JPH11242103A - Manufacture of microlens - Google Patents
Manufacture of microlensInfo
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- JPH11242103A JPH11242103A JP10043642A JP4364298A JPH11242103A JP H11242103 A JPH11242103 A JP H11242103A JP 10043642 A JP10043642 A JP 10043642A JP 4364298 A JP4364298 A JP 4364298A JP H11242103 A JPH11242103 A JP H11242103A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶プロジェクシ
ョン装置などに用いる透明基板上に複数のマイクロレン
ズを形成したマイクロレンズの製造方法に関するもので
あり、特にレンズ形状及び透過率の良好なマイクロレン
ズの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a microlens having a plurality of microlenses formed on a transparent substrate used for a liquid crystal projection device or the like, and more particularly to a method of manufacturing a microlens having a good lens shape and transmittance. It relates to a manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶プロジェクション装置などに用いる
マイクロレンズの形成に用いる感光性樹脂としては、ポ
ジ型感光性樹脂が用いられるが、例えば、ノボラック樹
脂を用いたポジ型感光性樹脂は、ＵＶ光照射によりＵＶ
光照射された部分がアルカリ可溶性となるために、その
部分が希アルカリ水溶液による現像により溶解除去され
パターン形成されるものである。そして、このノボラッ
ク樹脂を用いたポジ型感光性樹脂は、ＵＶ光照射に伴い
その部分の透過率が向上する性質を有するものである。2. Description of the Related Art A positive photosensitive resin is used as a photosensitive resin for forming a microlens used in a liquid crystal projection device. For example, a positive photosensitive resin using a novolak resin is irradiated with UV light. By UV
Since the portion irradiated with light becomes alkali-soluble, the portion is dissolved and removed by development with a dilute alkaline aqueous solution to form a pattern. The positive photosensitive resin using the novolak resin has such a property that the transmittance of the portion is improved with UV light irradiation.
【０００３】すなわち、このような感光性樹脂を使用し
パターン形成して、この形成されたパターンにＵＶ光照
射し、感光性樹脂の透過率を向上させ、その後に、加熱
することによってマイクロレンズを形成すれば、透過率
の向上したマイクロレンズが得られることになる。That is, a pattern is formed using such a photosensitive resin, and the formed pattern is irradiated with UV light to improve the transmittance of the photosensitive resin. If it is formed, a microlens with improved transmittance can be obtained.
【０００４】図３は、このような性質を示したものであ
り、図３において、（ｂ）はＵＶ光照射が行われない際
のマイクロレンズの透過率であり、また、（ａ）は適切
なＵＶ光照射が行われた際のマイクロレンズの透過率で
ある。FIG. 3 shows such a property. In FIG. 3, (b) shows the transmittance of the microlens when no UV light irradiation is performed, and (a) shows an appropriate value. This is the transmittance of the microlens when various UV light irradiations are performed.
【０００５】このように、ノボラック樹脂を用いたポジ
型感光性樹脂には、ＵＶ光照射によりその透過率を向上
させる性質があるので、ＵＶ光照射により感光性樹脂の
パターンの透過率が向上するものであるが、このＵＶ光
照射の照射量が少ないと透過率の向上が不十分なものと
なり、また、照射量が多いと透過率が更に僅かに向上す
る傾向にある。As described above, since the positive photosensitive resin using the novolak resin has a property of improving the transmittance by UV light irradiation, the transmittance of the pattern of the photosensitive resin is improved by UV light irradiation. However, when the irradiation amount of the UV light irradiation is small, the transmittance is insufficiently improved, and when the irradiation amount is large, the transmittance tends to be slightly further improved.
【０００６】しかし、このＵＶ光照射の照射量が多い
と、感光性樹脂のパターンの表面が硬化する傾向がみら
れ、このＵＶ光照射の後の加熱により形成するマイクロ
レンズの表面の断面形状が損なわれる傾向にある。すな
わち、元のパターンの断面形状である台形状の傾向を残
し留めるものとなる。However, when the irradiation amount of the UV light irradiation is large, the surface of the pattern of the photosensitive resin tends to be hardened, and the sectional shape of the surface of the microlens formed by heating after the irradiation of the UV light is reduced. Tends to be impaired. That is, the tendency of the trapezoidal shape, which is the cross-sectional shape of the original pattern, remains.
【０００７】図２（ハ）は、マイクロレンズの表面の断
面形状を示すものであるが、図２（ハ）に示すように、
円弧状（２４）のものである。しかし、透明基板上に感
光性樹脂を用いてパターンを形成し、このパターンにＵ
Ｖ光照射を行い、その後にパターンを加熱してマイクロ
レンズを形成するマイクロレンズの製造方法において
は、ＵＶ光照射の照射量が多いと、感光性樹脂のパター
ンの表面が硬化する傾向がみられ、このＵＶ光照射の後
の加熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状
が損なわれる傾向にある。図２（ロ）に示すように、マ
イクロレンズの表面の断面形状は必ずしも円弧状ではな
く、元のパターンの断面形状である台形状の傾向を残し
留めることがある。FIG. 2C shows a cross-sectional shape of the surface of the microlens. As shown in FIG.
It is of an arc shape (24). However, a pattern is formed on a transparent substrate using a photosensitive resin, and
In a microlens manufacturing method in which a microlens is formed by irradiating a V light and then heating the pattern, a large amount of UV light irradiation tends to cure the surface of the photosensitive resin pattern. The cross-sectional shape of the surface of the microlens formed by heating after the irradiation of the UV light tends to be impaired. As shown in FIG. 2B, the cross-sectional shape of the surface of the microlens is not necessarily arc-shaped, but may tend to remain trapezoidal, which is the cross-sectional shape of the original pattern.
【０００８】図２（イ）は、元のパターン（２２）の断
面形状を示すものであり、また、図２（ロ）は、元のパ
ターンの台形状の傾向を残し留めたマイクロレンズ（２
３）の表面の断面形状を示すものである。このようなマ
イクロレンズを用いて光を集光すると、その集光は乱れ
たものとなり、集光された光の光束の幅は大きくなりレ
ンズとしては集光効率を損なうものとなる。FIG. 2 (a) shows the cross-sectional shape of the original pattern (22), and FIG. 2 (b) shows the microlens (2) retaining the trapezoidal tendency of the original pattern.
It shows the cross-sectional shape of the surface of 3). When light is condensed using such a microlens, the condensed light is disturbed, the width of the light beam of the condensed light is increased, and the light collection efficiency is impaired as a lens.
【０００９】上記のような、マイクロレンズの透過率を
向上させ、且つパターンの表面を硬化させない適切なＵ
Ｖ光照射の照射量としては、感光性樹脂の膜厚１μｍあ
たり１４〜２０ｍｊ／ｃｍ2 （ａｔ３６５ｎｍ）程度の
ものである。[0009] As described above, a suitable U which improves the transmittance of the microlens and does not harden the surface of the pattern.
The irradiation amount of the V light irradiation is about 14 to 20 mj / cm 2 (at 365 nm) per 1 μm of the thickness of the photosensitive resin.
【００１０】しかし、このＵＶ光照射の照射量として
の、感光性樹脂の膜厚１μｍあたり約１４〜約２０ｍｊ
／ｃｍ2 （ａｔ３６５ｎｍ）の範囲は、実際の製造にお
いては、狭いものであり、上記の透過率及び断面形状を
再現よく、安定して量産を行うことは困難なものであ
る。However, the irradiation amount of the UV light is about 14 to about 20 mj per 1 μm of the thickness of the photosensitive resin.
The range of / cm 2 (at 365 nm) is narrow in actual production, and it is difficult to stably mass-produce the above-mentioned transmittance and cross-sectional shape with good reproducibility.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、透明基板上
に感光性樹脂を用いてパターンを形成し、このパターン
にＵＶ光照射を行い、その後にパターンを加熱してマイ
クロレンズを形成するマイクロレンズの製造方法におい
て、ＵＶ光照射によるマイクロレンズの透過率の向上
を、再現よく、安定して容易に量産することを可能と
し、また、加熱により形成するマイクロレンズの表面の
断面形状を、より円弧状に形成することを、再現よく、
安定して容易に量産することを可能とするマイクロレン
ズの製造方法を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method of forming a microlens by forming a pattern on a transparent substrate using a photosensitive resin, irradiating the pattern with UV light, and then heating the pattern. In the lens manufacturing method, it is possible to easily and stably mass-produce the improvement of the transmittance of the microlens by UV light irradiation with good reproducibility, and to improve the cross-sectional shape of the surface of the microlens formed by heating. Reproducing that it is formed in an arc shape,
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a microlens which enables stable mass production.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
感光性樹脂を用いてパターンを形成し、該パターンを加
熱することによりマイクロレンズを形成するマイクロレ
ンズの製造方法において、該パターンを形成した感光性
樹脂に、波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光を取り除いたＵ
Ｖ光を照射した後に、パターンを加熱してマイクロレン
ズを形成することを特徴とするマイクロレンズの製造方
法である。また、本発明は、上記発明のマイクロレンズ
の製造方法において、前記感光性樹脂がノボラック樹脂
を用いたポジ型感光性樹脂であることを特徴とするマイ
クロレンズの製造方法である。また、本発明は、上記発
明のマイクロレンズの製造方法において、前記ＵＶ光の
照射量が前記感光性樹脂の膜厚１μｍあたり約１４〜約
１４０ｍｊ／ｃｍ2 （ａｔ３６５ｎｍ）であることを特
徴とするマイクロレンズの製造方法である。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a microlens in which a pattern is formed on a transparent substrate using a photosensitive resin, and the pattern is heated to form a microlens. U formed by removing UV light having a wavelength of about 300 nm or less from the formed photosensitive resin.
A method of manufacturing a microlens, comprising heating a pattern and forming a microlens after irradiation with V light. Further, the present invention is the method for manufacturing a microlens according to the above-described method for manufacturing a microlens, wherein the photosensitive resin is a positive photosensitive resin using a novolak resin. Further, the present invention is characterized in that in the microlens manufacturing method according to the above invention, the irradiation amount of the UV light is about 14 to about 140 mj / cm 2 (at 365 nm) per 1 μm of the thickness of the photosensitive resin. This is a method for manufacturing a microlens.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下に本発明によるマイクロレン
ズの製造方法を、その実施形態に基づいて説明する。図
１（イ）〜（ヘ）は、本発明におけるマイクロレンズの
製造方法の一実施例を示す断面図である。図１（イ）に
おける基板（１）としては、透明ガラス基板（コーニン
グ（株）製、低膨張ガラス、品番１７３７）を用いた。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a microlens according to the present invention will be described based on its embodiments. 1A to 1F are cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a microlens according to the present invention. As the substrate (1) in FIG. 1A, a transparent glass substrate (low-expansion glass, product number 1737, manufactured by Corning Incorporated) was used.
【００１４】先ず、図１（ロ）に示すように、基板
（１）上に感光性樹脂（２）を塗布する。使用する感光
性樹脂としては、基板上に塗布した感光性樹脂へのパタ
ーン露光、及び現像処理によりパターン形成され、ま
た、パターン形成後の加熱によってマイクロレンズを形
成するものであり、基板との密着性、耐光性、耐湿性、
耐熱性などを有し、且つ十分な透過率を有するものが好
ましい。First, as shown in FIG. 1B, a photosensitive resin (2) is applied on a substrate (1). The photosensitive resin used is one that forms a pattern by pattern exposure and development processing on the photosensitive resin applied on the substrate, and forms a microlens by heating after pattern formation. Resistance, light resistance, moisture resistance,
Those having heat resistance and the like and having sufficient transmittance are preferable.
【００１５】このような感光性樹脂として、ノボラック
樹脂を用いたポジ型感光性樹脂がより好適なものであ
る。具体的には、感光性樹脂（２）は、ノボラック樹脂
を用いたポジ型感光性樹脂（東京応化工業（株）製、品
番ＴＭＲ−Ｐ３）を使用し、基板（１）上にスピンコー
ト法により乾燥後の膜厚が約３μｍになるように塗布し
た。塗布後に９０°Ｃ、９０秒のベーキングをおこなっ
た。As such a photosensitive resin, a positive photosensitive resin using a novolak resin is more preferable. Specifically, the photosensitive resin (2) uses a positive photosensitive resin (No. TMR-P3 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) using novolak resin, and is spin-coated on the substrate (1). And dried so that the film thickness after drying was about 3 μm. After the application, baking was performed at 90 ° C. for 90 seconds.
【００１６】次に、図１（ハ）に示すように、フォトマ
スク（３）を用いてＵＶ光照射（１０）により露光をお
こなう。光源には超高圧水銀灯を用いた。照射量として
は、感光性樹脂の膜厚１μｍあたり３３〜４０ｍｊ／ｃ
ｍ2 （ａｔ３６５ｎｍ）が適切なものである。露光後に
浸漬現像をおこない図１（ニ）に示すような感光性樹脂
のパターン（４）を形成した。現像液は指定現像液（東
京応化工業（株）製、品番ＮＭＤ−Ｗ（濃度２．５重量
％））を用いた。現像時間は３０〜５０秒が適切なもの
である。Next, as shown in FIG. 1C, exposure is performed by UV light irradiation (10) using a photomask (3). An ultra-high pressure mercury lamp was used as a light source. The irradiation amount is 33 to 40 mj / c per 1 μm of the photosensitive resin film thickness.
m 2 (at 365 nm) is appropriate. After the exposure, immersion development was performed to form a photosensitive resin pattern (4) as shown in FIG. As the developing solution, a designated developing solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., product number NMD-W (concentration: 2.5% by weight)) was used. An appropriate development time is 30 to 50 seconds.
【００１７】次に、図１（ホ）に示すように、感光性樹
脂のパターン（４）の全面に、波長約３００ｎｍ以下の
ＵＶ光を取り除いたＵＶ光照射（２０）をおこなった。
光源には超高圧水銀灯を用い、波長約３００ｎｍ以下の
ＵＶ光を取り除くフィルタ（３０）を用いた。照射量と
しては、感光性樹脂の膜厚１μｍあたり約１４〜約１４
０ｍｊ／ｃｍ2 （ａｔ３６５ｎｍ）が適切なものであ
る。波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光を取り除くフィルタ
としては、石英が適切なものである。Next, as shown in FIG. 1E, the entire surface of the photosensitive resin pattern (4) was irradiated with UV light (20) from which UV light having a wavelength of about 300 nm or less was removed.
An ultra-high pressure mercury lamp was used as a light source, and a filter (30) for removing UV light having a wavelength of about 300 nm or less was used. The irradiation amount is about 14 to about 14 per 1 μm of the photosensitive resin film thickness.
0 mj / cm 2 (at 365 nm) is appropriate. Quartz is a suitable filter for removing UV light having a wavelength of about 300 nm or less.
【００１８】前記のように、ノボラック樹脂を用いたポ
ジ型感光性樹脂には、ＵＶ光照射の照射量が多いと、感
光性樹脂のパターンの表面が硬化する傾向がみられ、こ
のＵＶ光照射の後の加熱により形成するマイクロレンズ
の表面の断面形状が損なわれる傾向にあるが、照射する
ＵＶ光の波長において、波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光
がパターンの表面を硬化させるのに大きく影響している
ものであり、照射するＵＶ光から、この波長約３００ｎ
ｍ以下のＵＶ光を取り除くことにより、パターンの表面
の硬化を防ぐことができ、またＵＶ照射量の適切な範囲
が拡大されてくるものとなる。As described above, a positive photosensitive resin using a novolak resin tends to cure the surface of the photosensitive resin pattern when a large amount of UV light irradiation is applied. The cross-sectional shape of the surface of the microlens formed by the subsequent heating tends to be impaired, but at the wavelength of the UV light to be irradiated, UV light having a wavelength of about 300 nm or less greatly affects the curing of the pattern surface. This wavelength is about 300n from UV light to be irradiated.
By removing UV light of m or less, curing of the surface of the pattern can be prevented, and the appropriate range of the amount of UV irradiation can be expanded.
【００１９】この際、波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光を
取り除いたＵＶ光は、マイクロレンズの透過率の向上に
影響するものではない。すなわち、波長約３００ｎｍ以
下のＵＶ光を取り除いたＵＶ光を、感光性樹脂の膜厚１
μｍあたり約１４〜約１４０ｍｊ／ｃｍ2 （ａｔ３６５
ｎｍ）の範囲の適切な照射量を与えることにより、ＵＶ
光照射によるマイクロレンズの透過率の向上を、再現よ
く、安定して容易に量産することを可能とし、また、加
熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状を、
より円弧状に形成することを、再現よく、安定して容易
に量産することを可能とするものである。At this time, the UV light from which the UV light having a wavelength of about 300 nm or less is removed does not affect the improvement of the transmittance of the microlens. That is, the UV light from which the UV light having a wavelength of about 300 nm or less has been removed is applied to the photosensitive resin film 1
about 14 to about 140 mj / cm 2 per μm (at 365
nm) by providing a suitable dose in the range
It is possible to easily and stably mass-produce the improvement of the transmittance of the microlens by light irradiation with good reproducibility, and the cross-sectional shape of the surface of the microlens formed by heating is improved.
It is possible to stably and easily mass-produce a more arcuate shape with good reproducibility.
【００２０】次に、ホットプレートを用い加熱処理をお
こない図１（ヘ）に示すように、マイクロレンズ（５）
を形成した。加熱処理の条件としては、約１５０〜１７
０°Ｃ、約２〜５分が適切なものである。Next, a heat treatment is performed using a hot plate, and as shown in FIG.
Was formed. The condition of the heat treatment is about 150 to 17
0 ° C. for about 2-5 minutes is suitable.
【００２１】得られたマイクロレンズの表面の断面形状
は、波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光を取り除いたＵＶ光
照射が適切な照射量であったことによって、良好な円弧
状に形成されている。また、得られたマイクロレンズの
透過率は、波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光を取り除いた
ＵＶ光照射が適切な照射量であったことによって、透過
率が向上したものとなっている。The cross-sectional shape of the surface of the obtained microlens is formed in a good arc shape due to the appropriate irradiation amount of the UV light from which the UV light having a wavelength of about 300 nm or less has been removed. Further, the transmittance of the obtained microlens is improved because the irradiation amount of UV light from which UV light having a wavelength of about 300 nm or less has been removed is an appropriate irradiation amount.
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
感光性樹脂を用いてパターンを形成し、パターンを加熱
することによりマイクロレンズを形成する際に、パター
ンを形成した感光性樹脂に、波長約３００ｎｍ以下のＵ
Ｖ光を取り除いたＵＶ光を照射した後に、パターンを加
熱してマイクロレンズを形成するので、ＵＶ光の照射量
が感光性樹脂の膜厚１μｍあたり約１４〜約１４０ｍｊ
／ｃｍ2 （ａｔ３６５ｎｍ）と広い範囲になり、ＵＶ光
照射によるマイクロレンズの透過率の向上を、再現よ
く、安定して容易に量産することが可能となり、また、
加熱により形成するマイクロレンズの表面の断面形状
を、より円弧状に形成することを、再現よく、安定して
容易に量産することが可能となる。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method for forming a pattern on a transparent substrate using a photosensitive resin, and heating the pattern to form a microlens. , U having a wavelength of about 300 nm or less
After irradiating with UV light from which V light has been removed, the pattern is heated to form microlenses, so that the amount of UV light irradiation is about 14 to about 140 mj per 1 μm of the thickness of the photosensitive resin.
/ Cm 2 (at 365 nm), which makes it possible to easily and stably mass-produce the improvement of the transmittance of the microlens by UV light irradiation with good reproducibility.
It is possible to stably and easily mass-produce the cross-sectional shape of the surface of the microlens formed by heating into a more arcuate shape with good reproducibility.
【図１】（イ）〜（ヘ）は、本発明によるマイクロレン
ズの製造方法の一実施例を示す断面図である。FIGS. 1A to 1F are cross-sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a microlens according to the present invention.
【図２】（イ）は、元のパターンの断面形状である。
（ロ）は、元のパターンの台形状の傾向を残し留めたマ
イクロレンズの表面の断面形状である。（ハ）は、マイ
クロレンズの円弧状表面の断面形状である。FIG. 2A is a cross-sectional shape of an original pattern.
(B) is a cross-sectional shape of the surface of the microlens while keeping the trapezoidal tendency of the original pattern. (C) is the cross-sectional shape of the arc surface of the microlens.
【図３】マイクロレンズの透過率を比較して説明する図
である。FIG. 3 is a diagram for explaining the transmittance of microlenses in comparison;
１…基板 ２…感光性樹脂 ３…フォトマスク ４…感光性樹脂のパターン ５…マイクロレンズ １０…ＵＶ光照射 ２０…波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光を取り除いたＵＶ
光照射 ２２…元のパターン ２３…台形状の傾向を残し留めたマイクロレンズ ２４…表面が円弧状のマイクロレンズ ３０…波長約３００ｎｍ以下のＵＶ光を取り除くフィル
タDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Photosensitive resin 3 ... Photomask 4 ... Photosensitive resin pattern 5 ... Microlens 10 ... UV light irradiation 20 ... UV from which UV light with a wavelength of about 300 nm or less was removed.
Light irradiation 22 ... Original pattern 23 ... Microlens with trapezoidal shape remaining 24 ... Microlens with arcuate surface 30 ... Filter for removing UV light with a wavelength of about 300 nm or less
Claims (3)
を形成し、該パターンを加熱することによりマイクロレ
ンズを形成するマイクロレンズの製造方法において、該
パターンを形成した感光性樹脂に、波長約３００ｎｍ以
下のＵＶ光を取り除いたＵＶ光を照射した後に、パター
ンを加熱してマイクロレンズを形成することを特徴とす
るマイクロレンズの製造方法。1. A method of manufacturing a microlens, wherein a pattern is formed on a transparent substrate using a photosensitive resin, and the pattern is heated to form a microlens. A method of manufacturing a microlens, comprising irradiating UV light from which UV light of about 300 nm or less has been removed and heating the pattern to form the microlens.
ポジ型感光性樹脂であることを特徴とする請求項１記載
のマイクロレンズの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein said photosensitive resin is a positive photosensitive resin using novolak resin.
厚１μｍあたり約１４〜約１４０ｍｊ／ｃｍ2 （ａｔ３
６５ｎｍ）であることを特徴とする請求項１、又は請求
項２記載のマイクロレンズの製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the irradiation amount of the UV light is about 14 to about 140 mj / cm 2 (at3
3. The method for producing a microlens according to claim 1, wherein the thickness is 65 nm).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043642A JPH11242103A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Manufacture of microlens |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043642A JPH11242103A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Manufacture of microlens |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242103A true JPH11242103A (en) | 1999-09-07 |
Family
ID=12669534
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10043642A Pending JPH11242103A (en) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | Manufacture of microlens |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11242103A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531266B1 (en) * | 2001-03-16 | 2003-03-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Rework procedure for the microlens element of a CMOS image sensor |
| CN100454070C (en) * | 2005-09-02 | 2009-01-21 | 亚洲光学股份有限公司 | Micro-lens and method for manufacturing the same |
| JP2010267683A (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sharp Corp | Lens forming method, method of manufacturing semiconductor device and electronic information device |
| JP2012525996A (en) * | 2009-05-05 | 2012-10-25 | セッコ ゲーエムベーハー | Method for making an object with a structured surface |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP10043642A patent/JPH11242103A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531266B1 (en) * | 2001-03-16 | 2003-03-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Rework procedure for the microlens element of a CMOS image sensor |
| CN100454070C (en) * | 2005-09-02 | 2009-01-21 | 亚洲光学股份有限公司 | Micro-lens and method for manufacturing the same |
| JP2012525996A (en) * | 2009-05-05 | 2012-10-25 | セッコ ゲーエムベーハー | Method for making an object with a structured surface |
| JP2010267683A (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sharp Corp | Lens forming method, method of manufacturing semiconductor device and electronic information device |
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