して、110℃で熱処理を行った。このセル
のリタデーションを測定したところ紫外線を照射してい
ない部分はリタデーションが正であり、レーザー光を照
射した部分はリタデーションが負であることがわかっ
た。
Example 3 Polyvinylcinnamate was converted to N
It was dissolved in MP at 3 wt%, and this was applied on a substrate provided with an ITO electrode by a spin coating method. Spin coating was performed at a rotation speed of 2000 r.p.m. p. m. For 20 seconds. This substrate was dried at 180 ° C. for one hour. After that, a rubbing process is performed on this substrate, lines and spaces are formed with a KrF laser having a wavelength of 248 nm, and two substrates are laid so that the rubbing directions are parallel to each other and the portions irradiated with the laser light face each other. The liquid crystal cell having a cell gap of 5 μm was assembled by facing the substrates so that the film was disposed inside. A liquid crystal (LIXON5047L manufactured by Chisso Corporation) is placed in this cell.
C) was implanted and heat treatment was performed at 110 ° C. When the retardation of this cell was measured, it was found that the portion not irradiated with the ultraviolet light had a positive retardation, and the portion irradiated with the laser beam had a negative retardation.

【0030】[実施例4]ポリアラミドシリコーンとポ
リビニルカルバゾールの1:1比率のブレンド材料を一
軸延伸させ、この高分子から成る板の上に紫外線を透過
する部分の1つのサイズが1mm×500μmであり、
隣り合う透過部分の間が500μm×500μmの紫外
線を透過しない材料によって遮断されているマスクをか
けて、105Wの高圧水銀ランプ下で紫外線を10分間
照射した。この板のリタデーションを測定したところ紫
外線を照射していない部分はリタデーションが正であ
り、紫外線を照射した部分はリタデーションが負である
ことがわかった。
Example 4 A 1: 1 ratio blend material of polyaramid silicone and polyvinyl carbazole was uniaxially stretched, and one size of a portion transmitting ultraviolet rays having a size of 1 mm × 500 μm was formed on a plate made of this polymer. Yes,
The film was irradiated with ultraviolet rays for 10 minutes under a 105 W high-pressure mercury lamp using a mask in which the space between the adjacent transmission portions was blocked by a 500 μm × 500 μm material that did not transmit ultraviolet rays. When the retardation of this plate was measured, it was found that the portion not irradiated with ultraviolet rays had a positive retardation, and the portion irradiated with ultraviolet rays had a negative retardation.

【0031】[比較例1]ポリアラミドシリコーンとポ
リアセナフチレンを1:4でNMPに3wt%で溶解
し、これをITO電極を設けた基板上にスピンコート法
にて塗布した。スピンコートは回転数2000r.p.
m.、20秒で行った。この基板を180℃、1時間で
乾燥した。この後、この基板にラビング処理を行った。
ラビングの方向が互いに平行になるように2枚の基板を
内側に膜が配置されるように対向させて5μmの液晶セ
ルを組み立てた。このセルに液晶(チッソ社製LIXO
N5047LC)を注入して、110℃で熱処理を行っ
た。このセルのリタデーションを測定したところリタデ
ーションはすべて正であった。
Comparative Example 1 Polyaramide silicone and polyacenaphthylene were dissolved at a ratio of 1: 4 in NMP at 3 wt%, and the solution was applied to a substrate provided with an ITO electrode by a spin coating method. Spin coating was performed at a rotation speed of 2000 r.p.m. p.
m. For 20 seconds. This substrate was dried at 180 ° C. for one hour. Thereafter, the substrate was subjected to a rubbing treatment.
A 5 μm liquid crystal cell was assembled with the two substrates facing each other so that the rubbing directions were parallel to each other so that the films were arranged inside. A liquid crystal (LIXO manufactured by Chisso Corporation) is applied to this cell.
N5047LC), and heat-treated at 110 ° C. When the retardation of this cell was measured, all the retardations were positive.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光学異方性を有し、そのリタデーション
が正である領域と負である領域とを有する移相子。
1. A phase shifter having optical anisotropy and having a region where the retardation is positive and a region where the retardation is negative.
【請求項2】 一軸処理がなされた有機高分子膜の一部
の領域に紫外線または電子線を照射することにより、該
有機高分子膜上にリタデーションが正である領域と負で
ある領域とが形成されている、請求項1記載の移相子。
2. Irradiation of ultraviolet rays or an electron beam to a part of a region of the organic polymer film subjected to the uniaxial treatment causes a region having a positive retardation and a region having a negative retardation on the organic polymer film. 2. The retarder of claim 1, wherein the retarder is formed.
【請求項3】 移相子を製造する方法であって、有機高
分子膜を用意し、有機高分子膜に一軸処理を施し、該有
機高分子膜の一部の領域に紫外線又は電子線を照射する
ことにより、該有機高分子膜上にリタデーションが正で
ある領域と負である領域とを生じせしめるの各工程を含
む方法。
3. A method for producing a retarder, comprising preparing an organic polymer film, performing uniaxial treatment on the organic polymer film, and applying ultraviolet light or an electron beam to a partial region of the organic polymer film. A method comprising the steps of: irradiating to produce a region having a positive retardation and a region having a negative retardation on the organic polymer film.
【請求項4】 移相子を製造する方法であって、有機高
分子膜を用意し、有機高分子膜に一軸処理を施し、該有
機高分子膜の一部に紫外線又は電子線を照射し、該有機
高分子膜上に液晶を配置し、照射されていない領域に配
置した液晶のリタデーションが正の値になるように、か
つ照射された領域に配置した液晶のリタデーションが負
の値になるように液晶素子を組み立てるの各工程を含む
方法。
4. A method for producing a retarder, comprising preparing an organic polymer film, performing uniaxial treatment on the organic polymer film, and irradiating a part of the organic polymer film with ultraviolet light or an electron beam. The liquid crystal is arranged on the organic polymer film, so that the retardation of the liquid crystal arranged in the non-irradiated region has a positive value, and the retardation of the liquid crystal arranged in the irradiated region has a negative value. A method comprising the steps of assembling a liquid crystal element.
【請求項5】 紫外線又は電子線を照射することにより
照射された領域のリタデーションが負の値になることを
特徴とする有機高分子膜。
5. An organic polymer film, wherein the irradiation of ultraviolet rays or an electron beam results in a negative value of the retardation of the irradiated area.
【請求項6】 有機高分子膜の一部に紫外線又は電子線
を照射することにより、該有機高分子膜上の照射されて
いない領域に配置した液晶のリタデーションが正の値に
なり、かつ該有機高分子膜上の照射された領域に配置し
た液晶のリタデーションが負の値になることを特徴とす
る有機高分子膜。
6. Irradiating a part of the organic polymer film with an ultraviolet ray or an electron beam, the retardation of the liquid crystal disposed in a non-irradiated region on the organic polymer film becomes a positive value, and An organic polymer film, wherein the retardation of a liquid crystal disposed in an irradiated area on the organic polymer film has a negative value.
【請求項7】 該有機高分子膜が、一軸処理によって正
のリタデーションが生じる高分子(A)と、一軸処理と
紫外線または電子線の照射によって負のリタデーション
が生じる高分子(B)を含む、請求項5または6に記載
の有機高分子膜。
7. The organic polymer film contains a polymer (A) in which positive retardation is produced by uniaxial treatment and a polymer (B) in which negative retardation is produced by uniaxial treatment and irradiation of ultraviolet rays or electron beams. The organic polymer film according to claim 5.
【請求項8】 高分子(B)に含まれる少なくとも1種
類以上の高分子材料が、炭素数4以上の環状構造を有す
る高分子化合物である、請求項7記載の有機高分子膜。
8. The organic polymer film according to claim 7, wherein at least one kind of the polymer material contained in the polymer (B) is a polymer compound having a cyclic structure having 4 or more carbon atoms.
【請求項9】 高分子(A)が、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエーテル、ポリエステルまたはポリウレタンで
ある、請求項7記載の有機高分子膜。
9. The organic polymer film according to claim 7, wherein the polymer (A) is polyimide, polyamide, polyether, polyester or polyurethane.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013539076A (en) * 2010-09-24 2013-10-17 アクロン ポリマー システムズ,インク. Optical compensation film based on fluoropolymer

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