JPH10503705A - 触媒支持体及びその使用法 - Google Patents

触媒支持体及びその使用法

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JPH10503705A
JPH10503705A JP8502108A JP50210896A JPH10503705A JP H10503705 A JPH10503705 A JP H10503705A JP 8502108 A JP8502108 A JP 8502108A JP 50210896 A JP50210896 A JP 50210896A JP H10503705 A JPH10503705 A JP H10503705A
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ダブリュ. バッチテル,ロバート
オハラ,ヨシトモ
イシズカ,トシオ
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シェブロン ユー.エス.エー. インコーポレイテッド
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Abstract

(57)【要約】 流体を触媒床の中に均一な分布で流入させる、軽量かつ製造が容易な触媒支持構造体が提供される。支持構造体は直径が上方に行くにつれて大きくなっている円錐体様の形状で形成されている。支持構造体はシェル様の支持部材、厚いメッシュ要素から成る第一メッシュ層、及び触媒粒子を通過させない大きさの網目を有する第二メッシュ層を含む。第一メッシュ層は支持部材の上に載置され、そして第二メッシュ層は第一メッシュ層の上に載置されている。シェル様支持部材は反応器の中心線に対して垂直方向に延在している円形の底部板体と、その底部板体の縁から上方に延在している、平頭円錐形状を有する側壁を含む。底部板体と側壁は、主として、流体が通過する有孔板体から作られる。シェル様支持部材の下に直径が異なる複数の円柱状のフローガイドが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】 触媒支持体及びその使用法 発明の分野 本発明は、炭化水素供給原料の流れを水素化処理している最中にオンストリー ムで触媒交換するための装置と方法に関する。 更に詳しくは、本発明は水素化処理用容器による炭化水素供給原料流れの水素 化処理のための、及びその水素化処理用容器内の空間を、その炭化水素供給原料 と水素含有ガスとが高向流速度で下降充填触媒床(descending packed bed)を通 っている間に、その触媒床の実質的な流動化又は噴出(ebulation)なしに、広範 囲の処理速度にわたって経済的に利用するための改良された装置と方法を提供す るものである。 発明の背景 炭化水素供給原料流れから望ましくない成分を除去する水素化処理(hydroproc essing)、即ち水素化精製処理(hydrotreatment)は、重質の炭化水素の商業価 値を高めるそのような重質炭化水素の周知の接触処理法である。“重質”の液体 炭化水素の流れ、特に常圧釜残油、石油残油(petroleum residua)、タールサン ド・ビチューメン、頁岩油又は液化石炭油若しくは再生油は、一般に、水素化処 理条件下で供給原料流れ及び水素による接触中に、触媒粒子を失活させる傾向が ある硫黄及び/又は窒素、金属及び有機金属化合物のような生成物に対する汚染 物質を含有する。このような水素化処理条件は、普通、20〜300気圧の圧力 において212〜1200°F(100〜650℃)の範囲である。一般的に言 えば、このような水素化処理は、白金、モリブデン、タングステン、ニッケル、 コバルト等のような第VI族又は第VIII族金属を、アルミナ、シリカ、マグネシア 等々の高表面積/容積比を有する他の種々の酸化物粒子と組み合わせて含有する 触媒の存在下で行われる。更に具体的に述べると、重油及びこれに類する油の水 素化脱金属、水素化脱硫、水素化脱窒、水素化分解等に用いられる触媒は、一般 に、1種又は2種以上の促進剤(類)又は触媒活性のある金属(類)(又は 化合物(類))プラス痕跡量の物質を有する、アルミナ、シリカ、シリカ−アル ミナ、又は恐らくは結晶性のアルミノシリケートのような;担体又は基材からで きている。使用される典型的な触媒活性金属はコバルト、モリブデン、ニッケル 及びタングステンである;但し、用途によっては、他の金属又は化合物も選ぶこ とができるだろう。 炭化水素供給原料及び水素含有ガスのような上方に流れる流体装入材料と接触 している水素化処理触媒の充填床は、一般に、触媒充填床を支持する働きと、上 方に流れる流体のその触媒充填床への均一分布を達成するのを補助する働きの2 つの働きを同時に奏する触媒支持構造体によって支持されている。充填床への流 体の分布が十分に達成されていないと、触媒が急速に失活せしめられたり、或い は触媒床中に固体沈着物が形成されることがある。 液状反応体とガス状反応体の触媒床への分布を改善するための解決法が多数提 案されて来た。 ミーユクス(Meaux)に付与された米国特許第3,336,217号明細書には 、高圧、高温の反応器の床から、その中に常用のバブル・キャップ・トレー又は 他の適当な手段で支持されている触媒を間欠的に抜き取る方法が教示される。バ ブル・キャップを有する有孔触媒間仕切りを付加的に開示するものには、米国特 許第3,197,288号、同第3,410,791号、同第3,410,79 2号、同第3,522,888号及び同第4,738,770号明細書がある。 ジャックィン(Jacquin)に付与された米国特許第4,312,741号明細書 には、上方に流れ、水素と接触している液相中での炭化水素類若しくはれき青質 頁岩又は一酸化炭素の接触転化法が教示される。この方法で使用される反応器は 1つ又は2つ以上の段を含み、各段の底部には、断面が触媒粒子より小さい寸法 の複数の開口と、断面が触媒粒子より実質的に大きい少なくとも1つの開口とを 有する有孔支持体が存在する。流体(炭化水素及び/又は水素)は、触媒が大き い開口を通って急速に流れるのを妨げるために、その開口を通して上方に注入さ れる。触媒は、流体の流れを止め、触媒を支持体を通して落下させることにより 反応器から取り出すことができる。 オイゼン(Euzen)等に付与された米国特許第4,392,943号明細書には 、 反応容器の底部に導入され、頂部から排出される炭化水素と向流で、触媒がその 反応容器の頂部に導入され、その底から抜き取られる、炭化水素の水素の存在下 における接触処理法が教示される。触媒の排出は反応器内の外方張出漏斗体を通 して行われる。この外方張出漏斗体は炭化水素が孔を通して上向きに流れるのを 可能にするものである。ここで、それらの孔は触媒がそれら孔を通して下方に通 過するのを妨げるべく十分に小さい大きさのものである。炭化水素は、その円錐 体の上方及び/又は下方のいずれかにオリフィスを位置せしめて有する送出管を 通して反応器に注入される。 オイゼン等に付与された米国特許第4,444,653号明細書には、触媒を 抜き取るための外方張出域と、その外方張出域の壁の上方に流体を注入するため のパイプ系を備える反応器から粒状固体粒子を抜き取り、そしてその反応器に流 体を導入する方法が教示される。外方張出域は、先端が下向きの、反転した円錐 又はピラミッドの形状を持つ、連続の(即ち、凹凸がなく、またいかなる開口も ない)構造のものである。その円錐体の軸と円錐体の母量の1つとの角度は10 〜80°、好ましくは30〜40°である。流体を反応器に注入するパイプ系は 、一端において接続され、反転した傘のリブとして配置された漏斗体に沿って四 方八方に延びている一連のパイプを含んでいることができる。このパイプ系の異 なる注入管の断面積は気−液相分離を無くすように設計されている。注入管の孔 又はスロットは、触媒粒子によるそれらの目詰まりを回避するために下方に選択 、指向されている。 ビスチョフ(Bischoff)等に付与された米国特許第4,571,326号明細 書には、固体粒子を抜き取り、流体装入材料を反応器の接触域に導入する装置が 教示される。装置の一部として、倒立円錐ピラミッド形状の抜取漏斗体がその反 応器に含まれている。この抜取漏斗体には、孔又はスロットがその漏斗体表面全 面に分布されて設けられている。孔の大きさは、流体の上昇流の通過は許しつつ 、触媒粒子の通過を妨げるべく十分に小さい。漏斗体の上部の下で反応体ガスが マイグレーションを起こすのを避けるために、そのガスは、そのガス粒子を漏斗 体の下の制御された通路を進ませる平行通路を通過せしめられる。 ビスチョフ等に付与された米国特許第4,639,354号明細書には、各々 が固体粒子の通過を妨げるべく十分に小さい大きさであるが、流体装入材料と水 素から成る上昇流への接近を許すに足る十分な大きさを有する、規則的に離間し ている開口を有する水平のトレーが教示される。 スミス(Smith)に付与された米国特許第4,968,409号明細書には、触 媒粒子の下降床に向流で流入する、金属成分を含有する炭化水素流体の供給原料 流れの品質を選択的に改善する供給原料分布系が記載される。この系は反応容器 と、円錐形の支持部材のような触媒粒子の下降床のための傾斜面とを含む。傾斜 面の底部へのガス分布は、異なる高さの所に形成された複数の穴を通して行われ 、そのため触媒床へのガスの流入は、穴の高さ又は液体の共通の溜めを傾斜面を 介してその触媒床に相互に接続している液体供給管の高さとは無関係に、実質的 に均一である。しかして、ガス状成分と液体炭化水素成分の両成分の均一分散が 触媒粒子の下降床内に維持される。円錐面は、その先端が供給原料に対して下方 に延在するように配置されているのが望ましい。 スタンジェランド(Stangeland)等に付与された米国特許第5,076,90 8号明細書には、交換用触媒を、充填床を形成している触媒粒子の実質的な噴出 を防ぐように制御された速度で上方へ流れている炭化水素供給原料流れの中の、 下方に流れている触媒床に連続的に供給する方法が教示される。スタンジェラン ド等の特許(米国特許第5,076,908号)明細書に教示される従来の触媒 支持構造体はビームにより支持されている構造体である。この構造体は、無孔の 中央板から反応容器の側壁まで延在している複数の区切り板と、各区切り板間に 延在している放射状スポーク支持部材とによって形成されている、一連の、環状 リングの形態に近い環状多角形体を含む。この組立体は、反応容器の下部から上 昇して来る気体と液体の両者を透過する、円錐形又はピラミッド状の有孔板又は スクリーンを支持している。この特定の構造体により、触媒床に入って行く液体 炭化水素供給原料と水素ガスとの混合物は重力で、各対又は放射状のスポーク間 の隣接部分から構成される、放射状に交互に並ぶ気体のリングと液体のリングと に分かれる。従って、両相はスクリーンの下の交互配置の同心環状通路を通って 上方に流れる。 しかし、米国特許第5,076,908号明細書に教示されるこの従来の触媒 支持構造体では、その構造体中のビームの重量と大きさが反応器の大きさが増大 するにつれて劇的に増加する。この増加した重量と大きさは、共に、組み立てと 設置を複雑にし、かつそれらのコストを上げ、しかも流体が触媒床に均一に分布 されるのを妨げる傾向がある。 上方へ流れている流体の触媒床への分布を改善するために多数の溶液が提案さ れて来たが、完全に満足できるものは1つもなかった。従って、本発明の1つの 特定の目的は、上方へ流れる流体成分の順流触媒反応床への分布を改善するため の触媒支持構造体を提供することである。 本発明の更にもう1つの目的は水素含有ガスと液体装入原料を触媒粒子の床又 は層に均一に分布させる改良された能力を有する触媒の支持構造体を提供するこ とである。本発明の更にもう1つの目的は、触媒の触媒反応器からの除去を容易 にする触媒の支持構造体を提供することである。 本発明の更にもう1つの目的は、移動触媒床を直径の大きな反応器中に支持し 、同時に流体をその触媒床に均一分布で導入するのに適した、製造が容易でかつ 軽量の支持構造体を提供することである。 発明の概要 従って、本発明は、次の: a.底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれて広が っている有孔円錐支持部材;及び b.その円錐支持部材に接し、上方に延在しており、その円錐支持部材より上 に、流体の流れを上方に指向させて触媒床に流入させるに足る十分な高さを有す る少なくとも1つの上部フローガイド を含んで成る、触媒床が入っている実質的に円筒形状の反応器で使用するための 触媒支持構造体を提供するものである。 触媒粒子の移動床を円筒形状の反応器内に支持するための上記触媒支持構造体 は、上方へ流れている流体装入材料を用いて作動される反応器系に特によく適合 する。この目的には、上昇流体装入材料を通過させるには十分であるが、触媒粒 子が円錐支持部材を通過するのを妨げるべく十分に小さい寸法の孔又はスロット が、その円錐支持部材の表面全面に実質的に均一に分布せしめられて設けられて いる。これは、円錐支持部材を貫通する穴即ち孔を、触媒が流れるのを妨げるべ く十分小さいが、前もって選択された流体が円錐支持部材を流通するときの圧力 降下を最小限に抑えるべく十分大きくすることによって、達成することができる 。 もう1つ別の態様では、円錐支持部材の孔は流体流れの圧力降下を最小限に抑 えるような大きさと間隔で配置されている。この態様での孔は、通常、触媒粒子 より大きいから、この好ましい円錐支持部材の上には触媒粒子がその円錐支持部 材を通過するのを妨げる手段が載置されている。 1つの好ましい態様における触媒支持構造体は、円錐支持部材の下面に接し、 下方に延在している複数の実質的に同心の円柱状下部フローガイドを更に含んで いる。これらの下部フローガイドは相互に放射状に離間配置されて複数の同心の 環状リングを形成しており、その各々が底部板体と同軸となっている。 本発明は、数ある要因の中でも、移動床触媒反応器系において上方へ流れ触媒 床に入る流体装入材料の分布は、触媒床が、複数の同心の環状リングを形成して いる下部フローガイド、及び流体の流れを上方に指向させてその反応器中の移動 触媒床に流入させる上部フローガイドを備えている円錐触媒支持体に支持されて いると、改善されると言う発見に基づく。 図面の簡単な説明 図1〜3及び5〜8は本発明の態様に関し、一方図4はスタンジェランド等の 米国特許第5,076,908号明細書の態様に関する。 図1は本発明の支持構造体を示す、反応器の中心線に沿う平面における断面図 である。 図2は図1の線X−Xにおける、下部フローガイドを含まない支持構造体の断 面図である。 図3はフローガイドの拡大断面図である。 図4は従来の水素化処理用反応器、及び上方へ流れている液体炭化水素供給原 料流れ及びガスの流れと共に触媒が栓流様の流れとして流動している間の、オン ストリームでの触媒交換で用いられる付随容器の模式図である。 図5及び図6a〜6cは本発明の不織(non-woven)触媒支持スクリーンを説明 するものである。 図7は触媒支持部材上の図5及び図6a〜6cの触媒支持スクリーンを示す、 図1の線X−Xにおける、支持構造体の1つの態様の断面図である。 図8は上部フローガイドで分離されている多数の織成メッシュスクリーン部材 を示す、図1の線X−Xにおける、触媒支持構造体のもう1つの態様の断面図で ある。 発明の詳細な説明 本発明は触媒粒子の床を触媒反応器の内部に支持するための構造体に関する。 本発明の構造体は少なくとも3つの要素、即ち円錐支持部材、少なくとも1つの 上部フローガイド及び底部板体を含む。本発明の構造体は、好ましくは、少なく とも1つのスクリーン部材と1つの下部フローガイドも含んでいる。この構造体 の種々の要素とそれらの機能については、後記において更に詳しく説明される。 本発明の構造体は流体としての反応体の触媒床への分布を改善するためのもので 、従来のビーム付き触媒支持構造体より製造コストが低い。本発明の触媒支持構 造体は、次の: a.底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれて広が っている有孔円錐支持部材;及び b.その円錐支持部材に接し、かつ上方に延在しており、その円錐支持部材よ り上に、流体の流れを上方に指向させて触媒床に流入させるのに足る十分な高さ を有する少なくとも1つの上部フローガイド を含んで成る。 この平頭円錐体は最下点に頂点を有し、その頂点から上に向かって広がってい る倒立円錐形状のものであって、その円錐体はその軸に対して垂直で、その頂点 の上方に位置する面で切られている。円錐支持部材は有孔板であるのが好ましい 。触媒床を支持するために、表面全面に孔を分布して有する賦形された金属板を 使用して作った円錐支持部材を用いると、支持構造体の重量が従来のビーム支持 構造体の重量に比較して著しく小さくなる。金属板を本発明の平頭円錐体に加工 し、これを現場で反応器本体に接続するのは、比較的容易な操作である。本発明 の円錐支持部材に均一に分布せしめられている穴は、反応体としての流体を触媒 床に、従来のビーム支持構造体を用いる場合と比較して、その触媒床の断面積全 体にわ たってより均一に導入する支持構造体をもたらす。更に、本発明の触媒構造体で は、各穴の直径とピッチはその特定の位置に従って変え得るから、流体流れの分 布パターンを容易に調整することができる。この支持構造体により提供される、 流体と触媒との間に得られる均一な接触、及びこの均一接触に関連して小さくな った圧力降下は反応効率を高める。しかして、本発明のプロセス上の利点として は、反応体の触媒床への分布が改良されていること、支持構造体を横断する流れ に関する圧力降下が低下していること、支持構造体の重量が小さくなっているこ と、製造が容易であること、及びコストが低くなっていることが挙げられる。 内径が約1.5〜約10メートルの範囲にある反応器の場合、本発明の典型的 な触媒支持構造体の重さは約1.2〜約57メートルトンである。更に好ましく は、反応器は約3〜約7メートルの範囲の内径を有し、そして触媒支持構造体は 好ましくは約5〜約28メートルトンの重量を有する。本発明の触媒支持構造体 で支持される反応器中の触媒の重量は11〜3500メートルトン、好ましくは 50〜600メートルトン、更に好ましくは100〜400メートルトンの範囲 である。前記のように、触媒支持構造体には、所定の反応器直径、触媒の荷重及 びその構造体を通る所望流体速度に相応した最低重量を持つものが望まれる。 円錐支持部材を形成している有孔板の厚さは、支持されるべき触媒の荷重に基 づいて、膜応力に関する既知の計算式により計算することができる。穴の直径、 ピッチ及び数は、支持構造体を流通する反応用ガス及び反応用液体に許容される 圧力降下、触媒の粒径及び触媒床の重量に基づいて決定される。有孔板部材の材 料は反応用ガス及び反応用液体がもたらす腐食、反応温度等を考慮して決定され る。 典型的には、円錐支持部材を形成している有孔板は5〜50mm、好ましくは 10〜40mmの厚さを有する。この円錐体の底部と頂部の間で厚さが変えられ ている有孔板を用いることも本発明の範囲内である。有孔板の孔は任意の形状で あることができるが、製造の容易さから円形の穴が一般に選ばれる。有孔板の孔 をなす穴は、典型的には、直径が6〜150mmの範囲、好ましくは8〜100 mmの範囲、更に好ましくは10〜75mmの範囲である。触媒粒子が円錐支持 部材を通過するのを妨げるスクリーン、その他のそのような手段を用いない用途 には、この好ましい有孔板は使用される粒状触媒より小さい穴、即ち孔を有する 。一般的には、この穴の直径は10mm以下、好ましくは8mm以下、更に好ま しくは6mm以下である。有孔板の孔のピッチはその有孔板の穴の直径の1.0 1〜50倍、好ましくは1.05〜20倍、更に好ましくは1.10〜10倍で ある。 好ましい触媒支持構造体は円錐支持部材を含み、その円錐支持部材の上に触媒 粒子がその部材を通過するのを妨げる手段が載置されているものである。適した 触媒通過防止手段は、典型的には、スクリーンの形態を取る。このようなスクリ ーンは織成(woven)構造又は不織(non-woven)構造のいずれであってもよい。一緒 に溶接されているか、さもなければ締結されている、重なり合っている金属バー 又はロッドが不織スクリーンの1例をなす。触媒粒子が円錐支持部材を通過する のを妨げつつ、触媒床を支持するのに足る十分な強さを与えるためには、複数の スクリーン層を使用するのが望ましいだろう。 少なくとも2層のスクリーン層を使用する例として、その触媒支持構造体が円 錐支持部材の上に載置されている第一の織成メッシュ層とその第一織成メッシュ 層の上に載置されている第二の織成メッシュ層を含んでいるものがある。この2 層の織成メッシュ層は同じ規格値を有し、実質的に同じ機能を与えるものであっ てもよいが、第二織成メッシュ層が触媒粒子の通過を妨げるべく十分に小さい開 口を有していることが好ましい。円錐支持部材上に載置される第一織成メッシュ 層の開口の面積がその円錐支持部材の各穴の開口面積より大きいこと、及びその 第一織成メッシュ層を作っているワイヤー要素の直径がそれら穴の各々に掛かる 触媒重量を支えるべく十分に太いことが更に好ましい。第二織成メッシュ層は触 媒粒子がその支持構造体を通って下方に落ちるのを妨げるために設けられ、また 第一織成ワイヤーメッシュ層は第二メッシュ層を補強し、各穴の開口領域に掛か る触媒重量を支えるために設けられる。これらの第一及び第二ワイヤーメッシュ 層のメッシュ要素は必ずしも金属線のネット又はメッシュである必要はなく、ワ イヤーネット、例えば有孔板と同じ機能を奏する任意の材料で置き換えることが できる。 本発明で有用な織成メッシュは、ワイヤー直径が一般的には0.1〜10mm の範囲、好ましくは0.5〜8mmの範囲、更に好ましくは0.5〜3mmの範 囲の金属線のネットから成るものである。金属線間の開口は、一般的には、最大 寸法が5mm以下、好ましくは3mm以下である。第一織成メッシュ層及び第二 織成メッシュ層を用いる用途では、第二織成メッシュ層は上記のメッシュの物理 的性質を有する:即ちワイヤー直径は、一般に、0.1〜10mmの範囲、好ま しくは0.5〜8mmの範囲、更に好ましくは0.5〜3mmの範囲であり、そ してワイヤー間の開口はその最大寸法が一般に5mm以下、好ましくは3mm以 下である。第一織成メッシュ層は直径が0.1〜50mmの範囲、更に好ましく は1〜20mmの範囲にあるワイヤーから成り、その場合ワイヤー間の開口は1 〜100mm、好ましくは2〜50mmである。 触媒粒子がスクリーンを通過するのを妨げる大きさの幅を有するスロットを与 えるように、複数の支承ロッド部材とその部材の上にそれを横断して離間配置さ れている複数の縦通ロッド部材から成るスクリーン、即ち有孔板も触媒支持構造 体に有用である。このタイプのスクリーンの1例が、例えば米国特許第3,72 3,072号明細書に記載されている。この米国特許の開示全体を本明細書で引 用、参照するものとする。 下部フローガイドは、円錐支持部材の底面に接し、下方に延在している実質的 に同心の円柱状バッフルであって、反応器の下部から来る流体が触媒床に均一に 導入されるようにするものである。フローガイドがない場合、流体は支持構造体 の円錐支持部材の下で、外方(反応器の壁方向)に向かって、次いで反応器の壁 に沿って上方に高速で流れる傾向がある。本発明の触媒支持構造体においては、 その円錐支持部材(又はシェル(shell)様支持部材でも同等)は、シェル様支持 部材の穴を避けつつ均一な流動分布を与えるために、その支持部材の下の位置に 、例えば板体又はバッフルの形態の下部フローガイドを備えている。従って、触 媒床に入って行く流体の分布パターンは、フローガイドを適正に位置決めするこ とによって容易に調整することができる。これらの円柱状下部フローガイドは、 円錐支持部材と一緒に複数の同心の溜めリングを形成すべく、ガイド相互を10 〜1000mm、更に好ましくは50〜750mm離して放射方向に離間配置さ れているのが好ましい。ここで、下部フローガイドの各々は中心部とは同軸とな っ ている。この下部フローガイドは、その垂直長さが実質的に同じもの、典型的に は長さが1000mm以下、通常は50〜1000mmの範囲内のものであるの が更に好ましい。 本発明の触媒支持構造体は少なくとも1つの上部フローガイドを円錐支持部材 に接して含む。各上部フローガイドは円錐支持部材の上面から上方に延在し、そ してその円錐支持部材より上に、その円錐支持部材の上面に沿う流体の流れを減 らし、流体の流れを上方に指向させて反応器中の移動触媒床に流入させるに足る 十分な高さを有する。何らかの理論的解釈で縛られたいとは思わないが、上方へ 流れる流体装入材料を用いて運転される触媒反応系での工業的操業経験によれば 、従来の触媒支持構造体では水素を含めてガス状の諸反応体の触媒床への分布が 良くないと言う不利があることが示唆されている。この悪い分布の1つの原因は 、ガス状反応体が直接上方に流動して触媒床に流入するのではなく、円錐支持構 造体を通過してその支持構造体の表面に沿って外方に向かって、反応器の外壁ま でマイグレション(migrate)してしまうと言う、そのガス状反応体の傾向にある 。この問題は円錐支持部材の上に1つ又は2つ以上のスクリーンが載置されてい るときに特に懸念される問題であるように思われる。本発明の支持構造体には、 ガス状反応体の円錐支持部材の上面に沿うマイグレションを減らすために、少な くとも1つの上部フローガイドがその円錐支持部材の上面に固定して設けられて いる。各上部フローガイドは突出した要素(raised element)であって、円錐支 持部材の底部板体と同心の連続構造体をなしている。各上部フローガイドは円錐 支持部材に設けられているバッフル、突出体(extrusions)、溶接体又は波状体 を含めて多くの形態の内の1つを取ることができ、そして2つ以上の形態を単一 の触媒支持構造体に使用してもよい。1つの好ましい上部フローガイドは1つ又 は2つ以上の溶接パターンであって、その各々が円錐支持部材にスクリーン部材 を取り付けている連続溶接筋状体を形成しているものである。上部フローガイド の寸法は使用される材料のタイプに依存する。例えば、上部フローガイドとして 有用な溶接体は、典型的には、高さが約5〜50mmの範囲で変わり、一方バッ フルは、典型的には、高さが約5〜250mmの範囲で変わる。 次の記述では、主として触媒支持構造体とその上に支持されている触媒床を通 って上方へ流れる流体装入材料について説明するものとする。“上方への流れ” (upflowing)なる用語は水平平面に対して上向きに流れるが、その水平平面に直 交する垂直の流れ方向には制限されないことを意味する。本明細書で使用されて いる“移動床”触媒反応ゾーンは、反応の進行中、反応条件において、触媒が触 媒除去中にその反応ゾーンの中を下向きに移動するように触媒が取り出され、加 えられるものである。 液体成分及び/又は蒸気(若しくは、ガス状の)成分から成る流体装入材料に は、液体炭化水素のような液体及び水素含有ガスのような蒸気がある。本明細書 で使用されている“触媒”及び“触媒粒子”とは、反応を促進するための粒子、 吸収剤、その他の流体接触体のような、流体装入原料と相互作用する粒子を意味 する。 本発明の構造体は少なくとも3つの要素、即ち円錐支持部材26、少なくとも 1つの上部フローガイド223及び底部板体(bottom plate)25を含んで成る 。好ましくは、本発明の構造体は少なくとも1つのスクリーン部材28と1つの 下部フローガイド27も含む。これらの要素は、上部フローガイドを除けば、図 1及び2に示される。上部フローガイドは図7及び8に示される。 ここで図1及び2を参照して説明すると、触媒支持構造体は、直径が反応器1 1の頂部に向かって上方に大きくなっている平頭円錐支持部材26と、底部板体 25として示される中央部を含む。底部板体25は円錐支持部材26の中央に位 置し、即ち支持構造体の最低位置にあり、そして反応器11の中心線に対して垂 直に延在している。円錐支持部材26は複数の穴が穿けられている有孔板である のが好ましい。穴は任意の形状又は大きさのものでよい;製造が容易であると言 う理由から円筒状の穴が好ましい。穴の大きさと穴の数は触媒支持構造体を通る 流体の所望流量に依存し、そしてそれは特定の各構造体及び反応器内の運転条件 の組に特有である。例えば、本発明の触媒支持構造体には、約0.05〜約5. 0フィート/秒のオーダーの、円錐支持部材を通る流体流量が適当であろう。 有孔板26の厚さは、支持されるべき触媒の重量荷重に基づいて、既知の膜応 力の計算式に従って計算できる。有孔板26を貫通する穴222は均一なピッチ で離間配置されているのが好ましい。穴222の総開口面積は、触媒支持構造体 を通って触媒床に入る流体装入材料に許容される圧力降下に基づいて決められる 。円錐支持部材26及び底部板体25は、必ずしも同じピッチ又は同じ直径の穴 222を有している必要はないだろう。例えば、穴222は支持構造体上の場所 に依存して異なる直径と異なるピッチで設けることができる。 円錐支持部材26は平頭円錐体として造形されており、角度α、即ち平頭円錐 体の母線と反応器の直径との間の角度は、触媒の抜き取り中の触媒の流れを良く するために、触媒粒子の静止角度より大きくなっている。角度αは、典型的には 、約40〜約80°、好ましくは約50〜70°、更に好ましくは約55〜約6 5°、なおも好ましくは約58〜約62°の範囲である。 実質的に円形の形状を有する底部板体25は反応器の中心線に垂直な位置に配 置され、円錐支持部材26の下部の縁に接続されている。底部板体の直径は一般 に300〜5,000mm、好ましくは500〜3,000mmである。 底部板体25は有孔、無孔のいずれであってもよい。底部板体25は触媒抜き 取り導管29(図4に示される)に通ずる入口30の下の部分が無孔(即ち、開 口がない)となっていることが推奨され、それによって未反応の流体が触媒の抜 き取り中に導管29の中へと進むのが防がれる。底部板体25が穴の開いた有孔 部分を有すると、その孔又は穴は触媒粒子がその底部板体を通過するに足る十分 な大きさのものであるのが好ましい。孔がそのような大きさのものである場合、 それら孔の上に触媒粒子が底部板体を通過するのを妨げる手段、例えばスクリー ンが載置される。 円錐支持部材26の上には少なくとも1つのスクリーン部材28が載置されて いる。この円錐支持部材26の孔は、流体装入材料が円錐支持部材及び底部板体 を通過するのに備えて十分に大きい孔となっている。これらの孔は触媒粒子より 小さく、それによって触媒粒子が円錐支持体を流通するのが妨げられるようにな っていることができるが、それら孔は少なくとも1つの寸法が触媒粒子の寸法よ り数倍の大きさとなっていることが推奨される。この好ましい態様では、円錐支 持部材26はその上に少なくとも1つのスクリーン部材28を載置して有してい る。使用されるスクリーン部材のタイプは特に重要でないことは当業者には明白 であると考えるが、少なくとも1つのスクリーン部材は、触媒粒子がそのスクリ ーンを通過するのは妨げるが、流体装入材料は通過させる大きさの孔を有してい る。図2に示される特定の態様では、織成メッシュ層28aが円錐支持部材26 、及び底部板体25の少なくとも有孔部分の上に載置されている。この第一メッ シュ層28aは、太い金属線を用いて織った比較的大きいメッシュ寸法のワイヤ ーメッシュからできている。第二のワイヤーメッシュ層28bは、触媒の粒径よ り僅かに小さいメッシュ寸法を有するワイヤーメッシュからできている。この第 二メッシュ層28bは触媒粒子が支持構造体を通り抜けて下方に落ちて行くのを 防ぐために設けられ、一方第一メッシュ層28aは第二メッシュ層28bを補強 するために設けられる。 これら板部材の穴の上に載置されている第一織成メッシュ層の開口面積は各穴 の開口面積より大きく、また金属線要素の直径は穴の各々に掛かる触媒重量を支 えるべく十分太くすることが推奨される。第一及び第二ワイヤー層のための織成 メッシュ要素は必ずしも金属線のネットから成るものである必要はなく、ワイヤ ーネットと同じ機能を果たすものであればいかなる材料によっても、例えば有孔 板又は断面幅が最も広い寸法の所で約0.5〜約125mmである平行なロッド で置き換えることができる。 図1、5及び6a〜6cに示される1つの好ましい態様では、円錐支持部材2 6の上面には、複数の支承ロッド部材140の上にそれを横断して、典型的には 幅が0.01〜10mm、好ましくは0.2〜8mmである複数のスロット開口 を与えるように十分に離間配置された複数の縦通ロッド部材139を離間配置す ることによって構成されている1つ又は2つ以上の有孔スクリーンが載置されて いる。この好ましい態様では、縦通ロッド部材と支承ロッド部材は、一般に、一 緒に溶接されている。ここで図5を参照して説明すると、図5には図1のスクリ ーン28の一部分が平面図として示されている。複数の縦通ロッド部材139は 複数の支承ロッド部材140の上に支持され、かつ隣接する縦通ロッド部材13 9間にスロット開口141を与えるのに十分となるようにして、その支承ロッド 部材140に取り付けられている。縦通ロッド部材139は、スロット開口14 1が触媒粒子の通過を妨げつつ流体を通過させるように離間配置される。この触 媒支持構造体では、縦通ロッド部材139と支承ロッド部材140は、最も広い 断面で測定して、約0.5〜約5mmの範囲の断面幅を有する。図5は支承ロッ ド部材140に対して垂直に整列されている縦通ロッド部材139を示すが、当 業者であれば分かるだろうように、支承ロッド部材140は、縦通ロッド部材1 39が支承ロッド部材140にそれらを横断するが、垂直とはならないように取 り付けられるように、放射状整列も取ることができるだろう。本段落で説明され るスクリーンは当業者には溶接スクリーンとして一般に知られているものである 。商業的に入手できる溶接スクリーンの特定の例は“ジョンソン(Johnson)スク リーン”として知られている。 図、6a〜6cは図5に例示されるスクリーンの断面線8−8に沿って取った 断面図を説明するものである。図6aにおいて、隣接する縦通ロッド部材139 は円形断面を有する。図6bは充実台形断面を有する縦通ロッド部材139を説 明している。図6cは溝型断面を有する縦通ロッド部材139を説明している。 円錐支持部材26の下面、即ち底面には、直径が異なる、複数の、同心の、実 質的に円柱状の下部フローガイド27が接している。各下部フローガイドの中心 線は垂直の反応器壁12の中心線に一致する。別の態様では、下部フローガイド 27は底部板体25と同心となっている。下部フローガイド27は、反応器の底 から来る流体を、反応器11の本体と補強リング23により接続せしめられてい る支持構造体を通じて均一な分布状態となっている触媒床に指向、流入させる。 この下部フローガイド27の特定の利点は、反応器11の側壁12に対して縦 方向に平行に延在している各フローガイド27により、触媒床に入って行く液体 供給原料としての炭化水素と水素ガスとの混合物が、重力により放射方向に交互 に広がるガスのリングと液体のリングとに別れると言うことである。かくして、 両相は円錐支持部材26を通る同心の交互環状通路を通って上方に流れる。各リ ングにおいてガスが液体から優先的に分離されると、そのリングには、ガスの環 状キャップ部分と、それに隣接する、液体で満たされた下部環状部分とがキャッ プ部分を上にして重なり合った状態で含まれるようになる。従って、両流体は触 媒床に、支持部材26及びスクリーン部材28を通って同等かつ環状形態で隣接 して接近できる。水素ガスと液体炭化水素の交互に並ぶ複数のこれら環状溜めリ ングにより、触媒支持構造体の全断面積を横断して床10に入る両相の一様かつ 均等な供給が確実に達成されるようになる。本発明者は、数ある因子の中でも、 この配置で触媒床の全断面積を横断する一様かつ均等な分布が保証されることを 特に見いだした。床10の全直径を横断するこのような均等な分布は、円錐支持 部材26を截頭している底部板体25の直上に、流れが止まっている区域を形成 させる。これは、実質的に潜在的な局所的噴出状態又は同渦巻き流が逆J管29 の入口30から触媒を抜き取る点の所で触媒床に誘発されるのを減らして、床1 0内からの触媒と液体が局所化された層流として流れるのを保証する。 ここで図1、7及び8を参照して説明すると、主として水素含有ガスである流 体装入材料が、円錐支持部材の上面に沿い、スクリーン28の内部とその下を、 そして外側、垂直の反応器壁12に沿って上方にマイグレーションを起こすのを 減らし、又は無くするために、複数の上部フローガイド223も円錐支持部材の 上面に接し、その上面より高く盛り上がっている。図7に示される態様では、上 部フローガイド223は盛り上がった金属溶接体であって、円錐支持構造体の上 面に円形パターンを形成している。これらの金属溶接体は、円錐支持部材とスク リーン、例えば図5及び6a〜6cのスクリーンとの間を結ぶ連続の、概ね円形 の結合を形成しているのが好ましい。流体がスクリーンに沿ってマイグレーショ ンを起こすのを更に減らすために、スクリーンの露出縁部に追加の結合体又は溶 接体を取り付けてもよい。図8に示される上部フローガイド223は底部板体2 5に対して同心の、円錐支持部材の上面から上方に延在しているバッフルである 。図8に示される上部フローガイド223は孔222を覆うリング様カバーを形 成しているスクリーン28の一部分で分離されている。 図4は本発明の触媒支持構造体を使用することができる特定の水素化処理系を 説明するものである。円筒状側壁12とドーム状のクロージャーヘッド、即ちエ ンド13及び14の太線で示される容器11は、液体炭化水素の流れと混合され た水素含有ガスを反応条件で反応させるように設計されているものである。この ような反応ガスと液体炭化水素類の供給原料流れとは前以て混合され、単一の流 れとして線16で示される底部ヘッド13を通って導入される。 炭化水素供給原料流れと水素含有ガスの水素化処理中に触媒に関して最大の利 益を確保するために、容器11にはその設計容積内に可能な限り大量の触媒が入 っていることが不可欠である。従って、床10のための触媒支持構造体は、図示 されるように、水素相の液体炭化水素流れ内における十分かつ適切な分散を確実 に得ながら、容器11の中にできるだけ低くして置かれる。同時に、床10の上 限はドーム状ヘッド14の頂部近くにあり、その際、同時に、中央パイプ18を 通って抜き取られる生成物から連行触媒を全て分離するための適度の空間21を 与えるようになっている。触媒が中央パイプ18を通って出て行く生成物の流体 に連行されないのを保証するために、スクリーン15を床表面20の上の空間2 1に取り付けてもよい。 新しい触媒を、次に、スクリーン15を貫通して延在しているパイプ19を通 して表面20に加える。床10の上面の水準は連続的に制御するのが好ましい。 水準を制御し続ける方法と手段は米国特許第5,076,908号明細書に詳し く説明されている。 栓流様の流れが床の全長にわたって、特に底の部分で確実に続くようにするた めに、触媒支持構造体は、特に、円錐支持部材26の円錐形状で特徴付けられて いる。充填触媒床の栓流様の流れは、その触媒床を形成する触媒粒子の平均の密 度、大きさ及び形を、その触媒床がその床を通り抜ける蒸気成分と液体成分の最 大予想流速において10%以下広がるように選択することによって、更に達成さ れる。水素化処理プロセスで広く用いられている触媒は、触媒床10の中の触媒 粒子の少なくとも約90重量%、好ましくは少なくとも約95重量%、更に好ま しくは少なくとも約97重量%がR1からR2までの範囲の直径を有するそのよう な大きさの範囲又は大きさの分布から成るものである。ここで、(i)R1は約 1/64インチ(即ち、35メッシュのタイラー(Tyler)篩の開口の大きさに ほぼ相当)から約1/4インチ(即ち、3メッシュのタイラー篩の開口の大きさ にほぼ相当)までの範囲の値を有し;(ii)R2も約1/64インチ(即ち、3 5メッシュのタイラー篩の開口の大きさにほぼ相当)から約1/4インチ(即ち 、3メッシュのタイラー篩の開口の大きさにほぼ相当)までの範囲の値を有し; そして(iii)比R2/R1は約1以上で約1.4以下(即ち、2.0のほぼ平方 根)の値を有する。更に、触媒は約0.7〜約3.0g/ccの範囲の均一な密 度を有する球形の触媒であるのが好ましい。 上記触媒の上記の運動と床水準は、充填過剰を防ぎ、かつ噴出とそれに付随す る反応器の空間の減少及び粒径別れを確実に最小限に抑えるために、連続的に監 視することが望ましい。ガス流の均一性は、渦巻き流又は局所化された再循環を 含めて、反応容器を通して栓流様の流れとして下方に移動する触媒粒子の床の噴 出を避けるように、反応容器の断面積及び触媒床の全容積を横断して維持される 。供給原料の流れのガス状成分は、環状支持体の各隣接対間にガスの接続した環 状ポケットとそれに隣接する液体の同心の環状供給リングとの複数の対を形成す るために、円錐支持部材の下面に接しているバッフルとして働く複数の環状同心 リング又は多角形体を通して均一に分配されるのが好ましい。かくして、触媒床 には下方に流れる触媒床の全断面積を横断して液体とガスの両者の均一に同心と なった環状の交互に並ぶ供給リングが与えられる。 図4に示される触媒抜き取り導管29は、その入口が底部板体25の上方に、 それに隣接して配置され、支持構造体からの触媒の抜き取りが容易にできるよう に設けられている。1つの好ましい触媒抜き取り導管は倒立J管で、これは米国 特許第5,076,908号、同第5,302,357号及び同第5,098, 230号明細書に十分に説明されている。これら米国特許の全開示をここに引用 し、参照するものとする。具体的に説明すると、この倒立J管は、反応容器11 にほぼ下向きに開口し、円錐支持部材の中央部(底部板体25)の上方にそれに 隣接している入口を有し、そしてその入口から上方に延在している第一の区域2 24と容器11から出て下方に延在している第二の区域225を含む触媒抜き取 り導管である。ここで、第一区域の容積の、導管総容積に対する比は0.1未満 である。 好ましくは、本発明は、液体炭化水素の流れを層流となして一対の流路19と 29を通して反応容器11の中に、又は反応容器11から外へ流すことにより、 触媒床内の抜き取り点の周囲で触媒粒子が局所的に浮遊したり、或いは噴出を起 こしたりすることなしに、触媒をオンストリームで交換する方法と装置に関する 。流路は、各々、その全長にわたって実質的に一定の断面積、及び新しい触媒を 床20の頂部に供給し、また使用済み触媒を底から除去するのにそれぞれ役立つ 少なくとも1つの、好ましくは2つの、触媒のための、加圧できるロックホッパ ー 又は受け器60及び80と反応容器との間を流れる触媒粒子の平均直径の少なく とも5倍の直径を有する。更に、各流路は、その流路と実質的に同じ直径の貫通 内腔を有する少なくとも1つのインラインの制御弁64及び84と、スラリー用 流路にしてその流路から触媒粒子をフラッシュするためのそのスラリー用流路に 流体の流れを導入するための少なくとも1つの流体用補助流路69及び87を含 む。好ましくは、フラッシュ用流体は液体であって、触媒が動かされていないと きに、選択的に、そのスラリー用流路のラインを通して水素を逆に流すことによ り、その流路に粒子が入って行くのを邪魔し、その流通管に至る入口の所にコー クスが形成されるのを妨げる。ホッパー容器60と80は、液体を連行する触媒 をそのような層流となして、交換用触媒を反応容器11の上端に供給し、使用済 み触媒をその容器の下端から抜き取るようにするのに必要とされるように、選択 的に加圧することができる。望ましくは、流路の各々は、下向き流路より実質的 に短い逆の上向き流路区域を有する、液体の流れと連行触媒のための入口部を含 む倒立J管29、71、86、96及び108となっていることが特徴である。 反応容器11において、その触媒抜き取り用の入口部は、好ましくは、円錐触媒 支持部材17の無孔中央部25の上方に配置されており、そのためこの触媒抜き 取部は触媒床の底に隣接しているが、上方に流れている液体炭化水素供給原料の 流れとガスの流れのための同心の供給路からは実質的にはずれている。これによ って、取り込み点回りでの触媒床の噴出によるなどの、触媒スラリーによるガス の連行が避けられる。以上の概要説明から、触媒粒子本体の非噴出性栓流様の流 れを保証し、同時にその触媒粒子本体がその中を通って最大空間速度で向流で流 れている蒸気及び液体の炭化水素流体の流れにより接触されるようにする所定の プロセス容器の効率的使用には、幾つかの重要な因子が直接与かっていることは 明白であろう。このような重要な因子の中に次のものがある:1)炭化水素流体 の流れの予め選択し得る流速と圧力における触媒粒子の大きさ、容積及び密度の 特性;2)炭化水素流体が流れているときの触媒床の噴出及び/又は浮遊の制御 ;3)触媒床の噴出又は浮遊を起こさずに交換又は再生を行うための、移動触媒 床の中へと又は移動触媒床から外へと運動している間の触媒粒子の層流;4)炭 化水素供給原料のガス成分と液体成分との交互配置リングとしての、容器中の アプセット(upset)又は圧力変化から速やかに回復して長期間のプロセスの運転 にわたってガス及び液体のそのような交互リングを復活させることができる完全 移動触媒床への同心、環状での均一供給;及び5)移動床の軸長に沿ってのガス 成分の再分布。 触媒支持構造体が使用できる水素化転化プロセスには、水素化分解、水素化脱 金属、水素化精製、水素化脱硫、水素化脱窒、ハイドロフィニッシング及びこれ らに類する転化プロセスがあり、これら全てが、触媒により、液体炭化水素の流 れ、即ち液体炭化水素供給原料の流れをなす重質の炭化水素系オイルの品質を高 める。ここで、本明細書で用いられている“重質の”液体炭化水素の流れとは、 少なくとも50容量%が約204℃以上で沸騰し、そして好ましくは約343℃ 以上、特に好ましくは約510℃以上で沸騰する実質的な留分を含有する液体炭 化水素の流れを意味する。好ましい液体炭化水素流れは残油分及び合成原油であ る。それらは石油原油、石炭、油頁岩、タールサンド・ビチューメン、重質ター ルオイル、及びその他合成油源から誘導することができる。 本発明の好ましい諸態様のための反応容器11内の水素化転化反応ゾーンで用 いられる接触品質改善条件(例えば、接触脱硫条件、アスファルテン類を飽和す るように設計された接触水素化条件、接触脱窒条件及び接触水素化分解条件等) は、全て、一般に約230〜約480℃の範囲の反応温度、一般に約30〜約3 00気圧の範囲の圧力、供給原料1バレル当たり約1000〜約10,000標 準立方フィートの範囲の水素流量及び約0.2〜約10時-1の時間当たり液体空 間速度(LHSV)を含む。供給原料の脱金属化による品質改善には、反応ゾー ン内の温度と圧力は常用の脱金属化処理に典型的な温度と圧力であることができ る。その圧力は、典型的には、約500psig(514.7psia;35. 5バール)以上である。その温度は、典型的には、約315℃以上、好ましくは 371℃以上である。一般的に言えば、温度が高ければ高いほど、金属はより速 く除去される;しかし、温度が高ければ高いほど、使用されている脱金属化触媒 の金属を効率的に装填する容量は小さくなる。脱金属化反応は添加水素の非存在 下で行うことができるが、一般的には水素が用いられるので、この水素には供給 原料から発生する全てのガスと共に移動触媒床に完全かつ均等に分布することが 求められる。 実施例1 下記は本発明による支持構造体の1つの設計例である: 反応器の内径 :4,400mm 反応器中の触媒の重量:220メートルトン 角度α :60° 底部板体の直径 :1,066mm 有孔板の厚さ :側壁下部で22mm :側壁上部で28mm 孔の直径×ピッチ :50mm×75mm 第一織成メッシュ層 :直径6mm、ピッチ10mmの金属線ネット 第二織成メッシュ層 :直径1.6mm、9×9メッシュの金属線ネット 支持構造体の総重量 :約11トン 実施例2 実施例1と同じ設計条件に基いてなされた従来のビーム支持構造体の設計の寸 法は次のとおりである: ビーム :高さ330mm、幅150mmの8個の中実成形品 ビームを横断する横断部材 :高さ300mm、厚さ38mmの複数の板部材 支持構造体の総重量:約32トン 実施例1と実施例2を比較すると、従来の支持構造体の広幅のビームは、流体 の触媒床への流れを妨害して触媒床中に流体の一様でない不均一な分布を引き起 こす傾向があるのに対して、本発明の支持構造体にある大きな孔は、従来のビー ム支持構造体よりはるかに均一な流体の流れを与える。従来の支持構造体を用い て流体の流れを増して行くと、圧力降下が大きくなり、従って動力の消費が、本 発明の支持構造体中の孔は支持構造体の所要強さのような他の設計パラメーター とは無関係に設計できる故に、この本発明の支持構造体により流体の流れが増大 せしめられるときよりもはるかに大きく増大する。 本発明の支持構造体の重量は従来の支持構造体の約35%程度と言う小さいも のである。材料コストの低減も同じ程度である。反応器本体を支えるスカート部 の厚さは支持構造体の重量低下に因り減らせるので、この材料コストは更に減少 する。そして、本発明の支持構造体の製造に必要とされる操作は、従来の支持構 造体に関してよりも複雑さが少ないので、加工と取り付けに必要とされるマンパ ワーも約30%まで少なくすることができる。 実施例3 下記は本発明による支持構造体のもう1つの設計例である: 反応器の内径 :4,400mm 反応器中の触媒の重量:220メートルトン 角度α :60° 底部板体の直径 :1,066mm 有孔板の厚さ :側壁下部で22mm :側壁上部で28mm 孔の直径×ピッチ :50mm×75mm 有孔板に溶接されたスクリーン :ジョンソン濾過システム; #156の円形ロッド上で中心を3/4インチにし て0.05インチのスロットで隔てられている#9 3のV−ワイヤーを持つV−ワイヤー・シャープシ リーズのスクリーン(Vee-Wire Sharp Series Screen)(ワイヤー幅0.090インチ、ワイヤー 高さ0.140インチ、逃げ角13°) 支持構造体の総重量 :約11トン
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1996年9月30日 【補正内容】差し替え用紙第2頁の翻訳文:原翻訳文第1頁17行〜第2頁13行(“重質” の・・・提案されて来た。)と差し替える “重質”の液体炭化水素の流れ、特に常圧釜残油、石油残油(petroleum residua )、タールサンド・ビチューメン、頁岩油又は液化石炭油若しくは再生油は、一 般に、水素化処理条件下で供給原料流れ及び水素による接触中に、触媒粒子を失 活させる傾向がある硫黄及び/又は窒素、金属及び有機金属化合物のような生成 物に対する汚染物質を含有する。このような水素化処理条件は、普通、20〜3 00気圧の圧力において212〜1200°F(100〜650℃)の範囲であ る。一般的に言えば、このような水素化処理は、白金、モリブデン、タングステ ン、ニッケル、コバルト等のような第VI族又は第VIII族金属を、アルミナ、シリ カ、マグネシア等々の高表面積/容積比を有する他の種々の酸化物粒子と組み合 わせて含有する触媒の存在下で行われる。更に具体的に述べると、重油及びこれ に類する油の水素化脱金属、水素化脱硫、水素化脱窒、水素化分解等に用いられ る触媒は、一般に、1種又は2種以上の促進剤(類)又は触媒活性のある金属( 類)(又は化合物(類))プラス痕跡量の物質を有する、アルミナ、シリカ、シ リカ−アルミナ、又は恐らくは結晶性のアルミノシリケートのような、担体又は 基材からできている。使用される典型的な触媒活性金属はコバルト、モリブデン 、ニッケル及びタングステンである;但し、用途によっては、他の金属又は化合 物も選ぶことができるだろう。 炭化水素供給原料及び水素含有ガスのような上方に流れる流体装入材料と接触 している水素化処理触媒の充填床は、一般に、触媒充填床を支持する働きと、上 方に流れる流体のその触媒充填床への均一分布を達成するのを補助する働きの2 つの働きを同時に奏する触媒支持構造体によって支持されている。充填床への流 体の分布が十分に達成されていないと、触媒が急速に失活せしめられたり、或い は触媒床中に固体沈着物が形成されることがある。 液状反応体とガス状反応体の触媒床への分布を改善するための解決法が多数提 案されて来た。差し替え用紙第21頁の翻訳文:原翻訳文第15頁5行〜第16頁1行(本段落 で・・・達成されるようになる。)と差し替える 本段落で説明されるスクリーンは当業者には溶接スクリーンとして一般に知られ ているものである。商業的に入手できる溶接スクリーンの特定の例は“ジョンソ ン(Johnson)スクリーン”として知られている。 図6a〜6cは図5に例示されるスクリーンの断面線8−8に沿って取った断 面図を説明するものである。図6aにおいて、隣接する縦通ロッド部材139は 円形断面を有する。図6bは充実台形断面を有する縦通ロッド部材139を説明 している。図6cは溝型断面を有する縦通ロッド部材139を説明している。 円錐支持部材26の下面、即ち底面には、直径が異なる、複数の、同心の、実 質的に円柱状の下部フローガイド27が接している。各下部フローガイドの中心 線は垂直の反応器壁12の中心線に一致する。別の態様では、下部フローガイド 27は底部板体25と同心となっている。下部フローガイド27は、反応器の底 から来る流体を、反応器11の本体と補強リング23により接続せしめられてい る支持構造体を通じて均一な分布状態となっている触媒床に指向、流入させる。 この下部フローガイド27の特定の利点は、反応器11の側壁12に対して縦 方向に平行に延在している各フローガイド27により、触媒床に入って行く液体 供給原料としての炭化水素と水素ガスとの混合物が、重力により放射方向に交互 に広がるガスのリングと液体のリングとに別れると言うことである。かくして、 両相は円錐支持部材26を通る同心の交互環状通路を通って上方に流れる。各リ ングにおいてガスが液体から優先的に分離されると、そのリングには、ガスの環 状キャップ部分と、それに隣接する、液体で満たされた下部環状部分とがキャッ プ部分を上にして重なり合った状態で含まれるようになる。従って、両流体は触 媒床に、支持部材26及びスクリーン部材28を通って同等かつ環状形態で隣接 して接近できる。水素ガスと液体炭化水素の交互に並ぶ複数のこれら環状溜めリ ングにより、触媒支持構造体の全断面積を横断して床10に入る両相の一様かつ 均等な供給が確実に達成されるようになる。差し替え用紙第26頁の翻訳文:原翻訳文第18頁下から3行〜第19頁下から 6行(流路は、各々、・・・明白であろう。)と差し替える 流路は、各々、その全長にわたって実質的に一定の断面積、及び新しい触媒を床 20の頂部に供給し、また使用済み触媒を底から除去するのにそれぞれ役立つ少 なくとも1つの、好ましくは2つの、触媒のための、加圧できるロックホッパー 又は受け器60及び80と反応容器との間を流れる触媒粒子の平均直径の少なく とも5倍の直径を有する。更に、各流路は、その流路と実質的に同じ直径の貫通 内腔を有する少なくとも1つのインラインの制御弁64及び84と、スラリー用 流路にしてその流路から触媒粒子をフラッシュするためのそのスラリー用流路に 流体の流れを導入するための少なくとも1つの流体用補助流路69及び87を含 む。好ましくは、フラッシュ用流体は液体であって、触媒が動かされていないと きに、選択的に、そのスラリー用流路のラインを通して水素を逆に流すことによ り、その流路に粒子が入って行くのを邪魔し、その流通管に至る入口の所にコー クスが形成されるのを妨げる。ホッパー60と80は、液体を連行する触媒をそ のような層流となして、交換用触媒を反応容器11の上端に供給し、使用済み触 媒をその容器の下端から抜き取るようにするのに必要とされるように、選択的に 加圧することができる。望ましくは、流路の各々は、下向き流路より実質的に短 い逆の上向き流路区域を有する、液体の流れと連行触媒のための入口部を含む倒 立J管29、71、86、96及び108となっていることが特徴である。反応 容器11において、その触媒抜き取り用の入口部は、好ましくは、円錐触媒支持 部材17の無孔中央部又は底部板体25の上方に配置されており、そのためこの 触媒抜き取部は触媒床の底に隣接しているが、上方に流れている液体炭化水素供 給原料の流れとガスの流れのための同心の供給路からは実質的にはずれている。 これによって、取り込み点回りでの触媒床の噴出によるなどの、触媒スラリーに よるガスの連行が避けられる。以上の概要説明から、触媒粒子本体の非噴出性栓 流様の流れを保証し、同時にその触媒粒子本体がその中を通って最大空間速度で 向流で流れている蒸気及び液体の炭化水素流体の流れにより接触されるようにす る所定のプロセス容器の効率的使用には、幾つかの重要な因子が直接与かってい ることは明白であろう。 請求の範囲 (原請求の範囲第1項及び第2項は削除) 1.触媒床が入っている実質的に円筒形状の反応器で使用するための触媒支持 構造体にして、 a.底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれて広が っている有孔円錐支持部材;及び b.該円錐支持部材の上面に接し、上方に延在しており、該円錐支持部材より 上に、流体の流れを上方に指向させて触媒床に流入させるに足る十分な高さを有 する少なくとも1つの上部フローガイドにして、該円錐支持部材の上面に沿う流 体装入材料のマイグレションを減らすために該底部板体と同心の概ね円形の連続 構造体を形成している該上部フローガイド; を含んで成る、上記触媒支持構造体(原請求の範囲第3項に対応:補正を含む) 。 2.円錐支持部材が、その表面全面に流体の上昇流を通過させるに足る十分な 大きさの複数の穴を分布して有する円錐形状板体であり、そして上部フローガイ ドが、底部板体と同軸で、かつ該円錐形状板体の上に該円錐形状板体と接して同 心に配置されている、直径の異なる複数のリングから成る、請求の範囲第1項に 記載の触媒支持構造体(原請求の範囲第4項に対応;補正を含む)。 3.底部板体が実質的に円形であり、そして反応器の中心線に対して垂直な位 置に配置されている、請求の範囲第2項に記載の触媒支持構造体(原請求の範囲 第5項に対応;補正を含む)。 4.底部板体が無孔である、請求の範囲第3項に記載の触媒支持構造体(原請 求の範囲第6項に対応;補正を含む)。 5.底部板体が有孔部を含んでいる、請求の範囲第3項に記載の触媒支持構造 体(原請求の範囲第7項に対応;補正を含む)。 6.底部板体の有孔部の上に少なくとも1つの底部板体スクリーン部材が載置 され、該底部板体の該有孔部は触媒粒子が該底部板体を通過するのを可能にする に足る十分な大きさの穴を有し、そして該底部板体スクリーン部材は触媒粒子が 該底部板体スクリーン部材を通過するのを妨げる大きさの孔を有している、請求 の範囲第5項に記載の触媒支持構造体(原請求の範囲第8項に対応;補正を含む )。 7.円錐支持部材の上に少なくとも1つのスクリーン部材を載置して更に含み 、該スクリーン部材は触媒粒子が該スクリーン部材を通過するのを妨げるが、流 体の上昇流を通過させるに足る十分な大きさの孔を有している、請求の範囲第2 項に記載の触媒支持構造体(原請求の範囲第9項に対応;補正を含む)。 8.有孔円錐支持部材の上に第一の織成メッシュ層を載置して含み、そして該 第一織成メッシュ層の上に第二の織成メッシュ層を載置して更に含み、ここで該 第二織成メッシュ層は触媒粒子が該第二織成メッシュ層を通過するのを妨げるべ く十分に小さい開口を有するものである、請求の範囲第7項に記載の触媒支持構 造体(原請求の範囲第10項に対応;補正を含む)。 9.各スクリーン部材が、隣接する上部フローガイド間の位置に配置されてい る、請求の範囲第7項に記載の触媒支持構造体(原請求の範囲第11項に対応; 補正を含む)。 10.スクリーン部材が有孔円錐支持部材の上面に取り付けられ、その取り付け 部材が上部フローガイドとして働く、請求の範囲第7項に記載の触媒支持構造体 (原請求の範囲第12項に対応;補正を含む)。 11.取り付け部材が溶接体である、請求の範囲第10項に記載の触媒支持構造 体(原請求の範囲第13項に対応;補正を含む)。 12.円錐支持部材の下面に接し、下方に延在している、複数の実質的に同心の 円柱状下部フローガイドを更に含み、ここで該下部フローガイドは相互に放射方 向に離間配置されて複数の同心の環状リングを形成しており、そして該下部フロ ーガイドの各々は底部板体と同軸となっている、請求の範囲第2項に記載の触媒 支持構造体(原請求の範囲第14項に対応;補正を含む)。 13.反応器の直径が3〜8メートルの範囲である、請求の範囲第12項に記載 の触媒支持構造体(原請求の範囲第15項に対応;補正を含む)。 14.次の: a.触媒粒子の移動床を実質的に円筒形状の反応器内の触媒支持構造体の上に 支持して含有している反応ゾーンの上部に、触媒粒子の第一の部分を導入 し; b.触媒粒子の第二の部分を該反応ゾーンの下部から抜き取り; c.炭化水素と水素から成る流体装入材料を該触媒支持構造体を通して該反応 ゾーンの下部に導入し;そして d.転化した炭化水素を該反応ゾーンの上部から抜き取る ことから成る、炭化水素流体の装入材料を反応させる方法にして、該触媒支持構 造体は、底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれて広 がっている有孔円錐支持部材;及び該円錐支持部材に接し、上方に延在しており 、該円錐支持部材より上に、流体の流れを上方に指向させて触媒床に流入させる に足る十分な高さを有する少なくとも1つの上部フローガイドにして、該円錐支 持部材の上面に沿う流体装入材料のマイグレションを減らすために該底部板体と 同心の概ね円形の連続構造体を形成している該上部フローガイドを含んで成る、 上記方法(原請求の範囲第16項に対応;補正を含む)。 15.有孔円錐支持部材がその表面全面に流体の上昇流を通過させるに足る十分 な大きさの複数の穴を分布して有する円錐形状板体であり、上部フローガイドが 底部板体と同軸で、かつ該円錐形状板体の上に該円錐形状板体と接して同心に配 置されている、直径の異なる複数のリングから成り、そして該底部板体は実質的 に円形で、かつ反応器の中心線に対して垂直な位置に配置されている、請求の範 囲第14項に記載の方法(原請求の範囲第17項に対応;補正を含む)。 16.底部板体が無孔である、請求の範囲第14項に記載の方法(原請求の範囲 第18項に対応;補正を含む)。 17.触媒支持構造体が円錐支持部材の上に少なくとも1つのスクリーン部材を 載置して更に含み、該スクリーン部材は触媒粒子が該スクリーン部材を通過する のを妨げるが、上昇流体相を通過させるに足る十分な大きさの孔を有し、そして 該スクリーン部材は有孔円錐支持部材の上面に取り付けられ、その取り付け部材 が上部フローガイドとして働く、請求の範囲第15項に記載の方法(原請求の範 囲第19項に対応;補正を含む)。 18.触媒支持構造体が、更に、円錐支持部材の下面に接し、下方に延在してい る複数の実質的に同心の円柱状下部フローガイドを含み、ここで該下部フローガ イドは相互に放射方向に離間配置されて、該円錐支持部材と一緒に、複数の、同 心の環状リングを形成しており、該下部フローガイドの各々は底部板体と同軸と なっており、そして反応器は3〜8メートルの範囲の直径を有している、請求の 範囲第17項に記載の方法(原請求の範囲第20項に対応;補正を含む)。 19.上方に流れる流体相を含んでいる実質的に円筒形状の反応器内に触媒粒子 の移動床を支持するための触媒支持構造体にして、 a.円形の底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれ て広がっている有孔円錐支持部材にして、その表面全面に流体の上昇流を通過さ せるに足る十分な大きさの複数の穴を分布して有する円錐形状板体である、該有 孔円錐支持部材;及び b.支承ロッド部材の上に横断方向に離間配置されている複数の縦通ロッド部 材から成るスクリーン部材にして、該円錐支持部材の上に載置され、かつ該円錐 支持部材に、該円錐支持部材の上面と該スクリーンとの間にある少なくとも1つ の概ね円形の連続結合体により取り付けられている、該円錐支持部材の上面に沿 う流体装入材料のマイグレションを減らすための該スクリーン部材; を含んで成る、上記触媒支持構造体(原請求の範囲第21項に対応;補正を含む )。 20.円錐支持部材の下面に接し、下方に延在している複数の実質的に同心の円 柱状下部フローガイドを更に含み、ここで該下部フローガイドは相互に放射方向 に離間配置されて複数の同心の環状リングを形成しており、そして該下部フロー ガイドの各々は底部板体と同軸となっている、請求の範囲第19項に記載の触媒 支持構造体(原請求の範囲第22項に対応;補正を含む)。 21.円形結合体が溶接筋状体である、請求の範囲第19項に記載の触媒支持構 造体(加入)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,MW,SD,SZ),AM, AT,AU,BB,BG,BR,BY,CA,CH,C N,CZ,DE,DK,ES,FI,GB,GE,HU ,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LK,LT, LU,LV,MD,MG,MN,MW,NL,NO,N Z,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SI,SK ,TJ,TT,UA,UZ,VN (72)発明者 イシズカ,トシオ 東京都府中市天神町1丁目1―82,アイ― 205 (72)発明者 ヒラガ,ツネヒコ 北海道登別市若草町1―12―7

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.触媒粒子の移動床を実質的に円筒形状の反応器内に支持するための触媒支 持構造体にして、次の: a.反応器の中心線に対して垂直の位置に配置され、そして有孔円錐板体に接 続されている円形の底部板体を含む、平頭円錐体様の形状を有するシェル様円錐 支持部材にして、該円錐板体はその表面全面に複数の穴を分布して有し、該円錐 板体の直径は該円形底部板体から上方に行くにつれて大きくなっており、そして 該円錐板体は該反応器に接している、該シェル様円錐支持部材と; b.該シェル様支持部材の上に載置されている第一のメッシュ層と; c.該第一メッシュ層の上に載置されている、触媒粒子の通過を妨げるべく十 分に小さい開口を有する第二のメッシュ層; を含んで成る、上記触媒支持構造体。 2.シェル様支持部材の下の位置に同心に配置されている、直径の異なるリン グから成る複数の下部フローガイドを更に含み、円錐板体の穴は触媒粒子を通過 させるべく十分に大きく、そして第一メッシュ層は触媒粒子を通過させるに足る 十分な大きさの開口を有している、請求の範囲第1項に記載の触媒支持構造体。 3.触媒床が入っている実質的に円筒形状の反応器で使用するための触媒支持 構造体にして、 a.底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれて広が っている有孔円錐支持部材;及び b.該円錐支持部材に接し、上方に延在しており、該円錐支持部材より上に、 流体の流れを上方に指向させて該触媒床に流入させるに足る十分な高さを有する 少なくとも1つの上部フローガイド; を含んで成る、上記触媒支持構造体。 4.円錐支持部材が、その表面全面に流体の上昇流を通過させるに足る十分な 大きさの複数の穴を分布して有するシェル様円錐形状板体であり、そして上部フ ローガイドが、底部板体と同軸で、かつ該シェル様円錐形状板体の上に該円錐形 状板体と接して同心に配置されている、直径の異なる複数のリングから成る、請 求の範囲第3項に記載の触媒支持構造体。 5.底部板体が実質的に円形であり、そして反応器の中心線に対して垂直な位 置に配置されている、請求の範囲第4項に記載の触媒支持構造体。 6.底部板体が無孔である、請求の範囲第5項に記載の触媒支持構造体。 7.底部板体が有孔部を含んでいる、請求の範囲第5項に記載の触媒支持構造 体。 8.底部板体の有孔部の上に少なくとも1つの底部板体スクリーン部材が載置 され、該底部板体の該有孔部は触媒粒子が該底部板体を通過するのを可能にする に足る十分な大きさの穴を有し、そして該底部板体スクリーン部材は触媒粒子が 該底部板体スクリーン部材を通過するのを妨げる大きさの孔を有している、請求 の範囲第7項に記載の触媒支持構造体。 9.円錐支持部材の上に少なくとも1つのスクリーン部材を載置して更に含み 、該スクリーン部材は触媒粒子が該スクリーン部材を通過するのを妨げるが、流 体の上昇流を通過させるに足る十分な大きさの孔を有している、請求の範囲第4 項に記載の触媒支持構造体。 10.有孔円錐支持部材の上に第一の織成メッシュ層を載置して含み、そして該 第一織成メッシュ層の上に第二の織成メッシュ層を載置して更に含み、ここで該 第二織成メッシュ層は触媒粒子が該第二織成メッシュ層を通過するのを妨げるべ く十分に小さい開口を有するものである、請求の範囲第9項に記載の触媒支持構 造体。 11.各スクリーン部材が、隣接する上部フローガイド間の位置に配置されてい る、請求の範囲第9項に記載の触媒支持構造体。 12.スクリーン部材が有孔円錐支持部材の上面に取り付けられ、その取り付け 部材が上部フローガイドとして働く、請求の範囲第9項に記載の触媒支持構造体 。 13.取り付け部材が溶接体である、請求の範囲第12項に記載の触媒支持構造 体。 14.円錐支持部材の下面に接し、下方に延在している、複数の実質的に同心の 円柱状下部フローガイドを更に含み、ここで該下部フローガイドは相互に放射方 向に離間配置されて複数の同心の環状リングを形成しており、そして該下部フロ ーガイドの各々は底部板体と同軸となっている、請求の範囲第4項に記載の触媒 支持構造体。 15.反応器の直径が3〜8メートルの範囲である、請求の範囲第14項に記載 の触媒支持構造体。 16.炭化水素流体の装入材料を、反応ゾーン内に触媒の移動床が入っている実 質的に円筒形状の反応器の中で反応させる方法にして、該触媒は該反応ゾーンの 上部に導入され、そして該反応ゾーンの下部から抜き取られ、また該炭化水素装 入材料と水素とは該反応ゾーンの下部に導入され、そして転化した炭化水素は反 応ゾーンの上部から抜き取られ;そして該反応器は、次の: a.底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれて広が っている有孔円錐支持部材;及び b.該円錐支持部材に接し、上方に延在しており、該円錐支持部材より上に、 流体の流れを上方に指向させて該触媒床に流入させるに足る十分な高さを有する 少なくとも1つの上部フローガイド; を含んで成る触媒支持構造体を含んでいるものである、上記方法。 17.有孔円錐支持部材がその表面全面に流体の上昇流を通過させるに足る十分 な大きさの複数の穴を分布して有するシェル様円錐形状板体であり、上部フロー ガイドが底部板体と同軸で、かつ該シェル様円錐形状板体の上に該円錐形状板体 と接して同心に配置されている、直径の異なる複数のリングから成り、そして該 底部板体は実質的に円形で、かつ反応器の中心線に対して垂直な位置に配置され ている、請求の範囲第16項に記載の方法。 18.底部板体が無孔である、請求の範囲第16項に記載の方法。 19.触媒支持構造体が円錐支持部材の上に少なくとも1つのスクリーン部材を 載置して更に含み、該スクリーン部材は触媒粒子が該スクリーン部材を通過する のを妨げるが、上昇流体相を通過させるに足る十分な大きさの孔を有し、そして 該スクリーン部材は有孔円錐支持部材の上面に取り付けられ、その取り付け部材 が上部フローガイドとして働く、請求の範囲第17項に記載の方法。 20.触媒支持構造体が、更に、円錐支持部材の下面に接し、下方に延在してい る複数の実質的に同心の円柱状下部フローガイドを含み、ここで該下部フローガ イドは相互に放射方向に離間配置されて、該円錐支持部材と一緒に、複数の、同 心の環状リングを形成しており、該下部フローガイドの各々は底部板体と同軸と なっており、そして反応器は3〜8メートルの範囲の直径を有している、請求の 範囲第19項に記載の方法。 21.上方に流れる流体相を含んでいる実質的に円筒形状の反応器内に触媒粒子 の移動床を支持するための触媒支持構造体にして、 a.円形の底部板体で切られている平頭円錐形状を有する、上方に行くにつれ て広がっている有孔円錐支持部材にして、その表面全面に流体の上昇流を通過さ せるに足る十分な大きさの複数の穴を分布して有するシェル様円錐形状板体であ る、該有孔円錐支持部材;及び b.支承ロッド部材の上に横断方向に離間配置されている複数の縦通ロッド部 材から成るスクリーン部材にして、該円錐支持部材の上に載置され、かつ該円錐 支持部材に、流体の流れを上方に指向させて該反応器中の該移動触媒床に流入さ せる働きをする1本又は2本以上の溶接筋状体で取り付けられている該スクリー ン部材; を含んで成る、上記触媒支持構造体。 22.円錐支持部材の下面に接し、下方に延在している複数の実質的に同心の円 柱状下部フローガイドを更に含み、ここで該下部フローガイドは相互に放射方向 に離間配置されて複数の同心の環状リングを形成しており、そして該下部フロー ガイドの各々は底部板体と同軸となっている、請求の範囲第21項に記載の触媒 支持構造体。
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