JPH10294271A - Illuminating system, aligner and device manufacture - Google Patents

Illuminating system, aligner and device manufacture

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JPH10294271A
JPH10294271A JP9115011A JP11501197A JPH10294271A JP H10294271 A JPH10294271 A JP H10294271A JP 9115011 A JP9115011 A JP 9115011A JP 11501197 A JP11501197 A JP 11501197A JP H10294271 A JPH10294271 A JP H10294271A
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JP
Japan
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temperature
illuminance sensor
illuminance
sensor
signal
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JP9115011A
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Japanese (ja)
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Kouichi Shimeki
浩一 七五三木
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Canon Inc
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To constantly illuminate a plane to be illuminated with a stable illuminance, by detecting the temperature of a illuminance sensor, and cooling the illuminance sensor based on the detected temperature so as to maintain the temperature of the illuminance sensor at a prescribed value. SOLUTION: A differential amplifier 32 amplifies a signal provided based on a difference between a signal from an illuminance sensor 1 and an instruction signal from an illuminance instruction part 33, which outputs the signal for previously setting the illuminance on the plane of a subject to be illuminated, and outputs it as a power control signal. The power control signal from the differential amplifier 32 is converted into power by a lighting device 31, and the light emitting quantity of a lamp 11 is controlled. A heat dissipating tin 2 is mounted on the rear plane of the illuminance sensor 1, and temperature increase of the illuminance sensor 1 is suppressed. The illuminance sensor 1 is provided with a temperature sensor 4, and temperature change is fetched to a temperature control part 5. The temperature control part 5 controls the rotating speed of a fan 3 through a rotating speed control part 6 so as to have the temperature of the illuminance sensor 1 within a set range.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置等
に使用される照明装置ならびにそれを用いることができ
る露光装置およびデバイス製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an illumination device used for a semiconductor exposure apparatus and the like, and to an exposure apparatus and a device manufacturing method using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、照明装置からの露光光で照明し
たレチクル面上の回路パターンを、投影光学系によりウ
エハ面上に投影露光する際に高スループット化を図る為
には、露光用のランプからの光量を増加させる必要があ
る。これによって露光速度をあげて高スループット化が
容易に図れる。また、光源手段からの光量を常に一定に
保つことはスループットの安定化が図れる。そのためラ
ンプからの光束の一部を照度センサに取り込みランプへ
の電力をフィードバックコントロールしている。しかし
ながら、レチクルおよびウエハ面の照度を一定に保つた
めに、フィードバックコントロールによって点灯時間と
ともにランプへの電力が図8に示されるように上昇する
と、ランプの発光量は維持されるが発熱量は電流に比例
して増加する。その熱エネルギーが照度センサを加熱
し、照度センサの温度が図9のように上昇する。する
と、定照度センサの光電変換特性は温度とともに図10
のように変化し、照度センサの出力に誤差が含まれるた
め、照明系の照度が一定でなくなる。
2. Description of the Related Art Generally, in order to achieve a high throughput when a circuit pattern on a reticle surface illuminated with exposure light from an illumination device is projected onto a wafer surface by a projection optical system, an exposure lamp is required. It is necessary to increase the amount of light from the camera. Thereby, it is possible to easily increase the exposure speed and increase the throughput. Also, keeping the light amount from the light source means constant at all times can stabilize the throughput. Therefore, a part of the luminous flux from the lamp is taken into the illuminance sensor, and the power to the lamp is feedback-controlled. However, when the power to the lamp is increased as shown in FIG. 8 with the lighting time by the feedback control in order to keep the illuminance of the reticle and the wafer surface constant, the light emission of the lamp is maintained but the heat generation is reduced by the current. Increase in proportion. The heat energy heats the illuminance sensor, and the temperature of the illuminance sensor rises as shown in FIG. Then, the photoelectric conversion characteristics of the constant illuminance sensor together with the temperature are shown in FIG.
And the output of the illuminance sensor includes an error, so that the illuminance of the illumination system is not constant.

【0003】また、ステッパでは露光量を決めるために
照明系内の光束の一部を照度センサに取り込んで、その
照度値をもとにシャッタ開閉速度を制御している。照度
センサの温度上昇は照度値の誤差となるため正確な照度
の把握ができなくなる。
In order to determine an exposure amount, a stepper takes in a part of a light beam in an illumination system into an illuminance sensor and controls a shutter opening / closing speed based on the illuminance value. An increase in the temperature of the illuminance sensor causes an error in the illuminance value, so that accurate illuminance cannot be grasped.

【0004】そのため、従来、図7に示すように、フォ
トディテクタ1(照度センサ)に放熱フィン2を取り付
けて、フォトディテクタ1の温度上昇を抑えている。
(図7)
Therefore, conventionally, as shown in FIG. 7, a radiation fin 2 is attached to a photodetector 1 (illuminance sensor) to suppress a temperature rise of the photodetector 1.
(FIG. 7)

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】スループットを向上す
るためにランプの電力仕様を大きくすると、フィードバ
ック用の照度センサの温度上昇の勾配が大きくなり、放
熱フィンだけでは放熱しきれなくなる。(図9)。ま
た、定照度センサに使われるシリコン系あるいはガリウ
ムヒ素系のフォトダイオードは温度上昇と伴に受光感度
が変化する。そのため照度センサの温度上昇は、電力フ
ィードバック信号に誤差をもたらす(図10)ため、照
明系の照度は一定ではなくなるという問題がある(図1
1)。
If the power specification of the lamp is increased in order to improve the throughput, the gradient of the temperature rise of the illuminance sensor for feedback becomes large, and it becomes impossible to radiate heat only with the radiation fins. (FIG. 9). The light receiving sensitivity of a silicon-based or gallium arsenide-based photodiode used in a constant illuminance sensor changes with an increase in temperature. Therefore, a rise in the temperature of the illuminance sensor causes an error in the power feedback signal (FIG. 10), so that the illuminance of the illumination system is not constant (FIG. 1).
1).

【0006】例えば、照度センサにガリウムヒ素系のフ
ォトダイオードを用いた場合、受光感度の温度特性は−
0.2%である。照明系に3KWのランプを使った場
合、照度センサの温度は室温23℃に対し約20℃上昇
する。即ち、照度センサの出力は点灯初期よりも4%低
下する。同様に5KWランプを使った場合、温度上昇は
約40℃になるため照度センサの出力は点灯初期よりも
8%の低下にもなる。さらに定照度モードでランプを点
灯すると、電力の上昇と伴に照度センサの温度が上昇
し、照度センサの出力は低下する。このように照度セン
サの出力が温度と伴に変化する。電力フィードバック制
御が行われる系では、マスクあるいはプレート面の照度
が一定に保たれなくなる。またステッパでは照度センサ
の照度値に誤差が含まれるため、露光量が適正にならな
いという問題がある。
For example, when a gallium arsenide-based photodiode is used for the illuminance sensor, the temperature characteristic of the light receiving sensitivity is-
0.2%. When a 3 KW lamp is used for the illumination system, the temperature of the illuminance sensor increases by about 20 ° C. with respect to the room temperature of 23 ° C. That is, the output of the illuminance sensor is reduced by 4% from the initial lighting. Similarly, when a 5KW lamp is used, the temperature rises to about 40 ° C., so that the output of the illuminance sensor is reduced by 8% from the initial lighting. Further, when the lamp is turned on in the constant illuminance mode, the temperature of the illuminance sensor increases with an increase in power, and the output of the illuminance sensor decreases. Thus, the output of the illuminance sensor changes with the temperature. In a system where power feedback control is performed, the illuminance on the mask or plate surface cannot be kept constant. Further, in the stepper, there is a problem that the exposure amount is not appropriate because the illuminance value of the illuminance sensor includes an error.

【0007】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、照明装置による被照射面上を常に安定した
照度で照明できるようにし、もって、半導体デバイスを
安定的に高精度でかつ高いスループットで製造すること
ができるようにすることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, it is an object of the present invention to illuminate a surface to be illuminated by an illuminating device with a stable illuminance at all times, so that a semiconductor device can be stably provided with high accuracy. An object of the present invention is to enable manufacturing with high throughput.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の照明装置は、照度センサの検出信号をフィード
バックさせ、使用する電力を制御することにより発光量
を制御する照明装置において、前記照度センサの温度を
検出する温度検出手段およびその出力に基づいて前記照
度センサの温度を所定の値に維持する冷却手段を有する
ことを特徴とする。また、本発明の露光装置は、このよ
うな照明装置により所定のパターンを基板上に露光する
ことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a lighting device for controlling a light emission amount by feeding back a detection signal of an illuminance sensor and controlling electric power to be used. It is characterized by having temperature detecting means for detecting the temperature of the sensor and cooling means for maintaining the temperature of the illuminance sensor at a predetermined value based on the output thereof. Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that a predetermined pattern is exposed on a substrate by such an illumination device.

【0009】また、本発明のデバイス製造方法は、照度
センサの検出信号をフィードバックさせ、使用する電力
を制御することにより発光量を制御する照明装置を用い
て所定のパターンを基板上に露光することによりデバイ
スを製造する方法において、露光に際しては、前記照度
センサの温度を検出し、その検出温度に基づいて前記照
度センサの温度が所定の値に維持されるように前記照度
センサを冷却することを特徴とする。
Further, according to the device manufacturing method of the present invention, the detection signal of the illuminance sensor is fed back, and a predetermined pattern is exposed on the substrate by using an illuminating device which controls the amount of light emission by controlling the power to be used. In the method for manufacturing a device, upon exposure, the temperature of the illuminance sensor is detected, and the illuminance sensor is cooled such that the temperature of the illuminance sensor is maintained at a predetermined value based on the detected temperature. Features.

【0010】上記構成において、照明装置の点灯時間と
ともに照明装置の温度は上昇するが、照度センサの温度
は所定の値に維持されるため、照度センサの検出特性は
一定であり、その検出出力に基く照明装置の発光量の制
御も正確に行われる。したがって、大きな電力を使用す
る場合でも、被照射面上が常に安定した照度で照明され
る。
In the above configuration, the temperature of the illuminating device rises with the lighting time of the illuminating device, but the temperature of the illuminance sensor is maintained at a predetermined value. The control of the light emission amount of the lighting device based on it is also performed accurately. Therefore, even when large power is used, the surface to be irradiated is always illuminated with a stable illuminance.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、前記冷却手段は、前記照度センサに取り付けられ
た放熱フィン、これに空気を吹き付ける手段、およびそ
の風量を前記温度検出手段の出力に基づいて制御する手
段を有する。以下、本発明のより具体的な実施形態であ
る実施例について説明する。
In a preferred embodiment of the present invention, the cooling means includes a radiating fin attached to the illuminance sensor, a means for blowing air to the fin, and a flow rate of the fin based on an output of the temperature detecting means. Control means. Hereinafter, examples which are more specific embodiments of the present invention will be described.

【0012】[0012]

【実施例】図1は本発明の一実施例に係る照明装置及び
それを用いた投影露光装置の要部概略図である。図中、
12は楕円鏡、11は紫外線および遮紫外線等を放射す
る高輝度の発光部を有している水銀ランプである。ラン
プ11の発光部は楕円鏡12の第一焦点近傍に配置され
ている。ランプ11は点灯手段31からの電力、即ち後
述する電力制御信号に応じた値の発光量で点灯する。1
3はコールドミラーであり、多層膜より成り、大部分の
赤外線を透過すると共に大部分の紫外光を反射する。1
9はコンデンサレンズであり、楕円ミラー12からの光
束をハエの目レンズ20の入射面にミラー14を介して
結像させている。ハエの目レンズ20は複数の微小レン
ズを2次元的に所定のピッチで配列しており、ハエの目
レンズ20の射出面側に2次光源を形成している。
FIG. 1 is a schematic view of a main part of an illumination apparatus and a projection exposure apparatus using the same according to an embodiment of the present invention. In the figure,
Reference numeral 12 denotes an elliptical mirror, and reference numeral 11 denotes a mercury lamp having a high-luminance light-emitting portion that emits ultraviolet light and ultraviolet light. The light emitting part of the lamp 11 is arranged near the first focal point of the elliptical mirror 12. The lamp 11 is lit with the power from the lighting means 31, that is, the light emission amount of a value corresponding to a power control signal described later. 1
Reference numeral 3 denotes a cold mirror, which is formed of a multilayer film and transmits most infrared rays and reflects most ultraviolet rays. 1
Reference numeral 9 denotes a condenser lens, which forms a light beam from the elliptical mirror 12 on the incident surface of the fly-eye lens 20 via the mirror 14. The fly-eye lens 20 has a plurality of microlenses arranged two-dimensionally at a predetermined pitch, and forms a secondary light source on the exit surface side of the fly-eye lens 20.

【0013】ハエの目レンズ20の射出面側の二次光源
から射出した複数の光束はミラー15を介して集光レン
ズ21で集光され、大部分はハーフミラー16で反射し
て面24を均一照明する。22はシャッタであり、面2
4の近傍に設けられている。23はスリットであり、面
24に集光した光束の一部を通過させている。17、1
8は各々凹面ミラー等からなる集光系であり、スリット
23の開口を通過した光束でレチクル41を均一照射し
ている。1は照度センサであり、ハーフミラー16を透
過した光束を検出して面24、即ち被照射面41の照度
を測定している。42は投影光学系であり、レチクル4
1面上の回路パターンをウエハ(または基板)43面上
に結像する。
A plurality of light beams emitted from the secondary light source on the exit surface side of the fly-eye lens 20 are condensed by a condenser lens 21 via a mirror 15, and most of the light beams are reflected by a half mirror 16 and reflected on a surface 24. Provide uniform illumination. Reference numeral 22 denotes a shutter,
4 is provided in the vicinity. Reference numeral 23 denotes a slit, which allows a part of the light beam condensed on the surface 24 to pass. 17, 1
Reference numeral 8 denotes a condensing system including a concave mirror and the like, which uniformly irradiates the reticle 41 with a light beam passing through the opening of the slit 23. Reference numeral 1 denotes an illuminance sensor which detects the luminous flux transmitted through the half mirror 16 and measures the illuminance of the surface 24, that is, the illuminated surface 41. Reference numeral 42 denotes a projection optical system, and the reticle 4
The circuit pattern on one surface is imaged on the wafer (or substrate) 43 surface.

【0014】32は差動増幅器であり、照度センサ1か
らの信号と被照射面上の照度を予め設定する信号を出す
照度指令部33からの指令信号との差分から作られる信
号を増幅して、電力制御信号として出力する。本実施例
では差動増幅器32からの電力制御信号を点灯装置31
で電力に変換し、該電力の大きさに基づいてランプ11
の発光量の強弱を制御している。
Numeral 32 denotes a differential amplifier, which amplifies a signal generated from a difference between a signal from the illuminance sensor 1 and a command signal from an illuminance command unit 33 for outputting a signal for presetting the illuminance on the surface to be illuminated. , As a power control signal. In this embodiment, the power control signal from the differential amplifier 32 is
Is converted to electric power, and based on the magnitude of the electric power, the lamp 11
The amount of light emission is controlled.

【0015】一方、照度センサ1の裏面に放熱フィン2
を取り付け、照度センサ1の温度上昇を低減する。また
照度センサ1には温度センサ4が取り付けられ、照度セ
ンサ1の温度変化を検知し、温度制御部5に取り込む。
温度制御部5では照度センサ1の温度が設定範囲に入る
ように回転数制御部6を介してファン3の回転数を制御
する。ファン3で作られた気流は放熱フィン2に沿って
流れ、除熱を行い、照度センサ1の温度を一定に保つ。
On the other hand, the radiation fins 2
To reduce the temperature rise of the illuminance sensor 1. Further, a temperature sensor 4 is attached to the illuminance sensor 1, detects a temperature change of the illuminance sensor 1, and takes in the temperature control unit 5.
The temperature control unit 5 controls the rotation speed of the fan 3 via the rotation speed control unit 6 so that the temperature of the illuminance sensor 1 falls within the set range. The air flow generated by the fan 3 flows along the radiation fins 2 to remove heat and keep the temperature of the illuminance sensor 1 constant.

【0016】図2は温度センサ1の冷却に圧縮空気を用
いた他の実施例である。この場合、ファン3の代わりに
圧縮空気を用いる。すなわち、温度制御部5の指令に基
づき流量制御手段7を介して放熱フィン2にノズル8で
吹き付ける圧縮空気の流量を制御する。流量制御手段7
には電気空圧式サーボ弁等を用いる。なお、照度センサ
の冷却方法としては、液体の冷媒を循環させ、その流量
を制御する等の方法を用いてもでもよい。
FIG. 2 shows another embodiment using compressed air for cooling the temperature sensor 1. In this case, compressed air is used instead of the fan 3. That is, the flow rate of the compressed air blown by the nozzle 8 to the radiation fins 2 via the flow rate control means 7 is controlled based on a command from the temperature control section 5. Flow control means 7
, An electro-pneumatic servo valve or the like is used. As a method of cooling the illuminance sensor, a method of circulating a liquid refrigerant and controlling the flow rate thereof may be used.

【0017】(実施例の効果)上述の各実施例によれ
ば、次の効果を奏する。 ランプライフの初期から末期まで、照明系の照度を
一定に安定させることができる。 日常点検における照度チェックで照度のずれを補正
する手間がなくなる。即ち、従来方式だと照明系の照度
が除々に上昇するため(図11)、日常点検で照度を下
げる必要がある。この手間が省ける。 従来方式では、日常点検で照度を補正しても1日の
間で僅かずつ照度が上昇する。即ちランプへの入力電力
が上昇してそれが損失になっていた。各実施例ではその
ような損失がなくなるため、ランプの寿命(点灯時間)
が延びる。
(Effects of the Embodiments) According to the above-described embodiments, the following effects can be obtained. From the beginning to the end of the lamp life, the illuminance of the illumination system can be stably kept constant. There is no need to correct the illuminance deviation in the illuminance check in daily inspection. That is, in the case of the conventional method, the illuminance of the illumination system gradually increases (FIG. 11). This hassle-free. In the conventional method, even if the illuminance is corrected in the daily inspection, the illuminance slightly increases during one day. That is, the input power to the lamp has risen, resulting in a loss. In each embodiment, since such a loss is eliminated, the life of the lamp (lighting time)
Extends.

【0018】次に、この露光装置及びデバイス製造方法
を利用することができるデバイス製造例を説明する。図
12は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、
液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等)の製造のフローを示す。ステップ31(回路設計)
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ32
(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ33(ウエハ製造)で
はシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステッ
プ34(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ35
(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ34によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、
パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ス
テップ36(検査)では、ステップ35で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これを出荷(ステップ37)する。
Next, a description will be given of a device manufacturing example which can utilize the exposure apparatus and the device manufacturing method. FIG. 12 shows a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI,
2 shows a flow of manufacturing a liquid crystal panel, a CCD, a thin-film magnetic head, a micromachine, and the like. Step 31 (circuit design)
Now, the circuit design of the semiconductor device will be performed. Step 32
In (mask production), a mask on which a designed circuit pattern is formed is produced. On the other hand, in step 33 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 34 (wafer process) is referred to as a preprocess, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. Next step 35
The (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 34, and includes an assembly process (dicing, bonding),
It includes steps such as a packaging step (chip encapsulation). In step 36 (inspection), inspections such as an operation check test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 35 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 37).

【0019】図13は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ41(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ42(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ43(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ44(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ4
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ46(露光)では、上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステ
ップ47(現像)では露光したウエハを現像する。ステ
ップ48(エッチング)では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ49(レジスト剥離)では、
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ
上に多重に回路パターンを形成する。本実施形態の製造
方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半
導体デバイスを低コストで製造することができる。
FIG. 13 shows a detailed flow of the wafer process. Step 41 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. In step 42 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 43 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 44 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 4
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 46 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. In step 47 (developing), the exposed wafer is developed. In step 48 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 49 (resist removal),
After the etching, the unnecessary resist is removed.
By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the manufacturing method of the present embodiment, a highly integrated semiconductor device, which has conventionally been difficult to manufacture, can be manufactured at low cost.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、図
4に示されるように照度センサの温度が一定に維持され
るため、図3に示すように使用する電力が照度を一定に
するために点灯時間と共に増大する場合でも、図5に示
されるように照度センサの出力も一定となり、かつ図6
に示されるように照明装置の照度も一定に維持すること
ができる。つまり、照度センサの温度上昇に起因する照
度変化がなくなり、被照射面上を常に安定した照度で照
明することができる。したがって、半導体デバイスを安
定的に高精度でかつ高スループットで製造することがで
きる。
As described above, according to the present invention, since the temperature of the illuminance sensor is kept constant as shown in FIG. 4, the power used makes the illuminance constant as shown in FIG. For this reason, even if it increases with the lighting time, the output of the illuminance sensor becomes constant as shown in FIG.
As shown in (2), the illuminance of the lighting device can be kept constant. In other words, there is no change in illuminance due to a rise in temperature of the illuminance sensor, and the surface to be irradiated can always be illuminated with stable illuminance. Therefore, semiconductor devices can be stably manufactured with high accuracy and high throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る照明装置及びそれを
用いた投影露光装置を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an illumination device and a projection exposure apparatus using the illumination device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の他の実施例に係る照明装置及びそれ
を用いた投影露光装置を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an illumination device according to another embodiment of the present invention and a projection exposure apparatus using the same.

【図3】 本発明の照明装置におけるランプ点灯時間に
対するランプ電力の推移を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a transition of lamp power with respect to a lamp lighting time in the lighting device of the present invention.

【図4】 本発明の照明装置におけるランプ点灯時間に
対す照度センサ温度の推移を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a transition of an illuminance sensor temperature with respect to a lamp lighting time in the lighting device of the present invention.

【図5】 本発明の照明装置におけるランプ点灯時間に
対す照度センサ出力の推移を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a transition of an illuminance sensor output with respect to a lamp lighting time in the lighting device of the present invention.

【図6】 本発明の照明装置におけるランプ点灯時間に
対す照明系照度の推移を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a change in illuminance of an illumination system with respect to a lamp lighting time in the illumination device of the present invention.

【図7】 従来例を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a conventional example.

【図8】 従来例の照明装置におけるランプ点灯時間に
対するランプ電力の推移を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a transition of lamp power with respect to a lamp lighting time in a conventional illumination device.

【図9】 従来例の照明装置におけるランプ点灯時間に
対する照度センサ温度の推移を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a transition of an illuminance sensor temperature with respect to a lamp lighting time in a conventional illumination device.

【図10】 従来例の照明装置におけるランプ点灯時間
に対する照度センサ出力の推移を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a transition of an illuminance sensor output with respect to a lamp lighting time in a conventional illumination device.

【図11】 従来例の照明装置におけるランプ点灯時間
に対する照明系照度の推移を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a change in illuminance of an illumination system with respect to a lamp lighting time in a conventional illumination device.

【図12】 図1の装置により製造し得る微小デバイス
の製造の流れを示すフローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing a flow of manufacturing a micro device that can be manufactured by the apparatus of FIG. 1;

【図13】 図12におけるウエハプロセスの詳細な流
れを示すフローチャートである。
FIG. 13 is a flowchart showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 12;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:照度センサ、2:放熱フィン、3:ファン、4:温
度センサ、5:温度制御部、6:回転数制御部、7:流
量制御手段、8:ノズル、11:ランプ、12:楕円
鏡、13,14,15:ミラー、16:ハーフミラー、
17,18:集光系ミラー、19:コンデンサーレン
ズ、20:ハエの目レンズ、21:集光レンズ、22:
シャッタ、23:スリット、24:集光面、31:点灯
手段、32:差動増幅器、33:照度指令部、41:第
1物体面、42:投影光学系、43:第2物体面。
1: illuminance sensor, 2: radiation fin, 3: fan, 4: temperature sensor, 5: temperature control unit, 6: rotation speed control unit, 7: flow control means, 8: nozzle, 11: lamp, 12: elliptical mirror , 13, 14, 15: mirror, 16: half mirror,
17, 18: condenser mirror, 19: condenser lens, 20: fly-eye lens, 21: condenser lens, 22:
Shutter, 23: slit, 24: light-collecting surface, 31: lighting means, 32: differential amplifier, 33: illuminance command unit, 41: first object surface, 42: projection optical system, 43: second object surface.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 照度センサの検出信号をフィードバック
させ、使用する電力を制御することにより発光量を制御
する照明装置において、前記照度センサの温度を検出す
る温度検出手段およびその出力に基づいて前記照度セン
サの温度を所定の値に維持する冷却手段を有することを
特徴とする照明装置。
1. An illumination device for controlling a light emission amount by feeding back a detection signal of an illuminance sensor and controlling electric power to be used, wherein the illuminance is detected based on an output of the temperature detection means for detecting a temperature of the illuminance sensor. A lighting device comprising cooling means for maintaining a temperature of a sensor at a predetermined value.
【請求項2】 前記冷却手段は、前記照度センサに取り
付けられた放熱フィン、これに空気を吹き付ける手段、
およびその風量を前記温度検出手段の出力に基づいて制
御する手段を有することを特徴とする請求項1記載の照
明装置。
2. The cooling unit includes: a radiation fin attached to the illuminance sensor; a unit that blows air to the radiation fin;
2. The lighting device according to claim 1, further comprising means for controlling the air flow based on the output of said temperature detecting means.
【請求項3】 請求項1または2の照明装置により所定
のパターンを基板上に露光することを特徴とする露光装
置。
3. An exposure apparatus, wherein a predetermined pattern is exposed on a substrate by the illumination device according to claim 1.
【請求項4】 照度センサの検出信号をフィードバック
させ、使用する電力を制御することにより発光量を制御
する照明装置を用いて所定のパターンを基板上に露光す
ることによりデバイスを製造する方法において、露光に
際しては、前記照度センサの温度を検出し、その検出温
度に基づいて前記照度センサの温度が所定の値に維持さ
れるように前記照度センサを冷却することを特徴とする
デバイス製造方法。
4. A method of manufacturing a device by exposing a predetermined pattern onto a substrate using an illumination device that controls a light emission amount by feeding back a detection signal of an illuminance sensor and controlling power to be used, A method for manufacturing a device, comprising: detecting a temperature of the illuminance sensor during exposure, and cooling the illuminance sensor based on the detected temperature so that the temperature of the illuminance sensor is maintained at a predetermined value.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020029453A (en) * 2000-10-13 2002-04-19 조길천 Uncontacted type Thermometry of Semiconductor Surface

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