JPH11233279A - Lighting device for illumination and lamp using the same - Google Patents

Lighting device for illumination and lamp using the same

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JPH11233279A
JPH11233279A JP10013763A JP1376398A JPH11233279A JP H11233279 A JPH11233279 A JP H11233279A JP 10013763 A JP10013763 A JP 10013763A JP 1376398 A JP1376398 A JP 1376398A JP H11233279 A JPH11233279 A JP H11233279A
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lighting
power semiconductor
lighting device
capacitor
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Hiroyuki Shoji
浩幸 庄司
Hideki Miyazaki
英樹 宮崎
Yuichi Minamimura
雄一 南村
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Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small and cheap device whose operation is stable even in high frequency by connecting a resonance means, a first, and a second voltage drop means to a bridge input/output terminal in series and by applying the voltage of the first and second voltage drop means to control terminals of two power semiconductor devices as antiphase signals. SOLUTION: A pair of switching elements Q1, Q2 connected in series are connected across a positive electrode and a negative electrode of a voltage source 15 and provided with a connecting point N between connecting points O, Q2 and the voltage source 15. Voltage drop means Z1, Z2, a resonance inductor Lr, and a capacitor Cr are connected in series between the connecting points O, N and a discharge tube 16 is provided in series to the capacitor Cr as a load. A gating circuit for the switching elements Q1, Q2 is so switching controlled that the voltage generated by flowing of the current of the resonance load circuit to the voltage drop means Z1, Z2 is applied to the gate. The voltage of the voltage drop means Z1, Z2 is the reversed polarity with the connecting points O, N set to the standards so that the self-excited drive by the resonance frequency is sustained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は放電管の点灯装置に
関する。
The present invention relates to a lighting device for a discharge tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、放電管(例えば、蛍光灯)では、
インバータを用いた点灯回路により直流電圧を高周波交
流電圧に変換して放電管を含む共振負荷回路に印加する
方式が増えている。共振負荷回路には共振周波数を設定
する共振用インダクタ及び共振用キャパシタが含まれて
いる。こうした点灯回路は、直流電源の正負極間にハー
フブリッジ構造に接続された2つのパワー半導体スイッ
チング素子からなるインバータ回路で、上記の高周波交
流電圧を共振負荷回路の両端に印加する。共振負荷回路
に流れる電流(以後、共振電流と呼ぶ)の波形は、イン
ダクタとキャパシタによって共振し、正弦波状となる。
この共振電流はインバータの動作周波数を変えることに
よって制御する。
2. Description of the Related Art In recent years, in a discharge tube (for example, a fluorescent lamp),
2. Description of the Related Art A method of converting a DC voltage into a high-frequency AC voltage by a lighting circuit using an inverter and applying the converted DC voltage to a resonance load circuit including a discharge tube is increasing. The resonance load circuit includes a resonance inductor and a resonance capacitor for setting a resonance frequency. Such a lighting circuit is an inverter circuit composed of two power semiconductor switching elements connected in a half-bridge structure between the positive and negative electrodes of a DC power supply, and applies the high-frequency AC voltage to both ends of a resonance load circuit. The waveform of the current flowing through the resonance load circuit (hereinafter referred to as resonance current) resonates with the inductor and the capacitor, and becomes a sine wave.
This resonance current is controlled by changing the operating frequency of the inverter.

【0003】スイッチング素子の駆動周波数を安定化さ
せる従来例として、特開平8−45685号に開示される安定
回路がある。この回路は、放電ランプを含む共振負荷回
路に交流電圧を供給するハーフブリッジ回路を備え、共
振電流の一部をキャパシタンスと帰還トランスに分流
し、この帰還トランスの二次側電圧に応じてハーフブリ
ッジ回路のハイサイドとローサイドのスイッチング素子
に制御信号を与える。この従来例は、通常の蛍光ランプ
と異なり、フィラメントを備えず、励起コイルから放出
する磁力線でプラズマを発生させる無電極蛍光ランプの
点灯装置について述べている。無電極ランプは、ソレノ
イド形状の励起コイルに数MHzの高周波電流を供給し
磁力線を放出させ、バルブ内部に誘導放電で発生したイ
オンを磁力線からの電磁結合で閉ループ状の放電電流
(プラズマ)に形成する。プラズマ中の水銀蒸気は誘導
電界によって励起させ、紫外線を放射し、管内面に塗布
された蛍光体に当てて可視光に変換する。
As a conventional example for stabilizing the driving frequency of a switching element, there is a stabilizing circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-45685. This circuit has a half-bridge circuit that supplies an AC voltage to a resonance load circuit including a discharge lamp, shunts a part of the resonance current to a capacitance and a feedback transformer, and performs a half-bridge according to the secondary voltage of the feedback transformer. Control signals are applied to the high-side and low-side switching elements of the circuit. This conventional example describes a lighting device for an electrodeless fluorescent lamp that does not include a filament and generates plasma with magnetic lines of force emitted from an excitation coil, unlike an ordinary fluorescent lamp. Electrodeless lamps supply a high-frequency current of several MHz to a solenoid-shaped excitation coil to emit magnetic field lines, and form ions generated by induction discharge inside the bulb into a closed-loop discharge current (plasma) by electromagnetic coupling from the magnetic field lines. I do. The mercury vapor in the plasma is excited by an induced electric field, emits ultraviolet light, and is applied to a phosphor applied on the inner surface of the tube to be converted into visible light.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記従来例は、共振電
流と同じ周波数の制御信号が帰還トランスによってハー
フブリッジ回路に供給される。すなわち、外部から信号
を与えなくてもハーフブリッジ回路の動作が持続する自
励型の回路であり、特に高周波の動作に適している。し
かしながら、帰還トランスには自己インダクタンスが存
在するため、制御信号と共振電流の間に位相差が生じる
他、制御信号の周波数が適正値からずれることも有りう
る。この位相差や周波数が適正値からずれると、ハーフ
ブリッジ回路に貫通電流が流れて損失の増加を招く恐れ
がある。そこで、本発明が解決する第一の課題は、高周
波動作において安定な点灯回路手段を提供することであ
る。また、従来例が制御対象とした無電極蛍光ランプは
励起コイルを備えており、この励起コイルを共振用のイ
ンダクタとして使用できれば、部品コストを削減し、回
路の小型化にも効果的である。しかしながら、励起コイ
ルの等価インダクタンスはプラズマの影響を受け、ラン
プの発光状態に応じてその値が異なる。そこで、本発明
の第二の課題は、無電極蛍光ランプの励起コイルを共振
用のインダクタとして使用できる点灯回路を実現するこ
とである。
In the above conventional example, a control signal having the same frequency as the resonance current is supplied to the half bridge circuit by a feedback transformer. In other words, the circuit is a self-excited circuit in which the operation of the half-bridge circuit continues even when no signal is externally supplied, and is particularly suitable for high-frequency operation. However, since the feedback transformer has a self-inductance, a phase difference occurs between the control signal and the resonance current, and the frequency of the control signal may deviate from an appropriate value. If the phase difference and the frequency deviate from appropriate values, a through current may flow through the half-bridge circuit, causing an increase in loss. Therefore, a first problem to be solved by the present invention is to provide lighting circuit means that is stable in high-frequency operation. Further, the electrodeless fluorescent lamp which is controlled in the conventional example is provided with an excitation coil, and if this excitation coil can be used as a resonance inductor, it is effective in reducing parts cost and miniaturizing a circuit. However, the equivalent inductance of the excitation coil is affected by the plasma, and its value varies depending on the light emission state of the lamp. Therefore, a second object of the present invention is to realize a lighting circuit in which an excitation coil of an electrodeless fluorescent lamp can be used as a resonance inductor.

【0005】このように、本発明の目的は放電管の点灯
装置において、高周波においても動作が安定し、かつ小
型で安価な点灯装置を提供することにある。
As described above, an object of the present invention is to provide a compact and inexpensive lighting device for a discharge tube lighting device, which operates stably even at a high frequency.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、ブリ
ッジ接続された2つのパワー半導体素子のスイッチング
に応じて、インダクタ、及びキャパシタを備えた共振手
段に交流電圧を印加し、前記インダクタ、或いはキャパ
シタのいずれか一方に接続された放電管に交流電流を供
給する照明用点灯装置において、前記ブリッジの入出力
端子に、前記共振手段と第1,第2の電圧降下手段を直
列に接続すると共に、前記第1,第2の電圧降下手段の
電圧を、逆位相の信号として、前記2つのパワー半導体
素子の制御端子に印加することにより達成できる。
In order to solve the above-mentioned problem, an AC voltage is applied to resonance means having an inductor and a capacitor in response to switching of two bridge-connected power semiconductor elements, and the inductor or the inductor is connected. In a lighting device for supplying an alternating current to a discharge tube connected to one of the capacitors, the resonance means and the first and second voltage drop means are connected in series to an input / output terminal of the bridge. This can be achieved by applying the voltages of the first and second voltage drop means as opposite phase signals to the control terminals of the two power semiconductor elements.

【0007】また、無電極蛍光ランプの励起コイルを共
振用のインダクタとして使用する課題は、2つのパワー
半導体素子を備えたブリッジ回路と、該ブリッジ回路の
入出力端子間に、キャパシタと、前記励起コイルと、第
1,第2の電圧降下手段を直列に接続すると共に、前記
第1,第2の電圧降下手段の電圧を第1,第2の位相シ
フト手段を介し、逆位相の信号として、前記2つのパワ
ー半導体素子の制御端子に印加することにより達成でき
る。
Another problem of using an excitation coil of an electrodeless fluorescent lamp as an inductor for resonance is a bridge circuit having two power semiconductor elements, a capacitor between the input / output terminals of the bridge circuit, and the excitation circuit. The coil and the first and second voltage drop means are connected in series, and the voltages of the first and second voltage drop means are passed through the first and second phase shift means as signals of opposite phases. This can be achieved by applying the voltage to the control terminals of the two power semiconductor elements.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図1は、放電管16に交流電流を
供給するための点灯回路である。放電管16は、主に無
電極蛍光ランプを対象としている。電圧源15は、放電
管16の点灯回路に直流電圧を供給する。通常、電圧源
15は、交流電圧をダイオードブリッジで構成される整
流回路で整流し、直流電圧を発生する。一対の直列に接
続されたスイッチング素子Q1,Q2は電圧源15の正
電極と負電極間に接続され、それらのスイッチの接続点
をOとし、Q2と電圧源15の負電極の接続点をNとす
る。O点とN点の間には電圧降下手段Z1,Z2,共振
用インダクタLr,共振用キャパシタCrを直列に接続
し、Crには並列に負荷として放電管(或いは蛍光ラン
プ)16を備える。これらは共振負荷回路を構成してお
り、共振負荷回路の電流の周波数は各々の値によって決
まる。共振負荷回路には、スイッチング素子であるQ
1,Q2の交互スイッチング動作によって双方向電流を
流し、放電管を点灯させる。スイッチング素子Q1,Q
2は例えばnチャネルのMOSFETであり、電流を入力する
ドレイン端子,電流を出力するソース端子、及び制御電
圧を印加或いは除去されるゲート端子を備え、ゲ−ト端
子に制御電圧を印加或いは除去されることによりドレイ
ン,ソース間に流れる電流を通流、或いは遮断する。MO
SFETはソース端子からドレイン端子に向かう方向にダイ
オードを内蔵しており、以後Q1が内蔵するダイオード
をQD1,Q2が内蔵するダイオードをQD2とする。
図1において、スイッチング素子Q1,Q2のゲート回
路は共振負荷回路のそれぞれ電圧降下手段Z1,Z2で
あり、Z1,Z2に共振負荷回路の電流が流れることに
よって生じる電圧をゲートに印加し、スイッチング素子
Q1,Q2のスイッチング動作を制御する。共振負荷回
路の電流によって生じる電圧降下手段Z1,Z2の電圧
は、それぞれO点とN点を基準にすると逆極性であるの
で、スイッチング素子Q1,Q2は交互スイッチング動
作を行う。これにより、共振負荷回路の電流の周波数に
同期した自励駆動が持続される。
FIG. 1 shows a lighting circuit for supplying an alternating current to a discharge tube 16. The discharge tube 16 is mainly intended for an electrodeless fluorescent lamp. The voltage source 15 supplies a DC voltage to the lighting circuit of the discharge tube 16. Normally, the voltage source 15 rectifies an AC voltage with a rectifier circuit composed of a diode bridge to generate a DC voltage. A pair of switching elements Q1 and Q2 connected in series are connected between the positive electrode and the negative electrode of the voltage source 15, the connection point between the switches is O, and the connection point between Q2 and the negative electrode of the voltage source 15 is N. And Voltage drop means Z1, Z2, a resonance inductor Lr, and a resonance capacitor Cr are connected in series between points O and N, and a discharge tube (or fluorescent lamp) 16 is provided in parallel with Cr as a load. These constitute a resonance load circuit, and the frequency of the current of the resonance load circuit is determined by each value. The resonant load circuit includes a switching element Q
A bidirectional current is caused to flow by the alternating switching operation of 1 and Q2 to light the discharge tube. Switching elements Q1, Q
Reference numeral 2 denotes, for example, an n-channel MOSFET having a drain terminal for inputting a current, a source terminal for outputting a current, and a gate terminal to which a control voltage is applied or removed, and to which a control voltage is applied or removed to a gate terminal. As a result, the current flowing between the drain and the source flows or is cut off. MO
The SFET has a built-in diode in the direction from the source terminal to the drain terminal. Hereinafter, the diode built in Q1 is referred to as QD1 and the diode built in Q2 is referred to as QD2.
In FIG. 1, the gate circuits of the switching elements Q1 and Q2 are voltage drop means Z1 and Z2, respectively, of the resonance load circuit, and apply a voltage generated by flowing the current of the resonance load circuit to Z1 and Z2 to the gate. The switching operation of Q1 and Q2 is controlled. Since the voltages of the voltage drop means Z1 and Z2 generated by the current of the resonant load circuit have opposite polarities with respect to the points O and N, the switching elements Q1 and Q2 perform alternate switching operations. Thereby, the self-excited driving synchronized with the frequency of the current of the resonance load circuit is maintained.

【0009】図1の回路で、スイッチング素子Q1,Q
2のオン,オフのタイミングは電圧降下手段Z1,Z2
によって決まり、放電管の明るさを調整するには、Z
1,Z2の値を選定する方法がとられる。ここで、放電
管の明るさを調整するには、共振電流ILの大きさを変
えることで達成できる。点灯回路のスイッチング周波数
fが共振用インダクタと共振用キャパシタで決まる共振
周波数foに対して高周波になるほど、電流ILは減少
する。この原理に基づき、点灯装置ではスイッチング周
波数fを制御して調光を行っている。たとえば、電流I
Lを小さくするには、スイッチング素子の導通期間を短
くし、スイッチング周波数が高くなるように設定すれば
よい。前述のように図1では電圧降下手段で放電管の明
るさを調整するが、更に調整手段を備えた点灯回路を図
2に示す。図1と図2で、同様の部品については、図1
で前述しており、ここでの説明は省略する。図1でスイ
ッチング素子Q1,Q2のゲート回路は共振負荷回路の
それぞれ電圧降下手段Z1,Z2であったが、図2にお
いて、スイッチング素子Q1,Q2のゲート端子とそれ
ぞれ電圧降下手段Z1,Z2の間には、それぞれ位相シ
フト手段Z3,Z4を備えている。この位相シフト手段
は電圧降下手段の電圧をQ1,Q2のゲート,ソース間
に印加する際に位相遅れ又は進みを与える役割を果た
す。このような方法で、Q1,Q2のオン,オフのタイ
ミングを任意に調整することができ、調光が可能にな
る。
In the circuit of FIG. 1, switching elements Q1, Q
2 are turned on and off at the voltage drop means Z1 and Z2.
To adjust the brightness of the discharge tube, Z
A method of selecting the values of 1, Z2 is used. Here, the brightness of the discharge tube can be adjusted by changing the magnitude of the resonance current IL. As the switching frequency f of the lighting circuit becomes higher than the resonance frequency fo determined by the resonance inductor and the resonance capacitor, the current IL decreases. Based on this principle, the lighting device performs dimming by controlling the switching frequency f. For example, the current I
In order to reduce L, the conduction period of the switching element may be shortened and the switching frequency may be set higher. As described above, in FIG. 1, the brightness of the discharge tube is adjusted by the voltage drop means. FIG. 2 shows a lighting circuit further provided with the adjustment means. 1 and FIG. 2, the same parts are shown in FIG.
And the description is omitted here. In FIG. 1, the gate circuits of the switching elements Q1 and Q2 are the voltage drop means Z1 and Z2, respectively, of the resonance load circuit. In FIG. 2, however, between the gate terminals of the switching elements Q1 and Q2 and the voltage drop means Z1 and Z2, respectively. Are provided with phase shift means Z3 and Z4, respectively. The phase shift means plays a role of giving a phase delay or advance when applying the voltage of the voltage drop means between the gate and the source of Q1 and Q2. In this way, the on and off timings of Q1 and Q2 can be arbitrarily adjusted, and dimming becomes possible.

【0010】図2において、電圧降下手段Z1,Z2及
び位相シフト手段Z3,Z4は例えばキャパシタ,イン
ダクタ,抵抗、又はこれらを組み合わせた構成であり、
図3に電圧降下手段Z1,Z2と位相シフト手段Z3,
Z4に受動素子を用いた具体的な点灯回路の実施例を示
す。この実施例では、電圧降下手段であるキャパシタC
1を接続点Oと共振用インダクタLrの間に備えると共
に、キャパシタC2を共振用キャパシタCrと接続点N
の間にそれぞれ設けている。C1とC2にはそれぞれ並
列に抵抗R1,R2が接続されており、C1,C2の電
圧に重畳する直流成分を決め、抵抗値を小さく選ぶ程、
キャパシタの電圧は零ボルトを基準に同じ振幅で変化す
る。キャパシタC1の一端とQ1のゲート端子間には位
相シフト手段としてインダクタL1と抵抗Rd1を直列
に備え、同様に、電圧降下手段C2の一端とQ2のゲー
ト端子間にはインダクタL2と抵抗Rd2を直列に接続
した位相シフト手段を備える。L1とRd1は、C1の
電圧がQ1のゲート,ソース間に印加される際に位相遅
れを与える。同様にL2とRd2もC2の電圧がQ2の
ゲート,ソース間に印加される際に位相遅れを与える。
Q1のゲート,ソース間には、直列に反対方向で結合さ
れたツェナーダイオードZD5,ZD6を並列に設けて
いる。同様にQ2のゲート,ソース間にも、ツェナーダ
イオードZD7,ZD8を並列に設けている。これらは
ゲート,ソース間に過電圧が印加された場合、スイッチ
ング素子の破壊を防ぐ働きをする。MOSFETには既にゲー
ト過電圧保護用のツェナーダイオードが内蔵されている
ものもあり、このようなスイッチング素子を選んだ場合
は、前述のツェナーダイオードを外した構成でもよい。
In FIG. 2, the voltage drop means Z1, Z2 and the phase shift means Z3, Z4 are, for example, capacitors, inductors, resistors, or a combination thereof.
FIG. 3 shows voltage drop means Z1 and Z2 and phase shift means Z3.
An example of a specific lighting circuit using a passive element for Z4 will be described. In this embodiment, a capacitor C as a voltage drop means is used.
1 is provided between the connection point O and the resonance inductor Lr, and the capacitor C2 is connected to the resonance capacitor Cr and the connection point N.
Are provided between them. Resistors R1 and R2 are connected in parallel to C1 and C2, respectively. A DC component to be superimposed on the voltages of C1 and C2 is determined.
The voltage of the capacitor varies with the same amplitude with respect to zero volts. An inductor L1 and a resistor Rd1 are provided in series between one end of the capacitor C1 and the gate terminal of Q1 as a phase shift means. Similarly, an inductor L2 and a resistor Rd2 are connected in series between one end of the voltage drop means C2 and the gate terminal of Q2. And a phase shift means connected to the power supply. L1 and Rd1 give a phase delay when the voltage of C1 is applied between the gate and source of Q1. Similarly, L2 and Rd2 also give a phase delay when the voltage of C2 is applied between the gate and source of Q2.
Zener diodes ZD5 and ZD6 coupled in series in opposite directions are provided in parallel between the gate and source of Q1. Similarly, Zener diodes ZD7 and ZD8 are provided in parallel between the gate and source of Q2. These function to prevent the destruction of the switching element when an overvoltage is applied between the gate and the source. Some MOSFETs already have a built-in Zener diode for gate overvoltage protection. When such a switching element is selected, the above-mentioned Zener diode may be removed.

【0011】図3でQ1,Q2が交互スイッチング動作
を行うには、動作を開始するための回路が必要であり、
次に始動回路について説明する。始動回路は、電圧源1
5の正電極と負電極間に抵抗Rs1,Rs2及び始動用
キャパシタCsを直列に接続し、Rs1とRs2の接続
点はQ1,Q2の接続点Oと接続される。キャパシタC
sは電圧源15から抵抗Rs1,Rs2を通して始動電
圧に充電される。Rs2とCsの接続点とQ2のゲート端
子間にはブレークオーバ電圧形のスイッチとして、例え
ば“SIDAC”(Silicon Diode for Alternating Cur
rent)と呼ばれる2方向(bi-directional)のサイリス
タ17を備える。これらの始動回路において、始動用キ
ャパシタCsの電圧がSIDAC17 のブレークオーバ電圧以
下では、SIDAC17 はオフ状態にあり、共振用キャパシタ
Crは電圧源15から抵抗Rs1を介して充電される。
始動用キャパシタCsの電圧がSIDAC17 のブレークオー
バ電圧に達すると、SIDAC17がオン状態に変わり、Cs
の蓄積電荷はSIDAC17を介してQ2のゲート,ソース間
容量に移動する。これにより、Q2がオンし、共振用キ
ャパシタCrの充電電圧によって負荷共振回路に電流が
流れ、Q1,Q2は交互にスイッチング動作を始める。
ここで、定常動作状態では、始動回路の働きを抑えるた
め、始動用キャパシタCsの電圧をSIDAC17 のブレーク
オーバ電圧以下にする必要がある。定常動作状態におい
て、Q1,Q2の接続点Oの電圧は、電圧源15の正電
極と負電極を交互に繰り返すので、Csの電圧がSIDAC1
7 のブレークオーバ電圧以下になるように、抵抗Rs2
とCsの時定数を設定する。
In FIG. 3, in order for Q1 and Q2 to perform an alternate switching operation, a circuit for starting the operation is required.
Next, the starting circuit will be described. The starting circuit is a voltage source 1
The resistors Rs1 and Rs2 and the starting capacitor Cs are connected in series between the positive electrode and the negative electrode of No. 5, and the connection point between Rs1 and Rs2 is connected to the connection point O between Q1 and Q2. Capacitor C
s is charged to the starting voltage from the voltage source 15 through the resistors Rs1 and Rs2. As a switch breakover voltage forms between Rs2 and connection points of the Cs and Q2 the gate terminal of, for example, "SIDAC" (S ilicon D iode for A lternating C ur
It includes a bi-directional thyristor 17 called a rent. In these starting circuits, when the voltage of the starting capacitor Cs is equal to or lower than the breakover voltage of SIDAC17, SIDAC17 is off and the resonance capacitor Cr is charged from the voltage source 15 via the resistor Rs1.
When the voltage of the starting capacitor Cs reaches the breakover voltage of SIDAC17, SIDAC17 turns on and Cs
The stored charge of Q2 moves to the gate-source capacitance of Q2 via SIDAC17. As a result, Q2 is turned on, a current flows through the load resonance circuit by the charging voltage of the resonance capacitor Cr, and Q1 and Q2 start switching operations alternately.
Here, in a steady operation state, the voltage of the starting capacitor Cs needs to be lower than the breakover voltage of SIDAC17 in order to suppress the operation of the starting circuit. In the steady operation state, the voltage at the connection point O of Q1 and Q2 alternates between the positive electrode and the negative electrode of the voltage source 15, so that the voltage of Cs becomes SIDAC1.
Resistance Rs2 so as to be equal to or lower than the breakover voltage of
And the time constant of Cs.

【0012】次にゲート回路について詳細に説明する。
ここではハイサイド側のゲート回路を用いることにす
る。ゲート回路を等価的に表すと、それぞれスイッチン
グ素子に接続されているツェナーダイオードの状態によ
って区別される。図4は、ツェナーダイオードがオンし
ている場合の等価回路であり、ツェナーダイオードの内
部抵抗をRzとすると位相シフト手段L1,Rd1と直
列に接続された構成になる。図4において、Rzと位相
シフト手段Rd1,L1の合成インピーダンスZgは誘
導性である。この場合、接続点Oを基準にしたキャパシ
タC1の電圧Vc1に対し、L1,Rd1,Rzの経路
で流れる電流igは、遅れ位相になる。これに対し、ツ
ェナーダイオードがオフしている場合は図5のような等
価回路であり、Q1の入力容量をCissとするとCi
ssは位相シフト手段L1,Rd1と直列接続された構
成になる。図5で、Ciss,L1,Rd1の合成イン
ピーダンスZgは、CissとL1の大きさ及び周波数
の関係から容量性又は誘導性、もしくはCissとL1
のリアクタンスが同じ値になった場合は、抵抗分だけに
なる。したがって、Ciss,L1,Rd1からなるイ
ンピーダンスZgに流れる電流igは、接続点Oを基準
にしたC1の電圧Vc1に対し、進み又は遅れ、もしく
は同相の位相になる。
Next, the gate circuit will be described in detail.
Here, a high-side gate circuit is used. When the gate circuits are equivalently expressed, they are distinguished by the states of the Zener diodes connected to the respective switching elements. FIG. 4 is an equivalent circuit when the Zener diode is turned on. When the internal resistance of the Zener diode is Rz, the configuration is such that the Zener diode is connected in series with the phase shift means L1 and Rd1. In FIG. 4, Rz and the combined impedance Zg of the phase shift means Rd1 and L1 are inductive. In this case, the current ig flowing through the paths of L1, Rd1, and Rz has a lag phase with respect to the voltage Vc1 of the capacitor C1 based on the connection point O. On the other hand, when the Zener diode is off, the equivalent circuit is as shown in FIG. 5, and when the input capacitance of Q1 is Ciss, the equivalent circuit is Ci.
ss is configured to be connected in series with the phase shift means L1 and Rd1. In FIG. 5, the combined impedance Zg of Ciss, L1 and Rd1 is capacitive or inductive from the relationship between the magnitude and frequency of Ciss and L1, or Ciss and L1.
If the reactances of the two become the same value, only the resistance is obtained. Therefore, the current ig flowing through the impedance Zg composed of Ciss, L1 and Rd1 is advanced or delayed or in phase with respect to the voltage Vc1 of C1 based on the connection point O.

【0013】ここで、図3のような点灯回路では放電管
16の点灯状態によって負荷共振回路に流れる電流の最
大値が異なる。放電管が点灯していない状態において
は、回路に流れる電流は大きくなるため、キャパシタC
1,C2の電圧Vc1,Vc2は増加する。Q1に接続
されたツェナーダイオードのツェナー電圧をVzとし、
Vc1がVzを超えるとツェナーダイオードはオン状態
となり、ゲート回路は図4のような等価回路になる。放
電管が点灯後は回路に流れる電流は小さくなるため、キ
ャパシタC1,C2の電圧Vc1,Vc2は減少する。
Vc1,Vc2がVz以下であれば、ゲート回路は図5
のような等価回路になる。ここで、Cissの電圧はQ1の
ゲート,ソース間電圧であり、L1,Rd1,Ciss
の経路で流れる電流よりもπ/2[rad] 遅れた波形に
なる。次に共振負荷回路に流れる電流をiLとし、C1
の電圧をvc、ゲート,ソース間電圧vgを式で表すと
以下のようになる。
In the lighting circuit shown in FIG. 3, the maximum value of the current flowing through the load resonance circuit differs depending on the lighting state of the discharge tube 16. When the discharge tube is not lit, the current flowing through the circuit is large, so that the capacitor C
1, C2 voltages Vc1 and Vc2 increase. Let the Zener voltage of the Zener diode connected to Q1 be Vz,
When Vc1 exceeds Vz, the Zener diode is turned on, and the gate circuit becomes an equivalent circuit as shown in FIG. After the discharge tube is turned on, the current flowing through the circuit becomes smaller, so that the voltages Vc1 and Vc2 of the capacitors C1 and C2 decrease.
If Vc1 and Vc2 are equal to or lower than Vz, the gate circuit is configured as shown in FIG.
The equivalent circuit is as follows. Here, the voltage of Ciss is the voltage between the gate and the source of Q1, and L1, Rd1, Ciss
The waveform is delayed by π / 2 [rad] from the current flowing through the path. Next, the current flowing through the resonance load circuit is defined as iL, and C1
Is expressed as vc, and the voltage vg between the gate and the source is expressed as follows.

【0014】[0014]

【数1】 (Equation 1)

【0015】ここで、図5の合成インピーダンスはZ、
図5のCiss,L1,Rd1からなるインピーダンス
はZgで表しており、iLとvcの位相差をφz,iL
とvgの位相差をφgとしている。φzは電圧降下手段
Z1,Z2及び位相シフト手段Z3,Z4のインピーダ
ンスによって異なる。また、φgも前述のようにゲート
回路のCiss,L1,Rd1からなるインピーダンス
Zgの特性によって正又は負の値となる。
Here, the combined impedance of FIG.
The impedance consisting of Ciss, L1 and Rd1 in FIG. 5 is represented by Zg, and the phase difference between iL and vc is φz, iL
And vg is represented by φg. φz differs depending on the impedance of the voltage drop means Z1, Z2 and the phase shift means Z3, Z4. As described above, φg also becomes a positive or negative value depending on the characteristic of the impedance Zg including Ciss, L1 and Rd1 of the gate circuit.

【0016】次に、図3の回路の動作を図6を用いて説
明する。図6は図3の実施例における各部の波形を表
す。放電管16は、Q1,Q2とLr,Crを用いた共
振負荷回路によって高周波の電流が供給される。負荷共
振回路の電流ILを図3でO点から流れ出る方向を正と
して定義すると、電流ILの1周期の間にはQ1,Q
2、及びQD1,QD2に関わる動作モードが4つあ
り、これらの期間を図6にt1からt4として示す。以
後、各動作モードを説明する。
Next, the operation of the circuit of FIG. 3 will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows waveforms at various points in the embodiment of FIG. The discharge tube 16 is supplied with a high-frequency current by a resonance load circuit using Q1, Q2 and Lr, Cr. If the direction of the current IL flowing out of the point O in FIG. 3 is defined as positive in FIG. 3, Q1 and Q1
2, and four operation modes related to QD1 and QD2. These periods are shown as t1 to t4 in FIG. Hereinafter, each operation mode will be described.

【0017】モード1(t1期間):Q1がオンすると
キャパシタ15からQ1,C1,Lr,Cr,C2の経
路で電流ILが流れる。電流ILはCrを充電すると共
に、一部が放電管16に分流して流れる。また、ILに
よってキャパシタC1は充電されるが、以後、C1の電
圧をVc1と表す。モード1においてQ1のゲート,ソ
ース間に印加される電圧は、Vc1に位相遅れを与えた
実線で示す電圧波形になる。これにより、Q1のゲート
電圧がしきい値を下回るまでの時間、即ちオフするまで
の時間が長くなる。ゲート電圧がMOSFETのしきい値電圧
以下になると、Q1はオフする。
Mode 1 (t1 period): When Q1 is turned on, a current IL flows from the capacitor 15 through the path of Q1, C1, Lr, Cr and C2. The current IL charges the Cr and partially flows to the discharge tube 16. Further, the capacitor C1 is charged by IL, and hereinafter, the voltage of C1 is represented as Vc1. In mode 1, the voltage applied between the gate and the source of Q1 has a voltage waveform indicated by a solid line that gives a phase delay to Vc1. As a result, the time required for the gate voltage of Q1 to fall below the threshold value, that is, the time required for turning off the transistor, becomes longer. When the gate voltage falls below the threshold voltage of the MOSFET, Q1 turns off.

【0018】一方、キャパシタC2はILによって充電
され、C2の電圧をVc2と現わすと、N点を基準にし
た破線で示すキャパシタ電圧Vc2は増加する。Q2の
ゲート,ソース間に印加される電圧は、Vc2に位相遅
れを与えた実線で示す電圧波形になる。これにより、Q
Q2のゲート電圧がしきい値を下回るまでの時間、即ち
オフするまでの時間が長くなる。電流ILはLrとCr
によって正弦波状の波形になり、Vc1の電圧に応じて
Q1をオフする本方式は、電流ILの極性が正の期間中
にQ1がオフすることが特徴である。電圧降下手段C1
とC2の値が同じであれば、これらに流れる電流ILに
よって生じるVc1,Vc2は、大きさは等しいが、そ
れぞれO点とN点を基準にすると逆極性の波形になる。
On the other hand, when the capacitor C2 is charged by the IL and the voltage of C2 is expressed as Vc2, the capacitor voltage Vc2 indicated by a broken line based on the point N increases. The voltage applied between the gate and the source of Q2 has a voltage waveform indicated by a solid line that gives a phase delay to Vc2. This gives Q
The time required for the gate voltage of Q2 to fall below the threshold value, that is, the time required for turning off the transistor, becomes longer. The current IL is Lr and Cr
This method turns off Q1 in accordance with the voltage of Vc1, thereby turning off Q1 during a period when the polarity of the current IL is positive. Voltage drop means C1
If the values of Cc and C2 are the same, Vc1 and Vc2 generated by the current IL flowing therethrough have the same magnitude, but have waveforms of opposite polarities with respect to the points O and N, respectively.

【0019】モード2(t2期間):Q1がオフした時
点では電流ILは正の極性で値を有しており、この電流
はLr,Cr,C2,QD2,C1の経路で流れ続け
る。尚、電流ILの一部は放電管16に分流して流れ
る。
Mode 2 (t2 period): When Q1 is turned off, the current IL has a positive polarity and a value, and this current continues to flow through the paths of Lr, Cr, C2, QD2, and C1. A part of the current IL flows to the discharge tube 16 by shunting.

【0020】電流ILはC2を充電するように作用し、
N点を基準にVc2は増加し、Q2のゲート電圧も増加
する。ゲート電圧がMOSFETのしきい値電圧以上になる
と、Q2はオンする。また、モード2期間中の電流極性
はQ2にとって逆方向であり、図6に示すようにゲート
電圧が充電されても電流の極性が変わらない限り、電流
はQD2を流れ続ける。電流ILの極性が負に変化する
までの期間がモード2であり、この期間中、C1の電圧
Vc1は更に減少する。これにより、Q1のゲート電圧
はVc1電圧がソース,ゲート間に逆バイアスとして印
加されるため、ノイズなどによって再度Q1が瞬間的に
オンするようなことはなく、安定なオフを確保できる。
The current IL acts to charge C2,
Vc2 increases with reference to point N, and the gate voltage of Q2 also increases. When the gate voltage exceeds the threshold voltage of the MOSFET, Q2 turns on. Further, the current polarity during the mode 2 period is opposite to Q2, and the current continues to flow through QD2 even if the gate voltage is charged as long as the polarity of the current does not change as shown in FIG. Mode 2 is a period until the polarity of the current IL changes to negative, and during this period, the voltage Vc1 of C1 further decreases. As a result, the Vc1 voltage is applied as a reverse bias between the source and gate of the gate voltage of Q1, so that Q1 does not momentarily turn on again due to noise or the like, and a stable off state can be secured.

【0021】モード3(t3期間):電流ILの極性が
正から負に変わると、モード2でゲート電圧が充電され
たQ2にILが流れる。即ち、ILはCrの放電電流と
してQ2,C2,Cr,Lr,C1の経路で流れ、C2
はILによって充電される。ILによってVc2が減少
し、ゲート電圧がMOSFETのしきい値電圧以下になると、
Q2はオフする。モード3においてもモード1と同様
に、電流ILの極性が負の期間中にQ2がオフする。一
方、C1の電圧は、O点を基準に増加する。
Mode 3 (t3 period): When the polarity of the current IL changes from positive to negative, IL flows into Q2 charged with the gate voltage in mode 2. That is, IL flows as a discharge current of Cr through a path of Q2, C2, Cr, Lr, C1, and C2.
Is charged by IL. When Vc2 decreases due to IL and the gate voltage falls below the threshold voltage of the MOSFET,
Q2 turns off. In mode 3, as in mode 1, Q2 turns off during the period in which the polarity of current IL is negative. On the other hand, the voltage of C1 increases based on the point O.

【0022】モード4(t4期間):Q2がオフした時
点では電流ILは負の極性で値を有しており、Lrに蓄
積された電磁エネルギーによって、電流ILはLr,C
1,Q1,電圧源15,C2,Cr,Lrの経路で流れ
続ける。尚、電流ILの一部は放電管16に分流して流
れる。
Mode 4 (t4 period): When Q2 is turned off, the current IL has a negative polarity and has a value, and the current IL is changed to Lr, C by electromagnetic energy accumulated in Lr.
1, Q1, the voltage source 15, C2, Cr, and Lr continue to flow. A part of the current IL flows to the discharge tube 16 by shunting.

【0023】電流ILはC1を充電し、Vc1の増加に
伴って、Q1のゲート電圧が増加する。ゲート電圧がMO
SFETのしきい値電圧以上になると、Q1はオンする。但
し、モード4期間中の電流極性はQ1にとって逆方向で
あり、ゲート電圧が充電されても電流の極性が変わらな
い限り、電流はQD1を流れ続ける。電流ILの極性が
正に変化するまでの期間がモード4であり、この期間
中、C2の電圧Vc2は減少する。
The current IL charges C1, and as Vc1 increases, the gate voltage of Q1 increases. Gate voltage is MO
When the voltage exceeds the threshold voltage of the SFET, Q1 turns on. However, the current polarity during the mode 4 is opposite to that of Q1, and the current continues to flow through QD1 even if the gate voltage is charged, as long as the polarity of the current does not change. Mode 4 is a period until the polarity of the current IL changes to positive, and during this period, the voltage Vc2 of C2 decreases.

【0024】以上のように、電流ILの1周期の間にモ
ード1からモード4の動作が行われ、以後、この動作を
繰り返す。
As described above, the operations from mode 1 to mode 4 are performed during one cycle of the current IL, and thereafter, this operation is repeated.

【0025】図3において、位相シフト手段であるゲー
トインダクタL1,L2の値をパラメータとし、共振負
荷電流ILとQ1,Q2のゲート,ソース間電圧の位相
差をφg、点灯回路の動作周波数をfsとすると図7の
ような特性となる。図5を用いて説明すると、Cis
s,Rd1,L1から構成される直列回路において、C
issのリアクタンスがL1のリアクタンスより大きい
場合、即ち容量性の場合、L1の増加によって直列回路
のインピーダンスは誘導性に近づく。これは直列回路に
流れる電流遅れとなり、Cissの電圧であるゲート電
圧も遅れる。従って、共振負荷電流に対するゲート電圧
の位相差φgは小さくなり、スイッチング素子の導通期
間は長くなるため、スイッチング周波数は低くなる。こ
のように、位相シフト手段を設けたことにより、Q1,
Q2のオン,オフのタイミングを任意に調整し、動作周
波数を変えることができる。
In FIG. 3, the values of the gate inductors L1 and L2 as phase shift means are used as parameters, the phase difference between the resonance load current IL and the gate-source voltage of Q1 and Q2 is φg, and the operating frequency of the lighting circuit is fs. Then, the characteristics are as shown in FIG. Explaining with reference to FIG.
s, Rd1, L1 in a series circuit
When the reactance of iss is larger than the reactance of L1, that is, when the capacitance is capacitive, the impedance of the series circuit approaches inductive by increasing L1. This results in a delay in the current flowing in the series circuit, and a delay in the gate voltage, which is the voltage of Ciss. Accordingly, the phase difference φg of the gate voltage with respect to the resonance load current becomes smaller, and the conduction period of the switching element becomes longer, so that the switching frequency becomes lower. As described above, by providing the phase shift means, Q1,
The operating frequency can be changed by arbitrarily adjusting the on / off timing of Q2.

【0026】これまでの実施例は電圧降下手段の電圧を
スイッチング素子に印加して交互スイッチング動作をさ
せる回路構成であった。これに対し、電圧降下手段を共
振電流の検出手段として利用した点灯回路を図8に示
す。共振負荷回路の構成は図1と同様であるため、説明
を省略する。図8で、まず、Q1を駆動するハイサイド
側の駆動回路11を説明する。11の電源はQ1,Q2
の接続点Oを基準とするキャパシタ13であり、Q2を
オンさせてN点を基準とするキャパシタC14の電圧か
らダイオードD1を介して充電する。この方法はブート
ストラップ方式と呼ばれ、米国特許USP4,316,243号に記
載されている。キャパシタ13の正電極と負電極の間に
は素子1と2からなるCMOSインバータを供え、その
出力をQ1のゲートに接続する。CMOSインバータは
素子1がオンすると(この時2はオフ)Q1のゲート端
子に電圧を印加させる電流を流し、素子2がオンすると
(この時1はオフ)Q1のゲート端子に充電された電荷
を放電させる電流を流す。1と2からなるCMOSイン
バータの制御端子にはNAND回路5から信号を与え
る。キャパシタC1の電圧は、比較器6によって接続点
Oを基準とする基準電圧Vref1と比較され、比較器6の
出力をNAND回路5に入力する。比較器6には正の電
源を15から供給する。また、キャパシタ13の両端子
間には、抵抗R3とスイッチS1を直列接続した起動停
止手段を備え、R3とS1の接続点からNAND回路5
の入力に接続する。図8ではS1をオフにすれば起動で
あり、S1をオンにすれば停止にあたる。
The embodiments described above have a circuit configuration in which the voltage of the voltage drop means is applied to the switching element to perform an alternate switching operation. On the other hand, FIG. 8 shows a lighting circuit in which the voltage drop unit is used as a resonance current detecting unit. The configuration of the resonance load circuit is the same as that of FIG. Referring to FIG. 8, first, the high-side drive circuit 11 for driving Q1 will be described. The power supply of 11 is Q1, Q2
The capacitor 13 based on the connection point O is turned on, and Q2 is turned on to charge via the diode D1 from the voltage of the capacitor C14 based on the point N. This method is called a bootstrap method and is described in U.S. Pat. No. 4,316,243. A CMOS inverter including elements 1 and 2 is provided between the positive electrode and the negative electrode of the capacitor 13, and the output is connected to the gate of Q1. When the element 1 is turned on (in this case, 2 is off), the CMOS inverter supplies a current for applying a voltage to the gate terminal of Q1. Apply current to discharge. A signal is supplied from the NAND circuit 5 to the control terminal of the CMOS inverter composed of 1 and 2. The voltage of the capacitor C1 is compared by the comparator 6 with a reference voltage Vref1 based on the connection point O, and the output of the comparator 6 is input to the NAND circuit 5. A positive power supply is supplied from 15 to the comparator 6. Further, between both terminals of the capacitor 13, there is provided a start / stop means in which a resistor R3 and a switch S1 are connected in series, and a NAND circuit 5 is connected from the connection point between R3 and S1.
Connect to the input of. In FIG. 8, when S1 is turned off, it is started, and when S1 is turned on, it is stopped.

【0027】次にローサイド側の駆動回路12を説明す
る。駆動回路12は、ハイサイド側の駆動回路11と同
様な構成であり、12の電源はN点を基準とするキャパ
シタ14であり、キャパシタ14の正電極と負電極の間
には素子3と4からなるCMOSインバータを供えその出力
をQ2のゲートに接続する。3と4からなるCMOSイ
ンバータの制御端子にはNAND回路7から信号を与え
る。キャパシタC2の電圧は、比較器8によってN点を
基準とする基準電圧Vref2と比較され、比較器8の出力
をNAND回路7に入力する。尚、ハイサイドの基準電
圧Vref1とローサイドの基準電圧Vref2は、等しい電圧
値が望ましい。キャパシタ14の両端子間には、抵抗R
4とスイッチS2を直列接続した起動停止手段を備え、
R4とS2の接続点からNAND回路7の入力に接続す
る。S1と同様にS2をオフにすれば起動であり、S2
をオンにすれば停止にあたる。
Next, the drive circuit 12 on the low side will be described. The drive circuit 12 has the same configuration as the drive circuit 11 on the high side. The power supply of the drive circuit 12 is a capacitor 14 with reference to the point N, and the elements 3 and 4 are connected between the positive electrode and the negative electrode of the capacitor 14. And the output thereof is connected to the gate of Q2. A signal is supplied from the NAND circuit 7 to the control terminal of the CMOS inverter composed of 3 and 4. The voltage of the capacitor C2 is compared with the reference voltage Vref2 based on the point N by the comparator 8, and the output of the comparator 8 is input to the NAND circuit 7. It is desirable that the high-side reference voltage Vref1 and the low-side reference voltage Vref2 have the same voltage value. A resistor R is connected between both terminals of the capacitor 14.
4 and a switch S2 connected in series.
The connection point between R4 and S2 is connected to the input of the NAND circuit 7. If S2 is turned off in the same manner as S1, activation is started, and S2
Turn on to stop.

【0028】次に、この点灯回路の動作を図9を用いて
説明する。図9は図8の実施例における各部の波形を表
す。以後、図9を用いて各動作モードを説明する。
Next, the operation of the lighting circuit will be described with reference to FIG. FIG. 9 shows waveforms at various points in the embodiment of FIG. Hereinafter, each operation mode will be described with reference to FIG.

【0029】モード1(t1期間):Q1がオンすると
電圧源15からQ1,C1,Lr,Cr,C2の経路で
電流ILが流れる。ILによってキャパシタC1は充電
されO点を基準にVc1は減少する。Vc1は比較器6
によって基準電圧Vref1(VHL)と比較される。Vc
1がVref1を下回ると、比較器6の出力はHighからLow
に変化する。この出力をNAND回路5で受けて、CM
OSインバータの素子2がオンしてQ1のゲート電圧を
放電し、Q1はオフする。
Mode 1 (t1 period): When Q1 is turned on, a current IL flows from the voltage source 15 through the paths of Q1, C1, Lr, Cr, and C2. The capacitor C1 is charged by IL, and Vc1 decreases with reference to the point O. Vc1 is the comparator 6
Is compared with the reference voltage Vref1 (VHL). Vc
When 1 falls below Vref1, the output of the comparator 6 changes from High to Low.
Changes to This output is received by the NAND circuit 5, and the CM
The element 2 of the OS inverter is turned on to discharge the gate voltage of Q1, and Q1 is turned off.

【0030】ここまでの動作がモード1であり、キャパ
シタC2はILによって充電され、Vc2は増加する
が、基準電圧Vref2(VLH)に達しない為、Q2はオ
フを維持する。
The operation up to this point is mode 1, in which the capacitor C2 is charged by the IL and Vc2 increases, but Q2 is kept off since it does not reach the reference voltage Vref2 (VLH).

【0031】モード2(t2期間):Q1がオフした時
点では電流ILは正の極性で値を有しており、この電流
はLr,Cr,C2,QD2,C1の経路で流れ続け
る。尚、電流ILの一部は放電管16に分流して流れ
る。
Mode 2 (t2 period): When Q1 is turned off, the current IL has a positive polarity and a value, and this current continues to flow through the paths of Lr, Cr, C2, QD2, and C1. A part of the current IL flows to the discharge tube 16 by shunting.

【0032】電流ILはC2を充電し、N点を基準にV
c2は増加する。Vc2がVref2(VLH)に達する
と、比較器8の出力はLow からHighに変化し、この出力
をNAND回路7で受けて、CMOSインバータの素子
3がオンしてQ2のゲート電圧を充電する。また、モー
ド2期間中の電流極性はQ2にとって逆方向であり、図
8に示すようにゲート電圧が充電されても電流の極性が
変わらない限り、電流はQD2を流れ続ける。電流IL
の極性が負に変化するまでの期間がモード2であり、こ
の期間中、C2の電圧Vc2は増加し続け、また、C1
の電圧Vc1は更に減少する。
The current IL charges C2, and the current IL
c2 increases. When Vc2 reaches Vref2 (VLH), the output of the comparator 8 changes from Low to High. The output is received by the NAND circuit 7, and the element 3 of the CMOS inverter is turned on to charge the gate voltage of Q2. Further, the current polarity during the mode 2 period is opposite to Q2, and the current continues to flow through QD2 as long as the polarity of the current does not change even if the gate voltage is charged as shown in FIG. Current IL
Is a mode 2 until the polarity of C2 changes to negative. During this period, the voltage Vc2 of C2 keeps increasing,
Voltage Vc1 further decreases.

【0033】モード3(t3期間):電流ILの極性が
正から負に変わると、モード2でゲート電圧が充電され
たQ2にILが流れる。即ち、ILはCrの放電電流と
してQ2,C2,Cr,Lr,C1の経路で流れ、IL
によってVc2が減少する。Vc2は比較器8によって
Vref2(VHL)と比較される。Vc2がVref2以下に
なると、比較器8の出力はHighからLow に変化し、この
出力をNAND回路7で受けて、CMOSインバータの
素子4がオンしてQ2のゲート電圧を放電し、Q2はオ
フする。
Mode 3 (t3 period): When the polarity of the current IL changes from positive to negative, IL flows through Q2 charged with the gate voltage in mode 2. That is, IL flows as a discharge current of Cr through a path of Q2, C2, Cr, Lr, and C1, and IL
As a result, Vc2 decreases. Vc2 is calculated by the comparator 8.
This is compared with Vref2 (VHL). When Vc2 becomes equal to or lower than Vref2, the output of the comparator 8 changes from High to Low. The output is received by the NAND circuit 7, the element 4 of the CMOS inverter is turned on to discharge the gate voltage of Q2, and Q2 is turned off. I do.

【0034】ここまでの動作がモード3であり、キャパ
シタC1はILによって充電され、Vc1は増加する
が、基準電圧Vref1(VLH)に達しない為、Q1はオ
フを維持する。
The operation up to this point is mode 3, in which the capacitor C1 is charged by IL and Vc1 increases, but Q1 is kept off since it does not reach the reference voltage Vref1 (VLH).

【0035】モード4(t4期間):Q2がオフした時
点では電流ILは負の極性で値を有しており、Lrに蓄
積された電磁エネルギーによって、電流ILはLr,C
1,QD1,電圧源15,C2,Cr,Lrの経路で流
れ続ける。尚、電流ILの一部は放電管16に分流して
流れる。
Mode 4 (t4 period): When Q2 is turned off, the current IL has a negative polarity and has a value, and the current IL is changed to Lr, C by the electromagnetic energy accumulated in Lr.
1, QD1, voltage source 15, C2, Cr, and Lr. A part of the current IL flows to the discharge tube 16 by shunting.

【0036】電流ILはC1を充電しVc1が増加し
て、Vref1(VLH)の値を超えると、比較器6の出力
はLow からHighに変化し、この出力をNAND回路5で
受けて、CMOSインバータの素子1がオンしてQ1の
ゲート電圧を充電する。但し、モード4期間中の電流極
性はQ1にとって逆方向であり、ゲート電圧が充電され
ても電流の極性が変わらない限り、電流はQD1を流れ
続ける。電流ILの極性が正に変化するまでの期間がモ
ード4であり、この期間中、C1の電圧Vc1は増加し
続け、また、C2の電圧Vc2は更に減少する。
When the current IL charges C1 and Vc1 increases and exceeds the value of Vref1 (VLH), the output of the comparator 6 changes from low to high. The element 1 of the inverter turns on and charges the gate voltage of Q1. However, the current polarity during the mode 4 is opposite to that of Q1, and the current continues to flow through QD1 even if the gate voltage is charged, as long as the polarity of the current does not change. Mode 4 is a period until the polarity of the current IL changes to positive. During this period, the voltage Vc1 of C1 continues to increase, and the voltage Vc2 of C2 further decreases.

【0037】電流ILの1周期の間にモード1からモー
ド4の動作が行われ、以後、この動作を繰り返す。
The operations from mode 1 to mode 4 are performed during one cycle of the current IL, and thereafter, this operation is repeated.

【0038】次に、放電管の明るさを調整する方法につ
いて説明する。たとえば、電流ILを小さくするには、
スイッチング素子Q1,Q2の導通期間を短くすればよ
い。本発明によれば、キャパシタC1又はC2の電圧が
基準電圧Vref(VHL)を下回るまでの時間が短くなる
ように基準電圧を制御する。図8において、ローサイド
側の駆動回路でキャパシタC2の電圧を基準電圧Vref2
と比較しNAND回路7に信号を出力する比較器8があ
る。この比較器8の基準電圧Vref2(VHL)を任意のタ
イミングで与える調光信号によって通常点灯時のVHL
より高くすることにより、Q2の導通期間を短くするこ
とができる。このような方法でローサイド側の基準電圧
Vref2を変更すれば、調光が可能になる。
Next, a method for adjusting the brightness of the discharge tube will be described. For example, to reduce the current IL,
What is necessary is just to shorten the conduction period of the switching elements Q1 and Q2. According to the present invention, the reference voltage is controlled so that the time until the voltage of the capacitor C1 or C2 falls below the reference voltage Vref (VHL) is shortened. In FIG. 8, the voltage of the capacitor C2 is changed by the low-side drive circuit to the reference voltage Vref2.
And outputs a signal to the NAND circuit 7 in comparison with the comparator 8. The dimming signal for giving the reference voltage Vref2 (VHL) of the comparator 8 at an arbitrary timing causes the VHL at the time of normal lighting to be performed.
By making it higher, the conduction period of Q2 can be shortened. In this way, the low-side reference voltage
By changing Vref2, dimming becomes possible.

【0039】前述の点灯回路の負荷共振回路は共振用イ
ンダクタLrとキャパシタCrを備えた電流共振型であ
る。放電管16が無電極ランプの場合、励起コイルに数
MHzの高周波電流を供給する為、MHzの高周波回路で
用いられるインダクタLrは高価な部品になる。励起コ
イルは、磁性体にソレノイド形状の巻線を有する構造で
あり、等価的にはインダクタとなる。無電極ランプの励
起コイルと共振用インダクタを兼ねた構成の点灯回路を
図10に示す。放電管16は、磁性体に巻線を備えた無
電極ランプであり、図中のLcは巻線の等価インダクタ
を示す。無電極ランプは、IEEE TRANSACTIONS ON POWER
ELECTRONICS VOL.12,NO.3,pp.507−516,19
97に記載されているように、励起コイルの巻線と放電
管内に発生したプラズマを図11に示すようなトランス
として置換えることができる。図11において、トラン
スの一次巻線は励起コイルの巻線であり、プラズマは等
価インダクタをLa、等価抵抗をRaとした二次巻線に
相当する。
The load resonance circuit of the lighting circuit described above is a current resonance type having a resonance inductor Lr and a capacitor Cr. If the discharge tube 16 is an electrodeless lamp, the excitation coil
Since the high-frequency current of MHz is supplied, the inductor Lr used in the high-frequency circuit of MHz becomes an expensive component. The excitation coil has a structure in which a magnetic material has a solenoid-shaped winding, and is equivalently an inductor. FIG. 10 shows a lighting circuit having a configuration that also serves as an excitation coil and a resonance inductor of an electrodeless lamp. The discharge tube 16 is an electrodeless lamp provided with a winding on a magnetic material, and Lc in the figure indicates an equivalent inductor of the winding. The electrodeless lamp is IEEE TRANSACTIONS ON POWER
ELECTRONICS VOL.12, NO.3, pp.507-516,19
As described in 97, the windings of the excitation coil and the plasma generated in the discharge tube can be replaced by a transformer as shown in FIG. In FIG. 11, the primary winding of the transformer is a winding of an excitation coil, and the plasma corresponds to a secondary winding having an equivalent inductor of La and an equivalent resistance of Ra.

【0040】このように、トランス結合された無電極ラ
ンプの等価回路は、点灯前後で異なる。図12は点灯前
の等価回路を示しており、放電管内にプラズマが発生し
ていない為、図中のインダクタLcは磁性体に巻いたコ
イルの純粋なインダクタになる。一方、点灯後はプラズ
マの等価インダクタンス及び抵抗が存在する為、図13
に示すようなインダクタLs,抵抗Rsが直列に接続さ
れた等価回路になる。インダクタLsはプラズマの等価
インダクタLaによって図12のインダクタLcとは異
なった値となる。従って、共振負荷回路の共振周波数は
点灯前後でそれぞれ異なる。図14に共振負荷回路の共
振曲線を示す。図より、点灯後の励起コイルの等価イン
ダクタンスが点灯前より小さい為、点灯後の共振周波数
fr2は点灯前の共振周波数fr1より高くなる。
Thus, the equivalent circuit of the transformer-coupled electrodeless lamp differs before and after lighting. FIG. 12 shows an equivalent circuit before lighting, and since no plasma is generated in the discharge tube, the inductor Lc in the figure is a pure inductor of a coil wound around a magnetic material. On the other hand, after lighting, since the equivalent inductance and resistance of the plasma exist, FIG.
Is an equivalent circuit in which the inductor Ls and the resistor Rs are connected in series. The value of the inductor Ls differs from that of the inductor Lc in FIG. 12 depending on the equivalent inductor La of the plasma. Therefore, the resonance frequency of the resonance load circuit differs before and after lighting. FIG. 14 shows a resonance curve of the resonance load circuit. From the figure, since the equivalent inductance of the excitation coil after lighting is smaller than that before lighting, the resonance frequency fr2 after lighting is higher than the resonance frequency fr1 before lighting.

【0041】電極ランプの励起コイルと共振用インダク
タを兼ねた構成の点灯回路では、前述のように励起コイ
ルの等価インダクタンスはランプの点灯状態によって変
化する為、共振用インダクタLrがある場合に比べて、
共振負荷回路の共振周波数の変化は大きくなる。従っ
て、点灯回路は負荷の変動に同期して自励駆動を持続し
なければならない。
In the lighting circuit having the configuration in which the excitation coil of the electrode lamp also functions as the resonance inductor, the equivalent inductance of the excitation coil changes depending on the lighting state of the lamp as described above. ,
The change in the resonance frequency of the resonance load circuit increases. Therefore, the lighting circuit must maintain the self-excited drive in synchronization with the load fluctuation.

【0042】図15に、無電極ランプの励起コイルと共
振用インダクタを兼ねた構成の点灯回路を示す。図15
において、接続点OとN点間には電圧降下手段C1,C
2,共振用キャパシタCr,放電管16の励起コイル兼
共振用インダクタLcが直列に接続されている。スイッ
チング素子Q1,Q2のゲート回路は前述の図3の回路
と同じ構成であり、等価回路は図5と同様である。次に
負荷の変動に同期した自励駆動について説明する。図1
6は負荷共振回路の共振周波数が変化した場合の共振電
流とゲート電圧との位相差φgを示している。図より、
共振周波数が高くなると位相差φgは小さくなってい
る。これは、図5のCiss,Rd1,L1から構成さ
れる直列回路のインピーダンスZgが容量性の場合、周
波数の増加によってZgは誘導性に近づくからである。
これにより、直列回路に流れる電流が遅れ、Cissの
電圧であるゲート電圧も遅れる。従って、共振負荷電流
に対するゲート電圧の位相差φgは小さくなる。このよ
うに、負荷の変動による共振周波数の変化に対し、ゲー
ト回路は共振電流とゲート電圧の位相差を自動調整し、
自励駆動を持続するように働く。即ち、ゲート回路に位
相シフト手段を備えたことにより、 1)Q1,Q2のオン,オフのタイミングを任意に調整
し、動作周波数を変えることができる。
FIG. 15 shows a lighting circuit having a configuration which also serves as an excitation coil and a resonance inductor of an electrodeless lamp. FIG.
, The voltage drop means C1 and C
2, a resonance capacitor Cr and an excitation coil / resonance inductor Lc of the discharge tube 16 are connected in series. The gate circuits of the switching elements Q1 and Q2 have the same configuration as the circuit of FIG. 3 described above, and the equivalent circuit is the same as that of FIG. Next, self-excited driving synchronized with a change in load will be described. FIG.
Reference numeral 6 denotes a phase difference φg between the resonance current and the gate voltage when the resonance frequency of the load resonance circuit changes. From the figure,
As the resonance frequency increases, the phase difference φg decreases. This is because when the impedance Zg of the series circuit composed of Ciss, Rd1, and L1 in FIG. 5 is capacitive, Zg approaches inductive with an increase in frequency.
As a result, the current flowing through the series circuit is delayed, and the gate voltage, which is the voltage of Ciss, is also delayed. Therefore, the phase difference φg of the gate voltage with respect to the resonance load current becomes small. In this way, the gate circuit automatically adjusts the phase difference between the resonance current and the gate voltage in response to the change in the resonance frequency due to the load change,
Works to maintain self-excited drive. That is, by providing the phase shift means in the gate circuit, 1) the on / off timing of Q1 and Q2 can be arbitrarily adjusted to change the operating frequency.

【0043】2)負荷の変動による共振条件が異なった
場合においても、追従して駆動することができる。
2) Even if the resonance conditions are different due to the fluctuation of the load, the driving can be followed.

【0044】本方式において、スイッチング素子Q1,
Q2のゲート電圧が何れもQ1,Q2のしきい値電圧付
近になった際、上下の短絡を招く恐れがある。又、Q
1,Q2がオンする際、Q1,Q2のドレイン,ソース
間電圧が完全に零電位まで下がる前にゲート電圧がオン
すると、Q1,Q2は発熱することがある。後者の現象
をハイサイド側のゲート回路のドレイン,ソース間電圧
Vds、ゲート電圧Vg及び共振電流ILの波形を用い
て図示すると図17のようになる。図より、ゲート電圧
Vgが破線で示すような波形になると、前述のように素
子は発熱する。一方、ゲート電圧Vgのオンを遅らせて
実線で示すような波形にすると、発熱を防ぐことができ
る。このように、Q1,Q2がオンする際に、ゲート電
圧波形にディレー時間を持たせることによって上下短絡
及び発熱を抑えることが可能である。
In this system, the switching elements Q1,
When the gate voltage of Q2 becomes close to the threshold voltages of Q1 and Q2, there is a possibility that upper and lower short circuits may be caused. Also, Q
When the gate voltage is turned on before the voltage between the drain and source of Q1 and Q2 is completely reduced to zero potential when Q1 and Q2 are turned on, Q1 and Q2 may generate heat. FIG. 17 shows the latter phenomenon using the waveforms of the drain-source voltage Vds, gate voltage Vg, and resonance current IL of the high-side gate circuit. As shown in the figure, when the gate voltage Vg has a waveform shown by a broken line, the element generates heat as described above. On the other hand, when the ON of the gate voltage Vg is delayed to have a waveform as shown by a solid line, heat generation can be prevented. As described above, when Q1 and Q2 are turned on, it is possible to suppress the upper and lower short circuit and heat generation by giving the delay time to the gate voltage waveform.

【0045】図18はゲート電圧にディレー期間を設け
たハイサイド側のゲート回路である。ローサイド側のゲ
ート回路も同様の構成となる為、図は省略する。図18
において、電圧降下手段はキャパシタとし、位相シフト
手段はインダクタと抵抗を直列に接続している。ここま
での構成は図15と同様であるが、Q1のゲート端子と
ドレイン端子間にはキャパシタCd1を備えている。次
に動作を説明する。
FIG. 18 shows a high-side gate circuit in which a delay period is provided for the gate voltage. Since the low-side gate circuit has the same configuration, the illustration is omitted. FIG.
, The voltage drop means is a capacitor, and the phase shift means connects an inductor and a resistor in series. The configuration so far is the same as that of FIG. 15, except that a capacitor Cd1 is provided between the gate terminal and the drain terminal of Q1. Next, the operation will be described.

【0046】Q2がオフするとQ1の内蔵ダイオードQ
D1を共振電流が環流してQ1のドレイン,ソース間の
電圧Vdsが減少する。この間にゲート,ソース間容量
を充電する電流が流れてきた場合、ゲート電流はキャパ
シタCd1をバイパスして流れる為、ゲート電圧の上昇
は抑えられディレー期間が設けられる。
When Q2 turns off, the built-in diode Q of Q1
The resonance current circulates through D1, and the voltage Vds between the drain and source of Q1 decreases. If a current for charging the capacitance between the gate and the source flows during this time, the gate current flows bypassing the capacitor Cd1, so that an increase in the gate voltage is suppressed and a delay period is provided.

【0047】又、図19は図18と同じようにゲート電
圧にディレー期間を設けたハイサイド側のゲート回路で
ある。図19において、電圧降下手段,位相シフト手段
は図15と同様であるが、ダイオードDg1が抵抗Rd
1に並列に接続されている。Dg1の向きはアノード端
子がQ1のゲート端子に、カソード端子は抵抗Rd1と
L1の接続点に接続されている。ダイオードDg1はL
1に並列に接続された構成でも良い。この場合、Dg1
の向きはアノード端子が抵抗Rd1とL1の接続点に、
カソード端子はL1とC1の接続点に接続される。図1
9において、ゲート,ソース間容量が充電される場合、
ゲート電流は位相シフト手段L1,Rd1の経路で流れ
る。一方、ゲート,ソース間容量の電荷が放電する場合
はダイオードDg1,L1の経路で電流が流れる。この
ように、ゲート,ソース間容量を充放電する際の電流経
路がそれぞれ異なる、即ちゲート回路のインピーダンス
を切替えることによって、ゲート電圧の極性が反転する
際にディレーを設けることができる。
FIG. 19 shows a high-side gate circuit in which a delay period is provided in the gate voltage as in FIG. In FIG. 19, the voltage drop means and the phase shift means are the same as those in FIG.
1 in parallel. The direction of Dg1 is such that the anode terminal is connected to the gate terminal of Q1, and the cathode terminal is connected to the connection point between the resistors Rd1 and L1. The diode Dg1 is L
1 may be connected in parallel. In this case, Dg1
The direction of the anode terminal is the connection point of the resistance Rd1 and L1,
The cathode terminal is connected to a connection point between L1 and C1. FIG.
9, when the gate-source capacitance is charged,
The gate current flows through the path of the phase shift means L1, Rd1. On the other hand, when the electric charge of the capacitance between the gate and the source is discharged, a current flows through the path of the diodes Dg1 and L1. As described above, the current paths for charging and discharging the capacitance between the gate and the source are different from each other, that is, by switching the impedance of the gate circuit, a delay can be provided when the polarity of the gate voltage is reversed.

【0048】図20の点灯回路は、Q1,Q2のゲート
端子とキャパシタC1,C2の一端にツェナーダイオー
ドZD2,ZD3を備え、上下スイッチング素子のオ
ン,オフ時にデッドタイム期間を設けている。このよう
なゲート回路の場合、共振電流とゲート電圧の位相差は
固定値になる為、負荷共振回路には共振用インダクタL
rを備え、負荷変動に対しても共振周波数が変化しない
構成が望ましい。図20において、Q1のゲート,ソー
ス間に印加される電圧はキャパシタC1の電圧Vc1と
ZD2のツェナ電圧の差電圧となる。同様に、Q2のゲ
ート,ソース間に印加される電圧はVc2の電圧とZD
3のツェナ電圧の差電圧となる。これにより、Q1,Q
2のどちらか一方がオンしている場合には、他方のゲー
ト端子に接続されているツェナーダイオードのツェナ電
圧によってオフしているスイッチング素子のゲート電圧
を下げ、Q1,Q2のオンとオフにデッドタイムを挿入
する。
The lighting circuit of FIG. 20 includes zener diodes ZD2 and ZD3 at the gate terminals of Q1 and Q2 and one end of capacitors C1 and C2, and provides a dead time period when the upper and lower switching elements are turned on and off. In the case of such a gate circuit, the phase difference between the resonance current and the gate voltage becomes a fixed value.
It is desirable that the resonance frequency is not changed even when the load changes. In FIG. 20, the voltage applied between the gate and the source of Q1 is the difference voltage between the voltage Vc1 of the capacitor C1 and the zener voltage of ZD2. Similarly, the voltage applied between the gate and the source of Q2 is the voltage of Vc2 and ZD
3 is the difference voltage of the zener voltage. Thereby, Q1, Q
2 is on, the gate voltage of the switching element that is off is reduced by the Zener voltage of the Zener diode connected to the other gate terminal, and Q1 and Q2 are dead on and off. Insert time.

【0049】前述までの実施例は、電圧降下手段Z1,
Z2をキャパシタC1,C2としたが、インダクタ,抵
抗、又はこれらを組み合わせた構成でも良い。図21は
電圧降下手段Z1,Z2として抵抗R7,R8を用いた
点灯回路である。ここで、共振負荷回路に直列に抵抗を
接続した場合、回路を流れる電流の最大値が小さくなる
為、抵抗は小さい値に設定することが望ましい。位相シ
フト手段L1,Rd1は図15と同じ構成あるが、Q1
のCiss,L1,Rd1の合成インピーダンスは異な
る。
In the above-described embodiments, the voltage drop means Z1,
Although Z2 is the capacitors C1 and C2, an inductor, a resistor, or a combination thereof may be used. FIG. 21 shows a lighting circuit using resistors R7 and R8 as voltage drop means Z1 and Z2. Here, when a resistor is connected in series to the resonance load circuit, the maximum value of the current flowing through the circuit becomes small. Therefore, it is desirable to set the resistance to a small value. The phase shift means L1 and Rd1 have the same configuration as in FIG.
, L1 and Rd1 have different combined impedances.

【0050】次に、図21の回路の動作を図22を用い
て説明する。図22は図21の実施例におけるハイサイ
ド側のゲート回路の各部の波形を表す。図22におい
て、共振負荷回路に流れる電流ILによって抵抗R7は
O点を基準にILと逆相の電圧Vr7が生じる。位相シ
フト手段L1,Rd1に流れる電流Ig1はQ1のCis
s,L1,Rd1の合成インピーダンスを誘導性にした
場合、Vr7より遅れ位相の波形となる。Q1のゲー
ト,ソース間に印加される電圧は、Ig1よりπ/2
[rad] 位相が遅れた波形になる。一方、ローサイド側
のゲート回路に関しては、抵抗R8の電圧が共振電流I
Lと同相になる為、ハイサイド側とは逆の動作が行われ
る。
Next, the operation of the circuit of FIG. 21 will be described with reference to FIG. FIG. 22 shows waveforms at various parts of the high-side gate circuit in the embodiment of FIG. In FIG. 22, a voltage Vr7 having a phase opposite to that of the resistor R7 with respect to the point O is generated in the resistor R7 by the current IL flowing through the resonance load circuit. The current Ig1 flowing through the phase shift means L1 and Rd1 is equal to Cis of Q1.
When the combined impedance of s, L1, and Rd1 is made inductive, the waveform has a phase delayed from Vr7. The voltage applied between the gate and source of Q1 is π / 2 less than Ig1.
[Rad] The waveform is delayed in phase. On the other hand, for the low-side gate circuit, the voltage of the resistor R8 is equal to the resonance current I
Since the phase becomes the same as L, the operation opposite to that on the high side is performed.

【0051】図23は電圧降下手段Z1,Z2としてイ
ンダクタL3,L4を用いた点灯回路である。ここで、
共振負荷回路に直列にインダクタを接続した場合、負荷
回路の共振周波数は電圧降下手段L3,L4を含んだ合
成インダクタンスによって決まる。位相シフト手段L
1,Rd1は図15と同様であるが、Q1のCiss,
L1,Rd1の合成インピーダンスは異なる。
FIG. 23 shows a lighting circuit using inductors L3 and L4 as voltage drop means Z1 and Z2. here,
When an inductor is connected in series to the resonance load circuit, the resonance frequency of the load circuit is determined by the combined inductance including the voltage drop means L3 and L4. Phase shift means L
1 and Rd1 are the same as in FIG.
The combined impedances of L1 and Rd1 are different.

【0052】次に、図23の回路の動作を図24を用い
て説明する。図24は図23の実施例におけるハイサイ
ド側のゲート回路の各部の波形を表す。図24におい
て、共振負荷回路に電流ILが流れるとO点を基準に生
じるインダクタL3の電圧VL3はILに対して遅れ位相
の波形となる。位相シフト手段L1,Rd1に流れる電
流Ig1はQ1のCiss,L1,Rd1からなるゲー
ト回路の合成インピーダンスを誘導性にした場合、VL
3より遅れ位相の波形となる。Q1のゲート,ソース間
に印加される電圧は、Ig1よりπ/2[rad] 位相が
遅れた波形になる。一方、ローサイド側のゲート回路に
関しては、抵抗R8の電圧が共振電流ILと同相になる
為、ハイサイド側とは逆の動作が行われる。
Next, the operation of the circuit of FIG. 23 will be described with reference to FIG. FIG. 24 shows the waveform of each part of the high-side gate circuit in the embodiment of FIG. In FIG. 24, when the current IL flows through the resonance load circuit, the voltage VL3 of the inductor L3 generated based on the point O has a waveform with a delay phase with respect to IL. The current Ig1 flowing through the phase shift means L1 and Rd1 is VL when the combined impedance of the gate circuit composed of Ciss, L1 and Rd1 of Q1 is made inductive.
It becomes a waveform with a phase lag behind 3. The voltage applied between the gate and the source of Q1 has a waveform delayed by π / 2 [rad] from Ig1. On the other hand, with respect to the gate circuit on the low side, since the voltage of the resistor R8 has the same phase as the resonance current IL, the operation opposite to that on the high side is performed.

【0053】図25は特開平8−45685 号に開示されて
いるような従来の点灯回路に本発明を適用した実施例で
ある。図25において、一対の直列に接続されたスイッ
チング素子Q1,Q2は電圧源15の正電極と負電極間
に接続されている。それらのスイッチの接続点OとQ2
と電圧源15の負電極の接続点Nとの間には共振用イン
ダクタLrと共振用キャパシタCr,巻線T3が直列に
接続されている。
FIG. 25 shows an embodiment in which the present invention is applied to a conventional lighting circuit as disclosed in JP-A-8-45685. In FIG. 25, a pair of switching elements Q1 and Q2 connected in series are connected between a positive electrode and a negative electrode of the voltage source 15. Connection points O and Q2 of those switches
The resonance inductor Lr, the resonance capacitor Cr, and the winding T3 are connected in series between the power supply 15 and the connection point N of the negative electrode of the voltage source 15.

【0054】CrとT3には並列に負荷として放電管1
6を備える。Q1,Q2のゲート,ソース間には、それ
ぞれ位相シフト手段Z3,Z4を介して巻線T1および
T2が接続されており、直列に反対方向で結合されたツ
ェナーダイオードを並列に設けている。巻線T1とT2
は、互いに逆極性になっており、巻線T3と磁気的に結
合される。巻線T3は、共振負荷回路に流れる電流を検
知し、これを巻線T1,T2に帰還して、Q1,Q2の
スイッチング動作を行う。ここで、ゲート端子に接続し
た位相シフト手段Z3,Z4は例えばキャパシタ,イン
ダクタ,抵抗、又はこれらを組み合わせたインピーダン
スであり、この大きさを選定することによってQ1,Q
2のオン,オフのタイミングを任意に調整し、動作周波
数を変える。また、上下スイッチング素子のオンとオフ
にデッドタイムを設けるには、前述の図18,図19又
は図20のようなゲート回路にすることが望ましい。
The discharge tube 1 is used as a load in parallel with Cr and T3.
6 is provided. Windings T1 and T2 are connected between the gates and sources of Q1 and Q2 via phase shift means Z3 and Z4, respectively, and zener diodes connected in series in opposite directions are provided in parallel. Windings T1 and T2
Have opposite polarities and are magnetically coupled to the winding T3. The winding T3 detects a current flowing through the resonance load circuit, feeds it back to the windings T1 and T2, and performs a switching operation of Q1 and Q2. Here, the phase shift means Z3 and Z4 connected to the gate terminals are, for example, capacitors, inductors, resistors, or impedances obtained by combining them.
2 is arbitrarily adjusted to turn on and off, and the operating frequency is changed. In order to provide a dead time between ON and OFF of the upper and lower switching elements, it is desirable to use a gate circuit as shown in FIG. 18, FIG. 19 or FIG.

【0055】図26は無電極ランプの励起コイルと共振
用インダクタを兼ねた構成の点灯回路に本発明を適用し
た実施例である。図26において、接続点OとN点間に
は共振用キャパシタCr,放電管16の励起コイル兼共
振用インダクタLcが直列に接続されている。Crの両
端には直列に接続されたキャパシタCt,巻線T3が接
続されている。Q1,Q2のゲート回路に関しては図2
5と同じ構成であり説明を省略する。図26のような共
振負荷回路では前述のように励起コイルの等価インダク
タンスはランプの点灯状態によって変化する為、共振用
インダクタLrがある場合に比べて、共振負荷回路の共
振周波数の変化は大きくなる。このように負荷変動によ
る共振条件が異なった場合、ゲート端子に接続された位
相シフト手段Z3,Z4は、インピーダンスを変化させ
て自励駆動を持続するように働く。
FIG. 26 shows an embodiment in which the present invention is applied to a lighting circuit having a configuration which also serves as an excitation coil and a resonance inductor of an electrodeless lamp. In FIG. 26, a resonance capacitor Cr and an excitation coil / resonance inductor Lc of the discharge tube 16 are connected in series between the connection points O and N. A capacitor Ct and a winding T3 connected in series are connected to both ends of Cr. FIG. 2 shows the gate circuits of Q1 and Q2.
5, and the description is omitted. In the resonance load circuit as shown in FIG. 26, since the equivalent inductance of the excitation coil changes depending on the lighting state of the lamp as described above, the change in the resonance frequency of the resonance load circuit becomes larger than when the resonance inductor Lr is provided. . When the resonance conditions due to the load fluctuation are different as described above, the phase shift means Z3 and Z4 connected to the gate terminal work to change the impedance and maintain the self-excited driving.

【0056】図27は無電極ランプの励起コイルと共振
用インダクタを兼ねた構成の点灯回路にハイサイド側を
Nチャンネルのスイッチング素子、ローサイド側をPチ
ャンネルのスイッチング素子とした実施例である。接続
点OとN点間には電圧降下手段Z1と共振用キャパシタ
Cr,放電管16の励起コイル兼共振用インダクタLc
が直列に接続されている。電圧降下手段Z1の一端とQ
1,Q2のゲート端子間には位相シフト手段Z3,Z4
が接続されており、Z1の電圧をZ3,Z4を介して、
Q1,Q2のゲート端子に印加する。Q1,Q2のゲー
ト,ソース間に過電圧が印加された場合、スイッチング
素子の破壊を防ぐ為に、直列に反対方向で結合されたツ
ェナーダイオードを設けても良い。このように、ローサ
イド側をPチャンネルのスイッチング素子にしコンプリ
メンタリ型の点灯回路にすることによって、共振負荷回
路に接続される電圧降下手段は、上下スイッチング素子
のゲート回路として共通に利用することが可能である。
ローサイド側がNチャンネルのスイッチング素子と比較
すると部品数は減るため、低コスト化の効果がある。ま
た、共振負荷回路に2つの電圧降下手段Z1,Z2があ
る場合、これらの部品バラツキによって上下スイッチン
グ動作のバランスが崩れることも考えられるが、電圧降
下手段を1つにすることによって、このような問題点を
解決できる。図27の共振負荷回路は無電極ランプの励
起コイルと共振用インダクタを兼ねた構成で図示してい
るが、共振用のインダクタを備えた構成でも良い。
FIG. 27 shows an embodiment in which an N-channel switching element is used on the high side and a P-channel switching element is used on the low side in a lighting circuit configured to also serve as an excitation coil and a resonance inductor of an electrodeless lamp. Between the connection points O and N, there is a voltage drop means Z1, a resonance capacitor Cr, an excitation coil and a resonance inductor Lc of the discharge tube 16.
Are connected in series. One end of the voltage drop means Z1 and Q
Phase shift means Z3, Z4 between the gate terminals of Q1 and Q2.
Are connected, and the voltage of Z1 is changed through Z3 and Z4.
It is applied to the gate terminals of Q1 and Q2. If an overvoltage is applied between the gate and the source of Q1 and Q2, a Zener diode coupled in series in the opposite direction may be provided to prevent the switching element from being destroyed. As described above, by using the P-channel switching element on the low side and a complementary lighting circuit, the voltage drop means connected to the resonance load circuit can be commonly used as the gate circuit of the upper and lower switching elements. is there.
Since the number of components is reduced as compared with the N-channel switching element on the low side, there is an effect of cost reduction. Further, when there are two voltage drop means Z1 and Z2 in the resonance load circuit, it is conceivable that the balance of the upper and lower switching operations may be lost due to variations in these components. Can solve problems. Although the resonance load circuit of FIG. 27 is illustrated as having a configuration in which both the excitation coil of the electrodeless lamp and the resonance inductor are used, a configuration having a resonance inductor may be used.

【0057】これまでの実施例は一対の直列に接続され
たスイッチング素子Q1,Q2の交互スイッチング動作
によって共振用インダクタLrとキャパシタCrを備え
た電流共振型の負荷回路に交流電流を供給する点灯回路
であった。これに対し、1つのスイッチング素子で共振
負荷回路に電力を供給する点灯回路を図28に示す。図
28の点灯回路は無電極ランプの励起コイルと共振用イ
ンダクタを兼ねた構成であり、電圧源15の正電極と負
電極間には直列に接続されたインダクタLrとキャパシ
タCpを備え、Cpの両端にはスイッチング素子Q1が
接続されている。ここで、LrとCpの接続点をOと
し、Q1と電圧源15の負電極の接続点をNとすると、
O点とN点の間には電圧降下手段Z1,共振用キャパシ
タCr,放電管16の励起コイル兼共振用インダクタL
cが直列に接続されている。図28において、スイッチ
ング素子Q1のゲート端子と電圧降下手段Z1の間に
は、位相シフト手段Z3を備えている。この位相シフト
手段は電圧降下手段の電圧をQ1のゲート,ソース間に
印加する際に位相遅れ又は進みを与える役割を果たし、
Q1のオン,オフのタイミングを任意に調整する。Q1
のゲート,ソース間に過電圧が印加されスイッチング素
子の破壊を防ぐ為に、直列に反対方向で結合されたツェ
ナーダイオードを設けても良い。図28において、電圧
降下手段Z1及び位相シフト手段Z3は例えばキャパシ
タ,インダクタ,抵抗、又はこれらを組み合わせた構成
である。図28の共振負荷回路で共振用のインダクタを
用いる場合は、O点とN点の間に電圧降下手段Z1,共
振用インダクタLr,共振用キャパシタCrを直列に接
続し、Crに並列に放電管16を備える。
In the embodiments described above, a lighting circuit for supplying an alternating current to a current resonance type load circuit having a resonance inductor Lr and a capacitor Cr by an alternate switching operation of a pair of switching elements Q1 and Q2 connected in series. Met. In contrast, FIG. 28 shows a lighting circuit that supplies power to the resonance load circuit with one switching element. The lighting circuit of FIG. 28 is configured to also serve as an excitation coil and a resonance inductor of an electrodeless lamp, and includes an inductor Lr and a capacitor Cp connected in series between a positive electrode and a negative electrode of the voltage source 15. The switching element Q1 is connected to both ends. Here, assuming that the connection point between Lr and Cp is O and the connection point between Q1 and the negative electrode of the voltage source 15 is N,
Voltage drop means Z1, resonance capacitor Cr, excitation coil of discharge tube 16 and resonance inductor L are provided between points O and N.
c are connected in series. In FIG. 28, a phase shift means Z3 is provided between the gate terminal of the switching element Q1 and the voltage drop means Z1. This phase shift means plays a role of giving a phase delay or advance when applying the voltage of the voltage drop means between the gate and the source of Q1.
The on / off timing of Q1 is arbitrarily adjusted. Q1
In order to prevent an overvoltage from being applied between the gate and the source of the switching element and destroying the switching element, a zener diode coupled in series in the opposite direction may be provided. In FIG. 28, the voltage drop means Z1 and the phase shift means Z3 have a configuration of, for example, a capacitor, an inductor, a resistor, or a combination thereof. When a resonance inductor is used in the resonance load circuit of FIG. 28, a voltage drop means Z1, a resonance inductor Lr, and a resonance capacitor Cr are connected in series between points O and N, and a discharge tube is connected in parallel with Cr. 16 is provided.

【0058】図28はNチャンネルのスイッチング素子
を1つ用いた点灯回路であったが、図29はPチャンネ
ルのスイッチング素子を用いた点灯回路である。図29
において、電圧源15の正電極と負電極間には直列に接
続されたキャパシタCpとスイッチング素子Q1を備
え、Cpの両端には電圧降下手段Z1,共振用キャパシ
タCr,放電管16の励起コイル兼共振用インダクタL
cが直列に接続されている。スイッチング素子Q1のゲ
ート端子と電圧降下手段Z1の間には、位相シフト手段
Z3を備えている。Q1のゲート,ソース間に直列に反
対方向で結合されたツェナーダイオードを設けても良
い。図29の共振負荷回路で共振用のインダクタを用い
る場合は、Cpの両端に電圧降下手段Z1,共振用イン
ダクタLr,共振用キャパシタCrを直列に接続し、C
rに並列に放電管16を備える。
FIG. 28 shows a lighting circuit using one N-channel switching element. FIG. 29 shows a lighting circuit using a P-channel switching element. FIG.
, A capacitor Cp and a switching element Q1 connected in series between a positive electrode and a negative electrode of the voltage source 15 are provided, and a voltage drop means Z1, a resonance capacitor Cr, and an excitation coil of the discharge tube 16 are provided at both ends of Cp. Resonance inductor L
c are connected in series. Phase shift means Z3 is provided between the gate terminal of the switching element Q1 and the voltage drop means Z1. A Zener diode connected in series in the opposite direction between the gate and the source of Q1 may be provided. When a resonance inductor is used in the resonance load circuit shown in FIG. 29, a voltage drop means Z1, a resonance inductor Lr, and a resonance capacitor Cr are connected in series to both ends of Cp.
A discharge tube 16 is provided in parallel with r.

【0059】ここまでの実施例は、負荷共振回路上に電
圧降下手段を直列に接続し、共振電流によって生じた電
圧に応じてスイッチング素子を駆動した。これに対し、
上下スイッチング素子及び内蔵ダイオードが各々オンし
ている期間のみ、共振電流によって生じる電圧を用いて
駆動する実施例を以下に説明する。
In the above embodiments, the voltage drop means is connected in series on the load resonance circuit, and the switching element is driven according to the voltage generated by the resonance current. In contrast,
An embodiment in which driving is performed using a voltage generated by a resonance current only during a period in which the upper and lower switching elements and the built-in diode are turned on will be described below.

【0060】図30の実施例において電圧源15は、交
流電源ACをインダクタLfとCfからなるACフィル
タを介し、ダイオードブリッジDBで構成される整流回
路で整流し、直流電圧を発生する。Q1のドレイン端子
は電圧源15の正電極と接続し、Q1のソース端子とQ
2のドレイン端子間には電圧降下手段としてキャパシタ
C1を接続し、C1とQ2の接続点をOとする。キャパ
シタC1には並列に抵抗R1を接続する。また、Q2の
ソース端子と電圧源15の負電極の間にはキャパシタC
2を接続し、Q2と電圧源15の負電極の接続点をNと
する。C1と同様にキャパシタC2にも並列に、抵抗R
2を接続する。接続点OとN点の間には共振用インダク
タLr、共振用キャパシタCrを直列に接続し、Crに
は並列に放電管16を備える。放電管が無電極ランプの
場合には、図30のLrは励起コイルと共振用インダク
タを兼ねた構成でもよい。
In the embodiment shown in FIG. 30, the voltage source 15 rectifies an AC power supply AC through an AC filter including inductors Lf and Cf by a rectifier circuit composed of a diode bridge DB to generate a DC voltage. The drain terminal of Q1 is connected to the positive electrode of voltage source 15, and the source terminal of Q1 is connected to Q1.
A capacitor C1 is connected between the two drain terminals as voltage drop means, and a connection point between C1 and Q2 is O. A resistor R1 is connected in parallel with the capacitor C1. A capacitor C is connected between the source terminal of Q2 and the negative electrode of voltage source 15.
2 is connected, and the connection point between Q2 and the negative electrode of the voltage source 15 is N. A resistor R
2 is connected. A resonance inductor Lr and a resonance capacitor Cr are connected in series between the connection points O and N, and a discharge tube 16 is provided in parallel with Cr. When the discharge tube is an electrodeless lamp, Lr in FIG. 30 may be configured to serve both as an excitation coil and a resonance inductor.

【0061】Q1のドレイン端子とソース端子の間に
は、キャパシタC3を並列に接続し、ゲート端子と出力
Oの間にはゲート抵抗R5,キャパシタ13を直列に接
続する。Q1と同じようにQ2のドレイン端子とソース
端子の間にも、キャパシタC4を並列接続し、ゲート端
子とNの間にはゲート抵抗R6,キャパシタ14を直列
に接続する。キャパシタ14には並列にツェナーダイオ
ードZD1を接続する。また、ダイオードZD1のカソ
ードと直列に接続されたインダクタLf,Cfの接続点
間には抵抗Rs3を接続する。ここで、キャパシタ14
の電圧はQ2の駆動用電源であり、AC電圧の大きさに
関係なくダイオードZD1のツェナ電圧を維持する。ま
た、Q1を駆動する電源はキャパシタ13の電圧であ
り、Q2をオンさせてN点を基準とするキャパシタC1
4の電圧からダイオードD1を介して充電する。
A capacitor C3 is connected in parallel between the drain terminal and the source terminal of Q1, and a gate resistor R5 and a capacitor 13 are connected in series between the gate terminal and the output O. Similarly to Q1, a capacitor C4 is connected in parallel between the drain terminal and the source terminal of Q2, and a gate resistor R6 and a capacitor 14 are connected in series between the gate terminal and N. A Zener diode ZD1 is connected to the capacitor 14 in parallel. Further, a resistor Rs3 is connected between a connection point of the inductors Lf and Cf connected in series with the cathode of the diode ZD1. Here, the capacitor 14
Is the power supply for driving Q2, and maintains the zener voltage of diode ZD1 regardless of the magnitude of the AC voltage. The power supply for driving Q1 is the voltage of the capacitor 13, and when Q2 is turned on, the capacitor C1
4 through the diode D1.

【0062】次に、この回路の動作を図31を用いて説
明する。図31は図30の実施例における各部の波形を
表す。共振回路の電流ILを図30でO点から流れ出る
方向を正として定義すると、電流ILの1周期の間には
Q1,Q2、及びQD1,QD2に関わる動作モードが
4つあり、これらの期間を図31にt1からt4として
示す。以後、各動作モードを説明する。
Next, the operation of this circuit will be described with reference to FIG. FIG. 31 shows waveforms at various points in the embodiment of FIG. If the direction of the current IL flowing out of the point O in FIG. 30 is defined as positive in FIG. 30, there are four operation modes related to Q1 and Q2 and QD1 and QD2 during one cycle of the current IL. FIG. 31 shows the values as t1 to t4. Hereinafter, each operation mode will be described.

【0063】モード1(t1期間):Q1がオンすると
電圧源15からQ1,C1,Lr,Crの経路で電流I
Lが流れる。電流ILはCrを充電すると共に、一部が
放電管16に分流して流れる。また、ILによってキャ
パシタC1は充電される。モード1においてQ1のゲー
ト,ソース間に印加される電圧はキャパシタ13の電圧
とVc1の差電圧であり、Vc1が増加するほどQ1の
ゲート電圧が減少する。ゲート電圧がMOSFETのしきい値
電圧以下になると、Q1はオフする。
Mode 1 (t1 period): When Q1 turns on, the current I flows through the path of Q1, C1, Lr and Cr from the voltage source 15.
L flows. The current IL charges the Cr and partially flows to the discharge tube 16. The capacitor C1 is charged by IL. In mode 1, the voltage applied between the gate and the source of Q1 is the difference voltage between the voltage of capacitor 13 and Vc1, and the gate voltage of Q1 decreases as Vc1 increases. When the gate voltage falls below the threshold voltage of the MOSFET, Q1 turns off.

【0064】この期間中、キャパシタC2は抵抗R2に
よって放電されている。C2の電圧Vc2は図31に示
すように徐々に減少する。
During this period, the capacitor C2 is discharged by the resistor R2. The voltage Vc2 of C2 gradually decreases as shown in FIG.

【0065】Q1がオフすると、Q1,Q2に並列に設
けたC3,C4により、図9のように電流IL/2がC
3を通って流れ、Q1のドレイン,ソース間の電圧上昇
dV/dtはIL/2C3で制限される。同時にC4を
放電する電流IL/2が流れ、Q2の電圧下降時のdV
/dtもQ1と同様にIL/2C4で制限される。スイ
ッチング時のdV/dtは伝導ノイズ,放射ノイズの原
因になるが、本実施例のようにdV/dtを抑制するソ
フトスイッチングを行えば、こうした問題を軽減するこ
とができる。また、t1期間終了時のQ1の電流波形に
丸印を示したが、この時刻ではQ1の電圧がほぼ零であ
り、Q1の電流と電圧が重なるスイッチング損失が無い
ことを示している。このように、ソフトスイッチングは
スイッチング損失を低減する上でも効果がある。
When Q1 is turned off, C3 and C4 provided in parallel with Q1 and Q2 cause the current IL / 2 to become C
3, the voltage rise dV / dt between the drain and source of Q1 is limited by IL / 2C3. At the same time, a current IL / 2 for discharging C4 flows, and dV when the voltage of Q2 falls
/ Dt is also limited by IL / 2C4 like Q1. Although dV / dt at the time of switching causes conduction noise and radiation noise, such a problem can be reduced by performing soft switching for suppressing dV / dt as in the present embodiment. Although a circle is shown in the current waveform of Q1 at the end of the t1 period, the voltage of Q1 is almost zero at this time, indicating that there is no switching loss in which the current and the voltage of Q1 overlap. Thus, soft switching is effective in reducing switching loss.

【0066】上記動作でC3の充電電流はC1を充電
し、Q1のゲート電圧は更に減少するため、安定なオフ
を確保できる。一方、キャパシタC4の放電電流はC2
を逆充電し、Vc2は更に減少する。
In the above operation, the charging current of C3 charges C1 and the gate voltage of Q1 further decreases, so that stable OFF can be ensured. On the other hand, the discharge current of the capacitor C4 is C2
, And Vc2 further decreases.

【0067】モード2(t2期間):Q1がオフした時
点では電流ILは正の極性で値を有しており、この電流
はLr,Cr,C2,QD2の経路で流れ続ける。尚、
電流ILの一部は放電管16に分流して流れる。
Mode 2 (t2 period): When Q1 is turned off, the current IL has a positive polarity and a value, and this current continues to flow through the paths of Lr, Cr, C2, and QD2. still,
Part of the current IL flows to the discharge tube 16 by shunting.

【0068】電流ILはC2を逆充電するように作用
し、Vc2は減少する。Q2のゲート,ソース間に印加
される電圧はQ1と同様にキャパシタ14の電圧とVc
2の差電圧であり、Vc2が減少するほどQ2のゲート
電圧が増加する。ゲート電圧がMOSFETのしきい値電圧以
上になると、Q2はオンする。また、モード2期間中の
電流極性はQ2にとって逆方向であり、図31に示すよ
うにゲート電圧が充電されても電流の極性が変わらない
限り、電流はQD2を流れ続ける。電流ILの極性が負
に変化するまでの期間がモード2であり、この期間中、
C2の逆充電は続きVc2は減少する。
The current IL acts to reverse-charge C2, and Vc2 decreases. The voltage applied between the gate and source of Q2 is equal to the voltage of capacitor 14 and Vc as in Q1.
2, the gate voltage of Q2 increases as Vc2 decreases. When the gate voltage exceeds the threshold voltage of the MOSFET, Q2 turns on. In addition, the current polarity during the mode 2 period is opposite to Q2, and the current continues to flow through QD2 as long as the polarity of the current does not change even if the gate voltage is charged as shown in FIG. The period until the polarity of the current IL changes to the negative is Mode 2, and during this period,
Reverse charging of C2 continues and Vc2 decreases.

【0069】キャパシタC1はモード2の期間中、抵抗
R1によって放電されており、Vc1は徐々に減少する。
The capacitor C1 is discharged by the resistor R1 during the period of the mode 2, and Vc1 gradually decreases.

【0070】モード3(t3期間):電流ILの極性が
正から負に変わると、モード2でゲート電圧が充電され
たQ2にILが流れる。即ち、ILはCrの放電電流と
してQ2,C2,Cr,Lrの経路で流れ、C2はIL
によって充電される。ILによってVc2が増加し、ゲ
ート電圧がMOSFETのしきい値電圧以下になると、Q2は
オフする。モード3においてもモード1と同様に、電流
ILの極性が負の期間中にQ2がオフする。
Mode 3 (t3 period): When the polarity of the current IL changes from positive to negative, IL flows through Q2 charged with the gate voltage in mode 2. That is, IL flows as a discharge current of Cr through a path of Q2, C2, Cr, Lr, and C2 is IL.
Will be charged by. When Vc2 increases due to IL and the gate voltage falls below the threshold voltage of the MOSFET, Q2 turns off. In mode 3, as in mode 1, Q2 turns off during the period in which the polarity of current IL is negative.

【0071】キャパシタC1はモード3の期間中、抵抗
R1によって放電されており、Vc1は徐々に減少する。
The capacitor C1 is discharged by the resistor R1 during the mode 3, and Vc1 gradually decreases.

【0072】Q2がオフすると、Q1がオフした場合と
同様に、Q1,Q2に並列に設けたC3,C4により、
電流IL/2がC4を通って流れ、Q2のドレイン,ソ
ース間の電圧上昇dV/dtはIL/2C4で制限され
る。同時にC3を放電する電流IL/2が流れ、Q1の
電圧下降時のdV/dtもQ2と同様にIL/2C3で
制限される。t3期間終了時のQ2の電流波形に丸印を
示したが、この時刻ではQ2の電圧がほぼ零であり、Q
2の電流と電圧が重なるスイッチング損失が無いことを
示している。
When Q2 is turned off, as in the case where Q1 is turned off, C3 and C4 provided in parallel with Q1 and Q2 provide
The current IL / 2 flows through C4, and the voltage rise dV / dt between the drain and source of Q2 is limited by IL / 2C4. At the same time, a current IL / 2 for discharging C3 flows, and dV / dt when the voltage of Q1 falls is also limited by IL / 2C3 like Q2. A circle is shown on the current waveform of Q2 at the end of the t3 period. At this time, the voltage of Q2 is almost zero,
2 shows that there is no switching loss in which the current and the voltage overlap.

【0073】上記動作でC4の充電電流はC2を充電
し、Q2のゲート電圧は更に減少するため、安定なオフ
を確保できる。C3の放電電流はC1を逆充電し、Vc
1は減少する。
In the above operation, the charging current of C4 charges C2, and the gate voltage of Q2 further decreases, so that stable OFF can be ensured. The discharge current of C3 reverse charges C1 and Vc
1 decreases.

【0074】モード4(t4期間):Q2がオフした時
点では電流ILは負の極性で値を有しており、Lrに蓄
積された電磁エネルギーによって、電流ILはLr,C
1,QD1,電圧源15,Cr,Lrの経路で流れ続け
る。尚、電流ILの一部は放電管16に分流して流れ
る。
Mode 4 (t4 period): When Q2 is turned off, the current IL has a negative polarity and has a value, and the current IL is changed to Lr, C by the electromagnetic energy accumulated in Lr.
1, QD1, voltage source 15, Cr, Lr. A part of the current IL flows to the discharge tube 16 by shunting.

【0075】電流ILはC1を逆充電するように作用
し、Vc1は減少し、Q1のゲート電圧が増加する。ゲ
ート電圧がMOSFETのしきい値電圧以上になると、Q1は
オンする。但し、モード4期間中の電流極性はQ1にと
って逆方向であり、ゲート電圧が充電されても電流の極
性が変わらない限り、電流はQD1を流れ続ける。電流
ILの極性が正に変化するまでの期間がモード4であ
り、この期間中、C1の逆充電は続きVc1は減少す
る。また、キャパシタC2はモード4の期間中、抵抗R
2によって放電されており、Vc2は徐々に減少する。
The current IL acts to reverse-charge C1, causing Vc1 to decrease and increasing the gate voltage of Q1. When the gate voltage exceeds the threshold voltage of the MOSFET, Q1 turns on. However, the current polarity during the mode 4 is opposite to that of Q1, and the current continues to flow through QD1 even if the gate voltage is charged, as long as the polarity of the current does not change. Mode 4 is a period until the polarity of the current IL changes to positive, and during this period, reverse charging of C1 continues and Vc1 decreases. Further, during the period of the mode 4, the capacitor C2 has the resistance R
2, and Vc2 gradually decreases.

【0076】ここで、キャパシタC1,C2に並列接続
した抵抗R1,R2は、キャパシタの電圧にバイアス電
圧を与える。これは、MOSFETのゲート電圧を下げて、上
下スイッチのオン,オフにデッドタイム期間を設ける役
割を果たしている。また、スイッチがオフしている期間
中にキャパシタの電圧を減少させることにより、上下ス
イッチのオン期間を調整している。
Here, the resistors R1 and R2 connected in parallel to the capacitors C1 and C2 apply a bias voltage to the voltage of the capacitors. This serves to lower the gate voltage of the MOSFET and provide a dead time period for turning on and off the upper and lower switches. Further, the on-period of the up / down switch is adjusted by decreasing the voltage of the capacitor during the period in which the switch is off.

【0077】以上のように、電流ILの1周期の間にモ
ード1からモード4の動作が行われ、以後、この動作を
繰り返す。
As described above, the operations from mode 1 to mode 4 are performed during one cycle of the current IL, and thereafter, this operation is repeated.

【0078】本方式は、キャパシタ電圧Vc1,Vc2
の電圧に応じてQ1,Q2をオフするため、Q1,Q2
のゲート電圧が減少し零に近づくほど、電流能力が低下
する欠点がある。これは、オン抵抗の増加を意味し、特
に駆動周波数が数十kHz程度の用途で、Q1,Q2の
スイッチング損失よりも定常損失の方が大きい場合に対
してはQ1,Q2のオン抵抗を増加させないよう十分な
ゲート電圧を印加する方が望まれる。そこで、このよう
な問題点を解決する実施例を図32に示す。
In this method, the capacitor voltages Vc1, Vc2
Q1 and Q2 are turned off according to the voltage of Q1, Q2
However, there is a disadvantage that the current capability decreases as the gate voltage of the transistor decreases and approaches zero. This means an increase in the on-resistance, especially when the driving frequency is about several tens of kHz and the steady-state loss is larger than the switching loss in Q1 and Q2. It is desirable to apply a sufficient gate voltage so as not to cause this. Therefore, an embodiment for solving such a problem is shown in FIG.

【0079】図32の実施例で負荷共振回路の構成は図
30と同様であるため、説明を省略する。図32より、
Q1のゲート端子とMOSFET S3のドレイン端子を接続
し、Q1のソース端子とS3のゲート端子間には抵抗R
7を接続する。S3のソース端子は、O点に接続する。
Q2の駆動回路もQ1と同様な構成であり、Q2のゲー
ト端子とMOSFET S4のドレイン端子を接続し、Q2の
ソース端子とS4のゲート端子間には抵抗R8を接続す
る。S4のソース端子は、N点に接続する。
Since the configuration of the load resonance circuit in the embodiment of FIG. 32 is the same as that of FIG. 30, the description is omitted. From FIG. 32,
The gate terminal of Q1 is connected to the drain terminal of MOSFET S3, and a resistor R is connected between the source terminal of Q1 and the gate terminal of S3.
7 is connected. The source terminal of S3 is connected to point O.
The driving circuit of Q2 has the same configuration as that of Q1. The gate terminal of Q2 is connected to the drain terminal of MOSFET S4, and the resistor R8 is connected between the source terminal of Q2 and the gate terminal of S4. The source terminal of S4 is connected to point N.

【0080】次に、図32の実施例の動作を図33を用
いて説明する。図33は図32の各部の波形を表す。
Next, the operation of the embodiment of FIG. 32 will be described with reference to FIG. FIG. 33 shows waveforms at various points in FIG.

【0081】始めに、Q1がオンすると電圧源15から
Q1,C1,Lr,Crの経路で電流ILが流れる。IL
によってキャパシタC1は充電され、Vc1がMOSFET
S3のしきい値電圧を超えると、S3はオンする。これ
により、Q1のゲート電圧はS3,C1の経路で放電さ
れ、Vc1がソース,ゲート間に逆バイアスとして印加
されるため、ノイズなどによって再度Q1が瞬間的にオ
ンするようなことはなく、安定なオフを確保できる。
First, when Q1 is turned on, a current IL flows from the voltage source 15 through the path of Q1, C1, Lr, and Cr. IL
The capacitor C1 is charged by Vc1
When the voltage exceeds the threshold voltage of S3, S3 turns on. As a result, the gate voltage of Q1 is discharged through the path of S3 and C1, and Vc1 is applied as a reverse bias between the source and the gate, so that Q1 does not turn on again instantaneously due to noise or the like, and is stable. Off can be secured.

【0082】次に、Q1がオフすると、図30,図31
で述べたモード2と同じ動作が開始される。この説明は
前述の通りであり、ここでは説明を省略する。
Next, when Q1 turns off, FIGS.
The same operation as in mode 2 described above is started. This description is as described above, and the description is omitted here.

【0083】電流ILの極性が正から負に変わると、Q
2にILが流れる。即ち、ILはCrの放電電流として
Q2,C2,Cr,Lrの経路で流れ、C2はILによ
って充電される。ILによってVc2が増加し、MOSFET
S4のしきい値電圧を超えると、S4はオンする。こ
れにより、Q2のゲート電圧はS4,C2の経路で放電
され、Vc2の電圧がQ2のソース,ゲート間に逆バイ
アスとして印加され、Q2はオフする。この期間がモー
ド3になる。
When the polarity of the current IL changes from positive to negative, Q
IL flows through 2. That is, IL flows as a discharge current of Cr through a path of Q2, C2, Cr, Lr, and C2 is charged by IL. Vc2 increases due to IL, MOSFET
When the voltage exceeds the threshold voltage of S4, S4 turns on. As a result, the gate voltage of Q2 is discharged through the path of S4 and C2, the voltage of Vc2 is applied as a reverse bias between the source and gate of Q2, and Q2 is turned off. This period is Mode 3.

【0084】Q2がオフすると、図30,図31で述べ
たモード4と同じ動作が始まる。この期間の動作説明
は、前述の通りであり省略する。
When Q2 is turned off, the same operation as in mode 4 described with reference to FIGS. 30 and 31 starts. The description of the operation during this period is as described above and will not be repeated.

【0085】電流ILの1周期の間に以上のような動作
が行われ、以後、この動作を繰り返す。
The above operation is performed during one cycle of the current IL, and thereafter, this operation is repeated.

【0086】次に1つのスイッチング素子を用いた電圧
共振型の点灯回路を図34に示す。図より、電圧源15
の正電極とスイッチング素子Q2のドレイン端子間には
共振用キャパシタCpを接続する。また、キャパシタC
pの両端には、共振用インダクタLr,共振用キャパシ
タCrを直列に接続し、Crには並列に負荷として放電
管16を備える。共振負荷回路は図34に図示した構成
に限定せず、Lrは無電極ランプの励起コイルと共振用
インダクタを兼ねた構成でもよい。Q2のソース端子と
電圧源15の負電極間にはキャパシタC2を接続し、C
2に並列に抵抗R2を接続する。また、Q2のドレイ
ン,ソース端子間にはキャパシタC4を接続する。電圧
源15の負電極をN点とすると、ゲート端子とN点の間
にはゲート抵抗R6,キャパシタ14を直列に接続し、
キャパシタ14には並列にツェナーダイオードZD1を
接続する。また、ダイオードZD1のカソードと直列に
接続されたインダクタLf,Cfの接続点間には抵抗R
s3を接続する。
Next, a voltage resonance type lighting circuit using one switching element is shown in FIG. As shown in FIG.
Is connected between the positive electrode and the drain terminal of the switching element Q2. Also, the capacitor C
At both ends of p, a resonance inductor Lr and a resonance capacitor Cr are connected in series, and Cr has a discharge tube 16 as a load in parallel. The resonance load circuit is not limited to the configuration shown in FIG. 34, and Lr may be a configuration that also serves as an excitation coil of an electrodeless lamp and a resonance inductor. A capacitor C2 is connected between the source terminal of Q2 and the negative electrode of voltage source 15,
2, a resistor R2 is connected in parallel. A capacitor C4 is connected between the drain and source terminals of Q2. Assuming that the negative electrode of the voltage source 15 is at point N, a gate resistor R6 and a capacitor 14 are connected in series between the gate terminal and point N,
A Zener diode ZD1 is connected to the capacitor 14 in parallel. A resistor Rf is connected between the connection points of the inductors Lf and Cf connected in series with the cathode of the diode ZD1.
Connect s3.

【0087】次に図34の動作を説明する。最初に、Q
2がオンすると電圧源15から、Lr,Cr,Q2,C
2の経路で電流ILが流れることによってキャパシタC
2は充電される。この期間、Q2のゲート,ソース間に
印加される電圧はキャパシタ14の電圧とVc2の差電
圧であり、Vc2が増加するほどQ2のゲート電圧が減
少する。ゲート電圧がMOSFETのしきい値電圧以下になる
と、Q2はオフする。この期間中、キャパシタCpの電
圧は電圧源15の電圧となる。
Next, the operation of FIG. 34 will be described. First, Q
2 turns on, the voltage source 15 outputs Lr, Cr, Q2, C
When the current IL flows through the path C2, the capacitor C
2 is charged. During this period, the voltage applied between the gate and the source of Q2 is the difference voltage between the voltage of capacitor 14 and Vc2, and the gate voltage of Q2 decreases as Vc2 increases. When the gate voltage falls below the threshold voltage of the MOSFET, Q2 turns off. During this period, the voltage of the capacitor Cp becomes the voltage of the voltage source 15.

【0088】Q2がオフすると、Q2に並列に設けたC
4により、電流ILはCpとC4に分流しC4の電流を
Ic4とすると、Q2のドレイン,ソース間の電圧上昇
dV/dtはIc4×C4で制限される。また、C4の
充電電流はC2を充電し、Q2のゲート電圧は更に減少
するため、安定なオフを確保できる。ここで、キャパシ
タC4を取り除いた場合においても、Q2のドレイン電
圧の増加と共に、キャパシタC2の電圧も増加し、Q2
のゲート電圧が減少する。これにより、Q2がオフした
後、再びQ2がオンするようなことはない。Q2がオフ
した時刻では、電流ILがLr,Cr,Cpの共振経路
で流れる為、キャパシタCpの電圧は徐々に減少する。
また、Q2のドレイン,ソース間の電圧はほぼ零であ
り、Q2の電流と電圧が重なるスイッチング損失が無い
ことを示している。
When Q2 is turned off, C provided in parallel with Q2
Assuming that the current IL is divided into Cp and C4 and the current of C4 is Ic4, the voltage rise dV / dt between the drain and source of Q2 is limited by Ic4 × C4. Further, the charging current of C4 charges C2, and the gate voltage of Q2 further decreases, so that stable OFF can be ensured. Here, even when the capacitor C4 is removed, as the drain voltage of Q2 increases, the voltage of the capacitor C2 also increases.
The gate voltage of the transistor decreases. Thus, after Q2 turns off, Q2 does not turn on again. At the time when Q2 is turned off, the current IL flows through the resonance path of Lr, Cr, and Cp, so that the voltage of the capacitor Cp gradually decreases.
Further, the voltage between the drain and source of Q2 is almost zero, indicating that there is no switching loss where the current and voltage of Q2 overlap.

【0089】次に、Q2がオフした時点では電流ILは
Lr,Cr,Cpの経路で流れ続ける。この期間中、L
rに蓄積された電磁エネルギーによって電流ILが流れ
る為、極性が変わらない限り、電流はCpを流れ続け、
Cpは逆充電される。一方、キャパシタC2は、抵抗R
2によって放電されており、電圧は徐々に減少する。電
流ILの極性が負に変化するまでのこの動作が続く。
Next, when Q2 is turned off, the current IL continues to flow through the paths of Lr, Cr and Cp. During this period, L
Since the current IL flows due to the electromagnetic energy stored in r, the current continues to flow through Cp unless the polarity changes,
Cp is reversely charged. On the other hand, the capacitor C2 has the resistance R
2 and the voltage gradually decreases. This operation continues until the polarity of the current IL changes to negative.

【0090】電流ILの極性が変わると、ILはCpの
放電電流としてCp,Cr,Lrの経路で流れ、Cpの
電圧が電圧源15の電圧に達するまで流れ続ける。一
方、Q2のドレイン,ソース間電圧はキャパシタCpの
電圧増加に伴い、徐々に減少する。
When the polarity of the current IL changes, the current IL flows through the path of Cp, Cr, and Lr as the discharge current of Cp, and continues to flow until the voltage of Cp reaches the voltage of the voltage source 15. On the other hand, the voltage between the drain and the source of Q2 gradually decreases as the voltage of the capacitor Cp increases.

【0091】キャパシタCpの電圧が電圧源15の電圧
に達すると、電流ILはQ2に並列に設けたC4に流れ
る。C4の電流はC2を逆充電し、Q2のゲート電圧が
増加する。続いて、Lrに蓄積された電磁エネルギーに
よってLr,電圧源15,C2,QD2,Crの経路で
電流ILが流れ続ける。電流の極性が変わらない限り、
C2は逆充電され、ゲート電圧がMOSFETのしきい値電圧
以上になると、Q2はオンする。
When the voltage of the capacitor Cp reaches the voltage of the voltage source 15, the current IL flows to C4 provided in parallel with Q2. The current in C4 reverse charges C2, increasing the gate voltage of Q2. Subsequently, the current IL continues to flow through the path of Lr, the voltage source 15, C2, QD2, and Cr by the electromagnetic energy stored in Lr. Unless the polarity of the current changes,
C2 is reverse-charged, and when the gate voltage exceeds the threshold voltage of the MOSFET, Q2 turns on.

【0092】電流ILの1周期の間に以上のような動作
が行われ、以後、この動作を繰り返す。
The above operation is performed during one cycle of the current IL, and thereafter, this operation is repeated.

【0093】また、図34の実施例において、Q2の駆
動回路を図32のような構成にし、コンデンサ電圧Vc
2の電圧増加に伴い、Q2のゲート電圧が減少し電流能
力が低下するという問題を解決することが可能である。
In the embodiment of FIG. 34, the driving circuit of Q2 is configured as shown in FIG.
It is possible to solve the problem that the gate voltage of Q2 is reduced and the current capability is reduced as the voltage of 2 is increased.

【0094】点灯回路を白熱電球の口金に内蔵する場
合、放電管からの発熱により口金内部の温度は100℃
付近の高温となるため、点灯回路は高温環境下でも正常
な動作を維持しなければならない。本発明でスイッチン
グ素子のゲート端子に接続した位相シフト手段は高温時
において、インピーダンス値を変え、温度補償用のイン
ピーダンスとして用いることも可能である。このように
高温でも動作の安定化を図ることができる為、点灯回路
を電球口金に内蔵した電球形の蛍光ランプに適してい
る。
When the lighting circuit is built in the base of the incandescent lamp, the temperature inside the base is 100 ° C. due to heat generated from the discharge tube.
Since the temperature becomes high in the vicinity, the lighting circuit must maintain normal operation even in a high temperature environment. In the present invention, the phase shift means connected to the gate terminal of the switching element can change the impedance value at a high temperature and can be used as an impedance for temperature compensation. Since the operation can be stabilized even at a high temperature as described above, it is suitable for a bulb-type fluorescent lamp in which a lighting circuit is incorporated in a bulb base.

【0095】[0095]

【発明の効果】本発明によれば、照明用点灯装置におい
て、放電管,共振用インダクタ及び共振コンデンサから
構成される共振負荷の変動により、共振条件が変化した
際にも負荷の共振周波数及び電流に同期した安定な共振
動作を保証することが出来る。また、安価な部品で点灯
回路を構成することができることから経済的にも効果的
である。
According to the present invention, in the lighting device for lighting, the resonance frequency and current of the load are maintained even when the resonance condition changes due to the fluctuation of the resonance load composed of the discharge tube, the resonance inductor and the resonance capacitor. A stable resonance operation synchronized with the above can be guaranteed. Further, since the lighting circuit can be constituted by inexpensive components, it is economically effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による点灯回路を示す第1の概略図。FIG. 1 is a first schematic diagram showing a lighting circuit according to the present invention.

【図2】本発明による点灯回路を示す第2の概略図。FIG. 2 is a second schematic diagram showing a lighting circuit according to the present invention.

【図3】本発明による点灯回路の第1の実施例。FIG. 3 shows a first embodiment of a lighting circuit according to the present invention.

【図4】図3のゲート回路の第1の等価回路。FIG. 4 is a first equivalent circuit of the gate circuit of FIG. 3;

【図5】図3のゲート回路の第2の等価回路。FIG. 5 is a second equivalent circuit of the gate circuit of FIG. 3;

【図6】図3の実施例の動作説明図。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the embodiment in FIG. 3;

【図7】ゲートインダクタに対する共振電流とゲート電
圧の位相差及び動作周波数の関係。
FIG. 7 shows a relationship between a phase difference between a resonance current and a gate voltage for a gate inductor and an operation frequency.

【図8】本発明による点灯回路の第2の実施例。FIG. 8 shows a second embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図9】図8の実施例の動作説明図。FIG. 9 is an operation explanatory diagram of the embodiment of FIG. 8;

【図10】本発明による点灯回路を示す第3の概略図。FIG. 10 is a third schematic diagram showing a lighting circuit according to the present invention.

【図11】無電極ランプの等価回路。FIG. 11 is an equivalent circuit of an electrodeless lamp.

【図12】無電極ランプの点灯前の等価回路。FIG. 12 is an equivalent circuit before lighting of the electrodeless lamp.

【図13】無電極ランプの点灯後の等価回路。FIG. 13 is an equivalent circuit after lighting of the electrodeless lamp.

【図14】周波数と共振電流の関係。FIG. 14 shows a relationship between frequency and resonance current.

【図15】本発明による点灯回路の第3の実施例。FIG. 15 shows a third embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図16】負荷共振周波数に対する共振電流とゲート電
圧の位相差の関係。
FIG. 16 shows a relationship between a resonance current and a phase difference between a gate voltage and a load resonance frequency.

【図17】ゲート回路のドレイン電圧Vds,ゲート電
圧Vg及び共振電流ILの波形。
FIG. 17 shows waveforms of a drain voltage Vds, a gate voltage Vg, and a resonance current IL of the gate circuit.

【図18】ゲート回路の第1の実施例。FIG. 18 shows a first embodiment of a gate circuit.

【図19】ゲート回路の第2の実施例。FIG. 19 shows a second embodiment of the gate circuit.

【図20】本発明による点灯回路の第4の実施例。FIG. 20 shows a fourth embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図21】本発明による点灯回路の第5の実施例。FIG. 21 shows a fifth embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図22】図21の実施例の動作説明図。FIG. 22 is an operation explanatory diagram of the embodiment in FIG. 21;

【図23】本発明による点灯回路の第6の実施例。FIG. 23 shows a sixth embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図24】図22の実施例の動作説明図。FIG. 24 is an operation explanatory view of the embodiment in FIG. 22;

【図25】本発明による点灯回路の第7の実施例。FIG. 25 shows a seventh embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図26】本発明による点灯回路の第8の実施例。FIG. 26 shows an eighth embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図27】本発明による点灯回路を示す第4の概略図。FIG. 27 is a fourth schematic diagram showing a lighting circuit according to the present invention.

【図28】本発明による点灯回路を示す第5の概略図。FIG. 28 is a fifth schematic diagram showing a lighting circuit according to the present invention.

【図29】本発明による点灯回路を示す第6の概略図。FIG. 29 is a sixth schematic diagram showing a lighting circuit according to the present invention.

【図30】本発明による点灯回路の第9の実施例。FIG. 30 shows a ninth embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図31】図30の実施例の動作説明図。FIG. 31 is an operation explanatory view of the embodiment in FIG. 30;

【図32】本発明による点灯回路の第10の実施例。FIG. 32 is a tenth embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【図33】図32の実施例の動作説明図。FIG. 33 is an operation explanatory view of the embodiment in FIG. 32;

【図34】本発明による点灯回路の第11の実施例。FIG. 34 shows an eleventh embodiment of the lighting circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1,Q2…パワーMOSFET、D1,QD1,QD2,D
g1…ダイオード、Z1,Z2…電圧降下手段、Z3,
Z4…位相シフト手段、ZD1〜ZD8…ツェナーダイ
オード、Zg…インピーダンス、AC…交流電源、DB
…整流回路、C1〜C4,Cs,Ct,Cf,Cr,C
d,Ciss,Cp,Cd1,13〜14…キャパシ
タ、L1〜L4,La,Ls,Lc,Lf,Lr…イン
ダクタ、R1〜R8,Ra,Rs,Rd1,Rd2,R
z,Rs1〜Rs3…抵抗、S1,S2,17…スイッ
チ、T1〜T3…巻線、1〜4,S3,S4…半導体ス
イッチ素子、5,7…NAND回路、6,8…電圧比較
器、11,12…駆動回路、15…電圧源、16…放電
管。
Q1, Q2: Power MOSFET, D1, QD1, QD2, D
g1: diode, Z1, Z2: voltage drop means, Z3
Z4: phase shift means, ZD1 to ZD8: Zener diode, Zg: impedance, AC: AC power supply, DB
... Rectifier circuit, C1-C4, Cs, Ct, Cf, Cr, C
d, Ciss, Cp, Cd1, 13 to 14: Capacitor, L1 to L4, La, Ls, Lc, Lf, Lr: Inductor, R1 to R8, Ra, Rs, Rd1, Rd2, R
z, Rs1 to Rs3: resistor, S1, S2, 17: switch, T1 to T3: winding, 1-4, S3, S4: semiconductor switch element, 5, 7: NAND circuit, 6, 8: voltage comparator, 11, 12 drive circuit, 15 voltage source, 16 discharge tube.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H02M 7/5383 H02M 7/5383 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H02M 7/5383 H02M 7/5383

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ブリッジ接続された2つのパワー半導体素
子のスイッチングに応じて、共振手段に交流電圧を印加
し、前記共振手段に接続された放電管に交流電流を供給
する照明用点灯装置であって、 前記パワー半導体素子からなるブリッジの入出力端子
に、前記共振手段と第1,第2の電圧降下手段を直列に
接続すると共に、前記第1,第2の電圧降下手段の電圧
を、逆位相の信号として、前記2つのパワー半導体素子
の制御端子に印加することを特徴とする照明用点灯装
置。
An illumination lighting device for applying an AC voltage to a resonance means and supplying an AC current to a discharge tube connected to the resonance means in accordance with switching of two bridge-connected power semiconductor elements. The resonance means and the first and second voltage drop means are connected in series to input / output terminals of a bridge made of the power semiconductor element, and the voltages of the first and second voltage drop means are inverted. A lighting device for lighting, wherein a phase signal is applied to control terminals of the two power semiconductor elements.
【請求項2】請求項1記載の照明用点灯装置において、
前記第1,第2の電圧降下手段の電圧を、第1,第2の
位相シフト手段を介して前記2つのパワー半導体素子の
制御端子に印加することを特徴とする照明用点灯装置。
2. The lighting device for lighting according to claim 1, wherein
A lighting device for lighting, wherein the voltages of the first and second voltage drop means are applied to control terminals of the two power semiconductor elements via first and second phase shift means.
【請求項3】請求項2記載の照明用点灯装置において、
前記第1,第2の電圧降下手段はいずれもキャパシタ手
段とすると共に、該キャパシタ手段にそれぞれ並列に抵
抗手段を接続することを特徴とする照明用点灯装置。
3. The lighting device for lighting according to claim 2, wherein
A lighting device for lighting, wherein each of the first and second voltage drop means is a capacitor means, and a resistance means is connected to each of the capacitor means in parallel.
【請求項4】請求項3記載の照明用点灯装置において、
前記ブリッジ接続された2つのパワー半導体素子の正極
と負極間の電圧が所定値以上になると、前記2つのパワ
ー半導体素子の制御端子のいずれか一方に電圧を印加さ
せる始動回路手段を備えたことを特徴とする照明用点灯
装置。
4. The lighting device for lighting according to claim 3, wherein
Starting circuit means for applying a voltage to one of the control terminals of the two power semiconductor elements when the voltage between the positive electrode and the negative electrode of the two bridge-connected power semiconductor elements becomes a predetermined value or more. Characteristic lighting device for lighting.
【請求項5】請求項4記載の照明用点灯装置において、
前記第1,第2の位相シフト手段はそれぞれ、抵抗とイ
ンダクタンスを直列に接続した構成とすると共に、前記
ブリッジ接続された2つのパワー半導体素子にそれぞ
れ、制御端子の電圧を許容値以下に制限するクランプ手
段を備えることを特徴とする照明用点灯装置。
5. The lighting device for lighting according to claim 4, wherein
Each of the first and second phase shift means has a configuration in which a resistance and an inductance are connected in series, and limits the voltage of a control terminal of each of the two bridge-connected power semiconductor elements to an allowable value or less. A lighting device for lighting, comprising a clamp means.
【請求項6】ブリッジ接続された2つのパワー半導体素
子のスイッチングに応じて、キャパシタを備えた共振手
段に交流電圧を印加し、前記に接続された放電管に交流
電流を供給する照明用点灯装置であって、 前記パワー半導体素子からなるブリッジの入出力端子
に、前記共振手段と共に第1,第2の電圧降下手段を直
列に接続すると共に、前記第1,第2の電圧降下手段の
電圧を検出する電圧検出手段と、該電圧検出手段の出力
に応じて前記2つのパワー半導体素子に制御信号を供給
する駆動回路手段を備えることを特徴とする照明用点灯
装置。
6. An illumination lighting device for applying an AC voltage to a resonance means having a capacitor in accordance with switching of two bridge-connected power semiconductor elements, and supplying an AC current to a discharge tube connected to the lighting means. Wherein the first and second voltage drop means are connected in series to the input / output terminal of the bridge comprising the power semiconductor element together with the resonance means, and the voltage of the first and second voltage drop means is An illumination lighting device comprising: a voltage detecting means for detecting; and a driving circuit means for supplying a control signal to the two power semiconductor elements in accordance with an output of the voltage detecting means.
【請求項7】励起コイルを流れる高周波交流電流が作る
磁場でプラズマを発生させ、プラズマが出す紫外線を蛍
光体で可視光に変える無電極蛍光ランプの点灯装置であ
って、 2つのパワー半導体素子を備えたブリッジ回路と、該ブ
リッジ回路の入出力端子間に、キャパシタと、前記励起
コイルと、第1,第2の電圧降下手段を直列に接続する
と共に、前記第1,第2の電圧降下手段の電圧を第1,
第2の位相シフト手段を介し、逆位相の信号として、前
記2つのパワー半導体素子の制御端子に印加することを
特徴とする照明用点灯装置。
7. A lighting device for an electrodeless fluorescent lamp, wherein plasma is generated by a magnetic field generated by a high-frequency alternating current flowing through an excitation coil, and ultraviolet light emitted by the plasma is converted into visible light by a fluorescent material. A bridge circuit, a capacitor, the excitation coil, and first and second voltage drop means connected in series between an input / output terminal of the bridge circuit and the first and second voltage drop means. Voltage of the first,
A lighting device for lighting, wherein a signal having an opposite phase is applied to control terminals of the two power semiconductor elements through a second phase shift means.
【請求項8】請求項7記載の照明用点灯装置において、
前記第1,第2の電圧降下手段はいずれもキャパシタ手
段とすると共に、該キャパシタ手段にそれぞれ並列に抵
抗手段を接続することを特徴とする照明用点灯装置。
8. The lighting device according to claim 7, wherein:
A lighting device for lighting, wherein each of the first and second voltage drop means is a capacitor means, and a resistance means is connected to each of the capacitor means in parallel.
【請求項9】請求項8記載の照明用点灯装置において、
前記ブリッジ接続された2つのパワー半導体素子の正極
と負極間の電圧が所定値以上になると、前記2つのパワ
ー半導体素子の制御端子のいずれか一方に電圧を印加さ
せる始動回路手段を備えたことを特徴とする照明用点灯
装置。
9. The lighting device for lighting according to claim 8, wherein
Starting circuit means for applying a voltage to one of the control terminals of the two power semiconductor elements when the voltage between the positive electrode and the negative electrode of the two bridge-connected power semiconductor elements becomes a predetermined value or more. Characteristic lighting device for lighting.
【請求項10】請求項9記載の照明用点灯装置におい
て、前記第1,第2の位相シフト手段はそれぞれ、抵抗
とインダクタンスを直列に接続した構成とすると共に、
前記ブリッジ接続された2つのパワー半導体素子にそれ
ぞれ、制御端子の電圧を許容値以下に制限するクランプ
手段を備えることを特徴とする照明用点灯装置。
10. The lighting device according to claim 9, wherein each of said first and second phase shift means has a configuration in which a resistance and an inductance are connected in series.
A lighting device for lighting, characterized in that each of the two bridge-connected power semiconductor elements is provided with a clamp means for limiting a voltage of a control terminal to an allowable value or less.
【請求項11】請求項2又は7記載の照明用点灯装置に
おいて、前記パワー半導体素子の制御端子に供給する電
流の極性に応じて、前記第1,第2の位相シフト手段の
値を変化させることを特徴とする照明用点灯装置。
11. The lighting device for illumination according to claim 2, wherein a value of said first and second phase shift means is changed in accordance with a polarity of a current supplied to a control terminal of said power semiconductor element. A lighting device for lighting characterized by the above-mentioned.
【請求項12】請求項2又は7記載の照明用点灯装置に
おいて、前記パワー半導体素子の入力或いは出力端子と
制御端子間に第二のキャパシタを備え、前記パワー半導
体素子の電圧に応じて、前記第1,第2の位相シフト手
段を流れる電流を前記第二のキャパシタと前記パワー半
導体素子の制御端子に供給することを特徴とする照明用
点灯装置。
12. The lighting device for lighting according to claim 2, further comprising a second capacitor between an input or output terminal of the power semiconductor element and a control terminal, wherein the second capacitor is provided in accordance with a voltage of the power semiconductor element. A lighting device for lighting, characterized in that a current flowing through first and second phase shift means is supplied to the second capacitor and a control terminal of the power semiconductor element.
【請求項13】共振手段と、帰還トランスを介して前記
共振手段の電流に応じた制御信号を供与される2つのパ
ワー半導体素子と、該パワー半導体素子のブリッジから
前記共振手段とこれに接続された放電管に交流電流を供
給する照明用点灯装置であって、 前記帰還トランスの二次側出力を第1,第2の位相シフ
ト手段を介して、前記パワー半導体素子の制御端子に直
列に接続することを特徴とする照明用点灯装置。
13. A resonance means, two power semiconductor elements provided with a control signal corresponding to a current of said resonance means via a feedback transformer, and said resonance means connected to said resonance means from a bridge of said power semiconductor elements. A lighting device for supplying an alternating current to a discharge tube, wherein a secondary output of the feedback transformer is connected in series to a control terminal of the power semiconductor element via first and second phase shift means. A lighting device for lighting.
【請求項14】請求項13記載の照明用点灯装置におい
て、前記帰還トランスの二次側出力から前記パワー半導
体素子の制御端子に供給する電流の極性に応じて、前記
第1,第2の位相シフト手段の値を変化させることを特
徴とする照明用点灯装置。
14. The lighting device according to claim 13, wherein the first and second phases are set according to the polarity of a current supplied from a secondary output of the feedback transformer to a control terminal of the power semiconductor element. A lighting device for lighting, wherein a value of a shift means is changed.
【請求項15】請求項13記載の照明用点灯装置におい
て、前記パワー半導体素子の入力或いは出力端子と制御
端子間にキャパシタを備え、前記パワー半導体素子の電
圧に応じて、前記帰還トランスの二次側出力から供給す
る電流を前記キャパシタと前記パワー半導体素子の制御
端子に供給することを特徴とする照明用点灯装置。
15. A lighting device for lighting according to claim 13, further comprising a capacitor between an input or output terminal of said power semiconductor element and a control terminal, and a secondary of said feedback transformer according to a voltage of said power semiconductor element. A lighting device for lighting, wherein a current supplied from a side output is supplied to control terminals of the capacitor and the power semiconductor element.
【請求項16】共振手段に交流電圧を印加し、前記共振
手段に接続された放電管に交流電流を供給する照明用点
灯装置であって、 ハイサイド側にNチャンネルのパワー半導体素子、ロー
サイド側にPチャンネルのパワー半導体素子を備えたブ
リッジ回路と、該ブリッジ回路の入出力端子間に、前記
放電ランプを接続した共振手段と、第1の電圧降下手段
を直列に接続すると共に、前記第1の電圧降下手段の電
圧を第2,第3の位相シフト手段を介して、前記Nチャ
ンネルのパワー半導体素子とPチャンネルのパワー半導
体素子の制御端子に印加することを特徴とする照明用点
灯装置。
16. An illumination lighting device for applying an AC voltage to a resonance means and supplying an AC current to a discharge tube connected to the resonance means, comprising: an N-channel power semiconductor element on a high side; A bridge circuit provided with a P-channel power semiconductor element, resonance means connected to the discharge lamp between input and output terminals of the bridge circuit, and first voltage drop means connected in series, Wherein the voltage of the voltage drop means is applied to control terminals of the N-channel power semiconductor element and the P-channel power semiconductor element via second and third phase shift means.
【請求項17】励起コイルを流れる高周波交流電流が作
る磁場でプラズマを発生させ、プラズマが出す紫外線を
蛍光体で可視光に変える無電極蛍光ランプの点灯装置で
あって、 ハイサイド側にNチャンネルのパワー半導体素子、ロー
サイド側にPチャンネルのパワー半導体素子を備えたブ
リッジ回路と、該ブリッジ回路の入出力端子間に、キャ
パシタと、前記励起コイルと、第1の電圧降下手段を直
列に接続すると共に、前記第1の電圧降下手段の電圧を
第2,第3の位相シフト手段を介して、前記Nチャンネ
ルのパワー半導体素子とPチャンネルのパワー半導体素
子の制御端子に印加することを特徴とする照明用点灯装
置。
17. A lighting device for an electrodeless fluorescent lamp, wherein plasma is generated by a magnetic field generated by a high-frequency alternating current flowing through an excitation coil and ultraviolet light emitted by the plasma is converted into visible light by a fluorescent material, wherein an N-channel is provided on the high side. A power semiconductor device, a bridge circuit including a P-channel power semiconductor device on the low side, and a capacitor, the excitation coil, and first voltage drop means connected in series between input / output terminals of the bridge circuit. At the same time, the voltage of the first voltage drop means is applied to control terminals of the N-channel power semiconductor element and the P-channel power semiconductor element via second and third phase shift means. Lighting device for lighting.
【請求項18】励起コイルを流れる高周波交流電流が作
る磁場でプラズマを発生させ、プラズマが出す紫外線を
蛍光体で可視光に変える無電極蛍光ランプの点灯装置で
あって、 電圧源にキャパシタとPチャンネルのパワー半導体素子
を直列に接続し、第二のキャパシタ,前記励起コイル、
及び第1の電圧降下手段を備えた共振手段を前記キャパ
シタに並列に接続すると共に、前記第1の電圧降下手段
の電圧を第2の位相シフト手段を介して、前記Pチャン
ネルのパワー半導体素子の制御端子に印加することを特
徴とする照明用点灯装置。
18. A lighting device for an electrodeless fluorescent lamp in which plasma is generated by a magnetic field generated by a high-frequency alternating current flowing through an excitation coil and ultraviolet light emitted by the plasma is converted into visible light by a fluorescent material, wherein a capacitor and a P are used as a voltage source. The power semiconductor elements of the channels are connected in series, a second capacitor, the excitation coil,
And a resonance means having a first voltage drop means is connected in parallel to the capacitor, and the voltage of the first voltage drop means is connected to the P-channel power semiconductor element via a second phase shift means. A lighting device for lighting, which is applied to a control terminal.
【請求項19】電圧源にインダクタとNチャンネルのパ
ワー半導体素子を直列に接続し、キャパシタと放電管を
備えた負荷手段を前記Nチャンネルのパワー半導体素子
に並列に接続した照明用点灯装置であって、 前記負荷手段に直列に第1の電圧降下手段を接続し、該
第1の電圧降下手段の電圧を第2の位相シフト手段を介
して、前記Nチャンネルのパワー半導体素子の制御端子
に印加することを特徴とする照明用点灯装置。
19. An illumination lighting device comprising an inductor and an N-channel power semiconductor element connected in series to a voltage source, and a load means having a capacitor and a discharge tube connected in parallel to said N-channel power semiconductor element. Connecting a first voltage drop means in series to the load means, and applying a voltage of the first voltage drop means to a control terminal of the N-channel power semiconductor element via a second phase shift means; A lighting device for lighting.
【請求項20】バルブ内部に励起コイルを具備し、該コ
イルを流れる高周波交流電流が作る磁場でプラズマを発
生させ、プラズマが出す紫外線を蛍光体で可視光に変え
る無電極蛍光ランプであって、 請求項7,13,17,18記載の照明用点灯装置のい
ずれか一つを前記無電極蛍光ランプの口金内部に備える
ことを特徴とする無電極蛍光ランプ。
20. An electrodeless fluorescent lamp comprising an excitation coil inside a bulb, generating plasma with a magnetic field generated by a high-frequency alternating current flowing through the coil, and converting ultraviolet light emitted by the plasma into visible light with a fluorescent material, 19. An electrodeless fluorescent lamp, comprising any one of the lighting devices according to claims 7, 13, 17, and 18 provided inside a base of the electrodeless fluorescent lamp.
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