JPH1116805A - Feedback method for manufacturing process for semiconductor device - Google Patents
Feedback method for manufacturing process for semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程のフィードバック方法に関し、詳しくはリソグラフ
ィー工程におけるフィードバック方法に関する。The present invention relates to a feedback method for a semiconductor device manufacturing process, and more particularly to a feedback method in a lithography process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスの大きな課題として
ＣＯＯ（Cost Of Ownership ）の低減がある。特に非常
に回数、時間を要するリソグラフィー工程でのＣＯＯの
低減は半導体製造プロセス中でも重要である。2. Description of the Related Art Reduction of COO (Cost Of Ownership) is a major problem in a semiconductor manufacturing process. In particular, reduction of COO in a lithography step that requires a very large number of times and time is important during a semiconductor manufacturing process.
【０００３】現在、リソグラフィー工程での生産性を大
きく低下させている要因の一つには、先行ウエハ（Send
Ahead Wafer）による事前の条件設定の工程があげられ
る。例えば、ウエハ１枚にレジストを塗布した後、露
光、現像を行い、レジストパターンの寸法測定を行う。
その結果に基づいて露光エネルギーおよびフォーカス位
置を決定する。さらに重ね合わせ精度の測定を行う。そ
れによってアライメント補正量を決定する。例えば、パ
ターンのシフト量（パターン横ずれ量）、スケーリング
（放射状の倍率）、ウエハ回転、直交性、ショット回
転、ショット倍率等の露光条件補正量を決定する。その
後、本体ウエハ上にレジストパターン形成を行う。At present, one of the factors that greatly reduces the productivity in the lithography process is that the preceding wafer (Send
Ahead Wafer) is a process of setting conditions in advance. For example, after a resist is applied to one wafer, exposure and development are performed, and the dimension of the resist pattern is measured.
The exposure energy and the focus position are determined based on the result. Further, the overlay accuracy is measured. Thereby, the alignment correction amount is determined. For example, exposure condition correction amounts such as a pattern shift amount (pattern lateral shift amount), scaling (radial magnification), wafer rotation, orthogonality, shot rotation, and shot magnification are determined. Thereafter, a resist pattern is formed on the main body wafer.
【０００４】上記のような条件変動要因としては、リソ
グラフィー要因と他のプロセス要因とに分類できる。例
えば露光エネルギーの変動は、リソグラフィー要因とし
てはレジスト膜厚変動、レジスト感度変動、露光装置
（例えばステッパ）の照明むら変動等が、他のプロセス
では、下地のＣＶＤ時の膜厚や光学定数（屈折率、吸光
係数等）の変動等が考えられる。[0004] Factors for changing conditions as described above can be classified into lithography factors and other process factors. For example, variations in exposure energy include lithography factors such as variations in resist film thickness, variations in resist sensitivity, and variations in illumination unevenness of an exposure apparatus (eg, a stepper). Rate, extinction coefficient, etc.).
【０００５】そこで上記のような先行ウエハを廃止する
目的で、ＩＢＭ社のＰＨＡＬＣＯＮ（Phot Automated L
ogging and Control System ）に代表されるフィードバ
ック方法が導入されつつある。これは上記先行ウエハに
よる条件出しを廃止する代わりに、直近の数ロットのデ
ータを用いて露光パラメータ（露光エネルギー、アライ
メント補正値）を決定する方法である。[0005] Therefore, in order to abolish the preceding wafer as described above, PALCON (Phot Automated Lt.
Ogging and Control System) is being introduced. This is a method of determining exposure parameters (exposure energy, alignment correction value) using data of the latest several lots instead of eliminating the condition setting by the preceding wafer.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｐ
ＨＡＬＣＯＮに代表されるフィードバック方法は、汎用
メモリのように大量に同じデバイスが流れる製造ライン
ではその威力を発揮するが、数日あるいは数週間に１ロ
ットが流れる程度のデバイス製造ラインには向かない。
そのため、ＡＳＩＣ等の少量多品種の高付加価値品の生
産工程に上記フィードバック方法を適用することは困難
であった。However, the above P
The feedback method represented by HALCON is effective in a production line in which a large number of the same devices flow like a general-purpose memory, but is not suitable for a device production line in which one lot flows every few days or weeks.
For this reason, it has been difficult to apply the above-described feedback method to the production process of high-value-added products of a small quantity and a large variety of products such as ASIC.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体装置の製造工程のフィード
バック方法である。すなわち、半導体装置の製造プロセ
スのリソグラフィー工程で、既に処理された数ロットの
工程内プロセス品質制御〔ＩＰＱＣ（Inline Process Q
uality Control）〕データに基づいて着工するロットの
処理条件を決定するフィードバック方法であって、フィ
ードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均によ
り求めるフィードバック方法である。その加重価には時
間をパラメータとした重み付け係数を導入する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a feedback method for a semiconductor device manufacturing process which has been made to solve the above-mentioned problems. That is, in a lithography process of a semiconductor device manufacturing process, in-process process quality control of several lots already processed [IPQC (Inline Process Q
uality Control)] is a feedback method for determining processing conditions of a lot to be started based on data, and a feedback method for obtaining an algorithm for obtaining a feedback value by a weighted moving average. A weighting coefficient using time as a parameter is introduced as the weight.
【０００８】上記半導体装置の製造工程のフィードバッ
ク方法では、フィードバック値を求めるアルゴリズムを
加重移動平均により求めることから、フィードバック値
を求めるアルゴリズムに加重価としてプロセス条件の時
間要因を導入することが可能になる。そのため、数日あ
るいは数週間前に流れたロットのＩＰＱＣデータに基づ
いてフィードバック値が求まる。また、加重価には時間
をパラメータとした重み付け係数を導入することから、
加重価によって時間的変動要因が考慮されることにな
る。そのため、数日あるいは数週間前に流れたロットの
プロセスデータを基にしてフィードバック値を求めて
も、フィードバック値の時間による変動要因が抑制され
る。In the above-described feedback method in the manufacturing process of the semiconductor device, since the algorithm for obtaining the feedback value is obtained by the weighted moving average, the time factor of the process condition can be introduced as a weight into the algorithm for obtaining the feedback value. . Therefore, a feedback value is obtained based on the IPQC data of the lot that has flowed several days or weeks ago. In addition, since a weighting factor using time as a parameter is introduced for the weight,
The weighted value will take into account temporal fluctuation factors. Therefore, even if the feedback value is obtained based on the process data of the lot that has flowed several days or weeks ago, the cause of the fluctuation of the feedback value over time is suppressed.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の一例を、図１
のリソグラフィー工程の説明図によって説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention is shown in FIG.
The lithography process will be described with reference to FIG.
【００１０】図１に示すように、「加重移動平均による
処理条件の決定」Ｓ１によって、半導体装置の製造プロ
セスのリソグラフィー工程で、既に処理された数ロット
の工程内プロセス品質制御データより着工するロットの
処理条件を決定する。As shown in FIG. 1, in the "determination of processing conditions by weighted moving average" S1, in the lithography process of the manufacturing process of the semiconductor device, lots to be started based on in-process process quality control data of several lots already processed. Is determined.
【００１１】上記「加重移動平均による処理条件の決
定」Ｓ１では、露光条件のフィードバック値を求めるア
ルゴリズムを加重移動平均により求める。その加重価に
は時間をパラメータとした重み付け係数を導入する。。In the above-mentioned "Determination of processing condition by weighted moving average" S1, an algorithm for obtaining a feedback value of the exposure condition is obtained by a weighted moving average. A weighting coefficient using time as a parameter is introduced as the weight. .
【００１２】一般的な重ね合わせのフィードバックアル
ゴリズムは（１）式のように表せる。A general superposition feedback algorithm can be expressed as in equation (1).
【００１３】[0013]
【数１】 (Equation 1)
【００１４】これに対し本発明では、（１）式に加重移
動平均を導入して、重ね合わせのフィードバックアルゴ
リズムを（２）式のように表した。On the other hand, in the present invention, a weighted moving average is introduced into the equation (1), and the superposition feedback algorithm is expressed as the equation (2).
【００１５】[0015]
【数２】 (Equation 2)
【００１６】また、一般的な線幅精度に影響を及ぼす露
光エネルギーｅのフィードバックアルゴリズムは（３）
式のように表せる。A general feedback algorithm of the exposure energy e which affects the line width accuracy is given by (3)
It can be expressed like an expression.
【００１７】[0017]
【数３】 (Equation 3)
【００１８】これに対し本発明では、（３）式に加重移
動平均を導入して、露光エネルギーｅのフィードバック
アルゴリズムを（４）式のように表した。On the other hand, in the present invention, a weighted moving average is introduced into the equation (3), and the feedback algorithm of the exposure energy e is expressed as the equation (4).
【００１９】[0019]
【数４】 (Equation 4)
【００２０】上記（２）式、（４）式等を用いて加重移
動平均による処理条件の決定を行い、入力補正値を求め
る。Using the above equations (2) and (4), processing conditions are determined by weighted moving average, and input correction values are obtained.
【００２１】そして「レジスト膜の形成」Ｓ２によっ
て、製品を形成するウエハにレジストを塗布してレジス
ト膜を形成する。その際、塗布後にベーキングを行って
レジスト膜を硬化させる。この「レジスト膜の形成」Ｓ
２は「加重移動平均による処理条件の決定」Ｓ１と並列
に処理してもよい。Then, in "Formation of resist film" S2, a resist is applied to a wafer for forming a product to form a resist film. At this time, baking is performed after the application to cure the resist film. This "formation of resist film" S
2 may be processed in parallel with "determination of processing conditions by weighted moving average" S1.
【００２２】次いで「露光」Ｓ３によって、上記「加重
移動平均による処理条件の決定」Ｓ１により決定した処
理条件に基づいて露光条件を設定して露光を行う。Next, in "exposure" S3, exposure is performed by setting exposure conditions based on the processing conditions determined in "determining processing conditions by weighted moving average" S1.
【００２３】続いて「現像」Ｓ４によって、上記露光し
たウエハの現像を行い、レジストパターンを形成する。Subsequently, in the "development" step S4, the exposed wafer is developed to form a resist pattern.
【００２４】その後「検査」Ｓ５によって、レジストパ
ターン寸法（線幅）の測定、レジストパターン形状の検
査を行う。その結果、良好であればリソグラフィー工程
を「終了」する。もし検査結果が不良であれば、ウエハ
を再生する工程に送る。Thereafter, in "inspection" S5, measurement of the resist pattern dimension (line width) and inspection of the resist pattern shape are performed. As a result, if the result is good, the lithography process is “finished”. If the inspection result is bad, it is sent to a step of regenerating the wafer.
【００２５】このように、本発明の方法では、重ね合わ
せの補正値および露光エネルギーを求める式に加重移動
平均を導入することによって、アルゴリズムに加重価と
してプロセス条件の時間的要因を導入することが可能に
なる。そのため、数日あるいは数週間前に流れたロット
のプロセスデータに基づいてフィードバック値が求ま
る。また、加重価Ｗi に時間をパラメータとした重み付
け係数を導入することにより、加重価Ｗi によって時間
的変動要因が考慮されることになる。そのため、数日あ
るいは数週間前に流れたロットのプロセスデータを基に
してフィードバック値を求めても、フィードバック値の
時間による変動要因が抑制される。As described above, in the method of the present invention, by introducing the weighted moving average into the equation for calculating the correction value of the overlay and the exposure energy, it is possible to introduce the time factor of the process condition as a weight into the algorithm. Will be possible. Therefore, a feedback value is obtained based on the process data of the lot that has flowed several days or weeks ago. Further, by introducing a weighting coefficient the time as a parameter on the weighted value W i, so that the temporal variation factors by weighting value W i is considered. Therefore, even if the feedback value is obtained based on the process data of the lot that has flowed several days or weeks ago, the cause of the fluctuation of the feedback value over time is suppressed.
【００２６】次に重ね合わせ精度の平行移動誤差（Tran
slation ）を一例として、従来法と本発明の方法との比
較を行う。Next, a translation error (Tran
slation) as an example, the conventional method is compared with the method of the present invention.
【００２７】図２はあるステッパ（露光装置）のＥＱＣ
（装置メンテナンスデータ）での平均移動誤差を示した
ものであり、縦軸に平均移動誤差を示し、横軸に時間を
示す。FIG. 2 shows the EQC of a certain stepper (exposure apparatus).
This shows the average movement error in (device maintenance data), the vertical axis shows the average movement error, and the horizontal axis shows time.
【００２８】図２に示すように、時間の経過とともに平
均移動誤差が変化していることがわかる。このような変
動が起こる理由は、例えばステッパのアライメントセン
サーのテレセン性（フォーカス像の横方向ずれ）の悪化
等がある。このような変動要因を補正することを目的と
して、上記説明したように加重移動平均を導入すること
によってプロセス条件を求める。As shown in FIG. 2, it can be seen that the average movement error changes over time. The reason why such a change occurs is, for example, deterioration of the telecentricity (lateral shift of the focus image) of the alignment sensor of the stepper. For the purpose of correcting such fluctuation factors, a process condition is obtained by introducing a weighted moving average as described above.
【００２９】また図３はある製品ロットでの先行ウエハ
法による重ね合わせ誤差とその時のステッパ（露光装
置）への補正入力値であり、縦軸にＩＰＱＣ値および補
正入力値を示し、横軸に時間を示す。FIG. 3 shows the overlay error by a preceding wafer method in a certain product lot and the correction input value to a stepper (exposure apparatus) at that time, wherein the vertical axis shows the IPQC value and the correction input value, and the horizontal axis shows Indicates time.
【００３０】図３に示すように、補正を行わないＩＰＱ
Ｃ値は時間の経過とともに平均移動誤差は、例えば、５
８日前が−０．０１μｍ、５６日前が−０．００μｍ、
１１日前が０．０４μｍ、７日前が０．０６μｍ、２日
前が０．０５μｍ、当日が０．０６μｍというように、
大きく変動を起こしている。このように変動が起こる原
因は、例えばステッパのアライメントセンサーのテレセ
ン性（フォーカス像の横方向ずれ）の悪化等がある。こ
のような変動要因を補正することを目的として、上記説
明したように加重移動平均を導入することによってプロ
セス条件を求める。今、先行ウエハ法による入力補正値
を理想補正値とする。その入力補正値は、５８日前が
０．００μｍ、５６日前が−０．０１μｍ、１１日前が
−０．０３μｍ、７日前が−０．０４μｍ、２日前が−
０．０４μｍ、当日が−０．０６μｍであった。そし
て、その補正値を用いて処理した後のＩＰＱＣ値は、５
８日前が−０．０１μｍ、５６日前が−０．０１μｍ、
１１日前が０．０１μｍ、７日前が０．０２μｍ、２日
前が０．０１μｍ、当日が０．００μｍになった。As shown in FIG. 3, IPQ without correction is performed.
The C value indicates that the average movement error over time is, for example, 5
8 days ago -0.01 μm, 56 days ago -0.00 μm,
The day before is 0.04 μm, the day before is 0.06 μm, the day before is 0.05 μm, the day is 0.06 μm,
It has fluctuated greatly. The cause of such a fluctuation is, for example, deterioration of the telecentricity (lateral shift of the focus image) of the alignment sensor of the stepper. For the purpose of correcting such fluctuation factors, a process condition is obtained by introducing a weighted moving average as described above. Now, let the input correction value by the preceding wafer method be an ideal correction value. The input correction values are 0.00 μm 58 days ago, −0.01 μm 56 days ago, −0.03 μm 11 days ago, −0.04 μm 7 days ago, −2 days ago −
0.04 μm, and -0.06 μm on the day. Then, the IPQC value after processing using the correction value is 5
8 days ago -0.01 μm, 56 days ago -0.01 μm,
It was 0.01 μm 11 days ago, 0.02 μm 7 days ago, 0.01 μm 2 days ago, and 0.00 μm on the day.
【００３１】ここでフィードバック法を使用した場合
で、従来法である上記（１）式および本発明の方法であ
る（２）式において係数Ａ＝１．０とし、参照ロット数
を５ロット（ただし、参照データの有効期間は６０日）
として計算を行った。また加重移動平均の加重価はここ
では等差級数として以下のように設定した。Ｗ1 ＝０．
１０、Ｗ2 ＝０．１５、Ｗ3 ＝０．２０、Ｗ4 ＝０．２
５、Ｗ5 ＝０．３０、ただしΣＷi ＝１．００とした。Here, in the case where the feedback method is used, the coefficient A is set to 1.0 in the above equation (1) which is the conventional method and the equation (2) which is the method of the present invention, and the number of reference lots is 5 lots (however, , The validity period of the reference data is 60 days)
The calculation was performed as follows. The weighted value of the weighted moving average was set as an arithmetic series here as follows. W 1 = 0.
10, W 2 = 0.15, W 3 = 0.20, W 4 = 0.2
5, W 5 = 0.30, where ΔW i = 1.00.
【００３２】その結果、従来法では、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０３μｍとなり、理想補正量＝
−０．０６μｍとのフィードバック誤差は０．０３μｍ
となった。一方、本発明の方法では、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０４μｍとなり、理想補正量＝
−０．０６μｍとのフィードバック誤差は０．０２μｍ
となった。そして両者を比較すると、加重移動平均を用
いた本発明の方法の方が、フィードバック性能は０．０
１μｍ良いことがわかる。As a result, in the conventional method, the input correction value (input offset amount) is -0.03 μm, and the ideal correction amount =
Feedback error from -0.06 µm is 0.03 µm
It became. On the other hand, in the method of the present invention, the input correction value (input offset amount) is −0.04 μm, and the ideal correction amount =
Feedback error from -0.06 µm is 0.02 µm
It became. Comparing the two, the method of the present invention using the weighted moving average has a feedback performance of 0.0
It can be seen that 1 μm is better.
【００３３】次に上記Ｗi を時間ｔの関数ｆ（ｔ）＝Ｗ
i とし、ここでは（５）式として、上記（２）式に適用
した場合を以下に示す。Next, the above-mentioned W i is defined as a function f (t) = W of time t.
Here, i, and here, a case where the expression (5) is applied to the above expression (2) is shown.
【００３４】[0034]
【数５】 (Equation 5)
【００３５】したがって、加重移動平均の加重価は以下
のようになる。例えば５８日前の加重価Ｗ1 ＝（−５
８）／６０＋１≒０．０３となる。ここでは、ｔは当日
を０として起算し、マイナスにて表すことにしている。
したがって、５８日前であればｔ＝−５８となる。同様
にして５６日前、１１日前、７日前、２日前の加重価
は、それぞれ、Ｗ2 ≒０．０７、Ｗ3 ≒０．８２、Ｗ4
≒０．８８、Ｗ5 ≒０．９７となる。これらの加重価を
基にして（２）式により計算すると、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０５μｍとなる。その結果、上
記理想補正値＝−０．０６μｍとのフィードバック誤差
は０．０１μｍである。両者を比較すると、加重移動平
均を用いた本発明の方法の方がフィードバック性能は
０．０２μｍ優れていることがわかる。Therefore, the weighted value of the weighted moving average is as follows. For example, the weighted value W 1 = (− 5) 58 days ago
8) /60+1≒0.03. Here, t is calculated with the current day as 0, and expressed as a minus.
Therefore, if 58 days ago, t = −58. Similarly, the weighted values of 56 days ago, 11 days ago, 7 days ago, and 2 days ago are respectively W 2 ≒ 0.07, W 3 ≒ 0.82, and W 4
≒ 0.88, W 5 ≒ 0.97. When the weight is calculated on the basis of the weighted value by the equation (2), the input correction value (input offset amount) is -0.05 μm. As a result, the feedback error from the ideal correction value = −0.06 μm is 0.01 μm. Comparing the two, it can be seen that the method of the present invention using the weighted moving average is superior in feedback performance by 0.02 μm.
【００３６】ここでは、重み付けに、加重価が単調減少
する関数として一次関数を用いたが、ガウス関数など時
間により加重価が単調に減少する関数であれば、一次関
数に限定されない。なお、上記ガウス関数は標準偏差が
大きくなると、近似的に一次関数と見なすことが可能で
ある。Here, a linear function is used as the weighting function as a function whose weight value monotonically decreases. However, any function such as a Gaussian function whose weight value monotonically decreases with time is not limited to a linear function. Note that the Gaussian function can be approximately regarded as a linear function when the standard deviation increases.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
フィードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均
により求めるので、アルゴリズムに加重価としてプロセ
ス条件の時間要因を導入することが可能になる。そのた
め、数日あるいは数週間前に流れたロットのプロセスデ
ータに基づいてフィードバック値を求めることが可能に
なるので、高精度のフィードバックを実現することが可
能になる。さらに加重価に時間をパラメータとした重み
付け係数を導入する方法によれば、さらに高精度のフィ
ードバックを実現できる。よって、ＴＡＴの短縮、再生
ウエハの発生の減少等を実現することができるので、生
産性の向上が図れる。それとともに、線幅精度の向上に
より素子の微細化、高集積化が可能になるとともにデバ
イス性能の向上が図れる。As described above, according to the present invention,
Since the algorithm for obtaining the feedback value is obtained by the weighted moving average, it becomes possible to introduce a time factor of the process condition as a weight into the algorithm. Therefore, it is possible to obtain a feedback value based on the process data of a lot that has flowed several days or weeks ago, so that highly accurate feedback can be realized. Further, according to the method of introducing a weighting coefficient using time as a parameter in the weight, more accurate feedback can be realized. Accordingly, the TAT can be shortened, the generation of reclaimed wafers can be reduced, and the like, so that productivity can be improved. At the same time, the improvement of the line width accuracy enables the miniaturization and high integration of the device and the improvement of the device performance.
【図１】リソグラフィー工程の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a lithography step.
【図２】ステッパのＥＱＣデータの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of EQC data of a stepper.
【図３】先行ウエハ法による製品ロットの重ね合わせ結
果の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a result of superimposing product lots by a preceding wafer method.
Ｓ１…加重移動平均による処理条件の決定 S1: Determination of processing conditions by weighted moving average
Claims (3)
ィー工程で既に処理された数ロットの工程内プロセス品
質制御データに基づいて、これから着工するロットの処
理条件を決定するフィードバック方法であって、 フィードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均
により求めることを特徴とする半導体装置の製造工程の
フィードバック方法。1. A feedback method for determining processing conditions for a lot to be started based on in-process process quality control data of several lots already processed in a lithography step of a semiconductor device manufacturing process, comprising: A feedback method for a manufacturing process of a semiconductor device, wherein an algorithm to be obtained is obtained by a weighted moving average.
フィードバック方法において、 前記加重価に、時間をパラメータとした重み付け係数を
導入することを特徴とする半導体装置の製造工程のフィ
ードバック方法。2. The method according to claim 1, wherein a weighting factor using time as a parameter is introduced into the weighting value.
フィードバック方法において、 前記重み付けに前記加重価が単調減少する関数を用いる
ことを特徴とする半導体装置の製造工程のフィードバッ
ク方法。3. The method according to claim 1, wherein a function of monotonically decreasing the weight is used for the weighting.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163694A JPH1116805A (en) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | Feedback method for manufacturing process for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163694A JPH1116805A (en) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | Feedback method for manufacturing process for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116805A true JPH1116805A (en) | 1999-01-22 |
Family
ID=15778839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9163694A Pending JPH1116805A (en) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | Feedback method for manufacturing process for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116805A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506899A (en) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Method and apparatus for performing run-to-run control in a batch manufacturing environment |
| US6645683B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-11-11 | Infineon Technologies Ag | Control system and methods for photolithographic processes |
| US6756241B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-06-29 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9163694A patent/JPH1116805A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506899A (en) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Method and apparatus for performing run-to-run control in a batch manufacturing environment |
| US6645683B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-11-11 | Infineon Technologies Ag | Control system and methods for photolithographic processes |
| US6756241B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-06-29 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same |
| KR100443683B1 (en) * | 2000-12-27 | 2004-08-09 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same |
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