JPH10271822A - Dc-dc converter - Google Patents

Dc-dc converter

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JPH10271822A
JPH10271822A JP7428197A JP7428197A JPH10271822A JP H10271822 A JPH10271822 A JP H10271822A JP 7428197 A JP7428197 A JP 7428197A JP 7428197 A JP7428197 A JP 7428197A JP H10271822 A JPH10271822 A JP H10271822A
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JP
Japan
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series
snubber
switch element
semiconductor switch
terminal
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JP7428197A
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Japanese (ja)
Inventor
Masakazu Gekitou
政和 鷁頭
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the conversion efficiency of a DC-DC converter from lowering without need for increasing the size of a snubber circuit. SOLUTION: A snubber circuit 51A consisting of a diode and a capacitor and an auxiliary circuit 52A constituted of a serial circuit consisting of an auxiliary reactor and an auxiliary switching element are connected to the semiconductor switching element 5A of this DC-DC converter consisting of a DC power source 1, the semiconductor switching elements 5A, 7B, diodes 9A, 9B, a transformer 2, a rectifier circuit 3, a filter 4 and so on, and the energy absorbed in the snubber circuits 8, 51A is finally discharged to the DC power source 1 or the load, thus it is possible to attain size reduction and higher efficiency of the device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、直流電源から絶
縁された直流電力を取り出す直流−直流変換装置、特
に、半導体スイッチのオン,オフ動作で電力変換を行な
う際、この半導体スイッチに付属するスナバ回路に蓄積
されるエネルギーを回収するためのエネルギー回収機能
を備えた直流−直流変換装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DC-DC converter for extracting insulated DC power from a DC power supply, and more particularly to a snubber attached to the semiconductor switch when performing power conversion by turning on and off a semiconductor switch. The present invention relates to a DC-DC converter having an energy recovery function for recovering energy stored in a circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】図12に1石フォワード型直流−直流変
換装置の従来例を示す。同図に示すように、直流電源1
の正極側端子には変圧器2の一次巻線21Aとリセット
巻線21Bとの接続点が、変圧器2の一次巻線21Aの
他方の端子と直流電源1の負極側端子間には半導体スイ
ッチ素子5Aが、変圧器2のリセット巻線21Bの他方
の端子と直流電源1の負極側端子間にはダイオード9B
が、変圧器2の二次巻線22には整流回路3が、整流回
路3には平滑フィルタ(平滑回路)4がそれぞれ接続さ
れて構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 12 shows a conventional example of a single-forward type DC-DC converter. As shown in FIG.
The connection point between the primary winding 21A of the transformer 2 and the reset winding 21B is connected to the positive terminal of the transformer 2 and a semiconductor switch is connected between the other terminal of the primary winding 21A of the transformer 2 and the negative terminal of the DC power supply 1. An element 5A includes a diode 9B between the other terminal of the reset winding 21B of the transformer 2 and the negative terminal of the DC power supply 1.
However, the rectifier circuit 3 is connected to the secondary winding 22 of the transformer 2, and the rectifier circuit 3 is connected to a smoothing filter (smoothing circuit) 4.

【0003】図17に図12の動作波形を示す。いま、
半導体スイッチ素子5Aがオンの期間に変圧器2を正
方向に励磁し、整流回路3および平滑フィルタ4を介し
て負荷に直流電力を供給する。これに対し、半導体スイ
ッチ素子5Aがオフの期間には変圧器2の励磁エネル
ギーが、リセット巻線21Bおよびダイオード9Bを介
して直流電源1に回生される。
FIG. 17 shows operation waveforms of FIG. Now
While the semiconductor switch element 5A is ON, the transformer 2 is excited in the positive direction, and supplies DC power to the load via the rectifier circuit 3 and the smoothing filter 4. On the other hand, while the semiconductor switch element 5A is off, the excitation energy of the transformer 2 is regenerated to the DC power supply 1 via the reset winding 21B and the diode 9B.

【0004】図13に2石フォワード型直流−直流変換
装置の従来例を示す。同図では、直流電源1の正極側端
子には半導体スイッチ素子5Dの一方の端子が、半導体
スイッチ素子5Dの他方の端子には変圧器一次巻線21
Aの一方の端子が、変圧器一次巻線21Aの他方の端子
には半導体スイッチ素子5Aの一方の端子が、半導体ス
イッチ素子5Aの他方の端子には直流電源1の負極側端
子が、直流電源1の正極側端子と変圧器一次巻線21A
と半導体スイッチ素子5Aとの接続点間にはダイオード
9Aが、変圧器一次巻線21Aと半導体スイッチ素子5
Dの接続点と直流電源1の負極側端子間にはダイオード
9Bが、変圧器二次巻線22には整流回路3が、整流回
路3には平滑フィルタ4がそれぞれ接続されて構成され
ている。図13の動作は図17と同様であり、半導体ス
イッチ素子5A,5Dがオンしている期間に変圧器2
を正方向に励磁し、整流回路3および平滑フィルタ4を
介して、負荷に直流電力を供給する。次に、半導体スイ
ッチ素子5A,5Dがオフしている期間に、変圧器2
の励磁エネルギーが変圧器一次巻線21A、ダイオード
9Aおよび9Bを介して直流電源1に回生される。
FIG. 13 shows a conventional example of a dual-forward DC-DC converter. In the figure, one terminal of the semiconductor switch element 5D is connected to the positive terminal of the DC power supply 1, and the transformer primary winding 21 is connected to the other terminal of the semiconductor switch element 5D.
A, one terminal of the semiconductor switching element 5A is connected to the other terminal of the transformer primary winding 21A, the negative terminal of the DC power supply 1 is connected to the other terminal of the semiconductor switching element 5A, 1 positive terminal and transformer primary winding 21A
A diode 9A is provided between the connection point of the switching element 5A and the semiconductor switching element 5A.
A diode 9B is connected between the connection point of D and the negative terminal of the DC power supply 1, a rectifier circuit 3 is connected to the transformer secondary winding 22, and a smoothing filter 4 is connected to the rectifier circuit 3. . The operation of FIG. 13 is the same as that of FIG. 17, and during the period when the semiconductor switch elements 5A and 5D are on, the transformer 2
In the positive direction, and supplies DC power to the load via the rectifier circuit 3 and the smoothing filter 4. Next, while the semiconductor switch elements 5A and 5D are off, the transformer 2
Is regenerated to the DC power supply 1 through the transformer primary winding 21A and the diodes 9A and 9B.

【0005】図14にプッシュプル型直流−直流変換装
置の従来例を示す。同図では、直流電源1の正極側端子
には変圧器2の一次巻線21Aと21Cの接続点が、変
圧器2の一次巻線21Aの他方の端子と直流電源1の負
極側端子間には半導体スイッチ素子5Aが、変圧器2の
一次巻線21Cの他方の端子と直流電源1の負極側端子
間には半導体スイッチ素子5Bが、変圧器二次巻線22
には整流回路3が、整流回路3には平滑フィルタ4がそ
れぞれ接続されて構成されている。図18に図14の動
作波形を示す。いま、半導体スイッチ素子5Aがオンの
期間に変圧器2を正方向に励磁し、半導体スイッチ素
子5Bをオンしている期間に変圧器2を負方向に励磁
し、整流回路3および平滑フィルタ4を介して負荷に直
流電力を供給する。
FIG. 14 shows a conventional example of a push-pull type DC-DC converter. In the figure, the connection point between the primary windings 21A and 21C of the transformer 2 is connected to the positive terminal of the DC power supply 1 between the other terminal of the primary winding 21A of the transformer 2 and the negative terminal of the DC power supply 1. Is a semiconductor switch element 5A, and a semiconductor switch element 5B is provided between the other terminal of the primary winding 21C of the transformer 2 and the negative terminal of the DC power supply 1, and a transformer secondary winding 22
The rectifier circuit 3 is connected to the smoothing filter 4. FIG. 18 shows the operation waveforms of FIG. Now, when the semiconductor switch element 5A is on, the transformer 2 is excited in the positive direction, and when the semiconductor switch element 5B is on, the transformer 2 is excited in the negative direction, and the rectifier circuit 3 and the smoothing filter 4 are activated. Supply DC power to the load via the power supply.

【0006】図15にハーフブリッジ型直流−直流変換
装置の従来例を示す。同図では、直流電源1の正極側端
子には半導体スイッチ素子5Cの一方の端子とコンデン
サ6Bの一方の端子が、半導体スイッチ素子5Cの他方
の端子には半導体スイッチ素子5Aの一方の端子と変圧
器一次巻線21Aの一方の端子が、コンデンサ6Bの他
方の端子にはコンデンサ6Aの一方の端子と変圧器一次
巻線21Aの他方の端子が、直流電源1の負極側端子に
は半導体スイッチ素子5Aの他方の端子とコンデンサ6
Aの他方の端子が、変圧器二次巻線22には整流回路3
が、整流回路3には平滑フィルタ4がそれぞれ接続され
て構成されている。図15の動作は図18と同様であ
り、半導体スイッチ素子5Aをオンしている期間に変
圧器2を負方向に励磁し、半導体スイッチ素子5Cをオ
ンしている期間に変圧器2を正方向に励磁し、整流回
路3および平滑フィルタ4を介して負荷に直流電力を供
給する。
FIG. 15 shows a conventional example of a half-bridge type DC-DC converter. In the figure, one terminal of the semiconductor switch element 5C and one terminal of the capacitor 6B are connected to the positive terminal of the DC power supply 1 and one terminal of the semiconductor switch element 5A is connected to the other terminal of the semiconductor switch element 5C. One terminal of the transformer primary winding 21A, one terminal of the capacitor 6A and the other terminal of the transformer primary winding 21A at the other terminal of the capacitor 6B, and a semiconductor switching element at the negative terminal of the DC power supply 1. 5A other terminal and capacitor 6
A is connected to the transformer secondary winding 22 by the rectifier circuit 3.
However, a smoothing filter 4 is connected to the rectifier circuit 3. The operation of FIG. 15 is the same as that of FIG. 18, in which the transformer 2 is excited in the negative direction while the semiconductor switch element 5A is on, and the transformer 2 is excited in the positive direction while the semiconductor switch element 5C is on. To supply DC power to the load via the rectifier circuit 3 and the smoothing filter 4.

【0007】図16にフルブリッジ型直流−直流変換装
置の従来例を示す。同図では、直流電源1の正極側端子
には半導体スイッチ素子5Cの一方の端子と半導体スイ
ッチ素子5Dの一方の端子が、直流電源1の負極側端子
には半導体スイッチ素子5Aの一方の端子と半導体スイ
ッチ素子5Bの一方の端子が、半導体スイッチ素子5D
の他方の端子には変圧器2の一次巻線21Aの一方の端
子と半導体スイッチ素子5Bの他方の端子が、半導体ス
イッチ素子5Cの他方の端子には半導体スイッチ素子5
Aの他方の端子と変圧器2の一次巻線21Aの他方の端
子が、変圧器二次巻線22には整流回路3が、整流回路
3には平滑フィルタ4がそれぞれ接続されて構成されて
いる。図16の動作も図18と同様であり、半導体スイ
ッチ素子5Aおよび5Dをオンしている期間に変圧器
2を正方向に励磁し、半導体スイッチ素子5Bおよび5
Cをオンしている期間に変圧器2を負方向に励磁し、
整流回路3および平滑フィルタ4を介して負荷に直流電
力を供給する。
FIG. 16 shows a conventional example of a full-bridge type DC-DC converter. In the figure, the positive terminal of the DC power supply 1 has one terminal of the semiconductor switching element 5C and one terminal of the semiconductor switching element 5D, and the negative terminal of the DC power supply 1 has one terminal of the semiconductor switching element 5A. One terminal of the semiconductor switch element 5B is connected to the semiconductor switch element 5D.
Is connected to one terminal of the primary winding 21A of the transformer 2 and the other terminal of the semiconductor switch element 5B, and to the other terminal of the semiconductor switch element 5C.
A rectifier circuit 3 is connected to the other terminal of A and the other terminal of the primary winding 21A of the transformer 2, the rectifier circuit 3 is connected to the transformer secondary winding 22, and the smoothing filter 4 is connected to the rectifier circuit 3. I have. The operation of FIG. 16 is also the same as that of FIG. 18, except that the transformer 2 is excited in the positive direction while the semiconductor switch elements 5A and 5D are on, and the semiconductor switch elements 5B and
When the transformer 2 is turned on, the transformer 2 is excited in the negative direction,
DC power is supplied to the load via the rectifier circuit 3 and the smoothing filter 4.

【0008】図12〜16の回路では、半導体スイッチ
素子5A,5B,5Cおよび5Dのターンオフ時、半導
体スイッチ素子のはね上がり電圧を抑制するとともに、
電圧上昇率(dv/dt)を小さくしてスイッチング損
失を低減するため、半導体スイッチ素子にはスナバコン
デンサ531A,531B,531C,531Dと放電
抵抗532A,532B,532C,532Dなどによ
り構成されるスナバ回路53A,53B,53C,53
Dが並列に接続される。これにより、スナバコンデンサ
531A,531B,531C,531Dが吸収したエ
ネルギーは、最終的に放電抵抗532A,532B,5
32C,532Dへ放出される。
In the circuits shown in FIGS. 12 to 16, when the semiconductor switch elements 5A, 5B, 5C and 5D are turned off, the surge voltage of the semiconductor switch elements is suppressed, and
In order to reduce the voltage rise rate (dv / dt) and reduce the switching loss, a snubber circuit composed of snubber capacitors 531A, 531B, 531C, 531D and discharge resistors 532A, 532B, 532C, 532D and the like is provided in the semiconductor switch element. 53A, 53B, 53C, 53
D are connected in parallel. As a result, the energy absorbed by snubber capacitors 531A, 531B, 531C, 531D finally becomes the discharge resistors 532A, 532B, 5
32C and 532D.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記いずれの回路にお
いても、スナバコンデンサが吸収したエネルギーは、次
に半導体スイッチ素子がオンしたとき、放電抵抗へ放出
され損失となる。いま、放電抵抗の損失をP、スナバコ
ンデンサの静電容量をC、直流電源の電圧をE、変圧器
のリセット電圧をVr、半導体スイッチ素子のはね上が
り電圧をΔV、半導体スイッチ素子の動作周波数をfと
すると、図12の回路では、 P=(1/2)×C×(E+Vr+ΔV)2 ×f となり、図13,15および16の場合は、 P=(1/2)×C×(E+ΔV)2 ×f となり、図14の場合は、 P=(1/2)×C×(2E+ΔV)2 ×f となる。そのため、直流電源の電圧E、変圧器のリセッ
ト電圧Vrおよび半導体スイッチ素子の動作周波数fが
高くなると、放電抵抗における発生損失Pが大きくなる
ため、大形で高価なスナバ回路が必要となるだけでな
く、装置の変換効率が低下するという問題がある。した
がって、この発明の課題はスナバ回路を大形化せず、装
置の変換効率を低下させないようにすることにある。
In any of the above circuits, the energy absorbed by the snubber capacitor is released to the discharge resistor when the semiconductor switch element is turned on next time, resulting in a loss. Now, let P be the loss of the discharge resistor, C be the capacitance of the snubber capacitor, E be the voltage of the DC power supply, Vr be the reset voltage of the transformer, ΔV be the jump voltage of the semiconductor switch element, and f be the operating frequency of the semiconductor switch element. Then, in the circuit of FIG. 12, P = (1/2) × C × (E + Vr + ΔV) 2 × f, and in the case of FIGS. 13, 15 and 16, P = (1/2) × C × (E + ΔV) 2 × f, and in the case of FIG. 14, P = (1 /) × C × (2E + ΔV) 2 × f. Therefore, when the voltage E of the DC power supply, the reset voltage Vr of the transformer, and the operating frequency f of the semiconductor switch element increase, the loss P generated in the discharge resistor increases, and only a large and expensive snubber circuit is required. Therefore, there is a problem that the conversion efficiency of the device is reduced. Therefore, an object of the present invention is to prevent the snubber circuit from being enlarged and the conversion efficiency of the device from being reduced.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
べく、請求項1の発明では第1のダイオードの一方の端
子と第1の半導体スイッチ素子の一方の端子とを直列接
続した第1の直列アームと、第2の半導体スイッチ素子
の一方の端子と第2のダイオードの一方の端子とを直列
接続した第2の直列アームと、第1のスナバ回路とを互
いに並列に接続するとともに、変圧器一次巻線のリセッ
ト巻線を接続していない側の端子を前記第1の直列アー
ムの直列接続点に、また、変圧器リセット巻線の一次巻
線を接続していない側の端子を前記第2の直列アームの
直列接続点に、さらには、直流電源を変圧器の一次巻線
とリセット巻線の接続点と前記第1の半導体スイッチ素
子と前記第2のダイオードの接続点との間に並列にそれ
ぞれ接続してなる直流−直流変換装置において、スナバ
ダイオードとスナバコンデンサとを直列接続した第2の
スナバ回路を前記直流電源と接続されている側の半導体
スイッチ素子と並列に、補助リアクトルと補助スイッチ
とを直列接続した直列回路を前記スナバダイオードと並
列に、第1の回生ダイオードを前記直列回路の直列接続
点と前記直流電源を接続していない側の半導体スイッチ
素子の並列接続点間に、第2の回生ダイオードを前記ス
ナバコンデンサと並列にそれぞれ接続している。
In order to solve such a problem, according to the present invention, there is provided a first semiconductor device in which one terminal of a first diode and one terminal of a first semiconductor switch element are connected in series. A serial arm, a second serial arm in which one terminal of the second semiconductor switch element and one terminal of the second diode are connected in series, and a first snubber circuit connected in parallel with each other; The terminal of the transformer primary winding on the side where the reset winding is not connected is connected to the series connection point of the first series arm, and the terminal on the side where the primary winding of the transformer reset winding is not connected is connected. A DC power supply is further connected to a series connection point of the second series arm and a connection point of a primary winding and a reset winding of a transformer and a connection point of the first semiconductor switch element and the second diode. Connected in parallel between In the current-DC converter, a second snubber circuit in which a snubber diode and a snubber capacitor are connected in series is connected in parallel with a semiconductor switch element on the side connected to the DC power supply, and an auxiliary reactor and an auxiliary switch are connected in series. A second regenerative diode is connected between a series connection point of the series circuit and a parallel connection point of the semiconductor switch element on the side not connected to the DC power supply, and a first regenerative diode is connected in parallel with the snubber diode. Each is connected in parallel with the snubber capacitor.

【0011】請求項2の発明では、第1のダイオードと
第1の半導体スイッチ素子とを直列接続した第1の直列
アームと、第2の半導体スイッチ素子と第2のダイオー
ドとを直列接続した第2の直列アームと、直流電源とを
互いに並列に接続し、変圧器一次巻線を前記第1の直列
アームの直列接続点と、前記第2の直列アームの直列接
続点との間に接続してなる直流−直流変換装置におい
て、前記第1の半導体スイッチ素子と第2の半導体スイ
ッチ素子のそれぞれにはスナバダイオードとスナバコン
デンサとを直列接続したスナバ回路を個別かつ並列に、
前記スナバダイオードのそれぞれには補助リアクトルと
補助スイッチとを直列接続した直列回路を個別かつ並列
に、前記直列回路の直列接続点と前記第1,第2の直列
アームの並列接続点間のそれぞれには第1の回生ダイオ
ードを個別に、前記スナバコンデンサのそれぞれには第
2の回生ダイオードを個別かつ並列にそれぞれ接続して
いる。
According to the second aspect of the present invention, the first series arm in which the first diode and the first semiconductor switching element are connected in series, and the second series arm in which the second semiconductor switching element and the second diode are connected in series. And a DC power supply is connected in parallel to each other, and a primary transformer of the transformer is connected between the series connection point of the first series arm and the series connection point of the second series arm. In the DC-DC converter, a snubber circuit in which a snubber diode and a snubber capacitor are connected in series is individually and in parallel with each of the first semiconductor switch element and the second semiconductor switch element.
In each of the snubber diodes, a series circuit in which an auxiliary reactor and an auxiliary switch are connected in series is individually and in parallel, and is connected between a series connection point of the series circuit and a parallel connection point of the first and second series arms. Has a first regenerative diode connected individually and a second regenerative diode connected to each of the snubber capacitors individually and in parallel.

【0012】請求項3の発明では、第1の半導体スイッ
チ素子の一方の端子と第2の半導体スイッチ素子の一方
の端子とを直列接続した第1の直列アームと、第3の半
導体スイッチ素子の一方の端子と第4の半導体スイッチ
素子の一方の端子とを直列接続した第2の直列アーム
と、第1のスナバ回路とをそれぞれ並列に、中間端子を
持つ変圧器一次巻線の一方の端子を前記第1の直列アー
ムの直列接続点に、前記変圧器一次巻線の他方の端子を
前記第2の直列アームの直列接続点に、直流電源を前記
変圧器の中間端子と前記第2の半導体スイッチ素子と第
4の半導体スイッチ素子との並列接続点間に、それぞれ
接続してなる直流−直流変換装置において、前記第2の
半導体スイッチ素子と第4の半導体スイッチ素子のそれ
ぞれに、スナバダイオードとスナバコンデンサとを直列
接続したスナバ回路を個別かつ並列に、前記スナバダイ
オードのそれぞれに補助リアクトルと補助スイッチとを
直列接続した直列回路を個別かつ並列に、また前記直列
回路の直列接続点と前記第1,第2の直列アームの前記
直流電源を接続していない側の並列接続点間のそれぞれ
に第1の回生ダイオードを個別に、前記スナバコンデン
サのそれぞれに第2の回生ダイオードを個別かつ並列に
それぞれ接続している。
According to a third aspect of the present invention, a first series arm in which one terminal of the first semiconductor switch element and one terminal of the second semiconductor switch element are connected in series, One terminal of a transformer primary winding having an intermediate terminal and a second series arm in which one terminal and one terminal of a fourth semiconductor switch element are connected in series, and a first snubber circuit, respectively. To the series connection point of the first series arm, the other terminal of the primary winding of the transformer to the series connection point of the second series arm, and a DC power supply to the intermediate terminal of the transformer and the second terminal. In a DC-DC converter connected between parallel connection points of a semiconductor switch element and a fourth semiconductor switch element, a snubber die is connected to each of the second semiconductor switch element and the fourth semiconductor switch element. And a snubber circuit connected in series with a snubber capacitor, a series circuit in which an auxiliary reactor and an auxiliary switch are connected in series to each of the snubber diodes, individually and in parallel, and a series connection point of the series circuit. And a first regenerative diode individually between each of the parallel connection points of the first and second series arms on which the DC power supply is not connected, and a second regenerative diode separately for each of the snubber capacitors. They are connected in parallel.

【0013】請求項4の発明では、第1の半導体スイッ
チ素子の一方の端子と第2の半導体スイッチ素子の一方
の端子とを直列接続した第1の直列アームと、コンデン
サを直列接続した第2の直列アームと、直流電源とを互
いに並列に接続し、変圧器一次巻線を前記第1の直列ア
ームの直列接続点と前記第2の直列アームの直列接続点
との間に接続してなる直流−直流変換装置において、前
記スイッチング素子のそれぞれには、スナバダイオード
とスナバコンデンサとを直列接続したスナバ回路を個別
かつ並列に、また、前記スナバダイオードのそれぞれに
は、補助リアクトルと補助スイッチとを直列接続した直
列回路を個別かつ並列に、さらに前記直列回路の直列接
続点と前記第1の直列アームの並列接続点間のそれぞれ
に第1の回生ダイオードを個別に、前記スナバコンデン
サのそれぞれに第2の回生ダイオードを個別かつ並列に
それぞれ接続している。
According to a fourth aspect of the present invention, a first series arm in which one terminal of the first semiconductor switch element and one terminal of the second semiconductor switch element are connected in series, and a second series arm in which a capacitor is connected in series. And a DC power supply are connected in parallel with each other, and a transformer primary winding is connected between the series connection point of the first series arm and the series connection point of the second series arm. In the DC-DC converter, in each of the switching elements, a snubber circuit in which a snubber diode and a snubber capacitor are connected in series is individually and in parallel, and in each of the snubber diodes, an auxiliary reactor and an auxiliary switch are provided. A first regenerative die is connected to the series circuit connected in series individually and in parallel, and further between a series connection point of the series circuit and a parallel connection point of the first series arm. Individually over de, and a second regenerative diode respectively connected to individual and parallel to each of the snubber capacitor.

【0014】請求項5の発明では、第1の半導体スイッ
チ素子の一方の端子と第2の半導体スイッチ素子の一方
の端子とを直列接続した第1の直列アームと、第3の半
導体スイッチ素子の一方の端子と第4の半導体スイッチ
素子の一方の端子とを直列接続した第2の直列アーム
と、直流電源とを互いに並列に接続し、変圧器一次巻線
を前記第1の直列アームの直列接続点と前記第2の直列
アームの直列接続点との間に接続してなる直流−直流変
換装置において、前記半導体スイッチ素子のそれぞれに
は、スナバダイオードとスナバコンデンサとを直列接続
したスナバ回路を個別かつ並列に、また、前記スナバダ
イオードのそれぞれには、補助リアクトルと補助スイッ
チとを直列接続した直列回路を個別かつ並列に、さらに
前記直列回路の直列接続点と前記直列アームの並列接続
点間のそれぞれに第1の回生ダイオードを個別に、前記
スナバコンデンサのそれぞれに第2の回生ダイオードを
個別かつ並列にそれぞれ接続している。なお、上記請求
項1〜5の発明では、前記補助スイッチ素子のオン期間
を、前記スナバコンデンサの容量と前記補助リアクトル
との共振周期の約1/4とすることができる(請求項6
の発明)。
According to a fifth aspect of the present invention, a first series arm in which one terminal of the first semiconductor switch element and one terminal of the second semiconductor switch element are connected in series, A second series arm in which one terminal and one terminal of the fourth semiconductor switch element are connected in series, and a DC power supply are connected in parallel with each other, and a primary transformer is connected in series with the first series arm. In a DC-DC converter connected between a connection point and a series connection point of the second series arm, each of the semiconductor switch elements includes a snubber circuit in which a snubber diode and a snubber capacitor are connected in series. Individually and in parallel, and in each of the snubber diodes, a series circuit in which an auxiliary reactor and an auxiliary switch are connected in series is individually and in parallel, and furthermore, a series circuit of the series circuit is connected. Individually first regenerative diode respectively between the parallel connection point between the series arm and attachment point, and a second regenerative diode respectively connected to individual and parallel to each of the snubber capacitor. According to the above-described first to fifth aspects, the on-period of the auxiliary switch element can be set to about 1 / of the resonance cycle of the capacitance of the snubber capacitor and the auxiliary reactor (claim 6).
Invention).

【0015】上記請求項1,3の発明では、半導体スイ
ッチ素子のターンオフ時には、スナバコンデンサによっ
て上記半導体スイッチ素子の電圧上昇率を抑制し、スイ
ッチング損失を低減させる。次に、補助スイッチ素子が
オンしている期間には、上記スナバコンデンサに蓄えら
れている電荷を補助リアクトルに移す。そして、この補
助スイッチ素子をオフすることにより、この補助リアク
トルに蓄えられているエネルギーを、第1および第2の
回生ダイオードを介して第1のスナバ回路に移す。さら
に、半導体スイッチ素子がオンしている期間に、第1の
スナバ回路に蓄えられている電荷を負荷に放出する。
According to the first and third aspects of the present invention, when the semiconductor switching element is turned off, the rate of voltage rise of the semiconductor switching element is suppressed by the snubber capacitor, and the switching loss is reduced. Next, while the auxiliary switch element is on, the electric charge stored in the snubber capacitor is transferred to the auxiliary reactor. Then, by turning off the auxiliary switch element, the energy stored in the auxiliary reactor is transferred to the first snubber circuit via the first and second regenerative diodes. Further, the charge stored in the first snubber circuit is released to the load while the semiconductor switch element is on.

【0016】上記請求項2,4および5の発明では、半
導体スイッチ素子のターンオフ時には、スナバコンデン
サによって上記半導体スイッチ素子の電圧上昇率を抑制
し、スイッチング損失を低減させる。次に、補助スイッ
チ素子がオンしている期間には、上記スナバコンデンサ
に蓄えられている電荷を補助リアクトルに移す。そし
て、この補助スイッチ素子をオフすることにより、上記
補助リアクトルに蓄えられているエネルギーを、第1お
よび第2の回生ダイオードを介して直流電源に回生す
る。
According to the second, fourth and fifth aspects of the present invention, when the semiconductor switch element is turned off, the rate of voltage rise of the semiconductor switch element is suppressed by the snubber capacitor, and the switching loss is reduced. Next, while the auxiliary switch element is on, the electric charge stored in the snubber capacitor is transferred to the auxiliary reactor. Then, by turning off the auxiliary switch element, the energy stored in the auxiliary reactor is regenerated to the DC power supply via the first and second regenerative diodes.

【0017】また、第6の発明では、上記補助スイッチ
素子のオン期間を、上記スナバコンデンサ容量と補助リ
アクトルとの共振周期の約1/4とする。補助スイッチ
素子のオン期間には、スナバコンデンサ容量と補助リア
クトルとによって定まる周期の正弦波状の電流が流れ、
次にスナバコンデンサが零電圧まで放電した後、補助リ
アクトルに蓄えられたエネルギーにより、補助スイッチ
素子およびスナバダイオードには環流電流が流れ続ける
ため、この期間に補助スイッチ素子およびスナバダイオ
ードに導通損失が発生する。そこで、補助スイッチ素子
のオン期間を共振周期の約1/4とすることにより、環
流電流が流れる期間をほぼ零とし、補助スイッチ素子お
よびスナバダイオードの導通損失を低減できるようにす
る。
Further, in the sixth invention, the ON period of the auxiliary switch element is set to about 1 / of the resonance cycle of the snubber capacitor capacitance and the auxiliary reactor. During the ON period of the auxiliary switch element, a sinusoidal current having a period determined by the snubber capacitor capacity and the auxiliary reactor flows,
Next, after the snubber capacitor discharges to zero voltage, the circulating current continues to flow in the auxiliary switch element and the snubber diode due to the energy stored in the auxiliary reactor, and conduction loss occurs in the auxiliary switch element and the snubber diode during this period. I do. Therefore, by setting the on-period of the auxiliary switch element to about 1/4 of the resonance cycle, the period during which the circulating current flows is made substantially zero, and the conduction loss of the auxiliary switch element and the snubber diode can be reduced.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図1はこの発明の第1の実施の形
態を示す回路図である。これは、図12に示す従来例か
らスナバ回路53Aを省き、ダイオード9Aの一方の端
子を変圧器一次巻線21Aと半導体スイッチ素子5Aと
の接続点に、半導体スイッチ素子7Bの一方の端子を変
圧器リセット巻線21Bとダイオード9Bとの接続点
に、ダイオード9Aの他方の端子を半導体スイッチ素子
7Bの他方の端子に、第1のスナバ回路8をダイオード
9Aと半導体スイッチ素子7Bとの並列接続点と半導体
スイッチ素子5Aとダイオード9Bの並列接続点との間
に、スナバダイオード512Aとスナバコンデンサ51
1Aを直列接続した第2のスナバ回路51Aを半導体ス
イッチ素子5Aと並列に、補助リアクトル522Aと補
助スイッチ素子521Aを直列接続した直列回路をスナ
バダイオード512Aと並列に、回生ダイオード524
Aを補助リアクトル522Aと補助スイッチ素子521
Aとの直列接続点とダイオード9Aと半導体スイッチ素
子7Bとの接続点間に、回生ダイオード523Aをスナ
バコンデンサ511Aと並列にそれぞれ接続して構成し
たものである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. This is because the snubber circuit 53A is omitted from the conventional example shown in FIG. 12, one terminal of the diode 9A is connected to a connection point between the transformer primary winding 21A and the semiconductor switch element 5A, and one terminal of the semiconductor switch element 7B is transformed. The other terminal of the diode 9A is connected to the other terminal of the semiconductor switch element 7B at the connection point between the reset coil 21B and the diode 9B, and the first snubber circuit 8 is connected to the parallel connection point of the diode 9A and the semiconductor switch element 7B. Between the semiconductor switch element 5A and the parallel connection point of the diode 9B and the snubber diode 512A and the snubber capacitor 51A.
1A is connected in series with the semiconductor switch element 5A, a series circuit in which the auxiliary reactor 522A and the auxiliary switch element 521A are connected in series is connected in parallel with the snubber diode 512A, and the regenerative diode 524.
A is an auxiliary reactor 522A and an auxiliary switch element 521
A regenerative diode 523A is connected in parallel with a snubber capacitor 511A between a series connection point A and a connection point between the diode 9A and the semiconductor switch element 7B.

【0019】図8に図1の動作波形を示す。なお、図1
の直流出力動作は図12の場合と同様なので、以下では
主として半導体スイッチ素子5Aに付属するスナバコン
デンサ511Aと、スナバ回路8に付属するスナバコン
デンサのエネルギー回生動作について説明する。すなわ
ち、半導体スイッチ素子5Aがターンオフしたとき、ス
ナバコンデンサ511Aが半導体スイッチ素子5Aの電
圧上昇率を抑制する。次に、半導体スイッチ素子5Aお
よび補助スイッチ素子521Aがオンしている期間
に、スナバコンデンサ511Aに蓄えられている電荷
を、スナバコンデンサ511A→補助リアクトル522
A→補助スイッチ素子521A→半導体スイッチ素子5
Aの経路で補助リアクトル522Aに移す。スナバコン
デンサ511Aが零電圧まで放電した後の期間に、補
助リアクトル522Aに蓄えられたエネルギーにより、
補助リアクトル522A→補助スイッチ素子521A→
スナバダイオード512Aの経路で電流が流れ続ける。
さらに、補助スイッチ素子521Aがオフの期間に、
補助リアクトル522Aに蓄えられたエネルギーを、補
助リアクトル522A→回生ダイオード524A→第1
のスナバ回路8→回生ダイオード523Aの経路で第1
のスナバ回路8に移す。また、半導体スイッチ素子5A
と半導体スイッチ素子7Bが同時にオンしている期間
〜に、第1のスナバ回路8に蓄えられている電荷を、
第1のスナバ回路8→半導体スイッチ素子7B→変圧器
リセット巻線21B→直流電源1の経路で放電し、第1
のスナバ回路8で吸収したエネルギーを負荷に放出す
る。
FIG. 8 shows the operation waveforms of FIG. FIG.
12 is the same as the case of FIG. 12, the energy regeneration operation of the snubber capacitor 511A attached to the semiconductor switch element 5A and the snubber capacitor attached to the snubber circuit 8 will be mainly described below. That is, when the semiconductor switch element 5A is turned off, the snubber capacitor 511A suppresses the voltage increase rate of the semiconductor switch element 5A. Next, while the semiconductor switch element 5A and the auxiliary switch element 521A are on, the electric charge stored in the snubber capacitor 511A is transferred to the snubber capacitor 511A → the auxiliary reactor 522.
A → Auxiliary switch element 521A → Semiconductor switch element 5
Transfer to the auxiliary reactor 522A along the route A. During the period after the snubber capacitor 511A has discharged to zero voltage, the energy stored in the auxiliary reactor 522A
Auxiliary reactor 522A → Auxiliary switch element 521A →
Current continues to flow through the path of snubber diode 512A.
Further, while the auxiliary switch element 521A is off,
The energy stored in the auxiliary reactor 522A is converted into the auxiliary reactor 522A → the regenerative diode 524A → the first
Of the snubber circuit 8 → regeneration diode 523A
To the snubber circuit 8 of FIG. Also, the semiconductor switch element 5A
During the period in which the semiconductor switch element 7B is simultaneously turned on, the electric charge stored in the first snubber circuit 8 is
First snubber circuit 8 → semiconductor switch element 7B → transformer reset winding 21B → discharge in the path of DC power supply 1
The energy absorbed by the snubber circuit 8 is released to the load.

【0020】図2に図1の変形例を示す。これは、直流
電源1の正極側端子を半導体スイッチ素子5Aとダイオ
ード9Bとの接続点に、また、直流電源1の負極側端子
を変圧器一次巻線21Aと変圧器リセット巻線21Bと
の接続点にそれぞれ接続した点が特徴で、機能的には図
1と全く同じなので詳細は省略する。また、動作も図8
と同様である。
FIG. 2 shows a modification of FIG. This is because the positive terminal of the DC power supply 1 is connected to a connection point between the semiconductor switch element 5A and the diode 9B, and the negative terminal of the DC power supply 1 is connected to the primary winding 21A of the transformer and the reset winding 21B of the transformer. It is characterized in that it is connected to each point, and its function is exactly the same as that of FIG. The operation is also shown in FIG.
Is the same as

【0021】図3はこの発明の第2の実施の形態を示す
回路図で、図13と対応するものである。図13との相
違点は、スナバ回路53A,53Dを省き、スナバダイ
オード512Aとスナバコンデンサ511Aを直列接続
したスナバ回路51Aを半導体スイッチ素子5Aと並列
に、補助リアクトル522Aと補助スイッチ素子521
Aを直列接続した第1の直列回路をスナバダイオード5
12Aと並列に、回生ダイオード524Aを補助リアク
トル522Aと補助スイッチ素子521Aとの接続点と
直流電源1の正極側端子間に、回生ダイオード523A
をスナバコンデンサ511Aと並列にそれぞれ接続し、
同様に、スナバコンデンサ511Dとスナバダイオード
512Dとを直列接続したスナバ回路51Dを半導体ス
イッチ5Dと並列に、補助リアクトル522Dと補助ス
イッチ素子521Dを直列接続した第2の直列回路をス
ナバダイオード512Dと並列に、回生ダイオード52
4Dを補助リアクトル522Dと補助スイッチ素子52
1Dとの接続点と直流電源1の負極側端子間に、回生ダ
イオード523Dをスナバコンデンサ511Dと並列
に、それぞれ接続した点にある。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. 13 is different from FIG. 13 in that the snubber circuits 53A and 53D are omitted, a snubber circuit 51A in which a snubber diode 512A and a snubber capacitor 511A are connected in series is connected in parallel with a semiconductor switch element 5A, an auxiliary reactor 522A and an auxiliary switch element 521.
A is connected to the first series circuit connected in series with the snubber diode 5.
In parallel with 12A, a regenerative diode 524A is connected between the connection point between the auxiliary reactor 522A and the auxiliary switch element 521A and the positive terminal of the DC power supply 1.
Are connected in parallel with the snubber capacitor 511A, respectively.
Similarly, a snubber circuit 51D in which a snubber capacitor 511D and a snubber diode 512D are connected in series is connected in parallel with a semiconductor switch 5D, and a second series circuit in which an auxiliary reactor 522D and an auxiliary switch element 521D are connected in series is connected in parallel with a snubber diode 512D. , Regenerative diode 52
4D is connected to the auxiliary reactor 522D and the auxiliary switch element 52
The point lies in that the regenerative diode 523D is connected in parallel with the snubber capacitor 511D between the connection point with 1D and the negative terminal of the DC power supply 1.

【0022】図9を参照して、図13との相違点であ
る、半導体スイッチ素子5Aに付属するスナバコンデン
サ511Aのエネルギー回生動作につき説明する。い
ま、半導体スイッチ素子5Aがターンオフする時、スナ
バコンデンサ511Aが半導体スイッチ素子5Aの電圧
上昇率を抑制する。次に、半導体スイッチ素子5Aがオ
ンしている期間に、スナバコンデンサ511Aに蓄え
られている電荷を、スナバコンデンサ511A→補助リ
アクトル522A→補助スイッチ素子521A→半導体
スイッチ素子5Aの経路で、補助リアクトル522Aに
移す。スナバコンデンサ511Aが零電圧まで放電した
後の期間に、補助リアクトル522Aに蓄えられたエ
ネルギーにより、補助リアクトル522A→補助スイッ
チ素子521A→スナバダイオード512Aの経路で電
流が流れ続ける。さらに、補助スイッチ素子521Aが
オフの期間に、補助リアクトル522Aに蓄えられた
エネルギーは、補助リアクトル522A→回生ダイオー
ド524A→直流電源1→回生ダイオード523Aの経
路で放電し、直流電源1にエネルギーを回生する。半導
体スイッチ素子5Dに付属するスナバ回路51D、補助
回路52Dにおいても同様の原理で動作する。
Referring to FIG. 9, the energy regenerating operation of snubber capacitor 511A attached to semiconductor switch element 5A, which is different from FIG. 13, will be described. Now, when the semiconductor switch element 5A turns off, the snubber capacitor 511A suppresses the rate of voltage increase of the semiconductor switch element 5A. Next, while the semiconductor switch element 5A is on, the electric charge stored in the snubber capacitor 511A is transferred to the auxiliary reactor 522A via the snubber capacitor 511A → auxiliary reactor 522A → auxiliary switch element 521A → semiconductor switch element 5A. Transfer to During the period after the snubber capacitor 511A has discharged to zero voltage, current continues to flow through the path of the auxiliary reactor 522A → the auxiliary switch element 521A → the snubber diode 512A due to the energy stored in the auxiliary reactor 522A. Further, while the auxiliary switch element 521A is off, the energy stored in the auxiliary reactor 522A is discharged through the path of the auxiliary reactor 522A → the regenerative diode 524A → the DC power supply 1 → the regenerative diode 523A, and the energy is regenerated to the DC power supply 1. I do. The snubber circuit 51D and the auxiliary circuit 52D attached to the semiconductor switch element 5D operate on the same principle.

【0023】図4はこの発明の第3の実施の形態を示す
回路図で、図14と対応するものである。図14との相
違点は、スナバ回路53A,53Bを省き、変圧器一次
巻線21Aの一方の端子を、半導体スイッチ素子7Aと
半導体スイッチ素子5Aとの直列接続点に、変圧器一次
巻線21Cの一方の端子を、半導体スイッチ素子7Bと
半導体スイッチ素子5Bとの直列接続点に、スナバ回路
8を半導体スイッチ素子7Aと半導体スイッチ素子7B
との接続点と半導体スイッチ素子5Aと半導体スイッチ
素子5Bとの接続点間に、直流電源1の正極側端子を変
圧器2の中間端子に、直流電源1の負極側端子を半導体
スイッチ素子5Aと半導体スイッチ素子5Bとの接続点
に、スナバダイオード512Aとスナバコンデンサ51
1Aとを直列接続したスナバ回路51Aを半導体スイッ
チ素子5Aと並列に、補助リアクトル522Aと補助ス
イッチ素子521Aを直列接続した直列回路をスナバダ
イオード512Aと並列に、回生ダイオード524Aを
補助リアクトル522Aと補助スイッチ素子521Aと
の接続点と半導体スイッチ素子7Aと半導体スイッチ素
子7Bとの接続点間に、回生ダイオード523Aをスナ
バコンデンサ511Aと並列に、半導体スイッチ素子5
Bに付属するスナバ回路51Bおよび補助回路52Bも
上記と同様にそれぞれ接続した点にある。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. The difference from FIG. 14 is that the snubber circuits 53A and 53B are omitted, and one terminal of the transformer primary winding 21A is connected to the series connection point of the semiconductor switch element 7A and the semiconductor switch element 5A, and the transformer primary winding 21C Is connected to the series connection point of the semiconductor switch element 7B and the semiconductor switch element 5B, and the snubber circuit 8 is connected to the semiconductor switch element 7A and the semiconductor switch element 7B.
The positive terminal of the DC power supply 1 is connected to the intermediate terminal of the transformer 2 and the negative terminal of the DC power supply 1 is connected to the semiconductor switch element 5A between the connection point of the DC power supply 1 and the connection point of the semiconductor switch element 5B. A snubber diode 512A and a snubber capacitor 51 are connected to a connection point with the semiconductor switch element 5B.
1A in parallel with the semiconductor switch element 5A, a series circuit in which the auxiliary reactor 522A and the auxiliary switch element 521A are connected in series with the snubber diode 512A, and a regenerative diode 524A with the auxiliary reactor 522A and the auxiliary switch. A regenerative diode 523A is connected in parallel with the snubber capacitor 511A between the connection point with the element 521A and the connection point between the semiconductor switch elements 7A and 7B.
The snubber circuit 51B and the auxiliary circuit 52B attached to B are connected in the same manner as described above.

【0024】図10に図4の動作波形を示す。この動作
は図14と同様なため、主として、半導体スイッチ素子
5Aに付属するスナバコンデンサ511Aのエネルギー
回生動作について説明する。いま、半導体スイッチ素子
5Aがターンオフしたとき、スナバコンデンサ511A
が半導体スイッチ素子5Aの電圧上昇率を抑制する。次
に、半導体スイッチ素子5Aおよび補助スイッチ素子5
21Aがオンしている期間に、スナバコンデンサ51
1Aに蓄えられている電荷をスナバコンデンサ511A
→補助リアクトル522A→補助スイッチ素子521A
→半導体スイッチ素子5Aの経路で補助リアクトル52
2Aに移す。スナバコンデンサ511Aが零電圧まで放
電した後の期間に、補助リアクトル522Aに蓄えら
れたエネルギーにより、補助リアクトル522A→補助
スイッチ素子521A→スナバダイオード512Aの経
路で電流が流れ続ける。さらに、補助スイッチ素子52
1Aがオフしている期間に、補助リアクトル522A
に蓄えられたエネルギーは、補助リアクトル522A→
回生ダイオード524A→スナバ回路8→回生ダイオー
ド523Aの経路で放電し、スナバ回路8にエネルギー
を移す。
FIG. 10 shows operation waveforms of FIG. Since this operation is the same as that of FIG. 14, mainly the energy regeneration operation of the snubber capacitor 511A attached to the semiconductor switch element 5A will be described. Now, when the semiconductor switch element 5A is turned off, the snubber capacitor 511A
Suppresses the voltage rise rate of the semiconductor switch element 5A. Next, the semiconductor switch element 5A and the auxiliary switch element 5
While the 21A is on, the snubber capacitor 51
1A is stored in the snubber capacitor 511A.
→ Auxiliary reactor 522A → Auxiliary switch element 521A
→ Auxiliary reactor 52 on the path of semiconductor switch element 5A
Transfer to 2A. During the period after the snubber capacitor 511A has discharged to zero voltage, current continues to flow through the path of the auxiliary reactor 522A → the auxiliary switch element 521A → the snubber diode 512A due to the energy stored in the auxiliary reactor 522A. Further, the auxiliary switch element 52
During the period when 1A is off, the auxiliary reactor 522A
The energy stored in the auxiliary reactor 522A →
Discharge is performed on the path of the regenerative diode 524A → the snubber circuit 8 → the regenerative diode 523A, and energy is transferred to the snubber circuit 8.

【0025】また、半導体スイッチ素子5Aおよび7B
が同時にオンしている期間〜に、スナバ回路8に蓄
えられている電荷を、スナバ回路8→半導体スイッチ素
子7B→変圧器一次巻線21C→直流電源1の経路で放
電し、スナバ回路8で吸収したエネルギーを負荷に放出
する。そして、半導体スイッチ素子5Aおよび5Bが同
時にオフしている期間(10)に、スナバコンデンサ5
11Aに蓄えられている電荷が、スナバコンデンサ51
1A→補助リアクトル522A→回生ダイオード524
A→スナバ回路8の経路で放電し、補助リアクトル52
2Aおよびスナバ回路8にエネルギーを移す。スナバコ
ンデンサ511Aが直流電源電圧の1/2に達した後
は、補助リアクトル522Aに蓄えられたエネルギー
は、補助リアクトル522A→回生ダイオード524A
→スナバ回路8→直流電源1→変圧器一次巻線21A→
スナバダイオード512Aの経路で電流が流れ、スナバ
回路8にエネルギーを移す。なお、半導体スイッチ素子
5Bに付属するスナバ回路51B,52Bにおいても、
上記と全く同様に動作する。
The semiconductor switch elements 5A and 7B
During the period when is simultaneously turned on, the electric charge stored in the snubber circuit 8 is discharged through the path of the snubber circuit 8 → the semiconductor switch element 7B → the transformer primary winding 21C → the DC power supply 1; Releases absorbed energy to the load. During the period (10) when the semiconductor switch elements 5A and 5B are simultaneously turned off, the snubber capacitor 5
11A is stored in the snubber capacitor 51
1A → auxiliary reactor 522A → regenerative diode 524
A → discharge in the path of the snubber circuit 8 and the auxiliary reactor 52
Transfer energy to 2A and snubber circuit 8. After the snubber capacitor 511A reaches 1/2 of the DC power supply voltage, the energy stored in the auxiliary reactor 522A is changed from the auxiliary reactor 522A to the regenerative diode 524A.
→ Snubber circuit 8 → DC power supply 1 → Transformer primary winding 21A →
A current flows through the path of the snubber diode 512A and transfers energy to the snubber circuit 8. The snubber circuits 51B and 52B attached to the semiconductor switch element 5B also
It operates exactly as described above.

【0026】図5に図4の変形例を示す。図4との相違
点は、直流電源1の正極側端子を半導体スイッチ素子5
Aと半導体スイッチ素子5Bとの接続点に、直流電源1
の負極側端子を変圧器2の中間端子に接続した点で、そ
の他は図4と同様である。また、その動作についても、
図10と同様である。
FIG. 5 shows a modification of FIG. The difference from FIG. 4 is that the positive terminal of the DC power supply 1 is connected to the semiconductor switch element 5.
A DC power supply 1 is connected to the connection point between A and the semiconductor switch element 5B.
The other point is the same as that of FIG. 4 in that the negative electrode side terminal is connected to the intermediate terminal of the transformer 2. In addition, about the operation,
This is the same as FIG.

【0027】図6に図15と対応するこの発明の第4の
実施の形態を示す。図15との相違点は、スナバ回路5
3A,53Cを省き、スナバダイオード512Aとスナ
バコンデンサ511Aとを直列接続したスナバ回路51
Aを半導体スイッチ素子5Aと並列に、補助リアクトル
522Aと補助スイッチ素子521Aとを直列接続した
第1の直列回路をスナバダイオード512Aと並列に、
回生ダイオード524Aを補助リアクトル522Aと補
助スイッチ素子521Aとの接続点と直流電源1の正極
側端子間に、回生ダイオード523Aをスナバコンデン
サ511Aと並列にそれぞれ接続し、同様に、スナバコ
ンデンサ511Cとスナバダイオード512Cを直列接
続したスナバ回路51Cを半導体スイッチ素子5Cと並
列に、補助リアクトル522Cと補助スイッチ素子52
1Cとを直列接続した第2の直列回路をスナバダイオー
ド512Cと並列に、回生ダイオード524Cを補助リ
アクトル522Cと補助スイッチ素子521Cとの直列
接続点と直流電源1の負極側端子間に、回生ダイオード
523Cをスナバコンデンサ511Cと並列にそれぞれ
接続した点にある。
FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention corresponding to FIG. The difference from FIG. 15 is that the snubber circuit 5
3A and 53C are omitted, and a snubber circuit 51 in which a snubber diode 512A and a snubber capacitor 511A are connected in series.
A is connected in parallel with the semiconductor switch element 5A, and a first series circuit in which the auxiliary reactor 522A and the auxiliary switch element 521A are connected in series is connected in parallel with the snubber diode 512A.
The regenerative diode 524A is connected in parallel with the snubber capacitor 511A between the connection point between the auxiliary reactor 522A and the auxiliary switch element 521A and the positive terminal of the DC power supply 1, and similarly, the snubber capacitor 511C and the snubber diode are connected. The auxiliary reactor 522C and the auxiliary switch element 52C are connected in parallel with the semiconductor switch element 5C by connecting a snubber circuit 51C having the 512C connected in series.
1C in series with the snubber diode 512C, and a regenerative diode 524C between the series connection point of the auxiliary reactor 522C and the auxiliary switch element 521C and the negative terminal of the DC power supply 1. Are connected in parallel with the snubber capacitor 511C.

【0028】図11に図6の動作波形を示す。その動作
は図15と同様のため、ここでは主として、半導体スイ
ッチ素子5Aに付属するスナバコンデンサ511Aのエ
ネルギーの回生動作について説明する。すなわち、半導
体スイッチ素子5Aがターンオフするとき、スナバコン
デンサ511Aが半導体スイッチ素子5Aの電圧上昇率
を抑制する。次に、半導体スイッチ素子5Aおよび補助
スイッチ素子521Aがオンしている期間に、スナバ
コンデンサ511Aに蓄えられている電荷をスナバコン
デンサ511A→補助リアクトル522A→補助スイッ
チ素子521A→半導体スイッチ素子5Aの経路で、補
助リアクトル522Aに移す。スナバコンデンサ511
Aが零電圧まで放電した後の期間に、補助リアクトル
522Aに蓄えられたエネルギーにより、補助リアクト
ル522A→補助スイッチ素子521A→スナバダイオ
ード512Aの経路で電流が流れ続ける。さらに、補助
スイッチ素子521Aがオフの期間に、補助リアクト
ル522Aに蓄えられているエネルギーは、補助リアク
トル522A→回生ダイオード524A→直流電源1→
回生ダイオード523Aの経路で直流電源1に回生す
る。そして、半導体スイッチ素子5Aおよび5Cが同時
にオフしている期間(10)に、スナバコンデンサ51
1Aに蓄えられている電荷は、スナバコンデンサ511
A→補助リアクトル522A→回生ダイオード524A
→直流電源1の経路で放電し、補助リアクトル522A
にエネルギーを移す。スナバコンデンサ511Aが直流
電源電圧の1/2に達した後は、補助リアクトル522
Aに蓄えられたエネルギーは、補助リアクトル522A
→回生ダイオード524A→コンデンサ6B→変圧器一
次巻線21A→スナバダイオード512Aの経路で電流
が流れ、コンデンサ6Bにエネルギーを移す。なお、半
導体スイッチ素子5Cに付属するスナバ回路51C,5
2Cにおいても、上記と全く同様に動作する。
FIG. 11 shows the operation waveforms of FIG. Since the operation is the same as that of FIG. 15, here, the operation of regenerating the energy of the snubber capacitor 511A attached to the semiconductor switch element 5A will be mainly described. That is, when the semiconductor switch element 5A turns off, the snubber capacitor 511A suppresses the rate of voltage increase of the semiconductor switch element 5A. Next, while the semiconductor switch element 5A and the auxiliary switch element 521A are on, the electric charge stored in the snubber capacitor 511A is transferred through the path of the snubber capacitor 511A → the auxiliary reactor 522A → the auxiliary switch element 521A → the semiconductor switch element 5A. To the auxiliary reactor 522A. Snubber capacitor 511
During the period after A discharges to zero voltage, current continues to flow on the path of auxiliary reactor 522A → auxiliary switch element 521A → snubber diode 512A due to the energy stored in auxiliary reactor 522A. Further, while the auxiliary switch element 521A is off, the energy stored in the auxiliary reactor 522A is changed from the auxiliary reactor 522A → the regenerative diode 524A → the DC power supply 1 →
The power is regenerated to the DC power supply 1 through the path of the regenerative diode 523A. During the period (10) when the semiconductor switch elements 5A and 5C are simultaneously turned off, the snubber capacitor 51
The electric charge stored in 1A is a snubber capacitor 511
A → Auxiliary reactor 522A → Regenerative diode 524A
→ Discharge in the path of DC power supply 1, auxiliary reactor 522A
Transfer energy to After the snubber capacitor 511A reaches 1/2 of the DC power supply voltage, the auxiliary reactor 522
The energy stored in A is the auxiliary reactor 522A
A current flows through the path of the regenerative diode 524A → the capacitor 6B → the primary winding 21A of the transformer → the snubber diode 512A to transfer energy to the capacitor 6B. The snubber circuits 51C, 5C attached to the semiconductor switch element 5C
In 2C, the operation is exactly the same as described above.

【0029】図7に図16と対応するこの発明の第5の
実施の形態を示す。図16との相違点は、スナバ回路5
3A,53B,53Cおよび53Dを省略し、スナバダ
イオード512Aとスナバコンデンサ511Aとを直列
接続したスナバ回路51Aを半導体スイッチ素子5Aと
並列に、補助リアクトル522Aと補助スイッチ521
Aとを直列接続した第1の直列回路をスナバダイオード
512Aと並列に、回生ダイオード524Aを補助リア
クトル522Aと補助スイッチ521Aとの接続点と直
流電源1の正極側端子間に、回生ダイオード523Aを
スナバコンデンサ511Aと並列にそれぞれ接続した点
にある。また、同様にスナバコンデンサ511Cとスナ
バダイオード512Cを直列接続したスナバ回路51C
を半導体スイッチ素子5Cと並列に、補助リアクトル5
22Cと補助スイッチ521Cとを直列接続した第2の
直列回路をスナバダイオード512Cと並列に、回生ダ
イオード524Cを補助リアクトル522Cと補助スイ
ッチ521Cとの接続点と直流電源1の負極側端子間
に、回生ダイオード523Cをスナバコンデンサ511
Cと並列にそれぞれ接続する。さらに、半導体スイッチ
素子5Bおよび5Dも同様にスナバ回路51Bおよび5
1D、補助回路52Bおよび52Dをそれぞれ接続す
る。
FIG. 7 shows a fifth embodiment of the present invention corresponding to FIG. The difference from FIG. 16 is that the snubber circuit 5
3A, 53B, 53C and 53D are omitted, a snubber circuit 51A in which a snubber diode 512A and a snubber capacitor 511A are connected in series is connected in parallel with a semiconductor switch element 5A, and an auxiliary reactor 522A and an auxiliary switch 521 are provided.
A is connected in series with the snubber diode 512A, the regenerative diode 524A is connected between the connection point between the auxiliary reactor 522A and the auxiliary switch 521A and the positive terminal of the DC power supply 1, and the regenerative diode 523A is connected to the snubber diode 512A. The point is that each is connected in parallel with the capacitor 511A. Similarly, a snubber circuit 51C in which a snubber capacitor 511C and a snubber diode 512C are connected in series.
In parallel with the semiconductor switch element 5C,
A second series circuit in which the second switch 22C and the auxiliary switch 521C are connected in series is connected in parallel with the snubber diode 512C, and the regenerative diode 524C is connected between the connection point between the auxiliary reactor 522C and the auxiliary switch 521C and the negative terminal of the DC power supply 1. The diode 523C is connected to the snubber capacitor 511.
C and connected in parallel. Further, the semiconductor switch elements 5B and 5D are similarly connected to the snubber circuits 51B and 5D.
1D and the auxiliary circuits 52B and 52D are connected.

【0030】図11に図7の動作波形を示す。その動作
は図16と同様のため、ここでは主として、半導体スイ
ッチ素子5Aに付属するスナバコンデンサ511Aのエ
ネルギーの回生動作について説明する。半導体スイッチ
素子5Aがターンオフするとき、スナバコンデンサ51
1Aが半導体スイッチ素子5Aの電圧上昇率を抑制す
る。次に、半導体スイッチ素子5Aおよび補助スイッチ
素子521Aがオンしている期間に、スナバコンデン
サ511Aに蓄えられている電荷を、スナバコンデンサ
511A→補助リアクトル522A→補助スイッチ素子
521A→半導体スイッチ素子5Aの経路で、補助リア
クトル522Aに移す。スナバコンデンサ511Aが零
電圧まで放電した後の期間に、補助リアクトル522
Aに蓄えられたエネルギーにより、補助リアクトル52
2A→補助スイッチ素子521A→スナバダイオード5
12Aの経路で電流が流れ続ける。さらに、補助スイッ
チ素子521Aがオフの期間に、補助リアクトル52
2Aに蓄えられたエネルギーは、補助リアクトル522
A→回生ダイオード524A→直流電源1→回生ダイオ
ード523Aの経路で直流電源1に回生する。半導体ス
イッチ素子5A,5B,5Cおよび5Dがオフしている
期間(10)に、スナバコンデンサ511Aに蓄えられ
ている電荷は、スナバコンデンサ511A→補助リアク
トル522A→回生ダイオード524A→直流電源1の
経路で放電し、補助リアクトル522Aにエネルギーを
移す。スナバコンデンサ511Aが直流電源電圧の1/
2に達した後は、補助リアクトル522Aに蓄えられた
エネルギーは、補助リアクトル522A→回生ダイオー
ド524A→直流電源1→回生ダイオード524D→補
助リアクトル522D→スナバダイオード512D→変
圧器一次巻線21A→スナバダイオード512Aの経路
で直流電源1に回生する。半導体スイッチ素子5B,5
Cおよび5Dに付属するスナバ回路51B,51Cおよ
び51D、補助回路52B,52Cおよび52Dについ
ても、上記と同様に動作する。
FIG. 11 shows the operation waveforms of FIG. Since the operation is the same as that of FIG. 16, here, the regenerative operation of the energy of the snubber capacitor 511A attached to the semiconductor switch element 5A will be mainly described. When the semiconductor switch element 5A is turned off, the snubber capacitor 51
1A suppresses the voltage rise rate of the semiconductor switch element 5A. Next, while the semiconductor switch element 5A and the auxiliary switch element 521A are on, the electric charge stored in the snubber capacitor 511A is transferred to the path of the snubber capacitor 511A → auxiliary reactor 522A → auxiliary switch element 521A → semiconductor switch element 5A. Then, it is transferred to the auxiliary reactor 522A. During the period after the snubber capacitor 511A has discharged to zero voltage, the auxiliary reactor 522
A, the auxiliary reactor 52
2A → auxiliary switch element 521A → snubber diode 5
Current continues to flow through the 12A path. Further, when the auxiliary switch element 521A is off, the auxiliary reactor 52
The energy stored in 2A is the auxiliary reactor 522
The power is regenerated to the DC power supply 1 through a path of A → regeneration diode 524A → DC power supply 1 → regeneration diode 523A. During the period (10) in which the semiconductor switch elements 5A, 5B, 5C and 5D are off, the electric charge stored in the snubber capacitor 511A is transferred through the path of the snubber capacitor 511A → the auxiliary reactor 522A → the regenerative diode 524A → the DC power supply 1. Discharges and transfers energy to auxiliary reactor 522A. The snubber capacitor 511A is connected to 1 / DC power supply voltage.
After reaching 2, the energy stored in the auxiliary reactor 522A is converted to the auxiliary reactor 522A → the regenerative diode 524A → DC power supply 1 → the regenerative diode 524D → the auxiliary reactor 522D → the snubber diode 512D → the transformer primary winding 21A → the snubber diode The power is regenerated to the DC power supply 1 through the path of 512A. Semiconductor switch element 5B, 5
The snubber circuits 51B, 51C and 51D and the auxiliary circuits 52B, 52C and 52D attached to C and 5D operate in the same manner as described above.

【0031】以上の例について、補助スイッチ素子52
1A,521B,521Cおよび521Dのオン期間
を、スナバコンデンサ511A,511B,511Cお
よび511Dの容量と補助リアクトル522A,522
B,522Cおよび522Dとの共振周波数の約1/4
とする。こうすれば、図8〜11で説明した期間をほ
ぼ零にすることができ、この期間における補助スイッチ
素子521A〜Dと、スナバダイオード512A〜Dの
導通損失を低減することが可能となる。
In the above example, the auxiliary switch element 52
The ON periods of 1A, 521B, 521C and 521D are determined by the capacitance of snubber capacitors 511A, 511B, 511C and 511D and the auxiliary reactors 522A and 522.
B, about 4 of the resonance frequency with 522C and 522D
And In this way, the period described with reference to FIGS. 8 to 11 can be made substantially zero, and the conduction loss of the auxiliary switch elements 521A to 521D and the snubber diodes 512A to 512D during this period can be reduced.

【0032】[0032]

【発明の効果】この発明によれば、スナバ回路に蓄えら
れたエネルギーを直流電源に回生するかまたは負荷に放
出するようにしたので、スナバ回路では損失が殆ど発生
しないようになる。また、半導体スイッチ素子のターン
オフ時の電圧上昇率を低減できるので、スイッチング損
失および発熱が低減するという利点が得られる。その結
果、装置の変換効率が向上し、放熱のための冷却装置を
小形にできるという利点がもたらされる。
According to the present invention, the energy stored in the snubber circuit is regenerated to the DC power supply or released to the load, so that almost no loss occurs in the snubber circuit. Further, since the rate of voltage rise at the time of turning off the semiconductor switch element can be reduced, there is obtained an advantage that switching loss and heat generation are reduced. As a result, there is an advantage that the conversion efficiency of the device is improved and a cooling device for heat radiation can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明による第1の実施の形態を示す回路図
である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment according to the present invention.

【図2】図1の変形例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a modified example of FIG.

【図3】この発明による第2の実施の形態を示す回路図
である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment according to the present invention.

【図4】この発明による第3の実施の形態を示す回路図
である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment according to the present invention.

【図5】図4の変形例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a modified example of FIG.

【図6】この発明による第4の実施の形態を示す回路図
である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a fourth embodiment according to the present invention.

【図7】この発明による第5の実施の形態を示す回路図
である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a fifth embodiment according to the present invention.

【図8】図1,図2の動作波形図である。FIG. 8 is an operation waveform diagram of FIGS. 1 and 2;

【図9】図3の動作波形図である。9 is an operation waveform diagram of FIG.

【図10】図4,図5の動作波形図である。FIG. 10 is an operation waveform diagram of FIGS. 4 and 5;

【図11】図6,図7の動作波形図である。FIG. 11 is an operation waveform diagram of FIGS. 6 and 7;

【図12】第1の従来例を示す回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram showing a first conventional example.

【図13】第2の従来例を示す回路図である。FIG. 13 is a circuit diagram showing a second conventional example.

【図14】第3の従来例を示す回路図である。FIG. 14 is a circuit diagram showing a third conventional example.

【図15】第4の従来例を示す回路図である。FIG. 15 is a circuit diagram showing a fourth conventional example.

【図16】第5の従来例を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram showing a fifth conventional example.

【図17】図12,13の動作波形図である。FIG. 17 is an operation waveform diagram of FIGS.

【図18】図14,15,16の動作波形図である。FIG. 18 is an operation waveform diagram of FIGS. 14, 15, and 16;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…直流電源、2…変圧器、21A,21C…変圧器一
次巻線、21B…変圧器リセット巻線、22…変圧器二
次巻線、3…整流回路、4…平滑回路(平滑フィル
タ)、5A,5B,5C,5D,7A,7B…半導体ス
イッチ素子、51A,51B,51C,51D,53
A,53B,53C,53D,8…スナバ回路、511
A,511B,511C,511D,531A,531
B,531C,531D…スナバコンデンサ、512
A,512B,512C,512D…スナバダイオー
ド、52A,52B,52C,52D…補助回路、52
1A,521B,521C,521D…補助スイッチ、
522A,522B,522C,522D…補助リアク
トル、523A,523B,523C,523D,52
4A,524B,524C,524D…回生ダイオー
ド、532A,532B,532C,532D…放電抵
抗、6A,6B…コンデンサ、9A,9B…ダイオー
ド。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... DC power supply, 2 ... Transformer, 21A, 21C ... Transformer primary winding, 21B ... Transformer reset winding, 22 ... Transformer secondary winding, 3 ... Rectifier circuit, 4 ... Smoothing circuit (smoothing filter) , 5A, 5B, 5C, 5D, 7A, 7B ... Semiconductor switch elements, 51A, 51B, 51C, 51D, 53
A, 53B, 53C, 53D, 8 ... snubber circuit, 511
A, 511B, 511C, 511D, 531A, 531
B, 531C, 531D ... snubber capacitor, 512
A, 512B, 512C, 512D ... snubber diodes, 52A, 52B, 52C, 52D ... auxiliary circuits, 52
1A, 521B, 521C, 521D ... auxiliary switches,
522A, 522B, 522C, 522D ... Auxiliary reactors, 523A, 523B, 523C, 523D, 52
4A, 524B, 524C, 524D: Regenerative diode, 532A, 532B, 532C, 532D: Discharge resistance, 6A, 6B: Capacitor, 9A, 9B: Diode.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のダイオードの一方の端子と第1の
半導体スイッチ素子の一方の端子とを直列接続した第1
の直列アームと、第2の半導体スイッチ素子の一方の端
子と第2のダイオードの一方の端子とを直列接続した第
2の直列アームと、第1のスナバ回路とを互いに並列に
接続するとともに、変圧器一次巻線のリセット巻線を接
続していない側の端子を前記第1の直列アームの直列接
続点に、また、変圧器リセット巻線の一次巻線を接続し
ていない側の端子を前記第2の直列アームの直列接続点
に、さらには、直流電源を変圧器の一次巻線とリセット
巻線の接続点と前記第1の半導体スイッチ素子と前記第
2のダイオードの接続点との間に並列にそれぞれ接続し
てなる直流−直流変換装置において、 スナバダイオードとスナバコンデンサとを直列接続した
第2のスナバ回路を前記直流電源と接続されている側の
半導体スイッチ素子と並列に、補助リアクトルと補助ス
イッチとを直列接続した直列回路を前記スナバダイオー
ドと並列に、第1の回生ダイオードを前記直列回路の直
列接続点と前記直流電源を接続していない側の半導体ス
イッチ素子の並列接続点間に、第2の回生ダイオードを
前記スナバコンデンサと並列にそれぞれ接続したことを
特徴とする直流−直流変換装置。
A first terminal connected in series with one terminal of the first diode and one terminal of the first semiconductor switch element;
A serial arm, a second serial arm in which one terminal of the second semiconductor switch element and one terminal of the second diode are connected in series, and a first snubber circuit connected in parallel with each other; The terminal of the transformer primary winding on the side where the reset winding is not connected is connected to the series connection point of the first series arm, and the terminal on the side where the primary winding of the transformer reset winding is not connected is connected. A DC power supply is further connected to a series connection point of the second series arm and a connection point of a primary winding and a reset winding of a transformer and a connection point of the first semiconductor switch element and the second diode. In a DC-DC converter having a snubber diode and a snubber capacitor connected in series, a second snubber circuit is connected in parallel with the semiconductor switch element on the side connected to the DC power supply. A series circuit in which a reactor and an auxiliary switch are connected in series is connected in parallel with the snubber diode, and a first regenerative diode is connected in series between the series connection point of the series circuit and the semiconductor switch element on the side not connected to the DC power supply. A DC-DC converter, wherein a second regenerative diode is connected in parallel with the snubber capacitor.
【請求項2】 第1のダイオードと第1の半導体スイッ
チ素子とを直列接続した第1の直列アームと、第2の半
導体スイッチ素子と第2のダイオードとを直列接続した
第2の直列アームと、直流電源とを互いに並列に接続
し、変圧器一次巻線を前記第1の直列アームの直列接続
点と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に接続
してなる直流−直流変換装置において、 前記第1の半導体スイッチ素子と第2の半導体スイッチ
素子のそれぞれにはスナバダイオードとスナバコンデン
サとを直列接続したスナバ回路を個別かつ並列に、前記
スナバダイオードのそれぞれには補助リアクトルと補助
スイッチとを直列接続した直列回路を個別かつ並列に、
前記直列回路の直列接続点と前記第1,第2の直列アー
ムの並列接続点間のそれぞれには第1の回生ダイオード
を個別に、前記スナバコンデンサのそれぞれには第2の
回生ダイオードを個別かつ並列にそれぞれ接続したこと
を特徴とする直流−直流変換装置。
2. A first series arm in which a first diode and a first semiconductor switch element are connected in series, and a second series arm in which a second semiconductor switch element and a second diode are connected in series. , DC-DC power supply connected in parallel with each other, and a transformer primary winding connected between the series connection point of the first series arm and the series connection point of the second series arm. In the conversion device, a snubber circuit in which a snubber diode and a snubber capacitor are connected in series is individually and in parallel with each of the first semiconductor switch element and the second semiconductor switch element, and an auxiliary reactor is provided in each of the snubber diodes. A series circuit with the auxiliary switch connected in series individually and in parallel,
A first regenerative diode is separately provided between a series connection point of the series circuit and a parallel connection point of the first and second series arms, and a second regenerative diode is separately provided for each of the snubber capacitors. A DC-DC converter, wherein the DC-DC converters are connected in parallel.
【請求項3】 第1の半導体スイッチ素子の一方の端子
と第2の半導体スイッチ素子の一方の端子とを直列接続
した第1の直列アームと、第3の半導体スイッチ素子の
一方の端子と第4の半導体スイッチ素子の一方の端子と
を直列接続した第2の直列アームと、第1のスナバ回路
とをそれぞれ並列に、中間端子を持つ変圧器一次巻線の
一方の端子を前記第1の直列アームの直列接続点に、前
記変圧器一次巻線の他方の端子を前記第2の直列アーム
の直列接続点に、直流電源を前記変圧器の中間端子と前
記第2の半導体スイッチ素子と第4の半導体スイッチ素
子との並列接続点間に、それぞれ接続してなる直流−直
流変換装置において、 前記第2の半導体スイッチ素子と第4の半導体スイッチ
素子のそれぞれに、スナバダイオードとスナバコンデン
サとを直列接続したスナバ回路を個別かつ並列に、前記
スナバダイオードのそれぞれに補助リアクトルと補助ス
イッチとを直列接続した直列回路を個別かつ並列に、ま
た前記直列回路の直列接続と前記第1,第2の直列アー
ムの前記直流電源を接続していない側の並列接続点間の
それぞれに第1の回生ダイオードを個別に、前記スナバ
コンデンサのそれぞれに第2の回生ダイオードを個別か
つ並列にそれぞれ接続したことを特徴とする直流−直流
変換装置。
3. A first series arm in which one terminal of a first semiconductor switch element and one terminal of a second semiconductor switch element are connected in series, and one terminal of a third semiconductor switch element and a second terminal. 4 and a first snubber circuit in parallel with one terminal of one of the semiconductor switch elements of No. 4 and a first snubber circuit, respectively, and one terminal of a transformer primary winding having an intermediate terminal is connected to the first terminal. The other terminal of the primary winding of the transformer is connected to the series connection point of the second arm, and the DC power supply is connected to the intermediate terminal of the transformer, the second semiconductor switch element, A DC-DC converter connected between the parallel connection points of the fourth semiconductor switch element and the fourth semiconductor switch element respectively, wherein the second semiconductor switch element and the fourth semiconductor switch element each have a snubber diode and a snubber converter. And a snubber circuit connected in series with a sensor, and a serial circuit in which an auxiliary reactor and an auxiliary switch are connected in series to each of the snubber diodes individually and in parallel. A first regenerative diode is individually connected between each parallel connection point of the second series arm on which the DC power supply is not connected, and a second regenerative diode is individually and parallelly connected to each of the snubber capacitors. A DC-DC converter, characterized in that:
【請求項4】 第1の半導体スイッチ素子の一方の端子
と第2の半導体スイッチ素子の一方の端子とを直列接続
した第1の直列アームと、コンデンサを直列接続した第
2の直列アームと、直流電源とを互いに並列に接続し、
変圧器一次巻線を前記第1の直列アームの直列接続点と
前記第2の直列アームの直列接続点との間に接続してな
る直流−直流変換装置において、 前記スイッチング素子のそれぞれには、スナバダイオー
ドとスナバコンデンサとを直列接続したスナバ回路を個
別かつ並列に、また、前記スナバダイオードのそれぞれ
には、補助リアクトルと補助スイッチとを直列接続した
直列回路を個別かつ並列に、さらに前記直列回路の直列
接続点と前記第1の直列アームの並列接続点間のそれぞ
れに第1の回生ダイオードを個別に、前記スナバコンデ
ンサのそれぞれに第2の回生ダイオードを個別かつ並列
にそれぞれ接続したことを特徴とする直流−直流変換装
置。
4. A first series arm in which one terminal of a first semiconductor switch element and one terminal of a second semiconductor switch element are connected in series, a second series arm in which capacitors are connected in series, Connect the DC power supply in parallel with each other,
In a DC-DC converter in which a transformer primary winding is connected between a series connection point of the first series arm and a series connection point of the second series arm, in each of the switching elements, A snubber circuit in which a snubber diode and a snubber capacitor are connected in series is individually and in parallel, and a series circuit in which an auxiliary reactor and an auxiliary switch are connected in series is individually and in parallel in each of the snubber diodes. Wherein a first regenerative diode is individually connected between each of the series connection points of the first series arm and a parallel connection point of the first series arm, and a second regenerative diode is individually and parallelly connected to each of the snubber capacitors. DC-DC converter.
【請求項5】 第1の半導体スイッチ素子の一方の端子
と第2の半導体スイッチ素子の一方の端子とを直列接続
した第1の直列アームと、第3の半導体スイッチ素子の
一方の端子と第4の半導体スイッチ素子の一方の端子と
を直列接続した第2の直列アームと、直流電源とを互い
に並列に接続し、変圧器一次巻線を前記第1の直列アー
ムの直列接続点と前記第2の直列アームの直列接続点と
の間に接続してなる直流−直流変換装置において、 前記半導体スイッチ素子のそれぞれには、スナバダイオ
ードとスナバコンデンサとを直列接続したスナバ回路を
個別かつ並列に、また、前記スナバダイオードのそれぞ
れには、補助リアクトルと補助スイッチとを直列接続し
た直列回路を個別かつ並列に、さらに前記直列回路の直
列接続点と前記直列アームの並列接続点間のそれぞれに
第1の回生ダイオードを個別に、前記スナバコンデンサ
のそれぞれに第2の回生ダイオードを個別かつ並列にそ
れぞれ接続したことを特徴とする直流−直流変換装置。
5. A first series arm in which one terminal of a first semiconductor switch element and one terminal of a second semiconductor switch element are connected in series, and one terminal of a third semiconductor switch element and a first series arm. A second series arm in which one terminal of the semiconductor switch element of No. 4 is connected in series and a DC power supply are connected in parallel with each other, and a primary transformer of a transformer is connected to a series connection point of the first series arm and the second arm. A DC-DC converter connected between the serial connection points of the two serial arms, wherein a snubber circuit in which a snubber diode and a snubber capacitor are connected in series is individually and in parallel with each of the semiconductor switch elements; Also, a series circuit in which an auxiliary reactor and an auxiliary switch are connected in series is individually and in parallel with each of the snubber diodes, and a series connection point of the series circuit and the series circuit are connected to each other. A first regenerative diode individually to each of the inter-parallel connection point of the beam, direct current, characterized in that the second regenerative diode respectively connected to individual and parallel to each of said snubber capacitor - DC converter.
【請求項6】 前記補助スイッチ素子のオン期間を、前
記スナバコンデンサの容量と前記補助リアクトルとの共
振周期の約1/4とすることを特徴とする請求項1ない
し5のいずれかに記載の直流−直流変換装置。
6. The apparatus according to claim 1, wherein an on-period of said auxiliary switch element is set to be about 1 / of a resonance cycle between a capacity of said snubber capacitor and said auxiliary reactor. DC-DC converter.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007000830A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dc/dc converter
JP2010200512A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Fujitsu Telecom Networks Ltd Switching power supply device

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