JPH11133588A - Exposure mask and exposure device - Google Patents

Exposure mask and exposure device

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Publication number
JPH11133588A
JPH11133588A JP31108897A JP31108897A JPH11133588A JP H11133588 A JPH11133588 A JP H11133588A JP 31108897 A JP31108897 A JP 31108897A JP 31108897 A JP31108897 A JP 31108897A JP H11133588 A JPH11133588 A JP H11133588A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure mask
exposure
mask
alignment mark
photoresist film
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP31108897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Onozawa
清 小野澤
Akira Narizumi
顕 成住
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP31108897A priority Critical patent/JPH11133588A/en
Publication of JPH11133588A publication Critical patent/JPH11133588A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid the remaining of a resist on a metal thin plate due to the exposure of positioning marks without causing troubles for positioning of an exposure mask and a metal thin plate. SOLUTION: In the exposure mask 1, an optical layer 6 which transmits visible rays but absorbs UV rays is formed in the positioning mark part 5. The optical layer 6 is a polyimide film and the layer 6 is adhered to the non- pattern face of the exposure mask 1 with a transparent adhesive layer. Further, in the exposure device, a metal thin plate with a photoresist film formed is exposed to UV rays to form a pattern except for the positioning marks by using the exposure mask 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】表面にフォトレジストを塗
布、電着、またはラミネートした金属薄板に対し、紫外
線を照射して前記フォトレジスト膜にマスクパターンを
焼き付けるための露光マスクおよび露光装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure mask and an exposure apparatus for irradiating ultraviolet rays to a thin metal plate having a surface coated, electrodeposited, or laminated with a photoresist to print a mask pattern on the photoresist film. .

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路用リードフレームに見ら
れるごとく、フォトエッチングや型抜きプレスにより加
工された金属薄板に、部分的にメッキ加工を施した製品
がある。すでに加工された金属薄板に部分的にメッキ加
工を施す方法として、例えば、加工された金属薄板の表
面にフォトレジスト膜を形成し、露光マスクを介して紫
外線を含む露光光線を照射した後、現像によりメッキパ
ターンを形成し、部分的に露出した金属表面にメッキを
施す方法がある。ここで使用されるフォトレジスト膜
は、一般に450nm以下の波長の光に反応し、紫外線
のように波長が短い光に対して高い感度を有している。
2. Description of the Related Art As shown in a lead frame for a semiconductor integrated circuit, there is a product in which a thin metal plate processed by photo-etching or die-pressing is partially plated. As a method of partially plating a metal sheet that has already been processed, for example, a photoresist film is formed on the surface of the processed metal sheet, and after irradiating exposure light including ultraviolet rays through an exposure mask, developing A method of forming a plating pattern on a metal surface and plating the partially exposed metal surface. The photoresist film used here generally responds to light having a wavelength of 450 nm or less, and has high sensitivity to light having a short wavelength such as ultraviolet light.

【0003】前記工程において、メッキパターンをフォ
トレジスト膜に露光する際、すでに加工された金属薄板
と露光マスクとの位置合わせが必要である。位置合わせ
の方法としては、例えば、金属薄板と露光マスクとにそ
れぞれ位置合わせマークを設けておき、CCDなどの撮
像カメラを用いて2つの位置合わせマークを撮像し、該
マーク像を画像処理装置で処理して位置ずれ量を検出
し、金属薄板、または露光マスクの位置を調整してい
る。
In the above process, when exposing the plating pattern to the photoresist film, it is necessary to align the already processed metal sheet and the exposure mask. As an alignment method, for example, an alignment mark is provided on each of the thin metal plate and the exposure mask, two alignment marks are imaged using an imaging camera such as a CCD, and the mark image is processed by an image processing apparatus. Processing is performed to detect the amount of displacement, and adjust the position of the thin metal plate or the exposure mask.

【0004】上記位置合わせマークの例を図5に示す。
図5は露光マスクと金属薄板の外観斜視図である。金属
薄板7と露光マスク1との位置合わせマークは、例え
ば、図に示すように、一方の金属薄板7には数mm角の
穿孔による位置合わせマーク8を設け、他方の露光マス
ク1には、前記金属薄板の穿孔寸法よりも大きい十字形
の位置合わせマーク5を設けておく。金属薄板7と露光
マスク1の位置を合わせるときは、金属薄板7と露光マ
スク1を対向させ、前記金属薄板7に設けられた穿孔に
よる位置合わせマーク8の中心に、露光マスク1に設け
られた十字形の位置合わせマーク5が位置するように、
露光マスク1、または金属薄板7の位置を調整する。
FIG. 5 shows an example of the alignment mark.
FIG. 5 is an external perspective view of an exposure mask and a thin metal plate. As shown in the figure, for example, as shown in the drawing, the alignment mark between the metal thin plate 7 and the exposure mask 1 is provided with an alignment mark 8 formed by drilling a few mm square on one metal thin plate 7, and the other exposure mask 1 A cross-shaped alignment mark 5 larger than the perforation dimension of the thin metal plate is provided. When aligning the positions of the metal thin plate 7 and the exposure mask 1, the metal thin plate 7 and the exposure mask 1 are opposed to each other, and the metal thin plate 7 is provided on the exposure mask 1 at the center of the alignment mark 8 formed by the perforation provided in the metal thin plate 7. So that the cross-shaped alignment mark 5 is located,
The position of the exposure mask 1 or the thin metal plate 7 is adjusted.

【0005】なお、前記位置合わせマーク5、8は、図
に示すように、金属薄板7の余白部に設けられる。一
方、金属薄板7の余白部は、金属薄板への部分メッキ加
工における通電電極としても使用される。従って、当該
余白部にフォトレジスト膜によるメッキパターンが形成
されないように、例えば、金属薄板に形成するフォトレ
ジスト膜がネガ型の場合、金属薄板の余白部に対応する
マスクパターンは、通常図6に示すように黒ベタにして
おき、前記余白部への紫外線露光を遮蔽している。
[0005] The alignment marks 5 and 8 are provided in the margins of the sheet metal 7 as shown in the figure. On the other hand, the blank portion of the metal sheet 7 is also used as a current-carrying electrode in partial plating of the metal sheet. Accordingly, in order to prevent the plating pattern formed by the photoresist film from being formed in the blank portion, for example, when the photoresist film formed on the thin metal plate is a negative type, the mask pattern corresponding to the blank portion of the thin metal plate is usually as shown in FIG. As shown in the drawing, the solid portion is kept black to block ultraviolet exposure to the margin.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記状況において、露
光マスクに紫外線を照射し、メッキパターンをフォトレ
ジスト膜に露光すると、図7に示すように、露光マスク
に設けた位置合わせマークが、金属薄板7の表面に形成
されたフォトレジスト膜の、位置合わせ用穿孔部8に焼
き付けられ、レジスト膜を現像後も、位置合わせ用穿孔
部にフォトレジスト膜が残る現象が発生する。この状態
で金属薄板にメッキ加工を行うと、前記フォトレジスト
膜の残渣が、メッキ用電極と金属薄板との間の絶縁抵抗
となり、メッキ厚みなどの品質に影響を与える。また、
前記フォトレジスト膜の残渣が、メッキ用電極に付着す
ると、洗浄などの作業負担が増える。
In the above situation, when the exposure mask is irradiated with ultraviolet rays and the plating pattern is exposed on the photoresist film, as shown in FIG. 7, the alignment mark provided on the exposure mask becomes a thin metal plate. A phenomenon occurs in which the photoresist film formed on the surface of the photoresist film 7 is baked in the positioning hole 8 and the photoresist film remains in the positioning hole even after developing the resist film. When plating is performed on the metal thin plate in this state, the residue of the photoresist film becomes insulation resistance between the plating electrode and the metal thin plate, and affects quality such as plating thickness. Also,
When the residue of the photoresist film adheres to the plating electrode, the work load such as cleaning increases.

【0007】上記弊害を回避するため、位置合わせマー
クの位置を金属薄板の通電電極部から離して配置するこ
とも可能であるが、近年は、材料費削減のため、余白部
を極小化する傾向にあり、位置合わせマークと通電電極
部の干渉が避けられくなった。また、位置合わせマーク
部分に紫外線を照射しないように、露光光線をマスキン
グしてもよいが、位置合わせマークを撮像するための照
明用光源による露光が避けられない。本発明は、上記し
た課題を解決するため、位置合わせマーク部の露光によ
る金属薄板へのレジスト残りを、効果的に防止できる露
光マスクおよび露光装置を提供するのが目的である。
In order to avoid the above-mentioned adverse effects, it is possible to arrange the position of the alignment mark away from the energized electrode portion of the thin metal plate. However, in recent years, there has been a tendency to minimize the margin in order to reduce material costs. Therefore, the interference between the alignment mark and the conductive electrode portion can no longer be avoided. Further, the exposure light beam may be masked so as not to irradiate the alignment mark portion with ultraviolet rays. However, exposure by an illumination light source for imaging the alignment mark is inevitable. An object of the present invention is to provide an exposure mask and an exposure apparatus capable of effectively preventing a resist residue on a metal sheet due to exposure of an alignment mark portion in order to solve the above-described problem.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する手段
としては、露光マスクと金属薄板との位置合わせにおい
て支障を生じることなく、さらに、位置合わせマーク部
の露光によるレジスト残りを解消する必要がある。つま
り、位置合わせマークの撮像装置に使用する照明用光源
の可視波長は透過するが、フォトレジスト膜露光用の紫
外線は透過しない材料を、前記露光マスクの位置合わせ
マーク部に設けることによって、解決できることがわか
った。そこで、本発明者らは種々テストの結果、下記構
成の露光マスクおよび露光装置を用いることによって、
前記課題を解決した。
As means for solving the above-mentioned problems, it is necessary to eliminate the resist remaining due to the exposure of the alignment mark portion without causing any trouble in the alignment between the exposure mask and the thin metal plate. is there. In other words, the problem can be solved by providing a material that transmits visible wavelengths of the illumination light source used in the imaging device for the alignment mark but does not transmit ultraviolet light for exposing the photoresist film to the alignment mark portion of the exposure mask. I understood. Therefore, the present inventors have conducted various tests, and by using an exposure mask and an exposure apparatus having the following configuration,
The problem has been solved.

【0009】すなわち、本発明の露光マスクは、請求項
1に示したように、位置合わせマーク部に、可視光線を
透過し紫外線を吸収する光学層を設けてあり、また、前
記光学層は、請求項2に示したように、ポリイミドフィ
ルムであり、さらに、前記光学層は、請求項3に示した
ように、透明な粘着材層を用いて露光マスクの非パター
ン面に貼着してある。さらにまた、本発明の露光装置
は、請求項1、請求項2、または請求項3に記載の露光
マスクを用いて、位置合わせマークを除いたパターン
を、フォトレジスト膜を形成した金属薄板に紫外線露光
するように構成した。
That is, in the exposure mask according to the present invention, an optical layer that transmits visible light and absorbs ultraviolet light is provided on the alignment mark portion, and the optical layer includes: As described in claim 2, it is a polyimide film, and further, as described in claim 3, the optical layer is adhered to the non-pattern surface of the exposure mask using a transparent adhesive layer. . Furthermore, the exposure apparatus of the present invention uses the exposure mask according to claim 1, 2, or 3 to apply a pattern excluding an alignment mark to a thin metal plate on which a photoresist film is formed by using an ultraviolet ray. It was configured to expose.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の露光マスクおよび露光装
置について、実施例の図面に基づいて詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An exposure mask and an exposure apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings of the embodiments.

【0011】(露光マスクの構成)先ず、本発明の露光
マスクの構成について説明する。図1は、本発明の露光
マスクの平面図である。図において、1は露光マスク、
2は前記露光マスクの透明基板、3はマスクパターン
部、4は金属薄板の余白部に対応する黒ベタ部、5は前
記黒ベタ部に設けた位置合わせマークである。露光マス
ク1は、厚さ1〜5mmの硬質ガラス板の片側表面に、
銀塩乳剤または硬質クロムの薄膜でマスクパターンを形
成してあり、露光時に前記マスクパターン面が、フォト
レジスト膜を形成した金属薄板に密着される。
(Structure of Exposure Mask) First, the structure of the exposure mask of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view of an exposure mask of the present invention. In the figure, 1 is an exposure mask,
2 is a transparent substrate of the exposure mask, 3 is a mask pattern portion, 4 is a black solid portion corresponding to a blank portion of a thin metal plate, and 5 is an alignment mark provided on the black solid portion. The exposure mask 1 is provided on one surface of a hard glass plate having a thickness of 1 to 5 mm,
A mask pattern is formed of a silver salt emulsion or a thin film of hard chromium, and the mask pattern surface is brought into close contact with a metal sheet on which a photoresist film has been formed during exposure.

【0012】金属薄板は、前記露光マスク1の黒ベタ部
4の内側(破線で示す矩形)領域に位置し、位置合わせ
マーク5はその内側の少なくとも2か所に設けてある。
本実施例の露光マスクでは、マスクパターン部のほぼ対
角線上にそれぞれ位置合わせマークが配置され、この位
置合わせマークと、金属薄板にあらかじめ設けた穿孔に
よる位置合わせマークとを重ね合わせて、位置調整する
ことにより、金属薄板に加工されている製品形状と露光
マスクのマスクパターンとを合致させることができる。
The thin metal plate is located in a region (rectangular shape shown by a broken line) inside the solid black portion 4 of the exposure mask 1, and the alignment marks 5 are provided in at least two places inside the region.
In the exposure mask of the present embodiment, alignment marks are respectively arranged substantially diagonally on the mask pattern portion, and the alignment marks and the alignment marks formed by perforations provided in advance in the thin metal plate are overlapped to adjust the position. This makes it possible to match the product shape processed on the metal thin plate with the mask pattern of the exposure mask.

【0013】図2は、前記露光マスク1のA−A断面、
および前記露光マスクに密着させる金属薄板の断面を示
す。図2において、1が露光マスクで、7が金属薄板で
ある。露光マスク1の金属薄板7に対向する表面には、
マスクパターン部3、黒ベタ部4、および位置合わせマ
ーク5が形成してある。また、露光マスク1の他の面に
は、前記位置合わせマーク部5を覆うように光学層6を
設けてある。前記光学層6は、可視光線は透過し、紫外
線を吸収する材料で構成され、例えば、厚さ10〜50
μmのポリイミドフィルムを、厚さ2〜10μmの透明
な粘着材層を用いて、露光マスクを構成する透明ガラス
基板2に貼着してある。
FIG. 2 is a sectional view of the exposure mask 1 taken along line AA.
2 shows a cross section of a thin metal plate adhered to the exposure mask. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes an exposure mask, and 7 denotes a thin metal plate. On the surface of the exposure mask 1 facing the metal sheet 7,
A mask pattern portion 3, a solid black portion 4, and an alignment mark 5 are formed. An optical layer 6 is provided on the other surface of the exposure mask 1 so as to cover the alignment mark portion 5. The optical layer 6 is made of a material that transmits visible light and absorbs ultraviolet light.
A μm polyimide film is adhered to a transparent glass substrate 2 constituting an exposure mask using a transparent adhesive layer having a thickness of 2 to 10 μm.

【0014】一方、露光マスク1に対向する金属薄板7
には、露光マスク1に形成された位置合わせマーク5が
透過して見えるように、穿孔による位置合わせマーク8
が設けられている。さらに、金属薄板7には、前記穿孔
による位置合わせマーク8の穴を含めて全表面を覆うよ
うに、フォトレジスト膜9が形成されている。なお、こ
のフォトレジスト膜の露光マスク1と相対しない裏面
は、図示しない露光装置であらかじめ全面露光し、感光
しておく。これは、金属薄板の裏面にメッキが施されな
いようにするためである。
On the other hand, the metal sheet 7 facing the exposure mask 1
In order to allow the alignment marks 5 formed on the exposure mask 1 to be seen through, the alignment marks 8
Is provided. Further, a photoresist film 9 is formed on the metal sheet 7 so as to cover the entire surface including the hole of the alignment mark 8 formed by the perforation. The back surface of the photoresist film, which is not opposed to the exposure mask 1, is previously exposed and exposed by an exposure device (not shown). This is to prevent plating on the back surface of the thin metal plate.

【0015】(露光マスクの作用)次に、上記構成の露
光マスク1の作用について説明する。先ず、金属薄板と
露光マスクの位置合わせにおける作用について、図を用
いて説明する。図3は、金属薄板7のフォトレジスト膜
に、マスクパターンを露光焼付けするための露光装置に
おける、金属薄板と露光マスクとの位置合わせ機構の一
例を示す概略構成図である。図において、1は前記した
露光マスク、10は当該露光マスク1を固着するマスク
保持枠、7はフォトレジスト膜を形成した金属薄板であ
る。金属薄板7と露光マスク1の位置合わせ機構とし
て、先ず、金属薄板7と露光マスク1とにそれぞれ形成
された位置合わせマークを撮像するための、照明用光源
11と撮像カメラ13で構成された2組の撮像装置を設
けてある。
(Operation of Exposure Mask) Next, the operation of the exposure mask 1 having the above configuration will be described. First, the operation in aligning the metal thin plate and the exposure mask will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of a mechanism for aligning the thin metal plate and the exposure mask in an exposure apparatus for exposing and printing a mask pattern on the photoresist film of the thin metal plate 7. In the figure, reference numeral 1 denotes the above-described exposure mask, 10 denotes a mask holding frame for fixing the exposure mask 1, and 7 denotes a thin metal plate on which a photoresist film is formed. As a mechanism for aligning the metal thin plate 7 and the exposure mask 1, first, there is provided an illumination light source 11 and an imaging camera 13 for imaging alignment marks formed on the metal thin plate 7 and the exposure mask 1, respectively. A set of imaging devices is provided.

【0016】前記2組の撮像装置によって撮影された位
置合わせマークの画像信号は、画像処理装置14に入力
され、金属薄板7の位置合わせマークと露光マスク1の
位置合わせマークとのずれ量を検出する。画像処理装置
14によって検出された位置合わせマークのずれ量は、
図示していないマスク保持枠駆動装置に印加され、露光
マスク1を固着しているマスク保持枠10を前後、左
右、または回転駆動し、金属薄板7に対する露光マスク
1の位置を調整するように構成されている。
The image signals of the alignment marks photographed by the two sets of image pickup devices are input to an image processing device 14 for detecting the amount of displacement between the alignment marks of the thin metal plate 7 and the alignment marks of the exposure mask 1. I do. The displacement amount of the alignment mark detected by the image processing device 14 is
A mask holding frame driving device, which is applied to a mask holding frame driving device (not shown) and drives the mask holding frame 10 fixing the exposure mask 1 back and forth, right and left, or rotationally, to adjust the position of the exposure mask 1 with respect to the thin metal plate 7. Have been.

【0017】金属薄板7と露光マスク1との位置を合わ
せるときは、先ず、金属薄板7の裏面側に設けられた照
明用光源11を点灯し、照明用光源11から発する照明
光12で、金属薄板7に設けた穿孔を通して、露光マス
ク1の位置合わせマークを照明する。同時に、露光マス
ク1側に設けられた撮像カメラ13で、露光マスク1の
位置合わせマーク5と、金属薄板7の穿孔による位置合
わせマーク8との合成画像を撮像する。このとき照明用
光源11から照射される照明光12は、紫外線を含まな
い可視光、または赤外光を用いるのがよい。なお、照明
用光源11から発する照明光12に含まれる紫外線は、
図示しない紫外線吸収フィルターを用いてカットしてお
くのが望ましい。
When aligning the position of the metal thin plate 7 with the exposure mask 1, first, the illumination light source 11 provided on the back side of the metal thin plate 7 is turned on. The alignment marks on the exposure mask 1 are illuminated through the perforations provided in the thin plate 7. At the same time, a combined image of the alignment mark 5 of the exposure mask 1 and the alignment mark 8 formed by piercing the thin metal plate 7 is captured by the imaging camera 13 provided on the exposure mask 1 side. At this time, the illumination light 12 emitted from the illumination light source 11 is preferably a visible light that does not include ultraviolet light or an infrared light. The ultraviolet light included in the illumination light 12 emitted from the illumination light source 11 is:
It is desirable to cut it using an ultraviolet absorption filter (not shown).

【0018】金属薄板7の穿孔による位置合わせマーク
8を通過した照明光12は、図2に破線で示すように、
露光マスク1の位置合わせマーク部5を照射し、さら
に、透明ガラス基板2および可視光を透過する光学層6
を透過し、撮像カメラ13に入射する。撮像カメラ13
は、前記露光マスク1の位置合わせマーク5、および金
属薄板7の穿孔による位置合わせマーク8とに焦点を合
わせてあり、それらの合成画像を撮像カメラ13で取り
込む。
The illuminating light 12 that has passed through the alignment mark 8 formed by the perforation of the thin metal plate 7 is, as shown by a broken line in FIG.
The alignment mark portion 5 of the exposure mask 1 is irradiated, and the transparent glass substrate 2 and the optical layer 6 that transmits visible light are further irradiated.
And enters the imaging camera 13. Imaging camera 13
Are focused on the alignment mark 5 of the exposure mask 1 and the alignment mark 8 formed by perforating the thin metal plate 7, and a composite image of these is captured by the imaging camera 13.

【0019】撮像カメラ13で撮像された2つの位置合
わせマークの合成画像信号は、画像処理装置14に入力
され、コントラストを調整されて2値画像信号になり、
前記2値画像信号に基づいて、金属薄板7の穿孔と露光
マスク1の位置合わせマークとのずれ量が検出される。
前記ずれ量に基づいて露光マスク1の位置調整量が演算
され、図示しないマスク保持枠駆動装置を駆動して、露
光マスク1を固着しているマスク保持枠10を移動し、
露光マスク1の位置が調整される。金属薄板7と露光マ
スク1との位置合わせが完了したら、金属薄板7を露光
マスク1に密着し、金属薄板7に形成されたフォトレジ
スト膜9へマスクパターンを露光する。
The composite image signal of the two alignment marks captured by the image capturing camera 13 is input to the image processing device 14, where the contrast is adjusted to a binary image signal.
On the basis of the binary image signal, a shift amount between the perforation of the thin metal plate 7 and the alignment mark of the exposure mask 1 is detected.
A position adjustment amount of the exposure mask 1 is calculated based on the shift amount, and a mask holding frame driving device (not shown) is driven to move the mask holding frame 10 to which the exposure mask 1 is fixed,
The position of the exposure mask 1 is adjusted. When the alignment between the metal thin plate 7 and the exposure mask 1 is completed, the metal thin plate 7 is brought into close contact with the exposure mask 1, and the mask pattern is exposed on the photoresist film 9 formed on the metal thin plate 7.

【0020】(露光装置の構成および作用)図4は、本
発明の露光装置の一例を示す模式断面図である。図にお
いて、1は露光マスクであり、前記露光マスク1はマス
ク保持枠10に固着されている。一方、フォトレジスト
膜が形成された金属薄板7は、図示しない手段でマスク
保持枠10に固着された露光マスク1に密着させてい
る。露光装置20は、前記露光マスク1に対向して、一
定距離離れた位置に、露光用光源21を備え、前記露光
用光源21の周囲には、露光用光源21から発する紫外
線を含む露光光線22を、効率よく、かつ均一に露光マ
スク1に向けて照射するための光反射板23を備えてい
る。
(Structure and Operation of Exposure Apparatus) FIG. 4 is a schematic sectional view showing an example of the exposure apparatus of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes an exposure mask, and the exposure mask 1 is fixed to a mask holding frame 10. On the other hand, the metal sheet 7 on which the photoresist film is formed is brought into close contact with the exposure mask 1 fixed to the mask holding frame 10 by means not shown. The exposure apparatus 20 includes an exposure light source 21 at a predetermined distance from the exposure mask 1, and an exposure light beam 22 including ultraviolet rays emitted from the exposure light source 21 around the exposure light source 21. Is provided with a light reflection plate 23 for efficiently and uniformly irradiating the light toward the exposure mask 1.

【0021】金属薄板7に形成されたフォトレジスト膜
9へのマスクパターンの露光は、露光装置20に備えら
れた露光用光源21によって行われる。本実施例の露光
用光源21としては、キセノンランプや、低圧水銀灯、
高圧水銀灯、超高圧水銀灯などが用いられ、波長が25
3nm、365nm、406nm、435nmなどの紫
外線を含む光線を、露光マスク1を通して、金属薄板7
に形成されたフォトレジスト膜に照射する。前記波長の
紫外線が露光マスク1に照射されると、露光マスク1の
マスクパターン部3では、マスク形状に対応した光パタ
ーンが金属薄板7のフォトレジスト膜9に照射され、マ
スクパターンが焼き付けられる。
The exposure of the mask pattern to the photoresist film 9 formed on the metal thin plate 7 is performed by an exposure light source 21 provided in an exposure device 20. As the exposure light source 21 of the present embodiment, a xenon lamp, a low-pressure mercury lamp,
A high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, or the like is used, and the wavelength is 25.
A light beam including ultraviolet rays such as 3 nm, 365 nm, 406 nm, and 435 nm is passed through the exposure mask 1 and the metal sheet 7.
Irradiate the photoresist film formed on the substrate. When the exposure mask 1 is irradiated with the ultraviolet light having the above-mentioned wavelength, a light pattern corresponding to the mask shape is applied to the photoresist film 9 of the thin metal plate 7 in the mask pattern portion 3 of the exposure mask 1, and the mask pattern is printed.

【0022】一方、露光マスク1の位置合わせマーク部
5では、図2に示したように、露光マスク1の露光用光
源側に、前記紫外線を90%以上吸収する光学層が設け
られているので、露光用光源21から露光マスク1に照
射される紫外線は、前記光学層6において吸収され、金
属薄板7に形成したフォトレジスト膜9に、露光マスク
1の位置合わせマーク5が焼き付けられることはない。
また、マスクパターン部3の周囲は、図1、図2に示し
たように、黒ベタ部4が設けられており、結果として、
金属薄板の余白部には、フォトレジスト膜を硬化反応さ
せる紫外線が照射されない。
On the other hand, in the alignment mark portion 5 of the exposure mask 1, as shown in FIG. 2, an optical layer that absorbs the ultraviolet rays by 90% or more is provided on the exposure light source side of the exposure mask 1. Ultraviolet rays emitted from the light source 21 for exposure to the exposure mask 1 are absorbed in the optical layer 6 and the alignment marks 5 of the exposure mask 1 are not printed on the photoresist film 9 formed on the thin metal plate 7. .
1 and 2, a solid black portion 4 is provided around the mask pattern portion 3, and as a result,
The margins of the metal sheet are not irradiated with ultraviolet light for curing the photoresist film.

【0023】上述の手順で、露光装置20を用いてマス
クパターンの露光を終えたら、金属薄板を現像工程に送
りフォトレジスト膜を現像する。前述したように、本発
明の露光マスク、および露光装置を用いてマスクパター
ンを露光した金属薄板の余白部には、位置合わせマーク
を含めたフォトレジスト膜の現像残りが発生することは
ない。従って、後工程のメッキ処理におけるメッキ用電
極の接触不良を解消でき、よって、メッキ厚みのバラツ
キを防止し、さらに、メッキ用電極へのフォトレジスト
膜の付着による汚れ落としなどの余分な作業が不要にな
る。
After the exposure of the mask pattern is completed using the exposure device 20 in the above-described procedure, the thin metal plate is sent to a developing step to develop the photoresist film. As described above, no development residue of the photoresist film including the alignment mark is generated in the blank portion of the thin metal plate exposed to the mask pattern using the exposure mask and the exposure apparatus of the present invention. Therefore, it is possible to eliminate poor contact of the plating electrode in the plating process in the subsequent step, thereby preventing variation in plating thickness, and further eliminating unnecessary work such as removal of dirt due to adhesion of the photoresist film to the plating electrode. become.

【0024】(他の実施例)上述の実施例に示された露
光装置では、図3に示したように、金属薄板と露光マス
クとの位置合わせに用いる照明用光源を、金属薄板の裏
面側に設けたが、撮像カメラ13と露光マスク1との中
間に、45°に傾斜したハーフミラーを設け、前記ハー
フミラーに向けて照明光を照射し、露光マスクおよび金
属薄板の位置合わせマークを照明する同軸落射照明方式
を用いてもよい。その場合の照明光は、紫外線を含む光
線を用いることができる。
(Other Embodiments) In the exposure apparatus shown in the above embodiment, as shown in FIG. 3, an illumination light source used for aligning a thin metal plate and an exposure mask is provided on the back side of the thin metal plate. Is provided between the imaging camera 13 and the exposure mask 1, a half mirror inclined at 45 ° is provided, and illumination light is emitted toward the half mirror to illuminate the alignment mark of the exposure mask and the metal thin plate. A coaxial epi-illumination method may be used. In that case, illumination light including ultraviolet light can be used as the illumination light.

【0025】なぜなら、前記照明光の通過経路である露
光マスクの位置合わせマーク部には、図2に示したよう
に、紫外線を吸収する光学層6が設けられているので、
前記位置合わせマーク部を通過した照明光によって、金
属薄板7に設けられた穿孔による位置合わせマーク部8
のフォトレジスト膜に、紫外線が照射されることはな
く、従って、露光マスクの位置合わせマークが、フォト
レジスト膜に焼き付けられることはない。また、露光装
置の他の構成として、金属薄板と露光マスクとの位置合
わせに用いる、照明用光源と撮像カメラとの配置を交換
して構成することもできる。
Because, as shown in FIG. 2, the optical layer 6 for absorbing ultraviolet light is provided at the alignment mark portion of the exposure mask, which is the passage of the illumination light, as shown in FIG.
The illumination light passing through the alignment mark portion causes the alignment mark portion 8 to be formed by a perforation provided in the metal sheet 7.
The photoresist film is not irradiated with ultraviolet rays, so that the alignment mark of the exposure mask is not printed on the photoresist film. Further, as another configuration of the exposure apparatus, the arrangement of the illumination light source and the imaging camera used for alignment between the metal thin plate and the exposure mask can be exchanged.

【0026】さらに、上述した本発明の露光マスクおよ
び露光装置は、半導体集積回路用リードフレームのエッ
チング処理やメッキ処理に使用できるだけでなく、半導
体集積回路やプリント配線板のフォトエッチングやエレ
クトロフォーミング、液晶表示装置やプラズマディスプ
レイのカラーフィルタや電極の加工工程、また、カラー
ブラウン管用シャドウマスクの製造工程など多方面に使
用できるものであることを付記しておく。
Further, the above-described exposure mask and exposure apparatus of the present invention can be used not only for etching and plating of a lead frame for a semiconductor integrated circuit, but also for photo-etching, electroforming, and liquid crystal of a semiconductor integrated circuit and a printed wiring board. It should be noted that the present invention can be used in various fields such as a process for processing a color filter and an electrode of a display device and a plasma display, and a process for manufacturing a shadow mask for a color CRT.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上、詳細に説明したごとく、本発明の
露光マスクは、請求項1に示したように、位置合わせマ
ーク部に、可視光線を透過し紫外線を吸収する光学層を
設けたので、露光装置における位置合わせ用照明光源の
透過を妨げることなく、また、マスクパターン露光用光
線に含まれる紫外線を効率よく吸収し、位置合わせマー
ク部のフォトレジスト膜への感光を防止することができ
る。また、本発明の露光マスクは、請求項1の発明に加
えて、前記光学層をポリイミドフィルムで構成したの
で、紫外線吸収の効率がよく、かつ光学層の耐久性に優
れている。さらに、本発明の露光マスクは、請求項1ま
たは請求項2の発明に加えて、前記光学層を、透明な粘
着材層を用いて露光マスクの非パターン面に貼着したの
で、マスクパターンを傷めることなく、可視光線を透過
し紫外線を吸収する光学層を露光マスクに簡便に形成す
ることができる。
As described above in detail, in the exposure mask of the present invention, as described in claim 1, an optical layer that transmits visible light and absorbs ultraviolet light is provided at the alignment mark portion. It is possible to prevent the exposure of the alignment mark portion from being exposed to the photoresist film without hindering the transmission of the alignment illumination light source in the exposure apparatus and efficiently absorbing the ultraviolet light contained in the mask pattern exposure light beam. . Further, in the exposure mask of the present invention, in addition to the first aspect of the present invention, since the optical layer is formed of a polyimide film, the efficiency of ultraviolet absorption is high and the durability of the optical layer is excellent. Further, in the exposure mask of the present invention, in addition to the first or second aspect of the present invention, the optical layer is adhered to a non-pattern surface of the exposure mask using a transparent adhesive material layer. An optical layer that transmits visible light and absorbs ultraviolet light can be easily formed on an exposure mask without damage.

【0028】さらにまた、本発明の露光装置は、請求項
4に示したように、前記請求項1、請求項2、または請
求項3に記載の露光マスクを用いて紫外線を照射し、位
置合わせマークを除いたパターンを、金属薄板に形成さ
れたフォトレジスト膜に露光するので、金属薄板の位置
合わせマーク部にレジスト残りが発生することなく、例
えば、後工程におけるメッキ処理などにおいて、電極部
の接触抵抗の増大を防ぎ、常に安定したメッキ厚を得ら
れる効果がある。
Further, according to a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus, comprising irradiating an ultraviolet ray using the exposure mask according to the first, second or third aspect of the present invention to align the position. Since the pattern excluding the mark is exposed on the photoresist film formed on the metal thin plate, no resist remains on the alignment mark portion of the metal thin plate. This has the effect of preventing an increase in contact resistance and always obtaining a stable plating thickness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の露光マスクの一例を示す平面図であ
る。
FIG. 1 is a plan view showing an example of an exposure mask of the present invention.

【図2】 図1に示した露光マスクの部分断面図であ
る。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the exposure mask shown in FIG.

【図3】 露光マスク位置合わせ機構の概略構成図であ
る。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an exposure mask alignment mechanism.

【図4】 露光装置の一例を示す模式断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing an example of an exposure apparatus.

【図5】 露光マスクと金属薄板の外観斜視図である。FIG. 5 is an external perspective view of an exposure mask and a thin metal plate.

【図6】 露光マスクの位置合わせマークの一例を示す
平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing an example of an alignment mark of an exposure mask.

【図7】 位置合わせマーク部におけるレジスト残りの
例を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing an example of remaining resist at the alignment mark portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 露光マスク 2 透明ガラス基板 3 マスクパターン部 4 黒ベタ部 5 位置合わせマーク 6 光学層 7 金属薄板 8 穿孔による位置合わせマーク 9 フォトレジスト膜 10 マスク保持枠 11 照明用光源 12 照明光 13 撮像カメラ 14 画像処理装置 20 露光装置 21 露光用光源 22 露光光線 23 光反射板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Exposure mask 2 Transparent glass substrate 3 Mask pattern part 4 Solid black part 5 Alignment mark 6 Optical layer 7 Metal thin plate 8 Alignment mark by perforation 9 Photoresist film 10 Mask holding frame 11 Illumination light source 12 Illumination light 13 Imaging camera 14 Image processing device 20 Exposure device 21 Exposure light source 22 Exposure light beam 23 Light reflector

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 位置合わせマーク部に、可視光線を透過
し紫外線を吸収する光学層を設けたことを特徴とする露
光マスク。
1. An exposure mask, wherein an optical layer that transmits visible light and absorbs ultraviolet light is provided on the alignment mark portion.
【請求項2】 前記光学層は、ポリイミドフィルムであ
ることを特徴とする請求項1に記載の露光マスク。
2. The exposure mask according to claim 1, wherein the optical layer is a polyimide film.
【請求項3】 前記光学層を、透明な粘着材層を用いて
露光マスクの非パターン面に貼着したことを特徴とする
請求項1、または請求項2に記載の露光マスク。
3. The exposure mask according to claim 1, wherein the optical layer is attached to a non-pattern surface of the exposure mask using a transparent adhesive layer.
【請求項4】 請求項1、請求項2、または請求項3に
記載の露光マスクに紫外線を照射し、位置合わせマーク
を除いたパターンを、金属薄板に形成されたフォトレジ
スト膜に露光することを特徴とする露光装置。
4. An exposure mask according to claim 1, 2 or 3, which is irradiated with ultraviolet rays to expose a pattern excluding an alignment mark to a photoresist film formed on a thin metal plate. Exposure apparatus characterized by the above-mentioned.
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