JPH11189408A - Production of silicon for solar battery - Google Patents

Production of silicon for solar battery

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JPH11189408A
JPH11189408A JP9360041A JP36004197A JPH11189408A JP H11189408 A JPH11189408 A JP H11189408A JP 9360041 A JP9360041 A JP 9360041A JP 36004197 A JP36004197 A JP 36004197A JP H11189408 A JPH11189408 A JP H11189408A
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JP
Japan
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tetraalkoxysilane
silicon
ppm
pure
content
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JP9360041A
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Japanese (ja)
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Yojiro Kon
洋次郎 今
Naoya Kuwazaki
尚哉 鍬崎
Kunihiko Nakamura
邦彦 中村
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Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simply obtain high grade silicon in good productivity by hydrolyzing a pure tetraalkoxysilane having the contents of B, P and impurities controlled to specific values or less, respectively, and subsequently reducing the obtained highly pure silica. SOLUTION: This method for producing silicon for solar batteries comprises hydrolyzing a pure tetraalkoxysilane having a B content of <=0.1 ppm, a P content of <=0.1 ppm and a total metal impurity content of <=20 ppm preferably in the presence of a solvent (for example, methanol) and a catalyst (for example, carbonic acid) with water in an amount of 3-12 moles per mole of the tetraalkoxysilane, reducing the obtained highly pure silica preferably having a purity of >=99.99% preferably by an arc thermal reduction method and subsequently purifying the reduction product, for example, by a coagulation purification method. The pure tetraalkoxysilane is obtained, for example, by the superfractionation of a crude tetraalkoxysilane obtained from powdery metal silicon and methanol as raw materials in the presence of sodium methylate catalyst.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池用シリコ
ンの製造方法に関するものである。
The present invention relates to a method for producing silicon for solar cells.

【0002】[0002]

【従来の技術】太陽光発電は、21世紀のクリーンエネ
ルギーとして注目されている。この太陽光発電に使用さ
れる太陽電池には、シリコン系と化合物半導体系の材料
が開発されているが、1995年において世界の太陽電
池総生産量の95%以上をシリコン系太陽電池が占めて
いる。シリコン系の中でも、結晶系とアモルファス系の
材料があるが、市場に占める結晶系シリコン太陽電池の
割合は、約80%にもなっており、21世紀へ向けての
太陽電池の普及に伴い、その原料となる太陽電池用高純
度シリコンの不足が予測される。このため、世界各国で
低コストの太陽電池用シリコン製造技術の開発が活発に
行われてきた。
2. Description of the Related Art Solar power generation has attracted attention as clean energy in the 21st century. Silicon-based and compound semiconductor-based materials have been developed for solar cells used for this solar power generation. In 1995, silicon-based solar cells accounted for 95% or more of the total solar cell production in the world. I have. Among silicon-based materials, there are crystalline and amorphous materials, but the ratio of crystalline silicon solar cells in the market has reached about 80%. With the spread of solar cells toward the 21st century, A shortage of high-purity silicon for solar cells as the raw material is expected. For this reason, low cost silicon manufacturing technology for solar cells has been actively developed in various countries around the world.

【0003】シリコン系太陽電池において、モジュール
価格に占めるシリコン原料(高純度シリコンウエハー)
のコストの割合が、単結晶型で約60%、多結晶型で4
0%以上となり、シリコン原料の低コスト製造法の開発
が大きな課題となっている。太陽電池用シリコンは、半
導体デバイス用シリコンの純度であるイレブンナインレ
ベルほどの高純度を必要としない。太陽電池用シリコン
の純度は、99.999〜99.9999%程度でよ
く、低コスト化に重点を置いた太陽電池用シリコンの製
造技術の開発への社会的要請が強まっている。
In silicon-based solar cells, silicon raw materials (high-purity silicon wafers) account for the module price.
Cost is about 60% for single crystal type and 4% for polycrystalline type.
Since it is 0% or more, development of a low-cost method for producing silicon raw materials has become a major issue. Silicon for solar cells does not require as high a purity as Eleven Nine, which is the purity of silicon for semiconductor devices. The purity of silicon for a solar cell may be about 99.9999% to 99.9999%, and there is an increasing social demand for the development of a manufacturing technique for silicon for a solar cell with an emphasis on cost reduction.

【0004】太陽電池用シリコンの製造技術は、大別し
て、(A)低沸点中間化合物を経るガス化精製法と、
(B)還元炉と冶金的な固体精製法とを組み合わせた方
法がある。前者は高純度化に適しているが、二段の還元
過程を含み、低コスト化に限界があり、低原価水準を達
成する事は困難と見られている。一方、後者において
は、還元炉ではシリカ原料中の不純物の大部分がシリコ
ン中に移行し、また凝固精製の冶金的精製法では、問題
となる不純物元素のホウ素等を除去することが困難であ
り、予めホウ素、リンなどの不純物元素を低減させた高
純度シリカ原料が必要となっていた。
The techniques for producing silicon for solar cells are roughly classified into (A) a gasification purification method using a low-boiling intermediate compound,
(B) There is a method in which a reduction furnace and a metallurgical solid purification method are combined. The former is suitable for high purification, but involves a two-stage reduction process and has a limit in reducing costs, and it is considered difficult to achieve a low cost level. On the other hand, in the latter, most of the impurities in the silica raw material migrate into the silicon in the reduction furnace, and it is difficult to remove the problematic impurity elements such as boron in the metallurgical purification method of solidification purification. Thus, a high-purity silica raw material in which impurity elements such as boron and phosphorus are reduced in advance has been required.

【0005】上記のような技術的背景をもとに、低コス
トの太陽電池用シリコンの製造方法として、品質上特に
問題となる不純物元素のホウ素、リンを除去した高純度
シリカを製造し、これを炭素熱還元することによって、
粗製シリコンを製造したのちこれを凝固精製するプロセ
スが有望視されている。
Based on the above technical background, as a low-cost method for manufacturing silicon for solar cells, high-purity silica from which boron and phosphorus as impurity elements, which are particularly problematic in quality, have been removed. By carbothermal reduction of
A promising process is to produce crude silicon and then to solidify and refine it.

【0006】特開昭58−151318号公報には、加
水分解しうる基を有するシランなどを加水分解して得た
ポリシロキサンを加熱酸化して、合成シリカを得ること
が記載されている。また、特開昭62−59515号公
報には、テトラメトキシシランを炭酸ガスの存在下で加
水分解して、高純度のシリカを合成する方法が記載され
ている他、その他の技術の幾つかも紹介されている。し
かしながら、これらの方法は、α線崩壊物質であるウラ
ン及びトリウム濃度を低減させることに着目して精製し
たものであり、ホウ素及びリンを低減させるには至って
いない。
JP-A-58-151318 discloses that a synthetic siloxane is obtained by heating and oxidizing a polysiloxane obtained by hydrolyzing a silane having a hydrolyzable group. JP-A-62-59515 describes a method for synthesizing high-purity silica by hydrolyzing tetramethoxysilane in the presence of carbon dioxide gas, and also introduces some other techniques. Have been. However, these methods have been refined with a focus on reducing the concentration of uranium and thorium, which are α-ray decay substances, and have not been able to reduce boron and phosphorus.

【0007】また、天然の珪酸鉱物から湿式法で高純度
シリカを製造する方法もあるが、この方法では原料鉱物
を溶液に溶解する必要があり、このため珪酸鉱物をアル
カリと反応させ、珪酸アルカリを製造する前工程が必要
となる。これはコストの増加をもたらすのだけでなく、
アルカリは電子材料向けの製品には、最も好ましくない
不純物であることから、後工程で脱アルカリのための洗
浄処理を徹底して行わなければならないという問題があ
る。
There is also a method of producing high-purity silica from a natural silicate mineral by a wet method. However, in this method, it is necessary to dissolve the raw material mineral in a solution. Therefore, the silicate mineral is reacted with an alkali to form an alkali silicate. Requires a pre-process for manufacturing This not only results in increased costs,
Alkali is the most unfavorable impurity in products for electronic materials, so there is a problem in that a thorough cleaning process for dealkalization must be performed in a later step.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、精製テトラアルコキシシランを原料として、太
陽電池用シリコンの効率的な製造方法を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an efficient method for producing silicon for solar cells using purified tetraalkoxysilane as a raw material.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ホ
ウ素及びリンの含有量をそれぞれ0.1ppm以下、金
属不純物含有量の総計を20ppm以下に制御した精製
テトラアルコキシシランを加水分解することにより得ら
れた高純度シリカを還元することを特徴とする太陽電池
用シリコンの製造方法である。
That is, the present invention provides a method for hydrolyzing a purified tetraalkoxysilane in which the contents of boron and phosphorus are controlled to 0.1 ppm or less, respectively, and the total content of metal impurities is controlled to 20 ppm or less. A method for producing silicon for solar cells, characterized in that the obtained high-purity silica is reduced.

【0010】本発明において原料として使用するテトラ
アルコキシシランとしては、特に限定されないが、テト
ラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロ
ポキシシランなどを挙げることができ、特に加水分解反
応速度の大きいテトラメトキシシランやテトラエトキシ
シランが好ましい。このようなテトラアルコキシシラン
は、例えば、ナトリウムアルコラート等を触媒としてケ
イ素とアルコールを直接反応させて合成する方法、ケイ
素の塩化物とアルコールとの反応によって合成する方
法、アルコール交換反応による方法などにより製造する
ことができる。
The tetraalkoxysilane used as a raw material in the present invention is not particularly limited. Examples thereof include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, and the like. Tetraethoxysilane is preferred. Such a tetraalkoxysilane is produced, for example, by a method of directly reacting silicon and an alcohol using sodium alcoholate or the like as a catalyst, a method of synthesizing by reacting a silicon chloride with an alcohol, a method of an alcohol exchange reaction, and the like. can do.

【0011】本発明で原料として使用するテトラアルコ
キシシランは、従来公知の方法で製造されたものをその
まま使用するのではなく、特定の不純物濃度を一定値以
下になるように精製した精製テトラアルコキシシランを
使用する。公知の精製法、例えば精密蒸留法等の精製法
により、ホウ素及びリンの含有量がそれぞれ0.1pp
m以下、金属不純物含有量の総計が20ppm以下にな
るように精製したものを使用することが必要である。こ
れに対し、従来よく知られているようなα線崩壊物質の
みに着目し、この濃度を0.1ppbレベルまで精製し
たものでは、太陽電池用シリコン原料としては不十分で
ある。これは、テトラアルコキシシランの揮発性に比べ
α線崩壊物質のウラン、トリウムの揮発性が極端に低
く、簡単に分離できるのに対し、ホウ素及びリンの揮発
性がテトラアルコキシシランのそれに近く、テトラアル
コキシシランの原料である金属シリコン中に50ppm
程度含まれているホウ素及びリンは、特に精密蒸留など
でなければ除去できないという理由によるものである。
なお、本発明において、ホウ素及びリンの含有量は、存
在するホウ素及びリンの化合物を元素状のホウ素及びリ
ンに換算したときの重量濃度であり、金属不純物含有量
は、存在する金属不純物化合物を金属元素に換算したと
きの重量濃度である。
As the tetraalkoxysilane used as a raw material in the present invention, a purified tetraalkoxysilane prepared by a conventionally known method is not used as it is, but is purified so that a specific impurity concentration becomes a certain value or less. Use By a known purification method, for example, a purification method such as a precision distillation method, the contents of boron and phosphorus are each 0.1 pp.
m or less, and it is necessary to use those purified so that the total content of metal impurities is 20 ppm or less. On the other hand, if attention is paid only to conventionally known α-ray decay substances and the concentration is refined to the level of 0.1 ppb, it is insufficient as a silicon raw material for solar cells. This is because the volatility of α-ray decay substances uranium and thorium is extremely low compared to the volatility of tetraalkoxysilane, and can be easily separated, whereas the volatility of boron and phosphorus is close to that of tetraalkoxysilane, 50 ppm in metal silicon which is the raw material of alkoxysilane
This is because boron and phosphorus contained to a certain extent can be removed only by precision distillation or the like.
In the present invention, the content of boron and phosphorus is the weight concentration when the compound of boron and phosphorus present is converted to elemental boron and phosphorus, and the metal impurity content is the amount of the metal impurity compound existing. It is a weight concentration when converted to a metal element.

【0012】本発明において、加水分解反応に使用する
水の量は、理論的にはテトラアルコキシシラン1モルに
対して2モルでよいが、水の添加量が少ないと加水分解
反応に長時間を要し、逆に水の添加量が多いと加水分解
反応は速やかに進行するが、後工程で多量の水を除去し
なければならず、工業的に有利とは言えない。したがっ
て、テトラアルコキシシラン1モルに対して好ましくは
3〜12モルの水を添加するのがよい。
In the present invention, the amount of water used in the hydrolysis reaction may theoretically be 2 mol per 1 mol of tetraalkoxysilane, but if the amount of water added is small, the hydrolysis reaction may take a long time. Conversely, if the amount of water added is large, the hydrolysis reaction proceeds quickly, but a large amount of water must be removed in a subsequent step, which is not industrially advantageous. Therefore, it is preferable to add 3 to 12 mol of water to 1 mol of tetraalkoxysilane.

【0013】また、加水分解反応に使用する水は、高純
度のシリカを得る観点から、その中に熱処理工程で揮発
性物質に分解しない化合物やイオンを含まない、いわゆ
る純水又は超純水が好ましい。このような水を使用する
と、熱処理工程でシリカ中に好ましくない不純物が残留
することがない。
From the viewpoint of obtaining high-purity silica, so-called pure water or ultrapure water containing no compounds or ions that do not decompose into volatile substances in the heat treatment step is used as the water used in the hydrolysis reaction. preferable. When such water is used, undesirable impurities do not remain in the silica during the heat treatment step.

【0014】本発明においては、テトラアルコキシシラ
ンの加水分解を促進するため、触媒を使用することが好
ましい。このような触媒としては、反応後のシリカから
の除去の容易さという観点から、炭酸、塩酸、硝酸等の
無機酸や酢酸等の有機酸や、アンモニアやアミン類等の
有機塩基などを挙げることができる。
In the present invention, it is preferable to use a catalyst in order to promote the hydrolysis of the tetraalkoxysilane. Examples of such a catalyst include inorganic acids such as carbonic acid, hydrochloric acid, and nitric acid, organic acids such as acetic acid, and organic bases such as ammonia and amines from the viewpoint of easy removal from silica after the reaction. Can be.

【0015】また、本発明においては、加水分解反応に
溶媒を全く添加しなくてもよいが、反応を効率的に行わ
せるため、メタノール、エタノール等のアルコール類を
適量添加することが好ましい。なお、加水分解に使用す
る水、触媒、溶媒などは、ホウ素、リン及び金属不純物
を可及的に含まないものを使用する。
In the present invention, no solvent may be added to the hydrolysis reaction, but it is preferable to add an appropriate amount of alcohols such as methanol and ethanol in order to carry out the reaction efficiently. The water, the catalyst, the solvent, and the like used for the hydrolysis are those that contain as little boron, phosphorus and metal impurities as possible.

【0016】テトラアルコキシシランを加水分解する際
の反応温度については、特に制限はないが、通常0℃か
ら加水分解して生成するアルコールの沸点までの温度で
行われる。例えば、大気圧下で加水分解を行う場合、テ
トラアルコキシシランがテトラメトキシシランである場
合は0〜64℃、好ましくは30〜60℃であり、テト
ラアルコキシシランがテトラエトキシシランである場合
は0〜78℃、好ましくは30〜70℃である。
The reaction temperature for hydrolyzing the tetraalkoxysilane is not particularly limited, but is usually from 0 ° C. to the boiling point of the alcohol produced by hydrolysis. For example, when performing hydrolysis under atmospheric pressure, when tetraalkoxysilane is tetramethoxysilane, it is 0 to 64 ° C, preferably 30 to 60 ° C, and when tetraalkoxysilane is tetraethoxysilane, it is 0 to 64 ° C. The temperature is 78 ° C, preferably 30 to 70 ° C.

【0017】さらに、本発明の加水分解反応は、バッチ
式又は連続式のいずれで行ってもよい。反応をバッチ式
で行う場合は、例えば、反応容器にテトラアルコキシシ
ランをそのまま又はアルコール溶液として仕込み、これ
に炭酸ガスを吹き込みながら水を加えてシリカゾルを製
造し、必要に応じて生成したシリカゾルをゲル化して乾
燥する方法などで行うことができる。また、反応を連続
的に行う場合は、例えば、所定のアンモニア水又はその
アルコール溶液とテトラアルコキシシランとを定量ポン
プで反応容器に連続的に送り込み、生成したスラリーを
反応容器から連続的に取り出して濾過し乾燥する方法な
どで行うことができる。この加水分解反応に使用する反
応容器としては、ガラス製のもの、ステンレス鋼製のも
の、テフロン等の樹脂ライニングを施したものなど種々
のものから、適用するシリカの製造条件における反応容
器からの不純物の溶出量などに応じて、適当な材質のも
のを選択することが好ましい。
Further, the hydrolysis reaction of the present invention may be performed either in a batch system or a continuous system. When the reaction is carried out in a batch system, for example, tetraalkoxysilane is charged as it is or as an alcohol solution in a reaction vessel, and water is added while blowing carbon dioxide gas into the reaction vessel to produce a silica sol. And drying. When the reaction is continuously performed, for example, a predetermined ammonia water or an alcohol solution thereof and tetraalkoxysilane are continuously fed into a reaction vessel by a metering pump, and the generated slurry is continuously taken out from the reaction vessel. It can be performed by a method of filtering and drying. The reaction vessel used for this hydrolysis reaction may be any of glass, stainless steel, resin-lined such as Teflon, etc., and impurities from the reaction vessel under the silica production conditions to be applied. It is preferable to select an appropriate material according to the amount of eluted.

【0018】こうして得られるシリカは、水分以外の不
純物の合計量が100ppm以下のレベルであり、これ
を乾燥し、約1000℃以上で焼成することにより、ホ
ウ素及びリンの含有量がそれぞれ0.1ppm、純度が
99.99%以上の高純度シリカを製造することができ
る。
The silica thus obtained has a total content of impurities other than water at a level of 100 ppm or less, and is dried and calcined at about 1000 ° C. or more, so that the contents of boron and phosphorus are each 0.1 ppm. And high-purity silica having a purity of 99.99% or more.

【0019】このようにして製造された高純度シリカか
ら太陽電池用シリコンを製造するには、従来より公知の
還元技術を用いればよく、例えば、高純度シリカを炭素
アーク熱還元法によって粗製シリコンとし、これを凝固
精製等の固体精製法により精製することで、目的の高純
度シリコンを得ることができる。
In order to produce silicon for solar cells from the high-purity silica thus produced, a conventionally known reduction technique may be used. For example, high-purity silica is converted into crude silicon by a carbon arc thermal reduction method. By purifying this by a solid purification method such as coagulation purification, the desired high-purity silicon can be obtained.

【0020】[0020]

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【0021】実施例1 粉末状の金属シリコン(純度:98重量%、粒度:20
〜100μm)とメタノール(純度99.9重量%)を
原料とし、触媒としてナトリウムメチラートを使用し、
金属シリコン/メタノールのモル比:4、触媒/メタノ
ールのモル比:6×10-3の条件で反応させて、粗製テ
トラメトキシシランを合成した。この粗製テトラメトキ
シシランを精密蒸留塔に装入して蒸留精製し、精製テト
ラメトキシシランを得た。精製テトラメトキシシランの
不純物の分析結果を表1に示す。なお、表1中の含有量
の単位はppmである。
Example 1 Metallic silicon powder (purity: 98% by weight, particle size: 20)
-100 μm) and methanol (purity 99.9% by weight) as raw materials, using sodium methylate as a catalyst,
The reaction was carried out under the conditions of a molar ratio of metallic silicon / methanol: 4, and a molar ratio of catalyst / methanol: 6 × 10 -3 to synthesize crude tetramethoxysilane. This crude tetramethoxysilane was charged into a precision distillation column and purified by distillation to obtain purified tetramethoxysilane. Table 1 shows the analysis results of impurities of the purified tetramethoxysilane. The unit of the content in Table 1 is ppm.

【0022】次に、精製テトラメトキシシラン100重
量部とメタノール12重量部を攪拌装置付反応容器に仕
込み、反応容器内を炭酸ガスで飽和状態にに維持できる
速度で炭酸ガスを吹き込みながら、攪拌下に60重量部
の水を装入し、加水分解反応を行った。反応終了後、ゲ
ル化物を200℃で5時間乾燥し、さらに1100℃で
4時間焼成して非晶質の高純度シリカ35重量部を得
た。高純度シリカの不純物の分析結果を表2に示す。な
お、表2中の含有量の単位はppmである。
Next, 100 parts by weight of purified tetramethoxysilane and 12 parts by weight of methanol are charged into a reaction vessel equipped with a stirrer. Was charged with 60 parts by weight of water to carry out a hydrolysis reaction. After completion of the reaction, the gel was dried at 200 ° C. for 5 hours and calcined at 1100 ° C. for 4 hours to obtain 35 parts by weight of amorphous high-purity silica. Table 2 shows the analysis results of impurities of the high-purity silica. In addition, the unit of the content in Table 2 is ppm.

【0023】この高純度シリカを常法により、炭素熱還
元、脱炭、一方向凝固による精製を行うと、ホウ素0.
02ppm、リン0.02ppm、その他の金属不純物
の総計が1ppm以下の太陽電池用シリコンが得られ
る。
When the high-purity silica is purified by carbothermal reduction, decarburization and directional solidification by a conventional method, boron is reduced to 0.1%.
Silicon for solar cells having a total of 02 ppm, phosphorus 0.02 ppm, and other metal impurities of 1 ppm or less can be obtained.

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】[0025]

【表2】 [Table 2]

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、極めて簡単でかつ生産
性の高いプロセスで、太陽電池向けシリコン原料用とし
て非常に好適な低ホウ素、低リン含有量の高純度シリカ
を効率的に製造することができ、これを還元することに
より太陽電池用シリコンを有利に製造することができ
る。
According to the present invention, highly pure silica having a low boron content and a low phosphorus content, which is very suitable as a silicon raw material for solar cells, can be efficiently produced by a very simple and highly productive process. By reducing this, silicon for solar cells can be advantageously produced.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ホウ素及びリンの含有量をそれぞれ0.
1ppm以下、金属不純物含有量の総計を20ppm以
下に制御した精製テトラアルコキシシランを加水分解す
ることにより得られた高純度シリカを還元することを特
徴とする太陽電池用シリコンの製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the contents of boron and phosphorus are each set at 0.1.
A method for producing silicon for solar cells, comprising reducing high-purity silica obtained by hydrolyzing purified tetraalkoxysilane in which the total content of metal impurities is controlled to 1 ppm or less and the total content of metal impurities to 20 ppm or less.
【請求項2】 精製テトラアルコキシシランが粗製テト
ラアルコキシシランを精密蒸留して得られたものである
請求項1記載の太陽電池用シリコンの製造方法。
2. The method for producing silicon for solar cells according to claim 1, wherein the purified tetraalkoxysilane is obtained by precision distillation of crude tetraalkoxysilane.
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