JPH1118270A - Cable connection and terminal sections - Google Patents

Cable connection and terminal sections

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Publication number
JPH1118270A
JPH1118270A JP9165955A JP16595597A JPH1118270A JP H1118270 A JPH1118270 A JP H1118270A JP 9165955 A JP9165955 A JP 9165955A JP 16595597 A JP16595597 A JP 16595597A JP H1118270 A JPH1118270 A JP H1118270A
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JP
Japan
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resin material
polyolefin resin
layer
insulating layer
fatty acid
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Application number
JP9165955A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuki Okamoto
達希 岡本
Tadahiro Hozumi
直裕 穂積
Katsumi Uchida
克己 内田
Masami Inami
正己 稲見
Yasutoshi Hayashi
泰利 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central Research Institute of Electric Power Industry
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Chubu Electric Power Co Inc
SWCC Corp
Original Assignee
Central Research Institute of Electric Power Industry
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Chubu Electric Power Co Inc
Showa Electric Wire and Cable Co
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To compensate for the drop in crosslinking strength between a semiconductor layer and an insulating layer, even in the case that interface diffusion method is used by providing a polyolefin layer made of polyolefin resin material which is higher in the content of crosslinking agents than the insulating layer, between the semiconductor layer and the insulating layer. SOLUTION: There are provided an inner semiconductor layer 6, an insulating layer 7, and an outer semiconductor layer 8 for connection, on the conductor connection which is coupled by a compressive coupling 5 or the like, the exposed parts at the tips of resin-covered cables where the conductors 1 are covered with inner semiconductor layers 2, insulating layers 3, and outer semiconductor layers 4. Then, this is provided with polyolefin reinforcing layers 9, made of a polyolefin resin material higher in the content of crosslinking agents than the insulating layer between the inner semiconductor layer 6 and the insulating layer 7, and between the insulating layer 7 and the outer semiconductor layer 8. As a result even if interface diffusion method is adopted, the degree of crosslinking in the vicinity of the interface between the semiconductor layer and the insulating layer is improved, so that the insulation performance of the cable connection, etc., can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導体接続部周囲上
に半導電層と絶縁層とを被覆した、ポリオレフィン被覆
ケーブル接続部または終端部の構造に係わり、特に半導
電層との界面付近の絶縁材料の密度や結晶性が改善され
たポリオレフィン被覆ケーブル接続部または終端部に係
わる。また本発明は上記のようなケーブル接続部及び終
端部の製造方法にも係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a polyolefin-coated cable connection portion or a terminal portion in which a semiconductive layer and an insulating layer are coated on the periphery of a conductor connection portion, and particularly to a structure near an interface with the semiconductive layer. The present invention relates to a polyolefin-coated cable connection or termination having improved density and crystallinity of an insulating material. The present invention also relates to a method for manufacturing the above-described cable connecting portion and terminal portion.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリオレフィンを絶縁被覆として使用し
た電力用ケーブル、例えばCVケーブルは布設工事や保
守管理が容易であり送電損失も少ないため、高圧用の電
力ケーブルとしても使用され始めている。しかしポリオ
レフィン絶縁被覆ケーブルにおいては大きな経年的絶縁
劣化が見られ、設計電位傾度をOFケーブル等のものよ
り小さくせざるを得ず、それだけ絶縁層の厚みを大きく
しなければならないという問題があった。
2. Description of the Related Art A power cable using a polyolefin as an insulating coating, for example, a CV cable, is easy to lay and maintain, and has a small power transmission loss. Therefore, it has begun to be used as a high-voltage power cable. However, in the case of the polyolefin insulated cable, the insulation deteriorates greatly over time, and the design potential gradient must be smaller than that of the OF cable or the like, and there is a problem that the thickness of the insulating layer must be increased accordingly.

【0003】このようなポリオレフィン絶縁被覆ケーブ
ルの経年的絶縁劣化の問題については、高圧用ポリオレ
フィン絶縁被覆ケーブルは通常、図2に断面で示すよう
に、導体21上に、絶縁体層22に加え、電界緩和、部
分放電防止のために導体側とケーブル外周側に半導電層
23、24を設けた構造を有するところ、ケーブルの経
年的絶縁劣化はこれらの絶縁体層と半導電層との間の界
面不整による電界集中に大きな原因があることが判明し
た。
[0003] Regarding the problem of the deterioration of the insulation of a polyolefin insulated cable over time, a high-pressure polyolefin insulated cable is usually provided on a conductor 21 in addition to an insulator layer 22, as shown in cross section in FIG. It has a structure in which semiconductive layers 23 and 24 are provided on the conductor side and the outer peripheral side of the cable for electric field relaxation and partial discharge prevention. It has been found that there is a major cause for electric field concentration due to interface irregularities.

【0004】これに対し本発明者らの一部は、半導電層
に界面活性剤系高誘電率物質を含有させ、これを被覆材
料の架橋時の加熱により絶縁層側へ拡散させ、半導電層
と絶縁層の界面付近に連続的な誘電率の勾配をもつ電界
緩和用の拡散層を形成し、絶縁劣化を防止することを提
案した(特公平5−32846号、特開平4−5600
9号、以下この方法を「界面拡散法」という)。
On the other hand, some of the present inventors have made a semiconductive layer contain a surfactant-based high-dielectric substance, and diffused it toward the insulating layer side by heating at the time of crosslinking of the coating material, thereby forming a semiconductive layer. It has been proposed that a diffusion layer for electric field relaxation having a continuous dielectric constant gradient is formed near the interface between the layer and the insulating layer to prevent insulation deterioration (Japanese Patent Publication No. 5-32846, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-5600).
No. 9, hereinafter this method is referred to as “interface diffusion method”).

【0005】一方、上記のようなケーブルの接続部及び
終端部は押出モールドジョイント工法(EMJ法)、テ
ープ巻きモールドジョイント工法(TMJ法)等により
形成され、例えば図3に接続部の側面断面図(ケーブル
部分は断面としていない)として示すように、ケーブル
自体と同様に導体接続部分31上に内部半導電層33、
絶縁層32、及び外部半導電層34が順次設けられる。
従って、このようなケーブル接続部についても上記の界
面拡散法を応用して絶縁劣化を防ぐことが考えられる。
On the other hand, the connecting portion and the terminal portion of the cable as described above are formed by an extrusion mold joint method (EMJ method), a tape winding mold joint method (TMJ method), or the like. For example, FIG. As shown in the figure (the cable section is not shown in cross section), an inner semiconductive layer 33
An insulating layer 32 and an external semiconductive layer 34 are sequentially provided.
Therefore, it is conceivable that the above interface diffusion method is applied to such a cable connection portion to prevent insulation deterioration.

【0006】ところが、界面拡散法に用いられる界面活
性剤系高誘電率物質が樹脂材料の架橋を阻害する作用を
有することが判明した。従って、界面拡散法において十
分な界面活性剤系高誘電率物質の添加効果を得、同時に
拡散部分の樹脂の十分な架橋を得て絶縁材料の絶縁性能
の低下を防止するためには界面付近での架橋剤含有量を
通常より高くしなければならない。
However, it has been found that a surfactant-based high dielectric substance used in the interfacial diffusion method has an effect of inhibiting crosslinking of a resin material. Therefore, in order to obtain a sufficient effect of adding a surfactant-based high dielectric substance in the interfacial diffusion method, and at the same time, to obtain a sufficient cross-linking of the resin in the diffusion portion and to prevent the deterioration of the insulating performance of the insulating material, the vicinity of the interface is required. Must have a higher than normal crosslinking agent content.

【0007】ケーブル自体については、半導電層及び絶
縁体層は通常はケーブルの製造時に同時に押し出されて
架橋されるので、例えば半導電層の架橋剤の含有量を高
くすることにより両者の界面付近の架橋度を容易に補償
することができる。
[0007] As for the cable itself, the semiconductive layer and the insulator layer are usually extruded and cross-linked at the same time when the cable is manufactured. Can be easily compensated for.

【0008】しかし上記のようなケーブルの接続部の製
造においては、EMJ工法のように接続現場で上記各層
を積層形成することがあり、工程を簡略化するために予
め成形された材料を各層に使用する場合がある。特に半
導電層については比較的厚さが小さいので、予め成形さ
れたシート等を接続現場で使用して絶縁層と一体化する
方が有利である。
[0008] However, in the manufacture of the above-described cable connection portion, the above-described layers are sometimes laminated and formed at the connection site as in the EMJ method. In order to simplify the process, a pre-formed material is used for each layer. May be used. In particular, since the thickness of the semiconductive layer is relatively small, it is more advantageous to use a preformed sheet or the like at the connection site and integrate it with the insulating layer.

【0009】このような予め成形された半導電層材料
は、通常は熱収縮性を有するシート等として製造される
が、架橋剤を含むものとするとシート等自体の成形時に
架橋が進行してしまい、熱収縮性が得られなかったり絶
縁層と一体化できなくなる等の問題が生じ得るので、架
橋剤を使用せず、電子線等で必要量だけ架橋することに
より製造されている。
Such a preformed semiconductive layer material is usually manufactured as a heat-shrinkable sheet or the like, but if it contains a cross-linking agent, the cross-linking proceeds during the formation of the sheet or the like itself. Since a problem such as inability to obtain heat shrinkage or inability to integrate with an insulating layer may occur, it is manufactured by cross-linking a required amount with an electron beam or the like without using a cross-linking agent.

【0010】ところがこのような架橋剤を含まない半導
電層材料では、上記の界面拡散法を使用した場合の界面
付近の架橋の低下を補償することができず、ケーブル自
体の絶縁性能が低下することになり、界面拡散法の利点
を生かすことができない。これに対して絶縁層材料の架
橋剤を増加させることも考えられるが、絶縁層材料の架
橋剤を増加すると絶縁体層の架橋が過度に早く進むこと
により接続現場での押出が困難になり、製造工程に支障
をきたす可能性がある。また過度の架橋は絶縁層自体の
特性としても好ましくない。
However, such a semiconductive layer material containing no cross-linking agent cannot compensate for a decrease in cross-linking near the interface when the above-mentioned interface diffusion method is used, and the insulation performance of the cable itself deteriorates. As a result, the advantages of the interface diffusion method cannot be utilized. On the other hand, it is conceivable to increase the cross-linking agent of the insulating layer material.However, if the cross-linking agent of the insulating layer material is increased, the cross-linking of the insulator layer proceeds excessively quickly, which makes it difficult to extrude at the connection site. It may interfere with the manufacturing process. Excessive cross-linking is also undesirable as a characteristic of the insulating layer itself.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、上記
のようなポリオレフィン被覆ケーブルの接続部または終
端部において絶縁劣化を防ぐために界面拡散法を使用し
た場合にも半導電層と絶縁層との界面付近における架橋
の阻害を補償できるケーブルの接続部または終端部の構
造及びその製造方法を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention is directed to a method of forming a connection between a semiconductive layer and an insulating layer even when an interfacial diffusion method is used to prevent insulation deterioration at a connection portion or a termination portion of a polyolefin-coated cable as described above. It is an object of the present invention to provide a structure of a connection portion or a terminal portion of a cable which can compensate for inhibition of cross-linking near an interface, and a method of manufacturing the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らの研究の結
果、上記のような導体接続部周囲上に界面拡散法により
界面活性剤系高誘電率物質を含有するポリオレフィン樹
脂材料から形成された半導電層とポリオレフィン樹脂材
料から形成された絶縁層とを被覆したケーブル接続部ま
たは終端部において、半導電層と絶縁層との間に絶縁層
を形成するポリオレフィン樹脂材料よりも架橋剤含有量
が高いポリオレフィン樹脂材料から形成されたポリオレ
フィン層を設けることにより、界面拡散法を使用した場
合でも半導電層と絶縁層との間の界面付近の架橋度の低
下を補償することができ、界面付近の樹脂材料の密度や
結晶性を改善し得ることが判明した。
As a result of the research conducted by the present inventors, a polyolefin resin material containing a surfactant-based high dielectric substance was formed on the periphery of the above-mentioned conductor connection portion by an interfacial diffusion method. At the cable connection portion or the terminal portion coated with the semiconductive layer and the insulating layer formed of the polyolefin resin material, the crosslinker content is lower than that of the polyolefin resin material forming the insulating layer between the semiconductive layer and the insulating layer. By providing a polyolefin layer formed from a high polyolefin resin material, it is possible to compensate for a decrease in the degree of cross-linking near the interface between the semiconductive layer and the insulating layer even when using the interface diffusion method. It has been found that the density and crystallinity of the resin material can be improved.

【0013】従って本発明は、導体周囲上に界面活性剤
系高誘電率物質を含有するポリオレフィン樹脂材料から
形成された半導電層とポリオレフィン樹脂材料から形成
された絶縁層とを被覆したケーブル接続部または終端部
において、半導電層と絶縁層との間に絶縁層を形成する
ポリオレフィン樹脂材料よりも架橋剤含有量が高いポリ
オレフィン樹脂材料から形成されたポリオレフィン補強
層を設けたことを特徴とするケーブル接続部または終端
部を提供する。
Accordingly, the present invention provides a cable connection portion in which a semiconductive layer formed of a polyolefin resin material containing a surfactant-based high dielectric substance and an insulating layer formed of a polyolefin resin material are coated on a conductor periphery. Or a cable provided with a polyolefin reinforcing layer formed of a polyolefin resin material having a higher crosslinking agent content than the polyolefin resin material forming the insulating layer between the semiconductive layer and the insulating layer at the terminal end. Provide connections or terminations.

【0014】また本発明のケーブル接続部または終端部
の好ましい態様によれば、半導電層が架橋剤を含まない
ポリオレフィン樹脂材料から形成されたものであること
を特徴とする上記ケーブル接続部または終端部;補強層
が、外部半導電層と絶縁層との間に設けられていること
を特徴とする上記ケーブル接続部または終端部;ポリオ
レフィン補強層を形成するポリオレフィン樹脂材料の架
橋剤の含有量が、ポリオレフィン樹脂材料100重量部
に対して0.5〜5重量部であることを特徴とする上記
ケーブル接続部または終端部;ポリオレフィン補強層を
形成するポリオレフィン樹脂材料の架橋剤の量が、絶縁
層を形成するポリオレフィン樹脂材料の架橋剤量に対し
て、樹脂材料100重量部に対する量で表して0.05
〜4.0重量部多いことを特徴とする上記ケーブル接続
部または終端部;界面活性剤系高誘電率物質が、200
〜20000程度の分子量をする、ソルビタン脂肪酸エ
ステル、グリセリン脂肪酸エステル、デカグリセリン脂
肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、プロピ
レングリコール・ペンタエリストール脂肪酸エステル、
ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオ
キシエチレンソルビット脂肪酸エステル、ポリオキシレ
ングリセンリン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコー
ル脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、ポリオキシエチレンフィストステロール・フィトス
タノール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンア
ルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン・
脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルフェニルホ
ルムアルデヒド縮合物、単一鎖長ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル、及びスチレンマイル酸共重合物誘導体
から選択されることを特徴とする上記ケーブル接続部ま
たは終端部;及び、界面活性剤系高誘電率物質の量が、
半導電層を形成するポリオレフィン樹脂材料100重量
部に対して0.1〜30重量部であることを特徴とする
上記ケーブル接続部または終端部が提供される。
According to a preferred embodiment of the cable connecting portion or terminal end of the present invention, the semiconductive layer is formed of a polyolefin resin material containing no crosslinking agent. Part; the reinforcing layer is provided between the outer semiconductive layer and the insulating layer; the cable connection part or the terminal part; wherein the content of the crosslinking agent of the polyolefin resin material forming the polyolefin reinforcing layer is Wherein the amount of the crosslinking agent is from 0.5 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyolefin resin material; In terms of 100 parts by weight of the resin material with respect to the amount of the crosslinking agent of the polyolefin resin material forming
The high-dielectric substance having a surfactant content of 200 to 4.0 parts by weight;
Sorbitan fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, decaglycerin fatty acid ester, polyglycerin fatty acid ester, propylene glycol / pentaerythritol fatty acid ester having a molecular weight of about 20,000 or less,
Polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbite fatty acid ester, polyoxylenglycerin fatty acid ester, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene fistosterol phytostanol, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, Polyoxyethylene alkylamine
The above cable connection or terminal part selected from a fatty acid amide, a polyoxyethylene alkylphenyl formaldehyde condensate, a single chain polyoxyethylene alkyl ether, and a styrene-maleic acid copolymer derivative; and an interface The amount of the activator-based high dielectric substance is
The above cable connection portion or terminal portion is provided in an amount of 0.1 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyolefin resin material forming the semiconductive layer.

【0015】本発明はさらに、上記の本発明のケーブル
接続部または終端部の製造方法であって、導体周囲上に
半導電層を形成するポリオレフィン樹脂材料と絶縁層を
形成するポリオレフィン樹脂材料とを被覆して架橋する
際に、半導電層材料と絶縁層材料との間に絶縁層を形成
するポリオレフィン樹脂よりも架橋剤含有量が高いポリ
オレフィン樹脂材料を介在させることを特徴とする前記
ケーブル接続部または終端部の製造方法を提供する。
The present invention further relates to the above-mentioned method for producing a cable connecting portion or terminal portion according to the present invention, wherein the polyolefin resin material forming a semiconductive layer and the polyolefin resin material forming an insulating layer on the periphery of a conductor are provided. The cable connecting portion, wherein when covering and crosslinking, a polyolefin resin material having a higher crosslinking agent content than a polyolefin resin forming an insulating layer is interposed between the semiconductive layer material and the insulating layer material. Alternatively, a method for manufacturing the terminal portion is provided.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下本発明について詳細に説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.

【0017】本発明のケーブル接続部及び終端部は、例
えば図1に接続部の断面(ケーブル部分は断面としてい
ない)を示すように、導体1上に内部半導電層2、絶縁
層3及び外部半導電層4を被覆した樹脂被覆ケーブルの
先端の導体露出部分を圧縮接合子(導体スリ−ブ)5等
により結合した導体接続部上に接続部の内部半導電層
6、絶縁層7及び外部半導電層8が設けられており、内
部半導電層6と絶縁層7との間、及び絶縁層7と外部半
導電層8との間に、絶縁層よりも架橋剤含有量が高いポ
リオレフィン樹脂材料から形成されたポリオレフィン補
強層9が設けられた構造を有している。
The cable connecting portion and the terminal portion of the present invention are formed on a conductor 1 by an internal semiconductive layer 2, an insulating layer 3 and an external portion, as shown in FIG. The semiconductive layer 4 is coated on the conductor connecting portion where the exposed conductor at the end of the resin-coated cable is joined by a compression joint (conductor sleeve) 5 or the like. A polyolefin resin provided with a semiconductive layer 8 and having a higher crosslinking agent content than the insulating layer between the inner semiconductive layer 6 and the insulating layer 7 and between the insulating layer 7 and the outer semiconductive layer 8 It has a structure in which a polyolefin reinforcing layer 9 made of a material is provided.

【0018】図1に示した接続部においては、内部半導
電層5と絶縁層6との間、及び絶縁層6と外部半導電層
7との間の両方にポリオレフィン補強層8が設けられて
いるが、いずれか一方の半導電層と絶縁層との間にポリ
オレフィン補強層に設けられていてもよい。予め成形さ
れたポリオレフィン樹脂半導電層材料は外部半導電層と
して使用されることが多いので、絶縁層6と外部半導電
層7との間にポリオレフィン補強層8を設けることが好
ましい。
In the connection shown in FIG. 1, a polyolefin reinforcing layer 8 is provided both between the inner semiconductive layer 5 and the insulating layer 6 and between the insulating layer 6 and the outer semiconductive layer 7. However, a polyolefin reinforcing layer may be provided between any one of the semiconductive layer and the insulating layer. Since a preformed polyolefin resin semiconductive layer material is often used as an external semiconductive layer, it is preferable to provide a polyolefin reinforcing layer 8 between the insulating layer 6 and the external semiconductive layer 7.

【0019】半導電層、絶縁層及びポリオレフィン補強
層の製造に用いられるベースポリマーは通常のポリレフ
ィン樹脂被覆ケーブル及びその接続部に用いられている
ポリオレフィンでよく、好ましくは例えばポリエチレン
であり、あるいはエチレンとこれと共重合可能なモノマ
ーからなるエチレンコポリマーを含んでもよい。エチレ
ンコポリマーとしては、エチレン/ビニルアセテートコ
ポリマー、エチレン/エチルアクリレートコポリマー等
が挙げられる。
The base polymer used for the production of the semiconductive layer, the insulating layer and the polyolefin reinforcing layer may be a polyolefin used for ordinary polyolefin resin-coated cables and their connection parts, and is preferably, for example, polyethylene or ethylene and An ethylene copolymer composed of a monomer copolymerizable therewith may be included. Examples of the ethylene copolymer include an ethylene / vinyl acetate copolymer and an ethylene / ethyl acrylate copolymer.

【0020】ポリエチレンの場合、分子量は一般には数
万から数十万であり、好ましくは5万〜20万、特に好
ましくは7〜8万程度である。エチレンコポリマーの分
子量は一般には数万から数十万であり、好ましくは5万
〜10万程度である。ポリエチレンにエチレンコポリマ
ーを含有させる場合のエチレンコポリマーの量は通常は
樹脂全体の10〜40重量%程度である。またエチレン
コポリマー中のエチレン以外のモノマーに由来する部分
の量は一般には20〜50重量%、好ましくは25〜4
0重量%程度である。
In the case of polyethylene, the molecular weight is generally tens of thousands to hundreds of thousands, preferably 50,000 to 200,000, and particularly preferably about 70 to 80,000. The molecular weight of the ethylene copolymer is generally tens of thousands to hundreds of thousands, and preferably about 50,000 to 100,000. When the ethylene copolymer is contained in the polyethylene, the amount of the ethylene copolymer is usually about 10 to 40% by weight of the whole resin. The amount of a portion derived from a monomer other than ethylene in the ethylene copolymer is generally 20 to 50% by weight, preferably 25 to 4% by weight.
It is about 0% by weight.

【0021】これらのポリオレフィン樹脂は予め、ある
いはケーブル接続部の製造時に架橋され、各層を形成す
る。
These polyolefin resins are crosslinked in advance or at the time of manufacturing the cable connecting portion to form each layer.

【0022】絶縁層及びポリオレフィン補強層は、通常
使用される架橋剤により架橋され、好ましくは過酸化物
架橋剤が使用される。過酸化物の例としてはベンジルパ
ーキサイド、1,1−ビス−t−ブチルパーオキシ−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス
(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、n−ブチル
−4,4−ビス−t−ブチルパーオキサイド、ジクミル
パーオキサイド、t−ブチルパーオキシベンゾエート、
ジ−t−ブチルパーオキサイド、ジ(t−ブチルパーオ
キシ)−m−ジイソプロピルベンゼン、2,5−ジメチ
ル−2,5−ジ(t−ブチル)パーオキシベンゼン、t
−ブチルパーオキシクメン等を挙げることができ、ジク
ミルパーオキサイドが特に好ましい。これらの有機過酸
化物は単独であるいは2種以上組み合わせて使用するこ
とができる。
The insulating layer and the polyolefin reinforcing layer are crosslinked by a commonly used crosslinking agent, and preferably a peroxide crosslinking agent is used. Examples of peroxides include benzyl peroxide, 1,1-bis-t-butylperoxy-
3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, n-butyl-4,4-bis-t-butyl peroxide, dicumyl peroxide, t-butyl peroxy Benzoate,
Di-t-butyl peroxide, di (t-butylperoxy) -m-diisopropylbenzene, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butyl) peroxybenzene, t
-Butylperoxycumene and the like, and dicumyl peroxide is particularly preferred. These organic peroxides can be used alone or in combination of two or more.

【0023】架橋剤の量は、絶縁層についてはこれまで
のケーブル接続部の絶縁層を形成するポリオレフィン材
料に使用されていたものと同様な量でよく、材料の種類
によっても変化するが、ポリオレフィン樹脂100重量
部あたり一般的には0.2〜5.0重量部程度の量で使
用される。ポリオレフィン補強層についても、一般的に
は半導電層を形成するポリオレフィン樹脂の100重量
部あたり一般的には0.2〜5重量部程度の量で使用さ
れるが、上記のように半導電層と絶縁層との界面付近の
架橋度の低下を補償するため、絶縁層よりも高い架橋剤
の含有量を有するものとする。ポリオレフィン補強層を
形成するポリオレフィン材料の架橋剤の量は、上記のよ
うな絶縁層の架橋剤量に対して、樹脂材料100重量部
に対する量で表して好ましくは0.05〜4.0重量部
程度多いものとする。絶縁層を形成するポリオレフィン
樹脂材料との架橋剤の量の差が0.05重量部未満であ
ると架橋度補償の効果が十分でなく、4.0重量部を越
えると補強層部分の架橋が過度になる。
The amount of the cross-linking agent may be the same as that used in the polyolefin material used for forming the insulating layer of the cable connection portion in the past, and varies depending on the type of the material. It is generally used in an amount of about 0.2 to 5.0 parts by weight per 100 parts by weight of the resin. The polyolefin reinforcing layer is also generally used in an amount of about 0.2 to 5 parts by weight per 100 parts by weight of the polyolefin resin forming the semiconductive layer. In order to compensate for a decrease in the degree of crosslinking near the interface between the insulating layer and the insulating layer, the insulating layer has a higher crosslinking agent content than the insulating layer. The amount of the cross-linking agent of the polyolefin material forming the polyolefin reinforcing layer is preferably 0.05 to 4.0 parts by weight in terms of 100 parts by weight of the resin material with respect to the amount of the cross-linking agent of the insulating layer as described above. It is assumed that there are many. If the difference in the amount of the crosslinking agent with the polyolefin resin material forming the insulating layer is less than 0.05 parts by weight, the effect of compensating the degree of crosslinking is not sufficient. Become excessive.

【0024】補強層部分のポリオレフィンの架橋度は、
接続部等の製造後に絶縁層の架橋度とほぼ等しくなるよ
うにすることが好ましい。
The degree of crosslinking of the polyolefin in the reinforcing layer portion is as follows:
It is preferable that the degree of cross-linking of the insulating layer be substantially equal to the degree of cross-linking after the production of the connection portion and the like.

【0025】また、絶縁層及びポリオレフィン補強層を
形成するポリオレフィン樹脂材料には通常使用される架
橋助剤を用いてもよく、例えばトリアリルイソシアヌレ
ート(TAIC)、トリメチロールプロパントリメタレ
ート(TMM)等の不飽和化合物を使用することができ
る。
The polyolefin resin material forming the insulating layer and the polyolefin reinforcing layer may use a commonly used crosslinking aid, such as triallyl isocyanurate (TAIC) or trimethylolpropane trimetalate (TMM). And the like.

【0026】半導電層を形成するポリオレフィン樹脂材
料は架橋剤を含むことを妨げられるものではないが、上
記のように本発明は半導電層の架橋剤により界面付近の
架橋度を補償できない場合に界面付近の架橋度を補償す
ることを目的とするものであるから、本発明の好ましい
態様においては半導電層は架橋剤を含まないものであ
る。
The polyolefin resin material forming the semiconductive layer is not hindered from containing a cross-linking agent, but as described above, the present invention relates to the case where the cross-linking degree near the interface cannot be compensated for by the cross-linking agent of the semi-conductive layer. Since the purpose is to compensate for the degree of crosslinking near the interface, in a preferred embodiment of the present invention, the semiconductive layer does not contain a crosslinking agent.

【0027】半導電層及び絶縁層の厚さは従来のケーブ
ル接続部に用いられているものでよい。ケーブルの仕様
電圧にもよるが、通常は半導電層は0.5〜2mm程
度、絶縁層は10〜30mm程度の厚さを有する。
The thicknesses of the semiconductive layer and the insulating layer may be those used in conventional cable connection parts. Although it depends on the specification voltage of the cable, the semiconductive layer usually has a thickness of about 0.5 to 2 mm, and the insulating layer has a thickness of about 10 to 30 mm.

【0028】上記のような厚さを有する半導電層は電子
線照射等により架橋剤なしに架橋して容易に形成でき、
上記のようなケーブル接続部に好ましく使用される。本
発明においてはこのような架橋剤を含まない半導電層を
使用した場合にも前記架橋剤含量の高いポリオレフィン
樹脂材料から形成されたポリオレフィン補強層の存在に
より半導電層と絶縁層との間の界面付近の架橋度の低下
が補償される。
The semiconductive layer having the above-mentioned thickness can be easily formed by crosslinking without a crosslinking agent by electron beam irradiation or the like.
It is preferably used for the above cable connection part. In the present invention, even when such a semiconductive layer containing no cross-linking agent is used, the presence of the polyolefin reinforcing layer formed from the polyolefin resin material having a high cross-linking agent content causes the presence of a semi-conductive layer and an insulating layer. A decrease in the degree of crosslinking near the interface is compensated.

【0029】ポリオレフィン補強層の厚さは、好ましく
は0.1〜2mm程度とする。ポリオレフィン補強層が
上記のような架橋剤含有量を有し、このような範囲の厚
さを有することにより半導電層と絶縁層との間の界面付
近の架橋度の低下が補償される。
The thickness of the polyolefin reinforcing layer is preferably about 0.1 to 2 mm. When the polyolefin reinforcing layer has the cross-linking agent content as described above and has a thickness in such a range, a decrease in the degree of cross-linking near the interface between the semiconductive layer and the insulating layer is compensated.

【0030】上記のような厚さのポリオレフィン補強層
及び半導電層用樹脂材料はベースポリマー中に必要な成
分を混合し、シート、テープ等として予め成形してお
き、それをケーブル接続現場において使用することが好
ましい。
The resin material for the polyolefin reinforcing layer and the semiconductive layer having the above-mentioned thickness is prepared by mixing necessary components in a base polymer and molding in advance as a sheet, a tape or the like, and using it at a cable connection site. Is preferred.

【0031】半導電層に導電性を与える導電物質も従来
使用されているものでよく、通常はカーボンブラックが
使用される。カーボンブラックの種類も従来から導電剤
として使用されているものでよい。導電物質の量は、ベ
ースポリマー100重量部に対して50〜200重量部
程度である。導電物質の量が50重量部未満では導電特
性が十分でなく、200重量部を越えると半導電層の機
械的特性が著しく低下する。
The conductive material for imparting conductivity to the semiconductive layer may also be those conventionally used, and usually carbon black is used. The type of carbon black may be one conventionally used as a conductive agent. The amount of the conductive material is about 50 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer. When the amount of the conductive substance is less than 50 parts by weight, the conductive properties are not sufficient, and when the amount exceeds 200 parts by weight, the mechanical properties of the semiconductive layer are significantly reduced.

【0032】さらに半導電層を形成するポリオレフィン
樹脂材料には上記の界面拡散法による電界緩和効果を得
るために、界面活性剤系高誘電率物質を添加する。界面
活性剤系高誘電率物質は好ましくは200〜20000
程度の分子量を有し、熱拡散性を有するものであり、例
えばソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エス
テル、デカグリセリン脂肪酸エステル、ポリグリセリン
脂肪酸エステル、プロピレングリコール・ペンタエリス
トール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン
脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビット脂肪酸
エステル、ポリオキシレングリセンリン脂肪酸エステ
ル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンフィ
ストステロール・フィトスタノール、ポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシ
エチレンアルキルアミン・脂肪酸アミド、ポリオキシエ
チレンアルキルフェニルホルムアルデヒド縮合物、単一
鎖長ポリオキシエチレンアルキルエーテル、スチレンマ
イル酸共重合物誘導体等が挙げられる。
Further, a surfactant-based high dielectric substance is added to the polyolefin resin material forming the semiconductive layer in order to obtain an electric field relaxation effect by the above-mentioned interface diffusion method. The surfactant-based high dielectric constant material is preferably 200 to 20,000.
About sorbitan fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, decaglycerin fatty acid ester, polyglycerin fatty acid ester, propylene glycol pentaerythritol fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester , Polyoxyethylene sorbite fatty acid ester, polyoxylen glycerin fatty acid ester, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene fistosterol phytostanol, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylamine. Fatty acid amide, polyoxyethylene alkylphenyl formaldehyde condensate, single chain polyoxyethylene Down alkyl ether, styrene Miles acid copolymer derivatives.

【0033】これらの界面活性剤系高誘電率物質は1種
でまたは2種以上の混合物として使用することができ、
半導電層形成材料100重量部に対して0.1〜30重
量部程度添加する。添加量が0.1重量部未満であると
絶縁材料の密度あるいは結晶性を高める効果が低下す
る。また添加量が30重量部以上になると半導電層とポ
リオレフィン補強層間の密着性が悪化する。これは添加
される界面活性剤系物質の界面活性作用が強くなって半
導電層と絶縁層間の結合を弱めることによるものと考え
られる。
These surfactant-based high dielectric substances can be used alone or as a mixture of two or more kinds.
About 0.1 to 30 parts by weight is added to 100 parts by weight of the semiconductive layer forming material. If the addition amount is less than 0.1 part by weight, the effect of increasing the density or crystallinity of the insulating material is reduced. If the amount is more than 30 parts by weight, the adhesion between the semiconductive layer and the polyolefin reinforcing layer deteriorates. This is considered to be due to the fact that the surfactant-based substance added has an increased surface activity and weakens the bond between the semiconductive layer and the insulating layer.

【0034】本発明のケーブル接続部に使用される樹脂
材料には、所望により、本発明の目的とする効果を阻害
しない範囲で、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、
酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化珪素、マイカ、ク
レー等の無機充填剤、ステアリン酸、オレイン酸等の脂
肪酸またはその金属塩等の可塑剤、加工助剤、鉱物油、
ワックス、パラフィン類等の軟化剤、エステル、アミド
類等の老化防止剤、架橋促進剤、着色剤、酸化防止剤、
紫外線吸収剤、滑剤、安定剤等のその他の添加剤を添加
してもよい。
The resin material used for the cable connecting portion of the present invention may include, if desired, magnesium oxide, aluminum oxide, and the like within a range not to impair the object effect of the present invention.
Inorganic fillers such as zirconium oxide, titanium oxide, silicon carbide, mica, clay, etc., plasticizers such as fatty acids such as stearic acid and oleic acid or metal salts thereof, processing aids, mineral oils,
Waxes, softeners such as paraffins, anti-aging agents such as esters and amides, crosslinking accelerators, coloring agents, antioxidants,
Other additives such as an ultraviolet absorber, a lubricant, and a stabilizer may be added.

【0035】本発明のケーブル接続部あるいは終端部の
製造方法は、導体周囲上に半導電層を形成するポリオレ
フィン樹脂材料と絶縁層を形成するポリオレフィン樹脂
材料とを被覆して架橋する際に、半導電層材料と絶縁層
材料との間に絶縁層を形成するポリオレフィン樹脂より
も架橋剤含有量が高いポリオレフィン樹脂材料を介在さ
せることを特徴とし、それ以外は従来のケーブル接続部
あるいは終端部の製造と同様に行うことができる。
The method for manufacturing a cable connecting portion or a terminal portion according to the present invention is characterized in that a polyolefin resin material forming a semiconductive layer and a polyolefin resin material forming an insulating layer are covered and crosslinked on the periphery of a conductor. It is characterized by interposing a polyolefin resin material having a higher cross-linking agent content than the polyolefin resin forming the insulating layer between the conductive layer material and the insulating layer material. Can be performed in the same manner.

【0036】本発明のケーブル接続部あるいは終端部
は、例えばTMJ工法により以下のようにして製造する
ことができる。まずケーブルを整直させ、切断して導体
を露出させる。導体露出部分を導体スリーブにより結合
し、その上に例えば半導電層用の樹脂組成物からなるシ
ート等を被覆することにより内導処理し、さらにその上
に例えばポリオレフィン補強層用の樹脂材料からなるテ
ープを巻く。そしてその上に絶縁層を形成する樹脂材料
からなるテープを巻き、さらにポリオレフィン補強層用
の樹脂材料からなるテープを巻く。さらにその上に例え
ば半導電層用の樹脂材料からなシート等を巻くことによ
り外導処理する。そして全体を加熱加圧することにより
架橋して全体を一体化させる。架橋温度は各層の厚さ、
材料等にもよるが、通常は150〜200℃程度の温度
で、約5〜15時間程度行う。その後従来の接続部の製
造と同様にして外部遮蔽処理する。
The cable connecting portion or terminal portion of the present invention can be manufactured by, for example, the TMJ method as follows. First, the cable is straightened and cut to expose the conductor. The exposed portion of the conductor is connected by a conductor sleeve, and the inner conductor is treated by coating a sheet or the like made of a resin composition for a semiconductive layer, for example, and further made of a resin material for a polyolefin reinforcing layer, for example. Wrap the tape. Then, a tape made of a resin material for forming an insulating layer is wound thereon, and further a tape made of a resin material for a polyolefin reinforcing layer is wound. Further, for example, a sheet or the like made of a resin material for a semiconductive layer is wound thereon to perform an external conduction process. Then, the whole is heated and pressurized to be crosslinked to integrate the whole. The crosslinking temperature depends on the thickness of each layer,
Although it depends on materials and the like, it is usually performed at a temperature of about 150 to 200 ° C. for about 5 to 15 hours. Thereafter, an external shielding process is performed in the same manner as in the manufacture of a conventional connection portion.

【0037】上記では本発明のケーブル接続部の製造方
法をTMJ工法について説明したが、EMJ工法等も使
用できる。また上記では、本発明のケーブル接続部を示
す図面を参照して説明したが、本発明の構成はケーブル
終端部、例えばガス中終端部(EB−G)や気中終端部
(EB−A)等にもそのまま適用できる。
In the above, the method of manufacturing the cable connection portion of the present invention has been described for the TMJ method, but the EMJ method or the like can also be used. Although the above description has been made with reference to the drawings showing the cable connecting portion of the present invention, the configuration of the present invention is applied to a cable terminal portion, for example, a gas terminal portion (EB-G) or an air terminal portion (EB-A). Etc. can be applied as it is.

【0038】[0038]

【実施例】ポリエチレン樹脂(架橋ポリエチレンHFD
J4201、日本ユニカ)100重量部に対し、導電剤
としてのカーボンブラック(カーボンブラックを含むポ
リエチレン、超高圧セミコンポリエチレン [日本ユニ
カ] 中のものとして導入)1重量部、界面活性剤系高誘
電率物質(ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪
酸エステル)2重量部を添加し、厚さ1.0mmのシー
ト状に成形し、電子線架橋したものを半導電層を形成す
る材料として使用し、ポリエチレン樹脂(HFDJ42
01、日本ユニカ)100重量部に対し、架橋剤(ジク
ミルパーオキサイド)2重量部を添加し、厚さ1.0m
m、幅25mmのテープ状に成形したものを絶縁層を形
成する材料として使用した。
[Example] Polyethylene resin (cross-linked polyethylene HFD)
J4201, Nippon Yunika) 1 part by weight of carbon black as a conductive agent (polyethylene containing carbon black, ultra-high pressure semicon polyethylene [introduced in Nippon Yunika]) per 100 parts by weight of a surfactant-based high dielectric substance (Sorbitan fatty acid ester, glycerin fatty acid ester) 2 parts by weight were added, formed into a sheet having a thickness of 1.0 mm, and electron beam crosslinked was used as a material for forming a semiconductive layer, and polyethylene resin (HFDJ42) was used.
01, Nippon Yunika) 2 parts by weight of a crosslinking agent (dicumyl peroxide) were added to 100 parts by weight, and the thickness was 1.0 m
A tape-shaped product having a width of 25 mm and a width of 25 mm was used as a material for forming an insulating layer.

【0039】また、ポリエチレン樹脂(HFDJ420
1、日本ユニカ)100重量部に対し、架橋剤(ジクミ
ルパーオキサイド)3重量部を添加し、厚さ0.2m
m、幅25mmのテープ状に成形したものを補強層を形
成する材料として使用した。
Further, a polyethylene resin (HFDJ420)
1, 100 parts by weight of Nihon Unica), 3 parts by weight of a crosslinking agent (dicumyl peroxide) was added, and the thickness was 0.2 m.
A tape-shaped material having a width of 25 mm and a width of 25 mm was used as a material for forming a reinforcing layer.

【0040】導体径22mm、絶縁厚さ3.7mmの
6.6kVCVケーブルを使用して実験用ケーブル接続
部を製造した。この実験用ケーブル接続部は、接続部の
露出された導体の長さ20mm、接続部の絶縁層の長さ
(最長部)440mmとして図1に示すものと同様な構
造とした。この導体上に上記の各層材料を積層し、内部
半導電層(厚さ1.0mm)、補強層(厚さ0.5m
m)、絶縁層(厚さ3.7mm)、補強層(厚さ0.5
mm)及び外部半導電層(厚さ1.0mm)を順次設け
た。この接続部を約200℃に2時間加熱することによ
り架橋一体化させ、本発明の実験用ケーブル接続部を得
た。
An experimental cable connector was manufactured using a 6.6 kVCV cable having a conductor diameter of 22 mm and an insulation thickness of 3.7 mm. This experimental cable connection portion had the same structure as that shown in FIG. 1 except that the length of the exposed conductor of the connection portion was 20 mm and the length (longest portion) of the insulating layer of the connection portion was 440 mm. Each of the above layer materials is laminated on this conductor, and an inner semiconductive layer (thickness 1.0 mm), a reinforcing layer (thickness 0.5 m)
m), an insulating layer (thickness of 3.7 mm), a reinforcing layer (thickness of 0.5 mm)
mm) and an external semiconductive layer (thickness: 1.0 mm). The connection was heated at about 200 ° C. for 2 hours to form a cross-linking unit, thereby obtaining an experimental cable connection of the present invention.

【0041】また比較例として、補強層を設けなかった
以外は上記と同様にして実験用ケーブル接続部を製造し
た(内部半導電層厚さ1.0mm、絶縁層厚さ3.7m
m、外部半導電層厚さ1.0mm)。
As a comparative example, an experimental cable connection was manufactured in the same manner as described above except that the reinforcing layer was not provided (inner semiconductive layer thickness: 1.0 mm, insulating layer thickness: 3.7 m).
m, outer semiconductive layer thickness 1.0 mm).

【0042】上記の本発明のケーブル接続部と比較用の
ケーブル接続部について、初期課電電圧20kV(A
C)を10分間課電後、20kV/10分のステップで
100kVまで課電し、100kVで10分間耐圧した
後、さらに10kV/10分のステップで絶縁が破壊す
るまで課電を行い、AC破壊試験を行った。
The initial connection voltage of 20 kV (A) was applied to the cable connection of the present invention and the cable connection for comparison.
C) is applied for 10 minutes, then the voltage is applied up to 100 kV in steps of 20 kV / 10 minutes, and after a breakdown voltage of 100 kV for 10 minutes, the voltage is further applied in steps of 10 kV / 10 minutes until the insulation is broken down, and AC breakdown occurs. The test was performed.

【0043】その結果、本発明のケーブル接続部の平均
破壊電圧は250kVであり、比較例のケーブル接続部
の平均破壊電圧は150kVであった。この本発明のケ
ーブル接続部の平均破壊電圧の改善は、補強層により半
導電層及び絶縁層の間の界面付近の架橋度が比較例のも
のに比べて改善されていることによるものと考えられ
る。
As a result, the average breakdown voltage of the cable connection portion of the present invention was 250 kV, and the average breakdown voltage of the cable connection portion of the comparative example was 150 kV. The improvement in the average breakdown voltage of the cable connection portion of the present invention is considered to be due to the fact that the degree of crosslinking near the interface between the semiconductive layer and the insulating layer is improved by the reinforcing layer as compared with the comparative example. .

【0044】また、加速劣化試験法である熱重量減少法
(TG法)による界面活性剤系高誘電率物質の逸散速度
の温度依存性の評価実験によれば、常温において30年程
度電界緩和効果を保持できることが判った。
According to an experiment for evaluating the temperature dependence of the escape rate of a surfactant-based high dielectric substance by a thermogravimetric reduction method (TG method), which is an accelerated deterioration test method, it was found that the electric field relaxation at room temperature was about 30 years. It was found that the effect could be maintained.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明のケーブル接続部等によれば、上
記界面拡散法を採用してもポリオレフィン樹脂補強層の
存在により半導電層と絶縁層との界面付近の架橋度が改
善されることにより、ケーブル接続部等の絶縁性能が向
上する。同時に、上記界面拡散法を採用したことにより
長期間に亘って安定に絶縁性能向上効果を発揮すること
ができる。即ち、ケーブル接続部等の絶縁性能を低下さ
せることなく界面拡散法の効果を得ることができる。
According to the cable connecting portion and the like of the present invention, the degree of crosslinking near the interface between the semiconductive layer and the insulating layer is improved by the presence of the polyolefin resin reinforcing layer even when the above interface diffusion method is employed. Thereby, the insulation performance of the cable connection portion and the like is improved. At the same time, by adopting the interface diffusion method, the effect of improving the insulating performance can be stably exhibited over a long period of time. That is, the effect of the interface diffusion method can be obtained without deteriorating the insulation performance of the cable connection portion and the like.

【0046】本発明のケーブル接続部等に使用される界
面活性剤系高誘電率物質は熱分解温度が250〜300
℃の範囲であって常温より何れも高いため熱的に安定で
あり、信頼性にすぐれたケーブル接続部等が得られる。
The surfactant-based high-dielectric substance used in the cable connection portion of the present invention has a thermal decomposition temperature of 250 to 300.
Since the temperature is in the range of ° C. and is higher than room temperature, it is thermally stable, and a highly reliable cable connection portion and the like can be obtained.

【0047】従って、本発明によれば電力ケーブル接続
部等の絶縁層の厚さを低減してケーブル接続部の細径化
を図ることができ、ケーブル接続部等の径に対する電流
容量の増大を図ることができる。これらの効果は高い電
圧階級のポリオレフィン絶縁電力ケーブル接続部等につ
いての適用において特に有用である。
Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the thickness of the insulating layer of the power cable connection portion and the like, thereby reducing the diameter of the cable connection portion, and to increase the current capacity with respect to the diameter of the cable connection portion and the like. Can be planned. These effects are particularly useful in applications such as high voltage class polyolefin insulated power cable connections.

【0048】さらに本発明において使用される界面活性
剤系高誘電率物質は高分子量であるのでこれを添加しな
い場合と比較して半導電層材料の押出特性がよくなり、
半導電層を接続現場で押出により形成する場合にはケー
ブル接続部の製造速度の向上も図ることができる。また
この界面活性剤系高誘電率物質は安価な工業材料である
ため、接続部等のコスト高は殆ど問題にならない。
Further, since the surfactant-based high dielectric constant substance used in the present invention has a high molecular weight, the extrusion characteristics of the semiconductive layer material are improved as compared with the case where no surfactant is added,
When the semiconductive layer is formed at the connection site by extrusion, the production speed of the cable connection portion can be improved. Further, since the surfactant-based high dielectric substance is an inexpensive industrial material, the cost of the connecting portion and the like hardly matters.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明のケーブル接続部の一例の概略断面図
である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a cable connecting portion of the present invention.

【図2】 ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a polyolefin insulated power cable.

【図3】 従来のケーブル接続部の一例の概略断面図で
ある。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of a conventional cable connection portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・・導体 2・・・・・・ケーブルの内部半導電層 3・・・・・・ケーブルの絶縁層 4・・・・・・ケーブルの外部半導電層 5・・・・・・圧縮接合子 6・・・・・・ケーブル接続部の内部半導電層 7・・・・・・ケーブル接続部の絶縁層 8・・・・・・ケーブル接続部の外部半導電層 9・・・・・・ポリオレフィン補強層 21・・・・導体 22・・・・ケーブルの絶縁層 23・・・・ケーブルの内部導電層 24・・・・ケーブルの外部導電層 31・・・・導体 32・・・・ケーブル接続部の絶縁層 33・・・・ケーブル接続部の内部導電層 34・・・・ケーブル接続部の外部導電層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conductor 2 ... Inner semiconductive layer of cable 3 ... Insulating layer of cable 4 ... Outer semiconductive layer of cable 5 ... ··· Compression joint 6 ······ Inner semiconductive layer of cable connection part 7 ····· Insulating layer of cable connection part 8 ····· Outer semiconductive layer of cable connection part 9 ··· ···· Polyolefin reinforcement layer 21 ··· Conductor 22 ··· Cable insulating layer 23 ··· Cable internal conductive layer 24 ··· Cable external conductive layer 31 ··· Conductor 32 ····· Insulating layer of cable connecting portion 33 ··· Inner conductive layer of cable connecting portion 34 ··· Outer conductive layer of cable connecting portion

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成9年7月3日[Submission date] July 3, 1997

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0018[Correction target item name] 0018

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0018】図1に示した接続部においては、内部半導
電層6と絶縁層7との間、及び絶縁層7と外部半導電層
8との間の両方にポリオレフィン補強層9が設けられて
いるが、いずれか一方の半導電層と絶縁層との間にポリ
オレフィン補強層に設けられていてもよい。予め成形さ
れたポリオレフィン樹脂半導電層材料は外部半導電層と
して使用されることが多いので、絶縁層7と外部半導電
層8との間にポリオレフィン補強層9を設けることが好
ましい。
In the connection portion shown in FIG. 1, a polyolefin reinforcing layer 9 is provided both between the inner semiconductive layer 6 and the insulating layer 7 and between the insulating layer 7 and the outer semiconductive layer 8. However, a polyolefin reinforcing layer may be provided between any one of the semiconductive layer and the insulating layer. Since a preformed polyolefin resin semiconductive layer material is often used as an external semiconductive layer, it is preferable to provide a polyolefin reinforcing layer 9 between the insulating layer 7 and the external semiconductive layer 8.

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0019[Correction target item name] 0019

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0019】半導電層、絶縁層及びポリオレフィン補強
層の製造に用いられるベースポリマーは通常のポリオレ
フィン樹脂被覆ケーブル及びその接続部に用いられてい
るポリオレフィンでよく、好ましくは例えばポリエチレ
ンであり、あるいはエチレンとこれと共重合可能なモノ
マーからなるエチレンコポリマーを含んでもよい。エチ
レンコポリマーとしては、エチレン/ビニルアセテート
コポリマー、エチレン/エチルアクリレートコポリマー
等が挙げられる。
The base polymer used in the production of the semiconductive layer, the insulating layer and the polyolefin reinforcing layer may be a polyolefin used for ordinary polyolefin resin-coated cables and their connection parts, and is preferably, for example, polyethylene or ethylene and An ethylene copolymer composed of a monomer copolymerizable therewith may be included. Examples of the ethylene copolymer include an ethylene / vinyl acetate copolymer and an ethylene / ethyl acrylate copolymer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000002255 昭和電線電纜株式会社 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 (72)発明者 岡本 達希 神奈川県横須賀市長坂2−6−1 財団法 人電力中央研究所 横須賀研究所内 (72)発明者 穂積 直裕 神奈川県横須賀市金谷2−2−5 (72)発明者 内田 克己 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番地 の1 中部電力株式会社内 (72)発明者 稲見 正己 埼玉県熊谷市新堀1008番地 三菱電線工業 株式会社熊谷製作所内 (72)発明者 林 泰利 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番1 号 昭和電線電纜株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (71) Applicant 000002255 Showa Electric Wire & Cable Co., Ltd. 2-1-1 Oda Sakae, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa (72) Inventor Tatsuki Okamoto 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka-shi, Kanagawa (72) Inventor Naohiro Hozumi 2-2-5 Kanaya, Yokosuka City, Kanagawa Prefecture (72) Inventor Katsumi Uchida 20-1, Kita-Sekiyama, Odaka-cho, Midori-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside Chubu Electric Power Co., Inc. Inside Electric Cable Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体周囲上に界面活性剤系高誘電率物質
を含有するポリオレフィン樹脂材料から形成された半導
電層とポリオレフィン樹脂材料から形成された絶縁層と
を被覆したケーブル接続部または終端部において、半導
電層と絶縁層との間に絶縁層を形成するポリオレフィン
樹脂材料よりも架橋剤含有量が高いポリオレフィン樹脂
材料から形成されたポリオレフィン補強層を設けたこと
を特徴とするケーブル接続部または終端部。
1. A cable connecting portion or a terminal portion in which a semiconductive layer formed of a polyolefin resin material containing a surfactant-based high dielectric substance and an insulating layer formed of a polyolefin resin material are coated on a conductor periphery. In the cable connection portion characterized by having provided a polyolefin reinforcing layer formed from a polyolefin resin material having a higher crosslinking agent content than the polyolefin resin material forming the insulating layer between the semiconductive layer and the insulating layer or Termination.
【請求項2】 半導電層が架橋剤を含まないポリオレフ
ィン樹脂材料から形成されたものであることを特徴とす
る請求項1に記載のケーブル接続部または終端部。
2. The cable connection or terminal according to claim 1, wherein the semiconductive layer is formed of a polyolefin resin material containing no crosslinking agent.
【請求項3】 補強層が、外部半導電層と絶縁層との間
に設けられていることを特徴とする請求項1または2に
記載のケーブル接続部または終端部。
3. The cable connection or terminal according to claim 1, wherein the reinforcing layer is provided between the outer semiconductive layer and the insulating layer.
【請求項4】 ポリオレフィン補強層を形成するポリオ
レフィン樹脂材料の架橋剤の含有量が、ポリオレフィン
樹脂材料100重量部に対して0.5〜5重量部である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のケー
ブル接続部または終端部。
4. The polyolefin resin material forming the polyolefin reinforcing layer, wherein the content of the crosslinking agent is 0.5 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyolefin resin material. A cable connection or termination according to any of the preceding claims.
【請求項5】 ポリオレフィン補強層を形成するポリオ
レフィン樹脂材料の架橋剤の量が、絶縁層を形成するポ
リオレフィン樹脂材料の架橋剤量に対して、樹脂材料1
00重量部に対する量で表して0.05〜4.0重量部
多いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の
ケーブル接続部または終端部。
5. The amount of the cross-linking agent of the polyolefin resin material forming the polyolefin reinforcing layer is more than the amount of the cross-linking agent of the polyolefin resin material forming the insulating layer.
The cable connection part or terminal part according to any one of claims 1 to 4, wherein the amount is 0.05 to 4.0 parts by weight when expressed in terms of an amount based on 00 parts by weight.
【請求項6】 界面活性剤系高誘電率物質が、200〜
20000程度の分子量をする、ソルビタン脂肪酸エス
テル、グリセリン脂肪酸エステル、デカグリセリン脂肪
酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、プロピレ
ングリコール・ペンタエリストール脂肪酸エステル、ポ
リオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキ
シエチレンソルビット脂肪酸エステル、ポリオキシレン
グリセンリン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール
脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、ポリオキシエチレンフィストステロール・フィトス
タノール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンア
ルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン・
脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルフェニルホ
ルムアルデヒド縮合物、単一鎖長ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル、及びスチレンマイル酸共重合物誘導体
から選択されることを特徴とする請求項1〜5のいずれ
かに記載のケーブル接続部または終端部。
6. The surfactant-based high dielectric constant substance may have a content of 200 to 200.
Sorbitan fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, decaglycerin fatty acid ester, polyglycerin fatty acid ester, propylene glycol / pentaerythrol fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbit fatty acid ester, polyoxyethylene sorbit fatty acid ester having a molecular weight of about 20,000 Glycene phosphorus fatty acid ester, polyethylene glycol fatty acid ester, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene fistosterol phytostanol, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylamine
The fatty acid amide, a polyoxyethylene alkylphenyl formaldehyde condensate, a single chain length polyoxyethylene alkyl ether, and a styrene-maleic acid copolymer derivative, selected from the group consisting of: Cable connections or terminations.
【請求項7】 界面活性剤系高誘電率物質の量が、半導
電層を形成するポリオレフィン樹脂材料100重量部に
対して0.1〜30重量部であることを特徴とする請求
項1〜6のいずれかに記載のケーブル接続部または終端
部。
7. The method according to claim 1, wherein the amount of the surfactant-based high dielectric substance is 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyolefin resin material forming the semiconductive layer. 7. The cable connection part or the termination part according to any one of 6.
【請求項8】 導体周囲上に界面活性剤系高誘電率物質
を含有するポリオレフィン樹脂材料から形成された半導
電層とポリオレフィン樹脂材料から形成された絶縁層と
を被覆したケーブル接続部または終端部の製造方法にお
いて、導体周囲上に半導電層を形成するポリオレフィン
樹脂材料と絶縁層を形成するポリオレフィン樹脂材料と
を被覆して架橋する際に、半導電層材料と絶縁層材料と
の間に絶縁層を形成するポリオレフィン樹脂よりも架橋
剤含有量が高いポリオレフィン樹脂材料を介在させるこ
とを特徴とする前記ケーブル接続部または終端部の製造
方法。
8. A cable connection portion or a terminal portion in which a semiconductive layer formed of a polyolefin resin material containing a surfactant-based high dielectric constant material and an insulating layer formed of a polyolefin resin material are coated on a conductor periphery. In the method of manufacturing, when covering and cross-linking a polyolefin resin material forming a semiconductive layer and a polyolefin resin material forming an insulating layer on a conductor periphery, insulating between the semiconductive layer material and the insulating layer material The method for producing a cable connecting portion or the terminal portion, wherein a polyolefin resin material having a higher crosslinking agent content than a polyolefin resin forming a layer is interposed.
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