JPH11163469A - Fiber grating external resonator laser - Google Patents
Fiber grating external resonator laserInfo
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- JPH11163469A JPH11163469A JP34400197A JP34400197A JPH11163469A JP H11163469 A JPH11163469 A JP H11163469A JP 34400197 A JP34400197 A JP 34400197A JP 34400197 A JP34400197 A JP 34400197A JP H11163469 A JPH11163469 A JP H11163469A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ファイバグレーティン
グ外部共振器レーザに関する。より詳細には、注入電流
の変化や外部環境の変化の影響を受け難い構成のファイ
バグレーティング外部共振器レーザに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fiber grating external cavity laser. More specifically, the present invention relates to a fiber grating external cavity laser that is hardly affected by a change in injection current or a change in an external environment.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ファイバグレーティング外部共振器レー
ザは、半導体アンプと、ファイバグレーティングを組み
合わせて構成されたレーザ装置である。外部共振器レー
ザは、一般に内部共振器レーザよりもエピタキシャル構
造が単純で製造コストが低いという利点がある。しかし
ながら、共振器が外部にあるために、さまざまな攪乱を
受けやすいという短所もある。特に、注入電流の変化に
よる半導体アンプの温度変化や、外部環境の変化により
共振器長が変化するなどの影響を受けやすい。2. Description of the Related Art A fiber grating external cavity laser is a laser device constructed by combining a semiconductor amplifier and a fiber grating. External cavity lasers generally have the advantage of a simpler epitaxial structure and lower manufacturing costs than internal cavity lasers. However, there is a disadvantage in that the resonator is susceptible to various disturbances because it is external. In particular, it is easily affected by a change in the temperature of the semiconductor amplifier due to a change in the injection current and a change in the resonator length due to a change in the external environment.
【０００３】図５に従来のファイバグレーティング外部
共振器レーザの一例を示す。図５は、半導体アンプ２と
グレーティング10がコアの一部に形成された光ファイバ
１とを組み合わせて構成されるファイバグレーティング
外部共振器レーザの断面図である。図５において、半導
体アンプ２の導波路は、端面（へき開面）28に対して角
度をもって形成され、光ファイバ１は、導波路と正対し
ている。また、半導体アンプ２の端面28には無反射コー
トが形成されている。FIG. 5 shows an example of a conventional fiber grating external cavity laser. FIG. 5 is a sectional view of a fiber grating external cavity laser configured by combining the semiconductor amplifier 2 and the optical fiber 1 in which the grating 10 is formed in a part of the core. In FIG. 5, the waveguide of the semiconductor amplifier 2 is formed at an angle with respect to an end face (cleavage face) 28, and the optical fiber 1 faces the waveguide. An anti-reflection coating is formed on the end surface 28 of the semiconductor amplifier 2.
【０００４】しかしながら、図５のファイバグレーティ
ング外部共振器レーザは、温度変化の影響を抑える効果
はない。However, the fiber grating external cavity laser shown in FIG. 5 has no effect of suppressing the effect of temperature change.
【０００５】波長λの光が半導体アンプの後面とファイ
バグレーティングで決まる共振器長Ｌの共振器を一周し
たときの位相変化をΦ、屈折率をｎとすると、Assuming that the phase change when light of wavelength λ circulates around a resonator having a resonator length L determined by the back surface of the semiconductor amplifier and the fiber grating is Φ and the refractive index is n,
【式１】Φ＝４πｎＬ／λ であり、発振するための位相条件はEquation 1 is Φ = 4πnL / λ, and the phase condition for oscillation is
【式２】Φ＝２πｍ （ｍは整数）である。[Formula 2] Φ = 2πm (m is an integer).
【０００６】式１、式２より、From equations (1) and (2),
【式３】λ＝２ｎＬ／ｍ である。## EQU3 ## λ = 2 nL / m.
【０００７】一方、ファイバグレーティングの回折波長
をλFG、屈折率をｎFG、周期をΛとすると、On the other hand, if the diffraction wavelength of the fiber grating is λ FG , the refractive index is n FG , and the period is 周期,
【式４】λFG＝２ｎFGλΛ となる。[Formula 4] λ FG = 2n FG λΛ
【０００８】ファイバグレーティングレーザの発振は、
ファイバグレーティングの反射損失が最小となるλFG近
傍の縦モード波長λで発振する。ファイバグレーティン
グレーザでは、ファイバグレーティング部分には電流が
注入されることもなく、ｎFGの温度変化も小さいのでλ
FGの変化も小さい。しかしながら、半導体アンプには電
流を流すのでキャリア密度や温度の変化による屈折率の
変化を伴う。また、半導体アンプとファイバグレーティ
ングの距離も外部環境の変化の影響を受けやすい。従っ
て、いま、ある整数ｍの縦モードに対して発振している
とすると、注入電流の変化によりｎが変化したり、外部
環境の変化の影響を受けてＬが変化すると、式３から発
振波長λが変化する。この変化が大きい場合には、ｍに
隣接するｍ±１のモードに発振波長が移ってしまう（縦
モードのホッピング）ことがある。このとき、光出力の
変動や雑音が生ずる。[0008] The oscillation of the fiber grating laser
It oscillates at a longitudinal mode wavelength λ near λ FG where the reflection loss of the fiber grating is minimized. In the fiber grating laser, no current is injected into the fiber grating portion, and the temperature change of nFG is small, so that λ
The change in FG is also small. However, since a current flows through the semiconductor amplifier, a change in the refractive index due to a change in carrier density or temperature is accompanied. Also, the distance between the semiconductor amplifier and the fiber grating is easily affected by changes in the external environment. Therefore, if it is assumed that oscillation occurs for a longitudinal mode of a certain integer m, if n changes due to a change in the injection current or L changes under the influence of a change in the external environment, the oscillation wavelength becomes λ changes. If this change is large, the oscillation wavelength may shift to the mode of m ± 1 adjacent to m (vertical mode hopping). At this time, fluctuations in light output and noise occur.
【０００９】これは、ファイバグレーティングレーザに
限らず、外部共振器型のレーザに共通の問題である。そ
こで、従来からＤＢＲレーザ（分布ブラッグ反射型レー
ザ）では対策が採られてきた。図６に、温度変化に伴う
縦モードのホッピングを調整可能なＤＢＲレーザの例を
示す。This is a problem common to not only fiber grating lasers but also external cavity lasers. Therefore, measures have conventionally been taken with a DBR laser (distributed Bragg reflection laser). FIG. 6 shows an example of a DBR laser capable of adjusting hopping in a longitudinal mode due to a temperature change.
【００１０】図６(a)は、従来のＤＢＲレーザダイオー
ドの一例の模式的断面図であり、基板24上に活性層が設
けられ、その上にクラッド層26が配置され、さらにクラ
ッド層26上の中央部付近に電極21が配置されている。活
性層内には増幅領域151 、位相制御領域152 、ブラッグ
波長制御領域153 および154 を備える。増幅領域151に
は発光電流Ｉl が電極21から、位相制御領域152 にはバ
イアス電流Ｉpoに調整用電流△Ｉp を加えたものが、ブ
ラッグ波長制御領域153 および154 にはバイアス電流Ｉ
boに調整用電流△Ｉb を加えたものがそれぞれ印加され
る。図６(b)は、従来のＤＢＲレーザダイオードの他の
一例の模式的断面図であり、図６(a)のものから、位相
制御領域152 を省いた構成である。FIG. 6A is a schematic cross-sectional view of an example of a conventional DBR laser diode, in which an active layer is provided on a substrate 24, a cladding layer 26 is disposed thereon, and The electrode 21 is arranged near the center of the. The active layer includes an amplification region 151, a phase control region 152, and Bragg wavelength control regions 153 and 154. The amplification region 151 receives the emission current I l from the electrode 21, the phase control region 152 includes the bias current I po and the adjustment current △ I p added thereto, and the Bragg wavelength control regions 153 and 154 include the bias current I p.
Bo plus the adjustment current △ I b is applied. FIG. 6B is a schematic cross-sectional view of another example of the conventional DBR laser diode, and has a configuration in which the phase control region 152 is omitted from that of FIG. 6A.
【００１１】図６(a)および(b)のＤＢＲレーザダイオー
ドでは、調整用電流△Ｉb を印加することによりブラッ
グ波長制御領域153 および154 の屈折率を変化させて、
すなわち、式３のｎを変化させて発振波長の調整を行っ
ている。In the DBR laser diodes shown in FIGS. 6A and 6B, the refractive index of the Bragg wavelength control regions 153 and 154 is changed by applying an adjusting current ΔI b ,
That is, the oscillation wavelength is adjusted by changing n in Expression 3.
【００１２】このように、ＤＢＲレーザダイオードでは
発振波長の調整を行う構成が提案されているが、ファイ
バグレーティングレーザには発振波長の調整が可能なも
のがない。そこで、本発明の目的は、上記従来技術の問
題点を解決した発振波長の調整が可能なファイバグレー
ティングレーザを提供することにある。As described above, a configuration for adjusting the oscillation wavelength of a DBR laser diode has been proposed, but there is no fiber grating laser capable of adjusting the oscillation wavelength. Therefore, an object of the present invention is to provide a fiber grating laser capable of adjusting the oscillation wavelength that solves the above-mentioned problems of the conventional technology.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、半導体
アンプと、外部共振器であるファイバグレーティングを
備えるファイバグレーティング外部共振器レーザにおい
て、共振器の光学的長さを変更する手段を備えることを
特徴とするファイバグレーティング外部共振器レーザが
提供される。According to the present invention, a semiconductor amplifier and a fiber grating external resonator laser having a fiber grating as an external resonator are provided with means for changing the optical length of the resonator. A featured fiber grating external cavity laser is provided.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明のファイバグレーティング
外部共振器レーザは、共振器の光学的長さを変更する手
段を備える。共振器の光学的長さを変更することによ
り、なんらかの攪乱を受けて本来の発振波長からずれた
波長を元の波長に戻したり、また、意図的に発振波長を
変更することが可能である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The fiber grating external cavity laser of the present invention comprises means for changing the optical length of the cavity. By changing the optical length of the resonator, it is possible to return the wavelength shifted from the original oscillation wavelength to the original wavelength due to some disturbance, or to change the oscillation wavelength intentionally.
【００１５】本発明のファイバグレーティング外部共振
器レーザは、半導体アンプとファイバグレーティングと
の間の光路上に電気光学結晶を使用した位相調整用素子
を備え、この位相調整用素子により共振器の光学的長さ
を変更する構成とすることができる。この構成では、半
導体アンプもファイバグレーティングもいずれも従来の
ものがそのまま使用できるので、製造が容易で、コスト
も低い。The fiber grating external cavity laser of the present invention includes a phase adjusting element using an electro-optic crystal on an optical path between the semiconductor amplifier and the fiber grating, and the optical element of the resonator is controlled by the phase adjusting element. The length can be changed. In this configuration, since both the semiconductor amplifier and the fiber grating can use the conventional ones as they are, the manufacture is easy and the cost is low.
【００１６】また、本発明のファイバグレーティング外
部共振器レーザは、半導体アンプと前記ファイバグレー
ティングとが、ピエゾ素子を介して結合されている構成
とすることができる。このピエゾ素子により半導体アン
プとファイバグレーティングとの間の距離を変更するこ
とにより位相の調整を行う。Further, the fiber grating external cavity laser of the present invention may have a configuration in which a semiconductor amplifier and the fiber grating are coupled via a piezo element. The phase is adjusted by changing the distance between the semiconductor amplifier and the fiber grating by the piezo element.
【００１７】さらに、半導体アンプが、増幅用電流を受
ける電極以外に位相調整用電極を備え、この位相調整用
電極に印加された電流や電圧により活性層の一部の屈折
率を変更して共振器の光学的長さを変更する構成として
もよい。また、電気光学結晶を使用して前記半導体アン
プと一体化された位相調整用素子を備え、この位相調整
用素子により共振器の光学的長さを変更する構成であっ
てもよい。Further, the semiconductor amplifier includes a phase adjusting electrode in addition to the electrode receiving the amplifying current, and changes the refractive index of a part of the active layer by the current or voltage applied to the phase adjusting electrode, thereby causing resonance. The optical length of the vessel may be changed. Further, a configuration may be employed in which a phase adjusting element integrated with the semiconductor amplifier using an electro-optic crystal is provided, and the optical length of the resonator is changed by the phase adjusting element.
【００１８】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the following disclosure is merely an example of the present invention, and does not limit the technical scope of the present invention.
【００１９】[0019]
【実施例】図１を参照して、本発明のファイバグレーテ
ィング外部共振器レーザの第１の実施例を説明する。図
１は、本発明のファイバグレーティング外部共振器レー
ザの一例の概略図で、半導体アンプ２と、グレーティン
グ10がコアに形成された光ファイバ１と、それぞれに光
を効率よく入射させるためのレンズ31および32を備え
る。レンズ31および32間の光路上には、電気光学結晶Li
NbＯ3を使用した位相調整用素子５を備える。発振波長
を変更する場合には、位相調整用素子５に適当な電圧Ｖ
を印加する。すると、電気光学結晶LiNbＯ3の屈折率が
変化して、共振器の光学的長さが変わり、発振波長が変
更される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of a fiber grating external cavity laser according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view of an example of a fiber grating external cavity laser according to the present invention. And 32. On the optical path between the lenses 31 and 32, an electro-optic crystal Li
A phase adjusting element 5 using NbO 3 is provided. When changing the oscillation wavelength, an appropriate voltage V is applied to the phase adjusting element 5.
Is applied. Then, the refractive index of the electro-optic crystal LiNbO 3 changes, the optical length of the resonator changes, and the oscillation wavelength changes.
【００２０】図２に、本発明のファイバグレーティング
外部共振器レーザの第２の実施例を示す。図２は、本発
明のファイバグレーティング外部共振器レーザの一例の
平面図で、基板20に搭載された半導体アンプ２と、基板
20の一端に取り付けられた一対のピエゾ素子11と、ピエ
ゾ素子11を結合する部材12と、部材12に固定され、部材
12とともに可動に構成されている光ファイバ１とを備え
る。光ファイバ１のコアには、グレーティング10が形成
されている。本実施例のファイバグレーティング外部共
振器レーザにおいて、発振波長を変更する場合には、ピ
エゾ素子11に電圧を印加する。すると、ピエゾ素子11
は、印加された電圧に応じて長さが変わるので、共振器
長も変わり、発振波長が変更される。なお、ピエゾ素子
11に電圧を印加する回路は、周知の任意のものが使用で
きる。FIG. 2 shows a second embodiment of the fiber grating external cavity laser according to the present invention. FIG. 2 is a plan view of an example of the fiber grating external cavity laser according to the present invention.
A pair of piezo elements 11 attached to one end of 20, a member 12 for coupling the piezo elements 11, and a member fixed to the member 12,
12 and an optical fiber 1 which is movable. A grating 10 is formed in the core of the optical fiber 1. In the fiber grating external resonator laser of the present embodiment, when changing the oscillation wavelength, a voltage is applied to the piezo element 11. Then, the piezo element 11
Since the length changes according to the applied voltage, the resonator length also changes, and the oscillation wavelength changes. The piezo element
As a circuit for applying a voltage to 11, any well-known circuit can be used.
【００２１】図３に、本発明のファイバグレーティング
外部共振器レーザの第３の実施例を示す。図３は、本発
明のファイバグレーティング外部共振器レーザの一例の
断面図で、半導体アンプ２と、グレーティング10がコア
に形成された光ファイバ１とを備える。半導体アンプ２
は、基板24上にクラッド層26、活性層25およびクラッド
層26が順に積層されて構成され、上側のクラッド層26の
表面には電極21および22が、基板の下面には電極23が形
成されている。また、光ファイバ１に対向している端面
には無反射コート28が、その反対側の端面には反射コー
ト27が施されている。電極22には増幅用電流Ｉが印加さ
れ、活性層25の電極22の直下の部分では増幅が行われる
増幅領域251 が生ずる。一方、電極21には逆バイアス電
圧が印加され、活性層25の電極21の直下の部分の屈折率
が変化する。この部分が位相調整領域252 となる。本実
施例のファイバグレーティング外部共振器レーザにおい
て、発振波長を変更する場合には、電極21に適当な逆バ
イアス電圧を印加する。すると、位相調整領域252 の屈
折率が変化して共振器の光学的長さも変わり、発振波長
が変更される。FIG. 3 shows a third embodiment of the fiber grating external cavity laser according to the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of an example of the fiber grating external cavity laser of the present invention, which includes a semiconductor amplifier 2 and an optical fiber 1 having a grating 10 formed in a core. Semiconductor amplifier 2
A clad layer 26, an active layer 25, and a clad layer 26 are sequentially laminated on a substrate 24. ing. The end face facing the optical fiber 1 is provided with a non-reflection coat 28, and the end face on the opposite side is provided with a reflection coat 27. An amplification current I is applied to the electrode 22, and an amplification region 251 where amplification is performed occurs in a portion of the active layer 25 immediately below the electrode 22. On the other hand, a reverse bias voltage is applied to the electrode 21, and the refractive index of the portion of the active layer 25 immediately below the electrode 21 changes. This portion becomes the phase adjustment region 252. When changing the oscillation wavelength in the fiber grating external cavity laser of the present embodiment, an appropriate reverse bias voltage is applied to the electrode 21. Then, the refractive index of the phase adjustment region 252 changes, the optical length of the resonator also changes, and the oscillation wavelength changes.
【００２２】図４に、本発明のファイバグレーティング
外部共振器レーザの第４の実施例を示す。図４は、本発
明のファイバグレーティング外部共振器レーザの一例の
断面図で、電気光学結晶LiNbＯ3を使用した位相調整用
素子50が組み込まれた半導体アンプ２と、グレーティン
グ10がコアに形成された光ファイバ１とを備える。半導
体アンプ２は、基板24上にクラッド層26、活性層25およ
びクラッド層26が順に積層されて構成され、上側のクラ
ッド層26上に電極22を備える。一方、位相調整用素子50
は、基板24上にLiNbＯ3層253 およびクラッド層26が積
層されて構成され、クラッド層26上に電極21を備える。
また、光ファイバ１に対向している端面には無反射コー
ト28が、その反対側の端面には反射コート27が施されて
いる。電極22には増幅用電流Ｉが印加され、活性層25の
電極22の直下の部分では増幅が行われる増幅領域251 が
生ずる。一方、電極21には逆バイアス電圧または順バイ
アス電流が印加され、LiNbＯ3層253 の屈折率が変化す
る。本実施例のファイバグレーティング外部共振器レー
ザにおいて、発振波長を変更する場合には、電極21に適
当な逆バイアス電圧を印加する。すると、LiNbＯ3層253
の屈折率が変化して共振器の光学的長さも変わり、発
振波長が変更される。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the fiber grating external cavity laser according to the present invention. Figure 4 is a sectional view of one example of the fiber grating external cavity laser of the present invention, the electro-optic crystal LiNbO 3 phase adjusting element 50 using the semiconductor amplifier 2 built, the grating 10 is formed in the core And an optical fiber 1. The semiconductor amplifier 2 has a configuration in which a clad layer 26, an active layer 25, and a clad layer 26 are sequentially stacked on a substrate 24, and includes an electrode 22 on the upper clad layer 26. On the other hand, the phase adjustment element 50
Is formed by laminating a LiNbO 3 layer 253 and a cladding layer 26 on a substrate 24, and includes an electrode 21 on the cladding layer 26.
The end face facing the optical fiber 1 is provided with a non-reflection coat 28, and the end face on the opposite side is provided with a reflection coat 27. An amplification current I is applied to the electrode 22, and an amplification region 251 where amplification is performed occurs in a portion of the active layer 25 immediately below the electrode 22. On the other hand, a reverse bias voltage or a forward bias current is applied to the electrode 21, and the refractive index of the LiNbO 3 layer 253 changes. When changing the oscillation wavelength in the fiber grating external cavity laser of the present embodiment, an appropriate reverse bias voltage is applied to the electrode 21. Then, LiNbO 3 layer 253
Changes the optical length of the resonator, thereby changing the oscillation wavelength.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のフ
ァイバグレーティング外部共振器レーザは、共振器の光
学的長さを変更する手段を備えるので、発振波長を任意
に変更可能である。従って、所定の発振波長からずれて
しまった場合に、元の発振波長へ復帰させることも、意
図的に発振波長を変更することもできる。As described above in detail, the fiber grating external resonator laser of the present invention has a means for changing the optical length of the resonator, so that the oscillation wavelength can be arbitrarily changed. Therefore, when the oscillation wavelength deviates from the predetermined oscillation wavelength, the oscillation wavelength can be returned to the original oscillation wavelength or the oscillation wavelength can be changed intentionally.
【図１】本発明のファイバグレーティング外部共振器レ
ーザの第１の実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of a fiber grating external cavity laser according to the present invention.
【図２】本発明のファイバグレーティング外部共振器レ
ーザの第２の実施例の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a second embodiment of the fiber grating external cavity laser of the present invention.
【図３】本発明のファイバグレーティング外部共振器レ
ーザの第３の実施例の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a fiber grating external cavity laser according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明のファイバグレーティング外部共振器レ
ーザの第４の実施例の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a fiber grating external cavity laser according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】従来のファイバグレーティング外部共振器レー
ザの一例の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of an example of a conventional fiber grating external cavity laser.
【図６】(a)、(b)ともに従来のＤＢＲレーザダイオード
の一例の断面図である。6A and 6B are cross-sectional views of an example of a conventional DBR laser diode.
１ 光ファイバ ２ 半導体アンプ 10 グレーティング 11 ピエゾ素子 20、24 基板 21、22、23 電極 25 活性層 26 クラッド層 27 反射コート 28 無反射コート 1 Optical fiber 2 Semiconductor amplifier 10 Grating 11 Piezo element 20, 24 Substrate 21, 22, 23 Electrode 25 Active layer 26 Cladding layer 27 Reflective coat 28 Non-reflective coat
Claims (5)
イバグレーティングを備えるファイバグレーティング外
部共振器レーザにおいて、共振器の光学的長さを変更す
る手段を備えることを特徴とするファイバグレーティン
グ外部共振器レーザ。1. A fiber grating external cavity laser comprising a semiconductor amplifier and a fiber grating which is an external cavity, comprising means for changing the optical length of the cavity. .
ティングとの間の光路中に電気光学結晶を使用した位相
調整用素子を備え、この位相調整用素子により共振器の
光学的長さを変更することを特徴とする請求項１に記載
のファイバグレーティング外部共振器レーザ。2. An optical path between the semiconductor amplifier and the fiber grating, wherein a phase adjusting element using an electro-optic crystal is provided, and the optical length of the resonator is changed by the phase adjusting element. The fiber grating external cavity laser according to claim 1, wherein:
ティングとが、ピエゾ素子を介して結合されており、こ
のピエゾ素子により前記半導体アンプと前記ファイバグ
レーティングとの間の距離を変更することを特徴とする
請求項１に記載のファイバグレーティング外部共振器レ
ーザ。3. The semiconductor amplifier and the fiber grating are coupled via a piezo element, and the distance between the semiconductor amplifier and the fiber grating is changed by the piezo element. Item 2. The fiber grating external cavity laser according to item 1.
る電極以外に位相調整用電極を備え、この位相調整用電
極に印加された電流または電圧により活性層の一部の屈
折率を変更して共振器の光学的長さを変更することを特
徴とする請求項１に記載のファイバグレーティング外部
共振器レーザ。4. The semiconductor amplifier further includes a phase adjustment electrode in addition to an electrode receiving an amplification current, and changes a refractive index of a part of the active layer by a current or a voltage applied to the phase adjustment electrode. The fiber grating external resonator laser according to claim 1, wherein the optical length of the resonator is changed.
レーザが、電気光学結晶を使用して前記半導体アンプと
一体化された位相調整用素子を備え、この位相調整用素
子により共振器の光学的長さを変更することを特徴とす
る請求項１に記載のファイバグレーティング外部共振器
レーザ。5. The fiber grating external cavity laser comprises a phase adjusting element integrated with the semiconductor amplifier using an electro-optic crystal, and the optical length of the resonator is adjusted by the phase adjusting element. The fiber grating external cavity laser according to claim 1, wherein the laser cavity is changed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34400197A JPH11163469A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Fiber grating external resonator laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34400197A JPH11163469A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Fiber grating external resonator laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163469A true JPH11163469A (en) | 1999-06-18 |
Family
ID=18365900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34400197A Withdrawn JPH11163469A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Fiber grating external resonator laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163469A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1997
- 1997-11-28 JP JP34400197A patent/JPH11163469A/en not_active Withdrawn
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