JPH11219871A - 電子部品の内部欠陥検出方法 - Google Patents
電子部品の内部欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPH11219871A JPH11219871A JP10036730A JP3673098A JPH11219871A JP H11219871 A JPH11219871 A JP H11219871A JP 10036730 A JP10036730 A JP 10036730A JP 3673098 A JP3673098 A JP 3673098A JP H11219871 A JPH11219871 A JP H11219871A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic capacitor
- electronic component
- multilayer ceramic
- laminated ceramic
- voltage
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- Pending
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強誘電性を有する材料を用いた電子部品の内
部欠陥を、非破壊で、しかも短時間で検出することがで
きる電子部品の内部欠陥検出方法を得る。 【解決手段】 強誘電性材料を用いた電子部品である積
層セラミックコンデンサ１０の内部欠陥を検出するため
に、評価回路３０を用いる。評価回路３０は、直流電源
３２、抵抗３４、スイッチ３６を含み、スイッチ３６を
閉じることによって、積層セラミックコンデンサ１０を
充電する。そして、積層セラミックコンデンサ１０に外
部から振動を与え、積層セラミックコンデンサ１０に誘
起する交流信号のレベルを測定することにより、内部欠
陥の有無を検出する。
部欠陥を、非破壊で、しかも短時間で検出することがで
きる電子部品の内部欠陥検出方法を得る。 【解決手段】 強誘電性材料を用いた電子部品である積
層セラミックコンデンサ１０の内部欠陥を検出するため
に、評価回路３０を用いる。評価回路３０は、直流電源
３２、抵抗３４、スイッチ３６を含み、スイッチ３６を
閉じることによって、積層セラミックコンデンサ１０を
充電する。そして、積層セラミックコンデンサ１０に外
部から振動を与え、積層セラミックコンデンサ１０に誘
起する交流信号のレベルを測定することにより、内部欠
陥の有無を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電子部品の内部欠
陥検出方法に関し、特にたとえば、強誘電性を有する材
料を用いた積層セラミックコンデンサなどの電子部品の
内部にあるクラックなどを見つけるための電子部品の内
部欠陥検出方法に関する。
陥検出方法に関し、特にたとえば、強誘電性を有する材
料を用いた積層セラミックコンデンサなどの電子部品の
内部にあるクラックなどを見つけるための電子部品の内
部欠陥検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、強誘電性材料を用いた電子部品
の一例としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図
であり、図６は線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であ
る。積層セラミックコンデンサ１０は、積層体１２を含
む。積層体１２は、誘電体層１４と内部電極層１６とを
積層することによって形成されている。誘電体層１４
は、たとえばチタン酸バリウムなどの強誘電性を有する
材料で形成される。内部電極層１６は、交互に積層体１
２の両端部に引き出される。そして、内部電極層１６が
引き出された積層体１２の両端部には、それぞれ外部電
極１８が形成される。２つの外部電極１８には、それぞ
れ内部電極層１６が交互に接続される。したがって、２
つの外部電極１８間に、静電容量が形成される。
の一例としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図
であり、図６は線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であ
る。積層セラミックコンデンサ１０は、積層体１２を含
む。積層体１２は、誘電体層１４と内部電極層１６とを
積層することによって形成されている。誘電体層１４
は、たとえばチタン酸バリウムなどの強誘電性を有する
材料で形成される。内部電極層１６は、交互に積層体１
２の両端部に引き出される。そして、内部電極層１６が
引き出された積層体１２の両端部には、それぞれ外部電
極１８が形成される。２つの外部電極１８には、それぞ
れ内部電極層１６が交互に接続される。したがって、２
つの外部電極１８間に、静電容量が形成される。
【０００３】しかしながら、このような積層セラミック
コンデンサ１０では、図６に示すように、誘電体層１４
と内部電極層１６との間に隙間が生じるデラミネーショ
ン２０が発生したり、誘電体層１２にクラック２２が発
生したりすることがある。このようなクラック２２など
を内在する電子部品は、その後の信頼性が低下する恐れ
があり、製造工程において選別する必要がある。
コンデンサ１０では、図６に示すように、誘電体層１４
と内部電極層１６との間に隙間が生じるデラミネーショ
ン２０が発生したり、誘電体層１２にクラック２２が発
生したりすることがある。このようなクラック２２など
を内在する電子部品は、その後の信頼性が低下する恐れ
があり、製造工程において選別する必要がある。
【０００４】このような内部欠陥を見つけるためには、
たとえば積層セラミックコンデンサ１０を研磨して、積
層体１２の内部を顕微鏡で観察する方法がある。また、
超音波探傷装置によって積層セラミックコンデンサ１０
に超音波をあて、積層セラミックコンデンサ１０の内部
からの反射音を測定し、超音波が帰ってくるまでの時間
や反射音の強弱などにより、内部欠陥を検出する方法が
ある。
たとえば積層セラミックコンデンサ１０を研磨して、積
層体１２の内部を顕微鏡で観察する方法がある。また、
超音波探傷装置によって積層セラミックコンデンサ１０
に超音波をあて、積層セラミックコンデンサ１０の内部
からの反射音を測定し、超音波が帰ってくるまでの時間
や反射音の強弱などにより、内部欠陥を検出する方法が
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、顕微鏡
で積層セラミックコンデンサの内部を観察する方法で
は、積層セラミックコンデンサを破壊することになるた
め、製品の良否を選別する目的に用いることはできな
い。また、超音波探傷装置を用いる方法では、クラック
部分に直交するように超音波をあてる必要があり、その
ため内部電極層に直交する向きに超音波を発射するよう
にセッティングしている。ところが、このようなセッテ
ィングや超音波をあてる焦点を設定するのに手間がかか
り、１個あたりの検査に多くの時間を必要としている。
そのため、超音波探傷装置を用いた検査は、大量の製品
を検査するには不向きである。
で積層セラミックコンデンサの内部を観察する方法で
は、積層セラミックコンデンサを破壊することになるた
め、製品の良否を選別する目的に用いることはできな
い。また、超音波探傷装置を用いる方法では、クラック
部分に直交するように超音波をあてる必要があり、その
ため内部電極層に直交する向きに超音波を発射するよう
にセッティングしている。ところが、このようなセッテ
ィングや超音波をあてる焦点を設定するのに手間がかか
り、１個あたりの検査に多くの時間を必要としている。
そのため、超音波探傷装置を用いた検査は、大量の製品
を検査するには不向きである。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、強
誘電性を有する材料を用いた電子部品の内部欠陥を、非
破壊で、しかも短時間で検出することができる電子部品
の内部欠陥検出方法を提供することである。
誘電性を有する材料を用いた電子部品の内部欠陥を、非
破壊で、しかも短時間で検出することができる電子部品
の内部欠陥検出方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、強誘電性を
有する材料を用いた電子部品の内部欠陥検出方法であっ
て、電子部品に直流電圧を印加しながら電子部品に振動
を与え、誘起される交流信号の大きさを測定する、電子
部品の内部欠陥検出方法である。
有する材料を用いた電子部品の内部欠陥検出方法であっ
て、電子部品に直流電圧を印加しながら電子部品に振動
を与え、誘起される交流信号の大きさを測定する、電子
部品の内部欠陥検出方法である。
【０００８】強誘電性を有する材料が用いられているた
め、外部から振動を与えることにより、強誘電体の圧電
現象により、機械−電気結合が生じ、外部振動に応じた
交流信号が電子部品に誘起される。電子部品の内部にク
ラックなどの欠陥があると、機械的振動に対する損失が
増大し、電子部品に誘起する電圧は減少する。したがっ
て、内部欠陥の有無によって、誘起される交流信号のレ
ベルに差が生じる。
め、外部から振動を与えることにより、強誘電体の圧電
現象により、機械−電気結合が生じ、外部振動に応じた
交流信号が電子部品に誘起される。電子部品の内部にク
ラックなどの欠陥があると、機械的振動に対する損失が
増大し、電子部品に誘起する電圧は減少する。したがっ
て、内部欠陥の有無によって、誘起される交流信号のレ
ベルに差が生じる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】強誘電性を有する材料を用いた電
子部品の一例として、図５および図６に示す積層セラミ
ックコンデンサ１０の内部欠陥を検出する方法について
説明する。積層セラミックコンデンサ１０の内部欠陥を
検出するために、たとえば図１に示すような評価回路３
０が用いられる。評価回路３０は、直流電源３２を含
む。直流電源３２には、抵抗３４が接続され、さらにス
イッチ３６が接続される。そして、直流電源３２とスイ
ッチ３６とが、積層セラミックコンデンサ１０の外部電
極１８に接続される。さらに、積層セラミックコンデン
サ１０の２つの外部電極１８には、ストレージオシロス
コープ３８が接続される。
子部品の一例として、図５および図６に示す積層セラミ
ックコンデンサ１０の内部欠陥を検出する方法について
説明する。積層セラミックコンデンサ１０の内部欠陥を
検出するために、たとえば図１に示すような評価回路３
０が用いられる。評価回路３０は、直流電源３２を含
む。直流電源３２には、抵抗３４が接続され、さらにス
イッチ３６が接続される。そして、直流電源３２とスイ
ッチ３６とが、積層セラミックコンデンサ１０の外部電
極１８に接続される。さらに、積層セラミックコンデン
サ１０の２つの外部電極１８には、ストレージオシロス
コープ３８が接続される。
【００１１】この評価回路３０を用いて、積層セラミッ
クコンデンサ１０を検査する場合、スイッチ３６を閉じ
て、積層セラミックコンデンサ１０に直流電圧が印加さ
れる。それにより、積層セラミックコンデンサ１０は充
電される。この状態で、積層セラミックコンデンサ１０
に振動が与えられ、ストレージオシロスコープ３８によ
って、ＡＣモードで積層セラミックコンデンサ１０の出
力が測定される。振動は、たとえば圧電振動子，電磁振
動機，偏芯モータなどを用いて、積層セラミックコンデ
ンサ１０に与えられる。
クコンデンサ１０を検査する場合、スイッチ３６を閉じ
て、積層セラミックコンデンサ１０に直流電圧が印加さ
れる。それにより、積層セラミックコンデンサ１０は充
電される。この状態で、積層セラミックコンデンサ１０
に振動が与えられ、ストレージオシロスコープ３８によ
って、ＡＣモードで積層セラミックコンデンサ１０の出
力が測定される。振動は、たとえば圧電振動子，電磁振
動機，偏芯モータなどを用いて、積層セラミックコンデ
ンサ１０に与えられる。
【００１２】実験例として、スイッチ３６を閉じること
によって、積層セラミックコンデンサ１０を充電した。
このとき、１００Ｖの電源電圧の直流電源３２を用い
て、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１８間を
測定すると、図２に示すような電圧波形が観察された。
図２からわかるように、スイッチ３６を閉じたのち、約
１０ｍｓｅｃで積層セラミックコンデンサ１０の充電が
ほぼ完了している。そして、図２の円で囲んだ部分、つ
まりスイッチ３６を閉じたのち１００ｍｓｅｃの時点
で、積層セラミックコンデンサ１０に振動を与え、スト
レージオシロスコープ３８によって、ＡＣモードで電圧
を測定した。振動を与えるために、積層セラミックコン
デンサ１０の下面に圧電振動子を設置し、２０Ｈｚで振
動させた。
によって、積層セラミックコンデンサ１０を充電した。
このとき、１００Ｖの電源電圧の直流電源３２を用い
て、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１８間を
測定すると、図２に示すような電圧波形が観察された。
図２からわかるように、スイッチ３６を閉じたのち、約
１０ｍｓｅｃで積層セラミックコンデンサ１０の充電が
ほぼ完了している。そして、図２の円で囲んだ部分、つ
まりスイッチ３６を閉じたのち１００ｍｓｅｃの時点
で、積層セラミックコンデンサ１０に振動を与え、スト
レージオシロスコープ３８によって、ＡＣモードで電圧
を測定した。振動を与えるために、積層セラミックコン
デンサ１０の下面に圧電振動子を設置し、２０Ｈｚで振
動させた。
【００１３】クラックを内在しない積層セラミックコン
デンサ１０について、振動を与えたときの電圧波形を図
３に示す。また、クラックを内在する積層セラミックコ
ンデンサ１０について、振動を与えたときの電圧波形を
図４に示す。図３および図４からわかるように、クラッ
クを内在しない積層セラミックコンデンサ１０では、約
３００μＶの交流電圧が観察されるのに対し、クラック
を内在する積層セラミックコンデンサ１０では、１００
μＶ以下の交流電圧が観察される。
デンサ１０について、振動を与えたときの電圧波形を図
３に示す。また、クラックを内在する積層セラミックコ
ンデンサ１０について、振動を与えたときの電圧波形を
図４に示す。図３および図４からわかるように、クラッ
クを内在しない積層セラミックコンデンサ１０では、約
３００μＶの交流電圧が観察されるのに対し、クラック
を内在する積層セラミックコンデンサ１０では、１００
μＶ以下の交流電圧が観察される。
【００１４】この交流電圧は、積層セラミックコンデン
サ１０に振動を与えることにより、強誘電体の圧電現象
により、機械−電気結合が生じたために観察されるもの
である。しかしながら、内部にクラックなどの欠陥があ
る場合、コンデンサ内部の機械的振動に対する損失が増
大し、外部電極１８の両端に誘起する電圧は減少する。
そのため、振動を与えたときに観察される交流電圧の大
きさから、内部欠陥の有無を検出することができる。
サ１０に振動を与えることにより、強誘電体の圧電現象
により、機械−電気結合が生じたために観察されるもの
である。しかしながら、内部にクラックなどの欠陥があ
る場合、コンデンサ内部の機械的振動に対する損失が増
大し、外部電極１８の両端に誘起する電圧は減少する。
そのため、振動を与えたときに観察される交流電圧の大
きさから、内部欠陥の有無を検出することができる。
【００１５】この内部欠陥検出方法を用いれば、電子部
品を破壊することなく内部欠陥の有無を検出することが
できるため、電子部品の抜き取り検査でなく、全数検査
を行うことができる。また、この方法では、１秒程度で
１つの電子部品の測定が可能であり、超音波探傷装置を
用いた場合に比べて、短時間で内部欠陥の有無の検出が
可能である。これらのことから、電子部品の全数選別を
容易に行うことができ、内部欠陥のない電子部品を供給
できるため、製品の長期信頼性の向上を図ることができ
る。
品を破壊することなく内部欠陥の有無を検出することが
できるため、電子部品の抜き取り検査でなく、全数検査
を行うことができる。また、この方法では、１秒程度で
１つの電子部品の測定が可能であり、超音波探傷装置を
用いた場合に比べて、短時間で内部欠陥の有無の検出が
可能である。これらのことから、電子部品の全数選別を
容易に行うことができ、内部欠陥のない電子部品を供給
できるため、製品の長期信頼性の向上を図ることができ
る。
【００１６】なお、上述の例では、積層セラミックコン
デンサについて、内部欠陥の有無を調べたが、積層型以
外のコンデンサであってもこの内部欠陥検出方法を適用
することができ、また、強誘電性を有する材料を用いた
電子部品であれば、この発明の内部欠陥検出方法を適用
することができる。
デンサについて、内部欠陥の有無を調べたが、積層型以
外のコンデンサであってもこの内部欠陥検出方法を適用
することができ、また、強誘電性を有する材料を用いた
電子部品であれば、この発明の内部欠陥検出方法を適用
することができる。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、電子部品の内部欠陥
の有無を非破壊で、しかも短時間で検査することができ
る。そのため、電子部品の全数選別を容易に行うことが
でき、製品の長期信頼性の向上を図ることができる。
の有無を非破壊で、しかも短時間で検査することができ
る。そのため、電子部品の全数選別を容易に行うことが
でき、製品の長期信頼性の向上を図ることができる。
【図１】この発明の電子部品の内部欠陥検出方法に用い
られる評価回路の一例を示す回路図である。
られる評価回路の一例を示す回路図である。
【図２】図１に示す回路において、スイッチを閉じたと
きの積層セラミックコンデンサの端子電圧を示す波形図
である。
きの積層セラミックコンデンサの端子電圧を示す波形図
である。
【図３】内部欠陥のない積層セラミックコンデンサに振
動を与えたときの端子電圧を示す波形図である。
動を与えたときの端子電圧を示す波形図である。
【図４】内部欠陥のある積層セラミックコンデンサに振
動を与えたときの端子電圧を示す波形図である。
動を与えたときの端子電圧を示す波形図である。
【図５】強誘電性を有する材料を用いた電子部品の一例
としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図であ
る。
としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図であ
る。
【図６】図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であ
る。
る。
１０ 積層セラミックコンデンサ １２ 積層体 １４ 誘電体層 １６ 内部電極層 １８ 外部電極 ２０ デラミネーション ２２ クラック ３０ 評価回路 ３２ 直流電源 ３４ 抵抗 ３６ スイッチ ３８ ストレージオシロスコープ
Claims (1)
- 【請求項１】 強誘電性を有する材料を用いた電子部品
の内部欠陥検出方法であって、 前記電子部品に直流電圧を印加しながら前記電子部品に
振動を与え、誘起される交流信号の大きさを測定する、
電子部品の内部欠陥検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036730A JPH11219871A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子部品の内部欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036730A JPH11219871A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子部品の内部欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219871A true JPH11219871A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12477859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10036730A Pending JPH11219871A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子部品の内部欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219871A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012108123A1 (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | 株式会社村田製作所 | コンデンサアレイの選別方法 |
| WO2023074627A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | Ｙｕｒｉホールディングス株式会社 | コンデンサの検査方法及びそれに用いる検査装置 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP10036730A patent/JPH11219871A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012108123A1 (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | 株式会社村田製作所 | コンデンサアレイの選別方法 |
| JP5464282B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2014-04-09 | 株式会社村田製作所 | コンデンサアレイの選別方法 |
| WO2023074627A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | Ｙｕｒｉホールディングス株式会社 | コンデンサの検査方法及びそれに用いる検査装置 |
| JP2023064684A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-11 | Ｙｕｒｉホールディングス株式会社 | コンデンサの検査方法及びそれに用いる検査装置 |
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