JPH10316931A - Polyimide coating composition and polyimide coating film - Google Patents

Polyimide coating composition and polyimide coating film

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JPH10316931A
JPH10316931A JP12871797A JP12871797A JPH10316931A JP H10316931 A JPH10316931 A JP H10316931A JP 12871797 A JP12871797 A JP 12871797A JP 12871797 A JP12871797 A JP 12871797A JP H10316931 A JPH10316931 A JP H10316931A
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polyimide
polyimide coating
bis
film
carbon atoms
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利夫 吉村
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智之 弓場
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polyimide coating compsn. of which the problem with degradation in adhesive properties due to a heating and moistening treatment has been remarkably improved. SOLUTION: This compsn. essentially contains a polyimide precursor mainly comprising structural units represented by the formula and has a fluorine content (a content of fluorine contained in R1 and R2) of 1.0-7.0%. In the formula, R1 is a 2C or higher tetravalent org. group; R2 is a 2C or higher divalent org. group; and R3 and R4 are each independently H, an alkali metal ion, an ammonium ion, or a 1-30C org. group. The polyimide coating film is formed from a compsn. essentially contg. a polyimide precursor mainly comprising strutural units represented by the formula and has a fluorine contetn of 1.0-7.0%. A semiconductor having the polyimide coating film as the protective film is also provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体デバイ
ス、多層配線基板などの電気、電子材料の製造に有用な
ポリイミドコーティング剤組成物に関するものであり、
さらに詳しくは、加熱加湿処理による密着性低下の問題
を著しく改善したポリイミドコーティング剤組成物に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polyimide coating composition useful for producing electric and electronic materials such as semiconductor devices and multilayer wiring boards.
More specifically, the present invention relates to a polyimide coating composition which has remarkably improved the problem of reduced adhesion due to heat and humidity treatment.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミドはその優れた耐熱性、電気特
性、機械特性のため、半導体の保護膜、層間絶縁膜など
の電子材料分野で注目されている。ポリイミドを半導体
の保護膜として使用する場合、下層の無機膜や上層の封
止樹脂との密着性は半導体の信頼性に大きな影響を及ぼ
す。ポリイミドの密着性は初期に良好なものでも、加熱
加湿処理によって低下する傾向があることが知られてい
る。これは半導体の信頼性低下につながりかねないので
好ましくない。
2. Description of the Related Art Polyimides have attracted attention in the field of electronic materials such as semiconductor protective films and interlayer insulating films because of their excellent heat resistance, electrical properties and mechanical properties. When polyimide is used as a semiconductor protective film, the adhesion to the lower inorganic film and the upper sealing resin greatly affects the reliability of the semiconductor. It is known that even if the adhesiveness of polyimide is good at the beginning, it tends to decrease by heating and humidifying treatment. This is not preferable because it may lead to a decrease in the reliability of the semiconductor.

【0003】近年、半導体素子の高集積化やLOC(L
ead On Chip)パッケージの採用によって、
ポリイミドコーティング剤に対しても、より高度な性能
が要求されるようになってきた。例えば、無機膜や封止
樹脂に対する初期の良好な密着力を長期の加熱加湿処理
後も保持することが要求されてきている。感光性ポリイ
ミドコーティング剤を半導体素子の保護膜に用いる場合
についても同様の要求が強まっている。
In recent years, high integration of semiconductor devices and LOC (L
With the adoption of the “ad On Chip” package,
Even higher performance has been required for polyimide coating agents. For example, it has been required to maintain good initial adhesion to an inorganic film or a sealing resin even after a long-term heating and humidifying treatment. Similar demands have been increasing when a photosensitive polyimide coating agent is used for a protective film of a semiconductor device.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本願発明はかかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、本願発明の目的
は、初期の良好な密着力を加熱加湿処理後も長期にわた
って保持することを特徴とするポリイミドコーティング
剤を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to maintain a good initial adhesive force for a long period of time even after heating and humidifying treatment. An object of the present invention is to provide a characteristic polyimide coating agent.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本願発明者らはポリイミ
ドコーティング剤の密着性について種々研究を重ねた結
果、ポリイミド骨格に従来密着性に劣るとされていたフ
ッ素を特定範囲量含有させれば、驚くべきことに、初期
の密着性が良好で、かつ加熱加湿処理後の密着性低下を
低く抑えることができることを見出し、この知見に基づ
き本願発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted various studies on the adhesion of a polyimide coating agent. As a result, if the polyimide skeleton is allowed to contain fluorine in a specific range which has been considered to be inferior in adhesion, Surprisingly, they have found that the initial adhesion is good and that the decrease in adhesion after heating and humidification can be suppressed to a low level, and based on this finding, the present invention has been completed.

【0006】すなわち、本願発明の目的は、以下の構成
を採ることによって達成される。
That is, the object of the present invention is achieved by adopting the following constitution.

【0007】一般式(1)The general formula (1)

【化4】 で表される構造単位を主成分とし、R1およびR2中のフ
ッ素含有率が1.0〜7.0%であるポリイミド前駆体
を必須成分とすることを特徴とするポリイミドコーティ
ング剤組成物、(R1は少なくとも2個以上の炭素原子
を有する4価の有機基、R2は少なくとも2個以上の炭
素原子を有する2価の有機基、R3およびR4は水素、ア
ルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、または、炭素
数1〜30の有機基を表す。R3、R4は同じでも異なっ
ていても良い)及び、上記一般式で表される構造単位を
主成分とするポリイミド前駆体を必須成分とする組成物
から得られ、かつフッ素含有率が1.0〜7.0%であ
るすることを特徴とするポリイミドコーティング膜、さ
らに、上記のポリイミドコーティング膜を保護膜として
有する半導体。
Embedded image A polyimide coating composition comprising a structural unit represented by the following formula as a main component, and a polyimide precursor having a fluorine content of 1.0 to 7.0% in R1 and R2 as an essential component; R1 is a tetravalent organic group having at least two or more carbon atoms; R2 is a divalent organic group having at least two or more carbon atoms; R3 and R4 are hydrogen, an alkali metal ion, an ammonium ion, or a carbon atom; R3 and R4 may be the same or different), and a composition containing a polyimide precursor having a structural unit represented by the above general formula as a main component as an essential component. A polyimide coating film having a fluorine content of 1.0 to 7.0%, and a semiconductor having the polyimide coating film as a protective film.

【0008】本願発明における一般式(1)で表される
構造単位を有するポリイミド前駆体としては、加熱ある
いは適当な触媒によりイミド環や、その他環状構造を有
するポリマー(以後、「ポリイミド系ポリマー」と呼
ぶ)となり得るものをあげることができる。
The polyimide precursor having a structural unit represented by the general formula (1) in the present invention includes a polymer having an imide ring or other cyclic structure by heating or an appropriate catalyst (hereinafter referred to as “polyimide polymer”). Call) can be given.

【0009】上記一般式(1)中、R1は少なくとも2
個以上の炭素原子を有する4価の有機基である。ポリイ
ミド系ポリマーの耐熱性から、R1は芳香族環または芳
香族複素環を含有し、かつ炭素数6〜30の3価または
4価の基が好ましい。R1の好ましい具体的な例として
は、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン
酸、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸、3,3’,4,4’−ジフェニルヘキサフル
オロプロパンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’
−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、ピロメリット
酸、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカ
ルボン酸などの残基が挙げられるが、これらに限定され
ない。ポリイミド系ポリマーの耐熱性の点から、特に好
ましい具体例としては、3,3’,4,4’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ジフェニル
エーテルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ジフ
ェニルヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸、3,
3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸、ピロメリット酸、などの残基が挙げられる。
In the above general formula (1), R1 is at least 2
It is a tetravalent organic group having at least two carbon atoms. In view of the heat resistance of the polyimide polymer, R1 is preferably a trivalent or tetravalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring and having 6 to 30 carbon atoms. Preferred specific examples of R1 include 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'- Diphenylhexafluoropropanetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-
Benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'
-Residues such as, but not limited to, diphenylsulfonetetracarboxylic acid, pyromellitic acid, butanetetracarboxylic acid, and cyclopentanetetracarboxylic acid. From the viewpoint of the heat resistance of the polyimide polymer, particularly preferred specific examples include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-diphenylethertetracarboxylic acid, and 3,3 ', 4,4'-diphenylhexafluoropropanetetracarboxylic acid, 3,
3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid,
Residues such as 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic acid and pyromellitic acid are exemplified.

【0010】本願発明におけるポリイミド前駆体は、R
1がこれらのうち1種から構成されていても良いし、2
種以上から構成される共重合体であっても構わない。
In the present invention, the polyimide precursor is R
1 may be composed of one of these, or 2
Copolymers composed of more than one kind may be used.

【0011】上記一般式(1)中、R2は少なくとも2
個以上の炭素原子を有する2価の有機基である。ポリイ
ミド系ポリマーの耐熱性の点から、R2は芳香族環また
は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数6〜30の2価の
基が好ましい。R2の好ましい具体的な例としては、以
下に示される化合物の残基及びその水添化合物の残基な
どが挙げられるが、これらに限定されない。
In the above general formula (1), R2 is at least 2
It is a divalent organic group having at least two carbon atoms. In view of the heat resistance of the polyimide polymer, R2 is preferably a divalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring and having 6 to 30 carbon atoms. Preferred specific examples of R2 include, but are not limited to, the residues of the compounds shown below and the hydrogenated compounds thereof.

【0012】パラフェニレンジアミン、メタフェニレン
ジアミン、メチルパラフェニレンジアミン、メチルメタ
フェニレンジアミン、ジメチルパラフェニレンジアミ
ン、ジメチルメタフェニレンジアミン、トリメチルパラ
フェニレンジアミン、トリメチルメタフェニレンジアミ
ン、テトラメチルパラフェニレンジアミン、テトラメチ
ルメタフェニレンジアミン、トリフルオロメチルパラフ
ェニレンジアミン、トリフルオロメチルメタフェニレン
ジアミン、ビス(トリフルオロ)メチルパラフェニレン
ジアミン、ビス(トリフルオロ)メチルメタフェニレン
ジアミン、メトキシパラフェニレンジアミン、メトキシ
メタフェニレンジアミン、トリフルオロメトキシパラフ
ェニレンジアミン、トリフルオロメトキシメタフェニレ
ンジアミン、フルオロパラフェニレンジアミン、フルオ
ロメタフェニレンジアミン、クロロパラフェニレンジア
ミン、クロロメタフェニレンジアミン、ブロモパラフェ
ニレンジアミン、ブロモメタフェニレンジアミン、カル
ボキシパラフェニレンジアミン、カルボキシメタフェニ
レンジアミン、メトキシカルボニルパラフェニレンジア
ミン、メトキシカルボニルメタフェニレンジアミン、ジ
アミノジフェニルメタン、ビス(アミノメチルフェニ
ル)メタン、ビス(アミノトリフルオロメチルフェニ
ル)メタン、ビス(アミノエチルフェニル)メタン、ビ
ス(アミノクロロフェニル)メタン、ビス(アミノジメ
チルフェニル)メタン、ビス(アミノジエチルフェニ
ル)メタン、ジアミノジフェニルプロパン、ビス(アミ
ノメチルフェニル)プロパン、ビス(アミノトリフルオ
ロメチルフェニル)プロパン、ビス(アミノエチルフェ
ニル)プロパン、ビス(アミノクロロフェニル)プロパ
ン、ビス(アミノジメチルフェニル)プロパン、ビス
(アミノジエチルフェニル)プロパン、ジアミノジフェ
ニルヘキサフルオロプロパン、ビス(アミノメチルフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(アミノトリフル
オロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス
(アミノエチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビ
ス(アミノクロロフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(アミノジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス(アミノジエチルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス(アミノメ
チルフェニル)スルホン、ビス(アミノエチルフェニ
ル)スルホン、ビス(アミノトリフルオロメチルフェニ
ル)スルホン、ビス(アミノジメチルフェニル)スルホ
ン、ビス(アミノジエチルフェニル)スルホン、ジアミ
ノジフェニルエーテル、ビス(アミノメチルフェニル)
エーテル、ビス(アミノトリフルオロメチルフェニル)
エーテル、ビス(アミノエチルフェニル)エーテル、ビ
ス(アミノジメチルフェニル)エーテル、ビス(アミノ
ジエチルフェニル)エーテル、ジメチルベンジジン、ビ
ス(トリフルオロメチル)ベンジジン、ジクロロベンジ
ジン、ビス(アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミ
ノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(アミノフェノ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(アミノ
フェノキシフェニル)エーテル、ビス(アミノフェノキ
シフェニル)メタン、ビス(アミノフェノキシフェニ
ル)スルホン。
Paraphenylene diamine, metaphenylene diamine, methyl paraphenylene diamine, methyl metaphenylene diamine, dimethyl paraphenylene diamine, dimethyl metaphenylene diamine, trimethyl paraphenylene diamine, trimethyl metaphenylene diamine, tetramethyl paraphenylene diamine, tetramethyl meta Phenylenediamine, trifluoromethylparaphenylenediamine, trifluoromethylmetaphenylenediamine, bis (trifluoro) methylparaphenylenediamine, bis (trifluoro) methylmetaphenylenediamine, methoxyparaphenylenediamine, methoxymetaphenylenediamine, trifluoromethoxy Paraphenylenediamine, trifluoromethoxymetaphenylenediamine, fluoro Paraphenylenediamine, fluorometaphenylenediamine, chloroparaphenylenediamine, chlorometaphenylenediamine, bromoparaphenylenediamine, bromometaphenylenediamine, carboxyparaphenylenediamine, carboxymetaphenylenediamine, methoxycarbonylparaphenylenediamine, methoxycarbonylmetaphenylenediamine , Diaminodiphenylmethane, bis (aminomethylphenyl) methane, bis (aminotrifluoromethylphenyl) methane, bis (aminoethylphenyl) methane, bis (aminochlorophenyl) methane, bis (aminodimethylphenyl) methane, bis (aminodiethylphenyl) ) Methane, diaminodiphenylpropane, bis (aminomethylphenyl) propane, bis (amino (Trifluoromethylphenyl) propane, bis (aminoethylphenyl) propane, bis (aminochlorophenyl) propane, bis (aminodimethylphenyl) propane, bis (aminodiethylphenyl) propane, diaminodiphenylhexafluoropropane, bis (aminomethylphenyl) Hexafluoropropane, bis (aminotrifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, bis (aminoethylphenyl) hexafluoropropane, bis (aminochlorophenyl) hexafluoropropane,
Bis (aminodimethylphenyl) hexafluoropropane, bis (aminodiethylphenyl) hexafluoropropane, diaminodiphenylsulfone, bis (aminomethylphenyl) sulfone, bis (aminoethylphenyl) sulfone, bis (aminotrifluoromethylphenyl) sulfone, Bis (aminodimethylphenyl) sulfone, bis (aminodiethylphenyl) sulfone, diaminodiphenylether, bis (aminomethylphenyl)
Ether, bis (aminotrifluoromethylphenyl)
Ether, bis (aminoethylphenyl) ether, bis (aminodimethylphenyl) ether, bis (aminodiethylphenyl) ether, dimethylbenzidine, bis (trifluoromethyl) benzidine, dichlorobenzidine, bis (aminophenoxy) benzene, bis (amino) Phenoxyphenyl) propane, bis (aminophenoxyphenyl) hexafluoropropane, bis (aminophenoxyphenyl) ether, bis (aminophenoxyphenyl) methane, bis (aminophenoxyphenyl) sulfone.

【0013】本願発明におけるポリイミド前駆体は、R
2がこれらのうち1種から構成されていても良いし、2
種以上から構成される共重合体であっても構わない。
The polyimide precursor in the present invention is represented by R
2 may be composed of one of these, or 2
Copolymers composed of more than one kind may be used.

【0014】さらに、ポリイミド系ポリマーの接着性を
向上させるため、耐熱性を低下させない範囲でR2とし
て、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合する
ことも可能である。好ましい具体例としては、ビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどが挙
げられるが、これに限定されない。
Further, in order to improve the adhesiveness of the polyimide polymer, it is possible to copolymerize an aliphatic group having a siloxane bond as R2 as long as the heat resistance is not reduced. A preferred specific example is bis (3
-Aminopropyl) tetramethyldisiloxane and the like, but are not limited thereto.

【0015】上記一般式(1)で表される構造単位にお
いて、R1およびR2中のフッ素含有率が1.0〜7.0
%の範囲にあることが重要である。ここでいうフッ素含
有率とは、R1およびR2中に存在するフッ素原子の総数
にフッ素の原子量19を乗じ、R1およびR2の分子量の
和で除した値であり、R1およびR2が数種類から構成さ
れている場合には、各R1およびR2内に含まれるフッ素
原子の数とフッ素を含有するR1およびR2成分のモル分
率から計算されるフッ素原子の数の平均値にフッ素の原
子量19を乗じ、各R1およびR2成分の分子量とモル分
率から計算されるR1およびR2の平均分子量の和で除し
た値である。フッ素含有率が1.0%より少ない場合、
フッ素導入の効果は認められず、通常のポリイミドと同
様に加熱加湿処理後の密着性低下が大きい。一方、フッ
素含有率が7.0%より多い場合、ポリイミド膜の撥水
撥油性が顕著になり、初期の密着性が低下する。
In the structural unit represented by the above general formula (1), the fluorine content in R 1 and R 2 is 1.0 to 7.0.
It is important to be in the% range. The fluorine content here is a value obtained by multiplying the total number of fluorine atoms present in R1 and R2 by the atomic weight 19 of fluorine and dividing by the sum of the molecular weights of R1 and R2, wherein R1 and R2 are composed of several types. In the case of, multiply the average number of fluorine atoms calculated from the number of fluorine atoms contained in each R1 and R2 and the mole fraction of R1 and R2 components containing fluorine by the atomic weight of fluorine 19, This is a value obtained by dividing by the sum of the average molecular weights of R1 and R2 calculated from the molecular weights and molar fractions of the respective R1 and R2 components. When the fluorine content is less than 1.0%,
No effect of the introduction of fluorine is recognized, and the adhesiveness after heating and humidification is greatly reduced as in the case of ordinary polyimide. On the other hand, when the fluorine content is more than 7.0%, the water and oil repellency of the polyimide film becomes remarkable, and the initial adhesion decreases.

【0016】上記定義で決定されるフッ素含有率のさら
に好ましい範囲としては2.0〜6.0%である。
A more preferable range of the fluorine content determined by the above definition is 2.0 to 6.0%.

【0017】本願発明のポリイミドコーティング剤組成
物では一般式(1)で示されるR1およびR2中のフッ素
含有率で規定しているが、結果物であるポリイミドコー
ティング膜中のフッ素含有量がそれにも増して重要であ
る。典型的には、ポリイミドコーティング剤組成物を窒
素雰囲気下、350℃、1時間加熱処理後に得られる残
存物(すなわち熱硬化物)中のフッ素含有率で規定する
ことも出来る。加熱処理はイナートオーブンや縦型拡散
炉などポリイミドのキュアに一般に用いられるものであ
れば好ましく用いることが出来る。熱処理後の残存物中
のフッ素含有率はイオン電極法、吸光光度法、イオンク
ロマト法などで求めることが出来る。
In the polyimide coating composition of the present invention, the content of fluorine in R1 and R2 represented by the general formula (1) is defined. However, the content of fluorine in the resulting polyimide coating film is further reduced. It is even more important. Typically, it can also be specified by the fluorine content in the residue (that is, the thermosetting product) obtained after heating the polyimide coating composition at 350 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. The heat treatment can be preferably used as long as it is generally used for curing polyimide, such as an inert oven or a vertical diffusion furnace. The fluorine content in the residue after the heat treatment can be determined by an ion electrode method, an absorptiometric method, an ion chromatographic method or the like.

【0018】この残存物中の好ましいフッ素含有率の範
囲は0.8〜6.0%であり、さらに好ましくは1.5
〜5.0%である。
The preferred range of the fluorine content in the residue is 0.8 to 6.0%, more preferably 1.5 to 6.0%.
~ 5.0%.

【0019】上記一般式(1)で示されるR1およびR2
中のフッ素含有率はR1および/またはR2にフッ素を含
有する成分を単独またはフッ素を含有しない成分と共重
合して用いることで調整することができる。
R1 and R2 represented by the above general formula (1)
The fluorine content therein can be adjusted by using a component containing fluorine in R1 and / or R2 alone or by copolymerizing with a component not containing fluorine.

【0020】フッ素を含有するR1成分の好ましい具体
例としては、4,4’−ジフェニルヘキサフルオロプロ
パンテトラカルボン酸、トリフルオロメチルピロメリッ
ト酸、ビス(トリフルオロメチル)ピロメリット酸など
の残基が挙げられるが、これらに限定されない。フッ素
を含有するR1成分は単独であっても良いし、複数から
なる共重合体であっても良い。
Preferred specific examples of the fluorine-containing R1 component include residues such as 4,4'-diphenylhexafluoropropanetetracarboxylic acid, trifluoromethylpyromellitic acid, and bis (trifluoromethyl) pyromellitic acid. But not limited thereto. The fluorine-containing R1 component may be a single component or a copolymer of a plurality of components.

【0021】フッ素を含有するR2成分の好ましい具体
例としては、トリフルオロメチルパラフェニレンジアミ
ン、トリフルオロメチルメタフェニレンジアミン、ビス
(トリフルオロ)メチルパラフェニレンジアミン、ビス
(トリフルオロ)メチルメタフェニレンジアミン、トリ
フルオロメトキシパラフェニレンジアミン、トリフルオ
ロメトキシメタフェニレンジアミン、フルオロパラフェ
ニレンジアミン、フルオロメタフェニレンジアミン、ジ
アミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス(アミ
ノメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(ア
ミノトリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン、ビス(アミノエチルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス(アミノクロロフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、ビス(アミノジメチルフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、ビス(アミノジエチルフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン、ビス(アミノトリフルオロメチルフ
ェニル)スルホン、ビス(アミノトリフルオロメチルフ
ェニル)エーテル、ビス(トリフルオロメチル)ベンジ
ジン、ビス(アミノフェノキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパンなどの残基が挙げられるが、これらに限定さ
れない。フッ素を含有するR2成分は単独であっても良
いし、複数からなる共重合体であっても良い。
Preferred examples of the fluorine-containing R2 component include trifluoromethyl paraphenylenediamine, trifluoromethyl metaphenylenediamine, bis (trifluoro) methylparaphenylenediamine, bis (trifluoro) methyl metaphenylenediamine, Trifluoromethoxy paraphenylenediamine, trifluoromethoxymetaphenylenediamine, fluoroparaphenylenediamine, fluorometaphenylenediamine, diaminodiphenylhexafluoropropane, bis (aminomethylphenyl) hexafluoropropane, bis (aminotrifluoromethylphenyl) hexafluoro Propane, bis (aminoethylphenyl) hexafluoropropane, bis (aminochlorophenyl) hexafluoropropane, bis (a (Minodimethylphenyl) hexafluoropropane, bis (aminodiethylphenyl) hexafluoropropane, bis (aminotrifluoromethylphenyl) sulfone, bis (aminotrifluoromethylphenyl) ether, bis (trifluoromethyl) benzidine, bis (aminophenoxy) (Phenyl) hexafluoropropane, and the like. The fluorine-containing R2 component may be a single component or a copolymer composed of a plurality of components.

【0022】上記一般式(1)中、R3およびR4は水
素、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、また
は、炭素数1〜30の有機基を表す。炭素数1〜30の
有機基としては脂肪族有機基が好ましく、含有される有
機基としては、炭化水素基、水酸基、カルボニル基、カ
ルボキシル基、ウレタン基、ウレア基、アミド基などが
挙げられるがこれらに限定されない。好ましい具体例と
しては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル
基、t−ブチル基、メタクリル酸エチル基、アクリル酸
エチル基、メタクリル酸プロピル基、アクリル酸プロピ
ル基、エチルメタクリルアミド基、プロピルメタクリル
アミド基、エチルアクリルアミド基、プロピルアクリル
アミド基などが挙げられるがこれらに限定されない。ま
た、脱離が容易でポリイミドへの転化が速やかである点
で、R3およびR4は水素、アルカリ金属イオン、アンモ
ニウムイオンであることがより好ましく、水素が最も好
ましい。
In the general formula (1), R 3 and R 4 represent hydrogen, an alkali metal ion, an ammonium ion, or an organic group having 1 to 30 carbon atoms. As the organic group having 1 to 30 carbon atoms, an aliphatic organic group is preferable, and examples of the contained organic group include a hydrocarbon group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a carboxyl group, a urethane group, a urea group, and an amide group. It is not limited to these. Preferred specific examples include methyl, ethyl, isopropyl, butyl, t-butyl, ethyl methacrylate, ethyl acrylate, propyl methacrylate, propyl acrylate, ethyl methacrylamide, propyl methacryl Examples include, but are not limited to, an amide group, an ethylacrylamide group, and a propylacrylamide group. Further, R3 and R4 are more preferably hydrogen, an alkali metal ion, or an ammonium ion, and most preferably hydrogen, from the viewpoint of easy desorption and rapid conversion to polyimide.

【0023】上記R3およびR4はそれぞれ単独種であっ
てもよいし、2種以上の混合であってもよい。R3およ
びR4は同じであっても、異なっても良い。
The above R3 and R4 may each be a single species or a mixture of two or more species. R3 and R4 may be the same or different.

【0024】本願発明におけるポリイミド前駆体は、一
般式(1)で表される構造単位のみから成るものであっ
ても良いし、他の構造単位との共重合体あるいはブレン
ド体であっても良い。その際、一般式(1)で表される
構造単位を80%以上含有していることが好ましい。共
重合またはブレンドに用いられる構造単位の種類、量は
最終加熱処理によって得られるポリイミド系ポリマーの
耐熱性を著しく損なわない範囲で選択するのが好まし
い。
The polyimide precursor in the present invention may be composed of only the structural unit represented by the general formula (1), or may be a copolymer or a blend with another structural unit. . At that time, it is preferable that the content of the structural unit represented by the general formula (1) is 80% or more. The type and amount of the structural unit used for copolymerization or blending are preferably selected within a range that does not significantly impair the heat resistance of the polyimide-based polymer obtained by the final heat treatment.

【0025】これらのポリイミド前駆体は公知の方法に
よって合成される。すなわちR3およびR4が水素である
場合はテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを選択的
に組み合わせ、これらをN−メチル−2−ピロリドン、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホ
ロトリアミドなどを主成分とする極性溶媒や、γ−ブチ
ロラクトンを主成分とする溶媒中で反応させるなど、公
知の方法によって合成される。
These polyimide precursors are synthesized by a known method. That is, when R3 and R4 are hydrogen, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine are selectively combined, and these are combined with N-methyl-2-pyrrolidone,
A known method such as a reaction in a polar solvent containing N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphorotriamide or the like as a main component, or a solvent containing γ-butyrolactone as a main component. Synthesized by

【0026】R3およびR4がアルキル基であるである場
合はテトラカルボン酸二無水物とアルコール化合物と反
応させた後、塩化チオニル等を用いて酸塩化物を合成し
た後に適当なジアミンとを選択的に組み合わせるか、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の適当な脱水剤を用い
てジアミンとを選択的に組み合わせ、これらをN−メチ
ル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、
N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホロトリアミドなどを主成分とす
る極性溶媒や、γ−ブチロラクトンを主成分とする溶媒
中で反応させるなど、公知の方法によって合成される。
When R 3 and R 4 are alkyl groups, after reacting a tetracarboxylic dianhydride with an alcohol compound, an acid chloride is synthesized using thionyl chloride or the like, and then an appropriate diamine is selectively obtained. Or selectively combined with a diamine using a suitable dehydrating agent such as dicyclohexylcarbodiimide, and these are combined with N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide,
It is synthesized by a known method such as a reaction in a polar solvent containing N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphorotriamide or the like as a main component or a solvent containing γ-butyrolactone as a main component.

【0027】本願発明のポリイミドコーティング組成物
に感光性を付与するために、R3およびR4成分にメタク
リル酸エチル基、アクリル酸エチル基、メタクリル酸プ
ロピル基、アクリル酸プロピル基、エチルメタクリルア
ミド基、プロピルメタクリルアミド基、エチルアクリル
アミド基、プロピルアクリルアミド基などを用いるこ
と、及び/または、エチレン性不飽和二重結合及びアミ
ノ基を含む一般式(2)で表される化合物(R4、R5、
R6は炭素数1〜30の有機基であり、うち、少なくと
も1つはエチレン性不飽和二重結合を含む)を含有させ
ることも可能である。
In order to impart photosensitivity to the polyimide coating composition of the present invention, the R3 and R4 components are added to ethyl methacrylate, ethyl acrylate, propyl methacrylate, propyl acrylate, ethyl methacrylamide, Use of a methacrylamide group, an ethylacrylamide group, a propylacrylamide group, and / or a compound represented by the general formula (2) containing an ethylenically unsaturated double bond and an amino group (R4, R5,
R6 is an organic group having 1 to 30 carbon atoms, at least one of which contains an ethylenically unsaturated double bond).

【0028】上記一般式(2)で表される化合物中、R
5、R6、R7は炭素数1〜30の有機基を表す。有機基
としては脂肪族有機基が好ましく、含有される有機基と
しては、炭化水素基、水酸基、カルボニル基、カルボキ
シル基、ウレタン基、ウレア基、アミド基などが挙げら
れるがこれらに限定されない。さらに、感光性能の向上
のため、R5、R6、R7のうち少なくとも1つはエチレ
ン性不飽和二重結合を含んでいることが好ましい。
In the compound represented by the above general formula (2), R
5, R6 and R7 represent an organic group having 1 to 30 carbon atoms. The organic group is preferably an aliphatic organic group. Examples of the organic group include, but are not limited to, a hydrocarbon group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a carboxyl group, a urethane group, a urea group, and an amide group. Further, in order to improve the photosensitive performance, it is preferable that at least one of R5, R6 and R7 contains an ethylenically unsaturated double bond.

【0029】一般式(2)の好ましい具体例として、ジ
メチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエ
チルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレー
ト、ジエチルアミノエチルアクリレート、ジメチルアミ
ノプロピルメタクリルアミド、ジメチルアミノプロピル
メタクリレート、ジエチルアミノプロピルメタクリレー
ト、ジメチルアミノプロピルアクリレート、ジエチルア
ミノプロピルアクリレート、ジエチルアミノプロピルメ
タクリルアミド、ジメチルアミノプロピルアクリルアミ
ド、ジエチルアミノプロピルアクリルアミド、ジメチル
アミノエチルメタクリルアミド、ジエチルアミノエチル
メタクリルアミド、ジメチルアミノエチルアクリルアミ
ド、ジエチルアミノエチルアクリルアミドなどが挙げら
れるがこれらに限定されない。
Preferred specific examples of the general formula (2) include dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl acrylate, dimethylaminopropyl methacrylamide, dimethylaminopropyl methacrylate, diethylaminopropyl methacrylate, dimethylaminopropyl Acrylate, diethylaminopropyl acrylate, diethylaminopropyl methacrylamide, dimethylaminopropyl acrylamide, diethylaminopropyl acrylamide, dimethylaminoethyl methacrylamide, diethylaminoethyl methacrylamide, dimethylaminoethyl acrylamide, diethylaminoethyl acrylamide, and the like. Not.

【0030】一般式(2)で表される化合物は単独種で
あってもよいし、2種以上の混合であってもよい。
The compound represented by the general formula (2) may be a single compound or a mixture of two or more compounds.

【0031】さらに、本願発明のポリイミドコーティン
グ剤は、光開始剤および/または光増感剤を含有するこ
とも可能である。
Further, the polyimide coating agent of the present invention can contain a photoinitiator and / or a photosensitizer.

【0032】本願発明に適した光開始剤としては、N−
フェニルジエタノールアミン、N−フェニルグリシン、
ミヒラーズケトンなどの芳香族アミン、3−フェニル−
5−イソオキサゾロンに代表される環状オキシム化合
物、1−フェニルプロパンジオン−2−(O−エトキシ
カルボニル)オキシムに代表される鎖状オキシム化合
物、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、
ジベンジルケトン、フルオレノンなどのベンゾフェノン
誘導体、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、
2−イソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン
誘導体などが挙げられるがこれらに限定されない。
The photoinitiator suitable for the present invention includes N-
Phenyldiethanolamine, N-phenylglycine,
Aromatic amines such as Michler's ketone, 3-phenyl-
A cyclic oxime compound represented by 5-isoxazolone, a chain oxime compound represented by 1-phenylpropanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate,
Dibenzyl ketone, benzophenone derivatives such as fluorenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone,
Examples thereof include thioxanthone derivatives such as 2-isopropylthioxanthone, but are not limited thereto.

【0033】本願発明に適した増感剤としては、アジド
アントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなどの
芳香族モノアジド、3,3’−カルボニルビス(ジエチ
ルアミノクマリン)などのクマリン化合物、ベンズアン
トロン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトンなど
一般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その他電
子写真の電荷移動剤として使用されるものであれば好ま
しく使用できることもある。
Examples of sensitizers suitable for the present invention include aromatic monoazides such as azidoanthraquinone and azidobenzalacetophenone, coumarin compounds such as 3,3'-carbonylbis (diethylaminocoumarin), benzanthrone and phenanthrenequinone. In some cases, aromatic ketones such as those generally used for photocurable resins and those used as charge transfer agents for electrophotography can be preferably used.

【0034】光開始剤や増感剤はポリマーに対して0.
01〜30重量%、さらに好ましくは0.1〜20重量
%添加するのが好ましい。この範囲を外れると感光性が
低下したり、ポリマーの機械特性が低下したりするので
注意を要する。これらの光開始剤や増感剤は、単独で、
あるいは2種以上混合して用いることができる。
The photoinitiator and the sensitizer are added to the polymer in an amount of 0.1%.
It is preferably added in an amount of from 01 to 30% by weight, more preferably from 0.1 to 20% by weight. If the ratio is outside this range, the photosensitivity is lowered and the mechanical properties of the polymer are lowered. These photoinitiators and sensitizers alone,
Alternatively, two or more kinds can be used in combination.

【0035】本願発明の組成物の感光性能を上げるため
に、適宜、光反応性モノマーを用いることもできる。
In order to enhance the photosensitivity of the composition of the present invention, a photoreactive monomer may be used as appropriate.

【0036】光反応性モノマーとしては、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、トリメチロールプロパントリ
メタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレ
ングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコー
ルジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタ
クリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、
メチレンビスメタクリルアミド、メチレンビスアクリル
アミドなどが挙げられるが、これらに限定されない。
The photoreactive monomer includes 2-hydroxyethyl methacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, propylene. Glycol dimethacrylate,
Examples include, but are not limited to, methylenebismethacrylamide, methylenebisacrylamide, and the like.

【0037】光反応性モノマーはポリマーに対して1〜
30重量%の範囲で添加するのが好ましい。この範囲を
外れると感光性が低下したり、ポリイミド系ポリマーの
機械特性が低下したりするので注意を要する。これらの
光反応性モノマーは、単独で、あるいは2種以上混合し
て用いることができる。
The photoreactive monomer is used in an amount of 1 to 1 with respect to the polymer.
It is preferable to add in the range of 30% by weight. If the ratio is outside this range, care must be taken because the photosensitivity is reduced and the mechanical properties of the polyimide polymer are reduced. These photoreactive monomers can be used alone or in combination of two or more.

【0038】本願発明の組成物の塗膜または加熱処理後
のポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるため
に適宜接着助剤を用いることもできる。
In order to improve the adhesion between the coating film of the composition of the present invention or the polyimide film after the heat treatment and the support, an adhesion aid may be appropriately used.

【0039】接着助剤としては、オキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有
機珪素化合物、あるいはアルミニウムモノエチルアセト
アセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス
(アセチルアセトネート)などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス(アセチルアセトネー
ト)などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用
いられる。
Examples of the adhesion promoter include oxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-
Organic silicon compounds such as methacryloxypropyltrimethoxysilane, or aluminum chelate compounds such as aluminum monoethylacetoacetate diisopropylate and aluminum tris (acetylacetonate) or titanium chelate compounds such as titanium bis (acetylacetonate) are preferable. Used.

【0040】さらに、他の添加剤が基板との接着性、感
度、耐熱性が大幅に低下しない範囲で含んでいても良
い。
Further, other additives may be contained in such a range that the adhesion to the substrate, the sensitivity and the heat resistance are not significantly reduced.

【0041】次に本願発明の組成物の使用方法について
説明をする。本願発明の組成物は化学線を用いた周知の
微細加工技術でパターン加工が可能である。
Next, the method of using the composition of the present invention will be described. The composition of the present invention can be patterned by a known fine processing technique using actinic radiation.

【0042】まず、本願発明の組成物を適当な支持体の
上に塗布する。支持体の材質としては、例えば、金属、
ガラス、半導体、金属酸化絶縁膜、窒化ケイ素などが挙
げられるが、これらに限定されない。
First, the composition of the present invention is applied on a suitable support. As the material of the support, for example, metal,
Examples include, but are not limited to, glass, semiconductors, metal oxide insulating films, silicon nitride, and the like.

【0043】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常0.1〜150μmの範囲
になるように塗布される。
As a coating method, means such as spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating can be used. The thickness of the applied film can be adjusted depending on the application means, the solid content concentration and the viscosity of the composition, but is usually applied in the range of 0.1 to 150 μm.

【0044】次にポリイミド前駆体を塗布した基板を乾
燥して、ポリイミド前駆体組成物被膜を得る。乾燥は、
オーブン、ホットプレート、赤外線などを利用し、50
〜180℃の範囲で行うのが好ましく、60〜150℃
の範囲で行うのがより好ましい。乾燥時間は1分〜数時
間行うのが好ましい。
Next, the substrate coated with the polyimide precursor is dried to obtain a polyimide precursor composition film. Drying is
Use an oven, hot plate, infrared ray, etc.
To 180 ° C., preferably 60 to 150 ° C.
It is more preferable to carry out within the range. The drying time is preferably from one minute to several hours.

【0045】次に、所望のパターンを有するマスクを用
い、露光を行う。露光量としては50〜1000mJ/
cm2の範囲が好ましい。特に好ましい範囲は100〜
600mJ/cm2である。適当な増感剤を用いること
によって、i線ステッパー、g線ステッパー、マスクア
ライナー、ミラープロジェクションなどの露光機を用い
て露光が可能である。
Next, exposure is performed using a mask having a desired pattern. The exposure amount is 50 to 1000 mJ /
A range of cm 2 is preferred. A particularly preferred range is 100 to
It is 600 mJ / cm2. By using an appropriate sensitizer, exposure can be performed using an exposure machine such as an i-line stepper, a g-line stepper, a mask aligner, and a mirror projection.

【0046】現像時のパターンの解像度が向上したり、
現像条件の許容幅が増大する場合には、現像前にベーク
処理をする工程を取り入れても差し支えない。この温度
としては50〜180℃の範囲が好ましく、特に60〜
150℃の範囲がより好ましい。時間は10秒〜数時間
が好ましい。この範囲を外れると、反応が進行しなかっ
たり、全ての領域が溶解しなくなるなどの恐れがあるの
で注意を要する。
The resolution of the pattern at the time of development is improved,
When the allowable range of the developing conditions is increased, a step of performing a baking process before the development may be adopted. The temperature is preferably in the range of 50 to 180 ° C., particularly preferably 60 to 180 ° C.
A range of 150 ° C. is more preferred. The time is preferably from 10 seconds to several hours. If the ratio is out of this range, the reaction may not proceed or all the regions may not be dissolved.

【0047】ついで未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりレリーフ・パターンを得る。現像液はポリイミ
ド前駆体の構造に合わせて適当なものを選択することが
できるが、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド、ジエタノールアミンなどのアルカリ水
溶液などを好ましく使用することができる。また、本組
成物の溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン、N−ア
セチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルトリアミドなどを単独ある
いはメタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、水、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ト
ルエン、キシレン、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メ
チル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エト
キシプロピオネート、2−ヘプタノン、酢酸エチルな
ど、組成物の貧溶媒との混合液も好ましく使用すること
ができる。
Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the unirradiated portion with a developing solution. A suitable developer can be selected according to the structure of the polyimide precursor, but an aqueous alkali solution such as ammonia, tetramethylammonium hydroxide, diethanolamine or the like can be preferably used. Further, N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide, etc. which are the solvents of the present composition are used alone. Or methanol, ethanol, isopropyl alcohol, water, methyl carbitol, ethyl carbitol, toluene, xylene, ethyl lactate, ethyl pyruvate, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypro A mixture of the composition with a poor solvent such as pionate, 2-heptanone, and ethyl acetate can also be preferably used.

【0048】現像は上記の現像液を塗膜面にそのまま、
あるいは、霧状にして放射する、現像液中に浸漬する、
あるいは浸漬しながら超音波をかけるなどの方法によっ
て行うことができる。
In the development, the above-mentioned developer is applied to the coating film surface as it is.
Alternatively, emit in the form of a mist, immerse in a developer,
Alternatively, it can be performed by a method such as applying ultrasonic waves while dipping.

【0049】ついでリンス液により、現像によって形成
したレリーフ・パターンを洗浄することが好ましい。リ
ンス液としては有機溶媒でリンスをする場合、現像液と
の混和性の良いメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチル−
3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプ
ロピオネート、2−ヘプタノン、酢酸エチルなどが好ま
しく用いられる。
Next, it is preferable to wash the relief pattern formed by development with a rinsing liquid. When rinsing with an organic solvent as a rinsing liquid, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, ethyl pyruvate, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl-
3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypropionate, 2-heptanone, ethyl acetate and the like are preferably used.

【0050】上記の処理によって得られたレリーフパタ
ーンのポリマーは耐熱性を有するポリイミド系ポリマー
の前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の環
状構造を有する耐熱性ポリマーとなる。熱処理温度とし
ては、135〜500℃で行うのが好ましく、300〜
450℃で行うのがより好ましい。熱処理は通常、段階
的にあるいは連続的に昇温しながら行われる。
The polymer of the relief pattern obtained by the above treatment is a precursor of a polyimide-based polymer having heat resistance, and becomes a heat-resistant polymer having an imide ring or other cyclic structure by heat treatment. The heat treatment is preferably performed at 135 to 500 ° C.,
More preferably, it is performed at 450 ° C. The heat treatment is usually performed stepwise or continuously while increasing the temperature.

【0051】[0051]

【実施例】以下実施例により本願発明を具体的に説明す
る。本願発明の範囲はこれら実施例によって何ら限定さ
れるものではない。なお、各実施例中の特性は以下の要
領で決定した。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. The scope of the present invention is not limited by these examples. The characteristics in each example were determined in the following manner.

【0052】(1)R1およびR2中のフッ素含有率 R1およびR2中のフッ素含有率は、一般式(1)で示さ
れるR1およびR2中のフッ素含有量をR1およびR2の分
子量で除した値であり、下記の式に従って求められる。
(1) Fluorine content in R1 and R2 The fluorine content in R1 and R2 is a value obtained by dividing the fluorine content in R1 and R2 represented by the general formula (1) by the molecular weight of R1 and R2. Which is obtained according to the following equation.

【0053】 [F]=(Nfc+Nfa)*19/(Mc+Ma) 上記式中、Nfcは一般式(1)で表される構造単位に
おいてR1に含まれるフッ素原子の数を表し、R1が2種
類以上の場合は各成分のR1に含まれるフッ素原子の数
と使用モル比から計算される平均フッ素原子数を用い
る。NfaはR2に含まれるフッ素原子の数を表し、R2
が2種類以上の場合は各成分のR2に含まれるフッ素原
子の数と使用モル比から計算される平均フッ素原子数を
用いる。McはR1の分子量を表し、原料として用いた
テトラカルボン酸無水物の分子量から4個の炭素と6個
の酸素の原子量の和144を減じて求める。R1が2種
類以上の場合は各成分のR1の分子量と使用モル比から
計算される平均分子量を用いる。MaはR2の分子量を
表し、原料として用いたジアミンの分子量から2個の窒
素と4個の水素の原子量の和32を減じて求める。R2
が2種類以上の場合は各成分のR2の分子量と使用モル
比から計算される平均分子量を用いる。
[F] = (Nfc + Nfa) * 19 / (Mc + Ma) In the above formula, Nfc represents the number of fluorine atoms contained in R 1 in the structural unit represented by the general formula (1). When two or more kinds are used, the average number of fluorine atoms calculated from the number of fluorine atoms contained in R1 of each component and the molar ratio used is used. Nfa represents the number of fluorine atoms contained in R2;
When two or more are used, the average number of fluorine atoms calculated from the number of fluorine atoms contained in R2 of each component and the molar ratio used is used. Mc represents the molecular weight of R1 and is determined by subtracting the sum of the atomic weights of 4 carbons and 6 oxygens from the molecular weight of the tetracarboxylic anhydride used as a raw material. When there are two or more types of R1, the average molecular weight calculated from the molecular weight of R1 of each component and the molar ratio used is used. Ma represents the molecular weight of R2, and is obtained by subtracting the sum of the atomic weights of two nitrogens and four hydrogens from the molecular weight of the diamine used as a raw material. R2
When two or more are used, the average molecular weight calculated from the molecular weight of R2 of each component and the molar ratio used is used.

【0054】(2)コーティング膜中のフッ素含有率 ポリイミドコーティング剤組成物をシリコンウエハー上
に所定条件でスピンコート、プリベークを行った後に、
オーブン中で窒素雰囲気下、350℃、1時間加熱処理
し、厚さ約10ミクロンのポリイミド硬化膜を得た。ポ
リイミド硬化膜をシリコンウエハーから単離した後、燃
焼、アルカリ処理し、イオン電極法によってポリイミド
硬化膜中のフッ素含有量を求めた。
(2) Fluorine content in the coating film After the polyimide coating composition is spin-coated and pre-baked on a silicon wafer under predetermined conditions,
Heat treatment was performed at 350 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere in an oven to obtain a cured polyimide film having a thickness of about 10 μm. After the polyimide cured film was isolated from the silicon wafer, it was subjected to combustion and alkali treatment, and the fluorine content in the polyimide cured film was determined by an ion electrode method.

【0055】(3)無機膜との密着性 厚さ約3000オングストロームの窒化膜を表面に有す
るシリコンウエハー上に各実施例に示した手順でポリイ
ミド膜を形成させた。剃刀を用い、ポリイミド膜に1m
m間隔で碁盤目状に切り込みを入れ、セロファンテープ
で引き剥がし試験を行った。この試料をプレッシャーク
ッカー(1.5気圧、120℃、100%RH、以下P
CTと略称)にて100時間加熱加湿処理処理し、上記
と同様の引き剥がし試験を行った。
(3) Adhesion to Inorganic Film A polyimide film was formed on a silicon wafer having a nitride film having a thickness of about 3000 Å on the surface by the procedure described in each embodiment. Using a razor, 1m on polyimide film
Cuts were made in a grid pattern at m intervals, and peeling tests were performed with cellophane tape. This sample was placed in a pressure cooker (1.5 atm, 120 ° C., 100% RH, P
(Abbreviated as CT) for 100 hours and subjected to the same peeling test as above.

【0056】(4)封止樹脂との密着性 ベアシリコンウエハー上に各実施例に示した手順でポリ
イミド膜を形成させた。ポリイミド膜上に東レ(株)製
封止樹脂TM20−100を高さ5mm、直径5mmの
円柱状にトランスファー成形によって形成した。テンシ
ロン(東洋ボールドウィン(株))を用い、封止樹脂が
ポリイミド膜から引き剥がされる際の強度を求めた。封
止樹脂の付いたポリイミド膜をPCT(1.5気圧、1
20℃、100%RH)にて100時間加熱加湿処理処
理した後に上記と同様の引き剥がし試験を行い、PCT
処理をしない場合の強度と比較した。
(4) Adhesion to sealing resin A polyimide film was formed on a bare silicon wafer by the procedure described in each embodiment. On a polyimide film, a sealing resin TM20-100 manufactured by Toray Industries, Inc. was formed into a column having a height of 5 mm and a diameter of 5 mm by transfer molding. Using Tensilon (Toyo Baldwin Co., Ltd.), the strength when the sealing resin was peeled off from the polyimide film was determined. PCT (1.5 atm, 1
(20 ° C., 100% RH) for 100 hours, and then subjected to the same peeling test as above, followed by PCT
The strength was compared with the strength without treatment.

【0057】合成例、表1においてポリイミド原料の略
号を下記の要領で使用する。
In Synthesis Examples and Table 1, abbreviations of polyimide raw materials are used in the following manner.

【0058】 BAPS ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン SiDA ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン 6FDA 3,3’,4,4’−ジフェニルヘキサフルオロプロパンテト ラカルボン酸二無水物 PMDA 無水ピロメリット酸 HFBAPP ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオ ロプロパン 3,4’−DAE 3,4’−ジアミノジフェニルエーテル BTDA 3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水 物 TFMB 2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノ ビフェニル DAE 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル 合成例1 窒素気流下、1リットルの4つ口フラスコ内でBAPS
41.1g、SiDA1.2gをN−メチル−2−ピロ
リドン274.4gに20℃で溶解させた。その後、6
FDA8.9g、PMDA17.4gを加え、55℃で
4時間反応させた。得られたポリイミド前駆体組成物を
ワニスAとした。ワニスAの仕込み組成、R1およびR
2中のフッ素含有率、ポリイミドコーティング膜中のフ
ッ素含有率を表1及び表2に示す。
BAPS bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone SiDA bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 6FDA 3,3 ′, 4,4′-diphenylhexafluoropropanetetracarboxylic dianhydride PMDA Pyromellitic anhydride HHFAPP bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane 3,4'-DAE 3,4'-diaminodiphenyl ether BTDA 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride Compound TFMB 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl DAE 4,4'-diaminodiphenyl ether Synthesis Example 1 BAPS in a 1-liter four-necked flask under a nitrogen stream
41.1 g and 1.2 g of SiDA were dissolved in 274.4 g of N-methyl-2-pyrrolidone at 20 ° C. Then 6
8.9 g of FDA and 17.4 g of PMDA were added and reacted at 55 ° C. for 4 hours. The resulting polyimide precursor composition was used as varnish A. Varnish A, R1 and R
Table 1 and Table 2 show the fluorine content in No. 2 and the fluorine content in the polyimide coating film.

【0059】合成例2 窒素気流下、1リットルの4つ口フラスコ内でHFBA
PP10.4g、3,4’−DAE15.0g、SiD
A1.2gをN−メチル−2−ピロリドン133.5g
に20℃で溶解させた。その後、3,3’,4,4’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物30.6gを
加え、55℃で4時間反応させた。その後20℃に冷却
し、N−フェニルグリシン2.9g、エチレングリコー
ルジメタクリレート5.7g、メタクリル酸ジエチルア
ミノエチル36.3g、N−メチル−2−ピロリドン5
0.4gを加えて感光性ポリイミド前駆体組成物を作製
し、ワニスBとした。ワニスBの仕込み組成、R1およ
びR2中のフッ素含有率、ポリイミドコーティング膜中
のフッ素含有率を表1及び表2に示す。
Synthesis Example 2 HFBA was placed in a 1-liter four-necked flask under a nitrogen stream.
PP 10.4 g, 3,4'-DAE 15.0 g, SiD
A3.5 g of N-methyl-2-pyrrolidone
At 20 ° C. Then, 3,3 ', 4,4'-
30.6 g of benzophenonetetracarboxylic dianhydride was added and reacted at 55 ° C. for 4 hours. Then, the mixture was cooled to 20 ° C., and 2.9 g of N-phenylglycine, 5.7 g of ethylene glycol dimethacrylate, 36.3 g of diethylaminoethyl methacrylate, and N-methyl-2-pyrrolidone 5
A photosensitive polyimide precursor composition was prepared by adding 0.4 g, and was used as Varnish B. Tables 1 and 2 show the charged composition of varnish B, the fluorine content in R1 and R2, and the fluorine content in the polyimide coating film.

【0060】合成例3 窒素気流下、1リットルの4つ口フラスコ内でBTDA
32.2g、2−ヒドロキシエチルメタクリレート2
7.0gをγ−ブチロラクトン100mlに溶解し、氷
浴下、ピリジン17.0g滴下した。その後室温で12
時間攪拌を続けた。ジシクロヘキシルカルボジイミド4
1.2gとγ−ブチロラクトン60mlの混合物を氷浴
下添加し、TFMB4.8g、DAE16.0g、γ−
ブチロラクトン100mlの混合液を添加した。氷浴下
6時間攪拌した後、メタノール10mlを加え、さらに
1時間攪拌の後、反応液をろ過し、炉液をエタノール1
0l中に添加した。沈殿物をろ過によって回収した後、
真空乾燥した。このようして得られたポリイミド前駆体
20.0g、1−フェニル−3−エトキシプロパントリ
オン−2−(O−ベンゾイル)オキシム0.8g、2−
(p−ジメチルアミノスチリル)ベンズオキサゾール
0.12g、1−フェニルー5−メルカプトー1,2,
3,4−テトラゾール0.2g、2−ニトロソナフトー
ル0.01g、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト1.2g、ベンゾフェノン−3,3’−ビス(N−
(3−トリエトキシシリル)プロピルアミド)−4,4
−ジカルボン酸0.4gをN−メチル−2−ピロリドン
27.3gに溶解して、感光性ポリイミド前駆体組成物
を作製し、ワニスCとした。ワニスCの仕込み組成、R
1およびR2中のフッ素含有率、ポリイミドコーティン
グ膜中のフッ素含有率を表1及び表2に示す。
Synthesis Example 3 BTDA in a 1-liter four-necked flask under a nitrogen stream
32.2 g, 2-hydroxyethyl methacrylate 2
7.0 g was dissolved in 100 ml of γ-butyrolactone, and 17.0 g of pyridine was added dropwise in an ice bath. Then at room temperature 12
Stirring was continued for hours. Dicyclohexylcarbodiimide 4
A mixture of 1.2 g and 60 ml of γ-butyrolactone was added in an ice bath, and 4.8 g of TFMB, 16.0 g of DAE, and γ-butyrolactone were added.
A mixture of 100 ml of butyrolactone was added. After stirring for 6 hours in an ice bath, 10 ml of methanol was added, and after stirring for another 1 hour, the reaction solution was filtered, and the filtrate was added to ethanol 1
Added in Ol. After collecting the precipitate by filtration,
Vacuum dried. The polyimide precursor 20.0 g thus obtained, 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2- (O-benzoyl) oxime 0.8 g,
0.12 g of (p-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 1-phenyl-5-mercapto-1,2,2
0.2 g of 3,4-tetrazole, 0.01 g of 2-nitrosonaphthol, 1.2 g of trimethylolpropane triacrylate, benzophenone-3,3'-bis (N-
(3-triethoxysilyl) propylamide) -4,4
-Dicarboxylic acid (0.4 g) was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (27.3 g) to prepare a photosensitive polyimide precursor composition, which was designated as Varnish C. Varnish C charge composition, R
Tables 1 and 2 show the fluorine content in R1 and R2 and the fluorine content in the polyimide coating film.

【0061】合成例4 6FDAを1.3g、PMDAを20.1g、N−メチ
ル−2−ピロリドンを254.8g用いる他は合成例1
と同様にして、ポリイミド前駆体組成物を作成し、ワニ
スDとした。ワニスDの仕込み組成、R1およびR2中
のフッ素含有率、ポリイミドコーティング膜中のフッ素
含有率を表1及び表2に示す。
Synthesis Example 4 Synthesis Example 1 except that 1.3 g of 6FDA, 20.1 g of PMDA, and 254.8 g of N-methyl-2-pyrrolidone were used.
In the same manner as in the above, a polyimide precursor composition was prepared, and Varnish D was obtained. Tables 1 and 2 show the charged composition of Varnish D, the fluorine content in R1 and R2, and the fluorine content in the polyimide coating film.

【0062】合成例5 窒素気流下、1リットルの4つ口フラスコ内でHFBA
PP20.7g、3,4’−DAE11.0g、SiD
A1.2gをN−メチル−2−ピロリドン148.3g
に20℃で溶解させた。その後、BTDA30.6gを
加え、55℃で4時間反応させた。その後20℃に冷却
し、N−フェニルグリシン3.2g、エチレングリコー
ルジメタクリレート6.4g、メタクリル酸ジエチルア
ミノエチル36.1g、N−メチル−2−ピロリドン6
0.3gを加えて感光性ポリイミド前駆体組成物を作製
し、ワニスEとした。ワニスEの仕込み組成、R1およ
びR2中のフッ素含有率、ポリイミドコーティング膜中
のフッ素含有率を表1及び表2に示す。
Synthesis Example 5 HFBA was placed in a 1-liter four-necked flask under a nitrogen stream.
PP 20.7 g, 3,4'-DAE 11.0 g, SiD
A1.2 g of N-methyl-2-pyrrolidone 148.3 g
At 20 ° C. After that, 30.6 g of BTDA was added and reacted at 55 ° C. for 4 hours. Thereafter, the mixture was cooled to 20 ° C., and 3.2 g of N-phenylglycine, 6.4 g of ethylene glycol dimethacrylate, 36.1 g of diethylaminoethyl methacrylate, 6 g of N-methyl-2-pyrrolidone 6
A photosensitive polyimide precursor composition was prepared by adding 0.3 g, and was used as Varnish E. Tables 1 and 2 show the charged composition of the varnish E, the fluorine content in R1 and R2, and the fluorine content in the polyimide coating film.

【0063】合成例6 窒素気流下、1リットルの4つ口フラスコ内でBTDA
32.2g、2−ヒドロキシエチルメタクリレート2
7.0gをγ−ブチロラクトン100mlに溶解し、氷
浴下、ピリジン17.0g滴下した。その後室温で12
時間攪拌を続けた。ジシクロヘキシルカルボジイミド4
1.2gとγ−ブチロラクトン60mlの混合物を氷浴
下添加し、TFMB30.4g、γ−ブチロラクトン1
00mlの混合液を添加した。氷浴下6時間攪拌した
後、メタノール10mlを加え、さらに1時間攪拌の
後、反応液をろ過し、炉液をエタノール10l中に添加
した。沈殿物をろ過によって回収した後、真空乾燥し
た。このようして得られたポリイミド前駆体20.0
g、1−フェニル−3−エトキシプロパントリオン−2
−(O−ベンゾイル)オキシム0.8g、2−(p−ジ
メチルアミノスチリル)ベンズオキサゾール0.12
g、1−フェニルー5−メルカプトー1,2,3,4−
テトラゾール0.2g、2−ニトロソナフトール0.0
1g、トリメチロールプロパントリアクリレート1.2
g、ベンゾフェノン−3,3’−ビス(N−(3−トリ
エトキシシリル)プロピルアミド)−4,4−ジカルボ
ン酸0.4gをN−メチル−2−ピロリドン27.3g
に溶解して、感光性ポリイミド前駆体組成物を作製し、
ワニスFとした。ワニスFの仕込み組成、R1およびR
2中のフッ素含有率、ポリイミドコーティング膜中のフ
ッ素含有率を表1及び表2に示す。
Synthesis Example 6 BTDA in a 1-liter four-necked flask under a nitrogen stream
32.2 g, 2-hydroxyethyl methacrylate 2
7.0 g was dissolved in 100 ml of γ-butyrolactone, and 17.0 g of pyridine was added dropwise in an ice bath. Then at room temperature 12
Stirring was continued for hours. Dicyclohexylcarbodiimide 4
A mixture of 1.2 g and γ-butyrolactone 60 ml was added in an ice bath, and TFMB 30.4 g and γ-butyrolactone 1 were added.
00 ml of the mixture was added. After stirring for 6 hours in an ice bath, 10 ml of methanol was added. After stirring for 1 hour, the reaction solution was filtered, and the filtrate was added to 10 l of ethanol. The precipitate was collected by filtration and dried under vacuum. The thus obtained polyimide precursor 20.0
g, 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2
-(O-benzoyl) oxime 0.8 g, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzoxazole 0.12
g, 1-phenyl-5-mercapto-1,2,3,4-
0.2 g of tetrazole, 0.0 of 2-nitrosonaphthol
1 g, trimethylolpropane triacrylate 1.2
g, benzophenone-3,3'-bis (N- (3-triethoxysilyl) propylamide) -4,4-dicarboxylic acid, 0.4 g, and 27.3 g of N-methyl-2-pyrrolidone.
Dissolved in to produce a photosensitive polyimide precursor composition,
Varnish F was used. Varnish F, R1 and R
Table 1 and Table 2 show the fluorine content in No. 2 and the fluorine content in the polyimide coating film.

【0064】実施例1 ワニスAをスピンナーでシリコンウエハー上に回転塗布
し、次いで真空吸着式のホットプレート(大日本スクリ
ーン(株)製SCW636型)を用いて80℃で2分、
100℃で2分乾燥を行いプリベーク膜を作成した。こ
のプリベーク膜の膜厚は10μmであった。この後、窒
素雰囲気下で140℃で30分、350℃で60分の熱
処理をした。得られたポリイミド膜の無機膜に対する密
着性は表2に示す通り良好であり、封止樹脂に対する密
着強度も高く、PCT処理後も強度の低下幅は小さかっ
た。
Example 1 Varnish A was spin-coated on a silicon wafer with a spinner, and then heated at 80 ° C. for 2 minutes using a vacuum adsorption type hot plate (SCW636, manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.).
Drying was performed at 100 ° C. for 2 minutes to form a prebaked film. The thickness of this prebaked film was 10 μm. Thereafter, heat treatment was performed at 140 ° C. for 30 minutes and at 350 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere. The adhesion of the obtained polyimide film to the inorganic film was good as shown in Table 2, the adhesion strength to the sealing resin was high, and the decrease in strength after the PCT treatment was small.

【0065】実施例2 ワニスBを実施例1と同様に回転塗布、乾燥を行い、プ
リベーク膜を作成した。このプリベーク膜の膜厚は10
μmであった。この後、窒素雰囲気下で140℃で30
分、350℃で60分の熱処理をした。得られたポリイ
ミド膜の無機膜に対する密着性は表2に示す通り良好で
あり、封止樹脂に対する密着強度も高く、PCT処理後
も強度の低下幅は小さかった。
Example 2 Varnish B was spin-coated and dried in the same manner as in Example 1 to form a prebaked film. The thickness of this prebaked film is 10
μm. Then, at 140 ° C. in a nitrogen atmosphere for 30 minutes.
Heat treatment at 350 ° C. for 60 minutes. The adhesion of the obtained polyimide film to the inorganic film was good as shown in Table 2, the adhesion strength to the sealing resin was high, and the decrease in strength after the PCT treatment was small.

【0066】上記操作と同様にして得られたプリベーク
膜をi線ステッパー(ニコン(株)製NSR−1755
I7A)によって400mJ/cm2の露光量で露光を
行った。ホットプレートで80℃1分間のベークを行っ
た後、N−メチルピロリドン(70部)とキシレン(3
0部)の混合溶媒を用い、スプレー・パドル現像を行っ
た。次いでイソプロピルアルコールで20秒間リンス
し、スピンナーで回転乾燥した。この後、140℃で3
0分、350℃で60分熱処理し、光学顕微鏡を用いて
パターンを観察したところ、5μmの解像度を有する良
好なパターンを示した。
The pre-baked film obtained in the same manner as above was applied to an i-line stepper (NSR-1755 manufactured by Nikon Corporation).
Exposure was performed according to I7A) with an exposure amount of 400 mJ / cm 2. After baking at 80 ° C. for 1 minute on a hot plate, N-methylpyrrolidone (70 parts) and xylene (3 parts) were added.
(0 parts), and spray paddle development was carried out. Then, it was rinsed with isopropyl alcohol for 20 seconds, and spin-dried with a spinner. Then, at 140 ° C, 3
Heat treatment was performed at 350 ° C. for 60 minutes for 0 minute, and the pattern was observed using an optical microscope.

【0067】実施例3 ワニスCを実施例1と同様に回転塗布、乾燥を行い、プ
リベーク膜を作成した。このプリベーク膜の膜厚は10
μmであった。この後、窒素雰囲気下で140℃で30
分、350℃で60分の熱処理をした。得られたポリイ
ミド膜の無機膜に対する密着性は表2に示す通り良好で
あり、封止樹脂に対する密着強度も高く、PCT処理後
も強度の低下幅は小さかった。
Example 3 Varnish C was spin-coated and dried in the same manner as in Example 1 to form a prebaked film. The thickness of this prebaked film is 10
μm. Then, at 140 ° C. in a nitrogen atmosphere for 30 minutes.
Heat treatment at 350 ° C. for 60 minutes. The adhesion of the obtained polyimide film to the inorganic film was good as shown in Table 2, the adhesion strength to the sealing resin was high, and the decrease in strength after the PCT treatment was small.

【0068】上記操作と同様にして得られたプリベーク
膜をi線ステッパーによって500mJ/cm2の露光
量で露光を行った。ホットプレートで80℃1分間のベ
ークを行った後、シクロペンタノンを用い、スプレー現
像を行った。次いでプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートで20秒間リンスし、スピンナーで回
転乾燥した。この後、140℃で30分、350℃で6
0分熱処理し、光学顕微鏡を用いてパターンを観察した
ところ、10μmの解像度を有する良好なパターンを示
した。
The prebaked film obtained in the same manner as above was exposed at an exposure of 500 mJ / cm 2 by an i-line stepper. After baking at 80 ° C. for 1 minute on a hot plate, spray development was performed using cyclopentanone. Then, it was rinsed with propylene glycol monomethyl ether acetate for 20 seconds and spin-dried with a spinner. After that, it is 30 minutes at 140.degree.
When heat treatment was performed for 0 minutes and the pattern was observed using an optical microscope, a good pattern having a resolution of 10 μm was shown.

【0069】比較例1 ワニスDを実施例1と同様に回転塗布、乾燥を行い、プ
リベーク膜を作成した。このプリベーク膜の膜厚は10
μmであった。この後、窒素雰囲気下で140℃で30
分、350℃で60分の熱処理をした。得られたポリイ
ミド膜の無機膜に対する密着性は表2に示す通り良好で
あり、封止樹脂に対する初期の密着強度は高かったが、
PCT処理後の強度の低下幅が大きかった。
Comparative Example 1 Varnish D was spin-coated and dried in the same manner as in Example 1 to form a prebaked film. The thickness of this prebaked film is 10
μm. Then, at 140 ° C. in a nitrogen atmosphere for 30 minutes.
Heat treatment at 350 ° C. for 60 minutes. The adhesion of the obtained polyimide film to the inorganic film was good as shown in Table 2, and the initial adhesion strength to the sealing resin was high.
The magnitude of the decrease in strength after the PCT treatment was large.

【0070】比較例2 ワニスEを実施例2と同様に回転塗布、乾燥を行い、プ
リベーク膜を作成した。このプリベーク膜の膜厚は10
μmであった。この後、窒素雰囲気下で140℃で30
分、350℃で60分の熱処理をした。得られたポリイ
ミド膜の無機膜に対する密着性は表2に示す通り良好で
あったが、封止樹脂に対する密着強度がPCT処理の有
無に関わらず低かった。
Comparative Example 2 Varnish E was spin-coated and dried in the same manner as in Example 2 to form a prebaked film. The thickness of this prebaked film is 10
μm. Then, at 140 ° C. in a nitrogen atmosphere for 30 minutes.
Heat treatment at 350 ° C. for 60 minutes. The adhesion of the obtained polyimide film to the inorganic film was good as shown in Table 2, but the adhesion strength to the sealing resin was low regardless of the presence or absence of the PCT treatment.

【0071】比較例3 ワニスFを実施例3と同様に回転塗布、乾燥を行い、プ
リベーク膜を作成した。このプリベーク膜の膜厚は10
μmであった。この後、窒素雰囲気下で140℃で30
分、350℃で60分の熱処理をした。得られたポリイ
ミド膜の無機膜に対する密着性は表2に示す通り不良で
あり、封止樹脂に対する密着強度もPCT処理の有無に
関わらず低かった。
Comparative Example 3 Varnish F was spin-coated and dried in the same manner as in Example 3 to form a prebaked film. The thickness of this prebaked film is 10
μm. Then, at 140 ° C. in a nitrogen atmosphere for 30 minutes.
Heat treatment at 350 ° C. for 60 minutes. The adhesion of the obtained polyimide film to the inorganic film was poor as shown in Table 2, and the adhesion strength to the sealing resin was low regardless of the presence or absence of the PCT treatment.

【0072】[0072]

【表1】 [Table 1]

【表2】 [Table 2]

【0073】[0073]

【発明の効果】本願発明によれば加熱加湿処理による密
着性低下の問題を著しく改善したポリイミドコーティン
グ剤組成物を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a polyimide coating composition which has remarkably improved the problem of the decrease in adhesion due to the heating and humidifying treatment.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式(1) 【化1】 で表される構造単位を主成分とし、R1およびR2中のフ
ッ素含有率が1.0〜7.0%であるポリイミド前駆体
を必須成分とすることを特徴とするポリイミドコーティ
ング剤組成物。(R1は少なくとも2個以上の炭素原子
を有する4価の有機基、R2は少なくとも2個以上の炭
素原子を有する2価の有機基、R3およびR4は水素、ア
ルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、または、炭素
数1〜30の有機基を表す。R3、R4は同じでも異なっ
ていても良い)
1. A compound of the general formula (1) A polyimide coating composition comprising a structural unit represented by the following formula as a main component and a polyimide precursor having a fluorine content of 1.0 to 7.0% in R1 and R2 as an essential component. (R1 is a tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R2 is a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R3 and R4 are hydrogen, an alkali metal ion, an ammonium ion, or Represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms. R3 and R4 may be the same or different.
【請求項2】該フッ素含有率が2.0〜6.0%である
ことを特徴とする請求項1記載のポリイミドコーティン
グ剤組成物。
2. The polyimide coating composition according to claim 1, wherein said fluorine content is 2.0 to 6.0%.
【請求項3】一般式(1)においてR3およびR4が水素
であることを特徴とする請求項1記載のポリイミドコー
ティング剤組成物。
3. The polyimide coating composition according to claim 1, wherein R3 and R4 in the formula (1) are hydrogen.
【請求項4】該組成物中に、エチレン性不飽和二重結合
及びアミノ基を含む一般式(2) 【化2】 で表される化合物を含有することを特徴とする請求項1
記載のポリイミドコーティング剤組成物。(R5、R6、
R7、は炭素数1〜30の有機基であり、うち、少なく
とも1つはエチレン性不飽和二重結合を含む)
4. A composition of the general formula (2) containing an ethylenically unsaturated double bond and an amino group in the composition. A compound represented by the formula:
The polyimide coating composition according to the above. (R5, R6,
R7 is an organic group having 1 to 30 carbon atoms, at least one of which contains an ethylenically unsaturated double bond)
【請求項5】該組成物中に、光開始剤および/または光
増感剤を含有することを特徴とする請求項1記載のポリ
イミドコーティング剤組成物。
5. The polyimide coating composition according to claim 1, wherein said composition contains a photoinitiator and / or a photosensitizer.
【請求項6】一般式(1) 【化3】 で表される構造単位を主成分とするポリイミド前駆体を
必須成分とする組成物から得られ、かつフッ素含有率が
0.8〜6.0%であるすることを特徴とするポリイミ
ドコーティング膜。(R1は少なくとも2個以上の炭素
原子を有する4価の有機基、R2は少なくとも2個以上
の炭素原子を有する2価の有機基、R3およびR4は水
素、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、また
は、炭素数1〜30の有機基を表す。R3、R4は同じで
も異なっていても良い)
6. A compound of the general formula (1) A polyimide coating film obtained from a composition containing, as an essential component, a polyimide precursor containing a structural unit represented by the following formula as a main component, and having a fluorine content of 0.8 to 6.0%. (R1 is a tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R2 is a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R3 and R4 are hydrogen, an alkali metal ion, an ammonium ion, or Represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms. R3 and R4 may be the same or different.
【請求項7】該フッ素含有率が1.5〜5.0%である
ことを特徴とする請求項6記載のポリイミドコーティン
グ膜。
7. The polyimide coating film according to claim 6, wherein said fluorine content is 1.5 to 5.0%.
【請求項8】請求項6記載のポリイミドコーティング膜
を保護膜として有する半導体。
8. A semiconductor having the polyimide coating film according to claim 6 as a protective film.
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CN108795315A (en) * 2018-05-30 2018-11-13 宁波科莱恩新材料科技有限公司 A kind of anti-sticking antiacid protective films of UV based on active fluorinated polyimide

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018059261A (en) * 2006-07-27 2018-04-12 アウトラスト テクノロジーズ,リミテッド ライアビリティ カンパニー Temperature regulating cellulosic fiber and application thereof
CN108795315A (en) * 2018-05-30 2018-11-13 宁波科莱恩新材料科技有限公司 A kind of anti-sticking antiacid protective films of UV based on active fluorinated polyimide
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