JPH10284551A - Mesh cleaner and cleaning method - Google Patents

Mesh cleaner and cleaning method

Info

Publication number
JPH10284551A
JPH10284551A JP10661697A JP10661697A JPH10284551A JP H10284551 A JPH10284551 A JP H10284551A JP 10661697 A JP10661697 A JP 10661697A JP 10661697 A JP10661697 A JP 10661697A JP H10284551 A JPH10284551 A JP H10284551A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaner
mesh
layer
base layer
rubber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10661697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Chikahito Yamasaka
力仁 山坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP10661697A priority Critical patent/JPH10284551A/en
Priority to TW087104987A priority patent/TW377482B/en
Priority to US09/055,291 priority patent/US6130104A/en
Priority to KR1019980012413A priority patent/KR100353312B1/en
Publication of JPH10284551A publication Critical patent/JPH10284551A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simply and completely remove an adhesion matter of a slit strip conductor such as prober, etc., or a projecting conductor such as bump terminal, etc., by a method wherein there are provided cleaner layers comprising a base layer having rubber as a main body and a mesh-like inorganic fiber layer formed integrally on the base layer. SOLUTION: There are provided cleaner layers comprising a base layer 2 having rubber and a mesh-like inorganic fiber layer 3 formed on the base layer 2, and this cleaner layer 4 is coated on a surface of a substrate 5 and formed in a sheet form as a whole. A bump terminal 21A is thrust in the cleaner layer 4 to remove an adhesion matter thereof. When the bump terminal 21A is pulled off from the cleaner layer 4, an adhesion matter O removed from the bump terminal 21A is adhered to the mesh-like inorganic fiber layer 3 and base layer 2, and the bump terminal 21A is pulled off from the cleaner layer 4 in a state that the adhesion matter O is completely removed. Thereby, the adhesion matter O is completely removed by simply and reliably cleaning the bump terminal 21A.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、メッシュクリーナ
及びクリーニング方法に関し、更に詳しくはプローブカ
ードに用いられるプローブ針等の線条導体またはバンプ
端子等の突起導体の付着物を除去するメッシュクリーナ
及びクリーニング方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mesh cleaner and a cleaning method, and more particularly, to a mesh cleaner and a cleaning method for removing deposits on a linear conductor such as a probe needle used for a probe card or a projecting conductor such as a bump terminal. About the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウエハの電気的特性検査を行う場合に、
検査装置として例えばプローブ装置が用いられる。プロ
ーブ装置10は、例えばウエハ状態のままウエハ上の個
々のチップについて1個ずつまたは複数個ずつ電気的検
査を行う際に用いられる検査装置で、例えば図3に示す
ように構成されている。このプローブ装置10は、同図
に示すように、カセットC内に収納されたウエハWを搬
送するローダ部11と、このローダ部11内に配設され
た搬送機構(図示せず)を介して搬送されたウエハWを
検査するプローバ部12と、このプローバ部12及びロ
ーダ部11を制御するコントローラ13と、このコント
ローラ13を操作する操作パネルを兼ねる表示装置14
とを備えて構成されている。
2. Description of the Related Art When inspecting electrical characteristics of a wafer,
For example, a probe device is used as the inspection device. The probe device 10 is, for example, an inspection device that is used when performing an electrical inspection on individual chips on a wafer one by one or a plurality thereof in a wafer state, and is configured as shown in FIG. 3, for example. As shown in FIG. 1, the probe device 10 includes a loader unit 11 for transferring a wafer W stored in a cassette C, and a transfer mechanism (not shown) provided in the loader unit 11. A prober unit 12 for inspecting the transferred wafer W, a controller 13 for controlling the prober unit 12 and the loader unit 11, and a display device 14 serving also as an operation panel for operating the controller 13
It is comprised including.

【0003】また、上記ローダ部11にはサブチャック
(図示せず)が配設され、このサブチャックを介してオ
リエンテーションフラットを基準にしたウエハWのプリ
アライメントを行い、搬送機構を介してプリアライメン
ト後のウエハWをプローバ部12へ搬送するようになっ
ている。
A sub-chuck (not shown) is provided in the loader unit 11 to pre-align the wafer W based on the orientation flat via the sub-chuck, and to perform pre-alignment via a transfer mechanism. The subsequent wafer W is transferred to the prober unit 12.

【0004】また、プローバ部12には、ウエハWを載
置するX、Y、Z及びθ方向に移動可能なメインチャッ
ク15と、このメインチャック15上に載置されたウエ
ハWを検査位置に正確にアライメントするアライメント
ブリッジ16A等を有するアライメント機構16と、ア
ライメント機構16によりアライメントされたウエハW
の電気的検査を行うためのプローブ針17Aを有するプ
ローブカード17とが配設されている。そして、プロー
ブカード17はプローバ部12の天面に対して開閉可能
なヘッドプレート18の中央の開口部にインサートリン
グ18Aを介して固定されている。また、プローバ部1
2にはテストヘッド19が旋回可能に配設され、プロー
バ部12上に旋回したテストヘッド19を介してプロー
ブカード17とテスタ(図示せず)間を電気的に接続
し、テスタからの所定の信号をプローブカード17を介
してメインチャック15上のウエハWにおいて授受し、
ウエハWに形成された複数のチップの電気的検査をテス
タによって順次行うようにしている。
The prober unit 12 has a main chuck 15 on which a wafer W can be mounted in the X, Y, Z, and θ directions, and a wafer W mounted on the main chuck 15 at an inspection position. An alignment mechanism 16 having an alignment bridge 16A or the like for accurate alignment, and a wafer W aligned by the alignment mechanism 16
And a probe card 17 having a probe needle 17A for performing an electrical inspection of the probe card. The probe card 17 is fixed to an opening at the center of a head plate 18 which can be opened and closed with respect to the top surface of the prober 12 via an insert ring 18A. Prober unit 1
A test head 19 is rotatably arranged on the prober 2. The probe card 17 and a tester (not shown) are electrically connected to each other via the test head 19 swiveled on the prober unit 12. A signal is transmitted and received between the wafer W on the main chuck 15 via the probe card 17,
The electrical test of a plurality of chips formed on the wafer W is sequentially performed by a tester.

【0005】ところで、ウエハWの検査を行う時には、
例えば駆動機構を介してメインチャック15を移動させ
メインチャック15上のウエハWとプローブ針17Aと
のアライメントを行った後、メインチャック15を上方
へオーバドライブさせ、ウエハWの電極パッド(例えば
アルミニウムによって形成されている)表面に形成され
た自然酸化膜(酸化アルミニウムからなる)等をプロー
ブ針17Aによって削り取り、プローブ針17Aと電極
パッドとを確実に電気的に接触させてウエハWの検査を
行うようにしている。そして、検査のために図4に示す
ようにプローブ針17Aと電極パッドPとの接触を繰り
返していると、プローブ針17Aには酸化アルミニウム
等が付着物Oとして付着し、その後の検査に支障を来す
ことがある。
By the way, when inspecting the wafer W,
For example, the main chuck 15 is moved via a driving mechanism to align the wafer W on the main chuck 15 with the probe needles 17A. Then, the main chuck 15 is overdriven upward, and the electrode pad of the wafer W (for example, aluminum) is used. A natural oxide film (made of aluminum oxide) or the like formed on the (formed) surface is scraped off by the probe needle 17A, and the wafer W is inspected by reliably bringing the probe needle 17A into contact with the electrode pad. I have to. When the contact between the probe needle 17A and the electrode pad P is repeated as shown in FIG. 4 for inspection, aluminum oxide or the like adheres to the probe needle 17A as a deposit O, which hinders the subsequent inspection. May come.

【0006】そこで、例えば図5に示すようにメインチ
ャック15から側方に突出させた取付台15Aに研磨板
20を取り付け、この研磨板20によりプローブ針17
Aの針先をクリーニングしている。即ち、プローブ針1
7Aの針先と研磨板20とを接触させ、メインチャック
15を上下動させてプローブ針17Aを研磨することに
より針先の付着物Oを除去している。
For this reason, for example, as shown in FIG. 5, a polishing plate 20 is mounted on a mounting table 15A projecting laterally from the main chuck 15, and the probe needle 17 is
A needle tip is being cleaned. That is, the probe needle 1
The needle O of 7A is brought into contact with the polishing plate 20, and the main chuck 15 is moved up and down to polish the probe needle 17A, thereby removing the deposit O on the needle.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
クリーニング方法の場合には、研磨板20によりプロー
ブ針17Aを圧接、研磨し、針先の電極パッドの削り屑
等の付着物Oを除去しても、必ずしも針先全体を研磨で
きるとは限らず、付着物Oが却って剥離し易い状態で針
先に残り、ひいては針先の残留物が検査時に針先から剥
離し、チップを汚染する虞があった。また、針先の研磨
後に削り屑等が研磨板20上に残り、あるいは研磨板2
0の砥粒が研磨板20から剥離し、これらがパーティク
ルの発生源になる虞があった。しかも、今後、チップが
益々超微細化すると、僅かとは云え上述のパーティクル
のチップに対する影響が益々大きくなる。また、プロー
ブ針17Aを作製する際にプローブ針17Aの針先にバ
リが残るが、このバリを例えば湿式エッチング処理等を
施してバリを除去するしているため、バリ取り作業が煩
雑であった。
However, in the case of the conventional cleaning method, the probe needle 17A is pressed against and polished by the polishing plate 20 to remove the deposits O such as shavings on the electrode pad at the tip of the probe. However, it is not always possible to polish the entire needle tip, and there is a possibility that the attached matter O remains on the needle tip in a state where it is easily peeled off, and that the residue of the needle tip is peeled off from the needle tip at the time of inspection, thereby contaminating the chip. there were. Also, shavings and the like remain on the polishing plate 20 after the polishing of the needle tip, or the polishing plate 2
The abrasive grains of 0 may be peeled off from the polishing plate 20, and these may become a source of particles. In addition, as the size of the chip becomes increasingly finer in the future, the influence of the above-mentioned particles on the chip will increase, albeit slightly. Further, when producing the probe needle 17A, burrs remain at the tip of the probe needle 17A. However, since the burrs are removed by, for example, a wet etching process, the deburring operation is complicated. .

【0008】また、プローブカードの中にはメンブレン
タイプのプローブカードがある。このタイプのプローブ
カードは、メンブレンに多数形成されたバンプ端子を電
極パッドに接触させてチップの電気的特性検査を行うも
のであるが、この場合にも検査を繰り返す間にバンプ端
子に酸化アルミニウム等が付着し、その後の検査に支障
を来す。ところが、メンブレンプローブカードの場合に
はバンプ端子を研磨する手段がなく付着物を除去するこ
とが難しかった。更に、フリップチップ素子は電極部に
半田バンプを有し、この半田バンプを加熱溶融して基板
上にフェイスダウンボンディングを行っているが、半田
バンプに不純物が付着していると電気的な接続不良を起
こすため、従来はブラスト処理等により半田バンプの付
着物を除去している。しかし、ブラスト処理時にブラス
ト材が飛散するため、ブラスト材の飛散対策等が必要で
あった。
[0008] Among probe cards, there is a membrane type probe card. In this type of probe card, a large number of bump terminals formed on the membrane are brought into contact with the electrode pads to perform an electrical characteristic test on the chip. Adheres and interferes with subsequent examinations. However, in the case of the membrane probe card, there is no means for polishing the bump terminals, and it has been difficult to remove the attached matter. Furthermore, flip-chip elements have solder bumps on the electrodes and heat-melt the solder bumps to perform face-down bonding on the substrate. However, if impurities are attached to the solder bumps, electrical connection failure will occur. Conventionally, deposits on solder bumps are removed by blasting or the like. However, since the blast material is scattered during the blasting process, it is necessary to take measures against the blast material.

【0009】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プローブ針等の線条導体またはバンプ端子
等の突起導体の付着物を簡単且つ確実に除去することが
できるメッシュクリーナ及びクリーニング方法を提供す
ることを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and a mesh cleaner and a cleaning device capable of easily and surely removing deposits on a linear conductor such as a probe needle or a projecting conductor such as a bump terminal. It is intended to provide a way.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のメッシュクリーナは、線条導体または突起導体を突き
刺して線条導体または突起導体の付着物を除去するメッ
シュクリーナであって、ゴムを主体とする基剤層と、基
剤層上に一体的に積層されたメッシュ状無機繊維層とか
らなるクリーナ層を有することを特徴とするものであ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a mesh cleaner for piercing a linear conductor or a protruding conductor to remove extraneous matter from the linear or protruding conductor. , And a cleaner layer comprising a mesh-like inorganic fiber layer integrally laminated on the base layer.

【0011】また、本発明の請求項2に記載のメッシュ
クリーナは、請求項1に記載の発明において、上記クリ
ーナ層を基板表面に設けたことを特徴とするものであ
る。
Further, a mesh cleaner according to a second aspect of the present invention is the mesh cleaner according to the first aspect, wherein the cleaner layer is provided on a substrate surface.

【0012】また、本発明の請求項3に記載のメッシュ
クリーナは、請求項1または請求項2に記載の発明にお
いて、上記基剤層中に充填剤を分散させたことを特徴と
するものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a mesh cleaner according to the first or second aspect, wherein a filler is dispersed in the base layer. is there.

【0013】また、本発明の請求項4に記載のクリーニ
ング方法は、ゴムを主体とする基剤層と、基剤層上に一
体的に積層されたメッシュ状無機繊維層とからなるクリ
ーナ層に線条導体または突起導体を突き刺して線条導体
または突起導体の付着物を除去することを特徴とするも
のである。
The cleaning method according to a fourth aspect of the present invention is directed to a cleaner layer comprising a base layer mainly composed of rubber and a mesh-like inorganic fiber layer integrally laminated on the base layer. The present invention is characterized in that a striated conductor or a protruding conductor is pierced to remove deposits on the striated conductor or the protruding conductor.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図1及び図2に示す実施形
態に基づいて本発明を説明する。まず、本実施形態のメ
ッシュクリーナ1は、図1の(a)、(b)に示すよう
に、ゴムを有する基剤層2と、基剤層2上に積層された
メッシュ状無機繊維層3とからなるクリーナ層4を有
し、このクリーナ層4は基板5表面に被覆されて全体と
して板状に形成されている。そこで、以下ではメッシュ
クリーナ1を用いて例えばメンブレンプローブカードの
バンプ端子をクリーニングする場合について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the embodiments shown in FIGS. First, as shown in FIGS. 1A and 1B, a mesh cleaner 1 of the present embodiment includes a base layer 2 having rubber, and a mesh-like inorganic fiber layer 3 laminated on the base layer 2. The cleaner layer 4 is formed on the surface of the substrate 5 and formed in a plate shape as a whole. Therefore, a case where the bump terminals of the membrane probe card are cleaned by using the mesh cleaner 1 will be described below.

【0015】上記基剤層2の主体となるゴムとしては、
例えば無機系ゴム、有機系ゴムのいずれも用いることが
でき、中でも無機系ゴムであるシリコンゴムを好ましく
用いることができる。この基剤層2に積層するメッシュ
状無機繊維層3としては、例えばガラス繊維3Aを図1
の(b)に示すように長繊維を平織りにしたものを用い
ることができる。また、同図の(b)のようにガラス繊
維3Aが規則正しく織られたものでなくても良く、バン
プ端子やプローブ針が繊維間を通り基剤層2に突き刺さ
るように構成されたものであれば良い。従って、無機繊
維としては長繊維、短繊維のいずれも用いることができ
る。また、メッシュ状無機繊維層3は、メッシュ状の無
機繊維3Aを複数枚重ねたものが好ましい。そして、メ
ッシュ状無機繊維層3は基剤層2と一体化し、剥離しな
いようにしてある。また、基板5はゴムとの親和性に優
れ、基板から剥離し難いものが好ましく、例えばシリコ
ンゴムの場合であればシリコン基板を好ましく用いるこ
とができる。また、基板5の表面を目荒らして粗面化
し、基板5とゴムとの密着性を高めても良い。
The rubber which is the main component of the base layer 2 includes
For example, any of inorganic rubber and organic rubber can be used, and among them, silicon rubber which is an inorganic rubber can be preferably used. As the mesh-like inorganic fiber layer 3 to be laminated on the base layer 2, for example, glass fiber 3A is formed as shown in FIG.
As shown in (b), a fiber obtained by plain weaving long fibers can be used. Further, the glass fiber 3A does not have to be woven regularly as shown in FIG. 3 (b), and the glass fiber 3A may be configured so that the bump terminal or the probe needle penetrates the base layer 2 through the space between the fibers. Good. Therefore, either long fibers or short fibers can be used as the inorganic fibers. Further, the mesh-like inorganic fiber layer 3 is preferably formed by stacking a plurality of mesh-like inorganic fibers 3A. Then, the mesh-like inorganic fiber layer 3 is integrated with the base layer 2 so as not to peel off. Further, the substrate 5 is preferably excellent in affinity with rubber and hardly peeled off from the substrate. For example, in the case of silicon rubber, a silicon substrate can be preferably used. Further, the surface of the substrate 5 may be roughened and roughened to enhance the adhesion between the substrate 5 and the rubber.

【0016】また、上記基剤層2には充填剤を配合して
ものであっても良い。充填剤としては、例えばけい砂、
ガラスや、アルミナ、カーボランダム(商品名)等のセ
ラミックス等の粉粒体を好ましく用いることができ、こ
れらの粉粒体はそれぞれ単独であるいは二種類以上を混
合して用いることができる。また、充填剤として用いら
れる粉粒体は、例えば3〜15μmの粒径に調整された
ものが好ましく、5〜10μmの粒径に調整されたもの
がより好ましい。粒径が3μm未満では充填剤3が砥粒
として機能し難くなり、15μmを超えると基剤と充填
剤との馴染みが悪く、しかも針先を損なう虞がある。
The base layer 2 may contain a filler. As a filler, for example, silica sand,
Granules such as glass, ceramics such as alumina and carborundum (trade name) can be preferably used, and these granules can be used alone or in combination of two or more. The powder used as the filler is preferably adjusted to a particle size of 3 to 15 μm, for example, and more preferably adjusted to a particle size of 5 to 10 μm. If the particle size is less than 3 μm, the filler 3 hardly functions as abrasive grains, and if it exceeds 15 μm, the affinity between the base material and the filler is poor and the needle tip may be damaged.

【0017】上記基剤層2のゴムに充填剤を配合する場
合には、ゴムと充填剤の配合比(ゴム/充填剤)は、例
えば5/5〜3/7が好ましく、4/6〜3/7がより
好ましい。配合比が5/5未満では充填剤を混合する意
義が失われ、3/7を超えるとゴムと充填剤との馴染み
が悪く、しかも針先を損なう虞がある。ゴムと充填剤の
配合比は、プローブ針17Aあるいはバンプ端子の材質
によって変わるため、プローブ針17Aあるいはバンプ
端子の材質に適した配合比を適宜選択する必要がある。
例えば、プローブ針17Aの材質がタングステンである
場合には、上記配合比は4/6が好ましい。また、基板
5上に被覆されたクリーナ層4の被膜厚tは、プローブ
針17Aを突き刺して針先の付着物を除去できる厚さで
あれば特に制限されないが、一般的には例えば500〜
1000μmが好ましい。尚、メンブレンプローブカー
ドのバンプ端子としては、例えば、ダイヤ、サファイヤ
等の鉱石に金、金合金等がコーティングされたものが用
いられる。また、図4に示すプローブ針17Aの場合に
はその材質としては、タングステンの他、例えばパラジ
ウム、ベリリウム等の合金が用いられる。
When a filler is mixed with the rubber of the base layer 2, the mixing ratio of the rubber and the filler (rubber / filler) is, for example, preferably 5/5 to 3/7, and more preferably 4/6 to 3/7. 3/7 is more preferred. If the compounding ratio is less than 5/5, the significance of mixing the filler is lost, and if it exceeds 3/7, the familiarity between the rubber and the filler is poor, and the needle tip may be damaged. Since the compounding ratio of the rubber and the filler varies depending on the material of the probe needle 17A or the bump terminal, it is necessary to appropriately select a compounding ratio suitable for the material of the probe needle 17A or the bump terminal.
For example, when the material of the probe needle 17A is tungsten, the mixing ratio is preferably 4/6. The thickness t of the cleaner layer 4 coated on the substrate 5 is not particularly limited as long as it can pierce the probe needle 17A and remove the attached matter at the needle tip.
1000 μm is preferred. As the bump terminal of the membrane probe card, for example, a diamond or sapphire ore coated with gold, a gold alloy or the like is used. In addition, in the case of the probe needle 17A shown in FIG. 4, as the material thereof, for example, an alloy such as palladium or beryllium is used in addition to tungsten.

【0018】上記メッシュクリーナ1を作製する場合に
は、まず、基剤2となるゴムと充填剤3とを従来公知の
方法で混合してクリーナ層4用の原料を調製する。例え
ばシリコンゴムの生ゴムに充填剤を所定の配合比になる
まで徐々に添加する。次いで、重合開始剤(例えば、過
酸化ベンゾイル)を触媒として所定量(例えば、生ゴム
に対して1.5〜4%)添加し、充填剤を十分に分散さ
せる。そして、充填剤が十分に馴染むまで熟成期間をお
いてコンパウンドとする。その後、このコンパウンドを
シリコン基板5上に塗布した後、メッシュ状ガラス繊維
3Aを2枚重ねてメッシュ状無機繊維層3を形成し、こ
の状態で所定の温度(例えば、120℃程度)下でシリ
コン基板5上のコンパウンドに所定の圧力(例えば、7
0kg/cm2)を10数分程度加圧成形した後、温度
を下げて加圧操作を止める。この一連の操作により、コ
ンパウンドの生ゴムが重合、硬化してシリコンゴムとな
り、シリコンゴム中に充填剤が分散した基剤層2とメッ
シュ状無機繊維層3からなるクリーナ層4がシリコン基
板5の表面に形成されてシリコン基板5と一体化する。
In preparing the mesh cleaner 1, first, the rubber as the base 2 and the filler 3 are mixed by a conventionally known method to prepare a raw material for the cleaner layer 4. For example, a filler is gradually added to a raw rubber of silicon rubber until a predetermined compounding ratio is obtained. Next, a predetermined amount (for example, 1.5 to 4% based on raw rubber) of a polymerization initiator (for example, benzoyl peroxide) as a catalyst is added, and the filler is sufficiently dispersed. Then, the compound is allowed to stand after an aging period until the filler is sufficiently used. Then, after applying this compound on a silicon substrate 5, two mesh-like glass fibers 3A are laminated to form a mesh-like inorganic fiber layer 3. In this state, the silicon-containing material is coated at a predetermined temperature (for example, about 120 ° C.). A predetermined pressure (for example, 7) is applied to the compound on the substrate 5.
0 kg / cm 2 ) for about 10 minutes, and then the temperature is lowered to stop the pressing operation. Through this series of operations, the raw rubber of the compound is polymerized and cured to form a silicone rubber, and the cleaner layer 4 composed of the base layer 2 in which the filler is dispersed in the silicone rubber and the mesh-like inorganic fiber layer 3 forms the surface of the silicon substrate 5. And integrated with the silicon substrate 5.

【0019】次に、上記メッシュクリーナ1を用いた本
発明のクリーニング方法の一実施態様について説明す
る。メッシュクリーナ1を例えば図5に示すメインチャ
ック15の取付台15A上に取り付けて探針であるメン
ブレンプローブカードのバンプ端子をクリーニングする
場合について説明する。
Next, one embodiment of the cleaning method of the present invention using the mesh cleaner 1 will be described. A case where the mesh cleaner 1 is mounted on, for example, the mounting base 15A of the main chuck 15 shown in FIG. 5 to clean a bump terminal of a membrane probe card as a probe will be described.

【0020】メンブレンプローブカード21のバンプ端
子21Aとウエハの電極パッドとを所定回数繰り返し接
触させて検査を行っていると、図1の(a)に示したよ
うに、バンプ端子21Aの針先に酸化アルミニウム等の
付着物Oが付着し、その後の正確な検査を行えなくな
る。そこで、本実施態様のクリーニング方法によりバン
プ端子21Aをクリーニングし、その付着物Oを除去す
る。
When the bump terminals 21A of the membrane probe card 21 are repeatedly brought into contact with the electrode pads of the wafer a predetermined number of times to perform the inspection, as shown in FIG. Deposits O, such as aluminum oxide, adhere, making it impossible to perform accurate subsequent inspection. Thus, the bump terminal 21A is cleaned by the cleaning method of the present embodiment, and the attached matter O is removed.

【0021】それにはまず、メインチャック15(図5
参照)を移動させて取付台15Aをバンプ端子21Aの
真下にアライメントする。次いで、メインチャック15
を上昇させると取付台15A上のメッシュクリーナ1の
クリーナ層4とバンプ端子21Aとが接触する。更に、
メインチャック15がオーバドライブすると、バンプ端
子21Aが図2で示すようにメッシュ状無機繊維層3に
当たり、ガラス繊維3Aを周囲へ押し広げ、基剤層2に
突き刺さる。バンプ端子21Aがメッシュ状無機繊維層
3を通過する際に、バンプ端子21Aに軽く付着したゴ
ミ等は基剤層3のシリコンゴムによってしごき取られ
る。
First, the main chuck 15 (FIG. 5)
) To align the mounting table 15A directly below the bump terminals 21A. Next, the main chuck 15
Is raised, the cleaner layer 4 of the mesh cleaner 1 on the mounting base 15A comes into contact with the bump terminal 21A. Furthermore,
When the main chuck 15 is overdriven, the bump terminals 21 </ b> A hit the mesh-like inorganic fiber layer 3 as shown in FIG. 2, push the glass fibers 3 </ b> A around, and pierce the base layer 2. When the bump terminal 21A passes through the mesh-like inorganic fiber layer 3, dust or the like lightly attached to the bump terminal 21A is squeezed by the silicon rubber of the base layer 3.

【0022】酸化アルミニウム等の付着物Oはバンプ端
子21Aに強くこびり付いているため、基剤層2ではこ
のような付着物Oは除去できず、メッシュ状無機繊維層
3を通過する際にガラス繊維3Aに削ぎ取られながらメ
ッシュ状無機繊維層3内に侵入する。その後、メインチ
ャック15が下降してバンプ端子21Aがメッシュ状無
機繊維層3から抜けると、付着物Oが完全にガラス繊維
3Aによって削ぎ取られてメッシュ状無機繊維層3中に
残り、その結果、メッシュ状無機繊維層3から抜けたバ
ンプ端子21Aからは付着物Oが完全に除去される。
Since the deposit O such as aluminum oxide is strongly adhered to the bump terminals 21A, the deposit O cannot be removed by the base layer 2 and the glass fiber is not removed when passing through the mesh-like inorganic fiber layer 3. 3A penetrates into the mesh-like inorganic fiber layer 3 while being scraped off. Thereafter, when the main chuck 15 descends and the bump terminal 21A comes off from the mesh-like inorganic fiber layer 3, the deposit O is completely scraped off by the glass fiber 3A and remains in the mesh-like inorganic fiber layer 3, and as a result, The attached matter O is completely removed from the bump terminals 21A that have come off from the mesh-like inorganic fiber layer 3.

【0023】以上説明したように本実施形態によれば、
シリコンゴムからなる基剤層2と、基剤層2上に一体的
に積層されたガラス繊維3Aからなるメッシュ状無機繊
維層3とからなるクリーナ層4にバンプ端子21Aを突
き刺してバンプ端子21Aの付着物を除去するようにし
たため、バンプ端子21Aがクリーナ層4に突き刺さる
と、バンプ端子21Aに軽く付着したゴミ等の付着物は
基剤層2のシリコンゴム2によってしごき取られ、バン
プ端子21Aに強く付着した酸化アルミニウム等の付着
物Oはメッシュ状無機繊維層3に突き刺さる途中あるい
はこれから抜ける途中でガラス繊維3Aによって確実に
削ぎ取られる。そして、バンプ端子21Aがクリーナ層
4から抜ける際に、バンプ端子2Aから削ぎ取られた付
着物Oはメッシュ状無機繊維層3及び基剤層2に付着
し、付着物Oが完全に除去された状態でクリーナ層4か
ら抜ける。つまり、従来はバンプ端子21Aのクリーニ
ングは困難であったが、本実施形態によれば、バンプ端
子21Aの簡単且つ確実にクリーニングして付着物Oを
確実に除去することができる。
As described above, according to the present embodiment,
The bump terminals 21A are pierced into a cleaner layer 4 composed of a base layer 2 made of silicone rubber and a mesh-like inorganic fiber layer 3 made of glass fibers 3A integrally laminated on the base layer 2 to pierce the bump terminals 21A. When the bump terminal 21A pierces the cleaner layer 4, the extraneous matter, such as dust, lightly adhered to the bump terminal 21A is squeezed out by the silicon rubber 2 of the base layer 2 and removed to the bump terminal 21A. Deposits O, such as aluminum oxide, which have strongly adhered, are surely scraped off by the glass fibers 3A while piercing or leaving the mesh-like inorganic fiber layer 3. When the bump terminal 21A comes off the cleaner layer 4, the adhered substance O scraped from the bump terminal 2A adheres to the mesh-like inorganic fiber layer 3 and the base layer 2, and the adhered substance O is completely removed. It comes off from the cleaner layer 4 in the state. That is, conventionally, it has been difficult to clean the bump terminals 21A. However, according to the present embodiment, the bumps 21A can be easily and reliably cleaned to remove the attached matter O reliably.

【0024】上記実施形態では、メンブレンプローブカ
ードのバンプ端子21Aをクリーニングする場合につい
て説明したが、図3に示すプローブカード17のプロー
ブ針17Aの付着物Oを除去する場合にもメッシュクリ
ーナ1を用いることができる。また、プローブカードが
プローブ装置の組み込まれる前、例えばプローブカード
の製造工程で、線材からプローブ針17Aとして切断し
た時に残る針先のバリ取りにも本実施形態のメッシュク
リーナ1を利用することができる。現在は湿式エッチン
グ処理によりプローブ針17Aの針先のバリ取りを行っ
ているが、本実施形態のメッシュクリーナ1を使えば、
プローブ針17Aを突き刺せば、メッシュ状無機繊維層
3のガラス繊維3Aにより極めて簡単にバリ取りを行う
ことができる。プローブ針17Aをクリーニングする場
合には、基剤層2中に充填剤(けい砂、ガラスや、アル
ミナ、カーボランダム等のセラミックス等の粉粒体をそ
れぞれ単独であるいは二種類以上を混合した粉粒体から
なる)を分散させれば、より確実に付着物Oを除去する
ことができる。
In the above embodiment, the case where the bump terminals 21A of the membrane probe card are cleaned has been described. However, the mesh cleaner 1 is also used for removing the deposits O on the probe needles 17A of the probe card 17 shown in FIG. be able to. In addition, the mesh cleaner 1 of the present embodiment can also be used for deburring a needle tip remaining when the probe card is cut as a probe needle 17A from the wire before the probe card is assembled into the probe device, for example, in a manufacturing process of the probe card. . At present, the tip of the probe needle 17A is deburred by wet etching, but if the mesh cleaner 1 of this embodiment is used,
When the probe needle 17A is pierced, deburring can be performed extremely easily with the glass fiber 3A of the mesh-like inorganic fiber layer 3. When the probe needle 17A is to be cleaned, the base material layer 2 may be filled with a filler (eg, powdered particles such as silica sand, glass, ceramics such as alumina, carborundum, etc., alone or as a mixture of two or more powdered particles. (Consisting of a body), it is possible to more reliably remove the attached matter O.

【0025】また、上記メッシュクリーナ1は、フリッ
プチップ素子に形成された半田バンプをクリーニングす
る際にも用いることができる。従って、半田バンプをク
リーニングした後、フェースダウンボンディングを行う
と、フリップチップ素子の電気特性を害することなく基
板上に確実に接合することができる。
The mesh cleaner 1 can be used for cleaning solder bumps formed on a flip chip device. Therefore, by performing face-down bonding after cleaning the solder bumps, the flip-chip elements can be reliably bonded to the substrate without impairing the electrical characteristics.

【0026】尚、本発明は上記各実施形態に何等制限さ
れるものではなく、実装電子部品の検査を行う探針につ
いても適用することができる。要は、ゴムを主体とする
基剤層と、この基剤層上に一体的に積層されたメッシュ
状無機繊維層とからなるクリーナ層を有するメッシュク
リーナ、及びこのメッシュクリーナを用いたクリーニン
グ方法であれば、全て本発明に包含される。
The present invention is not limited to the above embodiments, but can be applied to a probe for inspecting a mounted electronic component. In short, a mesh cleaner having a cleaner layer composed of a base layer mainly composed of rubber and a mesh-like inorganic fiber layer integrally laminated on the base layer, and a cleaning method using the mesh cleaner. If present, all are included in the present invention.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項4に記載の発
明によれば、プローブ針等の線条導体またはバンプ端子
等の突起導体の付着物を簡単且つ確実に除去することが
できるメッシュクリーナ及びクリーニング方法を提供す
ることができる。
According to the first to fourth aspects of the present invention, it is possible to easily and surely remove deposits on a linear conductor such as a probe needle or a projecting conductor such as a bump terminal. A mesh cleaner and a cleaning method can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態のメッシュクリーナを用い
てバンプ端子をクリーニングする状態を説明するための
説明図で、(a)は付着物を有するバンプ端子をメッシ
ュクリーナに突き刺す直前の状態を示す断面図、(b)
は(a)のメッシュクリーナの表面を拡大して示す平面
図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a state in which a bump terminal is cleaned using a mesh cleaner according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) shows a state immediately before a bump terminal having an adhered substance is stabbed into a mesh cleaner. Sectional view showing (b)
FIG. 4 is an enlarged plan view showing the surface of the mesh cleaner of FIG.

【図2】図1に示すメッシュクリーナを用いてバンプ端
子をクリーニングする様態を説明するための説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining an embodiment of cleaning a bump terminal using the mesh cleaner shown in FIG. 1;

【図3】プローブ装置の一例を示す図で、要部を破断し
て示す正面図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a probe device, and is a front view in which main parts are cut away.

【図4】プローブ針をウエハの電極パッドに繰り返し接
触させ、プローブ針の針先に酸化アルミニウム等が付着
した状態を拡大して示す断面図である。
FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a state in which probe needles are repeatedly brought into contact with electrode pads of a wafer and aluminum oxide or the like is attached to the probe tips of the probe needles.

【図5】図3に示すプローブ装置のメインチャックを拡
大して示す斜視図である。
FIG. 5 is an enlarged perspective view showing a main chuck of the probe device shown in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 メッシュクリーナ 2 基剤層 3 繊維層 3A メッシュ状ガラス繊維 4 シリコン基板 17A プローブ針(線条導体) 21A バンプ端子(突起状導体) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mesh cleaner 2 Base layer 3 Fiber layer 3A Mesh glass fiber 4 Silicon substrate 17A Probe needle (straight conductor) 21A Bump terminal (projection conductor)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 線条導体または突起導体を突き刺して線
条導体または突起導体の付着物を除去するメッシュクリ
ーナであって、ゴムを主体とする基剤層と、基剤層上に
一体的に積層されたメッシュ状無機繊維層とからなるク
リーナ層を有することを特徴とするメッシュクリーナ。
1. A mesh cleaner for piercing a striated conductor or a protruding conductor to remove deposits on the striated conductor or the protruding conductor, wherein a base layer mainly made of rubber and a base layer are integrally formed on the base layer. A mesh cleaner comprising a cleaner layer comprising a laminated mesh-like inorganic fiber layer.
【請求項2】 上記クリーナ層を基板表面に設けたこと
を特徴とする請求項1に記載のメッシュクリーナ。
2. The mesh cleaner according to claim 1, wherein said cleaner layer is provided on a substrate surface.
【請求項3】 上記基剤層中に充填剤を分散させたこと
を特徴とする請求項1または請求項2に記載のメッシュ
クリーナ。
3. The mesh cleaner according to claim 1, wherein a filler is dispersed in the base layer.
【請求項4】 ゴムを主体とする基剤層と、基剤層上に
一体的に積層されたメッシュ状無機繊維層とからなるク
リーナ層に線条導体または突起導体を突き刺して線条導
体または突起導体の付着物を除去することを特徴とする
クリーニング方法。
4. A linear conductor or a protruding conductor is pierced into a cleaner layer comprising a base layer mainly composed of rubber and a mesh-like inorganic fiber layer integrally laminated on the base layer. A cleaning method, comprising removing an adhering substance on a projecting conductor.
JP10661697A 1997-04-08 1997-04-08 Mesh cleaner and cleaning method Pending JPH10284551A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10661697A JPH10284551A (en) 1997-04-08 1997-04-08 Mesh cleaner and cleaning method
TW087104987A TW377482B (en) 1997-04-08 1998-04-02 Cleaner with protuberances for inspection, inspection apparatus and inspection method for integrated circuits
US09/055,291 US6130104A (en) 1997-04-08 1998-04-06 Cleaner for inspecting projections, and inspection apparatus and method for integrated circuits
KR1019980012413A KR100353312B1 (en) 1997-04-08 1998-04-08 Cleaner for inspecting protrusions and inspecting apparatus and method for integrated circuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10661697A JPH10284551A (en) 1997-04-08 1997-04-08 Mesh cleaner and cleaning method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10284551A true JPH10284551A (en) 1998-10-23

Family

ID=14438064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10661697A Pending JPH10284551A (en) 1997-04-08 1997-04-08 Mesh cleaner and cleaning method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10284551A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6130104A (en) Cleaner for inspecting projections, and inspection apparatus and method for integrated circuits
EP1621893B1 (en) Device for removing foreign matter adhering to a probe tip face
EP0828292B1 (en) Manufacture of a semiconductor device
JPH1187438A (en) Member and method for cleaning of probe tip, and test method for semiconductor wafer
JP3430213B2 (en) Soft cleaner and cleaning method
TWI253704B (en) Particle-removing wafer
JP5551396B2 (en) Inspection probe and method of manufacturing inspection probe
US5904489A (en) Topside analysis of a multi-layer integrated circuit die mounted in a flip-chip package
US5722579A (en) Bottom-surface-metallurgy rework process in ceramic modules
JPH10284551A (en) Mesh cleaner and cleaning method
WO1998047175A1 (en) Process for manufacturing semiconductor device and semiconductor component
TW556232B (en) Method and materials for printing particle-enhanced electrical contacts
JP4052966B2 (en) Wafer inspection apparatus and inspection method thereof
JP3784364B2 (en) Cleaning the probe card
JPH1019928A (en) Cleaning member and cleaning method
KR100248582B1 (en) A connection sheet for interconnection electrodes facing each other, and electrode connection structure and method using the connection sheet
JP2006210946A (en) Method for removing foreign matter adhering to probe tip, and probing apparatus
JPS6130737B2 (en)
JP3818108B2 (en) Probe tip cleaning member, probe cleaning device, and probe tip cleaning method
KR20060085848A (en) Method of fabricating semiconductor wafer having bump forming process after back grinding
JPS614969A (en) Probe device
JPH022939A (en) Probe apparatus
JP2003234384A (en) Probing apparatus of grinding and contact check integrated type, and grinding method thereof
JP2002018733A (en) Cleaning disc
Lam et al. Structural reliability of direct-chip-attaches bonded with anisotropic conductive film