JPH1040837A - Field emission type display and its manufacture - Google Patents

Field emission type display and its manufacture

Info

Publication number
JPH1040837A
JPH1040837A JP19309396A JP19309396A JPH1040837A JP H1040837 A JPH1040837 A JP H1040837A JP 19309396 A JP19309396 A JP 19309396A JP 19309396 A JP19309396 A JP 19309396A JP H1040837 A JPH1040837 A JP H1040837A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field emission
substrate
electron
emission display
spacer member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19309396A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3861330B2 (en
Inventor
Ihan Sen
懿範 銭
Mamoru Ishizaki
守 石▲崎▼
Takao Minato
孝夫 湊
Teruhiko Kai
輝彦 甲斐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP19309396A priority Critical patent/JP3861330B2/en
Publication of JPH1040837A publication Critical patent/JPH1040837A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3861330B2 publication Critical patent/JP3861330B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent such trouble with spacer members for a field emission type display that the spacer members are often scattered onto electron-emitting elements when glass beads are used, because the scattering positions of the spacer members are hard to control accurately, and if a fluorescent substrate overlaps on a FEA(field emitter array) substrate in such a state, some of the electron-emitting elements are destroyed to cause black points in a display. SOLUTION: An electron-emitting element array substrate 4 on which field emission type electron-emitting elements are arranged in an arrayed state face opposite a fluorescent substrate 8 to emit fluorescence with the injection of electrons, emitted from the electron-emitting elements to form this display. In this case, in order not to put both substrates in mutual contact, spacer members 9A, 9B formed by an overlapping and embedding method are provided on the electron-emitting element array substrate 4 or on the fluorescent substrate 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ型の画像表示装置である電界放射型ディスプ
レイに関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a field emission display which is a flat panel display type image display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】微小電子源の一種である電界放射型電子
放出素子をアレイ状に配した電界放射型電子放出素子ア
レイ(Field Emitter Array(FE
A))基板と、蛍光基板とを組み合わせた電界放射型デ
ィスプレイ(FieldEmission Displ
ay(FED))は、高輝度・高精細・低消費電力とい
う利点を有するために、フラットパネルディスプレイと
して期待されており、既にモノクロやフルカラーのフラ
ットパネルディスプレイが試作されている(IEDM.
91−197等)。
2. Description of the Related Art A field emission type electron emitting element array (FE) in which field emission type electron emitting elements which are a kind of micro electron source are arranged in an array.
A)) A field emission display (FieldEmission Displ) combining a substrate and a fluorescent substrate
ay (FED)) is expected as a flat panel display because of its advantages of high luminance, high definition, and low power consumption, and monochrome and full-color flat panel displays have already been prototyped (IEDM.
91-197 etc.).

【0003】このようなFEDの発光は、電子放出素子
から放出された電子が、蛍光基板のアノード電極上に層
状に配設された蛍光体を励起した結果生ずる。
[0003] Such light emission of the FED is generated as a result of electrons emitted from the electron-emitting device exciting a phosphor arranged in a layer on an anode electrode of a fluorescent substrate.

【0004】この場合、蛍光体が発する光の輝度は、照
射電子電流密度とアノード電極・エミッタ電極間電圧と
蛍光体の発光効率との積に依存する。
In this case, the brightness of the light emitted from the phosphor depends on the product of the irradiation electron current density, the voltage between the anode electrode and the emitter electrode, and the luminous efficiency of the phosphor.

【0005】従って、実用レベルの輝度を実現するため
に、アノード電極とエミッタ電極との間には、通常、数
百〜数千Vの電圧が印加されている。
Therefore, in order to realize a practical level of luminance, a voltage of several hundreds to several thousand volts is usually applied between the anode electrode and the emitter electrode.

【0006】一方、電子放出素子のエミッタ電極から電
子を放出させるためにゲート電極とエミッタ電極間に印
加されている電圧は、通常、数十〜百数十Vである。
On the other hand, the voltage applied between the gate electrode and the emitter electrode to emit electrons from the emitter electrode of the electron-emitting device is usually several tens to one hundred and several tens volts.

【0007】この結果、FEA基板のゲート電極と蛍光
基板のアノード電極との間には、数百〜数千Vの電圧が
印加されていることになる。
As a result, a voltage of several hundred to several thousand volts is applied between the gate electrode of the FEA substrate and the anode electrode of the fluorescent substrate.

【0008】従って、このような高い電圧を印加しても
アノード電極・ゲート電極間で放電が起こらないように
するために、FEA基板と蛍光基板との周囲をシールし
てセルを構成し、セル内を真空とし、しかもその基板間
隔を一定に保持する必要がある。
Therefore, in order to prevent a discharge from occurring between the anode electrode and the gate electrode even when such a high voltage is applied, a cell is formed by sealing the periphery of the FEA substrate and the fluorescent substrate. It is necessary to make the inside a vacuum and keep the distance between the substrates constant.

【0009】ところで、電界放射型ディスプレイのFE
A基板と蛍光基板との間の空間を上記のように真空にす
ると、FEA基板と蛍光基板に大気圧により1cm2
たり1kgの圧力が加わる。このような大きな圧力に耐
えるためには、二つの方法が考えられる。
By the way, the FE of the field emission display is
When the space between the A substrate and the fluorescent substrate is evacuated as described above, a pressure of 1 kg per 1 cm 2 is applied to the FEA substrate and the fluorescent substrate by the atmospheric pressure. In order to withstand such a large pressure, two methods are conceivable.

【0010】一つはFEA基板と蛍光基板のガラス基板
を厚くすることである。もう一つは両基板の間にスペー
サを設けることである。
One is to make the glass substrates of the FEA substrate and the fluorescent substrate thicker. Another is to provide a spacer between both substrates.

【0011】しかし、ガラス基板を厚くすると電界放射
型ディスプレイの軽量化及び薄型化の実現が困難にな
る。
However, when the thickness of the glass substrate is increased, it is difficult to reduce the weight and thickness of the field emission display.

【0012】そこで、FEA基板と蛍光基板のガラス基
板の厚さを1mm程度に薄くする場合には、FEA基板
と蛍光基板との間にスペーサを設けることが必要とな
る。
In order to reduce the thickness of the glass substrate between the FEA substrate and the fluorescent substrate to about 1 mm, it is necessary to provide a spacer between the FEA substrate and the fluorescent substrate.

【0013】ところで、従来よりFEA基板と蛍光基板
との間に種々のスペーサが使用されている。例えばガラ
スビーズ、スクリーン印刷法で形成したスペーサなどが
ある。
By the way, conventionally, various spacers have been used between the FEA substrate and the fluorescent substrate. For example, there are a glass bead, a spacer formed by a screen printing method, and the like.

【0014】ここで、ガラスビーズからなるスペーサ部
材をFEA基板と蛍光基板との間に配する方法として
は、直径200μm程度のガラスビーズをFEA基板又
は蛍光基板上に機械的に均一に散布した後、両方の基板
を重ね合わせることが行われている。
Here, as a method of arranging a spacer member made of glass beads between the FEA substrate and the fluorescent substrate, a method in which glass beads having a diameter of about 200 μm are mechanically and uniformly dispersed on the FEA substrate or the fluorescent substrate. In this case, both substrates are superposed.

【0015】また、スクリーン印刷法では、蛍光基板に
蛍光体面の形成の前または後に、ガラスペーストをスク
リーン印刷法で塗布することによりスペーサの形成が行
われている。
In the screen printing method, a spacer is formed by applying a glass paste by a screen printing method before or after forming the phosphor surface on the fluorescent substrate.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
ビーズを使用した場合には、スペーサ部材の散布位置を
正確に制御することが難しいため、スペーサ部材が電子
放出素子上に散布されることが多く、その状態で蛍光基
板をFEA基板上に重ね合わせた場合には、いくつかの
電子放出素子自体が破壊され、その結果、ディスプレイ
に黒点が生じるという問題があった。
However, when glass beads are used, it is difficult to accurately control the position where the spacer members are scattered, so that the spacer members are often scattered on the electron-emitting devices. When the fluorescent substrate is superimposed on the FEA substrate in that state, some electron-emitting devices themselves are destroyed, and as a result, there is a problem that a black spot is generated on the display.

【0017】また、電界放射型ディスプレイの画素を高
精細化する場合、その画像品位を低下させないためには
蛍光基板とFEA基板との距離を小さくしなければなら
ない。
Further, when pixels of a field emission display are made to have high definition, the distance between the fluorescent substrate and the FEA substrate must be reduced in order not to lower the image quality.

【0018】しかし、直径200μm以下のガラスビー
ズの位置制御が事実上不可能であるので、蛍光基板とF
EA基板との間隔を200μm以下にすることが難し
く、また、ガラスビーズの大きさが画素に比べて大きく
なり、その影が見えてしまうという問題があった。
However, since it is practically impossible to control the position of glass beads having a diameter of 200 μm or less, the fluorescent substrate and the F
It is difficult to reduce the distance from the EA substrate to 200 μm or less, and the size of the glass beads becomes larger than that of the pixel, so that the shadow of the glass beads becomes visible.

【0019】なお、スペーサをガラスペーストのスクリ
ーン印刷法で形成した場合には、スペーサ部材の配設位
置及びスペーサの高さを制御することは可能であるが、
その幅は約50μmが限界で、それ以上の微細化が困難
であり、より微細化できるような製造方法が望まれてい
る。
When the spacer is formed by a screen printing method using a glass paste, it is possible to control the arrangement position of the spacer member and the height of the spacer.
The width is limited to about 50 μm, and further miniaturization is difficult, and a manufacturing method capable of further miniaturization is desired.

【0020】本発明は、上述の従来技術の問題点を解決
しようとするものであり、電界放射型ディスプレイの画
素の高精細化に対応し、微細化できるスペーサを開発す
ることを課題とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to develop a spacer which can cope with high definition of a pixel of a field emission display and can be miniaturized.

【0021】また、そのようなスペーサを有する電界放
射型ディスプレイ及びその製造方法を提供することを目
的とする。
It is another object of the present invention to provide a field emission display having such a spacer and a method of manufacturing the same.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記目的
を達成するために、まず請求項1においては、電界放射
型の電子放出素子がアレイ状に配された電子放出素子ア
レイ基板と、電子放出素子が発した電子が入射すること
により蛍光を発する蛍光基板とが、対向してなる電界放
射型ディスプレイにおいて、両基板を互いに接触しない
ようにするため、電子放出素子アレイ基板あるいは蛍光
基板上に、重ね埋め法により形成したスペーサ部材が設
けられていることを特徴とする電界放射型ディスプレイ
としたものである。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above object of the present invention, first, in claim 1, an electron emitting element array substrate on which field emission type electron emitting elements are arranged in an array; In a field emission display, in which a fluorescent substrate that emits fluorescent light when electrons emitted from the electron-emitting device are incident on an electron-emitting device array substrate or a fluorescent substrate, in order to prevent the two substrates from contacting each other. And a spacer member formed by an overlap filling method.

【0023】また、請求項2においては、スペーサ部材
が柱様形状又は壁様形状を有する請求項1記載の電界放
射型ディスプレイとしたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the field emission display according to the first aspect, wherein the spacer member has a columnar shape or a wall-like shape.

【0024】また、請求項3においては、スペーサの部
材が導電性材料又は絶縁材料である請求項1又は2記載
の電界放射型ディスプレイとしたものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the field emission display according to the first or second aspect, wherein the spacer member is made of a conductive material or an insulating material.

【0025】また、請求項4においては、導電性材料
が、Ni、Cu、Cr、Fe、Co、Au、Ag、P
t、Rh、Pd又はこれらの合金から選ばれる請求項3
記載の電界放射型ディスプレイとしたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, the conductive material is Ni, Cu, Cr, Fe, Co, Au, Ag, P
4. A compound selected from t, Rh, Pd or an alloy thereof.
A field emission display according to the present invention.

【0026】また、請求項5においては、絶縁材料がガ
ラスからなる請求項3記載の電界放射型ディスプレイと
したものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the field emission display according to the third aspect, wherein the insulating material is made of glass.

【0027】また、請求項6においては、スペーサ部材
の高さが20μm〜500μmであり、その幅が5μm
〜50μmである請求項1〜5のいずれかに記載の電界
放射型ディスプレイとしたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, the spacer member has a height of 20 μm to 500 μm and a width of 5 μm.
The field emission type display according to any one of claims 1 to 5, which has a thickness of from 50 to 50 µm.

【0028】さらにまた、請求項7においては、電子放
出素子アレイ基板と蛍光基板とがお互いに接触すること
なく、対向してなる電界放射型ディスプレイの製造方法
であって、電子放出素子アレイ基板あるいは蛍光基板上
に、重ね埋め法によりスペーサ部材を形成し、該スペー
サ部材を形成した蛍光基板と電子放出素子アレイ基板と
を組み立てることにより電界放射型ディスプレイを作製
することを特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方
法としたものである。
[0028] Still further, according to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a field emission display in which an electron-emitting device array substrate and a fluorescent substrate are opposed to each other without contacting each other. A field emission display characterized by forming a spacer member on a phosphor substrate by an overlap filling method, and assembling the phosphor substrate on which the spacer member is formed and an electron-emitting device array substrate to produce a field emission display. This is a method of manufacturing.

【0029】本発明によれば、フォトリソグラフィー技
術によって、レジスト層にパターンを形成し、そのパタ
ーンの中に導電性材料又は絶縁材料を埋めることによっ
て、スペーサ部材を形成する。
According to the present invention, a spacer member is formed by forming a pattern in a resist layer by photolithography and filling a conductive material or an insulating material in the pattern.

【0030】しかし、単に厚いレジスト層に細かいパタ
ーンを形成する場合にはテーパー形状になってしまう。
そこで細かいパターンを形成する時にレジスト層を薄く
し、レジストパターン形成→スペーサ部材の穴埋めとい
う工程を繰り返すことにした(重ね埋め法)。
However, when a fine pattern is simply formed on a thick resist layer, the pattern becomes tapered.
Therefore, when forming a fine pattern, the resist layer was made thinner, and the process of forming the resist pattern → filling the hole of the spacer member was repeated (overlapping method).

【0031】これによって幅10μm以下の微細なスペ
ーサ部材を形成することができることを見いだし、この
発明を完成させるに至った。
As a result, it has been found that a fine spacer member having a width of 10 μm or less can be formed, and the present invention has been completed.

【0032】すなわち、本発明は、FEA基板と蛍光基
板とが互いに接触しないようにするためのスペーサ部材
を介して対向するように設置されている電界放射型ディ
スプレイにおいて、重ね埋め法により形成したスペーサ
部材が設けられることを特徴とする電界放射型ディスプ
レイを提供する。
That is, the present invention relates to a field emission display which is provided so as to be opposed to each other via a spacer member for preventing the FEA substrate and the fluorescent substrate from contacting each other. Provided is a field emission display provided with a member.

【0033】また、本発明におけるスペーサ部材の形状
としては柱様又は壁様形状を有し、スペーサ部材の材料
としては導電性材料または絶縁材料が使用可能であり、
特に導電性材料の場合にはNi、Cu、Cr、Fe、C
o、Au、Ag、Pt、Rh、Pd又はこれらの合金な
どメッキできるような導電性材料の使用が好ましい。
In the present invention, the spacer member has a columnar or wall-like shape, and a conductive material or an insulating material can be used as a material of the spacer member.
Particularly, in the case of a conductive material, Ni, Cu, Cr, Fe, C
It is preferable to use a conductive material that can be plated, such as o, Au, Ag, Pt, Rh, Pd, or an alloy thereof.

【0034】更に、本発明は蛍光基板上に、重ね埋め法
によりスペーサ部材を形成し、該スペーサ部材を形成し
た蛍光基板とFEA基板とを(セル組み)することによ
り電界放射型ディスプレイを作製することを特徴とする
電界放射型ディスプレイの製造方法を提供する。
Further, according to the present invention, a field emission type display is produced by forming a spacer member on a fluorescent substrate by an overlap filling method, and assembling the fluorescent substrate with the spacer member formed thereon and an FEA substrate (cell assembly). A method for manufacturing a field emission display is provided.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、本発明の電界放射型ディス
プレイについて、図面を参照しつつ詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a field emission display according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0036】図1と図2は、本発明の電界放射型ディス
プレイの断面図である。これらのディスプレイは、FE
A基板1上に、周囲にゲート電極2を有するエミッタ3
が設けられたFEA基板4と、透明基板5上にアノード
電極6及び蛍光体層7が形成された蛍光基板8とが、ス
ペーサ部材9を介して対向しており、その周囲がシール
部材10でシールされている構造を有する。
FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views of the field emission display of the present invention. These displays are FE
An emitter 3 having a gate electrode 2 around it on an A substrate 1
And a fluorescent substrate 8 having an anode electrode 6 and a phosphor layer 7 formed on a transparent substrate 5 are opposed to each other with a spacer member 9 interposed therebetween. It has a sealed structure.

【0037】スペーサ部材9はFEA基板1あるいは蛍
光基板8上に重ね埋め法で形成される。
The spacer member 9 is formed on the FEA substrate 1 or the fluorescent substrate 8 by an overlapping method.

【0038】具体的には以下のように行う。 まず、蛍光基板8上にレジスト層を形成する。 次に、レジスト層に対して露光・現像操作を行い、レ
ジストパターン層を形成する。 次に、レジストパターンの中に絶縁材料または導電性
材料を埋め込むことによって、スペーサ部材9Aを形成
する。 次に、さらに絶縁材料または導電性材料を埋め込んだ
レジストパターン層の上にレジスト層を形成し、露光・
現像操作によって、と同じようなレジストパターン層
を形成する。 で形成したスペーサ部材9Aの上にスペーサ部材9
Bを形成する。 ・ ・ ・ こうしてと工程を繰り返して、スペーサ部材9を形
成していく。最後に常法によりレジストパターン層を除
去する。パターンが細かくなると、パターンのテーパー
の影響をなくすために、繰り返す回数を増やした方が好
ましい。
Specifically, the operation is performed as follows. First, a resist layer is formed on the fluorescent substrate 8. Next, an exposure and development operation is performed on the resist layer to form a resist pattern layer. Next, a spacer member 9A is formed by embedding an insulating material or a conductive material in the resist pattern. Next, a resist layer is formed on the resist pattern layer in which an insulating material or a conductive material is embedded,
A resist pattern layer similar to that described above is formed by a developing operation. The spacer member 9 is placed on the spacer member 9A formed by
Form B. The process is repeated to form the spacer member 9. Finally, the resist pattern layer is removed by an ordinary method. When the pattern becomes finer, it is preferable to increase the number of repetitions in order to eliminate the influence of the taper of the pattern.

【0039】この後、FEA基板1と組合せ、周囲をシ
ール部材10でシールすることにより図1と図2に示す
電界放射型ディスプレイが得られる。
Thereafter, the field emission display shown in FIGS. 1 and 2 is obtained by combining with the FEA substrate 1 and sealing the periphery with a sealing member 10.

【0040】なお、蛍光体塗布とスペーサ形成の順序に
ついてはどちらが先でもよいが、蛍光体塗布法として印
刷法を用いる場合には蛍光体塗布を先に行う必要があ
る。蛍光体塗布法として電着法を用いる場合にはいずれ
も可能である。
The order of the application of the phosphor and the formation of the spacer may be either order. However, when a printing method is used as the application method of the phosphor, the application of the phosphor must be performed first. When the electrodeposition method is used as the phosphor coating method, any method is possible.

【0041】また、スペーサ部材をFEA基板上に形成
することもできる。
Further, the spacer member can be formed on the FEA substrate.

【0042】スペーサ部材9の形状としては、円柱、四
角柱などの柱様形状や、底面が細長い長方形の壁や曲線
状壁、あるいは複数の壁を組み合わせたものなどの壁様
形状が好ましい。
The shape of the spacer member 9 is preferably a column-like shape such as a circular column or a square column, or a wall-like shape such as a rectangular or curved wall having an elongated bottom, or a combination of a plurality of walls.

【0043】なお、通常、一つのディスプレイには多数
個のスペーサ部材9が設けられるが、それらが全て同一
の形状でなくてもよく、設ける位置等に応じて適宜、形
状を変化させることができる。
Normally, one display is provided with a large number of spacer members 9, but they do not all need to have the same shape, and the shape can be changed as appropriate according to the position to be provided. .

【0044】スペーサ部材9を構成する材料としては、
絶縁材料と導電性材料を使用することができる。
As a material for forming the spacer member 9,
Insulating and conductive materials can be used.

【0045】絶縁材料としては、ガラスなどを使用する
ことができる。
As the insulating material, glass or the like can be used.

【0046】導電性材料としては、種々の導電性材料、
例えば、金属材料、半導体材料、有機導電性材料等を使
用することができるが、中でも、良好な機械的強度を示
し、しかも電鋳法により容易に形成することができる点
から金属材料を使用することが好ましい。
As the conductive material, various conductive materials,
For example, a metal material, a semiconductor material, an organic conductive material, or the like can be used. Among them, a metal material is used because it exhibits good mechanical strength and can be easily formed by an electroforming method. Is preferred.

【0047】このような金属材料としては、ディスプレ
イ製造の際にスペーサ形成後に封着等の昇温プロセスが
施されることを考慮すると耐熱性の良好な高融点金属が
望ましく、例えばNi、Cu、Cr、Fe、Co、A
u、Ag、Pt、Rh、Pd又はこれらの合金を挙げる
ことができる。
Considering that a temperature raising process such as sealing is performed after the formation of the spacer during the production of the display, such a metal material is preferably a high melting point metal having good heat resistance, such as Ni, Cu, or the like. Cr, Fe, Co, A
u, Ag, Pt, Rh, Pd or alloys thereof.

【0048】[0048]

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。なお、各実施例において、電子放出素子としては鈍
角エッジ型エミッタ(同一出願人に係る特願平7−72
121号参照)を使用した。
The present invention will be described below in more detail with reference to examples. In each of the embodiments, the electron-emitting device is an obtuse edge type emitter (Japanese Patent Application No. 7-72 of the same applicant).
No. 121) was used.

【0049】鈍角エッジ型エミッタは、図5(a)(上
面図)及び図5(b)(断面図)に示すように、基板2
1上に、エミッタ配線層22、エミッタ下地層23及び
エミッタ25が形成され、エミッタ下地層23及びエミ
ッタ25の周囲には、それらと接触しないように絶縁層
24とゲート26とがエミッタ配線層22上に形成され
た構造を有し、特に、エミッタの上面25aと側面25
bとが形成する角θが90度より大きい鈍角となってい
ることが特徴となっている。
As shown in FIG. 5A (top view) and FIG. 5B (cross-sectional view), the obtuse edge type
1, an emitter wiring layer 22, an emitter base layer 23, and an emitter 25 are formed, and an insulating layer 24 and a gate 26 are formed around the emitter base layer 23 and the emitter 25 so as not to come into contact with them. Having an upper surface 25a and a side surface 25a,
b is an obtuse angle greater than 90 degrees.

【0050】これにより、電子放出の分配率が改善され
ている。
As a result, the distribution ratio of electron emission is improved.

【0051】<実施例1>図1に示す本発明の電界放射
型ディスプレイを、次に説明するように製造した(以下
図3参照)。
Example 1 The field emission display of the present invention shown in FIG. 1 was manufactured as described below (see FIG. 3).

【0052】まず、透明基板5上にアノ−ド電極6を形
成して蛍光基板8を得た(図3(a))。
First, an anode electrode 6 was formed on a transparent substrate 5 to obtain a fluorescent substrate 8 (FIG. 3A).

【0053】次に、その蛍光基板8上に、厚さ30μm
のメッキ用レジストパターン層12aAを形成した(図
3(b))。
Next, on the fluorescent substrate 8, a thickness of 30 μm
The plating resist pattern layer 12aA was formed (FIG. 3B).

【0054】次に、メッキ用レジストパターン層12a
Aに対して露光・現像操作を行い、スペーサ部材9の所
定の位置に幅10μmの開孔部12Aを有する厚さ30
μmのレジストパターン層12bAを形成した(図3
(c))。
Next, the plating resist pattern layer 12a
Exposure / development operation is performed on A at a predetermined position of the spacer member 9 so as to have an opening 12A having a width of 10 μm,
A resist pattern layer 12bA of μm was formed (FIG.
(C)).

【0055】次に、レジストパターン層12bAの開孔
部12Aにスペーサ部材9Aを形成した(図3
(d))。
Next, a spacer member 9A was formed in the opening 12A of the resist pattern layer 12bA.
(D)).

【0056】この場合、スペーサ部材9Aの形成方法と
しては、ガラス粉を溶剤と混合させてガラスペーストを
調整し、それを開孔部12Aに塗り込むことにより形成
する。
In this case, as a method for forming the spacer member 9A, the glass powder is mixed with a solvent to prepare a glass paste, which is then applied to the opening 12A.

【0057】次に、レジストパターン層12bAの表面
に更に厚さ30μmのメッキ用レジストパターン層12
aBを形成し(図3(e))、それに対して露光・現像
操作を行い、スペーサ部材9Aの上に幅10μmの開孔
部12Bを有する厚さ30μmのレジストパターン層1
2bBを形成した(図4(f))。
Next, a plating resist pattern layer 12 having a thickness of 30 μm is further formed on the surface of the resist pattern layer 12bA.
aB is formed (FIG. 3 (e)), and exposure and development operations are performed on the resist pattern layer 1 having a thickness of 30 μm and having an opening 12B having a width of 10 μm on the spacer member 9A.
2bB was formed (FIG. 4F).

【0058】次に、ガラスペーストを開孔部12Bに塗
り込むことによりスペーサ部材9Bを形成した(図3
(g))。
Next, a spacer member 9B was formed by applying a glass paste to the opening 12B.
(G)).

【0059】次に、スペーサ部材9を低温焼成によって
固化させてから、レジストパターン層12を常法により
除去する(図3(h))。
Next, after the spacer member 9 is solidified by low-temperature baking, the resist pattern layer 12 is removed by a conventional method (FIG. 3H).

【0060】この後は、アノード電極6上に蛍光体層7
を電着法により形成する。そして、ゲート電極2及びエ
ミッタ3が形成されたFEA基板4と組み合わせ、周囲
をシール部材10でシールすることにより図3(i)に
示す電界放射型ディスプレイが得られる。
Thereafter, the phosphor layer 7 is formed on the anode electrode 6.
Is formed by an electrodeposition method. Then, the field emission display shown in FIG. 3I is obtained by combining with the FEA substrate 4 on which the gate electrode 2 and the emitter 3 are formed and sealing the periphery with the sealing member 10.

【0061】なお、図3(e)〜(g)の工程は何回か
繰り返すことができる。
The steps of FIGS. 3E to 3G can be repeated several times.

【0062】スペーサ部材の幅を狭くする場合には、レ
ジストパターン層のテーパーを無くすために、繰り返す
回数を増やした方が好ましい。
When the width of the spacer member is reduced, it is preferable to increase the number of repetitions in order to eliminate the taper of the resist pattern layer.

【0063】〈実施例2〉図2に示した本発明の電界放
射型ディスプレイは、次に説明するように製造した(以
下図4参照)。
Example 2 The field emission display of the present invention shown in FIG. 2 was manufactured as described below (see FIG. 4).

【0064】本実施例において、スペーサ部材の形成法
としては電鋳法を用いた。
In this embodiment, an electroforming method was used as a method for forming the spacer member.

【0065】まず、蛍光基板作製用にITO付きのガラ
スよりなる透明基板5を用意し、フォトリソグラフィー
技術及びウェットエッチングによってアノード電極6の
パターンを形成した(図4(a))。
First, a transparent substrate 5 made of glass with ITO was prepared for producing a fluorescent substrate, and a pattern of an anode electrode 6 was formed by photolithography and wet etching (FIG. 4A).

【0066】次に、スペーサ配線に相当する部分に開孔
部を有するレジストパターンを形成し、Crを0.02
μm、Niを1μm真空蒸着により成膜し、リフトオフ
にてスペーサ配線11を形成した(図4(b))。
Next, a resist pattern having an opening at a portion corresponding to the spacer wiring is formed,
A film of μm and Ni was formed by vacuum evaporation of 1 μm, and a spacer wiring 11 was formed by lift-off (FIG. 4B).

【0067】次に、厚さ30μmのメッキ用レジストパ
ターン層12aAを形成した(図4(c))。
Next, a plating resist pattern layer 12aA having a thickness of 30 μm was formed (FIG. 4C).

【0068】次に、メッキ用レジスト層12aAに対し
て露光・現像操作を行い、スペーサ配線11上の所定の
位置に幅10μmの開孔部12Aを有する厚さ30μm
のレジストパターン層12bAを形成した(図4
(d))。
Next, an exposure / development operation is performed on the plating resist layer 12aA to form a 30 μm-thick opening 12A having a width of 10 μm at a predetermined position on the spacer wiring 11.
The resist pattern layer 12bA of FIG.
(D)).

【0069】次に、電鋳法により、開孔部12Aの中に
Niを30μm堆積させてスペーサ部材9Aを形成した
(図4(e))。
Next, 30 μm of Ni was deposited in the opening 12A by electroforming to form a spacer member 9A (FIG. 4E).

【0070】次に、レジストパターン層12bAの表面
に更に厚さ30μmのメッキ用レジストパターン層12
aBを形成し(図4(f))、それに対して露光・現像
操作を行い、スペーサ部材9Aの上に幅10μmの開孔
部12Bを有する厚さ30μmのレジストパターン層1
2bBを形成した(図4(g))。
Next, the plating resist pattern layer 12 having a thickness of 30 μm is further formed on the surface of the resist pattern layer 12bA.
aB is formed (FIG. 4 (f)), exposure and development operations are performed thereon, and a resist pattern layer 1 having a thickness of 30 μm and having an opening 12B having a width of 10 μm on the spacer member 9A.
2bB was formed (FIG. 4 (g)).

【0071】次に、電鋳法により、開孔部12Bの中に
Niを30μm堆積させてスペーサ部材9Bを形成した
(図4(h))。
Next, 30 μm of Ni was deposited in the opening 12B by electroforming to form a spacer member 9B (FIG. 4 (h)).

【0072】次に、常法によりレジストパターン層12
bAと12bBを除去した(図4(i))。
Next, the resist pattern layer 12 is formed by an ordinary method.
bA and 12bB were removed (FIG. 4 (i)).

【0073】次に、アノード電極6の所定の位置に電着
法により蛍光体層7を形成した(図4(j))。
Next, a phosphor layer 7 was formed at a predetermined position on the anode electrode 6 by electrodeposition (FIG. 4 (j)).

【0074】こうして作製した蛍光基板8をFEA基板
4と位置合わせし、低融点ガラスからなるシール部材1
0を用いてパネル化することにより図4(k)の電界放
射型ディスプレイを製造した。
The thus prepared fluorescent substrate 8 is aligned with the FEA substrate 4, and the sealing member 1 made of low-melting glass is used.
4 (k) was manufactured by forming a panel by using the panel No. 0.

【0075】なお、図4(f)〜(h)の工程は何回か
繰り返すことができる。
The steps shown in FIGS. 4F to 4H can be repeated several times.

【0076】スペーサの幅を狭くする場合には、レジス
トパターン層のテーパーを無くすために、繰り返す回数
を増やした方が好ましい。
When the width of the spacer is reduced, it is preferable to increase the number of repetitions in order to eliminate the taper of the resist pattern layer.

【0077】即ち、レジストパターン層12の開孔部の
形状は、上方の直径が下方の直径より大きくなる傾向に
ある。
That is, the shape of the opening of the resist pattern layer 12 tends to have an upper diameter larger than a lower diameter.

【0078】そのため電鋳法等により開孔部に重ね埋め
して形成した場合、図6に示す如くスペーサ部材9が逆
にテーパー状になる傾向にある。
Therefore, when the spacer member 9 is formed so as to be buried in the hole by electroforming or the like, the spacer member 9 tends to be tapered as shown in FIG.

【0079】このようなスペーサ部材9の直径の変化を
少なくするためには、1回の高さを低くし回数を増やし
てスペーサ部材を形成することが好ましい。
In order to reduce such a change in the diameter of the spacer member 9, it is preferable to form the spacer member by lowering the height once and increasing the number of times.

【0080】金属スペーサの場合にはスペーサ配線を利
用して、スペーサ部材の電位をコントロールすることが
できる。
In the case of the metal spacer, the potential of the spacer member can be controlled by using the spacer wiring.

【0081】それによって、スペーサ部材への電子の入
射を防止することができる。
Thus, the incidence of electrons on the spacer member can be prevented.

【0082】また電子がスペーサに入射した場合でも導
電性であるために各スペーサ部材においてそれぞれ電荷
が分散して局所的なチャージアップを抑制することがで
きる。
Even when electrons are incident on the spacers, the charge is dispersed in each of the spacer members due to being electrically conductive, so that local charge-up can be suppressed.

【0083】本発明において、スペーサ部材9以外の他
の構成要素については、従来の電界放射型ディスプレイ
と同様の構成要素を使用することができる。
In the present invention, the same components as those of the conventional field emission type display can be used for components other than the spacer member 9.

【0084】[0084]

【発明の効果】本発明によれば、幅10μm以下のスペ
ーサを形成することができるので、高精細な画素を有す
る電界放射型ディスプレイが可能となる。
According to the present invention, since a spacer having a width of 10 μm or less can be formed, a field emission display having high-definition pixels can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電界放射型ディスプレイの断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of a field emission display according to the present invention.

【図2】本発明の電界放射型ディスプレイの断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the field emission display of the present invention.

【図3】(a)〜(i)は、実施例1の電界放射型ディ
スプレイの製造工程説明図である。
FIGS. 3 (a) to 3 (i) are views illustrating a manufacturing process of the field emission display of Example 1. FIGS.

【図4】(a)〜(k)は、実施例2の電界放射型ディ
スプレイの製造工程説明図である。
4 (a) to 4 (k) are diagrams illustrating a manufacturing process of the field emission display of Example 2. FIG.

【図5】鈍角エミッタを備えた電子放出素子の説明図で
あり、(a)は上面図、(b)は断面図である。
5A and 5B are explanatory views of an electron-emitting device having an obtuse angle emitter, wherein FIG. 5A is a top view and FIG. 5B is a cross-sectional view.

【図6】スペーサ部材の断面形状を示す断面で表した説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a cross-sectional shape of a spacer member.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1‥‥FEA基板 2‥‥ゲート電極 3‥‥エミッタ 4‥‥FEA基板 5‥‥透明基板 6‥‥アノード電極 7‥‥蛍光体層 8‥‥蛍光基板 9‥‥スペーサ部材 10‥‥シール部材 11‥‥スペーサ配線 12‥‥レジストパターン層 21‥‥FEA基板 22‥‥エミッタ配線層 23‥‥エミッタ下地層 24‥‥絶縁層 25‥‥エミッタ 26‥‥ゲート 1 FEA substrate 2 Gate electrode 3 Emitter 4 FEA substrate 5 Transparent substrate 6 Anode electrode 7 Phosphor layer 8 Fluorescent substrate 9 Spacer member 10 Seal member 11 spacer wiring 12 resist pattern layer 21 FEA substrate 22 emitter wiring layer 23 emitter base layer 24 insulating layer 25 emitter 26 gate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 甲斐 輝彦 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Teruhiko Kai 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Letterpress Printing Co., Ltd.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電界放射型の電子放出素子がアレイ状に配
された電子放出素子アレイ基板と、電子放出素子が発し
た電子が入射することにより蛍光を発する蛍光基板と
が、対向してなる電界放射型ディスプレイにおいて、両
基板を互いに接触しないようにするため、電子放出素子
アレイ基板あるいは蛍光基板上に、重ね埋め法により形
成したスペーサ部材が設けられていることを特徴とする
電界放射型ディスプレイ。
1. An electron-emitting device array substrate in which field-emission electron-emitting devices are arranged in an array, and a fluorescent substrate that emits fluorescence when electrons emitted from the electron-emitting devices are incident face each other. In the field emission display, a spacer member formed by an overfilling method is provided on an electron-emitting device array substrate or a fluorescent substrate so that the two substrates do not contact each other. .
【請求項2】スペーサ部材が柱様形状又は壁様形状を有
する請求項1記載の電界放射型ディスプレイ。
2. The field emission display according to claim 1, wherein the spacer member has a pillar-like shape or a wall-like shape.
【請求項3】スペーサの部材が導電性材料又は絶縁材料
である請求項1又は2記載の電界放射型ディスプレイ。
3. The field emission display according to claim 1, wherein the member of the spacer is a conductive material or an insulating material.
【請求項4】導電性材料が、Ni、Cu、Cr、Fe、
Co、Au、Ag、Pt、Rh、Pd又はこれらの合金
から選ばれる請求項3記載の電界放射型ディスプレイ。
4. The conductive material is Ni, Cu, Cr, Fe,
4. The field emission display according to claim 3, wherein the field emission display is selected from Co, Au, Ag, Pt, Rh, Pd or an alloy thereof.
【請求項5】絶縁材料がガラスからなる請求項3記載の
電界放射型ディスプレイ。
5. The field emission display according to claim 3, wherein the insulating material is made of glass.
【請求項6】スペーサ部材の高さが20μm〜500μ
mであり、その幅が5μm〜50μmである請求項1〜
5のいずれかに記載の電界放射型ディスプレイ。
6. A spacer member having a height of 20 μm to 500 μm.
m and a width of 5 m to 50 m.
6. The field emission display according to any one of 5.
【請求項7】電子放出素子アレイ基板と蛍光基板とがお
互いに接触することなく、対向してなる電界放射型ディ
スプレイの製造方法であって、電子放出素子アレイ基板
あるいは蛍光基板上に、重ね埋め法によりスペーサ部材
を形成し、該スペーサ部材を形成した蛍光基板と電子放
出素子アレイ基板とを組み立てることにより電界放射型
ディスプレイを作製することを特徴とする電界放射型デ
ィスプレイの製造方法。
7. A method for manufacturing a field emission display in which an electron-emitting device array substrate and a fluorescent substrate are opposed to each other without being in contact with each other. A method for manufacturing a field emission display, comprising: forming a spacer member by a method; and assembling a fluorescent substrate on which the spacer member is formed and an electron emission element array substrate to produce a field emission display.
JP19309396A 1996-07-23 1996-07-23 Manufacturing method of field emission display Expired - Lifetime JP3861330B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19309396A JP3861330B2 (en) 1996-07-23 1996-07-23 Manufacturing method of field emission display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19309396A JP3861330B2 (en) 1996-07-23 1996-07-23 Manufacturing method of field emission display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1040837A true JPH1040837A (en) 1998-02-13
JP3861330B2 JP3861330B2 (en) 2006-12-20

Family

ID=16302122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19309396A Expired - Lifetime JP3861330B2 (en) 1996-07-23 1996-07-23 Manufacturing method of field emission display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3861330B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001071760A1 (en) * 2000-03-23 2001-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Spacer assembly for plane surface display, method for manufacturing spacer assembly, method for manufacturing plane surface display, plane surface display and mold for use in manufacturing spacer assembly
EP1172836A1 (en) * 2000-07-14 2002-01-16 Sony Corporation Front plate for field-emission display
KR100903615B1 (en) 2006-11-02 2009-06-18 삼성에스디아이 주식회사 Spacer for electron emission display and Electron emission display

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001071760A1 (en) * 2000-03-23 2001-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Spacer assembly for plane surface display, method for manufacturing spacer assembly, method for manufacturing plane surface display, plane surface display and mold for use in manufacturing spacer assembly
US6583549B2 (en) 2000-03-23 2003-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Spacer assembly for flat panel display apparatus, method of manufacturing spacer assembly, method of manufacturing flat panel display apparatus, flat panel display apparatus, and mold used in manufacture of spacer assembly
US6672927B2 (en) 2000-03-23 2004-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Laminated mold for spacer assembly of a flat panel display
EP1172836A1 (en) * 2000-07-14 2002-01-16 Sony Corporation Front plate for field-emission display
US6621210B2 (en) 2000-07-14 2003-09-16 Sony Corporation Front plate for field-emission display comprising barriers formed of conductive inorganic material
KR100903615B1 (en) 2006-11-02 2009-06-18 삼성에스디아이 주식회사 Spacer for electron emission display and Electron emission display
US7772758B2 (en) 2006-11-02 2010-08-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron emission display including spacers with layers

Also Published As

Publication number Publication date
JP3861330B2 (en) 2006-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6975075B2 (en) Field emission display
US6359383B1 (en) Field emission display device equipped with nanotube emitters and method for fabricating
US5477105A (en) Structure of light-emitting device with raised black matrix for use in optical devices such as flat-panel cathode-ray tubes
US6811457B2 (en) Cathode plate of a carbon nano tube field emission display and its fabrication method
US6803708B2 (en) Barrier metal layer for a carbon nanotube flat panel display
US20060208628A1 (en) Electron emission device and method for manufacturing the same
TW583707B (en) Flat-panel display and flat-panel display cathode manufacturing method
JP2005243609A (en) Electron emitting element
JPH08115654A (en) Particle emission device, field emission type device, and their manufacture
US6914381B2 (en) Flat panel display with nanotubes
JP2003173744A (en) Field emission electron source and its manufacturing method and display device
JP3861330B2 (en) Manufacturing method of field emission display
JP3674844B2 (en) Field emission display panel having cathode and anode on same substrate and method for manufacturing the same
JPH0973869A (en) Field emission display, its manufacture, and its driving method
JP2002334670A (en) Display device
US5785873A (en) Low cost field emission based print head and method of making
US7352123B2 (en) Field emission display with double layered cathode and method of manufacturing the same
JP2003308798A (en) Image display device and manufacturing method of image display device
KR20050104643A (en) Cathode substrate for electron emission display device, electron emission display devce, and manufacturing method of the display device
US20070120462A1 (en) Electron emission device, method of manufacturing the electron emission device, and electron emission display having the electron emission device
JP2001520437A (en) Microchip and focusing gate and microchip densely arranged electron source and flat screen using such electron source
JP2000182508A (en) Field emission type cathode, electron emitting device, and manufacture of electron emitting device
KR20020039699A (en) A field emission display and manufacturing method for it
KR20070043392A (en) Electron emission device, electron emission display device using the same and manufacturing method thereof
JP2003297267A (en) Cold-cathode light-emitting element and method of manufacturing the same, and image-display device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060620

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060817

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Effective date: 20060918

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091006

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111006

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111006

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006