JPH10321636A - Solid manufacture device - Google Patents
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- JPH10321636A JPH10321636A JP12851197A JP12851197A JPH10321636A JP H10321636 A JPH10321636 A JP H10321636A JP 12851197 A JP12851197 A JP 12851197A JP 12851197 A JP12851197 A JP 12851197A JP H10321636 A JPH10321636 A JP H10321636A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｈ2 アニール装置
やロードロック式縦型拡散装置等のように、半導体装置
や液晶表示装置等の固体装置を製造する固体製造装置に
関する。The present invention relates to, as in such as H 2 annealing apparatus and the load lock type vertical diffusion device, a solid-state apparatus for manufacturing a solid-state device such as a semiconductor device or a liquid crystal display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体装置や液晶表示装置等の
固体装置を製造する固体製造装置においては、種々の目
的で、固体装置の製造に使用される容器、すなわち、反
応容器やロードロック容器等のＯ2 濃度を検出するよう
になっている。2. Description of the Related Art In general, in a solid-state manufacturing apparatus for manufacturing a solid-state device such as a semiconductor device or a liquid crystal display device, a container used for manufacturing the solid-state device for various purposes, that is, a reaction container, a load lock container or the like. and detects the O 2 concentration.
【０００３】例えば、半導体装置のウェーハや液晶表示
装置のガラス基板等の基板を熱処理するためのＨ2 アニ
ール装置においては、Ｈ2 ガスとＯ2 ガスとが反応して
爆発するのを防止するために、反応容器にＨ2 ガスを導
入する前に、反応容器に含まれるＯ2 ガスの濃度を検出
するようになっている。For example, in an H 2 annealing apparatus for heat-treating a substrate such as a wafer of a semiconductor device or a glass substrate of a liquid crystal display, it is necessary to prevent explosion due to reaction between H 2 gas and O 2 gas. Then, before introducing the H 2 gas into the reaction vessel, the concentration of the O 2 gas contained in the reaction vessel is detected.
【０００４】また、基板を拡散処理するためのロードロ
ック式縦型拡散装置においては、基板の表面に自然酸化
膜が形成されるのを防止するために、基板をロードロッ
ク容器から反応容器に搬送する前に、ロードロック容器
に含まれるＯ2 ガスの濃度を検出するようになってい
る。[0004] In a load-lock type vertical diffusion apparatus for diffusing a substrate, the substrate is transferred from a load-lock container to a reaction container in order to prevent a natural oxide film from being formed on the surface of the substrate. Before the operation, the concentration of the O 2 gas contained in the load lock container is detected.
【０００５】図３は、反応容器のＯ2 濃度の検出機能を
有する従来のＨ2 アニール装置の構成を示す側面図であ
る。FIG. 3 is a side view showing a configuration of a conventional H 2 annealing apparatus having a function of detecting the O 2 concentration of a reaction vessel.
【０００６】図示のＨ2 アニール装置１００は、反応容
器１０１と、給気ノズル１０２と、排気配管１０３と、
ハンドバルブ１０４と、Ｏ2 濃度計１０５と、濃度検出
配管１０６と、エアバルブ１０７とを有し、排気配管１
０３を介して排出される反応容器１０１の雰囲気に基づ
いて、この反応容器１０１に含まれるＯ2 ガスの濃度を
検出するようになっている。The illustrated H 2 annealing apparatus 100 includes a reaction vessel 101, an air supply nozzle 102, an exhaust pipe 103,
The exhaust pipe 1 includes a hand valve 104, an O 2 concentration meter 105, a concentration detection pipe 106, and an air valve 107.
The concentration of the O 2 gas contained in the reaction vessel 101 is detected based on the atmosphere of the reaction vessel 101 discharged through the chamber 03.
【０００７】すなわち、このような構成においては、反
応容器１０１のＯ2 濃度を検出する場合は、エアバルブ
１０７が開かれる。これにより、排気配管１０３を介し
て排出される反応容器１０１の雰囲気が濃度検出配管１
０６を介してＯ2 濃度計１０６に導かれる。その結果、
この排出雰囲気に基づいて、反応容器１０１のＯ2 濃度
の検出がなされる。検出されたＯ2 濃度が予め定めた閾
値より小さければ、Ｈ2 ガスの供給がなされる。これに
対し、閾値より大きければ、装置が停止された後、作業
者により装置の点検がなされる。That is, in such a configuration, when detecting the O 2 concentration in the reaction vessel 101, the air valve 107 is opened. Thereby, the atmosphere of the reaction vessel 101 discharged through the exhaust pipe 103 is
It is led to the O 2 concentration meter 106 through 06. as a result,
The O 2 concentration of the reaction vessel 101 is detected based on the discharged atmosphere. If the detected O 2 concentration is smaller than a predetermined threshold, H 2 gas is supplied. On the other hand, if the value is larger than the threshold value, after the device is stopped, the operator checks the device.
【０００８】一方、反応容器１０１のＯ2 濃度の検出を
行わない場合は、エアバルブ１０７が閉じられる。これ
により、Ｏ2 濃度計１０５に対する排出雰囲気の供給が
停止される。その結果、この場合は、反応容器１０１の
Ｏ2 濃度の検出がなされない。On the other hand, when the O 2 concentration in the reaction vessel 101 is not detected, the air valve 107 is closed. Thus, the supply of the discharge atmosphere to the O 2 concentration meter 105 is stopped. As a result, in this case, the O 2 concentration in the reaction vessel 101 is not detected.
【０００９】図４は、ロードロック容器のＯ2 濃度の検
出機能を有する従来のロードロック式縦型拡散装置の構
成を示す図である。FIG. 4 is a view showing the configuration of a conventional load-lock type vertical diffusion device having a function of detecting the O 2 concentration of a load-lock container.
【００１０】図示のロードロック式縦型拡散装置２００
は、反応容器２０１と、ロードロック容器２０２と、給
気配管２０３と、排気配管２０４と、濃度検出配管２０
５と、Ｏ2 濃度計の吸引ポンプ２０６と、Ｏ2 濃度計の
Ｏ2 濃度検出器２０７と、ハンドバルブ２０８とを有
し、ロードロック容器２０２に含まれる雰囲気に基づい
て、そのＯ2 濃度を検出するようになっている。The illustrated load-lock type vertical diffusion device 200
Are a reaction vessel 201, a load lock vessel 202, an air supply pipe 203, an exhaust pipe 204, and a concentration detection pipe 20.
5, a suction pump 206 of the O 2 concentration meter, and O 2 concentration detector 207 of the O 2 concentration meter, and a hand valve 208, based on the atmosphere contained in the load lock chamber 202, the O 2 concentration Is to be detected.
【００１１】すなわち、このような構成においては、ロ
ードロック容器２０２のＯ2 濃度を検出する場合は、ハ
ンドバルブ２０８が開かれる。これにより、反応容器２
０１に含まれる雰囲気が濃度検出配管２０５を介してＯ
2 濃度検出器２０７に供給される。その結果、この場合
は、反応容器２０１に含まれる雰囲気に基づいて、その
Ｏ2 濃度の検出がなされる。検出されたＯ2 濃度が予め
定めた閾値より小さければ、ロードロック容器２０２か
ら反応容器２０１への基板の搬送が行われる。これに対
し、閾値より大きければ、装置が停止された後、作業者
により装置の点検がなされる。That is, in such a configuration, when detecting the O 2 concentration in the load lock container 202, the hand valve 208 is opened. Thereby, the reaction vessel 2
01 via the concentration detection pipe 205
It is supplied to the two concentration detector 207. As a result, in this case, the O 2 concentration is detected based on the atmosphere contained in the reaction vessel 201. If the detected O 2 concentration is smaller than the predetermined threshold, the transfer of the substrate from the load lock container 202 to the reaction container 201 is performed. On the other hand, if the value is larger than the threshold value, after the device is stopped, the operator checks the device.
【００１２】一方、反応容器２０１のＯ2 濃度を検出し
ない場合は、ハンドバルブ２０８が閉じられる。これに
より、この場合は、Ｏ2 濃度検出器２０７に対する反応
容器２０１の雰囲気の供給が停止される。その結果、こ
の場合は、反応容器２０１のＯ2 濃度の検出がなされな
い。On the other hand, when the O 2 concentration in the reaction vessel 201 is not detected, the hand valve 208 is closed. Thus, in this case, the supply of the atmosphere of the reaction vessel 201 to the O 2 concentration detector 207 is stopped. As a result, in this case, the O 2 concentration in the reaction vessel 201 is not detected.
【００１３】[0013]
（１）しかしながら、図３に示すＨ2 アニール装置にお
いては、反応容器１０１のＯ2 濃度を検出しない期間
に、Ｏ2 濃度計１０５の検出値が内部リークによって予
め定めた閾値を越えてしまうことがあるという問題があ
った。(1) However, in the H 2 annealing apparatus shown in FIG. 3, the period is not detected O 2 concentration in the reaction vessel 101, the detected value of the O 2 concentration meter 105 exceeds a predetermined threshold by the internal leakage There was a problem that there is.
【００１４】すなわち、Ｏ2 濃度計１０５においては、
装置の稼働率を高めるために、反応容器１０１のＯ2 濃
度を検出しない期間でも、吸引ポンプをオン状態に設定
するようになっている。これにより、このＯ2 濃度計１
０５においては、反応容器１０１のＯ2 濃度を検出しな
い期間でも、濃度検出配管１０６とＯ2 濃度計１０５と
の接続部から大気が混入する。That is, in the O 2 concentration meter 105,
In order to increase the operation rate of the apparatus, the suction pump is set to the ON state even during a period in which the O 2 concentration in the reaction vessel 101 is not detected. Thereby, this O 2 concentration meter 1
At 05, even during a period in which the O 2 concentration of the reaction vessel 101 is not detected, air enters from the connection between the concentration detection pipe 106 and the O 2 concentration meter 105.
【００１５】これを、図５を参照しながら説明する。図
５は、Ｏ2 濃度計１０５の内部構成を示す図である。This will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing an internal configuration of the O 2 concentration meter 105.
【００１６】図示のごとく、Ｏ2 濃度計１０５は、吸引
ポンプ１ａと、Ｏ2 濃度検出器２ａと、配管３ａと、継
ぎ手４ａとを有し、配管３ａを継ぎ手４ａを介して濃度
検出配管１０７に接続するようになっている。As shown in the drawing, the O 2 concentration meter 105 has a suction pump 1a, an O 2 concentration detector 2a, a pipe 3a, and a joint 4a, and connects the pipe 3a to the concentration detection pipe 107 through the joint 4a. To connect to.
【００１７】このような構成においては、継手４ａの部
分の気密性が悪いため、吸引ポンプ１ａをオン状態に設
定すると、この部分から配管３ａに大気が混入する。In such a configuration, since the airtightness of the joint 4a is poor, when the suction pump 1a is set to the ON state, the atmosphere enters the pipe 3a from this portion.
【００１８】このような内部リークが発生しても、反応
容器１０１のＯ2 濃度を検出する期間は、混入大気が排
出雰囲気によって希釈されるため、Ｏ2 濃度計１０５が
混入大気の影響を受けることはほとんどない。しかし、
反応容器１０１のＯ2 濃度を検出しない期間は、混入大
気が排出雰囲気によって希釈されないため、Ｏ2 濃度計
１０５が、混入大気の影響を受ける。その結果、混入大
気の量が多いと、Ｏ2濃度の検出値が予め定めた閾値を
越えてしまう。Even if such an internal leak occurs, during the period of detecting the O 2 concentration in the reaction vessel 101, the mixed air is diluted by the discharge atmosphere, so that the O 2 concentration meter 105 is affected by the mixed air. Few things. But,
During the period when the O 2 concentration in the reaction vessel 101 is not detected, the mixed air is not diluted by the discharge atmosphere, so that the O 2 concentration meter 105 is affected by the mixed air. As a result, when the amount of mixed air is large, the detected value of the O 2 concentration exceeds a predetermined threshold.
【００１９】このような状態が発生すると、Ｈ2 アニー
ル装置の運転が停止される。これは、Ｈ2 アニール装置
においては、安全性を期すために、反応容器１０１のＯ
2 濃度を検出しない期間においても、Ｏ2 濃度の検出値
が予め定めた閾値を越えると、運転を停止するようにな
っているからである。これにより、混入大気の量が多い
と、装置の稼働率が低下する。When such a state occurs, the operation of the H 2 annealing apparatus is stopped. This is because, in the H 2 annealing apparatus, in order to ensure safety, the O 2
This is because, even during a period in which no concentration is detected, the operation is stopped when the detected value of the O 2 concentration exceeds a predetermined threshold. As a result, when the amount of the mixed air is large, the operation rate of the device is reduced.
【００２０】この問題を解決するためには、Ｏ2 濃度非
検出期間に、吸引ポンプ１ａをオフ状態に設定すればよ
い。しかし、このようにすると、反応容器１０１のＯ2
濃度を検出する場合、吸引ポンプ１ａの回転が安定する
まで、Ｏ2 濃度を検出することができないため、装置の
稼働率が低下するという問題が生じる。[0020] In order to solve this problem, the O 2 concentration non-detection period, a suction pump 1a may be set to the OFF state. However, in this case, the O 2
When detecting the concentration, the O 2 concentration cannot be detected until the rotation of the suction pump 1a is stabilized, so that a problem arises that the operation rate of the apparatus is reduced.
【００２１】（２）また、図４に示すロードロック式縦
型拡散装置には、ロードロック容器２０２のＯ2 濃度の
検出に要する時間が長くなるという問題があった。(2) The load-lock type vertical diffusion device shown in FIG. 4 has a problem that the time required for detecting the O 2 concentration in the load-lock container 202 becomes long.
【００２２】すなわち、ロードロック容器２０２の内部
は、基板を出し入れする場合やメンテナンスを行う場合
等に、大気にさらされる。ロードロック容器２０２の内
部が大気にさらされると、濃度検出配管２０５の内部も
大気にさらされる。That is, the inside of the load lock container 202 is exposed to the atmosphere when a substrate is taken in or out or when maintenance is performed. When the inside of the load lock container 202 is exposed to the atmosphere, the inside of the concentration detection pipe 205 is also exposed to the atmosphere.
【００２３】ロードロック容器２０２が大気にさらされ
ても、ロードロック容器２０２に含まれる大気は、Ｎ2
置換処理よりほとんど排出される。しかしながら、濃度
検出配管２０５に含まれる大気は、このＮ2 置換処理に
よってもほとんど排出されない。これは、Ｎ2 置換処理
を行う場合、バルブ２０８が閉じられているからであ
る。Even if the load lock container 202 is exposed to the atmosphere, the atmosphere contained in the load lock container 202 is N 2
Almost discharged from the replacement process. However, the atmosphere contained in the concentration detection pipe 205 is hardly exhausted even by this N 2 substitution processing. This is because the valve 208 is closed when performing the N 2 substitution process.
【００２４】これにより、ロードロック容器２０２のＯ
2 濃度を検出する場合、濃度検出配管２０５に残存する
Ｏ2 ガスがなくなるまで、ロードロック容器２０２の本
来のＯ2 濃度を検出することができない。これは、ロー
ドロック容器２０２の本来のＯ2 濃度が、大気のＯ2 濃
度に比べ、かなり低いからである。その結果、ロードロ
ック容器２０２のＯ2 濃度の検出に要する時間が長くな
る。Thus, the O of the load lock container 202 is
When detecting the two concentrations, the original O 2 concentration of the load lock container 202 cannot be detected until the O 2 gas remaining in the concentration detection pipe 205 is exhausted. This is because the original O 2 concentration of the load lock container 202 is considerably lower than the atmospheric O 2 concentration. As a result, the time required for detecting the O 2 concentration in the load lock container 202 becomes longer.
【００２５】また、濃度検出配管２０５の場合、Ｏ2 ガ
スの量に比べ、Ｏ2 ガスと内壁との接触面積が広くな
る。これにより、濃度検出配管２０５の内壁に付着する
Ｏ2 分子の量が多くなる。このＯ2 分子は、ロードロッ
ク容器５０２のＯ2 濃度の検出処理を開始すると、濃度
検出配管２０５の内壁から離れる。これにより、このＯ
2 分子がなくなるまで、ロードロック容器５０２の本来
のＯ2 濃度、すなわち、低濃度のＯ2 濃度を検出するこ
とができない。その結果、このＯ2 濃度の検出に要する
時間が長くなる。Further, if the density detection pipe 205, relative to the amount of O 2 gas, the contact area between the O 2 gas and the inner wall is widened. Thereby, the amount of O 2 molecules attached to the inner wall of the concentration detection pipe 205 increases. When the O 2 concentration detection process of the load lock container 502 is started, the O 2 molecules are separated from the inner wall of the concentration detection pipe 205. As a result, this O
Until the two molecules disappear, the original O 2 concentration of the load lock container 502, that is, a low O 2 concentration cannot be detected. As a result, the time required for detecting the O 2 concentration becomes longer.
【００２６】本発明は、上記の事情に対処すべくなされ
たもので、固体装置の製造に使用される容器に含まれる
所望の元素ガスの濃度を検出しない期間に、濃度計が内
部リークによって誤動作してしまうことを防止すること
ができるとともに、上記容器に含まれる所望のガスの濃
度の検出に要する時間を短縮することができる固体製造
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a malfunction of a concentration meter due to an internal leak occurs during a period in which a concentration of a desired element gas contained in a container used for manufacturing a solid-state device is not detected. It is an object of the present invention to provide a solid-state manufacturing apparatus that can prevent the occurrence of the above-mentioned process and can reduce the time required for detecting the concentration of a desired gas contained in the container.
【００２７】[0027]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の固体製造装置は、固体装置の製造に使
用される容器に含まれる所望の元素ガスの濃度を検出す
るための濃度計と、この濃度計に容器に含まれる雰囲気
を導くための第１の配管と、この第１の配管を遮断する
ための第１の遮断弁と、第１の配管に対し、第１の遮断
弁と濃度計との間で接続され、濃度計に不活性ガスを導
くための第２の配管と、この第２の配管を遮断するため
の第２の遮断弁とを設けるようにしたものである。According to one aspect of the present invention, there is provided a solid-state manufacturing apparatus for detecting a concentration of a desired elemental gas contained in a container used for manufacturing a solid-state device. A first pipe for guiding the atmosphere contained in the container to the concentration meter, a first shut-off valve for shutting off the first pipe, and a first shut-off for the first pipe. A second pipe connected between the valve and the concentration meter, for guiding the inert gas to the concentration meter, and a second shut-off valve for shutting off the second pipe are provided. is there.
【００２８】上記構成おいては、固体装置の製造に使用
される容器に含まれる所望の元素ガスの濃度を検出する
場合は、第１の遮断弁が開状態に設定され、第２の遮断
弁が閉状態に設定される。これにより、この場合は、容
器に含まれる雰囲気が濃度計に供給される。その結果、
この場合は、容器に含まれる所望の元素ガスの濃度が検
出される。これに対し、容器に含まれる所望の元素ガス
の濃度を検出しない場合は、第１の遮断弁が閉状態に設
定され、第２の遮断弁が開状態に設定される。これによ
り、この場合は、不活性ガスが濃度計に供給される。In the above configuration, when detecting the concentration of a desired element gas contained in a container used for manufacturing a solid-state device, the first shut-off valve is set to the open state, and the second shut-off valve is set. Is set to the closed state. Thereby, in this case, the atmosphere contained in the container is supplied to the densitometer. as a result,
In this case, the concentration of a desired element gas contained in the container is detected. On the other hand, when the concentration of the desired element gas contained in the container is not detected, the first shutoff valve is set to a closed state, and the second shutoff valve is set to an open state. Thereby, in this case, the inert gas is supplied to the concentration meter.
【００２９】上記構成によれば、本発明をＨ2 アニール
装置に適用した場合、反応容器のＯ2 濃度を検出しない
期間に、Ｏ2 濃度計に不活性ガスを供給することができ
る。これにより、Ｏ2 濃度計で内部リークが発生して
も、不活性ガスにより混入大気を希釈することができる
ので、内部リークによる誤動作の発生を防止することが
できる。According to the above arrangement, the present invention is applied in H 2 annealing apparatus, during a period of not detecting the O 2 concentration in the reaction vessel, it is possible to supply the inert gas to the O 2 concentration meter. With this, even if an internal leak occurs in the O 2 concentration meter, the mixed air can be diluted with the inert gas, so that a malfunction due to the internal leak can be prevented.
【００３０】また、本発明をロードロック式縦型拡散装
置に適用した場合、ロードロック容器のＯ2 濃度を検出
しない期間に、Ｏ2 濃度計に不活性ガスを供給すること
ができる。これにより、第１の配管に存在する大気やこ
の配管の内壁に付着しているＯ2 分子を排出することが
できるので、ロードロック容器のＯ2 濃度の検出に要す
る時間を短縮することができる。Further, when the present invention is applied to the load lock type vertical diffusion device may be a period of not detecting the O 2 concentration in the load lock chamber, supplying an inert gas to the O 2 concentration meter. Thereby, the air existing in the first pipe and the O 2 molecules attached to the inner wall of the pipe can be discharged, so that the time required for detecting the O 2 concentration in the load lock container can be reduced. .
【００３１】請求項２記載の固体製造装置は、請求項１
記載の装置において、容器に含まれる所望の元素ガスの
濃度を検出する場合は、第１の遮断弁が開状態となり、
第２の遮断弁が閉状態となるように、検出しない場合
は、第１の遮断弁が閉状態となり、第２の遮断弁が開状
態となるように、第１，第２の遮断弁の開閉を制御する
制御手段をさらに設けるようにしたものである、[0031] The solid production apparatus according to the second aspect is the first aspect of the invention.
In the device described, when detecting the concentration of a desired element gas contained in the container, the first shutoff valve is opened,
When the detection is not performed so that the second shut-off valve is closed, the first shut-off valve is closed, and the first and second shut-off valves are opened so that the second shut-off valve is opened. A control means for controlling opening and closing is further provided.
【００３２】このような構成においては、容器に含まれ
る所望の元素ガスの濃度を検出する場合は、自動的に第
１の遮断弁が開状態に設定されるとともに、第２の遮断
弁が閉状態に設定される。これにより、この場合は、容
器に含まれる雰囲気が濃度計に供給される。これに対
し、検出しない場合は、自動的に第１の遮断弁が閉状態
に設定されるとともに、第２の遮断弁が開状態に設定さ
れる。これにより、この場合は、不活性ガスが濃度計に
供給される。In such a configuration, when detecting the concentration of the desired element gas contained in the container, the first shutoff valve is automatically set to the open state and the second shutoff valve is closed. Set to state. Thereby, in this case, the atmosphere contained in the container is supplied to the densitometer. On the other hand, if no detection is made, the first shutoff valve is automatically set to the closed state and the second shutoff valve is set to the open state. Thereby, in this case, the inert gas is supplied to the concentration meter.
【００３３】このような構成によれば、第１，第２の遮
断弁の開閉を自動的に制御することができるので、Ｏ2
濃度の検出期間と非検出期間との切替えに迅速に対処す
ることができるとともに、作業者の負担を軽減すること
ができる。According to this structure, first, it is possible to automatically control the opening and closing of the second shutoff valve, O 2
Switching between the concentration detection period and the non-detection period can be promptly dealt with, and the burden on the operator can be reduced.
【００３４】[0034]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００３５】図１は、本発明に係る固体製造装置の第１
の実施の形態の構成を示す側面図である。なお、図に
は、本発明をＨ2 アニール装置に適用した場合の構成の
一例を代表として示す。FIG. 1 shows a first embodiment of the solid manufacturing apparatus according to the present invention.
It is a side view which shows the structure of 1st Embodiment. In the drawings, an example of a configuration when the present invention is applied to an H 2 annealing apparatus is shown as a representative.
【００３６】図示のＨ2 アニール装置３００は、基板の
アニール処理に使用される反応容器３０１と、この反応
容器３０１にＨ2 ガスを供給するための給気ノズル３０
２と、反応容器３０１に含まれる雰囲気を排出するため
の排気配管３０３と、この排気配管３０３を遮断するた
めのハンドバルブ３０４とを有する。The illustrated H 2 annealing apparatus 300 includes a reaction vessel 301 used for annealing a substrate, and an air supply nozzle 30 for supplying H 2 gas to the reaction vessel 301.
2, an exhaust pipe 303 for exhausting the atmosphere contained in the reaction vessel 301, and a hand valve 304 for shutting off the exhaust pipe 303.
【００３７】また、図示のＨ2 アニール装置３００は、
反応容器３０１に含まれるＯ2 濃度を検出するための吸
引式のＯ2 濃度計３０５と、このＯ2 濃度計３０５に反
応容器３０１に含まれる雰囲気を導くための濃度検出配
管３０６と、この濃度検出配管３０６を遮断するための
エアバルブ３０７とを有する。The H 2 annealing apparatus 300 shown in FIG.
And O 2 concentration meter 305 of suction type for detecting the O 2 concentration in the reaction vessel 301, the density detection pipe 306 for guiding the atmosphere contained in the reaction vessel 301 to the O 2 concentration meter 305, the concentration An air valve 307 for shutting off the detection pipe 306.
【００３８】また、図示のＨ2 アニール装置３００は、
Ｏ2 濃度計３０６に不活性ガスとしてのＮ2 ガスを導く
ためのＮ2 ガス導入配管３０８と、このＮ2 ガス導入配
管３０８を遮断するためのエアバルブ３０９と、排気を
希釈化するための排気希釈配管３１０とを有する。The H 2 annealing apparatus 300 shown in FIG.
An N 2 gas introduction pipe 308 for introducing N 2 gas as an inert gas to the O 2 concentration meter 306, an air valve 309 for shutting off the N 2 gas introduction pipe 308, and an exhaust gas for diluting exhaust gas And a dilution pipe 310.
【００３９】また、図示のＨ2 アニール装置３００は、
エアバルブ３０７，３０９の開閉を自動的に制御するた
めの制御部３１１を有する。この場合、エアバルブ３０
７，３０９は、連動して制御されるようになっている。The H 2 annealing apparatus 300 shown in FIG.
A control unit 311 for automatically controlling the opening and closing of the air valves 307 and 309 is provided. In this case, the air valve 30
7, 309 are controlled in conjunction with each other.
【００４０】上記濃度検出配管３０６は、ハンドバルブ
３０４の上流において、排気配管３０３に並列に接続さ
れている。上記Ｏ2 濃度計３０５は、エアバルブ３０７
より下流に配置されている。このＯ2 濃度計３０５は、
Ｏ2 濃度の検出方式として、例えば、ジルコニア方式を
採用している。The concentration detection pipe 306 is connected to the exhaust pipe 303 in parallel with the upstream of the hand valve 304. The O 2 concentration meter 305 is provided with an air valve 307.
It is located further downstream. This O 2 concentration meter 305 is
As a method for detecting the O 2 concentration, for example, a zirconia method is employed.
【００４１】上記Ｎ2 ガス導入配管３０８は、濃度検出
配管３０６に接続されている。この場合、接続位置は、
Ｏ2 濃度計３０５とエアバルブ３０７との間に設定され
ている。上記排気希釈配管３１０の一端は、排気配管３
０３に接続され、他端は、Ｎ2 ガス導入配管３０８に接
続されている。The N 2 gas introduction pipe 308 is connected to the concentration detection pipe 306. In this case, the connection position is
It is set between the O 2 concentration meter 305 and the air valve 307. One end of the exhaust dilution pipe 310 is connected to the exhaust pipe 3
03, and the other end is connected to an N 2 gas introduction pipe 308.
【００４２】上記構成において、基板のアニール処理を
行うための動作を説明する。An operation for performing an annealing process on a substrate in the above configuration will be described.
【００４３】基板のアニール処理を実行する前は、エア
バルブ３０７が閉状態に設定され、エアバルブ３０９が
開状態に設定されている。これにより、この場合は、Ｏ
2 濃度計３０５にＮ2 ガスが供給される。Before the annealing of the substrate is performed, the air valve 307 is set to a closed state and the air valve 309 is set to an open state. Thus, in this case, O
N 2 gas is supplied to the 2 concentration meter 305.
【００４４】この状態で、基板のアニール処理を実行す
る場合は、まず、基板を反応容器３０１に搬入する処理
が実行される。この搬入処理が終了すると、反応容器３
０１を真空排気する処理が実行される。この処理は、ハ
ンドバルブ３０４を開状態に設定することにより行われ
る。In this state, when performing the annealing process on the substrate, first, the process of carrying the substrate into the reaction vessel 301 is performed. When the loading process is completed, the reaction vessel 3
Then, a process of evacuating 01 is performed. This process is performed by setting the hand valve 304 to the open state.
【００４５】この真空排気処理が終了すると、反応容器
３０１のＯ2 濃度を検出する処理が実行される。この処
理は、エアバルブ３０７を開状態に設定し、エアバルブ
３０９を閉状態に設定することにより行われる。これに
より、排気配管３０３を介して排出されている反応容器
３０１の雰囲気の一部が濃度検出配管３０６を介してＯ
2 濃度計３０５に供給される。その結果、排気配管３０
３を介して排出される反応容器３０１の雰囲気に基づい
て、反応容器３０１のＯ2 濃度が検出される。When the evacuation process is completed, a process for detecting the O 2 concentration in the reaction vessel 301 is executed. This process is performed by setting the air valve 307 to the open state and setting the air valve 309 to the closed state. As a result, a part of the atmosphere of the reaction vessel 301 discharged through the exhaust pipe 303 becomes O 2 through the concentration detection pipe 306.
2 It is supplied to the densitometer 305. As a result, the exhaust pipe 30
The O 2 concentration in the reaction vessel 301 is detected based on the atmosphere of the reaction vessel 301 discharged through the reactor 3.
【００４６】この検出処理が終了すると、検出されたＯ
2 濃度が予め定めた閾値より大きいか否かを判定する処
理が実行される。この判定処理により、検出されたＯ2
濃度が予め定めた閾値より大きいと判定された場合は、
警報を発生するとともに、装置の運転を停止する処理が
実行される。これにより、この場合は、作業者により、
装置の点検が行われる。When this detection processing is completed, the detected O
(2) A process of determining whether or not the density is greater than a predetermined threshold is executed. By this determination processing, the detected O 2
If the concentration is determined to be greater than the predetermined threshold,
A process for generating an alarm and stopping the operation of the device is executed. Thereby, in this case, by the worker,
The equipment is checked.
【００４７】これに対し、検出されたＯ2 濃度が予め定
めた閾値より小さいと判定された場合は、エアバルブ３
０７が閉状態に設定され、エアバルブ３０９が開状態に
設定される。これにより、この場合は、Ｏ2 濃度計３０
５にＮ2 ガスが供給される。また、この場合、基板のア
ニール処理が開始される。これにより、反応容器３０１
に給気ノズル３０２を介してＨ2 ガスが供給される。On the other hand, if it is determined that the detected O 2 concentration is smaller than the predetermined threshold, the air valve 3
07 is set to the closed state, and the air valve 309 is set to the open state. Thereby, in this case, the O 2 concentration meter 30
5 is supplied with N 2 gas. In this case, the annealing process of the substrate is started. Thereby, the reaction vessel 301
H 2 gas is supplied through the air supply nozzle 302.
【００４８】このアニール処理が終了すると、基板を反
応容器３０１から搬出する処理が実行される。この搬出
処理が終了すると、次の基板に対して再び上述した処理
が実行される。When this annealing process is completed, a process of carrying out the substrate from the reaction vessel 301 is executed. When the unloading process is completed, the above-described process is performed again on the next substrate.
【００４９】以上詳述した本実施の形態によれば、反応
容器３０１のＯ2 濃度を検出しない場合は、Ｏ2 濃度計
３０５にＮ2 ガスを供給するようにしたので、Ｏ2 濃度
計３０５で内部リークが発生しても、Ｎ2 ガスにより混
入大気を希釈することができる。これにより、内部リー
クによる誤動作の発生を防止することができる。According to the present embodiment [0049] in detail above, it does not detect the O 2 concentration in the reaction vessel 301, since the to supply N 2 gas into the O 2 concentration meter 305, the O 2 concentration meter 305 Therefore, even if an internal leak occurs, the mixed air can be diluted with the N 2 gas. As a result, it is possible to prevent malfunction from occurring due to internal leakage.
【００５０】また、本実施の形態によれば、制御部３１
１を設け、この制御部３１１によりエアバルブ３０７，
３０９の開閉を自動的に制御するようにしたので、Ｏ2
濃度の検出期間と非検出期間との切替えに迅速に対処す
ることができるとともに、作業者の負担を軽減すること
ができる。According to the present embodiment, the control unit 31
1, and the control unit 311 controls the air valve 307,
Since so as to automatically control the 309 opening and closing of the, O 2
Switching between the concentration detection period and the non-detection period can be promptly dealt with, and the burden on the operator can be reduced.
【００５１】図２は、本発明に係る固体製造装置の第２
の実施の形態の構成を示す側面図である。図には、本発
明をロードロック式縦型拡散装置に適用した場合の構成
の一例を代表として示す。FIG. 2 shows a second embodiment of the solid manufacturing apparatus according to the present invention.
It is a side view which shows the structure of 1st Embodiment. In the figure, an example of the configuration when the present invention is applied to a load-lock type vertical diffusion device is shown as a representative.
【００５２】図示のロードロック式縦型拡散装置４００
は、基板の拡散処理に使用される反応容器４０１と、こ
の反応容器４０１の内部が大気に触れるのを防止するた
めのロードロック容器４０２と、反応容器４０１の基板
出し入れ口を閉じるためのゲートバルブ４０３と、ロー
ドロック容器４０２の基板出し入れ口を閉じるためのゲ
ートバルブ４０４と、ロードロック容器４０２にＮ2 ガ
スを導くための給気配管４０５と、ロードロック容器４
０２に含まれる雰囲気を排出するための排気配管４０６
とを有する。The illustrated load-lock type vertical diffusion device 400
Are a reaction vessel 401 used for diffusion processing of a substrate, a load lock vessel 402 for preventing the inside of the reaction vessel 401 from being exposed to the atmosphere, and a gate valve for closing a substrate entrance of the reaction vessel 401. 403, a gate valve 404 for closing a substrate entrance of the load lock container 402, an air supply pipe 405 for introducing N 2 gas to the load lock container 402, and a load lock container 4
Exhaust pipe 406 for exhausting the atmosphere contained in 02
And
【００５３】また、図示のロードロック式縦型拡散装置
４００は、ロードロック容器４０２のＯ2 濃度を検出す
るためのＯ2 濃度検出器４０７と、このＯ2 濃度検出器
４０７に反応容器４０２に含まれる雰囲気を導くための
濃度検出配管４０８と、この濃度検出配管４０８を介し
て反応容器４０１からその雰囲気を吸引するための吸引
ポンプ４０９と、濃度検出配管４０８を遮断するための
ハンドバルブ４１０と、濃度検出配管４０８を遮断する
ためのエアバルブ４１１とを有する。The illustrated load-lock type vertical diffusion device 400 includes an O 2 concentration detector 407 for detecting the O 2 concentration of the load lock container 402, and the O 2 concentration detector 407 is connected to the reaction container 402. A concentration detection pipe 408 for guiding the contained atmosphere, a suction pump 409 for sucking the atmosphere from the reaction vessel 401 through the concentration detection pipe 408, and a hand valve 410 for shutting off the concentration detection pipe 408; And an air valve 411 for shutting off the concentration detection pipe 408.
【００５４】また、図示のロードロック式縦型拡散装置
４００は、Ｏ2 濃度検出器４０３にＮ2 ガスを導くため
のＮ2 ガス導入配管４１２と、このＮ2 ガス導入配管４
１２を遮断するためのエアバルブ４１３と、このＮ2 ガ
ス導入配管４１２を流れるＮ2 ガスの流量を検出する流
量計４１４とを有する。The illustrated load-lock type vertical diffusion device 400 includes an N 2 gas introduction pipe 412 for introducing N 2 gas to the O 2 concentration detector 403, and the N 2 gas introduction pipe 4.
An air valve 413 for shutting off the N 2 gas 12 and a flow meter 414 for detecting the flow rate of the N 2 gas flowing through the N 2 gas introduction pipe 412 are provided.
【００５５】また、図示のロードロック式縦型拡散装置
４００は、エアバルブ４１１，４１３の開閉を自動的に
制御するための制御部４１５有する。この場合、エアバ
ルブ４１１，４１３は、連動して制御されるようになっ
ている。The illustrated load-lock type vertical diffusion device 400 has a control unit 415 for automatically controlling the opening and closing of the air valves 411 and 413. In this case, the air valves 411 and 413 are controlled in conjunction with each other.
【００５６】上記Ｏ2 濃度検出器４０７と上記吸引ポン
プ４０９とは、Ｏ2 濃度計を構成する。Ｏ2 濃度検出器
４０７は、吸引ポンプ４０９の上流側に配置されてい
る。上記ハンドバルブ４１０は、Ｏ2 濃度検出器４０７
と吸引ポンプ４０９との間に配置されている。上記のエ
アバルブ４１１は、Ｏ2 濃度検出器４０７の上流側に配
置されている。The O 2 concentration detector 407 and the suction pump 409 constitute an O 2 concentration meter. The O 2 concentration detector 407 is arranged on the upstream side of the suction pump 409. The hand valve 410 has an O 2 concentration detector 407.
And a suction pump 409. The air valve 411 is disposed upstream of the O 2 concentration detector 407.
【００５７】上記Ｎ2 ガス導入配管４１２は、濃度検出
配管４０８に接続されている。この場合、接続位置は、
Ｏ2 濃度検出器４０７とエアバルブ４１１との間に設定
されている。上記エアバルブ４１３は上記流量計４１４
の下流側に配置されている。The N 2 gas introduction pipe 412 is connected to a concentration detection pipe 408. In this case, the connection position is
It is set between the O 2 concentration detector 407 and the air valve 411. The air valve 413 is connected to the flow meter 414
Is located downstream of.
【００５８】上記構成において、基板の拡散処理を行う
ための動作を説明する。An operation for diffusing the substrate in the above configuration will be described.
【００５９】拡散処理を実行する前は、エアバルブ４１
１が閉状態に設定され、エアバルブ４１３が開状態に設
定されている。これにより、この場合は、Ｎ2 ガス導入
配管４１２を介してＯ2 濃度検出器４０７にＮ2 ガスが
供給される。Before performing the diffusion process, the air valve 41 is used.
1 is set to a closed state, and the air valve 413 is set to an open state. Thereby, in this case, the N 2 gas is supplied to the O 2 concentration detector 407 via the N 2 gas introduction pipe 412.
【００６０】この状態で、拡散処理を実行する場合は、
まず、基板をロードロック容器４０２に搬入する処理が
実行される。この搬入処理が終了すると、ロードロック
容器４０２に入った大気を排気配管４０６を介して排出
する処理が実行される。この真空排気処理が終了する
と、ロードロック容器４０２に給気配管４０５を介して
Ｎ2 ガスを供給する処理が実行される。これにより、ロ
ードロック容器４０２の雰囲気がＮ2 ガスにより置換さ
れる。In this state, when performing the diffusion process,
First, a process of loading a substrate into the load lock container 402 is performed. When the loading process is completed, a process of discharging the atmosphere entering the load lock container 402 through the exhaust pipe 406 is executed. When the evacuation process ends, a process of supplying N 2 gas to the load lock container 402 via the air supply pipe 405 is executed. Thus, the atmosphere of the load lock container 402 is replaced with the N 2 gas.
【００６１】この置換処理が終了すると、ロードロック
容器４０２に含まれるＯ2 ガスの濃度を検出する処理が
実行される。この処理は、エアバルブ４１１を開状態に
設定し、エアバルブ４１３を閉状態に設定することによ
り行われる。When the replacement process is completed, a process for detecting the concentration of the O 2 gas contained in the load lock container 402 is executed. This process is performed by setting the air valve 411 to the open state and setting the air valve 413 to the closed state.
【００６２】この検出処理が終了すると、検出されたＯ
2 濃度が予め定めた閾値より大きいか否かを判定する処
理が実行される。この判定処理により、検出されたＯ2
濃度が予め定めた閾値より大きいと判定された場合は、
警報を発生するとともに、装置の運転を停止する処理が
実行される。これにより、この場合は、作業者により、
装置の点検が行われる。When this detection processing is completed, the detected O
(2) A process of determining whether or not the density is greater than a predetermined threshold is executed. By this determination processing, the detected O 2
If the concentration is determined to be greater than the predetermined threshold,
A process for generating an alarm and stopping the operation of the device is executed. Thereby, in this case, by the worker,
The equipment is checked.
【００６３】これに対し、検出されたＯ2 濃度が予め定
めた閾値より小さいと判定された場合は、エアバルブ４
１１が閉状態に設定され、エアバルブ４１１が開状態に
設定される。これにより、この場合は、Ｏ2 検出器４０
７にＮ2 ガスが供給される。また、この場合、基板をロ
ードロック容器４０２から反応容器４０１に搬送する処
理が実行される。On the other hand, if it is determined that the detected O 2 concentration is smaller than the predetermined threshold, the air valve 4
11 is set to a closed state, and the air valve 411 is set to an open state. Thereby, in this case, the O 2 detector 40
7 is supplied with N 2 gas. In this case, a process of transporting the substrate from the load lock container 402 to the reaction container 401 is performed.
【００６４】この搬送処理が終了すると、基板の拡散処
理が実行される。この拡散処理が終了すると、基板を反
応容器４０１からロードロック容器４０２に搬送する処
理が実行される。この搬送処理が終了すると、基板をロ
ードロック容器４０２から搬出する処理が実行される。
この搬出処理が終了すると、次の基板に対し、再び、上
述した処理が実行される。When the transfer processing is completed, a substrate diffusion processing is performed. When this diffusion process ends, a process of transporting the substrate from the reaction container 401 to the load lock container 402 is executed. When the transfer process is completed, a process of unloading the substrate from the load lock container 402 is performed.
When the unloading process is completed, the above-described process is performed again on the next substrate.
【００６５】以上詳述した本実施の形態によれば、反応
容器４０１のＯ2 濃度を検出しない場合は、Ｏ2 濃度検
出器５０６にＮ2 ガスを供給するようにしたので、Ｏ2
濃度の検出処理を開始する前に、濃度検出配管４０８に
存在するＯ2 ガスやこの配管４０８の内壁に付着してい
るＯ2 分子を排出することができる。これにより、反応
容器４０１のＯ2 濃度の検出に要する時間を短縮するこ
とができる。According to the present embodiment [0065] in detail above, it does not detect the O 2 concentration in the reaction vessel 401, since the to supply N 2 gas into O 2 concentration detector 506, O 2
Before starting the concentration detection process, O 2 gas existing in the concentration detection pipe 408 and O 2 molecules attached to the inner wall of the pipe 408 can be discharged. Thus, the time required for detecting the O 2 concentration in the reaction vessel 401 can be reduced.
【００６６】また、本実施の形態によれば、制御部４１
５を設け、この制御部４１５により、エアバルブ４１
１，４１３の開閉を自動的に制御するようにしたので、
Ｏ2 濃度の検出期間と非検出期間との切替えに迅速に対
処することができるとともに、作業者の負担を軽減する
ことができる。According to the present embodiment, the control unit 41
5 is provided, and the air valve 41 is
Because the opening and closing of 1,413 is automatically controlled,
The switching between the O 2 concentration detection period and the non-detection period can be promptly dealt with, and the burden on the operator can be reduced.
【００６７】以上、本発明の２つの実施の形態を詳細に
説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限
定されるものではない。Although the two embodiments of the present invention have been described in detail, the present invention is not limited to the above-described embodiments.
【００６８】例えば、先の実施の形態では、不活性ガス
として、Ｎ2 ガスを用いる場合を説明した。しかしなが
ら、本発明は、Ｎ2 ガス以外の不活性ガスを用いるよう
にしてもよい。For example, in the above embodiment, the case where N 2 gas is used as the inert gas has been described. However, in the present invention, an inert gas other than the N 2 gas may be used.
【００６９】また、先の実施の形態では、本発明をＨ2
アニール装置やロードロック式縦型拡散装置に適用する
場合を説明した。しかしながら、本発明は、これら以外
の固体製造装置にも適用することができる。例えば、本
発明は、基板を酸化する酸化装置や基板に薄膜を形成す
るＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置等の成膜装置にも適用することができ
る。[0069] In the previous embodiments, the present invention H 2
The case where the present invention is applied to an annealing device or a load-lock type vertical diffusion device has been described. However, the present invention can be applied to other solid-state manufacturing apparatuses. For example, the present invention provides an oxidation apparatus for oxidizing a substrate and a CVD (Chemical Vapor Depos) for forming a thin film on a substrate.
It can also be applied to a film forming apparatus such as an ition apparatus.
【００７０】また、先の実施の形態では、本発明を、Ｏ
2 ガスの濃度を検出する機能を有する固体製造装置に適
用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、Ｏ2
ガス以外の元素ガスの濃度を検出する機能を有する固体
製造装置一般に適用することができる。In the above embodiment, the present invention
The case where the present invention is applied to a solid manufacturing apparatus having a function of detecting the concentration of two gases has been described. However, the present invention relates to O 2
The present invention can be applied to a general solid manufacturing apparatus having a function of detecting the concentration of an element gas other than a gas.
【００７１】このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱
しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論であ
る。In addition, it goes without saying that the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.
【００７２】[0072]
【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載の固体
製造装置によれば、固体装置の製造に使用される容器に
含まれる所望の元素ガスを検出しない場合は、濃度計に
不活性ガスを供給することができるようにしたので、濃
度計の内部リークによる誤動作の発生を防止することが
できるとともに、所望の元素ガスの濃度の検出に要する
時間を短縮することができる。As described above in detail, according to the solid-state manufacturing apparatus of the first aspect, when the desired element gas contained in the container used for manufacturing the solid-state device is not detected, the concentration meter becomes inactive. Since the gas can be supplied, it is possible to prevent a malfunction due to an internal leak of the densitometer, and to shorten a time required for detecting a concentration of a desired element gas.
【００７３】また、請求項２記載の固体製造装置によれ
ば、第１，第２の遮断弁の開閉を自動的に切り替えるよ
うにしたので、所望の元素ガスの濃度の検出期間と非検
出期間との切替えに迅速に対処することができるととも
に、作業者の負担を軽減することができる。According to the second aspect of the present invention, since the opening and closing of the first and second shut-off valves are automatically switched, the detection period and the non-detection period of the concentration of the desired element gas are determined. Can be promptly dealt with, and the burden on the operator can be reduced.
【図１】本発明に係る固体製造装置の第１の実施の形態
の構成を示す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a configuration of a first embodiment of a solid state manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る固体製造装置の第２の実施の形態
の構成を示す側面図である。FIG. 2 is a side view illustrating a configuration of a second embodiment of the solid state manufacturing apparatus according to the present invention.
【図３】従来の固体製造装置の第１の例の構成を示す側
面図である。FIG. 3 is a side view showing a configuration of a first example of a conventional solid manufacturing apparatus.
【図４】従来の固体製造装置の第２の例の構成を示す側
面図である。FIG. 4 is a side view showing a configuration of a second example of the conventional solid manufacturing apparatus.
【図５】吸引式のＯ2 濃度計の構成を示す側面図であ
る。FIG. 5 is a side view showing a configuration of a suction type O 2 concentration meter.
３００…Ｈ2 アニール装置、３０１，４０１…反応容
器、３０２…給気ノズル、３０３，４０６…排気配管、
３０４，４０９…ハンドバルブ、３０５…Ｏ2 濃度計、
３０６，４０８…濃度検出配管、３０７，３０９，４１
１，４１３…エアバルブ、３０８，４１２…Ｎ2 ガス導
入配管、３１０…排気希釈配管、３１１，４１５…制御
部、４００…ロードロック式縦型拡散装置、４０２…ロ
ードロック容器、４０３，４０４…ゲートバルブ、４０
５…給気配管、４０７…Ｏ2 濃度検出器、４０９…吸引
ポンプ、４１４…流量計。300: H 2 annealing apparatus, 301, 401: reaction vessel, 302: air supply nozzle, 303, 406: exhaust pipe,
304, 409: hand valve, 305: O 2 concentration meter,
306, 408 ... concentration detection piping, 307, 309, 41
1,413: air valve, 308, 412: N 2 gas introduction pipe, 310: exhaust dilution pipe, 311, 415: control unit, 400: load lock type vertical diffusion device, 402: load lock container, 403, 404: gate Valve, 40
5 ... air supply pipe, 407 ... O 2 concentration detector, 409 ... suction pump, 414 ... flow meter.
Claims (2)
れる所望の元素ガスの濃度を検出するための濃度計と、 この濃度計に前記容器に含まれる雰囲気を導くための第
１の配管と、 この第１の配管を遮断するための第１の遮断弁と、 前記第１の配管に対し、前記第１の遮断弁と前記濃度計
との間で接続され、前記濃度計に不活性ガスを導くため
の第２の配管と、 この第２の配管を遮断するための第２の遮断弁とを備え
たことを特徴とする固体製造装置。1. A concentration meter for detecting a concentration of a desired element gas contained in a container used for manufacturing a solid-state device, and a first pipe for introducing an atmosphere contained in the container to the concentration meter. A first shut-off valve for shutting off the first pipe; and a first pipe connected between the first shut-off valve and the densitometer with respect to the first pipe, and inactive with the densitometer. A solid manufacturing apparatus comprising: a second pipe for introducing gas; and a second shutoff valve for shutting off the second pipe.
の濃度を検出する場合は、前記第１の遮断弁が開状態と
なり、前記第２の遮断弁が閉状態となるように、検出し
ない場合は、前記第１の遮断弁を閉状態となり、前記第
２の遮断弁を開状態となるように、前記第１，第２の遮
断弁の開閉を制御する制御手段をさらに備えたことを特
徴とする請求項１記載の固体製造装置。2. When detecting the concentration of the desired element gas contained in the container, the detection is not performed so that the first shutoff valve is opened and the second shutoff valve is closed. In this case, the apparatus further comprises control means for controlling opening and closing of the first and second shut-off valves so that the first shut-off valve is closed and the second shut-off valve is open. The solid manufacturing apparatus according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12851197A JPH10321636A (en) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | Solid manufacture device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP12851197A JPH10321636A (en) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | Solid manufacture device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321636A true JPH10321636A (en) | 1998-12-04 |
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ID=14986560
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP12851197A Pending JPH10321636A (en) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | Solid manufacture device |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH10321636A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190267262A1 (en) * | 2018-02-28 | 2019-08-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light irradiation type heat treatment apparatus and heat treatment method |
| JP2020030080A (en) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and ambient air leakage position identification method in substrate processing apparatus |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP12851197A patent/JPH10321636A/en active Pending
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| CN110854038A (en) * | 2018-08-21 | 2020-02-28 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus and method for determining external air leakage position in the apparatus |
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