JPH1090674A - Reflection type guest-host liquid crystal display device - Google Patents

Reflection type guest-host liquid crystal display device

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Publication number
JPH1090674A
JPH1090674A JP8265579A JP26557996A JPH1090674A JP H1090674 A JPH1090674 A JP H1090674A JP 8265579 A JP8265579 A JP 8265579A JP 26557996 A JP26557996 A JP 26557996A JP H1090674 A JPH1090674 A JP H1090674A
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JP
Japan
Prior art keywords
layer
liquid crystal
light
reflection
substrate
Prior art date
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Application number
JP8265579A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisao Hayashi
久雄 林
Hideo Kataoka
秀雄 片岡
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP8265579A priority Critical patent/JPH1090674A/en
Publication of JPH1090674A publication Critical patent/JPH1090674A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve display brightness of a reflection type guest-host liquid crystal display device. SOLUTION: This reflection type guest-host liquid crystal display device consists of a pair of substrates 1, 2, a guest-host liquid crystal layer 3, a quarter wavelength plate layer 10 and a light-diffusing and reflecting layer 9. On the lower substrate 2 where light enters, matrix type pixel electrodes 11 and thin film transistors 8 which drive the pixels are formed as integrated. On the substrate 1 where the light reflects has a counter electrode 6 and is joined with the lower substrate 2 at a specified distance. The guest-host liquid crystal layer 3 is held between substrates 1, 2 and contains a dichroic dye 5. The quarter wavelength plate layer 10 is formed between the reflection side substrate 1 and the guest-host liquid crystal layer 3. The light-diffusing and reflecting layer 9 is formed between the reflection side substrate 1 and the quarter wavelength plate layer 10 and it diffuses and reflects the incident light entering through the incident side substrate 2 and the quarter wavelength plate layer 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置に関する。より詳しくは、四分の一波長板
層と光拡散反射層とを装置内に内蔵して入射光の利用効
率を改善する技術に関する。
The present invention relates to a reflection type guest-host liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a technology for improving the efficiency of use of incident light by incorporating a quarter-wave plate layer and a light diffusion / reflection layer in a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】四分の一波長板層と鏡面の光反射層とを
内蔵した反射型ゲストホスト液晶表示装置は例えば特開
平6−222351号公報に開示されており、図5にそ
の断面構造を示す。この反射型ゲストホスト液晶表示装
置101は、上下一対の基板102及び103、二色性
色素105を含有したゲストホスト液晶層104、上下
一対の透明電極106及び110、上下一対の配向層1
07及び111、鏡面の光反射層108、四分の一波長
板層109を含んで構成されている。一対の基板102
及び103は、例えばガラス、石英、プラスチック等の
絶縁性を有する材料で構成されている。少なくとも入射
側に位置する上側の基板102は透明である。一対の基
板102及び103の間隙には二色性色素105を含む
ゲストホスト液晶層104が保持されている。このゲス
トホスト液晶層104はネマティック液晶分子104a
を主成分としている。二色性色素105はその分子の長
軸に略平行な遷移双極子モーメントを有する、所謂p型
色素である。入射側に位置する上側の基板102の内表
面102aには図示しないが薄膜トランジスタ等のスイ
ッチング素子が集積形成されている。又、透明電極10
6は画素電極としてマトリクス状にパタニングされてお
り、対応するスイッチング素子により駆動される。更
に、上側基板102の内表面はポリイミド樹脂等からな
る配向層107で被覆されている。この配向層107の
表面は例えばラビング処理が施されており、ネマティッ
ク液晶分子104aを水平配向している。一方、反射側
に位置する下側の基板103の内表面103aにはアル
ミニウム等からなる光反射層108と高分子液晶等から
なる四分の一波長板層109とがこの順に形成されてい
る。光反射層108は鏡面を有しており入射光を正反射
する。更に、四分の一波長板層109の上には対向電極
となる透明電極110と配向層111とがこの順に形成
されている。
2. Description of the Related Art A reflection type guest-host liquid crystal display device having a built-in quarter-wave plate layer and a mirror-like light reflection layer is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-222351, and FIG. Is shown. The reflective guest-host liquid crystal display device 101 includes a pair of upper and lower substrates 102 and 103, a guest-host liquid crystal layer 104 containing a dichroic dye 105, a pair of upper and lower transparent electrodes 106 and 110, and a pair of upper and lower alignment layers 1.
07 and 111, a mirror-surface light reflecting layer 108, and a quarter-wave plate layer 109. A pair of substrates 102
And 103 are made of an insulating material such as glass, quartz, or plastic. At least the upper substrate 102 located on the incident side is transparent. A guest-host liquid crystal layer 104 including a dichroic dye 105 is held in a gap between the pair of substrates 102 and 103. This guest-host liquid crystal layer 104 is composed of nematic liquid crystal molecules 104a.
As a main component. The dichroic dye 105 is a so-called p-type dye having a transition dipole moment substantially parallel to the long axis of the molecule. Although not shown, a switching element such as a thin film transistor is integrally formed on the inner surface 102a of the upper substrate 102 located on the incident side. Also, the transparent electrode 10
6 is patterned as a pixel electrode in a matrix, and is driven by a corresponding switching element. Further, the inner surface of the upper substrate 102 is covered with an alignment layer 107 made of a polyimide resin or the like. The surface of the alignment layer 107 is, for example, subjected to a rubbing treatment, so that the nematic liquid crystal molecules 104a are horizontally aligned. On the other hand, on the inner surface 103a of the lower substrate 103 located on the reflection side, a light reflection layer 108 made of aluminum or the like and a quarter-wave plate layer 109 made of a polymer liquid crystal or the like are formed in this order. The light reflection layer 108 has a mirror surface and specularly reflects incident light. Further, on the quarter-wave plate layer 109, a transparent electrode 110 serving as a counter electrode and an alignment layer 111 are formed in this order.

【0003】続いて、この反射型ゲストホスト液晶表示
装置101を用いて白黒表示を行なう場合の動作につい
て簡潔に説明する。電圧無印加状態では、ネマティック
液晶分子104aは水平に配向しており、二色性色素1
05もこれに倣って水平に配向する。上側の基板102
側から入射した光がゲストホスト液晶層104に進む
と、入射光のうち二色性色素105の分子の長軸方向に
対して平行な振動面を持つ成分が二色性色素105によ
って吸収される。又、二色性色素105の分子の長軸方
向に対して垂直な振動面を持つ成分はゲストホスト液晶
層104を通過し、下側の基板103の表面103aに
形成された四分の一波長板層109で円偏光とされ、光
反射層108で正反射する。この時、反射光の偏光が逆
廻りとなり、再び四分の一波長板層109を通過し、二
色性色素105の分子の長軸方向に対して平行な振動面
を持つ成分となる。この成分は二色性色素105によっ
て吸収されるので完全な黒色表示となる。一方、電圧印
加時にはネマティック液晶分子104aは電界方向に沿
って垂直に配向し、二色性色素105もこれに倣って垂
直に配向する。上側の基板102側から入射した光は二
色性色素105によって吸収されずにゲストホスト液晶
層104を通過し、更に四分の一波長板層109の影響
を受けることなく光反射層108で正反射する。反射光
は再び四分の一波長板層109を通過し、ゲストホスト
液晶層104で吸収されずに出射される。従って白色表
示となる。
Next, a brief description will be given of the operation in the case of performing monochrome display using the reflective guest-host liquid crystal display device 101. In the state where no voltage is applied, the nematic liquid crystal molecules 104a are horizontally aligned and the dichroic dye 1
05 is also horizontally oriented according to this. Upper substrate 102
When light incident from the side proceeds to the guest-host liquid crystal layer 104, components of the incident light having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105 are absorbed by the dichroic dye 105. . A component of the dichroic dye 105 having a vibration plane perpendicular to the major axis direction of the molecule passes through the guest-host liquid crystal layer 104 and is formed on the surface 103 a of the lower substrate 103 by a quarter wavelength. The light is circularly polarized by the plate layer 109 and is specularly reflected by the light reflecting layer 108. At this time, the polarization of the reflected light is reversed, passes through the quarter-wave plate layer 109 again, and becomes a component having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105. Since this component is absorbed by the dichroic dye 105, a complete black display is obtained. On the other hand, when a voltage is applied, the nematic liquid crystal molecules 104a are vertically aligned along the direction of the electric field, and the dichroic dye 105 is vertically aligned following the direction. Light incident from the upper substrate 102 side passes through the guest-host liquid crystal layer 104 without being absorbed by the dichroic dye 105, and further passes through the light reflection layer 108 without being affected by the quarter-wave plate layer 109. reflect. The reflected light passes through the quarter-wave plate layer 109 again, and is emitted without being absorbed by the guest-host liquid crystal layer 104. Therefore, white display is obtained.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来構造にお
いて、光反射層108は例えばアルミニウムをスパッタ
リングした金属膜からなり、鏡面状態となっている。従
って、入射光を略正反射する。この為、反射型ゲストホ
スト液晶表示装置を正面から観察した場合、垂直入射光
のみが正反射され観察者の眼に届く。垂直入射光以外の
斜め入射光は観察者の眼に到達せず、正面から直視した
場合非常に暗い画面となってしまう。
In the conventional structure described above, the light reflection layer 108 is made of, for example, a metal film sputtered with aluminum and has a mirror surface. Therefore, the incident light is substantially specularly reflected. Therefore, when the reflective guest-host liquid crystal display device is observed from the front, only vertically incident light is specularly reflected and reaches the observer's eyes. Oblique incident light other than normal incident light does not reach the observer's eyes, resulting in a very dark screen when viewed directly from the front.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる反射型ゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成
として、一対の基板とゲストホスト液晶層と四分の一波
長板層と光拡散反射層とを備えている。一方の基板は入
射側に位置しマトリクス状の画素電極及びこれを駆動す
るスイッチング素子が集積的に形成されている。他方の
基板は反射側に位置し対向電極が形成されているととも
に、所定の間隙を介して該一方の基板に接合している。
ゲストホスト液晶層は該間隙に保持されているとともに
二色性色素を含有している。四分の一波長板層は反射側
に位置する該他方の基板と該ゲストホスト液晶層との間
に介在する。特徴事項として、光拡散反射層は反射側に
位置する該他方の基板と該四分の一波長板層との間に介
在し、入射側に位置する該一方の基板から該四分の一波
長板層を通って進入した入射光を拡散的に反射する。一
実施態様では、前記光拡散反射層は該他方の基板の表面
に形成された光反射層と、その上に形成された光拡散層
とからなる複合構造を有する。他の実施態様では、前記
光拡散反射層は該他方の基板の表面に形成された凹凸層
と、該凹凸層の表面に成膜された光反射層とからなる。
The following means have been taken in order to solve the above-mentioned problems of the prior art. That is, the reflection type guest-host liquid crystal display device according to the present invention basically includes a pair of substrates, a guest-host liquid crystal layer, a quarter-wave plate layer, and a light diffusion reflection layer. One substrate is located on the incident side, and is integrally formed with matrix-shaped pixel electrodes and switching elements for driving the same. The other substrate is located on the reflection side, has a counter electrode formed thereon, and is joined to the one substrate via a predetermined gap.
The guest host liquid crystal layer is held in the gap and contains a dichroic dye. The quarter-wave plate layer is interposed between the other substrate located on the reflection side and the guest-host liquid crystal layer. As a characteristic feature, the light diffusion / reflection layer is interposed between the other substrate located on the reflection side and the quarter wavelength plate layer, and the quarter wavelength plate is located on the incident side from the one substrate. Incident light that has entered through the plate layer is diffusely reflected. In one embodiment, the light diffusion / reflection layer has a composite structure including a light reflection layer formed on the surface of the other substrate and a light diffusion layer formed thereon. In another embodiment, the light diffusion / reflection layer includes an uneven layer formed on the surface of the other substrate, and a light reflection layer formed on the surface of the uneven layer.

【0006】本発明によれば、従来の鏡面を有する光反
射層に代えて、光拡散反射層を用いている。従来の鏡面
光反射層が入射光を略正反射するのに対し、本発明の光
拡散反射層は入射光を拡散的もしくは散乱的に乱反射す
る。従って、反射型ゲストホスト液晶表示装置を正面か
ら直視した場合、正反射成分のみならず乱反射成分も観
察者の眼に到達する為、従来に比し明るい画面が得られ
る。
According to the present invention, a light diffusion reflection layer is used in place of the conventional light reflection layer having a mirror surface. Whereas the conventional mirror light reflection layer reflects the incident light substantially specularly, the light diffusion reflection layer of the present invention diffusely or diffusely reflects the incident light. Therefore, when the reflective guest-host liquid crystal display device is directly viewed from the front, not only the specular reflection component but also the irregular reflection component reaches the observer's eyes, so that a brighter screen than before can be obtained.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の第1実施形態を示す模
式的な部分断面図である。理解を容易にする為一画素分
のみを示してある。図示するように、本反射型ゲストホ
スト液晶表示装置は上下一対の基板1,2と、ゲストホ
スト液晶層3と、四分の一波長板層10と、光拡散反射
層9等を備えている。下側の基板2はガラスや石英等の
透明絶縁材料からなり、入射側に位置する。この入射側
基板2には、マトリクス状の画素電極11及びこれを駆
動するスイッチング素子が集積的に形成されている。本
例では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ8を
用いている。画素電極11及び薄膜トランジスタ8の表
面は配向層15で被覆されている。上側の基板1は反射
側に位置し、絶縁材料から構成されるが必ずしも透明で
ある必要はない。この反射側基板1には対向電極6が形
成されているとともに、所定の間隙を介して入射側基板
2に接合している。なお、対向電極6の表面は配向層7
で被覆されている。ゲストホスト液晶層3は上下一対の
基板1,2の間隙に保持されているとともに、二色性色
素5を含有している。本実施形態では、このゲストホス
ト液晶層3は誘電異方性が負のネマティック液晶分子4
を主成分としており、上下の配向層7,15により垂直
配向(ホメオトロピック配向)している。これに倣っ
て、二色性色素5も垂直配向している。従って、電圧無
印加状態では入射光は二色性色素5によって吸収され
ず、そのまま反射され白色表示が得られる。図5に示し
た水平配向(ホモジニアス配向)に比べ、ホメオトロピ
ック配向を採用すると白表示における画面の明度が高く
なる。但し、本発明はホメオトロピック配向に限られる
ものではなく、ホモジニアス配向を採用してもよいこと
は勿論である。尚、本実施形態のようにホメオトロピッ
ク配向(垂直方向)を採用した場合、ゲストホスト液晶
層3の厚みは3〜10μmに設定することが好ましい。
このゲストホスト液晶層3の厚みは上下一対の基板1,
2の間隙寸法により規定される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic partial sectional view showing a first embodiment of a reflection type guest-host liquid crystal display device according to the present invention. Only one pixel is shown for easy understanding. As shown, the reflective guest-host liquid crystal display device includes a pair of upper and lower substrates 1 and 2, a guest-host liquid crystal layer 3, a quarter-wave plate layer 10, a light-diffusing reflective layer 9, and the like. . The lower substrate 2 is made of a transparent insulating material such as glass or quartz, and is located on the incident side. On the incident side substrate 2, a matrix of pixel electrodes 11 and switching elements for driving the pixel electrodes 11 are integrally formed. In this example, a thin film transistor 8 is used as a switching element. The surfaces of the pixel electrode 11 and the thin film transistor 8 are covered with an alignment layer 15. The upper substrate 1 is located on the reflection side and is made of an insulating material, but need not be transparent. A counter electrode 6 is formed on the reflection side substrate 1 and is joined to the incident side substrate 2 via a predetermined gap. The surface of the counter electrode 6 is aligned with the alignment layer 7.
It is covered with. The guest host liquid crystal layer 3 is held in a gap between a pair of upper and lower substrates 1 and 2 and contains a dichroic dye 5. In the present embodiment, the guest-host liquid crystal layer 3 includes nematic liquid crystal molecules 4 having a negative dielectric anisotropy.
As a main component, and is vertically aligned (homeotropically aligned) by the upper and lower alignment layers 7 and 15. Following this, the dichroic dye 5 is also vertically aligned. Therefore, when no voltage is applied, the incident light is not absorbed by the dichroic dye 5, but is reflected as it is, and a white display is obtained. Compared with the horizontal alignment (homogeneous alignment) shown in FIG. 5, the adoption of the homeotropic alignment increases the brightness of the screen in white display. However, the present invention is not limited to the homeotropic alignment, and it goes without saying that a homogeneous alignment may be adopted. When homeotropic alignment (vertical direction) is employed as in the present embodiment, the thickness of the guest-host liquid crystal layer 3 is preferably set to 3 to 10 μm.
The thickness of the guest-host liquid crystal layer 3 is a pair of upper and lower substrates 1,
2 is defined by the gap size.

【0008】四分の一波長板層10は反射側基板1とゲ
ストホスト液晶層3との間に介在する。具体的には、四
分の一波長板層10は反射側基板1の上に成膜されてお
り、その上に上述した対向電極6が形成されている。仮
に、四分の一波長板層10を入射側基板2に形成しよう
とすると、薄膜トランジスタ8と画素電極11との間に
介在させなければならない。この場合、画素電極11と
薄膜トランジスタ8を互いに接続する為、中間に介在す
る四分の一波長板層10にコンタクトホールを開口しな
ければならず、製造工程が複雑化する。又、コンタクト
ホールを開口する為にはフォトリソグラフィーやエッチ
ングを行なわなければならず、四分の一波長板層10に
ダメージを与えることになる。これに対し、本実施形態
では四分の一波長板層10を反射側基板1に形成してい
るので、何らコンタクトホールの開口等追加の処理を要
することなく、単に入射側基板1の上に成膜すればよ
い。
The quarter-wave plate layer 10 is interposed between the reflection-side substrate 1 and the guest-host liquid crystal layer 3. Specifically, the quarter-wave plate layer 10 is formed on the reflection-side substrate 1, and the above-described counter electrode 6 is formed thereon. If the quarter-wave plate layer 10 is to be formed on the incident side substrate 2, it must be interposed between the thin film transistor 8 and the pixel electrode 11. In this case, in order to connect the pixel electrode 11 and the thin film transistor 8 to each other, a contact hole must be opened in the intervening quarter-wave plate layer 10, which complicates the manufacturing process. Further, in order to open the contact hole, photolithography or etching must be performed, and the quarter-wave plate layer 10 is damaged. On the other hand, in the present embodiment, the quarter-wave plate layer 10 is formed on the reflection-side substrate 1, so that no additional processing such as opening of a contact hole is required, and the quarter-wave plate layer 10 is simply formed on the incidence-side substrate 1. What is necessary is just to form a film.

【0009】更に、本発明の特徴要素である光拡散反射
層9は反射側基板1と四分の一波長板層10との間に介
在している。この光拡散反射層9は四分の一波長板層1
0を通って進入した入射光を拡散的もしくは散乱的に乱
反射する。本実施形態では、この光拡散反射層9は反射
側基板1の表面に形成された光反射層9aとその上に形
成された光拡散層9bとからなる複合構造を有する。光
反射層9aは例えばアルミニウムのスパッタ膜又は真空
蒸着膜からなり、略鏡面を有する。光拡散層9bは例え
ば透明樹脂中に透明微粒子を分散させたものである。こ
の透明微粒子の屈折率は透明樹脂と大きく異なってお
り、光を強く拡散もしくは散乱する。このように、光反
射層9aと光拡散層9bを重ね合わせることで、優れた
光散乱性を有する光拡散反射層9が得られる。かかる光
拡散反射層9を用いることにより白表示時における画面
の明るさを顕著に改善できる。二色性色素5として黒色
色素を用いれば所望の白黒表示が得られる。尚、上下一
対の基板1,2の何れかにマイクロカラーフィルタを設
ければ、白黒表示に代えてフルカラー表示が可能にな
る。マイクロカラーフィルタは個々の画素電極11に整
合して三原色に着色したセグメントの集合からなる。セ
グメントは赤緑青の三原色に分かれて着色されている。
場合によっては、イエロー,シアン,マゼンタの三原色
に着色されたマイクロカラーフィルタを用いてもよい。
このマイクロカラーフィルタは四分の一波長板層10と
光拡散層9bとの間に設けることができる。或いは、光
拡散層9b自体を各画素電極11に対応して三原色に着
色してもよい。或いは、下側の基板2に形成された画素
電極11の直下にマイクロカラーフィルタを設けてもよ
い。
Further, the light diffusion / reflection layer 9 which is a characteristic element of the present invention is interposed between the reflection-side substrate 1 and the quarter-wave plate layer 10. The light diffuse reflection layer 9 is a quarter-wave plate layer 1
The incident light that enters through 0 is diffusely or diffusely diffusely reflected. In the present embodiment, the light diffusion / reflection layer 9 has a composite structure including a light reflection layer 9a formed on the surface of the reflection side substrate 1 and a light diffusion layer 9b formed thereon. The light reflection layer 9a is made of, for example, a sputtered film or a vacuum deposited film of aluminum, and has a substantially mirror surface. The light diffusion layer 9b is formed, for example, by dispersing transparent fine particles in a transparent resin. The refractive index of the transparent fine particles is significantly different from that of the transparent resin, and strongly diffuses or scatters light. As described above, by overlapping the light reflection layer 9a and the light diffusion layer 9b, the light diffusion reflection layer 9 having excellent light scattering properties can be obtained. By using such a light diffusion / reflection layer 9, the brightness of the screen during white display can be remarkably improved. If a black dye is used as the dichroic dye 5, a desired black and white display can be obtained. If a micro color filter is provided on one of the upper and lower substrates 1 and 2, full-color display can be performed instead of monochrome display. The micro color filter is made up of a set of segments that match the individual pixel electrodes 11 and are colored in three primary colors. The segments are colored in three primary colors of red, green and blue.
In some cases, a micro color filter colored in three primary colors of yellow, cyan, and magenta may be used.
This micro color filter can be provided between the quarter-wave plate layer 10 and the light diffusion layer 9b. Alternatively, the light diffusion layer 9b itself may be colored in three primary colors corresponding to each pixel electrode 11. Alternatively, a micro color filter may be provided directly below the pixel electrode 11 formed on the lower substrate 2.

【0010】引き続き図1を参照して本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を説明する。
先ず、入射側に位置する基板2の表面に薄膜トランジス
タ8を集積形成する。具体的には、ガラス又は石英等か
らなる基板2の表面に高融点金属膜を成膜した後、所定
の形状にパタニングしてゲート電極16に加工する。こ
のゲート電極16を被覆するようにCVD等で酸化シリ
コンや窒化シリコンを堆積し、ゲート絶縁膜17とす
る。更にその上にCVD等で多結晶シリコン等からなる
半導体薄膜18を成膜する。この半導体薄膜18を薄膜
トランジスタ8の素子領域の形状に合わせて島状にパタ
ニングする。半導体薄膜18の上にゲート電極16と整
合して酸化シリコン等からなるストッパ19をパタニン
グ形成する。このストッパ19をマスクとしてイオンド
ーピング或いはイオンインプランテーションにより不純
物を半導体薄膜18に注入する。これによりボトムゲー
ト構造の薄膜トランジスタ8が得られる。尚、本発明は
これに限られるものではなく、スイッチング素子として
ボトムゲート構造の薄膜トランジスタに代え、トップゲ
ート構造の薄膜トランジスタを用いてもよい。或いは、
薄膜トランジスタ(TFT)に代えてMIM等の二端子
素子を用いてもよい。薄膜トランジスタ8を被覆するよ
うにPSG等を堆積し層間絶縁膜20とする。その後、
層間絶縁膜20に一対のコンタクトホールを開口する。
次いで、アルミニウム等をスパッタリングした後所定の
形状にパタニングして配線21に加工する。この配線2
1は薄膜トランジスタ8のソース領域に電気接続してお
り、画像信号を供給する。続いてITO等の透明導電膜
をスパッタリングで成膜した後所定の形状にパタニング
して画素電極11に加工する。この画素電極11はコン
タクトホールを介して薄膜トランジスタ8のドレイン領
域に電気接続している。この後、画素電極11を被覆す
るように配向層15を形成する。例えば垂直配向用のポ
リイミドフィルムを成膜することで所望の配向層15が
得られる。場合によっては、ポリイミドフィルムに代え
て垂直配向用のシランカップリング剤を用いてもよい。
以上のようにして、入射側の基板2が形成される。この
基板2は画素の有効開口となる画素電極11と、入射光
を遮断する薄膜トランジスタ8とに分かれている。場合
によっては、薄膜トランジスタ8を入射光から遮蔽する
為に遮光パタンを基板2の裏面に形成してもよい。
Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a reflection type guest-host liquid crystal display device according to the present invention will be described.
First, the thin film transistor 8 is integratedly formed on the surface of the substrate 2 located on the incident side. Specifically, after a high melting point metal film is formed on the surface of the substrate 2 made of glass, quartz, or the like, the gate electrode 16 is processed by patterning in a predetermined shape. Silicon oxide or silicon nitride is deposited by CVD or the like so as to cover the gate electrode 16 to form a gate insulating film 17. Further, a semiconductor thin film 18 made of polycrystalline silicon or the like is formed thereon by CVD or the like. This semiconductor thin film 18 is patterned in an island shape according to the shape of the element region of the thin film transistor 8. A stopper 19 made of silicon oxide or the like is patterned on the semiconductor thin film 18 in alignment with the gate electrode 16. Using this stopper 19 as a mask, impurities are implanted into the semiconductor thin film 18 by ion doping or ion implantation. Thus, a thin film transistor 8 having a bottom gate structure is obtained. Note that the present invention is not limited to this, and a thin film transistor having a top gate structure may be used as a switching element instead of a thin film transistor having a bottom gate structure. Or,
A two-terminal element such as a MIM may be used instead of the thin film transistor (TFT). PSG or the like is deposited so as to cover the thin film transistor 8 to form an interlayer insulating film 20. afterwards,
A pair of contact holes are opened in the interlayer insulating film 20.
Next, after sputtering aluminum or the like, the wiring 21 is processed by patterning in a predetermined shape. This wiring 2
1 is electrically connected to the source region of the thin film transistor 8 and supplies an image signal. Subsequently, a transparent conductive film such as ITO is formed by sputtering, and then patterned into a predetermined shape to process the pixel electrode 11. This pixel electrode 11 is electrically connected to the drain region of the thin film transistor 8 via a contact hole. After that, the alignment layer 15 is formed so as to cover the pixel electrode 11. For example, a desired alignment layer 15 can be obtained by forming a polyimide film for vertical alignment. In some cases, a silane coupling agent for vertical alignment may be used instead of the polyimide film.
As described above, the substrate 2 on the incident side is formed. The substrate 2 is divided into a pixel electrode 11 serving as an effective aperture of the pixel and a thin film transistor 8 for blocking incident light. In some cases, a light-shielding pattern may be formed on the back surface of the substrate 2 to shield the thin film transistor 8 from incident light.

【0011】次に反射側の基板1の製造工程を説明す
る。先ず、基板1の表面にアルミニウム等をスパッタリ
ングして光反射層9aを成膜する。この光反射層9aは
入射光を単純に鏡面反射するものである。次に、光反射
層9aに重ねて光拡散層9bを形成する。例えば、アク
リル樹脂等からなる透明樹脂中に透明微粒子を分散した
光学材料を塗工して光拡散層9bとする。透明樹脂と透
明微粒子は屈折率が大きく異なっており、優れた光拡散
性を有する。光反射層9aと光拡散層9bの複合構造に
より光拡散反射層9が得られる。この光拡散反射層9は
白表示時に周辺から入る入射光を拡散乱反射するもので
あり、明るい表示が得られる。この後、光拡散層9bの
上に四分の一波長板層10を形成する処理に進む。先
ず、光拡散層9bの表面を所定の方向に沿ってラビング
処理する。このラビング方向は電圧印加時に液晶分子4
が水平に倒れる方向と45°の角度をなすように設定さ
れる。ラビング処理された光拡散層9bの上に高分子液
晶を所定の膜厚で塗工する。この高分子液晶は所定の転
位点を境にして高温側のネマティック液晶相と低温側の
ガラス固体相との間を相転位可能な材料である。例えば
この高分子液晶は室温でガラス状態であり、好ましくは
100℃以上に転位点を持つ主鎖型又は側鎖型である。
この高分子液晶は光学的には可視領域に吸収のない透明
物質である。この高分子液晶を有機溶媒(例えばシクロ
ヘキサンとn−ブタノンの混合溶液)に溶解させた後、
スピンコーティングによって光拡散層9bの表面に塗布
する。尚、スピンコーティングに代え、ディッピング
(浸漬)又はスクリーン印刷等を用いて塗布してもよ
い。スピンコーティングを行なう場合、溶液の濃度やス
ピン回転数等の条件を適宜設定して、形成される薄膜の
膜厚が可視光領域でλ/4の位相差を生じさせるように
する。尚、λは入射光の波長である。一般に、この薄膜
の膜厚は垂直入射光に対して計算される。従って、斜め
入射光については位相差がλ/4から若干ずれることに
なる。この後温度処理を行ない、基板1を一旦転位点以
上に加熱した後転位点以下の室温まで冷却し、成膜され
た高分子液晶を前述したラビング方向に整列させて四分
の一波長板層10を形成する。例えば100℃以上の転
位点を有し高分子の主鎖又は側鎖に液晶分子を導入した
高分子液晶材料に対して加熱及び冷却を行なう。成膜段
階では高分子液晶に含まれる液晶分子はランダムな状態
にあるのに対し、徐冷後では、液晶分子はラビング方向
に沿って整列し、所望の一軸光学異方性が得られる。具
体的には、高分子液晶を成膜した基板1を予めネマティ
ック相温度又はイソトロピック相温度に設定されたオー
ブンに投入して加熱する。その後徐冷して室温まで戻
す。これによってコーティングされた高分子液晶がラビ
ング方向に整列する。この後、四分の一波長板層10の
上にITO等の透明導電膜をスパッタリング等で全面的
に成膜し対向電極6を形成する。更にその表面をポリイ
ミドフィルム等垂直配向用の配向層7で被覆する。この
ようにして加工された反射側の基板1を所定の間隙を介
して入射側の基板2に接合する。両基板1,2の間隙に
二色性色素5を含有したゲストホスト液晶層3を注入す
れば、反射型ゲストホスト液晶表示装置の完成となる。
Next, a process of manufacturing the substrate 1 on the reflection side will be described. First, a light reflection layer 9a is formed on the surface of the substrate 1 by sputtering aluminum or the like. The light reflection layer 9a simply reflects the incident light on a specular surface. Next, the light diffusion layer 9b is formed so as to overlap the light reflection layer 9a. For example, an optical material in which transparent fine particles are dispersed in a transparent resin such as an acrylic resin is applied to form the light diffusion layer 9b. The transparent resin and the transparent fine particles have significantly different refractive indexes, and have excellent light diffusing properties. The light diffusion / reflection layer 9 is obtained by the composite structure of the light reflection layer 9a and the light diffusion layer 9b. The light diffusion / reflection layer 9 diffusely reflects incident light entering from the periphery during white display, and provides a bright display. Thereafter, the process proceeds to the process of forming the quarter-wave plate layer 10 on the light diffusion layer 9b. First, the surface of the light diffusion layer 9b is rubbed along a predetermined direction. The rubbing direction is such that the liquid crystal molecules 4
Is set to form an angle of 45 ° with the direction in which it falls horizontally. A polymer liquid crystal is applied in a predetermined thickness on the rubbed light diffusion layer 9b. This polymer liquid crystal is a material capable of phase transition between a high temperature side nematic liquid crystal phase and a low temperature side glass solid phase at a predetermined dislocation point. For example, this polymer liquid crystal is in a glassy state at room temperature, and is preferably a main chain type or a side chain type having a dislocation point at 100 ° C. or higher.
This polymer liquid crystal is a transparent substance that does not optically absorb in the visible region. After dissolving this polymer liquid crystal in an organic solvent (for example, a mixed solution of cyclohexane and n-butanone),
It is applied to the surface of the light diffusion layer 9b by spin coating. In addition, you may apply by using dipping (immersion) or screen printing etc. instead of spin coating. When spin coating is performed, conditions such as the concentration of the solution and the number of spin rotations are appropriately set so that the thickness of the formed thin film causes a phase difference of λ / 4 in the visible light region. Here, λ is the wavelength of the incident light. Generally, the thickness of this thin film is calculated for normally incident light. Therefore, for obliquely incident light, the phase difference slightly deviates from λ / 4. Thereafter, a temperature treatment is performed, and the substrate 1 is once heated to a temperature equal to or higher than the dislocation point, then cooled to room temperature equal to or lower than the dislocation point, and the formed polymer liquid crystal is aligned in the above-described rubbing direction to form a quarter-wave plate layer. Form 10. For example, heating and cooling are performed on a polymer liquid crystal material having a dislocation point of 100 ° C. or higher and liquid crystal molecules introduced into the main chain or side chain of the polymer. In the film formation stage, the liquid crystal molecules contained in the polymer liquid crystal are in a random state, but after slow cooling, the liquid crystal molecules are aligned along the rubbing direction, and a desired uniaxial optical anisotropy can be obtained. Specifically, the substrate 1 on which the polymer liquid crystal has been formed is put into an oven set to a nematic phase temperature or an isotropic phase temperature in advance and heated. Then, cool slowly and return to room temperature. As a result, the coated polymer liquid crystals are aligned in the rubbing direction. Thereafter, a transparent conductive film such as ITO is entirely formed on the quarter-wave plate layer 10 by sputtering or the like to form the counter electrode 6. Further, the surface is covered with an alignment layer 7 for vertical alignment such as a polyimide film. The reflection-side substrate 1 thus processed is joined to the incident-side substrate 2 via a predetermined gap. When the guest-host liquid crystal layer 3 containing the dichroic dye 5 is injected into the gap between the two substrates 1 and 2, the reflection-type guest-host liquid crystal display device is completed.

【0012】次に、図2を参照して本発明にかかる反射
型ゲストホスト液晶表示装置の動作を説明する。図2は
電圧印加状態を示しており、画素電極11と対向電極6
との間に介在する液晶分子4及び二色性色素5は垂直配
向状態から水平配向状態に移行している。基板2側から
入射した光は画素電極11が形成された開口領域を通過
する一方、薄膜トランジスタ8が形成された領域では遮
断される。画素電極11を通過した入射光は電界によっ
て略水平に傾けられた二色性色素5を含有するゲストホ
スト液晶層3に入る。入射光のうち二色性色素5の長軸
と平行な振動成分を有する成分は二色性色素5により吸
収される一方、その長軸方向と直交する方向(紙面に垂
直な方向)に振動する成分はゲストホスト液晶層3を通
過する。更に、この成分は四分の一波長板層10を通過
した後光拡散反射層9で反射され、再度四分の一波長板
層10を通過し、ゲストホスト液晶層3に戻った時点で
その振動方向が90°回転する。回転した振動方向は二
色性色素5に吸収される振動方向と一致し、ここで吸収
される為黒表示が得られる。
Next, the operation of the reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows a voltage application state, in which the pixel electrode 11 and the counter electrode 6
And the liquid crystal molecules 4 and the dichroic dye 5 interposed between them have shifted from the vertical alignment state to the horizontal alignment state. Light incident from the substrate 2 side passes through the opening region where the pixel electrode 11 is formed, while is blocked in the region where the thin film transistor 8 is formed. The incident light passing through the pixel electrode 11 enters the guest-host liquid crystal layer 3 containing the dichroic dye 5 inclined substantially horizontally by the electric field. Among the incident light, a component having a vibration component parallel to the long axis of the dichroic dye 5 is absorbed by the dichroic dye 5 and vibrates in a direction perpendicular to the long axis direction (perpendicular to the paper). The components pass through the guest-host liquid crystal layer 3. Further, this component is reflected by the light diffusion / reflection layer 9 after passing through the quarter-wave plate layer 10, passes through the quarter-wave plate layer 10 again, and returns to the guest-host liquid crystal layer 3. The vibration direction rotates 90 °. The rotated vibration direction matches the vibration direction absorbed by the dichroic dye 5, and is absorbed here, so that a black display is obtained.

【0013】図3は、入射光の反射状態を示す模式図で
ある。(A)は光拡散層9bを用いない場合であり、入
射光は四分の一波長板層10を介して光反射層9aによ
り正反射される。反射型液晶表示装置を正面から直視し
た場合、垂直入射した光のみが正反射され観察者の眼に
到達する。斜め入射した光は観察者の眼に到達しない為
画面が非常に暗くなる。図示するように、立体角Ωで示
す範囲に含まれる反射光のみが表示に有効となる。但
し、この場合有効な反射光は略四分の一波長板層10を
垂直に通過する為、偏光変換機能に誤差が生じない。即
ち、四分の一波長板層10は一般的に垂直入射光に対し
て正しくλ/4の位相差を与えるように設計されてい
る。斜め入射光はこの設計値から外れる為、理想的な偏
光変換が得られるわけではない。(A)に示すように、
正反射のみを表示に利用すれば、正面から直視した場合
略理想的な偏光変換を経た光のみが観察者の眼に到達す
る。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a reflection state of incident light. 4A shows a case where the light diffusion layer 9b is not used, and the incident light is specularly reflected by the light reflection layer 9a via the quarter-wave plate layer 10. FIG. When the reflection type liquid crystal display device is directly viewed from the front, only vertically incident light is specularly reflected and reaches the eyes of the observer. Since the obliquely incident light does not reach the observer's eyes, the screen becomes very dark. As shown in the figure, only reflected light included in the range indicated by the solid angle Ω is effective for display. However, in this case, since the effective reflected light passes vertically through the approximately quarter-wave plate layer 10, no error occurs in the polarization conversion function. In other words, the quarter-wave plate layer 10 is generally designed so as to correctly give a phase difference of λ / 4 to vertically incident light. Since the obliquely incident light deviates from this design value, an ideal polarization conversion cannot be obtained. As shown in (A),
If only specular reflection is used for display, only light that has undergone substantially ideal polarization conversion when viewed directly from the front reaches the eyes of the observer.

【0014】(B)は、本発明に従って光反射層9aと
四分の一波長板層10との間に光拡散層9bを介在させ
たものである。この場合、観察者の眼に到達する光は乱
面反射成分に加え乱反射成分が立体角Ωに含まれる為、
表示が非常に明るくなる。但し、この場合垂直な光に加
え斜行する光も観察者の眼に到達する為、斜行する光に
ついては偏光変換に誤差が生じる。一般に、入射光の振
動方向を90°回転させる偏光変換を行なう為には、入
射光に対して正確にλ/4の位相差を付与する必要があ
る。換言すると、四分の一波長板層10のリターデーシ
ョン(Δn×d)がλ/4となるようにdを設定する。
尚、dは四分の一波長板層10の厚みであり、Δnは屈
折率異方性を示す。(A)に示すように垂直反射光のみ
を表示に利用すればリターデーションに変化がない。し
かしながら、(B)の場合には垂直反射光に加え斜行反
射光も観察者の眼に到達する為リターデーションを規定
するdの値が種々の値をとる為、入射光に対する偏光変
換の効果が若干薄れる。しかしながら、実際に光拡散層
9bを介在させてみると、偏光変換の効果が薄れる影響
は殆ど目立つことがなく、表示画面の明るさが顕著に改
善できた。これは、四分の一波長板層10を構成する高
分子液晶の視野角が広い為であると推察される。以上の
ように、本発明によれば光拡散層9bを介在させること
により、黒表示のコントラストを落とすことなく、白表
示の明るさを顕著に高めることが可能になった。
FIG. 2B shows a light diffusion layer 9b interposed between the light reflection layer 9a and the quarter-wave plate layer 10 according to the present invention. In this case, since the light that reaches the observer's eyes includes the irregular reflection component in addition to the irregular surface reflection component in the solid angle Ω,
The display becomes very bright. However, in this case, since oblique light in addition to vertical light also reaches the observer's eye, an error occurs in polarization conversion for the oblique light. In general, in order to perform polarization conversion for rotating the oscillation direction of incident light by 90 °, it is necessary to accurately impart a phase difference of λ / 4 to the incident light. In other words, d is set so that the retardation (Δn × d) of the quarter-wave plate layer 10 becomes λ / 4.
Note that d is the thickness of the quarter-wave plate layer 10, and Δn indicates the refractive index anisotropy. If only the vertically reflected light is used for the display as shown in (A), there is no change in retardation. However, in the case of (B), in addition to the vertically reflected light, the obliquely reflected light also reaches the observer's eye, so that the value of d that defines the retardation takes various values, so that the effect of the polarization conversion on the incident light is obtained. Slightly fades. However, when the light diffusing layer 9b was actually interposed, the effect of the effect of the polarization conversion was almost inconspicuous, and the brightness of the display screen was significantly improved. It is presumed that this is because the viewing angle of the polymer liquid crystal constituting the quarter-wave plate layer 10 is wide. As described above, according to the present invention, by interposing the light diffusion layer 9b, the brightness of the white display can be significantly increased without lowering the contrast of the black display.

【0015】図4は、本発明にかかる反射型ゲストホス
ト液晶表示装置の第2実施形態を示す模式的な部分断面
図である。図1に示した第1実施形態と対応する部分に
は対応する参照番号を付して理解を容易にしている。本
実施形態では、光拡散反射層9が、基板1の表面に形成
された凹凸層9cと、この凹凸層9cの表面に成膜され
た光反射層9aと、その上に形成された平坦化層9dと
からなる。凹凸層9cは例えば基板1の表面をエッチン
グ加工したりサンドブラスト処理することで形成でき
る。その上にアルミニウム等の金属を蒸着し光反射層9
aを形成する。このようにすると、図1に示した光拡散
反射層に比べより簡便に光拡散反射層を形成することが
可能である。尚、凹凸の表われた光反射層9aの上に平
坦化層9dを形成することで、四分の一波長板層10の
形成を容易にしている。凹凸の深さ寸法を例えば数μm
に設定すれば、良好な光散乱特性が得られ光拡散反射層
9は白色を呈する。
FIG. 4 is a schematic partial sectional view showing a second embodiment of the reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention. Parts corresponding to those in the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by corresponding reference numerals to facilitate understanding. In the present embodiment, the light diffusion / reflection layer 9 includes an uneven layer 9 c formed on the surface of the substrate 1, a light reflection layer 9 a formed on the surface of the uneven layer 9 c, and a planarization formed thereon. And a layer 9d. The uneven layer 9c can be formed by, for example, etching or sandblasting the surface of the substrate 1. A metal such as aluminum is vapor-deposited thereon to form a light reflecting layer 9.
a is formed. In this case, the light diffusion / reflection layer can be formed more easily than the light diffusion / reflection layer shown in FIG. Note that the formation of the quarter-wave plate layer 10 is facilitated by forming the flattening layer 9d on the light reflecting layer 9a having unevenness. The depth dimension of the unevenness is, for example, several μm
, Good light scattering characteristics can be obtained, and the light diffusion / reflection layer 9 exhibits white.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射側の基板と四分の一波長板層との間に光拡散反射層
を設け、入射側の基板から四分の一波長板層を通って進
入した入射光を拡散的に反射している。これにより、反
射型ゲストホスト液晶表示装置の表示明度を顕著に改善
することが可能になった。尚、本発明では薄膜トランジ
スタ及び画素電極の形成された基板を入射側とし、対向
電極が形成された基板を反射側に位置させている。そし
て、この反射側の基板に四分の一波長板層を形成してい
るので、入射側基板に四分の一波長板層を形成する場合
に比べ、製造工程が極めて簡略化できる。
As described above, according to the present invention,
A light-diffusing reflective layer is provided between the reflection-side substrate and the quarter-wave plate layer, and diffusely reflects incident light entering from the incident-side substrate through the quarter-wave plate layer. . As a result, the display brightness of the reflective guest-host liquid crystal display device can be significantly improved. In the present invention, the substrate on which the thin film transistor and the pixel electrode are formed is set to the incident side, and the substrate on which the counter electrode is formed is positioned on the reflection side. Since the quarter-wave plate layer is formed on the reflection-side substrate, the manufacturing process can be extremely simplified as compared with the case where the quarter-wave plate layer is formed on the incident-side substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の第1実施形態を示す部分断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a first embodiment of a reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】図1に示した第1実施形態の動作説明に供する
部分断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view for explaining the operation of the first embodiment shown in FIG.

【図3】光拡散反射層の機能を説明する為の模式図であ
る。
FIG. 3 is a schematic view for explaining a function of a light diffusion reflection layer.

【図4】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の第2実施形態を示す部分断面図である。
FIG. 4 is a partial sectional view showing a second embodiment of the reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional reflective guest-host liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…反射側基板、2…入射側基板、3…ゲストホスト液
晶層、4…液晶分子、5…二色性色素、6…対向電極、
8…薄膜トランジスタ、9…光拡散反射層、9a…光反
射層、9b…光拡散層、9c…凹凸層、10…四分の一
波長板層、11…画素電極、18…半導体薄膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reflection side substrate, 2 ... Incident side substrate, 3 ... Guest host liquid crystal layer, 4 ... Liquid crystal molecule, 5 ... Dichroic dye, 6 ... Counter electrode,
Reference Signs List 8: thin film transistor, 9: light diffusion reflection layer, 9a: light reflection layer, 9b: light diffusion layer, 9c: uneven layer, 10: quarter wavelength plate layer, 11: pixel electrode, 18: semiconductor thin film

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射側に位置してマトリクス状の画素電
極及びこれを駆動するスイッチング素子が集積的に形成
された一方の基板と、 反射側に位置し対向電極が形成されているとともに、所
定の間隙を介して該一方の基板に接合する他方の基板
と、 該間隙に保持されているとともに二色性色素を含有して
いるゲストホスト液晶層と、 反射側に位置する該他方の基板と該ゲストホスト液晶層
との間に介在する四分の一波長板層と、 反射側に位置する該他方の基板と該四分の一波長板層と
の間に介在し、入射側に位置する該一方の基板から該四
分の一波長板層を通って進入した入射光を拡散的に反射
する光拡散反射層とを備えた反射型ゲストホスト液晶表
示装置。
A first substrate on which a matrix-shaped pixel electrode and a switching element for driving the pixel electrode are located on an incident side; and a counter electrode located on a reflection side is formed. The other substrate bonded to the one substrate through the gap, the guest-host liquid crystal layer held in the gap and containing a dichroic dye, and the other substrate positioned on the reflection side. A quarter-wave plate layer interposed between the guest-host liquid crystal layer and a quarter-wave plate layer interposed between the other substrate positioned on the reflection side and the quarter-wave plate layer and positioned on the incident side A reflection-type guest-host liquid crystal display device comprising: a light-diffusing reflection layer that diffusely reflects incident light that has entered from the one substrate through the quarter-wave plate layer.
【請求項2】 前記光拡散反射層は、該他方の基板の表
面に形成された光反射層と、その上に形成された光拡散
層とからなる複合構造を有する請求項1記載の反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置。
2. The reflection type according to claim 1, wherein the light diffusion / reflection layer has a composite structure including a light reflection layer formed on the surface of the other substrate and a light diffusion layer formed thereon. Guest host liquid crystal display.
【請求項3】 前記光拡散反射層は、該他方の基板の表
面に形成された凹凸層と、該凹凸層の表面に成膜された
光反射層とからなる請求項1記載の反射型ゲストホスト
液晶表示装置。
3. The reflection type guest according to claim 1, wherein the light diffusion / reflection layer comprises an uneven layer formed on the surface of the other substrate, and a light reflection layer formed on the surface of the uneven layer. Host liquid crystal display.
JP8265579A 1996-09-13 1996-09-13 Reflection type guest-host liquid crystal display device Pending JPH1090674A (en)

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CN110082940A (en) * 2013-09-25 2019-08-02 索尼公司 Display device and electronic equipment
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