JPH10281912A - Pressure sensor device - Google Patents

Pressure sensor device

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JPH10281912A
JPH10281912A JP9248097A JP9248097A JPH10281912A JP H10281912 A JPH10281912 A JP H10281912A JP 9248097 A JP9248097 A JP 9248097A JP 9248097 A JP9248097 A JP 9248097A JP H10281912 A JPH10281912 A JP H10281912A
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pressure
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oscillation
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Toshio Ikuta
敏雄 生田
Toshitaka Yamada
利貴 山田
Yasuaki Makino
牧野  泰明
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Denso Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure sensor device in which the increase in size or cost and complicated processing are suitably avoided, and a more precise sensor value corrected in dispersion of a characteristic or mechanical difference every sensor can be provided. SOLUTION: This device has a pressure sensor 100 having a pressure information extracting bridge circuit 1, a temperature information extracting bridge circuit 2, and a standard information extracting bridge circuit 3. In an EPROM 12 which is a nonvolatile memory, the temperature coefficient (a) related to temperature information T, the offset value (b) of the temperature information T at a standard temperature, the temperature characteristic coefficient (c) to pressure information D, the sensitivity (d) to the pressure information D at the standard temperature, the temperature coefficient (e) in the offset of the pressure information D, and the offset value (f) of the pressure information D at the standard temperature are prepared as correction data. A microcomputer 11 calculates a final pressure P according to P= (T/A-b)×(-e/a)+(D/ A-f)}/ (T/A-b)×(c/a)+d} (wherein A represents the standard information extracted by the bridge circuit 3).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、圧力センサ信号
をマイクロコンピュータ等の処理装置にて処理する圧力
センサ装置に関し、特により精度の高いセンサ値をより
効率よく得るための圧力センサ装置構造の具現に関する
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure sensor device for processing a pressure sensor signal by a processing device such as a microcomputer, and more particularly to a pressure sensor device structure for more efficiently obtaining a more accurate sensor value. Is what you want to do.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、各種の制御や処理にマイクロコン
ピュータが導入されるに及び、それら制御や処理のため
の各種情報を検出するセンサについてもその出力をマイ
クロコンピュータによって処理することが普通に行われ
つつある。
2. Description of the Related Art In recent years, microcomputers have been introduced for various controls and processes, and the output of sensors for detecting various information for such controls and processes is usually processed by the microcomputer. It is being done.

【0003】ここに従来、センサ及びそのセンサ信号を
処理するマイクロコンピュータ等の処理装置を有して構
成されるセンサ装置としては、例えば特開平3−688
15号公報に記載の装置が知られている。
[0003] Conventionally, as a sensor device having a sensor and a processing device such as a microcomputer for processing the sensor signal, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-688 is disclosed.
The device described in Japanese Patent Publication No. 15 is known.

【0004】因みに、同センサ装置では、その処理ユニ
ット(マイクロコンピュータ)内に検索テーブル(マッ
プ)を持ち、センサ側から入力される情報に応じてこの
検索テーブルでの関連付け(マップ演算)を行うことに
よってその所望のセンサ値を得るようにしている。
Incidentally, the sensor device has a search table (map) in its processing unit (microcomputer), and performs association (map calculation) in the search table in accordance with information input from the sensor side. To obtain the desired sensor value.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、センサ信
号をマイクロコンピュータ等により処理するようにした
ことで、各種の演算を極めて柔軟に行うことができると
ともに、それら得られる値の補正も容易である等、より
信頼性の高いセンサ値を得ることができるようになる。
As described above, by processing the sensor signals by the microcomputer or the like, various calculations can be performed extremely flexibly, and the obtained values can be easily corrected. For example, a more reliable sensor value can be obtained.

【0006】ところで通常、圧力センサが複数製造され
る場合には、たとえその仕様が同一のものであったとし
ても、それらセンサ毎に特性のばらつきや機差が存在す
る。このため、マイクロコンピュータ等の処理装置にお
いて、それらセンサの出力に対し上記演算や補正を一様
に施したのでは、センサ値として所望の精度が得られな
いこともある。
Generally, when a plurality of pressure sensors are manufactured, even if the specifications are the same, there are variations in characteristics and machine differences among the sensors. For this reason, in a processing device such as a microcomputer, if the above calculations and corrections are uniformly applied to the outputs of these sensors, a desired accuracy may not be obtained as a sensor value.

【0007】したがって、そうした高い精度が要求され
る場合には、上記センサ毎の特性のばらつきや機差につ
いてもこれを的確に補正する必要がある。しかし、それ
らセンサ毎の特性のばらつきや機差等を補正するための
データを上記処理装置に書き込むようにしたのではその
処理が煩雑となり、かといって、それら特性のばらつき
や機差等をセンサ内部で補正、吸収しようとすると、そ
のための何らかの処理回路を同センサ内部に必要とする
こととなり、センサ自身の大型化やコストアップも避け
られない。
Therefore, when such high precision is required, it is necessary to accurately correct variations in characteristics of each sensor and machine differences. However, if data for compensating for variations in the characteristics of each sensor and machine differences are written in the above-described processing device, the processing becomes complicated. If correction and absorption are to be performed internally, some processing circuit for that purpose is required inside the sensor, and the sensor itself is inevitably increased in size and cost.

【0008】この発明は、こうした実情に鑑みてなされ
たものであり、大型化やコストアップ、並びに煩雑な処
理等を好適に回避して、センサ毎の特性のばらつきや機
差等を補正したより精度の高いセンサ値を得ることので
きる圧力センサ装置を提供することを目的とする。
[0008] The present invention has been made in view of such circumstances, and it has been made possible to preferably avoid the increase in size, increase in cost, and complicated processing, and to compensate for variations in characteristics of each sensor and machine differences. It is an object of the present invention to provide a pressure sensor device that can obtain a highly accurate sensor value.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明に
よれば、上記温度情報抽出手段や基準情報抽出手段や不
揮発性メモリを設け、圧力情報D、温度情報T、基準情
報A、及び補正データa〜fに基づく演算を行うように
することで、センサ自身の温度特性やその他の特性ばら
つきによる影響を好適に除去することができるようにな
る。
According to the first aspect of the present invention, the temperature information extracting means, the reference information extracting means, and the nonvolatile memory are provided, and pressure information D, temperature information T, reference information A, By performing the calculation based on the correction data a to f, it is possible to suitably remove the influence of the temperature characteristic of the sensor itself and other characteristic variations.

【0010】つまり、前記補正データとして、温度情報
Tに関する温度係数aと、基準温度における温度情報T
のオフセット値bと、圧力情報Dに対する感度の温度特
性係数cと、基準温度における圧力情報Dに対する感度
dと、圧力情報Dのオフセットにおける温度係数eと、
基準温度における圧力情報Dのオフセット値fとを用意
し、演算手段は、 P={(T/A−b)×(−e/a)+(D/A−f)} /{(T/A−b)×(c/a)+d} …(1) にて最終圧力Pを算出する。といった演算構造を採用す
ることで、同検出対象とする圧力Pについての極めて精
度の高いセンサ値を得ることができるようになる。
That is, as the correction data, the temperature coefficient a relating to the temperature information T and the temperature information T at the reference temperature
An offset value b, a temperature characteristic coefficient c of sensitivity to pressure information D, a sensitivity d to pressure information D at a reference temperature, and a temperature coefficient e of offset of pressure information D,
An offset value f of the pressure information D at the reference temperature is prepared, and the calculating means calculates P = {(T / A−b) × (−e / a) + (D / A−f)} / {(T / A−b) × (c / a) + d} (1) The final pressure P is calculated. By employing such an arithmetic structure, it becomes possible to obtain an extremely accurate sensor value for the pressure P to be detected.

【0011】つまり、圧力情報D、温度情報T、基準情
報Aは、温度をtとしたとき、上記a〜fを用いて、 D={(ct+d)P+et+f}×β(t) …(2) T=(at+b)×β(t) …(3) A=β(t) …(4) で表せる。(2)式において、(ct+d)Pは、圧力
に関する感度項であり、fはオフセット量であり、et
はシフト量の補正項であり、×β(t)の項にて補正係
数をかけている。(3)式において、bはオフセット量
であり、atは温度に対する感度を示し、×β(t)の
項にて補正係数をかけている。(4)式は基準情報Aが
回路部の温度特性(非直線性)で表されることを示す。
That is, the pressure information D, the temperature information T, and the reference information A are represented by the following formulas using the above-mentioned a to f when the temperature is t: D = {(ct + d) P + et + f} × β (t) (2) T = (at + b) × β (t) (3) A = β (t) (4) In the equation (2), (ct + d) P is a sensitivity term relating to pressure, f is an offset amount, and et
Is a correction term of the shift amount, and a correction coefficient is multiplied by a term of xβ (t). In the equation (3), b is an offset amount, at represents sensitivity to temperature, and a correction coefficient is multiplied by a term of xβ (t). Equation (4) indicates that the reference information A is represented by the temperature characteristic (non-linearity) of the circuit section.

【0012】そして、この(2),(3),(4)式か
ら、最終圧力Pを求めるためにPについて解くと、上述
の(1)式を得る。このように、温度tに関する感度を
1次関数にて表すことにより容易に最終圧力Pを得るこ
とができる。
[0012] Then, from the equations (2), (3) and (4), when solving for P in order to obtain the final pressure P, the above equation (1) is obtained. Thus, the final pressure P can be easily obtained by expressing the sensitivity with respect to the temperature t by a linear function.

【0013】なお、前述した基準温度としては、例えば
室温とすることができる。ここで、請求項2に記載のよ
うにすると、センサ自身の温度特性やその他の特性ばら
つきによる影響を好適に除去することができるようにな
る。
The above-mentioned reference temperature can be, for example, room temperature. Here, according to the second aspect, it is possible to suitably remove the influence of the temperature characteristic of the sensor itself and other characteristic variations.

【0014】すなわち、上記検出対象となる圧力データ
そのものは、上記圧力情報抽出手段によって時定数変化
の付与された上記第1及び第2のCR発振回路による発
振出力の周波数差として得ることができるが、これには
通常、センサ自身の温度特性による誤差分や上記第1及
び第2のCR発振回路並びに上記周波数差演算手段等の
温度特性その他(第1及び第2系統間の特性ばらつき
等)による誤差分なども含まれている。
That is, the pressure data itself to be detected can be obtained as a frequency difference between the oscillation outputs of the first and second CR oscillation circuits to which the time constant change is given by the pressure information extracting means. This is usually due to the error due to the temperature characteristics of the sensor itself, the temperature characteristics of the first and second CR oscillation circuits, the frequency difference calculating means, and the like (variations in characteristics between the first and second systems, etc.). The error is also included.

【0015】また、請求項3記載の発明にようにする
と、それらブリッジ回路としての高い感度やパストラン
ジスタ型CR発振回路としての高い発振精度に基づき、
上述した圧力情報、温度情報、並びに基準情報の各情報
もより効率よく、且つ正確に得られるようになる。
According to the third aspect of the present invention, based on the high sensitivity of the bridge circuit and the high oscillation accuracy of the pass transistor type CR oscillation circuit,
Each of the above-described pressure information, temperature information, and reference information can be obtained more efficiently and accurately.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図1に、この発明にか
かる圧力センサ装置の一実施形態を示す。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the pressure sensor device according to the present invention.

【0017】この実施形態の圧力センサ装置は、センサ
毎の特性のばらつきや機差等を補正したより精度の高い
センサ値を得ることのできる装置として構成されてい
る。以下、同図1を参照して、この実施形態にかかる圧
力センサ装置の構成並びに動作について順次説明する。
The pressure sensor device of this embodiment is configured as a device that can obtain a more accurate sensor value by correcting variations in characteristics of each sensor, machine differences, and the like. Hereinafter, the configuration and operation of the pressure sensor device according to this embodiment will be sequentially described with reference to FIG.

【0018】図1に示されるように、圧力センサ装置は
大きく圧力センサ100とそのセンサ信号を所要に処理
するマイクロコンピュータ11とによって構成されてい
る。圧力センサ100は、その検出対象となる物理情報
を抽出する部分として、圧力情報抽出用ブリッジ回路
1、温度情報抽出用ブリッジ回路2、及び基準情報抽出
用ブリッジ回路3の3つのフルブリッジ回路を有してい
る。
As shown in FIG. 1, the pressure sensor device comprises a pressure sensor 100 and a microcomputer 11 for processing the sensor signal as required. The pressure sensor 100 has three full bridge circuits of a pressure information extraction bridge circuit 1, a temperature information extraction bridge circuit 2, and a reference information extraction bridge circuit 3 as portions for extracting physical information to be detected. doing.

【0019】このうち、圧力情報抽出用ブリッジ回路1
は、検出対象となる圧力の印加に応じてそれぞれ同図1
に矢指する態様で、ピエゾ抵抗効果によりその抵抗値が
変化する感圧抵抗素子R11、R12、R13、及びR14を有
して構成されている。
Among them, the pressure information extraction bridge circuit 1
FIG. 1 corresponds to the application of pressure to be detected.
, The pressure-sensitive resistance elements R11, R12, R13, and R14 whose resistance values change due to the piezoresistance effect.

【0020】このため、抵抗素子R11及びR12の中点電
位は、該圧力の印加量に応じて低くなり、逆に、抵抗素
子R13及びR14の中点電位は、同圧力の印加量に応じて
高くなる。そして、これら中点電位の電位差が、同ブリ
ッジ回路1によるブリッジ出力として取り出されるよう
になる。なお、該ブリッジ回路1による出力電圧は、上
記印加される圧力の他、当該センサの温度にも依存した
ものとなっている。
For this reason, the midpoint potential of the resistance elements R11 and R12 decreases according to the applied amount of the pressure, and conversely, the midpoint potential of the resistance elements R13 and R14 decreases according to the applied amount of the same pressure. Get higher. Then, the potential difference between these midpoint potentials is taken out as a bridge output by the bridge circuit 1. The output voltage of the bridge circuit 1 depends on the temperature of the sensor in addition to the applied pressure.

【0021】一方、温度情報抽出用ブリッジ回路2は、
センサ自身の温度に応じて抵抗値変化を生じる感温抵抗
素子R21及びR24と基本的に温度特性を持たない抵抗素
子R22及びR23とが、同図1に示される態様で接続され
たブリッジ回路として構成されている。
On the other hand, the temperature information extraction bridge circuit 2
As a bridge circuit in which the temperature-sensitive resistance elements R21 and R24, which generate a resistance value change according to the temperature of the sensor itself, and the resistance elements R22 and R23, which basically do not have temperature characteristics, are connected in the manner shown in FIG. It is configured.

【0022】このため、抵抗素子R21及びR22の中点電
位と抵抗素子R23及びR24の中点電位とでは、同センサ
自身の温度に応じた電位差を生じることとなり、こうし
た電位差が、同ブリッジ回路2によるブリッジ出力とし
て取り出されるようになる。なお、このブリッジ回路2
による出力電圧は基本的に、当該センサの温度のみに依
存したものとなっている。
For this reason, a potential difference corresponding to the temperature of the sensor itself occurs between the midpoint potentials of the resistance elements R21 and R22 and the midpoint potentials of the resistance elements R23 and R24. To be extracted as a bridge output. Note that this bridge circuit 2
Output voltage basically depends only on the temperature of the sensor.

【0023】そして、第3のブリッジ回路である基準情
報抽出用ブリッジ回路3は、何れも基本的には温度特性
を持たない抵抗素子R31、R32、R33、及びR34が同図
1に示される態様で接続されたブリッジ回路として構成
されている。
The reference bridge circuit 3 for extracting reference information, which is the third bridge circuit, includes resistance elements R31, R32, R33, and R34, each of which basically has no temperature characteristic, as shown in FIG. It is configured as a bridge circuit connected by.

【0024】このため、該ブリッジ回路3にあっては、
本来であれば、抵抗素子R31及びR32の中点電位と抵抗
素子R33及びR34の中点電位とで電位差を生じることは
ない。このことは、後述する時間数値変換回路(時間A
−D)9において同ブリッジ回路3の出力(電位差)に
ついての何らかの時間測定値が得られる場合、その測定
値は、以降の回路であるCR発振回路5及び6、分周回
路7及び8、並びに時間数値変換回路9の温度特性その
他のばらつきを示すようになることを意味する。この
「その他のばらつき」としては、上記CR発振回路や分
周回路での第1及び第2系統間での特性ばらつき等があ
る。
For this reason, in the bridge circuit 3,
Normally, there is no potential difference between the midpoint potential of the resistance elements R31 and R32 and the midpoint potential of the resistance elements R33 and R34. This is because the time value conversion circuit (time A
-D) If any time measurement value of the output (potential difference) of the bridge circuit 3 is obtained in 9, the measurement value is determined by the following circuits, the CR oscillation circuits 5 and 6, the frequency divider circuits 7 and 8, and This means that the temperature value conversion circuit 9 shows temperature characteristics and other variations. The “other variations” include variations in characteristics between the first and second systems in the CR oscillation circuit and the frequency divider circuit.

【0025】また、セレクタ4は、上記圧力情報抽出用
ブリッジ回路1、温度情報抽出用ブリッジ回路2、及び
基準情報抽出用ブリッジ回路3の各ブリッジ出力を、後
述する制御回路10から与えられる選択信号selに基
づき選択出力する回路である。それら選択されたブリッ
ジ出力は、同図1に示されるように、CR発振回路5及
び6の各MOSトランジスタ(以下、パストランジスタ
という)T5 及びT6に対し、それぞれ逆極性の電圧と
して与えられるようになる。
The selector 4 outputs the respective bridge outputs of the pressure information extraction bridge circuit 1, the temperature information extraction bridge circuit 2, and the reference information extraction bridge circuit 3 to a selection signal given from a control circuit 10 described later. This is a circuit for selectively outputting based on sel. As shown in FIG. 1, the selected bridge outputs are supplied to the MOS transistors (hereinafter referred to as pass transistors) T5 and T6 of the CR oscillation circuits 5 and 6 as voltages of opposite polarities, respectively. Become.

【0026】これらパストランジスタ型のCR発振回路
として構成されている第1及び第2のCR発振回路5及
び6は、それら各パストランジスタT5 及びT6 のオン
抵抗変化に応じて周波数(若しくは周期)の変化する交
番信号(ここでの例ではパルス信号)を発振する回路で
ある。
The first and second CR oscillating circuits 5 and 6 configured as these pass transistor type CR oscillating circuits have a frequency (or period) according to a change in on-resistance of each of the pass transistors T5 and T6. The circuit oscillates a changing alternating signal (a pulse signal in this example).

【0027】因みに、こうしたCR発振回路にあって
は、その発振周波数fが f=1/2πCR …(5) として決定されることから、上記パストランジスタT5
及びT6 のオン抵抗Rが大きければ低い周波数(長い周
期)の交番信号が発振され、同パストランジスタT5 及
びT6 のオン抵抗Rが小さければ高い周波数(短い周
期)のパルス信号が発振される。
Incidentally, in such a CR oscillation circuit, the oscillation frequency f is determined as f = 1 / 2πCR (5).
If the on-resistance R of T6 is large, an alternating signal of a low frequency (long cycle) is oscillated, and if the on-resistance R of the pass transistors T5 and T6 is small, a pulse signal of a high frequency (short cycle) is oscillated.

【0028】したがって、例えば上記圧力情報抽出用ブ
リッジ回路1のブリッジ出力が選択されている場合のよ
うに、検出対象となる圧力の印加に応じて、・第1のC
R発振回路5側のパストランジスタT5 は、そのPチャ
ネル電極が低電位、Nチャネル電極が高電位となり、そ
のオン抵抗が小さくなる。・第2のCR発振回路6側の
パストランジスタT6 は、そのPチャネル電極が高電
位、Nチャネル電極が低電位となり、そのオン抵抗が大
きくなる。といった状況となる場合には、第1のCR発
振回路5からは比較的周波数の高い(周期の短い)パル
ス信号が、また第2のCR発振回路6からは、それより
も周波数の低い(周期の長い)パルス信号がそれぞれ発
振出力されるようになる。
Therefore, for example, when the bridge output of the pressure information extraction bridge circuit 1 is selected, the first C
The pass transistor T5 on the side of the R oscillation circuit 5 has a low potential on the P-channel electrode and a high potential on the N-channel electrode, and has a low on-resistance. The pass transistor T6 on the side of the second CR oscillation circuit 6 has a high potential on the P-channel electrode and a low potential on the N-channel electrode, and has a large on-resistance. In such a case, a pulse signal having a relatively high frequency (short cycle) is output from the first CR oscillation circuit 5, and a pulse signal having a lower frequency (cycle) is output from the second CR oscillation circuit 6. Pulse signal is oscillated and output.

【0029】上記温度情報抽出用ブリッジ回路2のブリ
ッジ出力、及び基準情報抽出用ブリッジ回路3のブリッ
ジ出力についても、各々これに準じたかたちで、それら
電位差に応じた周波数(周期)を有するパルス信号が同
第1及び第2のCR発振回路5及び6から発振されるよ
うになることは云うまでもない。
The bridge output of the bridge circuit 2 for extracting temperature information and the bridge output of the bridge circuit 3 for extracting reference information also have a pulse signal having a frequency (period) corresponding to the potential difference in a manner similar to this. Is oscillated from the first and second CR oscillation circuits 5 and 6.

【0030】こうして第1及び第2のCR発振回路5及
び6から発振されたパルス信号は何れも、第1及び第2
の分周回路7及び8によりそれぞれ例えば数100倍の
時間幅に分周されて、時間数値変換回路9に取り込まれ
る。
The pulse signals oscillated from the first and second CR oscillation circuits 5 and 6 in this manner are both the first and second CR oscillation circuits.
Are divided into, for example, several hundred times the time width by the frequency dividing circuits 7 and 8, and are taken into the time / numerical value converting circuit 9.

【0031】時間数値変換回路9は、これら分周された
第1及び第2のCR発振回路5及び6の2つの発振パル
スに基づきその周波数差(周期時間差)を求めてこれを
ディジタル信号に変換する回路である。その処理態様の
一例を図2に示す。
The time value conversion circuit 9 obtains the frequency difference (period / time difference) based on the divided two oscillation pulses of the first and second CR oscillation circuits 5 and 6, and converts this to a digital signal. Circuit. FIG. 2 shows an example of the processing mode.

【0032】すなわちこの図2に示されるように、上記
第1のCR発振回路5からは、図2(a)にその分周出
力として示されるような比較的周波数の高い(周期の短
い)パルス信号が出力され、他方の第2のCR発振回路
6からは、図2(b)に同じくその分周出力として示さ
れるようなそれよりも周波数の低い(周期の長い)パル
ス信号が出力されているとするとき、該時間数値変換回
路9では、図2(c)に示される態様で、それら周期時
間T1及びT2の差(T1−T2)を求め、その求めた
時間差(T1−T2)を所定の分解能にてディジタル信
号に変換することとなる。なお、同時間数値変換回路9
の詳細については、「電子情報通信学会論文誌 C−I
I Vol.J78−C−II No.6 pp.36
6−374 1995年6月 『ディジタル処理による
高精度化と複数パルス測定を可能とした時間A−D変換
LSI』 渡辺高元 他著」に記述されているため、こ
こでの重複する説明は割愛する。
That is, as shown in FIG. 2, the first CR oscillation circuit 5 outputs a pulse having a relatively high frequency (short period) as shown as a frequency divided output in FIG. A signal is output, and the other second CR oscillation circuit 6 outputs a pulse signal having a lower frequency (longer cycle) than that shown in FIG. 2C, the difference (T1−T2) between the cycle times T1 and T2 is calculated in the time numerical value conversion circuit 9 in the manner shown in FIG. 2C, and the calculated time difference (T1−T2) is calculated. It is converted into a digital signal at a predetermined resolution. The same-time numerical conversion circuit 9
For more information, please refer to the IEICE Transactions CI
I Vol. J78-C-II No. 6 pp. 36
6-374 June 1995 "Time A / D conversion LSI enabling high precision and multiple pulse measurement by digital processing" written by Takamoto Watanabe et al. " I do.

【0033】こうして、入力される2つのパルス信号に
ついてその周波数差(周期時間差)を求め、ディジタル
変換した時間数値変換回路9は、これを周波数差(周期
時間差)情報fsとして、マイクロコンピュータ11に
出力する。なお、以下では便宜上、上記圧力情報抽出用
ブリッジ回路1のブリッジ出力について求めた周波数差
(周期時間差)情報fsについてはこれを圧力情報Dと
云い、上記温度情報抽出用ブリッジ回路2のブリッジ出
力について求めた周波数差(周期時間差)情報fsにつ
いてはこれを温度情報Tと云い、上記基準情報抽出用ブ
リッジ回路3のブリッジ出力について求めた周波数差
(周期時間差)情報fsについてはこれを基準情報Aと
云う。
In this way, the frequency difference (period-time difference) is obtained for the two input pulse signals, and the digital-to-digital converted time / numerical value conversion circuit 9 outputs this to the microcomputer 11 as frequency difference (period-time difference) information fs. I do. In the following, for the sake of convenience, the frequency difference (period / time difference) information fs obtained for the bridge output of the pressure information extraction bridge circuit 1 is referred to as pressure information D, and the bridge output of the temperature information extraction bridge circuit 2 is referred to as pressure information D. The obtained frequency difference (period time difference) information fs is referred to as temperature information T, and the frequency difference (period time difference) information fs obtained for the bridge output of the reference information extraction bridge circuit 3 is referred to as reference information A. say.

【0034】本例では、分周回路7,8及び時間数値変
換回路9にて周波数差演算手段が構成されている。制御
回路10は、上記セレクタ4を通じたブリッジ出力の選
択や上記時間数値変換回路9の起動を制御する。演算手
段としてのマイクロコンピュータ11は得られた圧力情
報D、温度情報T、及び基準情報Aに、不揮発性メモリ
であるEPROM12に予め記憶されている当該センサ
自身の特性のばらつきや機差等を補正するための補正デ
ータ(定数a〜f)を付加して演算を行い最終圧力値P
を出力する回路である。
In this embodiment, the frequency dividers 7 and 8 and the time value converter 9 constitute a frequency difference calculator. The control circuit 10 controls selection of a bridge output through the selector 4 and activation of the time value conversion circuit 9. The microcomputer 11 as an arithmetic means corrects the obtained pressure information D, temperature information T, and reference information A for variations in characteristics of the sensor itself and machine differences which are stored in advance in the EPROM 12 which is a nonvolatile memory. Calculation by adding correction data (constants a to f) for the final pressure value P
Is a circuit that outputs.

【0035】具体的には上記EPROM12に予め記憶
する補正データとして、 ・温度情報Tに関する温度係数a、 ・基準温度における温度情報Tのオフセット値b、 ・圧力情報Dに対する感度の温度特性係数c、 ・基準温度における圧力情報Dに対する感度d、 ・圧力情報Dのオフセットにおける温度係数e、 ・基準温度における圧力情報Dのオフセット値f の6つのデータ(定数)が用意されている。これらデー
タは何れも、センサの製造ばらつき等によって異なるの
が普通であり、同実施形態の装置では、当該センサの作
り込みの段階で、これら補正データa〜fを上記EPR
OM12に書き込むようにしている。
Specifically, the correction data stored in advance in the EPROM 12 include: a temperature coefficient a relating to the temperature information T; an offset value b of the temperature information T at the reference temperature; a temperature characteristic coefficient c of sensitivity to the pressure information D; Six data (constants) of sensitivity d to pressure information D at the reference temperature, temperature coefficient e at offset of pressure information D, and offset value f of pressure information D at reference temperature are prepared. Normally, all of these data differ depending on manufacturing variations of the sensor, etc., and in the apparatus of the embodiment, the correction data a to f
The data is written to the OM12.

【0036】マイクロコンピュータ11は、CPU11
aをはじめ、プログラムメモリとしてのROM11b、
及びデータメモリとしてのRAM11c等により構成さ
れており、上記分離復調された補正データa〜f、圧力
情報D、温度情報T、及び基準情報AをRAM11cの
それぞれ所定領域に一括して取り込んだ後、ROM11
bに予登録されている図3に例示する演算プログラムを
上記CPU11aを通じて実行する。
The microcomputer 11 includes a CPU 11
a, a ROM 11b as a program memory,
And the RAM 11c as a data memory, etc., and collectively collects the separated and demodulated correction data a to f, the pressure information D, the temperature information T, and the reference information A into predetermined areas of the RAM 11c, ROM11
The arithmetic program illustrated in FIG. 3 pre-registered in b is executed through the CPU 11a.

【0037】すなわち、この図3に示す演算ルーチンに
おいて、CPU11aは、ステップ201及びステップ
202にて、RAM11cに格納した圧力情報D、温度
情報T、基準情報A、並びに補正データa〜fを読み込
んだ後、ステップ203にて、演算 P={(T/A−b)×(−e/a)+(D/A−f)} /{(T/A−b)×(c/a)+d} …(6) を実行して、最終の圧力情報Pを算出する。
That is, in the calculation routine shown in FIG. 3, the CPU 11a reads the pressure information D, the temperature information T, the reference information A, and the correction data a to f stored in the RAM 11c in steps 201 and 202. Thereafter, in step 203, the calculation P = {(T / A−b) × (−e / a) + (D / A−f)} / {(T / A−b) × (c / a) + d … (6) is executed to calculate the final pressure information P.

【0038】この式の算出の根拠となった式は前述の
(2)〜(4)式であるが、それについては前述した通
りであり、ここではその説明は省略する。なお、「D/
A」及び「T/A」は、それぞれ上記圧力情報D及び温
度情報Tについて、センサ内の上記第1及び第2のCR
発振回路5及び6、分周回路7及び8、並びに時間数値
変換回路9の温度特性や系統間の特性ばらつきを正規化
するための処理である。基準情報Aがこれら回路におけ
る温度特性や系統間の特性ばらつきに対応した情報とな
ることは前述した。
The equations which are the basis of the calculation of the equations are the above-mentioned equations (2) to (4), which are as described above, and the description thereof will be omitted here. In addition, "D /
A "and" T / A "are the first and second CRs in the sensor for the pressure information D and the temperature information T, respectively.
This is a process for normalizing the temperature characteristics of the oscillation circuits 5 and 6, the frequency divider circuits 7 and 8, and the time value conversion circuit 9 and the variation in characteristics between the systems. As described above, the reference information A is information corresponding to temperature characteristics in these circuits and characteristic variations between systems.

【0039】上記圧力情報抽出用ブリッジ回路1を通じ
て抽出される圧力情報D(出力電圧)がセンサに印加さ
れる圧力の他、センサ自身の温度にも依存したものとな
っていることは前述した通りであるが、このような圧力
情報Dに対して上記(6)式の演算を施すことにより、
検出対象とする物理情報である圧力Pについての極めて
精度の高いセンサ値を得ることができるようになる。具
体的には精度として2%FS以内とすることができる。
As described above, the pressure information D (output voltage) extracted through the pressure information extraction bridge circuit 1 depends not only on the pressure applied to the sensor but also on the temperature of the sensor itself. However, by performing the calculation of the above equation (6) on such pressure information D,
An extremely accurate sensor value for the pressure P, which is physical information to be detected, can be obtained. Specifically, the accuracy can be set within 2% FS.

【0040】以上説明したように、この実施形態にかか
る圧力センサ装置によれば、 (1)上記圧力情報抽出用ブリッジ回路1、温度情報抽
出用ブリッジ回路2、及び基準情報抽出用ブリッジ回路
3といった3つのブリッジ回路を設けるとともに、補正
データa〜fを記憶したEPROM12を設け、圧力情
報抽出用ブリッジ回路1を通じて得られる圧力情報D
を、温度情報抽出用ブリッジ回路2を通じて得られる温
度情報T、基準情報抽出用ブリッジ回路3を通じて得ら
れる基準情報A、並びに補正データa〜fによって、そ
れぞれ補償するようにしたことで、センサ自身の温度特
性やその他の特性ばらつきによる影響を好適に除去する
ことができるようになる。具体的には、上記(6)式に
基づいてその最終的な圧力Pを算出するようにしたこと
で、その物理情報として、極めて精度の高い値を得るこ
とができるようになる。
As described above, according to the pressure sensor device of this embodiment, (1) the bridge circuit 1 for extracting pressure information, the bridge circuit 2 for extracting temperature information, and the bridge circuit 3 for extracting reference information. In addition to providing three bridge circuits, an EPROM 12 storing correction data a to f is provided, and pressure information D obtained through the pressure information extraction bridge circuit 1 is provided.
Is compensated for by the temperature information T obtained through the temperature information extraction bridge circuit 2, the reference information A obtained through the reference information extraction bridge circuit 3, and the correction data a to f. The effects of temperature characteristics and other characteristic variations can be suitably removed. Specifically, by calculating the final pressure P based on the above equation (6), an extremely accurate value can be obtained as the physical information.

【0041】なお、同実施形態においては、圧力情報抽
出用ブリッジ回路1を構成する全ての抵抗素子に感圧抵
抗素子を用いるようにしたが、例えば抵抗素子R11及び
R12の何れか一方のみ、或いは抵抗素子R13及びR14の
何れか一方のみに該感圧抵抗素子を用いる等の構成も適
宜可能である。要は、圧力の印加に応じた電位差がその
ブリッジ出力を通じて得られる構成であればよい。
In the embodiment, the pressure-sensitive resistance elements are used for all the resistance elements constituting the pressure information extraction bridge circuit 1. For example, only one of the resistance elements R11 and R12, or A configuration in which the pressure-sensitive resistance element is used for only one of the resistance elements R13 and R14 is also possible as appropriate. In short, any configuration may be used as long as a potential difference corresponding to the application of pressure can be obtained through the bridge output.

【0042】また同様に、温度情報抽出用ブリッジ回路
2においても、例えば抵抗素子R24のみに感温抵抗素子
を用いる等の構成が可能である。これも要は、センサの
温度に応じた電位差がそのブリッジ出力を通じて得られ
さえすればよい。
Similarly, the temperature information extracting bridge circuit 2 can be configured to use a temperature-sensitive resistance element only for the resistance element R24, for example. In other words, it is only necessary that a potential difference corresponding to the temperature of the sensor be obtained through the bridge output.

【0043】また、同実施形態においては、第1及び第
2のCR発振回路としてパストランジスタ型のCR発振
回路を用いたが、パストランジスタに代わって抵抗素子
が挿入され、そのCR時定数に応じた周期を有する交番
信号を発振するタイプの発振回路なども適宜採用するこ
とができる。
In this embodiment, a pass transistor type CR oscillation circuit is used as the first and second CR oscillation circuits. However, a resistance element is inserted in place of the pass transistor, and the resistance is changed according to the CR time constant. An oscillation circuit of a type that oscillates an alternating signal having a predetermined cycle can be appropriately employed.

【0044】そしてこの場合、上記圧力情報をはじめ、
温度情報や基準情報を抽出する手段が必ずしもブリッジ
回路を構成している必要はなく、圧力情報を抽出する手
段であれば、 ・検出対象となる圧力の印加に応じたそれぞれ異なる時
定数変化をそれら第1及び第2のCR発振回路に対して
付与し得るもの。また、温度情報を抽出する手段であれ
ば、 ・当該センサの温度に応じたそれぞれ異なる時定数変化
をそれら第1及び第2のCR発振回路に対して付与し得
るもの。そして、基準情報を抽出する手段であれば、 ・検出対象となる圧力の印加及び当該センサの温度と無
関係にそれぞれ異なる時定数変化をそれら第1及び第2
のCR発振回路に対して付与し得るもの。でありさえす
ればよい。
In this case, including the pressure information,
The means for extracting temperature information and reference information need not necessarily constitute a bridge circuit, but may be any means for extracting pressure information. What can be given to the first and second CR oscillation circuits. Also, if it is a means for extracting temperature information, it can apply different time constant changes corresponding to the temperature of the sensor to the first and second CR oscillation circuits. If the means for extracting the reference information is: the first and second time constant changes different from each other regardless of the application of the pressure to be detected and the temperature of the sensor;
That can be given to the CR oscillation circuit. It just needs to be.

【0045】また、それらセンサ固有の補正データを記
憶保持する手段としても、上記EPROM12に限ら
ず、他の書き換え可能なROM(EEPROMやフラッ
シュROM等)、或いはSRAM等の不揮発性メモリを
採用することができる。
The means for storing and holding the correction data unique to the sensor is not limited to the EPROM 12, but may be another rewritable ROM (EEPROM or flash ROM) or a nonvolatile memory such as an SRAM. Can be.

【0046】また、発振周波数を数値化する回路として
は、上記実施形態以外に、単一時間内の発振パルス数を
カウントする方法などもよく用いられる。また、マイク
ロコンピュータ11を用いる代わりに、同じ機能を有す
る演算処理回路を圧力センサ100を構成するチップ上
に形成して全体を1チップ化してもよい。
As a circuit for digitizing the oscillation frequency, a method of counting the number of oscillation pulses in a single time is often used in addition to the above embodiment. Instead of using the microcomputer 11, an arithmetic processing circuit having the same function may be formed on a chip constituting the pressure sensor 100, and the whole may be formed into one chip.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明にかかる圧力センサ装置の一実施形態
を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a pressure sensor device according to the present invention.

【図2】図1に示される時間数値変換回路(時間A−
D)の処理態様を示すタイムチャート。
FIG. 2 is a time numerical value conversion circuit (time A-
4 is a time chart illustrating the processing mode of D).

【図3】センサ値演算手順を示すフローチャート。FIG. 3 is a flowchart illustrating a sensor value calculation procedure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…圧力情報抽出用ブリッジ回路、2…温度情報抽出用
ブリッジ回路、3…基準情報抽出用ブリッジ回路、5…
第1のCR発振回路、6…第2のCR発振回路、7…第
1の分周回路、8…第2の分周回路、9…時間数値変換
回路、11…マイクロコンピュータ、11a…CPU、
11b…ROM、11c…RAM、12…EPROM。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Bridge circuit for extracting pressure information, 2 ... Bridge circuit for extracting temperature information, 3 ... Bridge circuit for extracting reference information, 5 ...
1st CR oscillation circuit, 6 ... second CR oscillation circuit, 7 ... first frequency divider circuit, 8 ... second frequency divider circuit, 9 ... time value conversion circuit, 11 ... microcomputer, 11a ... CPU,
11b ROM, 11c RAM, 12 EPROM.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 検出対象となる圧力の印加に応じた圧力
情報を抽出する圧力情報抽出手段と、 センサの温度に応じた温度情報を抽出する温度情報抽出
手段と、 前記検出対象となる圧力の印加及び当該センサの温度と
は無関係な基準情報を抽出する基準情報抽出手段と、 センサの特性のばらつきや機差等を補正するためのデー
タが予め記憶された不揮発性メモリと、 前記圧力情報D、温度情報T、基準情報Aおよび補正デ
ータに基づき最終圧力を算出する演算手段とを備えた圧
力センサ装置であって、 前記補正データとして、 温度情報Tに関する温度係数aと、 基準温度における温度情報Tのオフセット値bと、 圧力情報Dに対する感度の温度特性係数cと、 基準温度における圧力情報Dに対する感度dと、 圧力情報Dのオフセットにおける温度係数eと、 基準温度における圧力情報Dのオフセット値fとを用意
し、 前記演算手段は、 P={(T/A−b)×(−e/a)+(D/A−
f)}/{(T/A−b)×(c/a)+d} にて最終圧力Pを算出するようにしたことを特徴とする
圧力センサ装置。
A pressure information extracting unit that extracts pressure information according to the application of a pressure to be detected; a temperature information extracting unit that extracts temperature information according to a temperature of a sensor; A reference information extracting means for extracting reference information irrelevant to the application and the temperature of the sensor; a non-volatile memory in which data for correcting variations in characteristics of the sensor, machine differences, and the like are stored in advance; Calculating means for calculating a final pressure based on temperature information T, reference information A and correction data, wherein the correction data includes a temperature coefficient a relating to temperature information T, and temperature information at a reference temperature. T offset value b, temperature characteristic coefficient c of sensitivity to pressure information D, sensitivity d to pressure information D at a reference temperature, and offset of pressure information D And temperature coefficient e that, prepared and offset value f of the pressure information D at the reference temperature, said computing means, P = {(T / A-b) × (-e / a) + (D / A-
f) A pressure sensor device wherein the final pressure P is calculated by {/ {(T / A−b) × (c / a) + d}.
【請求項2】 静電容量(C)−抵抗(R)時定数に応
じた周期を有する交番信号を発振する第1のCR発振回
路と、 同じく静電容量−抵抗時定数に応じた周期を有する交番
信号を発振する第2のCR発振回路と、 を備え、 前記圧力情報抽出手段は、検出対象となる圧力の印加に
応じたそれぞれ異なる時定数変化を前記第1及び第2の
CR発振回路に対して付与し、 前記温度情報抽出手段は、センサの温度に応じたそれぞ
れ異なる時定数変化を前記第1及び第2のCR発振回路
に対して付与し、 前記基準情報抽出手段は、検出対象となる圧力の印加及
び当該センサの温度と無関係にそれぞれ異なる時定数変
化を前記第1及び第2のCR発振回路に対して付与し、 前記圧力情報抽出手段によって時定数変化の付与された
前記第1及び第2のCR発振回路による発振出力の周波
数差、及び前記温度情報抽出手段によって時定数変化の
付与された前記第1及び第2のCR発振回路による発振
出力の周波数差、そして前記基準情報抽出手段によって
時定数変化の付与された前記第1及び第2のCR発振回
路による発振出力の周波数差をそれぞれ演算する周波数
差演算手段と、を備えた請求項1記載の圧力センサ装
置。
2. A first CR oscillation circuit that oscillates an alternating signal having a period according to a capacitance (C) -resistance (R) time constant, and a period according to the capacitance-resistance time constant. A second CR oscillating circuit for oscillating an alternating signal having the first and second CR oscillating circuits, wherein the pressure information extracting means performs different time constant changes according to the application of pressure to be detected. The temperature information extracting means applies different time constant changes according to the temperature of the sensor to the first and second CR oscillation circuits, and the reference information extracting means provides Different time constant changes are applied to the first and second CR oscillation circuits irrespective of the pressure applied and the temperature of the sensor, and the time constant change is given by the pressure information extracting means. 1 and 2nd C A frequency difference between oscillation outputs of the R oscillation circuit, a frequency difference between oscillation outputs of the first and second CR oscillation circuits to which a time constant change is given by the temperature information extracting means, and a time constant of the reference information extracting means. 2. The pressure sensor device according to claim 1, further comprising: frequency difference calculating means for calculating a frequency difference between oscillation outputs of the first and second CR oscillation circuits to which a change has been given.
【請求項3】 前記圧力情報抽出手段は、検出対象とな
る圧力の印加に応じて第1の方向への抵抗値変化を生じ
る第1の感圧抵抗素子と、同じく検出対象となる圧力の
印加に応じて前記第1の方向とは逆の第2の方向への抵
抗値変化を生じる第2の感圧抵抗素子とによって構成さ
れる第1のブリッジ回路であり、 前記温度情報抽出手段は、当該センサの温度に応じて抵
抗値変化を生じる感温抵抗素子と、基本的に温度特性を
持たない抵抗素子とによって構成される第2のブリッジ
回路であり、 前記基準情報抽出手段は、基本的に温度特性を持たない
抵抗素子によって構成される第3のブリッジ回路であ
り、 前記第1及び第2のCR発振回路は、前記第1〜第3の
ブリッジ回路の各出力電圧がそれぞれ逆極性にて印加さ
れるMOSトランジスタを有し、それらMOSトランジ
スタのオン抵抗変化に応じて前記発振する交番信号の周
期が変化するMOSトランジスタ型のCR発振回路であ
る請求項2記載の圧力センサ装置。
3. The pressure information extracting means includes: a first pressure-sensitive resistance element that changes a resistance value in a first direction in response to application of a pressure to be detected; A second pressure-sensitive resistance element that generates a resistance change in a second direction opposite to the first direction in accordance with the first direction. A second bridge circuit including a temperature-sensitive resistance element that changes a resistance value according to the temperature of the sensor and a resistance element that basically does not have a temperature characteristic; A third bridge circuit configured by a resistance element having no temperature characteristic, wherein the first and second CR oscillation circuits are configured such that output voltages of the first to third bridge circuits have respective opposite polarities. MOS transistor applied 3. The pressure sensor device according to claim 2, wherein the pressure sensor device is a MOS transistor type CR oscillation circuit in which a cycle of the oscillating alternating signal changes according to a change in on-resistance of the MOS transistor.
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