JPH1121692A - Plating method and plated products - Google Patents
Plating method and plated productsInfo
- Publication number
- JPH1121692A JPH1121692A JP18895297A JP18895297A JPH1121692A JP H1121692 A JPH1121692 A JP H1121692A JP 18895297 A JP18895297 A JP 18895297A JP 18895297 A JP18895297 A JP 18895297A JP H1121692 A JPH1121692 A JP H1121692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- tin
- acid
- silver
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は表面処理技術に属
し、特に錫−銀系のろう材に対するはんだ付け性の良好
な錫−銀系合金皮膜を形成するための電気めっき方法及
びめっき物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment technique, and more particularly to an electroplating method and a plated product for forming a tin-silver alloy film having good solderability to a tin-silver brazing material.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子工業において錫−鉛を基本組成とす
るはんだ( ろう材) による接合は不可欠の技術として広
く行われている。はんだ付けを迅速かつ確実に行うため
に、はんだ付けしようとする部品に予めはんだ付け性の
良好な皮膜を施しておくことが行われるが、このはんだ
付け性皮膜として錫−鉛合金めっき皮膜が一般に利用さ
れている。2. Description of the Related Art In the electronics industry, joining with a solder (brazing material) having a basic composition of tin-lead is widely performed as an indispensable technique. In order to perform soldering quickly and reliably, a component with good solderability is preliminarily applied to the component to be soldered, and a tin-lead alloy plating film is generally used as this solderable film. It's being used.
【0003】しかしながら、近年、鉛の健康・環境への
影響が懸念され、有害な鉛を含む錫−鉛はんだを規制し
ようとする考えが急速に広まりつつある。工業的な生産
条件並びに使用条件という観点から勘案すると、錫−鉛
はんだに代替できる特性を有するような鉛を含まないは
んだはいまのところなく、日欧米を中心として研究開発
が行われているところである。錫−鉛はんだの代替とし
ては第一元素としては錫が利用されると考えられるが、
第二元素としては銀、ビスマス、銅、インジウム、アン
チモン、亜鉛などが候補として挙げられており、 それら
の二元合金あるいはさらに第三元素を添加した多元合金
が候補として挙げられている。その中で錫−銀系合金
は、最も有力な代替合金候補の一つである。[0003] In recent years, however, there has been a concern about the effects of lead on health and the environment, and the idea of regulating tin-lead solder containing harmful lead is rapidly spreading. Considering industrial production conditions and usage conditions, there is no lead-free solder that has properties that can be substituted for tin-lead solder, and research and development is being conducted mainly in Japan, Europe, and the United States. is there. It is thought that tin is used as the first element as an alternative to tin-lead solder,
As the second element, silver, bismuth, copper, indium, antimony, zinc, and the like are listed as candidates, and binary alloys thereof or multi-element alloys further added with a third element are listed as candidates. Among them, a tin-silver alloy is one of the most promising alternative alloy candidates.
【0004】代替はんだ(ろう材)に対応して、はんだ
付け用のめっき皮膜(はんだ付け性皮膜)もまた鉛を含
まないものに変更していく必要がある。これに対して、
錫−銀合金めっき皮膜を得るためのめっき浴は、銀を主
成分とするものは古くからあるが、錫を主成分とする非
シアン錫−銀合金めっき浴には満足するものがなく、工
業的に行われていない。It is necessary to change the plating film for soldering (solderable film) to one containing no lead in accordance with the alternative solder (brazing material). On the contrary,
As a plating bath for obtaining a tin-silver alloy plating film, a plating bath containing silver as a main component has been used for a long time, but there is no satisfactory non-cyan tin-silver alloy plating bath containing tin as a main component. Has not been done.
【0005】銀単独のめっき浴としては、古くからシア
ン浴が用いられてきた。公害防止上好ましくないシアン
浴に代わって、硝酸銀浴、スルファミン酸浴、塩化銀
浴、チオシアン酸浴、チオ硫酸浴などが検討されてきた
が、シアン以外の銀の錯化剤は安定度定数が小さいの
で、シアン浴に比べて析出物の結晶が粗く工業的な応用
を満足する性能を有しなかった。最近、これらに比べて
微細な粒子の析出物が得られる浴として、有機スルホン
酸の銀塩とヨウ化カリウムを含むめっき浴にスルファニ
ル酸の誘導体を添加した浴が特開平2−290993号
に、こはく酸イミド又はその誘導体を錯化剤とする浴が
特開平7−166391号に記載されているが、錫との
合金めっきの可能性については記載されていない。As a plating bath of silver alone, a cyan bath has been used for a long time. Silver nitrate bath, sulfamic acid bath, silver chloride bath, thiocyanic acid bath, thiosulfate bath, etc. have been studied in place of cyanide bath which is not preferable for pollution prevention. Because of its small size, the crystals of the precipitate were coarse compared to the cyanide bath, and did not have a performance satisfying industrial applications. Recently, a bath in which a precipitate of finer particles than these are obtained is disclosed in JP-A-2-290993, in which a plating bath containing a silver salt of an organic sulfonic acid and potassium iodide and a derivative of a sulfanilic acid are added. A bath using succinimide or a derivative thereof as a complexing agent is described in JP-A-7-166391, but does not describe the possibility of alloy plating with tin.
【0006】錫−銀合金皮膜が電気めっきによって得ら
れること自体は、古くから知られており、一般にシアン
浴が利用されてきた。例えば、シアン−ピロリン酸混合
浴から、松下は1971年に(金属表面技術 22,6
0(1971))、また、久保田らは1983年に(金
属表面技術 34,37(1983)、特開昭60−2
6691)、錫−銀合金皮膜を得ている。[0006] The fact that a tin-silver alloy film can be obtained by electroplating has been known for a long time, and a cyan bath has generally been used. For example, cyan - pyrophosphate mixing bath, Matsushita 1971 (metal surface technology 22, 6
0 (1971)), and Kubota et al. In 1983 (Metal Surface Technology 34 , 37 (1983);
6691) to obtain a tin-silver alloy film.
【0007】しかし、シアンを用いることもまた環境衛
生・公害・毒劇物管理の観点から好ましくないため、シ
アン以外の浴も検討されており、近年はそれが主流とな
っている。シアン浴以外の錫−銀合金めっき浴として
は、最近、伊勢らによって4価錫を用いるスズ酸カリウ
ム−ヒダントイン浴(表面技術協会第93回講演大会予
講集 205(1996)、表面技術協会第94回講演
大会予講集 80(1996)、表面技術協会第95回
講演大会予講集 183(1997))が、また、2価
錫を用いる浴としては、新井らによって、ピロリン酸−
ヨウ化物浴(表面技術協会第93回講演大会予講集 1
95(1996)、表面技術協会第94回講演大会予講
集 83(1996))が報告されている。新井は、ま
た、ピロリン酸−ヨウ化物浴を錫−銀−銅の三元合金系
にも適用し、その結果を報告しているている(表面技術
協会第94回講演大会予講集 85(1996))。However, since the use of cyan is also not preferable from the viewpoint of environmental hygiene, pollution, and management of poisonous substances, baths other than cyan are also being studied, and in recent years it has become the mainstream. As tin-silver alloy plating baths other than the cyanide bath, recently, potassium stannate-hydantoin bath using tetravalent tin by Ise et al. (Preliminary collection of the 93rd conference of Surface Technology Association, 205 (1996); Preliminary collection of the 94th Lecture Meeting 80 (1996), Preliminary Collection of the 95th Lecture Meeting of the Surface Technology Association 183 (1997)), and as a bath using divalent tin, Arai et al.
Iodide bath (Preliminary collection of the 93rd lecture meeting of Surface Technology Association 1
95 (1996), Preliminary Collection of the 94th Lecture Meeting of the Surface Technology Association 83 (1996)). Arai has also applied a pyrophosphoric acid-iodide bath to a ternary alloy system of tin-silver-copper and reported the results (Preliminary Report of the 94th Conference of Surface Technology Association, 85 ( 1996)).
【0008】また、本発明者らは、より緻密で平滑では
んだ付け性に優れためっき皮膜を得るため、鋭意研究を
重ね、各種有機化合物の添加によって皮膜の平滑性等が
改善されることを見出し、特許を出願している(特願平
8−143481号)。また、さらに、光沢剤の添加後
に経時熟成が必要な浴ではあるが、光沢めっきが可能な
浴を見出し、この浴を用いてめっきを施すことによっ
て、錫−銀系ろう材を用いてはんだ接合するに適した電
気・電子回路部品を作成し特許出願している(特願平8
−207683号)。また、その後、アミン−アルデヒ
ド反応生成物を用いて経時熟成が不要な光沢浴を出願
(特願平8−278593号)している。The inventors of the present invention have conducted intensive studies to obtain a denser, smoother, and more excellent plating property of the solderability, and have found that the addition of various organic compounds can improve the smoothness of the coating. He has applied for a headline and a patent (Japanese Patent Application No. 8-143481). Further, although it is a bath that requires aging over time after the addition of a brightener, a bath capable of bright plating is found, and plating is performed using this bath, so that a solder joint using a tin-silver brazing material is performed. Of electrical and electronic circuit parts suitable for the application
-207683). Subsequently, a gloss bath which does not require aging over time using an amine-aldehyde reaction product has been filed (Japanese Patent Application No. 8-278593).
【0009】このような努力によって、建浴から一定の
時間範囲では良好なめっき皮膜が得られる浴が開発され
てきたが、錫と銀の単極電位が大きく隔たっていること
並びに両金属ともに水溶液中での安定性が良好ではない
ことから、いずれのめっき浴においても浴の経時劣化と
いう工業的操業上の問題が解決されていなかった。With such efforts, a bath has been developed which can provide a good plating film within a certain time range from the construction bath. However, since the unipolar potentials of tin and silver are largely separated, and both metals are in an aqueous solution. Because the stability in the bath is not good, the problem of industrial operation, that is, deterioration of the bath with time, has not been solved in any of the plating baths.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】このような現状を背景
として、錫−銀系合金めっき浴を工業的に満足される条
件で継続的に操業する技術が求められており、本発明も
これを目的とした。Against this background, there is a need for a technique for continuously operating a tin-silver alloy plating bath under industrially satisfactory conditions. The purpose was.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、錫−銀系
合金めっき浴の工業的操業を可能にすべく鋭意検討の結
果、既述の浴の経時劣化の原因のほとんどが陽極表面並
びに陽極近傍における種々の反応にあることを見い出
し、陰陽両極を隔離することによって上記の諸問題が解
決され、継続的に適切な状態での工業的操業を可能にし
た。The present inventors have conducted intensive studies to enable the industrial operation of a tin-silver-based alloy plating bath, and found that most of the causes of the aging of the above-described bath are due to the anode surface. In addition, it was found that various reactions occurred in the vicinity of the anode, and the above-mentioned problems were solved by isolating the anode and the cathode, thereby enabling continuous industrial operation under proper conditions.
【0012】即ち、錫−銀系合金めっき浴においては、
錫と銀の単極電位は大きく隔たっており、銀イオンは還
元されて金属銀として析出し易く、2価の錫は酸化され
て4価の錫になり易い。また、4価の錫浴においても、
陽極は一部は2価として溶解し浴の劣化の一つの原因と
なっている。That is, in a tin-silver alloy plating bath,
The unipolar potentials of tin and silver are greatly separated, silver ions are easily reduced and precipitated as metallic silver, and divalent tin is easily oxidized to tetravalent tin. Also, in a tetravalent tin bath,
The anode partially dissolves as divalent and is one cause of the deterioration of the bath.
【0013】錫−銀系合金めっき浴における浴の安定性
の問題には、さらに、該めっき浴が錫及び銀の両者を可
溶性の状態に安定に保持するだけでなく、できるだけ析
出電位が接近するような錯化剤を選定しなければならな
いという制限から、安定性に問題がある錯化剤をも用い
ざるを得ないという事情があり、錯化剤の分解による浴
の劣化があるという問題も含まれる。[0013] The problem of bath stability in the tin-silver alloy plating bath is that the plating bath not only keeps both tin and silver in a soluble state, but also makes the deposition potential as close as possible. Due to the restriction that such a complexing agent must be selected, there is a situation that it is necessary to use a complexing agent having a problem with stability, and there is also a problem that there is deterioration of the bath due to decomposition of the complexing agent. included.
【0014】本発明者らが解明した劣化原因の例とし
て、例えばヨウ化カリウムを錯化剤とする浴において
は、陽極においてI- が酸化されてI2 となり、浴中で
Sn2+と反応して再びI- に戻る際にSn4+が生成する
ことを解明している。また、カルボン酸類やアミノ酸類
を用いている浴においては、それらが分解していること
も確認している。一方、近年開発されたいずれの浴にお
いても経時劣化の問題を抱えているが、そのような浴の
劣化のメカニズムが各浴において全て解明されているわ
けではない。しかし、本発明の発明者らは、いずれも陽
極及び陽極近傍における種々の反応が劣化に大きく関与
していると判断している。As an example of the cause of deterioration clarified by the present inventors, for example, in a bath using potassium iodide as a complexing agent, I − is oxidized to I 2 at the anode and reacted with Sn 2+ in the bath. elucidates that Sn 4+ generated when returning to - again I was. It has also been confirmed that in a bath using carboxylic acids or amino acids, they are decomposed. On the other hand, all baths developed in recent years have the problem of deterioration with time, but the mechanism of such bath deterioration has not been fully elucidated in each bath. However, the present inventors have determined that various reactions in the anode and in the vicinity of the anode are greatly involved in the deterioration.
【0015】このような劣化に対する理解に基づき、本
発明者らは、陽極液と陰極液(めっき浴)を隔膜又は隔
壁によって分離して電解することによって、さらには、
陽極において生成し、 悪影響を及ぼす不純物を、 めっき
液中に拡散させずにトラップしてしまう方法を採用する
ことによって、 該めっき浴の劣化を抑制し、或いは浴成
分のバランスを保った状態での長期間の操業を可能にす
る本発明を完成した。Based on the understanding of such deterioration, the inventors of the present invention have separated the anolyte and the catholyte (plating bath) by a diaphragm or a partition and electrolyzed.
By adopting a method in which impurities generated at the anode and adversely affecting them are trapped without diffusing into the plating solution, deterioration of the plating bath is suppressed, or the balance of bath components is maintained. The present invention that enables long-term operation has been completed.
【0016】即ち、本発明は、2価及び(又は)4価の
錫イオン、1価の銀イオン、錫及び銀の錯化剤を必須成
分とする錫−銀系合金電気めっき浴から電気めっきする
にあたり、陰極液(めっき液)と陽極液を溶液及び(又
は)成分イオンの移動が可能な隔膜又は隔壁によって分
離し、しかも陽極液として2価及び(又は)4価の錫イ
オン並びにそれらのイオンを可溶性の状態に保持するに
十分な量の酸、アルカリ及び(又は)錯化剤を少なくと
も含有する水溶液を用いてめっきすることを特徴とす
る、錫−銀系合金電気めっき方法である。That is, the present invention provides electroplating from a tin-silver alloy electroplating bath containing divalent and / or tetravalent tin ions, monovalent silver ions, and a complexing agent of tin and silver as essential components. In doing so, the catholyte (plating solution) and the anolyte are separated by a diaphragm or partition capable of moving the solution and / or component ions, and the divalent and / or tetravalent tin ions and their anolyte are used as the anolyte. A method for electroplating a tin-silver alloy, comprising plating using an aqueous solution containing at least an acid, an alkali and / or a complexing agent in an amount sufficient to keep ions in a soluble state.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明においては、2価及び(又
は)4価の錫化合物、1価の銀の化合物、錫及び銀の錯
化剤を必須成分とする錫−銀合金電気めっき浴から電気
めっきするにあたり、概念図を図1に示すように、めっ
き対象物(4)が浸漬される陰極液(めっき液)(5)
と陽極(2)が浸漬される陽極液(3)を、溶液及び
(又は)成分イオンの移動が可能な隔膜又は隔壁(1)
により分離してめっきを行う。陽極室の配置の仕方はめ
っき対象物の種類に応じて適宜選定すればよく、例えば
図1のAに示すようにめっき槽(7)の両側に配置して
もよく、また、図1のBに示すようにめっき槽(7)の
片側に配置してもよい。さらに、めっき対象物の形状に
よってはめっき槽の底部に配置することもできる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In the present invention, a tin-silver alloy electroplating bath containing a divalent and / or tetravalent tin compound, a monovalent silver compound and a complexing agent of tin and silver as essential components. As shown in FIG. 1, a conceptual diagram of the electroplating of a cathode solution (plating solution) (5) into which a plating object (4) is immersed
And an anolyte (3) in which the anode (2) is immersed, and a membrane or partition (1) capable of moving solution and / or component ions.
And plating is performed. The manner of disposing the anode chamber may be appropriately selected according to the type of the object to be plated. For example, the anode chamber may be disposed on both sides of the plating tank (7) as shown in FIG. As shown in (1), it may be arranged on one side of the plating tank (7). Furthermore, depending on the shape of the plating object, it can be arranged at the bottom of the plating tank.
【0018】本発明の方法においては、該隔膜として、
通常の濾布のようなものを用いることができるが、 さら
にイオン交換膜を用いることによって、陽極表面或いは
陽極近傍で生成しためっきに悪影響を及ぼす成分が陽極
室からめっき液に移動することを防ぐと同時に、錫及び
(又は)銀イオンのみを陰極室に供給するという方法を
採用することもできる。イオン交換膜を用いる場合に
は、カチオン交換膜が用いられる。交換膜はその種類は
特に限定されず一般市販品でよく、例えば、ネオセプタ
CL−25T,CM−1,CM−2,CMS,CMH,
C66−10F(以上徳山曹達株式会社)、CR61A
ZL−386,CR61AZL−389(以上湯浅アイ
オニクス株式会社)、アシプレックスS−1002,S
−1004,S−1104,S−1112(以上旭化成
工業株式会社)等が用いられる。[0018] In the method of the present invention, as the diaphragm,
It is possible to use an ordinary filter cloth, but by using an ion-exchange membrane, it is possible to prevent components that adversely affect the plating generated on the anode surface or near the anode from moving from the anode chamber to the plating solution. At the same time, a method in which only tin and / or silver ions are supplied to the cathode chamber can be adopted. When an ion exchange membrane is used, a cation exchange membrane is used. The type of the exchange membrane is not particularly limited, and may be a commercially available product. For example, Neosepta CL-25T, CM-1, CM-2, CMS, CMH,
C66-10F (Tokuyama Soda Co., Ltd.), CR61A
ZL-386, CR61AZL-389 (Yuasa Ionics Co., Ltd.), Aciplex S-1002, S
-1004, S-1104, S-1112 (above, Asahi Kasei Corporation) and the like are used.
【0019】本発明の方法に用いられる陰極液(めっき
液)については詳しく後述するが、陽極液としては、少
なくとも、2価及び(又は)4価の錫イオン並びにそれ
らのイオンを可溶性の状態に保持するに十分な量の酸、
アルカリ及び(又は)錯化剤を含有する水溶液が用いら
れる。すなわち、隔膜を通して錫イオンが陰極室に供給
されるために、陽極液には錫及び(又は)銀がイオンと
して液中に存在できる条件が選ばれる。特に、イオン交
換膜を使用する場合には陽極液として、めっき液とは相
当に異なる組成の陽極液を用いることができる利点があ
り、その組成を陰極室のめっき液ほど厳密に管理する必
要がないので、比較的容易にその組成を選定できる。す
なわち、陰極液と同一の溶液であってもよいが、例えば
錫の酸性溶液のような単純な溶液を用いることも可能で
ある。The catholyte (plating solution) used in the method of the present invention will be described in detail later. As the anolyte, at least divalent and / or tetravalent tin ions and those ions in a soluble state can be used. A sufficient amount of acid to hold,
An aqueous solution containing an alkali and / or a complexing agent is used. That is, since tin ions are supplied to the cathode chamber through the diaphragm, conditions are selected for the anolyte such that tin and / or silver can be present in the solution as ions. In particular, when an ion exchange membrane is used, there is an advantage that an anolyte having a considerably different composition from the plating solution can be used as the anolyte, and it is necessary to control the composition more strictly than the plating solution in the cathode chamber. Since it is not available, its composition can be selected relatively easily. That is, the same solution as the catholyte may be used, but a simple solution such as an acidic solution of tin may be used.
【0020】上述のように錫陽極を用いて陽極から錫を
供給する場合には、遊離酸を含む酸性溶液が好適に用い
られるが、不溶性陽極を用いることを選ぶ場合には、陽
極室に錫化合物又はそれを含む溶液を補給することによ
って、もって陰極室に錫イオンが供給されることになる
が、そのような場合には、既述の錫及び銀化合物又はそ
れらを既述の錯化剤で可溶化させた溶液が好適に用いら
れる。As described above, when tin is supplied from the anode using a tin anode, an acidic solution containing a free acid is preferably used. However, when an insoluble anode is selected, tin is supplied to the anode chamber. By replenishing the compound or a solution containing the same, tin ions will be supplied to the cathode chamber. In such a case, the above-mentioned tin and silver compounds or the above-described complexing agent are used. The solution solubilized in is preferably used.
【0021】すなわち、陽極液への錫及び(又は)銀の
補給は、極板の陽極溶解によって行ってもよく、また化
合物(又はその溶液)をめっき液又は陽極液に添加する
ことによって行うこともできる。陽極としては、めっき
液の組成に応じて、錫、錫−銀合金、銀、不溶性陽極が
いずれも用いられるが、一般には錫又は不溶性陽極が用
いられる。That is, replenishment of tin and / or silver to the anolyte may be carried out by dissolving the anodic electrode, or by adding a compound (or a solution thereof) to the plating solution or anolyte. Can also. As the anode, tin, a tin-silver alloy, silver, or an insoluble anode may be used depending on the composition of the plating solution. In general, tin or an insoluble anode is used.
【0022】化合物(又はその溶液)の添加による補給
に関しては、めっき浴中の銀濃度は錫濃度に比べて相当
に低いことが一般的であるので、銀イオンの補給は陽極
室を経由して行ってもよいが、陰極室に直接補給しても
差し支えないことが多い。Regarding the replenishment by adding the compound (or its solution), the silver concentration in the plating bath is generally considerably lower than the tin concentration, and thus the replenishment of silver ions is carried out via the anode chamber. Although it may be carried out, it is often safe to supply directly to the cathode chamber.
【0023】さらに、陽極液には、生成した不純物を吸
着するための吸着剤を陽極液に懸濁させるか、或いは吸
着剤を流動床とすることによって、又は、陽極液を連続
的若しくは断続的に吸着剤濾過して、生成した不純物を
直ちに陽極液から吸着除去し、陰極液への拡散を防ぐ方
法を採ることができる。Further, the anolyte may be prepared by suspending an adsorbent for adsorbing the generated impurities in the anolyte, forming the adsorbent in a fluidized bed, or continuously or intermittently supplying the anolyte. Then, a method can be adopted in which the generated impurities are immediately adsorbed and removed from the anolyte to prevent diffusion into the catholyte.
【0024】吸着剤としては、生成した不純物を吸着す
るものであれば一般に利用されているものはいずれも利
用でき、例えば活性炭、木炭、活性白土、ゼオライト等
の吸着剤が好適に用いられる。As the adsorbent, any generally used adsorbent can be used as long as it adsorbs the generated impurities. For example, adsorbents such as activated carbon, charcoal, activated clay, and zeolite are preferably used.
【0025】浴スペースの制限から陰陽両極を隔膜或い
は隔壁によって仕切ることが困難な場合には、アノード
バッグをもって隔膜の代替とすることができる。ただ
し、この場合には、陰極液(めっき液)に対して陽極液
が極端に少量となるが故に、劣化要因となる物質濃度が
高くなり易いので、必ずアノードバッグ内には該物質を
吸着除去しうる上記のごとき吸着剤を懸濁させるか、或
いはそれらの吸着剤をアノードバッグ自体に固着させた
ものを用い、アノードバッグ外に劣化要因となる物質を
漏れ出させない配慮が必要である。When it is difficult to separate the anode and cathode by a diaphragm or a partition wall due to a limitation of a bath space, an anode bag can be used as a substitute for the diaphragm. However, in this case, since the amount of the anolyte is extremely small relative to the amount of the catholyte (plating solution), the concentration of a substance that causes deterioration tends to be high. It is necessary to use a material in which the adsorbent is suspended as described above or the adsorbent is fixed to the anode bag itself, so that a substance causing a deterioration factor does not leak out of the anode bag.
【0026】さらに、陰陽両極室を隔膜又は隔壁によっ
て分離しているが故に、これが障害となって、陽極にお
いて溶解した錫イオンの全てが陰極室に移動せず、陰極
室の金属濃度が徐々に低下することがある。このような
場合には、方法の一例を概念図として図2に示したよう
に、めっき槽(7)に付属して補助槽(8)を設け、補
助槽においてめっき槽(7)と同様に、劣化要因となる
物質が陰極室に拡散しないように陰陽両極室を隔膜又は
隔壁(1)によって分離し、錫イオン及び(又は)銀イ
オンを補給することができる。このとき、図2に示した
ように補助槽においても陽極(2)及びダミーの陰極
(6)を配置し、めっき本槽と同様に直流電圧を印加し
てもよいが、隔膜を通過してのイオンの移動の駆動力は
電気泳動並びに浸透圧の効果によるものであるが故に、
通常はめっきに匹敵する大きい電流を流す必要はない。Furthermore, since the anode and cathode bipolar chambers are separated by a diaphragm or a partition wall, this is an obstacle, and all the tin ions dissolved at the anode do not move to the cathode chamber, and the metal concentration in the cathode chamber gradually increases. May drop. In such a case, as shown in FIG. 2 as a conceptual diagram of an example of the method, an auxiliary tank (8) is provided in addition to the plating tank (7), and the auxiliary tank is provided in the same manner as the plating tank (7). In addition, the cathode and anode compartments can be separated by a diaphragm or a partition (1) so that a substance causing a deterioration factor is not diffused into the cathode compartment, and tin ions and / or silver ions can be supplied. At this time, the anode (2) and the dummy cathode (6) may be arranged in the auxiliary tank as shown in FIG. 2 and a DC voltage may be applied in the same manner as in the main plating tank. Since the driving force for the movement of the ions is due to the effects of electrophoresis and osmotic pressure,
Normally, it is not necessary to pass a large current comparable to plating.
【0027】本発明のめっき方法に用いられるめっき浴
には、2価及び(又は)4価の錫イオン、1価の銀イオ
ン、錫及び銀の錯化剤が必須成分として含有される。必
須の成分の一つである2価又は4価の錫の供給源として
は、硫酸塩、ハロゲン化物、ホウフッ化物、ケイフッ化
物、スルファミン酸塩、ピロリン酸塩、酢酸塩、錫酸ナ
トリウム、錫酸カリウム或いは下記一般式(A)〜
(E)で表されるスルホン酸の錫塩など一般に広く用い
られる錫塩の他に、水酸化錫や酸化錫を、例えば多価カ
ルボン酸、オキシカルボン酸、メルカプトカルボン酸、
スルホカルボン酸等のような本発明に用いるめっき浴に
添加される錯化剤として列挙された一般式(1)〜(1
3)で表される化合物の中から選ばれた錯化剤によって
錯形成され可溶化された錫錯体から選ばれた1種又は2
種以上を単独又は適宜混合して使用できる。The plating bath used in the plating method of the present invention contains, as essential components, divalent and / or tetravalent tin ions, monovalent silver ions, and a complexing agent of tin and silver. Sources of divalent or tetravalent tin, one of the essential components, include sulfate, halide, borofluoride, silicofluoride, sulfamate, pyrophosphate, acetate, sodium stannate, and stannic acid. Potassium or the following general formula (A)
In addition to tin salts generally used, such as tin salts of sulfonic acids represented by (E), tin hydroxide or tin oxide is used, for example, polyvalent carboxylic acid, oxycarboxylic acid, mercaptocarboxylic acid,
General formulas (1) to (1) listed as complexing agents such as sulfocarboxylic acid added to the plating bath used in the present invention.
One or two selected from solubilized tin complexes formed by a complexing agent selected from the compounds represented by 3)
More than one kind can be used alone or in appropriate mixture.
【0028】・一般式(A) R−SO3 H (A) [ここで、RはC1 〜C12のアルキル基又はC2 〜C3
のアルケニル基を表し、該Rの水素は、0〜3個の範囲
でヒドロキシル基、アルキル基、アリール基、アルキル
アリール基、カルボキシル基又はスルホン酸基で置換さ
れていてよく、そして該Rの任意の位置にあってよ
い。]で表される脂肪族スルホン酸の塩。General formula (A) R-SO 3 H (A) wherein R is a C 1 -C 12 alkyl group or C 2 -C 3
And the hydrogen of R may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a carboxyl group or a sulfonic acid group in the range of 0 to 3; May be in the position. ] The salt of the aliphatic sulfonic acid represented by these.
【0029】・一般式(B)General formula (B)
【化8】 [ここで、RはC1 〜C3 のアルキル基を表す。Xは塩
素及び(又は)フッ素のハロゲンを表し、該Rの任意の
位置にあってよく、該Rの水素と置換された該ハロゲン
の置換数n1は1から該Rに配位したすべての水素が飽
和置換されたものまでを表し、置換されたハロゲン種は
1種類又は2種類である。ヒドロキシル基は、該Rの任
意の位置にあってよく、該Rの水素と置換された該ヒド
ロキシル基の置換数n2は0又は1である。Yはスルホ
ン酸基を表し、該Rの任意の位置にあってよく、Yで表
されるスルホン酸基の置換数n3は0から2の範囲にあ
る。]で表されるハロゲン化アルカンスルホン酸又はハ
ロゲン化アルカノールスルホン酸。Embedded image [Where R represents a C 1 -C 3 alkyl group. X represents a halogen of chlorine and / or fluorine, and may be at any position of the R, and the number of substitutions n1 of the halogen substituted with the hydrogen of the R is from 1 to all hydrogens coordinated to the R. Represents saturated substituents, and the substituted halogen species are one or two types. The hydroxyl group may be at any position of the R, and the number of substitutions n2 of the hydroxyl group substituted with the hydrogen of the R is 0 or 1. Y represents a sulfonic acid group, which may be located at any position of R; and the number of substitutions n3 of the sulfonic acid group represented by Y is in the range of 0 to 2. A halogenated alkanesulfonic acid or a halogenated alkanolsulfonic acid represented by the formula:
【0030】・一般式(C)General formula (C)
【化9】 [ここで、Xはヒドロキシル基、アルキル基、アリール
基、アルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル
基、ニトロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ
基を表し、或いは2個のXはベンゼン環と一緒になって
ナフタリン環を形成でき、該基の置換数n は0〜3の範
囲にある。]で表される芳香族スルホン酸。Embedded image [Where X represents a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, an aldehyde group, a carboxyl group, a nitro group, a mercapto group, a sulfonic acid group or an amino group, or two X's together with a benzene ring To form a naphthalene ring, and the number of substitutions n of the group is in the range of 0 to 3. ] The aromatic sulfonic acid represented by these.
【0031】・一般式(D) HO3 S−R−COOH (D) [ここで、RはC1 〜C6 のアルキレン基又はC2 〜C
6 のアルケニレン基を表し、該Rの水素はヒドロキシル
基又はカルボキシル基で置換されていてよい。]で表さ
れる脂肪族スルホ(ヒドロキシ)カルボン酸。General formula (D) HO 3 S—R—COOH (D) wherein R is a C 1 -C 6 alkylene group or C 2 -C
Represents 6 alkenylene groups, wherein the hydrogen of R may be substituted with a hydroxyl group or a carboxyl group. ] The aliphatic sulfo (hydroxy) carboxylic acid represented by these.
【0032】・一般式(E)General formula (E)
【化10】 [ここで、Xは水素、ヒドロキシル基又はカルボキシル
基を表す。スルホン酸基、カルボキシル基及びXは任意
の位置にあってよい。]で表される芳香族スルホ(ヒド
ロキシ)カルボン酸。Embedded image [Where X represents hydrogen, a hydroxyl group or a carboxyl group. The sulfonic acid group, carboxyl group and X may be at any position. ] The aromatic sulfo (hydroxy) carboxylic acid represented by these.
【0033】上記一般式(A)〜(E)で表されるスル
ホン酸の中で好適なものを例示すれば、メタンスルホン
酸、メタンジスルホン酸、メタントリスルホン酸、トリ
フルオロメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパ
ンスルホン酸、2−プロパンスルホン酸、ブタンスルホ
ン酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、2
−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシ
プロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタンスル
ホン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン酸、1カルボ
キシエタンスルホン酸、1,3−プロパンジスルホン
酸、アリールスルホン酸、2−スルホ酢酸、2−又は3
−スルホプロピオン酸、スルホこはく酸、スルホメチル
こはく酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼ
ンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン
酸、ニトロベンゼンスルホン酸、ベンズアルデヒドスル
ホン酸、フェノールスルホン酸、フェノール−2,4−
ジスルホン酸、2−スルホ安息香酸、3−スルホ安息香
酸、5−スルホサリチル酸、4−スルホフタール酸、5
−スルホイソフタール酸、2−スルホテレフタール酸が
挙げられる。Preferred examples of the sulfonic acids represented by the general formulas (A) to (E) include methanesulfonic acid, methanedisulfonic acid, methanetrisulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, and ethanesulfonic acid. Acid, propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid,
-Hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 2-hydroxybutanesulfonic acid, 2-hydroxypentanesulfonic acid, 1-carboxyethanesulfonic acid, 1,3-propanedisulfonic acid, arylsulfonic acid , 2-sulfoacetic acid, 2- or 3
-Sulfopropionic acid, sulfosuccinic acid, sulfomethylsuccinic acid, sulfomaleic acid, sulfofumaric acid, benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, nitrobenzenesulfonic acid, benzaldehydesulfonic acid, phenolsulfonic acid, phenol-2,4-
Disulfonic acid, 2-sulfobenzoic acid, 3-sulfobenzoic acid, 5-sulfosalicylic acid, 4-sulfophthalic acid, 5
-Sulfoisophthalic acid and 2-sulfoterephthalic acid.
【0034】めっき浴中の錫の濃度は、用いる浴の種類
やめっき対象物によって増減することが望ましいが、錫
分として概ね1〜150g/lが適当であり、好ましく
は5〜80g/l程度とする。The concentration of tin in the plating bath is desirably increased or decreased depending on the type of bath to be used and the object to be plated. However, a tin content of about 1 to 150 g / l is appropriate, and preferably about 5 to 80 g / l. And
【0035】 めっき浴中の金属の濃度は、用いる浴の
種類やめっき対象物によって増減することが望ましい
が、錫分として概ね1〜80g/lが適当であり、好ま
しくは5〜30g/l程度とする。The concentration of the metal in the plating bath is desirably increased or decreased depending on the type of bath to be used and the object to be plated. However, the tin content is generally about 1 to 80 g / l, preferably about 5 to 30 g / l. And
【0036】本発明のめっき方法に用いられる浴に必須
の成分である非シアンの1価の銀の供給源として、例え
ば、硝酸塩、亜硝酸塩、硫酸塩、チオ硫酸塩、チオシア
ン酸塩、亜硫酸塩、重亜硫酸塩、メタ重亜硫酸塩、塩化
物、塩素酸塩、過塩素酸塩、臭化物、臭素酸塩、ヨウ化
物、ヨウ素酸塩、ホウフッ化物、ケイフッ化物、安息香
酸塩、スルファミン酸塩、クエン酸塩、乳酸塩、リン酸
塩、トリフルオロ酢酸塩、ピロリン酸塩、1−ヒドロキ
シエタン−1,1−ビスホスホン酸塩、又は上記一般式
(A)〜(E)で表されるスルホン酸の銀塩など一般に
広く用いられる銀塩の他に、水酸化銀や酸化銀を、ヨウ
素、メルカプトカルボン酸類等の錯化剤或いはアンモニ
アによって錯形成され可溶化された銀錯体から選ばれた
1種又は2種以上を単独又は適宜混合して使用できる。As a source of non-cyanide monovalent silver which is an essential component of the bath used in the plating method of the present invention, for example, nitrates, nitrites, sulfates, thiosulfates, thiocyanates, sulfites , Bisulfite, metabisulfite, chloride, chlorate, perchlorate, bromide, bromate, iodide, iodate, borofluoride, silicofluoride, benzoate, sulfamate, citrate Acid salt, lactate, phosphate, trifluoroacetate, pyrophosphate, 1-hydroxyethane-1,1-bisphosphonate, or sulfonic acid represented by the above general formulas (A) to (E) In addition to silver salts generally used widely such as silver salts, silver hydroxide or silver oxide is selected from a complexing agent such as iodine and mercaptocarboxylic acids or a silver complex complexed with ammonia and solubilized, or 2 or more It can be used alone or in appropriate combination.
【0037】銀塩を構成する(A)〜(E)のスルホン
酸の中で好適なものは、前節の錫化合物に関して記載し
たものと同様である。The preferred sulfonic acids (A) to (E) constituting the silver salt are the same as those described for the tin compound in the preceding section.
【0038】銀化合物の使用量は、用いる浴の種類やめ
っき対象物によって増減することが望ましいが、銀分と
して概ね0.05〜10g/l程度が適当であり、好ま
しくは0.1〜5g/l程度とする。ただし、銀含有量
の多い錫−銀合金めっき皮膜を得ようとする場合には、
これに限定されるものではなく、概ね50g/l程度の
銀濃度とすることができる。The amount of the silver compound used is desirably increased or decreased depending on the type of bath used or the object to be plated, but it is appropriate that the silver content is about 0.05 to 10 g / l, preferably 0.1 to 5 g / l. / L. However, when obtaining a tin-silver alloy plating film having a high silver content,
The silver concentration is not limited to this, and can be about 50 g / l.
【0039】本願発明のめっき方法に用いられるめっき
浴に必須の成分である錫及び(又は)銀の錯化剤とし
て、(1) 縮合リン酸(ピロリン酸、トリリン酸等)
又はそれらの塩類、(2) ヨウ素、臭素、ヨウ素酸、
臭素酸、亜硫酸、重亜硫酸、メタ重亜硫酸、チオ硫酸、
チオシアン酸、酢酸、アンモニウムの各イオンを生成す
る酸又は塩、並びに下記の(3)〜(13)で表される
錯化剤の中から選ばれた1種又は2種以上を単独で又は
適宜混合して使用できる。As a complexing agent for tin and / or silver, which is an essential component of the plating bath used in the plating method of the present invention, (1) condensed phosphoric acid (pyrophosphoric acid, triphosphoric acid, etc.)
Or salts thereof, (2) iodine, bromine, iodic acid,
Bromic acid, sulfurous acid, bisulfite, metabisulfite, thiosulfate,
Acids or salts that generate thiocyanic acid, acetic acid, and ammonium ions, and one or two or more selected from complexing agents represented by the following (3) to (13), alone or appropriately. Can be mixed and used.
【0040】(3)一般式 X−R−COOH [ここで、Rは単結合又はC1 〜C4 のアルキレン基を
表し、該Rの水素は、その半数までの範囲で、任意の位
置で、−S−CH3 、メチル基、アミノ基、ヒドロキシ
ル基及び(又は)カルボキシル基により置換されていて
よい。Xは水素(ただし、Rが単結合の場合は除
く。)、カルボキシル基又はCH2 OHを表す。]で表
されるオキシカルボン酸、多価カルボン酸若しくはアミ
ノ酸又はそれらの塩類。(3) General formula X—R—COOH wherein R represents a single bond or a C 1 -C 4 alkylene group, and the hydrogen of R may be in any position within a range of up to half of the number. , -S-CH 3, methyl group, an amino group, may be substituted by a hydroxyl group and (or) a carboxyl group. X represents hydrogen (except when R is a single bond), a carboxyl group, or CH 2 OH. And the salts thereof.
【0041】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、蓚酸、マロン酸、こはく酸、グリコール酸、乳酸、
酒石酸、クエン酸、グリシン等が挙げられる。Of these, particularly preferred are oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glycolic acid, lactic acid,
Tartaric acid, citric acid, glycine and the like can be mentioned.
【0042】(4)単糖類及びその一部が酸化されたポ
リヒドロキシカルボン酸並びにそれらの環状エステル化
合物。(4) Monosaccharides and partially oxidized polyhydroxycarboxylic acids and cyclic ester compounds thereof.
【0043】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、アスコルビン酸、 グルコン酸、δ- グルコノラクト
ン等が挙げられる。Of these, particularly preferred ones include ascorbic acid, gluconic acid, δ-gluconolactone and the like.
【0044】(5)一般式(5) General formula
【化11】 [ここで、RはC1 〜C5 のアルキレン基を表し、該ア
ルキルの水素は、アミノ基又はカルボキシル基で置換さ
れていてよく、また該アミノ基を介してアセチル基と結
合していてもよい。]で表されるメルカプトカルボン酸
若しくはメルカプトスルホン酸又はそれらの塩類。Embedded image [Where R represents a C 1 -C 5 alkylene group, and the hydrogen of the alkyl may be substituted with an amino group or a carboxyl group, or may be bonded to an acetyl group via the amino group. Good. And mercaptosulfonic acid or a salt thereof.
【0045】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、メルカプトこはく酸、3−メルカプトプロピオン
酸、メルカプト酢酸、2−メルカプトプロピオン酸、ペ
ニシルアミン、3−メルカプトプロパンスルホン酸、ア
セチルシスティン、システィン等が挙げられる。Among these, particularly preferred are, for example, mercaptosuccinic acid, 3-mercaptopropionic acid, mercaptoacetic acid, 2-mercaptopropionic acid, penicylamine, 3-mercaptopropanesulfonic acid, acetylcysteine, cysteine and the like. No.
【0046】(6)一般式 HO3 S−R−COOH [ここで、RはC1 〜C6 のアルキレン基又はC2 〜C
6 のアルケニレン基を表し、該Rの水素はヒドロキシル
基又はカルボキシル基で置換されていてよい。]で表さ
れる脂肪族スルホ(ヒドロキシ)カルボン酸又はそれら
の塩類。(6) General formula HO 3 S—R—COOH wherein R is a C 1 -C 6 alkylene group or C 2 -C
Represents 6 alkenylene groups, wherein the hydrogen of R may be substituted with a hydroxyl group or a carboxyl group. ] The aliphatic sulfo (hydroxy) carboxylic acid represented by these, or their salts.
【0047】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、2−スルホ酢酸、2−スルホプロピオン酸、3−ス
ルホプロピオン酸、スルホこはく酸、スルホメチルこは
く酸、スルホフマル酸、スルホマレイン酸等が挙げられ
る。Of these, particularly preferred ones are, for example, 2-sulfoacetic acid, 2-sulfopropionic acid, 3-sulfopropionic acid, sulfosuccinic acid, sulfomethylsuccinic acid, sulfofumaric acid and sulfomaleic acid. Can be
【0048】(7)一般式(7) General formula
【化12】 [ここで、Xは水素、ヒドロキシル基又はカルボキシル
基を表す。スルホン酸基、カルボキシル基及びXは任意
の位置にあってよい。]で表される芳香族スルホ(ヒド
ロキシ)カルボン酸又はそれらの塩類。Embedded image [Where X represents hydrogen, a hydroxyl group or a carboxyl group. The sulfonic acid group, carboxyl group and X may be at any position. ] The aromatic sulfo (hydroxy) carboxylic acid represented by these, or their salts.
【0049】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、2−スルホ安息香酸、3−スルホ安息香酸、4−ス
ルホ安息香酸、4−スルホフタール酸、5−スルホイソ
フタール酸、2−スルホテレフタール酸、5−スルホサ
リチル酸等が挙げられる。Among these, particularly preferred ones are, for example, 2-sulfobenzoic acid, 3-sulfobenzoic acid, 4-sulfobenzoic acid, 4-sulfophthalic acid, 5-sulfoisophthalic acid, 2-sulfoterefic acid. Tar acid, 5-sulfosalicylic acid, and the like.
【0050】(8)一般式(8) General formula
【化13】 [ここで、Xは−CH2 COOH又は−C2 H4 COO
Hを表し、Yは−CH2COOH又は−C2 H4 COO
H或いは−CH2 OHを表し、Zは−CH2 COOH又
は−C2 H4 COOH或いは−CH2 OH或いは水素を
表す。Aは単結合、−CH(0H)−又は−CH2 −N
(CH2 COOH)−CH2 −を表し、Bは水素を表す
か或いはAが単結合の場合には、B同志がメチレン基を
介して結合して飽和6員環を形成してもよい。]で表さ
れるアミンカルボン酸又はそれらの塩類。Embedded image [Wherein, X is -CH 2 COOH or -C 2 H 4 COO
H represents Y and —CH 2 COOH or —C 2 H 4 COO
H represents —CH 2 OH, and Z represents —CH 2 COOH or —C 2 H 4 COOH or —CH 2 OH or hydrogen. A is a single bond, -CH (0H) -, or -CH 2 -N
(CH 2 COOH) —CH 2 —, wherein B represents hydrogen, or when A is a single bond, B may be bonded via a methylene group to form a saturated 6-membered ring. Or a salt thereof.
【0051】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミ
ンペンタ酢酸イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸等が挙げ
られる。Of these, particularly preferable ones include ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid and the like.
【0052】(9)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロ
キシアルカンビスホスホン酸又はそれらの塩類。(9) Hydroxyalkanebisphosphonic acids having 1 to 3 carbon atoms in the alkane or salts thereof.
【0053】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホスホン酸が
挙げられる。Among these, particularly preferred ones include 1-hydroxyethane-1,1-bisphosphonic acid.
【0054】(10)一般式(10) General formula
【化14】 [ここで、X1 、X2 、X3 及びX4 は炭素又は窒素を
表し、各X1 〜X4 が窒素のときには各Xに結合するR
1 〜R4 は存在しない。すべてのXが同時に窒素である
ことはない。R1 、R2 、R3 及びR4 は、それぞれ独
立して、水素、ヒドロキシル基又はC1 〜C4 のアルキ
ル基を表し、該アルキル基の水素はヒドロキシル基、カ
ルボキシル基又はハロゲンで置換されていてよい。R1
はR2 とメチレン基を介してベンゼン環を形成してよ
く、該ベンゼン環の水素はハロゲン、C1 〜C4 のアル
キル基、 C1 〜C4 のアルコキシ基、ヒドロキシル基又
はカルボキシル基で置換されていてよい。R5 は水素、
C1 〜C5 のアルキル若しくはアルケニル基又はフェニ
ル基を表し、該アルキル基、アルケニル基及び(又は)
フェニル基の水素はヒドロキシル基又はアミノ基、モノ
メチルアミノ基若しくはジメチルアミノ基で置換されて
いてよい。]で表される含窒素五員複素環式化合物、即
ち、ピロール類、ピロリン類、インドール類、イソイン
ドール類、イミダゾール類、ベンゾイミダゾール類、イ
ミダゾリン類、トリアゾール類、ベンゾトリアゾール類
又はテトラゾール類。Embedded image [Where X 1 , X 2 , X 3 and X 4 represent carbon or nitrogen, and when each of X 1 to X 4 is nitrogen, R bonded to each X
1 ~R 4 does not exist. Not all X are nitrogen at the same time. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent hydrogen, a hydroxyl group or a C 1 -C 4 alkyl group, wherein the hydrogen of the alkyl group is substituted by a hydroxyl group, a carboxyl group or a halogen. May be. R 1
May form a benzene ring via R 2 and a methylene group, and the hydrogen of the benzene ring is substituted by halogen, C 1 -C 4 alkyl, C 1 -C 4 alkoxy, hydroxyl or carboxyl. May have been. R 5 is hydrogen,
Alkyl or alkenyl of C 1 -C 5 represents a phenyl group, the alkyl group, alkenyl group, and (or)
The hydrogen of the phenyl group may be substituted by a hydroxyl group or an amino group, a monomethylamino group or a dimethylamino group. A pyrrole, a pyrroline, an indole, an isoindole, an imidazole, a benzimidazole, an imidazoline, a triazole, a benzotriazole or a tetrazole.
【0055】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、ピロール、ピロリン、インドール、イソインドー
ル、イミダゾール、イミダゾリン、ベンゾイミダゾー
ル、2−エチルイミダゾール、トリアゾール、ベンゾト
リアゾール、2−(又は4)メチルベンゾトリアゾー
ル、4−ヒドロキシベンゾトリアゾール、4−カルボキ
シベンゾトリアゾール、テトラゾール等が挙げられる。Among these, particularly preferred are pyrrole, pyrroline, indole, isoindole, imidazole, imidazoline, benzimidazole, 2-ethylimidazole, triazole, benzotriazole, 2- (or 4) methylbenzo. Triazole, 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxybenzotriazole, tetrazole and the like.
【0056】(11)一般式(11) General formula
【化15】 [ここで、R1 、R2 、R3 、R4 及びR5 は、それぞ
れ独立に、水素又はC1〜C5 のアルキル基又はアルコ
キシ基を表す。Xは窒素又は炭素を表し、Xが窒素のと
きには、R4 は存在しない。]で示されるヒダントイン
化合物、こはく酸イミド又はマレイン酸イミド及びそれ
らの誘導体。Embedded image [Wherein, R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 each independently represent an alkyl group or an alkoxy group of hydrogen or C 1 -C 5. X represents nitrogen or carbon, and when X is nitrogen, R 4 is not present. ], A succinimide or a maleic imide, and derivatives thereof.
【0057】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、ヒダントイン、5−n−プロピルヒダントイン、
5,5−ジメチルヒダントイン、2,2−ジメチルこは
く酸イミド、2−メチル−2−エチルこはく酸イミド、
2−メチルこはく酸イミド、2−エチルこはく酸イミ
ド、1,1,2,2−テトラメチルこはく酸イミド、
1,1,2−トリメチルこはく酸イミド、2−ブチルこ
はく酸イミド、2−エチルマレイン酸イミド、1−メチ
ル−2−エチルマレイン酸イミド、2−ブチルマレイン
酸イミド等が挙げられる。Among these, particularly preferred are hydantoin, 5-n-propylhydantoin,
5,5-dimethylhydantoin, 2,2-dimethylsuccinimide, 2-methyl-2-ethylsuccinimide,
2-methylsuccinimide, 2-ethylsuccinimide, 1,1,2,2-tetramethylsuccinimide,
Examples include 1,1,2-trimethylsuccinimide, 2-butylsuccinimide, 2-ethylmaleimide, 1-methyl-2-ethylmaleimide, 2-butylmaleimide and the like.
【0058】(12)一般式(12) General formula
【化16】 [ここで、R1 及びR2 はそれぞれ独立に水素、アミノ
基又はC1 〜C5 のアルキル基を表す。R3 及びR4 は
それぞれ独立に水素、C1 〜C5 のアルキル若しくはア
ルケニル基又はフェニル基を表し、該アルキル、アルケ
ニル及び(又は)フェニル基の水素はヒドロキシル基又
はアミノ基、モノメチルアミノ基若しくはジメチルアミ
ノ基で置換されていてよく、R3 とR4 は結合して環を
形成してよい。R5 はアルキル基、アリル基又はヒドロ
キシ基を表す。Xは窒素又は炭素を表し、Yは酸素又は
硫黄を表す。Xはが窒素のときには、R5 は存在しな
い。]で示される尿素、チオ尿素又はチオアセトアミド
及びそれらの誘導体。Embedded image [Wherein R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, an amino group or a C 1 -C 5 alkyl group. R 3 and R 4 each independently represent hydrogen, a C 1 -C 5 alkyl or alkenyl group or a phenyl group, wherein the hydrogen of the alkyl, alkenyl and / or phenyl group is a hydroxyl group or an amino group, a monomethylamino group or It may be substituted with a dimethylamino group, and R 3 and R 4 may combine to form a ring. R 5 represents an alkyl group, an allyl group or a hydroxy group. X represents nitrogen or carbon, and Y represents oxygen or sulfur. At the time of the X Haga nitrogen, R 5 is not present. Urea, thiourea or thioacetamide and derivatives thereof.
【0059】これらのうちで特に好適なものを例示すれ
ば、イミダゾリジノン、2−イミダゾリジンチオン、チ
オ尿素、トリメチルチオ尿素、N,N’−ジ−n−ブチ
ルチオ尿素、テトラメチルチオ尿素、1−アリル−2−
チオ尿素、N,N’ジエチルチオ尿素、1,3−ビス
(ジメチルアミノプロピル)−2−チオ尿素、N,Nジ
メチルチオ尿素、N,N−ジメチロール尿素、チオセミ
カルバジド、4−フェニル−3−チオセミカルバジド、
2−チオバルビツル酸等が挙げられる。Among these, particularly preferred are, for example, imidazolidinone, 2-imidazolidinthione, thiourea, trimethylthiourea, N, N'-di-n-butylthiourea, tetramethylthiourea, 1-allyl -2-
Thiourea, N, N 'diethylthiourea, 1,3-bis (dimethylaminopropyl) -2-thiourea, N, N dimethylthiourea, N, N-dimethylolurea, thiosemicarbazide, 4-phenyl-3-thiosemicarbazide ,
2-thiobarbituric acid and the like.
【0060】(13)一般式(13) General formula
【化17】 [ここで、Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立に、水
素、ヒドロキシル基又はC1 〜C5 のアルキル基を表
し、該アルキル基の水素はヒドロキシル基、アミノ基又
は塩素で置換されていてよく、また該アルキル基同志が
結合して環を形成してもよい。]で示されるアミン及び
それらの塩。Embedded image [Where Ra, Rb and Rc each independently represent hydrogen, a hydroxyl group or a C 1 -C 5 alkyl group, and the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a hydroxyl group, an amino group or chlorine. And the alkyl groups may combine with each other to form a ring. And salts thereof.
【0061】これらのうち特に好適なものを例示すれ
ば、エチレンジアミン、エチルアミンイソプロピルアミ
ン、n−ブチルアミン、イソブチルアミン、ジプロピル
アミン、ジブチルアミン、ジエチルアミン、モノエタノ
ールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、N−メチルエタノールアミン、2−アミノ−2−
(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオール、2
−クロロエチルアンモニウムクロライド等が挙げられ
る。Of these, particularly preferred are ethylenediamine, ethylamine isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, dipropylamine, dibutylamine, diethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methyl Ethanolamine, 2-amino-2-
(Hydroxymethyl) -1,3-propanediol, 2
-Chloroethylammonium chloride and the like.
【0062】それら錯化剤の使用量は、錯化剤の種類や
組み合わせに応じて適宜選択されるが、主錯化剤として
添加する場合には、浴中の金属分1モルに対して1〜2
0モル程度が適当であり、好ましくは、2〜15モル程
度である。しかしながら、補助錯化剤として用いる場合
には、絶対濃度で0.001mol/l程度の低濃度か
ら、浴中の金属分1モルに対して主錯化剤に匹敵する1
〜20モル程度までの高濃度範囲で用いる。The amount of the complexing agent to be used is appropriately selected depending on the kind and combination of the complexing agent. When the complexing agent is added as a main complexing agent, the amount is 1 to 1 mol of the metal in the bath. ~ 2
About 0 mol is appropriate, and preferably about 2 to 15 mol. However, when it is used as an auxiliary complexing agent, the concentration is as low as about 0.001 mol / l in absolute concentration, and is equivalent to the main complexing agent per 1 mol of metal in the bath.
Used in a high concentration range up to about 20 mol.
【0063】本発明の方法において使用する錫−銀系合
金めっき浴は、さらに、電導塩、pH緩衝剤、界面活性
剤、平滑化添加剤、光沢添加剤、酸化防止剤の1種又は
2種以上を添加して用いることができる。錫及び錫合金
めっき浴においては、このような成分が添加されること
は公知であり、本発明のめっき方法において用いられる
めっき浴にもこれらを添加することができる。これら、
電導塩、pH緩衝剤、界面活性剤、平滑化添加剤、光沢
添加剤、酸化防止剤には、従来から錫及び錫合金めっき
浴において用いられてきた公知の化合物が利用できる。The tin-silver alloy plating bath used in the method of the present invention may further comprise one or more of a conductive salt, a pH buffer, a surfactant, a smoothing additive, a gloss additive, and an antioxidant. The above can be added and used. It is known that such components are added to tin and tin alloy plating baths, and they can be added to the plating bath used in the plating method of the present invention. these,
Known compounds conventionally used in tin and tin alloy plating baths can be used as the conductive salt, pH buffer, surfactant, leveling additive, gloss additive, and antioxidant.
【0064】すなわち、電導塩として好適に用いられる
化合物には、従来から錫及び錫合金めっき浴において用
いられてきた硫酸、塩酸、スルホン酸などのナトリウ
ム、カリウム或いはアンモニウム塩などが、適宜単独で
又は併用して用いられる。その使用量は、明確な限界は
ないが、一般に5〜200g/lが用いられ、さらに好
適には10〜100g/lが用いられる。That is, as the compound preferably used as the conductive salt, sodium, potassium or ammonium salts such as sulfuric acid, hydrochloric acid and sulfonic acid which have been conventionally used in tin and tin alloy plating baths can be used alone or as appropriate. Used in combination. The amount of use is not specifically limited, but generally 5 to 200 g / l, more preferably 10 to 100 g / l is used.
【0065】pH緩衝剤として好適に用いられる化合物
には、従来から錫及び錫合金めっき浴において用いられ
てきたリン酸、酢酸、炭酸、硼酸、クエン酸などのナト
リウム、カリウム若しくはアンモニウム塩及び(又は)
それらの酸性塩などが、適宜単独又は併用して用いられ
る。同一の塩をもって電導塩とpH緩衝剤とを兼ねて使
用することもできる。その使用量は、明確な限界はない
が、一般に5〜200g/lが用いられ、さらに好適に
は10〜100g/lが用いられる。Compounds preferably used as the pH buffer include sodium, potassium or ammonium salts such as phosphoric acid, acetic acid, carbonic acid, boric acid and citric acid which have been conventionally used in tin and tin alloy plating baths. )
These acid salts and the like are used alone or in combination as appropriate. The same salt can be used as both a conductive salt and a pH buffer. The amount of use is not specifically limited, but generally 5 to 200 g / l, more preferably 10 to 100 g / l is used.
【0066】界面活性剤として好適に用いられる化合物
には、従来から錫及び錫合金めっき浴において用いられ
てきたカチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、
ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤のいずれもが、
適宜単独又は併用して用いられる。Compounds preferably used as surfactants include cationic surfactants and anionic surfactants which have been conventionally used in tin and tin alloy plating baths.
Nonionic surfactant, both amphoteric surfactant,
It is used alone or in combination as appropriate.
【0067】好適な界面活性剤としては、カチオン系界
面活性剤には、テトラ低級アルキルアンモニウムハライ
ド、アルキルトリメチルアンモニウムハライド、ヒドロ
キシエチルアルキルイミダゾリン、ポリオキシエチレン
アルキルメチルアンモニウムハライド、アルキルベンザ
ルコニウムハライド、ジアルキルジメチルアンモニウム
ハライド、アルキルジメチルベンジルアンモニウムハラ
イド、アルキルアミン塩酸塩、アルキルアミン酢酸塩、
アルキルアミンオレイン酸塩、アルキルアミノエチルグ
リシン、アルキルピリジニウムハライド系等がある。Suitable surfactants include cationic surfactants such as tetra-lower alkylammonium halide, alkyltrimethylammonium halide, hydroxyethylalkylimidazoline, polyoxyethylenealkylmethylammonium halide, alkylbenzalkonium halide and dialkyl. Dimethylammonium halide, alkyldimethylbenzylammonium halide, alkylamine hydrochloride, alkylamine acetate,
Alkylamine oleate, alkylaminoethylglycine, alkylpyridinium halides, and the like.
【0068】アニオン系界面活性剤には、アルキル(又
はホルマリン縮合物)−β−ナフタレンスルホン酸(又
はその塩)、脂肪酸セッケン、アルキルスルホン酸塩
系、α−オレフィンスルホン酸塩、アルキルベンゼンス
ルホン酸塩、アルキル(又はアルコキシ)ナフタレンス
ルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸
塩、アルキルエーテルスルホン酸塩、アルキル硫酸エス
テル塩、 ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エ
ステル塩、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエー
テル硫酸エステル酸塩、高級アルコールリン酸モノエス
テル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸
(塩)、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテ
ルリン酸塩、ポリオキシアルキレンフェニルエーテルリ
ン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、
アルキロイルザルコシン、アルキロイルザルコシネー
ト、アルキロイルメチルアラニン塩、アルキルスルホ酢
酸塩、アシルメチルタウリン酸塩、アルキル脂肪酸グリ
セリン硫酸エステル塩、硬化ヤシ油脂肪酸グリセリル硫
酸塩、アルキルスルホカルボン酸エステル塩、アルキル
スルホこはく酸塩、ジアルキルスルホこはく酸塩、アル
キルポリオキシエチレンスルホこはく酸、スルホこはく
酸モノオレイルアミドナトリウム塩(又はアンモニウ
ム、TEA塩)等がある。Examples of the anionic surfactant include alkyl (or formalin condensate) -β-naphthalenesulfonic acid (or a salt thereof), fatty acid soap, alkylsulfonic acid salt, α-olefinsulfonic acid salt, alkylbenzenesulfonic acid salt. , Alkyl (or alkoxy) naphthalene sulfonate, alkyl diphenyl ether disulfonate, alkyl ether sulfonate, alkyl sulfate, polyoxyethylene alkyl ether sulfate, polyoxyethylene alkyl phenol ether sulfate, higher alcohol phosphorus Acid monoester salt, polyoxyalkylene alkyl ether phosphate (salt), polyoxyalkylene alkyl phenyl ether phosphate, polyoxyalkylene phenyl ether phosphate, polyoxyethylene Alkylether acetates,
Alkyloyl sarcosine, alkyloyl sarcosine, alkyloyl methyl alanine salt, alkyl sulfo acetate, acyl methyl taurate, alkyl fatty acid glycerin sulfate, hydrogenated coconut oil fatty acid glyceryl sulfate, alkyl sulfocarboxylate, Alkyl sulfosuccinates, dialkyl sulfosuccinates, alkyl polyoxyethylene sulfosuccinates, sulfosuccinate monooleylamide sodium salt (or ammonium, TEA salt) and the like.
【0069】ノニオン系界面活性剤には、ポリオキシア
ルキレンアルキルエーテル(又はエステル)、ポリオキ
シアルキレンフェニル(又はアルキルフェニル)エーテ
ル、ポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキルナフ
トチル)エーテル、ポリオキシアルキレンスチレン化フ
ェニルエーテル(又は該フェニル基にさらにポリオキシ
アルキレン鎖を付加した活性剤)、ポリオキシアルキレ
ンビスフェノールエーテル、ポリオキシエチレンポリオ
キシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレ
ンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレンソ
ルビット脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪
酸エステル、ポリオキシアルキレングリセリン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、エチレ
ンジアミンのポリオキシアルキレン縮合物付加物、ポリ
オキシアルキレン脂肪酸アミド、ポリオキシアルキレン
ヒマシ(及び(又は)硬化ヒマシ油)油、ポリオキシア
ルキレンアルキルフェニルホルマリン縮合物、グリセリ
ン(又はポリグリセリン)脂肪酸エステル、ペンタエリ
スリトール脂肪酸エステル、ソルビタンモノ(セスキ、
トリ)脂肪酸エステル、高級脂肪酸モノ(ジ)エタノー
ルアミド、アルキル・アルキロードアミド、オキシエチ
レンアルキルアミン等がある。Examples of the nonionic surfactant include polyoxyalkylene alkyl ether (or ester), polyoxyalkylene phenyl (or alkyl phenyl) ether, polyoxyalkylene naphthyl (or alkyl naphthyl) ether, polyoxyalkylene styrenated phenyl. Ether (or an activator in which a polyoxyalkylene chain is further added to the phenyl group), polyoxyalkylene bisphenol ether, polyoxyethylene polyoxypropylene block polymer, polyoxyalkylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyalkylene sorbite fatty acid ester, polyethylene glycol Fatty acid ester, polyoxyalkylene glycerin fatty acid ester, polyoxyalkylene alkylamine, ethylenediamine poly Xylylene alkylene condensate adduct, polyoxyalkylene fatty acid amide, polyoxyalkylene castor (and / or hydrogenated castor oil) oil, polyoxyalkylene alkylphenyl formalin condensate, glycerin (or polyglycerin) fatty acid ester, pentaerythritol fatty acid ester , Sorbitan mono (sesqui,
Tri) fatty acid esters, higher fatty acid mono (di) ethanolamide, alkyl / alkyloamide, oxyethylenealkylamine and the like.
【0070】両性界面活性剤には、2−アルキル−N−
カルボキシメチル(又はエチル)−N−ヒドロキシエチ
ル(又はメチル)イミダゾリニウムベタイン、2−−ア
ルキル−N−カルボキシメチル(又はエチル)−N−カ
ルボキシメチルオキシエチルイミダゾリニウムベタイ
ン、ジメチルアルキルベタイン、N−アルキル−β−ア
ミノプロピオン酸(又はそのナトリウム塩)、アルキル
(ポリ)アミノエチルグリシン、N−アルキル−N−メ
チル−β−アラニン(又はそのナトリウム塩)、脂肪酸
アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン等がある。The amphoteric surfactants include 2-alkyl-N-
Carboxymethyl (or ethyl) -N-hydroxyethyl (or methyl) imidazolinium betaine, 2-alkyl-N-carboxymethyl (or ethyl) -N-carboxymethyloxyethyl imidazolinium betaine, dimethylalkyl betaine, N -Alkyl-β-aminopropionic acid (or its sodium salt), alkyl (poly) aminoethylglycine, N-alkyl-N-methyl-β-alanine (or its sodium salt), fatty acid amidopropyldimethylaminoacetic acid betaine and the like. is there.
【0071】これら界面活性剤の使用量は、適宜選択さ
れるが、概ね0.001g/l〜50g/lの範囲で用
いられ、さらに好適には0.01g/l〜50g/lの
範囲で用いられる。The use amount of these surfactants is appropriately selected, but is generally used in the range of 0.001 g / l to 50 g / l, and more preferably in the range of 0.01 g / l to 50 g / l. Used.
【0072】平滑化添加剤、光沢添加剤として好適に用
いられる化合物には、従来から錫及び錫合金若しくは銀
及び銀合金めっき浴において用いられてきたポリエチレ
ングリコール、スルファニル酸類、アミン−アルデヒド
縮合物などが適宜に単独又は併用して用いられる。Compounds which are preferably used as smoothing additives and gloss additives include polyethylene glycol, sulfanilic acids, amine-aldehyde condensates conventionally used in tin and tin alloy or silver and silver alloy plating baths. Are used alone or in combination as appropriate.
【0073】その使用量は、一般に0.01〜50g/
lが用いられ、さらに好適には0.1〜30g/lが用
いられる。The amount used is generally 0.01 to 50 g /
1 and more preferably 0.1 to 30 g / l.
【0074】錫イオンの酸化は、陽極表面或いはその近
傍だけでなく、空気中の酸素によって操業中に徐々に酸
化され4価の錫に変化し、沈殿を生成するか、或いは錯
化剤の種類によっては浴中に溶解した状態で蓄積され、
これらはいずれもめっきにとって有害な影響を及ぼす。
これを抑制或いは防止するために、酸化防止剤が使用さ
れる。Oxidation of tin ions is not only at or near the anode surface, but is also gradually oxidized during the operation by oxygen in the air to change to tetravalent tin, thereby forming a precipitate or forming a complexing agent. Some are accumulated in the bath in a dissolved state,
All of these have a detrimental effect on plating.
An antioxidant is used to suppress or prevent this.
【0075】酸化防止剤には従来から錫及び錫合金めっ
き浴において用いられてきたハイドロキノン、カテコー
ル、レゾルシノール、フロログリシノール、ピロガロー
ル、3−アミノフェノール、ハイドロキノン(又は、カ
テコール、レゾルシノール)スルホン酸(及びそれらの
エステル)、没食子酸、3,4−ジヒドロキシ安息香
酸、4−メチルピロカテコール、ピロリン酸、酒石酸、
クエン酸、アスコルビン酸などが適宜に単独又は併用し
て用いられる。Antioxidants include hydroquinone, catechol, resorcinol, phloroglucinol, pyrogallol, 3-aminophenol, hydroquinone (or catechol, resorcinol) sulfonic acid (and catechol, resorcinol) conventionally used in tin and tin alloy plating baths. Esters thereof), gallic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, 4-methylpyrocatechol, pyrophosphoric acid, tartaric acid,
Citric acid, ascorbic acid and the like are used alone or in combination as appropriate.
【0076】その使用量は、一般に0.005〜20g
/lが用いられ、さらに好適には0.01〜10g/l
が用いられる。The amount used is generally 0.005 to 20 g
/ L is used, and more preferably 0.01 to 10 g / l
Is used.
【0077】本発明の電気めっき方法に用いる錫−銀系
合金めっき浴に、該合金皮膜の結晶成長を調整したり、
融点を低下させるために、さらにビスマス、銅、アンチ
モン、亜鉛、インジウム、パラジウム、ヒ素及びニッケ
ルから選ばれた第三金属の1種及び(又は)2種以上を
添加して用いることができる。The tin-silver alloy plating bath used in the electroplating method of the present invention can be used to adjust the crystal growth of the alloy film,
In order to lower the melting point, one or more and / or two or more third metals selected from bismuth, copper, antimony, zinc, indium, palladium, arsenic and nickel can be used.
【0078】錫−銀系合金めっき浴に第三金属を添加し
て該合金皮膜の融点を低下させることは、既述の新井の
報告(表面技術協会第94回講演大会予講集 85(1
996))にも認めることができるが、本発明のめっき
方法は、該浴を含めて上述の金属の1種及び(又は)2
種以上を添加した浴にも適用できる。The addition of a third metal to a tin-silver alloy plating bath to lower the melting point of the alloy film is described in Arai's report (Surface Technology Association 94th Annual Conference Preliminary Collection 85 (1)
996)), the plating method of the present invention includes one of the above-mentioned metals and / or 2
It can also be applied to baths containing more than one species.
【0079】本発明の錫−銀合金めっき方法に従ってめ
っきが適用されるはんだ接合個所を有した電気・電子回
路部品には、例えば、IC半導体等の電子デバイス等、
抵抗器、コンデンサ等々の受動部品等、コネクタ、スイ
ッチ、プリント配線基板等の接合部品等が挙げられる。
従って、本発明の他の主題は、本発明のめっき方法によ
り錫−銀系合金めっきを施されたこれらの電気・電子部
品にある。Electric / electronic circuit components having solder joints to which plating is applied according to the tin-silver alloy plating method of the present invention include, for example, electronic devices such as IC semiconductors and the like.
Examples include passive components such as resistors and capacitors, and joining components such as connectors, switches, and printed wiring boards.
Therefore, another subject of the present invention is these electric / electronic parts plated with a tin-silver alloy by the plating method of the present invention.
【0080】[0080]
【実施例】次に実施例によって、 この発明をさらに詳細
に説明するが、 本発明はこれらの例によって限定される
ものではなく、前述した目的に沿ってめっき浴の組成及
びめっき条件は適宜、 任意に変更することができる。Next, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. It can be changed arbitrarily.
【0081】比較例1 めっき浴として800mlの下記の浴1を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を溶液の形で補給し
た。銀の補給液はヨウ化カリウムで錯化させた溶液とし
た。 ・浴1 Sn2+(塩化錫(2価)2水塩として) 0.18 mol/l Ag+ (ヨウ化銀として) 0.02 mol/l ピロリン酸カリウム 0.54 mol/l ヨウ化カリウム 2.0 mol/l pH 8.9 温度 25 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 1 800 ml of the following bath 1 was used as a plating bath, and plating was performed using tin as an anode without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with potassium iodide. Bath 1 Sn 2+ (as tin chloride (divalent) dihydrate) 0.18 mol / l Ag + (as silver iodide) 0.02 mol / l potassium pyrophosphate 0.54 mol / l potassium iodide 2.0 mol / l pH 8.9 Temperature 25 ° C Current density 2 A / dm 2
【0082】実施例1 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
には浴1を用いてめっきを行った。銀の補給は陰極液に
対してのみ行った。Example 1 The cathode compartment and the anode compartment were separated by separating them with a filter cloth. The bath 1 was used for plating on the negative and positive electrode solutions. Silver was supplied only to the catholyte.
【0083】6A・hr/lの通電後に比較例1と実施
例1を比較した。比較例1においては、錫陽極に銀の置
換析出が顕著に認められるとともに、遊離ヨウ素が蓄積
し、めっき皮膜外観が劣化した。一方、実施例1におい
ては、陽極に対してごく僅かの銀の析出が認められた
が、良好なめっきが得られた。After the current was supplied at 6 A · hr / l, Comparative Example 1 and Example 1 were compared. In Comparative Example 1, silver substitution precipitation was remarkably observed on the tin anode, free iodine was accumulated, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 1, very little silver was deposited on the anode, but good plating was obtained.
【0084】比較例2 めっき浴として800mlの下記の浴2を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を溶液の形で補給し
た。銀の補給液はグルコン酸及びメルカプトコハク酸で
錯化させた溶液とした。 ・浴2 Sn2+(塩化錫(2価)2水塩として) 0.08 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l グルコン酸(50%水溶液) 80 ml/l メルカプトこはく酸 0.6 mol/l 3酸化ヒ素 80 mg/l ポリエチレングリコール 0.1 g/l pH 0.3 温度 25℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 2 Using 800 ml of the following bath 2 as a plating bath, tin was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with gluconic acid and mercaptosuccinic acid. Bath 2 Sn 2+ (as tin chloride (divalent) dihydrate) 0.08 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l gluconic acid (50% aqueous solution) 80 ml / l mercaptosuccinic acid 0.6 mol / l arsenic trioxide 80 mg / l polyethylene glycol 0.1 g / l pH 0.3 temperature 25 ° C current density 2 A / dm 2
【0085】実施例2 カチオン交換膜(徳山曹達(株)製のCMH)で陰極室
と陽極室を分離し、陰極室には400mlの浴2を用
い、陽極室には浴2から硝酸銀を除いた溶液400ml
を用い、錫陽極を配置した。銀の補給は陰極液に対して
のみ行った。Example 2 A cathode compartment and an anode compartment were separated by a cation exchange membrane (CMH manufactured by Tokuyama Soda Co., Ltd.). A 400 ml bath 2 was used in the cathode compartment, and silver nitrate was removed from the bath 2 in the anode compartment. 400 ml of solution
And a tin anode was arranged. Silver was supplied only to the catholyte.
【0086】6A・hr/lの通電後に比較例2と実施
例2を比較した。比較例2においては、錫陽極に銀の置
換析出が顕著に認められるとともに、グルコン酸の変質
物によると考えられる液の着色が認められ、めっき皮膜
外観が劣化した。一方、実施例2においては、陽極に対
してごく僅かの銀の析出が認められたが、良好なめっき
が得られた。After energizing at 6 A · hr / l, Comparative Example 2 and Example 2 were compared. In Comparative Example 2, silver substitution precipitation was remarkably recognized on the tin anode, and coloring of the solution considered to be due to the altered product of gluconic acid was recognized, and the appearance of the plating film was deteriorated. On the other hand, in Example 2, although very little silver was deposited on the anode, good plating was obtained.
【0087】比較例3 めっき浴として800mlの下記の浴3を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を補給した、メルカプ
トこはく酸及びグルコン酸で錯化させた溶液として添加
した。 ・浴3 Sn2+(塩化錫(2価)2水塩として) 0.08 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.09 mol/l グルコン酸(50%水溶液) 80 ml/l メルカプトこはく酸 0.3 mol/l pH 0.7 温度 25℃ 電流密度 1 A/dm2 Comparative Example 3 The following bath 3 of 800 ml was used as a plating bath, and plating was performed using tin as an anode without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. It was added as a solution complexed with mercaptosuccinic acid and gluconic acid, supplemented with silver almost equivalent to the amount deposited every 8 hours of energization. Bath 3 Sn 2+ (as tin chloride (divalent) dihydrate) 0.08 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.09 mol / l gluconic acid (50% aqueous solution) 80 ml / l mercaptosuccinic acid 0.3 mol / l pH 0.7 Temperature 25 ° C Current density 1 A / dm 2
【0088】実施例3 カチオン交換膜(徳山曹達(株)製のCMH)で陰極室
と陽極室を分離し、陰陽両極室には400mlの浴3を
用いた。白金めっきチタン陽極を配置した。8時間の通
電毎に析出量にほぼ匹敵する錫及び銀を陽極液に補給し
た、錫、銀ともにメルカプトこはく酸及びグルコン酸で
錯化させた溶液として添加した。Example 3 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a cation exchange membrane (CMH manufactured by Tokuyama Soda Co., Ltd.), and a 400 ml bath 3 was used for the cathode and anode compartments. A platinum plated titanium anode was placed. The tin and silver were added to the anolyte at a rate of approximately equal to the amount deposited every 8 hours of energization. Both tin and silver were added as a solution complexed with mercaptosuccinic acid and gluconic acid.
【0089】6A・hr/lの通電後に比較例3と実施
例3を比較した。比較例3においては、グルコン酸の変
質物によると考えられる液の着色が認められ、めっき皮
膜外観が劣化した。一方、実施例3においては、良好な
めっきが得られた。After energizing at 6 A · hr / l, Comparative Example 3 and Example 3 were compared. In Comparative Example 3, coloring of the solution, which is considered to be due to the altered substance of gluconic acid, was observed, and the appearance of the plating film was deteriorated. On the other hand, in Example 3, good plating was obtained.
【0090】比較例4 めっき浴として800mlの下記の浴4を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を溶液の形で補給し
た。銀の補給液はヨウ化カリウムで錯化させた溶液とし
た。 ・浴4 Sn2+(メタンスルホン酸錫として) 0.25 mol/l Ag+ (メタンスルホン酸銀として) 0.015mol/l ピロリン酸カリウム 0.8 mol/l ヨウ化カリウム 1.5 mol/l トリエタノールアミン 0.4 mol/l ジメチルアルキルベタイン 0.5 g/l ホルマリン縮合物付加−β−ナフタレン スルホン酸ナトリウム 0.5 g/l o−バニリンとN−メチルエタノール アミンの反応生成物 0.0117mol/l pH 5 温度 25 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 4 800 ml of the following bath 4 was used as a plating bath, and plating was performed using tin as an anode without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with potassium iodide. Bath 4 Sn 2+ (as tin methanesulfonate) 0.25 mol / l Ag + (as silver methanesulfonate) 0.015 mol / l potassium pyrophosphate 0.8 mol / l potassium iodide 1.5 mol / l l Triethanolamine 0.4 mol / l Dimethylalkyl betaine 0.5 g / l Formalin condensate addition-β-naphthalene sodium sulfonate 0.5 g / l Reaction product of o-vanillin and N-methylethanolamine 0 0.0117 mol / l pH 5 temperature 25 ° C. current density 2 A / dm 2
【0091】実施例4 濾布で陰極室と陽極室を分離し、陰極室には400ml
の浴4を用い、陽極室には(浴4)から硝酸銀を除いた
溶液400mlを用い、活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)10gを添加し、錫陽極を配置した。8時間の通
電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を陰極液に補給した、銀
の補給液はヨウ化カリウムで錯化させた溶液とした。Example 4 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth, and 400 ml of the cathode compartment was placed in the cathode compartment.
Bath 4 was used, and 400 g of a solution obtained by removing silver nitrate from (Bath 4) was used, and 10 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anode chamber, and a tin anode was placed. Silver which was almost equivalent to the amount of deposition was supplied to the catholyte every 8 hours of energization. The supply liquid of silver was a solution complexed with potassium iodide.
【0092】8A・hr/lの通電後に比較例4と実施
例4を比較した。比較例4においては、錫陽極に銀の置
換析出が顕著に認められるとともに、遊離ヨウ素が蓄積
し、めっき皮膜外観が劣化した。一方、実施例4におい
てはそのような現象は認められず、良好なめっきが得ら
れた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 4 and Example 4 were compared. In Comparative Example 4, silver substitution precipitation was remarkably recognized on the tin anode, free iodine was accumulated, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 4, such a phenomenon was not observed, and good plating was obtained.
【0093】比較例5 めっき浴として800mlの下記の浴5を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を溶液の形で補給し
た。銀の補給液はヨウ化カリウムで錯化させた溶液とし
た。 ・浴5 Sn2+(メタンスルホン酸錫として) 0.25 mol/l Ag+ (メタンスルホン酸銀として) 0.012mol/l グルコン酸ナトリウム 0.8 mol/l ヨウ化カリウム 1.5 mol/l グリシン 0.6 mol/l EDTA・4Na 0.004mol/l 2−アルキル−N−カルボキシメチル −N−ヒドロキシエチル イミダゾリニウムベタイン 20 g/l アスコルビン酸 1 g/l pH 10 温度 25 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 5 800 ml of the following bath 5 was used as a plating bath, tin was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with potassium iodide. Bath 5 Sn 2+ (as tin methanesulfonate) 0.25 mol / l Ag + (as silver methanesulfonate) 0.012 mol / l sodium gluconate 0.8 mol / l potassium iodide 1.5 mol / l l glycine 0.6 mol / l EDTA.4Na 0.004 mol / l 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethyl imidazolinium betaine 20 g / l ascorbic acid 1 g / l pH 10 temperature 25 ° C. current density 2 A / dm 2
【0094】実施例5 800mlの浴5を用い、錫陽極をアノードバッグで包
み、アノードバッグ内に活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)20gを投入し、めっきした。Example 5 Using an 800 ml bath 5, a tin anode was wrapped in an anode bag, and 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was charged into the anode bag and plated.
【0095】8A・hr/lの通電後に比較例5と実施
例5を比較した。比較例5においては、錫陽極に銀の置
換析出が顕著に認められるとともに、グルコン酸の変質
物によると考えられる液の着色、遊離ヨウ素の蓄積が認
められ、めっき皮膜外観が劣化した。一方、実施例5に
おいてはそのような現象は認められず、良好なめっきが
得られた。After the current was supplied at 8 A · hr / l, Comparative Example 5 and Example 5 were compared. In Comparative Example 5, silver substitution precipitation was remarkably observed on the tin anode, coloring of the solution and accumulation of free iodine, which are considered to be due to altered gluconic acid, were observed, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 5, such a phenomenon was not observed, and good plating was obtained.
【0096】実施例6 陰極室と陽極室をカチオン交換膜(徳山曹達(株)製の
CMH)で仕切って分離した。陰極液には400mlの
浴5を用い、陽極室にはメタンスルホン酸1mol/
l,メタンスルホン酸錫0.1mol/lの溶液400
mlを用い、錫陽極を配置した。陰極液に対して銀のみ
の補給を行った。Example 6 A cathode compartment and an anode compartment were separated by a cation exchange membrane (CMH manufactured by Tokuyama Soda Co., Ltd.). A 400 ml bath 5 was used for the catholyte, and methanesulfonic acid 1 mol / mol
l, solution of tin methanesulfonate 0.1 mol / l 400
ml and a tin anode was placed. Only catholyte was replenished with silver.
【0097】8A・hr/lの通電後に比較例5と実施
例6を比較した。実施例5において良好なめっきが得ら
れた。After the current was supplied at 8 A · hr / l, Comparative Example 5 and Example 6 were compared. In Example 5, good plating was obtained.
【0098】比較例6 めっき浴として800mlの下記の浴6を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を溶液の形で補給し
た。銀の補給液はアセチルシステインで錯化させた溶液
とした。 ・浴6 Sn2+(メタンスルホン酸錫として) 0.25 mol/l Ag+ (メタンスルホン酸銀として) 0.015mol/l ピロリン酸カリウム 0.8 mol/l アセチルシステイン 0.045mol/l トリエタノールアミン 0.4 mol/l EDTA・4Na 0.01 mol/l 酢酸ナトリウム 0.48 mol/l ポリオキシエチレンアルキルアミン 0.4g/l メタンスルホン酸 pH5 温度 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 6 Using 800 ml of the following bath 6 as a plating bath, tin was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with acetylcysteine. Bath 6 Sn 2+ (as tin methanesulfonate) 0.25 mol / l Ag + (as silver methanesulfonate) 0.015 mol / l potassium pyrophosphate 0.8 mol / l acetylcysteine 0.045 mol / l tri Ethanolamine 0.4 mol / l EDTA-4Na 0.01 mol / l Sodium acetate 0.48 mol / l Polyoxyethylene alkylamine 0.4 g / l Methanesulfonic acid pH5 Temperature 30 ° C Current density 2 A / dm 2
【0099】比較例7 比較例6の錫陽極を白金めっきチタン陽極に置き換え
て、同じ条件で実験を行った。Comparative Example 7 An experiment was performed under the same conditions as in Comparative Example 6, except that the tin anode was replaced with a platinum-plated titanium anode.
【0100】実施例7 濾布で陰極室と陽極室を分離し、陰極室には400ml
の浴6を用い、陽極室には浴6から硝酸銀を除いた溶液
400mlを用い、陽極室の底に寝かして配置した錫陽
極が完全に覆われるように粒状活性炭(関東化学(株)
製の試薬)を添加してめっきした。8時間の通電毎に析
出量にほぼ匹敵する銀を補給した、アセチルシステイン
で錯化させた溶液として添加した。Example 7 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth, and 400 ml of the cathode compartment was placed in the cathode compartment.
The bath 6 was used, and 400 ml of a solution obtained by removing silver nitrate from the bath 6 was used in the anode chamber, and granular activated carbon (Kanto Chemical Co., Ltd.) was used so that the tin anode placed on the bottom of the anode chamber was completely covered.
Was added and a plating was performed. It was added as a solution complexed with acetylcysteine, supplemented with silver almost equal to the amount deposited every 8 hours.
【0101】8A・hr/lの通電後に比較例6、比較
例7と実施例7を比較した。比較例6においては、錫陽
極に銀の置換析出が顕著に認められるとともに、原因は
不明であるが、生成した不純物によると思われる浴の劣
化が生じ、めっき皮膜外観が劣化した。比較例7では、
4価の錫イオンが浴に蓄積し、めっき皮膜外観が劣化し
た。一方、実施例7においてはそのような現象は認めら
れず、良好なめっきが得られた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 6, Comparative Example 7, and Example 7 were compared. In Comparative Example 6, silver substitution precipitation was remarkably recognized on the tin anode, and although the cause was unknown, the bath was considered to be deteriorated due to the generated impurities, and the plating film appearance was deteriorated. In Comparative Example 7,
Tetravalent tin ions accumulated in the bath, and the appearance of the plating film deteriorated. On the other hand, in Example 7, such a phenomenon was not observed, and good plating was obtained.
【0102】比較例8 めっき浴として800mlの下記の浴7を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を溶液の形で補給し
た。銀の補給液は酒石酸ナトリウムカリウム及びイミダ
ゾールで錯化させた溶液とした。 ・浴7 Sn2+(硫酸錫として) 0.20 mol/l Ag+ (酢酸銀として) 0.008 mol/l 酒石酸ナトリウムカリウム 0.8 mol/l イミダゾール 0.02 mol/l pH 8 温度 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 8 800 ml of the following bath 7 was used as a plating bath, tin was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with sodium potassium tartrate and imidazole. Bath 7 Sn 2+ (as tin sulfate) 0.20 mol / l Ag + (as silver acetate) 0.008 mol / l sodium potassium tartrate 0.8 mol / l imidazole 0.02 mol / l pH 8 temperature 30 ℃ Current density 2 A / dm 2
【0103】実施例8 濾布で陰極室と陽極室を分離し、陰極室には400ml
の浴7を用い、陽極室には浴7から酢酸銀を除いた溶液
400mlを用い、陽極液を連続的に活性炭濾過してめ
っきした。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を
補給した、酒石酸ナトリウムカリウム及びイミダゾール
で錯化させた溶液として添加した。Example 8 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth, and 400 ml of the cathode compartment was placed in the cathode compartment.
The bath 7 was used, and 400 ml of a solution obtained by removing silver acetate from the bath 7 was used in the anode chamber, and the anolyte was continuously filtered with activated carbon for plating. It was added as a solution complexed with sodium potassium tartrate and imidazole, supplemented with silver approximately equivalent to the amount deposited every 8 hours of energization.
【0104】8A・hr/lの通電後に比較例8と実施
例8を比較した。比較例8においては、錫陽極に銀の置
換析出が顕著に認められるとともに、原因は不明である
が浴の劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化した。一方、
実施例8においてはそのような現象は認められず、良好
なめっきが得られた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 8 and Example 8 were compared. In Comparative Example 8, silver substitution precipitation was remarkably observed on the tin anode, and although the cause was unknown, bath deterioration occurred, and the plating film appearance deteriorated. on the other hand,
In Example 8, such a phenomenon was not observed, and good plating was obtained.
【0105】比較例9 めっき浴として800mlの下記の浴8を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀及び銅を溶液の形で補
給した。銀の補給液はヨウ化カリウムで錯化させた溶液
とした。銅の補給液はピロリン酸銅溶液とした。 ・浴8 Sn2+(塩化錫(2価)2水塩として) 0.18 mol/l Ag+ (ヨウ化銀として) 0.02 mol/l Cu2+(ピロリン酸銅として) 0.18 mol/l ピロリン酸カリウム 0.54 mol/l ヨウ化カリウム 2.0 mol/l pH 9 mol/l 温度 25 ℃ 電流密度 1 A/dm2 Comparative Example 9 800 ml of the following bath 8 was used as a plating bath, and tin was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver and copper, almost equal to the amount of deposition, were replenished in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with potassium iodide. The copper replenisher was a copper pyrophosphate solution. Bath 8 Sn 2+ (as tin chloride (divalent) dihydrate) 0.18 mol / l Ag + (as silver iodide) 0.02 mol / l Cu 2+ (as copper pyrophosphate) 0.18 mol / l potassium pyrophosphate 0.54 mol / l potassium iodide 2.0 mol / l pH 9 mol / l temperature 25 ° C. current density 1 A / dm 2
【0106】実施例9 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰極液には
浴8を用いてめっきを行った。陽極液には浴8から銀及
び銅を除いた溶液を用い、8時間の通電毎に析出量にほ
ぼ匹敵する銀及び銅を陰極液に補給した、銅はピロリン
酸銅溶液として、銀はヨウ化カリウムで錯化させた溶液
として添加した。Example 9 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth. Plating was performed using bath 8 for the catholyte. A solution obtained by removing silver and copper from the bath 8 was used as the anolyte, and silver and copper, which were almost equivalent to the deposition amount, were supplied to the catholyte every 8 hours of energization. Copper was a copper pyrophosphate solution, and silver was iodine. It was added as a solution complexed with potassium chloride.
【0107】6A・hr/lの通電後に比較例9と実施
例9を比較した。比較例9においては、錫陽極に銀の置
換析出が顕著に認められるとともに、めっき皮膜外観が
劣化した。遊離ヨウ素によると考えられる。一方、実施
例9においてはそのような現象は認められず、良好なめ
っきが得られた。After energizing at 6 A · hr / l, Comparative Example 9 and Example 9 were compared. In Comparative Example 9, silver substitution precipitation was remarkably observed on the tin anode, and the appearance of the plating film was deteriorated. It is thought to be due to free iodine. On the other hand, in Example 9, such a phenomenon was not observed, and good plating was obtained.
【0108】比較例10 めっき浴として800mlの下記の浴9を用い、陽極に
は錫を用いて隔膜を使用せずめっきを行った。8時間の
通電−16時間の休止(夜間)を繰り返した。8時間の
通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を溶液の形で補給し
た。銀の補給液はヨウ化カリウムで錯化させた溶液とし
た。 ・浴9 Sn2+(メタンスルホン酸錫として) 0.25 mol/l Ag+ (メタンスルホン酸銀として) 0.012mol/l グルコン酸ナトリウム 0.8 mol/l ヨウ化カリウム 1.5 mol/l グリシン 0.6 mol/l EDTA・4Na 0.004mol/l 2−アルキル−N−カルボキシメチル −N−ヒドロキシエチル イミダゾリニウムベタイン 20 g/l アスコルビン酸 1 g/l pH 10 温度 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 10 The following bath 9 of 800 ml was used as a plating bath, and plating was performed using tin as an anode without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with potassium iodide. Bath 9 Sn 2+ (as tin methanesulfonate) 0.25 mol / l Ag + (as silver methanesulfonate) 0.012 mol / l sodium gluconate 0.8 mol / l potassium iodide 1.5 mol / l 1 glycine 0.6 mol / l EDTA.4Na 0.004 mol / l 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethyl imidazolinium betaine 20 g / l ascorbic acid 1 g / l pH 10 temperature 30 ° C. current density 2 A / dm 2
【0109】実施例10 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
には浴9を用いた。補助槽を設け、補助槽も陰極室と陽
極室を濾布で仕切って分離した。主槽と補助槽の陰極液
は連続的にポンプで移動させた。主槽、補助槽ともに陽
極室には活性炭(武田薬品(株)製の白鷺A)を添加し
た。補助槽の陰極には銅線を、陽極には錫を用い、2V
の電圧を加えた。Example 10 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth. Bath 9 was used for the anion and ambipolar solutions. An auxiliary tank was provided, and the auxiliary tank was separated by separating the cathode chamber and the anode chamber with a filter cloth. The catholyte in the main tank and the auxiliary tank was continuously moved by a pump. Activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anode chamber of both the main tank and the auxiliary tank. Use a copper wire for the cathode of the auxiliary tank and tin for the anode, and use 2V
Voltage was applied.
【0110】20A・hr/lの通電後に比較例10と
実施例10を比較した。比較例10においては、錫陽極
に銀の置換析出が顕著に認められるとともに、めっき皮
膜外観が劣化した。一方、実施例10においてはそのよ
うな現象は認められず、良好なめっきが得られた。After energizing at 20 A · hr / l, Comparative Example 10 and Example 10 were compared. In Comparative Example 10, silver substitution precipitation was remarkably observed on the tin anode, and the appearance of the plating film was deteriorated. On the other hand, in Example 10, such a phenomenon was not observed, and good plating was obtained.
【0111】比較例11 めっき浴として800mlの下記の浴10を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する銀を
溶液の形で補給した。銀の補給液はジメチルヒダントイ
ンで錯化させた溶液とした。 ・浴10 Sn4+(錫酸カリウム3水和物として) 0.25 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.0001mol/l 5,5−ジメチルヒダントイン 1 mol/l リン酸2水素カリウム 10 g/l 水酸化カリウム pH 10.5 温度 30 ℃ 電流密度 1 A/dm2 Comparative Example 11 The following bath 10 of 800 ml was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Every 8 hours of current supply, silver almost equivalent to the deposited amount was supplied in the form of a solution. The silver replenisher was a solution complexed with dimethylhydantoin. Bath 10 Sn 4+ (as potassium stannate trihydrate) 0.25 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.0001 mol / l 5,5-dimethylhydantoin 1 mol / l potassium dihydrogen phosphate 10 g / L Potassium hydroxide pH 10.5 Temperature 30 ° C Current density 1 A / dm 2
【0112】実施例11 陰極室と陽極室をカチオン交換膜(徳山曹達(株)製の
CMH)で仕切って分離した。陰極液には400mlの
浴10を用い、陽極室には浴10から硝酸銀を除いた溶
液400mlを用い、白金めっきチタン陽極を配置し
た。銀の補給は陰極液に対してのみ行った。Example 11 The cathode chamber and the anode chamber were separated by a cation exchange membrane (CMH manufactured by Tokuyama Soda Co., Ltd.). 400 ml of bath 10 was used for the catholyte, and 400 ml of a solution obtained by removing silver nitrate from bath 10 was used for the anode compartment, and a platinum-plated titanium anode was arranged. Silver was supplied only to the catholyte.
【0113】6A・hr/lの通電後に比較例11と実
施例11を比較した。比較例11においては、錫陽極に
銀の置換析出が認められるとともに、ヒダントインの分
解ではないかと思われる浴の劣化が生じ、めっき皮膜外
観が劣化した。一方、実施例11においては、良好なめ
っきが得られた。Comparative Example 11 and Example 11 were compared after applying 6 A · hr / l. In Comparative Example 11, silver substitutional precipitation was recognized on the tin anode, and the bath was considered to be degraded due to hydantoin degradation, and the plating film appearance was degraded. On the other hand, in Example 11, good plating was obtained.
【0114】比較例12 めっき浴として800mlの下記の浴11を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫及
び銀を溶液の形で補給した。錫及び銀の補給液はグルコ
ン酸とメルカプトこはく酸で錯化させた溶液とした。 ・浴11 Sn4+(塩化錫(4価)5水和物として) 0.08 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.09 mol/l グルコン酸カリウム 0.26 mol/l メルカプトこはく酸 0.3 mol/l pH 1 温度 30 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 12 800 ml of the following bath 11 was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. At every 8 hours of energization, tin and silver, almost equivalent to the amount of deposition, were replenished in the form of a solution. The tin and silver replenisher was a solution complexed with gluconic acid and mercaptosuccinic acid. Bath 11 Sn 4+ (as tin chloride (tetravalent) pentahydrate) 0.08 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.09 mol / l potassium gluconate 0.26 mol / l mercaptosuccinic acid 0 0.3 mol / l pH 1 temperature 30 ° C. current density 2 A / dm 2
【0115】実施例12 陰極室と陽極室をカチオン交換膜(徳山曹達(株)製の
CMH)で仕切って分離した。陰陽両極液に各400m
lの浴11を用い、白金めっきチタン陽極を配置した。Example 12 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a cation exchange membrane (CMH manufactured by Tokuyama Soda Co., Ltd.). 400m each for Yin and Yang bipolar fluid
1 bath 11 and a platinum-plated titanium anode was placed.
【0116】6A・hr/lの通電後に比較例12と実
施例12を比較した。比較例12においては、グルコン
酸及びメルカプトこはく酸の分解ではないかと思われる
浴の着色及び劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化した。
一方、実施例12においては、良好なめっきが得られ
た。After energizing at 6 A · hr / l, Comparative Example 12 and Example 12 were compared. In Comparative Example 12, the bath was colored and deteriorated, which was considered to be the decomposition of gluconic acid and mercaptosuccinic acid, and the appearance of the plating film was deteriorated.
On the other hand, in Example 12, good plating was obtained.
【0117】比較例13 めっき浴として800mlの下記の浴12を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫及
び銀を溶液の形で補給した。錫及び銀の補給液はグルコ
ン酸とメルカプトこはく酸で錯化させた溶液とした。 ・浴12 Sn4+(塩化錫(4価)5水和物として) 0.08 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l グルコン酸カリウム 0.26 mol/l メルカプトこはく酸 0.3 mol/l pH 1.9 温度 60 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 13 800 ml of the following bath 12 was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used for the anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. At every 8 hours of energization, tin and silver, almost equivalent to the amount of deposition, were replenished in the form of a solution. The tin and silver replenisher was a solution complexed with gluconic acid and mercaptosuccinic acid. Bath 12 Sn 4+ (as tin chloride (tetravalent) pentahydrate) 0.08 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l potassium gluconate 0.26 mol / l mercaptosuccinic acid 0 0.3 mol / l pH 1.9 Temperature 60 ° C. Current density 2 A / dm 2
【0118】実施例13 800mlの浴12を用い、白金めっきチタン陽極をア
ノードバッグで包み、アノードバッグ内に活性炭(武田
薬品(株)製の白鷺A)20gを投入し、比較例13と
同様に錫及び銀を補給してめっきした。Example 13 Using an 800 ml bath 12, a platinum-plated titanium anode was wrapped in an anode bag, and 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was charged into the anode bag. Plated with replenishment of tin and silver.
【0119】8A・hr/lの通電後に比較例13と実
施例13を比較した。比較例13においては、グルコン
酸及びメルカプトこはく酸の分解ではないかと思われる
浴の着色及び劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化した。
一方、実施例13においてはそのような現象は認められ
ず、良好なめっきが得られた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 13 and Example 13 were compared. In Comparative Example 13, the bath was colored and deteriorated, which was considered to be decomposition of gluconic acid and mercaptosuccinic acid, and the plating film appearance was deteriorated.
On the other hand, in Example 13, such a phenomenon was not observed, and good plating was obtained.
【0120】比較例14 めっき浴として800mlの下記の浴13を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫、
銀、ヒ素を溶液の形で補給した。いずれの補給液もグル
コン酸とメルカプトこはく酸で錯化させた溶液とした。 ・浴13 Sn4+(塩化錫(4価)5水和物として) 0.08 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l クエン酸カリウム 0.1 mol/l メルカプトこはく酸 0.6 mol/l 三酸化ヒ素 240 mg/l pH 3.2 温度 60 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 14 800 ml of the following bath 13 was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Tin which is almost equal to the amount of deposition every 8 hours of energization,
Silver and arsenic were replenished in the form of a solution. Each replenisher was a solution complexed with gluconic acid and mercaptosuccinic acid. Bath 13 Sn 4+ (as tin chloride (tetravalent) pentahydrate) 0.08 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l potassium citrate 0.1 mol / l mercaptosuccinic acid 0 2.6 mol / l arsenic trioxide 240 mg / l pH 3.2 temperature 60 ° C current density 2 A / dm 2
【0121】実施例14 陰極室と陽極室をカチオン交換膜(徳山曹達(株)製の
CMH)で仕切って分離した。陰陽両極液に各400m
lの浴13を用い、白金めっきチタン陽極を配置した。
陽極液には活性炭20gを添加した。Example 14 The cathode chamber and the anode chamber were separated by a cation exchange membrane (CMH manufactured by Tokuyama Soda Co., Ltd.). 400m each for Yin and Yang bipolar fluid
1 bath 13 and a platinum-plated titanium anode was placed.
20 g of activated carbon was added to the anolyte.
【0122】8A・hr/lの通電後に比較例14と実
施例14を比較した。比較例14においては、グルコン
酸及びメルカプトこはく酸の分解ではないかと思われる
浴の着色及び劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化した。
一方、実施例14においては、良好なめっきが得られ
た。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 14 and Example 14 were compared. In Comparative Example 14, the bath was colored and deteriorated, which might be caused by decomposition of gluconic acid and mercaptosuccinic acid, and the plating film appearance was deteriorated.
On the other hand, in Example 14, good plating was obtained.
【0123】比較例15 めっき浴として800mlの下記の浴14を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫、
銀、ヒ素を溶液の形で補給した。いずれの補給液もグル
コン酸とメルカプトこはく酸で錯化させた溶液とした。 ・浴14 Sn4+(錫酸カリウムとして) 0.08 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l グルコン酸(50%水溶液) 40 ml/l クエン酸カリウム 0.1 mol/l メルカプトこはく酸 0.6 mol/l 三酸化ヒ素 240 mg/l pH 3.2 温度 60℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 15 800 ml of the following bath 14 was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Tin which is almost equal to the amount of deposition every 8 hours of energization,
Silver and arsenic were replenished in the form of a solution. Each replenisher was a solution complexed with gluconic acid and mercaptosuccinic acid. Bath 14 Sn 4+ (as potassium stannate) 0.08 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l gluconic acid (50% aqueous solution) 40 ml / l potassium citrate 0.1 mol / l Mercaptosuccinic acid 0.6 mol / l Arsenic trioxide 240 mg / l pH 3.2 Temperature 60 ° C Current density 2 A / dm 2
【0124】実施例15 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
に各400mlの浴14を用い、白金めっきチタン陽極
を配置した。陽極液には活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)20gを添加した。Example 15 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth. A 400-ml bath 14 was used for each of the negative and positive electrode solutions, and a platinum-plated titanium anode was arranged. 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anolyte.
【0125】8A・hr/lの通電後に比較例15と実
施例15を比較した。比較例15においては、グルコン
酸及びメルカプトこはく酸酸の分解ではないかと思われ
る浴の着色及び劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化し
た。一方、実施例15においては、良好なめっきが得ら
れた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 15 and Example 15 were compared. In Comparative Example 15, the bath was colored and deteriorated, which was considered to be the decomposition of gluconic acid and mercaptosuccinic acid, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 15, good plating was obtained.
【0126】比較例16 めっき浴として800mlの下記の浴15を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫、
銀、パラジウムを溶液の形で補給した。いずれの補給液
もグルコン酸とメルカプトこはく酸で錯化させた溶液と
した。 ・浴15 Sn4+(錫酸カリウムとして) 0.25 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l パラジウムジアミン2硝酸塩 200 mg/l グルコン酸カリウム 0.26 mol/l メルカプトこはく酸 0.1 mol/l 硝酸アンモニウム 60 g/l 硼酸 10 g/l pH 10.3 温度 45 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 16 The following bath 15 of 800 ml was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Tin which is almost equal to the amount of deposition every 8 hours of energization,
Silver and palladium were supplied in the form of a solution. Each replenisher was a solution complexed with gluconic acid and mercaptosuccinic acid. Bath 15 Sn 4+ (as potassium stannate) 0.25 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l palladium diamine dinitrate 200 mg / l potassium gluconate 0.26 mol / l mercaptosuccinic acid 0.1 mol / l ammonium nitrate 60 g / l boric acid 10 g / l pH 10.3 temperature 45 ° C. current density 2 A / dm 2
【0127】実施例16 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
に各400mlの浴15を用い、白金めっきチタン陽極
を配置した。陽極液には活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)20gを添加した。Example 16 The cathode compartment and the anode compartment were separated with a filter cloth. A 400-ml bath 15 was used for each of the negative and positive electrode solutions, and a platinum-plated titanium anode was arranged. 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anolyte.
【0128】8A・hr/lの通電後に比較例16と実
施例16を比較した。比較例16においては、グルコン
酸及びメルカプトこはく酸酸の分解ではないかと思われ
る浴の着色及び劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化し
た。一方、実施例16においては、良好なめっきが得ら
れた。Comparative Example 16 and Example 16 were compared after applying 8 A · hr / l. In Comparative Example 16, the bath was colored and deteriorated, which might be caused by the decomposition of gluconic acid and mercaptosuccinic acid, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 16, good plating was obtained.
【0129】比較例17 めっき浴として800mlの下記の浴16を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫、
銀、ヒ素、ニッケルを溶液の形で補給した。いずれの補
給液もグルコン酸とメルカプトこはく酸で錯化させた溶
液とした。 ・浴16 Sn4+(塩化錫(4価)5水和物として) 0.08 mol/l Ag+ (銀ジアミン2硝酸塩として) 0.37 mol/l 三酸化ヒ素 100 mg/l Ni2+(塩化ニッケルとして添加) 1 g/l グルコン酸(50%水溶液) 80 ml/l 2−メルカプトプロピオン酸 0.5 mol/l pH 4.0 温度 40 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 17 The following bath 16 of 800 ml was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Tin which is almost equal to the amount of deposition every 8 hours of energization,
Silver, arsenic and nickel were replenished in the form of a solution. Each replenisher was a solution complexed with gluconic acid and mercaptosuccinic acid. Bath 16 Sn 4+ (as tin chloride (tetravalent) pentahydrate) 0.08 mol / l Ag + (as silver diamine dinitrate) 0.37 mol / l arsenic trioxide 100 mg / l Ni 2+ (Added as nickel chloride) 1 g / l gluconic acid (50% aqueous solution) 80 ml / l 2-mercaptopropionic acid 0.5 mol / l pH 4.0 temperature 40 ° C current density 2 A / dm 2
【0130】実施例17 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
に各400mlの浴16を用い、白金めっきチタン陽極
を配置した。陽極液には活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)20gを添加した。Example 17 The cathode chamber and the anode chamber were separated by a filter cloth. A 400-ml bath 16 was used for each of the negative and positive electrode solutions, and a platinum-plated titanium anode was arranged. 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anolyte.
【0131】8A・hr/lの通電後に比較例17と実
施例17を比較した。比較例17においては、グルコン
酸及びメルカプトこはく酸酸の分解ではないかと思われ
る浴の着色及び劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化し
た。一方、実施例17においては、良好なめっきが得ら
れた。Comparative Example 17 and Example 17 were compared after applying 8 A · hr / l. In Comparative Example 17, the bath was colored and deteriorated, which might be caused by the decomposition of gluconic acid and mercaptosuccinic acid, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 17, good plating was obtained.
【0132】比較例18 めっき浴として800mlの下記の浴17を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫、
銀、ヒ素を溶液の形で補給した。いずれの補給液もメル
カプトプロピオン酸で錯化させた溶液とした。 ・浴17 Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l Sn4+(塩化錫(4価)5水和物として) 0.12 mol/l 3−メルカプトプロピオン酸 0.65 mol/l 三酸化ヒ素 100 mg/l pH 7.8 温度 30℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 18 800 ml of the following bath 17 was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Tin which is almost equal to the amount of deposition every 8 hours of energization,
Silver and arsenic were replenished in the form of a solution. Each replenisher was a solution complexed with mercaptopropionic acid. Bath 17 Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l Sn 4+ (as tin chloride (tetravalent) pentahydrate) 0.12 mol / l 3-mercaptopropionic acid 0.65 mol / l trioxide Arsenic 100 mg / l pH 7.8 Temperature 30 ° C Current density 2 A / dm 2
【0133】実施例18 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
に各400mlの浴17を用い、白金めっきチタン陽極
を配置した。陽極液には活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)20gを添加した。Example 18 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth. A 400-ml bath 17 was used for each of the negative and positive electrode solutions, and a platinum-plated titanium anode was arranged. 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anolyte.
【0134】8A・hr/lの通電後に比較例18と実
施例18を比較した。比較例18においては、メルカプ
トプロピオン酸の分解ではないかと思われる浴の着色及
び劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化した。一方、実施
例18においては、良好なめっきが得られた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 18 and Example 18 were compared. In Comparative Example 18, the bath was colored and deteriorated, which was considered to be the decomposition of mercaptopropionic acid, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 18, good plating was obtained.
【0135】比較例19 めっき浴として800mlの下記の浴18を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫、
銀、パラジウムを溶液の形で補給した。いずれの補給液
もメルカプト酢酸で錯化させた溶液とした。 ・浴18 Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l Sn4+(塩化錫(4価)5水和物として) 0.12 mol/l メルカプト酢酸 0.65 mol/l pH 7.1 温度 40 ℃ 電流密度 2 A/dm2 Comparative Example 19 Using 800 ml of the following bath 18 as a plating bath, plating was carried out using a platinum-plated titanium plate as an anode without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Tin which is almost equal to the amount of deposition every 8 hours of energization,
Silver and palladium were supplied in the form of a solution. Each replenisher was a solution complexed with mercaptoacetic acid. Bath 18 Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l Sn 4+ (as tin chloride (tetravalent) pentahydrate) 0.12 mol / l mercaptoacetic acid 0.65 mol / l pH 7.1 Temperature 40 ° C Current density 2 A / dm 2
【0136】実施例19 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
に各400mlの浴18を用い、白金めっきチタン陽極
を配置した。陽極液には活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)20gを添加した。Example 19 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth. A 400-ml bath 18 was used for each of the positive and negative electrode solutions, and a platinum-plated titanium anode was arranged. 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anolyte.
【0137】8A・hr/lの通電後に比較例19と実
施例19を比較した。比較例19においては、メルカプ
ト酢酸の分解ではないかと思われる浴の着色及び劣化が
生じ、めっき皮膜外観が劣化した。一方、実施例19に
おいては、良好なめっきが得られた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 19 and Example 19 were compared. In Comparative Example 19, the bath was colored and deteriorated, which was considered to be the decomposition of mercaptoacetic acid, and the plating film appearance was deteriorated. On the other hand, in Example 19, good plating was obtained.
【0138】比較例20 めっき浴として800mlの下記の浴19を用い、陽極
には白金めっきチタン板を用いて隔膜を使用せずめっき
を行った。8時間の通電−16時間の休止(夜間)を繰
り返した。8時間の通電毎に析出量にほぼ匹敵する錫、
銀、ヒ素を溶液の形で補給した。いずれの補給液もメル
カプトプロパンスルホン酸で錯化させた溶液とした。 ・浴19 Sn4+(塩化錫(4価)5水和物として) 0.12 mol/l Ag+ (硝酸銀として) 0.37 mol/l 3−メルカプトプロパンスルホン酸Na塩 1 mol/l 三酸化ヒ素 100 mg/l pH 4.6 温度 40 ℃ 電流密度 1 A/dm2 Comparative Example 20 The following bath 19 of 800 ml was used as a plating bath, and a platinum-plated titanium plate was used as an anode, and plating was performed without using a diaphragm. Eight hours of electricity and 16 hours of rest (at night) were repeated. Tin which is almost equal to the amount of deposition every 8 hours of energization,
Silver and arsenic were replenished in the form of a solution. Each replenisher was a solution complexed with mercaptopropanesulfonic acid. Bath 19 Sn 4+ (as tin chloride (tetravalent) pentahydrate) 0.12 mol / l Ag + (as silver nitrate) 0.37 mol / l 3-mercaptopropanesulfonic acid Na salt 1 mol / l 3 Arsenic oxide 100 mg / l pH 4.6 Temperature 40 ° C Current density 1 A / dm 2
【0139】実施例20 陰極室と陽極室を濾布で仕切って分離した。陰陽両極液
に各400mlの浴19を用い、白金めっきチタン陽極
を配置した。陽極液には活性炭(武田薬品(株)製の白
鷺A)20gを添加した。Example 20 The cathode compartment and the anode compartment were separated by a filter cloth. A 400-ml bath 19 was used for each of the negative and positive electrode solutions, and a platinum-plated titanium anode was arranged. 20 g of activated carbon (Shirasagi A manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to the anolyte.
【0140】8A・hr/lの通電後に比較例20と実
施例20を比較した。比較例20においては、メルカプ
トプロパンスルホン酸の分解ではないかと思われる浴の
劣化が生じ、めっき皮膜外観が劣化した。一方、実施例
20においては、良好なめっきが得られた。After energizing at 8 A · hr / l, Comparative Example 20 and Example 20 were compared. In Comparative Example 20, the bath was degraded, which was considered to be the decomposition of mercaptopropanesulfonic acid, and the plating film appearance was degraded. On the other hand, in Example 20, good plating was obtained.
【0141】[0141]
【発明の効果】本発明の方法に従い、陽極液と陰極液
(めっき浴)を隔膜又は隔壁によって分離することによ
って、さらには、 陽極において生成する不純物をめっき
液中に拡散させずにトラップすることによって、 めっき
浴の劣化を抑制し、或いは浴成分のバランスを保った状
態での長期間の操業が可能になる。According to the method of the present invention, the anolyte solution and the catholyte solution (plating bath) are separated by a diaphragm or a partition, and furthermore, the impurities generated at the anode are trapped without diffusing into the plating solution. This makes it possible to suppress the deterioration of the plating bath or to perform a long-term operation while maintaining the balance of the bath components.
【図1】隔膜によって陰陽両極を分離してめっきする方
法の概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of a method of plating by separating a cathode and an anode by a diaphragm.
【図2】隔膜で陰陽両極を分離した補助槽を設けてめっ
きする方法の概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram of a method of plating by providing an auxiliary tank in which a cathode and an anode are separated by a diaphragm.
1・・・隔膜 2・・・陽極 3・・・陽極液 4・・・陰極(めっき対象物) 5・・・陰極液(めっき液) 6・・・陰極(ダミー) 7・・・めっき槽 8・・・補助槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Diaphragm 2 ... Anode 3 ... Anolyte 4 ... Cathode (plating object) 5 ... Catholyte (plating solution) 6 ... Cathode (dummy) 7 ... Plating tank 8 ... Auxiliary tank
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 哲也 兵庫県明石市二見町南二見21−8株式会社 大和化成研究所内 (72)発明者 小幡 惠吾 兵庫県明石市二見町南二見21−8株式会社 大和化成研究所内 (72)発明者 青木 和博 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町5番26号石原 薬品株式会社内 (72)発明者 縄舟 秀美 大阪府高槻市真上町5丁目38−34 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuya Kondo 21-8 Minami-Futami, Futami-cho, Akashi-shi, Hyogo Inside the Daiwa Chemical Research Laboratory (72) Keigo Obata 21-8 Minami-Futami, Futami-cho, Akashi-shi, Hyogo Inside the Daiwa Chemical Research Laboratory (72) Inventor Kazuhiro Aoki 5-26 Nishiyanagiwara-cho, Hyogo-ku, Kobe-shi, Hyogo Inside Ishihara Pharmaceutical Co., Ltd. (72) Hidemi Nawafune 5-38-34 Magamicho, Takatsuki-shi, Osaka
Claims (9)
の銀イオン、錫及び銀の錯化剤を必須成分とする錫−銀
系合金電気めっき浴から電気めっきするにあたり、陰極
液(めっき液)と陽極液を溶液及び(又は)成分イオン
の移動が可能な隔膜又は隔壁によって分離し、しかも陽
極液として2価及び(又は)4価の錫イオン並びにそれ
らのイオンを可溶性の状態に保持するに十分な量の酸、
アルカリ及び(又は)錯化剤を少なくとも含有する水溶
液を用いてめっきすることを特徴とする、錫−銀系合金
電気めっき方法。1. A cathode for electroplating from a tin-silver alloy electroplating bath containing a divalent and / or tetravalent tin ion, a monovalent silver ion, and a complexing agent of tin and silver as essential components. The solution (plating solution) and the anolyte are separated by a membrane or a partition capable of moving the solution and / or component ions, and furthermore, the anolyte contains divalent and / or tetravalent tin ions and soluble ions thereof. An amount of acid sufficient to hold the condition,
A method for electroplating a tin-silver alloy, comprising plating using an aqueous solution containing at least an alkali and / or a complexing agent.
する、請求項1に記載の錫−銀系合金電気めっき方法。2. The method of claim 1, wherein the diaphragm is an ion exchange membrane.
めの吸着剤を陽極液に懸濁させてなる、 及び(又は)吸
着剤を流動床とする、 及び( 又は) 該陽極液を連続的若
しくは断続的に吸着剤濾過を行うことを特徴とする、請
求項1又は2に記載の錫−銀系合金電気めっき方法。3. An anolyte in which an adsorbent for adsorbing impurities generated in the anolyte is suspended, and / or the adsorbent is made into a fluidized bed. The tin-silver-based alloy electroplating method according to claim 1, wherein adsorbent filtration is performed periodically or intermittently.
ドバッグ内に懸濁させた状態でめっきを行うか、或いは
吸着剤を固着させた素材で作成したアノードバッグを用
いてめっきを行うことを特徴とする、請求項1〜3のい
ずれかに記載の錫−銀系合金電気めっき方法。4. A plating method in which an adsorbent for adsorbing impurities is suspended in an anode bag, or plating is performed using an anode bag made of a material to which an adsorbent is fixed. The tin-silver-based alloy electroplating method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
〜4のいずれかに記載の方法によりめっき液に錫イオン
及び(又は)銀イオンを補給することを特徴とする、錫
−銀系合金電気めっき方法。5. An auxiliary tank, wherein the auxiliary tank is provided.
5. A method for electroplating a tin-silver alloy, comprising replenishing a plating solution with tin ions and / or silver ions by the method according to any one of claims 4 to 4.
錫及び(又は)銀の錯化剤が下記(1)〜(13)から
選ばれたる物質であることを特徴とする、請求項1〜5
のいずれかに記載の錫−銀系合金電気めっき方法。 (1)縮合リン酸又はそれらの塩類、(2)ヨウ素、臭
素、ヨウ素酸、臭素酸、亜硫酸、重亜硫酸、メタ重亜硫
酸、チオ硫酸、チオシアン酸、酢酸、アンモニウムの各
イオンを生成する酸又は塩、(3)一般式 X−R−COOH [ここで、Rは単結合又はC1 〜C4 のアルキレン基を
表し、該Rの水素は、その半数までの範囲で、任意の位
置で、−S−CH3 、メチル基、アミノ基、ヒドロキシ
ル基及び(又は)カルボキシル基により置換されていて
よい。Xは水素(ただし、Rが単結合の場合は除
く。)、カルボキシル基又はCH2 OHを表す。]で表
されるオキシカルボン酸、多価カルボン酸若しくはアミ
ノ酸又はそれらの塩類、(4)単糖類及びその一部が酸
化されたポリヒドロキシカルボン酸並びにそれらの環状
エステル化合物、(5)一般式 【化1】 [ここで、RはC1 〜C5 のアルキレン基を表し、該ア
ルキルの水素は、アミノ基又はカルボキシル基で置換さ
れていてよく、また該アミノ基を介してアセチル基と結
合していてもよい。]で表されるメルカプトカルボン酸
若しくはメルカプトスルホン酸又はそれらの塩類、
(6)一般式 HO3 S−R−COOH [ここで、RはC1 〜C6 のアルキレン基又はC2 〜C
6 のアルケニレン基を表し、該Rの水素はヒドロキシル
基又はカルボキシル基で置換されていてよい。]で表さ
れる脂肪族スルホ(ヒドロキシ)カルボン酸又はそれら
の塩類、(7)一般式 【化2】 [ここで、φはベンゼン環を表し、 Xは水素、ヒドロキ
シル基又はカルボキシル基を表す。スルホン酸基、カル
ボキシル基及びXは任意の位置にあってよい。]で表さ
れる芳香族スルホ(ヒドロキシ)カルボン酸又はそれら
の塩類、(8)一般式 【化3】 [ここで、Xは−CH2 COOH又は−C2 H4 COO
Hを表し、Yは−CH2COOH又は−C2 H4 COO
H或いは−CH2 OHを表し、Zは−CH2 COOH又
は−C2 H4 COOH或いは−CH2 OH或いは水素を
表す。Aは単結合、−CH(0H)−又は−CH2 −N
(CH2 COOH)−CH2 −を表し、Bは水素を表す
か或いはAが単結合の場合には、B同志がメチレン基を
介して結合して飽和6員環を形成してもよい。]で表さ
れるアミンカルボン酸又はそれらの塩類、(9) アル
カンの炭素数が1〜3のヒドロキシアルカンビスホスホ
ン酸又はそれらの塩類、(10)一般式 【化4】 [ここで、X1 、X2 、X3 及びX4 は炭素又は窒素を
表し、各X1 〜X4 が窒素のときには各Xに結合するR
1 〜R4 は存在しない。すべてのXが同時に窒素である
ことはない。R1 、R2 、R3 及びR4 は、それぞれ独
立に、水素、ヒドロキシル基又はC1 〜C4 のアルキル
基を表し、該アルキル基の水素はヒドロキシル基、カル
ボキシル基又はハロゲンで置換されていてよい。R1 は
R2 とメチレン基を介してベンゼン環を形成してよく、
該ベンゼン環の水素は、 ハロゲン、C1 〜C4 のアルキ
ル基、 C1 〜C4 のアルコキシ基、ヒドロキシル基又は
カルボキシル基で置換されていてよい。R5 は水素、C
1 〜C5 のアルキル若しくはアルケニル基又はフェニル
基を表し、該アルキル基、アルケニル基及び(又は)フ
ェニル基の水素はヒドロキシル基又はアミノ基、モノメ
チルアミノ基若しくはジメチルアミノ基で置換されてい
てよい。]で表される含窒素五員複素環式化合物、(1
1)一般式 【化5】 [ここで、R1 、R2 、R3 、R4 及びR5 は、それぞ
れ独立に、水素又はC1〜C5 のアルキル基又はアルコ
キシ基を表す。Xは窒素又は炭素を表し、Xが窒素のと
きには、R4 は存在しない。]で示されるヒダントイン
化合物、こはく酸イミド又はマレイン酸イミド及びそれ
らの誘導体、(12)一般式 【化6】 [ここで、R1 及びR2 はそれぞれ独立に水素、アミノ
基又はC1 〜C5 のアルキル基を表す。R3 及びR4 は
それぞれ独立に水素、C1 〜C5 のアルキル若しくはア
ルケニル基又はフェニル基を表し、該アルキル、アルケ
ニル及び(又は)フェニルの水素はヒドロキシル基又は
アミノ基、モノメチルアミノ基若しくはジメチルアミノ
基で置換されていてよく、R3 とR4 は結合して環を形
成してよい。R5 はアルキル基、アリル基又はヒドロキ
シ基を表す。Xは窒素又は炭素を表し、Yは酸素又は硫
黄を表す。Xはが窒素のときには、R5 は存在しな
い。]で示される尿素、チオ尿素又はチオアセトアミド
及びそれらの誘導体、(13) 一般式 【化7】 [ここで、Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立に、水
素、ヒドロキシル基又はC1 〜C5 のアルキル基を表
し、該アルキル基の水素は、ヒドロキシル基、アミノ基
又は塩素で置換されていてよく、また該アルキル基同志
が結合して環を形成してもよい。]で示されるアミン及
びそれらの塩。6. The tin and / or silver complexing agent in a plating solution for tin-silver alloy electroplating is a substance selected from the following (1) to (13): Items 1 to 5
The electroplating method of a tin-silver alloy according to any one of the above. (1) condensed phosphoric acid or a salt thereof, (2) an acid which forms each ion of iodine, bromine, iodic acid, bromic acid, sulfurous acid, bisulfite, metabisulfite, thiosulfate, thiocyanic acid, acetic acid, ammonium or salt, (3) the general formula X-R-COOH [wherein, R represents a single bond or an alkylene group C 1 -C 4, hydrogen of the R is in the range up to the half, at any position, -S-CH 3, methyl group, an amino group, may be substituted by a hydroxyl group and (or) a carboxyl group. X represents hydrogen (except when R is a single bond), a carboxyl group, or CH 2 OH. Oxycarboxylic acids, polycarboxylic acids or amino acids or salts thereof, (4) monosaccharides and partially oxidized polyhydroxycarboxylic acids and cyclic ester compounds thereof, (5) general formula: Formula 1 [Where R represents a C 1 -C 5 alkylene group, and the hydrogen of the alkyl may be substituted with an amino group or a carboxyl group, or may be bonded to an acetyl group via the amino group. Good. ] Represented by mercaptocarboxylic acid or mercaptosulfonic acid or salts thereof,
(6) General formula HO 3 S—R—COOH [where R is a C 1 -C 6 alkylene group or C 2 -C
Represents 6 alkenylene groups, wherein the hydrogen of R may be substituted with a hydroxyl group or a carboxyl group. An aliphatic sulfo (hydroxy) carboxylic acid or a salt thereof represented by the general formula (7): [Where φ represents a benzene ring, X represents hydrogen, a hydroxyl group or a carboxyl group. The sulfonic acid group, carboxyl group and X may be at any position. An aromatic sulfo (hydroxy) carboxylic acid or a salt thereof represented by the general formula (8): [Wherein, X is -CH 2 COOH or -C 2 H 4 COO
H represents Y and —CH 2 COOH or —C 2 H 4 COO
H represents —CH 2 OH, and Z represents —CH 2 COOH or —C 2 H 4 COOH or —CH 2 OH or hydrogen. A is a single bond, -CH (0H) -, or -CH 2 -N
(CH 2 COOH) —CH 2 —, wherein B represents hydrogen, or when A is a single bond, B may be bonded via a methylene group to form a saturated 6-membered ring. (9) a hydroxyalkanebisphosphonic acid having 1 to 3 carbon atoms of an alkane or a salt thereof, and (10) a general formula: [Where X 1 , X 2 , X 3 and X 4 represent carbon or nitrogen, and when each of X 1 to X 4 is nitrogen, R bonded to each X
1 ~R 4 does not exist. Not all X are nitrogen at the same time. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent hydrogen, a hydroxyl group or a C 1 -C 4 alkyl group, wherein the hydrogen of the alkyl group is substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group or a halogen. May be. R 1 and R 2 may form a benzene ring via a methylene group;
Hydrogen of the benzene ring, a halogen, an alkyl group of C 1 -C 4, alkoxy group of C 1 -C 4, may be substituted with a hydroxyl group or a carboxyl group. R 5 is hydrogen, C
1 alkyl or alkenyl of -C 5 represents a phenyl group, the alkyl group, hydrogen alkenyl and (or) a phenyl group a hydroxyl group or amino group, may be substituted by mono-methylamino group or a dimethylamino group. A nitrogen-containing 5-membered heterocyclic compound represented by the formula (1):
1) General formula [Wherein, R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 each independently represent an alkyl group or an alkoxy group of hydrogen or C 1 -C 5. X represents nitrogen or carbon, and when X is nitrogen, R 4 is not present. A hydantoin compound represented by the formula: succinimide or maleic imide and derivatives thereof, (12) [Wherein R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, an amino group or a C 1 -C 5 alkyl group. R 3 and R 4 each independently represent hydrogen, a C 1 -C 5 alkyl or alkenyl group or a phenyl group, wherein the hydrogen of the alkyl, alkenyl and / or phenyl is a hydroxyl group or an amino group, a monomethylamino group or a dimethyl group; It may be substituted with an amino group, and R 3 and R 4 may combine to form a ring. R 5 represents an alkyl group, an allyl group or a hydroxy group. X represents nitrogen or carbon, and Y represents oxygen or sulfur. At the time of the X Haga nitrogen, R 5 is not present. Urea, thiourea or thioacetamide and derivatives thereof represented by the formula: (13) [Where Ra, Rb and Rc each independently represent hydrogen, a hydroxyl group or a C 1 -C 5 alkyl group, wherein the hydrogen of the alkyl group is substituted with a hydroxyl group, an amino group or chlorine. The alkyl groups may be combined with each other to form a ring. And salts thereof.
剤、平滑化添加剤、光沢添加剤、酸化防止剤の1種又は
2種以上を添加してなる陰極液(めっき液)を用いるこ
とを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の錫−
銀系合金電気めっき方法。7. A catholyte (plating solution) to which one or more of a conductive salt, a pH buffer, a surfactant, a smoothing additive, a gloss additive, and an antioxidant are further added. The tin according to any one of claims 1 to 6,
Silver alloy electroplating method.
鉛、インジウム、パラジウム、ひ素及びニッケルから選
ばれた第三金属の1種及び(又は)2種以上を添加して
なる陰極液(めっき液)を用いることを特徴とする、請
求項1〜7のいずれかに記載の錫−銀系合金電気めっき
方法。8. A catholyte (plating solution) obtained by further adding one and / or two or more kinds of third metals selected from bismuth, copper, antimony, zinc, indium, palladium, arsenic and nickel. The method of electroplating a tin-silver alloy according to any one of claims 1 to 7, wherein
系合金電気めっき方法を用いて錫−銀系合金めっきを施
した電気・電子回路部品。9. An electric / electronic circuit component plated with a tin-silver alloy using the tin-silver alloy electroplating method according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18895297A JP3776566B2 (en) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | Plating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18895297A JP3776566B2 (en) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | Plating method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1121692A true JPH1121692A (en) | 1999-01-26 |
JP3776566B2 JP3776566B2 (en) | 2006-05-17 |
Family
ID=16232801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18895297A Expired - Fee Related JP3776566B2 (en) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | Plating method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3776566B2 (en) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000256896A (en) * | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Ebara Corp | Plating device |
JP2001164396A (en) * | 1999-09-27 | 2001-06-19 | Ishihara Chem Co Ltd | Tin-copper-containing alloy plating bath, tin-copper- containing alloy plating method and article formed with tin-copper-containing alloy plating film |
JP2001329390A (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-27 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Electrolyzer of electrolytic copper foil and electrolytic copper foil obtained in the electrolyzer |
JP2003096590A (en) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk | Tin or tin-alloy plating bath, stannate and stannic acid or complexing-agent solutions for preparation or maintenance/supply of the plating bath, and electrical/ electronic parts produced by using the plating bath |
JP2003293191A (en) * | 2001-07-31 | 2003-10-15 | Sekisui Chem Co Ltd | Method for producing electroconductive fine particle |
WO2004011698A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | Shinryo Electronics Co., Ltd. | Tin-silver-copper plating solution, plating film containing the same, and method for forming the plating film |
JP2005139474A (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Ishihara Chem Co Ltd | Tin alloy electroplating method |
WO2006043578A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Fcm Co., Ltd. | METHOD FOR FORMING Sn-Ag-Cu THREE-ELEMENT ALLOY THIN FILM ON BASE |
US7045050B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-05-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for producing electroconductive particles |
JP2006213996A (en) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Fcm Kk | METHOD FOR FORMING THIN FILM OF Sn-Ag-Cu TERNARY ALLOY |
US7273540B2 (en) | 2002-07-25 | 2007-09-25 | Shinryo Electronics Co., Ltd. | Tin-silver-copper plating solution, plating film containing the same, and method for forming the plating film |
JP2009510255A (en) * | 2005-08-15 | 2009-03-12 | エントン インコーポレイテッド | Tin-silver solder bumps in the electronics manufacturing field |
JP2010013516A (en) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Mec Kk | Adhesive layer-forming liquid |
JP2013227641A (en) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Ishihara Chem Co Ltd | Method for replenishing to tin-based plating solution |
JP2014189873A (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Mitsubishi Materials Corp | Sn ALLOY PLATING METHOD AND RECYCLING METHOD OF Sn ALLOY PLATING SOLUTION, AND EQUIPMENT FOR THESE |
KR20140133443A (en) | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Sn ALLOY PLATING APPARATUS AND Sn ALLOY PLATING METHOD |
US9139927B2 (en) | 2010-03-19 | 2015-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Electrolyte loop with pressure regulation for separated anode chamber of electroplating system |
US9404194B2 (en) | 2010-12-01 | 2016-08-02 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating apparatus and process for wafer level packaging |
US9534308B2 (en) | 2012-06-05 | 2017-01-03 | Novellus Systems, Inc. | Protecting anodes from passivation in alloy plating systems |
US9551084B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-01-24 | Ebara Corporation | Sn alloy plating apparatus and Sn alloy plating method |
JP2017031447A (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 石原ケミカル株式会社 | Tin and tin alloy electroplating bath, method for forming electrodeposition using plating bath, and electronic component produced by the method |
US10927475B2 (en) | 2017-11-01 | 2021-02-23 | Lam Research Corporation | Controlling plating electrolyte concentration on an electrochemical plating apparatus |
CN112663101A (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-16 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004034427A2 (en) | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Honeywell International Inc. | Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials |
-
1997
- 1997-07-01 JP JP18895297A patent/JP3776566B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000256896A (en) * | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Ebara Corp | Plating device |
JP2001164396A (en) * | 1999-09-27 | 2001-06-19 | Ishihara Chem Co Ltd | Tin-copper-containing alloy plating bath, tin-copper- containing alloy plating method and article formed with tin-copper-containing alloy plating film |
JP2001329390A (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-27 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Electrolyzer of electrolytic copper foil and electrolytic copper foil obtained in the electrolyzer |
US7045050B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-05-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for producing electroconductive particles |
JP2003293191A (en) * | 2001-07-31 | 2003-10-15 | Sekisui Chem Co Ltd | Method for producing electroconductive fine particle |
JP2003096590A (en) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk | Tin or tin-alloy plating bath, stannate and stannic acid or complexing-agent solutions for preparation or maintenance/supply of the plating bath, and electrical/ electronic parts produced by using the plating bath |
US7273540B2 (en) | 2002-07-25 | 2007-09-25 | Shinryo Electronics Co., Ltd. | Tin-silver-copper plating solution, plating film containing the same, and method for forming the plating film |
WO2004011698A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | Shinryo Electronics Co., Ltd. | Tin-silver-copper plating solution, plating film containing the same, and method for forming the plating film |
JP2005139474A (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Ishihara Chem Co Ltd | Tin alloy electroplating method |
WO2006043578A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Fcm Co., Ltd. | METHOD FOR FORMING Sn-Ag-Cu THREE-ELEMENT ALLOY THIN FILM ON BASE |
US7563353B2 (en) | 2004-10-21 | 2009-07-21 | Fcm Co., Ltd. | Method of forming Sn-Ag-Cu ternary alloy thin-film on base material |
JP2006213996A (en) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Fcm Kk | METHOD FOR FORMING THIN FILM OF Sn-Ag-Cu TERNARY ALLOY |
JP2009510255A (en) * | 2005-08-15 | 2009-03-12 | エントン インコーポレイテッド | Tin-silver solder bumps in the electronics manufacturing field |
JP2010013516A (en) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Mec Kk | Adhesive layer-forming liquid |
US9139927B2 (en) | 2010-03-19 | 2015-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Electrolyte loop with pressure regulation for separated anode chamber of electroplating system |
US10309024B2 (en) | 2010-12-01 | 2019-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating apparatus and process for wafer level packaging |
US9982357B2 (en) | 2010-12-01 | 2018-05-29 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating apparatus and process for wafer level packaging |
US9404194B2 (en) | 2010-12-01 | 2016-08-02 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating apparatus and process for wafer level packaging |
JP2013227641A (en) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Ishihara Chem Co Ltd | Method for replenishing to tin-based plating solution |
US10106907B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-10-23 | Novellus Systems, Inc. | Protecting anodes from passivation in alloy plating systems |
US10954605B2 (en) | 2012-06-05 | 2021-03-23 | Novellus Systems, Inc. | Protecting anodes from passivation in alloy plating systems |
US9534308B2 (en) | 2012-06-05 | 2017-01-03 | Novellus Systems, Inc. | Protecting anodes from passivation in alloy plating systems |
JP2014189873A (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Mitsubishi Materials Corp | Sn ALLOY PLATING METHOD AND RECYCLING METHOD OF Sn ALLOY PLATING SOLUTION, AND EQUIPMENT FOR THESE |
US9816197B2 (en) | 2013-05-09 | 2017-11-14 | Ebara Corporation | Sn alloy plating apparatus and Sn alloy plating method |
KR20140133443A (en) | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Sn ALLOY PLATING APPARATUS AND Sn ALLOY PLATING METHOD |
US9551084B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-01-24 | Ebara Corporation | Sn alloy plating apparatus and Sn alloy plating method |
JP2017031447A (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 石原ケミカル株式会社 | Tin and tin alloy electroplating bath, method for forming electrodeposition using plating bath, and electronic component produced by the method |
US10927475B2 (en) | 2017-11-01 | 2021-02-23 | Lam Research Corporation | Controlling plating electrolyte concentration on an electrochemical plating apparatus |
US11401623B2 (en) | 2017-11-01 | 2022-08-02 | Lam Research Corporation | Controlling plating electrolyte concentration on an electrochemical plating apparatus |
US11859300B2 (en) | 2017-11-01 | 2024-01-02 | Lam Research Corporation | Controlling plating electrolyte concentration on an electrochemical plating apparatus |
CN112663101A (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-16 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods |
JP2021063291A (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating composition and method |
KR20210045310A (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-26 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods |
EP3816325A3 (en) * | 2019-10-15 | 2021-08-18 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods |
CN112663101B (en) * | 2019-10-15 | 2024-09-20 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3776566B2 (en) | 2006-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1121692A (en) | Plating method and plated products | |
US6165342A (en) | Cyanide-free electroplating bath for the deposition of gold and gold alloys | |
JP2003096590A (en) | Tin or tin-alloy plating bath, stannate and stannic acid or complexing-agent solutions for preparation or maintenance/supply of the plating bath, and electrical/ electronic parts produced by using the plating bath | |
EP2313541B1 (en) | Cyanide-free electrolyte for galvanic deposition of gold alloys | |
US5552031A (en) | Palladium alloy plating compositions | |
JP6980017B2 (en) | Tin plating bath and method of depositing tin or tin alloy on the surface of the substrate | |
JPH1121693A (en) | Tin-silver alloy plating bath and plated material | |
JP6144258B2 (en) | NOCIAN GOLD PLATING BATH AND METHOD FOR PRODUCING NOCIAN GOLD PLATING BATH | |
KR20070043936A (en) | Electroplating solution for gold-tin eutectic alloy | |
JP6432667B2 (en) | Tin alloy plating solution | |
DE19928047A1 (en) | Use of pollutant-deficient to pollutant-rich aqueous systems for the galvanic deposition of precious metals and precious metal alloys | |
JP2009191335A (en) | Plating solution and electronic parts | |
US4053372A (en) | Tin-lead acidic plating bath | |
US4265715A (en) | Silver electrodeposition process | |
JP3566498B2 (en) | Displacement gold plating bath | |
CN111647918A (en) | Electrolytic gold plating solution, process for producing the same, gold plating method, and gold complex | |
US4552628A (en) | Palladium electroplating and bath thereof | |
JP2017119911A (en) | SnAg alloy plating solution | |
JPH10317183A (en) | Non-cyan gold electroplating bath | |
WO2018142776A1 (en) | Tin alloy plating solution | |
JP7121390B2 (en) | Tin alloy electroplating bath and plating method using the same | |
EP0384679B1 (en) | Electrolytic deposition of gold-containing alloys | |
SE502520C2 (en) | Bathing, method and use in electroplating with tin-bismuth alloys | |
JPS5854200B2 (en) | Method of supplying metal ions in electroplating bath | |
JP2961256B1 (en) | Silver plating bath, silver / tin alloy plating bath, and plating method using those plating baths |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110303 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120303 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160303 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |