JPH11265220A - Temperature adjustment method by transistor and temperature adjustment circuit - Google Patents

Temperature adjustment method by transistor and temperature adjustment circuit

Info

Publication number
JPH11265220A
JPH11265220A JP8945998A JP8945998A JPH11265220A JP H11265220 A JPH11265220 A JP H11265220A JP 8945998 A JP8945998 A JP 8945998A JP 8945998 A JP8945998 A JP 8945998A JP H11265220 A JPH11265220 A JP H11265220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
transistor
base
control
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8945998A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Sannomiya
匡彦 三宮
Susumu Togawa
進 戸川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Ltd filed Critical Horiba Ltd
Priority to JP8945998A priority Critical patent/JPH11265220A/en
Publication of JPH11265220A publication Critical patent/JPH11265220A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify the constitution as much as possible, to accurately measure a temperature, and to make adjustable the temperature without the problem of a heat coupling by utilizing heat generation by the collector loss of a transis tor as a heat source. SOLUTION: When switching signals P oscillated by an oscillator 5 are at a high level, a switch Sw is connected to the side of a contact Sa and a temperature measurement state is attained. A power supply voltage Vcc is supplied through a resistor R1 to the base Tb of the transistor T, a forward direction current Ia flows and a base voltage Vbe is obtained. The voltage Vbe is inputted to an OP amplifier 3 and compared with the set value Vs of a variable resistor Rv and the analog value 3o of a compared result is outputted to a storage device 4. The storage device 4 samples and holds the analog value 3o from the OP amplifier 3 at the time of the fall of the switching signals P of the oscillator 5 and sends it to a control circuit 2 as a temperature feedback signal 4o. The control circuit 2 decides a control current Ib required for heating based on the value 4o and outputs it.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はトランジスタによる
温調方法および温調回路に関する。
The present invention relates to a temperature control method and a temperature control circuit using transistors.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、ガス分析計の測定回路を構成す
る集積回路など、熱による温度ドリフトに対する安定性
を必要とする場合には、予め集積回路を一定の温度に加
熱することがある。図4は、従来より用いられる温調回
路10を示す図であり、発熱部としてヒータ11、温度
センサとしてサーミスタ12を用いている。そして、サ
ーミスタ12を監視しながらヒータ11を加熱すること
により、測定回路を所望の温度に調節することができ、
この温度を安定させることにより、分析計の測定値を安
定化させることができる。
2. Description of the Related Art For example, when stability against temperature drift due to heat is required for an integrated circuit constituting a measuring circuit of a gas analyzer, the integrated circuit may be heated to a predetermined temperature in advance. FIG. 4 is a diagram showing a temperature control circuit 10 conventionally used, in which a heater 11 is used as a heating unit and a thermistor 12 is used as a temperature sensor. By heating the heater 11 while monitoring the thermistor 12, the measurement circuit can be adjusted to a desired temperature,
By stabilizing this temperature, the measured value of the analyzer can be stabilized.

【0003】発熱部の構成は熱線ヒータ、赤外線ヒータ
など種々のものが提案されている。図5は、トランジス
タ11のコレクタ損失による発熱を発熱源として使用す
る、特開平9−260036号公報に開示された加熱装
置(温調回路)10を示す図であり、この温調回路10
は熱容量が小さい場所などを簡便に加熱するのに適して
いる。また、12はトランジスタ11の近傍に設けたサ
ーミスタである。
[0003] Various types of heat generating parts have been proposed, such as a hot-wire heater and an infrared heater. FIG. 5 is a diagram showing a heating device (temperature control circuit) 10 disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-260036 which uses heat generated by the collector loss of the transistor 11 as a heat source.
Is suitable for easily heating a place having a small heat capacity. Reference numeral 12 denotes a thermistor provided near the transistor 11.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、これら従来
の温調回路10は何れにしても、温度調整する部分13
に発熱部11と温度センサ12の最低でも2つの部品の
取付けが必要となり、それだけ構造が複雑となることは
避けられなかった。また、発熱部13が温度センサ11
と物理的に離れているので、両者の熱結合にばらつきな
どの問題が発生することもあった。
However, in any of these conventional temperature control circuits 10, the temperature control portion 13 is provided.
In addition, it is necessary to attach at least two parts of the heat generating portion 11 and the temperature sensor 12, and the structure is inevitably complicated. In addition, the heat generating unit 13 is a temperature sensor 11
Physically separated from each other, a problem such as a variation in thermal coupling between the two may occur.

【0005】本発明は、上述の事柄に留意してなされた
もので、構成を可及的に簡略化すると共に、正確な温度
測定を行って、熱結合の問題のない温度調節を可能とす
るトランジスタによる温調方法および温調回路を提供す
ることを目的としている。
The present invention has been made in consideration of the above-mentioned matters, and simplifies the structure as much as possible, performs accurate temperature measurement, and enables temperature adjustment without a problem of thermal coupling. It is an object to provide a temperature control method and a temperature control circuit using transistors.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第1発明のトランジスタによる温調方法は、熱源と
してトランジスタのコレクタ損失による発熱を利用する
と共に、トランジスタの温度フィードバック制御を同一
トランジスタのベース−エミッタ間の電圧の監視によっ
て行なうことを特徴としている。
In order to achieve the above object, a temperature control method using a transistor according to a first aspect of the present invention utilizes heat generated by a collector loss of a transistor as a heat source and performs temperature feedback control of the transistor on the same transistor base. -It is characterized by monitoring by the voltage between the emitters.

【0007】したがって、本発明のトランジスタによる
温調方法によれば発熱源と熱センサとが一つのトランジ
スタによって形成されるので、その構成をできる限り簡
略化できる。また、発熱部と熱センサとの熱結合によっ
て問題が生じることがなく、周りの環境に影響されずに
常に正確な温度制御をすることが可能となる。
Therefore, according to the temperature control method using transistors of the present invention, since the heat source and the heat sensor are formed by one transistor, the configuration can be simplified as much as possible. Further, there is no problem due to thermal coupling between the heat generating portion and the thermal sensor, and accurate temperature control can always be performed without being affected by the surrounding environment.

【0008】また、前記トランジスタのベースに電流を
供給し、このときのベース電圧を設定温度に対応するベ
ース電圧の設定値と比較して比較結果を記憶する温度測
定状態、および、記憶された比較結果を基にトランジス
タが設定温度に近づくようなコレクタ電流を流すための
制御電流をベースに供給する温度調整状態を短い周期で
交互に切り換えるように制御する。トランジスタの温度
を設定温度に温調する場合には、トランジスタのベース
−エミッタ間の電圧の監視によって正確に行うことが可
能となり、設定値との比較によって容易に発熱量を調節
することができる。そして、設定温度を変更するときは
ベース電圧と比較する電圧の設定値を変更することで極
めて容易に行うことができる。
In addition, a current is supplied to the base of the transistor, the base voltage at this time is compared with a set value of a base voltage corresponding to a set temperature, and a temperature measurement state for storing a comparison result is stored. Based on the result, control is performed so as to alternately switch the temperature adjustment state in which the control current for flowing the collector current such that the transistor approaches the set temperature to the base in a short cycle. When the temperature of the transistor is adjusted to the set temperature, the temperature can be accurately controlled by monitoring the voltage between the base and the emitter of the transistor, and the calorific value can be easily adjusted by comparing with the set value. The setting temperature can be changed very easily by changing the set value of the voltage to be compared with the base voltage.

【0009】さらに、前記温度測定状態が温度調整状態
に比べて充分に短くなるように切り換え制御することに
より、トランジスタのベースに電流を供給している温度
測定状態の間にトランジスタが加熱されることを可及的
に抑えることができる。そして、前記比較結果の記憶お
よび制御電圧の出力をオンオフ動作のデジタル制御によ
って行なう場合には、構成が簡素化できる利点がある。
Further, by controlling the switching so that the temperature measurement state is sufficiently shorter than the temperature adjustment state, the transistor is heated during the temperature measurement state in which current is supplied to the base of the transistor. Can be suppressed as much as possible. When the storage of the comparison result and the output of the control voltage are performed by digital control of the on / off operation, there is an advantage that the configuration can be simplified.

【0010】第2発明のトランジスタによる温調回路
は、熱源としてコレクタ損失による発熱を利用するトラ
ンジスタのベースに一定の電流を供給してベース電圧を
測定する温度測定状態と制御電流を供給する温度調整状
態を切り換えるスイッチと、温度測定状態におけるベー
ス電圧を設定温度に対応するベース電圧の設定値と比較
する比較器と、温度測定状態から温度調整状態に切り換
わるときに比較結果をホールドすることで温度調整状態
においてホールドされた比較結果を基にトランジスタの
ベースへの制御電流を可変出力可能とする記憶器と、前
記スイッチおよび記憶部の状態を短い周期で交互に切り
換える切換え信号を供給する発振器とを有することを特
徴としている。この場合、温調回路とトランジスタは一
対の信号線によって接続されているので、発熱部の構成
のみならず、周囲の配線も可及的に簡略化できる。
A temperature control circuit using a transistor according to a second aspect of the present invention provides a temperature measurement state in which a constant current is supplied to a base of a transistor that uses heat generated by a collector loss as a heat source to measure a base voltage, and a temperature control in which a control current is supplied. A switch that switches the state, a comparator that compares the base voltage in the temperature measurement state with the set value of the base voltage corresponding to the set temperature, and a temperature that holds the comparison result when switching from the temperature measurement state to the temperature adjustment state. A storage device that enables a control current to be variably output to the base of the transistor based on the comparison result held in the adjustment state, and an oscillator that supplies a switching signal that alternately switches the state of the switch and the storage unit in a short cycle. It is characterized by having. In this case, since the temperature control circuit and the transistor are connected by a pair of signal lines, not only the configuration of the heat generating portion but also peripheral wiring can be simplified as much as possible.

【0011】前記切換え信号が温度測定状態を温度調整
状態に比べて充分に短くするパルス信号である場合に
は、切換え信号が温度測定状態であるときにベースに供
給される電流によって、トランジスタが温度上昇するこ
とを防止できる。また、前記比較結果の記憶および制御
電圧の出力をラッチ回路によって行う場合、回路を可及
的に簡素化できる。
When the switching signal is a pulse signal for sufficiently shortening the temperature measurement state as compared with the temperature adjustment state, the transistor supplied to the base when the switching signal is in the temperature measurement state causes the transistor to have a temperature. It can be prevented from rising. Further, when the comparison result is stored and the control voltage is output by the latch circuit, the circuit can be simplified as much as possible.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は本発明のトランジスタによ
る温調回路1の第1実施例を示している。図1におい
て、Tは熱源としてコレクタ損失による発熱を利用する
トランジスタであり、このトランジスタTのベースT
b、エミッタTe、コレクタTcがそれぞれスイッチS
w、グランドG、加熱用電源Pwに接続されている。ス
イッチSwは抵抗R1 を介して電源Vccを接続する接
点Saと、抵抗R2 を介して制御回路2に接続する接点
Sbとを有し、このスイッチSwの切り換えによってト
ランジスタTのベース−エミッタ間の電圧(以下、ベー
ス電圧という)Vbeを測定する温度測定状態と、制御
回路2からベースTbに制御電流Ibを供給する温度調
整状態とを切り換え制御する。
FIG. 1 shows a first embodiment of a transistor temperature control circuit 1 according to the present invention. In FIG. 1, T is a transistor that utilizes heat generated by a collector loss as a heat source.
b, the emitter Te, and the collector Tc are each a switch S
w, ground G, and heating power supply Pw. Switch Sw has a contact Sa to connect the power supply Vcc via a resistor R 1, and a contact Sb to be connected to the control circuit 2 via the resistor R 2, the base of the transistor T by the switching of the switch Sw - emitter (Hereinafter referred to as base voltage) Vbe, and a temperature adjustment state in which the control circuit 2 supplies the control current Ib to the base Tb.

【0013】Rvは設定温度に対応するトランジスタT
のベース電圧Vbeの基準値Vsを設定する可変抵抗で
あり、例えば、この可変抵抗Rvの撮みに設定温度の目
盛りが形成されている。3は前記ベース電圧Vbeを基
準値Vsと比較するコンパレータ(比較器)として動作
するOPアンプ、4は温度測定状態の間に比較結果のア
ナログ値3oを取り入れて温度調整状態の間ホールド
し、温度フィードバック信号4oとして出力する記憶
器、5はスイッチSwおよび記憶器4に対してパルス信
号P(切換え信号)を出力する発振器である。
Rv is a transistor T corresponding to a set temperature.
Is a variable resistor for setting the reference value Vs of the base voltage Vbe. For example, a scale of the set temperature is formed by taking the variable resistor Rv. Reference numeral 3 denotes an OP amplifier that operates as a comparator (comparator) that compares the base voltage Vbe with a reference value Vs. 4 denotes an analog value 3o obtained during the temperature measurement state and holds the temperature during the temperature adjustment state. A storage unit 5 that outputs a feedback signal 4o is an oscillator that outputs a pulse signal P (switching signal) to the switch Sw and the storage unit 4.

【0014】記憶器4の出力は制御回路2に入力されて
おり、記憶部4によってホールドされた温度フィードバ
ック信号4oによって制御電流Ibを調整可能としてい
る。すなわち、本例の回路では、制御回路2、OPアン
プ3、記憶器4がフィードバック制御を形成している。
The output of the storage unit 4 is input to the control circuit 2, and the control current Ib can be adjusted by the temperature feedback signal 4o held by the storage unit 4. That is, in the circuit of this example, the control circuit 2, the OP amplifier 3, and the storage device 4 form feedback control.

【0015】次に、本例のトランジスタによる温調回路
1の動作について説明する。発振器5が発振する切換え
信号Pがハイレベルであるとき、スイッチSwは接点S
a側に接続されて、温度測定状態となる。このとき、ト
ランジスタTのベースTbには抵抗R1 を介して電源電
圧(一定の電圧)Vccが供給されることにより順方向
電流Iaが流れる。そして、トランジスタTのベースT
bにはベース電圧Vbe(後に温度フィードバック信号
として利用)が得られる。この電圧VbeをOPアンプ
3に入力し、可変抵抗Rvの設定値Vsと比較して、比
較結果のアナログ値3oを記憶器4に出力する。
Next, the operation of the temperature control circuit 1 using the transistors of this embodiment will be described. When the switching signal P oscillated by the oscillator 5 is at a high level, the switch Sw
It is connected to the a side and enters a temperature measurement state. At this time, the base Tb of transistor T is a forward current flows Ia by the power supply voltage via a resistor R 1 (constant voltage) Vcc is supplied. And the base T of the transistor T
A base voltage Vbe (to be used later as a temperature feedback signal) is obtained at b. This voltage Vbe is input to the OP amplifier 3, compared with the set value Vs of the variable resistor Rv, and outputs the comparison result analog value 3 o to the storage device 4.

【0016】記憶器4は発振器5の切換え信号Pの立ち
下がり時にOPアンプ3からのアナログ値3oをサンプ
ルホールドし、温度フィードバック信号4oとして制御
回路2に送る。制御回路2はこの値4oを基に加熱に必
要な制御電流Ibを決めてこれを出力する。
The storage unit 4 samples and holds the analog value 3o from the OP amplifier 3 when the switching signal P of the oscillator 5 falls, and sends it to the control circuit 2 as a temperature feedback signal 4o. The control circuit 2 determines a control current Ib necessary for heating based on the value 4o and outputs it.

【0017】発振器5の切換え信号Pがローレベルにな
ると、スイッチSwは接点Sb側に接続されるので、ト
ランジスタTのベースTbには抵抗R2 を経由して制御
回路2からの前記制御電流Ibが供給され、制御電流I
bに応じたコレクタ電流IcがトランジスタTに流れる
ことにより、トランジスタTが発熱する。
[0017] switching signal P of the oscillator 5 becomes a low level, the switch Sw is connected to the contact Sb side, the control current Ib from the control circuit 2 to the base Tb via the resistor R 2 of the transistor T Is supplied and the control current I
When the collector current Ic according to b flows through the transistor T, the transistor T generates heat.

【0018】今、例えばトランジスタTの温度が設定値
より低い場合には、トランジスタTのベース電圧Vbe
が可変抵抗Rvの設定値Vsより高くなる。このとき、
比較器3の出力アナログ値3oは+の値となり、これが
記憶器4を経由して温度フィードバック信号4oとして
制御回路2に送られる。制御回路2は温度フィードバッ
ク信号4oを受け、トランジスタTの温度が低いことを
知り、抵抗R2 を介してトランジスタTのベースTbに
より多くの制御電流Ibを出力する。
Now, for example, when the temperature of the transistor T is lower than the set value, the base voltage Vbe of the transistor T
Becomes higher than the set value Vs of the variable resistor Rv. At this time,
The output analog value 3o of the comparator 3 becomes a positive value, which is sent to the control circuit 2 as a temperature feedback signal 4o via the storage unit 4. The control circuit 2 receives a temperature feedback signal 4o, knows that the temperature of the transistor T is low, and outputs the number of the control current Ib by the base Tb of transistor T through a resistor R 2.

【0019】逆に、トランジスタTの温度が設定値より
低い場合には、トランジスタTのベース電圧Vbeが可
変抵抗Rvの設定値Vsより低くなるので、前記と逆の
方向に信号が振れ、制御回路2はトランジスタTのベー
スTbに電流を流さないよう作用する。この制御電流I
bの加減動作をトランジスタTの温度と、設定値との差
に対し比例的に行うことで、温調がなされる。
On the other hand, when the temperature of the transistor T is lower than the set value, the base voltage Vbe of the transistor T becomes lower than the set value Vs of the variable resistor Rv. 2 acts so as not to allow a current to flow through the base Tb of the transistor T. This control current I
The temperature is controlled by performing the operation of increasing / decreasing b in proportion to the difference between the temperature of the transistor T and the set value.

【0020】温度の設定を変えるときは、前記可変抵抗
Rvを調整することにより設定値Vsを調節すればよ
く、回路的な変更を一切加える必要がない。また、本例
のように可変抵抗Rvの撮みに温度の表示をすることに
より、温度調整をさらに容易にすることが可能となる。
When the setting of the temperature is changed, the set value Vs may be adjusted by adjusting the variable resistor Rv, and there is no need to make any circuit change. In addition, by displaying the temperature at the time of taking the variable resistor Rv as in this example, it is possible to further facilitate the temperature adjustment.

【0021】発振器5で発生した切換え信号Pは、温度
測定状態を意味するハイレベルの期間T1 が、温度調整
状態を意味するローレベルの期間T2 に比べて十分に短
くなるようにそのデューティー比が調整されている。す
なわち、温度検出期間T1 中に抵抗R1 を経由し電源V
ccからトランジスタTに流れるベース電流Iaによっ
て、発熱が生じるのをできるだけ少なくしている。
The switching signal P generated by the oscillator 5 has a duty cycle such that the high-level period T 1 indicating the temperature measurement state is sufficiently shorter than the low-level period T 2 indicating the temperature adjustment state. The ratio has been adjusted. That is, the power supply via a resistor R 1 in the temperature detection period T 1 V
The generation of heat by the base current Ia flowing from the cc to the transistor T is minimized.

【0022】なお、上述した例はトランジスタTの温度
フィードバック制御を同一トランジスタTのベースTb
とエミッタTe間の電圧の監視によって行なうトランジ
スタによる温調回路の一例を示すものであるから、その
回路構成を限定するものではない。すなわち、上述の例
では記憶器4を制御回路2に接続することにより、制御
回路2が適切な制御電流Ibを計算して出力するように
構成されているが、本発明はこれに限られるものではな
い。例えば記憶器4から出力される温度フィードバック
信号4oを抵抗R2 を介してトランジスタTのベースT
bに供給するようにしてもよい。
In the above example, the temperature feedback control of the transistor T is performed by the base Tb of the same transistor T.
This is an example of a temperature control circuit using transistors performed by monitoring the voltage between the transistor Te and the emitter Te, and the circuit configuration is not limited. That is, in the above-described example, the storage circuit 4 is connected to the control circuit 2 so that the control circuit 2 calculates and outputs an appropriate control current Ib, but the present invention is not limited to this. is not. For example based T of the temperature feedback signal 4o output from the storage unit 4 via the resistor R 2 transistor T
b.

【0023】さらに、本例に示したトランジスタによる
温調回路1ではベース電圧Vbeを用いてフィードバッ
ク制御しているが、本発明はこれに限られるものではな
く、任意の方法でベースTbとエミッタTe間の電圧の
監視を行うことができる。
Further, in the temperature control circuit 1 using transistors shown in the present embodiment, the feedback control is performed using the base voltage Vbe. However, the present invention is not limited to this, and the base Tb and the emitter Te can be formed by any method. It is possible to monitor the voltage between them.

【0024】また、上述した例ではトランジスタによる
温調回路1の電源Vccと発熱用の電源Pwとを別に設
けているが、これを同じ電源ラインから取るようにして
もよいことはいうまでもない。
In the above-described example, the power supply Vcc for the temperature control circuit 1 using transistors and the power supply Pw for heat generation are provided separately. However, it goes without saying that these may be taken from the same power supply line. .

【0025】図2は簡略化したトランジスタによる温調
回路1の構成を示すものであり、図2において図1と同
じ符号を付した部材は同一または同等の部材であるの
で、その詳細な説明を省略する。図2において、6はデ
ジタル回路のラッチ回路であり、図1に示される記憶器
4と制御回路2に代わって設けられるものであり、デー
タ入力部6dがOPアンプ3、クロック入力6cが発振
器5、データ出力が抵抗R2 を介してスイッチSwに接
続される。
FIG. 2 shows the structure of the temperature control circuit 1 using simplified transistors. In FIG. 2, the members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same or equivalent members. Omitted. In FIG. 2, reference numeral 6 denotes a latch circuit of a digital circuit, which is provided in place of the storage unit 4 and the control circuit 2 shown in FIG. 1. The data input unit 6d is an OP amplifier 3, and the clock input 6c is an oscillator 5. , data output is connected to the switch Sw through the resistor R 2.

【0026】したがって、前記ラッチ回路6は、温度測
定状態T1 である間に可変抵抗Rvの設定値(設定温
度)VsとトランジスタTのベース電圧(発熱部温度)
Vbeの差を示すアナログ値3oを取り入れて、このア
ナログ値3oを大か小かの2値の比較で判定する。そし
て、ラッチ回路6は切換え信号Pの立ち下がりで判定値
を記憶し、続く温度調整状態T2 の間、前記判定値に基
づいてトランジスタTをオンまたはオフに制御する。し
たがって、本例はトランジスタによる温調回路1の構成
を図1の構成より簡略化するものである。
Therefore, during the temperature measurement state T 1 , the latch circuit 6 sets the set value (set temperature) Vs of the variable resistor Rv and the base voltage (heater temperature) of the transistor T.
The analog value 3o indicating the difference of Vbe is taken in, and the analog value 3o is determined by comparing a large value or a small value. Then, the latch circuit 6 stores the determination value at the falling edge of the switching signal P, during the subsequent temperature adjustment state T 2, controls the transistor T is turned on or off based on the determination value. Therefore, in this example, the configuration of the temperature control circuit 1 using transistors is simplified as compared with the configuration of FIG.

【0027】今、可変抵抗Rvの設定値Vsに対してト
ランジスタTのベース電圧Vbeが高いとすると、OP
アンプ3の出力アナログ値3oが大となるので、切換え
信号の立ち上がり時に、ラッチ回路6はハイレベルをラ
ッチする。そして続く温度調整状態T2 の期間中ラッチ
回路6の出力6qによって、トランジスタTを加熱す
る。次の温度測定状態T1 で温度が上昇し設定温度を上
回ると、トランジスタTのベース電圧Vbeが下がり、
ベース電圧Vbeが設定値Vsより低くなるので、OP
アンプ3の出力も小さくなり、ラッチ回路6はローレベ
ルをラッチする。そして、続く温度調整状態T2 の期間
中、トランジスタTに電流が流れないので、トランジス
タTの温度を下げることができる。そして、このオンオ
フ動作の繰り返しによって温調が行われる。
If the base voltage Vbe of the transistor T is higher than the set value Vs of the variable resistor Rv, OP
Since the output analog value 3o of the amplifier 3 becomes large, the latch circuit 6 latches the high level at the rise of the switching signal. Then the subsequent temperature adjustment state output 6q period in the latch circuit 6 of T 2, to heat the transistor T. If the temperature is above the elevated setting temperature in the next temperature measurement state T 1, decreases the base voltage Vbe of the transistor T,
Since the base voltage Vbe becomes lower than the set value Vs, OP
The output of the amplifier 3 also decreases, and the latch circuit 6 latches the low level. Then, the subsequent duration of the temperature adjustment state T 2, no current flows through the transistor T, it is possible to lower the temperature of the transistor T. Then, the temperature is controlled by repeating the on / off operation.

【0028】図3は図1に示したトランジスタによる温
調回路1を応用した例を示すものである。本例のトラン
ジスタによる温調回路1’は上述のトランジスタによる
温調回路1を複数個含む集積回路であって、電源入力部
V,Gと、各トランジスタT1 〜Tn の温度設定を行な
う設定温度入力部S1 〜Sn と、各トランジスタT1
n のベースにそれぞれ接続される制御信号出力部B1
〜Bn とを有している。回路の動作は図1に示したもの
と同じであるので、その説明を省略する。また、温調回
路1の構成は、図1に示したものに限られるものではな
く、図2のものを用いても、これらの変形例を用いても
よいことは言うまでもない。
FIG. 3 shows an example in which the temperature control circuit 1 using transistors shown in FIG. 1 is applied. Transistor temperature control circuit according to one of the example 'is an integrated circuit including a plurality of temperature control circuit 1 according to the above-mentioned transistors, setting performing power input unit V, and G, the temperature settings of each transistor T 1 through T n a temperature input section S 1 to S n, the transistors T 1 ~
Control signal output units B 1 connected to the bases of T n , respectively.
To Bn . The operation of the circuit is the same as that shown in FIG. 1, and a description thereof will be omitted. Further, the configuration of the temperature control circuit 1 is not limited to the configuration shown in FIG. 1, and it goes without saying that the configuration shown in FIG.

【0029】上述のようなトランジスタによる温調回路
1’を用いることにより、各トランジスタT1 〜Tn
各別に任意に温度調節することが可能となる。しかも、
各トランジスタT1 〜Tn と温調回路1’は各々一対の
配線によって接続されているのみであるので、その構成
を可及的に簡素化できる。さらに、各トランジスタT1
〜Tn は確実に同じ温度になるように各々制御されるの
で、本例のように設定温度入力部S1 〜Sn を同電圧と
することで、各部における温度のばらつきが生じないよ
うに多数の熱源となるトランジスタT1 〜Tn をそれぞ
れ制御し、分析計などの温度ドリフトの影響をなくすた
め、基盤全体を均一の温度となるようにすることが極め
て容易に行える。
[0029] By using the transistor temperature control circuit 1 'according to the above-described, it is possible to temperature control optionally the transistors T 1 through T n in each separate. Moreover,
Since each of the transistors T 1 to T n and the temperature control circuit 1 ′ are only connected by a pair of wires, the configuration can be simplified as much as possible. Further, each transistor T 1
Because through T n is in each controlled so as to ensure the same temperature, the set temperature input section S 1 to S n as in this embodiment by the same voltage, as variations in temperature does not occur in each part numerous heat source comprising a transistor T 1 through T n respectively control, to eliminate the influence of the temperature drift of such analyzers, it allows it to very easily to be the entire foundation and uniform temperature.

【0030】なお、本例では、温度の均一化を図るため
に設定温度入力部S1 〜Sn の電圧を同電圧としている
が、これを各々任意の温度に対応する電圧に設定しても
よいことは言うまでもない。また、複数のトランジスタ
を制御するのみならず、単一のトランジスタによる温調
回路1を集積化してもよい。
[0030] In the present example, the voltage of the set temperature input section S 1 to S n in order to achieve uniform temperature is the same voltage, setting each voltage corresponding to an arbitrary temperature this It goes without saying that it is good. In addition to controlling a plurality of transistors, the temperature control circuit 1 using a single transistor may be integrated.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ヒータとセンサを同一のトンランジスタとすることで、
発熱部の構成が単純になるだけでなく、センサ部と発熱
部との熱結合のばらつきなどの影響を受けることが全く
なくなる。つまり、センサ部および発熱部の取付け方法
や周りの環境などの影響を受けることなく、発熱部の温
度を一定にすることができる。また、前記トランジスタ
のベース電圧によって温度を測定する温度測定状態と、
制御電流をベースに供給する温度調整状態を短い周期で
交互に切り換えるように制御する場合には、トランジス
タのベース−エミッタ間の電圧の監視をベース電圧によ
って正確に行うことができ、正確に発熱量を調節するこ
とができる。そして、設定温度を変更するときはベース
電圧の設定値を変更することで極めて容易に行うことが
できる。
As described above, according to the present invention,
By using the same transistor as the heater and sensor,
Not only is the configuration of the heat generating portion simple, but also there is no influence from variations in thermal coupling between the sensor portion and the heat generating portion. That is, the temperature of the heat generating portion can be kept constant without being affected by the mounting method of the sensor portion and the heat generating portion or the surrounding environment. A temperature measurement state for measuring a temperature by a base voltage of the transistor;
In the case where the temperature control state for supplying the control current to the base is controlled so as to be alternately switched in a short cycle, the voltage between the base and the emitter of the transistor can be accurately monitored by the base voltage, and the heat generation amount can be accurately determined. Can be adjusted. When the set temperature is changed, it can be performed very easily by changing the set value of the base voltage.

【0032】さらに、前記温度測定状態が温度調整状態
に比べて充分に短くなるように切り換え制御する場合に
は、温度測定状態の間にトランジスタにより加熱される
ことを可及的に抑えることができる。そして、前記比較
結果の記憶および制御電圧の出力をオンオフ動作のデジ
タル制御によって行なう場合には、構成が簡素化できる
利点がある。
Further, when switching control is performed so that the temperature measurement state is sufficiently shorter than the temperature adjustment state, heating by the transistor during the temperature measurement state can be suppressed as much as possible. . When the storage of the comparison result and the output of the control voltage are performed by digital control of the on / off operation, there is an advantage that the configuration can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のトランジスタによる温調回路の一例を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a temperature control circuit using a transistor of the present invention.

【図2】前記トランジスタによる温調回路の変形例を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a modification of the temperature control circuit using the transistor.

【図3】前記トランジスタによる温調回路を用いた別の
変形例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing another modification using a temperature control circuit using the transistor.

【図4】従来のヒータを用いた温調回路の例を示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional temperature control circuit using a heater.

【図5】従来のトランジスタによる温調回路の例を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a conventional temperature control circuit using transistors.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…トランジスタによる温調回路、3…比較器、3o…
比較結果、4…記憶器、4o…ホールドされた比較結
果、5…発振器、6…ラッチ回路、Ib…制御電流、P
…切換え信号、Sw…スイッチ、T…トランジスタ、T
b…ベース、Te…エミッタ、T1 …温度測定状態、T
2 …温度調整状態、Vbe…ベース電圧、Vs…ベース
電圧の設定値。
1: Temperature control circuit using transistors, 3: Comparator, 3o ...
Comparison result, 4 ... Storage device, 4o ... Hold comparison result, 5 ... Oscillator, 6 ... Latch circuit, Ib ... Control current, P
... Switching signal, Sw ... Switch, T ... Transistor, T
b: base, Te: emitter, T 1 : temperature measurement state, T
2 ... temperature adjustment state, Vbe ... base voltage, Vs ... set value of base voltage.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 熱源としてトランジスタのコレクタ損失
による発熱を利用すると共に、トランジスタの温度フィ
ードバック制御を同一トランジスタのベース−エミッタ
間の電圧の監視によって行なうことを特徴とするトラン
ジスタによる温調方法。
1. A temperature control method using a transistor, wherein heat generated by a collector loss of a transistor is used as a heat source and temperature feedback control of the transistor is performed by monitoring a voltage between a base and an emitter of the same transistor.
【請求項2】 前記トランジスタのベースに電流を供給
し、このときのベース電圧を設定温度に対応するベース
電圧の設定値と比較して比較結果を記憶する温度測定状
態、および、記憶された比較結果を基にトランジスタが
設定温度に近づくようなコレクタ電流を流すための制御
電流をベースに供給する温度調整状態を短い周期で交互
に切り換えるように制御することによりトランジスタの
温度を設定温度に温調する請求項1に記載のトランジス
タによる温調方法。
2. A temperature measurement state in which a current is supplied to the base of the transistor, the base voltage at this time is compared with a set value of a base voltage corresponding to a set temperature, and a comparison result is stored, and the stored comparison is performed. Based on the results, the transistor temperature is controlled to the set temperature by controlling the temperature control state to supply the control current for flowing the collector current that approaches the set temperature to the base alternately in a short cycle. A temperature control method using a transistor according to claim 1.
【請求項3】 前記温度測定状態が温度調整状態に比べ
て充分に短くなるように切り換え制御する請求項2に記
載のトランジスタによる温調方法。
3. The method according to claim 2, wherein the switching control is performed such that the temperature measurement state is sufficiently shorter than the temperature adjustment state.
【請求項4】 前記比較結果の記憶および制御電圧の出
力をオンオフ動作のデジタル制御によって行なう請求項
2または3に記載のトランジスタによる温調方法。
4. The temperature control method according to claim 2, wherein the storing of the comparison result and the output of the control voltage are performed by digital control of an on / off operation.
【請求項5】 熱源としてコレクタ損失による発熱を利
用するトランジスタのベースに一定の電流を供給してベ
ース電圧を測定する温度測定状態と制御電流を供給する
温度調整状態を切り換えるスイッチと、温度測定状態に
おけるベース電圧を設定温度に対応するベース電圧の設
定値と比較する比較器と、温度測定状態から温度調整状
態に切り換わるときに比較結果をホールドすることで温
度調整状態においてホールドされた比較結果を基にトラ
ンジスタのベースへの制御電流を可変出力可能とする記
憶器と、前記スイッチおよび記憶部の状態を短い周期で
交互に切り換える切換え信号を供給する発振器とを有す
ることを特徴とするトランジスタによる温調回路。
5. A switch for switching between a temperature measurement state in which a constant current is supplied to a base of a transistor using a heat generated by a collector loss as a heat source to measure a base voltage and a temperature adjustment state in which a control current is supplied, and a temperature measurement state. And a comparator for comparing the base voltage at the set temperature with the set value of the base voltage corresponding to the set temperature, and holding the comparison result at the time of switching from the temperature measurement state to the temperature adjustment state to thereby hold the comparison result held in the temperature adjustment state. A memory for enabling the control current to be variably output to the base of the transistor, and an oscillator for supplying a switching signal for alternately switching the state of the switch and the memory in a short cycle. Tuning circuit.
【請求項6】 前記切換え信号が温度測定状態を温度調
整状態に比べて充分に短くするパルス信号である請求項
5に記載のトランジスタによる温調回路。
6. The transistor temperature control circuit according to claim 5, wherein the switching signal is a pulse signal for making the temperature measurement state sufficiently shorter than the temperature adjustment state.
【請求項7】 前記比較結果の記憶および制御電圧の出
力をラッチ回路によって行う請求項5または6に記載の
トランジスタによる温調回路。
7. The transistor temperature control circuit according to claim 5, wherein the comparison result is stored and the control voltage is output by a latch circuit.
JP8945998A 1998-03-17 1998-03-17 Temperature adjustment method by transistor and temperature adjustment circuit Pending JPH11265220A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8945998A JPH11265220A (en) 1998-03-17 1998-03-17 Temperature adjustment method by transistor and temperature adjustment circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8945998A JPH11265220A (en) 1998-03-17 1998-03-17 Temperature adjustment method by transistor and temperature adjustment circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11265220A true JPH11265220A (en) 1999-09-28

Family

ID=13971297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8945998A Pending JPH11265220A (en) 1998-03-17 1998-03-17 Temperature adjustment method by transistor and temperature adjustment circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11265220A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108319311A (en) * 2018-05-15 2018-07-24 高玉琴 Temperature controller
JP2022098457A (en) * 2020-12-21 2022-07-01 サムス カンパニー リミテッド Temperature adjustment apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108319311A (en) * 2018-05-15 2018-07-24 高玉琴 Temperature controller
CN108319311B (en) * 2018-05-15 2023-09-29 武汉本物科技股份有限公司 Temperature Controller
JP2022098457A (en) * 2020-12-21 2022-07-01 サムス カンパニー リミテッド Temperature adjustment apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2962129B2 (en) Semiconductor test equipment
JPH01114067A (en) Signal propagation delay control circuit
KR100521354B1 (en) System for compensating for temperature induced delay variation in an integrated circuit
JPWO2006035604A1 (en) Current consumption balance circuit, compensation current amount adjusting method, timing generator, and semiconductor test apparatus
US6433567B1 (en) CMOS integrated circuit and timing signal generator using same
JP2001124608A (en) Control system for thermal-type air flow meter
JPH11265220A (en) Temperature adjustment method by transistor and temperature adjustment circuit
JPH11308107A (en) Signal input device, controller and current controller for induction load
JP2001298160A (en) Integrated circuit
JPH1034938A (en) Temperature detecting and correcting circuit of substrate for ink jet recording
US20060119407A1 (en) Timing delay generator and method using temperature stabilisation
JP4295896B2 (en) CMOS integrated circuit and timing signal generator using the same
KR100337622B1 (en) Heat sensitive flow meter
JPH10122932A (en) Liquid level detecting device
JP3547042B2 (en) Control circuit of catalytic combustion type gas sensor
JP2003060489A (en) Circuit for compensating delay quantity
JPS6174773A (en) Temperature regulating circuit for soldering iron
US7541861B1 (en) Matching for time multiplexed transistors
JP2000035462A (en) Semiconductor test device
JPS58158518A (en) Device for measuring flow rate or flow speed
JPH11174091A (en) Current detecting circuit
JPS59773B2 (en) electronic thermometer
JPS60242372A (en) Thermal air speedometer
JPH09127184A (en) Thermal characteristic measuring method and measuring device for semiconductor element
JP2001215931A (en) Temperature compensating circuit for liquid crystal display element