JPH10274873A - Electrifying method of image forming device - Google Patents

Electrifying method of image forming device

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JPH10274873A
JPH10274873A JP9801797A JP9801797A JPH10274873A JP H10274873 A JPH10274873 A JP H10274873A JP 9801797 A JP9801797 A JP 9801797A JP 9801797 A JP9801797 A JP 9801797A JP H10274873 A JPH10274873 A JP H10274873A
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JP
Japan
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grid
photoconductor
potential
charging
charger
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JP9801797A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Horiuchi
美徳 堀内
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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  • Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a grid potential to approach a cut-off potential, in a state where the voltage of a discharge wire is suppressed low, to reduce the generation of ozone as well and to attain a long life scrotron electrifier. SOLUTION: In the shapes of the opening parts of a grid electrode 3, it is divided into two or more regions 3A and 3B in the moving direction of a photoreceptor, so that the ratios of the grid opening parts of each region are set to make the grid opening parts gradually dense as it goes to the downstream side from the upstream side in the moving direction of the photoreceptor, or division into regions is not attained deliberately, but the ratio of opening areas is set so that it is changed from sparseness to denseness, as it goes to the downstream side from the upstream side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はスコロトロン帯電器
にグリッド電極を設けた、いわゆるスコロトロン帯電器
により感光体表面に帯電を行なう画像形成装置の帯電方
法に係り、特に前記スコロトロン帯電器のグリッド電極
形状の開口形状に変化をもたせて、感光体に対する帯電
能力を向上させた帯電方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charging method for an image forming apparatus in which a scorotron charger is provided with a grid electrode, that is, a so-called scorotron charger for charging the surface of a photoreceptor, and more particularly to a grid electrode shape of the scorotron charger. The present invention relates to a charging method in which the shape of the opening is changed to improve the charging ability of the photosensitive member.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より感光体に電荷を付与する帯電方
式として接触式と非接触式が存在し、接触式帯電方式に
は、放電ワイヤの周囲に半空間を占めるシールドケース
(ケーシング電極)で構成されたスコロトロン帯電装置
と、該スコロトロン帯電装置の感光体と対面する開放空
間側にグリッド電極を追加したスコロトロン型帯電器が
多く用いられている。スコロトロン型帯電器の原理は、
先ず、シールドケースの内部の放電ワイヤに高電圧を印
加することによりコロナイオンが発生する。発生したコ
ロナイオンは、放電ワイヤ、制御グリッド部、感光体間
に生じる電界により感光体表面に運ばれることにより感
光体を帯電させる(参考文献として特開昭52−109
943他多数の文献がある)。
2. Description of the Related Art Conventionally, there are a contact type and a non-contact type as a charging method for applying a charge to a photoreceptor. The contact type charging method uses a shield case (casing electrode) which occupies a half space around a discharge wire. A scorotron charger having the above configuration, and a scorotron charger having a grid electrode added to an open space facing a photoreceptor of the scorotron charger are often used. The principle of the scorotron charger is
First, corona ions are generated by applying a high voltage to the discharge wires inside the shield case. The generated corona ions are charged to the photoreceptor by being carried to the photoreceptor surface by an electric field generated between the discharge wire, the control grid portion, and the photoreceptor (see JP-A-52-109 as a reference).
943 and many other documents).

【0003】かかるスコロトロン型帯電器は前記グリッ
ド電極により放電ワイヤより発生したコロナイオン流の
制御を行ない、結果として感光体に到達するイオン量の
制御を行なうもので、特に放電むらが生じやすいマイナ
ス放電や過帯電により絶縁破壊の生じやすいOPCに積
極的に用いられている。そして前記グリッドにはステン
レスやタングステン線材を1〜3mm間隔で張設したも
のや板材を網点若しくは多平行スリット状にエッチング
によりメッシュ加工したものとが存在するが、近年は組
立性の面より後者が多く用いられている。
Such a scorotron charger controls the corona ion flow generated from the discharge wire by the grid electrode, and controls the amount of ions reaching the photoconductor as a result. And OPC which is apt to cause dielectric breakdown due to overcharging. The grid includes a stainless steel or tungsten wire rod stretched at an interval of 1 to 3 mm or a plate rod meshed by etching into a halftone dot or multi-parallel slit shape. Is often used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】一方近年高耐久性の面
よりa−Si感光体ドラムを用いているが、かかるa−
Si感光体ドラムは、OPC感光体ドラムと同じ電位と
なるように帯電させるためには3〜4倍の電流を必要と
する。そのため前記スコロトロン型帯電器におけるグリ
ッド開口率を全面にわたって一定にした従来型のグリッ
ドを持つスコロトロン型帯電器を使用して、a−Si感
光体ドラムを帯電させた場合、グリッド電位と、グリッ
ド形状から決まる遮断電圧(帯電器から感光体に電流が
流れなくなる感光体表面電位)と比較して、帯電器を抜
けた点での感光体の帯電電位が極端に低くなる。このた
め、表面酸化物の付着等に起因する放電ワイヤの汚染に
より放電ワイヤの電圧が見かけ上極端に高くなった場合
には、感光体帯電電位が異常に上昇してしまうという問
題点があった。
On the other hand, in recent years, an a-Si photosensitive drum has been used in view of high durability.
The Si photoreceptor drum requires three to four times the current to charge it to the same potential as the OPC photoreceptor drum. Therefore, when the a-Si photosensitive drum is charged using a scorotron-type charger having a conventional grid in which the grid aperture ratio in the scorotron-type charger is constant over the entire surface, the grid potential and the grid shape are reduced. The charging potential of the photoconductor at the point where it passes through the charging device becomes extremely lower than the determined cut-off voltage (photoconductor surface potential at which no current flows from the charging device to the photoconductor). For this reason, when the voltage of the discharge wire becomes extremely high due to the contamination of the discharge wire due to the adhesion of the surface oxide or the like, there has been a problem that the photoconductor charging potential abnormally increases. .

【0005】また、グリッド電極が汚染した場合にも、
該グリッド電極に流れ込む電流が減少するため、感光体
に流れ込む電流が大きくなり、放電ワイヤが汚染した場
合と同様に、感光体帯電電位が異常に上昇してしまうと
いう問題点があった。この問題はa−Si感光体ドラム
に必ずしも特有の課題であるのみならず、OPC感光体
ドラムを用いた場合であっても、帯電器の幅、具体的に
は感光体ドラム回転方向の帯電器幅を小さくした場合に
同様な現象が起こり得る。
Also, when the grid electrode is contaminated,
Since the current flowing into the grid electrode decreases, the current flowing into the photoconductor increases, and the charging potential of the photoconductor abnormally rises as in the case where the discharge wire is contaminated. This problem is not always a problem peculiar to the a-Si photosensitive drum, and even when the OPC photosensitive drum is used, the width of the charger, specifically, the charger in the rotating direction of the photosensitive drum is used. A similar phenomenon can occur when the width is reduced.

【0006】かかる欠点を解消するには帯電器を極端に
大型化し、帯電時間を十分とるか、もしくは放電ワイヤ
の電圧を高くすることで、遮断電圧と帯電電圧の差をで
きる限り小さくすることが可能であり、こうすることで
放電ワイヤが汚染した場合の帯電特性の変化を抑えるこ
とができる。また、グリッド電極のグリッドパターンを
細密化し、グリッド電極の開口部分の面積を小さくする
ことで、グリッドが汚染した場合の帯電特性の変化を抑
えることができる。したがって、これらのことを両立さ
せるような設計にすればよいのだが、グリッドのパター
ンを細密化し開口部分の面積を比較的小さくすること
は、同時に、感光体に流れ込む電流の比率を小さくする
ことになり、それ自身は遮断電圧と帯電電圧の差を広げ
る要因となる。したがって、グリッドの開口部分の比率
を小さくした場合には、更に帯電器を大きくし、帯電時
間を長くする必要がある。しかしながら帯電器を極端に
大型化することは、感光体周辺での帯電器として使用可
能なスペースは限られているため、実際はほとんど不可
能に近いのみならず小型化と高速化の要請に反する。ま
た、放電ワイヤの電圧を高くするとオゾン発生量の増加
及び電源の負荷が大きくなるという問題があった。
[0006] In order to solve such a disadvantage, it is necessary to minimize the difference between the cut-off voltage and the charging voltage by increasing the size of the charger and increasing the charging time, or increasing the voltage of the discharge wire. This makes it possible to suppress a change in the charging characteristics when the discharge wire is contaminated. Further, by making the grid pattern of the grid electrode finer and reducing the area of the opening portion of the grid electrode, it is possible to suppress a change in charging characteristics when the grid is contaminated. Therefore, it is only necessary to design so as to make these factors compatible.However, making the grid pattern finer and making the area of the opening relatively small means simultaneously reducing the ratio of the current flowing into the photoconductor. It itself becomes a factor that widens the difference between the cutoff voltage and the charging voltage. Therefore, when the ratio of the opening portions of the grid is reduced, it is necessary to further increase the size of the charger and prolong the charging time. However, increasing the size of the charger is extremely difficult in practice because the space available as the charger around the photoreceptor is limited. Further, when the voltage of the discharge wire is increased, there is a problem that the amount of ozone generated increases and the load on the power supply increases.

【0007】本発明はかかる技術的課題に鑑み、スコロ
トロン帯電器のグリッド電極形状の開口形状に変化をも
たせて、感光体に対する帯電能力を向上させた帯電方法
を提供する事にある。本発明の他の目的は、小型化、高
速化を達成しつつa−Si感光体ドラムの帯電に好適な
画像形成装置の帯電方法を提供する事にある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above technical problems, an object of the present invention is to provide a charging method in which the opening capability of a grid electrode of a scorotron charger is changed to improve the charging ability of a photoreceptor. It is another object of the present invention to provide a charging method for an image forming apparatus suitable for charging an a-Si photosensitive drum while achieving downsizing and high speed.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、請求項1記載の発明において、スコロトロン帯電
器のグリッド電極と感光体を所定間隔存して対面配置
し、前記感光体を帯電器の上流側から下流側に向かって
移動させながら感光体に帯電を行なう画像形成装置の帯
電方法において前記グリット電極の開口部の形状を感光
体移動方向に対して2つ以上の領域に分割し、前記感光
体移動方向に対してグリッド電極上流側から下流側に向
かって各々の領域の開口面積の比率を疎から密に設定し
たことを特徴とする。請求項2記載の発明は、前記グリ
ット電極開口部の開口面積の比率を、前記感光体移動方
向に対して上流側から下流側に向かって疎から密に徐々
に変化させるように設定したことを特徴とする。請求項
3記載の発明は、前記帯電方法を用いるのに好適な感光
体を特定し、前記感光体がa−Si感光体であることを
特徴としている。又前記いずれの発明においても感光体
と前記グリッド電極との距離を所定間隔に維持する必要
がある事は当然である。
In order to solve the above-mentioned problems, in the invention according to the first aspect, a grid electrode of a scorotron charger and a photoreceptor are arranged facing each other at a predetermined interval, and the photoreceptor is charged. In the charging method of the image forming apparatus for charging the photosensitive member while moving from the upstream side to the downstream side, the shape of the opening of the grid electrode is divided into two or more regions with respect to the photosensitive member moving direction, The ratio of the opening area of each region is set from sparse to dense from the upstream side to the downstream side of the grid electrode with respect to the photoconductor moving direction. The invention according to claim 2 is characterized in that the ratio of the opening area of the grid electrode opening is set to gradually change from sparse to dense from the upstream side to the downstream side with respect to the photoconductor moving direction. Features. The invention according to claim 3 is characterized in that a photoconductor suitable for using the charging method is specified, and the photoconductor is an a-Si photoconductor. In any of the above inventions, it is natural that the distance between the photoconductor and the grid electrode must be maintained at a predetermined distance.

【0009】かかる発明によれば、前記グリッド電極の
開口部分の形状を感光体移動方向に対して2つ以上の領
域に分割し、該感光体移動方向方向に対して上流側から
下流側に向かって各々の領域のグリッド開口部の比率を
徐々に疎から密に設定するか、もしくは領域にあえて分
割することなく上流側から下流側に向かって開口面積の
比率を疎から密に変化させるように設定することによ
り、帯電器の小型化及び帯電時間の高速化を図った場合
においても、従来の帯電器よりも汚染時の帯電電位上昇
を低く抑えることができる。
According to this invention, the shape of the opening portion of the grid electrode is divided into two or more regions in the moving direction of the photoconductor, and the area is changed from the upstream side to the downstream side in the moving direction of the photoconductor. By gradually setting the ratio of the grid opening in each region from sparse to dense, or by changing the ratio of the opening area from sparse to dense from the upstream side to the downstream side without intentionally dividing the region. By setting, even when the charger is downsized and the charging time is shortened, it is possible to suppress the rise of the charging potential at the time of contamination as compared with the conventional charger.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施
例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その
相対的配置等は特に特定的な記載がないかぎりは、この
発明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説明
例にすぎない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be illustratively described in detail below with reference to the drawings. However, unless otherwise specified, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention thereto, but are merely illustrative examples. It's just

【0011】図4は本発明の実施形態を説明する実験装
置の概略構成図で、図1において、図中100はスコロ
トロン型帯電器で、放電ワイヤ1の周囲に半空間を占め
るシールドケース2(ケーシング電極)の感光体ドラム
(アルミ素管103で代用)と対面する開放空間側にグ
リッド電極3を設ける。高圧電源101は放電ワイヤ1
と接続され、図中矢印方向に400μAの定電流を流す
ように設定してある。高圧電源102は電流計105を
介してAl素管103に接続され、Al素管103の電
位を制御している。104は定電圧回路としてのツェナ
ーダイオードでシールドケース2に接続され、その値は
400Vに設定してある。かかる実験装置で、高圧電源
102の電圧を変化させたときのAl素管103の流れ
込み電流を電流計105で測定することで、スコロトロ
ン型帯電器の性能を評価することができる。この実験方
法で、三種類のパターンのグリッドと、それらが汚染し
た場合とで、Al素管流れ込み電流のAl素管電位依存
性を調べた。以下にその実験結果を示す。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an experimental apparatus for explaining an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 100 denotes a scorotron type charger, and a shield case 2 (occupying a half space around a discharge wire 1). The grid electrode 3 is provided on the side of the open space of the casing electrode facing the photosensitive drum (substituted by the aluminum tube 103). High-voltage power supply 101 is discharge wire 1
And is set so that a constant current of 400 μA flows in the direction of the arrow in the figure. The high-voltage power supply 102 is connected to the Al tube 103 via an ammeter 105, and controls the potential of the Al tube 103. Reference numeral 104 denotes a Zener diode as a constant voltage circuit, which is connected to the shield case 2 and its value is set to 400V. With such an experimental apparatus, the performance of the scorotron-type charger can be evaluated by measuring, with the ammeter 105, the current flowing into the Al tube 103 when the voltage of the high-voltage power supply 102 is changed. With this experimental method, the dependence of the current flowing into the aluminum pipe on the aluminum pipe potential was examined for grids of three types of patterns and when they were contaminated. The experimental results are shown below.

【0012】図5は実験を行なった三種類のグリッド電
極のパターン形状を表わしている。実験例No.1は
0.1mmtのステンレス板材に、0.1mm幅の細線
を残すごとく0.8mmピッチ間隔で水平に対し60°
の傾斜角で左右に交差する如くエッチング処理して菱形
メッシュ状網目グリッドを形成している。実験例No.
2は0.1mmtのステンレス板材に、0.1mm幅の
細線を残すごとく0.8mmピッチ間隔で水平に対し6
0°の右倒れ傾斜角でエッチング処理して片側傾斜のス
リット状グリッドを形成している。実験例No.3は
0.1mmtのステンレス板材に、0.1mm幅の細線
を残すごとく1.7mmピッチ間隔で水平に対し60°
の右倒れ傾斜角でエッチング処理して片側傾斜のスリッ
ト状グリッドを形成している。
FIG. 5 shows the pattern shapes of three types of grid electrodes on which experiments were performed. Experimental Example No. 1 is 60 ° with respect to the horizontal at 0.8 mm pitch intervals so as to leave a fine line of 0.1 mm width on a 0.1 mmt stainless steel plate.
Etching is performed so as to intersect the right and left at an inclination angle of? To form a rhombic mesh network grid. Experimental Example No.
2 is 6 mm apart from the horizontal at a pitch of 0.8 mm on a 0.1 mmt stainless steel plate so as to leave a thin line of 0.1 mm width.
Etching is performed at a right inclination angle of 0 ° to form a one-sided slit grid. Experimental Example No. 3 is 60 ° with respect to the horizontal at 1.7 mm pitch intervals so as to leave a thin line of 0.1 mm width on a 0.1 mmt stainless steel plate.
To form a slit-shaped grid inclined to one side.

【0013】図6は図5のNo.1〜3パターン電極を
用い、制御グリッド電位を400Vに、又高圧電源10
2の電圧を変化させてAl素管103の電位を変化させ
た場合のAl素管103の流れ込み電流を電流計105
で測定したものある。本結果によればNo.1→No.
2→No.3の順にAl素管103の流れ込み電流が上
がり、この結果より、グリッドパターンの開口部分の面
積が大きいほど感光体に流れ込む電流が大きいが、遮断
電位(感光体に電流が流れ込まなくなる感光体の電位、
すなわち、図6のグラフの線と横軸0点の交わる点)と
グリッド電位(400V)との差も大きく、グリッド電
位(400V)よりもかなり高い電位になるまで感光体
に電流が流れ込む性質がある。一方、グリッドパターン
の開口部分の面積を小さくすると、感光体に流れ込む電
流が小さいが、遮断電位とグリッド電位との差も小さい
ことがわかる。この遮断電位は放電ワイヤの電圧を高く
しても変化しないことが実験で分かっている。
FIG. 6 is a diagram showing the case of No. 3 in FIG. Using 1 to 3 pattern electrodes, control grid potential to 400V, and high voltage power supply 10
The current flowing into the Al tube 103 when the potential of the Al tube 103 is changed by changing the voltage of
Some are measured by: According to this result, No. 1 → No.
2 → No. The current flowing into the aluminum tube 103 increases in the order of 3, and as a result, the larger the area of the opening of the grid pattern is, the larger the current flows into the photoconductor, but the cutoff potential (the potential of the photoconductor at which no current flows into the photoconductor) ,
That is, there is a large difference between the grid potential (400 V) and the point at which the line in the graph of FIG. 6 intersects with the zero point on the horizontal axis, and the current flows into the photoconductor until the potential becomes considerably higher than the grid potential (400 V). is there. On the other hand, when the area of the opening portion of the grid pattern is reduced, the current flowing into the photoconductor is small, but the difference between the cutoff potential and the grid potential is small. Experiments have shown that this cut-off potential does not change even if the voltage of the discharge wire is increased.

【0014】これらのことより、グリッドパターンが粗
いものの場合は、感光体に流れ込む電流が大きいので、
グリッド電位が比較的低くても所定電位に感光体を帯電
させることができる。しかし、それ以上に遮断電圧が高
いので、放電ワイヤが汚染し、放電ワイヤの表面の電圧
が上昇した場合にはかなり高い電位になるまで感光体を
帯電させてしまう可能性がある。一方、グリッドパター
ンが粗い場合と比較して、遮断電圧自体は低いものの、
感光体に流れ込む電流自体小さいため、グリッド電位を
高めに設定しなければ所定電位まで帯電させることがで
きない。結果として遮断電圧と帯電電位との差はパター
ンが粗い場合ほどではないにしろ大きくなるため、帯電
電位の上昇を引き起こしてしまう。
From these facts, when the grid pattern is coarse, the current flowing into the photoreceptor is large.
Even if the grid potential is relatively low, the photoconductor can be charged to a predetermined potential. However, since the cut-off voltage is higher than that, the discharge wire may be contaminated, and if the voltage on the surface of the discharge wire rises, the photoconductor may be charged to a considerably high potential. On the other hand, as compared with the case where the grid pattern is coarse, the cutoff voltage itself is lower,
Since the current flowing into the photoreceptor itself is small, it cannot be charged to a predetermined potential unless the grid potential is set high. As a result, the difference between the cut-off voltage and the charging potential is not so large as when the pattern is coarse, but becomes large, causing an increase in the charging potential.

【0015】次に、グリッドが汚染した場合の実験結果
を示す。図7は図5に示すNo.1{図7(a)}とN
o.2{図7(b)}グリッド夫々について汚染した場
合のグリッド(実線)と汚染していないもの(破線)の
グリッドに付いてAl素管電位とAl素管の流れ込み電
流との関係を示すグラフ図である。図7より理解される
ように、汚染されたグリッド電極を用いた場合には、ど
ちらのパターングリッドでも感光体に流れ込む電流も遮
断電圧も増加する。その結果として帯電電位が上昇する
ことが推測できるが、グリッドの開口率が小さいものの
方が帯電特性の変化や遮断電圧の上昇も少ないことも理
解できる。
Next, experimental results when the grid is contaminated will be described. FIG. 1 {Fig. 7 (a)} and N
o. 2 {FIG. 7 (b)} A graph showing the relationship between the potential of the aluminum pipe and the current flowing into the aluminum pipe for the grids (solid line) and the grids not polluted (dashed line) for each of the grids. FIG. As can be understood from FIG. 7, when a contaminated grid electrode is used, the current flowing into the photoconductor and the cutoff voltage increase in either pattern grid. As a result, it can be inferred that the charging potential increases, but it can also be understood that the change in the charging characteristics and the increase in the cut-off voltage are smaller when the aperture ratio of the grid is smaller.

【0016】次に感光体が実際に帯電器を通過する際の
表面電位の様子の概略図を図8に示す。図8(a)は感
光体10がスコロトロン帯電器100を通過する状態を
示す作用図で、図8(b)は図5に示す各々のパターン
グリッド(No.1、No.2、No.3)を用いた帯
電器で帯電した場合の表面電位の変化の概念図である。
実線はNo.1、一点鎖線はNo.2、破線はNo.3
のパターングリッドを用いた場合で、また、太線の二点
鎖線はパターングリッドの上流部の開口率を大きくし
(No.3のパターングリッド)、又下流側はその開口
率を小さくした(No.1のパターングリッド)場合の
様子である。かかる構成では上流側では、グリッドパタ
ーンが粗いので、No.3のグリッドと同様に帯電は立
ち上がるが、下流側ではグリッドの開口率が小さく、ま
た、電位自体すでに高くなっているので、No.1のグ
リッドで帯電させた場合よりも、更に遅く帯電すること
になる。
FIG. 8 is a schematic diagram showing the state of the surface potential when the photosensitive member actually passes through the charger. FIG. 8A is an operation diagram showing a state in which the photoconductor 10 passes through the scorotron charger 100, and FIG. 8B is a pattern grid (No. 1, No. 2, and No. 3) shown in FIG. FIG. 7 is a conceptual diagram of a change in surface potential when charged by a charger using the method (1).
The solid line is No. 1; 2, the broken line is No. 3
In the case where the pattern grid of No. 3 is used, the bold two-dot chain line increases the opening ratio of the upstream portion of the pattern grid (No. 3 pattern grid), and decreases the opening ratio of the downstream side (No. 3). 1 pattern grid). In such a configuration, the grid pattern is coarse on the upstream side. The charging rises in the same manner as the grid of No. 3, but the aperture ratio of the grid on the downstream side is small and the potential itself is already high. Charging will be much slower than charging with one grid.

【0017】さて図5のグリッドパターンの内、開口率
の小さいNo.1のものと、開口率の大きいNo.3の
もの夫々が、図8(a)の装置構成で帯電させた場合の
帯電域上流(帯電器入口側A)側と下流(帯電器出口側
B)側における帯電状況を図9(a)(b)に示す同図
中実線は放電ワイヤが汚染していない状態、破線は汚染
している状態を示す。これらの図より明らかなように、
放電ワイヤが汚染すると帯電の速度が高くなるため、
(a)及び(b)のいずれの場合も各々のグリッドの遮
断電圧の近くの電位まで帯電する。グリッドの開口比率
が大きいNo.3の場合には(a)、帯電器入口側Aで
の帯電器に突入直後の帯電電位よりもグリッドの遮断電
圧はかなり高いため、必然的に放電ワイヤが汚染したと
きの電位上昇は大きくなる。また、グリッドの開口比率
が小さいNo.1のものの場合には、グリッドの開口比
率が大きいNo.3の場合とグリッド電位を同じ値にし
ても、帯電器出口側Bを抜けた点での帯電電位が低くな
る。この場合もパターンが粗い場合と同様に汚染されて
いないときの帯電電位と遮断電位の差が大きく、放電ワ
イヤが汚染したときには帯電電位が上昇する。いずれの
パターンのグリッドであっても放電ワイヤの汚染によっ
て帯電電位は上昇することになる。更にグリッドが汚染
した場合には、遮断電圧自体も上昇するので、帯電電位
の上昇は更に大きくなるが、同程度の汚染の場合には、
グリッドのパターンが細かい方が遮断電圧の上昇は小さ
い。
In the grid pattern shown in FIG. No. 1 and No. 1 having a large aperture ratio. FIG. 9A shows the charging status on the upstream side (charging device entrance side A) and downstream (charging device exit side B) side of the charging area when each of the three devices is charged by the device configuration of FIG. In FIG. 3B, a solid line indicates a state where the discharge wire is not contaminated, and a broken line indicates a state where the discharge wire is contaminated. As is clear from these figures,
If the discharge wire is contaminated, the charging speed will increase,
In both cases (a) and (b), the grid is charged to a potential near the cutoff voltage of each grid. The opening ratio of the grid is large. In the case of No. 3, (a), since the grid cutoff voltage is considerably higher than the charging potential immediately after entering the charger at the charger inlet side A, the potential rise when the discharge wire is contaminated is inevitably large. . In addition, in the case of the grid having a small aperture ratio, In the case of No. 1, the opening ratio of the grid is large. Even when the grid potential is the same value as in the case of No. 3, the charging potential at the point passing through the charger outlet side B decreases. Also in this case, similarly to the case where the pattern is coarse, the difference between the charging potential and the blocking potential when not contaminated is large, and the charging potential increases when the discharge wire is contaminated. Regardless of the grid of any pattern, the charging potential increases due to the contamination of the discharge wire. Further, when the grid is contaminated, the cut-off voltage itself increases, so that the charging potential increases further.
The finer the grid pattern, the smaller the rise in the cutoff voltage.

【0018】かかる実験結果に基づいて、帯電器のグリ
ッド電極汚染時の帯電電位上昇を解決する為の実施形態
を図1に基づいて説明する。図1は本発明の実施形態に
係る画像形成装置の帯電部分の要部構成図で、同図にお
いて、11は放電ワイヤ1に接続している高圧電源であ
り、図中の矢印方向に一定の電流を流すように設定す
る。放電ワイヤ1は高圧電源11印加により前記数kV
の電圧となり、放電イオンを発生する。2及び3はそれ
ぞれシールドケースおよびグリッド電極で、これらは定
電圧回路としてのツェナーダイオード104に接続され
ている。又感光体ドラム10は接地されている。かかる
構成により放電ワイヤ1、シールドケース2、グリッド
電極3、感光体ドラム10の間に生じる電場により、電
荷が感光体10上に運ばれることで感光体は帯電する。
An embodiment for solving the increase in the charging potential when the grid electrode of the charger is contaminated will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a configuration diagram of a main portion of a charging portion of an image forming apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a high-voltage power supply connected to a discharge wire 1, which is fixed in a direction indicated by an arrow in FIG. Set to flow current. The several kV is applied to the discharge wire 1 by applying the high voltage power supply 11.
And generate discharge ions. Reference numerals 2 and 3 denote a shield case and a grid electrode, respectively, which are connected to a zener diode 104 as a constant voltage circuit. The photosensitive drum 10 is grounded. With such a configuration, an electric field generated between the discharge wire 1, the shield case 2, the grid electrode 3, and the photoconductor drum 10 causes charges to be transferred onto the photoconductor 10, thereby charging the photoconductor.

【0019】図2は図1の帯電器部分の要部拡大図で、
本図より明らかなように、グリッド電極において上流側
のグリッド電極3Aのグリッドパターンを粗くし(N
o.3のものを使用)、下流側のグリッド電極3Bのグ
リッドパターンを細かくする(No.1のものを使用)
ことで、グリッド電極3を含む帯電器内が汚染したとき
の帯電器の電位上昇を抑えることができる。即ちより詳
細に説明するに、グリッドパターンが細かい方が、遮断
電圧もグリッドが汚染した場合の遮断電圧上昇も小さく
抑えることができる。この特質は、感光体10が帯電器
を通過している過程において、電位がある程度高くなっ
てから帯電器の下流側で必要なグリッドの特質である。
又感光体の帯電電位が低い帯電器の上流側では、帯電さ
せる速度が速く、ある程度の電位にすばやく立ち上がる
ことが重要である。そこで、上流側のグリッドパターン
を粗くし、下流側のグリッドパターンを細かくすること
で、すばやくある程度まで感光体を帯電させ、その後に
必要以上の電流を感光体に流さない制御を行なうことが
可能である。尚、図10は図5に示すNo.1とNo.
2グリッド及び図2に示すグリッド夫々についてAl素
管電位とAl素管の流れ込み電流との関係を示す。従っ
て本実施形態のような制御グリッドの構成にする事によ
り帯電器の汚染が進んで、帯電器上流側の部分だけで表
面電位がかなり乗ってしまった場合でも下流側では感光
体方向に電流は流れず、全てグリッドとシールドケース
が電流を吸い込むようになるので、全部一様な場合と比
較すると表面電位上昇は低く抑えられるという効果を有
す。
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the charger portion of FIG.
As is clear from this figure, the grid pattern of the grid electrode 3A on the upstream side in the grid electrode is roughened (N
o. 3), and the grid pattern of the grid electrode 3B on the downstream side is made finer (the one of No. 1 is used).
Accordingly, it is possible to suppress a rise in the potential of the charger when the inside of the charger including the grid electrode 3 is contaminated. That is, as described in more detail, the finer the grid pattern, the smaller the cutoff voltage and the rise in the cutoff voltage when the grid is contaminated. This characteristic is a characteristic of the grid that is required on the downstream side of the charger after the potential has increased to some extent in the process of the photoconductor 10 passing through the charger.
On the upstream side of the charger where the charging potential of the photoconductor is low, it is important that the charging speed is high and the potential rises quickly to a certain potential. Therefore, by making the grid pattern on the upstream side coarse and the grid pattern on the downstream side fine, it is possible to quickly charge the photoconductor to a certain extent, and then to control the photoconductor so that an unnecessary current does not flow to the photoconductor. is there. Note that FIG. 1 and No.
2 shows the relationship between the Al tube potential and the current flowing into the Al tube for each of the two grids and the grid shown in FIG. Therefore, by adopting the configuration of the control grid as in the present embodiment, the contamination of the charger progresses, and even when the surface potential is considerably increased only in the upstream portion of the charger, the current flows in the direction of the photoconductor downstream. Since the current does not flow and the grid and the shield case all draw current, there is an effect that the surface potential rise can be suppressed to be lower than in the case where the grid is all uniform.

【0020】尚、前記グリッド構成は図3に示すよう
に、円形開口30の直径を徐々に小さくして前記グリッ
ト開口部の開口面積の比率を、前記感光体ドラム10回
転方向に対して上流側から下流側に向かって疎から密に
徐々に変化させるように設定した場合にも同様な作用を
得る事が出来る。
In the grid structure, as shown in FIG. 3, the diameter of the circular opening 30 is gradually reduced so that the ratio of the opening area of the grit opening to the upstream side with respect to the rotation direction of the photosensitive drum 10 is adjusted. The same effect can be obtained even when it is set to gradually change from sparse to dense from downstream to downstream.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上記載のごとく本発明によれば、放電
ワイヤの電圧を低く抑えたままグリッド電位と遮断電位
を近づけることができるため、オゾン発生も少なくし、
なおかつ長寿命の帯電器が実現する。特に、高速化を達
成しつつa−Si感光体ドラムの帯電に好適な帯電方法
を得る事が出来る。
As described above, according to the present invention, since the grid potential and the cut-off potential can be brought close to each other while keeping the voltage of the discharge wire low, the generation of ozone is reduced.
In addition, a long-life charger is realized. In particular, it is possible to obtain a charging method suitable for charging the a-Si photosensitive drum while achieving high speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係る画像形成装置の帯電
部分の要部構成図である。
FIG. 1 is a main part configuration diagram of a charged portion of an image forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の帯電器部分の要部拡大図で請求項1記
載の発明に対応する。
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of a charger section of FIG. 1 and corresponds to the invention described in claim 1;

【図3】 図2は図1の帯電器部分の要部拡大図で、請
求項2記載の発明に対応する。
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of a charger portion shown in FIG. 1 and corresponds to the invention described in claim 2;

【図4】 本発明の実施形態を説明する実験装置の概略
構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an experimental apparatus for explaining an embodiment of the present invention.

【図5】 図4の装置で実験を行なった三種類のグリッ
ド電極のパターン形状を表わしている。
FIG. 5 shows three types of grid electrode pattern shapes that were tested with the apparatus of FIG.

【図6】 図5のNo.1〜3パターン電極を用い、A
l素管の電位を変化させた場合のAl素管の流れ込み電
流を測定したグラフ図である。
FIG. Using 1 to 3 pattern electrodes, A
It is the graph figure which measured the inflow electric current of the aluminum pipe when changing the electric potential of the 1 pipe.

【図7】 図5に示すNo.1(A)とNo.2(B)
のグリッド夫々について汚染した場合のグリッド(実
線)と汚染していないもの(破線)のグリッドに付いて
Al素管電位とAl素管の流れ込み電流との関係を示す
グラフ図である。
FIG. 1 (A) and No. 1 2 (B)
7 is a graph showing the relationship between the potential of the aluminum pipe and the current flowing into the aluminum pipe for the grids (solid line) and the grids not polluted (broken line) for each of the grids of FIG.

【図8】 図5に示すNo.1(A)とNo.2(B)
グリッド夫々について汚染した場合のグリッド(実線)
と汚染していないもののグリッドに付いてAl素管電位
とAl素管の流れ込み電流との関係を示すグラフ図であ
る。
FIG. 1 (A) and No. 1 2 (B)
Grid when each grid is contaminated (solid line)
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the potential of the aluminum shell and the current flowing into the aluminum shell for the grid which is not contaminated.

【図9】 放電ワイヤが汚染された場合の感光体表面電
位のようすが帯電器領域内での帯電変化を示すグラフ図
である。
FIG. 9 is a graph showing a change in charging in a charging device area as a photoconductor surface potential when a discharge wire is contaminated.

【図10】 図5に示すNo.1とNo.2グリッド及
び図2に示すグリッド夫々についてAl素管電位とAl
素管の流れ込み電流との関係を示すグラフ図である。
FIG. 1 and No. 2 grid and the grid shown in FIG.
It is a graph which shows the relationship with the inflow current of a base tube.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 放電ワイヤ 2 シールドケース 3 グリッド電極 3A 上流側のグリッド電極 3B 下流側のグリッド電極 10 感光体ドラム 11 高圧電源 104 ツェナーダイオード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Discharge wire 2 Shield case 3 Grid electrode 3A Upstream grid electrode 3B Downstream grid electrode 10 Photoconductor drum 11 High voltage power supply 104 Zener diode

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スコロトロン帯電器のグリッド電極と感
光体を所定間隔存して対面配置し、前記感光体を帯電器
の上流側から下流側に向かって移動させながら感光体に
帯電を行なう画像形成装置の帯電方法において前記グリ
ット電極の開口部の形状を感光体移動方向に対して2つ
以上の領域に分割し、前記感光体移動方向に対してグリ
ッド電極上流側から下流側に向かって各々の領域の開口
面積の比率を疎から密に設定したことを特徴とする画像
形成装置の帯電方法。
1. An image forming apparatus in which a grid electrode of a scorotron charger and a photoconductor are arranged facing each other at a predetermined interval, and the photoconductor is charged while moving the photoconductor from an upstream side to a downstream side of the charger. In the charging method of the device, the shape of the opening of the grid electrode is divided into two or more regions with respect to the photoconductor moving direction, and each of the openings is divided from the grid electrode upstream to the downstream with respect to the photoconductor moving direction. A charging method for an image forming apparatus, wherein the ratio of the opening area of the region is set from sparse to dense.
【請求項2】 スコロトロン帯電器のグリッド電極と感
光体を所定間隔存して対面配置し、前記感光体を帯電器
の上流側から下流側に向かって移動させながら感光体に
帯電を行なう画像形成装置の帯電方法において、 前記グリット電極開口部の開口面積の比率を、前記感光
体移動方向に対して上流側から下流側に向かって疎から
密に徐々に変化させるように設定したことを特徴とする
画像形成装置の帯電方法。
2. An image forming apparatus, comprising: a grid electrode of a scorotron charger and a photoreceptor facing each other at a predetermined interval; and charging the photoreceptor while moving the photoreceptor from an upstream side to a downstream side of the charger. In the charging method of the apparatus, the ratio of the opening area of the grit electrode opening is set to gradually change from sparse to dense from the upstream side to the downstream side with respect to the photoconductor moving direction. Charging method for an image forming apparatus.
【請求項3】 前記感光体がa−Si感光体である請求
項1若しくは2記載の画像形成装置の帯電方法。
3. The charging method according to claim 1, wherein the photoconductor is an a-Si photoconductor.
JP9801797A 1997-03-31 1997-03-31 Electrifying method of image forming device Pending JPH10274873A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008268248A (en) * 2007-04-16 2008-11-06 Kyocera Mita Corp Electrifier unit and image forming apparatus
US7599647B2 (en) 2005-10-26 2009-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha Charging device and electrophotographic apparatus including the same

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