JPH11130429A - 光機能性材料 - Google Patents
光機能性材料Info
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- JPH11130429A JPH11130429A JP29305297A JP29305297A JPH11130429A JP H11130429 A JPH11130429 A JP H11130429A JP 29305297 A JP29305297 A JP 29305297A JP 29305297 A JP29305297 A JP 29305297A JP H11130429 A JPH11130429 A JP H11130429A
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- JP
- Japan
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- functional material
- optical functional
- transition metal
- material according
- metal oxide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】無機材料を主とする光機能性材料、特に光双安
定性有する光機能性材料を提供する。 【解決手段】本発明の光機能性材料は遷移金属酸化物で
構成され、光照射、特に波長が１０７８nm以下の光を照
射することにより光誘起相転移を生じることを特徴とす
る。この遷移金属酸化物は光双安定性を有するものが好
ましい。また遷移金属酸化物は、一般式ＡＢＯ2 で表さ
れるデラフォサイト型酸化物が好ましく、Ａの元素がＣ
ｕであるものが特に好ましい。
定性有する光機能性材料を提供する。 【解決手段】本発明の光機能性材料は遷移金属酸化物で
構成され、光照射、特に波長が１０７８nm以下の光を照
射することにより光誘起相転移を生じることを特徴とす
る。この遷移金属酸化物は光双安定性を有するものが好
ましい。また遷移金属酸化物は、一般式ＡＢＯ2 で表さ
れるデラフォサイト型酸化物が好ましく、Ａの元素がＣ
ｕであるものが特に好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光機能性材料、特に
遷移金属酸化物で構成された光機能性材料に関するもの
である。
遷移金属酸化物で構成された光機能性材料に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】有機光機能性材料には、例えば光の照射
による分子そのものの構造変化により、分子単位でこれ
らの物性を変えるフォトクロミック分子が知られてい
る。フォトクロミック分子を含む高分子は、単に光を照
射するだけで光吸収あるいは屈折率等の物性を可逆的に
変えることができ、このような性質を利用して、光記
録、光学素子あるいは光応答性高分子への応用が試みら
れている。
による分子そのものの構造変化により、分子単位でこれ
らの物性を変えるフォトクロミック分子が知られてい
る。フォトクロミック分子を含む高分子は、単に光を照
射するだけで光吸収あるいは屈折率等の物性を可逆的に
変えることができ、このような性質を利用して、光記
録、光学素子あるいは光応答性高分子への応用が試みら
れている。
【０００３】しかし、このような有機光機能性材料で
は、感度、繰り返し耐久性および熱安定性の不足等の点
から実用材料として実現するには多くの問題があった。
は、感度、繰り返し耐久性および熱安定性の不足等の点
から実用材料として実現するには多くの問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、無機
材料を主とする光機能性材料、特に光双安定性を有する
光機能性材料を提供することにある。
材料を主とする光機能性材料、特に光双安定性を有する
光機能性材料を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１４）の本発明により達成される。
（１）〜（１４）の本発明により達成される。
【０００６】（１） 光を照射することにより相転移が
生じる遷移金属酸化物で構成されたことを特徴とする光
機能性材料。
生じる遷移金属酸化物で構成されたことを特徴とする光
機能性材料。
【０００７】（２） 前記遷移金属酸化物は光双安定性
を有する上記（１）に記載の光機能性材料。
を有する上記（１）に記載の光機能性材料。
【０００８】（３） 前記遷移金属酸化物は、一般式Ａ
x Ｂy Ｏz （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、１≦ｘ≦１
４、１≦ｙ≦２４、１≦ｚ≦４１であり、Ａ、Ｂは同じ
元素であっても異なる元素であってもよい）で表される
ものである上記（１）または（２）に記載の光機能性材
料。
x Ｂy Ｏz （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、１≦ｘ≦１
４、１≦ｙ≦２４、１≦ｚ≦４１であり、Ａ、Ｂは同じ
元素であっても異なる元素であってもよい）で表される
ものである上記（１）または（２）に記載の光機能性材
料。
【０００９】（４） Ａは周期表VIII族またはＩＢ族の
遷移金属元素である上記（３）に記載の光機能性材料。
遷移金属元素である上記（３）に記載の光機能性材料。
【００１０】（５） ＢはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂ
ａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、
Ｔｌ、Ｐｂからなる群より選択された少なくとも一種で
ある上記（３）または（４）に記載の光機能性材料。
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂ
ａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、
Ｔｌ、Ｐｂからなる群より選択された少なくとも一種で
ある上記（３）または（４）に記載の光機能性材料。
【００１１】（６） 前記相転移は前記遷移金属酸化物
の結晶構造の変化に基づくものである上記（１）ないし
（５）のいずれかに記載の光機能性材料。
の結晶構造の変化に基づくものである上記（１）ないし
（５）のいずれかに記載の光機能性材料。
【００１２】（７） 前記結晶構造の変化は低次元構造
の変化である上記（６）に記載の光機能性材料。
の変化である上記（６）に記載の光機能性材料。
【００１３】（８） 前記低次元構造をもつ遷移金属酸
化物は、一般式ＡＢＯ2 （Ａ、Ｂは同じ元素であっても
異なる元素であってもよい）で表されるデラフォサイト
型酸化物である上記（７）に記載の光機能性材料。
化物は、一般式ＡＢＯ2 （Ａ、Ｂは同じ元素であっても
異なる元素であってもよい）で表されるデラフォサイト
型酸化物である上記（７）に記載の光機能性材料。
【００１４】（９） Ａは周期表VIII族またはＩＢ族の
遷移金属元素である上記（８）に記載の光機能性材料。
遷移金属元素である上記（８）に記載の光機能性材料。
【００１５】（10） ＡはＣｕである上記（９）に記載
の光機能性材料。
の光機能性材料。
【００１６】（11） ＢはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂ
ａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、
Ｔｌ、Ｐｂからなる群より選択された少なくとも一種で
ある上記（８）または（９）に記載の光機能性材料。
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂ
ａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、
Ｔｌ、Ｐｂからなる群より選択された少なくとも一種で
ある上記（８）または（９）に記載の光機能性材料。
【００１７】（12） 前記相転移は波長が１０７８nm以
下の光の照射により生じるものである上記（１）ないし
（11）のいずれかに記載の光機能性材料。
下の光の照射により生じるものである上記（１）ないし
（11）のいずれかに記載の光機能性材料。
【００１８】（13） 前記遷移金属酸化物のバンドギャ
ップが１．１５〜４．０５eVである上記（１）ないし
（12）のいずれかに記載の光機能性材料。
ップが１．１５〜４．０５eVである上記（１）ないし
（12）のいずれかに記載の光機能性材料。
【００１９】（14） 前記相転移により電気的特性が変
化する上記（１）ないし（13）のいずれかに記載の光機
能性材料。
化する上記（１）ないし（13）のいずれかに記載の光機
能性材料。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の光機能性材料は主として
無機材料で構成され、光を照射することにより相転移が
生じる遷移金属酸化物で構成されるものである。
無機材料で構成され、光を照射することにより相転移が
生じる遷移金属酸化物で構成されるものである。
【００２１】これにより、無機物質の特徴である優れた
耐熱性、耐候性、長期保存安定性、繰返耐久性を有し、
従来から知られる有機物質系材料では達成不可能であっ
た高い信頼性を有する光機能性材料とすることができ
る。
耐熱性、耐候性、長期保存安定性、繰返耐久性を有し、
従来から知られる有機物質系材料では達成不可能であっ
た高い信頼性を有する光機能性材料とすることができ
る。
【００２２】遷移金属酸化物としては、一般式Ａx Ｂy
Ｏz （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、１≦ｘ≦１４、１
≦ｙ≦２４、１≦ｚ≦４１であり、Ａ、Ｂは同じ元素で
あっても異なる元素であってもよい）で表されるものが
好ましい。このような遷移金属酸化物は、光を照射する
ことにより原子系のエネルギー状態が変化し、結晶格子
の変位が起こり、これに基づいて相転移現象が発現する
ものと考えられる。
Ｏz （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、１≦ｘ≦１４、１
≦ｙ≦２４、１≦ｚ≦４１であり、Ａ、Ｂは同じ元素で
あっても異なる元素であってもよい）で表されるものが
好ましい。このような遷移金属酸化物は、光を照射する
ことにより原子系のエネルギー状態が変化し、結晶格子
の変位が起こり、これに基づいて相転移現象が発現する
ものと考えられる。
【００２３】また、上記一般式中のＡおよびＢの元素の
選択若しくは組合せ、または各元素の量比を変えること
により、光機能性材料としての遷移金属酸化物の機能、
特性を自由に変化させることができる。
選択若しくは組合せ、または各元素の量比を変えること
により、光機能性材料としての遷移金属酸化物の機能、
特性を自由に変化させることができる。
【００２４】このような遷移金属酸化物の結晶構造は特
に限定されないが、結晶構造内に＋の電荷をもつＡイオ
ンから構成される−Ｘ- −Ａ+ −Ｘ- （Ｘ＝Ｏ，ＢＯ
x ）［Ｐ１］の直線配位をもち、この一次元構造で物性
を特徴づけられる低次元酸化物が好ましい。これは、後
述する電子−格子相互作用により変位する格子原子が柔
らかく格子に結合しているもの、すなわち、変位による
格子歪のエネルギーが小さいほうが好ましく、一般に低
次元物質は格子が柔らかいと考えられているからであ
る。
に限定されないが、結晶構造内に＋の電荷をもつＡイオ
ンから構成される−Ｘ- −Ａ+ −Ｘ- （Ｘ＝Ｏ，ＢＯ
x ）［Ｐ１］の直線配位をもち、この一次元構造で物性
を特徴づけられる低次元酸化物が好ましい。これは、後
述する電子−格子相互作用により変位する格子原子が柔
らかく格子に結合しているもの、すなわち、変位による
格子歪のエネルギーが小さいほうが好ましく、一般に低
次元物質は格子が柔らかいと考えられているからであ
る。
【００２５】このような低次元物質の中でも、一般式Ａ
ＢＯ2 で表されるデラフォサイト型酸化物が特に好まし
い。デラフォサイト型酸化物は、上述の低次元構造が、 −（ＢＯ2 ）- −Ａ+ −（ＢＯ2 ）- − で表される単純な鎖状秩序構造を持つものである。この
ような単純構造は、低次元物質の特徴である格子の柔ら
かさをさらに強調する作用があると考えられ、光誘起相
転移の応答速度が大幅に向上することが期待される。
ＢＯ2 で表されるデラフォサイト型酸化物が特に好まし
い。デラフォサイト型酸化物は、上述の低次元構造が、 −（ＢＯ2 ）- −Ａ+ −（ＢＯ2 ）- − で表される単純な鎖状秩序構造を持つものである。この
ような単純構造は、低次元物質の特徴である格子の柔ら
かさをさらに強調する作用があると考えられ、光誘起相
転移の応答速度が大幅に向上することが期待される。
【００２６】さらに、デラフォサイト型酸化物は、その
単純な低次元構造から光誘起相転移に必要なエネルギー
を決定するバンドギャップを小さくできるという利点も
有する。バンドギャップが小さければ、より低エネルギ
ーの光により相転移を起こすことが可能になると考えら
れ、例えば可視領域の波長を有するレーザ光や汎用ラン
プ等が使用でき、光源の選択の幅が飛躍的に拡がる。
単純な低次元構造から光誘起相転移に必要なエネルギー
を決定するバンドギャップを小さくできるという利点も
有する。バンドギャップが小さければ、より低エネルギ
ーの光により相転移を起こすことが可能になると考えら
れ、例えば可視領域の波長を有するレーザ光や汎用ラン
プ等が使用でき、光源の選択の幅が飛躍的に拡がる。
【００２７】Ａの元素としては特に限定されないが、周
期表のVIII族またはＩＢ族の遷移金属元素が好ましく、
例えばＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等が挙げられるが、Ｃｕ
が特に好ましい。
期表のVIII族またはＩＢ族の遷移金属元素が好ましく、
例えばＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等が挙げられるが、Ｃｕ
が特に好ましい。
【００２８】先に、デラフォサイト型酸化物の特徴とし
て比較的小さなバンドギャップを有することを述べた
が、一般にバンドギャップの大きさを決定する因子とし
てＡの元素が重要な役割を果たすことが知られている。
発明者らは鋭意研究の結果、数多くの元素の組合せの遷
移金属酸化物のなかから、バンドギャップの小さなデラ
フォサイト型酸化物であって、特にＡの元素がＣｕであ
る場合に可視光等の低エネルギー領域の光源で相転移が
効率的に起こることを実験的に見いだした。これはＣｕ
が、結晶中で混合原子価状態をとり得ることに深く関連
しているものと考えられている。
て比較的小さなバンドギャップを有することを述べた
が、一般にバンドギャップの大きさを決定する因子とし
てＡの元素が重要な役割を果たすことが知られている。
発明者らは鋭意研究の結果、数多くの元素の組合せの遷
移金属酸化物のなかから、バンドギャップの小さなデラ
フォサイト型酸化物であって、特にＡの元素がＣｕであ
る場合に可視光等の低エネルギー領域の光源で相転移が
効率的に起こることを実験的に見いだした。これはＣｕ
が、結晶中で混合原子価状態をとり得ることに深く関連
しているものと考えられている。
【００２９】さらに、Ｂの元素としては特に限定されな
いが、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇ
ａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂから
なる群より選択された少なくとも一種であることが好ま
しい。
いが、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇ
ａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂから
なる群より選択された少なくとも一種であることが好ま
しい。
【００３０】また、本発明の遷移金属酸化物としては、
上記一般式のＡ、Ｂ以外に少なくとも１種の他の元素を
含むものであってもよい。
上記一般式のＡ、Ｂ以外に少なくとも１種の他の元素を
含むものであってもよい。
【００３１】このような遷移金属酸化物としては、例え
ば、ＰｔＣｏＯ2 、ＰｄＣｏＯ2 、ＰｄＣｒＯ2 、Ｃｕ
ＡｌＯ2 、ＣｕＣｒＯ2 、ＣｕＦｅＯ2 、ＣｕＣｏＯ
2 、ＣｕＧａＯ2 、ＣｕＳｒＯ2-d 、ＣｕＹＯ2 、Ｃｕ
ＬａＯ2 、ＣｕＮｄＯ2 等のデラフォサイト型ＣｕＭＯ
2 （ＭはＹを含む希土類元素）、ＡｇＡｌＯ2 、ＡｇＦ
ｅＯ2 、ＡｇＣｏＯ2 、ＡｇＧａＯ2 、ＡｇＩｎＯ2 、
ＬｉＳｃＯ2 、ＬｉＴｉＯ2 、ＬｉＶＯ2 、ＬｉＣｒＯ
2 、ＬｉＭｎＯ2 、ＬｉＦｅＯ2 、ＬｉＣｏＯ2、Ｌｉ
ＮｉＯ2 、ＮａＦｅＯ2 、ＳｒＣｕＯ2 、ＳｒＣｕＯ
2.5 、ＳｒＣｕＯ3、Ｓｒ2 ＣｕＯ2 、Ｓｒ2 ＣｕＯ
3 、ＳｒＣｕ2 Ｏ2 、ＳｒＣｕ2 Ｏ3 、Ｓｒ14Ｃｕ24Ｏ
41、ＣｕＧｅＯ3 、α−Ｆｅ2 Ｏ3 、γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、
Ｆｅ3 Ｏ4 、ＣｕＣｏ2 Ｏ4 、Ｃｏ3 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2
Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 、ＬｉＭｎ2 Ｏ4、ＭｎＴｉＯ
3 、ＣｏＴｉＯ3 、ＦｅＴｉＯ3 、ＮｉＴｉＯ3 、Ｃｕ
3 ＴｉＯ3.5 、Ｃｕ3 ＴｉＯ5 、ＭｎＭｏＯ4 、ＣｏＭ
ｏＯ4 、ＦｅＭｏＯ4 、ＮｉＭｏＯ4 、ＣｕＭｏＯ4 、
ＭｎＷＯ4 、ＣｏＷＯ4 、ＦｅＷＯ4 、ＮｉＷＯ4 、Ｃ
ｕＷＯ4 、Ｐｂ2 Ｃｒ2 Ｏ5 、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6+d 、
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6.95、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6.75、ＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ6.5 、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6.35、ＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ6 、ＹＢａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 、Ｙ2 Ｂａ4 Ｃｕ7 Ｏ15、
ＰｂＳｒ2 ＹＣｕ2 Ｏ6+d 、Ｐｂ2 Ｓｒ2 ＹＣｕ3 Ｏ
8+d 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8+d 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｙ
Ｃｕ2 Ｏ8+d 等が挙げられる。
ば、ＰｔＣｏＯ2 、ＰｄＣｏＯ2 、ＰｄＣｒＯ2 、Ｃｕ
ＡｌＯ2 、ＣｕＣｒＯ2 、ＣｕＦｅＯ2 、ＣｕＣｏＯ
2 、ＣｕＧａＯ2 、ＣｕＳｒＯ2-d 、ＣｕＹＯ2 、Ｃｕ
ＬａＯ2 、ＣｕＮｄＯ2 等のデラフォサイト型ＣｕＭＯ
2 （ＭはＹを含む希土類元素）、ＡｇＡｌＯ2 、ＡｇＦ
ｅＯ2 、ＡｇＣｏＯ2 、ＡｇＧａＯ2 、ＡｇＩｎＯ2 、
ＬｉＳｃＯ2 、ＬｉＴｉＯ2 、ＬｉＶＯ2 、ＬｉＣｒＯ
2 、ＬｉＭｎＯ2 、ＬｉＦｅＯ2 、ＬｉＣｏＯ2、Ｌｉ
ＮｉＯ2 、ＮａＦｅＯ2 、ＳｒＣｕＯ2 、ＳｒＣｕＯ
2.5 、ＳｒＣｕＯ3、Ｓｒ2 ＣｕＯ2 、Ｓｒ2 ＣｕＯ
3 、ＳｒＣｕ2 Ｏ2 、ＳｒＣｕ2 Ｏ3 、Ｓｒ14Ｃｕ24Ｏ
41、ＣｕＧｅＯ3 、α−Ｆｅ2 Ｏ3 、γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、
Ｆｅ3 Ｏ4 、ＣｕＣｏ2 Ｏ4 、Ｃｏ3 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2
Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 、ＬｉＭｎ2 Ｏ4、ＭｎＴｉＯ
3 、ＣｏＴｉＯ3 、ＦｅＴｉＯ3 、ＮｉＴｉＯ3 、Ｃｕ
3 ＴｉＯ3.5 、Ｃｕ3 ＴｉＯ5 、ＭｎＭｏＯ4 、ＣｏＭ
ｏＯ4 、ＦｅＭｏＯ4 、ＮｉＭｏＯ4 、ＣｕＭｏＯ4 、
ＭｎＷＯ4 、ＣｏＷＯ4 、ＦｅＷＯ4 、ＮｉＷＯ4 、Ｃ
ｕＷＯ4 、Ｐｂ2 Ｃｒ2 Ｏ5 、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6+d 、
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6.95、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6.75、ＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ6.5 、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ6.35、ＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ6 、ＹＢａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 、Ｙ2 Ｂａ4 Ｃｕ7 Ｏ15、
ＰｂＳｒ2 ＹＣｕ2 Ｏ6+d 、Ｐｂ2 Ｓｒ2 ＹＣｕ3 Ｏ
8+d 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8+d 、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｙ
Ｃｕ2 Ｏ8+d 等が挙げられる。
【００３２】ここでいう相転移とは光誘起相転移を意味
し、固体に入射した光エネルギーにより系を励起して電
子状態を変化させ、これにより格子変位を生じることを
意味する。このような格子変位による物理的特性の変化
を利用し、光デバイスを構成することが可能になる。
し、固体に入射した光エネルギーにより系を励起して電
子状態を変化させ、これにより格子変位を生じることを
意味する。このような格子変位による物理的特性の変化
を利用し、光デバイスを構成することが可能になる。
【００３３】可逆的に変化する固体結晶の物性として
は、例えば、吸収スペクトル、屈折率、磁気特性、電気
伝導率等の電気的特性等が挙げられるが、なかでも電気
伝導率の変化が好ましい。このような光による電気伝導
率の変化に基づいて、例えば絶縁体を金属化する等、絶
縁体−半導体−金属の相互間の可逆的な相転移を制御す
ることが可能になる。
は、例えば、吸収スペクトル、屈折率、磁気特性、電気
伝導率等の電気的特性等が挙げられるが、なかでも電気
伝導率の変化が好ましい。このような光による電気伝導
率の変化に基づいて、例えば絶縁体を金属化する等、絶
縁体−半導体−金属の相互間の可逆的な相転移を制御す
ることが可能になる。
【００３４】ここで金属化とは、絶縁体の満ちた価電子
帯と伝導帯の間にあるバンドギャップを光励起により閉
じることを意味する。言い換えれば、光によりブリルア
ン域の大きさを２倍にし、価電子帯と伝導帯とを結合さ
せることである。このためには、絶縁体の格子の繰返し
周期の長さを光により半分にすることができればよい。
すなわち、バンドの半分まで電子がつまっている金属が
ある温度以下ではパイエルス絶縁体になるのは、金属の
格子周期ａが格子変位と電子の局在化により２ａにな
り、このため波数π／2aにギャップが生じるためであ
る。この逆の過程を光を照射することにより行い、パイ
エルス絶縁体の格子周期を半分にし、局在化した電子を
結晶中に一様に拡げることができれば、絶縁体のバンド
ギャップは閉じ金属化することができる。また、材料設
計次第で相変化の方向を逆にすることも可能である。す
なわち、金属に光を照射することにより絶縁化すること
もできる。
帯と伝導帯の間にあるバンドギャップを光励起により閉
じることを意味する。言い換えれば、光によりブリルア
ン域の大きさを２倍にし、価電子帯と伝導帯とを結合さ
せることである。このためには、絶縁体の格子の繰返し
周期の長さを光により半分にすることができればよい。
すなわち、バンドの半分まで電子がつまっている金属が
ある温度以下ではパイエルス絶縁体になるのは、金属の
格子周期ａが格子変位と電子の局在化により２ａにな
り、このため波数π／2aにギャップが生じるためであ
る。この逆の過程を光を照射することにより行い、パイ
エルス絶縁体の格子周期を半分にし、局在化した電子を
結晶中に一様に拡げることができれば、絶縁体のバンド
ギャップは閉じ金属化することができる。また、材料設
計次第で相変化の方向を逆にすることも可能である。す
なわち、金属に光を照射することにより絶縁化すること
もできる。
【００３５】一般的に光照射で直接的に格子を変位させ
ることは非常に困難である。しかし、電子状態と光とは
強い相互作用を及ぼし合っているため、光を照射するこ
とで結晶中の電子状態を容易に変化させることができ
る。したがって、光励起による結晶中の電子状態の変化
を電子−格子相互作用を利用して格子に伝え、これによ
り格子変位を生じさせる方法が有効である。
ることは非常に困難である。しかし、電子状態と光とは
強い相互作用を及ぼし合っているため、光を照射するこ
とで結晶中の電子状態を容易に変化させることができ
る。したがって、光励起による結晶中の電子状態の変化
を電子−格子相互作用を利用して格子に伝え、これによ
り格子変位を生じさせる方法が有効である。
【００３６】遷移金属酸化物に照射する光として、可視
光線、紫外線、Ｘ線、γ線等が挙げられるが、波長が１
０７８nm以下の光であることが好ましい。波長があまり
長過ぎると、そのような光を照射しても相転移を起こす
ことが困難になる。
光線、紫外線、Ｘ線、γ線等が挙げられるが、波長が１
０７８nm以下の光であることが好ましい。波長があまり
長過ぎると、そのような光を照射しても相転移を起こす
ことが困難になる。
【００３７】また、遷移金属酸化物のバンドギャップは
１．１５〜４．０５eVが好ましい。この範囲のバンドギ
ャップであることにより、照射光（励起光）が可視領域
付近であっても応答可能であり、光機能性材料として扱
いやすいものとなる。
１．１５〜４．０５eVが好ましい。この範囲のバンドギ
ャップであることにより、照射光（励起光）が可視領域
付近であっても応答可能であり、光機能性材料として扱
いやすいものとなる。
【００３８】なお、バンドギャップとは、光誘起相転移
が生じる最低光子エネルギーを意味し、可視領域では反
射率測定により求めることができる。
が生じる最低光子エネルギーを意味し、可視領域では反
射率測定により求めることができる。
【００３９】本発明の光機能性材料は光双安定性を有す
るものである。ここでいう光双安定性とは、光の照射に
よる格子の動的変化に基づき準安定状態に移行し、もと
の定常状態に戻るまでに要する時間（緩和時間）が比較
的長い（例えば、１ｍｓ以上）ことを意味する。光双安
定性を有すること、すなわち緩和時間が長いほど高い光
メモリ効果を発揮させることが可能である。
るものである。ここでいう光双安定性とは、光の照射に
よる格子の動的変化に基づき準安定状態に移行し、もと
の定常状態に戻るまでに要する時間（緩和時間）が比較
的長い（例えば、１ｍｓ以上）ことを意味する。光双安
定性を有すること、すなわち緩和時間が長いほど高い光
メモリ効果を発揮させることが可能である。
【００４０】
【実施例】次に、本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【００４１】１．試料（遷移金属酸化物）の作製 （実施例１）本発明の光機能性材料として、ＣｕＡｌＯ
2 の結晶を錯体重合法により作製した。この結晶をプレ
ス成形した後、電気炉で高温焼結することにより図１に
示すような円筒状試料を作製し、後述の評価に供した。
2 の結晶を錯体重合法により作製した。この結晶をプレ
ス成形した後、電気炉で高温焼結することにより図１に
示すような円筒状試料を作製し、後述の評価に供した。
【００４２】（実施例２）ＣｕＦｅＯ2 の結晶を実施例
１と同様にして生成し、試料を作製した。
１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００４３】（実施例３）ＣｕＹＯ2 の結晶を実施例１
と同様にして生成し、試料を作製した。
と同様にして生成し、試料を作製した。
【００４４】（実施例４）Ｓｒ14Ｃｕ24Ｏ41の結晶を実
施例１と同様にして生成し、試料を作製した。
施例１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００４５】（実施例５）ＳｒＣｕＯ2-d の結晶を実施
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００４６】（実施例６）ＳｒＣｕＯ2 の結晶を実施例
１と同様にして生成し、試料を作製した。
１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００４７】（実施例７）ＳｒＣｕ2 Ｏ2 の結晶を実施
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００４８】（実施例８）ＳｒＣｕ2 Ｏ3 の結晶を実施
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００４９】（実施例９）α−Ｆｅ2 Ｏ3 の結晶を実施
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００５０】（実施例１０）γ−Ｆｅ2 Ｏ3 の結晶を実
施例１と同様にして生成し、試料を作製した。
施例１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００５１】（実施例１１）Ｆｅ3 Ｏ4 の結晶を実施例
１と同様にして生成し、試料を作製した。
１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００５２】（実施例１２）ＣｏＴｉＯ3 の結晶を実施
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
例１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００５３】（実施例１３）ＣｕＷＯ5 の結晶を実施例
１と同様にして生成し、試料を作製した。
１と同様にして生成し、試料を作製した。
【００５４】２．光相転移の確認 上記実施例１〜１３で作製した試料に、可視光（波長：
４５７．９〜６４７．１nm）を照射し、照射前後におけ
る相のラマン散乱の変化により、構造変化を伴う光誘起
相転移を生じていることを確認した。
４５７．９〜６４７．１nm）を照射し、照射前後におけ
る相のラマン散乱の変化により、構造変化を伴う光誘起
相転移を生じていることを確認した。
【００５５】３．光照射による双安定性評価 実施例１〜１３で作製した各試料１を図１に示すような
装置に設置し、２７℃で通常のハロゲンランプを光源２
とし、熱の影響を排除するため光ファイバー３を通して
試料に光を照射した。このようにして相転移の前後にお
ける光電流値の変化を測定した。なお、可視光を照射し
たときをＯＮ状態とし、照射しない状態をＯＦＦ状態と
する。
装置に設置し、２７℃で通常のハロゲンランプを光源２
とし、熱の影響を排除するため光ファイバー３を通して
試料に光を照射した。このようにして相転移の前後にお
ける光電流値の変化を測定した。なお、可視光を照射し
たときをＯＮ状態とし、照射しない状態をＯＦＦ状態と
する。
【００５６】例えば、図２は、ＣｕＡｌＯ2 に可視光を
照射したときの光電流値の変化を示すグラフである。こ
のとき、試料に負荷した電圧は５Ｖ、電極間距離を５．
２mmとして測定を行った。
照射したときの光電流値の変化を示すグラフである。こ
のとき、試料に負荷した電圧は５Ｖ、電極間距離を５．
２mmとして測定を行った。
【００５７】図３は、ＣｕＦｅＯ2 の光電流値の変化を
示すグラフである。このとき、試料に負荷した電圧は１
０Ｖ、電極間距離を８．７mmとして測定を行った。
示すグラフである。このとき、試料に負荷した電圧は１
０Ｖ、電極間距離を８．７mmとして測定を行った。
【００５８】図４は、ＳｒＣｕＯ2-d の光電流値の変化
を示すグラフである。このとき、試料に負荷した電圧は
２０Ｖ、電極間距離を２．５mmとして測定を行った。
を示すグラフである。このとき、試料に負荷した電圧は
２０Ｖ、電極間距離を２．５mmとして測定を行った。
【００５９】図５は、ＣｏＴｉＯ3 の光電流値の変化を
示すグラフである。このとき、試料に負荷した電圧は１
００Ｖ、電極間距離を２．５mmとして測定を行った。な
お、図２〜図５に示されたもの以外の実施例についての
光電流値の変化は表１に示す。
示すグラフである。このとき、試料に負荷した電圧は１
００Ｖ、電極間距離を２．５mmとして測定を行った。な
お、図２〜図５に示されたもの以外の実施例についての
光電流値の変化は表１に示す。
【００６０】また、上記実施例で作製した各試料につい
て、相転移の前後における抵抗率および時定数τ1 、τ
2 を求めた。時定数τ1 は、ＯＦＦ状態から光を照射し
てＯＮ状態とし、相転移が生じて新たな定常状態に達す
るまでの時間（応答時間）を示し、τ2 は、遮光するこ
とによりＯＮ状態からＯＦＦ状態とし、もとの定常状態
に達するまでの時間（緩和時間）を示す。これらの結果
を表１に示す。
て、相転移の前後における抵抗率および時定数τ1 、τ
2 を求めた。時定数τ1 は、ＯＦＦ状態から光を照射し
てＯＮ状態とし、相転移が生じて新たな定常状態に達す
るまでの時間（応答時間）を示し、τ2 は、遮光するこ
とによりＯＮ状態からＯＦＦ状態とし、もとの定常状態
に達するまでの時間（緩和時間）を示す。これらの結果
を表１に示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】以上の測定結果から、可視領域付近に相当
する波長の光エネルギーを照射することにより相転移が
起こり、各遷移金属酸化物の抵抗率が急激に変化し、こ
れにより光電流値が変化することがわかった。例えば、
図２に示すＣｕＡｌＯ2 の場合、光を照射しＯＮ状態に
すると急激に電流値が増大し、約１０秒（τ1 ）で最高
値に達し一定になった。この状態からＯＦＦ状態にした
とき電流値はゆるやかに減少し、約３００秒（τ2 ）程
で最低値に達し一定になった。
する波長の光エネルギーを照射することにより相転移が
起こり、各遷移金属酸化物の抵抗率が急激に変化し、こ
れにより光電流値が変化することがわかった。例えば、
図２に示すＣｕＡｌＯ2 の場合、光を照射しＯＮ状態に
すると急激に電流値が増大し、約１０秒（τ1 ）で最高
値に達し一定になった。この状態からＯＦＦ状態にした
とき電流値はゆるやかに減少し、約３００秒（τ2 ）程
で最低値に達し一定になった。
【００６３】また、ＣｏＴｉＯ3 の場合、図５に示すよ
うに光を照射してＯＮ状態にすることにより光電流値が
急激に減少し、ＯＦＦ状態にすると光電流値が増大する
ことがわかった。
うに光を照射してＯＮ状態にすることにより光電流値が
急激に減少し、ＯＦＦ状態にすると光電流値が増大する
ことがわかった。
【００６４】実施例１〜１３のいずれの場合にも時定数
τ1、τ2 は［ｓ］のオーダーであり、光双安定性を有す
ることが確かめられた。特にＣｕ系デラフォサイト型結
晶の場合（実施例１〜実施例３）、バンドギャップ[eV]
が特に小さく、低エネルギーの光により相転移を起こす
ことが明らかになった。さらに、τ1 が小さいため光応
答速度がより高く、一方τ2 が大きいため緩和時間がよ
り長いことがわかった。
τ1、τ2 は［ｓ］のオーダーであり、光双安定性を有す
ることが確かめられた。特にＣｕ系デラフォサイト型結
晶の場合（実施例１〜実施例３）、バンドギャップ[eV]
が特に小さく、低エネルギーの光により相転移を起こす
ことが明らかになった。さらに、τ1 が小さいため光応
答速度がより高く、一方τ2 が大きいため緩和時間がよ
り長いことがわかった。
【００６５】以上、実施例において本発明を詳細に説明
したが、本発明の光機能性材料はこれらに限定されるも
のではない。
したが、本発明の光機能性材料はこれらに限定されるも
のではない。
【００６６】さらに、上記実施例と同型置換体、例え
ば、ＰｔＣｏＯ2 、ＰｄＣｏＯ2 、ＰｄＣｒＯ2 、Ｂｉ
Ｓｒ2 ＹＣｕ2 Ｏ8+d 等についても同様の効果が得られ
ることが確認されており、広く遷移金属酸化物による光
双安定性を示す光機能性材料の設計・合成が可能であ
る。
ば、ＰｔＣｏＯ2 、ＰｄＣｏＯ2 、ＰｄＣｒＯ2 、Ｂｉ
Ｓｒ2 ＹＣｕ2 Ｏ8+d 等についても同様の効果が得られ
ることが確認されており、広く遷移金属酸化物による光
双安定性を示す光機能性材料の設計・合成が可能であ
る。
【００６７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光機能性材
料によれば、光を照射することにより遷移金属酸化物が
構造的に相転移を生じ、固体の物理的特性が大きく変化
する。この相転移は双安定状態間の可逆的な変化であ
り、この性質、即ち光双安定性を利用して、例えば、光
記録媒体、光学素子、スイッチング素子、光メモリ、光
センサ類あるいは光応答性材料への応用展開を図ること
ができる。
料によれば、光を照射することにより遷移金属酸化物が
構造的に相転移を生じ、固体の物理的特性が大きく変化
する。この相転移は双安定状態間の可逆的な変化であ
り、この性質、即ち光双安定性を利用して、例えば、光
記録媒体、光学素子、スイッチング素子、光メモリ、光
センサ類あるいは光応答性材料への応用展開を図ること
ができる。
【００６８】さらに、緩和時間は温度により調整可能で
あるため、これを利用することにより温度検出センサに
も利用することができる。
あるため、これを利用することにより温度検出センサに
も利用することができる。
【００６９】また、無機材料で構成されているため、無
機物質の特徴を活かして優れた耐熱性、耐候性、長期保
存安定性、繰返耐久性を実現することができ、従来から
知られる有機物質系材料では達成不可能であった高い信
頼性を有する光機能性材料を得ることができる。
機物質の特徴を活かして優れた耐熱性、耐候性、長期保
存安定性、繰返耐久性を実現することができ、従来から
知られる有機物質系材料では達成不可能であった高い信
頼性を有する光機能性材料を得ることができる。
【図１】本発明の遷移金属酸化物の光誘起相転移に伴う
特性変化を測定する装置の模式図である。
特性変化を測定する装置の模式図である。
【図２】ＣｕＡｌＯ2 について光相転移に伴う光電流値
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図３】ＣｕＦｅＯ2 について光相転移に伴う光電流値
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図４】ＣｕＳｒＯ2-d について光相転移に伴う光電流
値の変化を示すグラフである。
値の変化を示すグラフである。
【図５】ＣｏＴｉＯ3 について光相転移に伴う光電流値
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【符号の説明】 １ 試料（遷移金属酸化物） ２ 光源 ３ 光ファイバー
Claims (14)
- 【請求項１】 光を照射することにより相転移が生じる
遷移金属酸化物で構成されたことを特徴とする光機能性
材料。 - 【請求項２】 前記遷移金属酸化物は光双安定性を有す
る請求項１に記載の光機能性材料。 - 【請求項３】 前記遷移金属酸化物は、 一般式Ａx Ｂy Ｏz （式中、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、１
≦ｘ≦１４、１≦ｙ≦２４、１≦ｚ≦４１であり、Ａ、
Ｂは同じ元素であっても異なる元素であってもよい）で
表されるものである請求項１または２に記載の光機能性
材料。 - 【請求項４】 Ａは周期表VIII族またはＩＢ族の遷移金
属元素である請求項３に記載の光機能性材料。 - 【請求項５】 ＢはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂａ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、
Ｐｂからなる群より選択された少なくとも一種である請
求項３または４に記載の光機能性材料。 - 【請求項６】 前記相転移は前記遷移金属酸化物の結晶
構造の変化に基づくものである請求項１ないし５のいず
れかに記載の光機能性材料。 - 【請求項７】 前記結晶構造の変化は低次元構造の変化
である請求項６に記載の光機能性材料。 - 【請求項８】 前記低次元構造をもつ遷移金属酸化物
は、 一般式ＡＢＯ2 （Ａ、Ｂは同じ元素であっても異なる元
素であってもよい）で表されるデラフォサイト型酸化物
である請求項７に記載の光機能性材料。 - 【請求項９】 Ａは周期表VIII族またはＩＢ族の遷移金
属元素である請求項８に記載の光機能性材料。 - 【請求項１０】 ＡはＣｕである請求項９に記載の光機
能性材料。 - 【請求項１１】 ＢはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂａ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、
Ｐｂからなる群より選択された少なくとも一種である請
求項８または９に記載の光機能性材料。 - 【請求項１２】 前記相転移は波長が１０７８nm以下の
光の照射により生じるものである請求項１ないし１１の
いずれかに記載の光機能性材料。 - 【請求項１３】 前記遷移金属酸化物のバンドギャップ
が１．１５〜４．０５eVである請求項１ないし１２のい
ずれかに記載の光機能性材料。 - 【請求項１４】 前記相転移により電気的特性が変化す
る請求項１ないし１３のいずれかに記載の光機能性材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29305297A JPH11130429A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 光機能性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29305297A JPH11130429A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 光機能性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11130429A true JPH11130429A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17789860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29305297A Withdrawn JPH11130429A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 光機能性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11130429A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001067173A1 (fr) * | 2000-03-10 | 2001-09-13 | Japan Science And Technology Corporation | Commutateur lumiere-lumiere, dispositif de communication optique et modulateur optique utilisant ce dernier, et materiau optique pour interrupteur lumiere-lumiere |
| JP2002160923A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-04 | Japan Science & Technology Corp | マンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率の制御方法 |
| CN100408166C (zh) * | 2006-01-13 | 2008-08-06 | 南京大学 | AgTO2型复合氧化物可见光响应光催化材料及其应用 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP29305297A patent/JPH11130429A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001067173A1 (fr) * | 2000-03-10 | 2001-09-13 | Japan Science And Technology Corporation | Commutateur lumiere-lumiere, dispositif de communication optique et modulateur optique utilisant ce dernier, et materiau optique pour interrupteur lumiere-lumiere |
| JP2002160923A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-04 | Japan Science & Technology Corp | マンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率の制御方法 |
| CN100408166C (zh) * | 2006-01-13 | 2008-08-06 | 南京大学 | AgTO2型复合氧化物可见光响应光催化材料及其应用 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |