JPH10290109A - Dielectric multilayer substrate, microwave and/or milliwave filter and production thereof - Google Patents

Dielectric multilayer substrate, microwave and/or milliwave filter and production thereof

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JPH10290109A
JPH10290109A JP11345897A JP11345897A JPH10290109A JP H10290109 A JPH10290109 A JP H10290109A JP 11345897 A JP11345897 A JP 11345897A JP 11345897 A JP11345897 A JP 11345897A JP H10290109 A JPH10290109 A JP H10290109A
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dielectric
value
microwave
dielectric layers
multilayer substrate
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JP11345897A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kikuyama
洋 菊山
Yoshio Tsukiyama
良男 築山
Koji Mizuno
皓司 水野
鐘石 ▲ぺい▼
Shiyouseki Pei
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate production by making mutually different the refractive index of mutually adjacent two dielectric layers at least among plural dielectric layers, respectively providing both mutually practically parallel main surfaces on the respective plural dielectric layers and mutually laminating both the main surfaces each other. SOLUTION: On a dielectric substrate 25 having dielectric constant εr2 , refractive index N2 and thickness t2 , a dielectric substrate 14 having dielectric constant εr1 , refractive index N1 and thickness t1 is laminated and on that substrate 14, a dielectric substrate 14 having dielectric constant εr2 , refractive index N2 and thickness t2 is laminated. On that substrate 14, dielectric substrates 14 and 24 are alternately laminated. No conductor is included in the dielectric substrates 14, 24 and 25 and no conductor is included among the dielectric substrates 14, 24 and 25, either. Thus, a dielectric multilayer substrate can be easily produced without providing any slit requesting high working accuracy and a filter for selectively transmitting or reflecting the electromagnetic waves of wide frequency bands can be easily produced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体多層基板、
マイクロ波および/またはミリ波用フィルタならびにそ
れらの製造方法に関し、特に、マイクロ波帯(周波数:
3〜30GHz)又はミリ波帯(周波数:30〜300
GHz)で用いられる短絡器(ショートプランジャ)お
よびその製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dielectric multilayer substrate,
The present invention relates to a filter for microwaves and / or millimeter waves and a method for manufacturing the same, particularly to a microwave band (frequency:
3 to 30 GHz) or millimeter wave band (frequency: 30 to 300)
(GHz), and a method of manufacturing the short-circuit device (short plunger).

【0002】[0002]

【従来の技術】マイクロ波帯やミリ波帯においては、電
磁波の伝送線路として通常、導波管、マイクロストリッ
プライン、コプレーナライン、同軸線路等が多用されて
いる。
2. Description of the Related Art In a microwave band or a millimeter wave band, a waveguide, a microstrip line, a coplanar line, a coaxial line, and the like are usually widely used as transmission lines for electromagnetic waves.

【0003】この中でも特に導波管は、開口型の線路に
比べ、閉空間を電磁波が伝搬するため、低損失また大電
力の伝送に適している。そのため、マイクロ波、ミリ波
送受信系の一部又はアンテナ用のフィダー線路として多
用されている。
[0003] Among them, a waveguide is particularly suitable for low-loss and high-power transmission because an electromagnetic wave propagates in a closed space as compared with an open line. Therefore, it is often used as a part of a microwave or millimeter wave transmission / reception system or a feeder line for an antenna.

【0004】従来、このような導波管において、線路長
を変えることにより線路の終端を短絡する素子として、
図7、8に示す可変短絡器(ショートプランジャ)が多
用されている。このような可変短絡器を使用する場合に
は、導波管内で可動性を持たせるため可変短絡器と導波
管の内壁には若干の空隙が設けられている。空隙の存在
は結果として電磁波の透過(漏洩)の原因となる。そこ
で、図7、8に示すように、その幅が導波管83内を伝
搬する電磁波の波長の1/4である溝(スリット)82
を可変短絡器80の表面に設ることによりλ/4変成器
を構成し、導波管83内の特性インピーダンスを変換す
ることにより電気的に短絡に近い状態を作り、電磁波の
透過(漏洩)を抑えている。この可変短絡器の等価回路
は図9に示すようになり、波長λg の電磁波に対してZ
inがほとんど0となる。
Conventionally, in such a waveguide, as an element for short-circuiting the end of the line by changing the line length,
The variable short-circuit device (short plunger) shown in FIGS. 7 and 8 is frequently used. When such a variable short-circuit device is used, a slight gap is provided between the variable short-circuit device and the inner wall of the waveguide in order to have mobility in the waveguide. The presence of the air gap results in transmission (leakage) of electromagnetic waves. Therefore, as shown in FIGS. 7 and 8, a groove (slit) 82 whose width is 幅 of the wavelength of the electromagnetic wave propagating in the waveguide 83.
Is provided on the surface of the variable short-circuit device 80 to form a λ / 4 transformer, and by converting the characteristic impedance in the waveguide 83, a state close to an electrical short is created, thereby transmitting (leaking) electromagnetic waves. Is suppressed. The equivalent circuit of the variable short circuit is as shown in FIG. 9, Z for electromagnetic waves having a wavelength lambda g
in becomes almost 0.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らは、上記従来技術には主に次の問題点が存在するこ
とを見いだした。
However, the present inventors have found that the following problems mainly exist in the above prior art.

【0006】すなわち、電磁波の周波数が高くなるほど
(波長が短くなるほど)、当然スリット82の幅も小さ
くなり、非常に高い加工精度が要求されるようになる。
たとえば電磁波の周波数が100GHzの場合、λ/4
は0.75mmとなり、±数十μmの加工精度が要求さ
れる。従って、周波数が高くなるほど、短絡器の製造コ
ストは上昇する。
That is, as the frequency of the electromagnetic wave becomes higher (as the wavelength becomes shorter), the width of the slit 82 naturally becomes smaller, and extremely high processing accuracy is required.
For example, when the frequency of the electromagnetic wave is 100 GHz, λ / 4
Is 0.75 mm, and a processing accuracy of ± several tens μm is required. Therefore, the higher the frequency, the higher the manufacturing cost of the short circuit.

【0007】本発明は以上の点に鑑みてなされたもの
で、非常に高い加工精度が要求されるスリットを設ける
必要がなく、容易に製造できる誘電体多層基板、マイク
ロ波および/またはミリ波用フィルタならびにそれらの
製造方法を提供することを主な目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and does not require the provision of slits requiring extremely high processing accuracy, and can be easily manufactured by using a dielectric multilayer substrate for microwave and / or millimeter wave. It is a main object to provide filters and methods for their manufacture.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】まず、本発明らが案出し
た本発明の原理を説明する。
First, the principle of the present invention devised by the present inventors will be described.

【0009】損失の無い、比誘電率εr (屈折率nの2
乗値)、厚さtの極めて平行度の高い誘電体基板2が屈
折率n’の媒質1中に置かれているとする。図1に示す
ように電磁波(平面波)が媒質1から誘電体基板2に入
射角θ’で入射した場合、誘電体基板2内の屈折角をθ
とすれば、平面波の部分波A1とA2との間の行路差Δ
Lは、式(1)で表せる。すなわち、
Lossless dielectric constant ε r (refractive index n 2
It is assumed that a dielectric substrate 2 having a very high degree of parallelism and a thickness t is placed in a medium 1 having a refractive index n ′. As shown in FIG. 1, when an electromagnetic wave (plane wave) enters the dielectric substrate 2 from the medium 1 at an incident angle θ ′, the refraction angle in the dielectric substrate 2 is changed to θ.
The path difference Δ between the partial waves A1 and A2 of the plane wave
L can be expressed by equation (1). That is,

【数1】ΔL=n(AC+CE)−n’ABΔL = n (AC + CE) −n′AB

【0010】ここで、波面ADとBEとの間の光路長は
等しいから、
Here, since the optical path lengths between the wavefronts AD and BE are equal,

【数2】nDE=n’AB## EQU2 ## nDE = n'AB

【0011】従って、Therefore,

【数3】 ΔL=n(AC+CD) =n[t{cos(2θ)/cosθ}+(t/cosθ)] =2ntcosθ・・・(1)ΔL = n (AC + CD) = n [t {cos (2θ) / cosθ} + (t / cosθ)] = 2ntcosθ (1)

【0012】従って、入射波の真空中の波長をλ0 とす
れば、式(1)に対する位相差δは式(2)で表せる。
Accordingly, if the wavelength of the incident wave in vacuum is λ 0 , the phase difference δ with respect to the equation (1) can be expressed by the equation (2).

【0013】[0013]

【数4】 δ=(2πΔL)/λ0 =4πnt(cosθ)/λ0 ・・・(2)Δ = (2πΔL) / λ 0 = 4πnt (cos θ) / λ 0 (2)

【0014】また、誘電体基板2を透過する電磁波の強
度と誘電体基板2に入射する電磁波の強度比(透過率)
Tは式(3)で表される。
The intensity ratio (transmittance) of the electromagnetic wave transmitted through the dielectric substrate 2 to the intensity of the electromagnetic wave incident on the dielectric substrate 2
T is represented by equation (3).

【0015】[0015]

【数5】 T=1/{1+Csin2(δ/2)}・・・(3)T = 1 / {1 + Csin 2 (δ / 2)} (3)

【0016】ここで、C=4R/(1−R)2であり、
Cはコントラスト、Rは強度反射率である。
Here, C = 4R / (1-R) 2 ,
C is the contrast, and R is the intensity reflectance.

【0017】δが2mπ(mは任意の整数)の時、透過
率は最大値の1となり、この条件を周波数fm で示す
と、c0 を真空中の高速として式(4)が得られる。
[0017] When δ is 2mπ of (m is an arbitrary integer), 1 next to the transmittance maximum value, indicating the condition at the frequency f m, the c 0 as a high-speed in a vacuum formula (4) is obtained .

【0018】[0018]

【数6】 fm =mc0 /(2ntcosθ)・・・(4)F m = mc 0 / (2 nt cos θ) (4)

【0019】つまり、屈折率n、基板の厚さt、入射角
θが与えられると、透過率が最大となる周波数(共振周
波数)が決定する。共振周波数の相互の間隔Δfm は式
(5)
That is, given the refractive index n, the thickness t of the substrate, and the incident angle θ, the frequency (resonance frequency) at which the transmittance becomes maximum is determined. Interval Delta] f m mutual resonant frequency equation (5)

【数7】 Δfm =fm+1 −fm =c0 /(2ntcosθ)・・・(5) で表される。Δf m = f m + 1 −f m = c 0 / (2 nt cos θ) (5)

【0020】また、δが(2m+1)π(mは任意の整
数)の時、透過率は最小値となり(反射率が最大値とな
り)、この条件を周波数fm'で示すと、c0 を真空中の
高速として式(6)が得られる。
Further, when δ is (2m + 1) π (m is an arbitrary integer), the transmittance becomes the minimum (the reflectance becomes the maximum value), indicating this condition at the frequency f m ', and c 0 Equation (6) is obtained as a high speed in vacuum.

【0021】[0021]

【数8】 fm'=(2m+1)c0 /(4ntcosθ)・・・(6)F m ′ = (2m + 1) c 0 / (4 nt cos θ) (6)

【0022】つまり、屈折率n、基板の厚さt、入射角
θが与えられると、透過率が最小となる(反射率が最大
となる)周波数が決定する。
That is, given the refractive index n, the thickness t of the substrate, and the incident angle θ, the frequency at which the transmittance becomes minimum (the reflectance becomes maximum) is determined.

【0023】さらに、垂直入射(θ=0)の場合を考え
ると、式(4)、(5)は、それぞれ
Further, considering the case of normal incidence (θ = 0), equations (4) and (5) are

【数9】 fm =mc0 /(2ntcosθ)=mc0 /(2nt)・・・(7) Δfm =fm+1 −fm =c0 /(2nt)・・・(8) となり、式(6)はEquation 9] f m = mc 0 / (2ntcosθ ) = mc 0 / (2nt) ··· (7) Δf m = f m + 1 -f m = c 0 / (2nt) ··· (8) becomes And equation (6)

【数10】 fm'=(2m+1)c0 /(4nt)・・・(9) となる。F m ′ = (2m + 1) c 0 / (4 nt) (9)

【0024】ここで、式(9)より、Here, from equation (9),

【数11】 fm' =2mc0 /(4nt)+c0 /(4nt) =mc0 /(2nt)+{(1/2)×c0 }/(2nt) =fm +1/2Δfm ・・・(10) となる。Equation 11] f m '= 2mc 0 / ( 4nt) + c 0 / (4nt) = mc 0 / (2nt) + {(1/2) × c 0} / (2nt) = f m + 1 / 2Δf m ·・ ・ (10)

【0025】これより、透過率が最小となる周波数(反
射率が最大となる周波数)は、透過率が最大となる隣り
合う周波数間の中央に存在する。従って、電磁波の透過
特性は図2のようになる。
Thus, the frequency at which the transmittance becomes minimum (the frequency at which the reflectance becomes maximum) is located at the center between adjacent frequencies at which the transmittance becomes maximum. Therefore, the transmission characteristics of the electromagnetic wave are as shown in FIG.

【0026】ここで、式(9)よりHere, from equation (9),

【数12】 nt=(2m+1)×(1/4)×c0 /fm' =(2m+1)×(1/4)λ0・・・(11)Equation 12] nt = (2m + 1) × (1/4) × c 0 / f m '= (2m + 1) × (1/4) λ 0 ··· (11)

【0027】すなわち、屈折率nと基板の厚さtとの積
を入射する電磁波の波長の1/4の奇数倍に合わせる
と、透過率が最小、すなわち反射率が最大となることが
分かる。
That is, when the product of the refractive index n and the thickness t of the substrate is set to an odd multiple of 1/4 of the wavelength of the incident electromagnetic wave, the transmittance becomes minimum, that is, the reflectance becomes maximum.

【0028】以上は、誘電体基板2が屈折率n’の媒質
1中に置かれている場合についての説明であるが、複数
の誘電体基板を、隣接する誘電体基板相互間で屈折率が
互いに異なるように配置した場合も同様である。
The above is a description of the case where the dielectric substrate 2 is placed in the medium 1 having a refractive index of n '. However, a plurality of dielectric substrates have a refractive index between adjacent dielectric substrates. The same applies to the case where they are arranged so as to be different from each other.

【0029】すなわち、複数(p個)の誘電体基板のそ
れぞれの屈折率nq (q=1、2・・・、p)とそれぞ
れの厚さtq (q=1、2・・・、p)との積nq・tq
をそれぞれ(λ0 /4)の(2m+1)倍(mは任意の
整数)とすれば、式(9)、式(11)より、周波数c
0/λ0の電磁波に対しては透過率は最小、すなわち反射
率が最大となり、複数の誘電体基板のそれぞれにおいて
透過率が最小すなわち反射率が最大となる。そして、複
数層の誘電体基板を積層しているので、単層に比べ反射
率が大きくなり、反射率が1に近くなる周波数帯域は、
それにともない広くなる。従って、周波数c0/λ0の電
磁波を中心として広い帯域に渡って反射率を最大(透過
率を最小)にすることができる。
That is, the refractive index n q (q = 1, 2,..., P) and the thickness t q (q = 1, 2,. Product n q · t q with p)
The if respectively (lambda 0/4) of the (2m + 1) times (m is an arbitrary integer), the formula (9), the equation (11), the frequency c
For an electromagnetic wave of 0 / λ 0, the transmittance is minimum, ie, the reflectance is maximum, and the transmittance is minimum, ie, the reflectance is maximum, for each of the plurality of dielectric substrates. Since a plurality of dielectric substrates are stacked, the reflectance is higher than that of a single layer, and the frequency band in which the reflectance is close to 1 is:
It becomes wider with it. Therefore, it is possible to maximize the reflectance (minimize the transmittance) over a wide band around the electromagnetic wave of the frequency c 0 / λ 0 .

【0030】これに対して、上述の従来の短絡器80に
おいては、スリット82の幅が固定されているため、あ
る特定の周波数(単一周波数)の電磁波においてのみ有
効となり、広い帯域幅を有する電磁波に対しては、短絡
器として不適である。
On the other hand, in the above-described conventional short-circuit device 80, since the width of the slit 82 is fixed, it is effective only for an electromagnetic wave of a specific frequency (single frequency) and has a wide bandwidth. It is not suitable as a short circuit for electromagnetic waves.

【0031】このように、従来の機械加工により作製さ
れた短絡器にくらべ、誘電体多層基板を用いることによ
り、遥かに広い帯域に渡って反射率を最大(ほぼ1)に
することができ、所望の周波数帯域の電磁波を選択的に
反射する帯域阻止フィルタ(BRF:バンド・リジェク
ション・フィルタ)の機能を有する短絡器(ショートプ
ランジャ)を得ることができる。
As described above, by using the dielectric multilayer substrate, the reflectance can be maximized (substantially 1) over a much wider band, as compared with a conventional short circuiter manufactured by machining. A short circuiter (short plunger) having a function of a band rejection filter (BRF: band rejection filter) that selectively reflects an electromagnetic wave in a desired frequency band can be obtained.

【0032】また、誘電体多層基板をこのような短絡器
として用いる場合に、従来のように高い加工精度を必要
とするスリットを設ける必要がなくなり、従来の短絡器
と比較して低コストで製造することができる。
Further, when a dielectric multilayer substrate is used as such a short-circuit device, it is not necessary to provide a slit which requires high processing accuracy as in the conventional case, and it is manufactured at a lower cost as compared with the conventional short-circuit device. can do.

【0033】また、一方、式(7)よりOn the other hand, from the equation (7),

【数13】 nt=(m/2)×c0 /fm =m×1/(2λ0)・・・(12)Equation 13] nt = (m / 2) × c 0 / f m = m × 1 / (2λ 0) ··· (12)

【0034】すなわち、屈折率nと基板の厚さtとの積
を入射する電磁波の波長の1/2の整数倍に合わせると
透過率が最大となることが分かる。
That is, it can be seen that the transmittance becomes maximum when the product of the refractive index n and the thickness t of the substrate is set to an integral multiple of 1/2 of the wavelength of the incident electromagnetic wave.

【0035】したがって、複数(p個)の誘電体基板の
それぞれの屈折率nq (q=1、2・・・、p)とそれ
ぞれの厚さtq (q=1、2・・・、p)との積nq
qをそれぞれ少しずつずらすことにより、透過率が最
大となる周波数をそれぞれ少しずつずらすことができる
ことより、所望の周波数帯域の電磁波を選択的に透過す
る帯域通過フィルタ(BPF:バンド・パス・フィル
タ)の機能を得ることもできる。
Accordingly, the refractive index n q (q = 1, 2,..., P) and the thickness t q (q = 1, 2,. product with p) n q
By slightly shifting each of tq , the frequency at which the transmittance becomes maximum can be shifted slightly, so that a band-pass filter (BPF: band-pass filter) that selectively transmits electromagnetic waves in a desired frequency band can be obtained. ) Function can also be obtained.

【0036】なお、上記のような特性を備えるために
は、誘電体多層基板を構成する各誘電体基板内には導電
体が存在せず、また、誘電体多層基板間においても導電
体が存在しないことが好ましい。
In order to provide the above characteristics, a conductor does not exist in each dielectric substrate constituting the dielectric multilayer substrate, and a conductor does not exist between the dielectric multilayer substrates. Preferably not.

【0037】また、互いに隣接する前記誘電体層同士が
密着していてもよく、互いに隣接する前記誘電体層間に
は空気層または誘電体層からなる中間層が存在してもよ
い。但し、この中間層の屈折率nと前記積層方向におけ
る厚みとの積n・tが、誘電体多層基板に入射するマイ
クロ波またはミリ波の波長の約1/40以下であること
が好ましい。このようにすれば、中間層が存在していて
も屈折率nと厚みとの積n・tが非常に小さくなり、短
絡器等としてのフィルタ特性にはほとんど影響を与えな
いからである。また、中間層の屈折率は3より小さいこ
とが好ましい。そして、この中間層として接着剤を用い
れば、互いに隣接する前記誘電体層同士を接着させるこ
とができる。
The adjacent dielectric layers may be in close contact with each other, and an intermediate layer composed of an air layer or a dielectric layer may be present between the adjacent dielectric layers. However, it is preferable that the product n · t of the refractive index n of the intermediate layer and the thickness in the laminating direction is about 1/40 or less of the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate. This is because, even if the intermediate layer exists, the product n · t of the refractive index n and the thickness becomes very small, and has little effect on the filter characteristics as a short circuiter or the like. Further, the refractive index of the intermediate layer is preferably smaller than 3. If an adhesive is used as the intermediate layer, the dielectric layers adjacent to each other can be bonded to each other.

【0038】本発明はかかる原理や知見に基づいてなさ
れたものであり、請求項1によれば、複数の誘電体層が
積層された誘電体多層基板であって、前記複数の誘電体
層のうち互いに隣接する少なくとも2つの前記誘電体層
の屈折率が互いに異なり、前記複数の誘電体層の各々が
互いに実質的に平行な両主面をそれぞれ有し、前記複数
の誘電体層相互間において前記両主面同士が互いに実質
的に平行になるように前記複数の誘電体層が積層され、
前記誘電体層内および前記誘電体層間には導電体が設け
られていないことを特徴とする誘電体多層基板が提供さ
れる。
The present invention has been made based on such principles and knowledge. According to claim 1, there is provided a dielectric multilayer substrate in which a plurality of dielectric layers are laminated. The refractive indexes of at least two of the dielectric layers adjacent to each other are different from each other, and each of the plurality of dielectric layers has two main surfaces substantially parallel to each other, and between the plurality of dielectric layers. The plurality of dielectric layers are stacked such that the two main surfaces are substantially parallel to each other,
There is provided a dielectric multilayer substrate, wherein no conductor is provided in the dielectric layer and between the dielectric layers.

【0039】この誘電体多層基板は、マイクロ波および
/またはミリ波用フィルタとして有効に使用できる。ま
た、誘電体層を積層した構造であるので、その製造も容
易である。
This dielectric multilayer substrate can be effectively used as a microwave and / or millimeter wave filter. Further, since the structure is such that the dielectric layers are stacked, the manufacture thereof is also easy.

【0040】また、請求項2によれば、前記複数の誘電
体層の屈折率が、互いに隣接する誘電体層相互間で異な
ることを特徴とする請求項1記載の誘電体多層基板が提
供される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the dielectric multilayer substrate according to the first aspect, wherein the plurality of dielectric layers have different refractive indexes between adjacent dielectric layers. You.

【0041】また、請求項3によれば、互いに屈折率が
異なる2つの誘電体材料のうち一方の誘電体材料からな
る誘電体層と他方の誘電体材料からなる誘電体層とが交
互に積層されていることを特徴とする請求項2記載の誘
電体多層基板が提供される。
According to the third aspect, a dielectric layer made of one dielectric material and a dielectric layer made of the other dielectric material are alternately laminated out of two dielectric materials having different refractive indexes. The dielectric multilayer substrate according to claim 2, wherein:

【0042】また、請求項4によれば、前記複数の誘電
体層の各々において、前記両主面間の距離t1 と前記誘
電体層を構成する誘電体材料の屈折率n1 との積n1
1が、所定の第1の共通の値のほぼ奇数倍の値をそれ
ぞれ有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか
に記載の誘電体多層基板が提供される。
According to a fourth aspect of the present invention, in each of the plurality of dielectric layers, a product of a distance t 1 between the two main surfaces and a refractive index n 1 of a dielectric material constituting the dielectric layer. n 1
4. The dielectric multilayer substrate according to claim 1 , wherein t 1 has a value that is substantially an odd multiple of a predetermined first common value.

【0043】また、請求項5によれば、前記所定の第1
の共通の値が、前記誘電体多層基板に入射するマイクロ
波またはミリ波の波長の1/4であることを特徴とする
請求項4記載の誘電体多層基板が提供される。
According to the fifth aspect, the predetermined first
5. The dielectric multilayer substrate according to claim 4, wherein the common value of is 1 / of the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate.

【0044】所定の第1の共通の値が、誘電体多層基板
に入射するマイクロ波またはミリ波の波長の1/4であ
り、誘電体多層基板が短絡器として機能する。
The predetermined first common value is 1 / of the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate, and the dielectric multilayer substrate functions as a short circuit.

【0045】また、請求項6によれば、前記複数の誘電
体層のうちの少なくとも1つの誘電体層の前記両主面間
の距離t2 と前記少なくとも1つの誘電体層を構成する
誘電体材料の屈折率n2 との積n2・t2が、所定の第1
の値のほぼ整数倍の値を有し、前記複数の誘電体層のう
ちの他の少なくとも1つの誘電体層の前記両主面間の距
離t3 と前記他の少なくとも1つの誘電体層を構成する
誘電体材料の屈折率n3 との積n3・t3が、前記第1の
値とは異なる所定の第2の値のほぼ整数倍の値を有する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の誘
電体多層基板が提供される。
According to a sixth aspect of the present invention, the distance t 2 between the two main surfaces of at least one of the plurality of dielectric layers and the dielectric constituting the at least one dielectric layer The product n 2 · t 2 of the material and the refractive index n 2 is equal to a predetermined first value.
And a distance t 3 between the main surfaces of at least one other dielectric layer of the plurality of dielectric layers and the at least one other dielectric layer. is the product n 3 · t 3 between the refractive index n 3 of the dielectric material constituting claim 1, characterized in that it comprises a substantially integral multiple of the value of said first value predetermined second value which is different from the 4. A dielectric multilayer substrate according to any one of the above aspects.

【0046】この誘電体多層基板を使用すれば、異なる
特性を有する少なくとも2つのフィルタを結合したフィ
ルタが得られる。その結果、種々の特性を備えるフィル
タが得られ設計の自由度が増加する。
By using this dielectric multilayer substrate, a filter obtained by combining at least two filters having different characteristics can be obtained. As a result, filters having various characteristics are obtained, and the degree of freedom in design increases.

【0047】また、請求項7によれば、前記所定の第1
の値が、前記誘電体多層基板に入射するマイクロ波また
はミリ波の波長の1/2の値に所定の第3の値であって
前記波長の1/2の値よりも小さい前記第3の値を加え
た値であり、前記所定の第2の値が、前記波長の1/2
の値から前記第3の値を減じた値であることを特徴とす
る請求項6記載の誘電体多層基板が提供される。
According to the seventh aspect, the predetermined first
Is a predetermined third value to a value of に of the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate, and the third value is smaller than a value of の of the wavelength. The predetermined second value is 1 / of the wavelength.
7. The dielectric multilayer substrate according to claim 6, wherein the value is a value obtained by subtracting the third value from the value.

【0048】この誘電体多層基板を使用すれば、所望の
帯域幅を有するバンドパスフィルタが得られる。
By using this dielectric multilayer substrate, a bandpass filter having a desired bandwidth can be obtained.

【0049】また、請求項8によれば、互いに隣接する
前記誘電体層同士が密着していることを特徴とする請求
項1乃至7のいずれかに記載の誘電体多層基板が提供さ
れる。
According to a eighth aspect of the present invention, there is provided the dielectric multilayer substrate according to any one of the first to seventh aspects, wherein the adjacent dielectric layers are in close contact with each other.

【0050】また、請求項9によれば、互いに隣接する
前記誘電体層間には接着剤からなる層が存在することを
特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の誘電体多
層基板が提供される。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the dielectric multi-layer substrate according to any one of the first to seventh aspects, wherein a layer made of an adhesive is present between the adjacent dielectric layers. Provided.

【0051】また、請求項10によれば、互いに隣接す
る前記誘電体層間には空気層または誘電体層からなる中
間層が存在し、前記中間層の屈折率n4 と前記積層方向
における前記中間層の厚みt4 との積n4・t4が、前記
誘電体多層基板に入射するマイクロ波またはミリ波の波
長の約1/40以下であることを特徴とする請求項1乃
至7および9のいずれかに記載の誘電体多層基板が提供
される。
According to a tenth aspect, an intermediate layer made of an air layer or a dielectric layer exists between the dielectric layers adjacent to each other, and the refractive index n 4 of the intermediate layer and the intermediate layer in the laminating direction. product n 4 · t 4 between the thickness t 4 of the layer, said dielectric claim, wherein the multilayer substrate is about 1/40 or less of the wavelength of microwave or millimeter wave incident on 1-7 and 9 The dielectric multilayer substrate according to any one of the above is provided.

【0052】このような厚みの中間層が誘電体層間に存
在していても、中間層の屈折率n4と厚みt4 との積n4
・t4が波長に比べて小さいので、誘電体多層基板をフ
ィルタとして使用した場合に、フィルタ特性にほとんど
影響を与えない。なお、この中間層としては接着剤が好
ましく用いられる。
[0052] the product n 4 of the intermediate layer of such a thickness may be present in the dielectric layers, and the refractive index n 4 and the thickness t 4 of the intermediate layer
Since · t 4 is smaller than the wavelength, when using a dielectric multi-layer substrate as a filter, little effect on the filter characteristics. Note that an adhesive is preferably used as the intermediate layer.

【0053】また、請求項11によれば、複数の誘電体
層が積層された誘電体多層基板を備えるマイクロ波およ
び/またはミリ波用フィルタであって、前記複数の誘電
体層のうち互いに隣接する少なくとも2つの前記誘電体
層の屈折率が互いに異なり、前記複数の誘電体層の各々
が互いに実質的に平行な両主面をそれぞれ有し、前記複
数の誘電体層相互間において前記両主面同士が互いに実
質的に平行になるように前記複数の誘電体層が積層され
ていることを特徴とするマイクロ波および/またはミリ
波用フィルタが提供される。
According to the eleventh aspect, there is provided a microwave and / or millimeter wave filter including a dielectric multilayer substrate in which a plurality of dielectric layers are stacked, wherein the plurality of dielectric layers are adjacent to each other. The refractive indices of at least two of the dielectric layers are different from each other, each of the plurality of dielectric layers has two main surfaces substantially parallel to each other, and the two main layers are disposed between the plurality of dielectric layers. A microwave and / or millimeter wave filter is provided, wherein the plurality of dielectric layers are stacked such that the surfaces are substantially parallel to each other.

【0054】この誘電体多層基板は誘電体層を積層した
構造であるので、その製造も容易である。
Since this dielectric multilayer substrate has a structure in which dielectric layers are laminated, its manufacture is also easy.

【0055】また、請求項12によれば、前記誘電体層
内および前記誘電体層間には導電体が設けられていない
ことを特徴とする請求項11記載のマイクロ波および/
またはミリ波用フィルタが提供される。
According to a twelfth aspect of the present invention, a conductor is not provided in the dielectric layer and between the dielectric layers.
Alternatively, a millimeter wave filter is provided.

【0056】また、請求項13によれば、前記複数の誘
電体層の屈折率が、互いに隣接する誘電体層相互間で異
なることを特徴とする請求項11または12記載のマイ
クロ波および/またはミリ波用フィルタが提供される。
According to a thirteenth aspect of the present invention, the plurality of dielectric layers have different refractive indices between adjacent dielectric layers. A millimeter wave filter is provided.

【0057】また、請求項14によれば、互いに屈折率
が異なる2つの誘電体材料のうち一方の誘電体材料から
なる誘電体層と他方の誘電体材料からなる誘電体層とが
交互に積層されていることを特徴とする請求項11乃至
13のいずれかに記載のマイクロ波および/またはミリ
波用フィルタが提供される。
According to the fourteenth aspect, a dielectric layer made of one of the two dielectric materials having different refractive indices and a dielectric layer made of the other dielectric material are alternately laminated. A microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 11 to 13, wherein the filter is provided.

【0058】また、請求項15によれば、前記複数の誘
電体層の各々において、前記両主面間の距離t5 と前記
誘電体層を構成する誘電体材料の屈折率n5 との積n5
・t5が、所定の第2の共通の値のほぼ奇数倍の値をそ
れぞれ有することを特徴とする請求項11乃至14のい
ずれかに記載のマイクロ波および/またはミリ波用フィ
ルタが提供される。
[0058] Also, according to claim 15, in each of said plurality of dielectric layers, wherein the product of the refractive index n 5 of the dielectric material constituting the dielectric layer and the distance t 5 between the two main surfaces n 5
· T 5 is substantially microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 11 to 14, characterized in that it has an odd multiple value, respectively are provided in the predetermined second common value You.

【0059】また、請求項16によれば、前記所定の第
2の共通の値が、前記誘電体多層基板に入射するマイク
ロ波またはミリ波の波長の1/4であることを特徴とす
る請求項15記載のマイクロ波および/またはミリ波用
フィルタが提供される。
According to a sixteenth aspect of the present invention, the predetermined second common value is ま た は of a wavelength of a microwave or a millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate. Item 15. A microwave and / or millimeter wave filter according to item 15 is provided.

【0060】所定の第2の共通の値が、誘電体多層基板
に入射するマイクロ波またはミリ波の波長の1/4であ
り、このフィルタは短絡器として機能する。
A predetermined second common value is 1 / of the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate, and this filter functions as a short circuit.

【0061】また、請求項17によれば、前記マイクロ
波および/またはミリ波用フィルタがマイクロ波および
/またはミリ波用短絡器であることを特徴とする請求項
11乃至16のいずれかに記載のマイクロ波および/ま
たはミリ波用フィルタが提供される。
According to claim 17, the microwave and / or millimeter wave filter is a microwave and / or millimeter wave short circuit. , A microwave and / or millimeter wave filter.

【0062】このように、本発明の誘電体多層基板を用
いたマイクロ波および/またはミリ波用フィルタは、短
絡器、特に、所望の周波数帯域の電磁波を選択的に反射
する帯域阻止フィルタ(BRF:バンド・リジェクショ
ン・フィルタ)の機能を有する短絡器(ショートプラン
ジャ)として好ましく用いられる。
As described above, the microwave and / or millimeter wave filter using the dielectric multilayer substrate of the present invention is a short circuiter, particularly a band rejection filter (BRF) that selectively reflects an electromagnetic wave in a desired frequency band. : Band rejection filter), which is preferably used as a short-circuit device (short plunger) having a function.

【0063】また、請求項18によれば、前記複数の誘
電体層の各々において、前記両主面間の距離t5 と前記
誘電体層を構成する誘電体材料の屈折率n5 との積n5
・t5が、前記短絡器によって反射されるマイクロ波ま
たはミリ波の波長の1/4のほぼ奇数倍であることを特
徴とする請求項17記載のマイクロ波および/またはミ
リ波用フィルタが提供される。
According to the eighteenth aspect, in each of the plurality of dielectric layers, the product of the distance t 5 between the main surfaces and the refractive index n 5 of the dielectric material forming the dielectric layer is provided. n 5
· T 5 is provided microwave and / or millimeter wave filter according to claim 17, wherein it is almost an odd multiple of a quarter of the wavelength of microwave or millimeter-wave reflected by the short circuit Is done.

【0064】また、請求項19によれば、前記複数の誘
電体層のうちの少なくとも1つの誘電体層の前記両主面
間の距離t6 と前記少なくとも1つの誘電体層を構成す
る誘電体材料の屈折率n6 との積n6・t6が、所定の第
4の値のほぼ整数倍の値を有し、前記複数の誘電体層の
うちの他の少なくとも1つの誘電体層の前記両主面間の
距離t7 と前記他の少なくとも1つの誘電体層を構成す
る誘電体材料の屈折率n7 との積n7・t7が、前記第4
の値とは異なる所定の第5の値のほぼ整数倍の値を有す
ることを特徴とする請求項11乃至14のいずれかに記
載のマイクロ波および/またはミリ波用フィルタが提供
される。
According to a nineteenth aspect, a distance t 6 between the main surfaces of at least one of the plurality of dielectric layers and a dielectric constituting the at least one dielectric layer are set. The product n 6 · t 6 of the material and the refractive index n 6 has a value that is substantially an integral multiple of a predetermined fourth value, and the product n 6 · t 6 of at least one other dielectric layer of the plurality of dielectric layers. The product n 7 · t 7 of the distance t 7 between the two main surfaces and the refractive index n 7 of the dielectric material constituting the at least one other dielectric layer is the fourth product.
The microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 11 to 14, wherein the filter has a value that is substantially an integral multiple of a predetermined fifth value different from the value of the fifth value.

【0065】このフィルタは、異なる特性を有する少な
くとも2つのフィルタを結合したフィルタとなるので、
そのフィルタ特性を様々に変えることができ、設計の自
由度が増加する。
Since this filter is a filter obtained by combining at least two filters having different characteristics,
The filter characteristics can be variously changed, and the degree of freedom in design increases.

【0066】また、請求項20によれば、前記所定の第
4の値が、前記誘電体多層基板に入射するマイクロ波ま
たはミリ波の波長の1/2の値に所定の第6の値であっ
て前記波長の1/2の値よりも小さい前記第6の値を加
えた値であり、前記所定の第5の値が、前記波長の1/
2の値から前記第6の値を減じた値であることを特徴と
する請求項19記載のマイクロ波および/またはミリ波
用フィルタが提供される。
According to a twentieth aspect, the predetermined fourth value is a predetermined sixth value equal to a half of the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate. And a value obtained by adding the sixth value smaller than a value of 波長 of the wavelength, and the predetermined fifth value is 1 / の of the wavelength.
The microwave and / or millimeter wave filter according to claim 19, wherein the filter is a value obtained by subtracting the sixth value from the value of 2.

【0067】このようにすれば、所望の帯域幅を有する
バンドパスフィルタが得られる。
In this way, a band-pass filter having a desired bandwidth can be obtained.

【0068】また、請求項21によれば、互いに隣接す
る前記誘電体層同士が密着していることを特徴とする請
求項11乃至20のいずれかに記載のマイクロ波および
/またはミリ波用フィルタが提供される。
The microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 11 to 20, wherein the dielectric layers adjacent to each other are in close contact with each other. Is provided.

【0069】また、請求項22によれば、互いに隣接す
る前記誘電体層間には接着剤からなる層が存在すること
を特徴とする請求項11乃至20のいずれかに記載のマ
イクロ波および/またはミリ波用フィルタが提供され
る。
According to a twenty-second aspect of the present invention, there is provided a method as set forth in any one of the eleventh to twentieth aspects, wherein a layer made of an adhesive is present between the adjacent dielectric layers. A millimeter wave filter is provided.

【0070】また、請求項23によれば、互いに隣接す
る前記誘電体層間には空気層または誘電体層からなる中
間層が存在し、前記中間層の屈折率n8 と前記積層方向
における前記中間層の厚みt8 との積n8・t8が、前記
誘電体多層基板に入射するマイクロ波またはミリ波の波
長の約1/40以下であることを特徴とする請求項11
乃至20および22のいずれかに記載のマイクロ波およ
び/またはミリ波用フィルタが提供される。なお、この
中間層としては接着剤が好ましく用いられる。
According to a twenty-third aspect, an intermediate layer made of an air layer or a dielectric layer exists between the dielectric layers adjacent to each other, and the refractive index n 8 of the intermediate layer and the intermediate layer in the laminating direction. claim product n 8 · t 8 the thickness t 8 layers, wherein the dielectric is about 1/40 or less of the wavelength of microwave or millimeter-wave incident on the multilayer substrate 11
30. A microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 20 to 22. Note that an adhesive is preferably used as the intermediate layer.

【0071】このような厚みの中間層が誘電体層間に存
在していても、中間層の屈折率n4と厚みt4 との積n4
・t4が波長に比べて小さいので、フィルタ特性にほと
んど影響を与えない。なお、この中間層としては接着剤
が好ましく用いられる。
[0071] the product n 4 of the intermediate layer of such a thickness may be present in the dielectric layers, and the refractive index n 4 and the thickness t 4 of the intermediate layer
Since · t 4 is smaller than the wavelength, little influence on the filter characteristic. Note that an adhesive is preferably used as the intermediate layer.

【0072】また、請求項24によれば、請求項16、
18、20または23記載のマイクロ波および/または
ミリ波用フィルタを備える伝送線路であって、前記誘電
体多層基板に入射するマイクロ波またはミリ波の波長ま
たは前記短絡器によって反射されるマイクロ波またはミ
リ波の波長が前記伝送線路を伝送されるマイクロ波また
はミリ波の波長であることを特徴とする伝送線路が提供
される。
According to claim 24, claim 16,
24. A transmission line comprising the microwave and / or millimeter wave filter according to 18, 20, or 23, wherein the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate or the microwave reflected by the short circuiter A transmission line is provided, wherein the wavelength of the millimeter wave is the wavelength of a microwave or a millimeter wave transmitted through the transmission line.

【0073】また、請求項25によれば、複数の焼結体
であって、互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複数の
誘電体材料からそれぞれなり内部には導電体を含まない
前記複数の焼結体から、複数の誘電体基板であってそれ
ぞれ所定の厚みを有すると共にそれぞれの両主面が互い
に平行な前記複数の誘電体基板を作成する工程と、前記
複数の誘電体基板間に導電体を含ませることなく、前記
複数の誘電体基板を絶縁物からなる接着剤で貼り合わせ
る工程と、を有することを特徴とする誘電体多層基板の
製造方法が提供される。
According to a twenty-fifth aspect, the plurality of sintered bodies are made of a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and do not include a conductor therein. Forming a plurality of dielectric substrates, each of which has a predetermined thickness, and both main surfaces of which are parallel to each other, forming a plurality of dielectric substrates, including a conductor between the plurality of dielectric substrates And bonding the plurality of dielectric substrates with an adhesive made of an insulating material without performing the method.

【0074】また、請求項26によれば、複数の焼結体
であって、互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複数の
誘電体材料からそれぞれなり内部には導電体を含まない
前記複数の焼結体から、複数の誘電体基板であってそれ
ぞれ所定の厚みを有すると共にそれぞれの両主面が互い
に平行な前記複数の誘電体基板を作成する工程と、前記
複数の誘電体基板間に導電体を含ませることなく、前記
複数の誘電体基板を絶縁物からなる接着剤で貼り合わせ
て誘電体多層基板を作成する工程と、を有することを特
徴とするマイクロ波および/またはミリ波用フィルタの
製造方法が提供される。
According to a twenty-sixth aspect, the plurality of sintered bodies are made of a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and do not include a conductor therein. Forming a plurality of dielectric substrates, each of which has a predetermined thickness, and both main surfaces of which are parallel to each other, forming a plurality of dielectric substrates, including a conductor between the plurality of dielectric substrates Bonding the plurality of dielectric substrates with an adhesive made of an insulating material to form a dielectric multi-layer substrate without performing the method. Is provided.

【0075】また、請求項27によれば、互いに異なる
屈折率をそれぞれ有する複数の誘電体材料であって導電
体を含まない前記複数の誘電体材料をそれぞれ用いた複
数の生シートを作成する工程と、前記複数の生シート間
に導電体を含ませることなく、前記複数の生シートを所
定の順序で積層して積層体を作成する工程と、前記積層
体を焼結する工程と、を有することを特徴とする誘電体
多層基板の製造方法が提供される。
According to a twenty-seventh aspect, a step of producing a plurality of raw sheets using a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and not including a conductor. And forming a laminate by laminating the plurality of raw sheets in a predetermined order without including a conductor between the plurality of raw sheets, and sintering the laminate. A method for manufacturing a dielectric multilayer substrate is provided.

【0076】また、請求項28によれば、互いに異なる
屈折率をそれぞれ有する複数の誘電体材料であって導電
体を含まない前記複数の誘電体材料をそれぞれ用いた複
数の生シートを作成する工程と、前記複数の生シート間
に導電体を含ませることなく、前記複数の生シートを所
定の順序で積層して積層体を作成する工程と、前記積層
体を焼結して誘電体多層基板を作成する工程と、を有す
ることを特徴とするマイクロ波および/またはミリ波用
フィルタの製造方法が提供される。
According to a twenty-eighth aspect, a step of producing a plurality of raw sheets using a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and not including a conductor. Forming a laminate by laminating the plurality of raw sheets in a predetermined order without including a conductor between the plurality of raw sheets; and sintering the laminate to form a dielectric multilayer substrate. And a method of manufacturing a filter for microwaves and / or millimeter waves.

【0077】[0077]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0078】図3は、本発明の一実施の形態の短絡器5
0を説明するための概略斜視図である。比誘電率が
εr2、屈折率がn2 、厚みがt3 の誘電体基板25上に
比誘電率がεr1、屈折率がn1 、厚みがt1 の誘電体基
板14が積層され、その上に比誘電率がεr2、屈折率が
2 、厚みがt2 の誘電体基板24が積層され、その上
に、誘電体基板14と誘電体基板24とが交互に積層さ
れている。
FIG. 3 shows a short-circuit device 5 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic perspective view for explaining the case of the reference numeral 0; A dielectric substrate 14 having a relative dielectric constant of ε r1 , a refractive index of n 1 and a thickness of t 1 is laminated on a dielectric substrate 25 having a relative dielectric constant of ε r2 , a refractive index of n 2 and a thickness of t 3 , A dielectric substrate 24 having a relative dielectric constant of ε r2 , a refractive index of n 2 , and a thickness of t 2 is stacked thereon, and the dielectric substrates 14 and 24 are alternately stacked thereon. .

【0079】誘電体基板14、24、25内には導電体
は含まれておらず、誘電体基板14、24、25間にも
導電体は含まれていない。
No conductor is contained in the dielectric substrates 14, 24, 25, and no conductor is contained between the dielectric substrates 14, 24, 25.

【0080】誘電体基板14、24、25相互間は接着
剤(図示せず。)で貼り合わせられている。接着剤とし
ては、たとえば誘電率εr <5、Q>5000(at、
1GHz)の低誘電率、低ロスのもので数十μm以下の
厚みのものが望ましい。
The dielectric substrates 14, 24, and 25 are bonded together with an adhesive (not shown). As the adhesive, for example, a dielectric constant ε r <5, Q> 5000 (at,
A low dielectric constant and a low loss of 1 GHz) and a thickness of several tens μm or less are desirable.

【0081】次に、図4を参照して本実施の形態の短絡
器50の製造方法を説明する。
Next, a method of manufacturing the short circuit device 50 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

【0082】ここでは、誘電体基板14、24、25の
材料として誘電体セラミックスを用いる場合を例にとっ
て説明する。
Here, a case where dielectric ceramics are used as the material of the dielectric substrates 14, 24 and 25 will be described as an example.

【0083】まず、2種類の誘電体基板(セラミックス
基板)14、24(25)の原料粉体11、21をスプ
レー・ドライヤー等により造粒する(工程1)。
First, raw material powders 11 and 21 of two types of dielectric substrates (ceramic substrates) 14 and 24 (25) are granulated by a spray drier or the like (step 1).

【0084】次に、それらをそれぞれ油圧プレス等によ
り、ブロック状に成型し、成形体12、22を作成する
(工程2)。
Next, each of them is molded into a block shape by a hydraulic press or the like to form molded bodies 12 and 22 (step 2).

【0085】次に、これらの成形体12、22のブロッ
クを脱バインダ工程を経て大気中で焼成し、緻密な焼結
体13、23とする(工程3)。
Next, the blocks of the compacts 12 and 22 are fired in the air through a binder removing step to obtain dense sintered bodies 13 and 23 (step 3).

【0086】次にこれらの焼結体13、23を板状にス
ライスし、さらに所望の厚みになるよう研磨して、誘電
体基板(セラミックス基板)14、24、25を作成す
る(工程4)。
Next, these sintered bodies 13 and 23 are sliced into a plate shape, and further polished to a desired thickness to form dielectric substrates (ceramic substrates) 14, 24 and 25 (step 4). .

【0087】次に、スピンコーター等を用いて接着剤を
誘電体基板14、24、25の表面上に一様に塗布し、
さらに、それぞれの誘電体基板14、24(25)を互
い違いに積層する(工程5)。
Next, an adhesive is uniformly applied on the surfaces of the dielectric substrates 14, 24 and 25 using a spin coater or the like.
Further, the respective dielectric substrates 14, 24 (25) are alternately stacked (step 5).

【0088】次に、基板間の密着性を高めるため、重し
40等により基板表面に対して垂直方向に加圧しながら
接着剤を充分乾燥させて誘電体多層基板30を得る(工
程6)。このようにして得られた誘電体多層基板30は
短絡器50として使用できる。
Next, in order to enhance the adhesion between the substrates, the adhesive is sufficiently dried while pressing in a direction perpendicular to the substrate surface with a weight 40 or the like to obtain the dielectric multilayer substrate 30 (Step 6). The dielectric multilayer substrate 30 thus obtained can be used as a short circuit device 50.

【0089】尚、本実施の形態では誘電体多層基板30
の製造方法として、焼結した誘電体ブロック13、23
から切り出す方法を提示したが、誘電体多層基板の製造
方法としてはこれに限らず、それぞれ一定の厚みを有す
るとともに異なる少なくとも2つの屈折率のうちのいず
れかの屈折率をそれぞれ有する複数の誘電体層を所定の
順序で積層できる方法であれば良い。たとえば、複数の
誘電体材料につき所定の厚みの生シートを用意し、それ
ぞれ所定の順に積層したのち同時焼成することにより誘
電体多層基板を形成しても良い。この場合には、同時焼
成できる誘電体材料の組み合わせは限られることになる
が、上述の本実施の形態の製造方法、すなわち、焼結し
た誘電体ブロックから誘電体基板を切り出し、その後こ
れらを貼り合わせる方法によれば、積層される誘電体材
料の選択の幅は格段に広くなる。
In this embodiment, the dielectric multilayer substrate 30
As a method for manufacturing the dielectric block, the sintered dielectric blocks 13 and 23
However, the method for manufacturing the dielectric multilayer substrate is not limited to this, and a plurality of dielectric layers each having a certain thickness and each having any one of at least two different refractive indexes are provided. Any method can be used as long as the layers can be stacked in a predetermined order. For example, a raw multi-layer substrate may be formed by preparing raw sheets of a predetermined thickness for a plurality of dielectric materials, laminating them in a predetermined order, and firing them simultaneously. In this case, the combination of dielectric materials that can be co-fired is limited. However, the above-described manufacturing method of the present embodiment, that is, a dielectric substrate is cut out from a sintered dielectric block, and then these are pasted. According to the matching method, the range of choice of the dielectric material to be laminated is greatly increased.

【0090】[0090]

【実施例】次に本発明の一実施例として、2種類の誘電
体セラミックスを用いて形成した短絡器を示す。
Next, as an embodiment of the present invention, a short circuiter formed by using two kinds of dielectric ceramics will be described.

【0091】本実施例の短絡器50は、図3に示す構造
を有しており、比誘電率εr が21.5、屈折率nが
4.59、厚みtが1630μmの誘電体基板25上に
比誘電率εr が117、屈折率nが10.59、厚みt
が140μmの誘電体基板14が積層され、その上に比
誘電率εr が21.5、屈折率nが4.59、厚みtが
330μmの誘電体基板24が積層され、その上に、誘
電体基板14、誘電体基板24、誘電体基板14がこの
順序で交互に積層されている。
The short-circuit device 50 of this embodiment has the structure shown in FIG. 3, and has a dielectric constant ε r of 21.5, a refractive index n of 4.59, and a thickness t of 1630 μm. The relative dielectric constant ε r is 117, the refractive index n is 10.59, and the thickness t is
Is laminated, and a dielectric substrate 24 having a relative dielectric constant ε r of 21.5, a refractive index n of 4.59, and a thickness t of 330 μm is laminated thereon. The body substrate 14, the dielectric substrate 24, and the dielectric substrate 14 are alternately stacked in this order.

【0092】誘電体層14の屈折率nが10.59、厚
みtが140μmであり、屈折率×厚みが1.5mmと
なり入射するミリ波(50GHz)の波長をλ1 とする
と、そのλ1 /4となっている。誘電体層24の屈折率
nが4.59、厚みtが330μmであり、屈折率×厚
みが1.5mmとなり、やはり入射するミリ波の波長を
λ1 とすると、そのλ1 /4となっている。また誘電体
層25の屈折率nが4.59、厚みtが1630μmで
あり、屈折率×厚みが7.5mmとなり、入射するミリ
波の波長をλ1 とすると、そのλ1 /4の(2m+1)
倍(この場合はm=2)となっている。なお、このよう
に誘電体層25の厚みが厚いのは短絡器50の機械的な
保持のためであるが、このように厚くした場合であって
も、屈折率×厚みがλ1 /4の(2m+1)倍(m=
0、1、2・・・)となっているので入射するミリ波を
反射する機能を併せて有しており、短絡器として反射率
が最大となる。
[0092] If the refractive index n of the dielectric layer 14 is 10.59, and a thickness t is 140 .mu.m, the millimeter-wave refractive index × thickness incident 1.5mm next wavelengths (50 GHz) and lambda 1, the lambda 1 / 4. Refractive index n 4.59 of the dielectric layer 24, a thickness t of 330 [mu] m, refractive index × thickness 1.5mm next and also the wavelength of the millimeter wave incident to lambda 1, is its lambda 1/4 ing. The refractive index n is 4.59 of the dielectric layer 25, the thickness t is 1630Myuemu, refractive index × thickness 7.5mm, and the and the wavelength of the millimeter wave incident to lambda 1, the λ 1/4 ( 2m + 1)
(In this case, m = 2). In this way, although the thick thickness of the dielectric layer 25 is for mechanical retention of the short circuit 50, even when such thick, the refractive index × thickness of lambda 1/4 (2m + 1) times (m =
0, 1, 2,...), So that it also has a function of reflecting the incident millimeter wave, and the reflectance is maximized as a short-circuit device.

【0093】誘電体基板14、24、25内には導電体
は含まれておらず、誘電体基板14、24、25間にも
導電体は含まれていない。
No conductor is contained in the dielectric substrates 14, 24, 25, and no conductor is contained between the dielectric substrates 14, 24, 25.

【0094】誘電体基板14、24、25相互間は接着
剤(図示せず。)で貼り合わせられている。接着剤とし
ては、エポキシ系接着剤を使用し、その誘電率εr
4、屈折率nは2、Q(at 1GHz)は3000で
あり、厚みは12μmであった。このように厚みが薄
く、nが小さく、従って屈折率×厚みが24μmと非常
に小さく、しかも低ロスの接着剤を使用しているので、
短絡器50の透過率の周波数特性にはほとんど影響を与
えない。
The dielectric substrates 14, 24, and 25 are bonded to each other with an adhesive (not shown). An epoxy adhesive was used as the adhesive, and its dielectric constant ε r was 4, refractive index n was 2, Q (at 1 GHz) was 3000, and thickness was 12 μm. Since the thickness is small and n is small, the refractive index × thickness is very small as 24 μm, and a low-loss adhesive is used.
It hardly affects the frequency characteristics of the transmittance of the short-circuit device 50.

【0095】なお、この短絡器50は、図4を参照して
説明した上記一実施の形態の製造方法によって製造し
た。
The short-circuit device 50 was manufactured by the manufacturing method of the embodiment described with reference to FIG.

【0096】この短絡器50を導波管60内に設け、ネ
ットワークアナライザー(HP8510C)70を用い
て、図5の測定系に従い30〜70GHz帯における電
磁波の反射特性(透過特性)を測定した。結果を図6に
実線で示す。40〜60GHzで電磁波の反射率が殆ど
1、つまり透過率が殆ど0であり、短絡器(ショートプ
ランジャ)として有効な性能が20GHzもの広い帯域
幅で発揮されている。比較例として図7、8に示す従来
の短絡器板80(スリットを設けたショートプランジ
ャ)における電磁波の反射特性(透過特性)も並記した
(破線参照)。この場合、短絡板(ショートプランジ
ャ)としての性能は約4GHzの帯域幅(48〜52G
Hz)で最も有効に発揮されているが、誘電体多層基板
を使用した本実施例の短絡器50の場合と比較して、短
絡器(ショートプランジャ)として有効な帯域幅が1/
5しかないことが分かる。
The short-circuit device 50 was provided in the waveguide 60, and the reflection characteristics (transmission characteristics) of electromagnetic waves in the 30 to 70 GHz band were measured using a network analyzer (HP8510C) 70 in accordance with the measurement system of FIG. The result is shown by a solid line in FIG. At 40 to 60 GHz, the reflectivity of the electromagnetic wave is almost 1, that is, the transmittance is almost 0, and the effective performance as a short-circuit device (short plunger) is exhibited in a wide bandwidth of 20 GHz. As a comparative example, the reflection characteristics (transmission characteristics) of electromagnetic waves in the conventional short-circuit plate 80 (short plunger provided with a slit) shown in FIGS. In this case, the performance as a short-circuiting plate (short plunger) has a bandwidth of about 4 GHz (48 to 52 G).
Hz), but the effective bandwidth as a short-circuit (short plunger) is 1 / compared to the case of the short-circuit device 50 of the present embodiment using a dielectric multilayer substrate.
It turns out that there are only five.

【0097】このように、高い加工精度を必要とするス
リットを設けることなく、従来技術と比較して低コスト
でしかも格段に広い有効帯域幅を有する、所望の周波数
帯域の電磁波を選択的に反射する帯域阻止フィルタの機
能を有する短絡器(ショートプランジャ)が実現でき
た。
As described above, without providing slits requiring high processing accuracy, electromagnetic waves in a desired frequency band can be selectively reflected at a lower cost than in the prior art and having a much wider effective bandwidth. A short-circuit device (short plunger) having a function of a band rejection filter can be realized.

【0098】[0098]

【発明の効果】本発明によれば、非常に高い加工精度が
要求されるスリットを設ける必要がなく、容易に製造で
きる誘電体多層基板、マイクロ波および/またはミリ波
用フィルタそれらの製造方法が提供される。
According to the present invention, there is provided a dielectric multilayer substrate, a filter for microwave and / or millimeter wave which can be easily manufactured without providing a slit which requires extremely high processing accuracy, and a method for manufacturing the same. Provided.

【0099】そして、この誘電体多層基板を用いれば、
広い周波数帯域の電磁波を選択的に透過または反射させ
ることができるフィルタを容易に作成できる。
Then, if this dielectric multilayer substrate is used,
A filter capable of selectively transmitting or reflecting electromagnetic waves in a wide frequency band can be easily formed.

【0100】この誘電体多層基板を用いたフィルタは、
特に所望の周波数帯域の電磁波を選択的に反射する帯域
阻止フィルタ(BRF:バンド・リジェクション・フィ
ルタ)の機能を有する短絡器(ショートプランジャ)と
して好ましく使用される。
The filter using this dielectric multilayer substrate is:
In particular, it is preferably used as a short circuiter (short plunger) having a function of a band rejection filter (BRF: band rejection filter) that selectively reflects an electromagnetic wave in a desired frequency band.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理を説明するための概略断面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic sectional view for explaining the principle of the present invention.

【図2】図1の光学系の透過率の周波数特性を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram illustrating frequency characteristics of transmittance of the optical system of FIG. 1;

【図3】本発明の一実施の形態の短絡器を説明するため
の概略斜視図である。
FIG. 3 is a schematic perspective view illustrating a short circuiter according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態の短絡器の製造方法を説
明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing a short circuiter according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例において使用した測定系を説
明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a measurement system used in one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例の短絡器の透過率(反射率)
の周波数特性を示す図である。
FIG. 6 shows the transmittance (reflectance) of the short-circuit device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing frequency characteristics of the multiplexed signal;

【図7】従来の可変短絡器を説明するための斜視図であ
る。
FIG. 7 is a perspective view illustrating a conventional variable short circuit device.

【図8】従来の可変短絡器を説明するための断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a conventional variable short-circuit device.

【図9】従来の可変短絡器の等価回路図である。FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a conventional variable short-circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…媒質 2…誘電体基板 11、21…原料粉末 12、22…成形体 13、23…焼結体 14、24、25…誘電体基板 30…誘電体多層基板 40…重し 50…短絡器(ショートプランジャ) 60…導波管 70…ネットワークアナライザー 80…短絡器 82…スリット(溝) 83…導波管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Medium 2 ... Dielectric substrate 11, 21 ... Raw material powder 12, 22 ... Molded body 13, 23 ... Sintered body 14, 24, 25 ... Dielectric substrate 30 ... Dielectric multilayer substrate 40 ... Weight 50 ... Short circuit (Short plunger) 60: Waveguide 70: Network analyzer 80: Short circuiter 82: Slit (groove) 83: Waveguide

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // G02B 5/28 G02B 5/28 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI // G02B 5/28 G02B 5/28

Claims (28)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の誘電体層が積層された誘電体多層基
板であって、 前記複数の誘電体層のうち互いに隣接する少なくとも2
つの前記誘電体層の屈折率が互いに異なり、 前記複数の誘電体層の各々が互いに実質的に平行な両主
面をそれぞれ有し、 前記複数の誘電体層相互間において前記両主面同士が互
いに実質的に平行になるように前記複数の誘電体層が積
層され、 前記誘電体層内および前記誘電体層間には導電体が設け
られていないことを特徴とする誘電体多層基板。
1. A dielectric multilayer substrate in which a plurality of dielectric layers are stacked, wherein at least two of the plurality of dielectric layers are adjacent to each other.
The refractive indices of the two dielectric layers are different from each other, each of the plurality of dielectric layers has two main surfaces substantially parallel to each other, and the two main surfaces are mutually between the plurality of dielectric layers. The dielectric multilayer substrate, wherein the plurality of dielectric layers are stacked so as to be substantially parallel to each other, and no conductor is provided in the dielectric layers and between the dielectric layers.
【請求項2】前記複数の誘電体層の屈折率が、互いに隣
接する誘電体層相互間で異なることを特徴とする請求項
1記載の誘電体多層基板。
2. The dielectric multilayer substrate according to claim 1, wherein said plurality of dielectric layers have different refractive indices between adjacent dielectric layers.
【請求項3】互いに屈折率が異なる2つの誘電体材料の
うち一方の誘電体材料からなる誘電体層と他方の誘電体
材料からなる誘電体層とが交互に積層されていることを
特徴とする請求項2記載の誘電体多層基板。
3. The method according to claim 1, wherein a dielectric layer made of one of the two dielectric materials having different refractive indices and a dielectric layer made of the other dielectric material are alternately laminated. The dielectric multilayer substrate according to claim 2.
【請求項4】前記複数の誘電体層の各々において、前記
両主面間の距離t1 と前記誘電体層を構成する誘電体材
料の屈折率n1 との積n1・t1が、所定の第1の共通の
値のほぼ奇数倍の値をそれぞれ有することを特徴とする
請求項1乃至3のいずれかに記載の誘電体多層基板。
4. In each of the plurality of dielectric layers, a product n 1 · t 1 of a distance t 1 between the two main surfaces and a refractive index n 1 of a dielectric material constituting the dielectric layer is defined as: 4. The dielectric multilayer substrate according to claim 1, wherein each of said dielectric multilayer substrates has a value which is substantially an odd multiple of a predetermined first common value.
【請求項5】前記所定の第1の共通の値が、前記誘電体
多層基板に入射するマイクロ波またはミリ波の波長の1
/4であることを特徴とする請求項4記載の誘電体多層
基板。
5. The method according to claim 1, wherein the predetermined first common value is one of a wavelength of a microwave or a millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate.
The dielectric multilayer substrate according to claim 4, wherein the ratio is / 4.
【請求項6】前記複数の誘電体層のうちの少なくとも1
つの誘電体層の前記両主面間の距離t2 と前記少なくと
も1つの誘電体層を構成する誘電体材料の屈折率n2
の積n2・t2が、所定の第1の値のほぼ整数倍の値を有
し、 前記複数の誘電体層のうちの他の少なくとも1つの誘電
体層の前記両主面間の距離t3 と前記他の少なくとも1
つの誘電体層を構成する誘電体材料の屈折率n3 との積
3・t3が、前記第1の値とは異なる所定の第2の値の
ほぼ整数倍の値を有することを特徴とする請求項1乃至
3のいずれかに記載の誘電体多層基板。
6. At least one of said plurality of dielectric layers.
The product n 2 · t 2 of the distance t 2 between the two main surfaces of the two dielectric layers and the refractive index n 2 of the dielectric material forming the at least one dielectric layer is a predetermined first value. A distance t 3 between the main surfaces of at least one other dielectric layer of the plurality of dielectric layers and the other at least one
The product n 3 · t 3 of the two dielectric layers and the refractive index n 3 of the dielectric material has a value substantially equal to an integral multiple of a predetermined second value different from the first value. The dielectric multilayer substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein
【請求項7】前記所定の第1の値が、前記誘電体多層基
板に入射するマイクロ波またはミリ波の波長の1/2の
値に所定の第3の値であって前記波長の1/2の値より
も小さい前記第3の値を加えた値であり、前記所定の第
2の値が、前記波長の1/2の値から前記第3の値を減
じた値であることを特徴とする請求項6記載の誘電体多
層基板。
7. The method according to claim 1, wherein the predetermined first value is a predetermined third value equal to a half of the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate, and A value obtained by adding the third value smaller than the value of 2, and the predetermined second value is a value obtained by subtracting the third value from a value of 1 / of the wavelength. The dielectric multilayer substrate according to claim 6, wherein
【請求項8】互いに隣接する前記誘電体層同士が密着し
ていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記
載の誘電体多層基板。
8. The dielectric multilayer substrate according to claim 1, wherein said dielectric layers adjacent to each other are in close contact with each other.
【請求項9】互いに隣接する前記誘電体層間には接着剤
からなる層が存在することを特徴とする請求項1乃至7
のいずれかに記載の誘電体多層基板。
9. A method according to claim 1, wherein a layer made of an adhesive is present between said dielectric layers adjacent to each other.
The dielectric multilayer substrate according to any one of the above.
【請求項10】互いに隣接する前記誘電体層間には空気
層または誘電体層からなる中間層が存在し、前記中間層
の屈折率n4 と前記積層方向における前記中間層の厚み
4 との積n4・t4が、前記誘電体多層基板に入射する
マイクロ波またはミリ波の波長の約1/40以下である
ことを特徴とする請求項1乃至7および9のいずれかに
記載の誘電体多層基板。
10. An intermediate layer comprising an air layer or a dielectric layer is present between said dielectric layers adjacent to each other, and a difference between a refractive index n 4 of said intermediate layer and a thickness t 4 of said intermediate layer in said laminating direction. 10. The dielectric according to claim 1, wherein a product n 4 · t 4 is about 1/40 or less of a wavelength of a microwave or a millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate. Body multilayer board.
【請求項11】複数の誘電体層が積層された誘電体多層
基板を備えるマイクロ波および/またはミリ波用フィル
タであって、 前記複数の誘電体層のうち互いに隣接する少なくとも2
つの前記誘電体層の屈折率が互いに異なり、 前記複数の誘電体層の各々が互いに実質的に平行な両主
面をそれぞれ有し、 前記複数の誘電体層相互間において前記両主面同士が互
いに実質的に平行になるように前記複数の誘電体層が積
層されていることを特徴とするマイクロ波および/また
はミリ波用フィルタ。
11. A microwave and / or millimeter wave filter comprising a dielectric multilayer substrate on which a plurality of dielectric layers are stacked, wherein at least two of the plurality of dielectric layers are adjacent to each other.
The refractive indices of the two dielectric layers are different from each other, each of the plurality of dielectric layers has two main surfaces substantially parallel to each other, and the two main surfaces are mutually between the plurality of dielectric layers. A microwave and / or millimeter wave filter, wherein the plurality of dielectric layers are stacked so as to be substantially parallel to each other.
【請求項12】前記誘電体層内および前記誘電体層間に
は導電体が設けられていないことを特徴とする請求項1
1記載のマイクロ波および/またはミリ波用フィルタ。
12. The semiconductor device according to claim 1, wherein no conductor is provided in said dielectric layer and between said dielectric layers.
2. The filter for microwaves and / or millimeter waves according to 1.
【請求項13】前記複数の誘電体層の屈折率が、互いに
隣接する誘電体層相互間で異なることを特徴とする請求
項11または12記載のマイクロ波および/またはミリ
波用フィルタ。
13. The microwave and / or millimeter wave filter according to claim 11, wherein the plurality of dielectric layers have different refractive indices between adjacent dielectric layers.
【請求項14】互いに屈折率が異なる2つの誘電体材料
のうち一方の誘電体材料からなる誘電体層と他方の誘電
体材料からなる誘電体層とが交互に積層されていること
を特徴とする請求項11乃至13のいずれかに記載のマ
イクロ波および/またはミリ波用フィルタ。
14. A method according to claim 1, wherein a dielectric layer made of one of the two dielectric materials having different refractive indexes and a dielectric layer made of the other dielectric material are alternately laminated. The microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 11 to 13.
【請求項15】前記複数の誘電体層の各々において、前
記両主面間の距離t5 と前記誘電体層を構成する誘電体
材料の屈折率n5 との積n5・t5が、所定の第2の共通
の値のほぼ奇数倍の値をそれぞれ有することを特徴とす
る請求項11乃至14のいずれかに記載のマイクロ波お
よび/またはミリ波用フィルタ。
15. In each of the plurality of dielectric layers, a product n 5 · t 5 of a distance t 5 between the two main surfaces and a refractive index n 5 of a dielectric material forming the dielectric layer is: The microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 11 to 14, wherein the filter has a value substantially equal to an odd multiple of a predetermined second common value.
【請求項16】前記所定の第2の共通の値が、前記誘電
体多層基板に入射するマイクロ波またはミリ波の波長の
1/4であることを特徴とする請求項15記載のマイク
ロ波および/またはミリ波用フィルタ。
16. A microwave and a microwave according to claim 15, wherein said predetermined second common value is 1 / of a wavelength of a microwave or a millimeter wave incident on said dielectric multilayer substrate. And / or millimeter wave filters.
【請求項17】前記マイクロ波および/またはミリ波用
フィルタがマイクロ波および/またはミリ波用短絡器で
あることを特徴とする請求項11乃至16のいずれかに
記載のマイクロ波および/またはミリ波用フィルタ。
17. The microwave and / or millimeter-wave filter according to claim 11, wherein said microwave and / or millimeter-wave filter is a microwave and / or millimeter-wave short circuit. Wave filter.
【請求項18】前記複数の誘電体層の各々において、前
記両主面間の距離t5 と前記誘電体層を構成する誘電体
材料の屈折率n5 との積n5・t5が、前記短絡器によっ
て反射されるマイクロ波またはミリ波の波長の1/4の
ほぼ奇数倍であることを特徴とする請求項17記載のマ
イクロ波および/またはミリ波用フィルタ。
18. In each of the plurality of dielectric layers, a product n 5 · t 5 of a distance t 5 between the two main surfaces and a refractive index n 5 of a dielectric material forming the dielectric layer is: 18. The microwave and / or millimeter wave filter according to claim 17, wherein the filter is substantially an odd multiple of 1/4 of the wavelength of the microwave or millimeter wave reflected by the short circuit.
【請求項19】前記複数の誘電体層のうちの少なくとも
1つの誘電体層の前記両主面間の距離t6 と前記少なく
とも1つの誘電体層を構成する誘電体材料の屈折率n6
との積n6・t6が、所定の第4の値のほぼ整数倍の値を
有し、 前記複数の誘電体層のうちの他の少なくとも1つの誘電
体層の前記両主面間の距離t7 と前記他の少なくとも1
つの誘電体層を構成する誘電体材料の屈折率n7 との積
7・t7が、前記第4の値とは異なる所定の第5の値の
ほぼ整数倍の値を有することを特徴とする請求項11乃
至14のいずれかに記載のマイクロ波および/またはミ
リ波用フィルタ。
19. A distance t 6 between said main surfaces of at least one dielectric layer of said plurality of dielectric layers and a refractive index n 6 of a dielectric material forming said at least one dielectric layer.
N 6 · t 6 has a value that is substantially an integral multiple of a predetermined fourth value, and the distance between the two main surfaces of at least one other dielectric layer of the plurality of dielectric layers is The distance t 7 and the other at least one
The product n 7 · t 7 of the dielectric material constituting the two dielectric layers and the refractive index n 7 has a value that is substantially an integral multiple of a predetermined fifth value different from the fourth value. The microwave and / or millimeter wave filter according to any one of claims 11 to 14, wherein:
【請求項20】前記所定の第4の値が、前記誘電体多層
基板に入射するマイクロ波またはミリ波の波長の1/2
の値に所定の第6の値であって前記波長の1/2の値よ
りも小さい前記第6の値を加えた値であり、前記所定の
第5の値が、前記波長の1/2の値から前記第6の値を
減じた値であることを特徴とする請求項19記載のマイ
クロ波および/またはミリ波用フィルタ。
20. The method according to claim 17, wherein the predetermined fourth value is a half of a wavelength of a microwave or a millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate.
Is a value obtained by adding the sixth value which is a predetermined sixth value which is smaller than the value of 1/2 of the wavelength to the value of the above, and the predetermined fifth value is 1/2 of the wavelength. 20. The microwave and / or millimeter wave filter according to claim 19, wherein the value is a value obtained by subtracting the sixth value from the value.
【請求項21】互いに隣接する前記誘電体層同士が密着
していることを特徴とする請求項11乃至20のいずれ
かに記載のマイクロ波および/またはミリ波用フィル
タ。
21. The microwave and / or millimeter wave filter according to claim 11, wherein the adjacent dielectric layers are in close contact with each other.
【請求項22】互いに隣接する前記誘電体層間には接着
剤からなる層が存在することを特徴とする請求項11乃
至20のいずれかに記載のマイクロ波および/またはミ
リ波用フィルタ。
22. The microwave and / or millimeter wave filter according to claim 11, wherein a layer made of an adhesive is present between said dielectric layers adjacent to each other.
【請求項23】互いに隣接する前記誘電体層間には空気
層または誘電体層からなる中間層が存在し、前記中間層
の屈折率n8 と前記積層方向における前記中間層の厚み
8 との積n8・t8が、前記誘電体多層基板に入射する
マイクロ波またはミリ波の波長の約1/40以下である
ことを特徴とする請求項11乃至20および22のいず
れかに記載のマイクロ波および/またはミリ波用フィル
タ。
The said dielectric layers 23. adjoining exists an intermediate layer consisting of an air layer or a dielectric layer, the thickness t 8 of the intermediate layer in the stacking direction and the refractive index n 8 of the intermediate layer product n 8 · t 8 is, micro according to any one of claims 11 to 20 and 22, wherein the dielectric is about 1/40 or less of the wavelength of microwave or millimeter-wave incident on the multilayer substrate Wave and / or millimeter wave filters.
【請求項24】請求項16、18、20または23記載
のマイクロ波および/またはミリ波用フィルタを備える
伝送線路であって、前記誘電体多層基板に入射するマイ
クロ波またはミリ波の波長または前記短絡器によって反
射されるマイクロ波またはミリ波の波長が前記伝送線路
を伝送されるマイクロ波またはミリ波の波長であること
を特徴とする伝送線路。
24. A transmission line comprising the microwave and / or millimeter wave filter according to claim 16, 18, 20 or 23, wherein the wavelength of the microwave or millimeter wave incident on the dielectric multilayer substrate or A transmission line, wherein the wavelength of the microwave or millimeter wave reflected by the short circuiter is the wavelength of the microwave or millimeter wave transmitted through the transmission line.
【請求項25】複数の焼結体であって、互いに異なる屈
折率をそれぞれ有する複数の誘電体材料からそれぞれな
り内部には導電体を含まない前記複数の焼結体から、複
数の誘電体基板であってそれぞれ所定の厚みを有すると
共にそれぞれの両主面が互いに平行な前記複数の誘電体
基板を作成する工程と、 前記複数の誘電体基板間に導電体を含ませることなく、
前記複数の誘電体基板を絶縁物からなる接着剤で貼り合
わせる工程と、 を有することを特徴とする誘電体多層基板の製造方法。
25. A plurality of dielectric substrates each comprising a plurality of sintered bodies each comprising a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and containing no conductor therein. A step of creating the plurality of dielectric substrates having a predetermined thickness and both main surfaces parallel to each other, without including a conductor between the plurality of dielectric substrates,
Bonding the plurality of dielectric substrates with an adhesive made of an insulating material.
【請求項26】複数の焼結体であって、互いに異なる屈
折率をそれぞれ有する複数の誘電体材料からそれぞれな
り内部には導電体を含まない前記複数の焼結体から、複
数の誘電体基板であってそれぞれ所定の厚みを有すると
共にそれぞれの両主面が互いに平行な前記複数の誘電体
基板を作成する工程と、 前記複数の誘電体基板間に導電体を含ませることなく、
前記複数の誘電体基板を絶縁物からなる接着剤で貼り合
わせて誘電体多層基板を作成する工程と、 を有することを特徴とするマイクロ波および/またはミ
リ波用フィルタの製造方法。
26. A plurality of dielectric substrates, each comprising a plurality of sintered bodies each comprising a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and containing no conductor therein. A step of creating the plurality of dielectric substrates having a predetermined thickness and both main surfaces parallel to each other, without including a conductor between the plurality of dielectric substrates,
Bonding the plurality of dielectric substrates with an adhesive made of an insulating material to form a dielectric multilayer substrate, and a method for manufacturing a microwave and / or millimeter wave filter.
【請求項27】互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複
数の誘電体材料であって導電体を含まない前記複数の誘
電体材料をそれぞれ用いた複数の生シートを作成する工
程と、 前記複数の生シート間に導電体を含ませることなく、前
記複数の生シートを所定の順序で積層して積層体を作成
する工程と、 前記積層体を焼結する工程と、 を有することを特徴とする誘電体多層基板の製造方法。
27. A step of preparing a plurality of raw sheets each using a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and not including a conductor; and A step of forming a laminate by laminating the plurality of raw sheets in a predetermined order without including a conductor therebetween; and a step of sintering the laminate. A method for manufacturing a multilayer substrate.
【請求項28】互いに異なる屈折率をそれぞれ有する複
数の誘電体材料であって導電体を含まない前記複数の誘
電体材料をそれぞれ用いた複数の生シートを作成する工
程と、 前記複数の生シート間に導電体を含ませることなく、前
記複数の生シートを所定の順序で積層して積層体を作成
する工程と、 前記積層体を焼結して誘電体多層基板を作成する工程
と、 を有することを特徴とするマイクロ波および/またはミ
リ波用フィルタの製造方法。
28. A step of producing a plurality of raw sheets each using a plurality of dielectric materials each having a different refractive index from each other and not including a conductor; and A step of forming a laminate by laminating the plurality of raw sheets in a predetermined order without including a conductor therebetween; and a step of sintering the laminate to form a dielectric multilayer substrate. A method for manufacturing a microwave and / or millimeter wave filter, comprising:
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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