JPH10320861A - Semiconductor laser control circuit for magneto-optical disk device - Google Patents

Semiconductor laser control circuit for magneto-optical disk device

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Publication number
JPH10320861A
JPH10320861A JP12990497A JP12990497A JPH10320861A JP H10320861 A JPH10320861 A JP H10320861A JP 12990497 A JP12990497 A JP 12990497A JP 12990497 A JP12990497 A JP 12990497A JP H10320861 A JPH10320861 A JP H10320861A
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JP
Japan
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current
semiconductor laser
pulse
frequency
magneto
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP12990497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Nakano
淳一 中野
Nobuhide Matsubayashi
宣秀 松林
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH10320861A publication Critical patent/JPH10320861A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent shortening of a life of a semiconductor laser by preventing a pulse driving current from lowering more than necessary and diminishing a current swing amt. during a pulse driving time and to improve a jitter characteristic by simplifying a driving circuit and shortening a rising/falling time. SOLUTION: This semiconductor laser control circuit for a magnetooptical disk device is constituted by utilizing a pulse reproducing method of making pulsewise light emission of the semiconductor laser 3 in such a way that a high frequency with an amplitude IMDD is superimposed by a high frequency superimposing circuit 2 over pulse currents of a setting current IPH of a laser driving current exceeding a light emitting threshold ITH from a semiconductor laser driver part 1 and a setting current IPL which does not exceed the ITH, and a setting current IPL at the time of pulse suspension is set to be IPL>IMDD/2 and IPL<(ITH-IMDD/2), and a lower part of a peak value of the high frequency superimposed setting current IPH is repeatedly lower than the light emitting threshold ITH.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクか
ら光学的に情報を記録・再生する光ディスク装置に係
り、特に光磁気ディスクに照射するビーム光を制御する
半導体レーザ制御装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical disk apparatus for optically recording / reproducing information from a magneto-optical disk, and more particularly to a semiconductor laser control apparatus for controlling a light beam applied to a magneto-optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光磁気ディスクの記録容量をより
一層、大容量化(高密度化)するために、新たな技術と
して磁気超解像(MSR:Magnetically-induced Super
Resolution )と称される技術が広く検討されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to further increase the recording capacity of a magneto-optical disk (to increase the density), a new technique called magnetically-induced super-resolution (MSR) has been proposed.
Resolution) has been widely studied.

【0003】この磁気超解像技術には、複数のタイプが
あるが、共に、照射されたビーム光の中心付近の高温部
分と周辺の低温部分との差を利用しており、任意の領域
をマスク領域とし、それ以外の他方を再生領域として、
記録層に記録されているマークの一部分だけを再生領域
に転写し、その部分を信号再生することによって、見か
け上ビームが小さくなったのと同じ効果を得ようとする
ものである。 この磁気超解像技術について詳しくは、
「次世代光ディスク技術」(米澤成二監修、トリケップ
スの第6章.1995年7月24日発行)等に記載され
ている。
[0003] There are a plurality of types of magnetic super-resolution techniques. All of them utilize a difference between a high-temperature portion near the center of an irradiated beam light and a low-temperature portion around the same, and an arbitrary region can be used. As a mask area, and the other as a reproduction area,
By transferring only a part of the mark recorded on the recording layer to the reproduction area and reproducing the signal from the part, it is possible to obtain the same effect as the apparent decrease of the beam. For more information on this magnetic super-resolution technology,
It is described in "Next-generation optical disk technology" (supervised by Seiji Yonezawa, Chapter 6 of Trikeps. Published on July 24, 1995).

【0004】このような磁気超解像技術による光磁気デ
ィスクの再生方法としては、例えば、特開平7−292
38号公報や特開平7−161091号公報に、再生用
のレーザ光をパルス状に照射することにより、光磁気デ
ィスク上での温度分布をより急峻なものにして、より小
さなマークの検出を可能とする方法が開示されている。
以下、この再生方法をパルス再生方法と称する。
A method for reproducing a magneto-optical disk using such a magnetic super-resolution technique is disclosed in, for example, JP-A-7-292.
No. 38 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-161091 show that a laser beam for reproduction is radiated in a pulse shape to make the temperature distribution on the magneto-optical disk steeper and detect smaller marks. Is disclosed.
Hereinafter, this reproducing method is referred to as a pulse reproducing method.

【0005】通常、光磁気ディスクの再生に使用する半
導体レーザは、DC電流で駆動すると、図5に示すよう
なシングルモードで発振し、モードホップによりレーザ
ノイズが発生してしまう。これを防止するために、一般
的には、光磁気ディスク装置では、駆動電流に数100
MHzの高周波電流を重畳(高周波重畳)し、高速で半
導体レーザをオン・オフすることにより、図6に示すよ
うなマルチモードで発振させて使用している。この高周
波重畳に関しては、例えば、特開昭56−37834号
公報等に詳しく記載されており、ここでの説明は省略す
る。
Normally, when a semiconductor laser used for reproducing a magneto-optical disk is driven by a DC current, it oscillates in a single mode as shown in FIG. 5, and laser noise occurs due to mode hopping. In order to prevent this, in general, in a magneto-optical disk drive, several hundreds
A high frequency current of MHz is superimposed (high frequency superposition), and the semiconductor laser is turned on / off at high speed, so that the semiconductor laser is oscillated in a multi-mode as shown in FIG. This high-frequency superposition is described in detail in, for example, JP-A-56-37834, and the description thereof is omitted here.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前述した特開平7−2
9238号公報に記載されるように、半導体レーザをパ
ルス的に発光させたレーザ光を照射し、そのレーザ光か
らパルス再生を行う場合であっても、レーザノイズの低
減のためには、高周波重畳を合わせて行う必要がある。
SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned Japanese Patent Laid-Open Publication No. 7-2
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9238, even when a semiconductor laser is irradiated with a pulsed laser beam and pulse reproduction is performed from the laser beam, high-frequency superposition is required to reduce laser noise. It is necessary to do together.

【0007】しかし、高周波重畳を行ったままパルス発
光された場合、パルス休止期間中の駆動電流レベルによ
っては、高周波重畳電流が上乗せされたことにより、実
際はパルス休止期間中であっても半導体レーザが発光し
てしまい、パルス再生方法本来の効果が得られなくなる
可能性がある。
However, when a pulse is emitted with high-frequency superposition performed, the semiconductor laser is actually activated even during the pulse pause because the high-frequency superposition current is added depending on the drive current level during the pulse pause. There is a possibility that the light is emitted and the original effect of the pulse reproducing method cannot be obtained.

【0008】これを回避するには、半導体レーザが誤発
光しないように、パルス休止時の駆動電流を低く設定す
ればよいが、逆に低く設定すると、高周波重畳電流の振
幅が負側に最も振れた時に、電流値が「零」以下となる
場合が発生し、そのため半導体レーザに逆電圧が掛かる
こととなり、その結果、半導体レーザにダメージを与え
て、寿命を短くさせる可能性がある。
To avoid this, the drive current during the pause of the pulse may be set low so that the semiconductor laser does not emit light erroneously. However, if the drive current is set low, the amplitude of the high-frequency superimposed current deviates most to the negative side. In such a case, the current value may become “zero” or less, which causes a reverse voltage to be applied to the semiconductor laser. As a result, the semiconductor laser may be damaged and its life may be shortened.

【0009】また、半導体レーザのパルス発光時の駆動
電流は、所定のリードパワー値以上を得る必要があり、
その値より低くすることはできない。そのため、パルス
休止時の駆動電流の設定が小さすぎると、パルス駆動の
電流スイング量が大きくなり、駆動回路の負担が増大す
る。その増大に対応した駆動回路を設計・製造すると、
コスト増を招く恐れがあり、さらには、立ち上がり/立
ち下がり時間の増加により、ジッタが増大するという可
能性もある。
Further, the drive current at the time of pulse emission of the semiconductor laser needs to obtain a predetermined read power value or more.
It cannot be lower than that value. Therefore, if the setting of the drive current during the pause of the pulse is too small, the current swing amount of the pulse drive increases, and the load on the drive circuit increases. When designing and manufacturing a drive circuit corresponding to the increase,
This may lead to an increase in cost, and further, an increase in rise / fall time may increase jitter.

【0010】このようにパルス再生方法を利用する場合
には、半導体レーザの駆動電流を慎重に設定しないと、
パルス再生方法本来の特性が得られなかったり、半導体
レーザの寿命の短命化を招き、さらには、ジッタの増大
による信頼性の低下、ドライブ回路のコスト増加といっ
たデメリットが生じてしまうという問題がある。
In the case of using the pulse reproducing method as described above, unless the drive current of the semiconductor laser is carefully set,
There are problems that the original characteristics of the pulse reproducing method cannot be obtained, the life of the semiconductor laser is shortened, and further, the reliability is reduced due to an increase in jitter and the cost of the drive circuit is increased.

【0011】そこで本発明は、パルス休止期間中に高周
波重畳電流の振幅最大値が半導体レーザの発光閾値以下
で、パルス休止期間中の発光や逆方向電圧の印加がな
く、半導体レーザの寿命の短命化を防止し、パルス駆動
電流を必要以上に低下せず、パルス駆動時の電流スイン
グ量を小さくして、駆動回路の簡略化、立ち上がり/立
ち下がり時間の短縮によるジッタ特性が改善された光磁
気ディスク装置の半導体レーザ制御回路を提供すること
を目的とする。
Therefore, the present invention provides a semiconductor laser having a maximum amplitude of a high frequency superimposed current which is equal to or less than a light emission threshold of a semiconductor laser during a pulse rest period, does not emit light during a pulse rest period, and does not apply a reverse voltage. Magneto-optical system with improved jitter characteristics by simplifying the drive circuit and shortening the rise / fall time by preventing the current from being reduced, reducing the pulse drive current more than necessary, reducing the amount of current swing during pulse drive An object of the present invention is to provide a semiconductor laser control circuit of a disk device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、再生層と記録層とを有し、半導体レーザか
ら照射されたレーザ光により生じる温度分布を利用し
て、前記記録層に情報として記録されたマークを部分的
に前記再生層に転写し、その再生層からの前記レーザ光
の反射光から情報信号の再生を行う磁気超解像タイプの
光磁気ディスクに対して、情報の再生を行う光磁気ディ
スク装置の半導体レーザ制御回路において、前記半導体
レーザの駆動電流を、発光可能に任意に設定した第1の
電流と、前記第1の電流よりも小さい第2の電流との間
でパルス状に変調するドライバ手段と、前記半導体レー
ザのパルス的発光数に基づく、前記パルスの周波数より
も高い周波数の高周波電流を重畳する高周波重畳手段と
で構成され、前記第2の電流値IPLを、前記半導体レー
ザの発光閾値電流ITH及び、前記高周波電流の振幅I
MOD に対して、IPL<ITH−IMOD /2とする光磁気デ
ィスク装置の半導体レーザ制御回路を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention has a reproducing layer and a recording layer, and utilizes a temperature distribution generated by a laser beam irradiated from a semiconductor laser to form the recording layer. A magnetic super-resolution type magneto-optical disk that partially transfers a mark recorded as information to the reproducing layer and reproduces an information signal from the reflected light of the laser light from the reproducing layer, In the semiconductor laser control circuit of the magneto-optical disk drive for reproducing the data, the drive current of the semiconductor laser is set to a first current arbitrarily set to emit light and a second current smaller than the first current. And a high-frequency superimposing unit configured to superimpose a high-frequency current having a frequency higher than the frequency of the pulse based on the number of pulses emitted by the semiconductor laser. The current value I PL of the light emitting threshold current I TH and the semiconductor laser, the amplitude I of the high frequency current
Against MOD, to provide a semiconductor laser control circuit of the magneto-optical disk apparatus according to I PL <I TH -I MOD / 2.

【0013】さらに光磁気ディスク装置の半導体レーザ
制御回路において、前記第2の電流値IPLを、前記高周
波電流の振幅IMOD に対して、IPL>IMOD /2とす
る。以上のような構成の光磁気ディスク装置の半導体レ
ーザ制御回路は、パルスの休止期間中、高周波重畳電流
がその振幅の最大値となっても半導体レーザの駆動電流
が発光閾値以下となり、パルス休止期間中に半導体レー
ザの発光は防止され、パルス再生の効果が得られる。ま
た、パルスの休止期間中、高周波重畳電流がその振幅の
最小値(マイナス側最大値)となっても半導体レーザの
駆動電流は零以上となり、パルス休止期間中に半導体レ
ーザに逆方向電圧は印加しない。パルス駆動電流が所定
以上に低下せず、パルス駆動時の電流スイング量が小さ
くなり、駆動回路に対する負荷が低減され、立ち上がり
/立ち下がり時間が短縮され、ジッタ特性が改善され
る。
Further, in the semiconductor laser control circuit of the magneto-optical disk drive, the second current value I PL is set to be I PL > I MOD / 2 with respect to the amplitude I MOD of the high-frequency current. The semiconductor laser control circuit of the magneto-optical disk drive having the above-described configuration is configured such that the drive current of the semiconductor laser becomes equal to or less than the light emission threshold even if the high-frequency superimposed current has the maximum value of the amplitude during the pause of the pulse. During this time, the emission of the semiconductor laser is prevented, and the effect of pulse reproduction can be obtained. Also, even if the high-frequency superimposed current has the minimum value (maximum value on the minus side) during the pause of the pulse, the drive current of the semiconductor laser becomes zero or more, and the reverse voltage is applied to the semiconductor laser during the pause of the pulse. do not do. The pulse drive current does not decrease to a predetermined value or more, the amount of current swing during pulse drive is reduced, the load on the drive circuit is reduced, the rise / fall time is shortened, and the jitter characteristics are improved.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。図1には本発明による
半導体レーザ制御回路の第1の実施形態の概略的な構成
を示し説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a first embodiment of a semiconductor laser control circuit according to the present invention, and will be described.

【0015】この半導体レーザ制御回路は、大別する
と、半導体レーザドライバ部1と、高周波重畳回路2
と、半導体レーザ3とで構成される。この半導体レーザ
3の駆動電流は、半導体レーザドライバ部1の出力電流
iaと、高周波重畳回路2の出力電流ibとの和になる。前
記半導体レーザドライバ部1は、半導体レーザ3のパル
ス発光期間中の駆動電流を供給する電流源4と、半導体
レーザ3のパルス休止期間(発光していない期間)中の
駆動電流を設定する電流源5と、これらの電流源4若し
くは電流源5のいずれかの出力を選択的に出力するスイ
ッチ6とで構成される。これらの電流源4及び電流源5
の出力電流は、装置内部若しくは外部に設けたコントロ
ーラ(CPU等)9から設定可能になっている。半導体
レーザ3の発光期間中の電流供給を行う電流源4の設定
電流IPHは、発光休止期間中の電流源5の設定電流IPL
よりも大きくなる。
The semiconductor laser control circuit is roughly divided into a semiconductor laser driver 1 and a high-frequency superimposing circuit 2.
And a semiconductor laser 3. The driving current of the semiconductor laser 3 is the output current of the semiconductor laser driver 1.
ia and the output current ib of the high frequency superimposing circuit 2. The semiconductor laser driver unit 1 includes a current source 4 for supplying a drive current during a pulse emission period of the semiconductor laser 3 and a current source for setting a drive current during a pulse pause period (non-emission period) of the semiconductor laser 3. 5 and a switch 6 for selectively outputting the output of either the current source 4 or the current source 5. These current sources 4 and 5
Can be set by a controller (CPU or the like) 9 provided inside or outside the apparatus. The set current I PH of the current source 4 for supplying current during the light emission period of the semiconductor laser 3 is the set current I PL of the current source 5 during the light emission stop period.
Larger than.

【0016】また、スイッチ6は、パルス源からの選択
指示信号LDSWにより、どちらの電流源からの電流を
出力するかを選択する。このLDSW信号で切り換える
ことにより、半導体レーザ3の駆動電流をパルス状に変
調でき、半導体レーザの出力値も変調することができ
る。尚、パルスの周波数は、40〜50MHz程度であ
るとする。
The switch 6 selects which current source outputs the current in accordance with the selection instruction signal LDSW from the pulse source. By switching with the LDSW signal, the drive current of the semiconductor laser 3 can be modulated in a pulse shape, and the output value of the semiconductor laser 3 can also be modulated. It is assumed that the pulse frequency is about 40 to 50 MHz.

【0017】前記高周波重畳回路2は、発振器7と、A
C結合のためのコンデンサ8とから構成される。コンデ
ンサ8によって、高周波重畳電流のDC成分は、カット
されるため、高周波重畳回路2から半導体レーザ3へ供
給する電流は、「零」を中心に正負対称に変調されたも
のとなる。
The high-frequency superimposing circuit 2 includes an oscillator 7 and A
And a capacitor 8 for C-coupling. Since the DC component of the high frequency superimposed current is cut by the capacitor 8, the current supplied from the high frequency superimposition circuit 2 to the semiconductor laser 3 is modulated in a positive / negative symmetry centering on “zero”.

【0018】このような電流を半導体レーザドライバ部
1から半導体レーザ3への電流に重畳して高速で半導体
レーザ3をオン・オフすることにより、発光状態はマル
チモードに保たれるようになり、通常は、周波数とし
て、300〜500MHz程度が選ばれる。但し、周波
数が低すぎると半導体レーザ3が連続してオンとなる時
間が長くなるため、発光がシングルモードになる場合が
ある。従って、周波数の下限は、シングルモードになら
ない範囲で、使用する半導体レーザの個々の特性に基づ
いて決定する。
By superimposing such a current on the current from the semiconductor laser driver 1 to the semiconductor laser 3 to turn on and off the semiconductor laser 3 at high speed, the light emission state is maintained in a multi-mode. Usually, a frequency of about 300 to 500 MHz is selected. However, if the frequency is too low, the time during which the semiconductor laser 3 is continuously turned on becomes long, so that light emission may be in a single mode. Therefore, the lower limit of the frequency is determined based on the individual characteristics of the semiconductor laser to be used within a range that does not cause the single mode.

【0019】ここで、図3に示す高周波重畳電流の振幅
MOD は、半導体レーザ3の発光期間中(半導体レーザ
ドライバ部1から設定電流IPHが出力されている状態)
であっても、 一時的に、 レーザ光をオフ可能にする必要
があるため、重畳電流のボトムで駆動電流が半導体レー
ザ3の発光閾値ITH以下になる振幅(図3に示すA)が
必要となる。なお、この電流振幅IMOD は、コントロー
ラ9から制御することが可能であるものとする。また、
この電流振幅IMOD や設定電流IPH、IPLの設定は、例
えば、コントローラ9で図示しないD/Aコンバータを
制御して行えばよい。
Here, the amplitude I MOD of the high-frequency superimposed current shown in FIG. 3 is determined during the light emission period of the semiconductor laser 3 (a state in which the set current I PH is output from the semiconductor laser driver 1).
However, since it is necessary to temporarily turn off the laser beam, an amplitude (A shown in FIG. 3) at which the driving current is equal to or less than the emission threshold I TH of the semiconductor laser 3 at the bottom of the superimposed current is required. Becomes The current amplitude I MOD can be controlled by the controller 9. Also,
The setting of the current amplitude I MOD and the set currents I PH and I PL may be performed, for example, by controlling a D / A converter (not shown) by the controller 9.

【0020】図2は、このような半導体レーザ制御回路
を含む光磁気ディスク装置の構成の概略を示すものであ
る。ここで、コリメータレンズやビームスプリッタ、波
長板など本発明の要旨とならない一部は、図示を省略し
ている。
FIG. 2 schematically shows the configuration of a magneto-optical disk drive including such a semiconductor laser control circuit. Here, some parts that are not the gist of the present invention, such as a collimator lens, a beam splitter, and a wave plate, are omitted from the drawing.

【0021】前記半導体レーザ3は、半導体レーザドラ
イバ部1や高周波重畳回路2とともに、光学系10に組
み込まれる。さらに光学系10には、半導体レーザ3が
出射したレーザ光の一部若しくは、光磁気ディスク15
からの反射ビームをそれぞれ対向する方向に反射するビ
ームスプリッタ11と、反射されたレーザ光により出力
パワーをモニタするためのモニタ用フォトディテクタ
(MPD)18と、反射された光磁気ディスク15の反
射ビームから信号検出を行うフォトディテクタ17とが
組み込まれている。
The semiconductor laser 3 is incorporated in the optical system 10 together with the semiconductor laser driver 1 and the high frequency superimposing circuit 2. Further, the optical system 10 includes a part of the laser light emitted from the semiconductor laser 3 or the magneto-optical disk 15.
A beam splitter 11 for reflecting the reflected beams from the optical disc in opposite directions, a monitoring photodetector (MPD) 18 for monitoring the output power by the reflected laser light, and a reflected beam from the magneto-optical disk 15. A photodetector 17 for detecting a signal is incorporated.

【0022】そして半導体レーザ3から出射されビーム
スプリッタ11を透過した光は、移動可能なキャリッジ
13へ導入される。このキャリッジ13は、対物レンズ
14と反射ミラー12とを含み、半導体レーザ3からの
レーザ光を反射ミラー12で反射して、対物レンズ14
で集光し、光磁気ディスク15に出射する。
The light emitted from the semiconductor laser 3 and transmitted through the beam splitter 11 is introduced into a movable carriage 13. The carriage 13 includes an objective lens 14 and a reflection mirror 12, and reflects laser light from the semiconductor laser 3 on the reflection mirror 12, and
And is emitted to the magneto-optical disk 15.

【0023】本実施形態において、光磁気ディスク15
は、磁気超解像(MSR)タイプとする。なお、光磁気
ディスク15は、スピンドルモータ16により、所定の
回転数で回転される。
In this embodiment, the magneto-optical disk 15
Is a magnetic super-resolution (MSR) type. The magneto-optical disk 15 is rotated at a predetermined rotation speed by a spindle motor 16.

【0024】この光磁気ディスク15で反射されたビー
ムは、再び反射ミラー12で反射され、ビームスプリッ
タ11を介して、フォトディテクタ17に入射する。前
記フォトディテクタ17の出力信号から光磁気ディスク
15上に形成されたマークを読み取り、情報信号の再生
が行われる。なお、光学系の構成や信号再生の方法など
の詳細については一般的な方法をとるものとし、本発明
の要旨とは直接関係しないため、ここでの説明は省略す
る。
The beam reflected by the magneto-optical disk 15 is reflected again by the reflection mirror 12 and enters the photodetector 17 via the beam splitter 11. A mark formed on the magneto-optical disk 15 is read from an output signal of the photodetector 17, and an information signal is reproduced. The details of the configuration of the optical system, the method of signal reproduction, and the like are assumed to be general methods, and are not directly related to the gist of the present invention.

【0025】図3を参照して、半導体レーザ制御回路の
動作について説明する。図3(a)に示す半導体レーザ
ドライバ部1から出力される半導体レーザドライバ出力
信号は、設定電流IPHと設定電流IPLとの間を交互に変
化するパルス電流である。ここで、この設定電流I
PHは、半導体レーザの発光期間の駆動電流であるから、
発光閾値ITHを越える所定のリードパワーを得るのに必
要な値が選ばれる。
The operation of the semiconductor laser control circuit will be described with reference to FIG. The semiconductor laser driver output signal output from the semiconductor laser driver 1 shown in FIG. 3A is a pulse current that alternates between the set current I PH and the set current I PL . Here, this set current I
Since PH is the drive current during the emission period of the semiconductor laser,
A value necessary to obtain a predetermined read power exceeding the light emission threshold I TH is selected.

【0026】この半導体レーザドライバ出力信号に、図
3(b)に示すような高周波重畳電流を重畳して、同図
(c)に示すような半導体レーザの駆動電流の波形にす
る。ここで、高周波重畳電流の振幅IMOD は、従来行わ
れている連続光による信号再生を行う場合と同様に、駆
動電流に重畳したときに、その最小値が半導体レーザの
発光閾値ITH以下(図3(c)に示すA)となる振幅が
選択される。
A high frequency superimposed current as shown in FIG. 3B is superimposed on the output signal of the semiconductor laser driver to form a drive current waveform of the semiconductor laser as shown in FIG. Here, the amplitude I MOD of the high-frequency superimposed current, when superimposed on the drive current, has a minimum value equal to or less than the light emission threshold I TH of the semiconductor laser, as in the case of performing signal reproduction using continuous light in the related art. The amplitude A) shown in FIG. 3C is selected.

【0027】従って、(IPH−IMOD /2)<ITHとな
る。一方、パルス休止期間中のレーザ駆動電流となる設
定電流IPLは、半導体レーザ3が発光しない範囲で自由
に選ぶことができ、最も簡単な方法は、設定電流IPL
「零」としてしまうことである。
Therefore, (I PH -I MOD / 2) <I TH . On the other hand, the set current I PL serving as the laser drive current during the pulse pause period can be freely selected within a range where the semiconductor laser 3 does not emit light. The simplest method is to set the set current I PL to “zero”. It is.

【0028】しかし、高周波重畳動作のオン・オフを高
速で行うのは非常に難しいため、電流(IPL)を「零」
とした期間にも、高周波重畳による振幅動作が引き続き
行われ、断続的に半導体レーザ3の駆動電流がマイナス
になってしまう。実際には、半導体レーザ3がダイオー
ド特性を持つために逆電流は流れないが、逆電圧が一時
的に印加されることになり、半導体レーザにダメージを
与える場合がある。
However, it is very difficult to turn on / off the high frequency superimposing operation at high speed, so that the current (I PL ) is set to “zero”.
Also during the period, the amplitude operation by the high frequency superimposition is continuously performed, and the driving current of the semiconductor laser 3 becomes intermittently negative. Actually, a reverse current does not flow because the semiconductor laser 3 has a diode characteristic, but a reverse voltage is temporarily applied, which may damage the semiconductor laser.

【0029】また、このような場合、半導体レーザの発
光期間には、「零」から設定電流IPHまで電流をスイン
グさせなければならず、半導体レーザドライバ部1の負
担が大きくなるという問題もある。
In such a case, during the emission period of the semiconductor laser, the current must swing from "zero" to the set current I PH, which causes a problem that the load on the semiconductor laser driver unit 1 increases. .

【0030】そこで、この問題を回避するため、本実施
形態では、パルス休止期間中のレーザ駆動電流IPLを、
(IPL−IMOD /2)>0、すなわちIPL>IMOD /2
となるように設定する。この様な設定により、従来の連
続光による信号再生と同じように、リード動作中は常
時、高周波重畳動作を継続状態にしておくことが可能と
なる。
Therefore, in order to avoid this problem, in the present embodiment, the laser drive current I PL during the pulse rest period is
(I PL −I MOD / 2)> 0, that is, I PL > I MOD / 2
Set so that With such a setting, it becomes possible to keep the high-frequency superimposing operation in a continuous state during the read operation, similarly to the conventional signal reproduction using continuous light.

【0031】但し、逆に設定電流IPLを高く設定しすぎ
ると、設定電流IPHとの間の電流スイング量は小さくな
るものの、パルスの休止期間に半導体レーザの駆動電流
(高周波重畳電流の上側のピーク)が発光閾値ITHを越
え、半導体レーザ3が発光してしまう可能性がある。
However, if the set current I PL is set too high, the amount of current swing between the set current I PL and the set current I PH becomes smaller, but the drive current of the semiconductor laser (upper side of the high frequency superimposed current) during the pause period of the pulse is reduced. May exceed the light emission threshold ITH , and the semiconductor laser 3 may emit light.

【0032】このようにパルス休止期間中に半導体レー
ザ3が発光した場合、パルス照射時の特徴である光磁気
ディ スク15上での急峻な温度分布が得られなくなり、
従来の連続光照射の場合に近づいてしまう。そこで、本
実施例では、さらに設定電流IPLを(IPL+IMOD
2)<ITH、すなわちIPL<(ITH−IMOD /2)なる
ようにする。
As described above, when the semiconductor laser 3 emits light during the pulse rest period, a steep temperature distribution on the magneto-optical disk 15 which is a characteristic at the time of pulse irradiation cannot be obtained.
It approaches the case of conventional continuous light irradiation. Therefore, in this embodiment, the set current I PL is further increased by (I PL + I MOD /
2) <I TH , that is, I PL <(I TH −I MOD / 2).

【0033】これにより、半導体レーザ3の発光波形
は、図3(d)に示すようなLD発光の波形となり、パ
ルス休止期間中に半導体レーザ3が発光することがなく
なり、パルス再生本来の効果を得ることが可能となる。
As a result, the light emission waveform of the semiconductor laser 3 becomes an LD light emission waveform as shown in FIG. 3D, and the semiconductor laser 3 does not emit light during the pulse rest period, and the original effect of pulse reproduction is reduced. It is possible to obtain.

【0034】以上説明したように本実施形態によれば、
パルス休止時のレーザ駆動電流の設定電流IPLをIPL
MOD /2及び、IPL<(ITH−IMOD /2)と設定し
たので、半導体レーザ3に逆電圧が印加されたり、ある
いは必要以上の電流スイングが必要になることがなく、
且つパルス休止期間に半導体レーザ3が発光することが
なくなり、信頼性や動作の安走性が高く、かつコスト増
を抑えた半導体レーザ制御回路を実現できる。
As described above, according to the present embodiment,
The set current I PL of the laser drive current at the time of the pause of the pulse is I PL >
Since I MOD / 2 and I PL <(I TH -I MOD / 2) are set, no reverse voltage is applied to the semiconductor laser 3 or an unnecessary current swing is required.
In addition, the semiconductor laser 3 does not emit light during the pulse pause period, so that a semiconductor laser control circuit with high reliability and high-speed operation and with suppressed increase in cost can be realized.

【0035】次に第2の実施形態の半導体レーザ制御回
路について説明する。前述した第1の実施形態では、あ
る固定されたリードパワー(駆動電流IPH)で使用する
場合について述べたが、磁気超解像タイプの光磁気ディ
スクは、ディスク表面の温度分布により、マスク領域を
形成して信号再生を行うため、リードパワーの変化に対
する再生信号波形の変化が大きい。また、熱によりその
応答が決まるため、同じリードパワーであっても、環境
温度が違えば、再生信号波形は異なったものになってく
る。
Next, a semiconductor laser control circuit according to a second embodiment will be described. In the first embodiment described above, the case of using a fixed read power (drive current I PH ) has been described. However, in the case of the magneto-optical disk of the magnetic super-resolution type, the mask area is controlled by the temperature distribution on the disk surface. Is formed and the signal is reproduced, so that the reproduction signal waveform greatly changes with the read power. Further, since the response is determined by heat, even if the read power is the same, if the environmental temperature is different, the reproduced signal waveform will be different.

【0036】このため、磁気超解像タイプの光磁気ディ
スクは、従来の光磁気ディスクに比べると、リードパワ
ーの制御が重要になり、環境温度等に対して最適なリー
ドパワーに精度良く調整する必要がある。さらには、デ
ィスク装置動作中の温度変化やディスクの内周/外周と
いった位置によってもリードパワーを設定し直す必要が
ある。
For this reason, the control of the read power of the magneto-optical disk of the magnetic super-resolution type is more important than that of the conventional magneto-optical disk, and the read power is accurately adjusted to the optimum read power with respect to the environmental temperature and the like. There is a need. Further, it is necessary to reset the read power depending on the temperature change during the operation of the disk device and the inner / outer circumference of the disk.

【0037】本実施形態では、リードパワーを変化させ
るために、パルス発光期間の半導体レーザ駆動電流の設
定電流IPHを変化させる場合のパルス休止期間の駆動の
ための設定電流IPLについて説明する。なお、本実施形
態の半導体レーザ制御回路の構成は、第1の実施形態と
ほぼ同等の構成でよい。
In the present embodiment, a description will be given of a set current I PL for driving during a pulse pause period when the set current I PH of a semiconductor laser drive current during a pulse emission period is changed in order to change the read power. The configuration of the semiconductor laser control circuit of the present embodiment may be substantially the same as that of the first embodiment.

【0038】図4は、第2の実施形態の動作を説明する
ための波形を示す図である。本実施形態は、前述した第
1の実施形態に加えて、パルス発光期間のレーザ駆動電
流を、IPH1 からIPH2 に変化させてリードパワーの増
加を実現する例である。このとき、単に半導体レーザ部
出力の設定電流をIPH1 からIPH2 に引き上げると、L
D駆動電流の振幅では、パルス発光期間中、閾値ITH
下でなければならない電流最小値が閾値ITHを越えてし
まい、半導体レーザ3がオン状態を維持し、シングルモ
ードとなって、レーザノイズが発生する。
FIG. 4 is a diagram showing waveforms for explaining the operation of the second embodiment. This embodiment, in addition to the first embodiment described above, the laser drive current of the pulse emission period, is an example for realizing the increase in read power was varied from I PH 1 to I PH 2. In this case, simply setting current of the semiconductor laser unit output from the I PH 1 Pulling I PH 2, L
With the amplitude of the D drive current, the minimum value of the current that must be equal to or smaller than the threshold value I TH exceeds the threshold value I TH during the pulse emission period, the semiconductor laser 3 maintains the ON state, becomes single mode, and the laser noise is reduced. Occurs.

【0039】そこで、設定電流IPHとIPLとの間の差を
広げると共に、高周波重畳電流の振幅をIMOD 1 からI
MOD 2 へと増加させ、半導体レーザ3を確実にオン・オ
フさせて、発光状態をマルチモードに保つようにする。
この差を広げるというのは、パルス休止期間の設定電流
PLが元のままであると、振幅を増加した高周波重畳電
流IMOD 2 により、これまで閾値ITHを越えなかったL
D駆動電流(設定電流IPLでの高周波重畳時の電流)の
上側のピーク値が、この閾値ITHを断続的に越えてしま
い、パルス休止期間中であっても半導体レーザ3が発光
してしまうため、設定電流IPH1 からIPH2 に引き上げ
ると共に、設定電流をIPL1 からIPL2に引き下げるこ
とである。
Therefore, while increasing the difference between the set currents I PH and I PL , the amplitude of the high frequency superimposed current is increased from I MOD 1 to I MOD 1.
MOD 2, and the semiconductor laser 3 is reliably turned on / off to maintain the light emitting state in the multi-mode.
The reason for widening this difference is that if the set current I PL during the pulse pause period remains unchanged, the high-frequency superimposed current I MOD 2 whose amplitude has increased causes the L I that has not exceeded the threshold I TH to date.
The upper peak value of the D drive current (current at the time of high-frequency superposition with the set current IPL ) intermittently exceeds the threshold ITH , and the semiconductor laser 3 emits light even during the pulse pause period. since put away, along with pulling the set current I PH 1 to I PH 2, it is to lower the set current I PL 2 from I PL 1.

【0040】このように、リードパワーを増加させるた
めにパルス発光期間のレーザ駆動電流IPHを増加させる
際に、高周波重畳電流の振幅IMOD を増加させ、さらに
パルス休止期間のレーザ駆動電流の設定電流IPLを引き
下げることにより、半導体レーザの発振状態をマルチモ
ードに保ったまま、パルス休止期間に発光することもな
くパワーを変化させることが可能となる。なおリードパ
ワーを下げる場合には、逆に電流振幅IMOD を減少さ
せ、設定電流IPHと設定電流IPLとの差を狭める、すな
わち、設定電流IPHを引き下げ、設定電流IPLを引き上
げればよい。
As described above, when the laser drive current I PH during the pulse emission period is increased to increase the read power, the amplitude I MOD of the high frequency superimposed current is increased, and the laser drive current during the pulse pause period is set. By lowering the current IPL , it is possible to change the power without emitting light during the pulse pause, while maintaining the oscillation state of the semiconductor laser in the multimode. When lowering the read power, conversely, the current amplitude I MOD is reduced and the difference between the set current I PH and the set current I PL is narrowed. That is, the set current I PH is reduced and the set current I PL is increased. I just need.

【0041】本実施例では、リードパワーの増減させる
際に、設定電流IPHを変化させるのに伴って、高周波重
畳振幅IMOD 及び設定電流IPLを共に変化させたが、ど
ちらか一方だけ変化させることで、リードパワーの増減
を行うことも可能である。
In this embodiment, when the read power is increased or decreased, both the high-frequency superimposed amplitude I MOD and the set current I PL are changed together with the change in the set current I PH. By doing so, it is also possible to increase or decrease the read power.

【0042】但し、高周波重畳振幅のみを変化させよう
とした場合、設定電流IPHに対して、良好に動作させる
振幅の可変範囲は限られてしまう。また、高周波重畳振
幅を固定すると、良好に動作させる設定電流IPHの可変
範囲は限られてしまう。
However, if it is intended to change only the high frequency superimposed amplitude, the variable range of the amplitude for satisfactorily operating with respect to the set current IPH is limited. Further, if the high-frequency superimposed amplitude is fixed, the variable range of the set current I PH for satisfactorily operating is limited.

【0043】従って、リードパワーを比較的大きく変化
する場合には、設定電流IPHの変化に合わせて、電流振
幅IMOD も変化させる、若しくは、電流振幅IMOD を変
化させるのに合わせて設定電流IPHも変化させることが
望ましい。また設定電流IPLにおいても、設定電流IPH
との間の電流スイング量をできるだけ小さくする意味
で、これらと合わせて変化させることが望ましい。
[0043] Therefore, in the case of relatively large changes the read power, together with a change set current I PH, current amplitude I MOD is also changed, or set according to change the current amplitude I MOD current It is desirable to also change I PH . Also, at the set current I PL , the set current I PH
In order to minimize the amount of current swing between them, it is desirable to change them together with them.

【0044】また本実施形態では、高周波重畳電流を正
弦波状のものとしたが、これは異なる波形、例えば、矩
形波や三角波であっても良く、パルス発光時に電流の下
限が発光閾値以下となるものであれば、特に波形は限定
されるものではない。若しくは、それらの波形の一部を
クリップしたような波形でも用いることができる。
In the present embodiment, the high-frequency superimposed current has a sinusoidal shape. However, the current may have a different waveform, for example, a rectangular wave or a triangular wave. Waveform is not particularly limited. Alternatively, a waveform obtained by clipping a part of those waveforms can be used.

【0045】但し、正弦波状若しくは、三角波状の電流
波形を重畳すると、電流のピーク値が高くなり、レーザ
出力の最大定格を越えてしまう可能性があるため、その
ような電流を重畳する際には、ピーク値をクリップする
等の処置を施し、最大電流値が低くなるように処置する
ことが望ましい。同様に、矩形波の場合には、そのデュ
ーティー比を大きくすると、最大電流若しくは、電流振
幅を大きくすることなく、レーザノイズ低減の効果が得
られる。
However, if a sine-wave or triangular-wave current waveform is superimposed, the peak value of the current becomes high and may exceed the maximum rating of the laser output. It is desirable to take measures such as clipping the peak value to reduce the maximum current value. Similarly, in the case of a rectangular wave, if the duty ratio is increased, the effect of reducing laser noise can be obtained without increasing the maximum current or the current amplitude.

【0046】以上説明したように各実施形態によれば、
第1に、パルスの休止期間、高周波重畳電流がその振幅
の最大値となっても半導体レーザの駆動電流が発光閾値
以下となるため、パルス休止期間中に半導体レーザが誤
発光することはなく、パルス再生方法本来の効果を得る
ことができる。
As described above, according to each embodiment,
First, even if the pulse pause period, the drive current of the semiconductor laser is equal to or less than the light emission threshold even if the high-frequency superimposed current has the maximum value of the amplitude, the semiconductor laser does not erroneously emit light during the pulse pause period. The original effect of the pulse reproduction method can be obtained.

【0047】第2に、パルスの休止期間中は、高周波重
畳電流がその振幅の最小値(マイナス側最大値)となっ
ても、半導体レーザの駆動電流は「零」以上となるた
め、パルス休止期間中に半導体レーザに逆方向電圧が印
加されることなく、半導体レーザの寿命を短命化するよ
うな悪影響がなくなる。また、パルス駆動電流が必要以
上に低下しないため、パルス駆動時の電流スイング量を
小さくでき、駆動回路に掛かる負荷を低減し、回路構成
の簡略化及び、立ち上がり/立ち下がり時間の短縮によ
るジッタ特性が改善される。
Second, during the pause period of the pulse, even if the high-frequency superimposed current has the minimum value (maximum value on the minus side), the drive current of the semiconductor laser is "zero" or more. The reverse voltage is not applied to the semiconductor laser during the period, and the adverse effect of shortening the life of the semiconductor laser is eliminated. Also, since the pulse drive current does not decrease more than necessary, the amount of current swing at the time of pulse drive can be reduced, the load on the drive circuit is reduced, the circuit configuration is simplified, and the jitter characteristics due to the shortened rise / fall time are reduced. Is improved.

【0048】第3に、パルス電流値と高周波重畳電流振
幅を外部のコントローラから設定できるため、動作中の
温度変化、若しくはディスクの内周−外周の移動などに
よりリードパワーを設定し直す際に、容易に各電流値を
最適値に設定にすることできる。
Third, since the pulse current value and the high-frequency superimposed current amplitude can be set from an external controller, when the read power is reset when the temperature changes during operation or when the disk moves from the inner circumference to the outer circumference, the read power can be set. Each current value can be easily set to an optimum value.

【0049】第4に、信号再生時のリードパワーを調整
する際、パワーを増加させるために発光期間中のパルス
駆動電流を増加させた場合、併せて高周波重畳電流振幅
を増加させるためにレーザノイズが低減した状態を保つ
ことができ、さらにパルス休止期間中の駆動電流を低下
させることにより、増加した高周波重畳電流がパルス休
止期間中にレーザの発光閾値を越えることをも防ぐこと
が可能となり、、パルス再生の効果を安定して得ること
ができる。
Fourth, when the read power during signal reproduction is adjusted, if the pulse drive current during the light emission period is increased to increase the power, the laser noise is also increased to increase the high frequency superimposed current amplitude. Can be kept in a reduced state, and by further reducing the drive current during the pulse pause period, it is possible to prevent the increased high frequency superimposed current from exceeding the laser emission threshold during the pulse pause period. Thus, the effect of pulse reproduction can be stably obtained.

【0050】また逆に、パワーを減少させるために発光
期間のパルス駆動電流を減少させた場合、併せて高周波
重畳の電流振幅を減少させ、パルス休止期間中の駆動電
流を増加させることにより、高周波重畳によるノイズ低
減効果を保ったままで高周波重畳及びパルス電流の振幅
を下げることが可能となり、消費電力の低減、周辺への
ノイズ発散量が低減できる。
Conversely, when the pulse drive current during the light emission period is reduced to reduce the power, the current amplitude of the high frequency superimposition is reduced, and the drive current during the pulse pause period is increased, thereby increasing the high frequency. High-frequency superimposition and the amplitude of the pulse current can be reduced while maintaining the noise reduction effect of superimposition, so that power consumption can be reduced and the amount of noise radiated to the surroundings can be reduced.

【0051】以上の実施形態について説明したが、本明
細書には以下のような発明も含まれている。 (1)再生層と記録層とを有し、半導体レーザからのレ
ーザ光の照射により生じる温度分布を利用して、前記記
録層に情報として記録されたマークを部分的に前記再生
層に転写し、その再生層からの前記レーザ光の反射光か
ら情報信号の再生を行う磁気超解像タイプの光磁気ディ
スクに対して、少なくとも情報の再生を行う光磁気ディ
スク装置の半導体レーザ制御回路において、前記半導体
レーザの駆動電流を、発光可能に任意に設定した第1の
電流と、前記第1の電流よりも小さい第2の電流との間
でパルス状に変調するドライバ手段と、前記パルスの周
波数よりも高い周波数の高周波電流を重畳する高周波重
畳手段と、を具備し、前記第2の電流値IPLを、前記半
導体レーザの発光閾値電流ITH、前記高周波電流の振幅
MOD に対して、 IPL<ITH−IMOD /2 としたことを特徴とする光磁気ディスク装置の半導体レ
ーザ制御回路。
Although the above embodiments have been described, the present invention includes the following inventions. (1) A mark having information recorded on the recording layer is partially transferred to the reproduction layer by using a temperature distribution generated by irradiating a laser beam from a semiconductor laser, having a reproduction layer and a recording layer. In a semiconductor laser control circuit of a magneto-optical disc device for reproducing at least information on a magnetic super-resolution type magneto-optical disc for reproducing an information signal from reflected light of the laser light from the reproducing layer, Driver means for modulating the drive current of the semiconductor laser in a pulse-like manner between a first current arbitrarily set to emit light and a second current smaller than the first current; comprising a high frequency superimposing means for superimposing even higher frequency of the high frequency current, and the second current value I PL, light emission threshold current I TH of the semiconductor laser, the amplitude I MOD of the high frequency current, PL <semiconductor laser control circuit of the magneto-optical disk apparatus characterized in that the I TH -I MOD / 2.

【0052】従って、パルスの休止期間、高周波重畳電
流がその振幅の最大値となっても半導体レーザの駆動電
流は、発光しきい値以下となるため、パルス休止期間に
レーザが発光することはなく、パルス再生方法本来の効
果を得ることができる。 (2) 前記第2の電流値IPLを、前記高周波電流の振
幅IMOD に対して、 IPL>IMOD /2 としたことを特徴とする前記(1)項に記載の光磁気デ
ィスク装置の半導体レーザ制御回路。
Therefore, even if the high-frequency superimposed current has the maximum amplitude during the pause of the pulse, the drive current of the semiconductor laser is equal to or less than the light emission threshold, so that the laser does not emit light during the pause of the pulse. Thus, the original effect of the pulse reproducing method can be obtained. (2) The magneto-optical disk device according to (1), wherein the second current value I PL is set to be I PL > I MOD / 2 with respect to the amplitude I MOD of the high-frequency current. Semiconductor laser control circuit.

【0053】従って、パルスの休止期間、高周波重畳電
流がその振幅の最小値(マイナス側最大値)となっても
半導体レーザの駆動電流はゼロ以上となるため、パルス
休止期間にレーザに逆方向電圧が加わることがなくな
り、レーザ寿命に悪影響を与えることがなくなる。ま
た、パルス駆動電流が必要以上に低下しないため、パル
ス駆動時の電流スイング量を小さくでき、駆動回路の簡
略化、立ち上がり/立ち下がり時間の短縮によるジッタ
特性の改善が可能となる。 (3)再生層と記録層とを有し、半導体レーザからのレ
ーザ光の照射により生じる温度分布を利用して、前記記
録層に情報として記録されたマークを部分的に前記再生
層に転写し、その再生層からの前記レーザ光の反射光か
ら情報信号の再生を行う磁気超解像タイプの光磁気ディ
スクに対して、少なくとも情報の再生を行う光磁気ディ
スク装置の半導体レーザ制御回路において、前記半導体
レーザの駆動電流を、第1の電流と、前記第1の電流よ
りも小さい第2の電流との間でパルス状に変調するドラ
イバ手段と、前記パルスの周波数よりも高い周波数の高
周波電流を童畳する高周波重畳手段と、具備し、少なく
とも前記第1の電流レベル、前記第2の電流レベル、前
記高周波電流の振幅を、装置動作を制御するコントロー
ラから設定できるよう構成したことを特徴とする光磁気
ディスク装置の半導体レーザ制御回路。
Therefore, even if the high-frequency superimposed current has a minimum value (maximum value on the minus side) during the pause period of the pulse, the drive current of the semiconductor laser becomes zero or more. Is not added, and the laser life is not adversely affected. In addition, since the pulse drive current does not decrease more than necessary, the amount of current swing at the time of pulse drive can be reduced, so that the drive circuit can be simplified and the jitter characteristics can be improved by shortening the rise / fall time. (3) having a reproducing layer and a recording layer, and using a temperature distribution generated by irradiation of laser light from a semiconductor laser, partially transferring a mark recorded as information on the recording layer to the reproducing layer; In a semiconductor laser control circuit of a magneto-optical disc device for reproducing at least information on a magnetic super-resolution type magneto-optical disc for reproducing an information signal from reflected light of the laser light from the reproducing layer, A driver for modulating a drive current of the semiconductor laser in a pulse form between a first current and a second current smaller than the first current; and a high-frequency current having a frequency higher than the frequency of the pulse. A high-frequency superimposing means for providing a tatami mat, wherein at least the first current level, the second current level, and the amplitude of the high-frequency current can be set from a controller that controls the operation of the device. The semiconductor laser control circuit of the magneto-optical disk device, characterized in that the cormorants configuration.

【0054】(4) 前記半導体レーザの出力を増加さ
せる際、前記第1の電流レベルと前記高周波重畳電流振
幅を増加、前記第2の電流を減少させ、前記半導体レー
ザの出力を減少させる際には前記第1の電流レベルと前
記高周波重畳の電流振幅を減少、前記第2の電流を増加
させるように制御することを特徴とする請求項3に記載
の光磁気ディスク装置の半導体レーザ制御回路。
(4) When increasing the output of the semiconductor laser, increasing the first current level and the amplitude of the high frequency superimposed current, decreasing the second current, and decreasing the output of the semiconductor laser. 4. The semiconductor laser control circuit according to claim 3, wherein the control is performed such that the first current level and the current amplitude of the high-frequency superposition are reduced and the second current is increased.

【0055】従って、信号再生時のリードパワーを調整
する際、パワーを増加させるために発光期間のバルス駆
動電流を増加させた場含、含わせて高周波重畳電流振幅
を増加させるためにレーザノイズが低減した状態を保つ
ことができ、さらにパルス休止期間の駆動電流を低下さ
せることにより、増加した高周波重畳電流がパルス休止
期間にレーザの発光しきい値を越えることをも防ぐこと
が可能となり、パルス再生の効果を安定して得ることが
できる。また、逆にパワーを減少させるために発光期間
のパルス駆動電流を減少させた場含、合わせて高周波重
畳の電流振幅を減少させ、パルス休止期間の駆動電流を
増加させることにより、高周波重畳によるノイズ低減効
果を保ったままで高周波重畳及びパルス電流の振幅を下
げることが可能となり、消費電力の低減、周辺へのノイ
ズ発散量の低減が可能となる。
Therefore, when the read power at the time of signal reproduction is adjusted, if the pulse drive current during the light emission period is increased to increase the power, the laser noise is increased because the amplitude of the high frequency superimposed current is increased. The reduced state can be maintained, and by further reducing the drive current during the pulse pause period, it is possible to prevent the increased high frequency superimposed current from exceeding the laser emission threshold during the pulse pause period. The effect of reproduction can be stably obtained. Conversely, if the pulse drive current during the light emission period is reduced to reduce the power, the current amplitude of the high frequency superimposition is also reduced, and the drive current during the pulse pause period is increased. It is possible to reduce the power consumption and reduce the amount of noise radiated to the surroundings, while maintaining the reduction effect and reducing the amplitude of the high-frequency superposition and the pulse current.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、パ
ルス休止期間中に高周波重畳電流の振幅最大値が半導体
レーザの発光閾値以下で、パルス休止期間中の発光や逆
方向電圧の印加がなく、半導体レーザの寿命の短命化を
防止し、パルス駆動電流を必要以上に低下せず、パルス
駆動時の電流スイング量を小さくして、駆動回路の簡略
化、立ち上がり/立ち下がり時間の短縮によるジッタ特
性が改善された光磁気ディスク装置の半導体レーザ制御
回路を提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention, during the pulse pause period, the maximum amplitude of the high frequency superimposed current is equal to or less than the light emission threshold of the semiconductor laser, and during the pulse pause period, light emission and application of a reverse voltage are performed. And prevents the shortening of the life of the semiconductor laser, does not reduce the pulse drive current more than necessary, reduces the current swing during pulse drive, simplifies the drive circuit, and reduces the rise / fall time A semiconductor laser control circuit of a magneto-optical disk device with improved jitter characteristics due to the above can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による半導体レーザ制御回路の第1の実
施形態の概略的な構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of a semiconductor laser control circuit according to the present invention.

【図2】第1の実施形態の半導体レーザ制御回路を含む
光磁気ディスク装置の構成の概略を示す図である。
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of a magneto-optical disk device including a semiconductor laser control circuit according to the first embodiment.

【図3】半導体レーザ制御回路の動作について説明する
ための波形を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing waveforms for describing an operation of the semiconductor laser control circuit.

【図4】本発明による半導体レーザ制御回路の第2の実
施形態の動作を説明するための波形を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing waveforms for explaining the operation of the second embodiment of the semiconductor laser control circuit according to the present invention.

【図5】半導体レーザを駆動するためのシングルモード
の波形例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a single-mode waveform for driving a semiconductor laser.

【図6】半導体レーザを駆動するためのマルチモードの
波形例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a multi-mode waveform for driving a semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体レーザドライバ部 2…高周波重畳回路 3…半導体レーザ 4,5…電流源 6…スイッチ 7…発振器 8…コンデンサ 9…コントローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser driver part 2 ... High frequency superposition circuit 3 ... Semiconductor laser 4,5 ... Current source 6 ... Switch 7 ... Oscillator 8 ... Capacitor 9 ... Controller

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 再生層と記録層とを有し、半導体レーザ
から照射されたレーザ光により生じる温度分布を利用し
て、前記記録層に情報として記録されたマークを部分的
に前記再生層に転写し、その再生層からの前記レーザ光
の反射光から情報信号の再生を行う磁気超解像タイプの
光磁気ディスクに対して、情報の再生を行う光磁気ディ
スク装置の半導体レーザ制御回路において、 前記半導体レーザの駆動電流を、発光可能に任意に設定
した第1の電流と、前記第1の電流よりも小さい第2の
電流との間でパルス状に変調するドライバ手段と、 前記半導体レーザのパルス的発光数に基づく、前記パル
スの周波数よりも高い周波数の高周波電流を重畳する高
周波重畳手段と、を具備し、 前記第2の電流値IPLを、前記半導体レーザの発光閾値
電流ITH及び、前記高周波電流の振幅IMOD に対して、 IPL<ITH−IMOD /2 としたことを特徴とする光磁気ディスク装置の半導体レ
ーザ制御回路。
1. A recording layer having a reproducing layer and a recording layer, wherein a mark recorded as information on the recording layer is partially formed on the reproducing layer by utilizing a temperature distribution generated by a laser beam irradiated from a semiconductor laser. In a semiconductor laser control circuit of a magneto-optical disk device for reproducing information, a magnetic super-resolution type magneto-optical disk for transferring and transferring an information signal from the reflected light of the laser light from the reproducing layer, Driver means for modulating the drive current of the semiconductor laser in a pulsed manner between a first current arbitrarily set to emit light and a second current smaller than the first current; based on pulsed emission number, anda high frequency superimposing means for superimposing a higher frequency of the high frequency current than the frequency of the pulses, the second current value I PL, light emission threshold current of the semiconductor laser A semiconductor laser control circuit for a magneto-optical disk drive, wherein I PL <I TH −I MOD / 2 with respect to I TH and the amplitude I MOD of the high-frequency current.
【請求項2】 前記第2の電流値IPLを、前記高周波電
流の振幅IMOD に対して、 IPL>IMOD /2 としたことを特徴とする請求項1に記載の光磁気ディス
ク装置の半導体レーザ制御回路。
2. The magneto-optical disk drive according to claim 1, wherein the second current value I PL is set to be I PL > I MOD / 2 with respect to the amplitude I MOD of the high-frequency current. Semiconductor laser control circuit.
【請求項3】 再生層と記録層とを有し、半導体レーザ
からのレーザ光の照射により生じる温度分布を利用し
て、前記記録層に情報として記録されたマークを部分的
に前記再生層に転写し、その再生層からの前記レーザ光
の反射光から情報信号の再生を行う磁気超解像タイプの
光磁気ディスクに対して、少なくとも情報の再生を行う
光磁気ディスク装置の半導体レーザ制御回路において、 前記半導体レーザの駆動電流を、第1の電流と、前記第
1の電流よりも小さい第2の電流との間でパルス状に変
調するドライバ手段と、 前記パルスの周波数よりも高い周波数の高周波電流を重
畳する高周波重畳手段と、具備し、 少なくとも前記第1の電流レベル、前記第2の電流レベ
ル及び、前記高周波電流の振幅を、装置動作を制御する
コントローラから設定できるように構成したことを特徴
とする光磁気ディスク装置の半導体レーザ制御回路。
3. A recording layer having a reproducing layer and a recording layer, wherein a mark recorded as information on the recording layer is partially formed on the reproducing layer by utilizing a temperature distribution generated by irradiation of laser light from a semiconductor laser. In a semiconductor laser control circuit of a magneto-optical disc device for reproducing at least information on a magnetic super-resolution type magneto-optical disc for transferring and reproducing an information signal from the reflected light of the laser beam from the reproducing layer. A driver for modulating a driving current of the semiconductor laser in a pulse form between a first current and a second current smaller than the first current; and a high frequency having a frequency higher than the frequency of the pulse. A high-frequency superimposing means for superimposing a current, wherein at least the first current level, the second current level, and the amplitude of the high-frequency current are controlled by a controller that controls device operation. A semiconductor laser control circuit for a magneto-optical disk drive, wherein the semiconductor laser control circuit is configured so as to be able to be set by the user.
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