JPH10282168A - Ion detection device - Google Patents

Ion detection device

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Publication number
JPH10282168A
JPH10282168A JP9091820A JP9182097A JPH10282168A JP H10282168 A JPH10282168 A JP H10282168A JP 9091820 A JP9091820 A JP 9091820A JP 9182097 A JP9182097 A JP 9182097A JP H10282168 A JPH10282168 A JP H10282168A
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JP
Japan
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semiconductor switching
ion
ions
electrode
negative
Prior art date
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Application number
JP9091820A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Aso
雄二 麻生
Koji Sonoda
浩二 園田
Kenichi Kato
憲一 加藤
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Toto Ltd
Original Assignee
Toto Ltd
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Publication date
Application filed by Toto Ltd filed Critical Toto Ltd
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Publication of JPH10282168A publication Critical patent/JPH10282168A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion detection device that has an improved capacity for detecting ions, can detect ions reliably, and can examine a detection result easily. SOLUTION: When a negative charge is collected from a negative ion in atmosphere by a collection electrode 11, a voltage with the side of a ground electrode 15 being positive is applied between the collection electrode 11 and the ground electrode 15. A gate G is biased to a positive potential against a source S, so that an FET 13 is allowed to conduct current and an electricity is fed from a DC power supply 17 to an LED 19, thus lighting up the LED 19. The FET 13 is allowed to conduct electricity by applying a relatively low bias voltage between the gate G and the source S, thus detecting the negative ion even if the concentration of the negative ion in atmosphere is low. When a positive ion is collected at the collection electrode 11, an area between the gate G and the source S is inversely biased, thus preventing the FET 13 from conducting current and preventing the positive ion from being detected. A light- emitting diode 19 allows an ON state to be checked easily even in daylight and, if required, the light-emitting diode with a color of a high contrast against room light to be selected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、空気中に存在する
イオンを検知するためのイオン検知装置の改良に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improved ion detector for detecting ions present in air.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、図1に示した構成のイオン検
知装置が知られている。この装置では、捕集電極1が負
イオンの電荷を捕集すると、その負電荷が接地電極3を
通じてコンデンサ5に充電される。そして、コンデンサ
5の充電電圧が上昇して放電ランプ7の放電電圧を超え
る毎にランプ7で放電が発生しランプ7が瞬間的に点灯
する点滅動作を繰り返すことで空気中の負イオンの存在
を報知する。
2. Description of the Related Art Conventionally, an ion detecting device having the structure shown in FIG. 1 has been known. In this device, when the collection electrode 1 collects the charge of the negative ion, the capacitor 5 is charged with the negative charge through the ground electrode 3. Each time the charge voltage of the capacitor 5 rises and exceeds the discharge voltage of the discharge lamp 7, discharge occurs in the lamp 7 and the blinking operation in which the lamp 7 is turned on instantaneously is repeated to check for the presence of negative ions in the air. Notify.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
イオン検知装置は、空気中の負イオン濃度が凡そ100
万個/cc以上の高濃度でないと負イオンを検知しない
ほどイオン検知能力が低い。そのため、上記検知装置
を、通常市販されているイオン式空気清浄機の負イオン
検知に使用する場合には、上記空気清浄機のイオン吹き
出し部である放電電極の近傍にまで上記装置の捕集電極
1を近づけないと負イオンに反応しないという問題があ
る。
By the way, in the ion detecting device having the above structure, the negative ion concentration in the air is about 100.
If the concentration is not higher than 10,000 / cc, the ion detection capability is so low that negative ions cannot be detected. Therefore, when the detection device is used for negative ion detection of a commercially available ion-type air purifier, the collection electrode of the device is close to a discharge electrode which is an ion blowing portion of the air purifier. There is a problem that the reaction with negative ions does not occur unless 1 is brought closer.

【0004】また、負イオンに対してだけでなく、正イ
オンに対しても反応してしまうために、正イオンを負イ
オンとして誤検知してしまう虞があり、負イオン検知の
信頼性が低いという問題もある。
In addition, since it reacts not only with negative ions but also with positive ions, there is a possibility that positive ions are erroneously detected as negative ions, and the reliability of negative ion detection is low. There is also a problem.

【0005】更には、空気中の負イオン等に反応したこ
とを表示することによって負イオン等の存在を報知する
ための放電ランプ7の点滅が、比較的明るい室内では確
認し難いという問題もあった。
Further, there is a problem that the blinking of the discharge lamp 7 for indicating the presence of the negative ions or the like by indicating that it has reacted to the negative ions or the like in the air is difficult to confirm in a relatively bright room. Was.

【0006】従って本発明の目的は、イオン検知能力、
及びイオン検知の信頼性が高く、且つ、検知結果の確認
が容易に行えるイオン検知装置を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an ion detection capability,
Another object of the present invention is to provide an ion detection device that has high reliability of ion detection and can easily confirm a detection result.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の側面に従
う負イオン検知装置は、大気中のイオンの電荷を捕集す
るための捕集電極と、捕集電極に捕集される電荷により
導通する半導体スイッチング手段と、半導体スイッチン
グ手段の導通により駆動される、イオン検知を報知する
ための報知手段とを備える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a negative ion detecting device comprising: a collecting electrode for collecting charges of ions in the atmosphere; and a charge collected by the collecting electrode. The semiconductor switching unit includes a semiconductor switching unit that conducts, and a notification unit that is driven by the conduction of the semiconductor switching unit and that notifies ion detection.

【0008】上記構成によれば、捕集電極がイオンの電
荷を捕集することにより半導体スイッチング手段が導通
し、これにより報知手段が駆動されるようになってい
る。よって、半導体スイッチング手段に、印加電圧が低
くても導通するものを採用すれば、大気中のイオン濃度
が低いために捕集電極に捕集される電荷が僅かの場合で
あってもイオン検知が行える。
According to the above arrangement, the semiconductor switching means is turned on by the collection electrode collecting the electric charge of the ions, whereby the notification means is driven. Therefore, if a semiconductor switching means that conducts even when the applied voltage is low is adopted, ion detection can be performed even when the charge collected by the collection electrode is small due to the low ion concentration in the atmosphere. I can do it.

【0009】本発明の第1の側面に係る好適な実施形態
では、半導体スイッチング手段は、捕集電極に捕集され
る負電荷により導通するようになっている。そのため、
正電荷が捕集電極に捕集されても半導体スイッチング手
段は導通することはないから、負イオン検知に際して正
イオンを誤検知する虞はない。この半導体スイッチング
手段としては、例えば電界効果型トランジスタ(=FE
T)のような電圧駆動型の半導体スイッチング素子が用
いられる。
In a preferred embodiment according to the first aspect of the present invention, the semiconductor switching means is made conductive by negative charges collected by the collecting electrode. for that reason,
Since the semiconductor switching means does not conduct even if the positive charge is collected by the collecting electrode, there is no possibility of erroneously detecting positive ions when detecting negative ions. As the semiconductor switching means, for example, a field effect transistor (= FE)
A voltage-driven semiconductor switching element such as T) is used.

【0010】また、報知手段には、半導体スイッチング
手段の導通によって発光する、例えば発光ダイオード
(=LED)のような発光素子が用いられる。
Further, a light emitting element, such as a light emitting diode (= LED), which emits light by the conduction of the semiconductor switching means, is used as the notification means.

【0011】なお、上述した報知手段は、半導体スイッ
チング手段の導通により接続される直流電源からの給電
によって駆動するようになっている。そのため、報知手
段に例えば発光ダイオードを用いた場合に、直流電源と
して用いられる乾電池等を選定することによって発光ダ
イオードの発光量を調節できるので、比較的明るい室内
でも視認により検知結果の確認が可能である。
The above-mentioned notification means is driven by power supply from a DC power supply connected by conduction of the semiconductor switching means. Therefore, for example, when a light emitting diode is used as the notification means, the amount of light emitted from the light emitting diode can be adjusted by selecting a dry cell or the like used as a DC power supply, so that the detection result can be visually confirmed even in a relatively bright room. is there.

【0012】上述した実施形態に係る変形例では、捕集
電極に滞っている電荷を放電させる放電手段を更に備え
る。この放電手段は、捕集電極に滞っている電荷を、半
導体スイッチング手段が非導通状態になるよう放電させ
る。よって、大気中にイオンが存在しない場合には捕集
電極に滞っている電荷によって半導体スイッチング手段
が導通状態になり、報知手段が駆動されることはない。
The modification according to the above-described embodiment further includes a discharging means for discharging the electric charge remaining in the collecting electrode. The discharging means discharges the electric charge accumulated in the collecting electrode so that the semiconductor switching means is turned off. Therefore, when no ions are present in the atmosphere, the semiconductor switching means is brought into a conductive state by the electric charge remaining on the collection electrode, and the notification means is not driven.

【0013】本発明の第2の側面に従う負イオン検知装
置は、大気中のイオンの電荷を捕集するための、各々が
面積の異なる複数の捕集電極と、各々の捕集電極に対応
して設けられ、各々の捕集電極に捕集される異なった大
きさの電荷により夫々導通する複数の半導体スイッチン
グ手段と、各々の半導体スイッチング手段に対応して設
けられ、各々の半導体スイッチング手段の導通により駆
動される、イオン検知を報知するための複数の報知手段
とを備える。
A negative ion detecting device according to a second aspect of the present invention is provided with a plurality of collecting electrodes, each having a different area, for collecting charges of ions in the atmosphere, and corresponding to each collecting electrode. And a plurality of semiconductor switching means, each of which is electrically connected by a charge of a different size collected by each collection electrode, and a plurality of semiconductor switching means provided corresponding to each semiconductor switching means. And a plurality of notifying means for notifying the ion detection, which is driven by the control unit.

【0014】上記構成によれば、発生イオン量に応じて
複数の半導体スイッチング手段のうちのいずれかが導通
状態になり、それによって対応する報知手段が駆動され
る。そのため、例えばイオン濃度200万個/ccに対
応する報知手段、100万個/ccに対応する報知手
段、50万個/ccに対応する報知手段、というよう
に、各々のイオン濃度に応じて夫々対応する報知手段が
段階的に駆動されることとなるので、イオン量の大小も
検知することができる。
According to the above configuration, one of the plurality of semiconductor switching means is turned on in accordance with the amount of generated ions, whereby the corresponding notification means is driven. Therefore, for example, a notifying unit corresponding to an ion concentration of 2 million ions / cc, a notifying unit corresponding to 1 million ions / cc, an indicating unit corresponding to 500,000 ions / cc, and the like, respectively, according to each ion concentration. Since the corresponding notification means is driven stepwise, the magnitude of the ion amount can be detected.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面により詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0016】図2は、本発明の一実施形態に係る負イオ
ン検知装置の基本回路構成図である。
FIG. 2 is a basic circuit configuration diagram of the negative ion detector according to one embodiment of the present invention.

【0017】上記装置は、捕集電極11と、n型FET
(=FET)13と、接地電極15と、乾電池等の直流
電源17と、LED19とを備える。FET13は、そ
のソースSに捕集電極11及び直流電源17の陰極が、
ゲートGに接地電極15が、そのドレインDにLED1
9及びLED19を通じて直流電源17の陽極が、夫々
接続されている。
The above device comprises a collecting electrode 11 and an n-type FET.
(= FET) 13, a ground electrode 15, a DC power supply 17 such as a dry battery, and an LED 19. In the FET 13, the source S has the collector electrode 11 and the cathode of the DC power supply 17 connected thereto.
The gate G has the ground electrode 15 and the drain D has the LED1.
The anode of the DC power supply 17 is connected through the LED 9 and the LED 19, respectively.

【0018】上記構成において、大気中の負イオンから
負電荷が捕集電極11によって捕集されると、捕集電極
11と接地電極15との間に、接地電極15側を正とす
る電圧が印加される。これにより、ゲートGがソースS
に対して正電位にバイアスされることとなるためにFE
T13が導通し、この導通により直流電源17から発光
ダイオード19に給電が行われ、発光ダイオード19が
点灯する。
In the above configuration, when negative charges are collected from negative ions in the atmosphere by the collecting electrode 11, a voltage between the collecting electrode 11 and the ground electrode 15, which is positive on the ground electrode 15 side, is applied. Applied. As a result, the gate G becomes the source S
FE is biased to a positive potential with respect to
T13 conducts, and by this conduction, power is supplied from the DC power supply 17 to the light emitting diode 19, and the light emitting diode 19 is turned on.

【0019】上述した回路構成によれば、比較的低いバ
イアス電圧をゲートG、ソースS間に印加するだけでF
ET13を導通することが可能であるため、大気中の負
イオン濃度が低くても負イオン検知は行える。また、捕
集電極11に正イオンが捕集されたときはゲートG、ソ
ースS間は逆電圧にバイアスされることとなるためFE
T13は導通せず、よって正イオンを検知することはな
い。更に、発光ダイオード19は、白昼光でも点灯状態
を確認し易く、また、必要に応じて室内光に対してコン
トラストの高い色の発光ダイオードを選定することもで
きる。
According to the above-described circuit configuration, F is applied only by applying a relatively low bias voltage between the gate G and the source S.
Since the ET 13 can be conducted, negative ion detection can be performed even when the negative ion concentration in the atmosphere is low. When positive ions are collected by the collecting electrode 11, a reverse voltage is applied between the gate G and the source S.
T13 does not conduct and therefore does not detect positive ions. Further, as for the light emitting diode 19, it is easy to confirm the lighting state even in daylight, and if necessary, a light emitting diode having a high contrast with room light can be selected.

【0020】ところで、図2に示した回路構成では、捕
集電極11に捕集された後そのまま捕集電極11に滞っ
た負電荷は放電されることがないので、大気中に負イオ
ンが存在しなくなってもこの滞った負電荷によりFET
13は導通状態を保持することとなる。そのため、大気
中に負イオンが存在すると否とに関わらず、発光ダイオ
ード19は点灯し続ける。よって、捕集電極11による
負イオンからの負電荷の捕集動作をランプ17の点/消
灯により検知することができなくなってしまう。
By the way, in the circuit configuration shown in FIG. 2, since the negative charges that have been trapped in the collecting electrode 11 after being collected by the collecting electrode 11 are not discharged, there is no negative ion in the atmosphere. Even if it doesn't work, the negative charge
Reference numeral 13 keeps the conduction state. Therefore, the light emitting diode 19 keeps lighting regardless of whether or not negative ions exist in the atmosphere. Therefore, the operation of collecting negative charges from negative ions by the collecting electrode 11 cannot be detected by turning on / off the lamp 17.

【0021】そこで、このような問題に対処するための
手段として図3、及び図4に夫々示す負イオン検知装置
が提案されている。以下、これらの負イオン検知装置に
ついて図3、及び図4を夫々参照しながら説明する。
Therefore, as means for dealing with such a problem, there have been proposed negative ion detectors shown in FIGS. 3 and 4, respectively. Hereinafter, these negative ion detecting devices will be described with reference to FIGS. 3 and 4, respectively.

【0022】図3は、本発明の一実施形態の第1の変形
例に係る負イオン検知装置の回路構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of a negative ion detector according to a first modification of the embodiment of the present invention.

【0023】上記装置は、図2に示した回路構成に、高
抵抗素子21と、定電圧ダイオード23と、電流制限用
抵抗素子25とを更に付加した構成となっている。即
ち、高抵抗素子21は、捕集電極11に滞った負電荷を
放電させるためのもので、捕集電極11と接地電極15
との間(FET13のゲートG、ソースS間)を接続す
る。この高抵抗素子21には、例えば1GΩ〜100M
Ω程度の抵抗値を有する素子が用いられる。この高抵抗
素子21を通じて常時微小な漏れ電流を流すことによ
り、大気中に負イオンが存在しないとき(即ち、負イオ
ンの未検知時)には、FET13を確実に非導通状態に
することができる。そのため、負イオンの未検知時にL
ED19が点灯されることはない。
The above device has a configuration in which a high resistance element 21, a constant voltage diode 23, and a current limiting resistance element 25 are further added to the circuit configuration shown in FIG. That is, the high-resistance element 21 is for discharging the negative charges accumulated in the collecting electrode 11, and the high-resistance element 21 and the ground electrode 15
(Between the gate G and the source S of the FET 13). The high resistance element 21 has, for example, 1 GΩ to 100 M
An element having a resistance value of about Ω is used. By constantly flowing a small leakage current through the high-resistance element 21, when no negative ions exist in the atmosphere (that is, when no negative ions are detected), the FET 13 can be reliably turned off. . Therefore, when no negative ion is detected, L
The ED 19 is not turned on.

【0024】定電圧ダイオード23は、FET13に所
定値以上の高電圧が印加されるのを規制することによっ
てFET13を保護するためのもので、ゲートG、ソー
スS間に、高抵抗素子21に対して並列に接続される。
定電圧ダイオード23は、アノード端子をソースS側
に、カソード端子をゲートG側にして接続されている。
The constant voltage diode 23 is for protecting the FET 13 by restricting the application of a high voltage equal to or more than a predetermined value to the FET 13, and is provided between the gate G and the source S with respect to the high resistance element 21. Connected in parallel.
The constant voltage diode 23 is connected with the anode terminal on the source S side and the cathode terminal on the gate G side.

【0025】電流制限用抵抗素子25は、直流電源17
からLED19に大電流が流れるのを規制するためのも
ので、直流電源17の陽極とLED19との間に接続さ
れている。
The current limiting resistance element 25 is connected to the DC power supply 17.
And is connected between the anode of the DC power supply 17 and the LED 19.

【0026】上記構成によれば、前回の負イオン検知時
に捕集電極11に滞っていた負電荷は、高抵抗素子21
を通じて接地電極15側に放電されるので、負イオンの
未検知時にはET13を確実に非導通状態にすることが
でき、且つ、次に負イオンが検知されたときには、FE
T13を再び導通状態にすることができる。よって、捕
集電極11によって負イオンから負電荷が捕集されてい
るときには、LED19は点灯し、負イオンの未検知時
には消灯するため、正確な負イオン検知を行うことがで
きる。また、定電圧ダイオード23によりFET13の
損傷が防止され、電流制限用抵抗素子25によってLE
D19の損傷や直流電源17の無駄な電力消費が防止さ
れる。
According to the above configuration, the negative charges remaining on the collecting electrode 11 at the time of the previous negative ion detection are removed by the high resistance element 21.
To the ground electrode 15 side, the ET 13 can be reliably turned off when no negative ions are detected, and when the next negative ions are detected, the FE 13 is turned off.
T13 can be turned on again. Therefore, when negative charges are collected from the negative ions by the collecting electrode 11, the LED 19 is turned on, and is turned off when no negative ions are detected, so that accurate negative ion detection can be performed. Further, the constant voltage diode 23 prevents the FET 13 from being damaged, and the current limiting resistance element 25 causes the LE 13.
Damage to D19 and wasteful power consumption of DC power supply 17 are prevented.

【0027】本変形例では、捕集電極11に滞っている
負電荷を放電するための手段として、捕集電極11と接
地電極15との間に高抵抗素子21を接続することとし
た。しかし、高抵抗素子21に代えて、捕集電極11が
負イオンから負電荷を捕集しているときには捕集電極1
1と接地電極15との間を開放し、負イオンの未検知時
には短絡するよう機能する接点機構や、半導体スイッチ
ング手段等を採用することも可能である。
In this modification, a high-resistance element 21 is connected between the collecting electrode 11 and the ground electrode 15 as a means for discharging the negative charges remaining in the collecting electrode 11. However, instead of the high resistance element 21, when the collecting electrode 11 is collecting negative charges from negative ions, the collecting electrode 1
It is also possible to employ a contact mechanism that opens between the first electrode 1 and the ground electrode 15 and short-circuits when no negative ions are detected, a semiconductor switching means, or the like.

【0028】図4は、本発明の一実施形態の第2の変形
例に係る負イオン検知装置の回路構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a negative ion detector according to a second modification of the embodiment of the present invention.

【0029】上記装置は、図3に示した回路構成におい
て、n型FET13に代えてp型FET27を用いた点
と、直流電源17、LED19、及び定電圧ダイオード
23の接続を夫々図3に示した直流電源17、LED1
9、及び定電圧ダイオード23と逆向きにした点とにお
いて、上記第1の変形例と相違する。その他の点につい
ては、上述した第1の変形例と同様である。上記構成に
おいても、上述した第1の変形例におけると同様の効果
を奏し得る。
FIG. 3 shows a point that a p-type FET 27 is used in place of the n-type FET 13 in the circuit configuration shown in FIG. 3, and connections of the DC power supply 17, the LED 19 and the constant voltage diode 23 are shown in FIG. DC power supply 17, LED1
9 and the point opposite to the constant voltage diode 23 is different from the first modified example. Other points are the same as those of the above-described first modification. Also in the above configuration, the same effect as in the first modification described above can be obtained.

【0030】図5は、本発明の他の実施形態に係る負イ
オン検知装置の回路構成を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a circuit configuration of a negative ion detector according to another embodiment of the present invention.

【0031】上記装置は、発生するイオン量に応じて段
階的にイオン検知が可能なように構成されているもの
で、基板31と、複数の捕集電極33、35、37と、
複数の検知回路39、41、43と、1個の接地電極4
5とを備える。捕集電極33〜37と、検知回路39〜
43と、1個の接地電極45とは、いずれも基板31上
に固定されている。捕集電極33が最も面積が大きく、
次が捕集電極35であり、捕集電極37が最も面積が小
さい。捕集電極33は検知回路39に、捕集電極35は
検知回路41に、捕集電極37は検知回路43に、夫々
接続されている。
The above-mentioned apparatus is configured so as to be able to detect ions stepwise according to the amount of generated ions, and includes a substrate 31, a plurality of collecting electrodes 33, 35, 37,
A plurality of detection circuits 39, 41, 43 and one ground electrode 4
5 is provided. Collection electrodes 33 to 37 and detection circuits 39 to
43 and one ground electrode 45 are both fixed on the substrate 31. The collecting electrode 33 has the largest area,
Next is the collecting electrode 35, and the collecting electrode 37 has the smallest area. The collection electrode 33 is connected to the detection circuit 39, the collection electrode 35 is connected to the detection circuit 41, and the collection electrode 37 is connected to the detection circuit 43.

【0032】検知回路39〜43は、いずれも図3又は
図4に示した回路構成を備えており、各素子の定数は互
いに同一であり、検知回路39〜43は、捕集電極33
〜37の面積に比例した異なった検知感度を示す。電極
面積の最も大きい捕集電極33に対応する検知回路39
が、最も検知感度が良く、電極面積の最も小さい捕集電
極37に対応する検知回路43が、最も検知感度が悪
い。これら3つの検知回路39〜43は、共通の接地電
極45に接続されている。
Each of the detection circuits 39 to 43 has the circuit configuration shown in FIG. 3 or FIG. 4, and the constants of the respective elements are the same.
2 shows different detection sensitivities in proportion to the area of ~ 37. Detection circuit 39 corresponding to collection electrode 33 having the largest electrode area
However, the detection circuit 43 corresponding to the collection electrode 37 having the best detection sensitivity and the smallest electrode area has the lowest detection sensitivity. These three detection circuits 39 to 43 are connected to a common ground electrode 45.

【0033】上記構成によれば、発生イオン量に応じ
て、検知回路39〜43上のLED19が、例えばイオ
ン濃度200万個/cc、100万個/cc、50万個
/ccというように段階的に点灯するので、イオン量の
大小も検知することができる。
According to the above configuration, the LEDs 19 on the detection circuits 39 to 43 are set in stages such that the ion concentration is 2,000,000 / cc, 1,000,000 / cc, and 500,000 / cc according to the amount of generated ions. Since the light is turned on, the magnitude of the ion amount can be detected.

【0034】なお、この変形例では捕集電極33〜37
毎に、その面積の大きさを異なるものにしたが、検知回
路39〜43に内蔵される高抵抗素子21を夫々抵抗値
の異なったものに変えて、各検知回路39〜43の検知
感度を段階的に変えてもよい。同様に、各検知回路39
〜43に内蔵されるn型FET13又はp型FET27
を、夫々駆動電圧の異なったものに変えても、イオン量
を段階的に検知することができる。
In this modification, the collecting electrodes 33 to 37 are used.
Although the size of the area is different for each, the high-resistance elements 21 incorporated in the detection circuits 39 to 43 are changed to those having different resistance values, and the detection sensitivity of each of the detection circuits 39 to 43 is changed. It may be changed stepwise. Similarly, each detection circuit 39
N-type FET 13 or p-type FET 27 built in to 43
Can be detected in a stepwise manner by changing the driving voltages to different driving voltages.

【0035】ここで、本発明の各実施形態に係る負イオ
ン検知装置の性能と、従来技術に係る負イオン検知装置
の性能とを比較したところ、従来技術に係る負イオン検
知装置では、負イオン濃度が約100万個/cc以上に
ならないと負イオンを検知することができなかったのに
対し、本発明の各実施形態に係る負イオン検知装置で
は、約50万個/ccの負イオン濃度でも負イオン検知
が充分に可能であり、よって検知感度が2倍以上向上し
たことが明らかになった。
Here, the performance of the negative ion detector according to each embodiment of the present invention was compared with the performance of the negative ion detector according to the prior art. Negative ions could not be detected unless the concentration became about 1,000,000 ions / cc or more, whereas the negative ion concentration of about 500,000 ions / cc was detected in the negative ion detector according to each embodiment of the present invention. However, it was revealed that negative ion detection was sufficiently possible, and thus the detection sensitivity was improved by a factor of two or more.

【0036】上述した内容は、あくまで本発明の各実施
形態及びそれらの変形例に関するものであって、本発明
が上記内容のみに限定されることを意味するものでない
のは勿論である。
The contents described above relate to each embodiment of the present invention and the modifications thereof, and needless to say that the present invention is not limited to only the above contents.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオン検知能力、及びイオン検知の信頼性が高く、且
つ、検知結果の確認が容易に行えるイオン検知装置を提
供することができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide an ion detection device that has high ion detection capability and high reliability of ion detection, and that can easily confirm a detection result.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の負イオン検知装置の回路構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional negative ion detection device.

【図2】本発明の一実施形態の負イオン検知器の基本回
路構成図。
FIG. 2 is a basic circuit configuration diagram of a negative ion detector according to one embodiment of the present invention.

【図3】一実施形態の第1の変形例に係る負イオン検知
装置の回路構成を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of a negative ion detection device according to a first modification of the embodiment.

【図4】一実施形態の第2の変形例に係る負イオン検知
装置の回路構成を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a negative ion detection device according to a second modification of the embodiment.

【図5】他の実施形態に係る負イオン検知装置の回路構
成を示す説明図。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a circuit configuration of a negative ion detection device according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、33、35、37 捕集電極 13 n型FET 15、45 接地電極 17 直流電源 19 LED 21 高抵抗素子 23 定電圧ダイオード 25 電流制限用抵抗素子 27 p型FET 31 基板 39、41、43 検知回路 11, 33, 35, 37 Collection electrode 13 n-type FET 15, 45 Ground electrode 17 DC power supply 19 LED 21 High resistance element 23 Constant voltage diode 25 Current limiting resistance element 27 p-type FET 31 Substrate 39, 41, 43 Detection circuit

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 大気中のイオンの電荷を捕集するための
捕集電極と、 前記捕集電極に捕集される電荷により導通する半導体ス
イッチング手段と、 前記半導体スイッチング手段の導通により駆動される、
イオン検知を報知するための報知手段と、 を備えることを特徴とするイオン検知装置。
1. A collection electrode for collecting charges of ions in the atmosphere, a semiconductor switching unit that conducts by the charges collected by the collection electrode, and a semiconductor switching unit that is driven by conduction of the semiconductor switching unit. ,
A notifying unit for notifying ion detection, and an ion detecting device.
【請求項2】 請求項1記載のイオン検知装置におい
て、 前記半導体スイッチング手段が、前記捕集電極に捕集さ
れる負電荷により導通することを特徴とするイオン検知
装置。
2. The ion detection device according to claim 1, wherein the semiconductor switching means is turned on by negative charges collected by the collection electrode.
【請求項3】 請求項1記載のイオン検知装置におい
て、 前記半導体スイッチング手段が、電圧駆動型の半導体ス
イッチング素子であることを特徴とするイオン検知装
置。
3. The ion detector according to claim 1, wherein said semiconductor switching means is a voltage-driven semiconductor switching element.
【請求項4】 請求項1記載のイオン検知装置におい
て、 前記報知手段が、前記半導体スイッチング手段の導通に
より発光する発光素子であることを特徴とするイオン検
知装置。
4. The ion detection device according to claim 1, wherein the notification unit is a light emitting element that emits light when the semiconductor switching unit is turned on.
【請求項5】 請求項1記載のイオン検知装置におい
て、 前記報知手段が、前記半導体スイッチング手段の導通に
より接続される直流電源からの給電によって駆動するこ
とを特徴とするイオン検知装置。
5. The ion detection device according to claim 1, wherein the notification unit is driven by power supply from a DC power supply connected by conduction of the semiconductor switching unit.
【請求項6】 請求項1記載のイオン検知装置におい
て、 前記捕集電極に滞っている電荷を放電させる放電手段を
更に備えることを特徴とするイオン検知装置。
6. The ion detection device according to claim 1, further comprising a discharging unit configured to discharge the electric charge remaining in the collection electrode.
【請求項7】 請求項6記載のイオン検知装置におい
て、 前記放電手段が、前記捕集電極に滞っている電荷を、前
記半導体スイッチング手段が非導通状態になるよう放電
させることを特徴とするイオン検知装置。
7. The ion detector according to claim 6, wherein the discharging means discharges the electric charge remaining in the collecting electrode so that the semiconductor switching means is turned off. Detection device.
【請求項8】 大気中のイオンの電荷を捕集するため
の、各々が面積の異なる複数の捕集電極と、 前記各々の捕集電極に対応して設けられ、前記各々の捕
集電極に捕集される異なった大きさの電荷により夫々導
通する複数の半導体スイッチング手段と、 前記各々の半導体スイッチング手段に対応して設けら
れ、前記各々の半導体スイッチング手段の導通により駆
動される、イオン検知を報知するための複数の報知手段
と、 を備えることを特徴とするイオン検知装置。
8. A plurality of collecting electrodes, each having a different area, for collecting electric charges of ions in the atmosphere, and provided in correspondence with each of the collecting electrodes. A plurality of semiconductor switching means, each of which conducts by a different amount of collected electric charge, provided corresponding to each of the semiconductor switching means, and driven by conduction of each of the semiconductor switching means, to detect ions. An ion detecting device, comprising: a plurality of notifying means for notifying.
JP9091820A 1997-04-10 1997-04-10 Ion detection device Pending JPH10282168A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100351694B1 (en) * 1999-10-20 2002-09-11 닛본 덴기 가부시끼가이샤 Apparatus for measuring electric charge
JP2007114177A (en) * 2005-09-21 2007-05-10 Sharp Corp Ion detector and ion generator

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