JPH11211633A - Method for analyzing impurity on silicon wafer surface - Google Patents
Method for analyzing impurity on silicon wafer surfaceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ表
面の不純物分析方法に関する。The present invention relates to a method for analyzing impurities on a silicon wafer surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスの歩留まりやデバイ
スの信頼性を確保するためには、製造プロセス全般にわ
たるトータルクリーン化技術が不可欠となっている。こ
のため、製造工程のクリーン化と共に、シリコンウエハ
表面の清浄化が必要となっている。シリコンウエハ表面
の金属不純物はデバイス特性と密接な関係があり、接合
リーク電流の増大やゲート酸化膜の耐圧特性の劣化を引
き起こし、デバイスの信頼性に大きな影響を及ぼすこと
が知られている。このような不純物の制御レベルは、デ
バイスの高密度化・高集積化にともなって厳しくなって
いる。2. Description of the Related Art In order to ensure the yield of a semiconductor manufacturing process and the reliability of a device, a total clean technology over the entire manufacturing process is indispensable. For this reason, it is necessary to clean the surface of the silicon wafer as well as to clean the manufacturing process. It is known that metal impurities on the surface of a silicon wafer have a close relationship with device characteristics, cause an increase in junction leakage current and a deterioration in breakdown voltage characteristics of a gate oxide film, and have a great effect on device reliability. The control level of such impurities has become stricter as the density and density of devices have increased.
【０００３】このため、シリコンウエハ表面の金属不純
物量を高感度かつ精度よく分析する必要がある。さら
に、半導体デバイスの信頼性及び歩留まりの向上を図っ
ていく上で、シリコンウエハ面内のデバイスの特性分布
と金属不純物量分布の関連性を把握することは、極めて
重要である。Therefore, it is necessary to analyze the amount of metal impurities on the surface of a silicon wafer with high sensitivity and high accuracy. Furthermore, in improving the reliability and yield of semiconductor devices, it is extremely important to understand the relationship between the device characteristic distribution and the metal impurity amount distribution in the silicon wafer surface.
【０００４】従来、シリコンウエハ表面の金属不純物の
定量法としては、ウエハ表面の全域について、ＨＦ蒸気
またはＨＦ系溶液を用いて不純物を溶解、回収した後、
その回収液中の不純物の量をフレームレス原子吸光分析
法や誘導結合プラズマ質量分析装置などの化学分析装置
などの化学分析装置を用いて測定し、全域の不純物量の
平均値を得るものであった。Conventionally, as a method of quantifying metal impurities on the surface of a silicon wafer, the entire surface of the wafer is dissolved and recovered using HF vapor or an HF-based solution.
The amount of impurities in the recovered solution is measured using a chemical analyzer such as a flameless atomic absorption spectrometry or a chemical analyzer such as an inductively coupled plasma mass spectrometer to obtain an average value of the impurity amounts in the entire region. Was.
【０００５】さらに詳しくは、シリコンウエハ表面不純
物の回収方法として、自然酸化膜等をもつシリコンウエ
ハとＨＦ溶液を密閉容器に閉じこめ、酸化膜をＨＦ蒸気
と一定時間反応させて不純物を溶解し、シリコンウエハ
表面全域の反応液を回収する気相分解法がある（特開平
２−１９２７５０号公報、特開平５−２８３３８１号公
報）。あるいは、ＨＦ蒸気による分解工程後、シリコン
ウエハ表面に少量の超純水あるいはＨＦ水溶液を滴下
し、液滴でシリコンウエハ表面全域を走査することによ
り、不純物を回収する（「分析化学」Ｖｏｌ．３８ １
７７頁 １９８９）。More specifically, as a method of collecting impurities on the surface of a silicon wafer, a silicon wafer having a natural oxide film or the like and an HF solution are sealed in an airtight container, and the oxide film is reacted with HF vapor for a predetermined time to dissolve impurities. There is a gas phase decomposition method for recovering a reaction solution over the entire surface of a wafer (Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2-192750 and 5-283381). Alternatively, after the decomposition step using HF vapor, a small amount of ultrapure water or HF aqueous solution is dropped on the silicon wafer surface, and the entire surface of the silicon wafer is scanned with the droplet to collect impurities (“Analytical Chemistry” Vol. 38). 1
77, 1989).
【０００６】また、自然酸化膜等をもつシリコンウエハ
表面にＨＦ系溶液を少量滴下して、一定時間放置するこ
とにより、シリコンウエハ表面全域の酸化膜と反応させ
て不純物を溶解し、シリコンウエハ面内の一カ所に集ま
る反応液滴をマイクロピペットで回収する液相分解法が
ある（特開平２−２７２３５９号公報）。別には、ＨＦ
系溶液でシリコンウエハ表面全域を走査し、不純物を溶
解して、回収する方法がある（特開平３−２３９３４３
号公報）。Further, a small amount of an HF solution is dropped on the surface of a silicon wafer having a natural oxide film or the like, and left for a certain period of time to react with the oxide film on the entire surface of the silicon wafer to dissolve impurities, thereby reducing the surface of the silicon wafer. There is a liquid phase decomposition method in which the reaction droplets collected at one location in the inside are collected by a micropipette (Japanese Patent Laid-Open No. 2-272359). Separately, HF
There is a method of scanning the entire surface of a silicon wafer with a system solution to dissolve and collect impurities (Japanese Patent Laid-Open No. 3-239343).
No.).
【０００７】また、フレームレス原子吸光分析法及び誘
導結合プラズマ質量分析法の測定原理や装置構成につい
ては、たとえば文献、「ファーネス原子吸光分析−極微
量を測る」、１〜５６頁、及び「プラズマイオン源質量
分析」、１３〜４３頁、学会出版センター発行に詳細に
記載されている。For the measurement principle and apparatus configuration of flameless atomic absorption spectrometry and inductively coupled plasma mass spectrometry, see, for example, literatures, “Furnace Atomic Absorption Spectroscopy—Measuring a Trace Amount”, pages 1 to 56, and “Plasma Ion source mass spectrometry ", pages 13 to 43, published by Gakkai Shuppan Center.
【０００８】ところが、シリコンウエハ面内に一定のパ
ターンに従って形成されるデバイスの特性は面内分布を
持つ場合があり、デバイス特性と密接な関連をもつ金属
不純物の面内分布との相関を把握する必要がある。However, the characteristics of a device formed in accordance with a certain pattern on the surface of a silicon wafer may have an in-plane distribution, and the correlation between the in-plane distribution of metal impurities closely related to the device characteristics is grasped. There is a need.
【０００９】しかしながら、上記した従来技術の場合、
シリコンウエハ全域の金属不純物量の平均値のみを与え
るものであり、面内の各デバイスに対応した不純物量分
布を得るのは不可能であった。However, in the case of the above-mentioned prior art,
Since only the average value of the metal impurity amount in the entire silicon wafer is given, it is impossible to obtain an impurity amount distribution corresponding to each device in the plane.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、シリコンウエハ全域の金属不純物量の平均
値を得るに留まり、デバイス特性と金属不純物量との正
確な関連性を把握するのは困難であるという問題があっ
た。As described above, in the prior art, it is only necessary to obtain the average value of the metal impurity amount over the entire silicon wafer, and to grasp the exact relationship between the device characteristics and the metal impurity amount. There was a problem that it was difficult.
【００１１】本発明は上記のような課題に鑑みて発明さ
れたものであって、シリコンウエハ表面の任意の測定領
域について不純物を高感度かつ高精度に分析でき、面内
の微量な不純物量分布までも評価することが可能なシリ
コンウエハの不純物分析方法を提供することを目的とし
ている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is possible to analyze impurities with high sensitivity and high accuracy in an arbitrary measurement region on the surface of a silicon wafer, and to obtain a small impurity amount distribution in a plane. It is an object of the present invention to provide a method for analyzing impurities in a silicon wafer that can be evaluated even to date.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この発明に係るシリコン
ウエハ表面の不純物分析方法は、表面に酸化膜が形成さ
れたシリコンウエハ表面の任意の測定領域の周囲の酸化
物を除去する工程と、前記測定領域の酸化膜を溶解し、
不純物を含む溶解液を回収する工程と、回収した溶解液
中の不純物の量を測定する工程とからなるものである。According to the present invention, there is provided a method for analyzing impurities on a silicon wafer surface, the method comprising: removing an oxide around an arbitrary measurement region on a silicon wafer surface having an oxide film formed on the surface; Dissolve the oxide film in the measurement area,
It comprises a step of collecting a solution containing impurities and a step of measuring the amount of impurities in the collected solution.
【００１３】また、この発明に係るシリコンウエハ表面
の不純物分析方法は、任意の測定領域の周囲の酸化膜を
除去する工程で、測定領域以外の酸化膜を削り取るもの
であっても良い。In the method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to the present invention, the step of removing an oxide film around an arbitrary measurement region may be performed by removing an oxide film other than the measurement region.
【００１４】また、この発明に係るシリコンウエハ表面
の不純物分析方法は、酸化膜の削り取りが、機械的に削
り取るものであっても良い。In the method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to the present invention, the oxide film may be mechanically removed.
【００１５】また、この発明に係るシリコンウエハ表面
の不純物分析方法は、酸化膜の削り取りが、モース硬度
８以上の材質を用いるものであっても良い。In the method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to the present invention, the oxide film may be removed by using a material having a Mohs hardness of 8 or more.
【００１６】また、この発明に係るシリコンウエハ表面
の不純物分析方法は、酸化膜の削り取りが、ダイヤモン
ドやダイヤモンドライクカーボンを含む硬質材を用いる
ものであっても良い。In the method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to the present invention, the oxide film may be removed by using a hard material containing diamond or diamond-like carbon.
【００１７】また、この発明に係るシリコンウエハ表面
の不純物分析方法における測定領域の酸化膜の溶解は、
ＨＦ水溶液またはＨ2 Ｏ2 およびＨＮＯ3 の少なくとも
一つを添加したＨＦ水溶液を滴下して行うものであって
も良い。Further, in the method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to the present invention, the dissolution of the oxide film in the measurement region is as follows.
An HF aqueous solution or an HF aqueous solution to which at least one of H 2 O 2 and HNO 3 is added may be dropped.
【００１８】また、この発明に係るシリコンウエハ表面
の不純物分析方法の不純物の量を測定する工程は、フレ
ームレス原子吸光装置または誘導結合プラズマ質量分析
装置を用いて行うものであっても良い。Further, the step of measuring the amount of impurities in the method for analyzing impurities on a silicon wafer surface according to the present invention may be performed using a flameless atomic absorption spectrometer or an inductively coupled plasma mass spectrometer.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るシリコンウエ
ハ表面の不純物分析方法の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は実施例に係るシリコンウエハ表面の不純
物分析方法を実施するための手順を示したものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a procedure for carrying out a method for analyzing impurities on a silicon wafer surface according to an embodiment.
【００２０】たとえば、図１（ａ）のように酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）８３０Åが形成されたシリコンウエハ１に、ダ
イヤモンドペン２を用いて、直径１ｃｍの円を描く。描
いた円周部分は、ダイモヤンドにより親水性の熱酸化膜
が削り取られ、シリコン基盤の地肌が出て疎水性とな
る。円内部を測定領域３とすると、円周を含む周囲が非
測定領域４となる。For example, as shown in FIG. 1A, an oxide film (S
Using a diamond pen 2, a circle having a diameter of 1 cm is drawn on the silicon wafer 1 on which (iO 2 ) 830 ° is formed. A hydrophilic thermal oxide film is scraped off from the drawn circumferential portion by the dimoyand, and the silicon-based surface is exposed and becomes hydrophobic. If the inside of the circle is the measurement area 3, the circumference including the circumference becomes the non-measurement area 4.
【００２１】次に、図１（ｂ）のようにマイクロピペッ
ト５を用いて、０．１％ＨＦ／１％Ｈ2 Ｏ2 水溶液６の
２０マイクロリットルを測定領域３に滴下する。水溶液
は、親水性の酸化膜に覆われた測定領域内に広がり、水
溶液は疎水性である円周を越えて非測定領域４に出るこ
とはない。そして、約１０分間放置することにより、液
滴が熱酸化膜を溶解するとともに、酸化膜中の不純物を
取り込む。これにより、シリコンウエハ表面の任意の領
域を選択してその不純物を溶解させることができる。Next, as shown in FIG. 1B, using a micropipette 5, 20 microliters of a 0.1% HF / 1% H 2 O 2 aqueous solution 6 is dropped on the measurement area 3. The aqueous solution spreads in the measurement area covered with the hydrophilic oxide film, and the aqueous solution does not pass over the hydrophobic circumference to the non-measurement area 4. Then, the droplet is left for about 10 minutes to dissolve the thermal oxide film and take in impurities in the oxide film. Thereby, an arbitrary region on the surface of the silicon wafer can be selected to dissolve the impurities.
【００２２】図１（ｂ）の操作では、０．１％ＨＦ／１
％Ｈ2 Ｏ2 水溶液６が酸化膜を溶解すると同時に、測定
領域３を親水性から疎水性表面に改質するため、図１
（ｃ）のように液膜が溌水され液滴となり、測定領域３
の１ヶ所に液滴として集まる。In the operation of FIG. 1B, 0.1% HF / 1
% H 2 simultaneously with O 2 solution 6 to dissolve the oxide film, for reforming the hydrophobic surface of the measuring region 3 from hydrophilic, 1
The liquid film is repelled into liquid droplets as shown in FIG.
At one location.
【００２３】次に、図１（ｄ）のように、マイクロピペ
ット５を用いて液滴となった水溶液６を回収する。Next, as shown in FIG. 1D, the aqueous solution 6 which has become droplets is collected using the micropipette 5.
【００２４】こうして、不純物を集められた０．１％Ｈ
Ｆ／１％Ｈ2 Ｏ2 水溶液６を、たとえばフレームレス原
子吸光分析装置または誘導結合プラズマ質量分析装置な
どの化学分析装置にかけることにより、０．１％ＨＦ／
１％Ｈ2 Ｏ2 水溶液６中の不純物の量を測定する。In this way, 0.1% H
By applying the F / 1% H 2 O 2 aqueous solution 6 to a chemical analyzer such as a flameless atomic absorption spectrometer or an inductively coupled plasma mass spectrometer, a 0.1% HF /
The amount of impurities in the 1% H 2 O 2 aqueous solution 6 is measured.
【００２５】こうすることにより、酸化膜が形成された
シリコンウエハ１の表面における任意の測定領域につい
ての不純物濃度を測定することができる。さらに、図１
（ｅ）のようにシリコンウエハ１の表面における任意の
測定領域内の不純物を選択的に回収し、同操作をシリコ
ンウエハ面内で繰り返すことによって、不純物の面内分
布を評価することが可能となるものである。This makes it possible to measure the impurity concentration in an arbitrary measurement region on the surface of the silicon wafer 1 on which the oxide film has been formed. Further, FIG.
It is possible to evaluate the in-plane distribution of impurities by selectively collecting impurities in an arbitrary measurement region on the surface of the silicon wafer 1 and repeating the same operation in the silicon wafer surface as shown in FIG. It becomes.
【００２６】なお、任意の測定領域面積に応じて、不純
物を溶解する０．１％ＨＦ／１％Ｈ2 Ｏ2 水溶液６を増
減することや濃度の調整により同様な回収操作が可能で
ある。A similar recovery operation can be performed by increasing or decreasing the concentration of the 0.1% HF / 1% H 2 O 2 aqueous solution 6 for dissolving impurities or adjusting the concentration according to the area of an arbitrary measurement region.
【００２７】また、不純物を溶解する０．１％ＨＦ／１
％Ｈ2 Ｏ2 水溶液６の変わりに、０．１％ＨＦ水溶液あ
るいは０．１％ＨＦ／１％ＨＮＯ3 水溶液を用いても同
様な回収が可能である。Further, 0.1% HF / 1 for dissolving impurities is used.
Similar recovery is possible by using a 0.1% HF aqueous solution or a 0.1% HF / 1% HNO 3 aqueous solution instead of the% H 2 O 2 aqueous solution 6.
【００２８】この結果、シリコンウエハ面内に複数個作
製される個々のデバイス領域に対応して、測定領域を設
定し不純物量を測定することにより、シリコンウエハ面
内でデバイスの電気特性と不純物量１対１対応の不純物
量評価が可能となる。As a result, by setting a measurement region and measuring the impurity amount corresponding to each of a plurality of device regions formed on the silicon wafer surface, the electrical characteristics of the device and the impurity amount are measured on the silicon wafer surface. It is possible to evaluate the amount of impurities on a one-to-one basis.
【００２９】なお、このような分析は自然酸化膜をもつ
シリコンウエハにおいても同様に行うことができる。な
お実施例では、ダイヤモンドペンを用いたがこれに限ら
れるものではなく、モース硬度８以上の物質（例えばサ
ファイア）でも同様に行うことができる。Such an analysis can be similarly performed on a silicon wafer having a natural oxide film. In the embodiment, a diamond pen is used. However, the present invention is not limited to this, and a substance having a Mohs hardness of 8 or more (for example, sapphire) can be similarly used.
【００３０】[0030]
【発明の効果】この発明係るシリコンウエハ表面の不純
物分析方法によれば、表面に酸化膜が形成されたシリコ
ンウエハ表面の任意の測定領域の周囲の酸化膜を除去す
る工程と、前記測定領域の酸化膜を溶解し、不純物を含
む溶解液を回収する工程と、回収した溶解液中の不純物
の量を測定する工程とを有するので、シリコンウエハ表
面の任意の測定領域について不純物量を高感度、高精度
に分析でき、極微量な不純物の面内分布を評価すること
が可能となる。According to the method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to the present invention, a step of removing an oxide film around an arbitrary measurement region on the surface of the silicon wafer having an oxide film formed on the surface; Dissolving the oxide film and recovering the solution containing impurities, and measuring the amount of impurities in the recovered solution, the sensitivity of the impurity amount is high for any measurement area on the silicon wafer surface, The analysis can be performed with high accuracy, and the in-plane distribution of a trace amount of impurities can be evaluated.
【００３１】また、測定領域周囲の酸化膜を削り取るこ
とによって、測定領域の選択性を維持することができ、
同時に周囲の不純物を除去するため、測定領域の不純物
と分離することができる。Further, by removing the oxide film around the measurement area, the selectivity of the measurement area can be maintained.
At the same time, since the surrounding impurities are removed, the impurities can be separated from the impurities in the measurement region.
【００３２】また、測定領域周囲の酸化膜を機械的に削
り取ることによって、酸化膜を除去し、次の工程での溶
解液が任意の測定領域外に進入することを防ぐことがで
き、測定領域の選択性を維持することができる。Further, the oxide film around the measurement area is mechanically scraped off to remove the oxide film and prevent the solution in the next step from entering an arbitrary measurement area. Selectivity can be maintained.
【００３３】また、測定領域周囲の酸化膜をシリコンや
シリコン酸化膜のモース硬度８より高い物質を用いて、
容易に削り取ることができる。The oxide film around the measurement area is made of silicon or a substance having a Mohs hardness of higher than 8 of the silicon oxide film,
Can be easily scraped off.
【００３４】また、測定領域周囲の酸化膜をモース硬度
１０のダイヤモンドを用いて、容易に削り取ることがで
きる。Further, the oxide film around the measurement area can be easily scraped off using diamond having Mohs hardness of 10.
【００３５】また、測定領域の酸化膜の溶解にＨＦ水溶
液または、Ｈ2 Ｏ2 およびＨＮＯ3の少なくとも一つを
添加したＨＦ水溶液を滴下することによって、不純物が
溶解され、液滴が測定領域の１ヶ所に集まるので容易に
溶解液を回収することができる。Further, by dropping an aqueous HF solution or an aqueous HF solution to which at least one of H 2 O 2 and HNO 3 is added to dissolve the oxide film in the measurement region, the impurities are dissolved, and the droplet is removed in the measurement region. Since it is collected in one place, the solution can be easily collected.
【００３６】また、溶解液の不純物濃度をフレームレス
原子吸光装置または誘導結合プラズマ質量分析装置を用
いて測定することによって、高感度に不純物量を測定す
ることができ、シリコンウエハ表面の極微量の不純物に
ついて面内分布を調べることができる。Further, by measuring the impurity concentration of the solution using a flameless atomic absorption spectrometer or an inductively coupled plasma mass spectrometer, the amount of impurities can be measured with high sensitivity, and a very small amount of impurities on the surface of the silicon wafer can be measured. The in-plane distribution of impurities can be examined.
【図１】 （ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施の形態に係
るシリコンウエハ表面の不純物分析方法を工程順に示す
図である。FIGS. 1A to 1E are diagrams showing a method of analyzing impurities on the surface of a silicon wafer according to an embodiment of the present invention in the order of steps.
１ シリコンウエハ ２ ダイヤモンド
ペン ３ 測定領域 ４ 非測定領域 ５ マイクロピペット ６ ＨＦ／Ｈ2 Ｏ
2 水溶液Reference Signs List 1 silicon wafer 2 diamond pen 3 measuring area 4 non-measuring area 5 micropipette 6 HF / H 2 O
2 aqueous solution
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｎ 1/28 Ｘ Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｄ Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/66 G01N 1/28 X H01L 21/306 D
Claims (7)
ハ表面の任意の測定領域の周囲の酸化膜を除去する工程
と、前記測定領域の酸化膜を溶解し、不純物を含む溶解
液を回収する工程と、回収した溶解液中の不純物の量を
測定する工程とを有することを特徴とするシリコンウエ
ハ表面の不純物分析方法。1. A step of removing an oxide film around an arbitrary measurement region on the surface of a silicon wafer having an oxide film formed on the surface, dissolving the oxide film in the measurement region, and collecting a solution containing impurities. A method for analyzing impurities on the surface of a silicon wafer, comprising: a step of measuring an amount of impurities in the recovered solution.
工程は、測定領域の周囲の酸化膜を削り取ることを特徴
とする請求項１記載のシリコンウエハ表面の不純物分析
方法。2. The method for analyzing impurities on a silicon wafer surface according to claim 1, wherein the step of removing an oxide film around an arbitrary measurement region includes shaving off the oxide film around the measurement region.
ことを特徴とする請求項２記載のシリコンウエハ表面の
不純物分析方法。3. The method for analyzing impurities on a silicon wafer surface according to claim 2, wherein the oxide film is cut off mechanically.
の材質を用いることを特徴とする請求項３記載のシリコ
ンウエハ表面の不純物分析方法。4. The method for analyzing impurities on a silicon wafer surface according to claim 3, wherein the oxide film is shaved using a material having a Mohs hardness of 8 or more.
はダイヤモンドライクカーボンを含む硬質材を用いるこ
とを特徴とする請求項３記載のシリコンウエハ表面の不
純物分析方法。5. The method for analyzing impurities on a silicon wafer surface according to claim 3, wherein the oxide film is shaved using a hard material containing diamond or diamond-like carbon.
またはＨ2 Ｏ2 およびＨＮＯ3 の少なくとも一つを添加
したＨＦ水溶液を滴下して行うことを特徴とする請求項
１記載のシリコンウエハ表面の不純物分析方法。6. The silicon wafer according to claim 1, wherein the oxide film in the measurement area is dissolved by dropping an aqueous HF solution or an aqueous HF solution to which at least one of H 2 O 2 and HNO 3 is added. Surface impurity analysis method.
レス原子吸光装置または誘導結合プラズマ質量分析装置
を用いて行うことを特徴とする請求項１記載のシリコン
ウエハ表面の不純物分析方法。7. The method for analyzing impurities on a silicon wafer surface according to claim 1, wherein the step of measuring the amount of impurities is performed using a frameless atomic absorption spectrometer or an inductively coupled plasma mass spectrometer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256898A JPH11211633A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Method for analyzing impurity on silicon wafer surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256898A JPH11211633A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Method for analyzing impurity on silicon wafer surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211633A true JPH11211633A (en) | 1999-08-06 |
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ID=11808968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1256898A Pending JPH11211633A (en) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Method for analyzing impurity on silicon wafer surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11211633A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139255A (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Covalent Materials Corp | Method for analysis of impurity in ceramics member |
| JP2013024605A (en) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Institute Of Physical & Chemical Research | Substrate for biochemical reaction, system for processing biochemical reaction, and method for draining liquid from the substrate |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP1256898A patent/JPH11211633A/en active Pending
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