JPH1114916A - Waveguide type optical switch - Google Patents

Waveguide type optical switch

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Publication number
JPH1114916A
JPH1114916A JP16561697A JP16561697A JPH1114916A JP H1114916 A JPH1114916 A JP H1114916A JP 16561697 A JP16561697 A JP 16561697A JP 16561697 A JP16561697 A JP 16561697A JP H1114916 A JPH1114916 A JP H1114916A
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JP
Japan
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substrate
connecting member
cantilever beams
cantilever
separation layer
Prior art date
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Application number
JP16561697A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaya Horino
正也 堀野
Kazuyasu Satou
和恭 佐藤
Masaru Muranishi
勝 村西
Teruhisa Akashi
照久 明石
Ayafumi Komatsu
礼文 小松
Hiroaki Okano
広明 岡野
Masaru Kobayashi
大 小林
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Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
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Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical switch capable of performing highly reliable switching with a small driving force by providing a projection on the substrate side surface of a moving flat optical waveguide. SOLUTION: A separation layer 2 located below cantilever beams 6 and 7 and a connecting member 8 is eliminated by etching, and the surface of substrate 1 is exposed around the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8. A recess 24 is formed on the full surface of the separation layer 2. In the lower surface of the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8, a projection is formed in a position corresponding to the recess 24. Friction forces between the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member and the substrate are reduced, and adhesion is also suppressed. Thus, even if forces generated by electromagnetic actuators 11a and 11b are small, opticalswitching is performed. Further, since there is no difference in the friction reducing effect even if a gap between the projection formed in the lower surface of the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8 and the substrate is small, sure optical-switching is performed while changes in the attitudes of the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8 are maintained small.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光通新分野で用いる
導波路型光スイッチに関し、特に小型で遠隔操作に適し
た導波路型光スイッチに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type optical switch used in a new field of optical communication, and more particularly to a small-sized waveguide type optical switch suitable for remote operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光導波路型スイッチとしては、特
開平6−148536 号公報に開示された光スイッチがある。
このスイッチはシリコン基板上に片持ち梁を形成し、そ
の上に形成した光導波路を静電気力を利用して動かすこ
とにより、光路の切り替えを行う1×2の光スイッチで
ある。
2. Description of the Related Art As a conventional optical waveguide switch, there is an optical switch disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-148536.
This switch is a 1 × 2 optical switch that switches an optical path by forming a cantilever on a silicon substrate and moving an optical waveguide formed thereon using electrostatic force.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光スイ
ッチにあっては、次のような問題があった。すなわち、
シリコン基板上に形成された片持ち梁と基板とが接触す
る部分が双方とも平面であるので、双方が接触した際の
摩擦が大きく、片持ち梁を移動させることが困難であっ
た。また、凝着現象により片持ち梁と基板とが固着して
しまう場合もあった。基板と片持ち梁との間隔を大きく
すればこの問題を解決できるが、基板と片持ち梁との間
の空間に片持ち梁が落ち込むことにより光結合効率が顕
著に低下し、挿入損失が増大するという問題が生じてい
た。
The above-mentioned conventional optical switch has the following problems. That is,
Since both portions of the cantilever formed on the silicon substrate and the substrate are in contact with each other, both portions are flat. Therefore, friction between the two portions is large, and it is difficult to move the cantilever. In addition, the cantilever and the substrate sometimes adhere to each other due to the adhesion phenomenon. This problem can be solved by increasing the distance between the substrate and the cantilever, but the cantilever falls into the space between the substrate and the cantilever, which significantly reduces optical coupling efficiency and increases insertion loss. Problem had arisen.

【0004】本発明はこのような問題点を解決するもの
であって、小さい駆動力で信頼性の高い光切り替えが行
われる光スイッチの実現を目的とするものである。
An object of the present invention is to solve such a problem, and it is an object of the present invention to realize an optical switch capable of performing highly reliable optical switching with a small driving force.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の光導波路スイッチは、光導波路の基板側
表面に突起を設けている。これによって基板と光導波路
とが平面で接触することを防止できるので、光導波路が
移動する場合の摩擦抵抗を小さくできる。また接触面積
が小さいので、基板と光導波路とが凝着することを防止
できる。また突起先端と基板との距離を小さくすること
により、基板と片持ち梁との間の空間に片持ち梁が落ち
込むことによる光結合効率の低下を抑制することができ
る。
In order to achieve the above-mentioned object, an optical waveguide switch according to the present invention has a projection on a substrate side surface of an optical waveguide. This can prevent the substrate and the optical waveguide from coming into contact with each other on a plane, so that the frictional resistance when the optical waveguide moves can be reduced. Further, since the contact area is small, it is possible to prevent the substrate and the optical waveguide from sticking to each other. Also, by reducing the distance between the tip of the protrusion and the substrate, it is possible to suppress a decrease in optical coupling efficiency due to the cantilever falling into the space between the substrate and the cantilever.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面に基づ
いて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0007】図1は本発明による導波路型光スイッチの
部分的な断面を含む斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view including a partial cross section of a waveguide type optical switch according to the present invention.

【0008】1は基板、2はシリコンからなる分離層、
3は石英ガラス層、4及び5は入力側光導波路コア、6
及び7は片持ち梁、8は連結部材、9a,9b,10a
及び10bは出力側光導波路コア、11a及び11bは
電磁アクチュエータ、12a及び12bはアクチュエー
タ電極、13はカバー、14は軟磁性体及び24はくぼ
みである。ただしカバー13及び軟磁性体14は、便宜
上取り付け位置のみが破線で示されている。
1 is a substrate, 2 is a separation layer made of silicon,
3 is a quartz glass layer, 4 and 5 are input side optical waveguide cores, 6
And 7 are cantilever beams, 8 is a connecting member, 9a, 9b, 10a
10b are output side optical waveguide cores, 11a and 11b are electromagnetic actuators, 12a and 12b are actuator electrodes, 13 is a cover, 14 is a soft magnetic material, and 24 is a depression. However, only the attachment positions of the cover 13 and the soft magnetic body 14 are indicated by broken lines for convenience.

【0009】石英ガラス層3に形成された入力側光導波
路コア4に入力された光は片持ち梁6上を通る。片持ち
梁6は電磁アクチュエータ11a及び11bと軟磁性体
14との磁気吸引力により片側に引き付けられ、入力側
光導波路コア4は出力側光導波路コア9aあるいは9b
に結合する。電磁アクチュエータ11a及び11bは電
極12a及び12bを通じて図示しない電源から電力を
供給されている。電磁アクチュエータ11a及び11b
の作用を反転させることにより、光をスイッチングでき
る。入力側光導波路コア5に入力された光も同様にし
て、出力側光導波路コア10aあるいは10bに結合す
る。
Light input to the input side optical waveguide core 4 formed on the quartz glass layer 3 passes on the cantilever 6. The cantilever 6 is attracted to one side by the magnetic attraction between the electromagnetic actuators 11a and 11b and the soft magnetic body 14, and the input side optical waveguide core 4 becomes the output side optical waveguide core 9a or 9b.
To join. The electromagnetic actuators 11a and 11b are supplied with power from a power source (not shown) through the electrodes 12a and 12b. Electromagnetic actuators 11a and 11b
The light can be switched by reversing the action of. The light input to the input side optical waveguide core 5 is similarly coupled to the output side optical waveguide core 10a or 10b.

【0010】片持ち梁6,7及び連結部材8の下部の分
離層2はエッチングにより除去されているので、片持ち
梁6,7及び連結部材8の周囲では基板1の表面が露出
している。分離層2には、くぼみ24が一面に形成され
ている。片持ち梁6,7及び連結部材8の下面には、こ
のくぼみ24に相当する位置に突起が形成されており、
片持ち梁6,7及び連結部材8と基板との摩擦力が低減
され、凝着も抑制される。その結果、電磁アクチュエー
タ11a及び11bの発生力が小さくても光のスイッチ
ングを行うことができる。
Since the separation layer 2 below the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8 is removed by etching, the surface of the substrate 1 is exposed around the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8. . A depression 24 is formed on one surface of the separation layer 2. Projections are formed on the lower surfaces of the cantilever beams 6, 7 and the connecting member 8 at positions corresponding to the depressions 24,
The frictional force between the cantilever beams 6, 7 and the connecting member 8 and the substrate is reduced, and adhesion is also suppressed. As a result, light can be switched even if the force generated by the electromagnetic actuators 11a and 11b is small.

【0011】また片持ち梁6,7及び連結部材8の下面
に形成された突起の先端と基板との間隙を小さくしても
摩擦力の低減効果は変わらないので、片持ち梁6,7及
び連結部材8の姿勢変化を小さく抑えつつ確実に光のス
イッチングを行うことができる。またカバー13を用い
て、片持ち梁6,7及び連結部材8が外乱によって正常
な位置から逸脱することを防止できる。
The effect of reducing the frictional force does not change even if the gap between the tip of the protrusion formed on the lower surface of the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8 and the substrate is reduced, so that the cantilever beams 6 and 7 and the Light switching can be reliably performed while suppressing a change in the posture of the connecting member 8 to be small. Further, by using the cover 13, it is possible to prevent the cantilever beams 6, 7 and the connecting member 8 from deviating from normal positions due to disturbance.

【0012】図1では、分離層としてシリコンのみを用
いたが、シリコン,チタン,白金あるいはこれらの組み
合わせからなる分離層を用いても同様の結果を得ること
ができる。
In FIG. 1, only silicon is used as the separation layer. However, similar results can be obtained by using a separation layer made of silicon, titanium, platinum or a combination thereof.

【0013】図2は片持ち梁のみを取り出して基板側か
ら見た場合の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view when only the cantilever is taken out and viewed from the substrate side.

【0014】25は突起である。Reference numeral 25 denotes a projection.

【0015】片持ち梁6,7及び連結部材8の基板側の
表面には、突起25が一面に形成されている。これによ
って基板との接触面積が小さく限定され、片持ち梁6,
7及び連結部材8が移動する際の摩擦による抵抗が小さ
くなり、また凝着も抑制される。
A projection 25 is formed on one surface of the cantilever beams 6, 7 and the connecting member 8 on the substrate side. This limits the contact area with the substrate to a small one,
Resistance due to friction when the 7 and the connecting member 8 move is reduced, and adhesion is also suppressed.

【0016】図3は従来のスイッチにおける軟磁性体下
部の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a lower portion of a soft magnetic body in a conventional switch.

【0017】15は屈折率整合液、16はスイッチ動作
に伴い屈折率整合液が流れる経路である。
Reference numeral 15 denotes a refractive index matching liquid, and reference numeral 16 denotes a path through which the refractive index matching liquid flows with a switch operation.

【0018】従来のスイッチでは、スイッチ動作に伴い
屈折率整合液15が経路16のごとく流れる。すなわ
ち、屈折率整合液15は片持ち梁6,7及び連結部材8
と基板1との間の狭い間隙を通過する必要があり、これ
による屈折率整合液15の流れの抵抗が切替時間を増大
させる原因となっていた。
In the conventional switch, the refractive index matching liquid 15 flows along the path 16 as the switch operates. That is, the refractive index matching liquid 15 includes the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8.
It is necessary to pass through a narrow gap between the liquid crystal and the substrate 1, and the resistance of the flow of the refractive index matching liquid 15 due to this causes an increase in the switching time.

【0019】図4は本発明による光スイッチの図1にお
けるA−A′断面を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing an AA 'section in FIG. 1 of the optical switch according to the present invention.

【0020】17はスイッチ動作に伴い屈折率整合液1
5が流れる経路である。
Reference numeral 17 denotes a refractive index matching liquid 1 accompanying a switch operation.
Reference numeral 5 indicates a path.

【0021】片持ち梁6,7及び連結部材8の基板側表
面に突起25が形成されており、屈折率整合液15は経
路16に加えて、突起25の間をぬって経路17のごと
く流れることができる。経路17の高さは突起25の高
さの分だけ経路16よりも高いので、突起25の高さを
十分大きくすることにより屈折率整合液15が流れる際
の抵抗を経路16よりも小さくすることができる。
The projections 25 are formed on the substrate-side surfaces of the cantilever beams 6 and 7 and the connecting member 8. The refractive index matching liquid 15 flows between the projections 25 and flows like the path 17 in addition to the path 16. be able to. Since the height of the path 17 is higher than that of the path 16 by the height of the protrusion 25, the resistance when the refractive index matching liquid 15 flows is made smaller than that of the path 16 by making the height of the protrusion 25 sufficiently large. Can be.

【0022】図5は本発明による光スイッチの製造プロ
セスを模式的に示す図である。
FIG. 5 is a diagram schematically showing a manufacturing process of the optical switch according to the present invention.

【0023】18は穴、19は第二の分離層、20は
穴、21は分離層のエッチング液、22は突起と基板と
の間隙、23は突起がない部分の梁と基板との間隙及び
26は導波路コアである。
Reference numeral 18 denotes a hole, 19 denotes a second separation layer, 20 denotes a hole, 21 denotes an etchant for the separation layer, 22 denotes a gap between the projection and the substrate, and 23 denotes a gap between the beam and the substrate in a portion without the projection. 26 is a waveguide core.

【0024】まず同図(a)に示す石英からなる基板1
に同図(b)でシリコンからなる厚さ2ミクロンの分離
層2を形成する。分離層2はスパッタリング法,蒸着
法,化学気相成膜法(CVD法)あるいはイオンビーム
成膜法などの成膜方法により形成してもよいし、予め用
意したシリコン板を基板1に接合する方法を用いてもよ
い。
First, a quartz substrate 1 shown in FIG.
2 (b), a separation layer 2 made of silicon and having a thickness of 2 microns is formed. The separation layer 2 may be formed by a film formation method such as a sputtering method, a vapor deposition method, a chemical vapor deposition method (CVD method) or an ion beam film formation method, or a previously prepared silicon plate is bonded to the substrate 1. A method may be used.

【0025】次に同図(c)にて分離層2に基板1まで
貫通する穴18をエッチングにて形成する。
Next, a hole 18 penetrating to the substrate 1 is formed in the separation layer 2 by etching in FIG.

【0026】次に同図(d)にてシリコンからなる厚さ
0.5 ミクロンの分離層19を形成する。分離層19は
スパッタリング法,蒸着法,化学気相成膜法(CVD
法)あるいはイオンビーム成膜法などの成膜方法により
形成できる。
Next, in FIG. 2D, a separation layer 19 made of silicon and having a thickness of 0.5 μm is formed. The separation layer 19 is formed by a sputtering method, a vapor deposition method, a chemical vapor deposition method (CVD).
Method) or a film forming method such as an ion beam film forming method.

【0027】次に同図(e)にて石英ガラス層3及び導
波路コア26を形成する。
Next, a quartz glass layer 3 and a waveguide core 26 are formed as shown in FIG.

【0028】次に同図(f)にて片持ち梁6の外形に沿
って石英ガラス層3に分離層19まで到達する貫通穴2
0をエッチングにて形成する。エッチング方法としては
ウェットエッチング及びドライエッチングが適用できる
が、本実施例ではエッチング方向に異方性を有するドラ
イエッチングを用いている。
Next, in FIG. 2F, the through-hole 2 reaching the separation layer 19 in the quartz glass layer 3 along the outer shape of the cantilever 6.
0 is formed by etching. As the etching method, wet etching and dry etching can be applied. In this embodiment, dry etching having anisotropy in the etching direction is used.

【0029】次に同図(g)にて分離層2及び19のエ
ッチングを行う。エッチング方法としてはウェットエッ
チング及びドライエッチングが適用できるが、本実施例
ではシリコンエッチング液21を用いたウェットエッチ
ングを行っている。同図(g)はエッチングが途中まで進
んだ状態を示している。
Next, the separation layers 2 and 19 are etched as shown in FIG. As the etching method, wet etching and dry etching can be applied. In this embodiment, wet etching using the silicon etching liquid 21 is performed. FIG. 9G shows a state where the etching has progressed halfway.

【0030】同図(h)にエッチング完了後の状態を示
す。片持ち梁6の下部にある分離層2及び19がエッチ
ング除去され、片持ち梁6は基板1と分離して動くこと
ができる。片持ち梁6の下面には突起25が形成されて
おり、突起25と基板1との間に間隙22が形成され
る。本実施例の場合は間隙22の大きさは分離層19の
厚さの0.5μm に等しくなる。突起のない部分の梁と
基板との間隙23は間隙22よりも広く、分離層2及び
19の合計の厚さ2.5μm に等しくなる。これによっ
て基板との接触面積が小さく限定され、片持ち梁6が移
動する際の摩擦による抵抗が小さくなり、また凝着も抑
制される。
FIG. 3H shows the state after the completion of the etching. The separation layers 2 and 19 below the cantilever 6 are etched away, so that the cantilever 6 can move separately from the substrate 1. A projection 25 is formed on the lower surface of the cantilever 6, and a gap 22 is formed between the projection 25 and the substrate 1. In the case of the present embodiment, the size of the gap 22 is equal to 0.5 μm of the thickness of the separation layer 19. The gap 23 between the beam and the substrate in the portion without the protrusion is wider than the gap 22 and is equal to the total thickness of the separation layers 2 and 19 of 2.5 μm. As a result, the contact area with the substrate is limited to be small, the resistance due to friction when the cantilever 6 moves is reduced, and adhesion is also suppressed.

【0031】本実施例では基板1上にシリコンからなる
分離層2及び19を形成したが、シリコンの代わりにチ
タニウムあるいは白金及びこれらの組合せからなる分離
層を用いても同様に片持ち梁3を基板1と分離できる。
さらに本実施例では分離層19の厚さを0.5μm とし
たが、導波路コア4の高さ未満であれば、分離層2及び
19が除去された空間に片持ち梁6が落ち込むことによ
って光結合が失われることはない。
In this embodiment, the separation layers 2 and 19 made of silicon are formed on the substrate 1. However, the cantilever 3 can be similarly formed by using a separation layer made of titanium, platinum, or a combination thereof instead of silicon. It can be separated from the substrate 1.
Further, in this embodiment, the thickness of the separation layer 19 is set to 0.5 μm. However, if the thickness is less than the height of the waveguide core 4, the cantilever 6 falls into the space where the separation layers 2 and 19 are removed. Optical coupling is not lost.

【0032】本実施例では分離層2及び19を最終的に
完全に除去しているが、片持ち梁6が基板1と分離して
いれば、分離層2及び19は一部残留していてもよい。
In this embodiment, the separation layers 2 and 19 are finally completely removed. However, if the cantilever 6 is separated from the substrate 1, the separation layers 2 and 19 are partially left. Is also good.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明によれば、小さい力で駆動でき、
挿入損失の小さい低コストの光スイッチを実現すること
が可能となる。
According to the present invention, it is possible to drive with a small force,
It is possible to realize a low-cost optical switch with small insertion loss.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による導波路型2回路1×2光スイッチ
の一実施例の部分的に断面を示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view partially showing a cross section of an embodiment of a waveguide type two-circuit 1 × 2 optical switch according to the present invention.

【図2】片持ち梁のみを取り出して基板側から見た場合
の斜視図。
FIG. 2 is a perspective view when only the cantilever is taken out and viewed from the substrate side.

【図3】従来のスイッチにおける軟磁性体下部の断面
図。
FIG. 3 is a sectional view of a lower portion of a soft magnetic body in a conventional switch.

【図4】本発明による光スイッチの図1におけるA−
A′断面を示す断面図。
FIG. 4 is a diagram illustrating an optical switch according to the present invention in FIG.
Sectional drawing which shows A 'section.

【図5】本発明による光スイッチの製造プロセスを模式
的に示す図。
FIG. 5 is a diagram schematically showing a manufacturing process of the optical switch according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…シリコンからなる分離層、3…石英ガラ
ス層、4及び5…入力側光導波路コア、6及び7…片持
ち梁、8…連結部材、9a,9b,10a及び10b…
出力側光導波路コア、11a及び11b…電磁アクチュ
エータ、12a及び12b…アクチュエータ電極、13
…カバー、14…軟磁性体、15…屈折率整合液、16
…スイッチ動作に伴い屈折率整合液が流れる経路、17
…スイッチ動作に伴い屈折率整合液15が流れる経路、
18,20…穴、19…分離層、21…分離層のエッチ
ング液、22…突起と基板との間隙、23…突起がない
部分の梁と基板との間隙、24…くぼみ、25…突起、
26…導波路コア。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Separation layer made of silicon, 3 ... Quartz glass layer, 4 and 5 ... Input side optical waveguide core, 6 and 7 ... Cantilever, 8 ... Connecting member, 9a, 9b, 10a and 10b ...
Output side optical waveguide cores, 11a and 11b: electromagnetic actuators, 12a and 12b: actuator electrodes, 13
... cover, 14 ... soft magnetic material, 15 ... refractive index matching liquid, 16
... the path through which the refractive index matching liquid flows with the switch operation, 17
... the path through which the refractive index matching liquid 15 flows with the switch operation
18, 20: Hole, 19: Separation layer, 21: Separation layer etchant, 22: Gap between projection and substrate, 23: Gap between beam and substrate in portion without projection, 24: Recess, 25: Protrusion,
26 ... waveguide core.

フロントページの続き (72)発明者 村西 勝 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 明石 照久 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 小松 礼文 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 岡野 広明 茨城県日立市日高町五丁目1番1号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 小林 大 茨城県日立市日高町五丁目1番1号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内Continued on the front page (72) Inventor Masaru Muranishi 502 Kandate-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Pref., Machinery Research Laboratories, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Rebun Komatsu 216 Totsuka-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Information and Communication Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Hiroaki Okano 5-1-1 Hidakacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Cable, Ltd. Opto-System Research Laboratory (72) Inventor Dai Kobayashi 5-1-1, Hidaka-cho, Hitachi City, Ibaraki Pref.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】平面型光導波路を基板上で機械的に移動さ
せて入力光信号の光路を切り替える光スイッチにおい
て、移動する平面型光導波路の基板側表面に突起を設け
たことを特徴とする導波路型光スイッチ。
In an optical switch for switching an optical path of an input optical signal by mechanically moving a planar optical waveguide on a substrate, a projection is provided on a surface of the movable planar optical waveguide on a substrate side. Waveguide type optical switch.
JP16561697A 1997-06-23 1997-06-23 Waveguide type optical switch Pending JPH1114916A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16561697A JPH1114916A (en) 1997-06-23 1997-06-23 Waveguide type optical switch

Applications Claiming Priority (1)

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JP16561697A JPH1114916A (en) 1997-06-23 1997-06-23 Waveguide type optical switch

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768846B2 (en) * 1999-12-27 2004-07-27 Ngk Insulators, Ltd. Display device and method for producing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6768846B2 (en) * 1999-12-27 2004-07-27 Ngk Insulators, Ltd. Display device and method for producing the same

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