JPH1112325A - New monomer and polymer obtained by using the same - Google Patents

New monomer and polymer obtained by using the same

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JPH1112325A
JPH1112325A JP10136128A JP13612898A JPH1112325A JP H1112325 A JPH1112325 A JP H1112325A JP 10136128 A JP10136128 A JP 10136128A JP 13612898 A JP13612898 A JP 13612898A JP H1112325 A JPH1112325 A JP H1112325A
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JP
Japan
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group
general formula
represented
monomer
polymer
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Withdrawn
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JP10136128A
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Japanese (ja)
Inventor
Motoshige Sumino
元重 角野
Kazuhito Fukazawa
和仁 深沢
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Fujifilm Wako Pure Chemical Corp
Original Assignee
Wako Pure Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject new monomer useful for a polymer, having a high transmissivity for far ultraviolet rays, especially of ArF excimer laser, etc., and useful as resist compositions. SOLUTION: This monomer is represented by formula I (R<5> to R<7> are each H, an alkyl, etc.; Z is a spacer, etc.; R is a hydroxyalkyl), e.g. 2-(methacryloyloxy)ethyl :3-methoxy-butanoate). The monomer is obtained by reacting a cc>mpound represented by formula II (R<1> and R<2> are each H, etc.), with orthocarboxylic acid esters and an alcohol in a solvent and in the presence of a acid catalyst. For example, the copolymerizing reaction of the monomer with the other monomers is carried out in the presence of a catalytic amount of a radical polymerization initiator in a suitable solvent at 20-150 deg.C in an inert gas atmosphere for 0.5-20 hr according to 21 conventional method. Thereby, a polymer capable of providing 21 resist film excellent in etching resistance, etc., can be synthesized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造に於いて使用されるレジスト組成物等に有用な新規な
ポリマー及び該ポリマーの原料と成り得る新規なモノマ
ーに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel polymer useful for a resist composition used in the production of semiconductor devices and the like, and a novel monomer which can be a raw material of the polymer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、アルカリ可溶性の樹脂として、ノ
ボラック樹脂やアクリル酸、メタクリル酸を構成成分と
するポリマーが知られており、写真製版や、レジスト材
料等の電子工業用材料として用いられ、数多くのポリマ
ーが実用化されている。特にリソグラフィ技術の分野で
は、露光光源としてg線(波長436nm),i線(波長365
nm)の紫外光、また最近ではエキシマレーザー(KrF
エキシマレーザー;波長248nm、ArFエキシマレーザ
ー;波長193nm)が使用されている。これらの光源に対
応したレジスト材料のベースポリマーには、g線,i線
用レジストではノボラック樹脂、KrFレジストではフ
ェノール樹脂が主として用いられており、その何れにお
いてもアルカリ現像液で現像可能な官能基としてフェノ
ール性水酸基(pKa 約12)を有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, novolak resins and polymers containing acrylic acid and methacrylic acid as components have been known as alkali-soluble resins, and they have been used as materials for the electronic industry such as photolithography and resist materials. Polymer has been put to practical use. Particularly in the field of lithography technology, g-rays (wavelength 436 nm) and i-rays (wavelength 365) are used as exposure light sources.
nm) ultraviolet light, and recently an excimer laser (KrF
Excimer laser; wavelength 248 nm, ArF excimer laser; wavelength 193 nm) are used. As a base polymer of a resist material corresponding to these light sources, a novolak resin is mainly used for g-line and i-line resists, and a phenol resin is mainly used for a KrF resist, and any of these functional groups can be developed with an alkali developing solution. Has a phenolic hydroxyl group (pKa about 12).

【0003】一方、現在開発途上にあるArFレジスト
材料で用いるベースポリマーとしては、アクリル酸誘導
体又はメタクリル酸誘導体樹脂が主流である(例えば、
特開平7-199467号公報、特開平8-82925号公報、特開平7
-234511号公報等)。その理由として、従来用いてきた
芳香環を有する樹脂では遠紫外領域での透明性が低く、
ArFエキシマレーザー光波長である193nmでは全く不
透明となるためである。
On the other hand, as a base polymer used in an ArF resist material currently under development, an acrylic acid derivative or methacrylic acid derivative resin is mainly used (for example,
JP-A-7-199467, JP-A-8-82925, JP-A-7
-234511). The reason is that the resin having an aromatic ring used conventionally has low transparency in the far ultraviolet region,
This is because at 193 nm, which is the wavelength of the ArF excimer laser beam, it becomes completely opaque.

【0004】しかしながら、このアクリル酸又はメタク
リル酸樹脂をベースに用いたレジスト材料は、カルボン
酸基を可溶性基とするために酸性度が高く(pKa 約
5)、従来のフェノール性水酸基を可溶性基とするポリ
マーに比べてアルカリ現像時の溶解速度が非常に速いた
め、既存のアルカリ現像液である2.38%テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液では、希釈
しないで用いると微細パターン形成時に膜剥がれが生じ
たり、また未露光部まで溶解するため、良好なパターン
が得られないという欠点が生じる。
However, the resist material using the acrylic acid or methacrylic acid resin as a base has a high acidity (pKa of about 5) because the carboxylic acid group is a soluble group, and the conventional phenolic hydroxyl group is a soluble group. Since the dissolution rate during alkaline development is much faster than that of a polymer, the existing alkaline developer, 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), will cause film peeling during fine pattern formation if used without dilution. In addition, there is a disadvantage that a good pattern cannot be obtained because of dissolution to the unexposed portion.

【0005】しかも、半導体装置の実製造ラインで現在
採用されているアルカリ現像液は、前述した2.38%TM
AHが主流であり、i線レジストとKrFレジストまた
はKrFレジストとArFレジストのように各世代のレ
ジスト材料が混在した製造ラインでは、現像液を希釈し
て用いることは非常に困難な状況である。
In addition, the alkaline developer currently used in the actual production line of the semiconductor device is the aforementioned 2.38% TM
AH is the mainstream, and it is very difficult to dilute and use the developer in a production line in which resist materials of each generation are mixed, such as i-line resist and KrF resist or KrF resist and ArF resist.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した如き
状況に鑑みなされたもので、220nm以下の遠紫外光、特
にArFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、
これを例えばレジスト組成物用のポリマーとして使用し
た場合には、エッチング耐性等に優れたレジスト膜が得
られる新規なポリマーと該ポリマーの原料モノマーと成
り得る新規なモノマーであるアクリル酸及びメタクリル
酸誘導体を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above situation, and has high transparency to far ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less, particularly ArF excimer laser light.
For example, when this is used as a polymer for a resist composition, a novel polymer which can provide a resist film having excellent etching resistance and the like, and acrylic acid and methacrylic acid derivatives which are novel monomers which can be used as a raw material monomer of the polymer The purpose is to provide.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式[1]The present invention provides a compound represented by the general formula [1]:

【0008】[0008]

【化21】 Embedded image

【0009】(式中、R5,R6及びR7は夫々独立して
水素原子、アルキル基、シアノ基、アルキルオキシカル
ボニル基又はカルバモイル基を表し、Zはスペーサー又
は結合手を表し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロ
キシアルキル基を表す。)で示されるモノマー、の発明
である。
(Wherein, R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group, Z represents a spacer or a bond, and R represents Wherein the terminal hydroxyl group represents a protected hydroxyalkyl group.)

【0010】また、本発明は、一般式[1a]Further, the present invention provides a compound represented by the general formula [1a]:

【0011】[0011]

【化22】 Embedded image

【0012】(式中、R5,R6,R7,Z及びRは前記
に同じ。)で示されるモノマー単位を構成単位として含
んで成るポリマー、の発明である。
(Wherein R 5 , R 6 , R 7 , Z and R are the same as described above).

【0013】即ち、本発明者らは上記目的を達成すべく
鋭意研究を重ねた結果、220nm以下の波長領域での光透
過性が高く、これをレジスト材料として用いた場合には
エッチング耐性の高いレジスト膜が得られる、上記一般
式[1a]で示されるモノマー単位を構成単位として含
んで成る新規なポリマーを見い出し、本発明を完成する
に到った。
That is, the present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have high light transmittance in a wavelength region of 220 nm or less, and have high etching resistance when this is used as a resist material. A novel polymer comprising a monomer unit represented by the above general formula [1a] as a constitutional unit from which a resist film can be obtained has been found, and the present invention has been completed.

【0014】一般式[1]及び[1a]に於いて、
5,R6及びR7で示されるアルキル基としては、直鎖
状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜12、好まし
くは炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、具体的には
メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル
基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-
ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペン
チル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、1,1
-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキシル
基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル
基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキシ
ル基等が挙げられる。
In the general formulas [1] and [1a],
The alkyl group represented by R 5 , R 6 and R 7 may be linear or branched and includes, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms. Is methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-
Butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 1,1
-Dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group and the like.

【0015】アルキルオキシカルボニル基としては、直
鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、例えば炭素数
2〜19のアルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
環状のアルキルオキシカルボニル基は単環でも多環でも
よく、例えば炭素数6〜14の脂環状のものが挙げられ
る。アルキルオキシカルボニル基の具体例としては、メ
チルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、
プロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル
基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカル
ボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキ
シカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタ
デシルオキシカルボニル基、tert-ブチルオキシカルボ
ニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、シクロ
ヘキシルオキシカルボニル基、トリシクロデシルオキシ
カルボニル基、トリシクロウンデシルオキシカルボニル
基、トリシクロドデシルオキシカルボニル基、トリシク
ロテトラデシルオキシカルボニル基、テトラヒドロピラ
ニルオキシカルボニル基、アダマンチルオキシカルボニ
ル基、2-メチル-2-アダマンチルオキシカルボニル基、
ノルボルニルオキシカルボニル基、ビシクロ[3.2.1]オ
クテニルオキシカルボニル基、ビシクロ[2.2.2]オクチ
ルオキシカルボニル基、メンチルオキシカルボニル基、
イソボルニルオキシカルボニル基等が挙げられる。
The alkyloxycarbonyl group may be linear, branched or cyclic, and includes, for example, an alkyloxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms.
The cyclic alkyloxycarbonyl group may be monocyclic or polycyclic, and includes, for example, an alicyclic group having 6 to 14 carbon atoms. Specific examples of the alkyloxycarbonyl group include a methyloxycarbonyl group, an ethyloxycarbonyl group,
Propyloxycarbonyl, butyloxycarbonyl, pentyloxycarbonyl, hexyloxycarbonyl, heptyloxycarbonyl, octyloxycarbonyl, dodecyloxycarbonyl, octadecyloxycarbonyl, tert-butyloxycarbonyl, 2-ethylhexyl Oxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, tricyclodecyloxycarbonyl group, tricycloundecyloxycarbonyl group, tricyclododecyloxycarbonyl group, tricyclotetradecyloxycarbonyl group, tetrahydropyranyloxycarbonyl group, adamantyloxycarbonyl group , A 2-methyl-2-adamantyloxycarbonyl group,
Norbornyloxycarbonyl group, bicyclo [3.2.1] octenyloxycarbonyl group, bicyclo [2.2.2] octyloxycarbonyl group, menthyloxycarbonyl group,
And an isobornyloxycarbonyl group.

【0016】Zで示されるスペーサーとしては、例えば
下記一般式[4]で示される基等が挙げられる。
Examples of the spacer represented by Z include a group represented by the following general formula [4].

【0017】[0017]

【化23】 Embedded image

【0018】(式中、A2は酸素原子を有していてもよ
い二価の炭化水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して
低級アルキレン基を表し、mは0又は1を表し、p,q
及びrは夫々独立して、0又は1を表す。但し、mが1
のときqは1を表す。)
(Wherein A 2 represents a divalent hydrocarbon group optionally having an oxygen atom, A 1 and A 3 each independently represent a lower alkylene group, and m represents 0 or 1. And p, q
And r each independently represent 0 or 1. However, m is 1
In the case of q represents 1. )

【0019】一般式[4]に於いてA2で示される酸素
原子を有していてもよい二価の炭化水素基に於ける二価
の炭化水素基としては、例えば炭素数1〜20、好まし
くは1〜10のアルキレン基、二価の芳香族基等が挙げ
られる。アルキレン基としては、直鎖状でも分枝状でも
或いは環状でもよく、具体的には、例えばメチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、2-メチルプロ
ピレン基、ペンチレン基、2,2-ジメチルプロピレン基、
2-エチルプロピレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、
オクチレン基、2-エチルヘキシレン基、ノニレン基、デ
シレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、
シクロヘキシレン基、アダマンタンジイル基、トリシク
ロ[5.2.1.02.6]デカンジイル基、ノルボルナンジイル
基、メチルノルボルナンジイル基、イソボルナンジイル
基、デカリンジイル基等が挙げられる。二価の芳香族基
としては、例えばo-フェニレン基、m-フェニレン基、p-
フェニレン基、ジフェニレン基、p-キシレン-α,α'-ジ
イル基、-CH2-C6H4-等が挙げられる。
In the general formula [4], examples of the divalent hydrocarbon group represented by A 2 which may have an oxygen atom include those having 1 to 20 carbon atoms. Preferably, an alkylene group of 1 to 10 and a divalent aromatic group are exemplified. The alkylene group may be linear, branched or cyclic, and specifically, for example, a methylene group,
Ethylene group, propylene group, butylene group, 2-methylpropylene group, pentylene group, 2,2-dimethylpropylene group,
2-ethylpropylene group, hexylene group, heptylene group,
Octylene group, 2-ethylhexylene group, nonylene group, decylene group, cyclopropylene group, cyclopentylene group,
Examples include a cyclohexylene group, an adamantanediyl group, a tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decanediyl group, a norbornanediyl group, a methylnorbornanediyl group, an isobornanediyl group, and a decalindiyl group. As the divalent aromatic group, for example, o-phenylene group, m-phenylene group, p-
Phenylene group, diphenylene group, p-xylene-α, α′-diyl group, —CH 2 —C 6 H 4 — and the like.

【0020】また、酸素原子を有している場合には、上
記二価の炭化水素基の鎖中に酸素原子を1個以上、好ま
しくは1〜3個有しているものが挙げられ、その具体例
としては、メトキシエチルエチレン基、エトキシエチル
エチレン基、ボルニルオキシエチルエチレン基、ノルボ
ルニルオキシエチルエチレン基、メンチルオキシエチル
エチレン基、アダマンチルオキシエチルエチレン基、メ
トキシエトキシエチルエチレン基、エトキシエトキシエ
チルエチレン基、ボルニルオキシエトキシエチルエチレ
ン基、メンチルオキシエトキシエチルエチレン基、-CH2
-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2CH2-、-CH2CH
2-O-CH2CH2-O-CH2CH2-、-CH2-O-C6H4-等が挙げられる。
In the case of having an oxygen atom, those having one or more, preferably 1 to 3 oxygen atoms in the divalent hydrocarbon group chain are mentioned. Specific examples include a methoxyethylethylene group, an ethoxyethylethylene group, a bornyloxyethylethylene group, a norbornyloxyethylethylene group, a menthyloxyethylethylene group, an adamantyloxyethylethylene group, a methoxyethoxyethylethylene group, and an ethoxyethoxy group. Ethylethylene group, bornyloxyethoxyethylethylene group, menthyloxyethoxyethylethylene group, -CH 2
-O-CH 2- , -CH 2 CH 2 -O-CH 2- , -CH 2 CH 2 -O-CH 2 CH 2- , -CH 2 CH
2 -O-CH 2 CH 2 -O -CH 2 CH 2 -, - CH 2 -OC 6 H 4 - , and the like.

【0021】A1及びA3で示される低級アルキレン基と
しては、直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜
6のアルキレン基が挙げられ、具体的にはメチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、2-メチルプロ
ピレン基、ペンチレン基、2,2-ジメチルプロピレン基、
2-エチルプロピレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
The lower alkylene group represented by A 1 and A 3 may be linear or branched and has, for example, 1 to 1 carbon atoms.
6 alkylene groups, specifically, a methylene group,
Ethylene group, propylene group, butylene group, 2-methylpropylene group, pentylene group, 2,2-dimethylpropylene group,
Examples include a 2-ethylpropylene group and a hexylene group.

【0022】また、Rで示される末端の水酸基が保護さ
れたヒドロキシアルキル基としては、直鎖状でも分枝状
でも或いは環状でもよく、また二重結合を有していても
よく、例えば下記一般式[2]又は一般式[3]で示さ
れる基等が挙げられる。
The hydroxyalkyl group in which the terminal hydroxyl group represented by R is protected may be linear, branched or cyclic, and may have a double bond. Examples include groups represented by the formula [2] or the general formula [3].

【0023】[0023]

【化24】 Embedded image

【0024】(式中、R1及びR2は夫々独立して水素原
子、置換基を有していてもよいアルキル基又は脂環式炭
化水素基を表し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成し
ていてもよく、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒド
ロキシアルキル基、アルキルオキシカルボニル基又はア
ルキルシリル基を表す。)
[0024] (wherein, R 1 and R 2 are independently a hydrogen atom, an alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group which may have a substituent group, and in R 1 and R 2 It may form an aliphatic ring, and R 3 represents an alkyl group, an alkenyl group, a hydroxyalkyl group, an alkyloxycarbonyl group or an alkylsilyl group.)

【0025】[0025]

【化25】 Embedded image

【0026】(式中、R4はアルキル基を表し、R1,R
2及びR3は前記に同じ。尚、R3とR4とで脂肪族環を形
成していてもよい。)
(Wherein R 4 represents an alkyl group; R 1 , R
2 and R 3 are the same as above. Note that R 3 and R 4 may form an aliphatic ring. )

【0027】一般式[2]及び[3]に於いて、R1
びR2で示されるアルキル基としては、直鎖状でも分枝
状でも或いは環状でもよく、例えば炭素数1〜12、好
ましくは炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、具体的
にはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピ
ル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、se
c-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペ
ンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、
1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキ
シル基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチ
ル基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキ
シル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、2-シクロヘキシルエチル基等が挙げられ
る。
In the general formulas [2] and [3], the alkyl group represented by R 1 and R 2 may be linear, branched or cyclic. Is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, se
c-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group,
1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, Examples include a cyclohexyl group and a 2-cyclohexylethyl group.

【0028】また、置換基を有するアルキル基として
は、上記アルキル基の水素原子の通常1〜17個、好ま
しくは1〜10個が例えばシアノ基、水酸基、例えばフ
ッ素,塩素,臭素,沃素等のハロゲン原子、例えばメト
キシ基,エトキシ基,プロポキシ基,2-プロポキシ基,
ブトキシ基,tert-ブトキシ基,ペンチルオキシ基,ヘ
キシルオキシ基等の炭素数1〜6の低級アルコキシ基等
で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばシア
ノメチル基,シアノエチル基,シアノプロピル基,シア
ノブチル基,シアノペンチル基,シアノヘキシル基,シ
アノヘプチル基等の含シアノアルキル基、例えばヒドロ
キシメチル基,ヒドロキシエチル基,ヒドロキシプロピ
ル基,ヒドロキシブチル基,ヒドロキシペンチル基,ヒ
ドロキシヘキシル基,ヒドロキシヘプチル基,ヒドロキ
シオクチル基等のヒドロキシアルキル基、例えばクロロ
メチル基,ブロモメチル基,トリフルオロメチル基,2-
クロロエチル基,3-クロロプロピル基,3-ブロモプロピ
ル基,3,3,3-トリフルオロプロピル基,パーフルオロオ
クチル基等のハロアルキル基、例えばメトキシメチル
基,メトキシエチル基,エトキシメチル基,エトキシエ
チル基,プロポキシメチル基,2-プロポキシメチル基,
プロポキシエチル基,ブトキシメチル基,tert-ブトキ
シメチル基等のアルコキシアルキル基等が挙げられる。
As the alkyl group having a substituent, 1 to 17, preferably 1 to 10 hydrogen atoms of the above alkyl group are, for example, cyano group and hydroxyl group such as fluorine, chlorine, bromine and iodine. Halogen atoms such as methoxy, ethoxy, propoxy, 2-propoxy,
Examples thereof include those substituted with a lower alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a butoxy group, a tert-butoxy group, a pentyloxy group, and a hexyloxy group. Specific examples include a cyanomethyl group, a cyanoethyl group, and a cyanopropyl group. Group, cyanobutyl group, cyanopentyl group, cyanohexyl group, cyanoalkyl group such as cyanoheptyl group, for example, hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, hydroxypropyl group, hydroxybutyl group, hydroxypentyl group, hydroxyhexyl group, hydroxyheptyl And hydroxyalkyl groups such as hydroxyoctyl group, for example, chloromethyl group, bromomethyl group, trifluoromethyl group,
Haloalkyl groups such as chloroethyl group, 3-chloropropyl group, 3-bromopropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group and perfluorooctyl group, for example, methoxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxymethyl group, ethoxyethyl Group, propoxymethyl group, 2-propoxymethyl group,
And alkoxyalkyl groups such as a propoxyethyl group, a butoxymethyl group and a tert-butoxymethyl group.

【0029】脂環式炭化水素基としては、例えば炭素数
3〜30、好ましくは5〜12の脂環式炭化水素基が挙
げられ、具体的にはトリシクロ[5.2.1.02.6]デカニル
基、ジシクロペンテニル基、アダマンチル基、ノルボル
ニル基、イソボルニル基、2-メチル-2-アダマンチル
基、メンチル基等が挙げられる。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group include an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30, preferably 5 to 12 carbon atoms. Specific examples include a tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decanyl group, Examples include a cyclopentenyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, a 2-methyl-2-adamantyl group, and a menthyl group.

【0030】また、R1とR2とで形成されている脂肪族
環は、環は単環でも多環でもよく、例えば炭素数3〜1
0のアルキレン鎖で環を形成しているもの等が挙げら
れ、その環の具体例としては、2-ノルボルナン環、シク
ロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、
シクロデカン環、2-ノルボルネン環、シクロペンテン
環、シクロヘキセン環、シクロオクテン環、シクロデセ
ン環等が挙げられる。
In the aliphatic ring formed by R 1 and R 2 , the ring may be monocyclic or polycyclic, for example, having 3 to 1 carbon atoms.
And those forming a ring with an alkylene chain of 0, and specific examples of the ring include a 2-norbornane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cyclooctane ring,
Examples thereof include a cyclodecane ring, a 2-norbornene ring, a cyclopentene ring, a cyclohexene ring, a cyclooctene ring, and a cyclodecene ring.

【0031】R3で示されるアルキル基としては、直鎖
状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜12、好まし
くは炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、具体的には
メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル
基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-
ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペン
チル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、1,1
-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキシル
基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル
基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキシ
ル基等が挙げられる。
The alkyl group represented by R 3 may be linear or branched, and includes, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms. , Ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-
Butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 1,1
-Dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group and the like.

【0032】アルケニル基としては、直鎖状でも分枝状
でもよく、例えば炭素数2〜12、好ましくは炭素数2
〜8のアルケニル基が挙げられ、具体的にはエテニル
基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イ
ソブテニル基、ペンテニル基、イソペンテニル基、ヘキ
セニル基、イソヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニ
ル基等が挙げられる。ヒドロキシアルキル基としては、
直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜12、好
ましくは炭素数2〜8のヒドロキシアルキル基が挙げら
れ、具体的にはヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピ
ル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒ
ドロキシヘキシル基、ヒドロキシヘプチル基、ヒドロキ
シオクチル基等が挙げられる。
The alkenyl group may be linear or branched and has, for example, 2 to 12 carbon atoms, preferably 2 carbon atoms.
And alkenyl groups of -8, and specifically include ethenyl, propenyl, isopropenyl, butenyl, isobutenyl, pentenyl, isopentenyl, hexenyl, isohexenyl, heptenyl, octenyl and the like. No. As the hydroxyalkyl group,
It may be linear or branched, and includes, for example, a hydroxyalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 2 to 8 carbon atoms, and specifically, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a hydroxybutyl group, a hydroxypentyl Group, hydroxyhexyl group, hydroxyheptyl group, hydroxyoctyl group and the like.

【0033】アルキルオキシカルボニル基としては、直
鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、例えば炭素数
2〜19のアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具
体的には、例えばエチルオキシカルボニル基、プロピル
オキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、ペン
チルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル
基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカル
ボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタデシル
オキシカルボニル基、tert-ブチルオキシカルボニル
基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキ
シルオキシカルボニル基等が挙げられる。
The alkyloxycarbonyl group may be linear, branched or cyclic, and includes, for example, an alkyloxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms. Specifically, for example, an ethyloxycarbonyl group, propyl Oxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, octadecyloxycarbonyl group, tert-butyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxy Examples include a carbonyl group and a cyclohexyloxycarbonyl group.

【0034】アルキルシリル基のアルキル基としては、
直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜6のアル
キル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n
-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチ
ル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、イ
ソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3
-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチル
ペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げ
られる。アルキルシリル基としては、例えば炭素数1〜
18、好ましくは1〜9のものが挙げられ、具体例とし
ては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ
n-プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ト
リn-ブチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリn-
ヘキシルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基等の
トリアルキルシリル基等が挙げられる。
As the alkyl group of the alkylsilyl group,
It may be linear or branched and includes, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Specifically, a methyl group, an ethyl group,
-Propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, 3,3
-Dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group and the like. As the alkylsilyl group, for example, a
18, preferably 1 to 9; specific examples include trimethylsilyl, triethylsilyl, tri-n-propylsilyl, triisopropylsilyl, tri-n-butylsilyl, tripentylsilyl, and tri-n -
Examples include a trialkylsilyl group such as a hexylsilyl group and a tert-butyldimethylsilyl group.

【0035】一般式[3]に於いて、R4で示されるア
ルキル基としては、直鎖状でも分枝状でもよく、例えば
炭素数1〜12、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基
が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロ
ピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イ
ソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3
-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチル
ペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、n-ヘプ
チル基、イソヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチ
ル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。
In the general formula [3], the alkyl group represented by R 4 may be linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms. Specific examples include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl group, 3,3
-Dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group and the like. Can be

【0036】また、R3とR4とで脂肪族環を形成してい
る場合には、環は単環でも多環でもよく、炭素数2〜1
0、好ましくは2〜4のアルキレン鎖で環を形成してい
るものが挙げられる。該アルキレン鎖は、直鎖状でも分
枝状でもよく、ヒドロキシル基を有していてもよい。ま
た、鎖中の任意の位置に−O−基及び/又は二重結合を
有していてもよい。これらの具体例としては、エチレン
基、プロピレン基、イソプロピレン基、イソプロピリデ
ン基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、へキシレン基、2-ブチル-2-エチルプロピレン基、
エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ビニリ
デン基、-CH2C(=CH2)CH2-、1-ヒドロキシエチレン基、2
-ヒドロキシプロピレン基、2-ヒドロキシブチレン基、2
-ヒドロキシペンチレン基、3-ヒドロキシペンチレン
基、2-ヒドロキシへキシレン基、3-ヒドロキシへキシレ
ン基、-CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2CH
2-等が挙げられる。
When R 3 and R 4 form an aliphatic ring, the ring may be monocyclic or polycyclic and has 2 to 1 carbon atoms.
Those which form a ring with 0, preferably 2 to 4 alkylene chains are mentioned. The alkylene chain may be linear or branched, and may have a hydroxyl group. Further, it may have a -O- group and / or a double bond at any position in the chain. Specific examples of these include ethylene group, propylene group, isopropyl group, isopropylidene group, butylene group, 2-methylpropylene group, pentylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-ethylpropylene group, hexylene group , A 2-butyl-2-ethylpropylene group,
Ethenylene group, propenylene group, butenylene group, a vinylidene group, -CH 2 C (= CH 2 ) CH 2 -, 1- hydroxy ethylene group, 2
-Hydroxypropylene group, 2-hydroxybutylene group, 2
-Hydroxypentylene group, 3-hydroxypentylene group, 2-hydroxyhexylene group, 3-hydroxyhexylene group, -CH 2 -O-CH 2- , -CH 2 CH 2 -O-CH 2 -,- CH 2 CH 2 -O-CH 2 CH
2- and the like.

【0037】本発明のポリマーに含まれる上記一般式
[1a]で示されるモノマー単位は、上記一般式[1]
で示されるモノマーから誘導されるものであり、該モノ
マーとしては例えば下記一般式[1]-1、[1]-2、
[1]-3及び[1]-4で示されるもの等が挙げられる。
The monomer unit represented by the above general formula [1a] contained in the polymer of the present invention is represented by the above general formula [1]
Which is derived from a monomer represented by the following general formulas [1] -1, [1] -2,
Examples include those represented by [1] -3 and [1] -4.

【0038】[0038]

【化26】 Embedded image

【0039】[0039]

【化27】 Embedded image

【0040】[0040]

【化28】 Embedded image

【0041】[0041]

【化29】 Embedded image

【0042】(式中、Qは酸素原子を有していてもよい
二価の炭化水素基を表し、Eは低級アルキル基を表し、
Xはアルキル基を表し、Gは低級アルキレン基を表し、
tは0〜6の整数を示す。また、E1,E2は水素原子を
示すか、或いはE1とE2とで脂肪族環を形成していても
よい。)
(Wherein Q represents a divalent hydrocarbon group optionally having an oxygen atom, E represents a lower alkyl group,
X represents an alkyl group; G represents a lower alkylene group;
t shows the integer of 0-6. E 1 and E 2 each represent a hydrogen atom, or E 1 and E 2 may form an aliphatic ring. )

【0043】上記一般式[1]-1及び[1]-2に於い
て、Qで示される酸素原子を有していてもよい二価の炭
化水素基の二価の炭化水素基としては、例えば炭素数1
〜20、好ましくは1〜10のアルキレン基及び二価の
芳香族基等が挙げられる。アルキレン基としては、直鎖
状でも分枝状でも或いは環状でもよく、具体的には、例
えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン
基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン基、2,2-ジメチ
ルプロピレン基、2-エチルプロピレン基、ヘキシレン
基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エチルヘキシレン
基、ノニレン基、デシレン基、シクロプロピレン基、シ
クロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンタン
ジイル基、トリシクロ[5.2.1.02.6]デカンジイル基、ノ
ルボルナンジイル基、メチルノルボルナンジイル基、イ
ソボルナンジイル基、デカリンジイル基等が挙げられ
る。
In the above general formulas [1] -1 and [1] -2, the divalent hydrocarbon group of the divalent hydrocarbon group optionally having an oxygen atom represented by Q includes: For example, carbon number 1
-20, preferably 1-10 alkylene groups and divalent aromatic groups. The alkylene group may be linear, branched or cyclic, and specifically, for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a 2-methylpropylene group, a pentylene group, and 2,2-dimethyl Propylene group, 2-ethylpropylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, 2-ethylhexylene group, nonylene group, decylene group, cyclopropylene group, cyclopentylene group, cyclohexylene group, adamantanediyl group, tricyclo [ 5.2.1.0 2.6 ] decanediyl group, norbornanediyl group, methylnorbornanediyl group, isobornanediyl group, decalindiyl group and the like.

【0044】二価の芳香族基としては、例えばo-フェニ
レン基、m-フェニレン基、p-フェニレン基、ジフェニレ
ン基、p-キシレン-α,α'-ジイル基、-CH2-C6H4-等が挙
げられる。二価の炭化水素基に酸素原子を有している場
合には、上記アルキレン基を形成する鎖中に−O−基を
1〜3個含むものが挙げられ、具体的には例えば-CH2-O
-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-、-CH2-O-CH2CH2-、-CH2CH2-O-C
H2CH2-、-CH2-O-CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-O-CH2CH
2-、-CH2-O-CH2-O-CH2-O-CH2-、-CH2CH2-O-CH2-O-CH2CH
2-O-CH2CH2-、-CH2-O-CH(CH2CH3)-CH2-、-CH2CH2-O-CH
(CH3)-O-CH2-、
Examples of the divalent aromatic group include o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, diphenylene group, p-xylene-α, α′-diyl group, —CH 2 —C 6 H 4- and the like. When the divalent hydrocarbon group has an oxygen atom, those having one to three -O- groups in the chain forming the alkylene group are mentioned. Specifically, for example, -CH 2 -O
-CH 2 -, - CH 2 CH 2 -O-CH 2 -, - CH 2 -O-CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 -OC
H 2 CH 2- , -CH 2 -O-CH 2 -O-CH 2- , -CH 2 CH 2 -O-CH 2 -O-CH 2 CH
2- , -CH 2 -O-CH 2 -O-CH 2 -O-CH 2- , -CH 2 CH 2 -O-CH 2 -O-CH 2 CH
2 -O-CH 2 CH 2- , -CH 2 -O-CH (CH 2 CH 3 ) -CH 2- , -CH 2 CH 2 -O-CH
(CH 3 ) -O-CH 2- ,

【0045】[0045]

【化30】 Embedded image

【0046】[0046]

【化31】 Embedded image

【0047】等が挙げられる。上記一般式[1]-1及び
[1]-3に於いて、Eで示される低級アルキル基として
は、直鎖状でも分枝状でもよく、例えば炭素数1〜6の
アルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル
基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イ
ソブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル
基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル
基、3,3-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-
メチルペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等
が挙げられる。
And the like. In the above general formulas [1] -1 and [1] -3, the lower alkyl group represented by E may be linear or branched, and includes, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Specifically, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl , 3,3-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-
Examples include a methylpentyl group, an n-hexyl group, and an isohexyl group.

【0048】上記一般式[1]-3及び[1]-4に於い
て、Xで示されるアルキル基としては、直鎖状でも分枝
状でも環状でもよく、例えば炭素数1〜20、好ましく
は1〜15のアルキル基が挙げられる。また、環状のア
ルキル基は、単環でも多環でもよい。該アルキル基の具
体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、
イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブ
チル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、n-ヘプチル基、
イソヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、2-
エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ノ
ナデシル基、イコシル基、シクロプロピル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、2-シクロヘキシルエチル
基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル
基、2-メチル-2-アダマンチル基、テトラヒドロピラニ
ル基、トリシクロウンデシル基、トリシクロデシル基、
トリシクロドデシル基、トリシクロテトラデシル基、メ
ンチル基、ビシクロ[3.2.1]オクチル基、ビシクロ
[2.2.2]オクチル基等が挙げられる。
In the general formulas [1] -3 and [1] -4, the alkyl group represented by X may be linear, branched or cyclic, and has, for example, 1 to 20 carbon atoms, preferably Is an alkyl group of 1 to 15. Further, the cyclic alkyl group may be monocyclic or polycyclic. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group,
Isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 1,1-dimethyl Butyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group,
Isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-
Ethylhexyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, hexadecyl, octadecyl, nonadecyl, icosyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, 2-cyclohexylethyl, norbornyl, isobornyl, adamantyl Group, 2-methyl-2-adamantyl group, tetrahydropyranyl group, tricycloundecyl group, tricyclodecyl group,
Examples include a tricyclododecyl group, a tricyclotetradecyl group, a menthyl group, a bicyclo [3.2.1] octyl group, and a bicyclo [2.2.2] octyl group.

【0049】上記一般式[1]-2及び[1]-4に於い
て、Gで示される低級アルキレン基としては、直鎖状で
も分枝状でもよく、炭素数1〜6のアルキレン基が挙げ
られ、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、ヘキシレン基等が挙げられる。
In the above general formulas [1] -2 and [1] -4, the lower alkylene group represented by G may be linear or branched, and may be an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Specific examples include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a 2-methylpropylene group, a pentylene group, a 2,2-dimethylpropylene group, a 2-ethylpropylene group, and a hexylene group.

【0050】上記一般式[1]-1〜[1]-4に於いて、
1とE2とで形成される脂肪族環としては、環は単環で
も多環でもよく、炭素数2〜10、好ましくは2〜4の
アルキレン鎖で環を形成しているものが挙げられる。該
アルキレン鎖は、直鎖状でも分枝状でもよく、二重結合
を有していてもよい。これらの具体例としては、エチレ
ン基、プロピレン基、イソプロピレン基、イソプロピリ
デン基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレ
ン基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、へキシレン基、2-ブチル-2-エチルプロピレン基、
エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ビニリ
デン基、-CH2C(=CH2)CH2-等が挙げられる。
In the above general formulas [1] -1 to [1] -4,
As the aliphatic ring formed by E 1 and E 2 , the ring may be monocyclic or polycyclic, and examples thereof include those having an alkylene chain having 2 to 10 carbon atoms, preferably 2 to 4 carbon atoms. Can be The alkylene chain may be linear or branched, and may have a double bond. Specific examples of these include ethylene group, propylene group, isopropyl group, isopropylidene group, butylene group, 2-methylpropylene group, pentylene group, 2,2-dimethylpropylene group, 2-ethylpropylene group, hexylene group , A 2-butyl-2-ethylpropylene group,
Examples include an ethenylene group, a propenylene group, a butenylene group, a vinylidene group, and —CH 2 C (= CH 2 ) CH 2 —.

【0051】一般式[1]-1の具体例としては、例え
ば、
Specific examples of the general formula [1] -1 include, for example,

【0052】[0052]

【化32】 Embedded image

【0053】[0053]

【化33】 Embedded image

【0054】[0054]

【化34】 Embedded image

【0055】[0055]

【化35】 Embedded image

【0056】[0056]

【化36】 Embedded image

【0057】等が挙げられ、一般式[1]-2の具体例と
しては、例えば、
Specific examples of the general formula [1] -2 include, for example,

【0058】[0058]

【化37】 Embedded image

【0059】[0059]

【化38】 Embedded image

【0060】[0060]

【化39】 Embedded image

【0061】[0061]

【化40】 Embedded image

【0062】等が挙げられ、一般式[1]-3の具体例と
しては、例えば、
Specific examples of the general formula [1] -3 include, for example,

【0063】[0063]

【化41】 Embedded image

【0064】[0064]

【化42】 Embedded image

【0065】等が挙げられ、一般式[1]-4の具体例と
しては、例えば、
Specific examples of the general formula [1] -4 include, for example,

【0066】[0066]

【化43】 Embedded image

【0067】[0067]

【化44】 Embedded image

【0068】等が挙げられる。And the like.

【0069】本発明の一般式[1]で示されるモノマー
は、例えば一般式[5]
The monomer represented by the general formula [1] of the present invention is, for example, a compound represented by the general formula [5]

【0070】[0070]

【化45】 Embedded image

【0071】(式中、R1,R2,R5,R6,R7及びZ
は前記と同じ。)で示される化合物とオルトカルボン酸
エステル類及び要すればアルコール類とを要すれば適当
な溶媒中、酸触媒の存在下で反応させることにより得る
ことができる。
Wherein R 1 , R 2 , R 5 , R 6 , R 7 and Z
Is the same as above. Can be obtained by reacting the compound of the formula (1) with orthocarboxylic acid esters and, if necessary, alcohols in a suitable solvent, if necessary, in the presence of an acid catalyst.

【0072】このオルトカルボン酸エステル類として
は、例えばオルトぎ酸トリメチル、オルトぎ酸トリエチ
ル、オルト酢酸トリメチル、オルト酢酸トリエチル等が
挙げられる。オルトカルボン酸エステル類の使用量は、
一般式[5]で示される化合物に対して通常1〜30倍モ
ル、好ましくは3〜10倍モルである。
Examples of the orthocarboxylic acid esters include trimethyl orthoformate, triethyl orthoformate, trimethyl orthoacetate, triethyl orthoacetate and the like. The amount of orthocarboxylic acid esters used is
It is usually 1 to 30 moles, preferably 3 to 10 moles, based on the compound represented by the Formula [5].

【0073】アルコール類としては、例えば炭素数1〜
12、好ましくは炭素数1〜8のアルコール類が挙げら
れ、具体的にはメタノール,エタノール,n-プロパノ
ール,イソプロパノール,n-ブタノール,イソブタノ
ール,tert-ブタノール,sec-ブタノール,n-ペンタノ
ール,イソペンタノール,ネオペンタノール,tert-ペ
ンタノール,3,3-ジメチルブタノール,1,1-ジメチルブ
タノール,1-メチルペンタノール,n-ヘキサノール,
イソヘキサノール,n-ヘプタノール,イソヘプタノー
ル,n-オクタノール,イソオクタノール,2-エチルヘ
キサノール等の飽和アルコール類、アリルアルコール,
3-ブテン-1-オール,3-ブテン-2-オール,クロチルアル
コール,2-メチル-2-プロペン-1-オール,2-メチル-3-
ブテン-1-オール,4-ペンテン-1-オール,4-ペンテン-2
-オール,3-ペンテン-2-オール,1-ヘキセ ン-3-オー
ル,3-ヘキセン-1-オール,3-メチル-1-ペンテン-3-オ
ール,1-ヘプテン-3-オール,1-オクテン-3-オール,6-
メチル-5-ヘプテン-2-オール等の不飽和アルコール類が
挙げられる。アルコール類の使用量は、一般式[5]で
示される化合物に対して通常1〜30倍モル、好ましくは
1〜10倍モルである。
As the alcohols, for example, those having 1 to 1 carbon atoms
12, preferably alcohols having 1 to 8 carbon atoms, specifically methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, tert-butanol, sec-butanol, n-pentanol, Isopentanol, neopentanol, tert-pentanol, 3,3-dimethylbutanol, 1,1-dimethylbutanol, 1-methylpentanol, n-hexanol,
Saturated alcohols such as isohexanol, n-heptanol, isoheptanol, n-octanol, isooctanol and 2-ethylhexanol, allyl alcohol,
3-buten-1-ol, 3-buten-2-ol, crotyl alcohol, 2-methyl-2-propen-1-ol, 2-methyl-3-
Buten-1-ol, 4-penten-1-ol, 4-penten-2
-Ol, 3-penten-2-ol, 1-hexen-3-ol, 3-hexen-1-ol, 3-methyl-1-penten-3-ol, 1-hepten-3-ol, 1- Octen-3-ol, 6-
And unsaturated alcohols such as methyl-5-hepten-2-ol. The amount of the alcohol to be used is generally 1 to 30 moles, preferably 1 to 10 moles, per 1 mole of the compound represented by the general formula [5].

【0074】酸触媒としては、例えばカンファースルホ
ン酸,p-トルエンスルホン酸,p-トルエンスルホン酸
ピリジニウム,シュウ酸,塩化ピリジニウム等の有機酸
(或いはその塩)、例えば塩酸,硫酸,硝酸等の無機
酸、例えば塩化アルミニウム,三ふっ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体(BF3・Et20)等のルイス酸等が挙げ
られる。酸触媒の使用量は、一般式[5]で示される化
合物に対して通常0.1〜20モル%、好ましくは1〜10モ
ル%となる量である。
Examples of the acid catalyst include organic acids (or salts thereof) such as camphorsulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, oxalic acid, and pyridinium chloride; and inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, and nitric acid. Acids include, for example, Lewis acids such as aluminum chloride and boron trifluoride diethyl ether complex (BF 3 .Et 20 ). The amount of the acid catalyst to be used is generally 0.1 to 20 mol%, preferably 1 to 10 mol%, relative to the compound represented by the general formula [5].

【0075】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン,キシレン,ベンゼン,シクロヘキ
サン,n-ヘキサン,n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン,ジクロロエタン,トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸メチル,酢酸エ
チル,酢酸n-ブチル,プロピオン酸メチル等のエステ
ル類、例えばメタノール,エタノール,n-プロパノー
ル,イソプロパノール,n-ブタノール,イソブタノー
ル,tert-ブタノール等のアルコール類、例えばジメチ
ルエーテル,ジエチルエーテル,ジイソプロピルエーテ
ル,ジメトキシエタン,テトラヒドロフラン,ジオキサ
ン等のエーテル類、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチ
ルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド等が挙げられる。これらは夫々単独で用い
ても、二種以上組み合わせて用いてもよい。
The reaction solvent used if necessary includes, for example, hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, cyclohexane, n-hexane and n-octane, and halogenated hydrocarbons such as methylene chloride, dichloroethane and trichloroethylene. For example, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate and methyl propionate; alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol and tert-butanol; Examples include ethers such as diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane, tetrahydrofuran, and dioxane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0076】反応温度は、通常0〜150℃、好ましくは2
0〜80℃である。反応時間は、反応させる化合物の種類
や濃度等により異なるが、通常0.5〜10時間である。
The reaction temperature is usually 0 to 150 ° C., preferably 2 to 150 ° C.
0-80 ° C. The reaction time varies depending on the type and concentration of the compound to be reacted, but is usually 0.5 to 10 hours.

【0077】また、本発明の一般式[1]で示されるモ
ノマーは、例えば前記一般式[5]で示される化合物と
ジオール類とを、要すれば適当な溶媒中、酸触媒の存在
下で反応させることによっても得られる。
The monomer represented by the general formula [1] of the present invention can be obtained, for example, by adding the compound represented by the general formula [5] and a diol to a suitable solvent, if necessary, in the presence of an acid catalyst. It can also be obtained by reacting.

【0078】このジオール類としては、例えばエチレン
グリコール、プロピレングリコール、2,2-ジメチルプロ
パンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオー
ル、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、
ネオペンチルグリコール、1,6-ヘキサンジオール、2,2,
4-トリメチル-1,6-ヘキサンジオール、トリエチレング
リコール等が挙げられる。ジオール類の使用量は、一般
式[5]で示される化合物に対して通常1〜20倍モル、
好ましくは3〜10倍モルである。
Examples of the diols include ethylene glycol, propylene glycol, 2,2-dimethylpropanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol,
Neopentyl glycol, 1,6-hexanediol, 2,2,
4-trimethyl-1,6-hexanediol, triethylene glycol and the like. The amount of the diols to be used is generally 1 to 20-fold the molar amount of the compound represented by the general formula [5],
Preferably it is 3 to 10 times mol.

【0079】酸触媒としては、例えばカンファースルホ
ン酸,p-トルエンスルホン酸,p-トルエンスルホン酸
ピリジニウム,シュウ酸,塩化ピリジニウム等の有機酸
(或いはその塩)、例えば塩酸,硫酸,硝酸等の無機
酸、例えば塩化アルミニウム,三ふっ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体(BF3・Et20)等のルイス酸等が挙げ
られる。酸触媒の使用量は、一般式[5]で示される化
合物に対して通常0.1〜20モル%、好ましくは1〜10モ
ル%となる量である。
Examples of the acid catalyst include organic acids (or salts thereof) such as camphorsulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, oxalic acid, and pyridinium chloride; and inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, and nitric acid. Acids include, for example, Lewis acids such as aluminum chloride and boron trifluoride diethyl ether complex (BF 3 .Et 20 ). The amount of the acid catalyst to be used is generally 0.1 to 20 mol%, preferably 1 to 10 mol%, relative to the compound represented by the general formula [5].

【0080】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン,キシレン,ベンゼン,シクロヘキ
サン,n-ヘキサン,n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン,ジクロロエタン,トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸メチル,酢酸エ
チル,酢酸n-ブチル,プロピオン酸メチル等のエステ
ル類、例えばジメチルエーテル,ジエチルエーテル,ジ
イソプロピルエーテル,ジメトキシエタン,テトラヒド
ロフラン,ジオキサン等のエーテル類、N-メチルピロ
リドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これ
らは夫々単独で用いても、二種以上組み合わせて用いて
もよい。尚、これら反応溶媒は、水と共沸混合物を形成
し、反応系から水を除去できる溶媒が好ましい。
Examples of the reaction solvent used if necessary include hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, cyclohexane, n-hexane and n-octane, and halogenated hydrocarbons such as methylene chloride, dichloroethane and trichloroethylene. For example, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate and methyl propionate; ethers such as dimethyl ether, diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane, tetrahydrofuran and dioxane; N-methylpyrrolidone; Examples include dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Incidentally, these reaction solvents are preferably solvents capable of forming an azeotropic mixture with water and removing water from the reaction system.

【0081】反応温度は、通常0〜150℃、好ましくは2
0〜130℃である。反応時間は、反応させる化合物等の種
類や濃度等により異なるが、通常0.5〜48時間である。
The reaction temperature is usually 0 to 150 ° C., preferably 2 to 150 ° C.
0-130 ° C. The reaction time varies depending on the type and concentration of the compound to be reacted and the like, but is usually 0.5 to 48 hours.

【0082】上述した何れの方法に於いても、得られた
一般式[1]で示されるモノマーは精製及び/又は単離
することなく、そのまま重合反応に付してもよく(即
ち、未反応の、一般式[5]で示される化合物が共存し
ている状態であってもよい。)、また一旦抽出、再結晶
等の任意の操作で精製及び/又は単離した後、次の反応
に付してもよい。上記以外の反応の操作及び後処理等
は、通常行われる同種反応のそれに準じて行えばよい。
尚、一般式[5]で示される化合物は、市販品を用いて
も或いは常法により製造したものを用いてもよい。
In any of the above-mentioned methods, the obtained monomer represented by the general formula [1] may be directly subjected to a polymerization reaction without purification and / or isolation (that is, unreacted product). May be in a state in which the compound represented by the general formula [5] coexists.), And once purified and / or isolated by an arbitrary operation such as extraction and recrystallization, and then subjected to the next reaction. May be attached. The operation of the reaction other than the above, post-treatment, and the like may be performed according to those of the same kind of reaction that is usually performed.
As the compound represented by the general formula [5], a commercially available product or a compound produced by a conventional method may be used.

【0083】また、本発明に於けるアルキルシリル基を
有するモノマーは、上記何れかの製造法により得られた
本発明のモノマーとアルキルシリルハライドとを、要す
れば適当な溶媒中、塩基性触媒の存在下で反応させるこ
とにより得ることができる。
The monomer having an alkylsilyl group according to the present invention may be obtained by combining the monomer of the present invention obtained by any of the above-mentioned production methods with an alkylsilyl halide in a suitable solvent if necessary. By reacting in the presence of

【0084】アルキルシリルハライドとしては、例えば
クロロトリメチルシラン、クロロトリエチルシラン、ク
ロロジメチルエチルシラン、クロロトリプロピルシラ
ン、クロロトリイソプロピルシラン、クロロトリブチル
シラン、クロロトリヘキシルシラン、ブチルクロロジメ
チルシラン等が挙げられる。アルキルシリルハライドの
使用量は、一般式[5]で示される化合物に対して通常
1〜20倍モル、好ましくは1〜5倍モルである。
Examples of the alkylsilyl halide include chlorotrimethylsilane, chlorotriethylsilane, chlorodimethylethylsilane, chlorotripropylsilane, chlorotriisopropylsilane, chlorotributylsilane, chlorotrihexylsilane, and butylchlorodimethylsilane. . The amount of the alkylsilyl halide to be used is generally 1- to 20-fold mol, preferably 1- to 5-fold mol, of the compound represented by the general formula [5].

【0085】塩基性触媒としては、例えばトリエチルア
ミン、ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジメチルアニ
リン、ピペリジン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジ
ン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジア
ザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン、トリ-n-ブチルア
ミン、N-メチルモルホリン等の有機アミン類、例えば
水素化ナトリウム等の金属水素化物類、例えばn-ブチ
ルリチウム、tert-ブチルリチウム等の塩基性アルカリ
金属化合物類等が挙げられる。塩基性触媒の使用量は、
一般式[5]で示される化合物に対して通常0.1〜20倍
モル、好ましくは1〜5倍モルである。
Examples of the basic catalyst include triethylamine, diisopropylethylamine, N, N-dimethylaniline, piperidine, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, Organic amines such as 8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, tri-n-butylamine and N-methylmorpholine, for example, metal hydrides such as sodium hydride, for example, n-butyllithium, tert-butyl And basic alkali metal compounds such as lithium. The amount of basic catalyst used is
It is usually 0.1 to 20 times, preferably 1 to 5 times the mole of the compound represented by the formula [5].

【0086】必要に応じて用いられる反応溶媒として
は、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン、シクロヘキ
サン、n-ヘキサン、n-オクタン等の炭化水素類、例え
ば塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、例えば酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸n-ブチル、プロピオン酸メチル等のエステ
ル類、例えばジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類、N-メチルピロ
リドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これ
らは夫々単独で用いても、二種以上組み合わせて用いて
もよい。
The reaction solvent used if necessary includes, for example, hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, cyclohexane, n-hexane and n-octane, and halogenated hydrocarbons such as methylene chloride, dichloroethane and trichloroethylene. For example, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate, and methyl propionate; ethers such as dimethyl ether, diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane, tetrahydrofuran, and dioxane; N-methylpyrrolidone; N, N- Examples include dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0087】反応温度は、通常0〜150℃、好ましくは2
0〜80℃である。反応時間は、反応させる一般式[5]
で示される化合物等の種類や濃度等の反応条件により異
なるが、通常0.5〜48時間である。
The reaction temperature is generally 0 to 150 ° C., preferably 2 to 150 ° C.
0-80 ° C. The reaction time is determined by the general formula [5] to be reacted.
The reaction time is usually 0.5 to 48 hours, depending on the reaction conditions such as the type and concentration of the compound represented by

【0088】得られた一般式[1]で示されるモノマー
は、精製及び/又は単離することなくそのまま重合反応
に付してもよく(即ち、未反応の、一般式[5]で示さ
れる化合物が共存している状態であってもよい。)、ま
た一旦抽出、再結晶等の任意の操作で精製及び/又は単
離した後、次の反応に付してもよい。上記以外の反応の
操作及び後処理等は、通常行われる同種反応のそれに準
じて行えばよい。
The obtained monomer represented by the general formula [1] may be directly subjected to a polymerization reaction without purification and / or isolation (that is, unreacted compound represented by the general formula [5]). The compound may be in the state of coexistence.), And once purified and / or isolated by any operation such as extraction and recrystallization, it may be subjected to the next reaction. The operation of the reaction other than the above, post-treatment, and the like may be performed according to those of the same kind of reaction that is usually performed.

【0089】本発明に係る前記一般式[1a]で示され
るモノマー単位を構成単位として含んで成る本発明のポ
リマーとしては、一般式[1a]で示されるモノマー単
位を構成単位として成るホモポリマー、一般式[1a]
で示されるモノマー単位2種以上を構成単位として成る
コポリマー、一般式[1a]で示されるモノマー単位1
種以上と一般式[1b]
The polymer of the present invention comprising the monomer unit represented by the general formula [1a] according to the present invention as a structural unit includes a homopolymer comprising the monomer unit represented by the general formula [1a] as a structural unit: General formula [1a]
A copolymer comprising two or more types of monomer units represented by the following formulas, and a monomer unit 1 represented by the general formula [1a]:
More than species and general formula [1b]

【0090】[0090]

【化46】 Embedded image

【0091】(式中、R5'、R6'、R7'及びZ’は夫々
一般式[1a]に於けるR5,R6,R7及びZの定義と
同意義を有し、R’はヒドロキシアルキル基を示す。)
で示されるモノマー単位1種以上とを構成単位として含
んで成るコポリマー、及び一般式[1a]で示されるモ
ノマー単位1種以上と一般式[6a]
(Wherein, R 5 ′ , R 6 ′ , R 7 ′ and Z ′ have the same meanings as R 5 , R 6 , R 7 and Z in the general formula [1a], respectively. R 'represents a hydroxyalkyl group.)
And a copolymer comprising, as a constituent unit, one or more monomer units represented by the general formula [1a] and one or more monomer units represented by the general formula [1a]:

【0092】[0092]

【化47】 Embedded image

【0093】(式中、R9は水素原子、低級アルキル基
又はハロゲン原子を表し、R10は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキルオキシ
カルボニル基又はホルミル基を表し、R11は水素原子、
低級アルキル基、カルボキシル基、アルキルオキシカル
ボニル基又はハロゲン原子を表し、R12は二重結合を有
していてもよいアルキレン基又は結合手を表し、R13
水素原子、アルキル基、ハロアルキル基、アリール基、
脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基、ハロゲン原子、
アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボ
ニル基、ヒドロキシアルキルオキシカルボニル基、アリ
ールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、シアノ基、
カルボキシル基、ホルミル基、アミノ基、スルホン酸
基、カルバモイル基又はヒドロキシル基を表す。尚、R
10とR13とが結合して−CO−O−CO−又は−CO−
NH−CO−を形成していてもよい。)で示されるモノ
マー単位1種以上とを構成単位として含んで成るポリマ
ー等が挙げられる。
[0093] (wherein, R 9 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogen atom, R 10 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group or a formyl group, R 11 Is a hydrogen atom,
Represents a lower alkyl group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group or a halogen atom, R 12 represents an alkylene group or a bond which may have a double bond, R 13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group, Aryl group,
Aliphatic heterocyclic group, aromatic heterocyclic group, halogen atom,
Alkyloxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, hydroxyalkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, acyloxy group, cyano group,
Represents a carboxyl group, a formyl group, an amino group, a sulfonic acid group, a carbamoyl group or a hydroxyl group. Note that R
10 and R 13 combine to form -CO-O-CO- or -CO-
NH-CO- may be formed. And the like, as a constituent unit.

【0094】一般式[1b]に於いて、R’で示される
ヒドロキシアルキル基としては、例えば下記一般式[2
a]で示されるものが挙げられる。
In the general formula [1b], examples of the hydroxyalkyl group represented by R ′ include the following general formula [2]
a].

【0095】[0095]

【化48】 Embedded image

【0096】(式中、R1'、R2'は夫々R1,R2に於け
る定義と同意義を有する。)
(Wherein R 1 ′ and R 2 ′ have the same meanings as defined for R 1 and R 2 , respectively)

【0097】R1'、R2'、R5'、R6'、R7'及びZ’の
具体例としては、夫々前記したR1、R2、R5、R6、R
7及びZに於けるそれと同様なものが挙げられる。
Specific examples of R 1 ′ , R 2 ′ , R 5 ′ , R 6 ′ , R 7 ′, and Z ′ are R 1 , R 2 , R 5 , R 6 , R
7 and similar ones in Z.

【0098】一般式[6a]に於いて、R9,R10及び
11で示される低級アルキル基としては、直鎖状でも分
枝状でもよく、例えば炭素数1〜6のアルキル基が挙げ
られ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル
基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、ter
t-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げられる。
9,R10,R11及びR13で示されるハロゲン原子と
しては、フッ素、塩素、臭素、沃素等が挙げられる。
In the general formula [6a], the lower alkyl group represented by R 9 , R 10 and R 11 may be linear or branched and includes, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Specifically, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, ter
t-butyl group, sec-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group And an isohexyl group.
Examples of the halogen atom represented by R 9 , R 10 , R 11 and R 13 include fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like.

【0099】R10,R11及びR13で示されるアルキルオ
キシカルボニル基としては、直鎖状でも分枝状でも或い
は環状でもよく、また、1〜3個の二重結合を有してい
てもよく、例えば炭素数2〜19のアルキルオキシカル
ボニル基が挙げられ、また、環状の場合の環は、単環で
も多環でもよく、例えば炭素数6〜14のものが挙げられ
る。アルキルオキシカルボニル基の具体例としては、メ
チルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、
プロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル
基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカル
ボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキ
シカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、オクタ
デシルオキシカルボニル基、エテニルオキシカルボニル
基、プロペニルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカ
ルボニル基、tert-ブチルオキシカルボニル基、2-エチ
ルヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシ
カルボニル基、トリシクロデカニルオキシカルボニル
基、アダマンチルオキシカルボニル基、ノルボルニルオ
キシカルボニル基、ビシクロ[3.2.1]オクテニルオキシ
カルボニル基、ビシクロ[2.2.2]オクチルオキシカルボ
ニル基、メンチルオキシカルボニル基、イソボルニルオ
キシカルボニル基等が挙げられる。
The alkyloxycarbonyl group represented by R 10 , R 11 and R 13 may be linear, branched or cyclic, and may have 1 to 3 double bonds. For example, an alkyloxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms may be mentioned. In the case of a cyclic ring, the ring may be monocyclic or polycyclic, and examples thereof include those having 6 to 14 carbon atoms. Specific examples of the alkyloxycarbonyl group include a methyloxycarbonyl group, an ethyloxycarbonyl group,
Propyloxycarbonyl, butyloxycarbonyl, pentyloxycarbonyl, hexyloxycarbonyl, heptyloxycarbonyl, octyloxycarbonyl, dodecyloxycarbonyl, octadecyloxycarbonyl, ethenyloxycarbonyl, propenyloxycarbonyl , Butenyloxycarbonyl group, tert-butyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, tricyclodecanyloxycarbonyl group, adamantyloxycarbonyl group, norbornyloxycarbonyl group, bicyclo [3.2. 1] octenyloxycarbonyl group, bicyclo [2.2.2] octyloxycarbonyl group, menthyloxycarbonyl group, isobornyloxycarbonyl group and the like. .

【0100】R13で示されるアルキル基としては、直鎖
状でも分枝状でも或いは環状でもよく、また、二重結合
を有していてもよく、例えば炭素数1〜20のアルキル
基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n-プ
ロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、イソ
ペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、3,3-
ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、1-メチルペ
ンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、
ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、シクロ
プロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エ
テニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基等が挙げら
れる。また、ハロアルキル基としては、例えば上記アル
キル基がハロゲン化(例えばフッ素化、塩素化、臭素
化、沃素化等。)された炭素数1〜20のハロアルキル
基が挙げられ、具体的にはクロロメチル基、ブロモメチ
ル基、トリフルオロメチル基、2-クロロエチル基、3-ク
ロロプロピル基、3-ブロモプロピル基、3,3,3-トリフル
オロプロピル基、2-パーフルオロオクチルエチル基、パ
ーフルオロオクチル基、1-クロロデシル基、1-クロロオ
クタデシル基等が挙げられる。
The alkyl group represented by R 13 may be linear, branched, or cyclic, and may have a double bond. Examples thereof include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Specifically, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl Group, 3,3-
Dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1-methylpentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group,
Dodecyl group, hexadecyl group, octadecyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, ethenyl group, propenyl group, butenyl group, pentenyl group,
Examples include a hexenyl group, a heptenyl group, and an octenyl group. Examples of the haloalkyl group include a haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms in which the above alkyl group is halogenated (for example, fluorinated, chlorinated, brominated, or iodinated). Group, bromomethyl group, trifluoromethyl group, 2-chloroethyl group, 3-chloropropyl group, 3-bromopropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2-perfluorooctylethyl group, perfluorooctyl group , 1-chlorodecyl group, 1-chlorooctadecyl group and the like.

【0101】アリール基としては、例えばフェニル基、
トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、4-
エチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-ビニルフ
ェニル基、4-クロロフェニル基等が挙げられる。脂肪族
ヘテロ環基としては、例えば5員環又は6員環の脂肪族
ヘテロ環基が好ましく、異性原子として1〜3個の例え
ば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含ん
でいるものが挙げられ、その具体例としては、例えばピ
ロリジル-2-オン基、ピペリジノ基、モルホリノ基等が
挙げられる。芳香族ヘテロ環基としては、例えば5員環
又は6員環の芳香族ヘテロ環基が好ましく、異性原子と
して1〜3個の例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等
のヘテロ原子を含んでいるものが挙げられ、その具体例
としては、例えばピリジル基、イミダゾリル基、チアゾ
リル基、フラニル基、ピラニル基等が挙げられる。
As the aryl group, for example, a phenyl group,
Tolyl, xylyl, naphthyl, anthryl, 4-
Examples include an ethylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a 4-vinylphenyl group, and a 4-chlorophenyl group. As the aliphatic heterocyclic group, for example, a 5-membered or 6-membered aliphatic heterocyclic group is preferable, and contains 1 to 3 hetero atoms such as a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom as isomer atoms. And specific examples thereof include, for example, a pyrrolidyl-2-one group, a piperidino group, a morpholino group and the like. As the aromatic heterocyclic group, for example, a 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic group is preferable, and contains 1 to 3 hetero atoms such as a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom as isomer atoms. And specific examples thereof include a pyridyl group, an imidazolyl group, a thiazolyl group, a furanyl group, and a pyranyl group.

【0102】アラルキルオキシカルボニル基としては、
例えば炭素数8〜20のアラルキルオキシカルボニル基
が挙げられ、具体的にはベンジルオキシカルボニル基、
フェネチルオキシカルボニル基等が挙げられる。アシル
オキシ基としては、カルボン酸由来の例えば炭素数2〜
18のアシルオキシ基が好ましく、具体的にはアセチル
オキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、
ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ヘプタ
ノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ラウロイルオ
キシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等
が挙げられる。
As the aralkyloxycarbonyl group,
For example, an aralkyloxycarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms may be mentioned, and specifically, a benzyloxycarbonyl group,
And a phenethyloxycarbonyl group. As the acyloxy group, for example, a group having 2 to 2 carbon atoms derived from a carboxylic acid
Preferred are acyloxy groups of 18, specifically, acetyloxy, propionyloxy, butyryloxy,
Examples include a pentanoyloxy group, a hexanoyloxy group, a heptanoyloxy group, an octanoyloxy group, a lauroyloxy group, a stearoyloxy group, and a benzoyloxy group.

【0103】ヒドロキシアルキルオキシカルボニル基と
しては、上記したアルキルオキシカルボニル基の水素原
子がヒドロキシル基に置換された炭素数2〜18のヒド
ロキシアルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具体的
にはヒドロキシメチルオキシカルボニル基、ヒドロキシ
エチルオキシカルボニル基、ヒドロキシプロピルオキシ
カルボニル基、ヒドロキシブチルオキシカルボニル基、
ヒドロキシペンチルオキシカルボニル基、ヒドロキシヘ
キシルオキシカルボニル基、ヒドロキシヘプチルオキシ
カルボニル基、ヒドロキシオクチルオキシカルボニル
基、ヒドロキシドデシルオキシカルボニル基、ヒドロキ
シオクタデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。ア
リールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数7〜
15のアリールオキシカルボニル基が好ましく、具体的
にはフェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカル
ボニル基等が挙げられる。
Examples of the hydroxyalkyloxycarbonyl group include a hydroxyalkyloxycarbonyl group having 2 to 18 carbon atoms in which a hydrogen atom of the above-described alkyloxycarbonyl group is substituted with a hydroxyl group. Group, hydroxyethyloxycarbonyl group, hydroxypropyloxycarbonyl group, hydroxybutyloxycarbonyl group,
Examples include a hydroxypentyloxycarbonyl group, a hydroxyhexyloxycarbonyl group, a hydroxyheptyloxycarbonyl group, a hydroxyoctyloxycarbonyl group, a hydroxydodecyloxycarbonyl group, and a hydroxyoctadecyloxycarbonyl group. Examples of the aryloxycarbonyl group include, for example, those having 7 to
15 aryloxycarbonyl groups are preferred, and specific examples include a phenyloxycarbonyl group and a naphthyloxycarbonyl group.

【0104】R12で示される二重結合を有していてもよ
いアルキレン基としては、直鎖状でも分枝状でもよく、
例えば炭素数1〜10のアルキレン基が挙げられ、ま
た、二重結合を有している場合は、該アルキレン基の鎖
中の任意の位置に二重結合を1個以上、好ましくは1〜
5個、より好ましくは1〜3個有しているものが挙げら
れ、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、2-メチルプロピレン基、ペンチレン
基、2,2-ジメチルプロピレン基、2-エチルプロピレン
基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エ
チルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、エテニレ
ン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン
基、ヘキセニレン基、ブタジエニレン基等が挙げられ
る。
The alkylene group optionally having a double bond represented by R 12 may be linear or branched,
For example, an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms may be mentioned, and when the alkylene group has a double bond, one or more double bonds, preferably 1 to 2 at any position in the chain of the alkylene group.
Those having 5 or more preferably 1 to 3 are mentioned, and specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, 2-methylpropylene group, pentylene group, 2,2-dimethylpropylene Group, 2-ethylpropylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, 2-ethylhexylene group, nonylene group, decylene group, ethenylene group, propenylene group, butenylene group, pentenylene group, hexenylene group, butadienylene group, and the like. Can be

【0105】一般式[6a]で示されるモノマー単位
は、一般式[6]
The monomer unit represented by the general formula [6a] is represented by the general formula [6]

【0106】[0106]

【化49】 Embedded image

【0107】(式中、R9〜R13は前記に同じ。)で示
されるモノマーから誘導されるものである。該モノマー
の具体例としては、例えばスチレン,4-メチルスチレ
ン,4-エチルスチレン,4-メトキシスチレン,ジビニル
ベンゼン等の炭素数8〜20のエチレン性不飽和芳香族炭
化水素類、例えばギ酸ビニル,酢酸ビニル,プロピオン
酸ビニル,酢酸イソプロペニル等の炭素数3〜20のアル
ケニルエステル類、例えば塩化ビニル,塩化ビニリデ
ン,フッ化ビニリデン,テトラフルオロエチレン,テト
ラクロロエチレン等の炭素数2〜20の含ハロゲンエチレ
ン性不飽和化合物類、例えばアクリル酸,メタクリル
酸,イタコン酸,マレイン酸,フマル酸,クロトン酸,
シトラコン酸,メサコン酸,ビニル酢酸,アリル酢酸,
ビニル安息香酸等の炭素数3〜20のエチレン性不飽和カ
ルボン酸類(これら酸類は、例えばナトリウム,カリウ
ム等のアルカリ金属塩やアンモニウム塩等、塩の形にな
っているものでもよい。)、例えばメタクリル酸メチ
ル,メタクリル酸エチル,メタクリル酸プロピル,メタ
クリル酸ブチル,メタクリル酸2-エチルヘキシル,メタ
クリル酸ラウリル,メタクリル酸ステアリル,メタクリ
ル酸ビニル,メタクリル酸アリル,メタクリル酸フェニ
ル,メタクリル酸ベンジル,メタクリル酸アダマンチ
ル,メタクリル酸トリシクロデカニル,メタクリル酸メ
ンチル,メタクリル酸ノルボルニル,メタクリル酸イソ
ボルニル,アクリル酸メチル,アクリル酸エチル,アク
リル酸ブチル,アクリル酸2-エチルヘキシル,アクリル
酸ラウリル,アクリル酸ステアリル,アクリル酸ビニ
ル,アクリル酸アダマンチル,アクリル酸トリシクロデ
カニル,アクリル酸メンチル,アクリル酸ノルボルニ
ル,アクリル酸イソボルニル,イタコン酸ジメチル,イ
タコン酸ジエチル,マレイン酸ジメチル,マレイン酸ジ
エチル,フマル酸ジメチル,フマル酸ジエチル,クロト
ン酸メチル,クロトン酸エチル,クロトン酸ビニル,シ
トラコン酸ジメチル,シトラコン酸ジエチル,メサコン
酸ジメチル,メサコン酸ジエチル,3-ブテン酸メチル,
メタクリル酸2-ヒドロキシエチル,メタクリル酸3-ヒド
ロキシプロピル,メタクリル酸2-ヒドロキシプロピル,
アクリル酸2-ヒドロキシエチル,アクリル酸3-ヒドロキ
シプロピル,アクリル酸2-ヒドロキシプロピル等の炭素
数4〜20のエチレン性不飽和カルボン酸エステル類、例
えばアクリロニトリル,メタクリロニトリル,シアン化
アリル等の炭素数3〜20の含シアノエチレン性不飽和化
合物類、例えばアクリルアミド,メタクリルアミド,マ
レイミド等の炭素数3〜20のエチレン性不飽和アミド化
合物類、例えばアクロレイン,クロトンアルデヒド等の
炭素数3〜20のエチレン性不飽和アルデヒド類、例えば
ビニルスルホン酸,4-ビニルベンゼンスルホン酸等の炭
素数2〜20のエチレン性不飽和スルホン酸類(これら酸
類は、例えばナトリウム,カリウム等のアルカリ金属塩
等、塩の形になっているものでもよい。)、例えばビニ
ルアミン,アリルアミン等の炭素数2〜20のエチレン性
不飽和脂肪族アミン類、例えばビニルアニリン等の炭素
数8〜20のエチレン性不飽和芳香族アミン類、例えばN
-ビニルピロリドン,ビニルピペリジン等の炭素数5〜2
0のエチレン性不飽和脂肪族ヘテロ環状アミン類、例え
ばビニルピリジン,1-ビニルイミダゾール等の炭素数5
〜20のエチレン性不飽和芳香族ヘテロ環状アミン類、例
えばアリルアルコール,クロチルアルコール等の炭素数
3〜20のエチレン性不飽和アルコール類、例えば4-ビニ
ルフェノール等の炭素数8〜20のエチレン性不飽和フェ
ノール類、例えばブタジエン,イソプレン等の炭素数4
〜20のジエン系化合物類等が挙げられる。
(Wherein, R 9 to R 13 are the same as described above). Specific examples of the monomer include ethylenically unsaturated aromatic hydrocarbons having 8 to 20 carbon atoms such as styrene, 4-methylstyrene, 4-ethylstyrene, 4-methoxystyrene and divinylbenzene, for example, vinyl formate, C3-C20 alkenyl esters such as vinyl acetate, vinyl propionate, and isopropenyl acetate; for example, halogen-containing ethylenic compounds having 2 to 20 carbon atoms such as vinyl chloride, vinylidene chloride, vinylidene fluoride, tetrafluoroethylene, and tetrachloroethylene; Unsaturated compounds such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid,
Citraconic acid, mesaconic acid, vinyl acetic acid, allyl acetic acid,
C3-20 ethylenically unsaturated carboxylic acids such as vinylbenzoic acid (these acids may be in the form of a salt such as an alkali metal salt such as sodium or potassium or an ammonium salt), for example. Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, lauryl methacrylate, stearyl methacrylate, vinyl methacrylate, allyl methacrylate, phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, adamantyl methacrylate, Tricyclodecanyl methacrylate, menthyl methacrylate, norbornyl methacrylate, isobornyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, lauryl acrylate, acrylic acid Tearyl, vinyl acrylate, adamantyl acrylate, tricyclodecanyl acrylate, menthyl acrylate, norbornyl acrylate, isobornyl acrylate, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dimethyl maleate, diethyl maleate, dimethyl fumarate, fumarate Diethyl citrate, methyl crotonate, ethyl crotonate, vinyl crotonate, dimethyl citraconic acid, diethyl citrate, dimethyl mesaconate, diethyl mesaconate, methyl 3-butenoate,
2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate,
C4-20 ethylenically unsaturated carboxylic esters such as 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate and 2-hydroxypropyl acrylate, for example carbons such as acrylonitrile, methacrylonitrile, allyl cyanide A cyanoethylenically unsaturated compound having 3 to 20 carbon atoms such as acrylamide, methacrylamide and maleimide; and a C3 to 20 ethylenically unsaturated amide compound such as acrolein and crotonaldehyde. Ethylenically unsaturated aldehydes, for example, ethylenically unsaturated sulfonic acids having 2 to 20 carbon atoms such as vinyl sulfonic acid and 4-vinylbenzene sulfonic acid (these acids include salts of salts such as alkali metal salts such as sodium and potassium). It may be in the form of a form.), For example, vinylamine, allylamine Of carbon atoms 2-20 ethylenically unsaturated aliphatic amines, for example, ethylenically unsaturated aromatic amines having 8 to 20 carbon atoms such as vinyl aniline, for example N
5-5-2 carbon atoms such as vinylpyrrolidone and vinylpiperidine
0 ethylenically unsaturated aliphatic heterocyclic amines such as vinylpyridine, 1-vinylimidazole, etc.
To 20 ethylenically unsaturated aromatic heterocyclic amines such as allyl alcohol and crotyl alcohol; and C3 to C20 ethylenically unsaturated alcohols; and C8 to C20 ethylene such as 4-vinylphenol. C4 of unsaturated unsaturated phenols such as butadiene and isoprene
To 20 diene compounds.

【0108】尚、本発明のポリマーをレジスト材料とし
て使用する場合、一般式[1a]と一般式[1b]とを
構成単位として成るコポリマーであって、一般式[1
b]で示されるその他のモノマー単位のR5'、R6'、R
7'及びZ’が夫々一般式[1a]に於けるR5,R6,R
7及びZと同じである2元コポリマー、及び一般式[1
a]、[1b]及び[6a]を構成単位として成るコポ
リマーであって、一般式[1b]で示されるその他のモ
ノマー単位のR5'、R6'、R7'及びZ’が夫々一般式
[1a]に於けるR5,R6,R7及びZと同じであり、
且つ一般式[6a]で示されるモノマー単位1種又は2
種を含む3元又は4元のコポリマーが特に好ましい。
When the polymer of the present invention is used as a resist material, it is a copolymer having the general formula [1a] and the general formula [1b] as structural units, and the general formula [1]
b] other monomer units represented by R 5 ′ , R 6 ′ and R
7 ′ and Z ′ are respectively R 5 , R 6 and R in the general formula [1a].
Binary copolymers identical to 7 and Z, and the general formula [1
a], [1b] and [6a] as constituent units, wherein R 5 ′ , R 6 ′ , R 7 ′ and Z ′ of other monomer units represented by the general formula [1b] are each a general unit The same as R 5 , R 6 , R 7 and Z in the formula [1a],
And one or two monomer units represented by the general formula [6a]:
Particularly preferred are tertiary or quaternary copolymers containing species.

【0109】尚、本発明のポリマーをArF用レジスト
材料として用いる場合には、本発明のモノマーと組み合
わせて重合する本発明のモノマー以外のモノマーは芳香
族基を含まないものが好ましい。本発明のポリマーの具
体例としては、例えば下記に示すセグメントの組み合わ
せを有するポリマー等が挙げられる。
When the polymer of the present invention is used as a resist material for ArF, monomers other than the monomer of the present invention which are polymerized in combination with the monomer of the present invention preferably do not contain an aromatic group. Specific examples of the polymer of the present invention include, for example, polymers having the following combinations of segments.

【0110】[0110]

【化50】 Embedded image

【0111】[0111]

【化51】 Embedded image

【0112】[0112]

【化52】 Embedded image

【0113】[0113]

【化53】 Embedded image

【0114】[0114]

【化54】 Embedded image

【0115】[0115]

【化55】 Embedded image

【0116】[0116]

【化56】 Embedded image

【0117】[0117]

【化57】 Embedded image

【0118】[0118]

【化58】 Embedded image

【0119】[0119]

【化59】 Embedded image

【0120】[0120]

【化60】 Embedded image

【0121】[0121]

【化61】 Embedded image

【0122】[0122]

【化62】 Embedded image

【0123】[0123]

【化63】 Embedded image

【0124】[0124]

【化64】 Embedded image

【0125】本発明のポリマーは、例えば下記(a)及
び(b)に示す何れかの方法によりに得ることができ
る。
The polymer of the present invention can be obtained, for example, by any of the following methods (a) and (b).

【0126】(a)方法−1 本発明のモノマーと、要すればその他のモノマーとを適
当な溶媒中、触媒量のラジカル重合開始剤の存在下、要
すれば不活性ガス雰囲気下で、20〜150℃で0.5〜20時間
常法に従って重合反応を行う。反応後は高分子取得法の
常法に従って後処理を行うことにより、一般式[1a]
で示されるモノマー単位を構成単位として含んで成る目
的のポリマーを得ることができる。
(A) Method-1 The monomer of the present invention and, if necessary, another monomer are dissolved in an appropriate solvent in the presence of a catalytic amount of a radical polymerization initiator, and optionally under an inert gas atmosphere. The polymerization reaction is carried out at -150 ° C for 0.5-20 hours according to a conventional method. After the reaction, a post-treatment is carried out according to a conventional method for obtaining a polymer to obtain a compound represented by the general formula [1a]:
Can be obtained as a target polymer comprising the monomer unit represented by the formula (1) as a constitutional unit.

【0127】ラジカル重合開始剤としては、例えばアゾ
ビスイソブチロニトリル,2,2'-アゾビス(2,4-ジメチル
バレロニトリル),2,2'-アゾビス(2-メチルプロピオン
酸メチル),2,2'-アゾビス(2-メチルブチロニトリル),
2,2'-アゾビス(2,4-ジメチル-4-メトキシバレロニトリ
ル)等のアゾ系重合開始剤、例えばラウロイルパーオキ
シド,ベンゾイルパーオキシド,ビス(4-tert-ブチルシ
クロヘキシル)パーオキシジカーボネート,tert-ブチル
パーオキシ-2-エチルヘキサノエート等の過酸化物系重
合開始剤等が挙げられる。
Examples of the radical polymerization initiator include azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate), , 2'-azobis (2-methylbutyronitrile),
Azo-based polymerization initiators such as 2,2'-azobis (2,4-dimethyl-4-methoxyvaleronitrile) such as lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, bis (4-tert-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, Peroxide-based polymerization initiators such as tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate and the like can be mentioned.

【0128】反応溶媒としては、例えばベンゼン,トル
エン,キシレン等の炭化水素類、例えば酢酸エチル,酢
酸n-ブチル等のエステル類、例えばエチルエーテル,
1,2-ジメトキシエタン,テトラヒドロフラン,1,4-ジオ
キサン,1,3-ジオキソラン等のエーテル類、例えばエタ
ノール,n-プロパノール,イソプロパノール,n-ブタノ
ール,sec-ブタノール,イソブタノール,tert-ブタノ
ール等のアルコール類、例えばメチルエチルケトン,メ
チルイソブチルケトン等のケトン類等の有機溶剤が挙げ
られる。また、重合反応を不活性ガス雰囲気下で行う場
合に用いられる、不活性ガスとしては、例えば窒素ガ
ス、アルゴンガス等が挙げられる。
Examples of the reaction solvent include hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene; esters such as ethyl acetate and n-butyl acetate;
Ethers such as 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, for example, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, isobutanol, tert-butanol, etc. Organic solvents such as alcohols, for example, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone. The inert gas used when the polymerization reaction is carried out in an inert gas atmosphere includes, for example, nitrogen gas, argon gas and the like.

【0129】(b)方法−2 本発明のモノマーと要すればその他のモノマーとを適当
な有機溶剤中、触媒量の有機金属触媒の存在下、要すれ
ば不活性ガス雰囲気下で、−78〜0℃で0.5〜20時間常
法に従って重合反応を行う。反応後は高分子取得法の常
法に従って後処理を行うことにより、一般式[1a]で
示されるモノマー単位を構成単位として含んで成る目的
のポリマーを得ることができる。
(B) Method-2 The monomer of the present invention and, if necessary, another monomer are prepared in a suitable organic solvent in the presence of a catalytic amount of an organometallic catalyst, optionally under an inert gas atmosphere. The polymerization reaction is carried out at 〜0 ° C. for 0.5 to 20 hours according to a conventional method. After the reaction, post-treatment is carried out in accordance with a conventional method for obtaining a polymer, whereby a target polymer comprising a monomer unit represented by the general formula [1a] as a constituent unit can be obtained.

【0130】有機金属触媒としては、例えばn-ブチルリ
チウム,sec-ブチルリチウム,tert-ブチルリチウム,
ナフタレンナトリウム,ナフタレンカリウム,クミルカ
リウム等の有機アルカリ金属化合物等が挙げられる。
As the organometallic catalyst, for example, n-butyllithium, sec-butyllithium, tert-butyllithium,
Organic alkali metal compounds such as naphthalene sodium, naphthalene potassium, cumyl potassium and the like can be mentioned.

【0131】有機溶剤としては、例えばエチルエーテ
ル,1,2-ジメトキシエタン,テトラヒドロフラン,1,4-
ジオキサン,1,3-ジオキソラン等のエーテル類、例えば
メチルエチルケトン,メチルイソブチルケトン,アセト
ン等のケトン類、例えば酢酸エチル,酢酸n-ブチル等
のエステル類、例えばベンゼン,トルエン,キシレン等
の炭化水素類等が挙げられ、これら有機溶剤は乾燥した
ものを用いることが好ましい。また、重合反応を不活性
ガス雰囲気下で行う場合に用いられる、不活性ガスとし
ては、例えば窒素ガス、アルゴンガス等が挙げられる。
As the organic solvent, for example, ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran, 1,4-
Ethers such as dioxane and 1,3-dioxolane, for example, ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and acetone, esters such as ethyl acetate and n-butyl acetate, and hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene These organic solvents are preferably used after drying. The inert gas used when the polymerization reaction is carried out in an inert gas atmosphere includes, for example, nitrogen gas, argon gas and the like.

【0132】本発明のモノマー及びその他のモノマーの
重合反応時の濃度は、方法−1及び方法−2何れの場合
も、両者の合計が、溶媒に対して通常5〜95重量%、好
ましくは10〜90重量%である。
The concentration of the monomer of the present invention and the other monomers during the polymerization reaction is usually 5 to 95% by weight, preferably 10 to 10% by weight, based on the solvent in both methods 1 and 2. ~ 90% by weight.

【0133】本発明に係る、一般式[1a]で示される
モノマー単位を構成単位として含んで成るポリマーの分
子量は、特に限定されないが、重量平均分子量として通
常1,000〜300,000、好ましくは3,000〜50,000、より好
ましくは5,000〜30,000のものが挙げられる。また、そ
の重合度は、特に限定されないが通常3〜1500、好まし
くは6〜250である。
The molecular weight of the polymer according to the present invention comprising the monomer unit represented by the general formula [1a] as a constitutional unit is not particularly limited, but is usually 1,000 to 300,000, preferably 3,000 to 50,000 as a weight average molecular weight. More preferably, 5,000 to 30,000 are mentioned. The degree of polymerization is not particularly limited, but is usually 3 to 1500, preferably 6 to 250.

【0134】本発明のモノマーとその他のモノマーとを
重合反応させることにより得られる本発明のポリマーに
於いて、本発明の一般式[1a]で示されるモノマー単
位とその他のモノマー単位との構成比は、特に限定され
るものではないが、得られたポリマーをレジスト材料と
して使用する場合には、一般式[1a]及び[1b]で
示されるモノマー単位1種ずつから成る2元コポリマー
では、一般式[1a]で示されるモノマー単位の占める
割合が10〜95モル%好ましくは20〜80モル%で
あり、一般式[1a]、[1b]及び[6a]で示され
るモノマー単位各1種以上から成る3元又は4元のコポ
リマーでは、一般式[1a]で示されるモノマー単位と
一般式[6a]で示されるモノマー単位との合計が全体
の10〜95モル%、好ましくは20〜70モル%であ
り、且つ一般式[6a]で示されるモノマー単位の占め
る割合が全体の1〜25モル%、好ましくは2〜20モ
ル%である。
In the polymer of the present invention obtained by subjecting the monomer of the present invention to a polymerization reaction with another monomer, the constitutional ratio of the monomer unit represented by the general formula [1a] of the present invention to the other monomer units Is not particularly limited, but when the obtained polymer is used as a resist material, a binary copolymer composed of one monomer unit represented by each of the general formulas [1a] and [1b] is generally used. The proportion of the monomer unit represented by the formula [1a] is 10 to 95 mol%, preferably 20 to 80 mol%, and at least one monomer unit represented by the general formulas [1a], [1b] and [6a] In the ternary or quaternary copolymer consisting of: the total of the monomer units represented by the general formula [1a] and the monomer units represented by the general formula [6a] is 10 to 95 mol , Preferably from 20 to 70 mol%, and the general formula [6a] 1 to 25 mol% of the total proportion of the monomer unit represented by, preferably from 2 to 20 mol%.

【0135】このようにして得られた本発明のポリマー
は、分子内に例えば一般式[2]又は[3]で示される
保護されたヒドロキシアルキル基を有することが特徴で
ある。
The polymer of the present invention thus obtained is characterized by having a protected hydroxyalkyl group represented by, for example, the general formula [2] or [3] in the molecule.

【0136】即ち、本発明のポリマーをレジスト材料と
して用いた場合には、該ポリマー中の一般式[2]又は
[3]で示される、保護されたヒドロキシアルキル基の
保護基が、露光により発生した酸によって脱保護される
ことにより、従来用いられてきたノボラック樹脂やフェ
ノール樹脂の可溶性基であるフェノール性水酸基と同等
のpKa(12〜13)を示す基となる。従って、一般式
[2]又は[3]で示される、保護されたヒドロキシア
ルキル基を有する本発明のポリマーを使用することによ
り、露光後の現像処理に於いて既存のアルカリ現像液で
ある2.38%TMAH水溶液が使用することができ、アル
カリ現像時における溶解速度の制御が容易で、且つ溶解
特性の優れたレジスト材料を提供することが可能となっ
た。
That is, when the polymer of the present invention is used as a resist material, the protected hydroxyalkyl group-protecting group represented by the general formula [2] or [3] in the polymer is generated by exposure. by being deprotected by the acid, a group represented by a soluble group conventionally used novolac resins and phenolic resins a phenolic hydroxyl group equivalent pK a (12~13). Therefore, by using the polymer of the present invention having a protected hydroxyalkyl group represented by the general formula [2] or [3], 2.38% of the existing alkali developing solution in the post-exposure development processing can be obtained. A TMAH aqueous solution can be used, and it is possible to provide a resist material which can easily control the dissolution rate during alkali development and has excellent dissolution characteristics.

【0137】前記本発明のポリマーと、露光により酸を
発生する感光性化合物と、これらを溶解することができ
る溶剤とを含んで成るレジスト組成物は次世代露光技術
として有力なArFエキシマレーザ用レジスト材料とし
て極めて有効である。
A resist composition comprising the polymer of the present invention, a photosensitive compound capable of generating an acid upon exposure, and a solvent capable of dissolving them, is a resist for ArF excimer laser, which is a promising next-generation exposure technique. It is extremely effective as a material.

【0138】本発明のポリマーをレジスト組成物として
用いる場合に、これと組み合わせて用いる露光により酸
を発生する感光性化合物(以下、酸発生剤と略記す
る。)としては、レジストパターン形成に悪影響を及ぼ
さないものであればよいが、中でも193nm付近の光透過
性が良好でレジスト組成物の高透明性を維持出来るか、
又は露光により193nm付近の光透過性が高められレジス
ト組成物の高透明性を維持出来る酸発生剤がより好まし
い。
When the polymer of the present invention is used as a resist composition, a photosensitive compound which generates an acid upon exposure to light (hereinafter abbreviated as an acid generator) used in combination with the resist composition has an adverse effect on resist pattern formation. As long as it does not affect, it can maintain the high transparency of the resist composition with good light transmittance around 193 nm,
Alternatively, an acid generator capable of increasing light transmittance around 193 nm by exposure and maintaining high transparency of the resist composition is more preferable.

【0139】この様な本発明に於いて特に好ましい酸発
生剤としては、例えば市販のトリメチルスルホニウム・
トリフルオロメタンスルホネート,トリフェニルスルホ
ニウム・トリフルオロメタンスルホネート,シクロヘキ
シルメチル(2-オキソシクロヘキシル)スルホニウム・ト
リフルオロメタンスルホネート,シクロペンチルメチル
(2-オキソシクロヘキシル)スルホニウム・トリフルオロ
メタンスルホネート,2-オキソシクロヘキシルメチル(2
-ノルボルニル)スルホニウム・トリフルオロメタンスル
ホネート等のスルホニウム塩類、トリフルオロメチルス
ルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エ
ン-2,3-ジカルボキシイミド,トリフルオロメチルスル
ホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-カル
ボキシイミド,トリフルオロメチルスルホニルオキシス
クシンイミド等のスルホン酸イミド化合物類、1-シクロ
ヘキシルスルホニル-1-(1,1-ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン,ビス(1,1-ジメチルエチルスルホニ
ル)ジアゾメタン,ビス(1-メチルエチルスルホニル)ジ
アゾメタン,ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメ
タン,ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン,ビ
ス(tert-ブチルスルホニル)ジアゾメタン,tert-ブチル
スルホニルメチルスルホニルジアゾメタン,シクロヘキ
シルスルホニルエチルスルホニルジアゾメタン等のジア
ゾジスルホン化合物類等が挙げられる。
Particularly preferred acid generators in the present invention include, for example, commercially available trimethylsulfonium.
Trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclopentylmethyl
(2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-oxocyclohexylmethyl (2
-Norbornyl) sulfonium salts such as sulfonium / trifluoromethanesulfonate, trifluoromethylsulfonyloxy-7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2 .1] Sulfonimide compounds such as hept-5-ene-2,3-carboximide, trifluoromethylsulfonyloxysuccinimide, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis ( 1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1-methylethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, tert-butylsulfonylmethylsulfonyldiazomethane , Cyclohe Diazodisulfone compounds such sill sulfonyl ethylsulfonyl diazomethane.

【0140】また、本発明のポリマーをレジスト組成物
として使用する場合に用いられる溶剤としては、本発明
のポリマーと酸発生剤とを溶解可能なものであればよい
が、通常は成膜性が良好で、且つ190〜400nm付近に吸収
を有しないものがより好ましく挙げられる。具体的には
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸2-エトキシエチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3-メトキシ
プロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、
N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミ
ド、N-メチル-2-ピロリドン、シクロヘキサノン、メチ
ルエチルケトン、2-ヘプタノン、1,4-ジオキサン、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、エチレングリコールモノイソ
プロピルエーテル等が挙げられる。
The solvent used when the polymer of the present invention is used as a resist composition may be any solvent that can dissolve the polymer of the present invention and an acid generator. Those which are good and do not have absorption around 190 to 400 nm are more preferable. Specifically, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, 2-ethoxyethyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and 3-methoxypropionic acid Methyl, ethyl 3-methoxypropionate,
N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, 2-heptanone, 1,4-dioxane, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, etc. No.

【0141】本発明のポリマーを含んで成るレジスト組
成物は、通常前記の3成分(本発明のポリマー、酸発生
剤及び溶剤)を主たる構成成分とするが、必要に応じて
紫外線吸収剤を添加してもよい。紫外線吸収剤の具体例
としては、9-ジアゾフルオレン及びその誘導体、1-ジア
ゾ-2-テトラロン、2-ジアゾ-1-テトラロン、9-ジアゾ-1
0-フェナントロン、ベンゾフェノン、9-(2-メトキシエ
トキシ)メチルアントラセン、9-(2-エトキシエトキシ)
メチルアントラセン、9-(4-メトキシブトキシ)メチルア
ントラセン、酢酸9-アントラセンメチル等が挙げられ
る。
The resist composition containing the polymer of the present invention usually comprises the above three components (the polymer of the present invention, an acid generator and a solvent) as main components, and if necessary, an ultraviolet absorber may be added. May be. Specific examples of the ultraviolet absorber, 9-diazofluorene and its derivatives, 1-diazo-2-tetralone, 2-diazo-1-tetralone, 9-diazo-1
0-phenanthrone, benzophenone, 9- (2-methoxyethoxy) methylanthracene, 9- (2-ethoxyethoxy)
Methylanthracene, 9- (4-methoxybutoxy) methylanthracene, 9-anthracenemethyl acetate and the like can be mentioned.

【0142】更にまた、通常この分野で使用される感度
調製剤、可塑剤、有機酸及び界面活性剤等を必要に応じ
1種以上本発明のポリマーを含んで成るレジスト組成物
に添加してもよい。感度調整剤としては、例えば、ポリ
ビニルピリジン、ポリ(ビニルピリジン/メタクリル酸
メチル)、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、
トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリオ
クチルアミン、トリベンジルアミン、ジシクロヘキシル
アミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキ
シド、N-メチル-2-ピロリドン等が挙げられる。
Further, a sensitivity adjuster, a plasticizer, an organic acid, a surfactant and the like usually used in this field may be added to a resist composition containing at least one polymer of the present invention, if necessary. Good. Examples of the sensitivity adjuster include polyvinylpyridine, poly (vinylpyridine / methyl methacrylate), pyridine, piperidine, triethylamine,
Tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, trioctylamine, tribenzylamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, N- Methyl-2-pyrrolidone and the like.

【0143】可塑剤としては、例えば、フタル酸ジエチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジプロピル等が挙げら
れる。有機酸としては、例えば、サリチル酸、乳酸、2-
ヒドロキシナフタレン-3-カルボン酸、2-ニトロ安息香
酸、フタル酸、コハク酸、マロン酸等が挙げられる。
Examples of the plasticizer include diethyl phthalate, dibutyl phthalate, dipropyl phthalate and the like. Organic acids include, for example, salicylic acid, lactic acid, 2-
Examples thereof include hydroxynaphthalene-3-carboxylic acid, 2-nitrobenzoic acid, phthalic acid, succinic acid, and malonic acid.

【0144】界面活性剤としては、例えば、市販の各種
ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオ
ン系界面活性剤や各種フッ素系界面活性剤{例えば、フ
ロラード(住友3M(株)商品名)、エフトップ(トーケ
ムプロダクツ(株)商品名)、サーフロン(旭硝子(株)商
品名)、フタージェント(ネオス(株)商品名)、メガフ
ァック(大日本インキ(株)商品名)、ユニダイン(ダイ
キン工業(株)商品名)等の商品名で市販されている。}
等が挙げられる。
Examples of the surfactant include commercially available various nonionic surfactants, cationic surfactants, anionic surfactants, and various fluorine surfactants. For example, Florard (trade name of Sumitomo 3M Co., Ltd.) ), F-Top (trade name of Tochem Products Co., Ltd.), Surflon (trade name of Asahi Glass Co., Ltd.), Fentgent (trade name of Neos Co., Ltd.), Megafac (trade name of Dai Nippon Ink Co., Ltd.), Unidyne (Daikin Industries, Ltd.). }
And the like.

【0145】本発明のポリマーを含むレジスト組成物を
用いたパターン形成は、例えば以下のように行われる。
即ち、本発明のポリマーを含んで成るレジスト組成物
を、例えばシリコンウェハー等の半導体基板上に厚みが
0.3〜2.0μm程度となるように塗布(3層の上層として
用いる場合には0.1〜0.5μm程度)し、これをオーブン
中、70〜130℃で10〜30分間、若しくはホットプレート
上、60〜150℃、好ましくは60〜110℃で60〜180秒間プ
リベークする。
The pattern formation using the resist composition containing the polymer of the present invention is performed, for example, as follows.
That is, a resist composition containing the polymer of the present invention is applied on a semiconductor substrate such as a silicon wafer, for example, with a thickness of
It is applied so as to have a thickness of about 0.3 to 2.0 μm (about 0.1 to 0.5 μm when it is used as an upper layer of three layers), and this is placed in an oven at 70 to 130 ° C. for 10 to 30 minutes, or on a hot plate for 60 to Prebake at 150 ° C, preferably 60-110 ° C for 60-180 seconds.

【0146】次いで、目的のパターンを形成するための
マスクを上記の如くして得たレジスト膜上にかざし、例
えば220nm以下の遠紫外光を露光量1〜100mJ/cm2程度
となるように照射した後、ホットプレート上で60〜150
℃、好ましくは60〜110℃で60〜180秒間ベークする。更
に、0.1〜5%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(TMAH)水溶液等の現像液を用い、0.5〜3分程度、浸
漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレー(spray)
法等の常法により現像する。この一連の操作により、基
板上に目的のパターンを形成することができる。
Next, a mask for forming a target pattern is held over the resist film obtained as described above, and a deep ultraviolet ray of, for example, 220 nm or less is irradiated so as to have an exposure amount of about 1 to 100 mJ / cm 2. And then 60-150 on hot plate
Bake at 60 ° C, preferably 60-110 ° C for 60-180 seconds. Further, using a developing solution such as a 0.1-5% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), for about 0.5-3 minutes, dipping method, puddle method, spraying
Develop by a conventional method such as a method. Through this series of operations, a target pattern can be formed on the substrate.

【0147】レジスト組成物に於ける、本発明のポリマ
ーと酸発生剤との混合比は、ポリマー100重量部に対し
て酸発生剤が1〜30重量部、好ましくは1〜20重量部で
ある。 また、本発明に係るレジスト組成物中の溶剤の
量は、本発明のポリマーと酸発生剤とを溶解した結果得
られるポジ型レジスト材料を基板上に塗布する際に支障
をきたさない量であればよいが、ポリマー1重量に対し
て通常1〜20重量、好ましくは1.5〜10重量である。
The mixing ratio of the polymer of the present invention to the acid generator in the resist composition is 1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer. . Further, the amount of the solvent in the resist composition according to the present invention is an amount that does not hinder the application of a positive resist material obtained as a result of dissolving the polymer of the present invention and the acid generator onto a substrate. The amount is usually 1 to 20 weight, preferably 1.5 to 10 weight per 1 weight of the polymer.

【0148】上記した如き各種現像液を用いるパターン
形成方法に於いて用いられる現像液としては、レジスト
材料の溶解性に応じて、露光部と未露光部との溶解度差
を大きくさせ得る様な適当な濃度のアルカリ水溶液が挙
げられ、その濃度は通常0.01〜20%である。上記アルカ
リ水溶液としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド(TMAH),テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド,テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド,テ
トラブチルアンモニウムヒドロキシド,コリン,トリエ
タノールアミン,モルホリン,1-メチルモルホリン等の
有機アミン類、例えば水酸化ナトリウム,水酸化カリウ
ム等の無機アルカリ化合物類等を含む水溶液が挙げられ
る。
As the developing solution used in the pattern forming method using various developing solutions as described above, an appropriate developing solution which can increase the difference in solubility between exposed and unexposed portions according to the solubility of the resist material. An alkaline aqueous solution having a suitable concentration is mentioned, and the concentration is usually 0.01 to 20%. Examples of the alkaline aqueous solution include organic amines such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, choline, triethanolamine, morpholine, and 1-methylmorpholine. For example, an aqueous solution containing an inorganic alkali compound such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or the like can be used.

【0149】また、半導体基板としては、例えばシリコ
ンウェハー、ポリシリコン、TiN基板、BPSG基板
等が挙げられる。尚、これら半導体基板は、ヘキサメチ
ルジシラザン(HMDS)等の基板処理剤で処理してお
くことが好ましい。
The semiconductor substrate includes, for example, a silicon wafer, polysilicon, a TiN substrate, a BPSG substrate, and the like. It is preferable that these semiconductor substrates are treated with a substrate treating agent such as hexamethyldisilazane (HMDS).

【0150】上述した如く本発明のポリマーを含んで成
るレジスト組成物は、該ポリマー中の一般式[2]又は
[3]で示される、保護されたヒドロキシアルキル基の
保護基が、露光により発生した酸によって脱保護される
ことによりβ−ケトエステル基となって、その互変異性
により、従来用いられてきたノボラック樹脂やフェノー
ル樹脂の可溶性基であるフェノール性水酸基と同等のp
a(12〜13)を有するエノール性水酸基を生成するの
で、露光後の現像処理に於いて既存のアルカリ現像液で
ある2.38%TMAH水溶液が使用することができ、アル
カリ現像時における溶解速度の制御が可能となった。即
ち、本発明のポリマーを含んで成るレジスト組成物を使
用することにより、良好なレジストパターンが得られる
ため、より集積度の高い半導体集積回路等の半導体装置
の製造が可能となるのである。
As described above, in the resist composition containing the polymer of the present invention, the protected hydroxyalkyl group-protecting group represented by the general formula [2] or [3] in the polymer is generated by exposure. Is converted to a β-ketoester group by deprotection with the acid, and the tautomerism causes the same p-type as a phenolic hydroxyl group which is a soluble group of a novolak resin or a phenol resin conventionally used.
Since an enol hydroxyl group having K a (12 to 13) is generated, an existing alkaline developer 2.38% TMAH aqueous solution can be used in the development processing after exposure, and the dissolution rate during alkaline development can be reduced. Control became possible. That is, by using the resist composition containing the polymer of the present invention, a good resist pattern can be obtained, and thus it becomes possible to manufacture a semiconductor device such as a semiconductor integrated circuit having a higher degree of integration.

【0151】また、本発明のポリマーを含んで成るレジ
スト組成物は、遠紫外光、KrFエキシマレーザ光及び
電子線や軟X線照射でも酸が発生し、化学増幅作用され
る事が確認されている。従って、本発明のレジスト組成
物は化学増幅作用を利用して低露光量の遠紫外光、Kr
Fエキシマレーザ光及び電子線或いは軟X線照射法によ
ってもパターン形成可能なレジスト材料である。
Further, it has been confirmed that the resist composition containing the polymer of the present invention generates an acid even by irradiation with deep ultraviolet light, KrF excimer laser light, and electron beam or soft X-ray, and has a chemical amplification effect. I have. Therefore, the resist composition of the present invention uses low-exposure deep ultraviolet light, Kr
It is a resist material that can be patterned by F excimer laser light and electron beam or soft X-ray irradiation.

【0152】本発明のポリマーを含んで成るレジスト材
料について具体例で説明すると、220nm以下の波長の遠
紫外線光、例えばArFエキシマレーザ光(λ=193n
m)等で露光された部位は、例えば下記[式1],[式
2],又は[式3]で示される光反応に従って酸が発生
する。
The resist material containing the polymer of the present invention will be described in a concrete example. A deep ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less, for example, an ArF excimer laser light (λ = 193n)
An acid is generated at the site exposed by m) or the like according to a photoreaction represented by the following [Formula 1], [Formula 2], or [Formula 3].

【0153】[0153]

【式1】 (Equation 1)

【0154】[0154]

【式2】 (Equation 2)

【0155】[0155]

【式3】 (Equation 3)

【0156】露光工程に続いて加熱処理すると下記[式
4]及び[式5]の反応に従って本発明に係るポリマー
の特定の官能基が酸により脱保護し、アルカリ可溶性と
なって現像の際、現像液に溶出してくる。
When a heat treatment is carried out following the exposure step, a specific functional group of the polymer according to the present invention is deprotected by an acid according to the following formulas [Equation 4] and [Equation 5], becomes alkali-soluble and develops upon development. It elutes in the developer.

【0157】[0157]

【式4】 (Equation 4)

【0158】[0158]

【式5】 (Equation 5)

【0159】他方、未露光部は酸が発生しない為、加熱
処理しても化学変化は起こらない。このように本発明の
ポリマーを含んで成るレジスト組成物を用いてパターン
形成を行った場合には、露光部と未露光部との間でアル
カリ現像液に対して溶解度差を生じ、その結果、良好な
コントラストを有したポジ型のパターンが形成される。
On the other hand, since no acid is generated in the unexposed portions, no chemical change occurs even when the heat treatment is performed. When a pattern is formed using the resist composition containing the polymer of the present invention, a difference in solubility in an alkali developing solution occurs between an exposed portion and an unexposed portion, and as a result, A positive pattern having good contrast is formed.

【0160】以下に実施例及び応用例を挙げて本発明を
更に詳細に説明するが、本発明はこれ等により何等制約
を受けるものではない。尚、応用例で使用される酸発生
剤については、例えば特開平7-25846号公報,T.M.Chapm
an等、Synthesis,1971,591頁,T.M.Chapman等、J.Org,C
hem.,38巻、3908(1973).等に記載の方法で合成した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Application Examples, but the present invention is not limited by these. The acid generator used in the application examples is described in, for example, JP-A-7-25846, TMChapm
An et al., Synthesis, 1971, 591; TMChapman et al., J. Org, C.
Chem., 38 , 3908 (1973).

【0161】[0161]

【実施例】【Example】

実施例1. 2-(メタクリロイルオキシ)エチル 3-メトキ
シ-2-ブタノエートの合成 2-(メタクリロイルオキシ)
エチルアセトアセテート 32.1g(150mmol)及びオルト
ぎ酸メチル 49ml(450mmol)を混合し、これにカンファ
ースルホン酸 1.74g(7.5mmol)を添加した後、室温で
5時間攪拌反応させた。反応終了後、反応液をトルエン
100mlで希釈した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液 5
0mlで2回、水50ml、飽和食塩水 50mlで順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、得
られた粗生成物をカラムクロマトグラフィ[充填剤:ワ
コーゲル C-200(和光純薬工業(株)商品名);溶離液:
n-ヘキサン/酢酸エチル=4/1]により精製して、目
的とする微黄色油状の2-(メタクリロイルオキシ)エチル
3-メトキシ-2-ブタノエート
Example 1. Synthesis of 2- (methacryloyloxy) ethyl 3-methoxy-2-butanoate 2- (methacryloyloxy)
32.1 g (150 mmol) of ethyl acetoacetate and 49 ml (450 mmol) of methyl orthoformate were mixed, and 1.74 g (7.5 mmol) of camphorsulfonic acid was added thereto. The mixture was stirred and reacted at room temperature for 5 hours. After the reaction is completed, the reaction solution is
After dilution with 100 ml, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution 5
The mixture was washed twice with 0 ml, 50 ml of water and 50 ml of saturated saline in that order, and dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the obtained crude product was subjected to column chromatography [filler: Wakogel C-200 (trade name of Wako Pure Chemical Industries, Ltd.); eluent:
n-hexane / ethyl acetate = 4/1] to give 2- (methacryloyloxy) ethyl
3-methoxy-2-butanoate

【0162】[0162]

【化65】 Embedded image

【0163】13.7g(収率 40.0%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):1.96(s,3H),
2.29(s,3H),3.64(s,3H),4.33-4.39(m,4H),5.0
4(s,1H),5.59(s,1H),6.14(s,1H)。
13.7 g (40.0% yield) was obtained. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 1.96 (s, 3H),
2.29 (s, 3H), 3.64 (s, 3H), 4.33-4.39 (m, 4H), 5.0
4 (s, 1H), 5.59 (s, 1H), 6.14 (s, 1H).

【0164】実施例2. 2-(メタクリロイルオキシ)エ
チル 3,3-エチレンジオキシブタノエートの合成 2-(メタクリロイルオキシ)エチル アセトアセテート 2
1.4g(100mmol)及びエチレングリコール 18.62g(30
0mmol)をトルエン 100ml に溶解し、これにp-トルエン
スルホン酸・1水和物 0.19g(1mmol)を投入して、分水
器で副生する水分を除去しながら、2時間還流反応させ
た。反応終了後、反応液を飽和重曹水 50ml、水 50ml×
2、飽和食塩水 50mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒留去後、得られた粗生成物をカラム
クロマトグラフィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純
薬工業(株)商品名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル
=3/2]により精製して、目的とする微黄色油状の2-
(メタクリロイルオキシ)エチル3,3-エチレンジオキシブ
タノエート
Example 2. Synthesis of 2- (methacryloyloxy) ethyl 3,3-ethylenedioxybutanoate 2- (methacryloyloxy) ethyl acetoacetate 2
1.4 g (100 mmol) and ethylene glycol 18.62 g (30
0 mmol) was dissolved in 100 ml of toluene, and 0.19 g (1 mmol) of p-toluenesulfonic acid monohydrate was added thereto, and the mixture was refluxed for 2 hours while removing water produced as a by-product with a water separator. . After the completion of the reaction, the reaction solution was diluted with 50 ml of a saturated aqueous solution of sodium bicarbonate and 50 ml of water.
2. Washed successively with 50 ml of saturated saline and dried over anhydrous magnesium sulfate. After evaporating the solvent, the obtained crude product is purified by column chromatography [filler: Wakogel C-200 (trade name of Wako Pure Chemical Industries, Ltd.); eluent: n-hexane / ethyl acetate = 3/2] To produce the desired slightly yellow oily 2-
(Methacryloyloxy) ethyl 3,3-ethylenedioxybutanoate

【0165】[0165]

【化66】 Embedded image

【0166】19.44g(収率 75.3%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):1.51(s,3H),
1.95(s,3H),2.71(s,2H),3.98(s,4H),4.36(s,
4H),5.59(s,1H),6.14(s,1H)。
19.44 g (75.3% yield) was obtained. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 1.51 (s, 3H),
1.95 (s, 3H), 2.71 (s, 2H), 3.98 (s, 4H), 4.36 (s,
4H), 5.59 (s, 1H), 6.14 (s, 1H).

【0167】実施例3. 2-(メタクリロイルオキシ)エ
チル 3,3-(2',2'-ジメチルプロピレンジオキシ)ブタ
ノエートの合成 2-(メタクリロイルオキシ)エチル アセトアセテート 2
1.4g(100mmol)及び2,2-ジメチルプロピレングリコー
ル 31.25g(300mmol)をトルエン 100ml に溶解し、こ
れにp-トルエンスルホン酸・1水和物 0.19g(1mmol)及
びフェノチアジン 0.5gを投入して、分水器で副生する
水分を除去しながら、2時間還流反応させた。反応終了
後、反応液を飽和重曹水 50ml、水 50ml×2、飽和食塩
水 50mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒留去後、得られた粗生成物を減圧蒸留して、目
的とする微黄色オイルの2-(メタクリロイルオキシ)エチ
ル 3,3-(2',2'-ジメチルプロピレンジオキシ)ブタノ
エート
Example 3. Synthesis of 2- (methacryloyloxy) ethyl 3,3- (2 ', 2'-dimethylpropylenedioxy) butanoate 2- (methacryloyloxy) ethyl acetoacetate 2
1.4 g (100 mmol) and 3,1.25 g (300 mmol) of 2,2-dimethylpropylene glycol were dissolved in 100 ml of toluene, and 0.19 g (1 mmol) of p-toluenesulfonic acid monohydrate and 0.5 g of phenothiazine were added thereto. A reflux reaction was performed for 2 hours while removing water produced as a by-product with a water separator. After completion of the reaction, the reaction solution was washed sequentially with 50 ml of a saturated aqueous solution of sodium bicarbonate, 50 ml of water × 2 and 50 ml of a saturated saline solution, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the obtained crude product was distilled under reduced pressure to obtain the desired light yellow oil, 2- (methacryloyloxy) ethyl 3,3- (2 ′, 2′-dimethylpropylenedioxy) butanoate.

【0168】[0168]

【化67】 Embedded image

【0169】20.69g(収率 68.9%)を得た。 沸点:151-156℃/4mmHg。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.94 ,0.98
(s,3H×2),1.54(s,3H),1.95(s,3H),2.82(s,2
H),3.98(s,4H),4.36(s,4H),5.59(s,1H),6.1
3(s,1H)。
20.69 g (68.9% yield) were obtained. Boiling point: 151-156 ° C / 4mmHg. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.94, 0.98
(S, 3H x 2), 1.54 (s, 3H), 1.95 (s, 3H), 2.82 (s, 2
H), 3.98 (s, 4H), 4.36 (s, 4H), 5.59 (s, 1H), 6.1
3 (s, 1H).

【0170】実施例4. 4-(3-メトキシ-2-ブテノイル
オキシメチル)-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカンの合成 (1)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-4,8-ジメタノ
ール 98.15g(0.50mol)及び、ピリジン 41.53g(525
mmol)を無水テトラヒドロフラン 600mlに溶解し、5℃
以下に冷却し、メタクリル酸クロリド 52.27g(0.50mo
l)を1時間かけて滴下する。同温度でさらに1時間攪
拌した後、室温で6時間攪拌する。生じたピリジニウム
塩をろ去し、母液を減圧濃縮する。得られた残渣を塩化
メチレン1lに溶解し、2%塩酸、飽和食塩水、各500ml
で順次洗浄する。無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフ
ィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)商品
名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル=3/2]によ
り精製して、目的とする微黄色油状の8-(メタクリロイ
ルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-4-メ
タノール 52.73g(収率 39.9%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.83-1.04(m,1
H),1.20-1.88(m,7H),1.95(s,3H),2.01-2.22
(m,4H),2.32-2.58(m,2H),3.36-3.52(m,2H),3.
89-4.02(m,2H),5.55(s,1H),6.10(s,1H)。
Example 4. Synthesis of 4- (3-methoxy-2-butenoyloxymethyl) -8- (methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane (1) Tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-4,8-dimethanol 98.15 g (0.50 mol) and pyridine 41.53 g (525
mmol) in 600 ml of anhydrous tetrahydrofuran.
Cool to the following, 52.27 g of methacrylic acid chloride (0.50mo
l) is added dropwise over 1 hour. After stirring at the same temperature for another hour, the mixture is stirred at room temperature for 6 hours. The resulting pyridinium salt is removed by filtration, and the mother liquor is concentrated under reduced pressure. The obtained residue was dissolved in 1 liter of methylene chloride, and 2% hydrochloric acid and saturated saline were added, each of which was 500 ml.
Wash sequentially. It was dried over anhydrous magnesium sulfate.
After evaporating the solvent, the obtained crude product was purified by column chromatography [filler: Wakogel C-200 (trade name of Wako Pure Chemical Industries, Ltd.); eluent: n-hexane / ethyl acetate = 3/2] As a result, 52.73 g (yield: 39.9%) of 8- (methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-4-methanol as a desired slightly yellow oil was obtained. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.83-1.04 (m, 1
H), 1.20-1.88 (m, 7H), 1.95 (s, 3H), 2.01-2.22
(M, 4H), 2.32-2.58 (m, 2H), 3.36-3.52 (m, 2H), 3.
89-4.02 (m, 2H), 5.55 (s, 1H), 6.10 (s, 1H).

【0171】(2)(1)で得られた8-(メタクリロイ
ルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.02 ,6]デカン-4-メ
タノール 50.23g(0.19mol)及びトリエチルアミン 0.
05gをトルエン 100mlに溶解し、ジケテン 16.3g(193.
8mmol)を30℃で1時間かけて滴下した後、同温で4時間
攪拌反応させた。一夜放置後、反応液を1N-H2SO41
00ml、水 100mlで4回、飽和食塩水 100mlで順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒留去して、
目的とする微黄色油状の4-アセトアセトキシメチル-8-
(メタクリロイルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.
02,6]デカン
[0171] (2) obtained in (1) 8- (methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2, 6] decan-4-methanol 50.23G (0.19 mol) and triethylamine 0.
05 g was dissolved in 100 ml of toluene, and 16.3 g of diketene (193.
8 mmol) was added dropwise at 30 ° C. over 1 hour, and the mixture was stirred and reacted at the same temperature for 4 hours. After standing overnight, the reaction mixture was washed with 1N-H 2 SO 4 1
The mixture was washed four times with 00 ml and 100 ml of water four times with 100 ml of saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. Evaporate the solvent,
4-acetoacetoxymethyl-8-
(Methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.
0 2,6 ] decane

【0172】[0172]

【化68】 Embedded image

【0173】66.0g(収率 100%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.87-1.05(m,1
H),1.21-1.88(m,7H),1.94(s,3H),1.99-2.24
(m,4H),2.27(s,3H),2.30-2.56(m,2H),3.45
(s,2H),3.86-4.05(m,4H),5.55(s,1H),6.10
(s,1H)。 (3)(2)で得られた4-アセトアセトキシメチル-8-
(メタクリロイルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.
02,6]デカン 34.84g(100mmol)をオルトギ酸メチル 33
ml(300mmol)に溶解し、これにカンファースルホン酸 1.
16g(5mmol)を投入した後、室温で8時間攪拌反応させ
た。一夜放置後、反応液をトルエン 120mlで希釈し、飽
和重曹水 50ml×2、水 50ml、飽和食塩水50mlで順次洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒留去後、
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィ[充填剤:
ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)商品名);溶離
液:n-ヘキサン/酢酸エチル=4/1]により精製し
て、目的とする微黄色油状の4-(3-メトキシ-2-ブテノイ
ルオキシメチル)-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリ
シクロ[5.2.1.02,6]デカン
66.0 g (yield 100%) was obtained. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.87-1.05 (m, 1
H), 1.21-1.88 (m, 7H), 1.94 (s, 3H), 1.99-2.24
(M, 4H), 2.27 (s, 3H), 2.30-2.56 (m, 2H), 3.45
(S, 2H), 3.86-4.05 (m, 4H), 5.55 (s, 1H), 6.10
(S, 1H). (3) 4-acetoacetoxymethyl-8- obtained in (2)
(Methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.
0 2,6 ] decane 34.84 g (100 mmol) was added to methyl orthoformate 33
Dissolve in 300 ml (300 mmol) and add camphorsulfonic acid 1.
After charging 16 g (5 mmol), the mixture was stirred and reacted at room temperature for 8 hours. After standing overnight, the reaction mixture was diluted with 120 ml of toluene, washed successively with 50 ml of saturated aqueous sodium bicarbonate, 50 ml of water and 50 ml of saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After evaporating the solvent,
The obtained crude product is subjected to column chromatography [filler:
Purified by Wakogel C-200 (trade name of Wako Pure Chemical Industries, Ltd .; eluent: n-hexane / ethyl acetate = 4/1) to obtain 4- (3-methoxy-2) as a target light yellow oil -Butenoyloxymethyl) -8- (methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane

【0174】[0174]

【化69】 Embedded image

【0175】10.79g(収率 29.8%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.92-1.08(m,1
H),1.21-1.90(m,7H),1.94(s,3H),2.01-2.24
(m,4H),2.29(s,3H),2.30-2.58(m,2H),3.64
(s,3H),3.84-4.03(m,4H),5.02(s,1H),5.55
(s,1H),6.10(s,1H)。
There were obtained 10.79 g (yield 29.8%). 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.92-1.08 (m, 1
H), 1.21-1.90 (m, 7H), 1.94 (s, 3H), 2.01-2.24
(M, 4H), 2.29 (s, 3H), 2.30-2.58 (m, 2H), 3.64
(S, 3H), 3.84-4.03 (m, 4H), 5.02 (s, 1H), 5.55
(S, 1H), 6.10 (s, 1H).

【0176】実施例5. 3-(メタクリロイルオキシ)メ
ンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエートの合成 (1)メンタン-3,8-ジオール 50.0g(290mmol)及
び、ピリジン 24.11g(305mmol)を無水テトラヒドロ
フラン 350mlに溶解し、5℃以下に冷却し、メタクリル
酸クロリド 30.34g(290mmol)を1時間かけて滴下す
る。同温度でさらに1時間攪拌した後、室温で6時間攪
拌する。生じたピリジニウム塩をろ去し、母液を減圧濃
縮する。得られた残渣を塩化メチレン 600mlに溶解し、
2%塩酸、飽和食塩水、各300mlで順次洗浄して、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒留去して、目的と
する微黄色油状の3-(メタクリロイルオキシ)メンタン-8
-オール 69.0g(収率 99%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.88(d,3H,J=
6.59Hz),1.15(s,3H),1.20(s,3H),0.92-1.13
(m,2H),1.41-1.48(m,1H),1.61-1.88(m,4H),1.
96(s,3H),1.94-2.09(m,1H),5.30(s,1H),5.59
(s,1H),6.12(s,1H)。
Example 5. Synthesis of 3- (methacryloyloxy) menthan-8-yl 3-methoxy-2-butenoate (1) Menthane-3,8-diol 50.0 g (290 mmol) and pyridine 24.11 g (305 mmol) Is dissolved in 350 ml of anhydrous tetrahydrofuran, cooled to 5 ° C. or lower, and 30.34 g (290 mmol) of methacrylic chloride is added dropwise over 1 hour. After stirring at the same temperature for another hour, the mixture is stirred at room temperature for 6 hours. The resulting pyridinium salt is removed by filtration, and the mother liquor is concentrated under reduced pressure. The obtained residue was dissolved in methylene chloride (600 ml),
The mixture was washed sequentially with 2% hydrochloric acid and saturated saline and 300 ml each, and dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent is distilled off, and the desired slightly yellow oily 3- (methacryloyloxy) menthane-8
69.0 g (99% yield) of all were obtained. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.88 (d, 3H, J =
6.59Hz), 1.15 (s, 3H), 1.20 (s, 3H), 0.92-1.13
(M, 2H), 1.41-1.48 (m, 1H), 1.61-1.88 (m, 4H), 1.
96 (s, 3H), 1.94-2.09 (m, 1H), 5.30 (s, 1H), 5.59
(S, 1H), 6.12 (s, 1H).

【0177】(2)(1)で得られた3-(メタクリロイ
ルオキシ)メンタン-8-オール 67.01g(280mmol)及び
トリエチルアミン 0.57gをトルエン 140mlに溶解し、
ジケテン24.7g(294mmol)を30℃で30分かけて滴下した
後、同温で4時間攪拌反応させた。 一夜放置後、反応
液を1N-H2SO4 150ml、水 150mlで4回、飽和食塩
水150mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグ
ラフィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)
商品名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル=3/2]
により精製して、目的とする微黄色油状の3-(メタクリ
ロイルオキシ)メンタン-8-イル アセトアセテート
(2) 67.01 g (280 mmol) of 3- (methacryloyloxy) menthan-8-ol obtained in (1) and 0.57 g of triethylamine were dissolved in 140 ml of toluene.
After 24.7 g (294 mmol) of diketene was added dropwise at 30 ° C. over 30 minutes, the mixture was reacted at the same temperature for 4 hours with stirring. After standing overnight, the reaction solution was washed with 150 ml of 1N-H 2 SO 4, 150 ml of water four times and then with 150 ml of saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the obtained crude product is subjected to column chromatography [filler: Wakogel C-200 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
Eluent: n-hexane / ethyl acetate = 3/2]
3- (methacryloyloxy) menthan-8-yl acetoacetate

【0178】[0178]

【化70】 Embedded image

【0179】66.5g(収率 73.4%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.87(d,3H,J=
6.6Hz),0.98-1.19(m,2H),1.46(s,6H),1.43-1.5
1(m,1H),1.60-1.68(m,3H),1.71-1.90(m,1H),
1.95(s,3H),2.11-2.17(m,1H),2.24(s,3H),3.3
7(s,2H),5.36(s,1H),5.58(s,1H),6.11(s,1
H)。 (3)(2)で得られた3-(メタクリロイルオキシ)メン
タン-8-イル アセトアセテート 32.34g(100mmol)をオ
ルトギ酸メチル 66ml(600mmol)に溶解し、これにカンフ
ァースルホン酸 1.16g(5mmol)を投入した後、室温で8
時間攪拌反応させた。一夜放置後、反応液をトルエン 1
20mlで希釈し、飽和重曹水 50ml×2、水50ml、飽和食
塩水50mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグ
ラフィ[充填剤:ワコーゲルC-200(和光純薬工業(株)
商品名);溶離液:n-ヘキサン/酢酸エチル=3/2]
により精製して、目的とする微黄色油状の3-(メタクリ
ロイルオキシ)メンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエ
ート
66.5 g (73.4% yield) was obtained. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.87 (d, 3H, J =
6.6Hz), 0.98-1.19 (m, 2H), 1.46 (s, 6H), 1.43-1.5
1 (m, 1H), 1.60-1.68 (m, 3H), 1.71-1.90 (m, 1H),
1.95 (s, 3H), 2.11-2.17 (m, 1H), 2.24 (s, 3H), 3.3
7 (s, 2H), 5.36 (s, 1H), 5.58 (s, 1H), 6.11 (s, 1
H). (3) 32.34 g (100 mmol) of 3- (methacryloyloxy) menthan-8-yl acetoacetate obtained in (2) was dissolved in 66 ml (600 mmol) of methyl orthoformate, and 1.16 g (5 mmol) of camphorsulfonic acid was added thereto. And then at room temperature
The reaction was stirred for a period of time. After standing overnight, the reaction solution is
The mixture was diluted with 20 ml, washed successively with 50 ml of saturated aqueous sodium bicarbonate, 50 ml of water and 50 ml of saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the obtained crude product is subjected to column chromatography [filler: Wakogel C-200 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
Eluent: n-hexane / ethyl acetate = 3/2]
Purified by purification, the desired pale yellow oily 3- (methacryloyloxy) menthan-8-yl 3-methoxy-2-butenoate

【0180】[0180]

【化71】 Embedded image

【0181】6.75g(収率 20.0%)を得た。1 H-NMR δppm(CDCl3,270MHz):0.87(d,3H,J=
6.23Hz),1.06-1.19(m,2H),1.45(s,6H),1.43-1.
51(m,3H),1.64-1.74(m,1H),1.92-1.99(m,1H),
2.17(s,3H),2.18-2.30(m,1H),2.23(s,3H),3.6
0(s,3H),4.93(s,1H),5.36(s,1H),5.56(s,1
H),6.12(s,1H)。
6.75 g (yield 20.0%) was obtained. 1 H-NMR δ ppm (CDCl 3 , 270 MHz): 0.87 (d, 3H, J =
6.23Hz), 1.06-1.19 (m, 2H), 1.45 (s, 6H), 1.43-1.
51 (m, 3H), 1.64-1.74 (m, 1H), 1.92-1.99 (m, 1H),
2.17 (s, 3H), 2.18-2.30 (m, 1H), 2.23 (s, 3H), 3.6
0 (s, 3H), 4.93 (s, 1H), 5.36 (s, 1H), 5.56 (s, 1
H), 6.12 (s, 1H).

【0182】実施例6. ポリマーの合成 メチルメタクリレート 4.0g(40mmol)、実施例1で得
られた2-(メタクリロイルオキシ)エチル 3-メトキシ-2-
ブテノエート 11.4g(50mmol)、2-(メタクリロイルオ
キシ)エチルアセトアセテート 2.14g(10mmol)及び乾
燥テトラヒドロフラン(THF) 60mlを混合し、これ
を65℃に加熱した後、アゾビスイソブチロニトリル 1.9
7g(12mmol)を加えて、窒素雰囲気下、同温度で5時
間重合反応させた。反応終了後、反応液をn-ヘキサン 6
50ml中に注いでポリマーを析出させた。これを濾取し、
乾燥して目的物 14.6g(収率 83%)を得た。得られた
ポリマーのメチルメタクリレート単位と2-(メタクリロ
イルオキシ)エチル 3-メトキシ-2-ブテノエート単位及
び2-(メタクリロイルオキシ)エチルアセトアセテート単
位の構成比率は1H-NMR測定より約0.47:0.47:0.06
であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC(ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィ,溶媒:テトラヒ
ドロフラン)測定から重量平均分子量(Mw)は12,700、
分散度は2.11であった。
Example 6. Synthesis of polymer 4.0 g (40 mmol) of methyl methacrylate, 2- (methacryloyloxy) ethyl 3-methoxy-2- obtained in Example 1
A mixture of 11.4 g (50 mmol) of butenoate, 2.14 g (10 mmol) of 2- (methacryloyloxy) ethyl acetoacetate and 60 ml of dry tetrahydrofuran (THF) was heated to 65 ° C., and then azobisisobutyronitrile 1.9 was heated.
7 g (12 mmol) was added and a polymerization reaction was carried out at the same temperature for 5 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction solution is
The polymer was precipitated by pouring into 50 ml. This is filtered,
Drying yielded 14.6 g (83% yield) of the desired product. The composition ratio of methyl methacrylate unit, 2- (methacryloyloxy) ethyl 3-methoxy-2-butenoate unit and 2- (methacryloyloxy) ethyl acetoacetate unit in the obtained polymer was about 0.47: 0.47 by 1 H-NMR measurement. 0.06
Met. GPC (gel permeation chromatography, solvent: tetrahydrofuran) measurement using polystyrene as a standard showed a weight average molecular weight (Mw) of 12,700,
The dispersity was 2.11.

【0183】実施例7. ポリマーの合成 実施例4の(2)で得られた4-アセトアセトキシメチル
-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン 7.67g(22mmol)、実施例1で得られた2-
(メタクリロイルオキシ)エチル 3-メトキシ-2-ブテノエ
ート 4.11g(18mmol)及び乾燥テトラヒドロフラン
(THF) 25mlを混合し、これを65℃に加熱した後、
アゾビスイソブチロニトリル 0.79g(4.8mmol)を加え
て、窒素気流中、同温度で5時間重合反応させた。反応
終了後、反応液をn-ヘキサン 300ml中に注いでポリマー
を析出させた。これを濾取し、乾燥して目的物 9.04g
(収率76%)を得た。得られたポリマーの4-アセトアセ
トキシメチル-8-(メタクリロイルオキシメチル)トリシ
クロ[5.2.1.02,6]デカン単位及び2-(メタクリロイル
オキシ)エチル 3-メトキシ-2-ブテノエート単位の構成
比率は1H-NMR測定より約0.46:0.54であった。ま
た、ポリスチレンを標準としたGPC(溶媒:テトラヒ
ドロフラン)測定から重量平均分子量(Mw)は42200、
分散度は2.96であった。
Example 7. Synthesis of polymer 4-acetoacetoxymethyl obtained in Example 4 (2)
-8- (methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.0
2,6 ] decane 7.67 g (22 mmol), 2-
4.11 g (18 mmol) of (methacryloyloxy) ethyl 3-methoxy-2-butenoate and 25 ml of dry tetrahydrofuran (THF) were mixed and heated to 65 ° C.
0.79 g (4.8 mmol) of azobisisobutyronitrile was added, and a polymerization reaction was carried out at the same temperature for 5 hours in a nitrogen stream. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 300 ml of n-hexane to precipitate a polymer. This is collected by filtration, dried and the desired product is 9.04 g.
(76% yield). The composition ratio of 4-acetoacetoxymethyl-8- (methacryloyloxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane unit and 2- (methacryloyloxy) ethyl 3-methoxy-2-butenoate unit in the obtained polymer is 1 It was about 0.46: 0.54 by H-NMR measurement. Also, from GPC (solvent: tetrahydrofuran) measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight (Mw) was 42200,
The degree of dispersion was 2.96.

【0184】実施例8. ポリマーの合成 実施例5の(2)で得られた3-(メタクリロイルオキシ)
メンタン-8-イル アセトアセテート 9.06g(28mmo
l)、実施例5で得られた3-(メタクリロイルオキシ)メ
ンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエート 4.05g(12
mmol)及び乾燥テトラヒドロフラン(THF) 27mlを
混合し、これを65℃に加熱した後、アゾビスイソブチロ
ニトリル 0.79g(4.8mmol)を加えて、窒素雰囲気下、
同温度で5時間重合反応させた。反応終了後、反応液を
n-ヘキサン 300ml中に注いでポリマーを析出させた。こ
れを濾取し、乾燥して目的物 6.03g(収率 46%)を得
た。得られたポリマーの3-(メタクリロイルオキシ)メン
タン-8-イル アセトアセテート単位及び3-(メタクリロ
イルオキシ)メンタン-8-イル 3-メトキシ-2-ブテノエー
ト単位の構成比率は1H-NMR測定より約0.62:0.38で
あった。また、ポリスチレンを標準としたGPC(溶
媒:テトラヒドロフラン)測定から重量平均分子量(M
w)は12,700、分散度は2.11であった。
Example 8. Synthesis of polymer 3- (methacryloyloxy) obtained in Example 5 (2)
Mentan-8-yl acetoacetate 9.06g (28mmo
l), 4.05 g of 3- (methacryloyloxy) menthan-8-yl 3-methoxy-2-butenoate obtained in Example 5 (12
mmol) and 27 ml of dry tetrahydrofuran (THF), and the mixture was heated to 65 ° C., and 0.79 g (4.8 mmol) of azobisisobutyronitrile was added.
The polymerization reaction was carried out at the same temperature for 5 hours. After the reaction is completed,
The polymer was precipitated by pouring into 300 ml of n-hexane. This was collected by filtration and dried to obtain 6.03 g of the desired product (yield 46%). The composition ratio of 3- (methacryloyloxy) menthan-8-yl acetoacetate unit and 3- (methacryloyloxy) menthan-8-yl 3-methoxy-2-butenoate unit of the obtained polymer was about 1 H-NMR measurement. 0.62: 0.38. In addition, GPC (solvent: tetrahydrofuran) measurement using polystyrene as a standard indicates a weight average molecular weight (M
w) was 12,700 and the degree of dispersion was 2.11.

【0185】応用例1.下記の組成から成るレジスト組
成物を調製した。 (a)実施例6で得られたポリマー 4.0g (b)酸発生剤 80mg (トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスル
ホネート) (c)エチレングリコールジメチルエーテル 15.6g
Application Example 1 A resist composition having the following composition was prepared. (A) 4.0 g of the polymer obtained in Example 6 (b) 80 mg of an acid generator (triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate) (c) 15.6 g of ethylene glycol dimethyl ether

【0186】上記組成から成るレジスト組成物を0.1μm
のテフロン(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液
をシリコンウェハー上にスピンコートした後、90℃で60
秒間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5
μmのレジスト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージ
された密着型露光実験機中に成膜したウェハーを静置
し、パターンを描いたマスクを該レジスト膜上に密着さ
せた後、マスクを有してArFエキシマレーザ光(λ=1
93nm;NA 0.55)16mJ/cm2を露光した。露光後60℃で60
秒間ホットプレート上で加熱し、現像液[2.38%TMA
H水溶液。液温23℃。]を用いてパドル法で60秒間、現
像した後、60秒間超純水でリンス処理を行い、0.25μm
(露光量約14mJ/cm2)のライン アンド スペースパ
ターンが得られた。
The resist composition having the above composition was used in an amount of 0.1 μm
After filtration with a Teflon (trade name) filter, and spin-coating the obtained filtrate on a silicon wafer, 60 ° C at 90 ° C
Baking on a hot plate for 2 seconds, the film thickness is 0.5
A μm resist film was obtained. Next, the wafer having the film formed thereon is allowed to stand in a contact type exposure test machine sufficiently purged with nitrogen, and a mask on which a pattern is drawn is brought into close contact with the resist film. (Λ = 1
93 nm; NA 0.55) 16 mJ / cm 2 was exposed. 60 at 60 ° C after exposure
Heat on a hot plate for 2 seconds, and use developer [2.38% TMA]
H aqueous solution. Liquid temperature 23 ° C. ], Using a paddle method for 60 seconds, followed by rinsing with ultrapure water for 60 seconds, 0.25 μm
A line and space pattern (exposure amount: about 14 mJ / cm 2 ) was obtained.

【0187】応用例2.応用例1の(a)、(b)及び
(c)で調製したレジスト組成物を0.1μmのテフロン
(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液をシリコン
ウェハー上にスピンコートした後、90℃で60秒間ホット
プレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5μmのレジス
ト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージされた密着型
露光実験機中に成膜したウェハーを静置し、パターンを
描いたマスクを該レジスト膜上に密着させた後、マスク
を有してArFエキシマレーザ光(λ=193nm;NA 0.5
5)16mJ/cm2を露光した。露光後60℃で60秒間ホットプ
レート上で加熱し、現像液[2.38%TMAH水溶液。液
温23℃。]を用いて浸漬法で60秒間現像した後、60秒間
超純水でリンス処理を行い、0.18μm(露光量約17mJ/c
m2)のライン アンド スペースパターンが得られた。
Application Example 2 Applying the resist composition prepared in (a), (b) and (c) of Application Example 1 to 0.1 μm Teflon
The solution was filtered through a (trade name) filter, and the obtained filtrate was spin-coated on a silicon wafer, and baked on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds to obtain a resist film having a thickness of 0.5 μm. Next, the wafer having the film formed thereon is allowed to stand in a contact type exposure test machine sufficiently purged with nitrogen, and a mask on which a pattern is drawn is brought into close contact with the resist film. (Λ = 193 nm; NA 0.5
5) 16 mJ / cm 2 was exposed. After exposure, the film was heated on a hot plate at 60 ° C. for 60 seconds, and a developing solution [2.38% TMAH aqueous solution. Liquid temperature 23 ° C. ], And then rinsed with ultrapure water for 60 seconds to obtain 0.18 μm (exposure amount: about 17 mJ / c
m 2 ) was obtained.

【0188】応用例3.下記の組成から成るレジスト組
成物を調製した。 (a)実施例7で得られたポリマー 1.0g (b)酸発生剤 20mg (トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスル
ホネート) (c)エチレングリコールジメチルエーテル 4.0g
Application Example 3 A resist composition having the following composition was prepared. (A) 1.0 g of the polymer obtained in Example 7 (b) 20 mg of an acid generator (triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate) (c) 4.0 g of ethylene glycol dimethyl ether

【0189】上記組成から成るレジスト組成物を0.1μm
のテフロン(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液
をシリコンウェハー上にスピンコートした後、90℃で60
秒間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5
μmのレジスト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージ
された密着型露光実験機中に成膜したウェハーを静置
し、パターンを描いたマスクを該レジスト膜上に密着さ
せた後、マスクを有してArFエキシマレーザ光(λ=1
93nm;NA 0.55)16mJ/cm2を露光した。露光後90℃で60
秒間ホットプレート上で加熱し、現像液[2.38%TMA
H水溶液。液温23℃。]を用いてパドル法で60秒間現像
した後、60秒間超純水でリンス処理を行い、0.25μm
(露光量約14mJ/cm2)のライン アンド スペースパ
ターンが得られた。
The resist composition having the above composition was used in an amount of 0.1 μm
After filtration with a Teflon (trade name) filter, and spin-coating the obtained filtrate on a silicon wafer, 60 ° C at 90 ° C
Baking on a hot plate for 2 seconds, the film thickness is 0.5
A μm resist film was obtained. Next, the wafer having the film formed thereon is allowed to stand in a contact type exposure test machine sufficiently purged with nitrogen, and a mask on which a pattern is drawn is brought into close contact with the resist film. (Λ = 1
93 nm; NA 0.55) 16 mJ / cm 2 was exposed. 60 at 90 ° C after exposure
Heat on a hot plate for 2 seconds, and use developer [2.38% TMA]
H aqueous solution. Liquid temperature 23 ° C. ], Using a paddle method for 60 seconds, followed by rinsing with ultrapure water for 60 seconds, 0.25 μm
A line and space pattern (exposure amount: about 14 mJ / cm 2 ) was obtained.

【0190】応用例4.下記の組成から成るレジスト組
成物を調製した。 (a)実施例8で得られたポリマー 1.0g (b)酸発生剤 20mg (トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスル
ホネート) (c)エチレングリコールジメチルエーテル 4.0g
Application Example 4 A resist composition having the following composition was prepared. (A) 1.0 g of the polymer obtained in Example 8 (b) 20 mg of an acid generator (triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate) (c) 4.0 g of ethylene glycol dimethyl ether

【0191】上記組成から成るレジスト組成物を0.1μm
のテフロン(商品名)フィルターで濾過し、得られた濾液
をシリコンウェハー上にスピンコートした後、90℃で60
秒間ホットプレート上でベーキングを行い、膜厚が0.5
μmのレジスト膜を得た。次いで、窒素で充分にパージ
された密着型露光実験機中に成膜したウェハーを静置
し、パターンを描いたマスクを該レジスト膜上に密着さ
せた後、マスクを有してArFエキシマレーザ光(λ=1
93nm;NA 0.55)16mJ/cm2を露光した。露光後110℃で6
0秒間ホットプレート上で加熱し、現像液[2.38%TM
AH水溶液。液温23℃。]を用いてパドル法で60秒間現
像した後、60秒間超純水でリンス処理を行い、0.25μm
(露光量約25mJ/cm2)のライン アンド スペースパ
ターンが得られた。
The resist composition having the above composition was used in an amount of 0.1 μm
After filtration with a Teflon (trade name) filter, and spin-coating the obtained filtrate on a silicon wafer, 60 ° C at 90 ° C
Baking on a hot plate for 2 seconds, the film thickness is 0.5
A μm resist film was obtained. Next, the wafer having the film formed thereon is allowed to stand in a contact type exposure test machine sufficiently purged with nitrogen, and a mask on which a pattern is drawn is brought into close contact with the resist film. (Λ = 1
93 nm; NA 0.55) 16 mJ / cm 2 was exposed. 6 at 110 ° C after exposure
Heat on a hot plate for 0 seconds, and use a developer [2.38% TM
AH aqueous solution. Liquid temperature 23 ° C. ], Using a paddle method for 60 seconds, followed by rinsing with ultrapure water for 60 seconds, 0.25 μm
A line and space pattern (exposure amount: about 25 mJ / cm 2 ) was obtained.

【0192】[0192]

【発明の効果】以上述べたように、本発明は、半導体素
子等の製造に於いて使用されるレジスト組成物等に有用
な新規なポリマー及び該ポリマーの原料となり得る新規
なモノマーを提供するものであり、本発明のポリマーを
利用したレジスト組成物は、次世代露光技術として有力
なArFエキシマレーザ用レジスト材料として極めて有
効に使用し得る。従って本発明は、例えば半導体産業等
に於ける微細パターンの形成にとって大きな価値を有す
るものである。また、本発明のポリマーは、キレート能
を有していることから、分析、分離用機能性樹脂とし
て、分析化学、金属の分離精製等の用途に用いることが
できる。
As described above, the present invention provides a novel polymer useful for a resist composition used in the production of semiconductor devices and the like, and a novel monomer which can be a raw material of the polymer. The resist composition using the polymer of the present invention can be used very effectively as a resist material for ArF excimer laser, which is a promising next-generation exposure technology. Therefore, the present invention has great value for forming fine patterns in the semiconductor industry, for example. In addition, since the polymer of the present invention has a chelating ability, it can be used as a functional resin for analysis and separation in analytical chemistry, separation and purification of metals, and the like.

【化7】 Embedded image

【化7】 Embedded image

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07D 319/06 C07D 319/06 319/08 319/08 G03F 7/033 G03F 7/033 7/039 501 7/039 501 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI C07D 319/06 C07D 319/06 319/08 319/08 G03F 7/033 G03F 7/033 7/039 501 7/039 501

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式[1] 【化1】 (式中、R5,R6及びR7は夫々独立して水素原子、ア
ルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又は
カルバモイル基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表
し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル
基を表す。)で示されるモノマー。
1. A compound of the general formula [1] (Wherein, R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group, Z represents a spacer or a bond, and R represents a terminal hydroxyl group. Represents a protected hydroxyalkyl group.)
【請求項2】 一般式[1]に於いて、Rで示される、
末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基が一般
式[2] 【化2】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
ル基を表す。)又は一般式[3] 【化3】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
もよい。)で示される基である、請求項1に記載のモノ
マー。
2. A compound represented by R in the general formula [1],
A hydroxyalkyl group in which a terminal hydroxyl group is protected is represented by the general formula [2]: (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group, and R 1 and R 2 represent an aliphatic ring And R 3 represents an alkyl group, an alkenyl group, a hydroxyalkyl group, an alkyloxycarbonyl group or an alkylsilyl group.) Or a general formula [3] (In the formula, R 4 represents an alkyl group, R 1 , R 2 and R 3 are the same as above, and R 3 and R 4 may form an aliphatic ring.) The monomer of claim 1, wherein
【請求項3】 スペーサーが一般式[4] 【化4】 (式中、A2は酸素原子を有していてもよい二価の炭化
水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級アルキレ
ン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及びrは夫々
独立して、0又は1を表す。但し、mが1のときqは1
を表す。)で示される基である、請求項1に記載のモノ
マー。
3. The spacer represented by the general formula [4]: (Where A 2 represents a divalent hydrocarbon group which may have an oxygen atom, A 1 and A 3 each independently represent a lower alkylene group, m represents 0 or 1, and p represents , Q and r each independently represent 0 or 1. However, when m is 1, q is 1
Represents The monomer according to claim 1, which is a group represented by:
【請求項4】 一般式[1]に於いて、Rで示される、
末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基が一般
式[2] 【化5】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
ル基を表す。)又は一般式[3] 【化6】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
もよい。)で示される基であり、スペーサーが一般式
[4] 【化7】(式中、A2は酸素原子を有していてもよい二
価の炭化水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級
アルキレン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及び
rは夫々独立して、0又は1を表す。但し、mが1のと
きqは1を表す。)で示される基である、請求項1に記
載のモノマー。
4. A compound represented by R in the general formula [1],
A hydroxyalkyl group in which a terminal hydroxyl group is protected is represented by the general formula [2]: (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group, and R 1 and R 2 represent an aliphatic ring Wherein R 3 represents an alkyl group, an alkenyl group, a hydroxyalkyl group, an alkyloxycarbonyl group or an alkylsilyl group.) Or a general formula [3] (In the formula, R 4 represents an alkyl group, R 1 , R 2 and R 3 are the same as above, and R 3 and R 4 may form an aliphatic ring.) Wherein A 2 represents a divalent hydrocarbon group which may have an oxygen atom, and A 1 and A 3 each independently represent a lower group; Represents an alkylene group, m represents 0 or 1, and p, q and r each independently represent 0 or 1. However, when m is 1, q represents 1.) The monomer of claim 1.
【請求項5】 一般式[1a] 【化8】 (式中、R5,R6及びR7は夫々独立して水素原子、ア
ルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又は
カルバモイル基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表
し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル
基を表す。)で示されるモノマー単位を構成単位として
含んで成るポリマー。
5. A compound of the general formula [1a] (Wherein, R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group, Z represents a spacer or a bond, and R represents a terminal hydroxyl group. Represents a protected hydroxyalkyl group.) As a constituent unit.
【請求項6】 一般式[1a]に於いて、Rで示され
る、末端が保護されたヒドロキシアルキル基が一般式
[2] 【化9】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
ル基を表す。)又は一般式[3] 【化10】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
もよい。)で示される基である、請求項5に記載のポリ
マー。
6. In the general formula [1a], the terminal-protected hydroxyalkyl group represented by R is represented by the general formula [2]: (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group, and R 1 and R 2 represent an aliphatic ring Wherein R 3 represents an alkyl group, an alkenyl group, a hydroxyalkyl group, an alkyloxycarbonyl group or an alkylsilyl group.) Or a general formula [3] (In the formula, R 4 represents an alkyl group, R 1 , R 2 and R 3 are the same as above, and R 3 and R 4 may form an aliphatic ring.) The polymer of claim 5, which is
【請求項7】 スペーサーが一般式[4] 【化11】 (式中、A2は酸素原子を有していてもよい二価の炭化
水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級アルキレ
ン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及びrは夫々
独立して、0又は1を表す。但し、mが1のときqは1
を表す。)で示される基である、請求項5に記載のポリ
マー。
7. The spacer represented by the general formula [4]: (Where A 2 represents a divalent hydrocarbon group which may have an oxygen atom, A 1 and A 3 each independently represent a lower alkylene group, m represents 0 or 1, and p represents , Q and r each independently represent 0 or 1. However, when m is 1, q is 1
Represents The polymer according to claim 5, which is a group represented by the formula:
【請求項8】 一般式[1a]に於いて、Rで示され
る、末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基が
一般式[2] 【化12】 (式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子、置換基を
有していてもよいアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
し、また、R1とR2とで脂肪族環を形成していてもよ
く、R3はアルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアル
キル基、アルキルオキシカルボニル基又はアルキルシリ
ル基を表す。)又は一般式[3] 【化13】 (式中、R4はアルキル基を表し、R1、R2及びR3は前
記に同じ。また、R3とR4とで脂肪族環を形成していて
もよい。)で示される基であり、スペーサーが一般式
[4] 【化14】 (式中、A2は酸素原子を有していてもよい二価の炭化
水素基を表し、A1及びA3は夫々独立して低級アルキレ
ン基を表し、mは0又は1を表し、p,q及びrは夫々
独立して、0又は1を表す。但し、mが1のときqは1
を表す。)で示される基である、請求項5に記載のポリ
マー。
8. In the general formula [1a], a hydroxyalkyl group represented by R and whose terminal hydroxyl group is protected is represented by the general formula [2]: (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group, and R 1 and R 2 represent an aliphatic ring Wherein R 3 represents an alkyl group, an alkenyl group, a hydroxyalkyl group, an alkyloxycarbonyl group or an alkylsilyl group.) Or the general formula [3] (In the formula, R 4 represents an alkyl group, R 1 , R 2 and R 3 are the same as above, and R 3 and R 4 may form an aliphatic ring.) Wherein the spacer is represented by the general formula [4]: (Where A 2 represents a divalent hydrocarbon group which may have an oxygen atom, A 1 and A 3 each independently represent a lower alkylene group, m represents 0 or 1, and p represents , Q and r each independently represent 0 or 1. However, when m is 1, q is 1
Represents The polymer according to claim 5, which is a group represented by the formula:
【請求項9】 ポリマーが一般式[1a]で示されるモ
ノマー単位を構成単位として成るホモポリマーである請
求項5に記載のポリマー。
9. The polymer according to claim 5, wherein the polymer is a homopolymer having a monomer unit represented by the general formula [1a] as a constituent unit.
【請求項10】 ポリマーが一般式[1a]で示される
モノマー単位2種以上を構成単位として成るコポリマー
である請求項5に記載のポリマー。
10. The polymer according to claim 5, wherein the polymer is a copolymer having two or more monomer units represented by the general formula [1a] as constituent units.
【請求項11】 ポリマーが一般式[1a]で示される
モノマー単位1種以上と一般式[1b] 【化15】 (式中、R5',R6'及びR7'は夫々独立して水素原子、
アルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又
はカルバモイル基を表し、Z’はスペーサー又は結合手
を表し、R’はヒドロキシアルキル基を表す。)で示さ
れるモノマー1種以上とを構成単位として含んで成るコ
ポリマーである請求項5に記載のポリマー。
11. A polymer comprising one or more monomer units represented by the general formula [1a] and a polymer represented by the general formula [1b]: (Wherein R 5 ′ , R 6 ′ and R 7 ′ are each independently a hydrogen atom,
Represents an alkyl group, a cyano group, an alkyloxycarbonyl group or a carbamoyl group, Z ′ represents a spacer or a bond, and R ′ represents a hydroxyalkyl group. 6. The polymer according to claim 5, which is a copolymer comprising, as a constitutional unit, at least one monomer represented by the formula (1).
【請求項12】 ポリマーが一般式[1a]で示される
モノマー単位1種以上と一般式[6a] 【化16】 (式中、R9は水素原子、低級アルキル基又はハロゲン
原子を表し、R10は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基
又はホルミル基を表し、R11は水素原子、低級アルキル
基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基又は
ハロゲン原子を表し、R12は二重結合を有していてもよ
いアルキレン基又は結合手を表し、R13は水素原子、ア
ルキル基、ハロアルキル基、アリール基、脂肪族ヘテロ
環基、芳香族ヘテロ環基、ハロゲン原子、アルキルオキ
シカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ヒド
ロキシアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカ
ルボニル基、アシルオキシ基、シアノ基、カルボキシル
基、ホルミル基、アミノ基、スルホン酸基、カルバモイ
ル基又はヒドロキシル基を表す。尚、R10とR13とが結
合して−CO−O−CO−又は−CO−NH−CO−を
形成していてもよい。)で示されるモノマー単位1種以
上とを構成単位として含んで成る請求項5に記載のポリ
マー。
12. A polymer comprising one or more monomer units represented by the general formula [1a] and a polymer represented by the general formula [6a]: (Wherein, R 9 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogen atom, R 10 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group or a formyl group, and R 11 represents a hydrogen atom Represents a lower alkyl group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group or a halogen atom, R 12 represents an alkylene group or a bond which may have a double bond, and R 13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group. , Aryl group, aliphatic heterocyclic group, aromatic heterocyclic group, halogen atom, alkyloxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, hydroxyalkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, acyloxy group, cyano group, carboxyl group, formyl Group, amino group, sulfonic group, carbamoyl group or hydroxy Represents Le group. Incidentally, R 10 and R 13 are bonded to -CO-O-CO- or -CO-NH-CO- may form.) In monomer unit one or more indicated and 6. The polymer according to claim 5, which comprises a structural unit.
【請求項13】 一般式[1]で示されるモノマーが、
一般式[1]-1 【化17】 (式中、Qは酸素原子を有していてもよい二価の炭化水
素基を表し、Eは低級アルキル基を表し、E1,E2は水
素を表すか、或いはE1とE2とで脂肪族環を形成してい
てもよい。)又は一般式[1]-2 【化18】 (式中、Qは酸素原子を有していてもよい二価の炭化水
素基を表し、Gは低級アルキレン基を表し、E1,E2
水素を表すか、或いはE1とE2とで脂肪族環を形成して
いてもよい。)で示されるモノマーである請求項1に記
載のモノマー。
13. A monomer represented by the general formula [1]:
General formula [1] -1 (Wherein Q represents a divalent hydrocarbon group optionally having an oxygen atom, E represents a lower alkyl group, E 1 and E 2 represent hydrogen, or E 1 and E 2 represent May form an aliphatic ring) or the general formula [1] -2 (Wherein Q represents a divalent hydrocarbon group optionally having an oxygen atom, G represents a lower alkylene group, E 1 and E 2 represent hydrogen, or E 1 and E 2 represent May form an aliphatic ring.) The monomer according to claim 1, which is a monomer represented by the formula:
【請求項14】 一般式[1]で示されるモノマーが、
一般式[1]-3 【化19】 (式中、Xはアルキル基を表し、Eは低級アルキル基を
表し、E1,E2は水素を表すか、或いはE1とE2とで脂
肪族環を形成していてもよい。)又は一般式[1]-4 【化20】 (式中、Xはアルキル基を表し、Gは低級アルキレン基
を表し、E1,E2は水素を表すか、或いはE1とE2とで
脂肪族環を形成していてもよい。)で示されるモノマー
である請求項1に記載のモノマー。
14. A monomer represented by the general formula [1]:
General formula [1] -3 (In the formula, X represents an alkyl group, E represents a lower alkyl group, E 1 and E 2 each represent hydrogen, or E 1 and E 2 may form an aliphatic ring.) Or the general formula [1] -4: (In the formula, X represents an alkyl group, G represents a lower alkylene group, E 1 and E 2 each represent hydrogen, or E 1 and E 2 may form an aliphatic ring.) The monomer according to claim 1, which is a monomer represented by the formula:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012033138A1 (en) * 2010-09-09 2012-03-15 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, polymer, and compound
JP2014505038A (en) * 2010-12-15 2014-02-27 イーストマン ケミカル カンパニー Substituted 3-oxopentanoates and their use in coating compositions
JP2015052115A (en) * 2010-09-29 2015-03-19 Jsr株式会社 Polymer

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012033138A1 (en) * 2010-09-09 2012-03-15 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, polymer, and compound
US8609321B2 (en) 2010-09-09 2013-12-17 Jsp Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer and compound
JPWO2012033138A1 (en) * 2010-09-09 2014-01-20 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, polymer and compound
JP5609980B2 (en) * 2010-09-09 2014-10-22 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, polymer and compound
TWI480263B (en) * 2010-09-09 2015-04-11 Jsr Corp Sense of radiation linear resin compositions, polymers and compounds
JP2015052115A (en) * 2010-09-29 2015-03-19 Jsr株式会社 Polymer
US9540535B2 (en) 2010-09-29 2017-01-10 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer
US9926462B2 (en) 2010-09-29 2018-03-27 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer
JP2014505038A (en) * 2010-12-15 2014-02-27 イーストマン ケミカル カンパニー Substituted 3-oxopentanoates and their use in coating compositions

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