JPH10339824A - Platform for optical module and manufacture thereof - Google Patents

Platform for optical module and manufacture thereof

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JPH10339824A
JPH10339824A JP14937497A JP14937497A JPH10339824A JP H10339824 A JPH10339824 A JP H10339824A JP 14937497 A JP14937497 A JP 14937497A JP 14937497 A JP14937497 A JP 14937497A JP H10339824 A JPH10339824 A JP H10339824A
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JP
Japan
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mold
platform
optical
silicon substrate
fiber
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP14937497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Hirata
嘉裕 平田
Yasuo Mine
康夫 峯
Shunichi Yoneyama
俊一 米山
Toshiyuki Numazawa
稔之 沼澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of JPH10339824A publication Critical patent/JPH10339824A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly accurate and small-sized platform for an optical module at a low production cost. SOLUTION: This platform for the optical module is provided with a silicon substrate 1, a V groove 1V formed on the silicon substrate by anisotropic etching so as to position and fix an optical fiber and a metallic stopper 5 formed on the silicon substrate by plating so as to position and fix another optical component to be optically connected with the optical fiber.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野などで
望まれている小型で安価な光モジュールの製造を可能に
するためのプラットフォームに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a platform capable of manufacturing a small and inexpensive optical module desired in the field of optical communication and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信網を一般家庭内へも広げようとす
るファイバ・ツー・ザ・ホーム(FTTH)構想などに
おいて、小型で安価な光モジュールの実現に対する要望
が高まっている。これを実現するためには、光モジュー
ルの作製のための部品点数を最小限まで減らすととも
に、モジュールの組立工程を簡略化することが重要であ
ると考えられている。
2. Description of the Related Art There is a growing demand for a small and inexpensive optical module in a fiber-to-the-home (FTTH) concept for expanding an optical communication network into ordinary homes. In order to realize this, it is considered important to reduce the number of components for fabricating the optical module to a minimum and to simplify the assembly process of the module.

【0003】光モジュールの組立においては、従来のア
クティブアライメント法では光モジュールの価格がチャ
ンネル当りで1万円を切ることも難しいと考えられてい
る。アクティブアライメント法は、たとえばレーザダイ
オードのような光学素子と光ファイバとがプラットフォ
ーム上で組合される光モジュールを組立てる場合に、そ
のレーザダイオードを実際に駆動させて、光ファイバを
通したレーザ光出力が最大になるように、レーザダイオ
ードに対して相対的に光ファイバを調芯してプラットフ
ォーム上に固定する方法である。
In assembling an optical module, it is considered difficult to reduce the price of the optical module to less than 10,000 yen per channel by the conventional active alignment method. In the active alignment method, for example, when assembling an optical module in which an optical element such as a laser diode and an optical fiber are combined on a platform, the laser diode is actually driven and the laser light output through the optical fiber is changed. This is a method of aligning the optical fiber relative to the laser diode and fixing the optical fiber on the platform so as to maximize it.

【0004】近年、光学素子を駆動させることなく光モ
ジュールを組立てようとするパッシブアライメント法の
開発が進められている。パッシブアライメント法のいく
つかの例がOPTCOM,1996年6月号,pp.1
6−22やOPTRONICS,1996,No.7,
pp.133−138において述べられている。
In recent years, a passive alignment method for assembling an optical module without driving an optical element has been developed. Some examples of passive alignment methods are described in OPTCOM, June 1996, pp. 139-143. 1
6-22 and OPTRONICS, 1996, no. 7,
pp. 133-138.

【0005】図19と図20において、上記OPTCO
Mに開示されているパッシブアライメント法の一例が模
式的な斜視図で図解されている。図19において、シリ
コン製の光モジュール用プラットフォーム21には、複
数の光ファイバ26aを含むファイバアレイ26を位置
決めして固定するための複数のV溝21Vが形成されて
いる。各光ファイバ26aの左端面の一部がファイバス
トップ溝21Eの左側面につき当てられた後に、ファイ
バアレイ26がプラットフォーム21上に固定される。
プラットフォーム21上においてファイバアレイ26と
レーザダイオードアレイ27とが組合される場合、プラ
ットフォーム21上には各レーザダイオード27aに対
応した電極23が設けられている。
[0005] In FIG. 19 and FIG.
An example of the passive alignment method disclosed in M. is illustrated in a schematic perspective view. In FIG. 19, a plurality of V-grooves 21V for positioning and fixing a fiber array 26 including a plurality of optical fibers 26a are formed in an optical module platform 21 made of silicon. After a part of the left end face of each optical fiber 26a is applied to the left side face of the fiber stop groove 21E, the fiber array 26 is fixed on the platform 21.
When the fiber array 26 and the laser diode array 27 are combined on the platform 21, the electrodes 23 corresponding to each laser diode 27a are provided on the platform 21.

【0006】レーザダイオードアレイ27をプラットフ
ォーム21上に位置決めするとき、図20に示されてい
るように、各レーザダイオード27aとプラットフォー
ム21とに予め設けられたそれぞれの位置決め用マーク
27Mと28Mが利用される。このとき、マーク27M
と28Mを観察するために、シリコンを透過する赤外線
が用いられる。シリコン製のレーザダイオード27aの
位置決めマーク27Mは、赤外線を透過しないものであ
る。他方、シリコン製のプラットフォーム21の位置決
めマーク28Mは、たとえば電極23の両側に形成され
た赤外線遮蔽膜28内に設けられた開口であり、V溝2
1Vおよびファイバストップ溝21Eに対して相対的に
定められた所定の位置にある。そして、プラットフォー
ム21の下方から赤外線を照射してこれらのマーク27
Mと28Mを観察しながら、レーザダイオードアレイ2
7がプラットフォーム21上に位置決めされて固定され
る。
When positioning the laser diode array 27 on the platform 21, as shown in FIG. 20, respective positioning marks 27M and 28M provided in advance on each laser diode 27a and the platform 21 are used. You. At this time, mark 27M
And 28M are observed using infrared light transmitted through silicon. The positioning mark 27M of the silicon laser diode 27a does not transmit infrared rays. On the other hand, the positioning mark 28M of the silicon platform 21 is, for example, an opening provided in the infrared shielding film 28 formed on both sides of the electrode 23,
It is at a predetermined position relatively determined with respect to 1V and the fiber stop groove 21E. Then, infrared rays are irradiated from below the platform 21 to illuminate these marks 27.
While observing M and 28M, the laser diode array 2
7 is positioned and fixed on the platform 21.

【0007】図21においては、前述のOPTRONI
CSに開示されているパッシブアライメント法の一例が
模式的な斜視図で図解されている。図21に示されたパ
ッシプアライメント法において、光ファイバがプラット
フォーム上のV溝内に位置決め固定されることは図19
の場合と同様であるが、プラットフォーム上の位置決め
用マークが図20の場合と異なっている。図21に示さ
れた方法では、プラットフォーム上に位置決めマーク3
2と33が設けられており、まず、レーザダイオード3
1のレーザ光射出側の前方端縁31Eが複数の位置決め
マーク32によって定められるラインに合わせられる。
その後、レーザダイオード31は、そのレーザ光射出部
のメサ31Mが光軸合わせマーク33に合うように、位
置決めされて固定される。
In FIG. 21, the above-mentioned OPTRONI
An example of the passive alignment method disclosed in CS is illustrated in a schematic perspective view. In the passive alignment method shown in FIG. 21, the optical fiber is positioned and fixed in the V groove on the platform in FIG.
20. However, the positioning marks on the platform are different from those in FIG. In the method shown in FIG. 21, the positioning mark 3 is placed on the platform.
2 and 33 are provided.
One front edge 31E on the laser light emission side is aligned with a line defined by the plurality of positioning marks 32.
Thereafter, the laser diode 31 is positioned and fixed so that the mesa 31M of the laser light emitting portion matches the optical axis alignment mark 33.

【0008】さらに、図22の模式的な斜視図に示され
ているように、SPIE,Vol.2610,199
6,pp.108−116においては、レーザダイオー
ドをプラットフォーム上でメカニカルに位置決めするこ
とも試みられている。この方法もパッシブアライメント
法の一種であるが、ここではメカニカルアライメント法
として、前2者と区別することにする。図22に示され
ているプラットフォーム41はシリコン単結晶からな
り、その上面は(100)結晶面を有している。レーザ
ダイオード47を位置決めするためのシリカ製のストッ
パ45は、CVD法,フォトリソグラフィ,および反応
性イオンエッチングを用いて形成される。光ファイバ固
定用のV溝41Vの表面は(111)結晶面を有し、フ
ォトリソグラフィで形成されたレジストマスクを用いて
プラットフォーム41の(100)結晶表面を異方性エ
ッチングすることによって形成される。ファイバストッ
プ溝41Eは、機械的加工によって形成される。
Further, as shown in a schematic perspective view of FIG. 22, SPIE, Vol. 2610,199
6, pp. 108-116 also attempts to mechanically position the laser diode on the platform. This method is also a kind of the passive alignment method. Here, the mechanical alignment method is distinguished from the former two methods. The platform 41 shown in FIG. 22 is made of single crystal silicon, and the upper surface has a (100) crystal plane. The silica stopper 45 for positioning the laser diode 47 is formed by using a CVD method, photolithography, and reactive ion etching. The surface of the V groove 41V for fixing the optical fiber has a (111) crystal plane, and is formed by anisotropically etching the (100) crystal surface of the platform 41 using a resist mask formed by photolithography. . The fiber stop groove 41E is formed by mechanical processing.

【0009】図22に示されているようなプラットフォ
ームにおいて、光ファイバは図19の場合と同様にV溝
41V内に位置決めされて固定される。他方、レーザダ
イオード47は、その側面をシリカストッパ45の側面
に当接させることによって簡便に位置決めされ得る。
In the platform as shown in FIG. 22, the optical fiber is positioned and fixed in the V-groove 41V as in FIG. On the other hand, the laser diode 47 can be easily positioned by bringing its side surface into contact with the side surface of the silica stopper 45.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】図20や図21に示さ
れているようなパッシブアライメント法では、アクティ
ブアライメント法においてレーザダイオードに対して光
ファイバを位置合せしていた関係を逆にしたにすぎない
という面がある。すなわち、パッシブアライメント法に
おける位置合せ精度は、レーザダイオード上のマークと
プラットフォーム上のマークを認識するための観察系の
精度とレーザダイオードの位置の微調整機構の精度とに
依存する。このとき、これらの観察系の精度や微調整機
構の精度を高めるには、高いコストがかかる。また、パ
ッシプアライメント法では、観察されたマークの精密な
画像処理を繰返してレーザダイオードの位置決めが行な
われるので、位置決めのための作業時間を短縮すること
も困難である。
In the passive alignment method as shown in FIGS. 20 and 21, the relationship of positioning the optical fiber with respect to the laser diode in the active alignment method is simply reversed. There is no aspect. That is, the alignment accuracy in the passive alignment method depends on the accuracy of the observation system for recognizing the mark on the laser diode and the mark on the platform and the accuracy of the fine adjustment mechanism of the position of the laser diode. At this time, a high cost is required to improve the accuracy of these observation systems and the accuracy of the fine adjustment mechanism. Further, in the passive alignment method, since the laser diode is positioned by repeating precise image processing of the observed mark, it is difficult to shorten the work time for the positioning.

【0011】他方、図22に示されているようなメカニ
カルアライメント法は、パッシブアライメント法に比べ
て、より簡便に短時間でレーザダイオードを位置決めで
きるという点において好ましい。しかし、図22に示さ
れているようなプラットフォームを製造するためには、
シリカのストッパ45を形成するためとV溝41Vを形
成するために、各プラットフォームの作製ごとに2回の
フォトレジストグラフィを必要として手間がかかる。ま
た、シリカストッパ45とV溝41Vとの相対的な位置
関係の精度は、これら2回のフォトリソグラフィで用い
られるマスクの位置合せの精度によって影響される。さ
らに、シリカストッパ45の側面は反応性イオンエッチ
ングによって形成されるので、その側面を高精度で垂直
な平面に形成することが困難である。したがって、プラ
ットフォーム41上でV溝41Vとシリカストッパ45
の側面との間の相対的な位置関係を高精度(たとえば±
1μm以下の誤差)で実現させることが困難である。
On the other hand, the mechanical alignment method as shown in FIG. 22 is preferable in that the laser diode can be positioned more easily and in a shorter time than the passive alignment method. However, to produce a platform as shown in FIG.
In order to form the stopper 45 of silica and to form the V-shaped groove 41V, it is necessary to perform two times of photoresist lithography for each production of each platform, which is troublesome. The accuracy of the relative positional relationship between the silica stopper 45 and the V groove 41V is affected by the accuracy of the alignment of the mask used in these two photolithography operations. Further, since the side surface of the silica stopper 45 is formed by reactive ion etching, it is difficult to form the side surface with a vertical plane with high precision. Therefore, on the platform 41, the V groove 41V and the silica stopper 45
High accuracy (for example, ±
(Error of 1 μm or less).

【0012】上述のような先行技術における課題に鑑
み、本発明は、簡便に低コストで製造することが可能で
あってかつ光ファイバと他の光学部品を簡便に高精度で
位置決め固定させることができる光モジュール用プラッ
トフォームとその製造方法を提供することを目的として
いる。
In view of the above-mentioned problems in the prior art, the present invention is capable of easily and inexpensively manufacturing and positioning and fixing an optical fiber and other optical components easily and with high precision. It is an object of the present invention to provide an optical module platform and a manufacturing method thereof.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の1つの態様によ
る光モジュール用プラットフォームは、シリコン基板
と、光ファイバを位置決め固定するためにそのシリコン
基板上に異方性エッチングによって形成されたV溝と、
光ファイバと光学的に結合されるべき他の光学部品を位
置決め固定するためにシリコン基板上にめっきによって
形成された金属製ストッパとを含むことを特徴としてい
る。
According to one aspect of the present invention, an optical module platform includes a silicon substrate, a V-groove formed by anisotropic etching on the silicon substrate for positioning and fixing an optical fiber. ,
A metal stopper formed by plating on a silicon substrate for positioning and fixing another optical component to be optically coupled with the optical fiber is provided.

【0014】本発明のもう1つの態様による光モジュー
ル用プラットフォームの製造方法は、導電性下地層上に
所定厚さのレジスト層を形成し、そのレジスト層をX線
リソグラフィでパターニングし、レジスト層のパターン
から露出された導電性下地層をめっき電極としてレジス
ト層を覆う厚さまで金属めっきすることによって金型を
形成し、その金型を導電性下地層およびレジスト層から
分離し、導電性処理された表面領域と非導電性処理され
た表面領域とを有するシリコン基板上に金型を位置合せ
し、金型とシリコン基板との間にモールド樹脂を注入し
てシリコン基板上に所定厚さのモールド樹脂層パターン
を形成し、金型を除去してモールド樹脂層パターンから
露出されているシリコン基板上の導電性処理された表面
領域をめっき電極としてモールド樹脂層パターンの厚さ
より小さな所定厚さまでめっきすることによって、光学
部品を位置決めするための金属製ストッパを形成し、モ
ールド樹脂パターンから露出されているシリコン基板上
の非導電性処理された表面領域に異方性エッチングを施
すことによってV溝を形成することを特徴としている。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a platform for an optical module, comprising: forming a resist layer having a predetermined thickness on a conductive underlayer; patterning the resist layer by X-ray lithography; A metal mold was formed by metal plating to a thickness covering the resist layer using the conductive underlayer exposed from the pattern as a plating electrode, and the mold was separated from the conductive underlayer and the resist layer, and subjected to a conductive treatment. A mold is positioned on a silicon substrate having a surface area and a non-conductive treated surface area, and a mold resin is injected between the mold and the silicon substrate to form a mold resin having a predetermined thickness on the silicon substrate. A layer pattern is formed, the mold is removed, and the conductive treated surface area on the silicon substrate exposed from the mold resin layer pattern is plated with an electrode. Then, a metal stopper for positioning the optical component is formed by plating to a predetermined thickness smaller than the thickness of the mold resin layer pattern, and the non-conductive treatment on the silicon substrate exposed from the mold resin pattern is performed. A V-groove is formed by performing anisotropic etching on the surface region.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1において、本発明の実施の形
態の一例による光モジュール用プラットフォームが模式
的な斜視図で示されている。このプラットフォームは送
信モジュール用プラットフォームであり、レーザダイオ
ードと光ファイバを組合せるために用いられる。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an optical module platform according to an embodiment of the present invention. This platform is a platform for a transmission module and is used for combining a laser diode and an optical fiber.

【0016】図1のプラットフォームはシリコン基板1
を用いて形成されており、シリコン基板1の上面は窒化
シリコン膜2によって覆われている。シリコン基板1に
は、また、光ファイバを位置決め固定するためのV溝1
Vとそのファイバの端面の一部が当接する側面を有する
ファイバストップ溝1Eが形成されている。窒化シリコ
ン膜2上にはレーザダイオード用電極3とレーザダイオ
ード用ストッパ5が形成されている。このストッパ5は
めっきによって形成された金属製であり、レーザダイオ
ードを簡便にかつ精度よく位置決めするために用いられ
る。金属製ストッパ5は切欠部5aを有しているが、こ
れはレーザダイオードの上下電極を短絡させないために
設けられている。
The platform shown in FIG.
The upper surface of the silicon substrate 1 is covered with the silicon nitride film 2. The silicon substrate 1 also has a V groove 1 for positioning and fixing an optical fiber.
A fiber stop groove 1E having a side surface with which V and a part of the end face of the fiber abut is formed. On the silicon nitride film 2, a laser diode electrode 3 and a laser diode stopper 5 are formed. The stopper 5 is made of metal formed by plating, and is used to position the laser diode easily and accurately. The metal stopper 5 has a notch 5a, which is provided to prevent a short circuit between the upper and lower electrodes of the laser diode.

【0017】図2は、図1に示されているような光モジ
ュール用プラットフォームを製造するために用いられる
金型を模式的な斜視図で示している。この金型15もめ
っきによって作製され、突出部15V,15Eおよび1
5Sを含んでいる。この突出部15Vは図1のプラット
フォームのV溝1Vの位置に対応し、突出部15Eはフ
ァイバストップ溝1Eの位置に対応し、そして突出部1
5Sはレーザダイオード用ストッパ5の位置に対応して
いる。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a mold used for manufacturing a platform for an optical module as shown in FIG. This mold 15 is also made by plating, and the protrusions 15V, 15E and 1
5S. This protrusion 15V corresponds to the position of the V groove 1V of the platform of FIG. 1, the protrusion 15E corresponds to the position of the fiber stop groove 1E, and the protrusion 1
5S corresponds to the position of the laser diode stopper 5.

【0018】以下において、図2に示されているような
金型の製造方法の一例と、その金型を用いて図1に示さ
れているような光モジュール用プラットフォームを製造
する方法の一例を説明する。なお、本願のそれぞれの図
に示されているそれぞれの要素の寸法は、図面の明瞭化
と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関
係を反映してはいない。
In the following, an example of a method for manufacturing a mold as shown in FIG. 2 and an example of a method for manufacturing a platform for an optical module as shown in FIG. 1 using the mold will be described. explain. The dimensions of each element shown in each drawing of the present application are appropriately changed for clarity and simplification of the drawings, and do not reflect an actual dimensional relationship.

【0019】まず、金型の製造方法に関し、図3は平面
図を表わし、図4は図3中の破線A 1 −B1 −C1 に沿
った断面を矢印X1 方向に見た状態を拡大して示してい
る。これらの図において、基板11として、導電性シリ
コンが用いられる。これは、めっき工程において基板1
1をめっき電極としても利用するためである。しかし、
基板11として、真性半導体のシリコンを用いることも
可能である。ただし、その場合には、基板の上面が、ス
パッタリング法等で形成されたチタン,クロム等の金属
膜によって覆われる。
First, regarding the method of manufacturing a mold, FIG.
FIG. 4 shows a broken line A in FIG. 1 -B1 -C1 Along
Arrow X1 The state seen in the direction is shown enlarged.
You. In these figures, a conductive silicon is used as a substrate 11.
Con is used. This is because the substrate 1
This is because 1 is also used as a plating electrode. But,
The substrate 11 may be made of intrinsic semiconductor silicon.
It is possible. However, in this case, the top surface of the substrate
Metals such as titanium and chromium formed by the sputtering method
Covered by a membrane.

【0020】基板11上には、SR(シンクロトロン放
射光)リソグラフィとめっきを利用して、図1中のスト
ッパ5の切欠部5aに対応する銅の微小領域13が形成
される。X線用レジスト層12としては、PMMA(ポ
リメチルメタクリレート)やMMA(メチルメタクリレ
ート)/MAA(メタクリル酸)共重合体を用いること
ができる。X線マスクとしては、X線の透過性が良好な
窒化シリコンの支持膜上に形成されたタングステン層の
パターンを用いることができる(図7参照)。
A fine copper region 13 corresponding to the notch 5a of the stopper 5 in FIG. 1 is formed on the substrate 11 by using SR (synchrotron radiation) lithography and plating. As the X-ray resist layer 12, PMMA (polymethyl methacrylate) or MMA (methyl methacrylate) / MAA (methacrylic acid) copolymer can be used. As the X-ray mask, a pattern of a tungsten layer formed on a silicon nitride support film having good X-ray transmittance can be used (see FIG. 7).

【0021】図4において、SRリソグラフィによって
レジスト層12中に形成された開口部内にめっきによっ
て形成された銅微小領域13は、研磨によって所定の厚
さに調整される。たとえば、図1中のストッパ5によっ
て位置決めされるレーザダイオードの上下の電極間隔が
10μmである場合、銅微小領域13の厚さは約20μ
mに調整される。
In FIG. 4, the copper micro-region 13 formed by plating in the opening formed in the resist layer 12 by SR lithography is adjusted to a predetermined thickness by polishing. For example, when the distance between the upper and lower electrodes of the laser diode positioned by the stopper 5 in FIG. 1 is 10 μm, the thickness of the copper minute region 13 is about 20 μm.
m.

【0022】図5において、図4中のレジスト12を除
去した後に、銅微小領域13より厚いたとえば100μ
m厚さのレジスト層12aが再塗布される。なお、図4
中のレジスト層12を除去することなく、その上に追加
のレジスト層を塗布することによって図5中の厚いレジ
スト層12aを形成してもよい。
In FIG. 5, after removing the resist 12 in FIG.
The m-thick resist layer 12a is applied again. FIG.
The thick resist layer 12a in FIG. 5 may be formed by applying an additional resist layer thereon without removing the resist layer 12 therein.

【0023】図5に示された厚いレジスト層12a上に
は図6に示されているようなX線マスクが重ねられ、S
Rリソグラフィによって、図7に示されているようなレ
ジスト層パターン12bが形成される。図7は、図6の
平面図中の破線A1 −B1 −C1 に沿った断面を矢印X
1 方向に見た状態を示している。
An X-ray mask as shown in FIG. 6 is superimposed on the thick resist layer 12a shown in FIG.
By R lithography, a resist layer pattern 12b as shown in FIG. 7 is formed. FIG. 7 is a sectional view taken along a broken line A 1 -B 1 -C 1 in the plan view of FIG.
This shows a state viewed in one direction.

【0024】図6と図7を参照して、X線マスク14
は、X線を透過する窒化シリコンの支持膜14aと、そ
の上に形成されていてX線を遮蔽するタングステン層の
パターン14bとを含んでいる。このようなX線マスク
14を用いたSRリソグラフィによって形成されたレジ
スト層パターン12bは、図1中のV溝1Vに対応する
位置の開口12Vと、ファイバストップ溝1Eに対応す
る位置の開口12Eと、金属製ストッパ5に対応する位
置の開口12Sを含んでいる。そして、開口12S内で
は、図1中のストッパ5の切欠部5aに対応する位置
に、銅微小領域13が露出されている。
Referring to FIGS. 6 and 7, X-ray mask 14
Includes a support film 14a made of silicon nitride that transmits X-rays, and a pattern 14b of a tungsten layer formed thereon to shield X-rays. The resist layer pattern 12b formed by SR lithography using such an X-ray mask 14 has an opening 12V at a position corresponding to the V groove 1V and an opening 12E at a position corresponding to the fiber stop groove 1E in FIG. , An opening 12 </ b> S at a position corresponding to the metal stopper 5. Then, in the opening 12S, the copper minute region 13 is exposed at a position corresponding to the notch 5a of the stopper 5 in FIG.

【0025】このとき、V溝1Vに対応する開口12V
と金属製ストッパ5に対応する開口12Sとにおける寸
法精度と相対的位置精度はほぼX線マスク14の精度に
よって決まるが、これらの精度としては、いずれも±
0.5μm以下の誤差範囲内の高い精度が可能である。
At this time, the opening 12V corresponding to the V groove 1V
The dimensional accuracy and relative positional accuracy of the X-ray mask 14 and the opening 12S corresponding to the metal stopper 5 are substantially determined by the accuracy of the X-ray mask 14.
High accuracy within an error range of 0.5 μm or less is possible.

【0026】他方、金属製ストッパ5に対応する開口1
2Sと切欠部5aに対応する銅微小領域13との相対的
位置精度は、X線マスク14とシリコン基板11との位
置合せの精度に依存し、約2μmの誤差範囲内の精度が
可能である。ここで、光モジュール用プラットフォーム
として重要なのはV溝1Vと金属ストッパ5との間にお
ける相対的な寸法と位置の精度であり、金属製ストッパ
5に設けられる切欠部5aはレーザダイオードの上下電
極の短絡防止のみを目的としているので、その横方向へ
の切欠深さについては高い精度を必要としない。したが
って、銅微小領域13は、設計された切欠部5aの長さ
と幅よりもそれぞれ5μmほど大きく形成しておくこと
が可能であり、X線マスク14とシリコン基板11との
位置合せの精度が2μmの誤差範囲内程度であっても、
金属製ストッパ5に対応する開口12S内に切欠部5a
に対応する領域として銅微小領域13を確実に突出させ
ることが可能である。なお、X線マスク14とシリコン
基板11との間の位置合せは、通常のフォトリソグラフ
ィの場合と同様に、予めそれらに設けられた位置合せマ
ークを用いて行なわれる。
On the other hand, the opening 1 corresponding to the metal stopper 5
The relative positional accuracy between the 2S and the copper micro-region 13 corresponding to the notch 5a depends on the accuracy of the alignment between the X-ray mask 14 and the silicon substrate 11, and an accuracy within an error range of about 2 μm is possible. . Here, what is important as a platform for the optical module is the accuracy of the relative size and position between the V-groove 1V and the metal stopper 5, and the notch 5a provided in the metal stopper 5 is a short circuit between the upper and lower electrodes of the laser diode. Since it is intended only for prevention, high precision is not required for the notch depth in the lateral direction. Therefore, each of the copper micro regions 13 can be formed to be larger than the designed length and width of the cutout portion 5a by about 5 μm, and the alignment accuracy between the X-ray mask 14 and the silicon substrate 11 is 2 μm. Even within the error range of
Notch 5a in opening 12S corresponding to metal stopper 5
It is possible to ensure that the copper minute region 13 protrudes as a region corresponding to. Note that the alignment between the X-ray mask 14 and the silicon substrate 11 is performed using alignment marks provided on them in advance, as in the case of ordinary photolithography.

【0027】次に、図8において、導電型シリコン基板
11をめっき電極として用いながら、レジスト層パター
ン12bを超える厚さまでニッケル層15がめっきされ
る。ニッケルめっき層15は、その厚さの調整と均一化
のために、その上面が研削されて研磨される。たとえ
ば、ニッケル層15は、全体の厚さが約2mmに調整さ
れる。このとき、このように形成される金型15には、
後においてその金型とプラットフォームのシリコン基板
との位置合せのために用いられる位置合せ用マークも作
り込まれる。
Next, in FIG. 8, the nickel layer 15 is plated to a thickness exceeding the resist layer pattern 12b while using the conductive silicon substrate 11 as a plating electrode. The nickel plating layer 15 has its upper surface ground and polished in order to adjust its thickness and make it uniform. For example, the entire thickness of the nickel layer 15 is adjusted to about 2 mm. At this time, the mold 15 thus formed includes:
Alignment marks, which are used later to align the mold with the platform silicon substrate, are also made.

【0028】その後、図8に示されているシリコン基板
11,レジスト層パターン12bおよび銅微小領域13
を除去することによって、図9の断面図に示されている
ような金型が得られる。図9のニッケル金型15におい
て、図1中のV溝1Vに対応する突出部15Vと金属製
ストッパ5に対応する突出部15Sとの間の相対的な寸
法と位置の精度は、前述のように主としてX線マスク1
4のパターンの精度に依存し、±0.5μm以下の誤差
範囲内に高めることが可能である。
Thereafter, the silicon substrate 11, the resist layer pattern 12b and the copper fine region 13 shown in FIG.
Is obtained, a mold as shown in the sectional view of FIG. 9 is obtained. In the nickel mold 15 of FIG. 9, the relative size and position accuracy between the protrusion 15V corresponding to the V groove 1V and the protrusion 15S corresponding to the metal stopper 5 in FIG. Mainly X-ray mask 1
Depending on the precision of the pattern No. 4, it can be increased to within an error range of ± 0.5 μm or less.

【0029】以上のようにして得られる図2に示されて
いるような精密金型を用いて図1に示されているような
光モジュール用プラットフォームを製造する方法に関
し、図10は平面図を表わし、図11は図10中の破線
2 −B2 −C2 に沿った断面を矢印X2 方向に見た状
態を拡大して示している。これらの図において、基板1
として、導電型単結晶シリコンが用いられる。導電型シ
リコンが用いられるのは、後のめっき工程において基板
1をめっき電極としても利用するためである。しかし、
後工程においてめっき電極を基板1と別に設ける場合に
は、基板1として真性半導体シリコンを用いることもで
きる。他方、基板1として単結晶シリコンが用いられる
のは、後工程において基板1の上面に異方性エッチング
によって精密なV溝を形成するためである。
FIG. 10 is a plan view showing a method for manufacturing the optical module platform as shown in FIG. 1 using the precision mold as shown in FIG. 2 obtained as described above. represents, Figure 11 is an enlarged view when viewed a section along the broken line a 2 -B 2 -C 2 in FIG. 10 in direction of arrow X 2. In these figures, the substrate 1
Is a conductive type single crystal silicon. Conductive silicon is used because the substrate 1 is also used as a plating electrode in a later plating step. But,
When a plating electrode is provided separately from the substrate 1 in a later step, intrinsic semiconductor silicon can be used as the substrate 1. On the other hand, single crystal silicon is used as the substrate 1 in order to form a precise V-groove on the upper surface of the substrate 1 by anisotropic etching in a later step.

【0030】図10と図11において、まず、シリコン
基板1の上面全体がCVD法を用いて窒化シリコン膜2
によって覆われる。そして、図1中の金属製ストッパ5
が形成されるべき位置に対応して、窒化シリコン膜2中
にたとえば300×300μm2 の大きさの開口2Sが
フォトリソグラフィや反応性イオンエッチング(RI
E)を用いて形成される。また、窒化シリコン膜2上に
は、レーザダイオード用の金属配線パターン3が周知の
方法によって形成される。この金属配線3としては、た
とえば100nm厚さのチタン層と500nm厚さの金
層との2層構造を用いることができる。なお、図11中
の配線パターン3は、図1中のものから少し変更されて
おり、適宜都合のよいパターンを用い得ることは言うま
でもない。また、窒化シリコン膜2中の開口2Sは導電
型シリコン基板1をめっき電極として用いるためである
ので、窒化シリコン膜2上にレーザダイオード用配線パ
ターン3と同様のめっき電極用配線パターンを設ける場
合には、開口2Sの形成は省略することができる。
10 and 11, first, the entire upper surface of the silicon substrate 1 is covered with a silicon nitride film 2 by CVD.
Covered by Then, the metal stopper 5 shown in FIG.
An opening 2S having a size of, for example, 300 × 300 μm 2 is formed in the silicon nitride film 2 by photolithography or reactive ion etching (RI
E) is formed. A metal wiring pattern 3 for a laser diode is formed on the silicon nitride film 2 by a known method. As the metal wiring 3, for example, a two-layer structure of a titanium layer having a thickness of 100 nm and a gold layer having a thickness of 500 nm can be used. The wiring pattern 3 in FIG. 11 is slightly changed from that in FIG. 1, and it goes without saying that a convenient pattern can be used as appropriate. Further, since the opening 2S in the silicon nitride film 2 is for using the conductive silicon substrate 1 as a plating electrode, a wiring pattern for a plating electrode similar to the wiring pattern 3 for a laser diode is provided on the silicon nitride film 2. The formation of the opening 2S can be omitted.

【0031】図12は、図10の基板上に精密金型を重
ね合せて樹脂モールドした状態を表わす模式的な平面透
視図であり、図13は図12中の破線A2 −B2 −C2
に沿った断面を矢印X2 方向に見た状態を拡大して示し
ている。金型15と基板1との位置合せの精度は10μ
m以下の誤差範囲内で可能である。前述のように、光モ
ジュール用プラットフォームとして最も重要なV溝1V
と金属製ストッパ5との間の位置関係は既に精密金型1
5上で十分高い精度で決定されており、また配線パター
ン3および窒化シリコン膜の開口2Sと金型の突出部1
5Sとの位置関係などでは10μm程度の誤差は十分に
許容範囲内であるので、金型15と基板1との位置合せ
の精度は10μm以下の誤差範囲内にあれば十分であ
る。
FIG. 12 is a schematic plan perspective view showing a state in which a precision mold is superposed on the substrate of FIG. 10 and resin-molded. FIG. 13 is a broken line A 2 -B 2 -C in FIG. Two
2 shows an enlarged view of a cross section taken along line X2 in the direction of arrow X2. The accuracy of alignment between the mold 15 and the substrate 1 is 10μ.
It is possible within an error range of m or less. As described above, the most important V-groove 1V as a platform for an optical module
The positional relationship between the metal mold 5 and the metal stopper 5 has already been
5, the wiring pattern 3, the opening 2S of the silicon nitride film, and the protrusion 1 of the mold.
Since an error of about 10 μm is sufficiently within an allowable range in the positional relationship with 5S, etc., it is sufficient that the accuracy of the alignment between the mold 15 and the substrate 1 is within an error range of 10 μm or less.

【0032】金型15と基板1との間の空隙には樹脂が
注入され、モールド樹脂パターン4が形成される。その
後、金型15が除去され、さらに、その金型の突出部1
5V,15Eおよび15Sに対応してモールド樹脂パタ
ーン40に形成された開口の底部に残存する薄い樹脂膜
がRIEによって除去される。
A resin is injected into a space between the mold 15 and the substrate 1 to form a mold resin pattern 4. Thereafter, the mold 15 is removed, and furthermore, the protrusion 1 of the mold is removed.
The thin resin film remaining at the bottom of the opening formed in the mold resin pattern 40 corresponding to 5V, 15E and 15S is removed by RIE.

【0033】図14を参照して、モールド樹脂パターン
4において金型15の突出部15Sに対応して形成され
た開口4Sの底部に露出された導電型シリコン基板2を
めっき電極として、金属製ストッパ5がめっきによって
形成される。このとき、モールド樹脂パターン4中で、
金型の突出部15Vに対応する開口4Vの底部と突出部
15Eに対応する開口の底部とにおいては、導電型シリ
コン基板1が窒化シリコン膜2によって覆われているの
でめっきが生じることはない。なお、金属製ストッパ5
の材料としては、たとえば銅やニッケルを好ましく用い
ることができる。
Referring to FIG. 14, a metal stopper is formed by using conductive silicon substrate 2 exposed at the bottom of opening 4S formed in mold resin pattern 4 corresponding to protrusion 15S of mold 15 as a plating electrode. 5 is formed by plating. At this time, in the mold resin pattern 4,
Since the conductive silicon substrate 1 is covered with the silicon nitride film 2 at the bottom of the opening 4V corresponding to the protrusion 15V of the mold and at the bottom of the opening corresponding to the protrusion 15E, no plating occurs. The metal stopper 5
For example, copper or nickel can be preferably used as the material.

【0034】図15に示されているように、金属製スト
ッパ5がめっきによって形成された後に、モールド樹脂
パターン4中で、金型の突出部15Vに対応する開口4
Vの底部と突出部15Eに対応する開口の底部とにおい
て、窒化シリコン膜2がRIEによって除去されて開口
2V等が形成される。その後、図16に示されているよ
うにモールド樹脂パターン4全体が除去される。
As shown in FIG. 15, after the metal stopper 5 is formed by plating, the opening 4 corresponding to the protrusion 15V of the mold is formed in the mold resin pattern 4.
At the bottom of V and the bottom of the opening corresponding to protrusion 15E, silicon nitride film 2 is removed by RIE to form openings 2V and the like. Thereafter, as shown in FIG. 16, the entire mold resin pattern 4 is removed.

【0035】図17において、窒化シリコン膜2をマス
クとして、単結晶シリコン1が水酸化カリウム(KO
H)溶液を用いて異方性エッチングされ、開口部2Vの
位置にV溝1Vが形成される。V溝1Vの幅と長さは、
たとえばそれぞれ140μmと2mmに形成され得る。
V溝1Vのエッチングによる形成と同時に、ファイバス
トップ溝1Eに対応する位置にも溝が形成される。そし
て、ファイバストップ溝1Eは、そのエッチング溝をダ
イシングソーで掘り下げることによって、垂直な側壁を
有する溝として仕上げられる。その結果、図1に示され
ているような光モジュール用プラットフォームが完成す
る。
In FIG. 17, single-crystal silicon 1 is made of potassium hydroxide (KO) using silicon nitride film 2 as a mask.
H) Anisotropic etching is performed using a solution to form a V groove 1V at the position of the opening 2V. The width and length of the V groove 1V
For example, they can be formed to 140 μm and 2 mm, respectively.
At the same time as the V-groove 1V is formed by etching, a groove is also formed at a position corresponding to the fiber stop groove 1E. The fiber stop groove 1E is finished as a groove having vertical side walls by digging the etching groove with a dicing saw. As a result, the optical module platform as shown in FIG. 1 is completed.

【0036】なお、以上の実施の形態においては1つの
光モジュール用プラットフォームが図示されてその作製
が説明されたが、実際には、大きなシリコンウェハ上に
複数のプラットフォームが繰返しパターンを有する精密
金型を用いて形成され、それらの完成後においてダイサ
ーによって個々のプラットフォームに分割されて用いら
れる。また、以上の実施の形態では単一のV溝を有する
プラットフォームが説明されたが、本発明は図19に示
されているような光ファイバアレイと他の光学素子アレ
イとを組合せるためのプラットフォームに適用し得るこ
とは言うまでもない。
In the above embodiment, one optical module platform is illustrated and its manufacture is described. However, in practice, a precision die having a plurality of platforms having a repetitive pattern on a large silicon wafer is described. , And after they are completed, they are used by being divided into individual platforms by a dicer. In the above embodiment, the platform having a single V-groove has been described. However, the present invention provides a platform for combining an optical fiber array as shown in FIG. 19 with another optical element array. Needless to say, it can be applied to

【0037】ところで、図1に示されているようなプラ
ットフォームを用いて光モジュールを組立てるとき、た
とえばダイボンダを利用することができる。たとえば、
プラットフォーム1上において電極3上に載せられたレ
ーザダイオードは、金属製ストッパ5の切欠部5aが形
成された垂直側面にそのダイオードの側面を当接させて
沿わせながらV溝1Vの軸方向に調整された位置で半田
付けで固定され得る。光ファイバは、V溝1V内に置か
れた後にその軸方向に移動させてファイバ端面をファイ
バストップ溝1Eの側面に当接させてから紫外線硬化樹
脂を用いて押え板で固定され得る。レーザダイオードに
関する配線は、金線を用いたボンディングによって行な
うことができる。最後に、全体をパッケージングするこ
とによって光モジュールが完成する。
By the way, when assembling the optical module using the platform as shown in FIG. 1, for example, a die bonder can be used. For example,
The laser diode mounted on the electrode 3 on the platform 1 is adjusted in the axial direction of the V-groove 1V while the side surface of the diode is in contact with the vertical side surface of the metal stopper 5 where the notch 5a is formed. It can be fixed by soldering at the set position. After the optical fiber is placed in the V-groove 1V, it can be moved in the axial direction so that the fiber end face abuts against the side surface of the fiber stop groove 1E, and then fixed with a holding plate using an ultraviolet curable resin. The wiring for the laser diode can be performed by bonding using a gold wire. Finally, the entire optical module is completed by packaging.

【0038】なお、以上の説明ではレーザダイオードが
組込まれる送信側光モジュールのためのプラットフォー
ムが例示されたが、本発明はフォトダイオードが組込ま
れる受信側光モジュールや光スイッチが組込まれる光モ
ジュールのためのプラットフォームにも適用し得ること
が理解されよう。また、光ファイバに関しては、シング
ルモードファイバ,マルチモードファイバ,ファイバグ
レーティングを含むシングルモードファイバおよびファ
イバグレーティングを含むマルチモードファイバのいず
れを組込む光モジュール用プラットフォームにも本発明
を適用し得ることも言うまでもない。
In the above description, a platform for a transmitting optical module in which a laser diode is incorporated is exemplified. However, the present invention relates to a receiving optical module in which a photodiode is incorporated or an optical module in which an optical switch is incorporated. It will be understood that the present invention can also be applied to other platforms. Further, as for the optical fiber, it goes without saying that the present invention can be applied to an optical module platform incorporating any one of a single mode fiber, a multimode fiber, a single mode fiber including a fiber grating, and a multimode fiber including a fiber grating. .

【0039】さらに、本発明は、図18の模式的な平面
図に示されているように、平面導波路を含む光モジュー
ル用プラットフォームにも適用し得る。図18に示され
たプラットフォーム1上では、金属製ストッパ5に当接
して平板状の平面導波路7が位置決め固定される。この
平面導波路7は、スプリッタであって、1本から複数本
に分岐した導波路7aを含んでいる。すなわち、右側の
V溝1Vに固定される1本の光ファイバから1つの導波
路7aに入力された光信号は4つの等価な信号に分割さ
れて、左側の4つのV溝1Vに固定される4本の光ファ
イバに出力される。なお、平面導波路は電極を有しない
ので、図1に示されているようなストッパ5の切欠部5
aや配線パターン3は必要としない。
Further, as shown in the schematic plan view of FIG. 18, the present invention can be applied to an optical module platform including a planar waveguide. On the platform 1 shown in FIG. 18, the planar waveguide 7 in a plate shape is positioned and fixed in contact with the metal stopper 5. The planar waveguide 7 is a splitter, and includes a waveguide 7a branched from one to a plurality. That is, an optical signal input to one waveguide 7a from one optical fiber fixed to the right V-groove 1V is split into four equivalent signals and fixed to the four left V-grooves 1V. It is output to four optical fibers. Since the planar waveguide has no electrode, the notch 5 of the stopper 5 as shown in FIG.
a and the wiring pattern 3 are not required.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高い精
度を有する小型の光モジュール用プラットフォームを安
価に提供することができる。すなわち、本発明によれ
ば、精密金型が形成された後には、フォトリソグラフィ
を必要とすることなくその金型を用いて樹脂モールドと
金属めっきを利用して簡便に低コストで高精度の小型光
モジュール用プラットフォームを提供することができ
る。その結果、本発明は、FTTH構想による光通信網
の発展を加速させることが期待し得る。また、本発明
は、現在進められているボード間や機器間の光インター
コネクションの普及にも寄与し得ると期待することがで
きる。
As described above, according to the present invention, a small-sized optical module platform having high accuracy can be provided at low cost. That is, according to the present invention, after a precision mold is formed, the mold can be easily formed at a low cost with high precision using a resin mold and metal plating without using photolithography without the need for photolithography. A platform for an optical module can be provided. As a result, the present invention can be expected to accelerate the development of the optical communication network based on the FTTH concept. Further, it can be expected that the present invention can contribute to the spread of optical interconnection between boards and devices, which is currently in progress.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の一例による光モジュール
用プラットフォームを示す模式的な斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an optical module platform according to an example of an embodiment of the present invention.

【図2】図1の光モジュール用プラットフォームの作製
に用いられ得る精密金型を示す模式的な斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a precision mold that can be used for manufacturing the optical module platform of FIG. 1;

【図3】精密金型を作製するための基板の上面を示す模
式的な平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing the upper surface of a substrate for producing a precision mold.

【図4】図3中の破線A1 −B1 −C1 に沿った断面を
矢印X1 方向に見た状態を表わす模式的な拡大断面図で
ある。
4 is a schematic enlarged sectional view of a section along the broken line A 1 -B 1 -C 1 in FIG. 3 represents the state seen in the direction of arrow X 1.

【図5】図4の後の工程における精密金型作製用基板の
状態を示す断面図である。
5 is a cross-sectional view showing a state of the precision mold manufacturing substrate in a step subsequent to FIG. 4;

【図6】精密金型作製用基板上にX線マスクが重ねられ
た状態を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a state in which an X-ray mask is overlaid on a precision mold manufacturing substrate.

【図7】図6中の破線A1 −B1 −C1 に沿った断面を
矢印X1 方向に見た状態を示す拡大断面図である。
7 is an enlarged cross-sectional view of a section along the broken line A 1 -B 1 -C 1 in FIG. 6 shows a state seen in the direction of arrow X 1.

【図8】基板上のレジストパターンを覆うようにめっき
によって形成された金型を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a mold formed by plating so as to cover a resist pattern on a substrate.

【図9】完成された精密金型を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a completed precision mold.

【図10】光モジュール用プラットフォームを形成する
ための基板の上面を示す模式的な平面図である。
FIG. 10 is a schematic plan view showing the upper surface of a substrate for forming an optical module platform.

【図11】図10中の破線A2 −B2 −C2 に沿った断
面を矢印X2 方向に見た状態を示す拡大断面図である。
11 is an enlarged sectional view of a section along the broken line A 2 -B 2 -C 2 in Fig. 10 shows a state seen in direction of arrow X 2.

【図12】プラットフォーム用基板上に精密金型を重ね
て樹脂モールドした状態を示す模式的な平面透視図であ
る。
FIG. 12 is a schematic plan perspective view showing a state where a precision mold is overlaid on a platform substrate and resin-molded.

【図13】図12中の破線A2 −B2 −C2 に沿った断
面を矢印X2 方向に見た状態を示す拡大断面図である。
13 is an enlarged sectional view of a section along the broken line A 2 -B 2 -C 2 in FIG. 12 shows a state seen in direction of arrow X 2.

【図14】プラットフォーム用基板上に金属製ストッパ
5をめっきによって形成した状態を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a state where a metal stopper 5 is formed on a platform substrate by plating.

【図15】プラットフォーム用基板上に金属製ストッパ
5を形成した後にV溝形成領域のシリコン窒化膜を除去
した状態を示す断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a state in which the silicon nitride film in the V-groove forming region has been removed after forming the metal stopper 5 on the platform substrate.

【図16】V溝形成用の開口をシリコン窒化膜にあけた
後にモールド樹脂パターンを除去した状態を示す断面図
である。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a state in which an opening for forming a V-groove is opened in a silicon nitride film and then a mold resin pattern is removed.

【図17】シリコン基板上にV溝が形成された状態を示
す断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing a state where a V-groove is formed on a silicon substrate.

【図18】本発明の他の実施の形態による光モジュール
用プラットフォームであって、平面導波路を組入れるた
めのプラットフォームを示す模式的な平面図である。
FIG. 18 is a schematic plan view showing an optical module platform according to another embodiment of the present invention, which is a platform for incorporating a planar waveguide.

【図19】先行技術による光モジュール用プラットフォ
ームの一例を示す概略的な斜視図である。
FIG. 19 is a schematic perspective view showing an example of a platform for an optical module according to the prior art.

【図20】先行技術による光モジュールの組立における
パッシブアライメント法を示す模式的な斜視図である。
FIG. 20 is a schematic perspective view showing a passive alignment method in assembling an optical module according to the prior art.

【図21】先行技術によるパッシブアライメント法のも
う1つの例を示す模式的な斜視図である。
FIG. 21 is a schematic perspective view showing another example of the passive alignment method according to the prior art.

【図22】先行技術による他の例による光モジュール用
プラットフォームを示す模式的な斜視図である。
FIG. 22 is a schematic perspective view showing another example of an optical module platform according to the prior art.

【符号の説明】 1 導電型シリコン単結晶基板 1V 光ファイバ固定用V溝 1E ファイバストップ溝 2 シリコン窒化膜 2S 金属製ストッパ5をめっきで形成するための開口 2V V溝を異方性エッチングで形成するための開口 3 電極パターン 4 モールド樹脂パターン 5 金属製ストッパ 5a 切欠き部 7 平面導波路 7a 導波路 11 シリコン基板 12 窒化シリコン膜 12S 金属製ストッパ5に対応する開口 12V V溝に対応する開口 13 切込部5aに対応する銅微小領域 14 X線マスク 14a 窒化シリコンの支持膜 14b タングステンのマスクパターン 15 精密金型 15S 金属製ストッパ5に対応する突出部 15V V溝に対応する突出部 15E ファイバストップ溝に対応する突出部[Description of Signs] 1 Conductive silicon single crystal substrate 1V Optical fiber fixing V groove 1E Fiber stop groove 2 Silicon nitride film 2S Opening for forming metal stopper 5 by plating 2V V groove formed by anisotropic etching Opening 3 electrode pattern 4 mold resin pattern 5 metal stopper 5a notch 7 planar waveguide 7a waveguide 11 silicon substrate 12 silicon nitride film 12S opening corresponding to metal stopper 5 12V opening corresponding to V groove 13 Copper micro-region corresponding to cut 5a 14 X-ray mask 14a Silicon nitride support film 14b Tungsten mask pattern 15 Precision mold 15S Projection corresponding to metal stopper 5 15V Projection corresponding to V-groove 15E Fiber stop Projection corresponding to groove

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沼澤 稔之 兵庫県赤穂郡上郡町金出地1431−12 住友 電気工業株式会社播磨研究所内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toshiyuki Numazawa 1431-12 Kanadechi, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo Prefecture Harima Research Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シリコン基板と、 光ファイバを位置決め固定するために前記シリコン基板
の一主面上に異方性エッチングによって形成されたV溝
と、 前記光ファイバと光学的に結合されるべき他の光学部品
を位置決め固定するために前記基板の前記一主面上にめ
っきによって形成された金属製ストッパとを含むことを
特徴とする光モジュール用プラットフォーム。
1. A silicon substrate, a V-groove formed on one main surface of the silicon substrate by anisotropic etching for positioning and fixing an optical fiber, and a V-groove to be optically coupled to the optical fiber. And a metal stopper formed by plating on said one main surface of said substrate for positioning and fixing said optical component.
【請求項2】 前記他の光学部品は、レーザダイオー
ド、フォトダイオード、光スイッチおよび平面導波路か
ら選択された1つであることを特徴とする請求項1に記
載の光モジュール用プラットフォーム。
2. The optical module platform according to claim 1, wherein the other optical component is one selected from a laser diode, a photodiode, an optical switch, and a planar waveguide.
【請求項3】 前記光ファイバはシングルモードファイ
バ、マルチモードファイバ、ファイバグレーティングを
含むシングルモードファイバ、およびファイバグレーテ
ィングを含むマルチモードファイバから選択された1つ
であることを特徴とする請求項1または2に記載の光モ
ジュール用プラットフォーム。
3. The optical fiber according to claim 1, wherein the optical fiber is one selected from a single mode fiber, a multimode fiber, a single mode fiber including a fiber grating, and a multimode fiber including a fiber grating. 3. The optical module platform according to item 2.
【請求項4】 光モジュール用プラットフォームの製造
方法であって、 導電性下地層上に所定厚さのレジスト層を形成し、 前記レジスト層をX線リソグラフィでパターニングし、 前記レジスト層のパターンから露出された前記導電性下
地層をめっき電極として前記レジスト層を覆う厚さまで
金属めっきすることによって金型を形成し、 前記金型を前記導電性下地層および前記レジスト層から
分離し、 導電性処理された表面領域と非導電性処理された表面領
域とを有するシリコン基板上に前記金型を位置合せし、 前記金型と前記シリコン基板との間にモールド樹脂を注
入して前記シリコン基板上に所定厚さのモールド樹脂層
パターンを形成し、 前記金型を除去して前記モールド樹脂層パターンから露
出されている前記シリコン基板上の前記導電性処理され
た表面領域をめっき電極として金属めっきすることによ
って、光学部品を位置決め固定するための金属製ストッ
パを形成し、 前記モールド樹脂パターンから露出されている前記シリ
コン基板上の前記非導電性処理された表面領域に異方性
エッチングを施すことによってV溝を形成することを特
徴とする光モジュール用プラットフォームの製造方法。
4. A method of manufacturing a platform for an optical module, comprising: forming a resist layer having a predetermined thickness on a conductive underlayer; patterning the resist layer by X-ray lithography; A metal mold is formed by metal plating to a thickness covering the resist layer using the conductive underlayer as a plating electrode, and the mold is separated from the conductive underlayer and the resist layer, and is subjected to a conductive treatment. The mold is aligned on a silicon substrate having a surface area and a non-conductive treated surface area, and a mold resin is injected between the mold and the silicon substrate to form a predetermined position on the silicon substrate. Forming a mold resin layer pattern having a thickness, removing the mold, and removing the mold from the mold resin layer pattern on the silicon substrate; A metal stopper for positioning and fixing the optical component is formed by metal plating the surface region that has been subjected to the electrical treatment as a plating electrode, and the non-conductive portion on the silicon substrate exposed from the mold resin pattern is formed. A method for manufacturing a platform for an optical module, comprising forming a V-groove by performing anisotropic etching on a treated surface region.
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