JPH11149604A - コンピュータディスク駆動装置等に関連する書込ヘッドのコイル内の迅速な磁束反転を可能とする方法及び回路 - Google Patents
コンピュータディスク駆動装置等に関連する書込ヘッドのコイル内の迅速な磁束反転を可能とする方法及び回路Info
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- JPH11149604A JPH11149604A JP26003098A JP26003098A JPH11149604A JP H11149604 A JPH11149604 A JP H11149604A JP 26003098 A JP26003098 A JP 26003098A JP 26003098 A JP26003098 A JP 26003098A JP H11149604 A JPH11149604 A JP H11149604A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/022—H-Bridge head driver circuit, the "H" configuration allowing to inverse the current direction in the head
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンピュータ用のディスク駆動装置における
書込ヘッドのコイル等の誘導性負荷を駆動する改良した
方法及び装置を提供する。 【解決手段】 磁気媒体へデータを書込む書込ヘッド組
立体のコイルへ電流を印加するＨブリッジ回路が２対の
２個のスイッチ可能なトランジスタを有している。１対
のコンデンサが低側トランジスタの夫々の関連するもの
の制御要素へ接続しており、且つスイッチング回路が該
コンデンサへ接続しており、夫々の関連する低側トラン
ジスタがターンオンされる場合に、夫々の関連する低側
トランジスタの制御要素へ電流を注入するために該コン
デンサの各々を選択的に接続させる。
書込ヘッドのコイル等の誘導性負荷を駆動する改良した
方法及び装置を提供する。 【解決手段】 磁気媒体へデータを書込む書込ヘッド組
立体のコイルへ電流を印加するＨブリッジ回路が２対の
２個のスイッチ可能なトランジスタを有している。１対
のコンデンサが低側トランジスタの夫々の関連するもの
の制御要素へ接続しており、且つスイッチング回路が該
コンデンサへ接続しており、夫々の関連する低側トラン
ジスタがターンオンされる場合に、夫々の関連する低側
トランジスタの制御要素へ電流を注入するために該コン
デンサの各々を選択的に接続させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高速のライズタイム
（上昇時間）を有する信号を印加することが所望される
誘導性負荷等を駆動する回路及び方法における改良に関
するものであって、更に詳細には、ディスクドライブ即
ちディスク駆動装置等の書込ヘッドに関連して使用され
るタイプの誘導性負荷を駆動するための方法及び回路に
おける改良に関するものである。
（上昇時間）を有する信号を印加することが所望される
誘導性負荷等を駆動する回路及び方法における改良に関
するものであって、更に詳細には、ディスクドライブ即
ちディスク駆動装置等の書込ヘッドに関連して使用され
るタイプの誘導性負荷を駆動するための方法及び回路に
おける改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】殆どのコンピュータシステムは１つ又は
それ以上の関連するディスクドライブ即ちディスク駆動
装置を有しており、ディスクドライブはコンピュータシ
ステム内に内蔵させることが可能であり、又はシステム
に対する公知の手段を介して接続するためにコンピュー
タシステムの外部に設けることも可能である。典型的に
は、ディスクドライブは少なくとも１個の回転磁気媒体
及び磁気媒体に隣接して設けられる関連するヘッド機構
を有している。ヘッドはディスク媒体上の精密な位置に
対して選択的に情報を書込むか又はそれから情報を読取
るために半径方向に位置決めさせることが可能である。
このようなディスクドライブは、例えば、所謂ハードデ
ィスクドライブ、フロッピィディスクドライブ等があ
る。
それ以上の関連するディスクドライブ即ちディスク駆動
装置を有しており、ディスクドライブはコンピュータシ
ステム内に内蔵させることが可能であり、又はシステム
に対する公知の手段を介して接続するためにコンピュー
タシステムの外部に設けることも可能である。典型的に
は、ディスクドライブは少なくとも１個の回転磁気媒体
及び磁気媒体に隣接して設けられる関連するヘッド機構
を有している。ヘッドはディスク媒体上の精密な位置に
対して選択的に情報を書込むか又はそれから情報を読取
るために半径方向に位置決めさせることが可能である。
このようなディスクドライブは、例えば、所謂ハードデ
ィスクドライブ、フロッピィディスクドライブ等があ
る。
【０００３】磁気ディスク媒体上に格納すべきデジタル
情報に従って書込ヘッドへ一連の信号を与えることによ
ってデータが関連するデータディスクへ書込まれる。書
込ヘッドは、コイル及びディスク媒体に近接して位置さ
れている１個又はそれ以上の関連するポールピース（極
部材）を有している。ヘッド内において磁束が変化する
と、ディスクの磁気媒体の磁気ドメインがその後の読取
動作のために所定の方向に整列される。典型的に、小さ
な空間が各磁気ドメイン遷移を分離し、磁気媒体上の相
次ぐ遷移を互いに区別することを可能としている。
情報に従って書込ヘッドへ一連の信号を与えることによ
ってデータが関連するデータディスクへ書込まれる。書
込ヘッドは、コイル及びディスク媒体に近接して位置さ
れている１個又はそれ以上の関連するポールピース（極
部材）を有している。ヘッド内において磁束が変化する
と、ディスクの磁気媒体の磁気ドメインがその後の読取
動作のために所定の方向に整列される。典型的に、小さ
な空間が各磁気ドメイン遷移を分離し、磁気媒体上の相
次ぐ遷移を互いに区別することを可能としている。
【０００４】ディスクはヘッドと相対的に移動するの
で、磁気ドメイン遷移部を分離している小さな空間が充
分に広いものでない場合には、相次ぐ磁気遷移部を区別
する上で困難性に遭遇する場合があることを理解するこ
とが可能である。このことは、ディスク上に含まれてい
るデータを読取る上でエラーを発生する場合があり、そ
のことは、勿論、望ましいことではない。
で、磁気ドメイン遷移部を分離している小さな空間が充
分に広いものでない場合には、相次ぐ磁気遷移部を区別
する上で困難性に遭遇する場合があることを理解するこ
とが可能である。このことは、ディスク上に含まれてい
るデータを読取る上でエラーを発生する場合があり、そ
のことは、勿論、望ましいことではない。
【０００５】一方、コンピュータが次第に高速化するに
従い、データがディスク媒体に対して書込むことが可能
である速度を増加させることが益々重要なものとなって
いる。然しながら、データ信号は矩形波遷移の形態にあ
るので、矩形波の先端エッジのライズタイムが大きい場
合には、磁気媒体遷移部の間の小さな空間も大きくな
り、そのことはデータを正確に書込み且つ読取ることが
可能である実効速度を減少させる。書込ヘッド組立体は
少なくとも１個のコイルを有しているので、書込ヘッド
内において強制的に電流を迅速に上昇させること、即ち
磁束の方向を反転させることは困難である。
従い、データがディスク媒体に対して書込むことが可能
である速度を増加させることが益々重要なものとなって
いる。然しながら、データ信号は矩形波遷移の形態にあ
るので、矩形波の先端エッジのライズタイムが大きい場
合には、磁気媒体遷移部の間の小さな空間も大きくな
り、そのことはデータを正確に書込み且つ読取ることが
可能である実効速度を減少させる。書込ヘッド組立体は
少なくとも１個のコイルを有しているので、書込ヘッド
内において強制的に電流を迅速に上昇させること、即ち
磁束の方向を反転させることは困難である。
【０００６】過去においては、このような書込信号をヘ
ッドへ供給するために使用されていたデータ書込回路
は、「Ｈブリッジ」回路の選択した回路分岐部を介して
電流を駆動するために前置増幅器回路を有しており、そ
れは正確なるデータ再生のために比較的高速で電流を反
転することを許容することが可能なものである。
ッドへ供給するために使用されていたデータ書込回路
は、「Ｈブリッジ」回路の選択した回路分岐部を介して
電流を駆動するために前置増幅器回路を有しており、そ
れは正確なるデータ再生のために比較的高速で電流を反
転することを許容することが可能なものである。
【０００７】従来技術に基づく典型的なＨブリッジ書込
ヘッドデータ駆動回路１０の１例を図１に示してある。
回路１０はＶCCレール１１と接地１７との間に接続され
ている４個のＭＯＳトランジスタ１２−１５を有してい
る。例えば、ディスクドライブ媒体へ書込むためのデー
タパルスを供給するために使用されるコイル１９は書込
ヘッド機構内に組込まれている。それは図示した如くＨ
ブリッジの中央の回路分岐部間に接続されている。
ヘッドデータ駆動回路１０の１例を図１に示してある。
回路１０はＶCCレール１１と接地１７との間に接続され
ている４個のＭＯＳトランジスタ１２−１５を有してい
る。例えば、ディスクドライブ媒体へ書込むためのデー
タパルスを供給するために使用されるコイル１９は書込
ヘッド機構内に組込まれている。それは図示した如くＨ
ブリッジの中央の回路分岐部間に接続されている。
【０００８】理解されるように、夫々のトランジスタ１
２−１５へ印加されるゲートバイアスに依存して、電流
がコイル１９を介して１つの方向又は別の方向に流れ
る。即ち、一方の電流経路はトランジスタ１４と、右か
ら左へのコイル１９と、トランジスタ１３とを包含して
いる。他方の電流経路は、トランジスタ１２と、左から
右側へのコイル１９と、トランジスタ１５とを包含して
いる。
２−１５へ印加されるゲートバイアスに依存して、電流
がコイル１９を介して１つの方向又は別の方向に流れ
る。即ち、一方の電流経路はトランジスタ１４と、右か
ら左へのコイル１９と、トランジスタ１３とを包含して
いる。他方の電流経路は、トランジスタ１２と、左から
右側へのコイル１９と、トランジスタ１５とを包含して
いる。
【０００９】Ｈブリッジ回路１０においては、トランジ
スタ１２及び１４はスイッチングトランジスタとして作
用し、それらは夫々の入力線２８及び２９上の位相のず
れた信号によって制御される。トランジスタ１３及び１
５は電流制御トランジスタとして作用し、それらは夫々
の制御トランジスタ３１及び３２を介して、スイッチン
グトランジスタ１２及び１４に対する接続から反対の態
様で夫々の入力線２９及び２８上の位相のずれた信号に
よって制御される。トランジスタ１３及び１５を介して
の電流の大きさはトランジスタ２１によって制御され、
それにより、トランジスタ１３及び１５は、夫々の伝達
ゲート２４及び２５を介して接続された場合に、夫々の
カレントミラーを形成する。伝達ゲート２４及び２５
は、関連するトランジスタ３１及び３２と同一の態様で
夫々の入力線２９及び２８上の信号によって制御され
る。基準電流源２６はトランジスタ２１へ基準電流を供
給し、それは上述したように夫々のトランジスタ１３及
び１５における電流によってミラー動作される。
スタ１２及び１４はスイッチングトランジスタとして作
用し、それらは夫々の入力線２８及び２９上の位相のず
れた信号によって制御される。トランジスタ１３及び１
５は電流制御トランジスタとして作用し、それらは夫々
の制御トランジスタ３１及び３２を介して、スイッチン
グトランジスタ１２及び１４に対する接続から反対の態
様で夫々の入力線２９及び２８上の位相のずれた信号に
よって制御される。トランジスタ１３及び１５を介して
の電流の大きさはトランジスタ２１によって制御され、
それにより、トランジスタ１３及び１５は、夫々の伝達
ゲート２４及び２５を介して接続された場合に、夫々の
カレントミラーを形成する。伝達ゲート２４及び２５
は、関連するトランジスタ３１及び３２と同一の態様で
夫々の入力線２９及び２８上の信号によって制御され
る。基準電流源２６はトランジスタ２１へ基準電流を供
給し、それは上述したように夫々のトランジスタ１３及
び１５における電流によってミラー動作される。
【００１０】従って、回路１０と関連するヘッド機構へ
供給されるデータ駆動信号は、入力線２８及び２９へ適
宜の信号を印加することによって制御することが可能で
ある。然しながら、上述したように、データ速度が増加
すると、ヘッドが磁気媒体へデータを正確に書込むこと
の可能な速度が、コイル１９（及びそれと関連する構成
要素）における磁束が反転することの可能な速度によっ
て制限される。従って、最大のデータレートは、ドライ
バ回路の最大物理的磁束反転速度へ制限される。
供給されるデータ駆動信号は、入力線２８及び２９へ適
宜の信号を印加することによって制御することが可能で
ある。然しながら、上述したように、データ速度が増加
すると、ヘッドが磁気媒体へデータを正確に書込むこと
の可能な速度が、コイル１９（及びそれと関連する構成
要素）における磁束が反転することの可能な速度によっ
て制限される。従って、最大のデータレートは、ドライ
バ回路の最大物理的磁束反転速度へ制限される。
【００１１】理解されるように、コイルの誘導性リアク
タンスに起因するコイル１９内における磁束反転問題に
加えて、トランジスタ１３及び１５が適切な電流を導通
させる前にトランジスタ１３及び１５のゲートを充電さ
せるのに必要な時間もコイル１９における磁束反転にお
いて遅延を発生させる。トランジスタ１３及び１５のゲ
ート及びソースにおいて発生する典型的なＶGSの波形を
参照番号２７で示してある。理解されるように、波形２
７は上述した要因に起因して顕著なライズタイム即ち上
昇時間を有している。
タンスに起因するコイル１９内における磁束反転問題に
加えて、トランジスタ１３及び１５が適切な電流を導通
させる前にトランジスタ１３及び１５のゲートを充電さ
せるのに必要な時間もコイル１９における磁束反転にお
いて遅延を発生させる。トランジスタ１３及び１５のゲ
ート及びソースにおいて発生する典型的なＶGSの波形を
参照番号２７で示してある。理解されるように、波形２
７は上述した要因に起因して顕著なライズタイム即ち上
昇時間を有している。
【００１２】従って、コンピュータ等と関連するディス
クドライブの書込ヘッドに関連して使用されるタイプの
誘導性負荷をドライバコイル内の最大磁束反転速度を可
能とする信号で駆動する方法及び回路を提供することが
所望されている。
クドライブの書込ヘッドに関連して使用されるタイプの
誘導性負荷をドライバコイル内の最大磁束反転速度を可
能とする信号で駆動する方法及び回路を提供することが
所望されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、誘導性負荷を駆動する方法及び回路を提供
することを目的とする。本発明の別の目的とするところ
は、コンピュータ等に関連するディスクドライブの書込
ヘッドに関連して使用されるタイプの誘導性負荷を駆動
する方法及び回路を提供することである。
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、誘導性負荷を駆動する方法及び回路を提供
することを目的とする。本発明の別の目的とするところ
は、コンピュータ等に関連するディスクドライブの書込
ヘッドに関連して使用されるタイプの誘導性負荷を駆動
する方法及び回路を提供することである。
【００１４】本発明の更に別の目的とするところは、コ
ンピュータ等と関連するディスクドライブの書込ヘッド
に関連して使用されるタイプの誘導性負荷をドライバコ
イルにおいて最大の磁束反転速度を可能とさせる信号で
駆動する方法及び回路を提供することである。
ンピュータ等と関連するディスクドライブの書込ヘッド
に関連して使用されるタイプの誘導性負荷をドライバコ
イルにおいて最大の磁束反転速度を可能とさせる信号で
駆動する方法及び回路を提供することである。
【００１５】本発明の更に別の目的とするところは、高
速のライズタイム即ち上昇時間を有する信号で上述した
タイプの誘導性負荷を駆動するタイプの方法及び回路を
提供することである。
速のライズタイム即ち上昇時間を有する信号で上述した
タイプの誘導性負荷を駆動するタイプの方法及び回路を
提供することである。
【００１６】本発明の更に別の目的とするところは、典
型的なＨブリッジドライバよりも記録媒体上により正確
なデータ遷移でもってデータをより高速に書込むことを
可能とする誘導性負荷を駆動する方法及び回路を提供す
ることである。
型的なＨブリッジドライバよりも記録媒体上により正確
なデータ遷移でもってデータをより高速に書込むことを
可能とする誘導性負荷を駆動する方法及び回路を提供す
ることである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気媒
体へデータを書込むための書込ヘッド組立体のコイルへ
電流を印加するためのＨブリッジ回路が提供される。該
Ｈブリッジ回路は、２対の２個のスイッチ可能なトラン
ジスタを有している。各対のトランジスタは供給電圧と
基準電圧との間に接続されており且つコイル内の電流の
流れ方向を制御するために逐次的に該トランジスタをタ
ーンオン及びオフさせるために各対のトランジスタの間
のコイルへ接続されるべく適合されている。各対の上側
即ち高側トランジスタはスイッチングトランジスタとし
て作用し、且つ下側トランジスタはコイルへミラー動作
させた基準電流を供給する。１対のコンデンサが下側即
ち低側トランジスタの夫々の関連するものの制御要素へ
接続しており、且つスイッチング回路が該コンデンサへ
接続しており、夫々の関連する低側トランジスタがター
ンオンされる場合に夫々の関連する低側トランジスタの
制御要素へ電流を注入するために該コンデンサの各々を
選択的に接続させる。
体へデータを書込むための書込ヘッド組立体のコイルへ
電流を印加するためのＨブリッジ回路が提供される。該
Ｈブリッジ回路は、２対の２個のスイッチ可能なトラン
ジスタを有している。各対のトランジスタは供給電圧と
基準電圧との間に接続されており且つコイル内の電流の
流れ方向を制御するために逐次的に該トランジスタをタ
ーンオン及びオフさせるために各対のトランジスタの間
のコイルへ接続されるべく適合されている。各対の上側
即ち高側トランジスタはスイッチングトランジスタとし
て作用し、且つ下側トランジスタはコイルへミラー動作
させた基準電流を供給する。１対のコンデンサが下側即
ち低側トランジスタの夫々の関連するものの制御要素へ
接続しており、且つスイッチング回路が該コンデンサへ
接続しており、夫々の関連する低側トランジスタがター
ンオンされる場合に夫々の関連する低側トランジスタの
制御要素へ電流を注入するために該コンデンサの各々を
選択的に接続させる。
【００１８】本発明の別の側面によれば、磁気媒体へデ
ータを書込むための書込ヘッドと関連するコイルへの電
流のライズタイム即ち上昇時間を調節するための方法が
提供される。本方法は、Ｈブリッジ回路の電流制御トラ
ンジスタにおける基準電流をミラー動作し、且つ該電流
制御トランジスタの夫々の制御要素へ電流を注入するた
めの一対のブーストコンデンサを設ける、上記各ステッ
プを包含している。本方法は、又、該電流制御トランジ
スタの夫々の容量と実質的に等しい容量を与えるために
該ブーストコンデンサをマッチングさせることを包含す
ることが可能である。該ブーストコンデンサは、それら
が関連する制御トランジスタと実質的に同様に構成する
ことによってマッチング即ち一致させることが可能であ
る。
ータを書込むための書込ヘッドと関連するコイルへの電
流のライズタイム即ち上昇時間を調節するための方法が
提供される。本方法は、Ｈブリッジ回路の電流制御トラ
ンジスタにおける基準電流をミラー動作し、且つ該電流
制御トランジスタの夫々の制御要素へ電流を注入するた
めの一対のブーストコンデンサを設ける、上記各ステッ
プを包含している。本方法は、又、該電流制御トランジ
スタの夫々の容量と実質的に等しい容量を与えるために
該ブーストコンデンサをマッチングさせることを包含す
ることが可能である。該ブーストコンデンサは、それら
が関連する制御トランジスタと実質的に同様に構成する
ことによってマッチング即ち一致させることが可能であ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】図２を参照すると、本発明に基づ
いて構成されたＨブリッジコイル駆動回路２０の概略図
が示されている。図２のＨブリッジ回路２０は、ブース
トコンデンサ回路４０及び４１が付加されている点を除
いて、図１のＨブリッジ回路１０と同様である。図２に
おける構成要素は、図１の構成要素と同様のものについ
ては同様の参照番号を付してあり、従ってその詳細な説
明は割愛する。
いて構成されたＨブリッジコイル駆動回路２０の概略図
が示されている。図２のＨブリッジ回路２０は、ブース
トコンデンサ回路４０及び４１が付加されている点を除
いて、図１のＨブリッジ回路１０と同様である。図２に
おける構成要素は、図１の構成要素と同様のものについ
ては同様の参照番号を付してあり、従ってその詳細な説
明は割愛する。
【００２０】ブースト回路４０及び４１の各々は、イン
バータを有しており、その各インバータは、夫々、ＶCC
レール１１と基準電圧即ち接地１７との間に接続されて
いる一対のトランジスタ４３−４４及び４６−４７から
形成されている。トランジスタ４３−４４及び４６−４
７のゲートは、夫々、信号出力線２９及び２８へ接続し
ている。トランジスタ４３及び４４のドレインはブース
トコンデンサ５０によってトランジスタ１３のゲートへ
接続しており、同様に、トランジスタ４６及び４７のド
レインはブーストコンデンサ５２によってトランジスタ
１５のゲートへ接続している。
バータを有しており、その各インバータは、夫々、ＶCC
レール１１と基準電圧即ち接地１７との間に接続されて
いる一対のトランジスタ４３−４４及び４６−４７から
形成されている。トランジスタ４３−４４及び４６−４
７のゲートは、夫々、信号出力線２９及び２８へ接続し
ている。トランジスタ４３及び４４のドレインはブース
トコンデンサ５０によってトランジスタ１３のゲートへ
接続しており、同様に、トランジスタ４６及び４７のド
レインはブーストコンデンサ５２によってトランジスタ
１５のゲートへ接続している。
【００２１】ブーストコンデンサ５０及び５２の値はト
ランジスタ１３及び１５のゲート・ソース容量と一致す
るように、又は実質的に同一であるように選択されてい
る。従って、例えば、ブーストコンデンサ５０の値は、
次式によって決定することが可能である。
ランジスタ１３及び１５のゲート・ソース容量と一致す
るように、又は実質的に同一であるように選択されてい
る。従って、例えば、ブーストコンデンサ５０の値は、
次式によって決定することが可能である。
【００２２】Ｃ50＝ＣGS13（ＶGS21／（ＶCC−
ＶGS21）） 尚、Ｃ50は付加したブーストコンデンサ５０の容量であ
り、ＣGS13はトランジスタ１３の入力容量であり、Ｖ
GS21は電流源２６から基準電流ＩREF が流れるトランジ
スタ２１のＶGSであり、ＶCCは供給電圧（電源電圧）で
ある。
ＶGS21）） 尚、Ｃ50は付加したブーストコンデンサ５０の容量であ
り、ＣGS13はトランジスタ１３の入力容量であり、Ｖ
GS21は電流源２６から基準電流ＩREF が流れるトランジ
スタ２１のＶGSであり、ＶCCは供給電圧（電源電圧）で
ある。
【００２３】同一の考慮事項が、トランジスタ１５のゲ
ートにおけるコンデンサ５２の容量を決定する場合にも
適用される。上述した考慮事項は、図２の回路において
曲線２７′で示したように、方形波入力信号に応答して
トランジスタ１３及び１５への入力端において方形波Ｖ
GSを与える補償用コンデンサ５０及び５２を選択するこ
ととなる。
ートにおけるコンデンサ５２の容量を決定する場合にも
適用される。上述した考慮事項は、図２の回路において
曲線２７′で示したように、方形波入力信号に応答して
トランジスタ１３及び１５への入力端において方形波Ｖ
GSを与える補償用コンデンサ５０及び５２を選択するこ
ととなる。
【００２４】動作について説明すると、トランジスタ１
３及び１５がスイッチされると、例えば、トランジスタ
１３及び１４が導通状態とされ、コンデンサ５０の上側
がＭＯＳトランジスタ４３によって接地からＶCCとされ
る。このフェーズ期間中に、電流がＭＯＳトランジスタ
１３のゲート内へ注入される。トランジスタ１３のゲー
トへ注入された電流がそのゲートをトランジスタ２１の
ゲート上の電圧と同一の電圧値とさせると、伝達ゲート
２４を介して電流が流れることはない。理解されるよう
に、トランジスタ４３の内部抵抗が低ければ低いほど、
トランジスタ１３のゲートはより速く充電される。
３及び１５がスイッチされると、例えば、トランジスタ
１３及び１４が導通状態とされ、コンデンサ５０の上側
がＭＯＳトランジスタ４３によって接地からＶCCとされ
る。このフェーズ期間中に、電流がＭＯＳトランジスタ
１３のゲート内へ注入される。トランジスタ１３のゲー
トへ注入された電流がそのゲートをトランジスタ２１の
ゲート上の電圧と同一の電圧値とさせると、伝達ゲート
２４を介して電流が流れることはない。理解されるよう
に、トランジスタ４３の内部抵抗が低ければ低いほど、
トランジスタ１３のゲートはより速く充電される。
【００２５】本回路の反対側においては、トランジスタ
１５がターンオフされると、トランジスタ４７がターン
オンされ、コンデンサ５２の上側プレートを接地へ接続
させる。トランジスタ１５がオフとなるとトランジスタ
３２も導通状態にあるので、コンデンサ５２の下側プレ
ートも接地へ接続される。従って、該コンデンサはサイ
クル間において完全に放電される。
１５がターンオフされると、トランジスタ４７がターン
オンされ、コンデンサ５２の上側プレートを接地へ接続
させる。トランジスタ１５がオフとなるとトランジスタ
３２も導通状態にあるので、コンデンサ５２の下側プレ
ートも接地へ接続される。従って、該コンデンサはサイ
クル間において完全に放電される。
【００２６】理解されるように、この実施例におけるブ
ーストコンデンサの容量値は、該ブーストコンデンサが
関連しているスイッチトランジスタのゲート容量と同一
であることが望ましい。従って、集積回路実施例におけ
るＨブリッジ回路を製造する場合に、該ブーストコンデ
ンサは、それらの関連するスイッチトランジスタと同一
の処理の流れの一部として構成することが可能である。
即ち、該ブーストコンデンサはＭＯＳ装置と同一の態様
で構成することが可能であり、該ゲートは該コンデンサ
の一方の側として作用し且つポリシリコン基板が他方の
側として作用する。該コンデンサの構造の物理的レイア
ウトが関連するスイッチされるトランジスタのものと同
一のものとされると、ボーダー（境界）及びその他の効
果もマッチングさせることが可能である。
ーストコンデンサの容量値は、該ブーストコンデンサが
関連しているスイッチトランジスタのゲート容量と同一
であることが望ましい。従って、集積回路実施例におけ
るＨブリッジ回路を製造する場合に、該ブーストコンデ
ンサは、それらの関連するスイッチトランジスタと同一
の処理の流れの一部として構成することが可能である。
即ち、該ブーストコンデンサはＭＯＳ装置と同一の態様
で構成することが可能であり、該ゲートは該コンデンサ
の一方の側として作用し且つポリシリコン基板が他方の
側として作用する。該コンデンサの構造の物理的レイア
ウトが関連するスイッチされるトランジスタのものと同
一のものとされると、ボーダー（境界）及びその他の効
果もマッチングさせることが可能である。
【００２７】より高い又はより低いブースト電圧が所望
される場合には、トランジスタ１３のＶGSを変化させる
ことにより修正することが可能である。必要なＶGSの変
化即ちΔＶGSは次式によって与えられる。
される場合には、トランジスタ１３のＶGSを変化させる
ことにより修正することが可能である。必要なＶGSの変
化即ちΔＶGSは次式によって与えられる。
【００２８】ΔＶGS＝［ＶCCＣ50−ＶGS21（ＣGS13＋Ｃ
50）］／（ＣGS13＋Ｃ50＋ＣGS21） 従って、図３に示したように、典型的なＶGS曲線２７′
よりもより大きなブーストを与える曲線５４、又は典型
的なＶGS曲線２７′よりもより小さなブーストを与える
曲線５５を、ＶGS21を選択的に変化させることにより設
定することが可能である。トランジスタ２１上の過渡的
状態を減少させるために、図４に示したように、トラン
ジスタ２１と並列してコンデンサ６０を接続させること
が可能である。コンデンサ６０は、ライン２９及び２８
上の信号Ｓ１及びＳ２のスイッチング遷移に起因して、
トランジスタ２１を再充電することに関連する遅延を取
除いている。
50）］／（ＣGS13＋Ｃ50＋ＣGS21） 従って、図３に示したように、典型的なＶGS曲線２７′
よりもより大きなブーストを与える曲線５４、又は典型
的なＶGS曲線２７′よりもより小さなブーストを与える
曲線５５を、ＶGS21を選択的に変化させることにより設
定することが可能である。トランジスタ２１上の過渡的
状態を減少させるために、図４に示したように、トラン
ジスタ２１と並列してコンデンサ６０を接続させること
が可能である。コンデンサ６０は、ライン２９及び２８
上の信号Ｓ１及びＳ２のスイッチング遷移に起因して、
トランジスタ２１を再充電することに関連する遅延を取
除いている。
【００２９】幾つかの動作環境において、動作条件が異
なる場合がある。従って、そのような場合には、特定の
動作環境に拘らずに本回路が最適化されたものであるこ
とを可能とするためにプログラム可能なコンデンサ５
０，５２を設けることが望ましい場合がある。特に、該
コンデンサが、本回路のＭＯＳトランジスタを形成する
のと同一の集積回路処理の流れの一部として形成される
場合には、該コンデンサはその全体的な容量値を変化さ
せるために選択的に接続することの可能な複数個の延長
部と共に物理的に構成することが可能である。一方、多
くの場合においては、基準電流発生器２６の電流を、外
部的に供給される信号によってプログラムすることが可
能であるようにすることが可能である。コンデンサ５
０，５２に対して所望の値をプログラムするために同一
のプログラム信号を使用することが容易である。
なる場合がある。従って、そのような場合には、特定の
動作環境に拘らずに本回路が最適化されたものであるこ
とを可能とするためにプログラム可能なコンデンサ５
０，５２を設けることが望ましい場合がある。特に、該
コンデンサが、本回路のＭＯＳトランジスタを形成する
のと同一の集積回路処理の流れの一部として形成される
場合には、該コンデンサはその全体的な容量値を変化さ
せるために選択的に接続することの可能な複数個の延長
部と共に物理的に構成することが可能である。一方、多
くの場合においては、基準電流発生器２６の電流を、外
部的に供給される信号によってプログラムすることが可
能であるようにすることが可能である。コンデンサ５
０，５２に対して所望の値をプログラムするために同一
のプログラム信号を使用することが容易である。
【００３０】上述したようにブーストコンデンサの値は
ＶCCの値にも依存する。従って、Ｖ CCの値は、ブースト
コンデンサの値を制御するためにモニタすることが可能
である。
ＶCCの値にも依存する。従って、Ｖ CCの値は、ブースト
コンデンサの値を制御するためにモニタすることが可能
である。
【００３１】本回路に対する更なる別の可能な変形例
は、ＶCCとＶGS21の両方をモニタすることである。従っ
て、ＶCCとＶGS21をモニタすることによって、ＭＯＳス
レッシュホールド電圧の温度効果及び拡がりを補償する
ことが可能である。このようなモニタ動作の結果を、例
えば、基準電流発生器２６からの基準電流の値を変化さ
せるために使用することが可能である。
は、ＶCCとＶGS21の両方をモニタすることである。従っ
て、ＶCCとＶGS21をモニタすることによって、ＭＯＳス
レッシュホールド電圧の温度効果及び拡がりを補償する
ことが可能である。このようなモニタ動作の結果を、例
えば、基準電流発生器２６からの基準電流の値を変化さ
せるために使用することが可能である。
【００３２】理解されるように、回路２０は高速のライ
ズタイムを有する信号で誘導性負荷を駆動することを可
能としており、ミラートランジスタ１３及び１５の制御
要素への電流注入を選択的に調節可能な全く同一である
か、下回るか、上回る補償を与えることを可能としてい
る。従って、回路２０はデータをより迅速に書込むこと
を可能とし、典型的なＨブリッジドライバよりも記録媒
体上においてより正確なデータ遷移とすることを可能と
している。
ズタイムを有する信号で誘導性負荷を駆動することを可
能としており、ミラートランジスタ１３及び１５の制御
要素への電流注入を選択的に調節可能な全く同一である
か、下回るか、上回る補償を与えることを可能としてい
る。従って、回路２０はデータをより迅速に書込むこと
を可能とし、典型的なＨブリッジドライバよりも記録媒
体上においてより正確なデータ遷移とすることを可能と
している。
【００３３】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図１】 従来技術に基づく磁気書込ヘッドにおいて使
用されるタイプのコイルを駆動するためのＨブリッジ回
路を示した概略図。
用されるタイプのコイルを駆動するためのＨブリッジ回
路を示した概略図。
【図２】 本発明に基づいて構成された磁気書込ヘッド
において使用されるコイルを駆動するＨブリッジ回路を
示した概略図。
において使用されるコイルを駆動するＨブリッジ回路を
示した概略図。
【図３】 図２の回路におけるスイッチングトランジス
タのゲートにおいて発生する正確に補償した、下回る補
償を行なった及び上回る補償を行なった電圧波形を示し
た概略図。
タのゲートにおいて発生する正確に補償した、下回る補
償を行なった及び上回る補償を行なった電圧波形を示し
た概略図。
【図４】 本発明に基づいて磁気書込ヘッド等において
使用されるタイプのコイルを駆動するための修正したＨ
ブリッジ回路を示した概略図。
使用されるタイプのコイルを駆動するための修正したＨ
ブリッジ回路を示した概略図。
１０ Ｈブリッジ回路 ２０ Ｈブリッジコイル駆動回路 ４０，４１ ブーストコンデンサ回路 ５０，５２ ブーストコンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アクセル アレグレ ドゥ ラ スジョー ル アメリカ合衆国， カリフォルニア 95066， スコッツ バレイ， アップル バレイ ロード 32 (72)発明者 エランゴ パクリスウァミー アメリカ合衆国， カリフォルニア 95051， サンタ クララ， ハルフォー ド アベニュー 1901， ナンバー 102
Claims (19)
- 【請求項１】 磁気媒体に対して書込みを行なう書込ヘ
ッドへ信号を供給するＨブリッジ回路において、第一及
び第二電圧供給線の間で誘導性電気負荷を選択的に結合
させるための第一及び第二対の高側及び低側スイッチン
グ装置が設けられており、ブーストコンデンサが前記低
側スイッチング装置の各々のスイッチング端子へ結合し
ており、前記ブーストコンデンサは前記低側スイッチン
グ装置のうちの関連する１つの入力容量と実質的に等価
な容量を有していることを特徴とするＨブリッジ回路。 - 【請求項２】 請求項１において、前記高型及び低側ス
イッチング装置がＭＯＳトランジスタを有していること
を特徴とするＨブリッジ回路。 - 【請求項３】 請求項１において、前記低側スイッチン
グ装置がＮチャンネルＭＯＳトランジスタを有している
ことを特徴とするＨブリッジ回路。 - 【請求項４】 請求項１において、前記ブーストコンデ
ンサがＭＯＳコンデンサを有していることを特徴とする
Ｈブリッジ回路。 - 【請求項５】 請求項１において、前記ブーストコンデ
ンサ及び前記低側スイッチング装置が実質的に同様の物
理的レイアウトを有していることを特徴とするＨブリッ
ジ回路。 - 【請求項６】 請求項１において、前記ブーストコンデ
ンサ及び前記低側スイッチング装置の前記物理的寸法が
実質的に同一であることを特徴とするＨブリッジ回路。 - 【請求項７】 請求項１において、前記低側スイッチン
グ装置の前記入力容量が実質的にゲート容量に等しいこ
とを特徴とするＨブリッジ回路。 - 【請求項８】 請求項１において、更に、制御端子と第
一及び第二電流担持端子とを具備する付加的なスイッチ
ング装置が設けられており、前記制御端子は前記第一電
流担持端子へ結合しており、前記第一及び第二電圧供給
線の間において前記付加的なスイッチング装置の前記第
一及び第二電流担持端子と直列に結合して電流源が設け
られており、前記付加的なスイッチング装置の前記第一
及び第二電流担持端子を横断して付加的なコンデンサが
結合されていることを特徴とするＨブリッジ回路。 - 【請求項９】 請求項８において、前記付加的なコンデ
ンサが前記付加的なスイッチング装置の前記制御端子対
第二電流担持端子容量を減少させるのに効果的であるこ
とを特徴とするＨブリッジ回路。 - 【請求項１０】 書込ヘッド組立体のコイルへ電流を印
加する装置において、２対の２個のスイッチ可能トラン
ジスタを包含するＨブリッジが設けられており、各対は
供給電圧と基準電圧との間に接続されると共に各対の前
記２個のトランジスタの間において前記コイルへ接続す
べく適合されており、前記第一対の２個のトランジスタ
は前記第一対の前記２個のトランジスタのうちの一方を
ターンオンさせ且つ前記第一対の２個のトランジスタの
うちの別のトランジスタをターンオンさせるための制御
信号を受取るように接続すべく適合されており、前記第
二対の２個のトランジスタは前記第一対の２個のトラン
ジスタのうちの一方をターンオンさせ且つ前記第二対の
２個のトランジスタのうちの別のトランジスタをターン
オフさせるための反転制御信号を受取るべく接続される
ように適合されており、それにより、前記第一対の前記
一方のトランジスタがターンオンされ且つ前記第二対の
前記別のトランジスタがターンオフされる場合には、前
記コイル内において第一方向に電流が流れ、且つ前記第
一対の前記別のトランジスタがターンオンされ且つ前記
第二対の前記一方のトランジスタがターンオフされる場
合には、前記コイル内を第二方向に電流が流れ、基準電
流を供給する基準電流源が設けられており、前記第一及
び第二対の各々における前記トランジスタの１つが、タ
ーンオンされた場合に前記基準電流をミラー動作すべく
接続されており、それにより前記コイル内の電流は前記
基準電流によって制御され、各々が前記基準電流をミラ
ー動作する前記トランジスタのうちの夫々の関連する１
つの制御要素へ接続している１対のコンデンサが設けら
れており、前記夫々の関連するトランジスタがターンオ
ンされる場合に前記夫々の関連するトランジスタの前記
制御要素内へ電流を注入するために前記コンデンサの各
々を選択的に接続させるために前記コンデンサへ接続し
ているスイッチング回路が設けられている、ことを特徴
とする装置。 - 【請求項１１】 請求項１０において、前記スイッチン
グ回路が前記コンデンサの夫々へ接続している１対のイ
ンバータを有していることを特徴とする装置。 - 【請求項１２】 請求項１０において、前記２対の２個
のスイッチ可能なトランジスタがＭＯＳトランジスタで
あることを特徴とする装置。 - 【請求項１３】 請求項１２において、前記コンデンサ
がＭＯＳコンデンサを有していることを特徴とする装
置。 - 【請求項１４】 請求項１０において、前記第一及び第
二対の各々におけるトランジスタのうちの前記１つが前
記基準電流へ伝達ゲートによって接続され、前記基準ゲ
ートは前記制御信号及び前記反転制御信号によって夫々
制御されることを特徴とする装置。 - 【請求項１５】 請求項１０において、更に、前記ミラ
ートランジスタの制御要素の夫々と基準電圧との間に付
加的な対のトランジスタが接続されており、前記付加的
な対のトランジスタは、夫々、前記制御信号及び前記反
転制御信号によって前記夫々のミラートランジスタから
逆に制御されることを特徴とする装置。 - 【請求項１６】 請求項１０において、各々が前記夫々
の関連するトランジスタの制御要素の容量と実質的に同
一の容量を有するように前記一対のコンデンサが構成さ
れていることを特徴とする装置。 - 【請求項１７】 磁気媒体へデータを書込むための書込
ヘッドに関連するコイルへの電流のライズタイムを調節
する方法において、 Ｈブリッジの電流制御トランジスタにおける基準電流を
ミラー動作し、 前記電流制御トランジスタの夫々の制御要素内に電流を
注入するために一対のブーストコンデンサを与える、こ
とを特徴とする方法。 - 【請求項１８】 請求項１７において、更に、前記電流
制御トランジスタの夫々の容量に実質的に等しい容量を
与えるように前記ブーストコンデンサをマッチングさせ
ることを特徴とする方法。 - 【請求項１９】 請求項１７において、更に、前記電流
制御トランジスタの夫々がターンオンされる場合に前記
電流制御トランジスタの夫々の制御要素へ前記コンデン
サを接続させるためのスイッチング回路を設けることを
特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/928999 | 1997-09-12 | ||
| US08/928,999 US6166869A (en) | 1997-06-30 | 1997-09-12 | Method and circuit for enabling rapid flux reversal in the coil of a write head associated with a computer disk drive, or the like |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149604A true JPH11149604A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=25457156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26003098A Pending JPH11149604A (ja) | 1997-09-12 | 1998-09-14 | コンピュータディスク駆動装置等に関連する書込ヘッドのコイル内の迅速な磁束反転を可能とする方法及び回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11149604A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1113423A3 (en) * | 1999-12-30 | 2006-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to hard disk drives |
| CN1328726C (zh) * | 2004-07-12 | 2007-07-25 | 威盛电子股份有限公司 | 光学读取头取样介面系统 |
| CN100341068C (zh) * | 2004-07-01 | 2007-10-03 | 威盛电子股份有限公司 | 光学读取头取样介面系统 |
-
1998
- 1998-09-14 JP JP26003098A patent/JPH11149604A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1113423A3 (en) * | 1999-12-30 | 2006-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to hard disk drives |
| CN100341068C (zh) * | 2004-07-01 | 2007-10-03 | 威盛电子股份有限公司 | 光学读取头取样介面系统 |
| CN1328726C (zh) * | 2004-07-12 | 2007-07-25 | 威盛电子股份有限公司 | 光学读取头取样介面系统 |
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