JPH11121780A - Solar cell and manufacture thereof - Google Patents

Solar cell and manufacture thereof

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JPH11121780A
JPH11121780A JP9283433A JP28343397A JPH11121780A JP H11121780 A JPH11121780 A JP H11121780A JP 9283433 A JP9283433 A JP 9283433A JP 28343397 A JP28343397 A JP 28343397A JP H11121780 A JPH11121780 A JP H11121780A
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JP
Japan
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solar cell
electrode layer
layer
glass substrate
laser
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JP9283433A
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Japanese (ja)
Inventor
Toru Ikeda
徹 池田
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a glass board against cracking, by a method wherein a transparent electrode layer is formed through a patterning method where a laser is not used, and a photoelectric conversion layer and a back electrode layer are formed on the transparent electrode layer through a patterning method where a laser is used. SOLUTION: A transparent conductive film is formed on a glass substrate, and a prescribed pattern is provided to the transparent conductive film through a patterning method where no laser is used. Then, a groove is provided to form the transparent conductive film up to the surface of the glass substrate so as to form a transparent electrode layer. Then, an amorphous silicon layer is formed on the transparent electrode layer and filled into the groove. A groove is provided to the upside of the transparent electrode layer by a patterning method where a laser is used to form a photoelectric conversion layer. Then, a metal layer is formed on the photoelectric conversion layer, and a prescribed pattern is provided to the metal layer through a patterning method where a laser is used for the formation of a back electrode layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池およびその
製造方法に関し、特に、製造過程においてガラス基板の
割れがなく、生産歩留りの向上およびコストの低減を図
ることができ、また、実使用時においても、ガラス基板
の割れがないため、高い信頼性および機械的強度を有す
る太陽電池およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a method of manufacturing without causing cracks in a glass substrate, improving the production yield and reducing the cost. Also, the present invention relates to a solar cell having high reliability and mechanical strength because there is no crack in a glass substrate, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、太陽電池として、光透過性絶縁
基板であるガラス基板上に、光透過性を有する透明電極
層、非晶質シリコンからなる光電変換層、および導電性
金属からなる裏面電極層を積層した構造を有するものが
ある。この太陽電池は、単独では、所要の起電力を得る
ことができないため、通常、図2(d)に示すように、
ガラス基板1の上に、透明電極層2aと裏面電極層4a
とによって挟まれた光電変換層3aからなる太陽電池セ
ル5aを、複数個配列した構造を有し、例えば、太陽電
池セル5bの裏面電極層4bと隣の太陽電池セル5aの
透明電極層2aとを接続し、各太陽電池セル5a,5
b,……を連絡部6ab,6bc,6cd……によって
直列に接続して、構成される。
2. Description of the Related Art In general, as a solar cell, a transparent electrode layer having a light transmitting property, a photoelectric conversion layer made of amorphous silicon, and a back electrode made of a conductive metal are formed on a glass substrate which is a light transmitting insulating substrate. Some have a structure in which layers are stacked. Since this solar cell cannot obtain a required electromotive force by itself, usually, as shown in FIG.
On a glass substrate 1, a transparent electrode layer 2a and a back electrode layer 4a
Has a structure in which a plurality of photovoltaic cells 5a each composed of a photoelectric conversion layer 3a sandwiched between are arranged, for example, a back electrode layer 4b of a photovoltaic cell 5b and a transparent electrode layer 2a of an adjacent photovoltaic cell 5a. And connect the respective solar cells 5a, 5
are connected in series by communication portions 6ab, 6bc, 6cd,.

【0003】この太陽電池の製造は、図1(a)に示す
ように、ガラス基板1上に透明導電膜7を形成した後、
図1(b)に示すように、所定のパターンでガラス基板
1の表面まで達する溝8を刻設(スクライブ)して、各
太陽電池セルに対応する透明電極層2a,2b,……を
形成する。さらに、その上層に、図2(a)に示すよう
に、非晶質シリコン層9を堆積した後、図2(b)に示
すように、所定のパターンで透明電極層2a,2b,…
…まで達する連絡部6ab,6bc,6cd……に対応
する溝10(図2(d)における連絡部6ab,6b
c,6cd……に対応)を刻設して、光電変換層3a,
3b,……を形成する。次に、図2(c)に示すよう
に、光電変換層3a,3b,……の上層に、裏面電極層
を構成する導電性被膜11(例えば、金属膜)を形成す
るとともに、溝10に導電性被膜物質を充填して連絡部
6ab,6bc,6cd……を形成した後、所定のパタ
ーンで光電変換層3a,3b,……まで達する溝12を
刻設して、図2(d)に示すように、裏面電極層4a,
4b,……を形成することによって、行うことができ
る。この太陽電池の製造において、溝8、10および1
2を刻設する作業、いわゆるスクライブは、主にレーザ
ーを用いて行われている。これはドライプロセスである
ため、太陽電池の製造工程であるCVDやスパッタリン
グ等の真空工程との接続が容易であり、装置コストが安
いこと、幅50μm以下の微細なパターンの迅速な刻設
が容易である等の理由による。
As shown in FIG. 1A, a solar cell is manufactured by forming a transparent conductive film 7 on a glass substrate 1,
As shown in FIG. 1B, grooves 8 reaching the surface of the glass substrate 1 in a predetermined pattern are formed (scribed) to form transparent electrode layers 2a, 2b,... Corresponding to each solar cell. I do. Further, as shown in FIG. 2A, an amorphous silicon layer 9 is deposited thereon, and then, as shown in FIG. 2B, the transparent electrode layers 2a, 2b,.
The grooves 10 corresponding to the communication portions 6ab, 6bc, 6cd... (The communication portions 6ab, 6b in FIG.
c, 6cd...), and the photoelectric conversion layers 3a,
3b,... Are formed. Next, as shown in FIG. 2C, a conductive film 11 (for example, a metal film) constituting the back electrode layer is formed on the photoelectric conversion layers 3a, 3b,. After filling the conductive coating material to form the connecting portions 6ab, 6bc, 6cd,..., Grooves 12 reaching the photoelectric conversion layers 3a, 3b,. As shown in FIG.
4b,... Can be performed. In the manufacture of this solar cell, the grooves 8, 10 and 1
The work of engraving 2, so-called scribing, is mainly performed using a laser. Since this is a dry process, it can be easily connected to a vacuum process such as CVD or sputtering, which is a manufacturing process of a solar cell, and the equipment cost is low, and a fine pattern with a width of 50 μm or less can be quickly cut. And so on.

【0004】しかし、従来の太陽電池は、その製造工程
における加熱処理、例えば、光電変換層の製膜工程、裏
面電極層の製膜工程等における加熱処理において、ガラ
ス基板が割れ、生産歩留りの低下を招き、コストの増加
を生じる原因となっていた。また、太陽電池は、実使用
時には屋外に暴露されるため、小石、落下物等の衝突に
よる機械的衝撃、あるいは日射による温度上昇、昼夜間
の温度差、季節の変化における寒暖差等によりガラス基
板に発生する熱応力によって、ガラス基板の割れが発生
することがあった。また、強度の向上を目的として、ガ
ラス基板に強化ガラスを使用しても、同様に、割れを生
じ、期待した強度を得ることができなかった。
However, in the conventional solar cell, the glass substrate is broken in the heat treatment in the manufacturing process, for example, in the film forming process of the photoelectric conversion layer, the film forming process of the back electrode layer, and the production yield is lowered. And increased costs. Also, since solar cells are exposed outdoors during actual use, the glass substrate may be exposed to mechanical shock due to the impact of pebbles or falling objects, temperature rise due to solar radiation, temperature difference between day and night, temperature difference between seasons, etc. In some cases, cracks in the glass substrate occurred due to the thermal stress generated in the glass substrate. Further, even when tempered glass was used for the glass substrate for the purpose of improving the strength, the glass was similarly cracked, and the expected strength could not be obtained.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、加熱処理を伴う製造過程においてガラス基板の割れ
を防ぎ、生産歩留りを向上させてコストの低減を図るこ
とができ、また、実使用時においても、ガラス基板の割
れを防止し、高い信頼性および機械的強度を有する太陽
電池を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to prevent a glass substrate from cracking in a manufacturing process involving heat treatment, improve production yield and reduce cost, and reduce the cost of actual use. In some cases, it is an object of the present invention to provide a solar cell having high reliability and high mechanical strength by preventing a glass substrate from cracking.

【0006】また、本発明の第2の目的は、前記太陽電
池を高い歩留りおよび低コストで製造することができる
製造方法を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a method for manufacturing the solar cell at a high yield and at low cost.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
太陽電池のガラス基板の割れの原因を調査した。その結
果、生じた割れの起点は全て、レーザースクライブによ
って、透明電極層を刻設した個所、すなわち、前記図1
(b)において、ガラス基板1の溝8の底部(図3の1
3で示した部分)であることが判明した。一般に、レー
ザーによる溝8のスクライブが不完全であると、図3
(b)に示すように、隣接する透明電極層2aと2b、
2bと2c、または2cと2c…の間が連絡し、それぞ
れ独立した電極を構成することができないこととなる。
そこで、隣接する透明電極層の間を完全に離隔した状態
とするため、勢い強出力のレーザーによるスクライブが
行われ、図3(a)に示すように、ガラス基板1の溝8
の底部13に接する部分は、レーザーの照射により透明
電極層が局部的に強く加熱されるため、刻設部分に接す
るガラス基板表面も局部的に熱的なダメージを受けると
推測される。特に、ガラス基板1が強化ガラスである場
合には、強度を発現するために必要なガラス表面の強化
応力がレーザースクライブによる局部的なガラス表面の
加熱により緩和されるため、強化ガラス本来の強度が発
現しなくなり、ガラス強度低下の影響は顕著に現れると
考えられる。そこで、本発明者らは、太陽電池の製造に
おいて、透明電極層の刻設を、レーザーを用いないパタ
ーニング法で行うことによって、ガラス基板に熱的およ
び機械的ダメージを与えなければ前記課題を解決できる
こと、光電変換層および裏面電極層の刻設は、レーザー
パターニング法により行ってもガラス基板はダメージを
受けないこと、さらには、透明電極層の刻設を、レーザ
ーを用いないパターニング法で行う方法と、ドライプロ
セスであるため、太陽電池の製造工程であるCVDやス
パッタリング等の真空工程との接続が容易で、装置コス
トが安く、幅50μm以下の微細パターンの刻設が容易
であるレーザーパターニング法とを組み合わせることに
よって、加熱処理を伴う太陽電池の製造過程においてガ
ラス基板の割れを防ぎ、生産歩留りを向上させることで
コストの低減を図ることができることを知見し、本発明
を想到するに至った。
Means for Solving the Problems Accordingly, the present inventors have:
The cause of the crack in the glass substrate of the solar cell was investigated. As a result, all of the starting points of the generated cracks were the portions where the transparent electrode layer was cut by laser scribing, that is, FIG.
3B, the bottom of the groove 8 of the glass substrate 1 (1 in FIG. 3).
3). In general, if the scribing of the groove 8 by the laser is incomplete, FIG.
As shown in (b), adjacent transparent electrode layers 2a and 2b,
.., 2c or 2c and 2c... Are connected, and independent electrodes cannot be formed.
Then, in order to completely separate the adjacent transparent electrode layers, scribing by a laser having a strong and powerful output is performed, and as shown in FIG.
Since the transparent electrode layer is locally strongly heated by the laser irradiation in the portion in contact with the bottom 13 of the substrate, it is presumed that the glass substrate surface in contact with the cut portion is also locally thermally damaged. In particular, when the glass substrate 1 is a tempered glass, since the strengthening stress on the glass surface necessary for expressing the strength is reduced by local heating of the glass surface by laser scribing, the original strength of the tempered glass is reduced. It is considered that the effect is no longer exhibited, and the effect of the decrease in the glass strength appears remarkably. Therefore, the present inventors have solved the above-mentioned problem by performing engraving of a transparent electrode layer by a patterning method without using a laser in the manufacture of a solar cell unless thermal and mechanical damage is given to a glass substrate. What is possible is that the engraving of the photoelectric conversion layer and the back electrode layer does not damage the glass substrate even when performed by the laser patterning method, and further, the engraving of the transparent electrode layer is performed by a patterning method without using a laser. And a dry process, so that it can be easily connected to a vacuum process such as CVD or sputtering, which is a manufacturing process of a solar cell, the device cost is low, and a fine pattern with a width of 50 μm or less is easily carved. By combining the above, it is possible to prevent the glass substrate from cracking during the solar cell manufacturing process involving heat treatment, Ri and found that it is possible to reduce the cost by improving, leading to envision the present invention.

【0008】すなわち、本発明は、前記課題を解決する
ため、ガラス基板と、該ガラス基板上にレーザーを用い
ないパターニング法によって形成された透明電極層と、
該透明電極層の上にレーザーを用いるパターニング法に
よって形成された光電変換層と裏面電極層とを有する太
陽電池を提供するものである。
That is, in order to solve the above problems, the present invention provides a glass substrate, and a transparent electrode layer formed on the glass substrate by a patterning method without using a laser.
It is intended to provide a solar cell having a photoelectric conversion layer formed on the transparent electrode layer by a patterning method using a laser and a back electrode layer.

【0009】また、本発明は、前記太陽電池の製造方法
として、ガラス基板の上に透明導電膜を成膜し、該透明
導電膜をレーザーを用いないパターニング法によって処
理して所定のパターンを有する透明電極層を形成した
後、該透明電極層の上にレーザーを用いるパターニング
法を用いて光電変換層と裏面電極層とを形成する工程を
有する太陽電池の製造方法を提供するものである。
Further, according to the present invention, as a method of manufacturing the solar cell, a transparent conductive film is formed on a glass substrate, and the transparent conductive film is processed by a patterning method without using a laser to have a predetermined pattern. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a solar cell, comprising a step of forming a photoelectric conversion layer and a back electrode layer on a transparent electrode layer by using a patterning method using a laser after forming the transparent electrode layer.

【0010】以下、本発明の太陽電池およびその製造方
法について、詳細に説明する。
Hereinafter, the solar cell of the present invention and the method of manufacturing the same will be described in detail.

【0011】本発明の太陽電池は、ガラス基板と、該ガ
ラス基板の上に、透明電極層、光電変換層および裏面電
極層を有するものである。
The solar cell of the present invention has a glass substrate and a transparent electrode layer, a photoelectric conversion layer and a back electrode layer on the glass substrate.

【0012】本発明の太陽電池のガラス基板を形成する
ガラス素地としては、特に限定されず、例えば、通常の
ソーダライムガラス組成からなるガラス、鉄含有量を低
減させた白板ガラス組成のガラス、ソーダ含有量を低減
させた耐熱ガラス組成のガラス、ホウ珪酸ガラス等の各
種の素地が使用できる。特に、本発明の太陽電池は、可
視光の吸収を低減させ、高い可視光線透過率を有するこ
とが求められるため、鉄の含有率が酸化鉄量として0.
05wt%以下、好ましくは0〜0.01wt%である
ガラス素地からなるものが、1〜2μmの長波長域での
透過率を向上させることができるため、好適である。ま
た、鉄含有率が0wt%の素地としてホウ珪酸ガラスを
使用してもよい。具体的には、可視光線透過率が、ソー
ダライムガラスよりも高く、特に、可視光線透過率が8
5%以上、さらに可視光線透過率が88〜92%である
ガラス素地を用いることが好ましい。また、本発明の太
陽電池において、ガラス基板は、強化ガラスからなるも
のでもよい。この場合、あらかじめ強化処理したガラス
の上に透明導電層を形成したものを用いてもよいし、透
明導電層をガラス基板上に作成した後、強化した透明導
電層付強化ガラス基板を使用してもよい。
The glass substrate forming the glass substrate of the solar cell of the present invention is not particularly limited. Examples thereof include a glass having a normal soda-lime glass composition, a glass having a white plate glass composition having a reduced iron content, and a soda glass. Various base materials such as glass having a reduced heat-resistant glass composition and borosilicate glass can be used. In particular, since the solar cell of the present invention is required to reduce the absorption of visible light and have a high visible light transmittance, the iron content is 0.1% as iron oxide content.
A glass substrate having a content of not more than 05% by weight, preferably 0 to 0.01% by weight, is preferable because transmittance in a long wavelength region of 1 to 2 μm can be improved. Alternatively, borosilicate glass may be used as the base having an iron content of 0 wt%. Specifically, the visible light transmittance is higher than that of soda lime glass, and particularly, the visible light transmittance is 8%.
It is preferable to use a glass base material having a visible light transmittance of 5% or more and a visible light transmittance of 88% to 92%. In the solar cell of the present invention, the glass substrate may be made of tempered glass. In this case, a transparent conductive layer may be formed on glass that has been reinforced in advance, or a transparent conductive layer may be formed on a glass substrate, and then a reinforced glass substrate with a transparent conductive layer may be used. Is also good.

【0013】本発明の太陽電池において、ガラス基板の
厚さは、通常、0.5〜10mmの範囲であり、強化ガ
ラスまたは透明導電層付強化ガラスを基板として用いる
場合は、3mm以上であることが望ましい。
[0013] In the solar cell of the present invention, the thickness of the glass substrate is usually in the range of 0.5 to 10 mm, and when the tempered glass or the tempered glass with a transparent conductive layer is used as the substrate, it is at least 3 mm. Is desirable.

【0014】本発明の太陽電池において、ガラス基板の
上に形成される透明電極層の形成は、ガラス基板の上に
透明導電膜を形成した後、該透明導電膜をレーザーを用
いないパターニング法で処理して所定のパターンを形成
することによって行う。
In the solar cell of the present invention, the transparent electrode layer formed on the glass substrate is formed by forming a transparent conductive film on the glass substrate and then patterning the transparent conductive film without using a laser. This is performed by processing to form a predetermined pattern.

【0015】ガラス基板上への透明導電膜の形成は、例
えば、CVD法、プラズマCVD法、スパッタリング
法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、イオンプレー
ティング法、透明導電膜形成用塗布液をスプレー塗布す
るスプレー法、透明導電膜形成用塗布液に浸漬する浸漬
法等の透明導電性薄膜をガラス基板の表面に形成できる
方法であれば、いずれの方法にしたがって行ってもよ
く、特に制限されない。
The formation of the transparent conductive film on the glass substrate can be performed by, for example, a CVD method, a plasma CVD method, a sputtering method, an electron beam evaporation method, a resistance heating evaporation method, an ion plating method, or a coating solution for forming a transparent conductive film. Any method that can form a transparent conductive thin film on the surface of a glass substrate, such as a spray method for spray coating and a dipping method for dipping in a coating liquid for forming a transparent conductive film, may be performed according to any method, and is not particularly limited. .

【0016】本発明において、透明導電膜を所定のパタ
ーンに形成するためのレーザーを用いないパターニング
法としては、フォトエッチング法、リフトオフ法等が挙
げられる。
In the present invention, as a patterning method without using a laser for forming a transparent conductive film into a predetermined pattern, a photo-etching method, a lift-off method and the like can be mentioned.

【0017】本発明の太陽電池において、透明電極層
は、例えば、酸化錫を主成分とする透明導電酸化物層な
どが挙げられる。この酸化錫を主成分とする透明導電酸
化物層としては、フッ素が酸化錫に対して0.1〜5重
量%、好ましくは0.3〜2重量%程度の割合で含有さ
れ、導電性が付与されたフッ素ドープ酸化錫導電膜、あ
るいはアンチモンが酸化錫に対して0.1〜30重量
%、好ましくは0.3〜5重量%程度の割合で含有さ
れ、導電性が付与されたアンチモンドープ酸化錫導電膜
が望ましい。また、この酸化錫を主成分とする透明導電
酸化物層は、フッ素、アンチモンの他に、インジウム、
亜鉛、カドミウム、ひ素、リン、塩素等を含有していて
もよい。
In the solar cell of the present invention, examples of the transparent electrode layer include a transparent conductive oxide layer containing tin oxide as a main component. The transparent conductive oxide layer containing tin oxide as a main component contains fluorine in an amount of about 0.1 to 5% by weight, preferably about 0.3 to 2% by weight, based on the tin oxide. The provided fluorine-doped tin oxide conductive film or antimony doped with antimony is contained in an amount of about 0.1 to 30% by weight, preferably about 0.3 to 5% by weight, based on tin oxide. A tin oxide conductive film is desirable. Further, the transparent conductive oxide layer containing tin oxide as a main component, in addition to fluorine and antimony, indium,
It may contain zinc, cadmium, arsenic, phosphorus, chlorine and the like.

【0018】この透明電極層の厚さは、通常、2000
〜15000オングストローム程度であり、導電性と表
面形状の点で、好ましくは6000〜12000オング
ストロームである。
The thickness of the transparent electrode layer is usually 2,000
程度 15000 Å, and preferably 6,000 to 12,000 Å in terms of conductivity and surface shape.

【0019】また、本発明の太陽電池のガラス基板は、
透明電極層以外に、必要に応じて、酸化珪素等からなる
下地処理層または酸化亜鉛を主成分とする表面保護層
(プラズマ耐性層、耐熱層)を有していてもよい。
Further, the glass substrate of the solar cell of the present invention comprises:
In addition to the transparent electrode layer, if necessary, an undercoating layer made of silicon oxide or the like or a surface protection layer (plasma resistant layer, heat resistant layer) containing zinc oxide as a main component may be provided.

【0020】本発明の太陽電池において、光電変換層の
形成は、非晶質シリコンからなる半導体層を形成し、こ
の半導体層にレーザーを用いるパターニング法によって
所定のパターンを形成することによって行うことができ
る。この光電変換層は、例えば、ボロンドープ非晶質S
iC、ノンドープ非晶質Si、ボロンドープ非晶質Si
を順次積層してなるpin接合半導体層等が挙げられ
る。非晶シリコンからなる半導体層の形成は、プラズマ
CVD法等によって行うことができる。
In the solar cell of the present invention, the photoelectric conversion layer is formed by forming a semiconductor layer made of amorphous silicon, and forming a predetermined pattern on the semiconductor layer by a patterning method using a laser. it can. This photoelectric conversion layer is made of, for example, boron-doped amorphous S
iC, non-doped amorphous Si, boron-doped amorphous Si
Are sequentially laminated, and a pin junction semiconductor layer or the like is exemplified. The formation of the semiconductor layer made of amorphous silicon can be performed by a plasma CVD method or the like.

【0021】本発明の太陽電池において、裏面電極層
は、金属層、金属酸化物層、あるいは金属層と金属酸化
物層とからなる複合層で構成される。金属層を構成する
金属としては、例えば、Ti、Al、Ag、Ni等が用
いられ、金属酸化物としては、例えば、ZnO、TiO
2 、SnO2 等が用いられる。金属層または金属酸化物
層の積層は、例えば、スパッタリング法、CVD法、真
空蒸着法等の方法にしたがって行うことができる。本発
明において、裏面電極層の形成は、前記金属または金属
酸化物からなる被膜を、光電変換層の上に成膜した後、
レーザーを用いるパターニング法によって所定のパター
ンを形成することによって行うことができる。
In the solar cell of the present invention, the back electrode layer is constituted by a metal layer, a metal oxide layer, or a composite layer comprising a metal layer and a metal oxide layer. As the metal constituting the metal layer, for example, Ti, Al, Ag, Ni or the like is used, and as the metal oxide, for example, ZnO, TiO
2 , SnO 2 or the like is used. The lamination of the metal layer or the metal oxide layer can be performed according to a method such as a sputtering method, a CVD method, and a vacuum evaporation method. In the present invention, the formation of the back electrode layer, after forming a film made of the metal or metal oxide on the photoelectric conversion layer,
It can be performed by forming a predetermined pattern by a patterning method using a laser.

【0022】本発明において、光電変換層および裏面電
極層の刻設に用いるレーザーとしては、例えば、YAG
レーザー等が挙げられる。
In the present invention, as a laser used for engraving the photoelectric conversion layer and the back electrode layer, for example, YAG
Laser and the like.

【0023】本発明の太陽電池の製造は、前記図1
(a)および(b)、ならびに図2(a)〜(d)に示
す、透明電極層の形成、光電変換層の形成および裏面電
極層の形成の工程にしたがって行うことができる。本発
明においては、この工程において、図1(b)に示す透
明電極層の形成における溝8の刻成を、レーザーを用い
ないパターニング法によって行い、図2(b)に示す光
電変換層の形成における溝10の刻成および図2(d)
に示す裏面電極層の形成における溝12の刻成をレーザ
ーを用いるパターニング法によって行う方法である。溝
8の刻成をレーザーを用いないパターニング法によって
行うことにより、製造工程における加熱処理、例えば、
光電変換層の製膜工程、裏面電極層の製膜工程、樹脂等
による裏面側の封止工程等における加熱処理において、
ガラス基板が割れることを防止することができる。ま
た、太陽電池の実使用時における機械的衝撃、あるいは
日射による加熱、昼夜間の温度差、季節の変化における
寒暖差等による熱サイクルによりガラスに発生する応力
による割れを防止することができる。また、通常のガラ
ス基板の代わりに強化ガラスを用いた場合も同様の効果
がある。
The manufacture of the solar cell of the present invention is similar to that of FIG.
2 (a) and 2 (b) and FIGS. 2 (a) to 2 (d), which can be performed in accordance with the steps of forming a transparent electrode layer, forming a photoelectric conversion layer, and forming a back electrode layer. In the present invention, in this step, the formation of the grooves 8 in the formation of the transparent electrode layer shown in FIG. 1B is performed by a patterning method without using a laser to form the photoelectric conversion layer shown in FIG. Of the groove 10 in FIG.
In this method, the grooves 12 in the formation of the back electrode layer are formed by a patterning method using a laser. By performing the engraving of the groove 8 by a patterning method without using a laser, a heat treatment in a manufacturing process, for example,
In the heat treatment in the film forming step of the photoelectric conversion layer, the film forming step of the back electrode layer, the sealing step on the back side with a resin or the like,
The glass substrate can be prevented from breaking. Further, it is possible to prevent cracks due to stress generated in the glass due to heat shock due to mechanical shock during actual use of the solar cell, heating due to solar radiation, temperature difference between day and night, temperature difference in seasonal change, and the like. The same effect can be obtained when a tempered glass is used instead of a normal glass substrate.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明の実施例および比較例に基づい
て、本発明をより具体的に説明する。
EXAMPLES The present invention will be described below more specifically based on examples of the present invention and comparative examples.

【0025】(実施例1)面取りした板厚4mm、30
cm角のガラス基板上に、常圧CVD法により、厚さ1
μmの酸化錫透明導電膜を形成した。次に、形成された
酸化錫透明導電膜の表面に太陽電池セルの所定のパター
ンをレジスト印刷し、乾燥後、亜鉛粉末と1Nの塩酸溶
液を用いたエッチングによって、ガラス基板の表面にま
で達する複数の溝を刻成して、ガラス基板上に、各溝に
よって画成された、酸化錫からなる透明電極層を複数形
成した。次いで、透明電極層の上に、プラズマCVD法
(基板温度:200℃)によって、ボロンドープ非晶質
SiC層、ノンドープ非晶質Si層、ボロンドープ非晶
質Si層を順次積層して、厚さ5000Aの非晶質シリ
コン層を形成するとともに、透明電極層を画成する溝に
も該非晶質シリコンを充填した後、YAGレーザースク
ライブ(波長:0.53μm)によって、透明電極層の
上面にまで達する複数の溝を刻成して、各溝によって画
成された、pin光電変換層を複数形成した。
(Example 1) Chamfered plate thickness 4 mm, 30
On a glass substrate of cm square, a thickness of 1
A tin oxide transparent conductive film having a thickness of μm was formed. Next, a predetermined pattern of the solar cell is resist-printed on the surface of the formed tin oxide transparent conductive film, dried, and then etched to reach the surface of the glass substrate by etching using zinc powder and a 1N hydrochloric acid solution. And a plurality of transparent electrode layers made of tin oxide and defined by the grooves were formed on the glass substrate. Next, a boron-doped amorphous SiC layer, a non-doped amorphous Si layer, and a boron-doped amorphous Si layer are sequentially stacked on the transparent electrode layer by a plasma CVD method (substrate temperature: 200 ° C.) to have a thickness of 5000 A. After the amorphous silicon layer is formed and the grooves defining the transparent electrode layer are also filled with the amorphous silicon, the amorphous silicon layer reaches the upper surface of the transparent electrode layer by YAG laser scribe (wavelength: 0.53 μm). A plurality of grooves were carved to form a plurality of pin photoelectric conversion layers defined by each groove.

【0026】次に、形成されたpin光電変換層の上
に、スパッタリング法を用いて、室温で厚さ2000Å
のAg層を形成するとともに、pin光電変換層を画成
する溝にもAgを充填した後、YAGレーザースクライ
ブ(波長:0.53μm)によって、pin光電変換層
の上面にまで達する複数の溝を刻成して、各溝によって
画成された、複数のAg裏面電極を形成した。
Next, on the formed pin photoelectric conversion layer, a thickness of 2,000 .ANG.
After the Ag layer was formed and the groove defining the pin photoelectric conversion layer was also filled with Ag, a plurality of grooves reaching the upper surface of the pin photoelectric conversion layer were formed by YAG laser scribe (wavelength: 0.53 μm). Engraving was performed to form a plurality of Ag back surface electrodes defined by each groove.

【0027】以上の工程によって、ガラス基板の上に、
透明電極層、pin光電変換層およびAg裏面電極層か
らなる太陽電池セルを30個配列し、各太陽電池セル
は、隣接するセルの透明電極層と裏面電極層とが、前記
図2(d)に示すように、連絡部で接続されている構造
を有する太陽電池モジュールを作成した。本実施例にお
いては、同様の工程によって15枚の太陽電池モジュー
ルを作成した。この太陽電池モジュールの製造工程にお
いて、pin光電変換層形成工程における200℃への
昇温過程または室温への降温過程で、ガラス基板に割れ
は生じなかった。また、製造した15枚の太陽電池モジ
ュールについて、屋外暴露試験を2ケ月行った結果、割
れは生じなかった。
Through the above steps, a glass substrate is
Thirty solar cells composed of a transparent electrode layer, a pin photoelectric conversion layer, and an Ag back electrode layer are arranged. In each solar cell, the transparent electrode layer and the back electrode layer of the adjacent cell are the same as those shown in FIG. As shown in (1), a solar cell module having a structure connected by a connecting portion was produced. In this example, fifteen solar cell modules were produced by the same steps. In the manufacturing process of this solar cell module, no crack was generated in the glass substrate in the process of raising the temperature to 200 ° C. or the process of lowering the temperature to room temperature in the pin photoelectric conversion layer forming process. Further, as a result of performing an outdoor exposure test for 15 months on the manufactured 15 solar cell modules, no crack was generated.

【0028】(実施例2)面取りした板厚4mm、30
cm角のガラス基板上に、常圧CVD法により、厚さ1
μmの酸化錫透明導電膜を作製した。この酸化錫透明導
電膜付ガラス基板を620℃まで加熱後風冷強化し、酸
化錫透明導電膜付強化ガラスとした。次に、実施例1と
同様にして、フォトレジスト法による透明電極層の形
成、ならびにpin光電変換層の形成、およびAg裏面
電極層の形成を行い、ガラス基板の上に、透明電極層、
pin光電変換層およびAg裏面電極層からなる太陽電
池セルを30個配列し、各太陽電池セルは、隣接するセ
ルの透明電極層と裏面電極層とが、前記図2(d)に示
すように、連絡部で接続されている構造を有する太陽電
池モジュールを15枚製造した。
(Example 2) Chamfered plate thickness 4 mm, 30
On a glass substrate of cm square, a thickness of 1
A μm tin oxide transparent conductive film was produced. This glass substrate with a tin oxide transparent conductive film was heated to 620 ° C. and then air-cooled to obtain a tempered glass with a tin oxide transparent conductive film. Next, in the same manner as in Example 1, the formation of the transparent electrode layer by the photoresist method, the formation of the pin photoelectric conversion layer, and the formation of the Ag back electrode layer were performed.
Thirty solar cells including a pin photoelectric conversion layer and an Ag back electrode layer are arranged. In each solar cell, the transparent electrode layer and the back electrode layer of the adjacent cell are arranged as shown in FIG. Then, 15 solar cell modules having a structure connected by the connecting portion were manufactured.

【0029】この太陽電池モジュールの製造工程におい
て、pin光電変換層形成工程における200℃への昇
温過程または室温への降温過程で、ガラス基板に割れは
生じなかった。また、この強化ガラスからなる基板を有
する太陽電池モジュール15枚について、227gの鉄
球を用いて、2mの高さから落球試験を行った結果、1
5枚とも割れを生じず、強化ガラス本来の強度を発現し
た。さらに、製造した15枚の太陽電池モジュールにつ
いて、屋外暴露試験を2ケ月行った結果、割れは生じな
かった。
In the manufacturing process of this solar cell module, no crack was generated in the glass substrate in the process of raising the temperature to 200 ° C. or the process of lowering the temperature to room temperature in the pin photoelectric conversion layer forming process. In addition, as for 15 solar cell modules having the substrate made of the tempered glass, a ball drop test was performed from a height of 2 m using a 227 g iron ball.
All five sheets did not crack and exhibited the original strength of tempered glass. Furthermore, as a result of performing an outdoor exposure test for 15 months on the manufactured 15 solar cell modules, no crack was generated.

【0030】(比較例1)面取りした板厚4mm、30
cm角のガラス基板上に、常圧CVD法により厚さ1μ
mの酸化錫透明導電膜を形成した後、波長:1.06μ
mのYAGレーザーを用いるスクライブ法で酸化錫透明
導電層のパターニングを行った以外は、実施例1と同様
にして、太陽電池モジュールを15枚作製した。この太
陽電池モジュールの製造工程において、pin光電変換
層形成工程での200℃への昇温過程または室温への降
温過程において、太陽電池モジュール15枚中2枚のガ
ラス基板に割れが生じた。割れた太陽電池モジュールを
調べたところ、酸化錫透明電極層をレーザースクライブ
した場所が割れの起点となっていた。
(Comparative Example 1) Chamfered plate thickness 4 mm, 30
1μm thick on a cm square glass substrate by atmospheric pressure CVD
m, after forming the tin oxide transparent conductive film, the wavelength: 1.06 μm
15 solar cell modules were produced in the same manner as in Example 1, except that the tin oxide transparent conductive layer was patterned by a scribe method using a YAG laser of m. In the manufacturing process of this solar cell module, in the process of increasing the temperature to 200 ° C. or the process of decreasing the temperature to room temperature in the pin photoelectric conversion layer forming process, cracks occurred in two of the 15 solar cell modules in the glass substrate. When the cracked solar cell module was examined, it was found that the place where the tin oxide transparent electrode layer was laser scribed was the starting point of the crack.

【0031】また、13枚の太陽電池モジュールについ
て屋外暴露試験を2ケ月間行った。その結果、太陽電池
モジュール13枚中2枚のガラス基板に割れが生じた。
割れた太陽電池モジュールを調べたところ、酸化錫透明
導電層をレーザースクライブした場所が割れの起点とな
っていた。この結果から、実施例1と比べてガラスの強
度が低下していることが分かる。
Further, an outdoor exposure test was performed for 13 solar cell modules for 2 months. As a result, cracks occurred in two of the thirteen glass substrates.
When the cracked solar cell module was examined, the place where the tin oxide transparent conductive layer was laser-scribed was the starting point of the crack. From this result, it can be seen that the strength of the glass is lower than that of Example 1.

【0032】(比較例2)面取りした板厚4mm、30
cm角のガラス基板上に、常圧CVD法により厚さ1μ
mの酸化錫透明導電膜を作製した。この酸化錫透明導電
膜付ガラス基板を620℃まで加熱後風冷して強化ガラ
スとした。次に、波長:1.06μmのYAGレーザー
を用いるスクライブ法で酸化錫透明導電層のパターニン
グを行った以外は、実施例1と同様にして、太陽電池モ
ジュールを15枚作製した。
Comparative Example 2 Chamfered plate thickness 4 mm, 30
1μm thick on a cm square glass substrate by atmospheric pressure CVD
m of tin oxide transparent conductive film was produced. This glass substrate with a tin oxide transparent conductive film was heated to 620 ° C. and then air-cooled to obtain a tempered glass. Next, 15 solar cell modules were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the tin oxide transparent conductive layer was patterned by a scribe method using a YAG laser having a wavelength of 1.06 μm.

【0033】この太陽電池モジュールの製造工程におい
て、pin光電変換層形成工程での200℃への昇温過
程または室温への降温過程において、太陽電池モジュー
ル15枚中2枚のガラス基板に割れが生じた。割れた太
陽電池モジュールを調べたところ、酸化錫透明電極層を
レーザースクライブした場所が割れの起点となってい
た。また、この強化ガラスからなる基板を有する太陽電
池モジュール13枚について、227gの鉄球を用い
て、2mの高さから落球試験を行った結果、13枚とも
割れは生じなかった。
In the manufacturing process of this solar cell module, in the process of increasing the temperature to 200 ° C. or the process of lowering the temperature to room temperature in the pin photoelectric conversion layer forming process, two glass substrates out of 15 of the solar cell modules crack. Was. When the cracked solar cell module was examined, it was found that the place where the tin oxide transparent electrode layer was laser scribed was the starting point of the crack. In addition, as a result of performing a falling ball test on 13 solar cell modules having the substrate made of the tempered glass from a height of 2 m using an iron ball of 227 g, no crack was generated in any of the 13 solar cell modules.

【0034】また、13枚の太陽電池モジュールについ
て屋外暴露試験を2ケ月間行った。その結果、太陽電池
モジュール13枚中1枚のガラス基板に割れが生じた。
割れた太陽電池モジュールを調べたところ、酸化錫透明
導電層をレーザースクライブした場所が割れの起点とな
っていた。実施例2と比較した場合、強化ガラス本来の
強度が低下していることが明らかとなった。
An outdoor exposure test was conducted for 13 solar cell modules for 2 months. As a result, cracks occurred in one of the 13 solar cell modules.
When the cracked solar cell module was examined, the place where the tin oxide transparent conductive layer was laser-scribed was the starting point of the crack. As compared with Example 2, it was clear that the original strength of the tempered glass was reduced.

【0035】以上の実施例1および2、ならびに比較例
1および2において、太陽電池をそれぞれ15枚製造し
た中で、製造工程、落球試験および屋外暴露試験でガラ
ス基板が割れた枚数を、表1にまとめて示す。
In the above Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the number of broken glass substrates in the manufacturing process, the falling ball test, and the outdoor exposure test was shown in Table 1 among 15 solar cells each manufactured. Are shown together.

【0036】 [0036]

【0037】実施例で作製した太陽電池モジュールは、
屋外暴露時の熱割れや、電池作製時の熱サイクルで割れ
を生じることがなく、高い製造歩留りが実現できる。こ
れに対して従来の全てレーザーでパターニングする方法
では、レーザーによる基板への熱ダメージが発生し易い
ため、割れを生じ易いことが分かった。また、強化の効
果もレーザーによるパターニング工程で失われ易く、強
化ガラス本来の強度を確保できなかった。
The solar cell module manufactured in the example is
A high production yield can be realized without causing thermal cracking during outdoor exposure and thermal cracking during battery fabrication. On the other hand, it has been found that, in the conventional method of patterning all with a laser, thermal damage to the substrate by the laser is liable to occur, so that cracks are likely to occur. Further, the effect of strengthening is easily lost in the patterning step by laser, and the original strength of the strengthened glass could not be secured.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明の太陽電池は、加熱処理を伴う製
造過程においてガラス基板の割れがなく、生産歩留りの
向上およびコストの低減を図ることができ、また、実使
用時においても、ガラス基板の割れがないため、高い信
頼性および機械的強度を有するものである。また、本発
明の太陽電池の製造方法によれば、前記太陽電池を高い
歩留りおよび低コストで製造することができる。
According to the solar cell of the present invention, there is no breakage of the glass substrate in the manufacturing process involving heat treatment, so that the production yield can be improved and the cost can be reduced. Since it has no cracks, it has high reliability and mechanical strength. Further, according to the method for manufacturing a solar cell of the present invention, the solar cell can be manufactured at a high yield and at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (a)および(b)は、太陽電池の製造にお
ける透明電極層の形成工程を説明する模式断面図。
FIGS. 1A and 1B are schematic cross-sectional views illustrating a process for forming a transparent electrode layer in the manufacture of a solar cell.

【図2】 (a)〜(d)は、太陽電池の製造における
光電変換層および裏面電極層の形成工程を説明する模式
断面図。
FIGS. 2A to 2D are schematic cross-sectional views illustrating a process of forming a photoelectric conversion layer and a back electrode layer in the manufacture of a solar cell.

【図3】 (a)および(b)は、従来の太陽電池の製
造における透明電極層の形成工程の問題点を説明する
図。
FIGS. 3A and 3B are diagrams illustrating a problem in a step of forming a transparent electrode layer in a conventional solar cell manufacturing process.

【符号の説明】 1 ガラス基板 2a,2b 透明電極層 3a,3b 光電変換層 4a,4b 裏面電極層 5a,5b 太陽電池セル 6ab,6bc,6cd 連絡部 7 透明導電膜 8 溝 9 非晶質シリコン層 10 溝 11 導電性被膜 12 溝 13 溝8の底部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2a, 2b Transparent electrode layer 3a, 3b Photoelectric conversion layer 4a, 4b Back electrode layer 5a, 5b Solar cell 6ab, 6bc, 6cd Contact part 7 Transparent conductive film 8 Groove 9 Amorphous silicon Layer 10 Groove 11 Conductive coating 12 Groove 13 Bottom of groove 8

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ガラス基板と、該ガラス基板上にレーザー
を用いないパターニング方法によって形成された透明電
極層と、該透明電極層の上にレーザーを用いるパターニ
ング法によって形成された光電変換層と裏面電極層とを
有する太陽電池。
1. A glass substrate, a transparent electrode layer formed on the glass substrate by a patterning method without using a laser, a photoelectric conversion layer formed on the transparent electrode layer by a patterning method using a laser, and a back surface. A solar cell having an electrode layer.
【請求項2】前記レーザーを用いないパターニング方法
が、フォトエッチング処理またはリフトオフ処理である
請求項1に記載の太陽電池。
2. The solar cell according to claim 1, wherein the patterning method without using a laser is a photo-etching process or a lift-off process.
【請求項3】前記ガラス基板が、強化ガラスからなるも
のである請求項1または2に記載の太陽電池。
3. The solar cell according to claim 1, wherein said glass substrate is made of tempered glass.
【請求項4】ガラス基板の上に透明導電膜を成膜し、該
透明導電膜をレーザーを用いないパターニング法によっ
て処理して所定のパターンを有する透明電極層を形成し
た後、該透明電極層の上にレーザーを用いるパターニン
グ法を用いて光電変換層と裏面電極層とを形成する工程
を有する太陽電池の製造方法。
4. A transparent conductive film is formed on a glass substrate, and the transparent conductive film is processed by a patterning method without using a laser to form a transparent electrode layer having a predetermined pattern. A method for manufacturing a solar cell, comprising a step of forming a photoelectric conversion layer and a back electrode layer on a substrate by using a patterning method using a laser.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6909425B2 (en) 2001-01-17 2005-06-21 Fujitsu-Takamisawa Component Ltd. Touch panel
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