JPH10317132A - Sputtering device - Google Patents

Sputtering device

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JPH10317132A
JPH10317132A JP12516097A JP12516097A JPH10317132A JP H10317132 A JPH10317132 A JP H10317132A JP 12516097 A JP12516097 A JP 12516097A JP 12516097 A JP12516097 A JP 12516097A JP H10317132 A JPH10317132 A JP H10317132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target material
backing plate
sputtering apparatus
optical disk
sputtering
Prior art date
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Pending
Application number
JP12516097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Otsuki
洋 大槻
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical disk producing device capable of producing an optical disk small in defects in coating formation by suppressing the generation of arc discharge in a sputtering device and suppressing its influence. SOLUTION: An electrically conductive gap regulating frame 12 is arranged on the outer circumferential part of a target material 9 on a backing plate 10 in the cathode part, and by this regulating frame 12, the difference between the outside diameter of the backing plate 10 and the target material 9 and the space between the backing plate 10 and a dark space shield 11 provided so as to cover the outer circumferential part of the target material 9 are made capable of regulating. In the case the height of the gap regulating frame 12 from the plate 10 is defined as h1 and the thickness of the target material 9 is defined as h2 and, also, in the case the width of the regulating frame 12 is defined as d1 and the difference in the outside diameter between the target material 9 and the plate 10 is defined as d2, h1>=h2 and 0.1×d2<=d1<=d2 are satisfied, by which the rate of defects in coating formation of an optical disk to be generated can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクなどの
基板上に成膜するためのスパッタリング装置及び該スパ
ッタリング装置で得られる光ディスクなどの記録媒体に
関する。
The present invention relates to a sputtering apparatus for forming a film on a substrate such as an optical disk and a recording medium such as an optical disk obtained by the sputtering apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、基板上に記録膜等の機能薄膜
を形成して光ディスク等の記録媒体を形成する場合、一
般にRF(高周波)、DC(直流)スパッタリング装置
が使用されている。例えば、誘電体SiN(窒化Si)
を成膜する場合には、絶縁体であるSiの単結晶をAr
等の希ガスとN2ガスを混入し、反応性スパッタリング
として成膜している。DCスパッタリング装置の場合、
絶縁物は放電しないので、B(ホウ素)等をSiターゲ
ットに添加して導電率を上げて使用している。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a recording medium such as an optical disk is formed by forming a functional thin film such as a recording film on a substrate, an RF (high frequency) or DC (direct current) sputtering apparatus is generally used. For example, dielectric SiN (Si nitride)
When forming a film, a single crystal of Si as an insulator is converted to Ar
A rare gas and a N 2 gas are mixed to form a film as reactive sputtering. In the case of DC sputtering equipment,
Since the insulator does not discharge, B (boron) or the like is added to the Si target to increase the conductivity.

【0003】つぎに、従来の一般的なスパッタリング装
置の構成と、本発明に係わるダークスペースシールドに
関して、図7を参照して説明する。図7はスパッタリン
グ装置の概略の構成を示す図である。
Next, the configuration of a conventional general sputtering apparatus and a dark space shield according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a sputtering apparatus.

【0004】一般にスパッタリング装置は図6に示すよ
うに、成膜室である真空チャンバー1と、その室内の真
空度を制御する真空制御部2と、プラズマ放電用の電源
3と、この電源3が電源ケーブル4によって接続させて
いるカソード部5と、カソード部5と所定距離を持って
対向配置されているアノード6と、スパッタガスである
Ar等を真空チャンバー1内に供給するためのスパッタ
ガス供給部7とを主な要素として構成されている。アノ
ード6には光ディスクの基板8が固定されている。
Generally, as shown in FIG. 6, a sputtering apparatus has a vacuum chamber 1 as a film forming chamber, a vacuum controller 2 for controlling the degree of vacuum in the chamber, a power source 3 for plasma discharge, and a power source 3 for the plasma discharge. A cathode portion 5 connected by a power cable 4, an anode 6 opposed to the cathode portion 5 at a predetermined distance, and a sputtering gas supply for supplying a sputtering gas such as Ar into the vacuum chamber 1; The unit 7 is configured as a main element. An optical disk substrate 8 is fixed to the anode 6.

【0005】また、カソード部5のバッキングプレート
10にスパッタリングのターゲット材9が固定されてい
て、更に、バッキングプレート10を保護するダークス
ペースシールド11がバッキングプレート10とターゲ
ット材9との円周部を覆うように設けられている。
[0005] A sputtering target material 9 is fixed to a backing plate 10 of the cathode portion 5, and a dark space shield 11 for protecting the backing plate 10 provides a circumferential portion between the backing plate 10 and the target material 9. It is provided to cover.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前記装置によるスパッ
タリングにおいてアーク放電の発生が問題となる。アー
ク放電は局所的に電荷が集中して発生するが、このアー
ク放電によって飛散したターゲット材9の固相状の固ま
りが基板8の上に付着し、ディスク不良の原因となって
いた。そこでアーク放電の起こりにくいRFスパッタリ
ングを用いるか、またはDCスパッタリングにおいて、
ある一定周波数で投入電力を零にするなどの対象がなさ
れてきた。しかしながら、これらの対策によっても十分
にアーク放電の発生を抑えることはできず、特にターゲ
ット材9の端部で起こるアーク放電を抑えることは困難
であった。
The occurrence of arc discharge is a problem in sputtering by the above apparatus. In the arc discharge, electric charges are locally concentrated, and the solid discharge of the target material 9 scattered by the arc discharge adheres to the substrate 8 to cause a disk failure. Therefore, using RF sputtering which is less likely to cause arc discharge, or in DC sputtering,
There have been targets such as making the input power zero at a certain frequency. However, even with these measures, it was not possible to sufficiently suppress the occurrence of arc discharge, and it was particularly difficult to suppress arc discharge occurring at the end of the target material 9.

【0007】従って本発明の課題は、スパッタリング装
置内でのアーク放電の発生を抑制してその影響を抑え、
成膜欠陥の少ない光ディスクの製造を可能とする光ディ
スク製造装置を提供しようとするものである。
[0007] Accordingly, an object of the present invention is to suppress the occurrence of arc discharge in a sputtering apparatus to suppress the influence thereof,
It is an object of the present invention to provide an optical disk manufacturing apparatus capable of manufacturing an optical disk with few film formation defects.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題は次の
構成により解決される。すなわち、カソード部のバッキ
ングプレート上にアノード上の基板をスパッタリングす
るためのターゲット材が固定されていて、更に、バッキ
ングプレートを保護するダークスペースシールドがバッ
キングプレートとターゲット材との外周部を覆うように
設けられている基板上の成膜に用いるスパッタリング装
置であって、バッキングプレート上のターゲット材の外
周部に導電性のギャップ調整枠を配し、該調整枠により
バッキングプレートの外径とターゲット材との外径との
差および該調整枠とダークスペースシールドとの空間領
域の大きさを調整可能としたスパッタリング装置であ
る。
The object of the present invention is attained by the following constitution. That is, a target material for sputtering the substrate on the anode is fixed on the backing plate of the cathode portion, and further, a dark space shield for protecting the backing plate covers the outer periphery of the backing plate and the target material. A sputtering apparatus used for film formation on a substrate provided, wherein a conductive gap adjustment frame is arranged on the outer peripheral portion of the target material on the backing plate, and the outer diameter of the backing plate and the target material are adjusted by the adjustment frame. Is a sputtering apparatus capable of adjusting the difference between the outer diameter of the control frame and the size of the space between the adjustment frame and the dark space shield.

【0009】上記ギャップ調整枠の前記パッキングプレ
ートからの高さをh1、前記ターゲット材の厚みをh2
としたとき、下記式(1) h1≧h2 (1) を満足すると光ディスクの成膜欠陥の発生率が小さい。
同様にはギャップ調整枠の幅をd1とし、ターゲット材
とバッキングプレートの外径差をd2としたとき、下記
式(2) 0.1×d2≦d1≦d2 (2) を満足すると光ディスクの成膜欠陥の発生率が小さくな
る。
The height of the gap adjusting frame from the packing plate is h1, and the thickness of the target material is h2.
When the following expression (1) h1 ≧ h2 (1) is satisfied, the incidence of film formation defects on the optical disk is small.
Similarly, assuming that the width of the gap adjustment frame is d1 and the difference between the outer diameter of the target material and the outer diameter of the backing plate is d2, the following formula (2) 0.1 × d2 ≦ d1 ≦ d2 (2) is satisfied. The incidence of film defects is reduced.

【0010】また、導電性のギャップ調整枠は導電性の
もので、非鉄金属部材からなるものであればいかなる材
質のものでも使用可能であるが、アルミニウムは非磁性
体であり、加工性と熱伝導性がよいので適している。
The conductive gap adjusting frame is made of a conductive material, and any material can be used as long as it is made of a non-ferrous metal member. Suitable for good conductivity.

【0011】本発明によれば、ダークスペースシールド
とバッキングプレートの間にダーゲット材と平行になる
ようにギャップ調整枠を設けたことでターゲット端部の
アーク発生を低減し、その影響を抑えることができ、欠
陥発生の少ない光ディスクを製造することができる。ま
た、本発明には前記スパッタリング装置により得られる
書き換え可能な記録膜を有する光ディスクまたはこれに
類する記録媒体も含まれる。
According to the present invention, by providing a gap adjusting frame between the dark space shield and the backing plate so as to be parallel to the target material, it is possible to reduce arcing at the end of the target and suppress its influence. As a result, an optical disk with few defects can be manufactured. The present invention also includes an optical disk having a rewritable recording film obtained by the sputtering apparatus or a recording medium similar thereto.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図1
ないし図6を参照して説明する。本発明の図1ないし図
6に示す実施の形態はダークスペースシールド11とパ
ッキングプレート10の間にギャップ調整枠12を設け
ること以外のスパッタリング装置の構造は図6に概要を
示す通り図7に示す従来のものと同一であるので、その
説明は省略する。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
This will be described with reference to FIG. In the embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 to 6, the structure of the sputtering apparatus other than providing the gap adjusting frame 12 between the dark space shield 11 and the packing plate 10 is shown in FIG. 7 as schematically shown in FIG. The description is omitted because it is the same as the conventional one.

【0013】図1は本発明によるスパッタリング装置
の、ダークスペースシールド11の要部拡大断面図であ
り、図2は本発明の実施の形態による装置と従来技術の
装置とのディスク欠陥発生率を比較する図である。ま
た、図3の本発明の実施の形態のダークスペースシール
ド11とパッキングプレート10の間に設けるギャップ
調整枠12の大きさと位置を示す図である。さらに、図
4は本発明の実施の形態のギャップ調整枠12の高さ
(h1)とターゲット材の高さ(h2)の差とディスク
の欠陥発生率との関係を示す図であり、図5は本発明の
実施の形態のギャップ調整枠12の幅(d1)とディス
ク欠陥発生率との関係を示す図である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view of a main part of a dark space shield 11 of a sputtering apparatus according to the present invention, and FIG. 2 compares the disk defect occurrence rates of the apparatus according to the embodiment of the present invention and the prior art apparatus. FIG. FIG. 4 is a diagram illustrating the size and position of a gap adjustment frame 12 provided between the dark space shield 11 and the packing plate 10 according to the embodiment of the present invention in FIG. 3. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the difference between the height (h1) of the gap adjustment frame 12 and the height (h2) of the target material and the defect occurrence rate of the disk according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a relationship between the width (d1) of the gap adjustment frame 12 and the disk defect occurrence rate according to the embodiment of the present invention.

【0014】本発明者はギャップ調整枠12を設けるこ
ととその形状を検討することによりアーク放電の発生が
低減し、その影響が抑えられることを見出し、これによ
って成膜欠陥の少ない光ディスクの製造を可能とするス
パッタリング装置を開発するに至った。
The present inventor has found that by providing the gap adjusting frame 12 and examining the shape thereof, the occurrence of arc discharge can be reduced and its effect can be suppressed. We have developed a sputtering device that can make it possible.

【0015】本発明によるパッキングプレート10を保
護するギャップ調整枠12は、パッキングプレート10
上にターゲット材9との円周部を囲むように設けたもの
である。
The gap adjusting frame 12 for protecting the packing plate 10 according to the present invention includes the packing plate 10.
It is provided so as to surround a circumferential portion with the target material 9 above.

【0016】次に本発明によるギャップ調整枠12を有
するスパッタリング装置とギャップ調整枠12を有しな
い従来技術のスパッタリング装置とによる光ディスク製
造時の欠陥発生率について説明する。図2はその測定結
果であって、横軸は1000枚を1ブロックとする成膜
ディスク枚数であり、縦軸はこの1ブロック中で発生し
た欠陥の数を規格化して表示している。規格化の基準は
従来の装置による1ブロックの欠陥の数の最大値を用い
ている。図2からパッキングプレート10上にダークス
ペースシールド11と対向するようにギャップ調整枠1
2をターゲット材9の円周部に設けることにより、欠陥
の発生が低減していることが分かる。
Next, a description will be given of the defect occurrence rate during the production of an optical disk by the sputtering apparatus having the gap adjusting frame 12 according to the present invention and the conventional sputtering apparatus having no gap adjusting frame 12. FIG. 2 shows the measurement results. The abscissa indicates the number of film forming disks with 1000 blocks as one block, and the ordinate indicates the number of defects generated in one block in a normalized manner. The standard of standardization uses the maximum value of the number of defects in one block by the conventional device. From FIG. 2, the gap adjusting frame 1 is placed on the packing plate 10 so as to face the dark space shield 11.
It can be seen that the occurrence of defects is reduced by providing 2 at the circumferential portion of the target material 9.

【0017】次にギャップ調整枠12の形状と欠陥発生
について説明する。ここで図3に示すようにギャップ調
整枠12の幅をd1、ターゲット材9とパッキングプレ
ート10の径方向の差をd2、ギャップ調整枠12の厚
さをh1、ターゲット材9の厚さをh2とする。
Next, the shape of the gap adjusting frame 12 and the occurrence of defects will be described. Here, as shown in FIG. 3, the width of the gap adjustment frame 12 is d1, the difference in the radial direction between the target material 9 and the packing plate 10 is d2, the thickness of the gap adjustment frame 12 is h1, and the thickness of the target material 9 is h2. And

【0018】まず、ギャップ調整枠12の厚さh1をパ
ラメータとしたときの欠陥発生について述べる。このと
き、h2=6mm、d1=15mm、d2=15mmで
ある。図4はその結果を示していて、縦軸は任意の厚さ
の差(h1−h2)のときの欠陥発生率である。図4よ
り厚さがh1≧h2において効果が現れることがわか
る。
First, the occurrence of a defect when the thickness h1 of the gap adjusting frame 12 is used as a parameter will be described. At this time, h2 = 6 mm, d1 = 15 mm, and d2 = 15 mm. FIG. 4 shows the result, and the vertical axis shows the defect occurrence rate when the thickness difference is arbitrary (h1-h2). FIG. 4 shows that the effect appears when the thickness is h1 ≧ h2.

【0019】次に、ギャップ調整枠12の幅d1をパラ
メータとしたときの欠陥発生について述べる。このとき
h1=6.2mm、h2=6.0mm、d2=15mm
である。図5はその結果を示していて、横軸はギャップ
調整枠12の幅d1であり、縦軸は任意のd1のときの
欠陥発生率である。図5より、欠陥発生はギャップ調整
枠12を設けることで効果が現れ、ギャップ調整枠12
のd1(外径)がバッキングプレート10のそれに近づ
くに従って低減されることが分かる。
Next, the occurrence of a defect when the width d1 of the gap adjusting frame 12 is used as a parameter will be described. At this time, h1 = 6.2 mm, h2 = 6.0 mm, d2 = 15 mm
It is. FIG. 5 shows the result. The horizontal axis is the width d1 of the gap adjustment frame 12, and the vertical axis is the defect occurrence rate at an arbitrary d1. As shown in FIG. 5, the effect of the occurrence of defects is exhibited by providing the gap adjustment frame 12, and the gap adjustment frame 12
It can be seen that d1 (outer diameter) decreases as it approaches that of the backing plate 10.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明によれば、欠陥発生の少ない光デ
ィスクを製造するスパッタリング装置が得られた。
According to the present invention, a sputtering apparatus for producing an optical disk with few defects can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態によるスパッタリング装
置のギャップ調整枠の要部拡大断面図である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view of a main part of a gap adjusting frame of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態と従来技術による各スパ
ッタリング装置のディスク欠陥発生率について比較する
図である。
FIG. 2 is a diagram comparing the disk defect occurrence rates of the embodiment of the present invention and each conventional sputtering apparatus.

【図3】 本発明の実施の形態のギャップ調整枠をバッ
キングプレート上に設ける大きさと位置を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram illustrating a size and a position where a gap adjustment frame according to the embodiment of the present invention is provided on a backing plate.

【図4】 本発明の実施の形態のギャップ調整枠の高さ
とディスク欠陥発生率との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between a height of a gap adjustment frame and a disk defect occurrence rate according to the embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施の形態のギャップ調整枠の幅と
ディスク欠陥発生率との関係を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between a width of a gap adjustment frame and a disk defect occurrence rate according to the embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施の形態のスパッタリング装置の
概略の構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図7】 従来のスパッタリング装置の概略の構成を示
す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional sputtering apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 真空チャンバー 2 真空制御部 3 電源 4 電源ケーブル 5 カソード部 6 アノード 7 スパッタガス供給部 8 基板 9 ターゲット材 10 バッキングプレ
ート 11 ダークスペースシールド 12 ギャップ調整枠
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Vacuum control part 3 Power supply 4 Power supply cable 5 Cathode part 6 Anode 7 Sputter gas supply part 8 Substrate 9 Target material 10 Backing plate 11 Dark space shield 12 Gap adjustment frame

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カソード部のバッキングプレート上にア
ノード上の基板をスパッタリングするためのターゲット
材が固定されていて、更に、バッキングプレートを保護
するダークスペースシールドがバッキングプレートとタ
ーゲット材との外周部を覆うように設けられている基板
上の成膜に用いるスパッタリング装置であって、 バッキングプレート上のターゲット材の外周部に導電性
のギャップ調整枠を配し、該調整枠によりバッキングプ
レートの外径とターゲット材との外径との差および該調
整枠とダークスペースシールドとの空間領域の大きさを
調整可能としたことを特徴とするスパッタリング装置。
A target material for sputtering a substrate on an anode is fixed on a backing plate of a cathode portion, and a dark space shield for protecting the backing plate covers an outer peripheral portion between the backing plate and the target material. A sputtering apparatus used for film formation on a substrate provided so as to cover, wherein a conductive gap adjustment frame is arranged on an outer peripheral portion of a target material on a backing plate, and the outer diameter of the backing plate is adjusted by the adjustment frame. A sputtering apparatus characterized in that the difference between the outer diameter of the target material and the size of the space between the adjustment frame and the dark space shield can be adjusted.
【請求項2】 ギャップ調整枠の前記パッキングプレー
トからの高さをh1、前記ターゲット材の厚みをh2と
したとき、下記式(1) h1≧h2 (1) を満足することを特徴とする請求項1記載のスパッタリ
ング装置。
2. When the height of the gap adjusting frame from the packing plate is h1 and the thickness of the target material is h2, the following formula (1) h1 ≧ h2 (1) is satisfied. Item 2. The sputtering apparatus according to Item 1.
【請求項3】 ギャップ調整枠の幅をd1とし、ターゲ
ット材とバッキングプレートの外径差をd2としたと
き、下記式(2) 0.1×d2≦d1≦d2 (2) を満足することを特徴とする請求項1記載のスパッタリ
ング装置。
3. When the width of the gap adjusting frame is d1 and the difference between the outer diameter of the target material and the outer diameter of the backing plate is d2, the following expression (2) is satisfied: 0.1 × d2 ≦ d1 ≦ d2 (2) The sputtering apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項4】 請求項1記載のスパッタリング装置によ
り得られることを特徴とする記録媒体。
4. A recording medium obtained by the sputtering apparatus according to claim 1.
JP12516097A 1997-05-15 1997-05-15 Sputtering device Pending JPH10317132A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104046949A (en) * 2014-05-27 2014-09-17 江西沃格光电股份有限公司 Magnetron sputtering device and sputtering cathode thereof
CN113025976A (en) * 2021-05-25 2021-06-25 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 Physical vapor deposition equipment capable of preventing error sputtering

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