JPH102863A - Foreign matter detecting method for ic mask - Google Patents

Foreign matter detecting method for ic mask

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JPH102863A
JPH102863A JP17701396A JP17701396A JPH102863A JP H102863 A JPH102863 A JP H102863A JP 17701396 A JP17701396 A JP 17701396A JP 17701396 A JP17701396 A JP 17701396A JP H102863 A JPH102863 A JP H102863A
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JP
Japan
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signal
foreign matter
pattern
mask
glass substrate
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Application number
JP17701396A
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Japanese (ja)
Inventor
Masanori Kihata
政則 木畑
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH102863A publication Critical patent/JPH102863A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a foreign matter detecting method having higher detection precision of foreign matters stuck to an IC mask than a conventional method. SOLUTION: Laser beam LT is vertically radiated to an IC mask 1, reflected light RL by he pattern PT, a glass substrate 11, and stuck foreign matters i is focused into an image by a first CCD camera 45a installed in the vertical direction, and the transmitted light TL transmitted through the glass substrate 11 is focused into an image by a second CCD camera 45b. Respective foreign matters i are detected by processing the image signals SR of the first CCD camera 45a and the image signals ST of the second CCD camera 45b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ICマスクに付
着した異物の検出方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for detecting foreign matter adhering to an IC mask.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICデバイスの製造においては、ICの
パターンが形成されたマスク(ICマスク)をウエハに
重ね合わせて露光し、このパターンがウエハに転写され
る。ICマスクにもし異物が付着していると、これがす
べてのICデバイスに転写されてその品質が低下または
劣化するので、付着異物は厳禁されており、このために
ICマスクは異物検査装置により付着異物の有無が検査
されている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of IC devices, a mask (IC mask) on which an IC pattern is formed is superposed on a wafer and exposed, and this pattern is transferred to the wafer. If foreign matter adheres to the IC mask, the foreign matter is transferred to all IC devices and the quality is deteriorated or deteriorated. Therefore, the foreign matter is strictly forbidden. Has been tested for

【0003】図3は、ICマスク1に形成されたパター
ンPTの一部と、付着異物iを例示する平面および断面
図である。ICマスク1は、ガラス基板11の表面に縦横
方向をなして、クロムを素材とする微細なパターンPT
がエッチングにより形成されたもので、パターンPTの
両側にはある角度で傾斜したエッジEg がある。異物i
は任意の場所に付着し、図の例では、パターンPTの表
面に異物i1 が、パターンPTの無いガラス基板11の表
面に異物i2 がそれぞれ付着している。
FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view illustrating a part of the pattern PT formed on the IC mask 1 and the attached foreign matter i. The IC mask 1 is formed on the surface of the glass substrate 11 in a vertical and horizontal direction, and a fine pattern PT made of chromium is used.
Are formed by etching, and there are edges Eg inclined at an angle on both sides of the pattern PT. Foreign matter i
Is attached to an arbitrary place. In the example of the figure, the foreign matter i 1 is attached to the surface of the pattern PT, and the foreign matter i 2 is attached to the surface of the glass substrate 11 having no pattern PT.

【0004】図4は、従来の異物検査装置の要部の概略
構成を示し、検出光学系2と異物検出部3よりなり、以
下これによる異物検出方法を説明する。被検査のICマ
スク1の表面に対して、検出光学系2のレーザ光源21よ
り、斜め方向の、例えば45°の投射角θT でレーザビ
ームLT を投射し、これとほぼ対称的な受光角θR の方
向にCCDカメラ22を設け、レーザビームLT の投射範
囲の反射光RL を、CCDカメラ22の撮像レンズ221 に
より受光して、パターンPTと異物iの映像をCCDイ
メージセンサ222 に結像する。イメージセンサ222 の映
像信号SR は異物検出部3の信号処理回路31により、ノ
イズ除去などの処理がなされて異物検出回路32に入力す
る。異物検出回路32の異物検出方式には各種があるが、
例えば比較方式の場合は、異物検出回路32に予め、異物
の無い正常なパターンPT’のデータを設定しておき、
これと映像信号SR のパターンPTとを比較して、パタ
ーンPTの良否とともに異物iの有無が検出されてい
る。
FIG. 4 shows a schematic structure of a main part of a conventional foreign matter inspection apparatus, which comprises a detection optical system 2 and a foreign matter detection section 3. A foreign matter detection method based on the detection optical system 2 will be described below. The IC mask 1 surface to be inspected, from the laser light source 21 of the detection optical system 2, in an oblique direction, by projecting the laser beam L T by the projection angle theta T of example 45 °, substantially symmetrical light thereto the CCD camera 22 is provided in the direction of the angle theta R, the laser beam reflected light R L of the projection range of L T, and received by the imaging lens 221 of the CCD camera 22, pattern PT and the CCD image sensor 222 an image of the foreign matter i Image. The image signal S R of the image sensor 222 is subjected to processing such as noise removal by the signal processing circuit 31 of the foreign substance detection unit 3 and is input to the foreign substance detection circuit 32. There are various foreign substance detection methods of the foreign substance detection circuit 32,
For example, in the case of the comparison method, data of a normal pattern PT ′ having no foreign matter is set in the foreign matter detection circuit 32 in advance,
By comparing the the pattern PT of the video signal S R which, whether foreign matter i has been detected with the quality of the pattern PT.

【0005】さて、異物iを良好に検出するには、その
映像をCCDイメージセンサ222 に明瞭に結像して、パ
ターンPTと明確に区別することが必要である。これに
対して上記の検出光学系2では、CCDカメラ22の受光
する反射光RL は、パターンPTとガラス基板11の両者
の表面の反射光が主体で、異物iは通常、レーザビーム
T をランダム方向に散乱するので、その散乱光は比較
的に弱く受光される。また、レーザビームLT の投射角
θT とCCDカメラ22の受光角θR とはICマスク1に
対して斜め方向であり、両側のエッジEg は傾斜してい
るため、その反射光は投射角θT と受光角θR の関係に
左右されて変動し、これがCCDカメラ22に受光されて
ノイズとなるので、がある程度の大きさ以下の異物iの
映像は、かならずしも明瞭でなく、従ってその検出精度
は良好とはいい難い。このために検出精度を余儀なく低
下して、ある程度以上の大きさの異物iに対する検査が
なされている。
[0005] In order to detect the foreign matter i satisfactorily, it is necessary to clearly form an image of the foreign matter i on the CCD image sensor 222 and to clearly distinguish it from the pattern PT. On the other hand, in the detection optical system 2 described above, the reflected light RL received by the CCD camera 22 is mainly the reflected light on both the surface of the pattern PT and the surface of the glass substrate 11, and the foreign matter i is usually a laser beam L T Are scattered in a random direction, and the scattered light is received relatively weakly. Further, the laser beam L T acceptance angle theta R of the projection angle theta T and CCD camera 22 in a diagonal direction to the IC mask 1, since the both edges Eg is inclined, the reflected light projection angle depend vary the relationship of the light receiving angle theta R and theta T, since this is the noise is received by the CCD camera 22, but the picture of a certain size or less of the foreign matter i, not necessarily clear, so that its detection It is difficult to say that the accuracy is good. For this reason, the detection accuracy is inevitably reduced, and an inspection is performed on a foreign substance i having a certain size or more.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】最近においては、IC
の集積密度の向上に伴ってパターンPTの微細化と複雑
化が進展し、異物検査装置はさらに微小な異物iまで検
査することを要請されており、この発明は、従来の異物
検査装置に勝る検出精度を有する異物検出方法を提供す
ることを課題とする。
Recently, ICs have been developed.
As the integration density of semiconductor devices increases, the pattern PT becomes finer and more complex, and foreign matter inspection devices are required to inspect even finer foreign matter i. The present invention is superior to conventional foreign matter inspection devices. It is an object to provide a foreign matter detection method having detection accuracy.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、ICマスク
の異物検出方法であって、前記したICマスクに対して
レーザビームLT を垂直に投射し、ICマスクのパター
ンとガラス基板およびこれらの付着異物による反射光R
L を、垂直方向に設けた第1の撮像装置、例えば、第1
のCCDカメラに結像し、またガラス基板を透過した透
過光TL を、垂直方向に設けた第2の撮像装置、例え
ば、第2のCCDカメラに結像する。第1のCCDカメ
ラの映像信号SR を第1の閾値VS1に比較して、ガラス
基板とその付着異物とに対する信号成分を除去して、パ
ターンとその付着異物とに対する信号成分SR ’を抽出
する。抽出された信号成分SR ’の波高値と、第2のカ
メラCCDカメラの映像信号ST の波高値を同一に調整
し、両者を加算して反転した反転信号[−(SR ’+S
T)]を合成し、これに現れたパターンの各エッジによる
エッジ信号を、第2の閾値VS2に比較して抽出した後、
除去する。各エッジ信号が除去された反転信号[−(S
R ’+ST)]に残存する、パターンまたはガラス基板の
付着異物による異物信号を、第3の閾値VS3に比較して
各異物を検出するものである。
Means for Solving the Problems] This invention is directed to a foreign substance detecting method of the IC mask, the laser beam L T projected perpendicular to the above-mentioned IC mask, the IC mask pattern and the glass substrate and these Reflected light R due to extraneous matter
L is a first imaging device provided in the vertical direction, for example,
And the transmitted light TL transmitted through the glass substrate is imaged on a second imaging device, for example, a second CCD camera provided in the vertical direction. The video signal S R of the first CCD camera is compared with a first threshold V S1 to remove a signal component for the glass substrate and the attached foreign matter, and a signal component S R ′ for the pattern and the attached foreign matter is removed. Extract. Signal component S R extracted 'and peak value of the inverted signal of the peak value was adjusted to the same, inverted by adding both the video signal S T of the second camera CCD camera [- (S R' + S
T )], and an edge signal due to each edge of the pattern appearing therefrom is extracted by comparing with a second threshold value V S2 .
Remove. The inverted signal [-(S
R ′ + S T )] to detect each foreign matter by comparing the foreign matter signal due to the foreign matter attached to the pattern or the glass substrate with the third threshold value V S3 .

【0008】上記において、予め、パターンと各異物を
有するテスト用のICマスクを使用し、このICマスク
に対する第1および第2のCCDカメラの映像信号S
R ,ST を求める。この映像信号SR により、パターン
とその付着異物とに対する信号成分SR ’を抽出する第
1の閾値VS1を定め、またこれらの信号成分SR ’と映
像信号ST との反転信号[−(SR ’+ST)]により、
エッジ信号を抽出する第2の閾値VS2と、異物信号を検
出する第3の閾値VS3とをそれぞれ定める。
In the above, a test IC mask having a pattern and each foreign substance is used in advance, and the video signals S of the first and second CCD cameras for the IC mask are used.
R, determine the S T. This video signal S R, 'first defines a threshold V S1 of, and these signal components S R to extract' inverted signal of the video signal S T signal component S R with respect to the pattern and its attached foreign substance [- (S R '+ S T )]
A second threshold V S2 for extracting an edge signal and a third threshold V S3 for detecting a foreign substance signal are determined.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】まず、この発明のヒントとなった
事柄について述べると、ICマスクのパターンPTは、
その寸法測定が光学式の寸法測定器によりなされてお
り、この寸法測定器は、ICマスクに対してレーザビー
ムを垂直に投射し、その反射光を垂直方向でCCDカメ
ラに受光し、パターンPTの映像をCCDイメージセン
サに結像して、その寸法が測定するものであるが、この
場合、ICマスクに異物が存在すると、この異物とパタ
ーンPTとの明瞭な映像がえられることが、この発明の
発明者により確認されており、従来の斜め方向のレーザ
ビームの投射と反射光の受光方式に比較して、パターン
PTと異物がより明確に区別できると期待され、これが
この発明のヒントである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a description of a hint of the present invention will be described.
The dimension measurement is performed by an optical dimension measuring instrument. The dimension measuring instrument vertically projects a laser beam onto the IC mask, receives the reflected light in a vertical direction on a CCD camera, and forms a pattern PT. An image is formed on a CCD image sensor and its dimensions are measured. In this case, if a foreign substance is present on the IC mask, a clear image of the foreign substance and the pattern PT can be obtained. It is expected that the pattern PT and the foreign matter can be more clearly distinguished from the conventional method of projecting a laser beam in the oblique direction and receiving the reflected light, which is a hint of the present invention. .

【0010】すなわち、この発明の異物検出方法におい
ては、レーザビームLT はICマスクに対して垂直に投
射され、そのパターンとガラス基板およびこれらの付着
異物による反射光RL は、垂直方向に設けた第1のCC
Dカメラに明瞭に結像して良好な映像信号SR がえら
れ、また、ガラス基板を透過した透過光TL は垂直方向
に設けた第2のCCDカメラに結像してやはり良好な映
像信号ST がえられる。
[0010] That is, in the foreign substance detecting method of the present invention, the laser beam L T is projected perpendicularly to the IC mask, the pattern and the glass substrate and the reflected light R L by these adhesion foreign matter, vertically disposed The first CC
A good image signal S R is obtained by clearly forming an image on the D camera, and the transmitted light TL transmitted through the glass substrate is imaged on a second CCD camera provided in the vertical direction, which also provides a good image. A signal ST is obtained.

【0011】映像信号SR は第1の閾値VS1に比較され
て、ガラス基板とその付着異物とに対する信号成分が除
去され、パターンとその付着異物とに対する信号成分S
R ’が抽出される。この信号成分SR ’の波高値と、映
像信号ST の波高値は同一に調整され、両者を加算して
反転した反転信号[−(SR ’+ST)]を合成すると、
これにはパターンの各エッジによるエッジ信号と、パタ
ーンまたはガラス基板の各付着異物に対する異物信号と
が現れる。エッジ信号は第2の閾値VS2に比較されて抽
出された後、除去され、異物信号は第3の閾値VS3に比
較されて各異物が検出される。
The video signal S R is compared with a first threshold value V S1 to remove a signal component for the glass substrate and the attached foreign matter, and a signal component S for the pattern and the attached foreign matter is removed.
R 'is extracted. The signal component S R 'and peak value of the peak value of the video signal S T is adjusted to the same, the inverted signal inverted by adding them [- (S R' when + S T)] to synthesize,
In this case, an edge signal due to each edge of the pattern and a foreign substance signal for each foreign substance attached to the pattern or the glass substrate appear. The edge signal is extracted after being compared with the second threshold value V S2 , and is removed. The foreign matter signal is compared with the third threshold value V S3 to detect each foreign matter.

【0012】上記において、パターンと各異物を有する
テスト用のICマスクを使用し、このICマスクに対す
る第1CCDカメラの映像信号SR により、信号成分S
R ’を抽出する第1の閾値VS1が適切に定められ、また
これらの信号成分SR ’と映像信号ST との反転信号
[−(SR ’+ST)]により、エッジ信号を抽出する第
2の閾値VS2と、異物信号を検出する第3の閾値VS3
がそれぞれ適切に定められる。
In the above, a test IC mask having a pattern and each foreign substance is used, and a signal component S is obtained by a video signal S R of the first CCD camera with respect to this IC mask.
R 'first threshold V S1 of extracting is properly determined, and these signal components S R' inverted signal of the video signal S T - by [(S R '+ S T )], extracted edge signal a second threshold value V S2 to the third threshold value V S3 for detecting a foreign object signal is properly determined, respectively.

【0013】[0013]

【実施例】図1は、この発明の一実施例における異物検
査装置の概略の構成図、図2は、図1に対する各部の信
号波形を示す波形図である。図1において、異物検査装
置は検出光学系4と異物検出部5よりなる。検出光学系
4は、レーザ光源41とプリズムミラー42、ハーフミラー
43、プリズムミラー44、第1のCCDカメラ45a 、およ
び第2のCCDカメラ45b よりなり、両CCDカメラ45
a.45b は撮像レンズ451 とCCDイメージセンサ452 を
有する。異物検出部5は、信号処理回路51と、加算回路
52、反転回路53、エッジ抽出除去回路54、および異物検
出回路55よりなる。
FIG. 1 is a schematic block diagram of a foreign matter inspection apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a waveform diagram showing signal waveforms of various parts in FIG. In FIG. 1, the foreign matter inspection device includes a detection optical system 4 and a foreign matter detection unit 5. The detection optical system 4 includes a laser light source 41, a prism mirror 42, a half mirror
43, a prism mirror 44, a first CCD camera 45a, and a second CCD camera 45b.
a.45b has an imaging lens 451 and a CCD image sensor 452. The foreign object detection unit 5 includes a signal processing circuit 51 and an addition circuit.
52, an inversion circuit 53, an edge extraction and removal circuit 54, and a foreign matter detection circuit 55.

【0014】レーザ光源41が出力するレーザビームLT
は、プリズムミラー42により反射され、ハーフミラー43
を透過してICマスク1に対して垂直に投射され、ある
範囲が照明される。パターンPTはクロムであるので、
レーザビームLT を良好に反射し、ガラス基板11はせい
ぜい数%反射する。またこの照明範囲内に存在する異物
iは、ランダムな方向の散乱光を散乱し、これらを合成
した反射光RL はハーフミラー43を介して第1のCCD
カメラ45a に入射し、撮像レンズ451 によりCCDイメ
ージセンサ452 に結像される。一方、投射されたレーザ
ビームLT はクロムのパターンPTは透過しないが、ガ
ラス基板11は90%以上透過し、これに付着した異物i
は、レーザビームLT を大部分遮断するが散乱光の一部
は透過する。これらの透過光TL はプリズムミラー44を
介して第2のCCDカメラ45b に入射し、撮像レンズ45
1 によりCCDイメージセンサ452 に結像される。
The laser beam L T output from the laser light source 41
Is reflected by the prism mirror 42 and the half mirror 43
And is projected perpendicularly to the IC mask 1 to illuminate a certain area. Since the pattern PT is chrome,
The laser beam L T favorably reflected, the glass substrate 11 is at most reflective few percent. Further, the foreign matter i present in this illumination range scatters scattered lights in random directions, and the reflected light RL obtained by combining these scattered lights is transmitted through the half mirror 43 to the first CCD.
The light enters the camera 45a and is imaged on the CCD image sensor 452 by the imaging lens 451. On the other hand, the projected laser beam L T is not transmitted pattern PT chrome, glass substrate 11 is transmitted through 90%, the foreign matter i adhering thereto
Is largely shut off the laser beam L T A part of the scattered light is transmitted. The transmitted light TL enters the second CCD camera 45b via the prism mirror 44,
1 forms an image on the CCD image sensor 452.

【0015】以下、図1に図2を併用して異物検出部5
の異物検出動作を説明する。第1のCCDカメラ45a の
映像信号SR は、図2に示すように、良好な反射性能の
パターンPTによる高い波高値hP の波形があり、これ
に付着異物i1 の弱い散乱光が重畳して凹んでいる。ま
た比較的小さい反射率のガラス基板11の低い波高値hGR
の波形は、その付着異物i1 の弱い散乱光により凹んで
いる。ただし、パターンPTの両側のエッジEg はほと
んど反射しないので、パターンPTとガラス基板11の波
形の間には、エッジEg に対する深いギャップがある。
この映像信号SR は、信号処理回路51に入力して、これ
に設定されている波高値hGRよりやや大きい第1の閾値
S1に比較され、ガラス基板11と付着異物i2に対する
信号積分は除去され、パターンPTとその付着異物i2
に対する、波高値hP ’の信号成分SR ’が抽出され
る。
Hereinafter, the foreign matter detector 5 will be described with reference to FIG.
The operation of detecting foreign matter will be described. As shown in FIG. 2, the video signal S R of the first CCD camera 45a has a waveform of a high peak value h P due to the pattern PT having good reflection performance, on which the weak scattered light of the attached foreign matter i 1 is superimposed. And it is concave. In addition, the low peak value h GR of the glass substrate 11 having a relatively small reflectivity
The waveform is recessed by a weak scattered light of the attached foreign matter i 1. However, since both sides of the edge E g of the pattern PT reflects little, between the waveform pattern PT and the glass substrate 11, there is a deep gap for the edge E g.
This video signal S R is input to the signal processing circuit 51 and compared with a first threshold value V S1 which is slightly larger than the peak value h GR set therein, and is integrated with the glass substrate 11 and the attached foreign matter i 2 . Is removed, and the pattern PT and its attached foreign matter i 2
, A signal component S R ′ of a peak value h P ′ is extracted.

【0016】一方、第2のCCDカメラ45b のCCDイ
メージセンサ452 の映像信号ST は、良好な透過性能の
ガラス基板11による高い波高値hGTの波形があり、これ
が付着異物i2 により遮断されて凹んでいる。上記によ
り抽出された信号成分SR ’は、信号処理回路51におい
て波高値が調整されて、映像信号ST と同一の波高値h
C とされ、これらは加算回路52により加算され、ついで
反転回路53により極性が反転されて反転信号[−(S
R ’+ST)が合成されると、これには図示のようにエッ
ジ信号SEgと異物信号Si が現れる。反転信号[−(S
R ’+ST)はエッジ抽出除去回路54に入力し、これに設
定されている第2の閾値VS2に比較されて、エッジ信号
Egが抽出されて除去され、異物信号Si のみが異物検
出回路55に入力し、これに設定されている第3の閾値V
S3に比較されて検出され、異物iのデータが出力され
る。
[0016] On the other hand, the video signal S T of the CCD image sensor 452 of the second CCD camera 45b, there is a waveform of a high peak value h GT by the glass substrate 11 of good permeability, which is blocked by the adhered foreign matter i 2 It is concave. Signal component S R 'is extracted by the peak value is adjusted in the signal processing circuit 51, a video signal S T identical to the peak value h
C , which are added by the adder circuit 52, and then the polarity is inverted by the inverting circuit 53, and the inverted signal [− (S
When R ′ + S T ) is synthesized, an edge signal S Eg and a foreign matter signal S i appear as shown in FIG. The inverted signal [-(S
R ′ + S T ) is input to an edge extraction and removal circuit 54, which is compared with a second threshold value V S2 set therein to extract and remove the edge signal S Eg and remove only the foreign matter signal Si from the foreign matter. The third threshold value V is input to the detection circuit 55 and is set to this.
The data is detected by comparison with S3, and the data of the foreign substance i is output.

【0017】なお、上記の第1、第2および第3の各閾
値VS1,VS2,VS2 は、パターンPTと、両異物i1,
2 を有するテスト用のICマスクを使用して、前記し
た方法により、それぞれが定められる。
The first, second, and third thresholds V S1 , V S2 , and V S2 described above are based on the pattern PT and the two foreign substances i 1 ,
Each is determined by the method described above, using a test IC mask having i 2 .

【0018】[0018]

【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明の異物検
出方法によれば、異物とパターンPTの明瞭な映像がえ
られ、従来のレーザビームの投射方向と反射光の受光方
向とをともに斜め方向とする方式に比較して、両者がよ
り明確に区別されて、従来より微小な異物の検出を可能
とするもので、進展するパターンPTの微細化に対応し
て、異物検査装置の検出精度を向上できる効果には、大
きいものがある。
As described above, according to the foreign matter detection method of the present invention, a clear image of the foreign matter and the pattern PT can be obtained, and both the projection direction of the conventional laser beam and the reception direction of the reflected light are oblique. Compared to the method with the direction, the two are more clearly distinguished, and it is possible to detect fine foreign matter. Conventionally, the detection accuracy of the foreign matter inspection device is There are significant effects that can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は、この発明の一実施例における異物検
査装置の概略の構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a foreign matter inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図2は、図1に対する各部の信号波形を示す
波形図である。
FIG. 2 is a waveform diagram showing signal waveforms at various parts in FIG. 1;

【図3】 図3は、ICマスクのパターンの一部と、付
着異物を例示する平面および断面図である。
FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view illustrating a part of a pattern of an IC mask and an attached foreign matter;

【図4】 図4は、従来の異物検査装置の要部の概略構
成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a main part of a conventional foreign matter inspection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ICマスク、11…ガラス基板、4…この発明の検出
光学系、43…ハーフミラー、45a …第1のCCDカメ
ラ、45b …第2のCCDカメラ、451 …撮像レンズ、45
2 …CCDイメージセンサ、5…この発明の異物検出
部、51…信号処理回路、52…加算回路、53…反転回路54
…エッジ抽出除去回路、55…異物検出回路、PT…パタ
ーン、i…付着異物、SR.ST …映像信号、VS1…第1
の閾値、VS2…第2の閾値、VS3…第3の閾値。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... IC mask, 11 ... Glass substrate, 4 ... Detection optical system of this invention, 43 ... Half mirror, 45a ... 1st CCD camera, 45b ... 2nd CCD camera, 451 ... Imaging lens, 45
2 ... CCD image sensor, 5 ... foreign object detection unit of the present invention, 51 ... signal processing circuit, 52 ... addition circuit, 53 ... inversion circuit 54
... edge extraction removal circuit, 55 ... foreign matter detection circuit, PT ... pattern, i ... adhered foreign matter, S R .S T ... video signal, V S1 ... first
, V S2 ... second threshold, V S3 ... third threshold.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ガラス基板の表面にクロムのパターンが形
成されたICマスクを対象とし、該ICマスクに対して
レーザビームLT を垂直に投射し、該パターンと該ガラ
ス基板およびこれらの付着異物による反射光RL を、垂
直方向に設けた第1の撮像装置に結像し、かつ該ガラス
基板を透過した透過光TL を、垂直方向に設けた第2の
撮像装置に結像し、該第1の撮像装置の映像信号SR
第1の閾値VS1に比較して、該ガラス基板とその付着異
物とに対する信号成分を除去して、該パターンとその付
着異物とに対する信号成分SR ’を抽出し、該抽出され
た信号成分SR’の波高値と、該第2の撮像装置の映像
信号ST の波高値とを同一に調整し、両者を加算して反
転した反転信号[−(SR ’+ST)]を合成し、該反転
信号[−(SR ’+ST)]に現れる前記パターンの各エ
ッジによるエッジ信号を、第2の閾値VS2に比較して抽
出した後、除去し、該各エッジ信号が除去された反転信
号[−(SR ’+ST)]に残存する、該パターンまたは
ガラス基板の付着異物による異物信号を、第3の閾値V
S3に比較して該各異物を検出することを特徴とする、I
Cマスクの異物検出方法。
1. A targeting IC mask pattern is formed of chromium on the surface of the glass substrate, the laser beam L T projecting perpendicularly to said IC mask, the pattern and the glass substrate and these attached foreign substance Of the reflected light RL by the first imaging device provided in the vertical direction, and forming the transmitted light TL transmitted through the glass substrate on the second imaging device provided in the vertical direction, The video signal S R of the first imaging device is compared with a first threshold value V S1 to remove a signal component for the glass substrate and the attached foreign matter, and a signal component S for the pattern and the attached foreign matter is removed. 'extracts, the extracted signal component S R' R and the wave height value of the inverted signal of the peak value of the video signal S T of the second imaging device was adjusted to the same, inverted by adding both [- (S R '+ S T)] were synthesized, the inverted signal [- (S R' + S T)] The edge signal from each edge of the pattern appearing on, after extraction compared to the second threshold value V S2, removed, inverted signals respective edge signal is removed [- (S R '+ S T)] in The remaining foreign matter signal due to the remaining foreign matter attached to the pattern or the glass substrate is converted to a third threshold value V
Detecting each of the foreign substances as compared with S3.
Method for detecting foreign matter on C mask.
【請求項2】第1および第2の撮像装置はCCD受光素
子を用いるカメラであり、予め、前記パターンと前記各
異物を有するテスト用のICマスクを使用して、該IC
マスクに対する前記第1および第2のCCDカメラの映
像信号SR ,ST を求め、該映像信号SR により、前記
パターンとその付着異物とに対する信号成分SR ’を抽
出する第1の閾値VS1を定め、該信号成分SR ’と該映
像信号ST との反転信号[−(SR ’+ST)]により、
前記エッジ信号を抽出する第2の閾値VS2と、前記異物
信号を検出する第3の閾値VS3とをそれぞれ定めること
を特徴とする、請求項1記載のICマスクの異物検出方
法。
2. The image pickup apparatus according to claim 1, wherein said first and second image pickup apparatuses are cameras using a CCD light receiving element.
Video signal S R of the first and second CCD cameras with respect to the mask, seek S T, the video signal S R, the first threshold value V for extracting a signal component S R 'with respect to the pattern and its attachment foreign matter defines S1, 'inverted signal and the video signal S T [- (S R' the signal component S R by + S T)],
The two threshold V S2, the third, characterized in that defining the threshold value V S3 respectively, in the foreign substance detecting method of the IC mask as claimed in claim 1, wherein for detecting the foreign object signal for extracting the edge signal.
JP17701396A 1996-06-17 1996-06-17 Foreign matter detecting method for ic mask Pending JPH102863A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008096296A (en) * 2006-10-12 2008-04-24 Lasertec Corp Foreign matter inspection method and foreign matter inspecting system using the same
CN104303048A (en) * 2012-03-20 2015-01-21 科磊股份有限公司 Using reflected and transmission maps to detect reticle degradation

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