JPH1117227A - Reflecting type light-emitting diode and array body of light-emitting diode - Google Patents
Reflecting type light-emitting diode and array body of light-emitting diodeInfo
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- JPH1117227A JPH1117227A JP9171691A JP17169197A JPH1117227A JP H1117227 A JPH1117227 A JP H1117227A JP 9171691 A JP9171691 A JP 9171691A JP 17169197 A JP17169197 A JP 17169197A JP H1117227 A JPH1117227 A JP H1117227A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子が発する
光を凹面状反射面で反射した後に外部に放射する反射型
発光ダイオード及びその反射型発光ダイオードを配列し
た発光ダイオード配列体に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type light emitting diode which emits light emitted from a light emitting element to the outside after being reflected by a concave reflection surface, and a light emitting diode array in which the reflection type light emitting diodes are arranged. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、種々の構造の発光ダイオード
が案出されており、その代表的なものとして、例えば、
レンズ型発光ダイオードと、反射型発光ダイオードとが
ある。レンズ型発光ダイオードは、発光素子が発する光
を直接、光学面から外部に放射するものである。2. Description of the Related Art Conventionally, light-emitting diodes having various structures have been proposed.
There are a lens type light emitting diode and a reflection type light emitting diode. A lens-type light emitting diode emits light emitted from a light emitting element directly from an optical surface to the outside.
【０００３】図５（ａ）は従来の反射型発光ダイオード
の概略正面図、図５（ｂ）はその反射型発光ダイオード
をｘ軸方向から見たときの概略側面図、図５（ｃ）はそ
の反射型発光ダイオードをｙ軸方向から見たときの概略
側面図である。図５に示す反射型発光ダイオードは、発
光素子６１と、リード部６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２
ｄと、ワイヤ６３と、光透過性材料６４と、発光素子６
１の発光面に対向して形成された凹面状反射面６５と、
発光素子の背面側に形成された放射面６６とを有する。
発光素子６１はリード部６２ａの一方の端部にマウント
され、発光素子６１とリード部６２ｂとはワイヤ６３に
より電気的に接続されている。また、発光素子６１、リ
ード部６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄの先端部及びワ
イヤ６３は、光透過性材料６４により封止されている。
リード部６２ａ，６２ｂとリード部６２ｃ，６２ｄと
は、光透過性材料６４の両側面から互いに反対方向に引
き出されている。リード部６２ｃ，６２ｄは、電気配線
には無関係で、反射型発光ダイオードを基板に固定する
ためにだけ用いられるものである。凹面状反射面６５
は、光透過性材料６４の下面をメッキや金属蒸着等によ
り鏡面加工したものである。FIG. 5A is a schematic front view of a conventional reflection type light emitting diode, FIG. 5B is a schematic side view when the reflection type light emitting diode is viewed from the x-axis direction, and FIG. FIG. 4 is a schematic side view of the reflection type light emitting diode when viewed from the y-axis direction. The reflection type light emitting diode shown in FIG. 5 includes a light emitting element 61 and lead portions 62a, 62b, 62c, 62.
d, wire 63, light transmissive material 64, and light emitting element 6
A concave reflecting surface 65 formed to face the first light emitting surface;
And a radiation surface 66 formed on the back side of the light emitting element.
The light emitting element 61 is mounted on one end of a lead portion 62a, and the light emitting element 61 and the lead portion 62b are electrically connected by a wire 63. The light emitting element 61, the distal ends of the leads 62 a, 62 b, 62 c, 62 d and the wire 63 are sealed with a light transmitting material 64.
The lead portions 62a and 62b and the lead portions 62c and 62d are pulled out from both sides of the light transmitting material 64 in opposite directions. The lead portions 62c and 62d are irrelevant to the electrical wiring and are used only for fixing the reflective light emitting diode to the substrate. Concave reflective surface 65
Is a mirror-finished lower surface of the light-transmitting material 64 by plating, metal evaporation, or the like.
【０００４】かかる反射型発光ダイオードを作製するに
は、リードフレームを用い、そのリードフレームに反射
型発光ダイオードをトランスファーモールド法で成形す
る。トランスファーモールド法を用いると、リードフレ
ームがしっかりと保持された状態で凹面状反射面６５及
び放射面６６を成形することができるため、発光素子６
１と光学系との位置精度を高くできる。その後、リード
フレームの不要部分を切断することにより、図５に示す
ようなリード部６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄを有す
る反射型発光ダイオードが得られる。[0004] To manufacture such a reflective light emitting diode, a lead frame is used, and the reflective light emitting diode is formed on the lead frame by transfer molding. When the transfer molding method is used, the concave reflection surface 65 and the radiation surface 66 can be molded in a state where the lead frame is firmly held.
1 and the optical system can have high positional accuracy. Then, unnecessary portions of the lead frame are cut to obtain a reflection type light emitting diode having lead portions 62a, 62b, 62c, and 62d as shown in FIG.
【０００５】発光素子６１に電力が供給されると、発光
素子６１が発光し、発光素子６１が発する光は凹面状反
射面６５によって反射された後、放射面６６から外部に
放射されるので、発光素子６２が発する光を有効に前方
に放射することができる。特に、発光素子６１からその
中心軸方向（ｚ軸方向）に放射された光だけでなく、発
光素子６１からｚ軸方向に略直交する方向に放射された
光も凹面状反射面６５で制御されるので、反射型発光ダ
イオードは、外部放射効率が高いという特徴がある。こ
の点で、発光素子からその中心軸方向に略直交する方向
に放射された光を有効に外部放射することができないレ
ンズ型発光ダイオードとは異なる。When power is supplied to the light emitting element 61, the light emitting element 61 emits light, and the light emitted from the light emitting element 61 is reflected by the concave reflecting surface 65 and then radiated from the radiation surface 66 to the outside. The light emitted by the light emitting element 62 can be effectively emitted forward. In particular, not only light emitted from the light emitting element 61 in the central axis direction (z axis direction) but also light emitted from the light emitting element 61 in a direction substantially orthogonal to the z axis direction is controlled by the concave reflecting surface 65. Therefore, the reflection type light emitting diode has a feature of high external radiation efficiency. In this point, it is different from a lens-type light-emitting diode in which light emitted from a light-emitting element in a direction substantially perpendicular to the center axis direction cannot be effectively emitted to the outside.
【０００６】また、反射型発光ダイオードはレンズ型発
光ダイオードに比べて薄型化を図ることができる。この
ため、発光素子６１を樹脂封止する際に、樹脂収縮の影
響が少ないので、凹面状反射面６５の直径を大きくする
ことができるという利点もある。[0006] The reflection type light emitting diode can be made thinner than the lens type light emitting diode. Therefore, when the light emitting element 61 is sealed with a resin, the influence of the resin shrinkage is small, so that there is an advantage that the diameter of the concave reflecting surface 65 can be increased.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードフレ
ームの作製方法には、一般に、エッチング加工による方
法とプレス打ち抜き加工による方法とがある。エッチン
グ加工では、版作成費用が少なく、その作成も容易であ
る。これに対し、プレス打ち抜き加工では、型作成に費
用が多くかかり、その作成は容易でないが、量産性の点
でエッチング加工よりも優れている。このため、レンズ
型発光ダイオードを含めた多くの発光ダイオードでは、
リードフレームとしてプレス打ち抜き加工品が用いられ
ている。但し、プレス打ち抜き加工でリードフレームを
作製する場合、リード部の幅が狭いほど、リード部の端
部に対応する部分がリードフレームの面に垂直な方向に
ずれる現象、いわゆるリードの跳ね上がり現象が顕著と
なる。By the way, as a method of manufacturing a lead frame, there are generally a method by etching and a method by press punching. In the etching process, the plate making cost is low and the plate making is easy. On the other hand, in the press punching process, it takes a lot of cost to make a mold, and it is not easy to make the die. However, it is superior to the etching process in terms of mass productivity. For this reason, many light-emitting diodes, including lens-type light-emitting diodes,
Press punched products are used as lead frames. However, when a lead frame is manufactured by press punching, the phenomenon that the portion corresponding to the end of the lead portion shifts in the direction perpendicular to the surface of the lead frame as the width of the lead portion is narrower, that is, the so-called lead jumping phenomenon is more remarkable. Becomes
【０００８】反射型発光ダイオードでは、発光素子６１
を、凹面状反射面６５を正面からみたときの中心位置に
配置するため、リード部６２ａの一方の端部はその中心
位置まで引き伸ばしている。しかし、凹面状反射面６５
を正面から見たときに放射面６６と重なるリード部６２
ａ，６２ｂの部分は、凹面状反射面６５で反射された光
を遮ることになるので、リード部６２ａ，６２ｂの幅は
なるべく狭くする必要がある。このため、プレス打ち抜
き加工で作製したリードフレームを用いて反射型発光ダ
イオードを作製すると、リードの跳ね上がり現象によ
り、リード部６２ａの発光素子６１をマウントする部分
がｚ軸方向にずれてしまい、凹面状反射面６５に対する
発光素子６１の位置精度が悪くなるという問題があっ
た。これにより、発光素子６１からｚ軸方向以外の方向
に放射される光は凹面状反射面６５で良好に制御され
ず、光放射特性がばらつき、目的の特性からずれてしま
う。ここで、リードの跳ね上がり現象によるリード部６
２ａの発光素子６１をマウントする部分のｚ軸方向のず
れは、凹面状反射面６５の直径を大きくするほど顕著と
なる。In the reflection type light emitting diode, the light emitting element 61
Is arranged at the center position when the concave reflecting surface 65 is viewed from the front, one end of the lead portion 62a is extended to the center position. However, the concave reflecting surface 65
Lead portion 62 overlapping radiation surface 66 when viewed from the front
Since the portions a and 62b block the light reflected by the concave reflecting surface 65, the width of the lead portions 62a and 62b needs to be as narrow as possible. For this reason, when a reflection type light emitting diode is manufactured using a lead frame manufactured by press punching, a portion of the lead portion 62a on which the light emitting element 61 is mounted is shifted in the z-axis direction due to a jumping-up phenomenon of the lead. There is a problem that the position accuracy of the light emitting element 61 with respect to the reflection surface 65 is deteriorated. As a result, light emitted from the light emitting element 61 in a direction other than the z-axis direction is not well controlled by the concave reflecting surface 65, and the light emission characteristics are varied and deviate from the desired characteristics. Here, the lead portion 6 due to the rebound jump phenomenon
The shift in the z-axis direction of the portion where the light emitting element 61 of 2a is mounted becomes more remarkable as the diameter of the concave reflecting surface 65 increases.
【０００９】本発明者等は、リードの跳ね上がり現象が
反射型発光ダイオードの光放射特性に及ぼす影響を調べ
るため、シミュレーションを行った。このシミュレーシ
ョンでは、二種類の反射型発光ダイオードＤ1 ，Ｄ2 を
用いて、放射面６６から１００ｍｍ離れた目標の平面上
での照射分布を調べた。反射型発光ダイオードＤ1 は、
略平行光を導出するように、凹面状反射面６５を、発光
素子６１を焦点とする回転放物面に近似した形状とした
ものである。かかる回転放物面に近似した形状は、具体
的には、図６に示すように、凹面状反射面６５の中心軸
方向をＺ軸（凹面状反射面６５の後側をＺ正軸とす
る。）、リードフレーム面を含む平面をＸ−Ｙ平面とす
ると、曲面 Ｚ＝Ａ0 ＋Ａ1 ｒ＋Ａ2 ｒ2 ＋Ａ3 ｒ3＋Ａ4 ｒ4 ＋Ａ
5 ｒ5 ＋Ａ6 ｒ6 ＋Ａ7 ｒ7 で与えられる。ここで、ｒ＝（Ｘ2 ＋Ｙ2 ）1/2 であ
り、また、 Ａ0 ＝ ２．５８７７０１４６７８９３ Ａ1 ＝ ０．０５４３００３７８４４３ Ａ2 ＝−０．２０３３７０５１１１６５ Ａ3 ＝ ０．０９９８５４９５６８１６ Ａ4 ＝−０．０５２１４１０５９２８３ Ａ5 ＝ ０．０１４５０４３１９６２６ Ａ6 ＝−０．００２０４８２１２７０６ Ａ7 ＝ ０．０００１１５３１１０６０ である。一方、反射型発光ダイオードＤ2 は、反射型発
光ダイオードＤ1 において発光素子６１をＺ軸方向に
０．１ｍｍだけずらして配置したものである。The present inventors conducted a simulation in order to investigate the effect of the lead jump phenomenon on the light emission characteristics of the reflective light emitting diode. In this simulation, the irradiation distribution on a target plane 100 mm away from the radiation surface 66 was examined using two types of reflective light emitting diodes D 1 and D 2 . The reflection type light emitting diode D 1
The concave reflecting surface 65 has a shape approximating a paraboloid of revolution having the light emitting element 61 as a focal point so as to derive substantially parallel light. Specifically, as shown in FIG. 6, the shape approximating the paraboloid of revolution is such that the central axis direction of the concave reflecting surface 65 is the Z axis (the rear side of the concave reflecting surface 65 is the Z positive axis). .), when the plane including the lead frame surface and the X-Y plane, a curved surface Z = a 0 + a 1 r + a 2 r 2 + a 3 r 3 + a 4 r 4 + a
5 is given by r 5 + A 6 r 6 + A 7 r 7. Here, r = (X 2 + Y 2 ) 1/2 , and A 0 = 2.587071467893 A 1 = 0.0543003784443 A 2 = −0.203370511165 A 3 = 0.099854956816 A 4 = −0. 052141059283 is a 5 = 0.014504319626 a 6 = -0.002048212706 a 7 = 0.000115311060. On the other hand, the reflection type light emitting diode D 2 is one in which the light emitting element 61 disposed shifted by 0.1mm in the Z-axis direction in the reflection type light emitting diode D 1.
【００１０】図７（ａ）は反射型発光ダイオードＤ1 に
ついての照射分布シミュレーション結果を示す図、図７
（ｂ）は反射型発光ダイオードＤ2 についての照射分布
シミュレーション結果を示す図である。ここで、図７
（ａ）及び図７（ｂ）は、ピーク照度を１００％とした
場合の、照度の割合の分布を表し、また、照度の割合が
６０％以上の部分を梨地状にして示している。反射型発
光ダイオードＤ1 では、図７（ａ）に示すように、ピー
ク照度の６０％以上の分布が円状であり、目標の平面上
に平行光を照射することができる。一方、反射型発光ダ
イオードＤ2 については、図７（ｂ）に示すように、照
度分布が図７（ａ）の照度分布よりも広がり、ピーク照
度が数割低下する。しかも、反射型発光ダイオードＤ2
では、ピーク照度の６０％以上の分布がドーナツ状にな
り、目標の平面上における凹面状反射面６５の中心軸付
近の照度が大幅に低下する。したがって、リードがわず
かに跳ね上がっても、反射型発光ダイオードの光放射特
性は大きな影響を受ける。[0010] FIG. 7 (a) shows an illumination distribution simulation result of the reflection type light emitting diode D 1, Fig. 7
(B) is a diagram showing an illumination distribution simulation result of the reflection type light emitting diode D 2. Here, FIG.
7A and FIG. 7B show the distribution of the illuminance ratio when the peak illuminance is set to 100%, and a portion where the illuminance ratio is 60% or more is shown in a satin shape. In the reflection type light emitting diode D 1, as shown in FIG. 7 (a), 60% or more distribution circular peak irradiance, can be irradiated with the parallel light onto the target plane. On the other hand, the reflection type light emitting diode D 2, as shown in FIG. 7 (b), the illuminance distribution is spread than the illuminance distribution of FIG. 7 (a), the peak irradiance is reduced several percent. Moreover, the reflection type light emitting diode D 2
In this case, the distribution of 60% or more of the peak illuminance has a donut shape, and the illuminance near the central axis of the concave reflecting surface 65 on the target plane is greatly reduced. Therefore, even if the lead jumps up slightly, the light emission characteristic of the reflective light emitting diode is greatly affected.
【００１１】尚、レンズ型発光ダイオードでは、反射型
発光ダイオードのようにリード部の幅を狭くしなければ
ならないという制限はない。これは、レンズ型発光ダイ
オードは、発光素子が発する光を直接、光学面から外部
に放射するので、リード部が光を遮ることはないからで
ある。また、レンズ型発光ダイオードでは、発光素子か
らその中心軸方向に略直交する方向に放射された光を十
分制御できないので、発光素子の中心軸方向における発
光素子の位置ずれは、光放射特性にほどんど影響を及ぼ
すことはない。このため、プレス打ち抜き加工で作製し
たリードフレームを用いてレンズ型発光ダイオードを作
製しても、何ら問題はない。In the lens type light emitting diode, there is no limitation that the width of the lead portion must be narrowed unlike the reflection type light emitting diode. This is because the lens type light emitting diode emits the light emitted from the light emitting element directly from the optical surface to the outside, so that the lead does not block the light. Further, in a lens-type light emitting diode, light emitted from the light emitting element in a direction substantially perpendicular to the central axis direction cannot be sufficiently controlled. Has no effect. Therefore, there is no problem even if a lens-type light emitting diode is manufactured using a lead frame manufactured by press punching.
【００１２】また、従来の反射型発光ダイオードでは、
発光素子６１をリード部６２ａの一方の端部にマウント
したことにより、発光素子６１が発した熱はリード部６
２ａの他方の端部に向かって一方向にしか伝わることが
できない。このため、発光素子６１が発した熱は、リー
ド部６２ａの他方の端部の側のみから外部に放射される
ので、放熱性が良くないという問題があった。また、か
かる放熱性の問題は、特に、複数の反射型発光ダイオー
ドを配列した発光ダイオード配列体において顕著であ
る。Further, in a conventional reflection type light emitting diode,
Since the light emitting element 61 is mounted on one end of the lead 62a, the heat generated by the light emitting element 61
It can only travel in one direction towards the other end of 2a. For this reason, the heat generated by the light emitting element 61 is radiated to the outside only from the other end side of the lead portion 62a, so that there is a problem that heat dissipation is not good. In addition, such a problem of heat dissipation is particularly remarkable in a light emitting diode array in which a plurality of reflective light emitting diodes are arranged.
【００１３】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、凹面状反射面に対する発光素子の位置精度を安
定して保つことができると共に、放熱性の向上を図るこ
とができる反射型発光ダイオード及び発光ダイオード配
列体を提供することを目的とするものである。The present invention has been made based on the above circumstances, and is a reflection type light emitting diode capable of stably maintaining the position accuracy of a light emitting element with respect to a concave reflecting surface and improving heat radiation. And a light emitting diode array.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、発光素子と、前記発光素子がマウントさ
れた第一リード部と、前記発光素子とワイヤを介して接
続された第二リード部と、前記発光素子の発光面に対向
して設けられた凹面状反射面と、前記凹面状反射面で反
射した光を外部に放射する放射面と、前記発光素子と前
記第一リード部及び第二リード部の一部とを封止すると
共に前記凹面状反射面と前記放射面との間の空間を埋め
る光透過性材料とを備える反射型発光ダイオードにおい
て、前記第一リード部は前記凹面状反射面を正面から見
たときに前記凹面状反射面を略直線状に横切るように形
成され、且つ、前記第一リード部の両端部が前記光透過
性材料の側面から外部に引き出されていることを特徴と
するものである。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting device, a first lead on which the light emitting device is mounted, and a light emitting device connected to the light emitting device via a wire. Two lead portions, a concave reflecting surface provided to face a light emitting surface of the light emitting element, a radiation surface for emitting light reflected by the concave reflecting surface to the outside, the light emitting element and the first lead In a reflective light-emitting diode comprising a light-transmissive material that fills a space between the concave reflecting surface and the radiation surface while sealing a part and a part of the second lead part, the first lead part is The concave reflecting surface is formed so as to cross the concave reflecting surface substantially linearly when viewed from the front, and both end portions of the first lead portion are drawn out from the side surface of the light transmitting material to the outside. It is characterized by having been done.
【００１５】第一リード部を、凹面状反射面を正面から
見たときに凹面状反射面を略直線状に横切るように形成
したことにより、発光素子は第一リード部の略中央部に
マウントされる。このような第一リード部を有するリー
ドフレームをプレス打ち抜き加工で作製しても、第一リ
ード部の発光素子をマウントする部分は加工による変形
が極めてわずかである。このため、かかるリードフレー
ムを用いて反射型発光ダイオードを作製することによっ
て、凹面状反射面に対する発光素子の位置精度を安定し
て保つことができるので、発光素子からその中心軸方向
に放射される光だけでなく、その中心軸方向に略直交す
る方向に放射される光も凹面状反射面で良好に制御さ
れ、安定した光放射特性を有する光として外部に放射す
ることができる。Since the first lead portion is formed so as to cross the concave reflection surface in a substantially straight line when the concave reflection surface is viewed from the front, the light emitting element is mounted at a substantially central portion of the first lead portion. Is done. Even if such a lead frame having the first lead portion is manufactured by press punching, the portion of the first lead portion on which the light emitting element is mounted undergoes very little deformation due to the processing. Therefore, by manufacturing a reflective light-emitting diode using such a lead frame, the positional accuracy of the light-emitting element with respect to the concave reflecting surface can be stably maintained, and the light is emitted from the light-emitting element in the direction of its central axis. Not only light but also light emitted in a direction substantially perpendicular to the center axis direction is well controlled by the concave reflecting surface, and can be emitted to the outside as light having stable light emission characteristics.
【００１６】また、第一リード部の両端部を光透過性材
料の側面から外部に引き出したことにより、発光素子が
発した熱は第一リード部の両端部に向かって両方向に伝
わることができるため、発光素子から第一リード部に伝
わる熱を第一リード部の両端部から外部に放射すること
ができると共に、発光素子から第一リード部に伝わる熱
の一部を放射面から外部に放射することができるので、
放熱性の向上を図ることができる。Further, since both ends of the first lead are drawn out from the side surface of the light transmitting material, heat generated by the light emitting element can be transmitted in both directions toward both ends of the first lead. Therefore, heat transmitted from the light emitting element to the first lead portion can be radiated to the outside from both ends of the first lead portion, and part of the heat transmitted from the light emitting element to the first lead portion can be radiated to the outside from the radiation surface. So you can
Heat dissipation can be improved.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態
である反射型発光ダイオードを用いた発光ダイオード配
列体の概略正面図、図２はその発光ダイオード配列体の
Ａ−Ａ矢視方向概略断面図、図３（ａ）は本実施形態の
反射型発光ダイオードの概略正面図、図３（ｂ）はその
反射型発光ダイオードをｘ軸方向から見たときの概略側
面図、図３（ｃ）はその反射型発光ダイオードをｙ軸方
向から見たときの概略側面図である。尚、図３におい
て、ｚ軸は凹面状反射面の中心軸方向、ｘ軸及びｙ軸は
発光ダイオードの発光面を含む平面における直交座標軸
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic front view of a light-emitting diode array using a reflective light-emitting diode according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting diode array in the direction of arrows AA, and FIG. ) Is a schematic front view of the reflective light emitting diode of the present embodiment, FIG. 3B is a schematic side view of the reflective light emitting diode as viewed from the x-axis direction, and FIG. 3C is the reflective light emitting diode. FIG. 3 is a schematic side view when viewed from the y-axis direction. In FIG. 3, the z axis is the direction of the central axis of the concave reflecting surface, and the x and y axes are orthogonal coordinate axes on a plane including the light emitting surface of the light emitting diode.
【００１８】図１及び図２に示す発光ダイオード配列体
は、複数の反射型発光ダイオード１０と、基板３０と、
二つの細長い板状のスペーサ４０とを備えるものであ
る。本実施形態では、複数の反射型発光ダイオード１０
を直線状に配列して線状光源を得る場合について説明す
る。反射型発光ダイオード１０は、図２及び図３に示す
ように、発光素子１１と、第一リード部１２ａと、第二
リード部１２ｂと、第三リード部１２ｃと、ワイヤ１３
と、光透過性材料１４と、凹面状反射面１５と、放射面
１６と、支持部１７とを備える。The light emitting diode array shown in FIGS. 1 and 2 includes a plurality of reflective light emitting diodes 10, a substrate 30,
And two elongated plate-shaped spacers 40. In the present embodiment, a plurality of reflective light emitting diodes 10
Are linearly arranged to obtain a linear light source. As shown in FIGS. 2 and 3, the reflection type light emitting diode 10 includes a light emitting element 11, a first lead 12a, a second lead 12b, a third lead 12c, and a wire 13a.
, A light-transmissive material 14, a concave reflecting surface 15, a radiation surface 16, and a support 17.
【００１９】第一リード部１２ａ及び第二リード部１２
ｂは、発光素子１１に電力を供給するために用いられ
る。発光素子１１は第一リード部１２ａの略中央部にマ
ウントされ、発光素子１１と第二リード部１２ｂとはワ
イヤ１３により電気的に接続されている。また、発光素
子１１、第一リード部１２ａの一部、第二リード部１２
ｂの先端部、第三リード部１２ｃの先端部及びワイヤ１
３は、熱硬化性の光透過性材料１４により一体的に封止
されている。ここで、光透過性材料１４としては、例え
ば、屈折率１．５の透明エポキシ樹脂が用いられる。First lead portion 12a and second lead portion 12
b is used to supply power to the light emitting element 11. The light emitting element 11 is mounted substantially at the center of the first lead portion 12a, and the light emitting element 11 and the second lead portion 12b are electrically connected by the wire 13. Further, the light emitting element 11, a part of the first lead portion 12a, the second lead portion 12
b, the tip of the third lead 12c and the wire 1
Numeral 3 is integrally sealed with a thermosetting light-transmitting material 14. Here, as the light transmitting material 14, for example, a transparent epoxy resin having a refractive index of 1.5 is used.
【００２０】第一リード部１２ａは、凹面状反射面１５
を正面から見たときに凹面状反射面１５を略直線状に横
切るように形成され、第一リード部１２ａの両端部α，
βは光透過性材料１４の側面から外部に引き出されてい
る。第三リード部１２ｃは、支持部１７に取り付けられ
る。第一リード部１２ａの一方の端部α及び第二リード
部１２ｂと、第一リード部１２ａの他方の端部β及び第
三リード部１２ｃとは、光透過性材料１４の側面から互
いに反対方向に引き出される。The first lead portion 12a has a concave reflecting surface 15
Are formed so as to cross the concave reflecting surface 15 substantially linearly when viewed from the front, and both ends α,
β is drawn out from the side surface of the light transmissive material 14. The third lead part 12c is attached to the support part 17. One end α and the second lead 12b of the first lead 12a and the other end β and the third lead 12c of the first lead 12a are in opposite directions from the side surface of the light-transmitting material 14. Drawn to.
【００２１】また、第一リード部１２ａの端部β及び第
三リード部１２ｃは、電気的端子となる第一リード部１
２ａの端部α及び第二リード部１２ｂとは異なり、電気
配線には無関係で、反射型発光ダイオード１０を基板３
０に固定するために用いられる。このため、第一リード
部１２ａの端部β及び第三リード部１２ｃは固定用リー
ドということができる。一方、第一リード部１２ａの端
部α及び第二リード部１２ｂは、発光素子１１に電力を
供給するのみならず、反射型発光ダイオード１０を基板
３０に固定するためにも用いられる。このため、第一リ
ード部１２ａの端部α及び第二リード部１２ｂは電力供
給兼固定用リードということができる。The end β of the first lead portion 12a and the third lead portion 12c are connected to the first lead portion 1 serving as an electrical terminal.
Unlike the end portion α of the second light emitting diode 2a and the second lead portion 12b, the reflection type light emitting diode 10 is
Used to fix to zero. For this reason, the end part β of the first lead portion 12a and the third lead portion 12c can be referred to as fixing leads. On the other hand, the end portion α of the first lead portion 12a and the second lead portion 12b are used not only for supplying power to the light emitting element 11 but also for fixing the reflective light emitting diode 10 to the substrate 30. Therefore, the end portion α of the first lead portion 12a and the second lead portion 12b can be said to be power supply and fixing leads.
【００２２】凹面状反射面１５は、光透過性材料１４の
一方の面上にメッキや金属蒸着等により鏡面加工したも
のであり、発光素子１１の発光面に対向する側に形成さ
れている。ここでは、凹面状反射面１５を、発光素子１
１の発光面の中心を焦点とする回転放物面形状に形成す
る。一方、放射面１６は、発光素子１１の背面側であっ
て、第一リード部１２ａと第二リード部１２ｂに近い位
置に形成されている。ここでは、放射面１６を凹面状反
射面１５の回転軸（ｚ軸）に垂直な平面形状に形成す
る。すなわち、本実施形態では、反射型発光ダイオード
１０が平行光を発することができるように、発光素子１
１の位置、凹面状反射面１５及び放射面１６の形状を設
計している。The concave reflecting surface 15 is a mirror-finished surface formed on one surface of the light transmitting material 14 by plating, metal evaporation, or the like, and is formed on the side facing the light emitting surface of the light emitting element 11. Here, the concave reflecting surface 15 is used as the light emitting element 1.
1 is formed in a paraboloid of revolution centered on the center of the light emitting surface. On the other hand, the radiation surface 16 is formed on the back side of the light emitting element 11 at a position close to the first lead portion 12a and the second lead portion 12b. Here, the radiation surface 16 is formed in a plane shape perpendicular to the rotation axis (z axis) of the concave reflection surface 15. That is, in the present embodiment, the light emitting element 1 is so arranged that the reflection type light emitting diode 10 can emit parallel light.
1 and the shapes of the concave reflecting surface 15 and the radiating surface 16 are designed.
【００２３】また、反射型発光ダイオード１０は、凹面
状反射面１５を正面から見たときに凹面状反射面１５の
中心を通る直線であって凹面状反射面１５の中心軸に直
交する直線（例えばｘ軸）に対して垂直な二つの平面に
よって凹面状反射面１５の端部が左右対称に切断されて
いる。ここでは、凹面状反射面１５を正面から見たとき
にｘ軸の方向における切断前の凹面状反射面１５の長さ
に対する切断後の凹面状反射面１５の長さの割合が０．
７となるように、凹面状反射面１５の端部を切断してい
る。このように凹面状反射面１５の端部を切断するの
は、凹面状反射面１５の切断面が隣合うように発光ダイ
オード１０を直線状に配列することにより、発光ダイオ
ード１０の配列間隔を狭くするためである。The reflection type light emitting diode 10 is a straight line passing through the center of the concave reflecting surface 15 when the concave reflecting surface 15 is viewed from the front and orthogonal to the central axis of the concave reflecting surface 15. The end of the concave reflecting surface 15 is cut symmetrically by two planes perpendicular to the x-axis, for example). Here, when the concave reflecting surface 15 is viewed from the front, the ratio of the length of the concave reflecting surface 15 after cutting to the length of the concave reflecting surface 15 before cutting in the x-axis direction is 0.
7, the end of the concave reflecting surface 15 is cut off. The end of the concave reflecting surface 15 is cut in this manner by arranging the light emitting diodes 10 linearly so that the cut surfaces of the concave reflecting surface 15 are adjacent to each other, thereby narrowing the arrangement interval of the light emitting diodes 10. To do that.
【００２４】支持部１７は、反射型発光ダイオード１０
を、スペーサ４０を介して基板３０に取り付ける場合
に、反射型発光ダイオード１０を支持する役割を果たす
ものである。支持部１７は、凹面状反射面１５の周辺部
に形成される。本実施形態では、凹面状反射面１５の端
部を左右対称に切断しているので、支持部１７は、図３
（ａ）に示すように、凹面状反射面１５の上下に形成さ
れることになる。また、支持部１７の下端面１７ａ（図
３（ｂ）参照）は平面状に形成している。The support portion 17 is provided with the reflection type light emitting diode 10.
Is mounted on the substrate 30 via the spacer 40 to support the reflective light emitting diode 10. The support portion 17 is formed around the concave reflecting surface 15. In the present embodiment, since the end of the concave reflecting surface 15 is cut symmetrically, the supporting portion 17 is not shown in FIG.
As shown in (a), the concave reflection surface 15 is formed above and below. Further, the lower end face 17a (see FIG. 3B) of the support portion 17 is formed in a planar shape.
【００２５】かかる反射型発光ダイオード１０を作製す
るには、リードフレームを用い、そのリードフレームに
反射型発光ダイオードをトランスファーモールド法で形
成する。このトランスファーモールド法を用いると、凹
面状反射面１５、放射面１６及び支持部１７を精度よく
成形できるので、それらの形状は非常に安定しており、
さらに、リードフレームがしっかりと保持された状態で
凹面状反射面１５及び放射面１６を成形することができ
るため、発光素子１１と光学系との位置精度を高くでき
る。また、リードフレームとしては、量産性を考慮し、
プレス打ち抜き加工品が用いられる。次に、リードフレ
ームの不要部分を切断することにより、図３に示すよう
な各リード部１２ａ，１２ｂ，１２ｃを有する反射型発
光ダイオード１０が得られる。最終的に、反射型発光ダ
イオード１０は、光透過性材料１４から外部に引き出さ
れた各リード部１２ａ，１２ｂ，１２ｃを裏面側に折り
曲げた状態に加工される。To manufacture such a reflective light emitting diode 10, a lead frame is used, and the reflective light emitting diode is formed on the lead frame by a transfer molding method. When this transfer molding method is used, the concave reflection surface 15, the radiation surface 16, and the support portion 17 can be molded with high precision, and their shapes are very stable.
Further, since the concave reflection surface 15 and the radiation surface 16 can be formed in a state where the lead frame is securely held, the positional accuracy between the light emitting element 11 and the optical system can be increased. Also, as a lead frame, considering mass productivity,
Press punched products are used. Next, by cutting unnecessary portions of the lead frame, the reflection type light emitting diode 10 having the respective lead portions 12a, 12b, and 12c as shown in FIG. 3 is obtained. Finally, the reflection type light emitting diode 10 is processed in a state where the respective lead portions 12a, 12b, 12c drawn out from the light transmissive material 14 are bent toward the back side.
【００２６】上記構成の反射型発光ダイオード１０で
は、発光素子１１に電力が供給されると、発光素子１１
が発光し、発光素子１１が発する光は凹面状反射面１５
により反射され、放射面１６より外部に放射される。こ
のように発光素子１１が発する光を一度、凹面状反射面
１５で反射した後に外部に放射するので、かかる反射型
発光ダイオード１０は、外部放射効率が高く、高輝度・
高光度であるという特徴がある。しかも、発光素子１１
が発する光は凹面状反射面１５のみで制御されるため、
反射型発光ダイオード１０自体の照射分布には特徴だっ
た照射パターンがなく、照射むらの度合いが小さいの
で、均斉度の向上を図ることができる。In the reflective light emitting diode 10 having the above-described structure, when power is supplied to the light emitting element 11, the light emitting element 11
Emits light, and light emitted by the light emitting element 11 is reflected by the concave reflecting surface 15.
And is radiated outside from the radiation surface 16. Since the light emitted from the light emitting element 11 is once reflected by the concave reflecting surface 15 and then emitted to the outside, the reflective light emitting diode 10 has high external radiation efficiency and high brightness.
It has the feature of high luminosity. Moreover, the light emitting element 11
Is controlled only by the concave reflecting surface 15,
There is no characteristic irradiation pattern in the irradiation distribution of the reflective light emitting diode 10 itself, and the degree of irradiation unevenness is small, so that the uniformity can be improved.
【００２７】基板３０には、図２に示すように、反射型
発光ダイオード１０の各リード部１２ａ，１２ｂ，１２
ｃを挿入するためのリード差込用孔３１が形成されてい
る。このリード差込用孔３１は、複数の反射型発光ダイ
オード１０を凹面状反射面１５の切断面が隣合うように
一列に配列したときのリード位置に対応した箇所に設け
られる。複数の反射型発光ダイオード１０は、第一リー
ド部１２ａの端部α及び第二リード部１２ｂと、第一リ
ード部１２ａの端部β及び第三リード部１２ｃとが配列
方向に対して両側に位置するように基板３０に配列して
取り付けられることになる。また、基板３０の裏面（基
板３０上に反射型発光ダイオード１０を配列する側の面
と反対側の面）には回路パターン（不図示）が形成され
ている。As shown in FIG. 2, each of the lead portions 12a, 12b, 12
A lead insertion hole 31 for inserting c is formed. The lead insertion hole 31 is provided at a position corresponding to the lead position when a plurality of reflective light emitting diodes 10 are arranged in a row so that the cut surfaces of the concave reflective surface 15 are adjacent to each other. In the plurality of reflective light emitting diodes 10, the end portion α of the first lead portion 12a and the second lead portion 12b, and the end portion β of the first lead portion 12a and the third lead portion 12c are arranged on both sides in the arrangement direction. It will be arranged and attached to the substrate 30 so as to be located. A circuit pattern (not shown) is formed on the back surface of the substrate 30 (the surface opposite to the surface on which the reflective light emitting diodes 10 are arranged on the substrate 30).
【００２８】スペーサ４０は、四角柱形状のものであっ
て、凹面状反射面１５の底部が基板３０に接触しないよ
うに、支持部１７と基板３０との間に挿入するものであ
る。スペーサ４０の長さは、複数の反射型発光ダイオー
ド１０を一列に配列したときの長さと略同じであり、そ
の高さは、凹面状反射面１５の底部が基板３０に接触し
ない高さとしている。各スペーサ４０は、図１及び図２
に示すように、複数の反射型発光ダイオード１０を凹面
状反射面１５の切断面が隣合うように一列に配列したと
きに、複数の反射型発光ダイオード１０の配列方向に対
して両側の各々に位置する支持部１７について共通に用
いられる。また、スペーサ４０には、図２に示すよう
に、リード差込用孔４１が形成されている。このリード
差込用孔４１は、複数の反射型発光ダイオード１０を一
列に配列したときのリード位置に対応した箇所に設けら
れる。The spacer 40 has a quadrangular prism shape and is inserted between the support 17 and the substrate 30 so that the bottom of the concave reflecting surface 15 does not contact the substrate 30. The length of the spacer 40 is substantially the same as the length when the plurality of reflective light emitting diodes 10 are arranged in a line, and the height is such that the bottom of the concave reflecting surface 15 does not contact the substrate 30. . Each spacer 40 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, when the plurality of reflective light emitting diodes 10 are arranged in a row such that the cut surfaces of the concave reflecting surface 15 are adjacent to each other, Commonly used for the supporting portions 17 located. Further, a lead insertion hole 41 is formed in the spacer 40 as shown in FIG. The lead insertion hole 41 is provided at a position corresponding to a lead position when a plurality of reflective light emitting diodes 10 are arranged in a line.
【００２９】反射型発光ダイオード１０を用いて発光ダ
イオード配列体を形成するには、まず、複数の反射型発
光ダイオード１０の各リード部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ
を、スペーサ４０に形成されたリード差込用孔４１に挿
入すると共に、基板３０に形成されたリード差込用孔３
１に挿入して、支持部１７の下端面１７ａをスペーサ４
０の表面に当接させることにより、複数の反射型発光ダ
イオード１０を、スペーサ４０を介して基板３０に取り
付ける。次に、各リード部１２ａ，１２ｂ，１２ｃを半
田付けすることにより、反射型発光ダイオード１０を固
定すると共に、第一リード部１２ａの端部α及び第二リ
ード部１２ｂを基板３０上に形成された回路パターンと
接続する。こうして、複数の反射型発光ダイオード１０
は、凹面状反射面１５の切断面が隣合うように直線状に
配列され、図１に示すような発光ダイオード配列体が得
られる。尚、図１に示す発光ダイオード配列体からは、
二本の外部接続用の線５０が引き出されている。In order to form a light emitting diode array using the reflective light emitting diodes 10, first, the lead portions 12a, 12b, 12c of the plurality of reflective light emitting diodes 10 are formed.
Is inserted into the lead insertion hole 41 formed in the spacer 40, and the lead insertion hole 3
1 and the lower end face 17a of the support portion 17 is
The plurality of reflective light emitting diodes 10 are attached to the substrate 30 via the spacers 40 by making contact with the surface of the light emitting diode 10. Next, the reflection type light emitting diode 10 is fixed by soldering the respective lead portions 12a, 12b, 12c, and the end α of the first lead portion 12a and the second lead portion 12b are formed on the substrate 30. Connected to the circuit pattern. Thus, the plurality of reflective light emitting diodes 10
Are arranged linearly so that the cut surfaces of the concave reflecting surface 15 are adjacent to each other, and a light emitting diode array as shown in FIG. 1 is obtained. In addition, from the light emitting diode array shown in FIG.
Two external connection lines 50 are drawn out.
【００３０】このように、凹面状反射面１５の端面を切
断した面が隣合うように密に反射型発光ダイオード１０
を配列することにより、高照度で且つ均斉度よく、線状
のエリアを照射する光源とすることができる。本実施形
態の反射型発光ダイオードでは、発光素子をマウントす
る第一リード部を、凹面状反射面を正面から見たときに
凹面状反射面を略直線状に横切るように形成したことに
より、発光素子は第一リード部の略中央部にマウントさ
れ、かかる第一リード部を有するリードフレームをプレ
ス打ち抜き加工で作製しても、第一リード部の発光素子
をマウントする部分は加工による変形が極めてわずかで
ある。このため、かかるリードフレームを用いて反射型
発光ダイオードを作製することにより、凹面状反射面に
対する発光素子の位置精度を安定して保つことができる
ので、発光素子からその中心軸方向に放射される光だけ
でなく、その中心軸方向に略直交する方向に放射される
光も凹面状反射面で良好に制御され、安定した平行光を
効率よく外部に放射することができる。As described above, the reflection type light emitting diodes 10 are densely arranged so that the cut surfaces of the concave reflecting surfaces 15 are adjacent to each other.
Can be used as a light source that irradiates a linear area with high illuminance and good uniformity. In the reflective light-emitting diode of the present embodiment, the first lead portion for mounting the light-emitting element is formed so as to cross the concave-shaped reflecting surface substantially linearly when the concave-shaped reflecting surface is viewed from the front. The element is mounted at a substantially central portion of the first lead portion, and even if the lead frame having the first lead portion is manufactured by press punching, the portion of the first lead portion where the light emitting element is mounted is extremely deformed by the processing. It is slight. For this reason, by manufacturing a reflective light emitting diode using such a lead frame, the positional accuracy of the light emitting element with respect to the concave reflecting surface can be stably maintained, and the light is emitted from the light emitting element in the central axis direction. Not only light but also light emitted in a direction substantially perpendicular to the central axis direction is well controlled by the concave reflecting surface, and stable parallel light can be efficiently emitted to the outside.
【００３１】また、本実施形態の反射型発光ダイオード
では、第一リード部の両端部を光透過性材料の側面から
引き出したことにより、発光素子が発した熱は第一リー
ド部の両端部に向かって両方向に伝わり、発光素子から
第一リード部に伝わる熱を第一リード部の両端部から外
部に拡散することができるので、放熱性の向上を図るこ
とができる。このため、発光素子の温度上昇により発光
出力が低下するのを防止することができると共に、発光
素子の寿命特性が劣化するのを防ぐことができる。とこ
ろで、反射型発光ダイオードは薄型で、第一リード部が
放射面に近い位置に形成されているため、発光素子から
第一リード部に伝わる熱の一部は放射面から外部に放射
される。本実施形態では、凹面状反射面を正面から見た
ときに第一リード部が放射面と重なる部分の割合は従来
の反射型発光ダイオードのものに比べて大きいので、放
射面から外部に放射する熱の量を増やすことができ、こ
のことによっても放熱性が向上する。In the reflection type light emitting diode of the present embodiment, since both ends of the first lead are drawn out from the side surface of the light transmitting material, heat generated by the light emitting element is applied to both ends of the first lead. Since heat transmitted in both directions toward the first lead portion from the light emitting element can be diffused to the outside from both ends of the first lead portion, heat radiation can be improved. For this reason, it is possible to prevent a decrease in the light emission output due to a rise in the temperature of the light emitting element, and to prevent the life characteristics of the light emitting element from deteriorating. By the way, since the reflection type light emitting diode is thin and the first lead portion is formed at a position close to the radiation surface, part of the heat transmitted from the light emitting element to the first lead portion is radiated to the outside from the radiation surface. In the present embodiment, when the concave reflection surface is viewed from the front, the ratio of the portion where the first lead overlaps the radiation surface is larger than that of the conventional reflection type light emitting diode, so that the radiation is emitted from the radiation surface to the outside. The amount of heat can be increased, which also improves heat dissipation.
【００３２】本発明者等は、下記の各発光ダイオードに
ついて、消費電力３６ｍＷで発光素子を約１０分程度点
灯し、発光素子のジャンクション温度が安定したことを
確かめた後、発光素子のジャンクション温度上昇を測定
した。その結果、従来の反射型発光ダイオードでは６．
０°、本実施形態の反射型発光ダイオードでは４．８
°、エポキシ樹脂でモールド成形したレンズ型発光ダイ
オードでは９．２°であった。したがって、本実施形態
の反射型発光ダイオードでは、従来の反射型発光ダイオ
ードに比べて、発光素子のジャンクション温度上昇が８
０％に低減することを確認した。The present inventors turned on the light emitting element for about 10 minutes at a power consumption of 36 mW for each of the following light emitting diodes, and confirmed that the junction temperature of the light emitting element was stabilized. Was measured. As a result, in the conventional reflective light emitting diode, 6.
0 °, 4.8 in the reflection type light emitting diode of the present embodiment.
° and 9.2 ° for a lens-type light emitting diode molded with an epoxy resin. Therefore, in the reflective light emitting diode of the present embodiment, the junction temperature rise of the light emitting element is 8 times higher than that of the conventional reflective light emitting diode.
It was confirmed that it was reduced to 0%.
【００３３】また、本実施形態の反射型発光ダイオード
用いて発光ダイオード配列体を構成することにより、発
光素子が発する熱を、第一リード部からの放熱の経路及
び放射面からの放熱の経路で、広く外部に拡散すること
ができるので、放熱性の向上を図り、発光素子の温度上
昇を効果的に抑えることができる。尚、本発明は上記の
実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内
において種々の変形が可能である。Further, by forming the light emitting diode array using the reflection type light emitting diodes of the present embodiment, the heat generated by the light emitting element can be transmitted through the heat radiation path from the first lead portion and the heat radiation path from the radiation surface. Since it can diffuse widely to the outside, it is possible to improve the heat radiation and effectively suppress the temperature rise of the light emitting element. Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist.
【００３４】たとえば、上記の実施形態において、凹面
状反射面に対する発光素子の位置精度を安定して保つだ
けで、放熱性の向上を図る必要がない場合には、図３に
示す第一リード部１２ａのβ側の幅を、α側の幅により
も狭くしてもよい。また、上記の実施形態では、リード
フレームとして、量産性を考慮し、プレス打ち抜き加工
品を用いた場合について説明したが、量産性の向上を図
る必要がない場合には、リードフレームとして、エッチ
ング加工により作製したものを用いてもよい。For example, in the above embodiment, if it is only necessary to stably maintain the positional accuracy of the light emitting element with respect to the concave reflecting surface and it is not necessary to improve the heat radiation, the first lead portion shown in FIG. The width on the β side of 12a may be smaller than the width on the α side. Further, in the above-described embodiment, the case where a press-punched product is used in consideration of mass productivity as the lead frame has been described. May be used.
【００３５】更に、上記の実施形態では、支持部に取り
付けられた第三リード部を有する場合について説明した
が、第三リード部の代わりに、例えば、図４に示すよう
に、一方の端部が第一リード部１２ａの発光素子がマウ
ントされた部分Ｐに連なり、他方の端部が光透過性材料
の側面から外部に引き出されている第四リード部１２ｄ
を設けるようにしてもよい。ここで、第一リード部１２
ａの端部α及び第二リード部１２ｂと、第一リード部１
２ａの端部β及び第四リード部１２ｄの他方の端部と
は、光透過性材料の側面から互いに反対方向に引き出さ
れる。これにより、発光素子が発する熱の放熱経路が増
えるため、発光素子から第四リード部１２ｄに伝わる熱
を第四リード部１２ｄの端部から外部に放射することが
できると共に、発光素子から第四リード部１２ｄに伝わ
る熱の一部を放射面１６から外部に放射することができ
るので、放熱性をより一層向上させることができる。Further, in the above-described embodiment, the case has been described in which the third lead portion is attached to the support portion. However, instead of the third lead portion, for example, as shown in FIG. Is connected to the portion P of the first lead portion 12a on which the light emitting element is mounted, and the other end is pulled out to the outside from the side surface of the light transmitting material.
May be provided. Here, the first lead portion 12
a and the second lead portion 12b and the first lead portion 1
The end β of 2a and the other end of the fourth lead 12d are pulled out from the side surface of the light transmitting material in opposite directions. This increases the heat radiation path of the heat generated by the light emitting element, so that heat transmitted from the light emitting element to the fourth lead portion 12d can be radiated to the outside from the end of the fourth lead portion 12d, and the fourth Since part of the heat transmitted to the lead portion 12d can be radiated to the outside from the radiation surface 16, the heat radiation can be further improved.
【００３６】一般に、反射型発光ダイオードでは、凹面
状反射面を正面から見たときに放射面と重なるリード部
の部分は、発光素子が発し、凹面状反射面で反射する光
を外部に放射するのを妨げることになる。凹面状反射面
の直径を約１０ｍｍ、リード部の幅を約０．３ｍｍとし
た場合、従来の反射型発光ダイオードでは、リード部に
よる外部放射の損失は約６〜７％であり、一方、図４に
示す反射型発光ダイオードでは、リード部による外部放
射の損失は約１０％程度で、従来の反射型発光ダイオー
ドに比べて約２倍弱となる。しかし、平行光を外部に放
射する仕様では、反射型発光ダイオードは、レンズ型発
光ダイオードに比べて３倍以上の外部放射効率を有する
ことを考慮すると、図４に示す反射型発光ダイオードの
損失と従来の反射型発光ダイオードの損失との差は小さ
なものと考えることができる。図４に示す反射型発光ダ
イオードは、特に、大電流を通電するタイプのものに好
適である。In general, in a reflection type light emitting diode, a portion of a lead portion overlapping a radiation surface when the concave reflection surface is viewed from the front emits light emitted from the light emitting element and reflected by the concave reflection surface to the outside. Will be hindered. When the diameter of the concave reflecting surface is about 10 mm and the width of the lead is about 0.3 mm, the loss of external radiation due to the lead is about 6 to 7% in the conventional reflective light emitting diode. In the reflection type light emitting diode shown in FIG. 4, the loss of external radiation due to the lead portion is about 10%, which is about two times less than the conventional reflection type light emitting diode. However, in the specification of emitting parallel light to the outside, considering that the reflection type light emitting diode has an external radiation efficiency three times or more as compared with the lens type light emitting diode, the loss of the reflection type light emitting diode shown in FIG. The difference from the loss of the conventional reflective light emitting diode can be considered to be small. The reflection type light emitting diode shown in FIG. 4 is particularly suitable for a type in which a large current flows.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
一リード部を、凹面状反射面を正面から見たときに凹面
状反射面を略直線状に横切るように形成し、且つ、第一
リード部の両端部を光透過性材料の側面から外部に引き
出したことにより、発光素子は第一リード部の略中央部
にマウントされ、かかる第一リード部を有するリードフ
レームをプレス打ち抜き加工で作製しても、第一リード
部の発光素子をマウントする部分は加工による変形が極
めてわずかであるので、凹面状反射面に対する発光素子
の位置精度を安定して保つことができ、しかも、発光素
子が発した熱は第一リード部の両端部に向かって両方向
に伝わることができるため、発光素子から第一リード部
に伝わる熱を第一リード部の両端部から外部に放射する
ことができると共に、発光素子から第一リード部に伝わ
る熱の一部を放射面から外部に放射することができるの
で、放熱性の向上を図ることができる反射型発光ダイオ
ードを提供することができる。As described above, according to the present invention, the first lead portion is formed so as to cross the concave reflecting surface substantially linearly when the concave reflecting surface is viewed from the front, and By drawing both ends of the first lead portion to the outside from the side surface of the light transmissive material, the light emitting element is mounted at a substantially central portion of the first lead portion, and a lead frame having the first lead portion is press-punched. Even when the light emitting device is manufactured by the method described above, the portion of the first lead portion on which the light emitting device is mounted undergoes very little deformation due to processing, so that the position accuracy of the light emitting device with respect to the concave reflecting surface can be stably maintained. Since the heat generated by the element can be transmitted in both directions toward both ends of the first lead portion, the heat transmitted from the light emitting element to the first lead portion can be radiated outside from both ends of the first lead portion. With Since a portion of the heat transferred to the first lead portion from the light-emitting element can be radiated to the outside from the radiation surface, it is possible to provide a reflection type light emitting diode that can improve the heat radiation property.
【図１】本発明の一実施形態である反射型発光ダイオー
ドを用いた発光ダイオード配列体の概略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view of a light emitting diode array using a reflective light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
【図２】その発光ダイオード配列体のＡ−Ａ矢視方向概
略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of the light emitting diode array in the direction of arrows AA.
【図３】（ａ）は本実施形態の反射型発光ダイオードの
概略正面図、（ｂ）はその反射型発光ダイオードをｘ軸
方向から見たときの概略側面図、（ｃ）はその反射型発
光ダイオードをｙ軸方向から見たときの概略側面図であ
る。3A is a schematic front view of the reflective light emitting diode of the present embodiment, FIG. 3B is a schematic side view of the reflective light emitting diode as viewed from the x-axis direction, and FIG. FIG. 3 is a schematic side view when the light emitting diode is viewed from a y-axis direction.
【図４】本実施形態の反射型発光ダイオードの変形例を
説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a modification of the reflective light emitting diode of the present embodiment.
【図５】（ａ）は従来の反射型発光ダイオードの概略正
面図、（ｂ）はその反射型発光ダイオードをｘ軸方向か
ら見たときの概略側面図、（ｃ）はその反射型発光ダイ
オードをｙ軸方向から見たときの概略側面図である。5A is a schematic front view of a conventional reflection type light emitting diode, FIG. 5B is a schematic side view of the reflection type light emitting diode viewed from the x-axis direction, and FIG. 5C is the reflection type light emitting diode. FIG. 3 is a schematic side view when viewed from the y-axis direction.
【図６】照射分布シミュレーションに用いられる反射型
発光ダイオードの凹面状反射面の形状を説明するための
図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a shape of a concave reflecting surface of a reflective light emitting diode used for an irradiation distribution simulation.
【図７】照射分布シミュレーション結果を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing an irradiation distribution simulation result.
１０ 反射型発光ダイオード １１ 発光素子 １２ａ 第一リード部 １２ｂ 第二リード部 １２ｃ 第三リード部 １２ｄ 第四リード部 １３ ワイヤ １４ 光透過性材料 １５ 凹面状反射面 １６ 放射面 １７ 支持部 １７ａ 下端面 ３０ 基板 ３１ リード差込用孔 ４０ スペーサ ４１ リード差込用孔 ５０ 外部接続用の線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Reflection type light emitting diode 11 Light emitting element 12a First lead part 12b Second lead part 12c Third lead part 12d Fourth lead part 13 Wire 14 Light transmissive material 15 Concave reflective surface 16 Radiation surface 17 Support 17a Lower end 30 Substrate 31 Lead insertion hole 40 Spacer 41 Lead insertion hole 50 Wire for external connection
Claims (6)
れた第一リード部と、前記発光素子とワイヤを介して接
続された第二リード部と、前記発光素子の発光面に対向
して設けられた凹面状反射面と、前記凹面状反射面で反
射した光を外部に放射する放射面と、前記発光素子と前
記第一リード部及び第二リード部の一部とを封止すると
共に前記凹面状反射面と前記放射面との間の空間を埋め
る光透過性材料とを備える反射型発光ダイオードにおい
て、 前記第一リード部は前記凹面状反射面を正面から見たと
きに前記凹面状反射面を略直線状に横切るように形成さ
れ、且つ、前記第一リード部の両端部が前記光透過性材
料の側面から外部に引き出されていることを特徴とする
反射型発光ダイオード。1. A light emitting device, a first lead on which the light emitting device is mounted, a second lead connected to the light emitting device via a wire, and a light emitting surface of the light emitting device. The concave reflection surface, and a radiation surface that radiates the light reflected by the concave reflection surface to the outside, and seals the light emitting element and a part of the first lead portion and the second lead portion. A reflective light-emitting diode comprising a light-transmissive material that fills a space between the concave reflecting surface and the radiation surface, wherein the first lead portion has the concave reflection when the concave reflecting surface is viewed from the front. A reflective light-emitting diode, which is formed so as to cross a surface in a substantially straight line, and wherein both end portions of the first lead portion are drawn out of a side surface of the light transmitting material to the outside.
は、プレス打ち抜き加工で作製したリードフレームを用
いて形成されたものであることを特徴とする請求項１記
載の反射型発光ダイオード。2. The reflection type light emitting diode according to claim 1, wherein the first lead portion and the second lead portion are formed using a lead frame manufactured by press punching.
記光透過性材料に取り付けられた第三リード部を有し、
前記第一リード部の一方の端部及び前記第二リード部
と、前記第一リード部の他方の端部及び前記第三リード
部とが、前記光透過性材料の側面から互いに反対方向に
引き出されていることを特徴とする請求項１又は２記載
の反射型発光ダイオード。3. A third lead portion attached to the light transmitting material located at a peripheral portion of the concave reflecting surface,
One end of the first lead and the second lead, and the other end of the first lead and the third lead are pulled out from the side surface of the light transmitting material in opposite directions. The reflective light-emitting diode according to claim 1, wherein the light-emitting diode is provided.
光素子がマウントされた部分に連なり、他方の端部が前
記光透過性材料の側面から外部に引き出されている第四
リード部を有することを特徴とする請求項１又は２記載
の反射型発光ダイオード。4. A fourth lead portion having one end connected to a portion of the first lead portion on which the light emitting element is mounted, and the other end drawn out from a side surface of the light transmitting material. The reflective light-emitting diode according to claim 1 or 2, wherein:
第二リード部と、前記第一リード部の他方の端部及び前
記第四リード部の他方の端部とが、前記光透過性材料の
側面から互いに反対方向に引き出されていることを特徴
とする請求項４記載の反射型発光ダイオード。5. The light transmitting device according to claim 1, wherein one end of the first lead portion and the second lead portion, and the other end of the first lead portion and the other end of the fourth lead portion are connected to the light transmitting portion. The reflective light-emitting diode according to claim 4, wherein the light-emitting diode is drawn out of the side surface of the conductive material in directions opposite to each other.
ードを一列に配列したことを特徴とする発光ダイオード
配列体。6. A light-emitting diode array comprising the reflective light-emitting diodes according to claim 1 arranged in a line.
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP17169197A JP3817722B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Reflective light emitting diode and light emitting diode array |
| EP98905698A EP0936683A4 (en) | 1997-06-27 | 1998-02-27 | Reflection type light emitting diode |
| PCT/JP1998/000826 WO1999000852A1 (en) | 1997-06-27 | 1998-02-27 | Reflection type light emitting diode |
| TW87104703A TW385557B (en) | 1997-06-27 | 1998-03-30 | Reflective light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17169197A JP3817722B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Reflective light emitting diode and light emitting diode array |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117227A true JPH1117227A (en) | 1999-01-22 |
| JP3817722B2 JP3817722B2 (en) | 2006-09-06 |
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| JP (1) | JP3817722B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906459B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-06-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP17169197A patent/JP3817722B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906459B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-06-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
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