JPH11150047A - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method

Info

Publication number
JPH11150047A
JPH11150047A JP31495797A JP31495797A JPH11150047A JP H11150047 A JPH11150047 A JP H11150047A JP 31495797 A JP31495797 A JP 31495797A JP 31495797 A JP31495797 A JP 31495797A JP H11150047 A JPH11150047 A JP H11150047A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
experiment
condition
manufacturing
condition value
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31495797A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akiko Kuramitsu
晶子 倉満
Yoshinori Oda
嘉則 小田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP31495797A priority Critical patent/JPH11150047A/en
Publication of JPH11150047A publication Critical patent/JPH11150047A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively and successfully incorporate an experiment for controlling a semiconductor device performance into a manufacturing step. SOLUTION: An important factor selection (S18) is provided in a manufacturing experiment or a simulation step or by a computer. In addition semi- automation, is attained by having experimental data (S21 to S23) stored in the computer, performing semi-automation of the entire processing by the use of the computer and by providing a man-machine interface to process or the make judgements and statistical calculation processings with respect to the experimental result.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するものである。
[0001] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体装置の微細化は急激に進ん
でいる。この微細化プロセスでは多数の製造工程におけ
る製造条件(例えば、不純物イオンドーズ量、注入角度
など、人為可変量をいう)や環境要因(例えば、温度、
原材料、製造機器のオペレータ)など(以下、要因とい
う)が相互に作用し合って半導体装置の電気的若しくは
物理的特性(以下、半導体特性という)に影響する。半
導体装置の品質管理・生産性向上のためには、その製造
工程において半導体特性を厳重に制御する、つまり、半
導体特性を示す値(例えば、しきい値電圧値、飽和電流
値など。以下、特性値という)が常に目標値付近であ
り、目標値からのずれは予想される範囲内に保つ必要が
ある。このように半導体特性を制御するために、半導体
装置の設計段階で、前記要因の条件値(以下、条件値と
いう。例えばイオン数、傾斜角度数など実際の数値をい
う)の最適値を決定し、実際の製造工程に反映すること
が必要である。しかし、前述のように多数の要因が半導
体の特性に複雑に作用しているため、最適条件値の決定
は難しい。また、製造工程で要因の条件値を最適にしよ
うとしても、必ず製造機器や環境に起因する誤差が生じ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization of semiconductor devices has been rapidly advanced. In this miniaturization process, manufacturing conditions in many manufacturing steps (for example, artificially variable amounts such as impurity ion dose and implantation angle) and environmental factors (for example, temperature,
Raw materials, operators of manufacturing equipment, and the like (hereinafter, referred to as factors) interact with each other to affect the electrical or physical characteristics (hereinafter, referred to as semiconductor characteristics) of the semiconductor device. In order to improve the quality control and productivity of semiconductor devices, semiconductor characteristics are strictly controlled in the manufacturing process, that is, values indicating semiconductor characteristics (for example, threshold voltage value, saturation current value, etc. Value) is always near the target value, and the deviation from the target value must be kept within an expected range. In order to control the semiconductor characteristics as described above, an optimum value of a condition value (hereinafter referred to as a condition value; for example, an actual number such as the number of ions, the number of tilt angles, and the like) of the above factors is determined in a design stage of a semiconductor device. It is necessary to reflect it in the actual manufacturing process. However, as described above, since many factors affect the characteristics of the semiconductor in a complicated manner, it is difficult to determine the optimum condition value. Further, even if an attempt is made to optimize the condition value of a factor in a manufacturing process, an error always occurs due to manufacturing equipment and environment.

【0003】ところで、半導体装置の設計においては、
最適な製造条件値を決定するためには、複数の要因につ
いて条件値を割り振った実験やコンピュータを使ったシ
ミュレーション(以下、まとめて実験という)を行う。
しかし、実験に全ての要因を取り上げるのは、現実的に
は困難である。そこで従来は、上記の実験に取り上げる
べき要因の絞り込みは、経験や勘に頼ることが多かっ
た。また、実験の手順も、経験的に半導体特性への影響
度合いが大きそうな要因をまず実験したのち、その要因
が単独で最適である条件値について、他の要因の条件値
を割り振って実験する場合が多かった。このようにして
実験の結論を得た場合、最適と考えられる条件値の組み
合わせが一つ求まるのみである。
In the design of semiconductor devices,
In order to determine the optimum manufacturing condition value, an experiment in which condition values are assigned to a plurality of factors or a simulation using a computer (hereinafter collectively referred to as an experiment) is performed.
However, it is practically difficult to take all the factors into the experiment. Therefore, in the past, narrowing down the factors to be taken up in the above experiments often relied on experience and intuition. In the experiment procedure, we first experiment with factors that seem to have a large influence on semiconductor characteristics empirically, and then assign condition values for other factors to the optimal condition value alone and conduct experiments. In many cases. When the conclusion of the experiment is obtained in this way, only one combination of condition values considered to be optimal is obtained.

【0004】図3は、従来の半導体装置の製造方法の概
要である。S41で半導体装置の製造条件を設計し、設
計した製造条件を、S42で上記のように実験し、S4
3で最適な条件値を決定し、S44で実際に半導体装置
を試作し、S45で試作品が目標とする特性値を有する
かどうかを判別し、製造条件が適切に決定されたことを
確かめる。ここで、製造条件が適切で有れば、S46で
量産体制に入る。しかし、製造条件が適切でなかったと
判定される場合、S47で製造条件を経験的判断に基づ
いて変更し、再度S42で確認のための実験を行う。
FIG. 3 is an outline of a conventional method for manufacturing a semiconductor device. The manufacturing conditions of the semiconductor device are designed in S41, and the designed manufacturing conditions are tested in S42 as described above.
In step S44, the optimum condition value is determined. In step S44, a prototype of the semiconductor device is actually manufactured. In step S45, it is determined whether the prototype has the target characteristic value, and it is confirmed that the manufacturing conditions are appropriately determined. Here, if the manufacturing conditions are appropriate, a mass production system is entered in S46. However, if it is determined that the manufacturing conditions are not appropriate, the manufacturing conditions are changed based on empirical judgment in S47, and an experiment for confirmation is performed again in S42.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、複数の要因の相互作用を正しく判定するこ
とができないばかりでなく、経験からは思いつかなかっ
た要因の影響を見落とす可能性も高いという欠点があ
る。さらに、最適と考えられる条件値の組み合わせを一
つ求めるための実験であるために、実際に半導体装置を
試作したときや量産体制に入ったときに、目標とする特
性値が得られなかった場合、製造条件値の変更は、経験
的判断に頼ることになり、実験の結果を生かすことがで
きない。また、製造条件を変更するために再度実験する
工数が費やされるばかりでなく、結果的に実験から試作
・量産の繰り返しを何度も行うことになり、さらに工数
やコストが多く費やされる。
However, in the above-described conventional configuration, not only the interaction of a plurality of factors cannot be determined correctly, but also the effect of factors that could not be conceived from experience is highly likely to be overlooked. There is. In addition, because the experiment was performed to find one combination of condition values considered to be optimal, the target characteristic value could not be obtained when the semiconductor device was actually prototyped or entered mass production. In addition, the change of the manufacturing condition value depends on empirical judgment, and the result of the experiment cannot be used. In addition, not only the man-hour for experimenting again to change the manufacturing conditions is expended, but also as a result, the trial production and mass production are repeated many times from the experiment, and the man-hour and cost are further increased.

【0006】上記課題について鑑み、本発明の目的は、
複数の要因の半導体特性への影響を総合的に(要因同士
の作用を含めて)判定し、最適な製造条件を決定する手
順を、コンピュータを用いて効率よく行うことのできる
半導体装置の製造方法を提供するものである。なお、本
発明で用いる判定方法は、主に統計理論に基づいたデー
タ集計方法(分散分析、回帰分析など)で、以下、統計
計算という。
In view of the above problems, an object of the present invention is to
A method of manufacturing a semiconductor device capable of efficiently determining, using a computer, a procedure for comprehensively determining the influence of a plurality of factors on semiconductor characteristics (including the effects of factors) and determining optimum manufacturing conditions using a computer. Is provided. The determination method used in the present invention is a data aggregation method (variance analysis, regression analysis, etc.) based mainly on statistical theory, and is hereinafter referred to as statistical calculation.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の特
性に影響する可能性がある複数の製造条件について、最
適条件値を設定する製造方法であって、製造条件の最適
条件値を決定するための実験を行う工程と、この実験の
ために、半導体装置の製造工程全体に含まれる前記製造
条件について各条件値を定義したデータである初期条件
値カードを準備する工程と、実験の対象とする製造条件
を選択する工程と、選択した製造条件の各2つの条件値
を組み合わせる工程と、組み合わせを記録したデータで
ある各条件値カードを作成する工程と、初期条件値カー
ドの一部に各条件値データを反映して初期実験を行う工
程と、初期実験の結果に基づいて製造条件から重要な条
件を選択する工程と、選択した重要な製造条件について
条件値を増加する工程と、増加した条件について各条件
値カードを変更または追加する工程と、初期条件値カー
ドの一部に各条件値データを反映して追加実験する工程
と、初期実験と追加実験の結果に基づいて半導体装置の
特性を製造条件の条件値を含む関数式で表現する工程
と、関数式に基づいて最適条件値を決定する工程とを備
えている。
In order to achieve this object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention sets optimum condition values for a plurality of manufacturing conditions that may affect the characteristics of a semiconductor device. A manufacturing method, in which an experiment for determining an optimum condition value of a manufacturing condition is performed, and for this experiment, data defining each condition value with respect to the manufacturing condition included in the entire semiconductor device manufacturing process. A step of preparing a certain initial condition value card, a step of selecting a manufacturing condition to be subjected to an experiment, a step of combining each two condition values of the selected manufacturing condition, and each condition value card which is data recording the combination , A step of performing an initial experiment by reflecting each condition value data on a part of the initial condition value card, and a step of selecting important conditions from manufacturing conditions based on the results of the initial experiment , Increasing the condition value for the selected important manufacturing conditions, changing or adding each condition value card for the increased condition, and performing additional experiments by reflecting each condition value data on a part of the initial condition value card And a step of expressing the characteristics of the semiconductor device by a functional expression including a condition value of a manufacturing condition based on a result of the initial experiment and the additional experiment, and a step of determining an optimum condition value based on the functional expression. I have.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の製造
方法における実施の形態について、図面を参照しながら
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0009】図1に、本発明の半導体装置の製造方法の
概要を示す。S1で半導体装置の製造条件を設計し、S
2では本発明の方法に基づいて設計した製造条件を実験
し、同時に半導体装置の特性値を製造条件の条件値で表
現する関数式を算出し、S3で最適な条件値を決定す
る。ここで、S2で求めた関数式は、S3の最適条件決
定時に有効に利用できる。なぜなら、関数式によって、
精度良く特性値を予測することができるからである。こ
のようにS3で決定した最適な条件値で、S4で実際に
半導体装置を試作し、S5で試作品が目標とする特性値
を有するかどうかを判別し、製造条件が適切に決定され
たことを確かめ、製造条件が適切で有れば、S6で量産
体制に入る。製造条件が適切でなかったと判定される場
合、S7では、S2で求めた関数式に照らし合わせて、
製造条件を変更することができる。なぜなら、関数式は
条件値がずれた場合の特性値の変動をも予想することが
できるので、製造時の余裕度が少ない要因が関数式によ
り明らかになるからである。つまり、S2の関数式は、
試作・量産後の製造条件変更にも有効に利用できる。こ
のように、S7で製造条件の変更を精度良く行ったの
ち、確認のための試作を行う。
FIG. 1 shows an outline of a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention. In S1, the manufacturing conditions of the semiconductor device are designed and S
In step 2, a manufacturing condition designed based on the method of the present invention is tested, and at the same time, a function expression expressing the characteristic value of the semiconductor device by the condition value of the manufacturing condition is calculated. In step S3, the optimum condition value is determined. Here, the function formula obtained in S2 can be effectively used when determining the optimum condition in S3. Because, by the function expression,
This is because the characteristic value can be accurately predicted. With the optimum condition values determined in S3, a semiconductor device is actually prototyped in S4, and it is determined in S5 whether the prototype has a target characteristic value, and the manufacturing conditions are appropriately determined. If the manufacturing conditions are appropriate, the system enters the mass production system in S6. When it is determined that the manufacturing conditions are not appropriate, in S7, in light of the function formula obtained in S2,
Manufacturing conditions can be changed. This is because the function formula can also predict a change in the characteristic value when the condition value is deviated, so that the factor that reduces the margin at the time of manufacturing becomes clear from the function formula. That is, the function expression of S2 is
It can also be used effectively to change manufacturing conditions after trial production and mass production. As described above, after the manufacturing conditions are accurately changed in S7, a prototype is manufactured for confirmation.

【0010】図2は、図1のS2におけるフローチャー
トを示す。図2において、S11〜S17はデータ処理
を、S21〜S23はコンピュータ用記憶媒体上のデー
タファイルを、S31〜S34は判定を示す。データ処
理は、コンピュータにより自動処理する場合と、人手に
よる操作を含んで半自動処理する場合とがある。データ
ファイルは、自動処理時の入出力ファイルとして用いる
ことも、人手により確認・編集することも可能である。
判定は、事前に設定した統計的計算用パラメータに従っ
て自動で統計計算を行うことと、人手により経験的・探
索的に判定することが可能である。
FIG. 2 shows a flowchart in S2 of FIG. In FIG. 2, S11 to S17 indicate data processing, S21 to S23 indicate data files on a computer storage medium, and S31 to S34 indicate determination. The data processing may be performed automatically by a computer or semi-automatically including manual operation. The data file can be used as an input / output file at the time of automatic processing, or can be manually confirmed and edited.
For the determination, it is possible to automatically perform a statistical calculation in accordance with a statistical calculation parameter set in advance, and to perform the determination manually and empirically and exploratively.

【0011】本発明は、図1のS2を備えることにより
半導体装置の製造フロー全体の効率化と高品質化を図る
ものであり、かつ、S2の実験方法について、特に、特
徴を有するものである。
The present invention is intended to improve the efficiency and quality of the entire semiconductor device manufacturing flow by providing S2 in FIG. 1, and has a special feature in the experimental method of S2. .

【0012】以下、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける実施の形態について、図2のフローチャートに沿っ
て説明する。
An embodiment of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to the flowchart of FIG.

【0013】まず、S11は、制御する対象となる半導
体装置の特性を選び、この特性に影響すると思われる要
因を挙げ、各因の条件値を決定する。例えば、半導体装
置の電気的特性であるしきい値電圧を特性値とする場
合、要因として、チャネルドーズ量・エネルギーなどが
挙げられ、条件値としてチャネルドーズ量の上下限値、
エネルギー量の上下限値を決定する。S11でいう実験
は、各々の要因について条件値を2つ設定し、全要因で
条件値を組み合わせるものである。この実験は、2n型
要因実験(またはその一部実施法)と呼ばれる場合が多
く、統計計算の理論に沿ったもので、各々の要因が特性
値に影響する度合いの判定に用いることができる。S1
1で挙げた要因について、以降の処理、すなわち実験や
統計計算を行うことになるので、S11では、明らかに
特性値に影響がある要因に加えて、特性値への影響が疑
わしい要因も取り上げるべきである。
First, in step S11, characteristics of the semiconductor device to be controlled are selected, factors that are considered to affect the characteristics are listed, and condition values of the respective factors are determined. For example, when a threshold voltage, which is an electrical characteristic of a semiconductor device, is used as a characteristic value, factors such as a channel dose and energy are given as factors, and the upper and lower limits of the channel dose are used as condition values.
Determine the upper and lower limits of the amount of energy. In the experiment referred to in S11, two condition values are set for each factor, and the condition values are combined for all factors. This experiment is often called a 2n-type factor experiment (or a part thereof), and is in line with the theory of statistical calculation, and can be used to determine the degree to which each factor affects the characteristic value. S1
Since the subsequent processing, that is, experiments and statistical calculations are performed on the factors listed in 1 above, in S11, in addition to the factors that obviously affect the characteristic value, the factors that are likely to affect the characteristic value should be taken up. It is.

【0014】次にS12では、S11で挙げた要因の各
条件値の組み合わせを行う。この組み合わせを表形式に
記述したものを、以下では実験計画表という。S23は
この実験計画表を示し、表1は、実験計画表の例であ
る。
Next, in S12, combinations of the respective condition values of the factors listed in S11 are performed. A description of this combination in a table format is hereinafter referred to as an experiment plan table. S23 shows this experiment plan table, and Table 1 is an example of the experiment plan table.

【0015】[0015]

【表1】 [Table 1]

【0016】表1で、各列は要因を示し、各行は1つの
実験、つまり、条件値の組み合わせを示す。表内の数値
(−1、1)は各条件値に割り当てた番号(以下、水準
という)で、各要因の中で固有である。表2は、表1の
各列(A〜E)と各水準の例を示したものであり、この
ように各水準に相当する条件値を記した表を以下では水
準表という。
In Table 1, each column indicates a factor, and each row indicates one experiment, that is, a combination of condition values. Numerical values (-1, 1) in the table are numbers (hereinafter, referred to as levels) assigned to the respective condition values, and are unique among the respective factors. Table 2 shows an example of each column (A to E) and each level of Table 1, and a table in which condition values corresponding to each level are described below is referred to as a level table.

【0017】[0017]

【表2】 [Table 2]

【0018】この例で、例えば表1の1行目は、A〜D
が−1、Eが1なので、1行目にあたる実際の実験は、
表2の水準表より、ボロンイオンドーズ量(A)=2e-1
2/cm 3、ボロンイオンドーズエネルギー(B)=10eV、
砒素イオンドーズ量(C)=2e-12/cm3、砒素イオンド
ーズエネルギー(D)=10eV、アニール温度(E)=90
℃の条件値で行うことを示す。
In this example, for example, the first row of Table 1 contains A to D
Is -1 and E is 1, so the actual experiment on the first line is
From the level table in Table 2, the boron ion dose (A) = 2e-1
2 / cm Three, Boron ion dose energy (B) = 10 eV,
Arsenic ion dose (C) = 2e-12 / cmThree, Arsenic ion
Energy (D) = 10 eV, annealing temperature (E) = 90
Indicates that the process is performed under the condition value of ° C

【0019】S11に続くS12の処理は、初めて実験
計画表を生成するものであり、後述の追加・変更とは異
なる。S12で生成した、S11に対応する実験計画表
を、以下、初期実験計画表という。上記のように、S1
1の初期実験は、各要因について2つの条件値を設定す
るもので、表2による(列数は5,行数は16)と、5
つの要因では16の実験で良いことになる。この初期実
験で、特性値に各要因が影響する度合いを比較すること
ができる。
The processing in S12 following S11 is for generating an experiment plan table for the first time, and is different from the addition / change described later. The experiment plan table corresponding to S11 generated in S12 is hereinafter referred to as an initial experiment plan table. As described above, S1
In the initial experiment of No. 1, two condition values are set for each factor, and according to Table 2 (the number of columns is 5, the number of rows is 16) and 5
For one factor, 16 experiments are good. In this initial experiment, the degree of influence of each factor on the characteristic value can be compared.

【0020】ところで、半導体装置の製造は、種々の製
造条件について各一つの条件値を設定して行われる。S
21の初期条件値カードとは、各種の製造条件を定義
し、これら製造条件について各々1つの条件値を記録し
たデータである。前述までの実験を行うためには、S2
1の初期条件値カードを使うとともに、実験に挙げる要
因についてのみ、条件値を種々変更するためのデータを
使用する。このような初期条件値カードを一部変更する
ためのデータを、以下、各条件値カードという。S22
は各条件値カードを示す。
The manufacture of a semiconductor device is performed by setting one condition value for each of various manufacturing conditions. S
The initial condition value card 21 is data in which various manufacturing conditions are defined and one condition value is recorded for each of the manufacturing conditions. In order to perform the experiment described above, S2
In addition to using the initial condition value card of No. 1, data for variously changing condition values is used only for the factors listed in the experiment. Such data for partially changing the initial condition value card is hereinafter referred to as each condition value card. S22
Indicates each condition value card.

【0021】[0021]

【表3】 [Table 3]

【0022】[0022]

【表4】 [Table 4]

【0023】[0023]

【表5】 [Table 5]

【0024】[0024]

【表6】 [Table 6]

【0025】表3は初期条件値カードの例で、表4、表
5は表3に対応した各条件値カードの例である。表4は
表1の2行目の実験に、表5は表1の3行目の実験にあ
たる。
Table 3 is an example of an initial condition value card, and Tables 4 and 5 are examples of each condition value card corresponding to Table 3. Table 4 corresponds to the experiment in the second row of Table 1, and Table 5 corresponds to the experiment in the third row of Table 1.

【0026】例えば、表4を表3に反映させると、5つ
の条件値(ボロンイオンドーズ量、ドーズエネルギー、
砒素イオンドーズ量、ドーズエネルギー、アニール温
度)が変更され、他の条件(表3の例では、ゲート酸
化、TEOS成長)は変更されない。この変更内容に従
って、S14で実験を行い、その結果をS15で統計計
算する。
For example, when Table 4 is reflected in Table 3, five condition values (boron ion dose amount, dose energy,
The arsenic ion dose, dose energy, annealing temperature) are changed, and other conditions (gate oxidation, TEOS growth in the example of Table 3) are not changed. According to the contents of the change, an experiment is performed in S14, and the result is statistically calculated in S15.

【0027】例えば、コンピュータを用いた半導体プロ
セスシミュレーションをS14の実験として行う方法に
おいては、S21の初期条件値カードから半導体装置の
製造プロセスに相当する条件を読み込み、全体の半導体
装置の製造工程をシミュレーションする際の設定値を決
定する。さらに、各種製造要因の実験を行うために、S
22の各条件値カードに記録された条件値をあてはめ
て、複数個の半導体装置の製造工程に再現する。このよ
うにコンピュータを用いた実験を行う場合には、S12
〜S15は全自動処理が可能で、S21〜S23はコン
ピュータ上のデータとなり、効率的な処理ができる。ま
た、全ての半導体装置の製造工程を最初から最後まで再
現するのではなく、各条件値カードに記述された製造工
程以前の再現結果を共用することにより、さらに処理の
効率化をはかる。
For example, in a method of performing a semiconductor process simulation using a computer as an experiment in S14, conditions corresponding to the semiconductor device manufacturing process are read from the initial condition value card in S21, and the entire semiconductor device manufacturing process is simulated. Determine the set value when performing. Further, in order to conduct experiments on various manufacturing factors, S
The condition values recorded in each condition value card of No. 22 are applied to reproduce in a manufacturing process of a plurality of semiconductor devices. When an experiment using a computer is performed in this manner, S12
Steps S15 to S15 can be performed fully automatically, and steps S21 to S23 are data on a computer, so that efficient processing can be performed. Further, the efficiency of processing is further improved by sharing the reproduction results before the manufacturing process described in each condition value card, instead of reproducing all the manufacturing processes of the semiconductor device from the beginning to the end.

【0028】実験の結果に対する統計計算は二種類あ
り、一つは、各要因間の比較を行うための計算で、S1
5で行い、もう一つは、特性値を要因の条件値の線形結
合で表現する(以下、応答関数またはRSFという)た
めの計算で、S16で行う。S31は、この二種類のい
ずれの計算を行うかを判定するものである。RSFは、
実験結果を半導体装置の製造工程に反映するための手段
として有効である。例えば、RSFは以下のような式に
なる。
There are two types of statistical calculations for the results of the experiment. One is a calculation for comparing each factor.
The other is a calculation for expressing the characteristic value by a linear combination of the condition values of the factors (hereinafter, referred to as a response function or RSF), which is performed in S16. In step S31, it is determined which of the two types of calculations is to be performed. RSF is
This is effective as a means for reflecting an experimental result in a semiconductor device manufacturing process. For example, RSF is given by the following equation.

【0029】y = a1+a1×x1+a2×x2
+...+ai×x1×x1+aj×x2×x2 ここで、yは特性値、xnは要因の値、anは係数であ
る。この近似式は、特性値と要因に潜在する関係を数値
的に明らかにするもので、要因同士の交互作用も含有し
ている。このような近似式を精度良く求める手法とし
て、一般的に中心複合計画法が用いられ、この中心複合
計画法の実施のためには、各要因の5つの条件値の一定
の組み合わせによる実験が必要である。中心複合計画法
に従った実験の結果から、特性値を上記のようなRSF
で近似すれば、要因の条件値を変更した場合の特性値の
予想が可能になり、半導体装置の製造工程のコントロー
ルにも役立つ。もちろん各要因につき2条件値での実験
結果のみに基づいても、上記のような近似式を求めるこ
とは可能であるが、その精度は半導体装置の製造条件決
定の実用に耐えうるものではないと考えられる。
Y = a1 + a1 × x1 + a2 × x2
+. . . + Ai × x1 × x1 + aj × x2 × x2 Here, y is a characteristic value, xn is a factor value, and an is a coefficient. This approximation formula numerically clarifies the relationship between the characteristic value and the factor, and includes the interaction between the factors. In general, central composite programming is used as a method for obtaining such an approximate expression with high accuracy. To implement this central composite programming, an experiment using a fixed combination of five condition values of each factor is required. It is. From the results of experiments according to the central composite design, the characteristic values
By approximation, it is possible to predict the characteristic value when the condition value of the factor is changed, which is useful for controlling the manufacturing process of the semiconductor device. Of course, it is possible to obtain the above-described approximation formula only based on the experimental results with two condition values for each factor, but the accuracy is not sufficient to determine the manufacturing conditions of the semiconductor device. Conceivable.

【0030】S32では、S15の統計計算結果が妥当
であるかを、全自動または半自動で検討する。全自動に
よる方法は、統計計算による出力値を、一定のパラメー
タを含む手順に従って判定することによる。例えば、特
性値の目標値に対して、実験により得られた特性値の平
均が10%以上の隔たりがある場合、条件値の変更が必
要であると判断する。このように判定手順を事前にコン
ピュータに登録しておけば、統計計算から要因選択まで
を完全自動で行うことができる。しかし、人智による経
験的判断を加えることは重要である。なぜなら、実験の
結果には誤差や異常値が含まれるし、統計計算によって
は顕在化しない問題を考慮すべきだからである。
In step S32, whether the statistical calculation result in step S15 is appropriate is automatically or semi-automatically examined. A fully automatic method relies on determining output values from statistical calculations according to a procedure involving certain parameters. For example, if the average of the characteristic values obtained by the experiment differs from the target characteristic value by 10% or more, it is determined that the condition value needs to be changed. If the determination procedure is registered in the computer in advance in this way, the processes from statistical calculation to factor selection can be performed completely automatically. However, it is important to add empirical judgments made by human intelligence. This is because the results of the experiment include errors and abnormal values, and consideration should be given to problems that do not become apparent through statistical calculations.

【0031】そこで、半自動、つまり、インタラクティ
ブ処理を行う工程を備えることが重要となる。この半自
動処理によって、自動計算式の変更や、計算や判定基準
に用いるパラメータの変更に加えて、統計計算によって
は顕在化しない問題を考慮することができる。このよう
にして、S32で、条件値の変更が必要であると判定し
た場合、S17で、条件値の変更を全自動または半自動
処理で行う。例えば、特性値に与える影響度合いが大き
い順に要因を選び、この要因の条件値を変更した場合の
結果を予想し、予想が目標値に充分近くなる条件値を選
択する。ここで、要因が特性値に与える影響度合いや結
果の予想は統計計算による数値表現が可能である。従っ
て、S32の全自動判定と同様に、S17の条件値の変
更も、全自動処理が可能であり、加えて、半自動処理も
可能になる。
Therefore, it is important to provide a process for performing a semi-automatic process, that is, an interactive process. By this semi-automatic processing, in addition to the change of the automatic calculation formula and the change of the parameters used for the calculation and the determination criteria, it is possible to consider a problem that does not become apparent by the statistical calculation. In this way, when it is determined in S32 that the condition value needs to be changed, the condition value is changed in a fully automatic or semi-automatic process in S17. For example, factors are selected in descending order of the degree of influence on the characteristic value, the result when the condition value of this factor is changed is predicted, and a condition value that makes the prediction sufficiently close to the target value is selected. Here, the degree of influence of the factor on the characteristic value and the expected result can be expressed numerically by statistical calculation. Therefore, as in the case of the fully automatic determination in S32, the change of the condition value in S17 can be fully automatic, and in addition, semi-automatic.

【0032】このようにして条件値を変更した後には、
処理はS12に移り、実験計画表を変更し、変更部分に
ついて各条件値カードを変更して、再度実験を行う。こ
の時のS12の処理は、変更内容(1)の条件値変更に
あたる。
After changing the condition value in this way,
The process proceeds to S12, changes the experiment plan table, changes each condition value card for the changed portion, and performs the experiment again. The process of S12 at this time corresponds to the change of the condition value of the change content (1).

【0033】一方、S32で、条件値の変更が必要でな
いと判定した場合、S33では、RSFを計算すべきか
どうかを判定し、RSFを計算する必要がある場合、S
18に処理を進める。S18では、重要な要因を選択す
べく、S15の統計計算結果を、全自動または半自動で
処理する。ここでの選択は、RSF算出のために必要な
追加実験数を低減することを目的とする。全自動の処理
手順として、例えば、要因が特性値に与える効果を数値
表現する。この効果を、要因の変化幅に対する特性値の
変化幅の比率であるとすれば、各要因の2条件値の実験
結果により計算可能になる。
On the other hand, if it is determined in S32 that the condition value does not need to be changed, it is determined in S33 whether the RSF should be calculated.
The process proceeds to 18. In S18, the statistical calculation result in S15 is processed fully or semi-automatically in order to select an important factor. The selection here is intended to reduce the number of additional experiments required for RSF calculation. As a fully automatic processing procedure, for example, the effect of a factor on a characteristic value is expressed numerically. Assuming that this effect is the ratio of the change width of the characteristic value to the change width of the factor, it can be calculated from the experimental results of two condition values of each factor.

【0034】S34では、S18の結果を基に、実験で
取り上げた要因の数を削減するかどうかを、全自動また
は半自動で判定する。全自動の処理手順として、例え
ば、前述の効果を0以上1以下に規準化したときに、要
因を選択する境界値は0.5以上であるとする。さら
に、こうして自動選択した結果が妥当であるかを、半自
動で検討する。例えば、境界値付近の要因については、
経験的判断が必要となる。こうして、要因を取捨選択し
たのち、処理はS12に移り、実験計画表を変更し、変
更部分について各条件値カードを変更して、再度実験を
行う。この時のS12の処理は、全要因を選択した場
合、変更内容(2)の条件値追加にあたる。要因の一部
を選択した場合には、変更内容(3)の要因数削減・条
件値追加にあたる。条件値を追加するのは、RSF算出
のためである。
In S34, whether to reduce the number of factors taken up in the experiment is automatically or semi-automatically determined based on the result of S18. As a fully automatic processing procedure, for example, when the above-mentioned effect is standardized to 0 or more and 1 or less, it is assumed that a boundary value for selecting a factor is 0.5 or more. Further, it is semi-automatically examined whether the result of the automatic selection is appropriate. For example, for factors near the boundary value,
Empirical judgment is required. After the factors are selected in this way, the process proceeds to S12, the experiment plan table is changed, each condition value card is changed for the changed portion, and the experiment is performed again. The processing of S12 at this time corresponds to the addition of the condition value of the change (2) when all the factors are selected. When some of the factors are selected, the change number (3) corresponds to the reduction of the number of factors and the addition of condition values. The reason for adding the condition value is to calculate the RSF.

【0035】このようにして、RSF算出のための追加
実験を行った後、S16でRSFを計算し、処理を終了
する。
After the additional experiment for calculating the RSF is performed in this way, the RSF is calculated in S16, and the process ends.

【0036】例えば、表1の実験計画表をS31で初期
実験とし、S32で条件値の変更は不要とし、S34
で、要因数の変更をしなかった場合、表7のような計画
表を再度作成する。表8は表7の水準表である。
For example, the experiment plan table shown in Table 1 is set as an initial experiment in S31, and it is unnecessary to change the condition values in S32.
If the number of factors is not changed, a planning table as shown in Table 7 is created again. Table 8 is a level table of Table 7.

【0037】[0037]

【表7】 [Table 7]

【0038】[0038]

【表8】 [Table 8]

【0039】表7の1行目〜16行目は、表1の初期実
験で既に実験済みであり、17行目〜27行目の11実
験についてのみ、RSF算出のための追加実験を行う。
RSF算出のためには、初期実験で設定した2条件値に
加えて、その両外側及び中心の3条件値の組み合わせ実
験が必要になる。表2には2水準が、表8には5水準が
記載されているが、表8の水準(−2,0,2)が追加
する3条件値にあたる。表7の17行目〜27行目の実
験は、この3条件値を組み合わせた実験であり、この追
加実験により統計理論に基づいたRSFの算出が可能に
なる。
Lines 1 to 16 of Table 7 have already been tested in the initial experiment of Table 1, and additional experiments for RSF calculation are performed only for the eleven experiments of Lines 17 to 27.
In order to calculate the RSF, in addition to the two condition values set in the initial experiment, a combination experiment of the three condition values on both sides and the center is required. Table 2 shows two levels and Table 8 shows five levels. The levels (-2, 0, 2) in Table 8 correspond to the three condition values to be added. The experiments on the 17th to 27th lines in Table 7 are experiments in which these three condition values are combined, and this additional experiment enables calculation of the RSF based on statistical theory.

【0040】ここで、各条件値カードを使用した追加実
験の方法について説明する。上記のように追加実験を行
うためには、表7の17〜27行目の実験用に各条件値
カードが必要になる。既に、S21で表3の初期条件値
カードが作成済みであり、コンピュータ上に記録してい
る。表7にあたる実験計画表を作成(S23)し、S1
3で作成済みの初期条件値カードを使用して、各条件値
カードを作成する。この時、表7の1行目〜16行目は
既に実験済みであることが、コンピュータ上の記録によ
って認識可能である。
Here, a method of an additional experiment using each condition value card will be described. In order to carry out the additional experiment as described above, each condition value card is required for the experiment on lines 17 to 27 in Table 7. The initial condition value card shown in Table 3 has already been created in S21, and is recorded on the computer. An experiment plan table corresponding to Table 7 is created (S23), and S1
Each condition value card is created using the initial condition value card created in step 3. At this time, it is possible to recognize from the record on the computer that the first to sixteenth rows in Table 7 have already been tested.

【0041】コンピュータ上の記録は、例えば、一対象
に関する初期実験からRSF算出までの一連の処理に対
して、統一の認識番号を付与する。その認識番号によっ
て、各種カードの管理と現在の処理状態の管理を行うこ
とにより、上記のように前回の実験と今回の実験の差分
を自動認識することが可能になる。このようにして、表
1と表7の差分を自動認識し、表7の17〜27行目に
あたる各条件値カード(S22)を自動作成し、S14
で追加実験に用いることができる。例えば、表6は、表
7の27行目にあたる各条件値カードである。このよう
にして、例えば、コンピュータシミュレーションを実験
として行う場合には、S12で実験の変更内容を決定
し、コンピュータに入力すれば、実験から統計計算まで
の処理、つまり、S13及びS14及び、S15(若し
くはS16)までを全自動で行うことが可能になる。
In the recording on the computer, for example, a unified identification number is given to a series of processes from an initial experiment on one object to an RSF calculation. By managing the various cards and managing the current processing state based on the identification numbers, it is possible to automatically recognize the difference between the previous experiment and the current experiment as described above. In this way, the difference between Table 1 and Table 7 is automatically recognized, and the condition value cards (S22) corresponding to lines 17 to 27 of Table 7 are automatically created, and S14
Can be used for additional experiments. For example, Table 6 shows condition value cards corresponding to the 27th line of Table 7. In this way, for example, when the computer simulation is performed as an experiment, the change contents of the experiment are determined in S12 and input to the computer, and the processing from the experiment to the statistical calculation, that is, S13, S14, and S15 ( Alternatively, it is possible to perform steps up to S16) fully automatically.

【0042】以上、追加実験の場合を説明したが、他
に、条件値検討や要因選択の結果によっては、種々の実
験計画表変更方法があり得る。以下、実験変更の他の方
法について説明する。以下の変更方法においても、上記
と同様にコンピュータを用いた自動処理が可能である。
Although the case of the additional experiment has been described above, there may be various other experiment plan change methods depending on the result of the examination of the condition values and the factor selection. Hereinafter, another method of changing the experiment will be described. In the following changing method, automatic processing using a computer is possible in the same manner as described above.

【0043】表1の実験計画表をS31で初期実験と
し、S32で条件値の変更は不要とし、S19で要因数
を5つから2つに削減した場合、表9のような計画表を
再度作成する。表10は表9の水準表である。
When the experiment plan table in Table 1 is set as an initial experiment in S31, the condition value is not required to be changed in S32, and the number of factors is reduced from five to two in S19, the plan table as shown in Table 9 is re-created. create. Table 10 is a level table of Table 9.

【0044】[0044]

【表9】 [Table 9]

【0045】[0045]

【表10】 [Table 10]

【0046】表9の1行目〜4行目の実験は、表1の初
期実験の結果を用いることができる。例えば、表9の1
行目は表1の1行目〜4行目の結果の、表9の2行目は
表1の5行目〜8行目の平均値などを用いることができ
る。表9の5行目〜9行目が、RSF算出のための追加
実験にあたる。
The experiments in the first to fourth rows of Table 9 can use the results of the initial experiments in Table 1. For example, 1 in Table 9
For the row, the results of the first to fourth rows of Table 1 can be used, and for the second row of Table 9, the average values of the fifth to eighth rows of Table 1 can be used. The fifth to ninth rows in Table 9 correspond to additional experiments for RSF calculation.

【0047】このようにして、RSF算出に必要な要因
をあらかじめ選択しておくことにより、表7に比べて、
追加実験にあたる部分が11実験から4実験に削減さ
れ、実験のための工数や費用を節約することができる。
この効果は、初期実験で取り上げる要因数が多く、実際
に特性値への影響が大きい要因が少ないほど、大きくな
るものであり、実際の半導体設計工程を鑑みても、有効
な方法といえる。
In this way, by selecting factors necessary for RSF calculation in advance, compared with Table 7,
The portion corresponding to the additional experiment is reduced from 11 experiments to four experiments, and the man-hour and cost for the experiment can be saved.
This effect increases as the number of factors taken up in the initial experiment increases, and the fewer the factors that actually have a large effect on the characteristic value, the greater the effect. Therefore, it can be said that this effect is an effective method in view of the actual semiconductor design process.

【0048】また、S32で条件値の変更が必要と判定
された場合に、無効になる実験数を最小にすることが出
来る。例えば、表7の実験全てを行ったのち、目標とす
る特性値が得られなかった場合、27件の実験が無駄に
なる。ところが、本実施の形態では、表7の1行目〜1
6行目の16実験を行った時点で、得られる特性値が妥
当であるかを検討できるため、16件の実験の結果を破
棄するのみで良い。
When it is determined in S32 that the condition value needs to be changed, the number of invalidated experiments can be minimized. For example, if the target characteristic value is not obtained after performing all the experiments in Table 7, 27 experiments are wasted. However, in the present embodiment, the first to first rows of Table 7
At the time when the 16 experiments on the sixth line are performed, it is possible to examine whether the obtained characteristic values are appropriate, and it is only necessary to discard the results of the 16 experiments.

【0049】本発明では、半導体装置の製造条件決定の
ための実験結果を関数式に要約するため、開発・試作段
階に入ってからの製造条件変更を、この関数式を用いて
理論的に行うことができる。また、その実験方法におい
て、実験により得られる特性値から条件値を判定する工
程や、重要な要因をあらかじめ選択しておく工程を備え
ていることによって、関数式算出に必要な実験数を削減
できる。また、全体の処理をコンピュータを用いて自動
化し、かつ、各統計計算の工程に半自動工程を備えるこ
とができる。
In the present invention, in order to summarize the experimental results for determining the manufacturing conditions of the semiconductor device into a functional formula, the manufacturing conditions are changed theoretically after entering the development / prototyping stage using this functional formula. be able to. In addition, in the experiment method, the number of experiments required for calculating the function formula can be reduced by providing a step of determining a condition value from a characteristic value obtained by an experiment and a step of selecting an important factor in advance. . In addition, the entire process can be automated using a computer, and each statistical calculation process can include a semi-automatic process.

【0050】ここで、特許請求の範囲に示された発明は
上記実施の形態で説明した態様に限られるものではな
い。
Here, the invention described in the claims is not limited to the embodiment described in the above embodiment.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上のように、本発明では、開発・試作
段階に入ってからの製造条件の設定及び変更を、関数式
を用いて精度良く行うことができ、かつ、製造条件変更
後の再実験の工数を削減できる。また、その実験方法に
おいて、多数の製造要因を少ない実験数で検討し、か
つ、関数式を最小限の実験数で求めることができるの
で、作業工数とコストが削減される。また、全体の処理
をコンピュータを用いて自動化し、かつ、各統計計算の
工程に半自動工程を備えることにより、作業を効率化す
るとともに、統計計算による理論的判断に加えて、経験
的判断を反映することができる。これらの結果、より精
密に効率よく半導体装置の電気的若しくは物理的特性を
制御することができる。
As described above, according to the present invention, the setting and changing of the manufacturing conditions after entering the development / prototyping stage can be performed with high accuracy by using the function formula, and the manufacturing conditions after the change of the manufacturing conditions are changed. The number of man-hours for re-testing can be reduced. Further, in the experiment method, since many manufacturing factors can be examined with a small number of experiments and a function formula can be obtained with a minimum number of experiments, the number of work steps and costs can be reduced. In addition, the entire process is automated using a computer, and semi-automatic processes are provided for each statistical calculation process to improve work efficiency and reflect empirical judgments in addition to theoretical judgments based on statistical calculations. can do. As a result, the electrical or physical characteristics of the semiconductor device can be more accurately and efficiently controlled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態に
おけるフローチャートを示す図
FIG. 1 is a view showing a flowchart in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention;

【図2】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態に
おける実験方法についてのフローチャートを示す図
FIG. 2 is a flowchart showing an experimental method in the embodiment of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention;

【図3】従来の半導体装置の製造方法のフローチャート
を示す図
FIG. 3 is a flowchart showing a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置の特性に影響する可能性があ
る複数の製造条件について、最適条件値を設定する製造
方法であって、前記最適条件値を決定するための実験を
行う工程と、前記実験のために、前記半導体装置の製造
工程全体に含まれる前記製造条件について各条件値を定
義したデータである初期条件値カードを準備する工程
と、前記実験の対象とする前記製造条件を選択する工程
と、前記選択した製造条件の各2つの条件値を組み合わ
せる工程と、前記組み合わせを記録したデータである各
条件値カードを作成する工程と、前記初期条件値カード
の一部に前記各条件値データを反映して初期実験を行う
工程と、前記初期実験の結果に基づいて前記製造条件か
ら重要な条件を選択する工程と、前記選択した重要な製
造条件について条件値を増加する工程と、前記増加した
製造条件について各条件値カードを変更または追加する
工程と、前記初期条件値カードの一部に前記各条件値デ
ータを反映して追加実験する工程と、前記初期実験と前
記追加実験の結果に基づいて前記半導体装置の特性を前
記製造条件の条件値を含む関数式で表現する工程と、前
記関数式に基づいて前記最適条件値を決定する工程とを
備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A manufacturing method for setting optimum condition values for a plurality of manufacturing conditions that may affect the characteristics of a semiconductor device, the method comprising: performing an experiment for determining the optimum condition values; For an experiment, a step of preparing an initial condition value card which is data defining each condition value for the manufacturing conditions included in the entire manufacturing process of the semiconductor device, and selecting the manufacturing conditions to be subjected to the experiment A step of combining each of the two condition values of the selected manufacturing conditions; a step of creating each condition value card which is data recording the combination; and a step of forming each of the condition values in a part of the initial condition value card. Performing an initial experiment reflecting the data; selecting important conditions from the manufacturing conditions based on the results of the initial experiment; and condition values for the selected important manufacturing conditions. Increasing the number of conditions, changing or adding each condition value card for the increased manufacturing conditions, a step of performing an additional experiment by reflecting each condition value data on a part of the initial condition value card, A step of expressing a characteristic of the semiconductor device based on a result of an experiment and the additional experiment by a function formula including a condition value of the manufacturing condition; and a step of determining the optimum condition value based on the function formula. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
JP31495797A 1997-11-17 1997-11-17 Semiconductor device manufacturing method Pending JPH11150047A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31495797A JPH11150047A (en) 1997-11-17 1997-11-17 Semiconductor device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31495797A JPH11150047A (en) 1997-11-17 1997-11-17 Semiconductor device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11150047A true JPH11150047A (en) 1999-06-02

Family

ID=18059709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31495797A Pending JPH11150047A (en) 1997-11-17 1997-11-17 Semiconductor device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11150047A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001057324A (en) * 1999-06-22 2001-02-27 Hyundai Electronics Ind Co Ltd Semiconductor-factory automating equipment, system, and method for processing lot of semiconductor wafer, and recording medium thereof
WO2003012847A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Tokyo Electron Limited Semiconductor production apparatus monitoring method and control method
JP2003506900A (en) * 1999-08-10 2003-02-18 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド Method and apparatus for characterizing a semiconductor device
US6990388B2 (en) 2003-12-26 2006-01-24 Renesas Technology Corp. Mass-production transfer support system and semiconductor manufacturing system
JP2008241337A (en) * 2007-03-26 2008-10-09 Toyota Motor Corp Setting method of experimental planning for control parameter, program for making computer execute setting method of experimental planning, computer-readable recording medium recording the program

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001057324A (en) * 1999-06-22 2001-02-27 Hyundai Electronics Ind Co Ltd Semiconductor-factory automating equipment, system, and method for processing lot of semiconductor wafer, and recording medium thereof
JP4536221B2 (en) * 1999-06-22 2010-09-01 株式会社ハイニックスセミコンダクター Semiconductor factory automation apparatus, automation system, automation method and recording medium for processing semiconductor wafer lots
JP2003506900A (en) * 1999-08-10 2003-02-18 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド Method and apparatus for characterizing a semiconductor device
WO2003012847A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Tokyo Electron Limited Semiconductor production apparatus monitoring method and control method
JP2003045846A (en) * 2001-08-01 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd Monitoring and controlling method of semiconductor- manufacturing apparatus
US6990388B2 (en) 2003-12-26 2006-01-24 Renesas Technology Corp. Mass-production transfer support system and semiconductor manufacturing system
JP2008241337A (en) * 2007-03-26 2008-10-09 Toyota Motor Corp Setting method of experimental planning for control parameter, program for making computer execute setting method of experimental planning, computer-readable recording medium recording the program
JP4670826B2 (en) * 2007-03-26 2011-04-13 トヨタ自動車株式会社 Control parameter experiment plan setting method, program for causing computer to execute experiment plan setting method, and computer-readable recording medium recording the program

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109870903B (en) Parameter optimization method, device and non-transitory computer readable medium
CN110019151B (en) Database performance adjustment method, device, equipment, system and storage medium
US8230381B2 (en) Method for designing cell layout of semiconductor integrated circuit
CN111476422A (en) L ightGBM building cold load prediction method based on machine learning framework
Cheng et al. A study on flowshop scheduling problem combining Taguchi experimental design and genetic algorithm
US6377908B1 (en) Method for optimizing transfer function outputs
Nimmegeers et al. Interactive multi‐objective dynamic optimization of bioreactors under parametric uncertainty
JP2004030413A (en) Optimization processing apparatus
CN110263059A (en) Spark-Streaming intermediate data partition method, device, computer equipment and storage medium
CN111062524A (en) Scenic spot short-term passenger flow volume prediction method and system based on optimized genetic algorithm
JPH11150047A (en) Semiconductor device manufacturing method
CN112527749B (en) Cache policy determination method and device, computer equipment and readable storage medium
CN1265311C (en) System and method for optimization of a circuit breaker mechanism
US6415417B1 (en) Method and apparatus for transistor optimization, method and apparatus for layout design of integrated circuit, and integrated circuit
JP2000040106A (en) Process arrangement method for production system, process arrangement device for production system and storage medium stored with process arrangement program of production system
CN115130737A (en) Machine learning method based on working condition, related device and medium program product
CN113821975A (en) Fuel cell performance attenuation prediction method and system
Musharavati Process planning optimization in reconfigurable manufacturing systems
KR100297079B1 (en) Method for biasing designs of experiments
CN110287272A (en) A kind of configurable real-time feature extraction method, apparatus and system
CN117610896B (en) Intelligent scheduling system based on industrial large model
Tanabe et al. TPAM: a simulation-based model for quantitatively analyzing parameter adaptation methods
CN117787390A (en) Storage medium, flow generating method, and information processing apparatus
JP2022038866A (en) Information processing method, program and information processing device
CN109240859B (en) Processor verification system and method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20041112

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20041214

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050624

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20080527

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20080930

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02