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JPH10335308A - Plasma treating method - Google Patents

Plasma treating method

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Publication number
JPH10335308A
JPH10335308A JP14009997A JP14009997A JPH10335308A JP H10335308 A JPH10335308 A JP H10335308A JP 14009997 A JP14009997 A JP 14009997A JP 14009997 A JP14009997 A JP 14009997A JP H10335308 A JPH10335308 A JP H10335308A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
plasma
etching
gas
process
value
Prior art date
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Granted
Application number
JP14009997A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Koshiishi
Masayuki Tomoyasu
昌幸 友安
公 輿石
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Filing date
Publication date

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma treating method which more surely controls the deposition of a reaction product on a semiconductor wafer. SOLUTION: A plasma etching apparatus 2 feeds a process gas C4 F8 /Ar/O2 from a gas jet plane 34 of a shower head, converts the process gas into a plasma by high frequency discharge, and etches a semiconductor wafer W on a susceptor 8, using the plasma. During etching, a spectrometer 74 analizes emitted light from the plasma, and a CPU 76 computes the detection value of the ratio of the emitted intensity of the spectra C2 /CF2 and controls the etching process condition, so that the detected value approaches a set reference value, based on the fine workability of etching.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、L BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer, L
CD基板等の被処理体に対して、放電により発生させたプラズマを用いて処理を行うための方法に関し、特に、 Against a target object CD substrate, a method for performing processing using was generated plasma by the discharge, in particular,
炭素及びフッ素を含有するガスから得られたプラズマを用いてシリコン酸化膜をエッチングするための方法に関する。 To a method for etching a silicon oxide film by using a plasma obtained from a gas containing carbon and fluorine.

【0002】 [0002]

【従来の技術】例えば半導体素子の製造プロセスにおいて、処理容器内にプラズマを発生させ、このプラズマ雰囲気中で、被処理体、例えば半導体ウエハに対してエッチング処理を初めとした各種のプラズマ処理が行なわれている。 In the manufacturing process of the Related Art For example a semiconductor device, plasma is generated in the processing container, in the plasma atmosphere, the workpiece, such as various plasma treatment for the first etching process on a semiconductor wafer made It has been. 近年は、この種の被処理体に施すパターンの微細化が進むにつれて、サブクォターミクロンの設計ルールの下で高精度のプラズマ処理を行なうことが要求されている。 In recent years, miniaturization of a pattern to be applied to the workpiece of this kind progresses, to perform high-precision plasma treatment under the design rule of the sub-quota terpolymers micron is required. このため、プロセスの低圧化が進んでいる。 For this reason, the low pressure of the process is progressing.

【0003】また、生産性を上げる観点から、高密度のプラズマが要求されており、このため、ECR(Ele [0003] From the viewpoint of increasing productivity, and high-density plasma is required, Thus, ECR (Ele
ctorn Cyclotron Resonanc ctorn Cyclotron Resonanc
e)、TCP(Transformer Couple e), TCP (Transformer Couple
d Plasma)、ICP(Inductively d Plasma), ICP (Inductively
Coupled Plasma)等のプラズマ発生方式が提案されている。 Coupled Plasma) plasma generation system such as has been proposed. 更に、中密度、中圧領域のDRM Furthermore, medium density, medium pressure range DRM
マグネトロンプラズマや2周波励起プラズマも実用化されている。 Magnetron plasma a 2 frequency excited plasma has also been put to practical use.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】シリコン酸化膜がプラズマエッチングされる際、被エッチング部においては、 When the silicon oxide film [0004] is plasma etching, in the etching unit,
反応生成物のデポジションと、イオンのスパッタリングによる反応生成物の剥離という2つの現象が互いに競合した状態で存在する。 And deposition of the reaction product, present in the form of two phenomena that peeling was competed with each other in the reaction product by sputtering ions. 従って、エッチングの速度、選択性、微細加工性等の特性は、上記デポジション及びスパッタリングの微妙なバランスに依存する。 Thus, the rate of etching selectivity, characteristics such as fine workability depends on the delicate balance between the deposition and sputtering. 特に、被処理体に施すパターンの微細化が進むと、被エッチング部を垂直形状で加工できる条件、被エッチング部がボウイング(bowing)する条件、エッチングが途中で停止する条件等が隣合っており、僅かなプロセス条件の変化でエッチング特性が大きく変化するようになる。 In particular, the miniaturization of the pattern to be applied to the workpiece progresses, and conditions that can be processed to be etched portion in a vertical shape, the conditions to be etched portion is bowing (bowing), conditions that etching stops prematurely Tonaria' , so that the etching characteristics is greatly changed by a slight change in process conditions. また、 Also,
セルフアラインコンタクトプロセスのように、最適なエッチング特性が得られる条件が更に狭いプロセスも必要となってきている。 Like the self-aligned contact process conditions optimum etching characteristics can be obtained has become necessary narrower process.

【0005】このような観点から、高周波(RF)系の入力パワー及び反射パワー、電極に対する印加電圧(V [0005] From this viewpoint, radio frequency (RF) system of the input power and reflected power, applied to the electrodes a voltage (V
ppやVdc)、更に整合器の後段における高周波電流及び電圧をモニターするための手段が最近開発され、イオンのエネルギー及びその電流について、より精度の高い制御が可能となっている。 pp or Vdc), developed further means for monitoring the high-frequency current and voltage at the subsequent matching unit recently the energy and current of the ion, which enables more accurate control.

【0006】一方、被処理体上へのデポジションの量或いは組成は、処理の繰返により処理チャンバ内部の反応生成物の付着蓄積量が増加するのに伴い、経時的に変化しやすい。 On the other hand, the amount or composition of the deposition onto the workpiece, as the deposition accumulation of repeat the processing chamber interior of the reaction product of the process is increased, over time tends to change. 何故なら、処理チャンバの内部に付着した反応生成物はプラズマと相互作用を行なうため、例えば処理チャンバの洗浄直後に比べると、処理を繰返した後は、プラズマ中のラジカルの量及びその比率が変化するからである。 Is because, since the reaction product adhered to the inside of the processing chamber for performing a plasma that interacts with, for example, compared to the immediate cleaning of the process chamber, after repeated treatment, the amount and the ratio change of radicals in the plasma This is because the. 従って、安定した処理を行なうには、デポジションの正確なモニター及び制御が不可欠となるが、 Therefore, in order to perform a stable treatment, precise monitoring and control of the deposition is essential,
未だ適当な技術が確立されていない。 Still appropriate technology has not been established.

【0007】このような、被処理体に対する反応生成物のデポジションの制御はエッチング処理に限らず、CV [0007] Such control of the deposition of the reaction product to the target object is not limited to the etching process, CV
D、アッシング、スパッタ等の他のプラズマ処理においても共通の問題として存在している。 D, ashing, is present as a common problem in other plasma processing such as sputtering.

【0008】本発明は上述の従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理体に対する反応生成物のデポジションをより確実に制御することが可能なプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 [0008] The present invention has been made in view of the problems of the prior art described above, to provide a plasma processing method capable of controlling the deposition of the reaction product to the workpiece more reliably for the purpose.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】かかる観点に基づいて、 Means for Solving the Problems] Based on the above viewpoint,
本発明者は、炭素及びフッ素を含有する処理ガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングする場合について、処理ガスの解離により得られるラジカルやイオンとエッチング特性との関係に着目して研究を進めた結果、次のような知見を得るに至った。 The present inventors, a case of etching the silicon oxide film using a process gas containing carbon and fluorine, a result of our research by focusing on the relationship between the radicals and ions and the etching characteristics obtained by the dissociation of the process gas , led to obtain the following findings. 即ち、プラズマ中に存在するC In other words, C present in the plasma
2とC 2との比は、エッチングの種々の特性、例えばエッチング速度、微細加工性(微細なコンタクトホールを設計寸法に忠実に貫通させる機能)及びエッチング選択性(フォトレジスト或いはシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜を選択的にエッチングする機能)と密接に相関する。 The ratio of F 2 and C 2 are the different characteristics of the etching, for example etching rate, fine processing property (function to faithfully through to the design dimension of fine contact hole) and etch selectivity (the photoresist or silicon nitride film closely correlate silicon oxide film selectively function etching) and for. 従って、CF 2とC 2との比は、これらの特性を実行する能力に関してプラズマの状態を判定するためのパラメータとして使用することができる。 Thus, the ratio of CF 2 and C 2 can be used as a parameter for determining the state of the plasma with respect to the ability to perform these properties.

【0010】プラズマ中に存在するCF 2とC 2との比C 2 /CF 2或いはCF 2 /C 2は、プラズマからの発光を分光し、CF 2及びC 2のスペクトルの発光強度を測定することにより得ることができる。 [0010] The ratio C 2 / CF 2 or CF 2 / C 2 and CF 2 and C 2 that is present in the plasma, and the spectral emission from the plasma, measuring the emission intensity of the spectrum of CF 2 and C 2 it can be obtained by. 例えば、CF 2 For example, CF 2
及びC 2は夫々260nm付近及び516nm付近にスペクトルを有するため、これらのスペクトルの発光強度を測定してその比をとれば、比C 2 /CF 2或いはCF And for C 2 is having a spectrum near the vicinity of each 260nm and 516 nm, Taking the ratio by measuring the emission intensities of these spectra, the ratio C 2 / CF 2 or CF
2 /C 2を算出することができる。 It can be calculated 2 / C 2.

【0011】本発明の第1の視点は、プラズマ処理方法において、処理容器内に配設された載置台上に被処理体を載置する工程と、前記処理容器内を排気しながら処理ガスを前記処理容器内に供給する工程と、前記処理ガスは炭素及びフッ素を含有すると共に、解離によりCF 2 A first aspect of the present invention, in the plasma processing method, the step that mounts the object on the mounting table disposed in the processing container, a process gas while evacuating the processing chamber and supplying into the processing chamber, the process gas with containing carbon and fluorine, CF 2 by dissociation
及びC 2を提供することと、前記処理容器内で前記処理ガスを放電を介してプラズマにする工程と、前記プラズマを用いて前記被処理体にプラズマ処理を施す工程と、 And providing a C 2, the steps of the plasma through discharge the processing gas in the processing container, and a step of performing plasma processing on the object to be processed using the plasma,
前記プラズマ処理中、前記プラズマからの発光を分光してCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値を得る工程と、前記検出値と、前記プラズマ処理の任意の特性に基づいて設定した基準値とを比較し、前記プラズマ処理を中止するか否かを決定する工程と、を具備することを特徴とする。 Setting the plasma treatment, and obtaining a detection value of the ratio of the emission intensity of the spectrum of CF 2 and C 2 and the spectral emission from the plasma, and the detection value, based on any property of the plasma processing and it was compared with a reference value, characterized by comprising the steps of determining whether to stop the plasma treatment.

【0012】本発明の第2の視点は、プラズマ処理方法において、処理容器内に配設された載置台上に被処理体を載置する工程と、前記処理容器内を排気しながら処理ガスを前記処理容器内に供給する工程と、前記処理ガスは炭素及びフッ素を含有すると共に、解離によりCF 2 A second aspect of the present invention, in the plasma processing method, the step that mounts the object on the mounting table disposed in the processing container, a process gas while evacuating the processing chamber and supplying into the processing chamber, the process gas with containing carbon and fluorine, CF 2 by dissociation
及びC 2を提供することと、前記処理容器内で前記処理ガスを放電を介してプラズマにする工程と、前記プラズマを用いて前記被処理体にプラズマ処理を施す工程と、 And providing a C 2, the steps of the plasma through discharge the processing gas in the processing container, and a step of performing plasma processing on the object to be processed using the plasma,
前記プラズマ処理中、前記プラズマからの発光を分光してCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値を得る工程と、前記検出値を、前記プラズマ処理の任意の特性に基づいて設定した基準値に近づくように、前記プラズマ処理のプロセス条件を制御する工程と、を具備することを特徴とする。 Setting the plasma treatment, and obtaining a detection value of the ratio of the emission intensity of the spectrum of CF 2 and C 2 and the spectral emission from the plasma, the detection value, based on any property of the plasma processing as approaching the reference value, characterized by comprising the steps of controlling the process conditions of the plasma treatment.

【0013】本発明の第3の視点は、第1または第2の視点のプラズマ処理方法において、前記プラズマ処理がシリコン酸化膜のエッチング処理であることを特徴とする。 A third aspect of the present invention, in the plasma processing method of the first or second aspect, wherein the plasma treatment is an etching treatment of the silicon oxide film. また、本発明によれば、上述のプラズマ処理方法を実行するため、プラズマ処理装置を提供することができる。 Further, according to the present invention, for carrying out the above-described plasma processing method, it is possible to provide a plasma processing apparatus.

【0014】即ち、本発明の第4の視点は、プラズマ処理装置において、気密な処理容器と、前記処理容器内に配設された被処理体を支持するための載置台と、前記処理容器内を排気すると共に前記処理容器内を真空に設定するための排気系と、前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給系と、前記処理ガスは炭素及びフッ素を含有すると共に、解離によりCF 2及びC 2を提供することと、前記処理ガスを放電を介してプラズマにするための電界を前記処理容器内に発生させるための電界発生手段と、前記プラズマからの発光を分光してC [0014] That is, the fourth aspect of the present invention, in the plasma processing apparatus, the mounting table for supporting the airtight processing container, the object to be processed disposed in the processing chamber, the processing chamber an exhaust system for setting a vacuum inside the process chamber while exhausting the process gas supply system for supplying a process gas into the process chamber, the process gas with containing carbon and fluorine, dissociation spectrally and providing the CF 2 and C 2, and an electric field generating means for generating an electric field to the plasma through discharge the processing gas into the processing chamber, the light emitted from the plasma by C
2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値を得るための検出手段と、前記検出値と、前記プラズマ処理の任意の特性に基づいて設定した基準値とを比較し、前記プラズマ処理を中止するか否かを決定すると共に同決定を実行するための制御手段と、を具備することを特徴とする。 Comparing detection means for obtaining a detection value of the ratio of the emission intensity of the spectrum of the F 2 and C 2, and the detection value with a reference value set based on any characteristics of the plasma processing, the plasma processing and control means for performing the same decision and determines whether to stop, characterized in that it comprises a.

【0015】本発明の第5の視点は、プラズマ処理装置において、気密な処理容器と、前記処理容器内に配設された被処理体を支持するための載置台と、前記処理容器内を排気すると共に前記処理容器内を真空に設定するための排気系と、前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給系と、前記処理ガスは炭素及びフッ素を含有すると共に、解離によりCF 2及びC 2を提供することと、前記処理ガスを放電を介してプラズマにするための電界を前記処理容器内に発生させるための電界発生手段と、前記プラズマからの発光を分光してCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値を得るための検出手段と、前記検出値を、前記プラズマ処理の任意の特性に基づいて設定した基準値に近づくように、前記プラズマ処理のプロ [0015] The fifth aspect of the present invention, the exhaust in the plasma processing apparatus, an airtight processing container, a placing table for supporting the object to be processed which is disposed in the processing chamber, the processing chamber an exhaust system for setting a vacuum inside the process chamber while a processing gas supply system for supplying a process gas into the process chamber, the process gas with containing carbon and fluorine, CF by dissociation 2 and C 2 and providing a field generating means for generating an electric field to the plasma through discharge the processing gas into the processing chamber, CF 2 and disperses the light emitted from the plasma and a detecting means for obtaining a detection value of the ratio of the emission intensity of the spectrum of C 2, the detection value, so as to approach the reference value set based on any characteristics of the plasma treatment, a professional of the plasma treatment ス条件を制御するための制御手段と、を具備することを特徴とする。 Characterized by comprising control means for controlling the scan conditions, a. 本発明の第6の視点は、第4または第5の視点のプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理がシリコン酸化膜のエッチング処理であることを特徴とする。 The sixth aspect of the present invention, in the plasma processing apparatus of the fourth or fifth aspect, wherein the plasma treatment is an etching treatment of the silicon oxide film.

【0016】 [0016]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置であるプラズマエッチング装置2を示す構成図である。 Figure 1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION is a block diagram showing a plasma etching apparatus 2 is a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. プラズマエッチング装置2は、例えば内壁表面がアルマイト処理されたアルミニウム等の導電性材料からなる円筒形状に加工された処理容器4を有する。 The plasma etching apparatus 2 has a process container 4 for example the inner wall surface is machined into a cylindrical shape made of a conductive material such as aluminum which has been anodized. 処理容器4は気密な処理室を規定すると共に接地される。 Processing vessel 4 is grounded to define an airtight processing chamber.

【0017】処理容器4内に形成される処理室の底部にはセラミック等の絶縁板6を介して、被処理体、例えば半導体ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ8 [0017] processing the bottom portion of the processing chamber formed in the container 4 through an insulating plate 6, such as ceramic, workpiece, such as a semiconductor wafer W substantially cylindrical susceptor 8 for placing the
が配設される。 There is disposed. サセプタ8は、例えばアルマイト処理されたアルミニウム等の導電性材料から構成される。 The susceptor 8 are made of a conductive material such as anodized aluminum.

【0018】サセプタ8の内部には冷媒室10が配設される。 [0018] Inside the susceptor 8 coolant chamber 10 is arranged. 冷媒室10には、例えば液体フロロカーボン等の温度調整用の冷媒が冷媒導入管12を介して導入可能で、導入された冷媒は冷媒室10内を循環される。 The coolant chamber 10, for example refrigerant temperature regulation of the liquid fluorocarbon and the like can be introduced through the coolant inlet pipe 12, introduced refrigerant is circulated a coolant chamber 10. この冷媒の冷熱は冷媒室10からサセプタ8を介してウエハWに対して伝熱され、ウエハWを冷却する。 Cold of the refrigerant is transferred to the wafer W through the susceptor 8 from the refrigerant chamber 10, for cooling the wafer W. 熱交換を行なった冷媒は冷媒排出管14より処理室外へと排出される。 The refrigerant subjected to heat exchange is discharged to the outside of the processing room from the refrigerant discharge pipe 14.

【0019】絶縁板6、サセプタ8の内部には、後述の静電チャック16を通して被処理体であるウエハWの裏面に、伝熱媒体、例えばHeガス等を供給するためのガス通路18が形成される。 The insulating plate 6, the inside of the susceptor 8, the rear surface of the wafer W to be processed, the heat transfer medium, such as a gas passage 18 for supplying He gas or the like is formed through the electrostatic chuck 16 to be described later It is. この伝熱媒体によりサセプタ8からウエハWへの伝熱路が確保され、上述の冷媒によりウエハWを所定の温度に維持することが可能となる。 By this heat transfer medium heat transfer path from the susceptor 8 to the wafer W is secured, it is possible to maintain the wafer W to a predetermined temperature by the coolant described above.

【0020】サセプタ8は、その上面中央部が凸状の円盤状に成形され、その上にウエハWと略同径の静電チャック16が配設される。 [0020] The susceptor 8, the upper central portion is formed into a convex disc shape, the electrostatic chuck 16 of the wafer W substantially equal diameter are disposed thereon. 静電チャック16は、2枚の高分子ポリイミドフィルムによって導電層が挟持された構成を有する。 The electrostatic chuck 16 has a structure in which conductive layer is sandwiched by two polymeric polyimide film. この導電層に対して、処理容器4の外部に配置される直流高圧電源20から、例えば1.5kVの直流電圧を印加することによって、静電チャック16の上面に載置されたウエハWは、クーロン力によってその位置で吸着保持される。 For this conductive layer, a DC high-voltage power supply 20 arranged outside the processing vessel 4, for example, by applying a DC voltage of 1.5 kV, the wafer W placed on the upper surface of the electrostatic chuck 16, It is sucked and held in that position by the Coulomb force. 高分子ポリイミドフィルムの代わりに2層のアルミナセラミックにより導電層を挟持した構造を用いると、静電チャック16の耐圧不良等の問題を回避して寿命を延ばすことができる。 With the structure which sandwiches the conductive layer of alumina ceramic two layers instead of the polymer polyimide film, it is possible to extend the life by avoiding the problem of poor withstand voltage such as electrostatic chuck 16.

【0021】サセプタ8の上端周辺部には、静電チャック16上に載置されたウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング22が配置される。 [0021] upper end peripheral portion of the susceptor 8, so as to surround the wafer W mounted on the electrostatic chuck 16, an annular focus ring 22 is disposed. フォーカスリング2 Focus ring 2
2は電界を遮断する絶縁体の材質からなる。 2 consists of a material of the insulator that blocks an electric field. フォーカスリング22上では反応性イオンは加速されないので、プラズマによって発生した反応性イオンは、その内側のウエハWにだけ効果的に入射するようになる。 Since the reactive ion on the focus ring 22 is not accelerated, reactive ions generated by the plasma will be only effectively incident on the wafer W inside.

【0022】また、サセプタ8には下方向に絶縁状態を維持して貫通する給電棒24が接続される。 Further, the power supply rod 24 which penetrates by maintaining the insulated state downward is connected to the susceptor 8. 給電棒24 Power feed rod 24
には、例えばデカップリングコンデンサを含んだ整合器26を介して、例えば13.56MHzの高周波(R The, for example, through a matching device 26 including a decoupling capacitor, for example, 13.56MHz high frequency (R
F)電力を出力する高周波電源28が配線29により接続され、イオンをウエハ側へ引き込むための自己バイアスをサセプタ8に印加することが可能となる。 F) the high-frequency power source 28 for outputting power are connected by wires 29, it is possible to apply the self-bias for attracting ions to the wafer side in the susceptor 8.

【0023】処理容器4の天井には、上部電極として兼用される円盤状のシャワーヘッド30が絶縁材32を介して支持固定される。 [0023] The ceiling of the processing chamber 4, a disk-shaped shower head 30 which is also used as an upper electrode are supported and fixed via an insulating material 32. シャワーヘッド30は、サセプタ8の上面と平行で且つこれに対して20〜40mm程度離間して対向する下面、即ちガス噴出面34を有する。 Shower head 30 has a lower surface which faces spaced about 20~40mm hand and parallel to the upper surface of the susceptor 8, that is, the gas ejecting surface 34.
サセプタ8との対向面であるガス噴出面34には、多数のガス噴出孔36が形成される。 The gas ejecting surface 34 is a surface facing the susceptor 8, a plurality of gas ejection holes 36 are formed.

【0024】シャワーヘッド30は、ガス噴出面34を有する電極板40と、電極板40を支持するヘッド本体42とから構成される。 The shower head 30 includes an electrode plate 40 having a gas ejecting surface 34, and a head body 42 for supporting the electrode plate 40. 電極板40はSiC、アモルファスカーボン等の導電性材料からなり、ヘッド本体42 Electrode plate 40 is SiC, a conductive material such as amorphous carbon, the head body 42
は表面がアルマイト処理されたアルミニウム等の導電性材料からなる。 Surface is made of a conductive material such as aluminum which has been anodized is.

【0025】ヘッド本体42内には処理ガスを滞留させるための拡散室44が形成される。 [0025] The in the head body 42 is diffusion chamber 44 for staying a process gas is formed. 拡散室44に連通するようにシャワーヘッド30の頂部中央にガス導入管4 Gas introduction pipe 4 at the top center of the shower head 30 so as to communicate with the diffusion chamber 44
6が接続される。 6 is connected. ガス導入管46は4つのライン48a Gas introduction pipe 46 is four lines 48a
〜48dを介してガス供給源50a〜50dに接続される。 Through ~48d it is connected to a gas supply source 50 a to 50 d. 各ライン48a〜48dには、バルブ52a〜52 Each line 48a~48d, valve 52a~52
d及びマスフローコントローラ54a〜54dが配設される。 d and a mass flow controller 54a~54d is disposed.

【0026】ガス供給源50aからはエッチング用の反応性ガスであるC 48 、ガス供給源50bからはラジカルの解離状態等を調整するための不活性ガスであるA [0026] C 4 F 8 from the gas supply source 50a is a reactive gas for etching, from the gas supply source 50b is an inert gas for adjusting the dissociated state such as radicals A
r、ガス供給源50cからはエッチング用の補助ガスであるO 2 、ガス供給源50dからはパージ用の不活性ガスであるN 2ガスが夫々供給される。 r, O 2 from the gas supply source 50c is an auxiliary gas for etching, N 2 gas is an inert gas for purging are respectively supplied from the gas supply source 50d.

【0027】拡散室44を包囲するように、ヘッド本体42内にはまた、冷媒室56が配設される。 [0027] so as to surround the diffusion chamber 44, also in the head main body 42, the coolant chamber 56 is arranged. 冷媒室56 Coolant chamber 56
には、例えば液体フロロカーボン等の温度調整用の冷媒が冷媒導入管(図示せず)を介して導入可能で、導入された冷媒は冷媒室56内を循環される。 The, for example, coolant for temperature adjustment of the liquid fluorocarbon and the like can be introduced through the refrigerant inlet pipe (not shown), the introduced refrigerant is circulated coolant chamber 56. この冷媒の冷熱は冷媒室56から電極板40に対して伝熱され、電極板40を所望する温度まで冷却することが可能となる。 Cold of the refrigerant is heat transfer to the electrode plate 40 from the coolant chamber 56, it is possible to cool to a temperature at which the desired electrode plate 40. 熱交換を行なった冷媒は、冷媒排出管(図示せず)より処理室外へと排出される。 The refrigerant subjected to heat exchange, is discharged to the outside of the processing room from the refrigerant discharge pipe (not shown). 電極板40は、ラジカルの流れをウエハWに向け、電極板40の表面上にラジカルが堆積しないように、ウエハWの表面より高温度に設定される。 Electrode plate 40 directs a flow of radicals to the wafer W, so as not radicals are deposited on the surface of the electrode plate 40, is set from the surface of the wafer W at a high temperature.

【0028】ヘッド本体42には給電棒58が接続される。 [0028] The head body 42 power supply rod 58 is connected. 給電棒58には、例えばデカップリングコンデンサを含んだ整合器60を介して、例えば13.56MHz The power supply rod 58, for example via a matching device 60 including a decoupling capacitor, for example, 13.56MHz
の高周波電力を出力するプラズマ発生用の高周波電源6 High-frequency power source 6 for generating plasma for outputting a high-frequency power
2が配線63により接続される。 2 are connected by wiring 63.

【0029】処理容器4の下部には、ターボ分子ポンプ等の真空排気手段67に通じる排気管66が接続される。 [0029] The lower portion of the processing vessel 4, an exhaust pipe 66 leading to the vacuum exhaust means 67 such as a turbo-molecular pump is connected. この排気手段により、処理容器4内の処理室を、所定の減圧雰囲気まで真空引きすることができる。 The exhaust means, the processing chamber in the processing vessel 4 can be evacuated to a predetermined reduced pressure atmosphere.

【0030】また、処理容器4の側壁には気密に開閉可能になされたゲートバルブ68を介してロードロック室70が接続される。 Further, the sidewall of the processing chamber 4 the load lock chamber 70 is connected via a gate valve 68 which is adapted to be opened and closed hermetically. ロードロック室70内に配設された搬送アーム等の搬送手段(図示せず)によって、被処理体であるウエハWは、処理容器4とロードロック室70 By a conveying means such as a transfer arm disposed in the load lock chamber 70 (not shown), the wafer W as an object to be processed, the processing chamber 4 and the load lock chamber 70
との間で搬送される。 It is conveyed to and from the.

【0031】処理容器4の側壁には、石英製の透明な検出窓72が気密に配設される。 [0031] The sidewall of the processing chamber 4, made of quartz transparent detection window 72 is disposed in an air-tight. 処理容器4内で生成されるプラズマからの発光を分光するため、検出窓72に臨んで光電変換素子を有する分光器74が配設される。 To disperse the light emitted from the plasma generated in the processing chamber 4, the spectrometer 74 having a photoelectric conversion element faces the detection window 72 is disposed. 分光器74は中央演算処理ユニット(CPU)76に接続され、検出情報はCPU76を介してディスプレイ78 Spectrometer 74 is connected to a central processing unit (CPU) 76, detection information via the CPU76 displays 78
に表示される。 It is displayed in.

【0032】CPU76は、高圧直流電源20、バルブ52a〜52d、マスフローコントローラ54a〜54 The CPU76 is the high-voltage DC power source 20, valves 52a to 52d, the mass flow controller 54a~54
d、真空排気手段67、RF電源28、62等のエッチング装置2全体の制御を行なう。 d, evacuating means 67, perform an etching apparatus 2 overall control such as RF power supply 28, 62. 従ってまた、CPU7 Therefore also, CPU7
6は、分光器74からの検出情報と、上記各部材の制御とがリンクするように設定することができる。 6 may be the detection information from the spectrometer 74, and the control of the respective members will be set so that link.

【0033】次に、以上のように構成されたプラズマエッチング装置2の動作について説明する。 [0033] Now, the operation of the plasma etching apparatus 2 as described above. ここでは、プラズマエッチング装置2を用いて、シリコン基板を有するウエハ上のシリコン酸化膜のエッチングを実施する場合について説明する。 Here, by using the plasma etching apparatus 2, the case of performing the etching of the silicon oxide film on a wafer having a silicon substrate.

【0034】先ず、被処理体であるウエハWは、ゲートバルブ68が開放された後、搬送手段によってロードロック室70から処理容器4内へと搬入され、静電チャック16上に載置される。 [0034] First, the wafer W as an object to be processed, after the gate valve 68 is opened, is carried from the load lock chamber 70 by the conveying means into the processing vessel 4 is placed on the electrostatic chuck 16 . そして、直流高圧電源20の印加によってウエハWは、静電チャック16上に吸着保持される。 Then, the wafer W by applying a DC high-voltage power supply 20 is attracted and held on the electrostatic chuck 16. 搬送手段がロードロック室内へ後退した後、処理容器4内は排気手段によって真空引きされていく。 After the conveying means is retracted to the load lock chamber in the processing chamber 4 will be evacuated by the exhaust means.

【0035】他方、バルブ52a〜52cが開放されて、マスフローコントローラ54a〜54cによってそれらの流量が調整されつつ、処理ガス供給源50a〜5 [0035] On the other hand, it is the valve 52a~52c is open, being adjusted their flow by the mass flow controller 54a to 54c, the processing gas supply source 50a~5
0cからC 48ガス、Arガス、O 2ガスが夫々供給される。 C 4 F 8 gas 0c, Ar gas, O 2 gas are respectively supplied. これらのガスは、ガスライン48a〜48c、 These gases, gas line 48a~48c,
ガス導入管46を通じてシャワーヘッド30内の拡散室44内へと導入され、更に、電極板40の噴出孔36を通じて、図1中の矢印に示されるように、処理容器4内に均一に吐出される。 Is introduced through the gas introduction pipe 46 into the diffusion chamber 44 of the shower head 30, further, through the ejection hole 36 of the electrode plate 40, as indicated by arrows in FIG. 1, it is uniformly discharged into the processing vessel 4 that. そして、これらのガスの供給中、 Then, during the supply of these gases,
処理容器4が排気され、処理空間内の圧力は、例えば1 Processing container 4 is exhausted, the pressure in the processing space, for example 1
Pa程度の所定の圧力に維持される。 It is maintained at a predetermined pressure of about Pa.

【0036】このような状態下で、プラズマ発生用の高周波電力が高周波電源62よりシャワーヘッド30に印加される一方、自己バイアス用の高周波電力が高周波電源28からサセプタ8に印加される。 [0036] Under this state, while the high frequency power for plasma generation is applied to the shower head 30 from the high frequency power supply 62, high frequency power for self-bias is applied from the high frequency power supply 28 to the susceptor 8. こうしてサセプタ8とシャワーヘッド30との間に発生する高周波電界によりC 48ガス、Arガス、O 2ガスが放電を介してプラズマ化され、このプラズマによりウエハ表面のシリコン酸化膜、例えばSiO 2膜がエッチングされる。 Thus C 4 F 8 gas by a high frequency electric field generated between the susceptor 8 and the shower head 30, Ar gas, O 2 gas is converted to plasma through the discharge, the silicon oxide film on the wafer surface by the plasma, for example, SiO 2 film is etched. エッチング中、サセプタ8やシャワーヘッド30は夫々を流れる冷媒により所定の温度に冷却される。 During the etching, the susceptor 8 and the shower head 30 is cooled to a predetermined temperature by the refrigerant flowing through each.

【0037】C 48ガスは、高周波電圧の印加による放電を介してプラズマ化される場合、電圧の印加時間(放電持続時間)が長くなるに従って、次第により小さい単位のラジカルやイオンに解離していく。 [0037] C 4 F 8 gas, as plasma through the discharge by applying a high frequency voltage, in accordance with the application time of the voltage (discharge duration) becomes longer, dissociated increasingly smaller units of radicals and ions To go. 具体的には、C 48は解離により、C 24 、CF 3 、CF Specifically, C 4 F 8 by dissociation, C 2 F 4, CF 3 , CF
2 、CF、C 2 、F 2 、C、F等を提供する。 2, CF, C 2, F 2, C, provides F and the like.

【0038】前述の如く、本発明者の得た知見によれば、C 48ガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングする場合、プラズマ中に存在するCF 2の絶対値及びC [0038] As previously described, according to the present inventors' knowledge obtained by, when etching the silicon oxide film by using a C 4 F 8 gas, and the absolute value C of CF 2 present in the plasma
2とC 2との比は、エッチングの種々の特性、例えばエッチング速度、微細加工性(微細なコンタクトホールを設計寸法に忠実に貫通させる機能)及びエッチング選択性(フォトレジスト或いはシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜を選択的にエッチングする機能)と密接に相関する。 The ratio of F 2 and C 2 are the different characteristics of the etching, for example etching rate, fine processing property (function to faithfully through to the design dimension of fine contact hole) and etch selectivity (the photoresist or silicon nitride film closely correlate silicon oxide film selectively function etching) and for. プラズマ中に存在するCF 2とC 2との比は、例えば、波長260nmのCF 2の発光スペクトル及び、例えば、波長516nmのC 2の発光スペクトルの発光強度の比C 2 /CF 2或いはCF 2 /C 2として検出することができる。 The ratio of CF 2 and C 2 that is present in the plasma, for example, the emission spectrum of a wavelength 260nm of CF 2 and, for example, the ratio C 2 / CF 2 or CF 2 in the emission intensity of the emission spectrum of C 2 wavelength 516nm it can be detected as a / C 2.

【0039】図2は発光強度比C 2 /CF 2とエッチングの微細加工性との関係を、微細なコンタクトホールに対するエッチング速度を指標として調べた実験結果を示すグラフである。 [0039] FIG. 2 is a graph showing the experimental result of examining the relationship between the emission intensity ratio C 2 / CF 2 and etching of fine workability, the etch rate as an index for the fine contact hole. この実験において、図1図示のプラズマエッチング装置2を使用し、シリコン酸化膜に、直径が0.15μmでアスペクト比(深さ/直径)が5、1 In this experiment, using Figure 1 shown plasma etching apparatus 2, a silicon oxide film, the aspect ratio 0.15μm in diameter (depth / diameter) 5,1
1、18のコンタクトホールを形成した。 1, 18 of the contact hole was formed. この際、C 4 In this case, C 4
8 /Ar/O 2を20/500/10sccmで供給し、処理容器4内圧力を40mTorrに設定し、1 The F 8 / Ar / O 2 was supplied with 20/500 / 10sccm, it sets the process container 4 within pressure 40 mTorr, 1
3.56MHzの高周波電力をシャワーヘッド30に2 2 high-frequency power of 3.56MHz to the shower head 30
000Wで、サセプタ8に1400Wで印加した。 In 000W, it was applied in the 1400W to the susceptor 8. また、分光器74で分光したCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度に基づいてCPU76で発光強度比C 2 /C Further, the light emission intensity ratio C 2 / C at CPU76 based on the emission intensity of the spectrum of the spectral was CF 2 and C 2 by a spectroscope 74
2を算出すると共に、同比をディスプレイ78に表示した。 Calculates the F 2, displaying the same ratio on the display 78.

【0040】図2において、縦軸はコンタクトホールが貫通するまでの平均エッチング速度ERを相対値で示す。 [0040] In FIG. 2, the vertical axis indicates the average etch rate ER to the contact hole penetrates a relative value. 特性線L1、L2、L3は夫々コンタクトホールのアスペクト比が5、11、18の場合の特性を示す。 Characteristic lines L1, L2, L3 is the aspect ratio of each contact hole exhibits a characteristic in the case of 5,11,18.

【0041】図2から、いずれのアスペクト比の場合も、発光強度比C 2 /CF 2が高くなるほど、エッチングの微細加工性が悪化し、特にアスペクト比が高いほどその悪化の度合いが大きいことが分かる。 [0041] From FIG. 2, in any case the aspect ratio, the more the emission intensity ratio C 2 / CF 2 becomes high, and microfabrication of etching deteriorates, in particular that the degree of the higher aspect ratio that deterioration is large It can be seen. 即ち、予め発光強度比C 2 /CF 2とエッチング対象となるコンタクトホールに対するエッチングの微細加工性との関係を実験から得ておき、エッチング処理時に比C 2 /CF 2をモニターすれば、処理を最適化するために種々の対応をとることができるようになる。 That is, advance to obtain the relationship between the etching microfabrication against the contact hole to be previously emission intensity ratio C 2 / CF 2 and etched from experiments, when monitoring the ratio C 2 / CF 2 during the etching process, handles it is possible to take various correspondence to optimize.

【0042】例えば、モニターにより得られた比C 2 [0042] For example, the ratio obtained by the monitor C 2 /
CF 2の検出値と、エッチングの微細加工性に基づいて設定した比C 2 /CF 2の基準値との比較をCPU76 The detected value of CF 2, compared with the reference value of the ratio C 2 / CF 2 set on the basis of the fine processing of the etching CPU76
で行い、これに基づいて処理を中止するか否かをCPU In performed, whether the CPU stops the processing based on this
76により決定すると共に同決定を実行するようにすれば、所謂インターロック制御を行なうことができる。 If to perform the same determination as to determine by 76, it is possible to perform so-called interlock control.

【0043】また、例えば、モニターにより得られた比C 2 /CF 2の検出値を、エッチングの微細加工性に基づいて設定した比C 2 /CF 2の基準値に近づくように、CPU76によりエッチング処理のプロセス条件を制御するようにすれば、所謂フィードバック制御を行なうことができる。 [0043] Also, for example, so as to approach the detected values obtained ratio C 2 / CF 2 The monitor, the reference value of the ratio C 2 / CF 2 set on the basis of the fine processing of the etching, etching by CPU76 if to control the process conditions of the processing can be performed so-called feedback control.

【0044】図3はArガスの流量と発光強度比C 2 [0044] Figure 3 is a flow rate of Ar gas emission intensity ratio C 2 /
CF 2との関係を調べた実験結果を示すグラフであり、 Is a graph showing the experimental result of examining the relationship between the CF 2,
図4はArガスの流量とエッチングの微細加工性との関係を調べた実験結果を示すグラフである。 Figure 4 is a graph showing the experimental result of examining the relationship between the fine processing of the flow rate and the etching of the Ar gas. これらの実験は、図2に結果を示す実験と同じ条件で行なった。 These experiments were performed under the same conditions as experiment results are shown in FIG.

【0045】図3から、Arガスの流量と発光強度比C [0045] From Figure 3, the flow rate of the Ar gas and emission intensity ratio C
2 /CF 2とが明確に相関することが分かる。 It can be seen that the 2 / CF 2 and is positively correlated. このことは、比C 2 /CF 2を調節するための1つのパラメータとして、Arガスの流量を使用できることを意味する。 This is as one parameter for adjusting the ratio C 2 / CF 2, means that it is possible to use the flow rate of the Ar gas.

【0046】図4において、縦軸はコンタクトホールが貫通するまでの平均エッチング速度ERを相対値で示す。 [0046] In FIG 4, the vertical axis represents the average etch rate ER to the contact hole penetrates a relative value. 特性線L4、L5、L6は夫々アスペクト比が5、 Characteristic line L4, L5, L6 are each an aspect ratio of 5,
11、18の場合の特性を示す。 Showing the characteristics of the case of 11 and 18. 図4から、Arガスの流量とエッチングの微細加工性とが明確に相関することが分かる。 From Figure 4, it is seen that the flow rate and etching microfabrication of Ar gas clearly correlated. 即ち、予めArガスの流量と発光強度比C 2 That is, the flow rate of advance Ar gas emission intensity ratio C 2
/CF 2との関係及びArガスの流量とエッチング対象となるコンタクトホールに対するエッチングの微細加工性との関係を実験から得ておけば、エッチング処理時にモニターした比C 2 /CF 2に基づいて、Arガスの流量を調節して、処理を最適化することができるようになる。 If obtaining the relation between the etching of fine processability from experiments for flow and contact holes to be etched relationships and Ar gas of / CF 2, based on the ratio C 2 / CF 2 were monitored during the etching process, by adjusting the flow rate of the Ar gas, it is possible to optimize the process.

【0047】なお、上記実施の形態においては、処理ガス中の主反応性ガスとしてC 48を用いたが、これに代え、他のCF系ガス、例えばCH 4 、CHF 3 、CH [0047] In the above embodiment, was used C 4 F 8 as the main reaction gas in the process gas, instead of this, other CF-based gas, for example CH 4, CHF 3, CH
22 、CH 3 F、C 26 、C 222 、C 33 2 F 2, CH 3 F, C 2 F 6, C 2 H 2 F 2, C 3 F 3
を使用することができる。 It can be used. また、反応性ガスには実施の形態に示すO 2だけでなく、COを含ませることができる。 In addition to O 2 as illustrated in embodiments the reaction gases, it can be included CO. 更に、不活性ガスとしては、Arガスの他、He、 Furthermore, as the inert gas, other Ar gas, He,
Xe、Krガスを使用することが可能である。 Xe, it is possible to use the Kr gas.

【0048】また、上記実施の形態においては、比C 2 [0048] Further, in the above embodiment, the ratio C 2
/CF 2の基準値を設定するためのエッチング処理の任意の特性として、エッチングの微細加工性を挙げたが、 / As an optional characteristic of the etch process for setting a reference value of CF 2, has been mentioned microfabrication of etching,
エッチングの速度、選択性等の他の特性に基づいて基準値を設定してもよい。 Speed ​​of etching may be set a reference value based on other characteristics such as selectivity.

【0049】また、上記実施の形態では、平行平板型のプラズマ処理装置を例にとって説明したが、本発明はこの型式のものに限定されず、ICP方式、ECR方式等の装置にも適用し得る。 [0049] In the above embodiment has been described as an example a parallel plate type plasma processing apparatus, the present invention is not limited to this type, ICP method, also applicable to a device such as ECR method .

【0050】また、本発明に基づいて構成されたプラズマ処理装置は、エッチング装置に限定されず、CVD装置、アッシング装置、スパッタ装置等にも適用することが可能である。 [0050] Also, the plasma processing apparatus constructed in accordance with the present invention is not limited to the etching apparatus, CVD apparatus, ashing apparatus, it can also be applied to the sputtering apparatus or the like. また、被処理体は半導体ウエハに限らず、例えばLCD基板を処理対象とすることができる。 Further, the object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, for example, it may be a LCD substrate processed.

【0051】 [0051]

【発明の効果】本発明においては、プラズマからの発光を分光することにより得られたCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値と基準値と比較し、これに基づいて処理を中止するか否かを決定することにより、 In the present invention, compared with the detected value of the ratio and the reference value of the emission intensity of the spectrum of the obtained CF 2 and C 2 by spectral emission from the plasma, a process based on this by determining whether or not to abort,
無駄な処理や被処理体に対するダメージを未然に防いで、処理の歩留まりを向上させることができる。 Damage to unnecessary processing and workpiece is prevented from occurring, thereby improving the yield of the process.

【0052】また、本発明においては、プラズマからの発光を分光することにより得られたCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値を基準値に近づくように処理のプロセス条件を制御することにより、プロセス条件の許容範囲が狭い処理でも再現性を容易に向上させることができ、処理の効率化と生産性の向上を達成することができる。 [0052] In the present invention, controlling the process conditions of the processing so as to approach the reference value detected value of the ratio of the emission intensity of the spectrum of the obtained CF 2 and C 2 by spectral emission from the plasma by also can be easily improved reproducibility with a tolerance is narrow process of process conditions, it is possible to achieve improved efficiency and productivity of the process.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置であるプラズマエッチング装置を示す構成図。 Configuration view of a plasma etching apparatus is a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.

【図2】スペクトルの発光強度比C 2 /CF 2とエッチングの微細加工性との関係を調べた実験結果を示すグラフ。 2 is a graph showing an experimental result of examining the relationship between the emission intensity ratio C 2 / CF 2 and etch micromachining of the spectrum.

【図3】Arガスの流量とスペクトルの発光強度比C 2 [3] the emission intensity of the flow and the spectrum of the Ar gas ratio C 2
/CF 2との関係を調べた実験結果を示すグラフ。 Graph showing experimental results of examining the relationship between / CF 2.

【図4】Arガスの流量とエッチングの微細加工性との関係を調べた実験結果を示すグラフ。 Figure 4 is a graph showing the experimental result of examining the relationship between the fine processing of the flow rate and the etching of the Ar gas.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2…プラズマエッチング装置、4…処理容器、8…サセプタ、28、62…高周波電源、30…シャワーヘッド、67…真空排気手段、72…検出窓、74…分光器、76…CPU。 2 ... plasma etching apparatus, 4 ... processing vessel 8 ... susceptor, 28, 62 ... high frequency power source, 30 ... Shower head, 67 ... vacuum evacuation means, 72 ... detection window 74 ... spectroscope, 76 ... CPU.

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】処理容器内に配設された載置台上に被処理体を載置する工程と、 前記処理容器内を排気しながら処理ガスを前記処理容器内に供給する工程と、前記処理ガスは炭素及びフッ素を含有すると共に、解離によりCF 2及びC 2を提供することと、 前記処理容器内で前記処理ガスを放電を介してプラズマにする工程と、 前記プラズマを用いて前記被処理体にプラズマ処理を施す工程と、 前記プラズマ処理中、前記プラズマからの発光を分光してCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値を得る工程と、 前記検出値と、前記プラズマ処理の任意の特性に基づいて設定した基準値とを比較し、前記プラズマ処理を中止するか否かを決定する工程と、を具備することを特徴とするプラズマ処理方法。 1. A a process that mounts the object on the mounting table disposed in the processing container, a process of supplying the processing gas while evacuating the processing chamber into the processing chamber, the processing gas together containing carbon and fluorine, and to provide a CF 2 and C 2 by dissociation, the steps of the plasma through discharge the processing gas in the processing chamber, the object to be processed by using the plasma a step of subjecting the body to plasma treatment, and the plasma treatment, to obtain a detection value of the ratio of the emission intensity of the spectrum of the light emitting spectrally the CF 2 and C 2 from the plasma, and the detection value, the plasma It compares the reference value set based on any characteristics of the treatment, a plasma treatment method characterized by comprising the steps of determining whether to stop the plasma treatment.
  2. 【請求項2】処理容器内に配設された載置台上に被処理体を載置する工程と、 前記処理容器内を排気しながら処理ガスを前記処理容器内に供給する工程と、前記処理ガスは炭素及びフッ素を含有すると共に、解離によりCF 2及びC 2を提供することと、 前記処理容器内で前記処理ガスを放電を介してプラズマにする工程と、 前記プラズマを用いて前記被処理体にプラズマ処理を施す工程と、 前記プラズマ処理中、前記プラズマからの発光を分光してCF 2及びC 2のスペクトルの発光強度の比の検出値を得る工程と、 前記検出値を、前記プラズマ処理の任意の特性に基づいて設定した基準値に近づくように、前記プラズマ処理のプロセス条件を制御する工程と、を具備することを特徴とするプラズマ処理方法。 Wherein the step of placing the workpiece on the mounting table disposed in the processing container, a process of supplying the processing gas while evacuating the processing chamber into the processing chamber, the processing gas together containing carbon and fluorine, and to provide a CF 2 and C 2 by dissociation, the steps of the plasma through discharge the processing gas in the processing chamber, the object to be processed by using the plasma a step of subjecting the body to plasma treatment in the plasma treatment, and obtaining a detection value of the ratio of the emission intensity of the spectrum of CF 2 and C 2 and the spectral emission from the plasma, the detection value, the plasma so as to approach the reference value set based on any characteristics of the treatment, a plasma treatment method characterized by comprising the steps of controlling the process conditions of the plasma treatment.
  3. 【請求項3】前記プラズマ処理がシリコン酸化膜のエッチング処理であることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理方法。 3. A plasma processing method according to claim 1 or 2, wherein the plasma treatment is an etching treatment of the silicon oxide film.
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