JPH10275573A - Vacuum envelope and image forming device - Google Patents

Vacuum envelope and image forming device

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JPH10275573A
JPH10275573A JP7978097A JP7978097A JPH10275573A JP H10275573 A JPH10275573 A JP H10275573A JP 7978097 A JP7978097 A JP 7978097A JP 7978097 A JP7978097 A JP 7978097A JP H10275573 A JPH10275573 A JP H10275573A
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JP
Japan
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plate
electron
bonding
image forming
vacuum
Prior art date
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Application number
JP7978097A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Kawate
信一 河手
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH10275573A publication Critical patent/JPH10275573A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce electric power cost and provide an image forming device and a vacuum envelope almost free of deterioration of luminance, reduced service life, or deterioration of a getter effect by employing an adhesive essentially consisting of a fusion liquid crystal polymer resin as a bonding agent. SOLUTION: An element substrate 101 and a face plate 102 are bonded with a surrounding support frame 103 via adhesives 104 and 105 essentially consisting of a fusion liquid crystal resin with a melting point of 300 to 380 deg.C. At this time, one adhering process at 300 to 380 deg.C in maximum heat treatment temperature is enough, therefore, an adhering process lower than about 400 deg.C at minimum required for a flit adhering process is allowed, and thus electric power cost reduction, lowering of luminance, and reduced service life are ensured. Here, when a melting point is 380 deg.C or higher, the significance in temperature difference with 400 deg.C due to a conventional flit is reduced, and when it is 300 deg.C, a fusion liquid crystal polymer resin flows during baking in vacuum, and displacement among a plate 102, an element substrate 101, the support frame 103, and the element substrate 101, plate 102, and a spacer occurs.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主にガラス部材を
接合剤を用いて接合してなる内部を真空維持する真空外
囲器及びその真空外囲器を備えた画像形成装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum envelope for maintaining a vacuum inside a glass member mainly by using a bonding agent and an image forming apparatus provided with the vacuum envelope.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、内部を真空維持可能にする真
空外囲器を製造するためには、フェースプレート及びリ
アプレートと外枠の接合部分に接合剤として、フリット
(低融点ガラス)が用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to manufacture a vacuum envelope capable of maintaining a vacuum inside, a frit (low-melting glass) is used as a bonding agent at a joint between a face plate, a rear plate, and an outer frame. Have been.

【0003】すなわち、接合剤として、接合部分にフリ
ット(低融点ガラス)を形成・焼成することにより、接
合部分が気密に封着され、内部を真空維持可能な真空外
囲器が作製される。このフリット(低融点ガラス)を用
いたガラスの封着は、大気中(常圧)において、およそ
400〜500℃での焼成が必要である。
[0003] That is, a frit (low melting point glass) is formed and baked on a joining portion as a joining agent, whereby the joining portion is hermetically sealed and a vacuum envelope capable of maintaining a vacuum inside is produced. Glass sealing using this frit (low-melting glass) requires baking at about 400 to 500 ° C. in the atmosphere (normal pressure).

【0004】また従来より、一般に電子を用いた画像形
成装置においては、ガラス部材であるフェースプレー
ト、リアプレート及び外枠からなる真空(減圧)雰囲気
を維持する真空外囲器と、その内部に電子を放出させる
ための電子源と、画像信号によりその電子源を駆動する
駆動回路と、電子の衝突により発光する蛍光体等を有す
る画像形成部材と、電子を画像形成部材に向けて加速す
るための加速電極と、その高圧電源等が必要である。
Conventionally, in an image forming apparatus generally using electrons, a vacuum envelope for maintaining a vacuum (reduced pressure) atmosphere composed of a face plate, a rear plate and an outer frame, which are glass members, and an electron inside the vacuum envelope. An electron source for emitting light, a driving circuit for driving the electron source according to an image signal, an image forming member having a phosphor or the like that emits light by collision of electrons, and an image forming member for accelerating the electrons toward the image forming member. An accelerating electrode and its high-voltage power supply are required.

【0005】電子放出素子を用いた画像形成装置とし
て、図17に示す様な装置が知られている(例えば、本
出願人の特開平8−83578号公報)。図17におい
て、リアプレート801と外枠802とフロントプレー
ト806とから真空外囲器が構成され、リアプレート8
01上には電子放出素子704と外部からの走査信号を
取り込む行電極702(Dox1〜Doxm)と列電極703
(Doy1〜Doyn)が形成され、フェースプレート806
内には透明電極としてのメタルバック805と蛍光体8
04とフェースプレート803とから構成されており、
メタルバック805に高電圧を供給する高圧端子HV8
07を備えている。また、図18は、この画像形成装置
のB−B′の片方部の断面図である。図18に示す様
に、接合剤1704,1705を介して、リアプレート
(電子放出素子基板)1701及びフェースプレート
(蛍光体基板)1702は外枠1703との接合部分に
おいて、それぞれフリットにより接合(封着)されてい
る。図中、1701は青板ガラスからなるリアプレー
ト、1702は青板ガラスからなるフェースプレート、
1703は青板ガラスからなる外枠、1706は上配
線、1707は素子電極(上配線側)、1708は電子
放出部を含む導電性薄膜、1709は蛍光体、1710
はメタルバックである。なお、下配線および素子電極
(下配線側)は不図示である。
As an image forming apparatus using an electron-emitting device, an apparatus as shown in FIG. 17 is known (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-83578 of the present applicant). In FIG. 17, a vacuum envelope is composed of a rear plate 801, an outer frame 802, and a front plate 806, and the rear plate 8
01, an electron-emitting device 704, a row electrode 702 (Dox1 to Doxm) and a column electrode 703 for taking in a scanning signal from the outside.
(Doy1 to Doyn) are formed, and the face plate 806 is formed.
Inside are a metal back 805 as a transparent electrode and a phosphor 8
04 and a face plate 803,
High voltage terminal HV8 for supplying high voltage to metal back 805
07. FIG. 18 is a cross-sectional view of one part of BB 'of the image forming apparatus. As shown in FIG. 18, a rear plate (electron-emitting device substrate) 1701 and a face plate (phosphor substrate) 1702 are joined (sealed) by a frit via bonding agents 1704 and 1705, respectively, at a joint portion with an outer frame 1703. Wear). In the figure, 1701 is a rear plate made of soda-lime glass, 1702 is a face plate made of soda-lime glass,
1703 is an outer frame made of soda lime glass, 1706 is an upper wiring, 1707 is an element electrode (upper wiring side), 1708 is a conductive thin film including an electron emitting portion, 1709 is a phosphor, 1710
Is a metal back. The lower wiring and the element electrode (lower wiring side) are not shown.

【0006】また、薄型画像形成装置の様に扁平な真空
外囲器を用いる画像形成装置においては、耐大気圧支持
構造体としてスペーサが用いられることが多い(例え
ば、特開平2−399136号公報)。スペーサも同様
にフリットにより固定される。
Further, in an image forming apparatus using a flat vacuum envelope such as a thin image forming apparatus, a spacer is often used as an atmospheric pressure-resistant support structure (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-399136). ). The spacer is similarly fixed by the frit.

【0007】従来、表面伝導型電子放出素子において
は、電子放出を行う前に導電性薄膜を予め通電フォーミ
ングと呼ばれる通電処理によって電子放出部を形成する
のが一般的であった。即ち、通電フォーミングとは導電
性薄膜両端に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした昇
電圧を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形も
しくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放
出部を形成することである。尚、電子放出部は導電性薄
膜の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から電子放出が行
われる。前記通電フォーミング処理をした表面伝導型電
子放出素子は、上述導電性薄膜に電圧を印加し、素子に
電流を流すことにより上述の電子放出部より電子を放出
せしめるものである。
Conventionally, in a surface-conduction electron-emitting device, an electron-emitting portion is generally formed by applying an energization process called energization forming to a conductive thin film before electron emission. In other words, energization forming is an electron in which a direct current voltage or a very slowly increasing voltage is applied to both ends of a conductive thin film and energized to locally destroy, deform or alter the conductive thin film, thereby making the conductive thin film an electrically high-resistance state. The formation of the emission part. In the electron emitting portion, a crack is generated in a part of the conductive thin film, and electrons are emitted from the vicinity of the crack. The surface conduction type electron-emitting device that has been subjected to the energization forming process is configured to apply a voltage to the conductive thin film and cause a current to flow through the device to cause the electron-emitting portion to emit electrons.

【0008】当該電子放出部のフォーミングを終えた素
子には、活性化処理を施すのが好ましい。活性化処理
は、例えば有機物質のガスを含有する雰囲気下で、通電
フォーミングと同様に、導電性薄膜両端にパルスの印加
を繰り返すことで行うことができる。この処理により容
器内の雰囲気中に存在する有機物質から炭素あるいは炭
素化合物が素子上に堆積し、電子放出素子の放出電子線
量が増加して、電子放出電流が増加する。さらに、活性
化を終えた後に、電子放出素子の両電極間に印加する電
圧に対する素子電流のばらつきを縮小するために、一定
電圧のパルス波、又は振幅が暫増するパルス波を印加し
て安定化する安定化処理を行う。
It is preferable to perform an activation process on the device after the forming of the electron-emitting portion. The activation treatment can be performed, for example, by repeatedly applying a pulse to both ends of the conductive thin film in an atmosphere containing an organic substance gas, similarly to the energization forming. By this processing, carbon or a carbon compound is deposited on the device from organic substances existing in the atmosphere in the container, and the amount of emitted electrons of the electron-emitting device increases, so that the electron emission current increases. Furthermore, after the activation is completed, in order to reduce the variation of the device current with respect to the voltage applied between the two electrodes of the electron-emitting device, a pulse wave of a constant voltage or a pulse wave whose amplitude is temporarily increased is applied and stabilized. Perform stabilization processing.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の画像形成装置をはじめとする真空外囲器の接合部
分に接合剤として、フリット接着(封着)が用いられた
場合には、最低およそ400℃での焼成が必要であるた
め、以下のような問題点があった。
However, when frit bonding (sealing) is used as a bonding agent at a bonding portion of a vacuum envelope including the above-described conventional image forming apparatus, at least approximately Since firing at 400 ° C. is necessary, there are the following problems.

【0010】(1)フリット接着工程では、通常、仮焼
成工程と呼ばれるバインダーを除去する工程を行った
後、封着工程を行うという2度の焼成工程が必要とされ
るために、より低温で1工程で行える接着工程に比べ
て、温度が高く、より多くの時間を要するために、電力
コストが高くなってしまう。
[0010] (1) In the frit bonding step, usually, a step of removing a binder called a calcination step is performed, and then a sealing step is performed. As compared with the bonding process that can be performed in one process, the temperature is higher and more time is required, so that the power cost increases.

【0011】(2)電子放出素子を用いた画像形成装置
では、予めフォーミング・活性化を行った後、フリット
接着(封着)を行う場合、接着温度が高温であるほど熱
による特性劣化すなわち電子放出電流の低下による輝度
低下や寿命短縮が起きてしまう場合がある。
(2) In an image forming apparatus using an electron-emitting device, when frit bonding (sealing) is performed after forming and activating beforehand, the higher the bonding temperature is, the lower the characteristic deterioration due to heat, that is, the higher the bonding temperature. In some cases, a reduction in emission current causes a decrease in luminance and a shortened life.

【0012】(3)スペーサに樹脂スペーサを用いた場
合に400℃程度の高温になると、熱変形が生じる場合
があるので、本来の位置からのずれが生じ、電子ビーム
軌道に悪影響を及ぼし、表示品位が低下してしまう場合
がある。
(3) When a resin spacer is used as the spacer, if the temperature is raised to about 400 ° C., thermal deformation may occur. Therefore, a deviation from the original position occurs, which adversely affects the electron beam trajectory and causes display. The quality may be reduced.

【0013】(4)ゲッタを用いた場合に、400℃程
度の高温になると、ゲッタ材の酸化等が進行しゲッタリ
ング効果が、低下してしまう場合がある。
(4) In the case where a getter is used, if the temperature is raised to about 400 ° C., the getter material may be oxidized and the gettering effect may be reduced.

【0014】本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、フ
リット接着(封着)工程に必要な最低およそ400℃を
下回る接着工程を実現し、電力コストを下げ、輝度低下
や寿命短縮のより小さい、さらには表示品位が高く、ゲ
ッタ効果も充分な画像形成装置をはじめとする真空外囲
器及び該真空外囲器を用いた画像形成装置を提供するこ
とを目的とする。
In view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, the present invention realizes a bonding step lower than at least about 400 ° C. required for a frit bonding (sealing) step, lowers power cost, and reduces brightness and life. It is still another object of the present invention to provide a vacuum envelope including an image forming apparatus having a high display quality and a sufficient getter effect, and an image forming apparatus using the vacuum envelope.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の画
像形成装置をはじめとする真空外囲器における上述の問
題点を解決して、本発明の目的を達成すべく、鋭意研究
を重ねた結果、完成に至ったものであり、本発明によっ
て提供される画像形成装置をはじめとする真空外囲器は
以下のものである。
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies in order to solve the above-mentioned problems in the vacuum envelope including the conventional image forming apparatus and achieve the object of the present invention. As a result, the vacuum envelope including the image forming apparatus provided by the present invention is as follows.

【0016】すなわち本発明は、(1)フェースプレー
トと、前記フェースプレートと対向して配置されたリア
プレートと、前記フェースプレートと前記リアプレート
との間にあって周囲を包囲する外枠とを備え、及び前記
外枠と前記フェースプレートの接合および前記外枠と前
記リアプレートの接合をそれぞれ行う接合剤からなる内
部を真空維持する真空外囲器において、前記接合剤とし
て溶融液晶ポリマー樹脂を主成分とする接着剤を用いる
ことを特徴とする真空外囲器、(2)フェースプレート
と前記フェースプレートと対向して配置されたリアプレ
ートと、前記フェースプレートと前記リアプレートとの
間にあって周を包囲する外枠と、耐大気圧支持構造とし
て前記フェースプレートと前記リアプレートとの間に配
置されたスペーサと前記外枠と前記フェースプレートの
接合および前記外枠と前記リアプレートの接合をそれぞ
れ行う接合剤、及び前記スペーサと前記フェースプレー
トの接合または前記スペーサと前記リアプレートの接合
を行う接合剤からなる内部を真空維持する真空外囲器に
おいて、前記接合剤として溶融液晶ポリマー樹脂を主成
分とする接着剤を用いることを特徴とする真空外囲器、
(3)上記(2)記載の真空外囲器であって、スペーサ
として樹脂製スペーサを用いることを特徴とする真空外
囲器、(4)(1)〜(3)に記載の真空外囲器であっ
て、真空外囲器内部にゲッタを配置することを特徴とす
る真空外囲器、(5)(1)〜(4)に記載の真空外囲
器を用いた画像形成装置であって、フェースプレートに
は蛍光体及び電子加速電極が形成され、リアプレートに
は電子源が形成されていることを特徴とする画像形成装
置、(6)前記電子源が表面伝導型の電子放出素子であ
る(5)に記載の画像形成装置、(7)前記接合剤のう
ち前記外枠と前記フェースプレートの接合および前記外
枠と前記リアプレートの接合を行う接合剤が、液晶ポリ
マー樹脂を主成分とする接着剤であることを特徴とする
(1)〜(6)に記載の真空外囲器および画像形成装
置、である。
That is, the present invention comprises: (1) a face plate, a rear plate disposed to face the face plate, and an outer frame between the face plate and the rear plate and surrounding the periphery; And in a vacuum envelope for maintaining the interior of the vacuum made of a bonding agent for joining the outer frame and the face plate and for joining the outer frame and the rear plate, a molten liquid crystal polymer resin as the main component (2) a face plate, a rear plate disposed to face the face plate, and a periphery between the face plate and the rear plate. An outer frame and a spacer disposed between the face plate and the rear plate as an atmospheric pressure resistant support structure A bonding agent for bonding the outer frame and the face plate and a bonding agent for bonding the outer frame and the rear plate, respectively, and an internal bonding agent for bonding the spacer and the face plate or bonding the spacer and the rear plate. In a vacuum envelope that maintains a vacuum, a vacuum envelope characterized by using an adhesive mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin as the bonding agent,
(3) The vacuum envelope according to (2), wherein a resin spacer is used as the spacer. (4) The vacuum envelope according to (1) to (3). (5) An image forming apparatus using the vacuum envelope described in (1) to (4), wherein the getter is arranged inside the vacuum envelope. A phosphor and an electron accelerating electrode are formed on the face plate, and an electron source is formed on the rear plate. (6) The electron source is a surface conduction electron-emitting device. (5) The image forming apparatus according to (5), wherein (7) the bonding agent for bonding the outer frame and the face plate and the bonding between the outer frame and the rear plate is mainly a liquid crystal polymer resin. (1) to (6), wherein the adhesive is a component. Vacuum envelope and an image forming apparatus mounting a.

【0017】接合剤として溶融液晶ポリマー樹脂を主成
分とする接着剤を用いることにより、最高熱処理温度が
300〜380℃程度の1回の接着工程とすることがで
きるので、フリット接着(封着)工程に必要な最低およ
そ400℃を下回る接着工程を実現できるので、電力コ
ストを下げ、輝度低下や寿命短縮の少ない、さらには表
示品位が高く、ゲッタ効果も充分な画像形成装置をはじ
めとする真空外囲器を提供することができる。
By using an adhesive mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin as a bonding agent, it is possible to perform a single bonding process at a maximum heat treatment temperature of about 300 to 380 ° C., so that frit bonding (sealing) is performed. Since the bonding process below the required temperature of about 400 ° C. can be realized, it is possible to reduce the power cost, reduce the brightness and shorten the service life, and further improve the display quality and vacuum of image forming devices and other devices with sufficient getter effect. An envelope can be provided.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

<画像形成装置の構成>本発明の真空外囲器は、画像形
成装置に使用することが可能であり、好ましくは真空外
囲器のフェースプレートには蛍光体及び電子加速電極が
形成され、リアプレートには電子源が形成されている画
像形成装置に用いられる。この電子源は表面伝導型の電
子放出素子が好ましい。また、本発明の真空外囲器は、
上記画像形成装置に耐大気圧支持構造体のスペーサが設
置されている画像形成装置に好ましく用いられる。
<Structure of Image Forming Apparatus> The vacuum envelope of the present invention can be used for an image forming apparatus. Preferably, a phosphor and an electron accelerating electrode are formed on a face plate of the vacuum envelope. The plate is used in an image forming apparatus in which an electron source is formed. This electron source is preferably a surface conduction electron-emitting device. Further, the vacuum envelope of the present invention,
The image forming apparatus is preferably used in an image forming apparatus in which a spacer of an anti-atmospheric pressure support structure is installed.

【0019】本実施形態では、従来の接合剤としてのフ
リット(低融点ガラス)の換わりに、溶融液晶ポリマー
を接着剤として用いる。本実施形態の画像形成装置に適
用可能な接着剤の条件は、以下の通りである。
In this embodiment, a molten liquid crystal polymer is used as an adhesive instead of a conventional frit (low melting glass) as a bonding agent. The conditions of the adhesive applicable to the image forming apparatus of the present embodiment are as follows.

【0020】(1)シール性:高真空維持(真空リーク
極小、ガス透過極小)が可能のこと但し、真空維持が必
要な個所のみ (2)耐熱性:真空中ベーク(高真空形成)工程におけ
る耐熱性があること (3)放出ガス特性:低放出ガス(高真空維持)特性を
有すること (4)熱処理温度:最高熱処理温度がフリット接着(封
着)工程のおよそ400℃よりも低温であること。
(1) Sealability: High vacuum can be maintained (minimum vacuum leak, minimum gas permeation), but only where vacuum maintenance is required. (2) Heat resistance: Baking in vacuum (high vacuum formation) process (3) Emission gas characteristics: low emission gas (high vacuum maintained) characteristics (4) Heat treatment temperature: maximum heat treatment temperature is lower than about 400 ° C. in the frit bonding (sealing) process. thing.

【0021】上記の条件を満たす接着剤として、本実施
形態では溶融液晶ポリマー(Thermotropic Liquid Crys
tal Polymer)樹脂を用いており、おおむね融点が30
0〜380℃程度の物が好ましく用いられる。なぜなら
ば、融点が380℃以上であると、従来のフリットによ
る410℃接着との温度差の有意性が減じるからであ
り、融点が300℃以下であると、条件(2)における
真空中ベーク温度に近い場合、真空中ベーク時に溶融液
晶ポリマー樹脂が流動して、フェースプレート及びリア
プレートと外枠、及び両プレートとスぺーサとの間の位
置ずれを起こすおそれがあるからである。溶融液晶ポリ
マー樹脂は、全芳香族ポリエステル樹脂成型品等である
ために、例えば板状の溶融液晶ポリマー樹脂を接合部に
配置して、溶融温度以上で加圧しながら加熱することに
より、板状の溶融液晶ポリマー樹脂が容易に融解し、優
れた流動特性を持つために、接合部がシールされ、
(1)〜(4)の条件を満たすことができる。
In the present embodiment, the adhesive satisfying the above conditions is a liquid crystal polymer (Thermotropic Liquid Crys).
tal Polymer) resin and has a melting point of about 30
Those having a temperature of about 0 to 380 ° C. are preferably used. This is because if the melting point is 380 ° C. or higher, the significance of the temperature difference from the conventional frit bonding at 410 ° C. is reduced. If the melting point is 300 ° C. or lower, the baking temperature in vacuum under the condition (2) is used. If the temperature is close to the above, the molten liquid crystal polymer resin may flow during baking in a vacuum, causing a positional shift between the face plate and the rear plate and the outer frame, and between the two plates and the spacer. Since the molten liquid crystal polymer resin is a molded product of a wholly aromatic polyester resin, for example, a plate-shaped molten liquid crystal polymer resin is arranged at a joint portion, and heated while being pressed at a melting temperature or higher, thereby forming a plate-shaped molten liquid crystal polymer resin. Because the liquid crystal polymer resin melts easily and has excellent flow properties, the joints are sealed,
Conditions (1) to (4) can be satisfied.

【0022】以下に、本実施形態に用いられる溶融液晶
ポリマーについて説明する。
The molten liquid crystal polymer used in the present embodiment will be described below.

【0023】<特徴と分子構造>溶融液晶ポリマー(Th
ermotropic Liquid Crystal Polymer)は、溶融状態で
液晶性を示す高耐熱タイプの熱可塑性樹脂で、射出成型
が可能であり、流動性がきわめて良好である特徴を持っ
ている。
<Characteristics and Molecular Structure> The molten liquid crystal polymer (Th
Ermotropic Liquid Crystal Polymer) is a highly heat-resistant thermoplastic resin that exhibits liquid crystallinity in the molten state. It can be injection-molded and has excellent fluidity.

【0024】また、射出成型によって得られた製品は、
スキン・コア構造という液晶ポリマーに特有な構造を持
ち、一方でポリマーが剛直な棒状高分子であるため、溶
融状態において高度に配向し、繊維強化の効果を持って
いる。これが自己繊維補強ポリマーといわれる由縁で、
LCP(Liquid Crystal Polymer)が世の中で注目を浴
びるようになった大きな要因の一つである。
The product obtained by injection molding is
It has a skin-core structure unique to liquid crystal polymers, while the polymer is a rigid rod-shaped polymer, so it is highly oriented in the molten state and has the effect of fiber reinforcement. This is why it is called a self-fiber reinforced polymer.
LCP (Liquid Crystal Polymer) is one of the major factors that has attracted attention in the world.

【0025】LCPの特徴の一つである耐熱性は、便宜
上、樹脂荷重撓み温度(TDUL)を指標として3つの
タイプに分けられる。一般的にTDUL≧260℃の場
合をタイプI、TDUL≦220℃の場合をタイプIII
に分類され、中間の温度領域のLCPはタイプIIに分類
されている。
The heat resistance, which is one of the features of the LCP, is divided into three types for convenience using the resin load deflection temperature (TDUL) as an index. In general, type I for TDUL ≥ 260 ° C and type III for TDUL ≤ 220 ° C
The LCP in the middle temperature range is classified into Type II.

【0026】以上のようなLCPの持つ各種の特性は、
パラヒドロキシ安息香酸にどのようなモノマーを使用し
て直線性の剛直鎖を共重合させるかによって決まる。一
般に使用されるモノマーとしてはテレフタル酸、ビフェ
ノール類、2,6−ナフタレンジカルボン酸、ヒドロキ
シナフトエ酸、イソフタル酸等がある。その外にも、ア
ミド結合やエーテル結合を含むLCPもある。本実施形
態では、上記タイプIが好ましく用いられる。
The various characteristics of the LCP as described above are as follows:
It depends on what monomer is used for the parahydroxybenzoic acid to copolymerize the linear rigid straight chain. Commonly used monomers include terephthalic acid, biphenols, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, hydroxynaphthoic acid, isophthalic acid, and the like. In addition, there are LCPs containing an amide bond or an ether bond. In the present embodiment, the type I is preferably used.

【0027】<外枠及びスペーサとリアプレート及びフ
ェースプレートとの接着>ここで本実施形態が最も好適
に用いられる、表面伝導型の電子放出素子を用いた画像
形成装置について、本実施態様の1例を図1,図2を用
いて説明する。
<Adhesion of Outer Frame and Spacer to Rear Plate and Face Plate> An image forming apparatus using a surface conduction electron-emitting device, which is most preferably used in this embodiment, will be described in the first embodiment. An example will be described with reference to FIGS.

【0028】図1は図17の画像形成装置のB−B′に
示す一方端の断面図である。図1に示す様に、溶融液晶
ポリマー樹脂を主成分とする接着剤104,105を介
して、リアプレート(電子放出素子基板)101及びフ
ェースプレート(蛍光体基板)102は両プレート10
1,102の周囲の外枠103との接合部分において、
それぞれ接合されている。図中、101は青板ガラスか
らなるリアプレート、102は青板ガラスからなるフェ
ースプレート、103は青板ガラスからなる外枠、10
6は上配線、107は素子電極(上配線側)、108は
電子放出部を含む導電性薄膜、109は蛍光体、110
はメタルバックである。なお、下配線及び素子電極(下
配線側)は不図示である。ここで、上配線106とは電
子放出素子の一方の電極に接続された行又は列のいずれ
かの電極配線をいい、下配線は同様に上配線106とは
対をなす行又は列のいずれかの電極配線をいい、素子電
極は2端子の電子放出素子の電極をいう。
FIG. 1 is a cross-sectional view of one end of the image forming apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 1, a rear plate (electron-emitting device substrate) 101 and a face plate (phosphor substrate) 102 are connected to both plates 10 through adhesives 104 and 105 mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin.
At the joint of the outer frame 103 around the first and second 102,
Each is joined. In the figure, 101 is a rear plate made of soda lime glass, 102 is a face plate made of soda lime glass, 103 is an outer frame made of soda lime glass, 10
6 is an upper wiring, 107 is a device electrode (upper wiring side), 108 is a conductive thin film including an electron emitting portion, 109 is a phosphor, 110
Is a metal back. The lower wiring and the element electrode (lower wiring side) are not shown. Here, the upper wiring 106 refers to any one of a row and a column connected to one electrode of the electron-emitting device, and the lower wiring similarly refers to any of a row or a column paired with the upper wiring 106. And an element electrode refers to an electrode of a two-terminal electron-emitting device.

【0029】図1において、接合部104,105に上
記樹脂を主成分とする接着剤を用いることにより、最高
熱処理温度が300〜380℃程度の接着工程とするこ
とができるので、フリット接着(封着)工程に必要な最
低およそ400℃を下回る接着工程を実現できる。
In FIG. 1, by using an adhesive containing the above resin as the main component for the joints 104 and 105, the bonding process can be performed at a maximum heat treatment temperature of about 300 to 380 ° C., so that frit bonding (sealing) is performed. (Adhesion)), an adhesion step lower than at least about 400 ° C. required for the step can be realized.

【0030】図2(a),(b)は、図17の画像形成
装置に耐大気圧支持構造体として樹脂製スペーサ213
を配置した画像形成装置(図3)のC−C′断面の一方
端の断面図である。図3において、樹脂製スペーサ21
3が列電極703(Doy1〜Doyn)に平行して真空容器
内部の真空に対する大気圧による圧力にフェースプレー
ト806及びリアプレート801のゆがみを防止するた
めに随所に設けられている。
FIGS. 2A and 2B show a resin spacer 213 as an anti-atmospheric pressure support structure in the image forming apparatus of FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of one end of a CC ′ cross-section of the image forming apparatus (FIG. 3) in which is disposed. In FIG. 3, the resin spacer 21
Numerals 3 are provided everywhere in parallel to the column electrodes 703 (Doy1 to Doyn) to prevent the face plate 806 and the rear plate 801 from being distorted by the pressure caused by the atmospheric pressure with respect to the vacuum inside the vacuum vessel.

【0031】図2(a)に示す様に、スペーサ213が
存在するので、接合部204,205に加えて、21
1,212の樹脂を主成分とする接着剤を介して、青板
ガラスからなるリアプレート(電子放出素子基板)20
1及び青板ガラスからなるフェースプレート(蛍光体基
板)202は青板ガラスからなる外枠103との接合部
分において、それぞれ接合されている。図中、206は
上配線側、207は素子電極(上配線側)、208は電
子放出部を含む導電性薄膜、209は蛍光体、210は
メタルバックである。
As shown in FIG. 2A, since the spacer 213 exists, in addition to the joints 204 and 205,
A rear plate (electron-emitting device substrate) 20 made of soda lime glass via an adhesive mainly containing 1,212 resins
1 and a face plate (phosphor substrate) 202 made of soda lime glass are joined at a joint portion with an outer frame 103 made of a soda lime glass. In the figure, 206 is an upper wiring side, 207 is an element electrode (upper wiring side), 208 is a conductive thin film including an electron emitting portion, 209 is a phosphor, and 210 is a metal back.

【0032】図2(a)において、接合部204,20
5,211,212に上記溶融液晶ポリマーを主成分と
する接着剤を用いることにより、最高熱処理温度が30
0〜380℃程度の接着工程とすることができるので、
フリット接着(封着)工程に必要な最低およそ400℃
を下回る接着工程を実現できる。
In FIG. 2A, the joints 204, 20
By using an adhesive containing the above-mentioned molten liquid crystal polymer as a main component for 5, 211, 212, the maximum heat treatment temperature is 30
Since the bonding process can be performed at about 0 to 380 ° C,
400 ℃ minimum required for frit bonding (sealing) process
Can be realized.

【0033】また、スペーサ213の接合は、フェース
プレートまたはリアプレートとの間の片側でも良い。図
2(b)は、スペーサ213の接合をリアプレート側の
みで行った場合の図である。またスペーサ213の接合
は、本実施形態の画像形成装置に適用可能な接着剤の4
条件のうち、(2)〜(4)は必要であるが、(1)の
シール性:高真空維持は、スペーサ213の固定が出来
れば、真空容器内部であるので、必ずしも必要ではな
い。スペーサ213とフェースプレート202、及びス
ペーサ213とリアプレート202の接合に用いる接着
剤は、スペーサ213が固定できれば使用可能であるの
で、溶融液晶ポリマーを主成分とする接着剤以外でも、
適用可能である。
The spacer 213 may be joined on one side between the face plate and the rear plate. FIG. 2B is a diagram in a case where the bonding of the spacer 213 is performed only on the rear plate side. Further, the bonding of the spacer 213 is performed by using an adhesive 4 that can be applied to the image forming apparatus of the present embodiment.
Of the conditions, (2) to (4) are necessary, but the sealing property of (1): maintaining a high vacuum is not always necessary if the spacer 213 can be fixed because it is inside the vacuum vessel. The adhesive used for bonding the spacer 213 to the face plate 202 and the spacer 213 to the rear plate 202 can be used as long as the spacer 213 can be fixed.
Applicable.

【0034】なお、はじめから外枠203とフェースプ
レート202、または外枠203とリアプレート201
を一体化したものを用いる場合でも、本実施形態が有効
であることは言うまでもない。
From the beginning, the outer frame 203 and the face plate 202 or the outer frame 203 and the rear plate 201
It is needless to say that the present embodiment is effective even in the case of using a combination of the above.

【0035】<画像形成装置の構成>ここで、表面伝導
型の電子放出素子を用いた画像形成装置について説明す
る。図17は本実施形態の画像形成装置の一部を破断し
た斜視図である。フェースプレート806、リアプレー
ト801および外枠802、およびこれらを接合する図
示しない接着剤で密着された外囲器808が構成されて
おり、内部は真空が維持される。
<Structure of Image Forming Apparatus> Here, an image forming apparatus using a surface conduction electron-emitting device will be described. FIG. 17 is a perspective view in which a part of the image forming apparatus of the present embodiment is cut away. A face plate 806, a rear plate 801 and an outer frame 802, and an envelope 808 which is adhered to the adhesive by an adhesive (not shown) for joining these components are formed, and a vacuum is maintained inside.

【0036】リアプレート801は通常青板ガラス(ソ
ーダライムガラス)、SiO2 を表面に形成した青板ガ
ラス等が基板として用いられ、この上に電子放出素子7
04および電子放出素子704を駆動する信号を供給す
る配線702および703が基板801上に形成されて
いる。一方、フェースプレート806は、通常前述のガ
ラス等が基板として用いられ、このガラス基板803の
内面に蛍光体804と例えば黒色体でできた非発光部と
がマトリクス状(ブラックマトリクス)またはストライ
プ状(ブラックストライプ)に形成され、さらにメタル
バック(電子加速電極)805が形成されている。電子
放出素子704から放出された電子は、高圧端子Hv8
07からメタルバック805に印加された高電圧で加速
され、蛍光体804に衝突し、蛍光体804を発光させ
る。メタルバック805の導電性が充分でないときは補
助的手段として、ガラス基板803とブラックストライ
プ(ブラックマトリクス)および蛍光体804との間に
透明導電層を設けることもある。また、リアプレート8
01上に、直接電子放出素子704を形成した基板を搭
載することも可能である。
The rear plate 801 is usually made of soda lime glass (soda lime glass), soda lime glass having SiO 2 formed on its surface, and the like.
Wirings 702 and 703 for supplying signals for driving the element 04 and the electron-emitting device 704 are formed on the substrate 801. On the other hand, for the face plate 806, the above-described glass or the like is usually used as a substrate, and a phosphor 804 and a non-light-emitting portion made of, for example, a black body are formed in a matrix (black matrix) or stripe ( (Black stripe), and a metal back (electron acceleration electrode) 805 is formed. The electrons emitted from the electron-emitting device 704 are supplied to the high-voltage terminal Hv8.
From 07, it is accelerated by the high voltage applied to the metal back 805, collides with the phosphor 804, and causes the phosphor 804 to emit light. When the conductivity of the metal back 805 is not sufficient, a transparent conductive layer may be provided between the glass substrate 803 and the black stripe (black matrix) and the phosphor 804 as auxiliary means. Also, the rear plate 8
It is also possible to mount a substrate on which the electron-emitting device 704 is directly formed on the substrate 01.

【0037】また、図17及び図3の画像形成装置のフ
ェースプレート806に形成された蛍光膜を模式的に示
すと、図4のようになっている。図3の蛍光膜804は
モノクロームの場合は蛍光体のみから構成することがで
きる。カラー表示の場合は、混色等を目だたなくするた
め、図4の必要な三原色蛍光体902の間を非発光部9
01とする。非発光部は黒色体とすると外光反射による
コントラストの低下も抑制することができるので好まし
い。非発光部のパターンは、画素配列に合わせてストラ
イプ状やマトリクス状とすることが好ましい。
FIG. 4 schematically shows a fluorescent film formed on the face plate 806 of the image forming apparatus shown in FIGS. The fluorescent film 804 in FIG. 3 can be composed of only a phosphor in the case of monochrome. In the case of a color display, the non-light-emitting portions 9 between the necessary three primary color phosphors 902 in FIG.
01. It is preferable that the non-light-emitting portion be a black body because a decrease in contrast due to reflection of external light can be suppressed. The pattern of the non-light-emitting portion is preferably a stripe shape or a matrix shape according to the pixel arrangement.

【0038】ガラス基板803に蛍光体を塗布する方法
としては、モノクロームでもカラーの場合でも、沈澱
法、印刷法、スラリー法等が採用できる。蛍光膜804
の内面側には、通常メタルバック805が設けられる。
カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させ
る必要があり、十分な位置合わせが不可欠となる。
As a method for applying the fluorescent substance to the glass substrate 803, a precipitation method, a printing method, a slurry method, etc. can be adopted regardless of whether it is monochrome or color. Fluorescent film 804
Is usually provided with a metal back 805.
In the case of color, it is necessary to make each color phosphor correspond to an electron-emitting device, and sufficient alignment is indispensable.

【0039】<電子放出素子の構成>ここに用いられる
電子放出素子としては制限はなく、熱電子源および冷陰
極電子源を用いることができるが、特に好ましいのは冷
陰極電子源である表面伝導型電子放出素子であり、図5
に示すような平面型表面伝導型電子放出素子を、また図
6に示すような垂直型表面伝導型電子放出素子を用いる
ことができる。図5(a)はその平面図、図5(b)は
その断面図であり、301は基板、302と303は素
子電極、304は導電性薄膜、305は電子放出部であ
る。素子電極302,303間に素子電流を供給するこ
とにより、対向する面に高圧電圧を印加して、電子放出
部305より電子線を放出して放出電流を流し、高圧電
圧を印加するメタルバックの前又は後の蛍光膜によって
画像を形成することができる。また、図6においては、
421は段差形成部で、基板401、素子電極402及
び403、導電性薄膜404、電子放出部405などか
ら構成される。この垂直型の動作は水平型と同様であ
る。平面型表面伝導型電子放出素子、垂直型表面伝導型
電子放出素子はいずれも、絶縁基板301,401に素
子電極302,303又は402,403を形成し、該
素子電極の一部に重ねて両電極を導通する導電性薄膜3
04,404を形成し、その後該素子電極に一定レベル
のパルス波、又はレベル的に暫増するパルス波を印加し
て、通電フォーミング処理を実行して電子放出部30
5,405を形成し、さらに活性化処理や、安定化処理
を実行することで、電子放出素子を形成することができ
る。なお、垂直型表面伝導型電子放出素子を行列2次元
に配列することで、電子放出し対向する蛍光膜やメタル
バック面に画像を形成することができる。
<Structure of Electron Emitting Element> The electron emitting element used here is not limited, and a thermionic electron source and a cold cathode electron source can be used. FIG.
A flat surface conduction electron-emitting device as shown in FIG. 6 and a vertical surface conduction electron-emitting device as shown in FIG. 6 can be used. 5A is a plan view thereof, and FIG. 5B is a sectional view thereof, wherein 301 is a substrate, 302 and 303 are device electrodes, 304 is a conductive thin film, and 305 is an electron emitting portion. By supplying a device current between the device electrodes 302 and 303, a high voltage is applied to the opposing surface, an electron beam is emitted from the electron emission unit 305, an emission current flows, and a metal back for applying the high voltage is applied. An image can be formed by the front or rear phosphor film. In FIG. 6,
Reference numeral 421 denotes a step forming portion, which includes a substrate 401, device electrodes 402 and 403, a conductive thin film 404, an electron emitting portion 405, and the like. The operation of the vertical type is the same as that of the horizontal type. In both the planar surface conduction electron-emitting device and the vertical surface conduction electron-emitting device, device electrodes 302, 303 or 402, 403 are formed on insulating substrates 301, 401, and both are overlapped on a part of the device electrodes. Conductive thin film 3 for conducting electrodes
04 and 404 are formed, and then a pulse wave of a fixed level or a pulse wave that is temporarily increased in level is applied to the element electrode, and an energization forming process is performed to execute the electron emission section 30.
By forming 5,405 and further performing an activation process or a stabilization process, an electron-emitting device can be formed. By arranging the vertical surface conduction electron-emitting devices two-dimensionally in a matrix, an image can be formed on a fluorescent film or a metal back surface that emits electrons and faces each other.

【0040】<画像形成の説明>図3に示した画像形成
装置の電子放出素子は単純マトリクス配置となってい
る。これを模式的に示すと図7に示すとおりである。図
7において、701は基板、702はX方向配線、70
3はY方向配線である。704は表面伝導型電子放出素
子、705は結線である。なお、表面伝導型電子放出素
子704は、図5に示した平面型あるいは図6に示した
垂直型のどちらであってもよい。
<Explanation of Image Formation> The electron-emitting devices of the image forming apparatus shown in FIG. 3 are arranged in a simple matrix. This is schematically shown in FIG. 7, reference numeral 701 denotes a substrate; 702, an X-direction wiring;
3 is a Y-direction wiring. 704 is a surface conduction electron-emitting device, and 705 is a connection. Note that the surface conduction electron-emitting device 704 may be either the flat type shown in FIG. 5 or the vertical type shown in FIG.

【0041】図7において、m本のX方向配線702
は、Dx1,Dx2,…,Dxmからなり、真空蒸着
法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成された導電性金
属等で構成することができる。配線の材料、膜厚、巾
は、適宜設計される。Y方向配線703は、Dy1,D
y2,…,Dynのn本の配線よりなり、X方向配線7
02と同様に形成される。これらm本のX方向配線70
2とn本のY方向配線703との間には、不図示の層間
絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している
(m,nは共に正の整数)。
In FIG. 7, m X-direction wirings 702 are provided.
Is composed of Dx1, Dx2,..., Dxm, and can be made of a conductive metal or the like formed using a vacuum deposition method, a printing method, a sputtering method, or the like. The material, thickness, and width of the wiring are appropriately designed. The Y-direction wiring 703 includes Dy1, Dy
X-directional wiring 7 composed of n wirings y2,.
02 is formed in the same manner. These m X-direction wirings 70
An interlayer insulating layer (not shown) is provided between the two and the n Y-directional wirings 703 to electrically separate them (m and n are both positive integers).

【0042】表面伝導型電子放出素子704を構成する
一対の電極(不図示)は、m本のX方向配線702とn
本のY方向配線703と導電性金属等からなる結線70
5によって電気的に接続されている。
A pair of electrodes (not shown) constituting the surface conduction electron-emitting device 704 are composed of m X-direction wirings 702 and n
Y-directional wiring 703 and connection 70 made of conductive metal or the like
5 are electrically connected.

【0043】X方向配線702には、X方向に配列した
表面伝導型放出素子704の行を、選択するための走査
信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続され
る。一方、Y方向配線703にはY方向に配列した表面
伝導型放出素子704の各列を入力信号に応じて、変調
するための不図示の変調信号発生手段が接続されてい
る。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子
に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給さ
れる。こうして当該素子から電子線が放出され、対向す
る蛍光膜やメタルバック面に画像を形成することができ
る。
The X-direction wiring 702 is connected to a scanning signal applying means (not shown) for applying a scanning signal for selecting a row of the surface conduction electron-emitting devices 704 arranged in the X direction. On the other hand, a modulation signal generating means (not shown) for modulating each column of the surface conduction electron-emitting devices 704 arranged in the Y direction according to an input signal is connected to the Y-direction wiring 703. The driving voltage applied to each electron-emitting device is supplied as a difference voltage between a scanning signal and a modulation signal applied to the device. In this way, an electron beam is emitted from the element, and an image can be formed on the opposing fluorescent film or metal back surface.

【0044】上記構成において、単純なマトリクス配線
を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とする
ことができる。
In the above configuration, individual elements can be selected and driven independently using a simple matrix wiring.

【0045】次に、単純マトリクス配線の電子源を用い
て構成した表示パネルに、NTSC方式のテレビ信号に
基づいたテレビジョン画像の表示を行うための駆動回路
の構成例について、図8を用いて説明する。図8におい
て、1001は表示パネル、1002は走査回路、10
03は制御回路、1004はシフトレジスタである。1
005はラインメモリ、1006は同期信号分離回路、
1007は変調信号発生器、Vx及びVaは直流電圧源
である。
Next, an example of the configuration of a drive circuit for displaying a television image based on an NTSC television signal on a display panel configured using electron sources of simple matrix wiring will be described with reference to FIG. explain. 8, reference numeral 1001 denotes a display panel; 1002, a scanning circuit;
03 is a control circuit, and 1004 is a shift register. 1
005 is a line memory, 1006 is a synchronization signal separation circuit,
1007 is a modulation signal generator, and Vx and Va are DC voltage sources.

【0046】このような構成をとり得る本実施形態の画
像形成装置においては、各電子放出素子に、容器外端子
Dox1乃至Doxm、Doy1乃至Doynを介して
電圧を印加することにより、電子放出が生ずる。高圧端
子Hvを介してメタルバック805、あるいは透明電極
(不図示)に高圧(数kVから十数kV)を印加し、電
子ビームを加速する。加速された電子は、蛍光膜804
に衝突し、発光が生じて画像が形成される。
In the image forming apparatus of the present embodiment, which can take such a configuration, electron emission is generated by applying a voltage to each electron-emitting device via the external terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn. . A high voltage (several kV to tens of kV) is applied to the metal back 805 or a transparent electrode (not shown) via the high voltage terminal Hv to accelerate the electron beam. The accelerated electrons are transferred to the fluorescent film 804
And light is emitted to form an image.

【0047】ここで述べた画像形成装置の構成例は一例
であり、本実施形態の技術思想に基づいて種々の変形が
可能である。入力信号については、NTSC方式に限ら
れるものではなく、PAL,SECAM方式等や、これ
よりも多数の走査線からなるTV信号(例えば、MUS
E方式をはじめとする高品位TV)方式をも採用でき
る。
The configuration example of the image forming apparatus described here is merely an example, and various modifications are possible based on the technical concept of the present embodiment. The input signal is not limited to the NTSC system, but may be a PAL or SECAM system or a TV signal composed of a larger number of scanning lines (for example, MUS).
High-quality TV (E) and other high-definition TV systems can also be used.

【0048】<はしご型配置の電子源を備えた画像形成
装置>さらに本実施形態は、はしご型配置の電子源を備
えた画像形成装置に適用することができる。これを図9
及び図10を用いて説明する。
<Image Forming Apparatus Having Ladder-Type Electron Source> Further, the present embodiment can be applied to an image forming apparatus having a ladder-type electron source. This is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG.

【0049】図9は、はしご型配置の電子源の一例を示
す模式図である。図9において、1100は電子源基
板、1101は電子放出素子である。1102(Dx1
〜Dx10)は、電子放出素子1101に接続する共通
配線である。電子放出素子1101は、基板1100上
に、X方向に並列に複数個配されている(これを素子行
と呼ぶ)。この素子行が複数個配されて、電子源を構成
している。各素子行の共通配線間に駆動電圧を印加する
ことで、各素子行を独立に駆動させることができる。す
なわち、電子ビームを放出させたい素子行には、電子放
出しきい値以上の電圧を、電子ビームを放出しない素子
行には、電子放出しきい値以下の電圧を印加する。各素
子行間の共通配線Dx2〜Dx9を、例えばDx2,D
x3を同一配線とすることもできる。
FIG. 9 is a schematic view showing an example of a ladder-type electron source. In FIG. 9, reference numeral 1100 denotes an electron source substrate, and 1101 denotes an electron-emitting device. 1102 (Dx1
To Dx10) are common wirings connected to the electron-emitting device 1101. A plurality of electron-emitting devices 1101 are arranged on the substrate 1100 in parallel in the X direction (this is called an element row). A plurality of the element rows are arranged to constitute an electron source. By applying a drive voltage between the common wires of each element row, each element row can be driven independently. That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold is applied to an element row that wants to emit an electron beam, and a voltage equal to or lower than the electron emission threshold is applied to an element row that does not emit an electron beam. The common lines Dx2 to Dx9 between each element row are
x3 may be the same wiring.

【0050】図10は、はしご型配置の電子源を備えた
画像形成装置におけるパネルの構造の一例を示す模式図
である。1200はグリッド電極、1201は電子が通
過するための空孔の開口、1202はDox1,Dox
2,…,Doxmよりなる容器外端子である。1203
は、グリッド電極1200と接続されたG1,G2,
…,Gnからなる容器外端子である。図10において
は、図3、図9に示した部位と同じ部位には、これらの
図に付したのと同一の符号を付している。ここに示した
画像形成装置と、図3に示した単純マトリクス配置の画
像形成装置の大きな違いは、電子源基板1100とフェ
ースプレート806の間にグリッド電極1200を備え
ているか否かである。
FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of a panel structure in an image forming apparatus having a ladder-type electron source. 1200 is a grid electrode, 1201 is a hole opening through which electrons pass, and 1202 is Dox1 and Dox.
2,..., Doxm. 1203
Are G1, G2, connected to the grid electrode 1200.
.. Are external terminals made of Gn. In FIG. 10, the same portions as those shown in FIGS. 3 and 9 are denoted by the same reference numerals as those shown in these drawings. A major difference between the image forming apparatus shown here and the image forming apparatus having the simple matrix arrangement shown in FIG.

【0051】グリッド電極1200は、表面伝導型電子
放出素子1101から放出された電子ビームを変調する
ものであり、はしご型配置の素子行と直交して設けられ
たストライプ状の電極に電子ビームを通過させるため、
各電子放出素子1101に対応して1個ずつ円形の開口
1201が設けられている。グリッド電極1200の形
状や設置位置は、図10に示したものに限定されるもの
ではない。例えば、開口1201としてメッシュ状に多
数の通過口を設けることもでき、グリッド電極1200
を表面伝導型電子放出素子の周囲や近傍に設けることも
できる。
The grid electrode 1200 modulates the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device 1101, and passes the electron beam to a stripe-shaped electrode provided orthogonal to the ladder-shaped element row. To make
One circular opening 1201 is provided for each electron-emitting device 1101. The shape and installation position of the grid electrode 1200 are not limited to those shown in FIG. For example, a large number of passage openings may be provided in a mesh shape as the openings 1201, and the grid electrode 1200 may be provided.
May be provided around or near the surface conduction electron-emitting device.

【0052】容器外端子1202及びグリッド容器外端
子1203は、不図示の制御回路と電気的に接続されて
いる。
The outer container terminal 1202 and grid outer terminal 1203 are electrically connected to a control circuit (not shown).

【0053】本例の画像形成装置では素子行を1列ずつ
順次駆動(走査)していくのと同期して、グリッド電極
1200の列に画像の1ライン分の変調信号を同時に印
加する。これにより、各電子ビームの蛍光体の蛍光膜8
04への照射を制御し、画像を1ラインずつ表示するこ
とができる。
In the image forming apparatus of this embodiment, a modulation signal for one line of an image is simultaneously applied to the columns of the grid electrodes 1200 in synchronization with the sequential driving (scanning) of the element rows one by one. Thereby, the phosphor film 8 of the phosphor of each electron beam is formed.
It is possible to display the image one line at a time by controlling the irradiation of the light to the image data 04.

【0054】このようなはしご型配置の電子源を備えた
画像形成装置の場合には、導電性スペーサを、グリッド
の電子通過孔(開口)のない領域上に配置し、前述の画
像形成装置の製造と同じようにして作製することができ
る。
In the case of an image forming apparatus having such a ladder-shaped arrangement of electron sources, the conductive spacer is disposed on a region of the grid where there is no electron passing hole (opening), and the above-mentioned image forming apparatus is provided with a conductive spacer. It can be manufactured in the same manner as manufacturing.

【0055】本実施形態の画像形成装置は、大型で薄型
であるという特徴から、テレビジョン放送の表示装置、
テレビ会議システムやコンピュータ等の表示装置の他、
感光性ドラム等を用いて構成された光プリンターとして
の画像形成装置としても用いることができる。
The image forming apparatus of the present embodiment is characterized in that it is large and thin,
In addition to display devices such as video conference systems and computers,
It can also be used as an image forming apparatus as an optical printer constituted by using a photosensitive drum or the like.

【0056】また、本実施形態による真空外囲器は、画
像形成装置に適用した例を示したが、この例ばかりでな
く、本発明による真空度を保持する真空外囲器を有する
他の装置であっても適用できることは勿論である。
Although the vacuum envelope according to the present embodiment is applied to an image forming apparatus, the present invention is not limited to this example, and other apparatuses having a vacuum envelope for maintaining a vacuum degree according to the present invention are also applicable. Of course, it can be applied.

【0057】また、スペーサの形状には、上述のように
平板型があり、その他にも十字型、L字型、櫛型等があ
り、また、図17(a)(b)のように、基板に各電子
源又は複数の電子源に対応して、マトリクス状又はライ
ン状に孔を開けた形状でも良く、適宜選択される。スペ
ーサ213の活用は、画像形成装置の大型化に従って効
果が顕著になる。
Further, the shape of the spacer includes a flat plate type as described above, a cross shape, an L-shape, a comb shape, and the like. In addition, as shown in FIGS. The substrate may have a shape in which holes are formed in a matrix or a line in accordance with each electron source or a plurality of electron sources, and are appropriately selected. The effect of utilizing the spacer 213 becomes remarkable as the size of the image forming apparatus increases.

【0058】[0058]

【実施例】以下に、本発明の実施形態で説明した内容を
更に具体的な実施例について説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the contents described in the embodiments of the present invention will be described with reference to more specific examples.

【0059】<実施例1>実施例1として、従来の接合
剤としてのフリット(低融点ガラス)の換わりに、溶融
液晶ポリマー樹脂を主成分とする接着剤を用いた画像形
成装置について説明する。
Embodiment 1 As Embodiment 1, an image forming apparatus using an adhesive mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin instead of a frit (low-melting glass) as a conventional bonding agent will be described.

【0060】本実施例では、基板上に形成する電子放出
素子の通電フォーミングおよび活性化処理は真空外囲器
接着(シール)完成後に行っている。
In this embodiment, the energization forming and activation of the electron-emitting devices formed on the substrate are performed after the completion of the adhesion (seal) of the vacuum envelope.

【0061】まず、電子放出素子として平面型表面伝導
型電子放出素子を用い、単純マトリクス配置した電子源
を用いた画像形成装置を作製した例を図1,図11,図
12,図13,図14を用いて示す。
First, an example in which a flat surface conduction electron-emitting device is used as an electron-emitting device and an image forming apparatus using an electron source arranged in a simple matrix is manufactured is shown in FIGS. 14 is used.

【0062】電子源の一部の平面図を図11に示す。ま
た、図中A−A′断面図を図12に、製造手順を図13
及び図14に示す。ただし、図11,図12,図13,
図14において、同じ符号は同じ部材を示す。
FIG. 11 is a plan view of a part of the electron source. FIG. 12 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
And FIG. However, FIGS. 11, 12, 13,
In FIG. 14, the same reference numerals indicate the same members.

【0063】ここで、1は基板、72はX方向配線(下
配線とも呼ぶ)、73はY方向配線(上配線とも呼
ぶ)、4は電子放出部を含む薄膜、2,3は素子電極、
151は層間絶縁層、152は素子電極2と下配線72
との電気的接続のためのコンタクトホールである。
Here, 1 is a substrate, 72 is an X-directional wiring (also referred to as a lower wiring), 73 is a Y-directional wiring (also referred to as an upper wiring), 4 is a thin film including an electron emitting portion, 2 and 3 are device electrodes,
151 is an interlayer insulating layer; 152 is an element electrode 2 and a lower wiring 72;
This is a contact hole for electrical connection with the device.

【0064】次に製造方法を、図13及び図14に基づ
いて工程順にしたがって具体的に説明する。なお、以下
の各工程a〜hは図13及び図14の(a)〜(h)に
対応するものである。
Next, the manufacturing method will be specifically described in the order of steps with reference to FIGS. The following steps a to h correspond to (a) to (h) in FIGS. 13 and 14.

【0065】(工程−a)清浄化した青板ガラス上に厚
さ0.5ミクロンのシリコン酸化膜をスパッタ法で形成
した基板1上に、真空蒸着法により、厚さ50オングス
トロームのCr、厚さ6000オングストロームのAu
を順次積層した後、ホストレジスト(AZ1370・ヘ
キスト社製)をスピンナーにより回転塗布し、ベークし
た後、ホトマスク像を露光、現像して、下配線72のレ
ジストパターンを形成し、Au/Cr堆積膜をウエット
エッチングして、所望の形状の下配線72を形成した。
(Step-a) On a substrate 1 in which a silicon oxide film having a thickness of 0.5 μm is formed on a cleaned blue plate glass by a sputtering method, 50 angstrom of Cr and a thickness of 50 Å are formed by a vacuum evaporation method. 6000 angstroms of Au
Are sequentially laminated, a host resist (AZ1370, manufactured by Hoechst) is spin-coated with a spinner, baked, exposed and developed with a photomask image to form a resist pattern of the lower wiring 72, and an Au / Cr deposited film is formed. Was wet-etched to form a lower wiring 72 having a desired shape.

【0066】(工程−b)次に、厚さ1.0ミクロンの
シリコン酸化膜からなる層間絶縁層151を、RFスパ
ッタ法により堆積した。
(Step-b) Next, an interlayer insulating layer 151 made of a silicon oxide film having a thickness of 1.0 μm was deposited by RF sputtering.

【0067】(工程−c)工程−bで堆積したシリコン
酸化膜の層間絶縁層151にコンタクトホール152を
形成するためのホトレジストパターンを作り、これをマ
スクとして層間絶縁層151をエッチングして、コンタ
クトホール152を形成した。エッチングはCF4 とH
2 ガスを用いてRIE(Reactive Ion Etching)法によ
り行った。
(Step-c) A photoresist pattern for forming a contact hole 152 is formed in the interlayer insulating layer 151 of the silicon oxide film deposited in the step-b, and the interlayer insulating layer 151 is etched using the photoresist pattern as a mask. A hole 152 was formed. Etching is CF 4 and H
This was performed by RIE (Reactive Ion Etching) using two gases.

【0068】(工程−d)その後、素子電極2,3と素
子電極間ギャップLとなるべきパターンをホトレジスト
(RD−2000N−41・日立化成社製)で形成し、
真空蒸着法により、厚さ50オングストロームのTi、
厚さ1000オングストロームのNiを順次堆積した。
ホトレジストパターンを有機溶剤で溶解し、Ni/Ti
堆積膜をリフトオフし、素子電極間隔Lが3μm、幅W
1が300μmの素子電極2,3を形成した。
(Step-d) Thereafter, a pattern to be a gap L between the device electrodes 2 and 3 and the device electrode is formed by a photoresist (RD-2000N-41, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).
50 Å thick Ti,
Ni having a thickness of 1000 Å was sequentially deposited.
Dissolve the photoresist pattern with an organic solvent and use Ni / Ti
The deposited film is lifted off, the element electrode interval L is 3 μm, the width W
Element electrodes 2 and 3 each having a thickness of 300 μm were formed.

【0069】(工程−e)素子電極2,3の上に上配線
73用のホトレジストパターンを形成した後、厚さ50
オングストロームのTi、厚さ5000オングストロー
ムのAuを順次真空蒸着により堆積し、リフトオフによ
り不要の部分を除去して、所望の形状の上配線73を形
成した。
(Step-e) After forming a photoresist pattern for the upper wiring 73 on the device electrodes 2 and 3,
Angstrom Ti and 5,000 Å thick Au were sequentially deposited by vacuum evaporation, and unnecessary portions were removed by lift-off to form an upper wiring 73 having a desired shape.

【0070】(工程−f)次に、膜厚1000オングス
トロームのCr膜153を真空蒸着により堆積・パター
ニングし、その上に有機Pd(ccp4230・奥野製
薬(株)社製)をスピンナーにより回転塗布し、300
℃で10分間の加熱焼成処理をした。また、こうして形
成された主元素がPdの微粒子からなる薄膜4の膜厚は
100オングストローム、シート抵抗値は5×104 Ω
/□であった。なお、ここで述べる微粒子とは、上述し
たように、複数の微粒子が集合した膜であり、その微細
構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみなら
ず、微粒子が互いに隣接、あるいは、重なり合った状態
(島状も含む)の膜を指し、その粒径とは、上記状態で
粒子形状が認識可能な微粒子についての径をいう。
(Step-f) Next, a Cr film 153 having a thickness of 1000 angstroms is deposited and patterned by vacuum evaporation, and organic Pd (ccp4230, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) is spin-coated thereon by a spinner. , 300
A heating and baking treatment was performed at 10 ° C. for 10 minutes. The thin film 4 formed of fine particles of Pd as the main element has a thickness of 100 angstroms and a sheet resistance of 5 × 10 4 Ω.
/ □. In addition, the fine particles described here are, as described above, a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and as a fine structure, not only a state in which the fine particles are individually dispersed and arranged, but also the fine particles are adjacent to each other or overlapped. It refers to a film in a state (including an island shape), and the particle size refers to the diameter of the fine particles whose particle shape can be recognized in the above state.

【0071】(工程−g)Cr膜153及び焼成後の薄
膜4を酸エッチャントによりエッチングして所望のパタ
ーンを形成した。
(Step-g) The Cr film 153 and the fired thin film 4 were etched with an acid etchant to form a desired pattern.

【0072】(工程−h)コンタクトホール152部分
以外にレジストを塗布してパターンを形成し、真空蒸着
により厚さ50オングストロームのTi、厚さ5000
オングストロームのAuを順次堆積した。リフトオフに
より不要の部分を除去することにより、コンタクトホー
ル152を埋め込んだ。以上の工程によりフォーミング
前の電子源基板71を作製した。
(Step-h) A resist is applied to portions other than the contact hole 152 to form a pattern, and Ti is 50 Å thick and 5000 thick by vacuum evaporation.
Angstrom of Au was sequentially deposited. Unnecessary portions were removed by lift-off to bury the contact holes 152. Through the above steps, the electron source substrate 71 before forming was manufactured.

【0073】(工程−接着剤を用いた封止)続いて、溶
融液晶ポリマーを主成分とする接着剤を用いた真空外囲
器について、図1を用いて説明する。リアプレート10
1上には、多数の表面伝導型の電子放出素子107が設
けられている。また、本実施例では、スペーサは不要で
あったので、用いていない。フェースプレート102及
びリアプレート101と支持枠103との接合部に、液
晶ポリマー樹脂:デュポン社ゼナイト6330(融点3
35℃、ミネラル30%入り)の厚さ0.3mmの板状
成型品を配置した後、支持枠103を乗せ、更に支持枠
103上の接合部105に同様の液晶ポリマー樹脂:デ
ュポン社ゼナイト6330の厚さ0.3mmの板状成型
品を配置して、フェースプレート102を位置合わせし
て乗せ、フェースブレート102上に、重りを乗せ(1
kg/cm2 )て、350℃1時間クリーンオーブン内
で加熱することにより、板状の液晶ポリマーが融解して
流動し、接合部104,105がシールされ、内部を真
空維持する真空外囲器を完成した。
(Step—Sealing Using Adhesive) Next, a vacuum envelope using an adhesive containing a molten liquid crystal polymer as a main component will be described with reference to FIG. Rear plate 10
A large number of surface conduction electron-emitting devices 107 are provided on 1. Further, in the present embodiment, no spacer was used, so that it was not used. A liquid crystal polymer resin: DuPont Zenite 6330 (melting point 3) is bonded to the joint between the face plate 102 and the rear plate 101 and the support frame 103.
After disposing a plate-like molded product having a thickness of 0.3 mm (35 ° C., containing 30% of mineral), a support frame 103 is placed thereon, and a similar liquid crystal polymer resin: DuPont Zenite 6330 is placed on the joint 105 on the support frame 103. A plate-shaped molded product having a thickness of 0.3 mm is placed, the face plate 102 is positioned and placed, and a weight is placed on the face plate 102 (1).
kg / cm 2 ) and heated in a clean oven at 350 ° C. for 1 hour, whereby the plate-like liquid crystal polymer melts and flows, the joints 104 and 105 are sealed, and the inside of the vacuum is maintained in a vacuum. Was completed.

【0074】前述の接着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め、充分な位置合わせを行った。
At the time of performing the above-mentioned bonding, in the case of color, the phosphors of each color must correspond to the electron-emitting devices, so that sufficient alignment was performed.

【0075】(工程−通電フォーミング)以上のように
して完成した外囲器内の雰囲気を充分に真空度に達した
後、容器外端子Dx1乃至DxmとDy1乃至Dynを
通じ素子に電圧を印加し、導電製薄膜4をフォーミング
処理することで電子放出部を作製した。
(Step—Electrification Forming) After the atmosphere in the envelope completed as described above has reached a sufficient degree of vacuum, a voltage is applied to the element through the outer terminals Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn, The electron emitting portion was produced by forming the conductive thin film 4.

【0076】フォーミング処理の素子電極2,3間に印
加する電圧波形は、図15とした。また、本実施例では
T1を1ミリ秒とし、T2を10ミリ秒として、三角波
を波高値を0.1Vステップで徐々に増加させてフォー
ミングを行った。フォーミング処理中は同時にT2間に
0.1Vの抵抗測定パルスを挿入し、素子電極2,3間
の抵抗を測定した。フォーミングの終了は抵抗測定パル
スでの測定値が約1MΩ以上になったときとして、同時
に素子への電圧印加を終了した。
The voltage waveform applied between the device electrodes 2 and 3 in the forming process is shown in FIG. In this embodiment, T1 was set to 1 millisecond, T2 was set to 10 milliseconds, and the triangular wave was formed by gradually increasing the peak value in 0.1 V steps. During the forming process, a resistance measurement pulse of 0.1 V was simultaneously inserted between T2 to measure the resistance between the device electrodes 2 and 3. Forming was terminated when the measured value of the resistance measurement pulse became about 1 MΩ or more, and voltage application to the element was terminated at the same time.

【0077】(工程−活性化)次に、波高値14V、パ
ルス幅30マイクロ秒で、素子電流If、放出電流Ie
を測定しながら、活性化工程を行った。活性化処理は、
例えば有機物質のガスを含有する雰囲気下で、通電フォ
ーミングと同様に、電圧印加により行うことができる。
この処理により、雰囲気中に存在する有機物質から、炭
素あるいは炭素化合物が素子上に堆積し、素子電流I
f、放出電流Ieが増加する。なお、印加電圧は適宜設
定される。
(Step-Activation) Next, with a peak value of 14 V and a pulse width of 30 microseconds, the device current If and the emission current Ie
The activation step was performed while measuring. The activation process is
For example, it can be performed by applying a voltage in an atmosphere containing an organic substance gas, similarly to the energization forming.
By this treatment, carbon or a carbon compound is deposited on the device from organic substances existing in the atmosphere, and the device current I
f, the emission current Ie increases. Note that the applied voltage is appropriately set.

【0078】以上のようにフォーミング工程、活性化工
程を行い、電子放出部を有する表面伝導型電子放出素子
を作製した。
The forming step and the activating step were performed as described above, and a surface conduction electron-emitting device having an electron-emitting portion was manufactured.

【0079】(工程−封止(チップオフ))その後、充
分なベーキングを液晶ポリマーが溶融しない温度で行っ
た後、5×10-7torr程度の真空度で、排気管をガ
スバーナーで熱することで溶着し、外囲器の封止(チッ
プオフ)を行った。
(Step-Sealing (Chip-off)) After sufficient baking is performed at a temperature at which the liquid crystal polymer does not melt, the exhaust pipe is heated with a gas burner at a degree of vacuum of about 5 × 10 −7 torr. Thus, the envelope was sealed (chip-off).

【0080】最後に封止後の真空度を維持するために、
ゲッタ処理を行った。これは、封止を行う直前あるいは
封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法によ
り、外囲器内の所定の位置(不図示)に配置されたゲッ
タを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッタは通
常Ba等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作用により、
真空度を維持するものである。
Finally, in order to maintain the degree of vacuum after sealing,
Getter processing was performed. This is to heat a getter disposed at a predetermined position (not shown) in an envelope by a heating method such as resistance heating or high-frequency heating immediately before or after sealing to form a deposited film. Processing. The getter is usually composed mainly of Ba or the like, and by the adsorption action of the deposited film,
It maintains the degree of vacuum.

【0081】以上のように形成した外囲器に不図示の画
像形成用の駆動回路を取り付け、完成した本発明の画像
形成装置において、各電子放出素子には、容器外端子D
x1乃至DxmとDy1乃至Dynを通じ、電圧を印加
することにより、電子放出させ、高圧端子Hvを通じ、
メタルバックに高圧を印加し、電子ビームを加速し、蛍
光膜に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示し
た。画像は均一に優れ安定した良質のものであった。
A drive circuit for image formation (not shown) is attached to the envelope formed as described above, and in the completed image forming apparatus of the present invention, each of the electron-emitting devices has a terminal D outside the container.
By applying a voltage through x1 to Dxm and Dy1 to Dyn, electrons are emitted, and through a high voltage terminal Hv,
An image was displayed by applying a high voltage to the metal back, accelerating the electron beam, colliding with the fluorescent film, and exciting and emitting light. The images were of uniform, excellent and stable quality.

【0082】上記画像形成装置には図示しないゲッタが
用いられているが、ゲッタ材の酸化は進行することな
く、ゲッタリング効果は充分であった。
Although a getter (not shown) is used in the image forming apparatus, the getter material did not oxidize and the gettering effect was sufficient.

【0083】以上説明した様に、液晶ポリマー樹脂を用
いた接着工程は、最高熱処理温度が350℃の1回の接
着工程であるので、電力コストを下げ、ゲッタリング効
果が充分である画像形成装置をはじめとする真空外囲器
を提供することができた。
As described above, since the bonding process using the liquid crystal polymer resin is a single bonding process at a maximum heat treatment temperature of 350 ° C., the power cost is reduced and the image forming apparatus having a sufficient gettering effect is obtained. And other vacuum envelopes.

【0084】<実施例2>実施例2として、従来の接合
剤としてのフリット(低融点ガラス)の換わりに、溶融
液晶ポリマー樹脂を主成分とする接着剤及びポリイミド
樹脂を主成分とする接着剤を用いた画像形成装置につい
て説明する。
Example 2 In Example 2, an adhesive mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin and an adhesive mainly composed of a polyimide resin were used instead of the conventional frit (low melting point glass) as a bonding agent. An image forming apparatus using the method will be described.

【0085】実施例1と同様に多数の表面伝導型の電子
放出素子を設けた基板を真空チャンバー内で通電フォー
ミングおよび活性化処理を行った。
In the same manner as in Example 1, the substrate provided with a large number of surface conduction electron-emitting devices was subjected to energization forming and activation in a vacuum chamber.

【0086】本実施例は、耐大気圧支持のためのスペー
サ213が存在するが、接合部204,205に液晶ポ
リマー樹脂を主成分とする接着剤を用い、接合部21
1,212にポリイミド樹脂を主成分とする接着剤を用
いている。
In this embodiment, the spacer 213 for supporting the atmospheric pressure is present. However, the bonding portions 204 and 205 are formed by using an adhesive mainly composed of a liquid crystal polymer resin.
Adhesives containing a polyimide resin as a main component are used for 1 and 212.

【0087】続いて、本発明の特徴である樹脂を主成分
とする接着剤を用いた真空外囲器について、図2を用い
て説明する。本実施例は、実施例1と同様に、以下に示
す2つの接着工程からなる。
Next, a vacuum envelope using an adhesive mainly composed of a resin, which is a feature of the present invention, will be described with reference to FIG. This embodiment, like the first embodiment, includes the following two bonding steps.

【0088】本実施例において、接着剤として、溶融液
晶ポリマー樹脂:住友化学工業(株)スミカスーパーE
7008(成型温度320℃)の厚さ0.3mmの板状
成型品及びポリイミドワニス:三井東圧(株)製品名
LARK−TPI(ポリイミドの前駆体ポリアミド酸の
状態でジメチルアセトアミドに溶解したもの)を用い
た。また、接着剤とガラス基板等との密着性を向上させ
るために用いられるシランカップリング剤は、基板に予
め塗布するのではなく、上記接着剤ワニスに、シランカ
ップリング剤を予め0.5wt%添加して、用いる様に
した。
In this example, the liquid crystal polymer resin used as the adhesive was Sumika Super E, Sumitomo Chemical Co., Ltd.
7008 (molding temperature 320 ° C) 0.3 mm thick plate-like molded product and polyimide varnish: Mitsui Toatsu Co., Ltd. product name
LARK-TPI (which was dissolved in dimethylacetamide in the state of a polyimide precursor polyamic acid) was used. The silane coupling agent used to improve the adhesiveness between the adhesive and the glass substrate or the like is not applied to the substrate in advance, but the adhesive varnish is preliminarily coated with 0.5% by weight of the silane coupling agent. It was added and used.

【0089】(1)リアプレート上にスペーサの固定 図2において、上記のシランカップリング剤を予め添加
したポリイミドワニスを内径0.15mmのノズルを装
着したディスペンサーに装填して、吐出圧力0.02k
gf/cm2 、ギャップ(ノズル先端と被塗布部材間距
離)0.1mm、ノズル送り速度12mm/secの条
件で、ポリイミド成型品スペーサ213が配置されるリ
アプレート201の配線206上に、塗布した。続い
て、図示しない治具を用いて樹脂スペーサ213を配線
上に位置合わせして、配置し、300℃、1時間クリー
ンオーブン内で加熱を行い、上記の接着剤を硬化させス
ペーサの固定が、熱変形を生じることなく行われた。な
お、本実施例では、図2(b)に示すように、スペーサ
の固定をリアプレート側でのみ行った例を示したが、フ
ェースプレート側のみあるいは、図2(a)に示すよう
に、リアプレート側及びフェースプレート側の双方で行
っても良い。
(1) Fixing the spacer on the rear plate In FIG. 2, a polyimide varnish to which the silane coupling agent was added in advance was loaded into a dispenser equipped with a nozzle having an inner diameter of 0.15 mm, and a discharge pressure of 0.02 k
Under the conditions of gf / cm 2 , a gap (distance between the tip of the nozzle and the member to be coated) of 0.1 mm, and a nozzle feed speed of 12 mm / sec, the coating was performed on the wiring 206 of the rear plate 201 on which the polyimide molded product spacer 213 was disposed. . Subsequently, the resin spacer 213 is positioned and arranged on the wiring using a jig (not shown), and heated in a clean oven at 300 ° C. for one hour to cure the above adhesive and fix the spacer. Performed without thermal deformation. In this embodiment, as shown in FIG. 2B, an example is shown in which the spacer is fixed only on the rear plate side, but only on the face plate side or as shown in FIG. 2A. It may be performed on both the rear plate side and the face plate side.

【0090】(2)フェースプレート及びリアプレート
と外枠を接着し真空維持可能な外囲器の作製 次に、リアプレート201上に、上記液晶ポリマー樹
脂:住友化学工業(株)スミカスーパーE7008の厚
さ0.3mmの板状成型品を配置した後、支持枠203
を位置合わせして乗せる。更に支持枠203上の接合部
205に同様の液晶ポリマー樹脂の板状成型品を配置す
る。またスペーサ213上の接合部212にポリイミド
ワニス又は接合部205と同一の接合剤である液晶ポリ
マー樹脂を適宜配置する。フェースプレート202を位
置合わせして乗せ、フェースプレート202上に、重り
を載せ(1kg/cm2 )て、320℃、1時間クリー
ンオーブン内で加熱することにより、板状の液晶ポリマ
ーが融解して流動し、接合部がシールされ、内部を真空
維持する真空外囲器を作製した。
(2) Manufacture of Enclosure that Can Adhere Face Plate and Rear Plate to Outer Frame to Maintain Vacuum Next, on rear plate 201, the above liquid crystal polymer resin: Sumika Super E7008 of Sumitomo Chemical Co., Ltd. After arranging a plate-like molded product having a thickness of 0.3 mm,
Align and put on. Further, a plate-shaped molded product of the same liquid crystal polymer resin is arranged at the joint 205 on the support frame 203. In addition, a polyimide varnish or a liquid crystal polymer resin which is the same bonding agent as the bonding portion 205 is appropriately disposed on the bonding portion 212 on the spacer 213. The face plate 202 is positioned and placed, and a weight is placed on the face plate 202 (1 kg / cm 2 ) and heated at 320 ° C. for 1 hour in a clean oven, so that the plate-like liquid crystal polymer melts. A vacuum envelope was created that flowed, the joint was sealed, and the interior was maintained under vacuum.

【0091】この画像形成装置に高圧を印加して、画像
形成させたところ、画像は均一に優れ、安定した良質の
ものであった。
When a high pressure was applied to this image forming apparatus to form an image, the image was excellent in uniformity and stable in quality.

【0092】上記画像形成装置には図示しないゲッタが
用いられているが、ゲッタ材の酸化は進行することな
く、ゲッタリング効果は充分であった。
Although a getter (not shown) is used in the image forming apparatus, the gettering effect was sufficient without oxidation of the getter material.

【0093】以上説明した様に、溶融液晶ポリマー樹脂
及びポリイミド樹脂を主成分とする接着剤を用いた接着
工程は、最高熱処理温度が320℃の接着工程であるの
で、電力コストを下げ、スペーサの熱変形を生じること
なく、ゲッタリング効果が充分である画像形成装置をは
じめとする真空外囲器を提供することができた。
As described above, since the bonding step using the adhesive mainly composed of the molten liquid crystal polymer resin and the polyimide resin is a bonding step in which the maximum heat treatment temperature is 320 ° C., the power cost is reduced, and the spacer cost is reduced. A vacuum envelope such as an image forming apparatus having a sufficient gettering effect without causing thermal deformation can be provided.

【0094】本実施例に示した様に、外枠とフェースプ
レート及び外枠とリアプレートの接合に用いる接着剤に
は、容器が真空リークしない様に、真空シール性に優れ
ている液晶ポリマー樹脂を主成分とする接着剤が最も好
ましい1つとして用いられる。スペーサとフェースプレ
ート及びスペーサとリアプレートの接合に用いる接着剤
は、スペーサが固定できれば使用可能であるので、本実
施例で用いたポリイミド樹脂等、高真空維持の溶融液晶
ポリマー樹脂を主成分とする接着剤以外でも、適用可能
である。
As shown in the present embodiment, the adhesive used for joining the outer frame and the face plate and the outer frame and the rear plate is made of a liquid crystal polymer resin having excellent vacuum sealing properties so that the container does not leak under vacuum. Is most preferably used. The adhesive used for bonding the spacer and the face plate and the spacer and the rear plate can be used as long as the spacer can be fixed. Therefore, the main component is a molten liquid crystal polymer resin that maintains a high vacuum, such as the polyimide resin used in this embodiment. Other than the adhesive, it is applicable.

【0095】[0095]

【発明の効果】以上説明した様に、接合剤として溶融液
晶ポリマー樹脂を主成分とする接着剤を用いることによ
り、電力コストを下げ、輝度低下や寿命短縮、ゲッタ効
果の劣化は、ほとんど見られない画像形成装置をはじめ
とする真空外囲器を提供することができた。
As described above, by using an adhesive mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin as a bonding agent, the power cost is reduced, the brightness is reduced, the life is shortened, and the getter effect is hardly deteriorated. And a vacuum envelope including an image forming apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の画像形成装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an image forming apparatus of the present invention.

【図2】本発明の画像形成装置の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the image forming apparatus of the present invention.

【図3】本発明の画像形成装置である。FIG. 3 is an image forming apparatus of the present invention.

【図4】蛍光膜の一例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a fluorescent film.

【図5】本発明の平面型表面伝導型電子放出素子の模式
図である。
FIG. 5 is a schematic view of a planar surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図6】本発明の垂直型表面伝導型電子放出素子の模式
図である。
FIG. 6 is a schematic view of a vertical surface conduction electron-emitting device of the present invention.

【図7】本発明のマトリクス配置型の電子源基板の一例
を示す模式図である。
FIG. 7 is a schematic view showing an example of a matrix arrangement type electron source substrate of the present invention.

【図8】画像形成装置にNTSC方式のテレビ信号に応
じて表示を行うための駆動回路の一例を示すブロック図
である。
FIG. 8 is a block diagram illustrating an example of a driving circuit for performing display on the image forming apparatus in accordance with an NTSC television signal.

【図9】本発明の梯子配置型電子源基板の一例を示す模
式図である。
FIG. 9 is a schematic view illustrating an example of a ladder-positioned electron source substrate according to the present invention.

【図10】本発明の画像形成装置の表示パネルの一例を
示す模式図である。
FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of a display panel of the image forming apparatus of the present invention.

【図11】本発明で用いられる電子源基板の模式図であ
る。
FIG. 11 is a schematic view of an electron source substrate used in the present invention.

【図12】本発明の電子源基板の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of the electron source substrate of the present invention.

【図13】本発明の電子源基板の製造工程図である。FIG. 13 is a manufacturing process diagram of the electron source substrate of the present invention.

【図14】本発明の電子源基板の製造工程図である。FIG. 14 is a manufacturing process diagram of the electron source substrate of the present invention.

【図15】フォーミング処理の電圧波形図である。FIG. 15 is a voltage waveform diagram of a forming process.

【図16】スペーサの形状の概観図である。FIG. 16 is a schematic view of the shape of a spacer.

【図17】従来及び本発明の画像形成装置の模式図であ
る。
FIG. 17 is a schematic view of an image forming apparatus of the related art and the present invention.

【図18】従来例の画像形成装置の断面図である。FIG. 18 is a sectional view of a conventional image forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,101,201,301,401,701,80
1,1701 素子基板 2,3,107,207,302,303,402,4
03,1707 電極 4 薄膜 72,702 下(X方向)配線 73,106,206,703,1706 上(Y方
向)配線 102,202,806,1706 フェースプレー
ト 103,203,802,1702 支持枠 104,105,204,205,211,212
接着剤 109,209,804,902,1709 蛍光膜 110,210,805,1710 メタルバック 108,208,1708 電子放出部を含む薄膜 151 層間絶縁層 152 コンタクトホール 153 Cr膜 304,404 導電性薄膜 305,405 電子放出部 421 段差形成部 704 表面伝導型電子放出素子 705 結線 807 高圧端子 808 外囲器 901 黒色部材 1001 表示パネル 1002 走査回路 1003 制御回路 1004 シフトレジスタ 1005 ラインメモリ 1006 同期信号分離回路 1007 変調信号発生器 1100 電子源基板 1101 電子放出素子 1102 Dx1〜Dx10は前記電子放出素子を配
線するための共通配線 1200 グリッド電極 1201 電子が通過するため開孔 1202 Dox1,Dox2,…,Doxmよりな
る容器外端子 1203 グリッド電極1200と接続されたG1,
G2 1704,1705 フリット
1,101,201,301,401,701,80
1,1701 Element substrate 2,3,107,207,302,303,402,4
03,1707 Electrode 4 Thin film 72,702 Lower (X direction) wiring 73,106,206,703,1706 Upper (Y direction) wiring 102,202,806,1706 Face plate 103,203,802,1702 Support frame 104, 105, 204, 205, 211, 212
Adhesives 109, 209, 804, 902, 1709 Fluorescent film 110, 210, 805, 1710 Metal back 108, 208, 1708 Thin film including electron-emitting portion 151 Interlayer insulating layer 152 Contact hole 153 Cr film 304, 404 Conductive thin film 305 , 405 electron emission part 421 step difference formation part 704 surface conduction type electron emission element 705 connection 807 high voltage terminal 808 envelope 901 black member 1001 display panel 1002 scanning circuit 1003 control circuit 1004 shift register 1005 line memory 1006 synchronization signal separation circuit 1007 modulation Signal generator 1100 Electron source substrate 1101 Electron-emitting device 1102 Dx1 to Dx10 are common wiring for wiring the electron-emitting device 1200 Grid electrode 1201 Opening for electron passing 120 Dox1, Dox2, ..., connected to the vessel terminals 1203 grid electrodes 1200 made of Doxm G1,
G2 1704, 1705 Frit

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フェースプレートと、前記フェースプレ
ートと対向して配置されたリアプレートと、前記フェー
スプレートと前記リアプレートとの間にあって周囲を包
囲する外枠とを備え、前記外枠と前記フェースプレート
の接合および前記外枠と前記リアプレートの接合をそれ
ぞれ接合剤で行って内部を真空維持する真空外囲器にお
いて、 前記接合剤として溶融液晶ポリマー樹脂を主成分とする
接着剤を用いることを特徴とする真空外囲器。
A face plate; a rear plate disposed to face the face plate; and an outer frame surrounding the periphery between the face plate and the rear plate, wherein the outer frame and the face are provided. In a vacuum envelope in which the plate is joined and the outer frame and the rear plate are joined with a bonding agent, respectively, and the inside is maintained in a vacuum, it is preferable that an adhesive mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin is used as the bonding agent. Characteristic vacuum envelope.
【請求項2】 フェースプレートと、前記フェースプレ
ートと対向して配置されたリアプレートと、前記フェー
スプレートと前記リアプレートとの間にあって周囲を包
囲する外枠と、耐大気圧支持構造として前記フェースプ
レートと前記リアプレートとの間に配置されたスペーサ
とを備え、前記外枠と前記フェースプレートの接合およ
び前記外枠と前記リアプレートの接合をそれぞれ行う接
合剤及び前記スペーサと前記フェースプレートの接合ま
たは前記スペーサと前記リアプレートの接合を行う接合
剤からなる内部を真空維持する真空外囲器において、 前記接合剤として溶融液晶ポリマー樹脂を主成分とする
接着剤を用いることを特徴とする真空外囲器。
2. A face plate, a rear plate disposed to face the face plate, an outer frame between the face plate and the rear plate surrounding the periphery, and the face as an atmospheric pressure resistant support structure. A bonding agent that includes a spacer disposed between a plate and the rear plate, and performs bonding of the outer frame and the face plate and bonding of the outer frame and the rear plate, and bonding of the spacer and the face plate, respectively. Alternatively, in a vacuum envelope for maintaining the inside of a vacuum made of a bonding agent for bonding the spacer and the rear plate, an adhesive having a molten liquid crystal polymer resin as a main component is used as the bonding agent. Enclosure.
【請求項3】 フェースプレートと、前記フェースプレ
ートと対向して配置されたリアプレートと、前記フェー
スプレートと前記リアプレートとの間にあって周囲を包
囲する外枠と、耐大気圧支持構造として前記フェースプ
レートと前記リアプレートとの間に配置されたスペーサ
とを備え、前記外枠と前記フェースプレートの接合およ
び前記外枠と前記リアプレートの接合をそれぞれ行う第
1の接合剤及び前記スペーサと前記フェースプレートの
接合または前記スペーサと前記リアプレートの接合を行
う第2の接合剤からなる内部を真空維持する真空外囲器
において、 前記第1の接合剤として溶融液晶ポリマー樹脂を主成分
とする接着剤を用い、前記第2の接合剤としてポリイミ
ド樹脂を主成分とする接着剤を用いることを特徴とする
真空外囲器。
3. A face plate, a rear plate disposed opposite to the face plate, an outer frame between the face plate and the rear plate surrounding the periphery, and the face as an atmospheric pressure resistant support structure. A first bonding agent, a spacer, and the face, each of which includes a spacer disposed between a plate and the rear plate, and performs bonding of the outer frame and the face plate and bonding of the outer frame and the rear plate, respectively. In a vacuum envelope for maintaining a vacuum in the inside made of a second bonding agent for bonding a plate or for bonding the spacer and the rear plate, an adhesive mainly composed of a molten liquid crystal polymer resin as the first bonding agent Using an adhesive mainly composed of a polyimide resin as the second bonding agent. Vessel.
【請求項4】 請求項2又は3に記載の真空外囲器にお
いて、前記スペーサとして樹脂製スペーサを用いること
を特徴とする真空外囲器。
4. The vacuum envelope according to claim 2, wherein a resin spacer is used as the spacer.
【請求項5】 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の
真空外囲器において、前記真空外囲器内部にゲッタを配
置することを特徴とする真空外囲器。
5. The vacuum envelope according to claim 1, wherein a getter is arranged inside the vacuum envelope.
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項に真空外
囲器を用いた画像形成装置であって、前記フェースプレ
ートには蛍光体及び電子加速電極が形成され、前記リア
プレートには電子源が形成されていることを特徴とする
画像形成装置。
6. An image forming apparatus using the vacuum envelope according to claim 1, wherein a phosphor and an electron accelerating electrode are formed on the face plate, and the rear plate is formed on the face plate. An image forming apparatus comprising an electron source.
【請求項7】 前記電子源が表面伝導型の電子放出素子
である請求項6に記載の画像形成装置。
7. The image forming apparatus according to claim 6, wherein the electron source is a surface conduction electron-emitting device.
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WO2000051155A1 (en) * 1999-02-25 2000-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Enclosure and image forming device comprising the same
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JP2020009753A (en) * 2018-07-06 2020-01-16 モックステック・インコーポレーテッド Liquid crystal polymer for mounting x-ray windows

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