JPH1048715A - Flash device - Google Patents

Flash device

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JPH1048715A
JPH1048715A JP21696496A JP21696496A JPH1048715A JP H1048715 A JPH1048715 A JP H1048715A JP 21696496 A JP21696496 A JP 21696496A JP 21696496 A JP21696496 A JP 21696496A JP H1048715 A JPH1048715 A JP H1048715A
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light emission
emission intensity
detecting means
flat
discharge tube
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Kei Toyama
圭 遠山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To always obtain stable flat light emission and also to prevent the occurrence of exposure irregularity and photometric error by varying the responsiveness of a light emission intensity detecting means in the middle of the flat light emission. SOLUTION: The CNTL terminal of a microcomputer 111 is set to be a high level for a specified time after light emission start. Thus, the responsiveness of the light emission intensity detecting means 110 becomes slow in an area where the light emission easily gets unstable from the start of the flat light emission. Since the output of the means 110 is delayed with respect to the light emission waveform of a discharge tube 105 in a condition that the responsiveness of the means 110 is slow, the flat light emission whose amplitude is large is performed. Then, when the CNTL terminal of the microcomputer 111 is set to be a low level, the responsiveness of the means 110 becomes fast, so that the flat light emission whose amplitude is small is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラット発光が可
能な閃光装置の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a flash device capable of emitting flat light.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、フォーカルプレーンシャッタ
がスリット露光する場合(高速シャッタ時)でもほぼ均
一な発光強度で発光を持続するフラット発光が可能な閃
光装置は知られている。この種の閃光装置において、フ
ラット発光の発光強度を検出する手段の応答性は閃光装
置に固有で、フラット発光終了まで一定であった。さら
にフラット発光での露光中のむらを無くす為、又はフラ
ット発光によるプリ発光の測光の誤差を少なくする為
に、フラット発光の振幅を小さくする必要があり、その
ために応答性を速くする傾向にあった。
2. Description of the Related Art Heretofore, there has been known a flash device capable of flat light emission that maintains light emission with substantially uniform light emission intensity even when a focal plane shutter performs slit exposure (during high-speed shutter). In this type of flash device, the response of the means for detecting the emission intensity of the flat light emission is unique to the flash device, and is constant until the end of the flat light emission. Furthermore, in order to eliminate unevenness during exposure with flat light emission, or to reduce the error in photometry of pre-emission due to flat light emission, it is necessary to reduce the amplitude of flat light emission, and therefore, there has been a tendency to increase responsiveness. .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の様に、発光強度を検出する手段の応答性が一定で
あり且つ速い状態では、主コンデンサと放電管の間に接
続されたコイルを小さくすると、図8の発光波形bに示
す様に、フラット発光開始直後にて発光制御手段のオ
ン,オフの周期が異常に速くなるなど不安定な発光を起
こしてしまうという問題があった(尚、aは正常なフラ
ット発光時の波形)。つまり、フラット発光を安定させ
るために主コンデンサと放電管の間に接続されたコイル
をある程度大きくしなければならないと言う問題があっ
た。
However, when the response of the means for detecting the light emission intensity is constant and fast as in the prior art, the coil connected between the main capacitor and the discharge tube is reduced in size. Then, as shown by the light emission waveform b in FIG. 8, there is a problem that unstable light emission occurs such as an abnormally fast ON / OFF cycle of the light emission control means immediately after the start of flat light emission (in addition, there is a problem). a is a waveform at the time of normal flat light emission). That is, there is a problem that the coil connected between the main capacitor and the discharge tube must be increased to some extent in order to stabilize the flat light emission.

【0004】(発明の目的)本発明の第1の目的は、常
に安定したフラット発光を行うことができ、かつ、露光
むら、測光誤差を起こすことを防止することのできる閃
光装置を提供することにある。
(Object of the Invention) A first object of the present invention is to provide a flash device capable of always performing stable flat light emission and preventing occurrence of uneven exposure and photometric error. It is in.

【0005】本発明の第2の目的は、比較的長い時間、
発光強度設定手段の応答性を遅くしなければならない状
態であっても、露光むらを目立たなくすることのできる
閃光装置を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a relatively long time,
An object of the present invention is to provide a flash device that can make exposure unevenness less noticeable even in a state where the response of the light emission intensity setting means must be slowed down.

【0006】本発明の第3の目的は、適宜発光強度検出
手段の応答性を可変できる閃光装置を提供することにあ
る。
A third object of the present invention is to provide a flash device capable of appropriately changing the response of the light emission intensity detecting means.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、請求項1〜4記載の本発明は、放電管の発光
の強度を検出する発光強度検出手段と、放電管の発光を
制御する発光制御手段と、該発光強度検出手段の出力が
所定値より大きくなると、発光停止信号を前記発光制御
手段へ出力し、所定値より小さくなると、発光開始信号
を前記発光制御手段へ出力する発光制御信号出力手段と
を備えたフラット発光可能な閃光装置において、前記発
光強度検出手段の応答性をフラット発光中に可変すよう
にし、フラット発光開始から発光が不安定になり易い領
域において、発光強度検出手段の応答性を遅くするよう
にして、実際の放電管の発光は振幅の大きなフラット発
光とし、発光制御手段のオン,オフの周期が短くならな
いようにし、一方、不安定になり易い領域は実験的に短
い期間ということが確認されており、露光中のむらを起
こしたり、測光に影響を与える領域では今まで通り、応
答性を速くするようにしている。
In order to achieve the first object, the present invention according to claims 1 to 4, according to the present invention, comprises: a light emission intensity detecting means for detecting the light emission intensity of a discharge tube; A light emission control means for controlling the light emission control means, and outputs a light emission stop signal to the light emission control means when the output of the light emission intensity detection means becomes larger than a predetermined value, and outputs a light emission start signal to the light emission control means when the output becomes smaller than the predetermined value. In a flash device capable of flat light emission having a light emission control signal output means, the response of the light emission intensity detection means is changed during flat light emission, and in a region where light emission is likely to be unstable from the start of flat light emission, The response of the light emission intensity detecting means is slowed down, the light emission of the actual discharge tube is made flat light emission having a large amplitude, and the on / off cycle of the light emission control means is not shortened. Prone area becomes unstable so that may be referred to as experimental short period of time has been confirmed, as to or cause unevenness in the exposure, in the region that affect the photometric now, to speed up the response.

【0008】また、上記第2の目的を達成するために、
請求項3記載の本発明は、フラット発光開始から発光強
度検出手段の応答性を徐々に遅くするようにしている。
In order to achieve the second object,
According to the third aspect of the present invention, the response of the light emission intensity detecting means is gradually delayed from the start of the flat light emission.

【0009】また、上記第3の目的を達成するために、
請求項4記載の本発明は、設定されたフラット発光の発
光強度に応じて、具体的には、不安定な発光を起こして
しまう様な発光強度に設定し場合のみ、発光強度検出手
段の応答性を可変する(遅くする)ようにしている。
Further, in order to achieve the third object,
According to a fourth aspect of the present invention, the response of the light emission intensity detecting means is determined only in accordance with the set light emission intensity of the flat light emission, specifically, only when the light emission intensity is set to cause unstable light emission. The gender is changed (slowed).

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on illustrated embodiments.

【0011】図1は本発明の実施の第1の形態に係る閃
光装置の要部構成を示すブロック図であり、同図におい
て、101は電源であるところの電池、102は電池1
01の電圧を昇圧する既存の昇圧手段、103は前記昇
圧手段102によって昇圧された電気エネルギーを蓄え
る為の主コンデンサ、104は後述するマイクロコンピ
ュータ111の出力端子TRIGからの信号により放電
管105を励起状態にさせる既存のトリガ手段、105
は前記主コンデンサ103の電気エネルギーを光に変換
する放電管、106は前記主コンデンサ103と放電管
105の陽極の間に接続されるコイルである。107は
ダイオードであり、アノードは前記放電管105の陰極
に、カソードは前記主コンデンサ103の高電位側に、
それぞれ接続されている。
FIG. 1 is a block diagram showing a main part of a flash device according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a battery serving as a power supply;
The existing boosting means for boosting the voltage of 01, 103 is a main capacitor for storing the electric energy boosted by the boosting means 102, and 104 is for exciting the discharge tube 105 by a signal from an output terminal TRIG of a microcomputer 111 to be described later. Existing trigger means to bring the state, 105
Is a discharge tube for converting the electric energy of the main capacitor 103 into light, and 106 is a coil connected between the main capacitor 103 and the anode of the discharge tube 105. 107 is a diode, the anode is on the cathode of the discharge tube 105, the cathode is on the high potential side of the main capacitor 103,
Each is connected.

【0012】108は前記放電管105の陰極側とグラ
ンド間に接続され、放電管105の発光を制御する既存
の発光制御手段、111は前述のトリガ回路104等の
各種の回路の動作を制御するマイクロコンピュータ、1
09は前記マイクロコンピュータ111の出力端D/A
_OUTからの信号を入力とするD/Aコンバータであ
る。110は前記放電管105の発光の強度を電圧出力
に変換する発光強度検出手段であり、前記マイクロコン
ピュータ111のCNTL出力端子からのハイレベルの
信号が入力されることにより応答性を遅くする事が可能
な構成になっている。112はコンパレータであり、そ
の非反転入力端子には前記D/Aコンバータ109から
の信号が、又反転入力端子には前記発光強度検出手段1
10からの信号が、それぞれ入力する。又、出力は発光
制御手段108に入力される。
Reference numeral 108 denotes an existing light emission control means which is connected between the cathode side of the discharge tube 105 and the ground and controls light emission of the discharge tube 105; 111 controls the operation of various circuits such as the trigger circuit 104 described above. Microcomputer, 1
09 is an output terminal D / A of the microcomputer 111
This is a D / A converter that receives a signal from _OUT as an input. Reference numeral 110 denotes light emission intensity detection means for converting the light emission intensity of the discharge tube 105 into a voltage output. The light emission intensity detection means 110 can reduce the response by inputting a high-level signal from the CNTL output terminal of the microcomputer 111. It has a possible configuration. Reference numeral 112 denotes a comparator whose non-inverting input terminal receives a signal from the D / A converter 109 and whose inverting input terminal receives the light emission intensity detecting means 1.
Signals from 10 are input respectively. The output is input to the light emission control unit 108.

【0013】ここで、前記マイクロコンピュータ11
1、D/Aコンバータ109及びコンパレータ112で
発光制御信号出力手段を構成している。
Here, the microcomputer 11
1. The D / A converter 109 and the comparator 112 constitute a light emission control signal output unit.

【0014】図2は、図1に示した発光強度検出手段1
10の詳細を示す回路図である。
FIG. 2 shows the light emission intensity detecting means 1 shown in FIG.
FIG. 10 is a circuit diagram showing details of the circuit 10;

【0015】同図において、201は図1のマイクロコ
ンピュータ111のCNTL出力端子に接続されている
入力端子、202は後述のトランジスタ204のベース
に接続された抵抗、203は後述のトランジスタ204
のベース・エミッタ間に接続された抵抗である。204
はトランジスタであり、コレクタはコンデンサ205
に、エミッタはグランドに、それぞれ接続される。20
5はコンデンサで、前記トランジスタ204のコレクタ
と接続された以外の端子は後述のフォトダイオード20
6と抵抗208の接続点に接続される。206はフォト
ダイオード(フォトトランジスタ等の光電素子であって
も良い)であり、カソードは電源と、アノードは抵抗2
08を介してグランドに、それぞれ接続される。207
はこの発光強度検出手段110の出力端子であり、図1
のコンパレータ112の反転入力端子に接続されてい
る。
1, reference numeral 201 denotes an input terminal connected to the CNTL output terminal of the microcomputer 111 shown in FIG. 1, 202 denotes a resistor connected to the base of a transistor 204 described later, and 203 denotes a transistor 204 described later.
Is a resistor connected between the base and the emitter. 204
Is a transistor and the collector is a capacitor 205
The emitter is connected to the ground. 20
Reference numeral 5 denotes a capacitor, and terminals other than those connected to the collector of the transistor 204 are photodiodes 20 described later.
6 and the resistor 208. Reference numeral 206 denotes a photodiode (which may be a photoelectric element such as a phototransistor). The cathode is a power supply, and the anode is a resistor 2.
08 to the ground. 207
Is an output terminal of the light emission intensity detecting means 110, and FIG.
Of the comparator 112 is connected to the inverting input terminal.

【0016】上記構成において、フォトダイオード20
6が図1の放電管105からの光を受けると、その発光
の強度に応じて該フォトダイオード206に光電流が生
じ、この光電流はフォトダイオード206→抵抗208
→グランドへと流れ、該光電流に応じて抵抗208に電
圧が発生し、これがコンパレータ112の反転入力端子
に入力される。
In the above configuration, the photodiode 20
6 receives light from the discharge tube 105 of FIG. 1, a photocurrent is generated in the photodiode 206 in accordance with the intensity of the light emission, and the photocurrent is converted from the photodiode 206 to the resistor 208.
→ The current flows to the ground, and a voltage is generated in the resistor 208 according to the photocurrent, and this voltage is input to the inverting input terminal of the comparator 112.

【0017】また、図1のマイクロコンピュータ111
のCNTL出力端子からハイレベルの信号が入力される
と、トランジスタ204がオンし、抵抗208と並列に
コンデンサ205が接続された状態になるので、該発光
強度検出手段110の応答性を遅くすることが可能にな
る。
The microcomputer 111 shown in FIG.
When a high-level signal is input from the CNTL output terminal of (1), the transistor 204 is turned on, and the capacitor 205 is connected in parallel with the resistor 208. Becomes possible.

【0018】以下に、フラット発光時の制御について、
図3の波形を用いて説明する説明する。
Hereinafter, the control during flat light emission will be described.
A description will be given using the waveforms of FIG.

【0019】昇圧手段102により主コンデンサ103
が充電されているとする。マイクロコンピュータ111
は、図示されていないカメラ、又は図示されていない設
定手段にて設定されたフラット発光の波高強度に応じた
値をD/A_OUT出力端子からD/Aコンバータ10
9へ出力する。該D/Aコンバータ109は指示された
D/A出力をコンパレータ112に出力する。
The main capacitor 103 by the boosting means 102
Is charged. Microcomputer 111
The D / A converter 10 outputs a value corresponding to the peak intensity of the flat light emission set by a camera (not shown) or setting means (not shown) from the D / A_OUT output terminal.
9 is output. The D / A converter 109 outputs the designated D / A output to the comparator 112.

【0020】この時は未だ発光前なので、「設定された
D/Aコンバータ109の出力>発光強度検出手段11
0の出力」という関係にあるので、コンパレータ112
の出力はハイレベルの状態である。従って、発光制御手
段108は主コンデンサ103の高電位側→コイル10
6→放電管105→発光制御手段108→主コンデンサ
103の低電位側の放電経路を形成し、発光可能状態と
なる。
At this time, since the light has not yet been emitted, “the output of the set D / A converter 109> the emission intensity detecting means 11
0 output ”, the comparator 112
Is in a high level state. Accordingly, the light emission control means 108 is connected to the high potential side of the main capacitor 103 → the coil 10
6 → discharge tube 105 → light emission control means 108 → discharge path on the low potential side of main capacitor 103 is formed, and light emission is possible.

【0021】この状態において、マイクロコンピュータ
111がTRIG端子をハイレベルにすると、トリガ手
段104は放電管105に高電圧を与える。これによ
り、放電管105が発光を開始し、この発光開始後、前
記放電管105の光を受けて発光強度検出手段110は
発光の強度に応じて電圧をコンパレータ112へ出力す
る。そして、「設定されたD/Aコンバータ109の出
力<発光強度検出手段110の出力」の関係になると、
その時点(図3のT1)でコンパレータ112の出力は
ハイレベルからローレベルに反転し、前記発光制御手段
108は発光停止状態となる(図3の出力b参照)。
In this state, when the microcomputer 111 sets the TRIG terminal to a high level, the trigger means 104 applies a high voltage to the discharge tube 105. As a result, the discharge tube 105 starts to emit light. After the start of the light emission, the light emission intensity detecting means 110 receives the light from the discharge tube 105 and outputs a voltage to the comparator 112 according to the light emission intensity. Then, when the relationship of “the output of the set D / A converter 109 <the output of the light emission intensity detection unit 110” is satisfied,
At that time (T1 in FIG. 3), the output of the comparator 112 is inverted from the high level to the low level, and the light emission control unit 108 stops emitting light (see output b in FIG. 3).

【0022】上記の様に発光停止状態となると、コイル
106に溜ったエネルギーが放電管105→ダイオード
107の経路で放電されるので、該放電管105の発光
の強度は、発光制御手段110が発光停止状態になって
から少し遅れて下がり始める。そして、発光の強度が下
がり、「設定されたD/Aコンバータ109の出力>発
光強度検出手段110の出力」の関係になると(図3の
T2)、再びコンパレータ112の出力はローレベルか
らハイレベルになり、発光制御手段108は再び発光可
能状態になり、図3に示す様に発光の強度も上がり始め
る。
When the light emission is stopped as described above, the energy accumulated in the coil 106 is discharged in the path from the discharge tube 105 to the diode 107. Therefore, the light emission intensity of the discharge tube 105 is determined by the light emission control means 110. It starts to fall a little after the stop state. Then, when the intensity of the light emission decreases and the relation of “the output of the set D / A converter 109> the output of the light emission intensity detecting means 110” is reached (T2 in FIG. 3), the output of the comparator 112 again changes from the low level to the high level , The light emission control means 108 is again enabled to emit light, and the emission intensity starts to increase as shown in FIG.

【0023】以上を繰り返し、フラット発光を持続す
る。
By repeating the above, flat light emission is maintained.

【0024】次に、発光強度検出手段110の制御につ
いて、図4の波形を用いて説明する。
Next, the control of the light emission intensity detecting means 110 will be described with reference to the waveforms of FIG.

【0025】発光開始から所定時間までは、マイクロコ
ンピュータ111のCNTL端子を図4の出力eに示す
様にT3からT4の間、ハイレベルにしておくことによ
り、図2のトランジスタ204がオンし、この間、抵抗
208と並列にコンデンサ205を接続した状態となる
ので、トランジスタ204がオフしている状態より発光
強度検出手段110は応答性が遅くなる。
By setting the CNTL terminal of the microcomputer 111 to a high level from T3 to T4 as shown by an output e in FIG. 4 until a predetermined time from the start of light emission, the transistor 204 in FIG. During this time, since the capacitor 205 is connected in parallel with the resistor 208, the response of the light emission intensity detection unit 110 is slower than the state where the transistor 204 is off.

【0026】この発光強度検出手段110の応答性を遅
くした状態では、図4の放電管105の発光波形aに対
して発光強度検出手段110の出力bが遅れるため、振
幅の大きなフラット発光を行う。
When the response of the light emission intensity detecting means 110 is delayed, the output b of the light emission intensity detecting means 110 is delayed with respect to the light emission waveform a of the discharge tube 105 shown in FIG. .

【0027】その後、マイクロコンピュータ111のC
NTL端子をローレベルにすると(図4のT4以降)、
図2のトランジスタ204はオフし、抵抗208と並列
に接続されていたコンデンサ205が無くなった状態に
なるので、発光強度検出手段110の応答性は速くな
る。従って、図4のT4以降は振幅の小さいフラット発
光を行うことになる(図4の発光波形a参照)。
Thereafter, the C of the microcomputer 111
When the NTL terminal is set to a low level (after T4 in FIG. 4),
Since the transistor 204 shown in FIG. 2 is turned off and the capacitor 205 connected in parallel with the resistor 208 disappears, the response of the light emission intensity detecting means 110 is increased. Therefore, after T4 in FIG. 4, flat light emission with a small amplitude is performed (see light emission waveform a in FIG. 4).

【0028】(実施の第2の形態)図5は本発明の実施
の第2の形態に係る閃光装置の要部構成を示すブロック
図であり、ここでは図1の実施の第1の形態における閃
光装置との差異について説明する。
(Second Embodiment) FIG. 5 is a block diagram showing a main part of a flash device according to a second embodiment of the present invention. Here, FIG. The difference from the flash device will be described.

【0029】同図において、コンパレータ412の非反
転入力端子には基準電源Vrefは入力され、反転入力
端子には発光強度検出手段410からの信号が入力され
る。411はマイクロコンピュータで、CNTL出力端
子からの信号は発光強度検出手段410の応答性を制御
する為の入力として用いられる。その他の構成は図1と
同様である。尚、この実施の第2の形態においては、コ
ンパレータ412が発光制御信号出力手段を構成してい
る。
In the figure, a reference power supply Vref is input to a non-inverting input terminal of a comparator 412, and a signal from a light emission intensity detecting means 410 is input to an inverting input terminal. Reference numeral 411 denotes a microcomputer, and a signal from the CNTL output terminal is used as an input for controlling the responsiveness of the light emission intensity detection means 410. Other configurations are the same as those in FIG. In the second embodiment, the comparator 412 constitutes a light emission control signal output unit.

【0030】図6は、図4に示した発光強度検出手段4
10の詳細を示す回路図である。
FIG. 6 shows the light emission intensity detecting means 4 shown in FIG.
FIG. 10 is a circuit diagram showing details of the circuit 10;

【0031】506は図5の放電管405からの光を受
けるフォトダイオードであり、カソードは電源に、アノ
ードは抵抗508a〜508dとトランジスタ512a
〜512dを介してグランドに接続される。507は、
前記フォトダイオード506のアノードと抵抗508a
〜508dの接続点に接続された出力端子であり、ここ
から図5のコンパレータ412の反転入力端子へ該発光
強度検出手段410の出力を送出する。509a〜50
9dはそれぞれ図5のマイクロコンピュータ411の出
力端子OUT_A〜OUT_Dに接続された入力端子で
あり、これら入力端子にマイクロコンピュータ411よ
りハイレベルの信号が入力されると、抵抗510a〜5
10d,511a〜11dを介してトランジスタ512
a〜512dがそれぞれオンすることになる。
Reference numeral 506 denotes a photodiode which receives light from the discharge tube 405 shown in FIG. 5, the cathode is a power supply, and the anodes are resistors 508a to 508d and a transistor 512a.
5512d to the ground. 507 is
The anode of the photodiode 506 and a resistor 508a
The output terminal is connected to the connection point of .about.508d, from which the output of the emission intensity detection means 410 is sent to the inverting input terminal of the comparator 412 in FIG. 509a-50
Reference numeral 9d denotes input terminals connected to the output terminals OUT_A to OUT_D of the microcomputer 411 in FIG. 5, respectively.
Transistor 512 via 10d, 511a to 11d
a to 512d are respectively turned on.

【0032】501はマイクロコンピュータ411のC
NTL端子からの信号が入力される入力端子であり、こ
こにハイレベル信号が入力されると、抵抗502,50
3を介してトランジスタ504がオンし、該発光強度検
出手段410の応答性を遅くすることになる。
Reference numeral 501 denotes a microcomputer of the microcomputer 411.
This is an input terminal to which a signal from the NTL terminal is input.
3, the transistor 504 is turned on, and the response of the light emission intensity detecting means 410 is delayed.

【0033】次に、フラット発光時の制御について説明
する。
Next, control during flat light emission will be described.

【0034】上記実施の第1の形態との差異は、マイク
ロコンピュータ411は、図示されていないカメラ、又
は図示されていない設定手段にて設定されたフラット発
光の強度に応じた値をOUT_A〜OUT_D出力端子
より発光強度検出手段410に出力する。これにより、
マイクロコンピュータ411のOUT_A〜OUT_D
出力端子からの出力に応じてトランジスタ512a〜5
12dがオンし、フォトダイオード506のアノードに
はオンしたトランジスタ512a〜512dに対応した
抵抗508a〜508dの合成抵抗が接続された状態と
なる。フォトダイオード506は放電管405の発光を
受けると光電流を生成するが、この光電流は前記合成抵
抗508a〜508dに流れ、電圧出力となってコンパ
レータ412の反転入力へと出力される。
The difference from the first embodiment is that the microcomputer 411 outputs a value corresponding to the intensity of the flat light emission set by a camera (not shown) or setting means (not shown) to OUT_A to OUT_D. The light is output from the output terminal to the light emission intensity detecting means 410. This allows
OUT_A to OUT_D of the microcomputer 411
Depending on the output from the output terminal, the transistors 512a to 512a
12d is turned on, and the anode of the photodiode 506 is connected to the combined resistance of the resistors 508a to 508d corresponding to the turned on transistors 512a to 512d. When the photodiode 506 receives light emitted from the discharge tube 405, it generates a photocurrent. The photocurrent flows through the combined resistors 508a to 508d, becomes a voltage output, and is output to the inverting input of the comparator 412.

【0035】この時点では未だ発光前なので、「コンパ
レータ412の非反転入力端子の基準電圧>発光強度検
出手段410の出力」の関係にあるので、コンパレータ
412の出力はハイレベルである。従って、発光制御手
段408は主コンデンサ403の高電位側→コイル40
6→放電管405→発光制御手段408→主コンデンサ
403の低電位側の放電経路を形成し、発光可能状態と
なる。
At this point, since the light has not yet emitted, the output of the comparator 412 is at a high level because the relation of “reference voltage of the non-inverting input terminal of the comparator 412> output of the light emission intensity detecting means 410” is established. Therefore, the light emission control means 408 is connected to the high potential side of the main capacitor 403 → the coil 40
6 → discharge tube 405 → light emission control means 408 → discharge path on the low potential side of main capacitor 403 is formed, and light emission is enabled.

【0036】この状態で、マイクロコンピュータ411
がTRIG端子をハイレベルにすると、トリガ手段40
4は放電管405に高電圧を与える。これにより、放電
管405は発光を開始し、この発光開始後、該放電管4
05の光を受けて発光強度検出手段410は発光の強度
に応じて出力し、「コンパレータ412の非反転入力端
子の基準電圧<発光強度検出手段の出力」の関係となっ
た時点で、コンパレータ412の出力はハイレベルから
ローレベルとなり、発光制御手段408は発光停止状態
となる。
In this state, the microcomputer 411
When the TRIG terminal goes high, the trigger means 40
4 applies a high voltage to the discharge tube 405. As a result, the discharge tube 405 starts emitting light, and after the start of the emission, the discharge tube 4
The light-emission intensity detection means 410 receives the light of No. 05 and outputs the light according to the light-emission intensity. When the relation “reference voltage of the non-inverting input terminal of the comparator 412 <output of the light-emission intensity detection means” is satisfied, Is changed from the high level to the low level, and the light emission control unit 408 enters the light emission stop state.

【0037】上記の様に発光停止状態となると、コイル
406に溜ったエネルギーが放電管405→ダイオード
407の経路で放電されるので、該放電管405の発光
の強度は発光制御手段408が発光停止状態になってか
ら少し遅れて下がり始める。そして、発光の強度が下が
り、「コンパレータ412の非反転入力端子の基準電圧
>発光強度検出手段の出力」の関係になると、再びコン
パレータ412の出力はローレベルからハイレベルにな
り、発光制御手段408は発光可能状態になり、発光の
強度も上がり始める。
When the light emission is stopped as described above, the energy accumulated in the coil 406 is discharged along the path from the discharge tube 405 to the diode 407, and the light emission control means 408 determines the light emission intensity of the discharge tube 405. It begins to fall a little after the condition. Then, when the intensity of the light emission decreases and the relation of “reference voltage of the non-inverting input terminal of the comparator 412> output of the light emission intensity detection means” is satisfied, the output of the comparator 412 changes from the low level to the high level again, and the light emission control means 408 Becomes ready to emit light, and the intensity of light emission starts to increase.

【0038】以上を繰り返し、フラット発光を持続す
る。
By repeating the above, flat light emission is maintained.

【0039】発光強度検出手段410の応答性の制御に
関しては、上記実施の第1の形態と同じである。
The control of the response of the light emission intensity detecting means 410 is the same as in the first embodiment.

【0040】(実施の第3の形態)図7は本発明の実施
の第3の形態に係る発光強度検出手段610の詳細な構
成を示す回路図である。尚、この実施の第3の形態にお
ける閃光装置の構成は、図1のマイクロコンピュータ1
11のCNTL端子が4本(但し、4本以上であっても
良い)以外は図1と同じであるので、その詳細は省略す
る。
(Third Embodiment) FIG. 7 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a light emission intensity detecting means 610 according to a third embodiment of the present invention. The configuration of the flash device according to the third embodiment is the same as that of the microcomputer 1 shown in FIG.
11 is the same as FIG. 1 except that the number of CNTL terminals is four (however, it may be four or more), and the details are omitted.

【0041】306は放電管105の光を受けるフォト
ダイオードであり、カソードは電源と、アノードは抵抗
308と、それぞれ接続されている。307は発光の強
度に応じた電圧をコンパレータ112の反転入力端子へ
出力する出力端子である。301a〜301dはマイク
ロコンピュータ111のCNTL端子と接続された入力
端子であり、ここにハイレベルの信号が入力されると、
それぞれ抵抗302a〜302d,303a〜303d
を介してトランジスタ304a〜304dがオンし、抵
抗308と並列にコンデンサ305a〜305dを接続
する構成となっている。この様な構成により、図7では
発光強度検出手段610の応答性を16段階に制御する
事が可能なる。
Reference numeral 306 denotes a photodiode for receiving light from the discharge tube 105. The cathode is connected to a power supply, and the anode is connected to a resistor 308. An output terminal 307 outputs a voltage corresponding to the light emission intensity to the inverting input terminal of the comparator 112. 301a to 301d are input terminals connected to the CNTL terminal of the microcomputer 111, and when a high-level signal is input thereto,
Resistors 302a to 302d and 303a to 303d respectively
, The transistors 304 a to 304 d are turned on, and the capacitors 305 a to 305 d are connected in parallel with the resistor 308. With such a configuration, it is possible to control the responsiveness of the light emission intensity detecting means 610 in 16 steps in FIG.

【0042】尚、フラット発光開始からマイクロコンピ
ュータ111はCNTL端子a〜d(入力端子301a
〜301dと接続される端子)のハイレベル,ローレベ
ルを切り替えていくことにより、段階的に該発光強度検
出手段610の応答性を可変する事が可能なる。
Note that the microcomputer 111 sets the CNTL terminals a to d (input terminal 301a) from the start of the flat light emission.
By switching between the high level and the low level of the terminals connected to .about.301d, it is possible to change the responsiveness of the light emission intensity detecting means 610 stepwise.

【0043】(実施の第4の形態)この実施の第4の形
態における閃光装置の構成は、上記実施の第3の形態と
同様であるの、ここではその図示は省略する。
(Fourth Embodiment) The configuration of a flash device according to a fourth embodiment is the same as that of the third embodiment described above, and is not shown here.

【0044】この実施の第4の形態においては、マイク
ロコンピュータ111は、図示されていないカメラ、又
は図示されていない設定手段にて設定されたフラット発
光強度に対応した値をD/Aコンバータ109に出力す
る。設定手段等にて設定されたフラット発光強度に対応
したCNTL端子a〜dのハイレベル,ローレベルを切
り替えることにより、発光強度検出手段の応答性を可変
する事が可能になる。他の動作は、上記実施の第3の形
態と同様である。
In the fourth embodiment, the microcomputer 111 sends to the D / A converter 109 a value corresponding to the flat light emission intensity set by a camera (not shown) or setting means (not shown). Output. By switching between the high level and the low level of the CNTL terminals a to d corresponding to the flat light emission intensity set by the setting means or the like, it becomes possible to change the response of the light emission intensity detection means. Other operations are the same as in the third embodiment.

【0045】以上の実施の各形態によれば、発光開始か
ら所定時間まではマイクロコンピュータのCNTL端子
をハイレベルにしておくことにより、発光強度検出手段
の応答性を遅くする事が可能になる。これにより、主コ
ンデンサと放電管の間に接続されたコイルを小さくした
場合でも、フラット発光開始初期における発光制御手段
のオン,オフの周期が異常に速くなるなど、不安定な発
光を起こしてしまうという問題を回避する事が可能であ
る。
According to each of the above embodiments, by setting the CNTL terminal of the microcomputer to the high level for a predetermined time from the start of light emission, the response of the light emission intensity detecting means can be delayed. As a result, even if the coil connected between the main capacitor and the discharge tube is made small, unstable light emission occurs such as an abnormally fast ON / OFF cycle of the light emission control means at the beginning of flat light emission. It is possible to avoid the problem.

【0046】また、所定時間後はマイクロコンピュータ
のCNTL端子をローレベルにする事により、発光強度
検出手段の出力は応答性を速くすることが可能になる。
これにより、フラット発光の振幅が小さくなり、フラッ
ト発光での露光中のむらを無くし、さらにフラット発光
によるプリ発光の測光の誤差を少なくすることが可能に
なる。
By setting the CNTL terminal of the microcomputer to a low level after a predetermined time, the output of the light emission intensity detecting means can be made quicker.
This makes it possible to reduce the amplitude of flat light emission, eliminate unevenness during exposure with flat light emission, and reduce errors in photometry of pre-emission by flat light emission.

【0047】また、実施の第3の形態の様に、発光強度
検出手段の応答性の制御を段階的に速くしていくことに
より、比較的長い時間、発光強度検出手段の応答性を遅
くしなければならない状態でも、露光中のむらを目立た
なくする事が可能になる。
Further, as in the third embodiment, by gradually increasing the control of the response of the light emission intensity detecting means, the response of the light emission intensity detecting means is reduced for a relatively long time. Even when it is necessary to do so, unevenness during exposure can be made inconspicuous.

【0048】さらに、実施の第4の形態の様に、設定さ
れたフラット発光の発光強度に応じて発光強度検出手段
の応答性を可変することにより、発光制御手段のオン,
オフの周期が異常に速くなるなど不安定な発光を起こし
てしまう様な発光強度に設定した場合のみ、発光強度検
出手段の応答性を遅くすることが可能なる。
Further, as in the fourth embodiment, by changing the response of the light emission intensity detecting means in accordance with the set light emission intensity of the flat light emission, the light emission control means can be turned on and off.
Only when the light emission intensity is set so as to cause unstable light emission such as an abnormally fast OFF cycle, the response of the light emission intensity detection means can be reduced.

【0049】(変形例)本発明は、以上の実施の各形
態、又はそれらの技術を適当に組み合わせた構成にして
もよい。
(Modification) The present invention may have a configuration in which the above embodiments or their techniques are appropriately combined.

【0050】また、本発明は、上記の実施の各形態の構
成に限定されるものではなく、請求項で示した機能、又
は実施の形態がもつ機能が達成できる構成であればどの
ようなものであってもよいことは言うまでもない。
The present invention is not limited to the configuration of each of the above embodiments, but may be any configuration that can achieve the functions described in the claims or the functions of the embodiments. Needless to say, it may be.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フラット発光開始から発光が不安定になり易い領域にお
いて、発光強度検出手段の応答性を遅くするようにし
て、実際の放電管の発光は振幅の大きなフラット発光と
し、発光制御手段のオン,オフの周期が短くならないよ
うにし、一方、不安定になり易い領域は実験的に短い期
間ということが確認されており、露光中のむらを起こし
たり、測光に影響を与える領域では今まで通り、応答性
を速くするようにしている為、常に安定したフラット発
光を行うことができ、かつ、露光むら、測光誤差を起こ
すことを防止することができる。
As described above, according to the present invention,
In a region where the light emission tends to be unstable from the start of the flat light emission, the response of the light emission intensity detecting means is delayed so that the actual light emission of the discharge tube is flat light emission having a large amplitude, and the light emission control means is turned on and off. It has been experimentally confirmed that the period is not shortened, while the region that is likely to be unstable is experimentally confirmed to have a short period, and the responsiveness remains unchanged in the region that causes unevenness during exposure or affects photometry. Since the speed is increased, stable flat light emission can always be performed, and uneven exposure and a photometric error can be prevented.

【0052】また、本発明によれば、フラット発光開始
から発光強度検出手段の応答性を徐々に遅くするように
している為、比較的長い時間、発光強度設定手段の応答
性を遅くしなければならない状態であっても、露光むら
を目立たなくすることができる。
According to the present invention, since the response of the light emission intensity detecting means is gradually delayed from the start of flat light emission, the response of the light emission intensity setting means must be delayed for a relatively long time. Even in such a state, uneven exposure can be made inconspicuous.

【0053】また、本発明によれば、設定されたフラッ
ト発光の発光強度に応じて、発光強度検出手段の応答性
を遅くするようにしている為、不安定な発光を起こして
しまう様な発光強度に設定した場合にのみ発光強度検出
手段の応答性を可変できる。
Further, according to the present invention, the response of the light emission intensity detecting means is delayed according to the set light emission intensity of the flat light emission, so that light emission that causes unstable light emission is generated. Only when the intensity is set, the responsiveness of the emission intensity detecting means can be changed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の第1の形態に係る閃光装置の要
部構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of a flash device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の発光強度検出手段の詳細な構成を示す回
路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a light emission intensity detecting unit of FIG.

【図3】本発明の実施の第1の形態に係る閃光装置のフ
ラット発光時における各部の波形を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing waveforms of respective parts when the flash device according to the first embodiment of the present invention emits flat light.

【図4】図1の発光強度検出手段の制御時における各部
の波形を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing waveforms of respective sections when the light emission intensity detecting means of FIG. 1 is controlled.

【図5】本発明の実施の第2の形態に係る閃光装置の要
部構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a main configuration of a flash device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図5の発光強度検出手段の詳細な構成を示す回
路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a light emission intensity detecting unit of FIG.

【図7】本発明の実施の第3及び第4の形態に係る閃光
装置の発光強度検出手段の詳細な構成を示す回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a light emission intensity detection means of a flash device according to the third and fourth embodiments of the present invention.

【図8】従来の閃光装置の放電管の発光波形及び発光強
度検出手段の出力波形を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a light emission waveform of a discharge tube of a conventional flash device and an output waveform of a light emission intensity detecting means.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

103,403 主コンデンサ 104,404 トリガ手段 105,405 放電管 106,406 コイル 107,407 ダイオード 108,408 発光制御手段 109,409 D/Aコンバータ 110,410 発光強度検出手段 111,411 マイクロコンピュータ 610 発光強度検出手段 103,403 Main capacitor 104,404 Trigger means 105,405 Discharge tube 106,406 Coil 107,407 Diode 108,408 Light emission control means 109,409 D / A converter 110,410 Light emission intensity detection means 111,411 Microcomputer 610 Light emission Intensity detection means

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 放電管の発光の強度を検出する発光強度
検出手段と、放電管の発光を制御する発光制御手段と、
該発光強度検出手段の出力が所定値より大きくなると、
発光停止信号を前記発光制御手段へ出力し、所定値より
小さくなると、発光開始信号を前記発光制御手段へ出力
する発光制御信号出力手段とを備えたフラット発光可能
な閃光装置において、前記発光強度検出手段の応答性を
フラット発光中に可変することを特徴とするフラット発
光可能な閃光装置。
1. A light emission intensity detecting means for detecting light emission intensity of a discharge tube, a light emission control means for controlling light emission of a discharge tube,
When the output of the light emission intensity detection means becomes larger than a predetermined value,
A flash control device that outputs a light emission stop signal to the light emission control means and outputs a light emission start signal to the light emission control means when the light emission control signal becomes smaller than a predetermined value. A flash device capable of flat light emission, wherein the response of the means is changed during flat light emission.
【請求項2】 フラット発光開始から所定時間の間、前
記発光強度検出手段の応答性を遅くすることを特徴とす
る請求項1記載の閃光装置。
2. The flash device according to claim 1, wherein the responsiveness of the light emission intensity detecting means is delayed for a predetermined time from the start of flat light emission.
【請求項3】 フラット発光開始から前記発光強度検出
手段の応答性を徐々に速くすることを特徴とする請求項
1記載の閃光装置。
3. The flash device according to claim 1, wherein the response of the light emission intensity detecting means is gradually increased from the start of the flat light emission.
【請求項4】 設定されたフラット発光の発光強度に応
じて、前記発光強度検出手段の応答性を可変することを
特徴とする請求項1記載の閃光装置。
4. The flash device according to claim 1, wherein the responsiveness of said light emission intensity detecting means is varied according to the set light emission intensity of the flat light emission.
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